CN101675492B - 密封面板的制造方法和制造装置、及等离子体显示面板的制造方法和制造装置 - Google Patents

Abstract

一种具有第一基板和第二基板的密封面板的制造方法，具有使不含有用于糊化的黏合剂的密封材熔化的熔化工序；向所述第二基板的表面涂敷熔化的所述密封材的涂敷工序；通过涂敷于所述第二基板的表面的所述密封材粘结所述第一基板和所述第二基板的密封工序。

Description

密封面板的制造方法和制造装置、及等离子体显示面板的制造方法和制造装置

技术领域

本发明涉及密封面板的制造方法和制造装置、及等离子体显示面板的制造方法和制造装置。

本申请基于2007年6月8日在日本申请的专利申请2007-153291主张优先权，在此引用其内容。

背景技术

一直以来，等离子体显示面板(以下称为“PDP”)在显示装置领域被广泛利用，最近则要求大画面、高品质且低价格的PDP。

PDP是前面基板和背面基板通过密封材被粘结，内部封入有放电气体的显示面板。在前面基板形成有维持电极和扫描电极并在背面基板形成有寻址电极的三电极面放电型PDP成为了主流。如果向扫描电极和寻址电极之间施加电压产生放电，被封入的放电气体将等离子体化并放出紫外线。通过该紫外线，形成在背面基板的荧光体被激发，并放出可见光。

PDP的制造工序包括：对背面基板的周缘部进行的密封材的涂敷工序；和前面基板和背面基板的密封工序。在密封材的涂敷工序中，糊化的密封材被涂敷到背面基板上。其中，采用混合有由溶剂和树脂成分构成的黏合剂的密封材。此外，在涂敷该密封材之后，为了除去该溶剂进行干燥工序(例如，在120℃下保持10～20分钟)，进一步为了除去树脂成分进行准煅烧工序(例如，参照非专利文献1)。在准煅烧工序中，首先将结束干燥工序的背面基板在空气中或氧气气氛中以5～10℃/分钟的升温速度从120℃加热到320℃，接着以4℃/分钟的升温速度从320℃加热到380℃。然后在380℃下保持10分钟。之后，将该背面基板以5～50℃/分钟的降温速度冷却到常温。另外，使升温速度放缓是为了可靠地分解、燃烧黏合剂。

非专利文献1：内田龍男他著、「フラツトパネルデイスプレイ大事典」、工業調查会、2001年12月，p752-754、868-869

可是，密封材所含有的黏合剂的树脂成分即使通过上述准煅烧也难以充分除去。残留于密封材的树脂成分在对两基板进行密封时变成杂质气体污染面板内。该由树脂成分导致的污染成为了在密封工序中需要通过几小时的加热真空排气(真空烘烤)来净化面板内的重要原因。此外，也成为了向密封后的面板施加AC电压来放电，降低面板的放电电压使放电特性稳定化的时效(エ一ジング)需要几小时到十几个小时的重要原因(例如，参照非专利文献1)。因此，防止密封材中的黏合剂的树脂成分的残留，成为了在PDP的制造工序中为了实现生产能力的提高以及节约能源的重大课题。

发明内容

本发明为了解决上述课题而产生，其目的在于，提供能够实现生产能力的提高以及节约能源的密封面板的制造方法和制造装置、及等离子体显示面板的制造方法和制造装置。

为了达到上述目的，本发明采用以下方法。即，本发明的密封面板的制造方法为具有第一基板和第二基板的密封面板的制造方法，具有：使不含有用于糊化的黏合剂的密封材熔化的熔化工序；对所述第二基板的表面涂敷熔化的所述密封材的涂敷工序；和通过涂敷于所述第二基板的表面的所述密封材粘结所述第一基板和所述第二基板的密封工序。

根据上述密封面板的制造方法，通过使不含有黏合剂的密封材熔化，能够将该密封材涂敷在第二基板的表面上。此外，由于采用不含有黏合剂的密封材，将能够大幅降低来自密封材的放出气体量。由此，将能够大幅缩短密封工序的面板内部的净化时间，或不需要进行净化。进一步地，能够实现密封后的时效时间的大幅缩短或不需要进行时效处理。此外，如同现有技术的黏合剂的除去工序将不再需要。因此，能够实现在等离子体显示面板的制造中生产能力的提高以及节约能源。

所述密封材可以含有低熔点玻璃。

该情况下，能够降低来自密封材的放出气体量。此外，能够在较低温下进行涂敷或密封。进一步地，能够确保密封后的气密性和粘结强度。

所述密封材可以含有低熔点玻璃和填充物。

该情况下，能够使密封材的热膨胀系数接近第一基板和第二基板的热膨胀系数，其结果能够确保密封后的气密性和粘结强度。

可以进一步具有排出含有在所述熔化的密封材的内部的气体的工序。

该情况下，由于涂敷排出了内部气体的密封材，因此能够进一步降低来自密封材的放出气体量。

另一方面，本发明的等离子体显示面板的制造方法为具有第一基板和第二基板的等离子体显示面板的制造方法，具有：使不含有用于糊化的黏合剂的密封材熔化的熔化工序；煅烧涂敷于所述第二基板的荧光体的煅烧工序；对煅烧后的所述第二基板的表面涂敷熔化的所述密封材的涂敷工序；和通过涂敷于所述第二基板的表面的所述密封材粘结所述第一基板和所述第二基板的密封工序，从所述煅烧工序到所述涂敷工序之间，所述第二基板的温度被保持在100℃以上。

根据上述等离子体显示面板的制造方法，由于采用不含有黏合剂的密封材，使密封材在热融状态下对第二基板的表面涂敷。即使在该情况下，在煅烧工序中给与第二基板的热能也能够在涂敷工序中利用。其结果能够实现节约能源。

从所述煅烧工序到所述密封工序之间，所述第二基板可以被保持在真空中或被控制的气氛中。

该情况下，由于采用不含有黏合剂的密封材，因此不需要在大气中进行以黏合剂的除去为目的的干燥工序和煅烧工序。因此，将荧光体煅烧后的第二基板保持在真空中或被控制的气氛中的状态下，能够在防止杂质气体向第二基板附着的同时导入到密封工序。由此，能够大幅缩短密封工序的面板内部的净化时间，或不需要进行净化。进一步地，能够实现密封后的时效时间的大幅缩短或能够实现不需要进行时效处理。

因此，能够实现在等离子体显示面板的制造中的生产能力的提高以及节约能源。

此外，本发明的另一等离子体显示面板的制造方法为具有第一基板和第二基板的等离子体显示面板的制造方法，具有：在所述第一基板上形成对应于该基板尺寸的保护膜的成膜工序；使不含有用于糊化的黏合剂的密封材熔化的熔化工序；煅烧涂敷于所述第二基板的荧光体的煅烧工序；对煅烧后的所述第二基板的表面涂敷熔化的所述密封材的涂敷工序；和通过分别涂敷于所述第二基板的表面的所述密封材相互并行地粘结多对所述第一基板和所述第二基板的密封工序，从所述煅烧工序到所述涂敷工序之间，所述第二基板的温度被保持在100℃以上。

根据上述等离子体显示面板的制造方法，由于通常成膜工序的处理时间比密封工序的处理时间短，能够实现在等离子体显示面板的制造中的生产能力的提高。

在所述密封工序中，当制造具有相互不同尺寸的多个等离子体显示面板时，可以相互粘结对应于所述各等离子体显示面板的尺寸的所述第一基板和所述第二基板。

该情况下，能够有效地制造不同尺寸的面板。

另一方面，本发明的密封面板的制造装置为具有第一基板和第二基板的密封面板的制造装置，具有：在真空中或被控制的气氛中，对所述第二基板的表面涂敷不含有用于糊化的黏合剂的密封材的涂敷室；设置在所述涂敷室中，将填充的所述密封材涂敷到所述第二基板的表面的涂敷设备；设置在所述涂敷设备上，使所述填充的密封材熔化的加热器；和通过所述密封材粘结所述第一基板和所述第二基板的密封室。

根据上述密封面板的制造装置，即使采用不含有黏合剂的密封材，也可以使密封材在涂敷设备的内部熔化，并涂敷到第二基板的表面。此外，通过采用不含有黏合剂的密封材，将能够大幅降低来自密封材的放出气体量。由此，将能够大幅缩短密封工序的面板内部的净化时间，或不需要进行净化。进一步地，将能够实现密封后的时效时间的大幅缩短或能够实现不需要进行时效处理。此外，不需要如同现有技术的黏合剂的除去工序。因此，能够实现在等离子体显示面板的制造中的生产能力的提高以及节约能源。

另一方面，本发明的等离子体显示面板的制造装置为具有第一基板和第二基板的等离子体显示面板的制造装置，具有：煅烧涂敷于所述第二基板的荧光体的煅烧室；在真空中或被控制的气氛中，对煅烧后的所述第二基板的表面涂敷不含有用于糊化的黏合剂的密封材的涂敷室；设置在所述涂敷室中，将填充的所述密封材涂敷到所述第二基板的表面的涂敷设备；设置在所述涂敷设备上，使所述填充的密封材熔化的加热器；和通过所述密封材粘结所述第一基板和所述第二基板的密封室，从所述煅烧室到所述涂敷室之间，所述第二基板在其温度被保持在100℃以上的状态下被运送。

根据上述等离子体显示面板的制造装置，能够在涂敷室中利用在煅烧室中给与第二基板的热能。其结果能够实现节约能源。

从所述准煅烧室到所述密封室之间，所述第二基板可以在被保持在真空中或被控制的气氛中的状态下被运送。

该情况下，由于采用不含有黏合剂的密封材，因此不需要在大气中进行以黏合剂的除去为目的的干燥工序和煅烧工序。因此，在将荧光体煅烧后的第二基板保持在真空中或被控制的气氛中的状态下，能够在防止杂质气体向第二基板附着的同时导入到密封室。由此，能够大幅缩短密封工序的面板内部的净化时间，或不需要进行净化。进一步地，能够实现密封后的时效时间的大幅缩短或能够实现不需要进行时效处理。因此，能够实现在等离子体显示面板的制造中的生产能力的提高以及节约能源。

此外，本发明的另一等离子体显示面板的制造装置为具有第一基板和第二基板的等离子体显示面板的制造装置，具有：在所述第一基板上形成保护膜的成膜室；煅烧涂敷于所述第二基板的荧光体的煅烧室；在真空中或被控制的气氛中，向煅烧后的所述第二基板的表面涂敷不含有用于糊化的黏合剂的密封材的涂敷室；设置在所述涂敷室中，将填充的所述密封材涂敷到所述第二基板的表面的涂敷设备；设置在所述涂敷设备上，使所述填充的密封材熔化的加热器；和被连接到所述成膜室，通过所述密封材粘结所述第一基板和所述第二基板的多个密封室，从所述煅烧室到所述涂敷室之间，所述第二基板在其温度被保持在100℃以上的状态下被运送。

根据上述等离子体显示面板的制造装置，由于通常成膜室的处理时间比密封室的处理时间短，因此能够实现在等离子体显示面板的制造中的生产能力的提高。

在所述多个密封室中，当制造具有相互不同尺寸的多个等离子体显示面板时，可以相互粘结对应于所述各等离子体显示面板的尺寸的所述第一基板和所述第二基板。

该情况下，能够有效地制造不同尺寸的面板。

发明的效果

根据本发明，通过熔化不含有黏合剂的密封材，能够将该密封材涂敷到第二基板的表面。此外，由于采用不含有黏合剂的密封材，从而能够大幅降低来自密封材的放出气体量。由此，能够大幅缩短密封工序的面板内部的净化时间，或不需要进行净化。进一步地，能够实现密封后的时效时间的大幅缩短或能够实现不需要进行时效处理。此外，不需要如同现有技术的黏合剂的除去工序。因此，能够实现在等离子体显示面板的制造中的生产能力的提高以及节约能源。

附图说明

图1为三电极AC型等离子体显示面板的分解立体图；

图2A为PDP的平面图；

图2B为沿着图2A的A-A线的侧面剖视图；

图3为本发明的第一实施方式的PDP的制造方法的流程图；

图4为本发明的第一实施方式的PDP的制造装置的框图；

图5为表示密封材的涂敷室的内部结构的立体图；

图6为表示利用升温脱附法的密封材的放出气体量的测定结果的图表；

图7为表示时效试验的结果的图表；

图8为第二实施方式的PDP的制造装置的框图；

图9为第二实施方式的变形例的PDP的制造装置的框图。

符号说明

1前面基板(第一基板)，2背面基板(第二基板)，17荧光体，20密封材，30给料器(涂敷设备)，34加热器，64成膜室，72煅烧室，78涂敷室，82密封室，100等离子体显示面板(密封面板)

具体实施方式

以下参照附图对本发明的实施方式进行说明。并且，在以下说明所使用的各附图中，为了使各部件为能够识别的尺寸，适当变更了各部件的比例。此外，以下所述基板的“内面”是指，在该基板的两表面中，与该基板成对的基板侧的表面。

(等离子体显示面板)

图1为三电极AC型等离子体显示面板的分解立体图。该等离子体显示面板(以下称为“PDP”。)100具有对向配置的背面基板2和前面基板1、以及形成在两基板1、2之间的多个放电室16。

在前面基板1的内面，以指定的间隔条纹状地形成有显示电极12(扫描电极12a和维持电极12b)。该显示电极12由ITO等透明导电性材料和总线电极构成。形成有电介质层13以覆盖该显示电极12，形成有保护膜14以覆盖该电介质层13。该保护膜14用于保护电介质层13不受由放电气体的等离子体化产生的阳离子的影响，由MgO或SrO等碱土金属的氧化物构成。

另一方面，在背面基板2的内面，以指定的间隔条纹状地形成有寻址电极11。该寻址电极11被配置为与上述显示电极12正交。该寻址电极11与显示电极12的交点成为PDP100的像素。

形成有电介质层19以覆盖该寻址电极11。此外，在相邻的寻址电极11之间的电介质层19的上面，与寻址电极11平行地形成有间隔壁(肋)15。进一步地，在相邻的间隔壁15之间的电介质层19的上面和间隔壁15的侧面，配设有荧光体17。该荧光体17发出红、绿、蓝中的任意一种荧光。

图2A为PDP的平面图。上述前面基板1和背面基板2通过配置在这些基板的内面的周缘部的密封材20被粘结。

图2B为沿着图2A的A-A线的侧面剖视图。如图2B所示，通过粘结前面基板1和背面基板2，在相邻的间隔壁15之间形成放电室16。在该放电室16的内部，封入有Ne和Xe的混合气体等放电气体。

向PDP100的寻址电极11和扫描电极12a之间施加直流电压产生对向放电，进一步向扫描电极12a和维持电极12b之间施加交流电压，则产生面放电。于是，封入在放电室16内的放电气体将等离子体化，并放射真空紫外线。由于该紫外线荧光体17被激发，其结果是从前面基板1放出可见光。

(密封材)

作为上述密封材20的材料，需要采用与构成前面基板1和背面基板2的玻璃基板的热膨胀系数接近，在密封温度下表现充分的流动性，并且在排气、烘烤温度下不软化的材料。此外，需要采用能够保持密封后的面板内部的气密性，不放出杂质气体，并且能够确保面板粘结强度的材料。作为这种材料，优选采用低熔点玻璃。作为具体的低熔点玻璃，可以采用熔点为400℃左右的PbO·B₂O₃系的非结晶玻璃(非晶质玻璃)等。

此外，为了使密封材20的热膨胀系数接近玻璃基板，并且为了在密封温度下发挥充分的流动性，优选向低熔点玻璃混合填充物。作为填充物，能够采用氧化铝等陶瓷系的粉末材料。

另外，为了缓和由于与玻璃基板的热膨胀系数不同导致的影响，也可以采用更低熔点的玻璃(例如磷酸锡系玻璃)。此外，虽然是比低熔点玻璃熔点高的玻璃，但也可以采用热膨胀系数与玻璃基板接近的结晶系玻璃(例如热膨胀系数为85×10^-7/K)。进一步地，为了提高在密封温度下的流动性，优选提高低熔点玻璃和基板的浸润性。

另外，现有技术中，为了将密封材糊化，向密封材混合黏合剂。黏合剂由溶剂和树脂成分构成。溶剂用于将密封材糊化，由α-松油醇等构成。树脂成分是以分散糊中的固态成分等为目的，由乙基纤维素或硝化纤维素、丙烯酸树脂等构成。该黏合剂需要在密封材涂敷后完全除去。

在本实施方式的密封材20中，没有混合这种黏合剂。

(PDP的制造方法、制造装置)

图3为本发明的第一实施方式的PDP制造方法的流程图。PDP的制造工序大体上分为面板工序(S50)、组件、装配工序(S52)两部分。该面板工序(S50)分为前面基板工序(S60)、背面基板工序(S70)和面板化工序(S80)三部分。

在前面基板工序(S60)中，首先形成成为显示电极12的透明电极(S62)。具体地，通过溅射法等形成ITO或SnO₂等透明导电膜，经图案化形成显示电极12。然后，为了降低由透明导电膜构成的显示电极12的电阻，通过溅射法等形成由金属材料构成的辅助电极(总线电极)(S63)。然后，为了保护各电极和形成壁电荷，通过印刷法等形成厚度20～40μm的电介质层13并煅烧(S64)。然后，为了保护电介质层13和提高二次电子放出效率，通过电子束蒸镀法形成厚度700～1200nm的保护膜14(S66)。

图4为本发明的第一实施方式的PDP制造装置的框图。在PDP的制造装置50中，前面基板作业线60的后端、背面基板作业线70的后端和面板化作业线80的前端分别与运送室55相连接。该PDP的制造装置50是在真空中或被控制的气氛中连续实施图3所示PDP的制造工艺中被双点划线包围的范围50的装置。

前面基板作业线60设有收纳形成有电介质层13的前面基板1的装入室(真空排气室)61、将前面基板1加热到150～350℃程度的加热室62、通过电子束蒸镀法形成保护膜14的成膜室64和将前面基板1加热到与背面基板2同等温度(约380℃)的加热、缓冲室66。

另一方面，在图3所示背面基板工序(S70)中，形成由Ag、Cr/Cu/Cr或Al构成的寻址电极11(S72)。然后，为了保护寻址电极11形成电介质层19(S74)。然后，为了使放电空间和荧光体17的发光面积增加，通过喷砂法等形成间隔壁15(S75)。喷砂法为将成为间隔壁15的材料的玻璃糊涂敷到基板上，干燥后使掩模材形成图案，在高压下喷上氧化铝或玻璃珠等研磨剂，从而形成指定形状的间隔壁15的方法。然后，通过丝网印刷法等涂敷荧光体17，并干燥。之后，将被干燥的荧光体17在约500℃左右下煅烧(S76)。然后，加热背面基板2的同时将密封材20涂敷到背面基板2的表面(S78)。

图4所示的背面基板作业线70设有收纳涂敷有荧光体17的背面基板2并进行煅烧的煅烧室72和将密封材20涂敷到背面基板2的表面的涂敷室78。在煅烧室72和涂敷室78之间设有热通道74和背面板装入室76，用于能够将在煅烧室72中煅烧后的背面基板2保持在温度100℃以上的情况下运送到涂敷室78，并在其中涂敷密封材20。由此，能够在涂敷室78中利用在煅烧室72中给与背面基板2的热能。其结果能够实现节约能源。

热通道74为具有煅烧后的背面基板2的保温机构的基板运送室。另外，也可以通过储藏室式容器替代热通道74来运送背面基板。此外热通道74也可以具有用于进行气氛分离的排气装置。在背面板装入室76中，在将煅烧后的背面基板2的温度保持在100℃以上的情况下进行真空排气。另外在背面板装入室76中，也能够进行背面基板2的加热。

(密封材的涂敷室、涂敷设备、涂敷方法)

图5为表示密封材的涂敷室的内部结构的立体图。在涂敷室78的底部，设置有用于放置涂敷密封材20的背面基板2的加热板40。

该加热板40能够将背面基板2加热到100～450℃的程度。另外，也可以设置加热器替代加热板40并辐射加热背面基板2。在加热板40的上方，配置有吐出密封材20的给料器(涂敷设备)30。另外，加热板40被放置在XY位移台(未图示)上，加热板40与给料器30能够在水平面内相对移动。另外，也可以固定加热板40，将给料器30设置在XY移动机构(平面扫描机构)上。此外涂敷室78具有由涡轮分子泵和吸附水分并进行排气的冷阱构成的真空排气系统(未图示)。

给料器30是在圆筒状的注射器32的前端安装有喷嘴31的设备。填充在该注射器32的内部的密封材20从喷嘴31的前端吐出。环绕注射器32和喷嘴31的外周地设有加热器34。通过该加热器34，填充在给料器30的内部的密封材20被加热到其熔点以上而熔化。

注射器32的上端与真空泵等减压设备37和压缩机等加压设备38连接。减压设备37从熔化的密封材20排出其内部所含有的气体。此外，加压设备38使熔化的密封材20从喷嘴31定量地吐出。

在上述涂敷室78中将密封材20涂敷到背面基板2的表面时，首先向给料器30的内部填充构成密封材20的低熔点玻璃和填充物的粉末。然后向加热器34通电，将密封材20的粉末加热到其熔点以上(300～480℃的程度)而熔化。在该加热中驱动减压设备37，将注射器32的内部36减压至0.1Pa左右。由此，使密封材20内部所含有的气体(H₂及H₂O、N₂、CO、CO₂等)从熔化的密封材20脱离(真空脱气处理)。

另外，也可以将低熔点玻璃和填充物预先成型为圆筒状并装入到注射器中。这种情况下，在成型时或装入到注射器后的溶解时进行真空脱气处理。此外，也可以将预先熔化、脱气并搅拌的低熔点玻璃和填充物、或低熔点玻璃单体通过导管等运送设备向注射器供给。

然后，将涂敷室78的内部保持在真空或被控制的气氛下。然后在加热板40上放置背面基板2。然后通过XY位移台使加热板40移动，将密封材20在背面基板2中的涂敷开始位置配置在给料器30的下方。然后驱动加压设备38，将注射器32的内部加压到指定的压力，从而使熔化的密封材20从喷嘴31定量地排出。在该状态下，通过XY位移台使加热板40移动，从而将密封材20连续地涂敷到背面基板2的周缘部。

返回图3，进行粘结上述前面基板1和背面基板2的面板化工序(S80)。在面板化工序中，进行两基板的对准工序(S82)和放电气体导入及密封工序(S84)。另外在必要的情况下，进行短时间的时效工序(S86)。

如图4所示，将形成有保护膜14的前面基板1在加热、缓冲室加热到约380℃之后，经由运送室55运送到密封室82。被运送的前面基板1由设在密封室82的上部的钩机构保持。在该保持中，由设置在密封室82的上部的加热器将前面基板1的温度维持在380℃。

另一方面，将涂敷有密封材20的背面基板2从涂敷室78经由运送室55运送到密封室82。被运送的背面基板2被放置在设在密封室82的下部的加热板上并被保持在约380℃。然后，通过在设在密封室的真空槽的大气侧上设置的CCD相机读取前面基板1和背面基板2的对准标记，进行两基板的对位。然后，导入放电气体并向两基板加压，将密封材加热到430～450℃的程度并密封。将通过密封得到的面板向冷却、取出室运送，冷却至约150℃，之后取出。

另外，由于在本实施方式中，采用了不含有黏合剂的密封材，因此不需要在大气中进行以除去黏合剂为目的的干燥工序和煅烧工序。因此，在荧光体的煅烧室72中煅烧后的背面基板2在保持在真空中或被控制的气氛中的状态下，经由热通道74、背面板装入室76、涂敷室78和运送室55被导入密封室82。即，能够在防止杂质气体向背面基板2附着的同时导入密封室82。因此，能够大幅缩短密封工序的面板内部的净化时间，或不需要进行净化。进一步地，能够实现密封后的时效时间的大幅缩短或不需要进行时效处理。因此，能够实现在PDP的制造中生产能力的提高以及节约能源。

在现有技术中，因为由溶剂和树脂成分构成的黏合剂被混合于密封材，所以当面板密封时，有可能从密封材向面板内部放出杂质气体。该情况下，由于放出的杂质气体，封入在面板内部的放电气体的纯度下降，从而使放电电压上升。此外，如果从密封材放出的杂质气体被吸附到基板表面的被膜上，基板表面的二次电子放出系数下降，从而使放电电压上升。伴随这种放电电压的上升，PDP的功率消耗增加。于是目前，在密封工序之前，进行以除去黏合剂的溶剂的为目的的干燥工序，还进行以黏合剂的树脂成分的为目的的准煅烧工序。可是，通过上述准煅烧也很难将树脂成分充分除去。

本发明的发明者们对现有技术的密封材(准煅烧后)和本发明的密封材进行了测定放出气体量的实验。

图6为表示利用升温脱附法(TDS，Thermal Desorption Spectroscopy)的密封材的放出气体量的测定结果的图。在TDS中，使密封材的温度在约2200秒之间上升到约450℃，并保持在该状态下。在图6中，现有的密封材(准煅烧后)的放出气体量的测定结果用虚线表示，本发明的密封材的放出气体量的测定结果用实线表示。根据现有的密封材所放出的气体，除了检测出树脂成分，由于在大气中准煅烧的原因还大量检测出水(H₂O)、一氧化碳(CO)和二氧化碳(CO₂)。于此相对地，根据本发明的密封材的放出气体量下降，且没有检测出树脂成分。

如果进行通过真空烘烤的基板内的净化和向基板间的指定时间的电压施加(时效处理)，被基板表面的被膜吸附的杂质气体从基板表面脱离。由此，放电电压变得稳定。于是在现有技术中，在密封工序中进行了几小时的净化。此外，即使对于密封后的面板，也需要进行几小时到十几小时的时效处理。

本发明的发明者们对以现有方法制作的PDP和以本实施方式的方法制作的PDP进行了时效试验。本实验中的PDP的保护膜14使用形成为膜厚800nm的MgO，以66.5kPa的压力导入Ne-4％Xe作为放电气体。

另外，根据现有技术，由于分别用不同的装置来实施PDP的各制造过程，因此在将保护膜14形成后的前面基板1暴露于大气(湿度50％)一小时之后再制作PDP。此外，在前面基板1和背面基板2的密封中，在350℃下进行90分钟的净化。

相对于此，根据本实施方式的PDP的制造方法和制造装置，如上所述在真空中或被控制的气氛中进行从保护膜的形成到密封工序。即，不需将保护膜14形成后的前面基板1暴露于大气来制造PDP。

图7为表示时效试验的结果的图表。而且，Vf为放电开始电压，Vs为放电维持电压。在由暴露于大气的现有方法制造的PDP的情况下，放电开始电压Vf和放电维持电压Vs均高，并且到达电压稳定需要约三小时。与此相对地，在由本实施方式的方法制作的PDP的情况下，放电开始电压Vf和放电维持电压Vs均低，放电开始电压Vf在约一分钟以内稳定，进一步地，放电维持电压Vs从最初便稳定。由该结果可以证实，通过采用本实施方式的PDP的制造方法和制造装置，能够缩短时效时间。此外，还证实了放电电压变低。即，通过采用本实施方式的PDP的制造方法和制造装置，能够提供功率消耗小的PDP。

如以上详述，本实施方式的PDP的制造方法具有：在给料器的内部使不含有用于糊化的黏合剂的密封材20熔化的工序；使用给料器向背面基板2的表面涂敷熔化的密封材20的涂敷工序；将前面基板1和背面基板2通过涂敷于背面基板2的表面的密封材20粘结的密封工序。

根据上述PDP的制造方法，即使采用不含有黏合剂的密封材20，通过在给料器的内部熔化，也能够涂敷到背面基板2的表面。此外，由于采用了不含有黏合剂的密封材20，能够大幅降低来自密封材20的放出气体量。由此，能够大幅缩短密封工序的面板内部的净化时间，或不需要进行净化。进一步地，能够实现密封后的时效时间的大幅缩短或不需要进行时效处理。此外，不需要进行如同现有技术的黏合剂的除去工序。因此，能够实现在PDP的制造中的生产能力的提高以及节约能源。

此外，本实施方式中的PDP的制造方法在涂敷工序之前具有使给料器的内部减压，从而排出密封材20的内部所含有的气体的工序。

在该情况下，由于涂敷排出了内部气体的密封材20，能够进一步降低来自被涂敷的密封材20的放出气体量。由此，能够大幅缩短密封工序的面板内部的净化时间，或不需要进行净化。进一步地，能够实现密封后的时效时间的大幅缩短或不需要进行时效处理。因此，能够实现在PDP的制造中的生产能力的提高以及节约能源。

(第二实施方式)

图8为根据第二实施方式的PDP的制造装置的框图。在第一实施方式的PDP的制造装置中，对于一个成膜室连接有一个密封室，相对于此，在第二实施方式的PDP的制造装置中，对于一个成膜室64连接有多个密封室82a、82b。另外，对于与第一实施方式相同的部分，省略其详细说明。

在本实施方式的PDP的制造装置51中，在前面基板作业线60中的加热、缓冲室66的A侧连接有运送室55a，B侧连接有运送室55b。与A侧的运送室55a连接有背面基板作业线70a和面板化作业线80a。此外，与B侧的运送室55b连接有背面基板作业线70b和面板化作业线80b。由此，对于前面基板作业线60的成膜室64，成为连接有多个背面基板作业线70a、70b的密封室82a、82b的状态。在本实施方式中，背面基板作业线70a、70b与前面基板作业线60垂直地延伸，面板化作业线80a、80b与前面基板作业线60平行地延伸。

本实施方式的PDP的制造装置51也与第一实施方式同样地，能够大幅降低来自密封材20的放出气体量。由此，能够大幅缩短密封工序的面板内部的净化时间，或不需要进行净化。进一步地，能够实现密封后的时效时间的大幅缩短或不需要进行时效处理。因此，能够实现在PDP的制造中的生产能力的提高以及节约能源。

一般来说，成膜室64中的成膜工序的生产节拍时间(タクトタイム)比密封室82a、82b中的面板化工序的生产节拍时间短。于是，本实施方式被构成为，对于成膜室64连接有多个密封室82a、82b。由此，将能够使成膜室的工作效率提高，其结果为，与第一实施方式相比，能够使PDP的制造中的生产能力提高(例如，约两倍)。

另外，上述多个密封室82a、82b也可以形成为粘结分别不同尺寸的前面基板1和背面基板2。即，也可以构成为，在上述多个密封室82a、82b中，当制造具有相互不同尺寸的多个PDP时，相互粘结与上述各PDP的尺寸对应的前面基板1和背面基板2。例如，可以构成为在A侧的密封室82a中进行对角长度42英寸面板的密封，在B侧的密封室82b中进行对角长度50英寸面板的密封。该情况下，成膜室64形成为能够对不同尺寸的前面基板进行成膜。由此，能够有效地制造不同尺寸的面板。此外，在不同尺寸的面板的制造中，能够共用制造装置的一部分(含有成膜室的前面基板作业线)，其结果为，能够降低制造成本。

(变形例)

图9为第二实施方式的变形例的PDP的制造装置的框图。虽然在上述第二实施方式的PDP的制造装置中，背面基板作业线70a、70b与前面基板作业线60垂直地延伸，面板化作业线80a、80b与前面基板作业线60平行地延伸，但在图9所示的变形例的PDP的制造装置52中，背面基板作业线70a、70b与前面基板作业线60平行地延伸，面板化作业线80a、80b与前面基板作业线60垂直地延伸。

即使在该情况下，也能够与第一实施方式相比，使在PDP的制造中的生产能力提高。此外，也能够在两侧有效地制造不同尺寸的基板。

另外，本发明的技术范围不限于上述实施方式，在不脱离本发明主旨的范围中，包含对上述各实施方式进行各种改变。即，各实施方式中所举出的具体材料及结构等仅仅是一个示例，可以进行适当的改变。

例如，虽然在上述实施方式中采用了向低熔点玻璃混合填充物的密封材，但也可以采用不混合填充物的仅由低熔点玻璃构成的密封材。

此外，尽管在上述实施方式中将本发明应用于等离子体显示面板，但也能够将本发明应用于场致发射显示面板。在场致发射显示面板中，从配置在每个像素的电子发射源(发射极)向真空中发射电子，使该电子碰撞荧光体来发光。作为场致发射显示面板，可以举出有具有突起状的电子发射元件的场致发射显示器(FED，Field Emission Display)、具有表面传导型的电子发射元件的表面传导电子发射显示器(SED，Surface-Conduction Electron-Emitter Display)等。即使将本发明应用于该场致发射显示面板时，也能够缩短时效时间，此外还能够抑制放电电压的上升。

产业上的利用可能性

能够提供能够实现生产能力的提高以及节约能源的密封面板的制造方法和制造装置、及等离子体显示面板的制造方法和制造装置。

Claims (13)

1.一种密封面板的制造方法，该密封面板具有第一基板和第二基板，该密封面板的制造方法的特征在于，具有：

使不含有用于糊化的黏合剂且含有低熔点玻璃和填充物的密封材熔化的熔化工序；

排出含有在熔化的所述密封材的内部的气体的工序；

对所述第二基板的表面涂敷熔化的所述密封材的涂敷工序；和

通过涂敷于所述第二基板的表面的所述密封材粘结所述第一基板和所述第二基板的密封工序。

2.一种等离子体显示面板的制造方法，该等离子体显示面板具有第一基板和第二基板，该等离子体显示面板的制造方法的特征在于，具有：

使不含有用于糊化的黏合剂且含有低熔点玻璃和填充物的密封材熔化的熔化工序；

排出含有在熔化的所述密封材的内部的气体的工序；

煅烧涂敷于所述第二基板的荧光体的煅烧工序；

对煅烧后的所述第二基板的表面涂敷熔化的所述密封材的涂敷工序；和

通过涂敷于所述第二基板的表面的所述密封材粘结所述第一基板和所述第二基板的密封工序，

从所述煅烧工序到所述涂敷工序之间，所述第二基板的温度被保持在100℃以上。

3.根据权利要求2所述的等离子体显示面板的制造方法，从所述煅烧工序到所述密封工序之间，所述第二基板被保持在被控制的气氛中。

4.根据权利要求3所述的等离子体显示面板的制造方法，所述被控制的气氛包括真空。

5.一种等离子体显示面板的制造方法，该等离子体显示面板具有第一基板和第二基板，该等离子体显示面板的制造方法的特征在于，具有：

在所述第一基板上形成对应于该基板尺寸的保护膜的成膜工序；

使不含有用于糊化的黏合剂且含有低熔点玻璃和填充物的密封材熔化的熔化工序；

排出含有在熔化的所述密封材的内部的气体的工序；

煅烧涂敷于所述第二基板的荧光体的煅烧工序；

向煅烧后的所述第二基板的表面涂敷熔化的所述密封材的涂敷工序；和

通过分别涂敷于所述第二基板的表面的所述密封材相互并行地粘结多对所述第一基板和所述第二基板的密封工序，

从所述煅烧工序到所述涂敷工序之间，所述第二基板的温度被保持在100℃以上。

6.根据权利要求5所述的等离子体显示面板的制造方法，在所述密封工序中，当制造具有相互不同尺寸的多个等离子体显示面板时，相互粘结对应于所述多个等离子体显示面板的尺寸的所述第一基板和所述第二基板。

7.一种密封面板的制造装置，该密封面板具有第一基板和第二基板，该密封面板的制造装置的特征在于，具有：

在被控制的气氛中，对所述第二基板的表面涂敷不含有用于糊化的黏合剂且含有低熔点玻璃和填充物的密封材的涂敷室；

设置在所述涂敷室中，将所述密封材涂敷到所述第二基板的表面的涂敷设备；

设置在所述涂敷设备上，使所述密封材熔化的加热器；

设置在所述涂敷设备上且排出含有在熔化的所述密封材的内部的气体的减压设备；和

通过所述密封材粘结所述第一基板和所述第二基板的密封室。

8.根据权利要求7所述的密封面板的制造装置，所述被控制的气氛包括真空。

9.一种等离子体显示面板的制造装置，该等离子体显示面板具有第一基板和第二基板，该等离子体显示面板的制造装置的特征在于，具有：

煅烧涂敷于所述第二基板的荧光体的煅烧室；

在被控制的气氛中，对煅烧后的所述第二基板的表面涂敷不含有用于糊化的黏合剂且含有低熔点玻璃和填充物的密封材的涂敷室；

设置在所述涂敷室中，将所述密封材涂敷到所述第二基板的表面的涂敷设备；

设置在所述涂敷设备上，使所述密封材熔化的加热器；

设置在所述涂敷设备上且排出含有在熔化的所述密封材的内部的气体的减压设备；和

通过所述密封材粘结所述第一基板和所述第二基板的密封室，

从所述煅烧室到所述涂敷室之间，所述第二基板在其温度被保持在100℃以上的状态下被运送。

10.根据权利要求9所述的等离子体显示面板的制造装置，从所述煅烧室到所述密封室之间，所述第二基板在被保持在被控制的气氛中的状态下被运送。

11.根据权利要求9或10所述的等离子体显示面板的制造装置，所述被控制的气氛包括真空。

12.一种等离子体显示面板的制造装置，该等离子体显示面板具有第一基板和第二基板，该等离子体显示面板的制造装置的特征在于，具有：

在所述第一基板上形成保护膜的成膜室；

煅烧涂敷于所述第二基板的荧光体的煅烧室；

在被控制的气氛中，对煅烧后的所述第二基板的表面涂敷不含有用于糊化的黏合剂且含有低熔点玻璃和填充物的密封材的涂敷室；

设置在所述涂敷室中，将所述密封材涂敷到所述第二基板的表面的涂敷设备；

设置在所述涂敷设备上，使所述密封材熔化的加热器；

设置在所述涂敷设备上且排出含有在熔化的所述密封材的内部的气体的减压设备；和

被连接到所述成膜室，通过所述密封材粘结所述第一基板和所述第二基板的多个密封室，

从所述煅烧室到所述涂敷室之间，所述第二基板在其温度被保持在100℃以上的状态下被运送。

13.根据权利要求12所述的等离子体显示面板的制造装置，所述被控制的气氛包括真空。

l4、根据权利要求12所述的等离子体显示面板的制造装置，在所述多个密封室中，当制造具有相互不同尺寸的多个等离子体显示面板时，相互粘结对应于所述多个等离子体显示面板的尺寸的所述第一基板和所述第二基板。

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