CN1220239C - 气体放电板的制造方法 - Google Patents

Abstract

根据本发明，提供一种气体放电板的制造方法，包括：将形成保护层的第一基板和形成荧光体的第二基板在规定的位置接触以进行配置的对位工序；和将在所述对位工序中对位了的两基板通过封装制成封装外壳的封装工序。其中，在所述对位工序中，将两基板在减压状态下接触。通过把两个基板保持在减压气氛下或干燥气体气氛下可极大地减少基板所吸附的水分及气体分子，可防止制成的气体放电板后的放电气体的恶化，从而具有在防止放电板放电开始电压上升的同时降低异常发光的效果。

Description

气体放电板的制造方法

技术领域

本发明涉及将第一基板及第二基板相结合构成的气体放电板的制造方法，特别是涉及具有在使两个基板对位时以及在此之前使两个基板处于保持气氛中的特征的气体放电板的制造方法及其制造装置。

背景技术

在现有技术中，作为气体放电板的一个例子，如图8所示的AC型等离子体显示面板(下面称之为PDP)是公知的。该图是表示PDP结构的局部立体(局部透视)图。

该PDP具备有将在玻璃基板1的内表面上形成多个显示电极2、介电层3及保护层4的第一基板5，和在玻璃基板6的内表面上形成沿着与显示电极2正交的方向配置的多个数据电极7及介电层8、在介电层8的每个规定的位置上并列地形成划分发光区域的低融点玻璃制成的间隔壁9的第二基板10对向地配置，并将其外周缘用低融点的玻璃制成的封装构件11封装构成的封装壳12。

这样，由间隔壁9划分的各发光区域的每一介电层8上涂布有用于实现彩色显示的荧光体13，在封装壳12内以大约66500Pa的压力封入由氖和氙混合而成的放电气体。

不过，这种PDP一般是将分别单独制造的第一基板5及第二基板10粘结而构成。即，首先，在玻璃基板上形成显示电极之后，于其上层状地涂布电介质，并进行烧结。然后利用电子束蒸镀(EB蒸镀)法等在介电层上形成作为保护膜的MgO等的膜，制成第一基板5。

其次，在另外的玻璃基板上形成数据电极后，于其上形成层状电介质，进而以规定的图样形成由低融点玻璃构成的间隔壁，接着在所述间隔壁之间设置层状荧光体，最后在玻璃基板的周边涂布封装材料(通常为熔结玻璃与粘合剂的混合物)之后，进行烧结以便除去封装材料中的树脂成分，制成第二基板。

使这样制成的第一基板及第二基板相互接触并配置在规定的位置上，保持固定不动，通过加热封装粘接，制成封装外壳。

最后，将封装外壳的内室抽成真空，加热到规定的温度之后，封入放电气体，制成气体放电板。

不过，在这样制造PDP时，在所制成的PDP中，存在着放电开始电压高，或者在发光过程中产生异常放电现象等问题。可以认为这是由以下原因造成的。

首先，构成形成于第一基板上的保护膜的MgO由针状分子构成，相对于玻璃基板几乎垂直地基本上有规律地排列，因此，当在这些分子间吸附水分及气体粒子时，很难除掉。

另一方面，在气体放电板制成之后，保护膜暴露在放电中，由于它变成高温，所以吸附在分子间的水分及气体分子慢慢地进入放电空间内，使气体的纯度变差。

同时，形成在第二基板上的荧光体处于非常多孔的状态。从而，荧光体也很容易吸附水分和气体分子，处于和保护膜同样的状态。

可以认为，放电开始电压的上升及在发光过程中出现放电异常是由于这种气体纯度变差造成的。这里，不言而喻，非常希望将水分及气体分子全部消除，特别是，即使只将水分除去，也会获得相当好的效果。从而，最好在第一基板上形成保护膜后，并在第二基板上将周边的封装材料临时烧结后，尽可能地不要暴露在大气中，但在实际的PDP制造过程中，目前的现状是并没有考虑到这些细微的问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种可避免由于这种放电气体纯度的恶化引起的气体放电板的特性恶化、实现优异的气体放电板特性的气体放电板的制造方法及其制造装置。

为达到这一目的，根据本发明，提供一种气体放电板的制造方法，包括：将形成保护层的第一基板和形成荧光体的第二基板在规定的位置接触以进行配置的对位工序；和将在所述对位工序中对位了的两基板通过封装制成封装外壳的封装工序；其特征在于，在所述对位工序中，将两基板在减压状态下接触。

通过在减压状态下进行这种对位工序，在进行对位时可降低封闭在其内部空间内的水分及气体分子的数量。因此，在制成的产品中，可减少放电开始电压上升或在发光过程中出现异常放电现象的问题，获得气体放电板特性优异的制品。可以，最后在气体放电板的内部空间内封入放电气体，但在封装后，很难有效地从这部分中将水蒸汽等不纯物排出，特别是在对水蒸汽含量不进行控制的大气中进行对位时，这一问题变得更加显著。然而，如本发明那样，通过在减压状态下进行对位工序，由于在对位时降低封入的水蒸汽量，从而可获得性能优异的气体放电板。

同时，在上述的制造方法中，还包括在所述对位工序之前，将形成保护层的第一基板在第一减压室内一面加热一面暴露在减压状态之下的工序，和/或将第二基板在第二减压室内一面加热一面暴露在减压状态之下的工序；所述对位工序在第三减压室内进行。

借此，可将第一基板及第二基板在减压下的处理在相互不对向的单独的减压室内进行，在各基板所保持的水分及气体分子从该基板上脱离后，能够可靠地抑制各基板的再吸附的现象。因此，对于制成的气体放电板，可具有更优异的气体放电板特性。

进而，通过把各基板分别用不同的减压室单独地置于减压环境下，可在适合于各基板的条件下脱去水分等。

同时，通过在不同的减压室内置于减压状态下，将各基板相互分离，可显著降低由第二基板产生的去掉粘合剂而生成的气体被与之匹配的第一基板吸收的可能性。

同时，通过置于这种分开的减压室内的减压状态下，可以很容易地将各基板表面的整个表面均匀地暴露在减压气氛中，所以易于均匀地从基板内表面上除去水分等。

在上述的制造方法中，还包括在所述对位工序之前，将形成保护层的第一基板在规定温度下加热烧结的第一基板烧结工序；在该第一基板烧结工序中，所述第一基板被设置于所述第一减压室内。

在上述的制造方法中，在所述对位工序之前，具有在所述第二基板上形成荧光体的荧光体形成工序、将该荧光体烧结的荧光体烧结工序、将该第二基板涂布封装材料的工序以及将已涂布的封装材料临时烧结的封装材料临时烧结工序；所述第二基板在封装材料临时烧结工序的中途被设置在第二减压室内。

这里，优选地把前述第一减压室及第二减压室减压到1333Pa以下。

在上述的制造方法中，也可以在所述对位工序之前，具有一面对第一基板进行加热一面使之处于减压状态下的工序，以及将第二基板置于干燥气体气氛下的工序。

附图说明

图1：简略地表示有关实施形式一的PDP制造方法的剖视图。

图2：简略地表示有关实施形式二的PDP制造方法的剖视图。

图3：简略地表示有关实施形式三的PDP制造方法的剖视图。

图4：简略地表示有关实施形式四的PDP制造方法的剖视图。

图5：简略地表示有关实施形式五的PDP制造方法的剖视图。

图6：简略地表示有关实施形式六的PDP制造方法的剖视图。

图7：为相对于实施形式三、五的比较例的制造方法进行封装时残留在第一基板表面上的有机类气体量的特性图。

图8：简略地表示现有形式及根据本发明的实施形式的PDP的断裂透视图。

具体实施方式

下面利用附图说明本发明的实施形式。

实施形式一

图1是简略地表示根据实施形式的PDP的制造方法的剖视图。

此外，由于这时的PDP的总体结构与现有的形式基本上没有区别，对图1中与图8中相同的或相当的部件、部分赋予相同的标号(以下相同)。

由于本发明在定位工序以及直到定位工序之前的工序具有其特定的特征，所以用图1说明这些工序。

在图1中，100表示对位腔室，101表示第一基板运入口，102表示第二基板运入口，103表示第一基体，104表示第一加热器，105表示第一基板支撑栓，106表示第一真空泵。这里，对位腔室100具有在其内部保持在气密状态的气密性高的结构。

第一基板5是在玻璃基板上用银膏等形成显示电极后进行烧结，于其上形成由低融点玻璃构成的电介质后进行烧结，进而用电子束蒸镀法等于其上形成由MgO构成的保护层后在对位工序前用规定的温度烧结制成。

另一方面，第二基板10是在用银膏等在玻璃基板上形成地址用电极后进行烧结，在其上形成由低融点玻璃构成的电介质后进行烧结，进而在其上形成规定形状的由低融点玻璃构成的间隔壁并进行烧结制成。

然后，在间隔壁之间以规定的图形形成荧光体进行烧结。接着，在第二基板的周边、在和第一基板重叠部位的周端部上，用分配器等涂布构成封装材料的涂膏(熔结玻璃和粘合剂及溶剂的混合物)，在规定的温度下临时烧结以便除去含在涂膏内的树脂成分。

在图1(1)中，从第一基板运入口101将第一基板5运入，暂时配置在第一基板支撑栓105上。然后从第二基板运入口102将第二基板10运入，暂时配置第一基体103上的规定位置处。

其次在第一基板5和第二基板10的间隔相隔足够远的状态下，利用第一真空泵106使对位腔室100的内部成为减压状态。从而，通过使其处于减压状态将吸附在第一基板5及第二基板10的表面上的水分及气体分子从两个基板上除去。此外，不言而喻，这时的减压程度越高越好，优选地为1333Pa以下，更优选地为133Pa以下。

这时，例如用第一加热器104将对位腔室100内部加热到350℃左右时，可进一步促使水分及气体分子(对于放电气体来说为不纯物)从基板上脱离。

其次，如图1(2)所示，使第一基板支撑栓105缓慢下降直到使构成第一基板5的构件的一部分与构成第二基板10的构件的一部分接触为止，在这里，图中没有示出，用摄影机等一面辨认预先形成于第一基板5及第二基板10上的定位标记一面对位到规定的位置，完成对位工序。

通过在减压状态下进行这种对位工序，在对位时可降低封闭在其内部空间内的水分及气体分子的数量。

因此，在制成的PDP中，产生放电开始电压提高或在发光过程中产生异常放电现象的危险性小，可获得气体放电板性能优异的PDP。

此外，在这里，图中没有示出，当在对位工序后，保持减压状态不变转移到下面的封装工序时，由于可将向两个基板的水分及气体分子的再次吸附保持在最低限度而形成封装外壳，从而是十分理想的。

实施形式二

图2是表示在实施形式中的制造方法的特征工序部分的图示。这里所表示的是在把第一基板5用和进行对位的腔室不同的腔室进行减压的状态下，经过除去水分等工序(在该工序进行的处理称为第一基板的烧结)后，用实施形式一所述的方法进行对位的例子。在图2中，110表示第一基板烧结室，113表示第二基体，114表示第二加热器，115表示第一基板传送臂，116表示第二泵。第一基板烧结室110保持在气密状态。

在图2(1)中，第一基板5在形成保护层后，从第一基板运入口101运入第一基板烧结室110内之后，设置在第一基板传送臂115上的规定位置处。

另一方面，第二基板在其周边涂布封装材料后，完成临时烧结，设置在定位腔室100内的第一基体103上的规定位置处。

这里，一面用第二泵使第一基板烧结室110的内部处于减压状态一面用第二加热器114加热到规定的温度。这时，最好利用第一泵106使对位腔室100也处于减压状态，进而，最好用第一加热器104进行加热，然后，由于通过打开第一闸门111使第一基板烧结室110的内部与对位腔室100的内部连通，从而为了不使各腔室的环境相差太大，最好使真空度及腔室内温度等腔室内的各种条件相互匹配。

其次，如图2(2)所示，打开第一闸门111，将载置第一基板5的第一基板传送臂115滑动到对位腔室100内，在把第一基板5载置于第一基板支撑栓105上之后，将第一基板传送臂115返回到烧结室110内，关闭第一闸门111。此外，在这里，对第一基板传送臂115没有进行详细说明，它采用一种其载置面固定在预先突出状态下的第一基板支撑栓105上端的高度上，保持该高度不变进行前后平行移动的机构系统构成的结构。借此，可以更简单地构成该臂的驱动系统及控制系统。不言而喻，只要是能够把第一基板高精度地载置于第一基板支撑栓上，采用任何一种机构都没有关系(对于后面的传送臂也一样)。

此后，与前述实施形式一相同，将对位腔室110减压，进而使之过热后，结束规定的对位工序。

这样，通过与进行第一基板5及第二基板10对位工序的腔室不同的腔室内在减压的气氛下经过从基板表面上除去吸附水分等工序，不仅能够除去吸附在保护层的分子上的水分及气体分子，而且一旦从基板表面上脱离的水分及气体分子等滞留在对位腔室内时，可以防止再次吸附到第一基板或第二基板上的现象发生。从而，可以进一步提高气体放电板的性能。

实施形式三

图3是表示作为本实施形式的制造方法的特征的工序部分。在图3中，120表示第二基板临时烧结室。121表示第二闸门，123表示第三基体，124表示第三加热器，125表示第二基板传送臂，126表示第三泵。这里，第二基板临时烧结室保持气密状态。

在图3(1)中，从第二基板运入口102运入在基板周边部涂布了封装材料涂膏的第二基板10，配置在第二基板传送臂125上的规定位置处。其次，利用第三加热器124对第二基板临时烧结室120内部进行加热，进行临时烧结。

其次，在经过临时烧结的峰值温度、于冷却过程中的规定温度下，利用第三泵126对第二基板临时烧结室120的内部进行减压。然后，在第二基板10冷却后，如图3(2)所示，打开第二闸门121，把载置第二基板10的第二基板传送臂125滑动到对位腔室100内，把第二基板10配置在第一基板103上的规定位置上。

这里，对位腔室100即可预先处于减压状态，也可以预先进行了加热。进而，第二基板10的传送不一定必须在常温下进行。

其次，图3(3)，(4)和实施形式二中的第一基板5的烧结工序相同。

以这种方式加以实施，一般地，在烧结工序中为了除去封装材料涂膏中含有的树脂成分，在周围气体中必须含有氧气，所以第二基板10不能从烧结工序的一开始就处于减压状态，而是通过在把树脂成分去掉后将第二基板10保持在减压状态，可减少水分及气体分子向第二基板10上的吸附。

同时，在本实施形式中，第一基板及第二基板在减压状态下的处理(在腔室110及腔室120内的处理)不相互对向地分别在不同的腔室内进行。从而，在各基板所保持的水分及气体分子从各基板上脱离后，能可靠地抑制各基板相互再次吸附的现象。因此，对于制成的PDP可获得具有更优异的气体放电板性能的产品。

此外，由于这样经过把各基板在不同的腔室内置于减压状态下的工序，通过根据各基板的特性置于减压环境及温度环境下，可更进一步提高气体放电板的特性。即，首先，由于第一基板和第二基板其内表面的状态不同，脱水的温度也不同，一般地，内表面被覆对水分子吸附性能高的MgO的第一基板必须在更高的真空度及更高的温度下才能充分脱水。因此，虽然可以考虑把第一基板及第二基板置于相同的真空度及加热温度条件下，但当符合第一基板的恰当条件时，形成于第二基板内表面上的荧光体粒子会由于减压泵的吸引力而飞散，同时还存在着封装材料变质的问题。因此，通过如上所述把各基板分别在单独的腔室内置于减压环境下，可在适合于各基板条件下脱去水分。

具体地说，作为放置第一基板及第二基板的减压环境的条件，从脱水的角度出发，和上述对位时的情况一样，优选地为1333Pa以下，更优选地为133Pa以下。关于加热温度，对于第一基板优选地为500℃左右。另一方面，对于第二基板，由于作为封装材料的熔结玻璃的软化点为450℃左右，所以优选地对于第二基板，其温度也在450℃左右。

同时，通过在同一腔室内对置的状态下对第一基板及第二基板进行烧结，可以简化制造设备，但是，当这样在同一腔室内对向配置对两个基板进行烧结时，在第二基板的封装材料的临时烧结过程中所产生的有机粘合剂消失成分作为有机成分会吸附在第一基板的内表面上，在制成气体放电板之后，作为相对于放电气体的不纯物残存的可能性极高。与此相反，如本实施形式那样，将各基板置于单独的腔室内的减压状态，使各基板隔离，可显著降低由各基板所产生的气体，特别是由第二基板所产生的粘合剂消失造成的气体被吸附到相对的基板上的可能性。

同时，如本实施形式所示，由于将各基板置于单独的腔室内的减压状态下，可很容易地将各基板的表面的全部表面均匀地暴露在减压气氛下，从而可很容易地从基板的内表面上均匀地除去水分等。

实施形式四

本实施形式与实施形式一一样，由于对位工序以及到对位工序为止的工序具有其特定的特征，所以利用图4来说明这些工序。

在图4中，其结构基本上和图1相同，但代替图1的第一泵106，在设置干燥空气供应装置130的同时，还设置排气口131。

在图4(1)中，将第一基板5从第一基板运入口101运入，暂时配置第一基板支撑栓105上。然后，将第二基板10从第二基板运入口102运入，暂时配置在第一基体103上的规定位置处。

其次，在使第一基板5和第二基板10离开足够大的间隔的状态下，通过干燥空气供应装置130向对位腔室100的内部供应干燥空气。

这里，所谓干燥空气是指将气体中的水分充分去掉后的空气。作为制造干燥空气的方法，可以采用流过吸水材料的空气，或者使空气流入液氮等低温液体，将空气中的水分冻结除去等方式获得干燥空气。同时，通过流入干燥空气，可以防止新的水分向第一基板5及第二基板10的表面上的吸附。不言而喻，这种干燥空气的露点越低越能减少水分的吸附量，优选地，其露点至少在-30℃以下，更优选地为-60℃以下。

这时，当用第一加热器104例如把对位腔室100加热到350℃左右时，可进一步促进吸附在两个基板上的水分及气体分子脱离各基板。

实施形式五

本实施形式与实施形式三相同，由于在对位工序及至此之前的工序具有特定的特征，所以利用图5对这些工序进行说明。

这里所示的结构与图3所示的实施形式三的结构几乎相同，其不同之处在于，代替设置在各腔室内的真空泵106，116，126，在设置干燥空气供应装置130的同时，设置排气口131。

在图5(1)中，通常一面从干燥空气供应装置130供应干燥空气，一面将在基板周边部涂布了封装材料涂膏的第二基板10从第二基板运入口102运入，配置在第二基板传送臂125上的规定位置处。

其次，利用第三加热器124对第二基板临时烧结室120的内部加热，进行临时烧结。

另一方面，第一基板5在形成保护层后，从第一基板运入口101运入到第一基板烧结室110内之后，设置在第一基板传送臂115上的规定位置处。

这时，从干燥空气供应装置130向第一基板烧结室内供应干燥空气。其次，在向第一基板烧结室110内供应干燥空气的情况下用第二加热器114加热到规定的温度。

然后，在第二基板10冷却后，如图5(2)所示，打开第二闸门121，将载置第二基板10的第二基板传送臂125滑动到对位腔室100内，把第二基板10配置在第一基体103上的规定位置处。这里，优选地，一直从干燥空气供应装置130向对位腔室100内供应干燥空气。

其次，如图5(3)所示，打开第一闸门111，将载置第一基板5的第一基板传送臂115滑动到对位腔室100内，在把第一基板5载置于第一基板支撑栓105上之后，将第一基板传送臂115返回到第一基板烧结室110内，关闭第一闸门111。

其次，如图5(4)所示，一面从干燥空气供应装置130向对位装置100内供应干燥空气，一面缓慢地降低第一基板支撑栓105，直到构成第一基板5的构件的一部分接触构成第二基板10的构件的一部分为止，这里，图中没有示出，但一面用摄影机等辨认预先在第一基板5和第二基板10上形成的对位标记的同时，一面对位到规定的位置上，对位工序结束。

此外，这里图中没有示出，在对位工序后如果原封不动地保持干燥空气气氛不变的情况下转移到下一个封装工序，由于可使向两个基板上的水分及气体分子的再吸附被限制到最低限度，这对于能够形成封装外壳因此是十分理想的。

这样一来，由于在干燥气氛中进行第一基板及第二基板的烧结，所以在对位前可减少水分及气体分子向两个基板的吸附。

此外，在本实施例中，对第一基板和第二基板在干燥气体气氛下的处理(在腔室110及腔室120内的处理)是在相互不对向地于不同的腔室内进行的。从而，各基板所保持的水分及气体分子从各基板上脱离后，能够可靠地抑制各基板相互再次吸附的现象。因此，对于制成的PDP具有更优异的气体放电板性能。

同时，由于使各个基板经过在不同的腔室内置于干燥气体气氛下的工序，从而通过置于符合各基板的特性的干燥气体的种类、干燥气体的流量及温度环境下，可以更进一步地提供气体放电板的性能。即，首先，第一基板及第二基板根据其内表面状态的不同其脱水温度不同，一般地，其内表面被覆对水分子吸附性高的MgO的第一基板必须与更低露点的气体接触且用更高的温度加热才能充分脱去水分。因此，尽管也可以考虑将第一基板及第二基板置于同样的干燥气体流量及加热温度条件下，但在符合第一基板的条件下会产生由于干燥气体流使形成于第二基板表面上的荧光体粒子飞散，以及使封装材料变质等问题。同时，在第二基板上配置有荧光体，由于这种荧光体在缺氧的情况下会造成热蜕化，所以作为干燥气体优选地采用含氧的气体。这里，如上面所述，通过将各基板在不同的腔室内置于不同的减压环境下，可以在适合于各基板的条件下脱去水分等。

并且，如果在同一腔室内将两个基板对置配置的状态下对第一基板及第二基板进行烧结的话，可使制造设备更加简化，但是，这样一来，当在同一腔室内在对向配置的状态下对两个基板进行临时烧结的话，在临时烧结第二基板的封装材料时所产生的去除有机粘合剂时所生成的有机气体成分会被吸附在第一基板的内表面上，在气体放电板制成后，作为对放电气体的不纯物其残留的可能性极高。与此相反，如本实施形式那样，由于不同的腔室中置于干燥气体的气氛下，各基板相邻隔离，可显著降低各基板产生的气体被各自相对的基板吸附的可能性。

同时，如本实施形式那样，由于在不同的腔室内置于干燥气体的气氛下，可以很容易地将各基板的表面全部均匀地暴露在干燥空气下，从而可以很容易地从基板内表面上均匀地除去水分等。

实施形式6

用图6说明根据本发明的PDP制造装置。如图6所示，所述PDP装置的结构为，它备有对位腔室100、与对位腔室100连接的第一基板烧结室110以及第二基板临时烧结室120，进而将其连接到将对位后的基板运出进行封装的封装炉150。

在对位腔室100与第一基板烧结室110及第二基板临时烧结室120上连接有排气泵141，在各腔室的连接部上装备有图中未示出的阀，可对每个腔室进行排气。同时，在各腔室上连接有干燥空气供应配管143，可由图中未示出的干燥气体供应装置向各腔室供应干燥空气。

在连接各腔室的运入通路140上配有给气及排气功能，作为排气功能，利用辅助泵142来实现，在各运入通路中也可分别配置能进行排气的阀门。同时，干燥空气的供应也与各腔室一样，从干燥空气供应配管143进行供应。这里，设置在各腔室及运入通路上的干燥空气供应配管上可分别单独地设置阀门。

这里，图中没有示出，但可以在各腔室中配备如图3或图5所示的基板传送机构，加热机构，基板保持机构和闸门等。

这里，由于在对位工序及此前的工序中可使基板处于减压或干燥空气的气氛中，从而可以在从第一基板及第二基板制成后到封装工序之间极大地降低吸附在基板上的水分或气体分子。

此外，在这种制造装置中，各腔室100，110，120之间经由传送通路连接，但也可以在该传送通路部分上设置与外部及各腔室隔离的、控制该空间的温度及气体压力条件的中间室，当从外部将各基板运入时，以及从另外的腔室运入时，或者向另外的腔室运出时，能够自然地控制在该中间腔室内基板所触及的环境。借此，由于可以更容易且迅速地对腔室内的减压、干燥气体的露点及干燥气体的流量、温度等各项条件进行控制，从而可提高PDP的生产效率。

这里，顺便提及，图7中表示在同一腔室内将第一基板及第二基板对向配置、对两个基板进行烧结时，在封装前与封装后在第一基板内表面的各温度下放出的有机系气体量的总计值的相对比较的图示(图示，这种利用加热测量放出气体的方法称之为升温脱气分析法)。

如该图所示，测定结果为封装后的有机系气体是封装前的1.2倍，它可以被看作是吸附的从封装材料中放出的气体。从而，可以看出，优选地应把第一基板和第二基板尽可能地分离开的状态进行烧结，可以说，如本实施形式那样，在各基板完全不对向地相互隔开的地方进行烧结是最适宜的。

此外，上述各实施形式的主要部分是可以相互组合的，可以将各第一基板一面进行加热一面使之处于减压状态，而另一方面将第二基板置于干燥气体的气氛下。

如上面所说明的，根据本发明的气体放电板的制造方法及制造装置，通过把第一基板和第二基板保持在减压气氛或干燥气体气氛下，可极大地减少吸附在基板上的水分和气体分子，可防止在放电板制成后的放电气体的恶化，从而在可有效地防止放电板的放电开始电压的升高的同时降低异常发光。

工业上的可利用性。

本发明可用于以等离子体显示板为首的气体放电板的制造方法。

Claims (6)

1、一种气体放电板的制造方法，包括：

将形成保护层的第一基板和形成荧光体的第二基板在规定的位置接触以进行配置的对位工序；和

将在所述对位工序中对位了的两基板通过封装制成封装外壳的封装工序；

其特征在于，

在所述对位工序中，将两基板在减压状态下接触。

2、如权利要求1所述的气体放电板的制造方法，其特征为，

还包括在所述对位工序之前，将形成保护层的第一基板在第一减压室内一面加热一面暴露在减压状态之下的工序，和/或将第二基板在第二减压室内一面加热一面暴露在减压状态之下的工序；

所述对位工序在第三减压室内进行。

3、如权利要求2所述的气体放电板的制造方法，其特征为，

还包括在所述对位工序之前，将形成保护层的第一基板在规定温度下加热烧结的第一基板烧结工序；

在该第一基板烧结工序中，所述第一基板被设置于所述第一减压室内。

4、如权利要求2或3所述的气体放电板的制造方法，其特征为，在所述对位工序之前，具有在所述第二基板上形成荧光体的荧光体形成工序、将该荧光体烧结的荧光体烧结工序、将该第二基板涂布封装材料的工序以及将已涂布的封装材料临时烧结的封装材料临时烧结工序；

所述第二基板在封装材料临时烧结工序的中途被设置在第二减压室内。

5、如权利要求4所述的气体放电板的制造方法，其特征为，所述第一减压室及第二减压室被减压到1333Pa以下。

6、如权利要求1所述的气体放电板的制造方法，其特征为，

在所述对位工序之前，具有一面对第一基板进行加热一面使之处于减压状态下的工序，以及将第二基板置于干燥气体气氛下的工序。

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