KR101102494B1

KR101102494B1 - 봉착 패널의 제조 방법 및 제조 장치, 및 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 및 제조 장치

Info

Publication number: KR101102494B1
Application number: KR1020097023286A
Authority: KR
Inventors: 에이치 이이지마; 무네토 하코모리; 도시하루 구라우치; 다카노부 야노; 유이치 오리이
Original assignee: 가부시키가이샤 아루박
Priority date: 2007-06-08
Filing date: 2008-05-30
Publication date: 2012-01-05
Also published as: JPWO2008149804A1; EP2148355B1; EP2148355A1; RU2009144978A; RU2435246C2; CN101675492A; JP5373605B2; KR20090129510A; EP2148355A4; CN101675492B; WO2008149804A1; US20100159787A1; US8454404B2

Abstract

제1 기판과 제2 기판을 가진 봉착 패널의 제조 방법으로서, 페이스트화하기 위한 바인더를 포함하지 않은 봉착재를 용융시키는 용융 공정; 상기 제2 기판의 표면에 용융된 상기 봉착재를 도포하는 도포 공정; 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을, 상기 제2 기판의 표면에 도포된 상기 봉착재를 사이에 두고 맞붙이는 봉착 공정;을 구비한다.

Description

봉착 패널의 제조 방법 및 제조 장치, 및 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 및 제조 장치 {Method and apparatus for manufacturing sealing panel and method and apparatus for manufacturing plasma display panel}

본 발명은 봉착 패널의 제조 방법 및 제조 장치, 및 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 및 제조 장치에 관한 것이다.

본원은 2007년 6월 8일 일본에 출원된 일본특원2007-153291호에 기초하여 우선권을 주장하고 그 내용을 여기에 원용한다.

종래부터 플라즈마 디스플레이 패널(이하 「PDP」라고 한다.)은 표시 장치의 분야에서 널리 이용되고 있으며, 최근에는 대화면에 고품질 및 저가격의 PDP가 요구되고 있다.

PDP는 전면 기판과 배면 기판이 봉착재를 사이에 두고 맞붙여져 내부에 방전 가스가 채워진 것이다. PDP로서, 전면 기판에 유지 전극 및 주사 전극이 형성되고 배면 기판에 어드레스 전극이 형성된 3전극 면방전형이 주류를 이루고 있다. 주사 전극과 어드레스 전극 사이에 전압을 인가하여 방전을 발생시키면, 채워진 방전 가스가 플라즈마화되어 자외선이 방출된다. 이 자외선에 의해 배면 기판에 형성된 형광체가 여기되어 가시광이 방출되도록 되어 있다.

PDP의 제조 공정은, 배면 기판의 주연(周緣)부에 대한 봉착재 도포 공정과 전면 기판 및 배면 기판의 봉착 공정을 구비하고 있다. 봉착재의 도포 공정에서는, 페이스트화된 봉착재가 배면 기판에 도포된다. 그래서 용제 및 수지 성분으로 이루어진 바인더를 혼합한 봉착재가 채용되고 있다. 또 이 봉착재를 도포한 후, 그 용제의 제거를 목적으로 건조 공정(예를 들면, 120℃에서 10∼20분간 유지)을 수행하고, 또 수지 성분의 제거를 목적으로 가(假)소성 공정을 수행하였다(예를 들면, 비특허문헌 1 참조). 가소성 공정에서는 공기중 또는 산소 분위기중에서 건조 공정을 마친 배면 기판을 우선 120℃에서 320℃까지 5∼10℃/분의 승온 속도로 가열하고, 다음으로 320℃에서 380℃까지 4℃/분의 승온 속도로 가열한다. 그리고 380℃에서 10분간 유지한다. 그 후 그 배면 기판을 5∼50℃/분의 강온 속도로 상온까지 냉각한다. 아울러 승온 속도를 완만하게 하는 것은 바인더의 분해·연소를 확실하게 하기 위함이다.

비특허문헌 1: 우치다 다츠오 외 저, 「플랫 패널 디스플레이 대사전」, 공업조사회, 2001년 12월, p752-754, 868-869

그러나 봉착재에 포함되는 바인더의 수지 성분은, 상술한 가소성에 의하더라도 충분히 제거하기 어렵다. 봉착재에 잔류된 수지 성분은, 양 기판의 봉착시에 불순물 가스가 되어 패널 안을 오염시킨다. 이 수지 성분에 의한 오염이, 봉착 공정에서 수시간의 가열 진공 배기(진공 베이크)에 의한 패널 내 청정화(공동화)를 필요로 하는 요인이 되고 있다. 또 봉착 후의 패널에 AC전압을 인가하여 방전시키고 패널의 방전 전압을 낮춰 방전 특성을 안정화시키기 위한 에이징(고화(枯化))을 수시간부터 십수시간 필요로 하는 요인도 되고 있다(예를 들면, 비특허문헌 1 참조). 따라서 봉착재에서의 바인더의 수지 성분 잔류 방지가 PDP의 제조 공정에서 처리율(throughput) 향상 및 에너지 절약을 실현하기 위한 큰 과제로 되어 있다.

본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로서, 처리율 향상 및 에너지 절약을 실현할 수 있는 봉착 패널의 제조 방법 및 제조 장치, 및 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 및 제조 장치의 제공을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명에서는 이하의 수단을 채용하고 있다. 즉, 본 발명에 관한 봉착 패널의 제조 방법은, 제1 기판과 제2 기판을 가진 봉착 패널의 제조 방법으로서, 페이스트화하기 위한 바인더를 포함하지 않는 봉착재를 용융시키는 용융 공정; 상기 제2 기판의 표면에 용융된 상기 봉착재를 도포하는 도포 공정; 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을, 상기 제2 기판의 표면에 도포된 상기 봉착재를 사이에 두고 맞붙이는 봉착 공정;을 구비한다.

상기 봉착 패널의 제조 방법에 의하면, 바인더를 포함하지 않는 봉착재를 용융시킴으로써 해당 봉착재를 제2 기판의 표면에 도포할 수 있다. 또 바인더를 포함하지 않은 봉착재를 채용했기 때문에 봉착재로부터의 방출 가스량을 대폭 줄일 수 있게 된다. 이로써 봉착 공정의 패널 내부의 청정화(공동화) 시간을 대폭 단축할 수 있고, 또는 청정화(공동화)가 불필요하게 할 수 있다. 또 봉착 후의 에이징(고화) 시간의 대폭적인 단축 또는 에이징리스를 달성할 수 있다. 또 종래 기술과 같은 바인더의 제거 공정이 불필요해진다. 따라서 플라즈마 디스플레이 패널 제조시의 처리율 향상 및 에너지 절약을 실현할 수 있다.

상기 봉착재는 저융점 유리를 포함하고 있어도 좋다.

이 경우, 봉착재로부터의 방출 가스량을 줄일 수 있다. 또 비교적 저온에서 도포 및 봉착을 할 수 있게 된다. 또 봉착 후의 기밀성 및 맞붙임 강도를 확보할 수도 있게 된다.

상기 봉착재는 저융점 유리 및 필러를 포함하고 있어도 좋다.

이 경우, 봉착재의 열팽창 계수를 제1 기판 및 제2 기판의 열팽창 계수에 근접하게 할 수 있어 그 결과, 봉착 후의 기밀성 및 맞붙임 강도를 확보할 수 있다.

상기 용융된 봉착재의 내부에 포함되는 가스를 배출하는 공정을 더 구비해도 좋다.

이 경우, 내부 가스가 배출된 봉착재가 도포되기 때문에 봉착재로부터의 방출 가스량을 더욱 줄일 수 있다.

한편, 본 발명에 관한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법은, 제1 기판과 제2 기판을 가진 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법으로서, 페이스트화하기 위한 바인더를 포함하지 않은 봉착재를 용융시키는 용융 공정; 상기 제2 기판에 도포된 형광체를 소성하는 소성 공정; 소성된 상기 제2 기판의 표면에, 용융된 상기 봉착재를 도포하는 도포 공정; 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을, 상기 제2 기판 표면에 도포된 상기 봉착재를 사이에 두고 맞붙이는 봉착 공정;을 구비하고, 상기 소성 공정에서 상기 도포 공정까지의 동안에 상기 제2 기판의 온도가 100℃ 이상으로 유지된다.

상기 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 의하면, 바인더를 포함하지 않은 봉착재를 채용했기 때문에 봉착재를 열용융시킨 상태에서 제2 기판의 표면에 도포하게 된다. 이 경우에도 소성 공정에서 제2 기판에 부여한 열에너지를 도포 공정에서 이용할 수 있다. 그 결과, 에너지 절약을 실현할 수 있다.

상기 소성 공정에서 상기 봉착 공정까지의 동안에 상기 제2 기판이 진공중 또는 제어된 분위기중에 유지되어도 좋다.

이 경우, 바인더를 포함하지 않은 봉착재를 채용했기 때문에 바인더의 제거를 목적으로 하는 건조 공정 및 소성 공정을 대기중에서 수행할 필요가 없다. 따라서 형광체 소성 후의 제2 기판을 진공중 또는 제어된 분위기중에 유지한 채 제2 기판에 불순물 가스가 부착되는 것을 방지하면서 봉착 공정에 도입할 수 있게 된다. 이로써 봉착 공정의 패널 내부의 청정화(공동화) 시간을 대폭 단축할 수 있고, 또는 청정화(공동화)가 불필요하게 할 수 있다. 또 봉착 후의 에이징(고화) 시간의 대폭적인 단축 또는 에이징리스를 달성할 수 있게 된다.

따라서, 플라즈마 디스플레이 패널의 제조에서의 처리율 향상 및 에너지 절약을 실현할 수 있다.

또 본 발명에 관한 다른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법은, 제1 기판과 제2 기판을 가진 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법으로서, 상기 제1 기판에, 이 기판의 사이즈에 대응한 사이즈의 보호막을 형성하는 성막 공정; 페이스트화하기 위한 바인더를 포함하지 않은 봉착재를 용융시키는 용융 공정; 상기 제2 기판에 도포된 형광체를 소성하는 소성 공정; 소성된 상기 제2 기판의 표면에 용융된 상기 봉착재를 도포하는 도포 공정; 여러 쌍의 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을, 각각 상기 제2 기판의 표면에 도포된 상기 봉착재를 사이에 두고 서로 병행하여 맞붙이는 봉착 공정;을 구비하고, 상기 소성 공정에서 상기 도포 공정까지의 동안에 상기 제2 기판의 온도가 100℃ 이상으로 유지된다.

상기 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 의하면, 일반적으로 성막 공정의 처리 시간은 봉착 공정의 처리 시간보다 짧기 때문에 플라즈마 디스플레이 패널의 제조에서의 처리율 향상을 실현할 수 있다.

상기 봉착 공정에서는 서로 다른 사이즈를 가진 여러 개의 플라즈마 디스플레이 패널을 제조할 때에 상기 각 플라즈마 디스플레이 패널의 사이즈에 대응한 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판이 서로 맞붙여져도 좋다.

이 경우, 다른 사이즈의 패널을 효율적으로 제조할 수 있다.

한편, 본 발명에 관한 봉착 패널의 제조 장치는 제1 기판과 제2 기판을 가진 봉착 패널의 제조 장치로서, 진공중 또는 제어된 분위기중에서 상기 제2 기판의 표면에 페이스트화하기 위한 바인더를 포함하지 않은 봉착재가 도포되는 도포실; 상기 도포실에 설치되어 충전된 상기 봉착재를 상기 제2 기판의 표면에 도포하는 도포 수단; 상기 도포 수단에 설치되어 상기 충전된 봉착재를 용융시키는 히터; 상기 제1 기판과 상기 제2 기판이 상기 봉착재를 사이에 두고 맞붙여지는 봉착실을 구비한다.

상기 봉착 패널의 제조 장치에 의하면, 바인더를 포함하지 않은 봉착재를 채용하더라도 도포 수단의 내부에서 봉착재를 용융시켜 제2 기판의 표면에 도포할 수 있다. 또 바인더를 포함하지 않은 봉착재를 채용함으로써 봉착재로부터의 방출 가스량을 대폭 줄일 수 있게 된다. 이로써 봉착 공정의 패널 내부의 청정화(공동화) 시간을 대폭 단축할 수 있고, 또는 청정화(공동화)가 불필요하게 할 수 있다. 또 봉착 후의 에이징(고화) 시간의 대폭적인 단축 또는 에이징리스를 달성할 수 있게 된다. 또 종래 기술에서의 바인더의 제거 공정이 불필요해진다. 따라서 플라즈마 디스플레이 패널의 제조에서의 처리율 향상 및 에너지 절약을 실현할 수 있다.

한편, 본 발명에 관한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 장치는, 제1 기판과 제2 기판을 가진 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 장치로서, 상기 제2 기판에 도포된 형광체가 소성되는 소성실; 진공중 또는 제어된 분위기중에서 소성된 상기 제2 기판의 표면에 페이스트화하기 위한 바인더를 포함하지 않은 봉착재가 도포되는 도포실; 상기 도포실에 설치되어 충전된 상기 봉착재를 상기 제2 기판의 표면에 도포하는 도포 수단; 상기 도포 수단에 설치되어 상기 충전된 봉착재를 용융시키는 히터; 상기 제1 기판과 상기 제2 기판이 상기 봉착재를 사이에 두고 맞붙여지는 봉착실;을 구비하고, 상기 소성실에서 상기 도포실까지의 사이를 상기 제2 기판이 그 온도가 100℃ 이상으로 유지된 채로 반송되도록 구성되어 있다.

상기 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 장치에 의하면, 소성실에서 제2 기판에 부여한 열에너지를 도포실에서 이용할 수 있게 된다. 그 결과 에너지 절약을 실현할 수 있다.

상기 소성실에서 상기 봉착실까지의 사이를 상기 제2 기판이 진공중 또는 제어된 분위기중에 유지된 채로 반송되도록 구성되어 있어도 좋다.

이 경우, 바인더를 포함하지 않은 봉착재를 채용하기 때문에 바인더의 제거를 목적으로 하는 건조 공정 및 소성 공정을 대기중에서 수행할 필요가 없다. 따라서 형광체 소성 후의 제2 기판을 진공중 또는 제어된 분위기중에 유지한 채로 제2 기판에 불순물 가스가 부착되는 것을 방지하면서 봉착실에 도입할 수 있게 된다. 이로써 봉착 공정의 패널 내부의 청정화(공동화) 시간을 대폭 단축할 수 있고, 또는 청정화(공동화)가 불필요하게 할 수 있다. 또 봉착 후의 에이징(고화) 시간의 대폭적인 단축 또는 에이징리스를 달성할 수 있게 된다. 따라서 플라즈마 디스플레이 패널 제조시의 처리율 향상 및 에너지 절약을 실현할 수 있다.

또 본 발명에 관한 다른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 장치는, 제1 기판과 제2 기판을 가진 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 장치로서, 상기 제1 기판에 보호막이 형성되는 성막실; 상기 제2 기판에 도포된 형광체가 소성되는 소성실; 진공중 또는 제어된 분위기중에서, 소성된 상기 제2 기판의 표면에 페이스트화하기 위한 바인더를 포함하지 않은 봉착재가 도포되는 도포실; 상기 도포실에 설치되고, 충전된 상기 봉착재를 상기 제2 기판의 표면에 도포하는 도포 수단; 상기 도포 수단에 설치되어 상기 충전된 봉착재를 용융시키는 히터; 상기 성막실에 접속되어 상기 제1 기판과 상기 제2 기판이 상기 봉착재를 사이에 두고 맞붙여지는 여러 개의 봉착실;을 구비하고, 상기 소성실에서 상기 도포실까지의 사이를, 상기 제2 기판이 그 온도가 100℃ 이상으로 유지된 채로 반송되도록 구성되어 있다.

상기 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 장치에 의하면, 일반적으로 성막실의 처리 시간은 봉착실의 처리 시간보다 짧기 때문에 플라즈마 디스플레이 패널의 제조에서의 처리율 향상을 실현할 수 있다.

상기 여러 개의 봉착실에서는, 서로 다른 사이즈를 가진 여러 개의 플라즈마 디스플레이 패널을 제조할 때에, 상기 각 플라즈마 디스플레이 패널의 사이즈에 대응한 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판이 서로 맞붙여지도록 구성되어 있어도 좋다.

이 경우, 다른 사이즈의 패널을 효율적으로 제조할 수 있다.

본 발명에 의하면, 바인더를 포함하지 않은 봉착재를 용융시킴으로써 해당 봉착재를 제2 기판의 표면에 도포할 수 있다. 또 바인더를 포함하지 않은 봉착재를 채용했기 때문에 봉착재로부터의 방출 가스량을 대폭 줄일 수 있게 된다. 이로써 봉착 공정의 패널 내부의 청정화(공동화) 시간을 대폭 단축하는 것, 또는 청정화(공동화)를 불필요하게 할 수 있게 된다. 또 봉착 후의 에이징(고화) 시간의 대폭적인 단축 또는 에이징리스를 달성할 수 있게 된다. 또 종래 기술과 같은 바인더의 제거 공정이 불필요해진다. 따라서 플라즈마 디스플레이 패널 제조시의 처리율 향상 및 에너지 절약을 실현할 수 있다.

도 1은 3전극 AC형 플라즈마 디스플레이 패널의 분해 사시도이다.

도 2a는 PDP의 평면도이다.

도 2b는 도 2a의 A-A선에 따른 측면 단면도이다.

도 3은 본 발명의 제1 실시형태에 관한 PDP의 제조 방법의 흐름도이다.

도 4는 동 실시형태에 관한 PDP의 제조 장치의 블럭도이다.

도 5는 봉착재의 도포실 내부 구성을 도시한 사시도이다.

도 6은 승온 탈리법에 의한 봉착재의 방출 가스량 측정 결과를 도시한 그래프이다.

도 7은 에이징 시험 결과를 도시한 그래프이다.

도 8은 제2 실시형태에 관한 PDP의 제조 장치의 블럭도이다.

도 9는 제2 실시형태의 변형예에 관한 PDP 제조 장치의 블럭도이다.

<부호의 설명>

1 전면 기판(제1 기판)

2 배면 기판(제2 기판)

17 형광체

20 봉착재

30 디스펜서(도포 수단)

34 히터

64 성막실

72 소성실

78 도포실

82 봉착실

100 플라즈마 디스플레이 패널(봉착 패널)

이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 아울러 이하의 설명에 사용하는 각 도면에서는 각 부재를 인식 가능한 크기로 하기 때 문에 그 축척을 적절히 변경하였다. 또 이하에서 기판의 「내면」이란, 해당 기판의 양 표면 중 해당 기판과 쌍을 이루는 기판쪽 표면을 가리키는 것으로 한다.

(플라즈마 디스플레이 패널)

도 1은, 3전극 AC형 플라즈마 디스플레이 패널의 분해 사시도이다. 이 플라즈마 디스플레이 패널(이하 「PDP」라고 한다.)(100)은 대향 배치된 배면 기판(2) 및 전면 기판(1)과, 양 기판(1),(2) 사이에 형성된 여러 개의 방전실(16)을 구비하고 있다.

전면 기판(1)의 내면에는 소정 간격으로 스트라이프 형태로 표시 전극(12)(주사 전극(12a) 및 유지 전극(12b))이 형성되어 있다. 이 표시 전극(12)은 ITO 등 투명 도전성 재료와 버스 전극으로 구성되어 있다. 이 표시 전극(12)을 덮도록 유전체층(13)이 형성되고, 그 유전체층(13)을 덮도록 보호막(14)이 형성되어 있다. 이 보호막(14)은 방전 가스의 플라즈마화에 의해 발생한 양이온으로부터 유전체층(13)을 보호하는 것으로서, Mg0나 Sr0 등 알카리 토류 금속의 산화물로 구성되어 있다.

한편, 배면 기판(2)의 내면에는 소정 간격으로 스트라이프 형태로 어드레스 전극(11)이 형성되어 있다. 이 어드레스 전극(11)은 상기 표시 전극(12)과 직교하도록 배치되어 있다. 이 어드레스 전극(11)과 표시 전극(12)의 교점이 PDP(100)의 화소로 되어 있다.

그 어드레스 전극(11)을 덮도록 유전체층(19)이 형성되어 있다. 또 서로 인접한 어드레스 전극(11)간의 유전체층(19) 상면에는 어드레스 전극(11)과 평행하게 격벽(rib)(15)이 형성되어 있다. 또 서로 인접한 격벽(15)간 유전체층(19)의 상면 및 격벽(15)의 측면에는 형광체(17)가 배치되어 있다. 이 형광체(17)는 적색, 녹색, 청색 중 하나의 형광을 발광하는 것이다.

도 2a는 PDP의 평면도이다. 상술한 전면 기판(1)과 배면 기판(2)이 이들 기판 내면의 주연부에 배치된 봉착재(20)로 맞붙여져 있다.

도 2b는, 도 2a의 A-A선의 측면 단면도이다. 도 2b에 도시한 것처럼, 전면 기판(1)과 배면 기판(2)이 맞붙여짐으로써 서로 인접한 격벽(15) 사이에 방전실(16)이 형성되어 있다. 이 방전실(16) 내부에는 Ne 및 Xe의 혼합 가스 등 방전 가스가 채워져 있다.

PDP(100)의 어드레스 전극(11)과 주사 전극(12a) 사이에 직류 전압을 인가하여 대향 방전을 발생시키고, 또 주사 전극(12a)와 유지 전극(12b) 사이에 교류 전압을 인가하면 면방전이 발생된다. 그러면 방전실(16) 안에 채워진 방전 가스가 플라즈마화되어 진공 자외선이 방사된다. 이 자외선에 의해 형광체(17)이 여기되고 그 결과, 가시광이 전면 기판(1)에서 방출된다.

(봉착재)

상술한 봉착재(20)의 재료로서, 전면 기판(1) 및 배면 기판(2)을 구성하는 유리 기판과 열팽창 계수가 가깝고 봉착 온도에서 충분한 유동성을 나타내면서 배기·베이킹 온도에서 연화되지 않는 재료를 채용할 필요가 있다. 또 봉착 후 패널 내부의 기밀성 유지가 가능하고 불순물 가스의 방출이 없으면서 패널 맞붙임 강도를 확보할 수 있는 재료를 채용할 필요가 있다. 이와 같은 재료로서, 저융점 유리 를 채용하는 것이 바람직하다. 구체적인 저융점 유리로서, 융점이 400℃ 정도인 PbO·B₂O₃계 비결정 유리(비정질 유리) 등을 채용할 수 있다.

또 봉착재(20)의 열팽창 계수를 유리 기판에 가깝게 하기 위해 또 봉착 온도에서 충분한 유동성을 발휘시키기 위해 저융점 유리에 필러를 혼합하는 것이 바람직하다. 필러로서, 알루미나 등 세라믹계 분말 재료를 채용할 수 있다.

아울러 유리 기판과의 열팽창 계수 차이에 의한 영향을 완화하기 위해 보다 저융점의 유리(예를 들면 주석 인산계 유리)를 채용할 수도 있다. 도 저융점 유리에 비해 융점이 높은 유리에서도, 열팽창 계수가 유리 기판에 가까운 결정계 유리(예를 들면 열팽창 계수가 85×10^-7/K)를 채용해도 좋다. 또 봉착 온도에서의 유동성을 향상시키기 위해 저융점 유리와 기판의 젖음성을 좋게 하는 것이 바람직하다.

아울러 종래 기술에서는 봉착재를 페이스트화하기 위해 봉착재에 바인더를 혼합하였다. 바인더는 용제 및 수지 성분으로 구성된다. 용제는, 봉착재를 페이스트화하는 것으로서, α―테르피네올 등으로 구성된다. 수지 성분은, 페이스트중의 고형분 분산 등을 목적으로 하는 것으로서, 에틸셀룰로오스나 니트로셀룰로스, 아크릴 수지 등으로 구성된다. 이 바인더는 봉착재 도포 후에는 완전히 제거할 필요가 있다.

본 실시형태의 봉착재(20)에는 이와 같은 바인더가 혼합되어 있지 않다.

(PDP의 제조 방법, 제조 장치)

도 3은, 본 발명의 제1 실시형태에 관한 PDP의 제조 방법의 흐름도이다. PDP 의 제조 공정은 크게 패널 공정(S50)과 모듈·세팅 공정(S52)의 2가지로 나뉜다. 그 패널 공정(S50)은 전면 기판 공정(S60)과 배면 기판 공정(S70)과 패널화 공정(S80) 3가지로 나뉜다.

전면 기판 공정(S60)에서는 우선 표시 전극(12)이 되는 투명 전극을 형성한다(S62). 구체적으로는, ITO나 SnO₂ 등의 투명 도전막을 스퍼터링법 등으로 형성하고 패터닝하여 표시 전극(12)을 형성한다. 다음으로 투명 도전막으로 이루어진 표시 전극(12)의 전기 저항을 줄이기 위해 금속 재료로 이루어진 보조 전극(버스 전극)을 스퍼터링법 등으로 형성한다(S63). 다음으로, 각 전극의 보호와 벽전하의 형성을 목적으로 하여 유전체층(13)을 인쇄법 등으로 두께 20∼40㎛로 형성하여 소성한다(S64). 다음으로 유전체층(13)의 보호와 2차 전자 방출 효율의 향상을 위해 보호막(14)을 전자빔 증착법 등으로 두께 700∼1200㎚로 형성한다(S66).

도 4는, 본 발명의 제1 실시형태에 관한 PDP의 제조 장치의 블럭도이다. PDP의 제조 장치(50)는 전면 기판 라인(60)의 뒷단, 배면 기판 라인(70)의 뒷단 및 패널화 라인(80)의 앞단이 각각 반송실(55)에 접속된 것이다. 이 PDP의 제조 장치(50)는, 도 3에 도시한 PDP의 제조 프로세스 중 이점쇄선으로 둘러싸인 범위(50)를 진공중 또는 제어된 분위기중에서 연속적으로 실시하는 것이다.

전면 기판 라인(60)에는 유전체층(13)까지 형성된 전면 기판(1)을 수용하는 수용실(진공 배기실)(61)과, 전면 기판(1)을 150∼350℃ 정도로 가열하는 가열실(62)과, 전자빔 증착법에 의해 보호막(14)을 형성하는 성막실(64)과, 전면 기 판(1)을 배면 기판(2)과 같은 온도(약 380℃)로 가열하는 가열·버퍼실(66)이 설치되어 있다.

한편, 도 3에 도시한 배면 기판 공정(S70)에서는 Ag, Cr/Cu/Cr 또는 Al로 이루어진 어드레스 전극(11)을 형성한다(S72). 다음으로 어드레스 전극(11)을 보호하기 위해 유전체층(19)을 형성한다(S74). 다음으로 방전 공간 및 형광체(17)의 발광 면적을 늘리기 위해 격벽(15)을 샌드 블라스트법 등으로 형성한다(S75). 샌드 블라스트법은 격벽(15)의 재료가 되는 유리 페이스트를 기판상에 도포하고 건조 후에 마스크재를 패터닝하여 알루미나나 유리 비즈 등의 연마제를 고압으로 분사함으로써 소정 형상의 격벽(15)을 형성하는 방법이다. 다음으로 스크린 인쇄법 등에 의해 형광체(17)를 도포하여 건조시킨다. 그 후 건조된 형광체(17)를 약 500℃ 정도에서 소성한다(S76). 다음으로 배면 기판(2)을 가열하면서 봉착재(20)를 배면 기판(2)의 표면에 도포한다(S78).

도 4에 도시한 배면 기판 라인(70)에는 형광체(17)가 도포된 배면 기판(2)을 수용하여 소성하는 소성실(72)과, 봉착재(20)를 배면 기판(2)의 표면에 도포하는 도포실(78)이 설치되어 있다. 소성실(72)과 도포실(78) 사이에는 소성실(72)의 소성 후 배면 기판(2)을, 그 온도를 100℃ 이상으로 유지한 채 도포실(78)로 반송하여 거기에서 봉착재(20)를 도포할 수 있도록 히트 터널(74) 및 배면판 수용실(76)이 설치되어 있다. 이로써 소성실(72)에서 배면 기판(2)에 부여된 열에너지를 도포실(78)에서 이용할 수 있게 된다. 그 결과, 에너지 절약을 실현할 수 있다.

히트 터널(74)은 소성 후 배면 기판(2)의 보온 기구를 갖춘 기판 반송실이 다. 아울러 히트 터널(74) 대신에 스토커식 용기에 의해 배면 기판을 반송해도 좋다. 또 히트 터널(74)은 분위기를 분리하기 위한 배기 수단을 구비하고 있어도 좋다. 배면판 수용실(76)에서는 소성 후의 배면 기판(2)의 온도를 100℃ 이상으로 유지한 채 진공 배기가 이루어진다. 아울러 배면판 수용실(76)에서는 배면 기판(2)을 가열할 수도 있다.

(봉착재의 도포실, 도포 수단, 도포 방법)

도 5는 봉착재의 도포실 내부 구성을 도시한 사시도이다. 도포실(78)의 저부에는 봉착재(20)가 도포되는 배면 기판(2)을 재치하기 위한 핫플레이트(40)가 설치되어 있다.

이 핫플레이트(40)는 배면 기판(2)을 100∼450℃ 정도로 가열할 수 있다. 아울러 핫플레이트(40) 대신에 히터를 설치하여 배면 기판(2)을 복사 가열해도 좋다. 핫플레이트(40)의 윗쪽에는 봉착재(20)를 토출하는 디스펜서(도포 수단)(30)가 배치되어 있다. 아울러 핫플레이트(40)는 XY스테이지(미도시)에 재치되어 핫플레이트(40) 및 디스펜서(30)가 수평면 안을 상대 이동할 수 있도록 되어 있다. 아울러 핫플레이트(40)를 고정시켜 디스펜서(30)를 XY이동 기구(평면 주사 기구)에 설치해도 좋다. 또 도포실(78)은 터보 분자 펌프와, 수분을 흡착 배기하는 콜드 트랩으로 이루어진 진공 배기계(미도시)를 구비하고 있다.

디스펜서(30)는 원통형 주사기(32)의 끝단에 노즐(31)을 장착한 것이다. 그 주사기(32) 내부에 충전된 봉착재(20)는 노즐(31)의 끝단에서 토출된다. 주사기(32) 및 노즐(31)의 외주를 둘러싸도록 히터(34)가 설치되어 있다. 이 히터(34) 에 의해 디스펜서(30) 내부에 충전된 봉착재(20)는 그 융점 이상으로 가열되어 용융된다.

주사기(32) 상단에는 진공 펌프 등의 감압 수단(37) 및 콤프레샤 등의 가압 수단(38)이 접속되어 있다. 감압 수단(37)은 용융된 봉착재(20)로부터 그 내부에 포함되는 가스를 배출시킨다. 또 가압 수단(38)은 용융된 봉착재(20)를 노즐(31)에서 정량적으로 토출시킨다.

상술한 도포실(78)에서 봉착재(20)를 배면 기판(2)의 표면에 도포할 때에는 우선 디스펜서(30) 내부에, 봉착재(20)를 구성하는 저융점 유리 및 필러 분말을 충전한다. 다음으로 히터(34)에 통전시켜 봉착재(20)의 분말을 그 융점 이상(300∼480℃ 정도)으로 가열하여 용융시킨다. 이 가열중에 감압 수단(37)을 구동하여 주사기(32) 내부(36)를 0.1Pa 정도까지 감압한다. 이로써 용융된 봉착재(20)로부터 그 내부에 포함되는 가스(H₂나 H₂O,N₂,CO,CO₂ 등)을 이탈시켰다(진공 탈가스 처리).

아울러 저융점 유리 및 필러를 사전에 원통형으로 성형한 것을 주사기에 세팅해도 좋다. 이 경우에는 성형시 또는 주사기에 세팅한 후의 용해시에 진공 탈가스 처리를 한다. 또는 저융점 유리 및 필러, 또는 저융점 유리 단체를 미리 용융, 탈가스 및 교반한 것을 파이프 등의 수송 수단으로 주사기에 공급해도 좋다.

다음으로, 도포실(78) 내부를 진공 또는 제어된 분위기로 유지한다. 다음으로 핫플레이트(40) 위에 배면 기판(2)을 재치한다. 다음으로 XY스테이지에 의해 핫플레이트(40)를 이동시켜 배면 기판(2)에서의 봉착재(20)의 도포 개시 위치를 디스 펜서(30)의 아래쪽에 배치한다. 다음으로 가압 수단(38)을 구동하여 주사기(32) 내부를 소정 압력으로 가압함으로써, 용융한 봉착재(20)를 노즐(31)에서 정량적으로 토출시킨다. 이 상태에서 XY스테이지에 의해 핫플레이트(40)를 이동시킴으로써 배면 기판(2)의 주연부에 봉착재(20)를 연속적으로 도포한다.

도 3으로 되돌아가 상술한 전면 기판(1) 및 배면 기판(2)을 맞붙이는 패널화 공정을 수행한다(S80). 패널화 공정에서는 양 기판의 얼라이먼트 공정(S82)과 방전 가스 도입 및 봉착 공정(S84)을 수행한다. 아울러 필요한 경우에는 단시간의 에이징 공정(S86)을 수행한다.

도 4에 도시한 것처럼, 보호막(14)을 형성한 전면 기판(1)을 가열·버퍼실에서 약 380℃까지 가열한 후, 반송실(55)을 경유하여 봉착실(82)로 반송한다. 반송된 전면 기판(1)은 봉착실(82)의 상부에 설치된 후크 기구로 유지된다. 그 유지중에는 봉착실(82)의 상부에 설치된 히터로 전면 기판(1)의 온도를 약 380℃로 유지한다.

한편, 봉착재(20)가 도포된 배면 기판(2)을, 도포실(78)에서 반송실(55)을 경유하여 봉착실(82)로 반송한다. 반송된 배면 기판(2)은 봉착실(82)의 하부에 설치된 핫플레이트상에 재치되어 약 380℃로 유지된다. 다음으로, 봉착실에 마련된 진공조의 대기쪽에 설치된 CCD카메라에 의해 전면 기판(1) 및 배면 기판(2)의 얼라인먼트 마크를 읽어 양 기판의 위치를 맞춘다. 다음으로, 방전 가스를 도입하여 양 기판을 가압하고 봉착재를 430∼450℃ 정도로 가열하여 봉착한다. 봉착에 의해 얻어진 패널은 냉각·취출실에 반송되어 약 150℃까지 냉각된 후 취출된다.

아울러 본 실시형태에서는, 바인더를 포함하지 않은 봉착재를 채용했기 때문에 바인더의 제거를 목적으로 하는 건조 공정 및 소성 공정을 대기중에서 수행할 필요가 없다. 따라서 형광체의 소성실(72)에서 소성된 후의 배면 기판(2)이 진공중 또는 제어된 분위기중에 유지된 상태 그대로 히트 터널(74), 배면판 수용실(76), 도포실(78) 및 반송실(55)을 경유하여 봉착실(82)에 도입된다. 즉, 배면 기판(2)에 불순물 가스가 부착되는 것을 방지하면서 봉착실(82)에 도입할 수 있게 된다. 따라서 봉착 공정의 패널 내부의 청정화(공동화) 시간을 대폭 단축할 수 있고, 또는 청정화(공동화)가 불필요하게 할 수 있다. 또 봉착 후의 에이징(고화) 시간의 대폭적인 단축 또는 에이징리스를 달성할 수 있게 된다. 따라서 PDP 제조시에 처리율 향상 및 에너지 절약을 실현할 수 있다.

그런데 종래 기술에서는 용제 및 수지 성분으로 이루어진 바인더가 봉착재에 혼합되어 있었기 때문에 패널 봉착시에 봉착재에서 패널 내부로 불순물 가스가 방출될 우려가 있다. 이 경우, 방출된 불순물 가스에 의해 패널 내부에 봉입되어 있는 방전 가스의 순도가 저하되어 방전 전압이 상승한다. 또 봉착재에서 방출된 불순물 가스가 기판 표면의 피막에 흡착되면, 기판 표면의 2차 전자 방출 계수가 저하되어 방전 전압이 상승한다. 이와 같은 방전 전압의 상승에 따라 PDP의 소비전력이 증가하게 된다. 그래서 종래에는 봉착 공정 전에 바인더의 용제 제거를 목적으로 건조 공정을 수행하고, 또 바인더의 수지 성분 제거를 목적으로 가소성 공정을 수행하였다. 그러나 상술한 가소성에 의해서도 수지 성분을 충분히 제거하기 어렵다.

본 발명의 발명자들은 종래 기술의 봉착재(가소성 후) 및 본 발명의 봉착재에 대해서 방출 가스량을 측정하는 실험을 실시하였다.

도 6은, 승온 탈리법(Thermal Desorption Spectroscopy; TDS)에 의한 봉착재의 방출 가스량 측정 결과를 도시한 그래프이다. TDS에서는 봉착재의 온도를 약 2200초간 약 450℃까지 상승시키고 그대로 유지하였다. 도 6에서, 종래의 봉착재(가소성 후)의 방출 가스량 측정 결과를 점선으로 표시하고 본 발명의 봉착재의 방출 가스량 측정 결과를 실선으로 표시한다. 종래의 봉착재에서는 방출 가스로서 수지 성분이 검출된 것 외에 대기중에서 가소성했기 때문에 물(H₂O), 일산화탄소(CO) 및 이산화탄소(CO₂)가 많이 검출되었다. 이에 대해 본 발명의 봉착재에서는 방출 가스량이 저하되어 수지 성분은 검출되지 않았다.

기판 표면의 피막에 흡착된 불순물 가스는, 진공 베이크에 의한 기판 내 청정화와 기판간 소정 시간의 전압 인가(에이징 처리)를 수행하면 기판 표면에서 이탈된다. 이로써 방전 전압이 안정된다. 그래서 종래 기술에서는 봉착 공정에서 수시간의 청정화(공동화)를 수행하였다. 또 봉착 후의 패널에 대해서도 수시간에서 십수시간의 에이징 처리를 할 필요가 있었다.

본 발명의 발명자들은 종래 방법으로 제작한 PDP 및 본 실시형태의 방법으로 제작한 PDP에 대해서 에이징 시험을 실시하였다. 본 시험에서의 PDP의 보호막(14)에는 막두께 800㎚로 성막된 MgO를 사용하고, 또 방전 가스로서 Ne-4% Xe를 66.5kPa의 압력으로 도입하였다.

아울러 종래 기술에서는 PDP의 각 제조 공정을 각각 다른 장치에서 실시하고 있었기 때문에 보호막(14) 형성 후의 전면 기판(1)을 대기(습도 50%)에 1시간 노출시킨 후 PDP를 제작했다. 또 전면 기판(1)과 배면 기판(2)의 봉착 도중에 350℃에서 90분간 청정화(공동화)를 수행하였다.

이에 반해, 본 실시형태에 관한 PDP의 제조 방법 및 제조 장치에서는, 상술한 것처럼 보호막의 형성부터 봉착 공정까지를 진공중 또는 제어된 분위기중에서 수행하였다. 즉, 보호막(14) 형성 후의 전면 기판(1)을 대기에 노출시키지 않고 PDP를 제작하였다.

도 7은, 에이징 시험 결과를 도시한 그래프이다. 아울러 Vf는 방전 개시 전압이고, Vs는 방전 유지 전압이다. 대기에 노출된 종래의 방법에 의해 제작된 PDP의 경우, 방전 개시 전압Vf 및 방전 유지 전압Vs 모두 높고 또 전압이 안정될 때까지 약 3시간을 필요로 한다. 이에 반해, 본 실시형태에 관한 방법에 의해 제작된 PDP의 경우, 방전 개시 전압Vf 및 방전 유지 전압Vs 모두 낮아 방전 개시 전압Vf는 약 1분 이내에 안정되고 또 방전 유지 전압Vs는 당초부터 안정되어 있다. 이 결과로부터, 본 실시형태에 관한 PDP의 제조 방법 및 제조 장치를 채용함으로써 에이징 시간을 단축할 수 있다는 것이 확인되었다. 또 방전 전압이 낮아지는 것이 확인되었다. 즉, 본 실시형태에 관한 PDP의 제조 방법 및 제조 장치를 채용함으로써 소비전력이 작은 PDP를 제공할 수 있다.

이상에 상술한 것처럼 본 실시형태에 관한 PDP의 제조 방법은, 페이스트화하기 위한 바인더를 포함하지 않은 봉착재(20)를 디스펜서의 내부에서 용융시키는 공 정과, 배면 기판(2)의 표면에 디스펜서를 사용하여 용융된 봉착재(20)를 도포하는 도포 공정과, 전면 기판(1)과 배면 기판(2)을 배면 기판(2)의 표면에 도포된 봉착재(20)을 사이에 두고 맞붙이는 봉착 공정을 구비한다.

상기 PDP의 제조 방법에 의하면, 바인더를 포함하지 않은 봉착재(20)을 채용하더라도 디스펜서의 내부에서 용융시킴으로써 배면 기판(2)의 표면에 도포할 수 있다. 또 바인더를 포함하지 않은 봉착재(20)를 채용했기 때문에 봉착재(20)로부터의 방출 가스량을 대폭 줄일 수 있게 된다. 이로써 봉착 공정의 패널 내부의 청정화(공동화) 시간을 대폭 단축할 수 있고, 또는 청정화(공동화)가 불필요하게 할 수 있다. 또 봉착 후의 에이징(고화) 시간의 대폭적인 단축 또는 에이징리스를 달성할 수 있게 된다. 또 종래 기술과 같은 바인더의 제거 공정이 불필요해진다. 따라서 PDP의 제조에서의 처리율 향상 및 에너지 절약을 실현할 수 있다.

또 본 실시형태에서의 PDP의 제조 방법은 도포 공정 전에 디스펜서의 내부를 감압하여 봉착재(20) 내부에 포함되는 가스를 배출하는 공정을 구비한다.

이 경우, 내부 가스가 배출된 봉착재(20)가 도포되기 때문에 도포된 봉착재(20)로부터의 방출 가스량을 더욱 줄일 수 있다. 이로써 봉착 공정의 패널 내부의 청정화(공동화) 시간을 대폭 단축할 수 있고, 또는 청정화(공동화)가 불필요하게 할 수 있다. 또 봉착 후의 에이징(고화) 시간의 대폭적인 단축 또는 에이징리스를 달성할 수 있게 된다. 따라서 PDP 제조시의 처리율 향상 및 에너지 절약을 실현할 수 있다.

(제2 실시형태)

도 8은, 제2 실시형태에 관한 PDP의 제조 장치의 블럭도이다. 제1 실시형태에 관한 PDP의 제조 장치에서는, 1개의 성막실에 대해 1개의 봉착실이 접속되어 있었던 데 반해, 제2 실시형태에 관한 PDP의 제조 장치에서는, 1개의 성막실(64)에 대해 여러 개의 봉착실(82a),(82b)이 접속되어 있다. 아울러 제1 실시형태와 같은 부분에 대해서는 그 상세한 설명을 생략하기로 한다.

본 실시형태에 관한 PDP의 제조 장치(51)에서는 전면 기판 라인(60)에서의 가열·버퍼실(66)의 A싸이드에 반송실(55a)이 접속되고, B싸이드에 반송실(55b)이 접속되어 있다. A싸이드의 반송실(55a)에는 배면 기판 라인(70a) 및 패널화 라인(80a)이 접속되어 있다. 또 B싸이드의 반송실(55b)에는 배면 기판 라인(70b) 및 패널화 라인(80b)이 접속되어 있다. 이로써 전면 기판 라인(60)의 성막실(64)에 대해 여러 개의 배면 기판 라인(70a),(70b)의 봉착실(82a),(82b)이 접속된 상태로 되어 있다. 본 실시형태에서는 전면 기판 라인(60)과 수직으로 배면 기판 라인(70a),(70b)이 늘어나고 전면 기판 라인(60)과 평행하게 패널화 라인(80a),(80b)가 늘어나 있다.

본 실시형태에 관한 PDP의 제조 장치(51)에서도, 제1 실시형태와 마찬가지로 봉착재(20)로부터의 방출 가스량을 대폭적으로 줄일 수 있게 된다. 이로써 봉착 공정의 패널 내부의 청정화(공동화) 시간을 대폭 단축할 수 있고, 또는 청정화(공동화)가 불필요하게 할 수 있다. 또 봉착 후의 에이징(고화) 시간의 대폭적인 단축 또는 에이징리스를 달성할 수 있게 된다. 따라서 PDP 제조시의 처리율 향상 및 에너지 절약을 실현할 수 있다.

일반적으로 성막실(64)에서의 성막 공정의 택트 타임은, 봉착실(82a),(82b)에서의 패널화 공정의 택트 타임에 비해 짧다. 그래서 본 실시형태에서는 성막실(64)에 대해 여러 개의 봉착실(82a),(82b)이 접속되어 있는 구성으로 하였다. 이로써 성막실의 가동 효율을 상승시킬 수 있게 되어 그 결과, 제1 실시형태에 비해 PDP 제조시의 처리율을 향상시킬(예를 들면, 약 2배로 할) 수 있다.

아울러 상기 여러 개의 봉착실(82a),(82b)은, 각각 다른 사이즈의 전면 기판(1) 및 배면 기판(2)이 맞붙여지도록 형성되어 있어도 좋다. 즉, 상기 여러 개의 봉착실(82a),(82b)에서는 서로 다른 사이즈를 가진 여러 개의 PDP를 제조할 때에 상기 각 PDP의 사이즈에 대응한 전면 기판(1) 및 배면 기판(2)가 서로 맞붙여지도록 구성되어 있어도 좋다. 예를 들면, A싸이드의 봉착실(82a)에서 대각(對角)길이 42인치의 패널을 봉착하고 B싸이드의 봉착실(82b)에서 대각 길이 50인치의 패널을 봉착하는 구성으로 해도 좋다. 이 경우, 성막실(64)은 다른 사이즈의 전면 기판에 대해 성막할 수 있도록 형성된다. 이로써 다른 사이즈의 패널을 효율적으로 제조할 수 있다. 또 다른 사이즈의 패널 제조에서 제조 장치의 일부(성막실을 포함한 전면 기판 라인)를 공용할 수 있게 되고 그 결과, 제조 비용을 절감할 수 있다.

(변형예)

도 9는, 제2 실시형태의 변형예에 관한 PDP의 제조 장치의 블럭도이다. 상술한 제2 실시형태에 관한 PDP의 제조 장치에서는, 전면 기판 라인(60)과 수직으로 배면 기판 라인(70a),(70b)이 늘어나고 전면 기판 라인(60)과 평행하게 패널화 라인(80a),(80b)이 늘어났으나, 도 9에 도시한 변형예에 관한 PDP의 제조 장치(52)에 서는, 전면 기판 라인(60)과 평행하게 배면 기판 라인(70a),(70b)이 늘어나고 전면 기판 라인(60)과 수직으로 패널화 라인(80a),(80b)이 늘어났다.

이 경우에도 제1 실시형태와 비교하여 PDP 제조시의 처리율을 향상시킬 수 있다. 또 양 사이드에서 다른 사이즈의 기판을 효율적으로 제조할 수도 있다.

아울러 본 발명의 기술 범위는 상술한 각 실시형태로 한정되지 않으며 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 범위에서 상술한 각 실시형태로에 여러가지 변경을 추가한 것을 포함한다. 즉, 각 실시형태에서 예로 든 구체적인 재료나 구성 등은 극히 일례에 불과하며 적절히 변경할 수 있다.

예를 들면, 상기 실시형태에서는 저융점 유리에 필러를 혼합한 봉착재를 채용하였으나, 필러를 혼합하지 않은 저융점 유리만으로 이루어진 봉착재를 채용해도 좋다.

또 상기 실시형태에서는 본 발명을 플라즈마 디스플레이 패널에 적용하였으나, 본 발명을 전계 방출 디스플레이 패널에 적용할 수도 있다. 전계 방출 디스플레이 패널은 화소마다 배치된 전자 방출원(에미터)에서 진공중에 전자를 방출하고 그 전자를 형광체에 충돌시켜 발광시키는 것이다. 전계 방출 디스플레이 패널로서, 돌기형 전자 방출 소자를 구비한 FED(Field Emission Display)나 표면 전도형 전자 방출 소자를 구비한 SED(Surface-Conduction Electron-Emitter Display) 등을 들 수 있다. 이 전계 방출 디스플레이 패널에 본 발명을 적용한 경우에도 에이징 시간을 단축할 수 있고 또 방전 전압의 상승을 억제할 수 있다.

처리율 향상 및 에너지 절약을 실현할 수 있는 봉착 패널의 제조 방법 및 제조 장치, 및 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 및 제조 장치를 제공할 수 있다.

Claims

제1 기판과 제2 기판을 가진 봉착 패널의 제조 방법으로서,

페이스트화하기 위한 바인더를 포함하지 않고 저융점 유리 및 필러를 포함하는 봉착재를 용융시키는 용융 공정;

상기 용융된 봉착재의 내부에 포함되는 가스를 배출하는 공정;

상기 제2 기판의 표면에 용융된 상기 봉착재를 도포하는 도포 공정;

상기 제1 기판과 상기 제2 기판을, 상기 제2 기판의 표면에 도포된 상기 봉착재를 사이에 두고 맞붙이는 봉착 공정;

을 구비한 것을 특징으로 하는 봉착 패널의 제조 방법.
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제1 기판과 제2 기판을 가진 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법으로서,

페이스트화하기 위한 바인더를 포함하지 않고 저융점 유리 및 필러를 포함하는 봉착재를 용융시키는 용융 공정;

상기 용융된 봉착재의 내부에 포함되는 가스를 배출하는 공정;

상기 제2 기판에 도포된 형광체를 소성하는 소성 공정;

소성된 상기 제2 기판의 표면에, 용융된 상기 봉착재를 도포하는 도포 공정;

상기 제1 기판과 상기 제2 기판을, 상기 제2 기판 표면에 도포된 상기 봉착재를 사이에 두고 맞붙이는 봉착 공정;

을 구비하고,

상기 소성 공정에서 상기 도포 공정까지의 동안에 상기 제2 기판의 온도가 100℃ 이상으로 유지되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
제5항에 있어서,

상기 소성 공정에서 상기 봉착 공정까지의 동안에 상기 제2 기판이 진공중 또는 제어된 분위기중에 유지되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
제1 기판과 제2 기판을 가진 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법으로서,

상기 제1 기판에, 이 기판의 사이즈에 대응한 사이즈의 보호막을 형성하는 성막 공정;

페이스트화하기 위한 바인더를 포함하지 않고 저융점 유리 및 필러를 포함하는 봉착재를 용융시키는 용융 공정;

상기 용융된 봉착재의 내부에 포함되는 가스를 배출하는 공정;

상기 제2 기판에 도포된 형광체를 소성하는 소성 공정;

소성된 상기 제2 기판의 표면에, 용융된 상기 봉착재를 도포하는 도포 공정;

여러 쌍의 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을, 각각 상기 제2 기판의 표면에 도포된 상기 봉착재를 사이에 두고 서로 병행하여 맞붙이는 봉착 공정;

을 구비하고,

상기 소성 공정에서 상기 도포 공정까지의 동안에 상기 제2 기판의 온도가 100℃ 이상으로 유지되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
제7항에 있어서,

상기 봉착 공정에서는 서로 다른 사이즈를 가진 여러 개의 플라즈마 디스플레이 패널을 제조할 때에 상기 각 플라즈마 디스플레이 패널의 사이즈에 대응한 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판이 서로 맞붙여지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
제1 기판과 제2 기판을 가진 봉착 패널의 제조 장치로서,

진공중 또는 제어된 분위기중에서 상기 제2 기판의 표면에 페이스트화하기 위한 바인더를 포함하지 않고 저융점 유리 및 필러를 포함하는 봉착재가 도포되는 도포실;

상기 도포실에 설치되어 충전된 상기 봉착재를 상기 제2 기판의 표면에 도포하는 도포 수단;

상기 도포 수단에 설치되고, 상기 충전된 봉착재를 용융시키는 히터;

상기 도포 수단에 설치되고, 상기 용융된 봉착재의 내부에 포함되는 가스를 배출시키는 감압 수단;

상기 제1 기판과 상기 제2 기판이 상기 봉착재를 사이에 두고 맞붙여지는 봉착실;

을 구비한 것을 특징으로 하는 봉착 패널의 제조 장치.
제1 기판과 제2 기판을 가진 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 장치로서,

상기 제2 기판에 도포된 형광체가 소성되는 소성실;

진공중 또는 제어된 분위기중에서, 소성된 상기 제2 기판의 표면에 페이스트화하기 위한 바인더를 포함하지 않고 저융점 유리 및 필러를 포함하는 봉착재가 도포되는 도포실;

상기 도포실에 설치되고, 충전된 상기 봉착재를 상기 제2 기판의 표면에 도포하는 도포 수단;

상기 도포 수단에 설치되어 상기 충전된 봉착재를 용융시키는 히터;

상기 도포 수단에 설치되고, 상기 용융된 봉착재의 내부에 포함되는 가스를 배출시키는 감압 수단;

상기 제1 기판과 상기 제2 기판이 상기 봉착재를 사이에 두고 맞붙여지는 봉착실;

을 구비하고,

상기 소성실에서 상기 도포실까지의 사이를 상기 제2 기판의 온도가 100℃ 이상으로 유지된 채로 반송되도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 장치.
제10항에 있어서,

상기 소성실에서 상기 봉착실까지의 사이를 상기 제2 기판이 진공중 또는 제어된 분위기중에 유지된 채로 반송되도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 장치.
제1 기판과 제2 기판을 가진 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 장치로서,

상기 제1 기판에 보호막이 형성되는 성막실;

상기 제2 기판에 도포된 형광체가 소성되는 소성실;

진공중 또는 제어된 분위기중에서, 소성된 상기 제2 기판의 표면에 페이스트화하기 위한 바인더를 포함하지 않고 저융점 유리 및 필러를 포함하는 봉착재가 도포되는 도포실;

상기 도포실에 설치되고, 충전된 상기 봉착재를 상기 제2 기판의 표면에 도포하는 도포 수단;

상기 도포 수단에 설치되어 상기 충전된 봉착재를 용융시키는 히터;

상기 도포 수단에 설치되고, 상기 용융된 봉착재의 내부에 포함되는 가스를 배출시키는 감압 수단;

상기 성막실에 접속되어 상기 제1 기판과 상기 제2 기판이 상기 봉착재를 사이에 두고 맞붙여지는 여러 개의 봉착실;

을 구비하고,

상기 소성실에서 상기 도포실까지의 사이를, 상기 제2 기판이 그 온도가 100℃ 이상으로 유지된 채 반송되도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 장치.
제12항에 있어서,

상기 여러 개의 봉착실에서는 서로 다른 사이즈를 가진 여러 개의 플라즈마 디스플레이 패널을 제조할 때, 상기 각 플라즈마 디스플레이 패널의 사이즈에 대응한 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판이 서로 맞붙여지도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 장치.
제 5 항에 있어서,

상기 소성 공정으로부터 상기 도포공정까지의 사이에, 상기 제2 기판의 온도를 100 ℃ 이상으로 유지하기 위하여 상기 제2 기판으로 하여금 히트 터널을 경유시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
제 14 항에 있어서,

상기 히트 터널이 분위기를 분리하기 위한 배기 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
제 14 항에 있어서,

상기 히트 터널을 경유한 제2 기판으로 하여금, 진공 배기가 행해지는 배면판 수용실을 경유시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
제 10 항에 있어서,

상기 소성실로부터 상기 도포실까지의 사이에 상기 제2 기판의 온도가 100℃ 이상으로 유지된 상태에서 반송되도록 하기 위하여 히트 터널을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 장치.
제 17 항에 있어서,

상기 히트 터널이 분위기를 분리하기 위한 배기 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 장치.
제 17 항에 있어서,

상기 히트 터널과 상기 도포실과의 사이에 진공 배기가 행해지는 배면판 수용실을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 장치.