CN1897243A - 静电吸附电极、基板处理装置和静电吸附电极的制造方法 - Google Patents

静电吸附电极、基板处理装置和静电吸附电极的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种使用聚酰亚胺薄膜等耐热性合成树脂薄膜作为绝缘层的一部分，能够充分确保电极层的电连接的静电吸附电极。将黏合剂(101)涂敷在基体材料(41)上，粘贴合成树脂薄膜(42)和导电性薄膜(43)的叠层体。在安装有供电杆(70)的状态下，通过喷涂装置(100)进行定点喷涂，将导电性材料喷涂在开(42a、43a)中，形成喷涂部(45)。其次，将用于喷涂的打底剂(102)涂敷在导电性薄膜(43)的表面上后，使用喷涂装置(100)将Al2O3等陶瓷均匀地喷涂在导电性薄膜(43)的表面上，进行绝缘覆盖。

Description

静电吸附电极、基板处理装置和静电吸附电极的制造方法
技术领域
本发明涉及静电吸附电极、基板处理装置和静电吸附电极的制造方法，详细地说，涉及在平板显示器(FPD)等的制造过程中，为了吸附保持玻璃基板等基板而使用的静电吸附电极、具备该静电吸附电极的基板处理装置和静电吸附电极的制造方法。
背景技术
在FPD的制造过程中，对作为被处理体的玻璃基板进行干蚀刻和溅射、CVD(Chemical Vapor Deposition)等的等离子体处理。例如，将一对平行平板电极(上部和下部电极)配置在腔室内，将玻璃基板放置在具有作为下部电极功能的基座(基板放置台)上后，将处理气体导入腔室内，同时将高频电力施加在至少一个电极上，在电极之间形成高频电场，通过该高频电场形成处理气体的等离子体，对玻璃基板进行等离子体处理。此时，通过设置在基座上的静电吸附电极，利用例如库仑力来吸附固定玻璃基板。
作为这样的静电吸附电极，已知有例如在通过金属等导电性材料形成的基体材料上依次叠层有绝缘层、电极层和绝缘层的结构的静电吸附电极，通过将电压施加在该电极层上而产生库仑力，能将玻璃基板吸附固定。而且，作为形成在上述基体材料上的绝缘层，已知有陶瓷等喷涂绝缘膜，但喷涂绝缘膜的耐压性能有限，所以提出了使用聚酰亚胺薄膜来代替喷涂绝缘膜的方案(例如专利文献1、专利文献2)。
如上述现有技术，作为在绝缘层中使用聚酰亚胺薄膜的优点，例如耐压性能好。即，耐压性能高的聚酰亚胺薄膜的绝缘膜与喷涂绝缘膜相比，能够减薄获得同等耐压特性的膜厚度。另外，由于能够薄膜化，所以还能提高由铝等材质构成的基体材料的热膨胀的随动性。
另外，在喷涂绝缘膜的情况下，必须进行堵塞膜中的气孔、改善耐压性能用的浸渍处理，与此相伴随的工序数量、工时增多，而且出现如果局部存在浸渍不良的地方，则耐压性能显著下降的问题，但通过使用聚酰亚胺薄膜能解决这些问题。
[专利文献1]日本专利特开2002-64134号公报(权利要求的范围等)
[专利文献2]日本专利特开2001-284328号公报(图3等)
如上所述，静电吸附电极使电极层介于绝缘层之间，为了将电压施加在其上，有必要谋求与直流电源的电连接。在上述现有技术中，作为电极层虽然使用金属箔和金属片，但在这些金属箔和金属片叠层在聚酰亚胺薄膜上使用的情况下，难以确保连接在直流电源上的供电部件与电极层的结合部位的电连接，如果该部分连接不良，则存在不能维持作为静电吸附电极的功能的问题。
本发明就是鉴于上述情况而完成，目的在于提供一种使用聚酰亚胺薄膜等耐热性合成树脂薄膜作为绝缘层的一部分，能充分确保电极层的电连接的静电吸附电极。
发明内容
为了解决上述课题，本发明的第一方面，提供一种静电吸附电极，用于在基板处理装置中吸附保持基板，其特征在于，具备：
基体材料；
设置在该基体材料上的第一绝缘层；
设置在上述第一绝缘层的上层的电极层；和
设置在上述电极层的上层的第二绝缘层，
上述第一绝缘层由耐热性合成树脂薄膜形成，
上述电极层的一部分或全部通过喷涂形成。
在上述第一观点中，上述电极层具有导电性薄膜区域和填埋形成在该导电性薄膜区中的开口部的喷涂区域，上述第二绝缘层可以通过喷涂形成。或者，上述电极层和上述第二绝缘层通过喷涂形成。此时，上述第二绝缘层是陶瓷喷涂膜。
此外，在上述第一观点中，通过喷涂形成上述电极层，同时通过耐热性合成树脂薄膜形成上述第二绝缘层，此外，在上述第二绝缘层的上层通过喷涂形成有第三绝缘层。此时，上述第三绝缘层也可以是陶瓷喷涂膜。
在上述第一观点中，优选在作为上述第一绝缘层的耐热性合成树脂薄膜上设置有开口，在该开口内喷涂导电性材料，形成喷涂部。此时，优选上述喷涂部形成在用于对上述电极层施加电压的电连接部上。
本发明的第二观点提供一种基板处理装置，具备发明方面一～发明方面八中任一项所述的静电吸附电极。该基板处理装置可以用于平板显示器的制造中。也可以是对基板进行等离子体蚀刻处理的等离子体蚀刻装置。
本发明的第三观点提供一种静电吸附电极的制造方法，其中静电吸附电极用于在基板处理装置中吸附保持基板，其特征在于，包括：
将具有开口部的耐热性合成树脂薄膜与具有开口部的导电性薄膜粘接，以使上述开口部重合的方式构成叠层体，将其粘贴在基体材料上，从上述基体材料侧依次形成第一绝缘层和电极层的工序；
形成在上述第一绝缘层和上述电极层上的开口部中喷涂导电性材料，形成喷涂部的工序；和
在上述电极层上喷涂绝缘材料，形成第二绝缘层的工序。
本发明的第四观点提供一种静电吸附电极的制造方法，其中静电吸附电极用于在基板处理装置中吸附保持基板，其特征在于，包括：
将具有开口部的耐热性合成树脂薄膜粘贴在基体材料上，形成第一绝缘层的工序；
在上述耐热性合成树脂薄膜上喷涂导电性材料，形成电极层的工序；和
在上述电极层上喷涂绝缘材料，形成第二绝缘层的工序。
本发明的第五观点提供一种静电吸附电极的制造方法，其中静电吸附电极用于在基板处理装置中吸附保持基板，其特征在于，包括：
将具有开口部的耐热性合成树脂薄膜粘贴在基体材料上，形成第一绝缘层的工序；
在上述耐热性合成树脂薄膜上喷涂导电性材料，形成电极层的工序；
在上述电极层上叠层耐热性合成树脂薄膜，形成第二绝缘层的工序：和
在上述第二绝缘层的上层喷涂绝缘材料，形成第三绝缘层的工序。
优选在上述第四观点和第五观点中，在形成上述电极层的工序之前，在上述耐热性合成树脂薄膜的开口部上喷涂导电性材料，形成喷涂部的工序。
根据本发明的静电吸附电极，由于至少作为与基体材料相邻的绝缘层，使用耐压特性高、可薄膜化的耐热性合成树脂薄膜，同时通过喷涂形成电极层的至少一部分，所以能充分确保与供电线的电连接。因此，本发明的静电吸附电极的绝缘层的膜厚度薄，基体材料的热膨胀的随动性高，吸附性能好，而且耐压性能好。
另外，根据本发明的静电吸附电极的制造方法，能够在短时间内，以少量的工序而且低成本地制造上述静电吸附电极。
附图说明
图1是表示设置有本发明的一个实施方式的静电卡盘的处理装置的一例的等离子体蚀刻装置的剖面图。
图2是说明第一实施方式的静电卡盘的示意图，(a)是剖面图，(b)是主要部分剖面图。
图3是说明第一实施方式的静电卡盘的制造工序的示意图。
图4是说明第二实施方式的静电卡盘的示意图，(a)是剖面图，(b)是主要部分剖面图。
图5是说明第二实施方式的静电卡盘的制造工序的示意图。
图6是说明第三实施方式的静电卡盘的示意图，(a)是剖面图，(b)是主要部分剖面图。
图7是说明第三实施方式的静电卡盘的制造工序的示意图。
标号说明
1等离子体蚀刻装置
2腔室
3绝缘板
4基座
5绝缘膜
11喷淋头
20排气装置
25高频电源
40静电卡盘
41基体材料
42合成树脂薄膜
43导电性薄膜
44陶瓷喷涂膜
45喷涂部
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的优选方式。
图1是表示具备本发明的一个实施方式的静电吸附电极的静电卡盘的处理装置的一例的等离子体蚀刻装置的剖面图。如图1所示，等离子体蚀刻装置1作为电容耦合型平行平板等离子体蚀刻装置，构成为用于对呈矩形的作为被处理体的FPD用玻璃基板等基板G进行蚀刻。这里，作为FPD，能例举出液晶显示器(LCD)、发光二极管(LED)、显示器、电致发光(Electro Luminescence；EL)显示器、荧光显示管(Vacuum Fluorescent Display；VFD)、等离子体显示面板(PDP)等。另外，本发明的处理装置不只限于等离子体蚀刻装置。
该等离子体蚀刻装置1具有例如由表面进行了防氧化铝膜处理(阳极氧化处理)的铝构成的呈矩形形状的腔室2。在该腔室2内的底部上设置有由绝缘材料构成的棱柱状的绝缘板3，在该绝缘板3上设置有用于放置基板G的基座4。作为基板放置台的基座4具有基座基体材料4a；和设置在基座基体材料4a上的静电卡盘40。另外，在基座基体材料4a的外周形成绝缘膜5，进行绝缘覆盖。
静电卡盘40具有由铝等导电性材料构成的基体材料41，在该基体材料41的上面，从下往上依次叠层作为第一绝缘层的合成树脂薄膜42、作为电极层的导电性薄膜43和作为第二绝缘层的陶瓷喷涂膜44。静电卡盘40通过从直流电源26经由供电线27将直流电压施加在合成树脂薄膜42和陶瓷喷涂膜44之间的导电性薄膜43上，例如通过库仑力对基板G进行静电吸附。另外，后面将说明静电卡盘40的详细结构。
在上述绝缘板3、基座基体材料4a和静电卡盘40上，形成有贯通它们的气体通路9。导热气体、例如He气等通过该气体通路9供给到作为被处理体的基板G的背面。
即，供给到气体通路9的导热气体经由形成在基座基体材料4a和静电卡盘40的基体材料41的边界上的气体储罐9a，一旦沿水平方向扩散后，通过形成在静电卡盘40内的气体供给连通孔9b，从静电卡盘40的表面喷出到基板G的背面侧。这样，基座4的冷量传递到基板G上，基板G维持在规定的温度。
在基座基体材料4a的内部设置有制冷剂室10。在该制冷剂室10中，经由制冷剂导入管10a导入例如氟系液体等制冷剂，而且经由制冷剂排出管10b排出并进行循环，该冷量从基座基体材料4a经由上述导热气体对基板G进行导热。
在上述基座4的上方，与该基座4平行相对地设置有起上部电极作用的喷淋头11。喷淋头11被支撑在腔室2的上部，内部具有内部空间12，同时在与基座4相对的面上形成有喷出处理气体的多个喷出孔13。该喷淋头11接地，与基座4一起构成一对平行平板电极。
在喷淋头11的上面设置有气体导入口14，处理气体供给管15连接在该气体导入口14上，处理气体供给源18经由阀16和质量流控制器17连接在该处理气体供给管15上。从处理气体供给源18供给用于蚀刻的处理气体。作为处理气体，可使用例如卤素系气体、O2气、Ar气等通常在该领域中使用的气体。
排气管19连接在上述腔室2的侧壁下部，排气装置20连接在该排气管19上。排气装置20具备涡轮分子泵等真空泵，由此能对腔室2内进行抽真空，达到规定的减压气氛。另外，在腔室2的侧壁上设置有基板输入输出口21和对该基板输入输出口21进行开关的门阀22，在将该门阀22打开的状态下，基板G能在与相邻的负载锁定室(未图示)之间输送。
用于供给高频电力的供电线23连接在基座4上，匹配器24和高频电源25连接在该供电线23上。从高频电源25向基座4供给例如13.56MHz的高频电力。
其次，说明这样构成的等离子体蚀刻装置1中的处理工作。
首先，打开门阀22后，作为被处理体的基板G从未图示的负载锁定室经由基板输入输出口21送入腔室2内，放置在形成于基座4上的静电卡盘40上。在此情况下，基板G的交接经由插入基座4的内部并可从基座4突出地设置的升降杆(未图示)进行。此后，门阀22关闭，通过排气装置20对腔室2内进行抽真空直至达到规定的真空度。
此后，打开阀16，通过质量流控制器17调整处理气体的流量，并从处理气体供给源18通过处理气体供给管15、气体导入口14导入喷淋头11的内部空间12中，再通过喷出孔13，均匀地喷射到基板G上，腔室2内的压力维持在规定的值。
在该状态下，高频电力从高频电源25，经由匹配器24施加在基座4上，由此，在作为下部电极的基座4与作为上部电极的喷淋头11之间产生高频电场，处理气体分解而等离子体化，由此对基板G进行蚀刻处理。此时，通过从直流电源26对静电卡盘40的电极43施加规定的电压，基板G例如通过库仑力而被吸附保持在静电卡盘40上。另外，经由气体通路9将导热气体供给到基板G的背面侧，有效地进行温度调节。
这样进行蚀刻处理后，停止从高频电源25施加高频电力，停止气体导入后，将腔室2内的压力降低到规定的压力。然后，打开门阀22，基板G经由基板输入输出口21，从腔室2内输出到未图示的负载锁定室中，从而结束基板G的蚀刻处理。这样，通过静电卡盘40对基板G进行静电吸附，同时进行温度调节，能进行基板G的蚀刻处理。
其次，详细说明本发明的第一实施方式的静电卡盘40。图2(a)是静电卡盘40的剖面图，该图(b)是与直流电源26的连接部分的主要部分的剖面图。如上所述，静电卡盘40在基体材料41上具备作为第一绝缘层的合成树脂薄膜42、导电性薄膜43和作为第二绝缘层的陶瓷喷涂膜44。
合成树脂薄膜42是由例如厚度为25μm～50μm左右的耐热性合成树脂形成的薄膜。作为该材质，例如可使用聚酰亚胺等耐高温性、耐等离子体性、耐药性、电绝缘性高的材料。另外，作为耐热性聚酰亚胺，例如适合使用カプトン(注册商标；东レ·デユポン公司制造)、ユ一ピレツクス—S(商品名；宇部兴产株式会社制造)等商品名的市售产品。
在合成树脂薄膜42上设置有开口42a，将供电杆70插入该开口42a中(将在后面说明)。
导电性薄膜43是例如由厚度为0.01mm～0.05mm左右的金属等导电性材料形成的薄膜。作为其材质，具体地说如铝、铜等。可使用铝箔、铜箔等。
陶瓷喷涂膜44采用耐久性和耐蚀性好的陶瓷来形成，厚度例如为0.1mm～0.5mm左右。陶瓷的种类不特别限定，典型的如Al2O3、Zr2O3、Si3N4等绝缘材料，但也可以是SiC这样的有一定程度的导电性的绝缘材料。这样的陶瓷喷涂膜44在喷涂后，也可以通过研磨使表面平滑化。
在静电卡盘40上，贯穿安装有与供电线27连接的供电杆70。供电杆70经由树脂覆盖部71插入形成在静电卡盘40的基体材料41上的贯通孔，穿过形成在合成树脂薄膜42上的开口42a，到达导电性薄膜43。另外，设置有树脂覆盖部71，用于使基体材料41与供电杆70绝缘。
在与合成树脂薄膜42的开口42a叠层的状态下，重合地在导电性薄膜43上也形成同样的开口43a。然后，在作为接触孔的这些合成树脂薄膜42与导电性薄膜43的开口42a和43a内，填埋供电杆70周围的空间，形成有例如由铝、钨、钼等可喷涂的电极材料(导电性材料)形成的喷涂部45。通过该喷涂部45，从直流电源26到导电性薄膜43的电连接达到可靠的状态，通过直流电源26施加直流电压，例如通过库仑力对基板G进行静电吸附。
其次，参照图3说明第一实施方式的静电卡盘40的制造方法。首先，准备将合成树脂薄膜42和导电性薄膜43叠层起来的叠层体。合成树脂薄膜42和导电性薄膜43例如可使用通过黏合剂粘接的黏合物，和利用印刷布线等非粘接型叠层薄膜。如上所述，在合成树脂薄膜42上形成有开口42a，在导电性薄膜43上形成有开口43a，这些开口42a和43a互相重合地被叠层。
如图3(a)所示，将黏合剂101涂敷在基体材料41上，再贴附合成树脂薄膜42和导电性薄膜43的叠层体。此时，使开口42a和43a与供电杆70的位置一致地粘贴起来。另外，虽然也可以不使用叠层体，而依次分别粘贴合成树脂薄膜42和导电性薄膜43，但由于面积大，粘贴时容易混入空气或产生褶皱等，所以优选使用叠层体。然后，如图3(b)所示，通过喷涂填埋由开口42a和43a形成的供电杆70周围的空隙。
即，将合成树脂薄膜42和导电性薄膜43粘贴在基体材料41上，在安装有供电杆70的状态下，通过喷涂装置100从开口42a、43a的正上方(即，从供电杆70的正上方位置)对导电性材料进行定点喷涂(pinpoint spray)，形成喷涂部45。进行定点喷涂后，为了使喷涂部45的高度与导电性薄膜43一致，优选进行局部研磨。
接着，如图3(c)所示，将用于喷涂的打底剂(primer)102涂敷在导电性薄膜43的表面上后，使用喷涂装置100将Al2O3等陶瓷均匀地喷涂在导电性薄膜43的表面上，通过形成陶瓷喷涂膜44，进行绝缘覆盖。由此，制造图3(d)所示的静电卡盘40。这样制造的静电卡盘40由于作为第一绝缘层使用合成树脂薄膜42，所以耐压特性好，另外，由于表面层是陶瓷喷涂膜44，所以耐等离子体性能好。而且，由于利用最下层的合成树脂薄膜42能确保耐压特性，所以仅有薄的表面层(陶瓷喷涂膜44)就可以进行喷涂封孔处理，能减少由于封孔不足等引起的耐压不良，具有上述的优点。
其次，说明本发明的第二实施方式的静电卡盘50。该静电卡盘50与第一实施方式的静电卡盘40相同，例如，能作为图1所示的等离子体蚀刻装置1的静电卡盘使用。图4(a)是静电卡盘50的剖面图，该图(b)是与直流电源26连接的部分的主要部分剖面图。
静电卡盘50在由导电性材料构成的基体材料51上，从下往上依次具备：作为第一绝缘层的合成树脂薄膜52、作为电极层的金属喷涂膜53和作为第二绝缘层的陶瓷喷涂膜54。合成树脂薄膜52由与第一实施方式的静电卡盘40中的合成树脂薄膜42同样的材质形成，厚度例如为25μm～50μm左右。另外，在合成树脂薄膜52上设置有开口52a，供电杆70插入该开口52a中。
金属喷涂膜53是例如由厚度为0.01mm～0.05mm左右的金属形成的喷涂膜。作为其材质，例如有铝、钨、钼等适合喷涂的金属材料等。
陶瓷喷涂膜54采用与第一实施方式的静电卡盘40的陶瓷喷涂膜44同样材质的陶瓷，例如形成0.1mm～0.5mm左右的厚度。这样的陶瓷喷涂膜54在喷涂后，也可以通过研磨使其表面平滑。
在静电卡盘50上，贯穿安装有与供电线27连接的供电杆70(参照图1)。如上所述，在合成树脂薄膜52上形成有开口52a。然后，在作为接触孔的合成树脂薄膜52的开口52a内，形成金属喷涂膜53局部突出的喷涂部55，填埋供电杆70的周围。
供电杆70经由树脂覆盖部71，插入到形成在静电卡盘50的基体材料51上的贯通孔中，穿过形成在合成树脂薄膜52上的开口52a，到达金属喷涂膜53。由于在合成树脂薄膜52的开口52a内存在通过喷涂而填埋有导电性材料的喷涂部55，所以能充分地确保与供电杆70的电连接。由此，从直流电源26到导电性薄膜53呈电连接的状态，通过直流电源26施加直流电压，例如能通过库仑力对基板G进行静电吸附。
静电卡盘50的主要制造工序如图5所示。首先，如图5(a)所示，将黏合剂103涂敷在基体材料51上，将合成树脂薄膜52粘贴在其上。此时，使合成树脂薄膜52的开口52a与供电杆70一致。其次，如图5(b)所示，将打底剂104涂敷在合成树脂薄膜52的表面上后，通过喷涂装置100喷涂金属，形成金属喷涂膜53。形成金属喷涂膜53时，为了填埋合成树脂薄膜52的开口52a，首先进行定点喷涂，形成喷涂部55(参照图4)，之后，在合成树脂薄膜52上以规定的路径数均匀地进行喷涂，形成金属喷涂膜53。另外，为了使进行定点喷涂后的部位与其周围的金属喷涂膜53的高度一致，根据需要，优选进行局部研磨。
然后，如图5(c)所示，使用喷涂装置100将Al2O3等陶瓷均匀地喷涂在所形成的金属喷涂膜53的表面上，通过形成陶瓷喷涂膜54，进行绝缘覆盖。通过以上的工序，制造出如图5(d)所示的静电卡盘50。这样制造的静电卡盘50由于作为第一绝缘层使用合成树脂薄膜52，所以耐压特性好，另外，由于表面层是陶瓷喷涂膜54，所以耐等离子体性能好。而且，由于利用最下层的合成树脂薄膜52能确保耐压特性，所以仅以薄的表面层(陶瓷喷涂膜54)就可以进行喷涂封孔处理，能减少由封孔不足等引起的耐压不良，具有上述的优点。
其次，说明本发明的第三实施方式的静电卡盘60。该静电卡盘60与第一实施方式的静电卡盘40相同，例如，可作为图1所示的等离子体蚀刻装置1的静电卡盘使用。图6(a)是静电卡盘60的剖面图，该图(b)是与直流电源26连接的部分的主要部分剖面图。
该静电卡盘60在由导电性材料构成的基体材料61上，从下往上依次具备：作为第一绝缘层的合成树脂薄膜62、作为电极层的金属喷涂膜63、作为第二绝缘层的合成树脂薄膜64和作为第三绝缘层的陶瓷喷涂膜65。
合成树脂薄膜62以与第一实施方式的静电卡盘40中的合成树脂薄膜42同样的材质形成，厚度例如为25μm～50μm左右。另外，在合成树脂薄膜62上设置有开口62a，供电杆70插入该开口62a中。
金属喷涂膜63是通过与第二实施方式的金属喷涂膜53同样材质的金属，例如形成厚度为0.01mm～0.05mm左右的喷涂膜。
合成树脂薄膜64采用与第一实施方式的静电卡盘40的合成树脂薄膜42同样的材质，例如形成25μm～50μm的厚度。另外，合成树脂薄膜64的材质既可以与合成树脂薄膜62的材质相同，也可以不同。
陶瓷喷涂膜65采用与第一实施方式的静电卡盘40的陶瓷喷涂膜44同样材质的陶瓷，例如构成0.1mm～0.5mm左右的厚度。这样的陶瓷喷涂膜65喷涂后，也可以通过研磨使其表面平滑。
在静电卡盘60上，贯穿安装有与供电线27连接的供电杆70(参照图1)。如上所述，在合成树脂薄膜62上形成有开口62a，在作为接触孔的该开口62a内，使金属喷涂膜63局部突出地形成喷涂部66，填埋供电杆70周围的空间。然后，供电杆70经由树脂覆盖部71，插入到形成在静电卡盘60的基体材料61上的贯通孔中，穿过形成在合成树脂薄膜62上的开口62a内的喷涂部66，到达金属喷涂膜63。由于这样构成，所以从直流电源26到导电性薄膜63处于电连接的状态，通过直流电源26施加直流电压，例如能通过库仑力对基板G进行静电吸附。
静电卡盘60主要的制造工序如图7所示。首先，如图7(a)所示，将黏合剂106涂敷在基体材料61上，将合成树脂薄膜62粘贴在其上。这时，使合成树脂薄膜62的开口62a与供电杆70一致。其次，如图7(b)所示，将打底剂107涂敷在合成树脂薄膜62的表面上后，通过喷涂装置100喷涂金属，形成金属喷涂膜63。形成金属喷涂膜63时，为了填埋合成树脂薄膜62的开口62a，首先进行定点喷涂，形成喷涂部66(参照图6)。之后，在合成树脂薄膜62上以规定的路径数均匀地进行喷涂，形成金属喷涂膜63。为了使进行了定点喷涂的部位的高度与周围的金属喷涂膜63一致，优选进行局部的研磨。
然后，在图7(c)中，将黏合剂108涂敷在所形成的金属喷涂膜63上，粘贴合成树脂薄膜64。在图7(d)中，将打底剂109涂敷在叠层的合成树脂薄膜64的表面上后，通过喷涂装置100均匀地喷涂陶瓷，通过形成陶瓷喷涂膜65进行绝缘覆盖。通过以上的工序，制造图7(e)所示的静电卡盘60。
这样制造的静电卡盘60使用合成树脂薄膜作为第一绝缘层和第二绝缘层，两层都具有良好的耐压特性，所以是少有耐压不良的静电卡盘。
另外，通过使作为第二绝缘层的合成树脂薄膜64介于中间，由于以下的理由，能使作为第三绝缘层的陶瓷喷涂膜65薄膜化。
为了使静电卡盘的最外层的陶瓷喷涂膜具有绝缘功能，虽然不得不使其膜厚度厚一些，但如果增加喷涂膜的厚度，则基体材料61对热胀冷缩的随动性下降，容易产生裂纹。与此不同，在静电卡盘60中，通过作为第一绝缘层的合成树脂薄膜62和作为第二绝缘层的合成树脂薄膜64，能保持高的绝缘特性，所以陶瓷喷涂膜65的厚度达到能抵抗等离子体的程度即可，可薄膜化。
以上，虽然列举几个实施方式说明了本发明，但本发明不限于上述实施方式，可进行各种变形。
例如，关于本发明的处理装置，虽然以将高频电力施加在下部电极上的RIE型的电容耦合型平行平板等离子体蚀刻装置为例进行了说明，但不限于蚀刻装置，也能适用于灰化、CVD成膜等其它的等离子体处理装置，可以是将高频电力供给到上部电极形式的，另外不限于电容耦合型，也可以是电感耦合型的。
另外，被处理基板不限于FPD用玻璃基板G也可以是半导体晶片。

Claims (15)

1.一种静电吸附电极，用于在基板处理装置中吸附保持基板，其特征在于，具备：
基体材料；
设置在该基体材料上的第一绝缘层；
设置在所述第一绝缘层的上层的电极层；和
设置在所述电极层的上层的第二绝缘层，
所述第一绝缘层由耐热性合成树脂薄膜形成，
所述电极层的一部分或全部通过喷涂形成。
2.根据权利要求1所述的静电吸附电极，其特征在于：
所述电极层具有导电性薄膜区域和填埋形成在该导电性薄膜区中的开口部的喷涂区域，
所述第二绝缘层可以通过喷涂形成。
3.根据权利要求1所述的静电吸附电极，其特征在于：
所述电极层和所述第二绝缘层通过喷涂形成。
4.根据权利要求2或3所述的静电吸附电极，其特征在于：
所述第二绝缘层是陶瓷喷涂膜。
5.根据权利要求1所述的静电吸附电极，其特征在于：
通过喷涂形成所述电极层，同时
通过耐热性合成树脂薄膜形成所述第二绝缘层，
此外，在所述第二绝缘层的上层通过喷涂形成有第三绝缘层。
6.根据权利要求5所述的静电吸附电极，其特征在于：
所述第三绝缘层是陶瓷喷涂膜。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的静电吸附电极，其特征在于：
在作为所述第一绝缘层的耐热性合成树脂薄膜上设置有开口，在该开口内喷涂导电性材料，形成喷涂部。
8.根据权利要求7所述的静电吸附电极，其特征在于：
所述喷涂部形成在用于对所述电极层施加电压的电连接部上。
9.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
权利要求1～8中任一项所述的静电吸附电极。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于：
用于制造平板显示器。
11.根据权利要求9或10所述的基板处理装置，其特征在于：
其为对基板进行等离子体蚀刻处理的等离子体蚀刻装置。
12.一种静电吸附电极的制造方法，其中静电吸附电极用于在基板处理装置中吸附保持基板，其特征在于，包括：
将具有开口部的耐热性合成树脂薄膜与具有开口部的导电性薄膜粘接，以使所述开口部重合的方式构成叠层体，将其粘贴在基体材料上，从所述基体材料侧依次形成第一绝缘层和电极层的工序；
形成在所述第一绝缘层和所述电极层上的开口部中喷涂导电性材料，形成喷涂部的工序；和
在所述电极层上喷涂绝缘材料，形成第二绝缘层的工序。
13.一种静电吸附电极的制造方法，其中静电吸附电极用于在基板处理装置中吸附保持基板，其特征在于，包括：
将具有开口部的耐热性合成树脂薄膜粘贴在基体材料上，形成第一绝缘层的工序；
在所述耐热性合成树脂薄膜上喷涂导电性材料，形成电极层的工序；和
在所述电极层上喷涂绝缘材料，形成第二绝缘层的工序。
14.一种静电吸附电极的制造方法，其中静电吸附电极用于在基板处理装置中吸附保持基板，其特征在于，包括：
将具有开口部的耐热性合成树脂薄膜粘贴在基体材料上，形成第一绝缘层的工序；
在所述耐热性合成树脂薄膜上喷涂导电性材料，形成电极层的工序；
在所述电极层上叠层耐热性合成树脂薄膜，形成第二绝缘层的工序；和
在所述第二绝缘层的上层喷涂绝缘材料，形成第三绝缘层的工序。
15.根据权利要求13或14所述的静电吸附电极的制造方法，其特征在于，包括：
在形成所述电极层的工序之前，在所述耐热性合成树脂薄膜的开口部上喷涂导电性材料，形成喷涂部的工序。
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