JP2002008533A - プラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents

プラズマディスプレイパネルの製造方法

Info

Publication number
JP2002008533A
JP2002008533A JP2001105672A JP2001105672A JP2002008533A JP 2002008533 A JP2002008533 A JP 2002008533A JP 2001105672 A JP2001105672 A JP 2001105672A JP 2001105672 A JP2001105672 A JP 2001105672A JP 2002008533 A JP2002008533 A JP 2002008533A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
manufacturing
display panel
plasma display
phosphor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001105672A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002008533A5 (ja
Inventor
Kanako Miyashita
加奈子 宮下
Hiroyuki Kado
博行 加道
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2001105672A priority Critical patent/JP2002008533A/ja
Publication of JP2002008533A publication Critical patent/JP2002008533A/ja
Publication of JP2002008533A5 publication Critical patent/JP2002008533A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/38Exhausting, degassing, filling, or cleaning vessels
    • H01J9/39Degassing vessels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/24Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/10AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
    • H01J11/12AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20Constructional details
    • H01J11/34Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J11/42Fluorescent layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/24Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases
    • H01J9/26Sealing together parts of vessels
    • H01J9/261Sealing together parts of vessels the vessel being for a flat panel display
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/38Exhausting, degassing, filling, or cleaning vessels
    • H01J9/385Exhausting vessels

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
  • Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
  • Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 PDPを製造する上で、蛍光体の熱劣化を抑
えながら熱工程を削減することによって、製造時におけ
る電力コスト低減と生産性向上を実現し、発光効率が高
く色純度の優れたPDPを製造する。 【解決手段】 前面ガラス基板及び背面ガラス基板にお
ける対向予定面に、蛍光体及び有機バインダを含有する
生蛍光体層25aを形成する共に、封着ガラス層15を
形成し、加熱焼成装置50で、両パネル板10・20を
対向配置する。その後、両パネル板の間に形成される内
部空間に、配管52aから乾燥空気を流しながら、両パ
ネル板を加熱することによって、生蛍光体層25a中の
有機バインダをバーンアウトさせると共に、封着ガラス
層15を軟化させて封着する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、カラーテレビジョ
ン受像機のディスプレイ等に使用するプラズマディスプ
レイパネルの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、コンピュータやテレビ等に用いら
れているディスプレイ装置において、プラズマディスプ
レイパネル(Plasma Display Panel,以下PDPと記載
する)は、大型で薄型軽量を実現することのできるもの
として注目されており、高精細なPDPに対する要望も
高まっている。
【0003】図20は、一般的な交流型(AC型)PD
Pの一例を示す概略断面図である。本図において、前面
ガラス基板101上に表示電極102が形成され、この
表示電極102は誘電体ガラス層103及び酸化マグネ
シウム(MgO)からなる保護層104で覆われてい
る。また、背面ガラス基板105上には、アドレス電極
106および隔壁107が設けられ、隣接する隔壁10
7どうしの間隙に各色(赤、緑、青)の蛍光体層110
〜112が設けられている。
【0004】前面ガラス基板101は背面ガラス基板1
05の隔壁107上に配設され、両パネル板101・1
05間に放電ガスが封入されて放電空間109が形成さ
れている。このPDPにおいて、放電空間109では、
放電に伴って真空紫外線(主に波長147nm)が発生
し、各色蛍光体層110〜112が励起発光されること
によってカラー表示がなされる。
【0005】上記PDPは、一般的に、次のように製造
される。前面ガラス基板101に、銀ペーストを塗布・
焼成して表示電極102を形成し、誘電体ガラスペース
トを塗布し焼成して誘電体ガラス層103を形成し、そ
の上に保護層104を形成する。背面ガラス基板105
上に、銀ペーストを塗布・焼成してアドレス電極106
を形成し、ガラスペーストを所定のピッチで塗布し焼成
して隔壁107を形成する。
【0006】そして隔壁107の間に、各色蛍光体ペー
ストを塗布する。そして、500℃程度で焼成してペー
スト内の有機バインダ(樹脂成分等)をバーンアウト
(焼失)することにより蛍光体層110〜112を形成
する(蛍光体焼成工程)。蛍光体焼成後、背面ガラス基
板105の周囲に封着材(ガラスフリット)を塗布し、
形成された封着ガラス層内の樹脂成分等を除去するため
に350℃程度で仮焼する(封着材仮焼工程)。
【0007】その後、上記の前面ガラス基板101と背
面ガラス基板105とを、表示電極102とアドレス電
極106とが直交して対向するよう積み重ねる。そし
て、これを封着用ガラスの軟化温度よりも高い温度(4
50℃程度)に加熱することによって封着する(封着工
程)。その後、封着したパネルを350℃程度まで加熱
しながら、両パネル板間に形成される内部空間(前面板
と背面板との間に形成され蛍光体が臨んでいる空間)か
ら排気し(排気工程)、排気終了後に放電ガスを所定圧
力(通常300〜500Torr)となるように導入す
る。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】このようなPDPにお
いて、発光効率が高いもの、並びに色純度の優れたもの
を作製することが基本的に課題となっている。また、上
記のような製造方法を用いて量産化もされているが、現
状ではCRTと比べるとPDPはかなり製造コストが高
いため、これを下げることが望まれている。PDPの製
造コストを低減するために、いろいろな面からアプロー
チされているが、上記のように加熱を必要とするいくつ
かの工程において要する消費エネルギーや労力(作業時
間)が大きいので、これらを低減する技術も望まれる。
【0009】本発明は、このような課題に鑑み、PDP
を製造する上で、蛍光体の熱劣化を抑えながら熱工程を
削減することによって、製造時における電力コスト低減
と生産性向上を実現すると共に発光効率が高く色純度の
優れたPDPを製造できるようにすることを目的とす
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の製造方法では、第1に前面基板及び背面基
板における対向予定面に、蛍光体及び有機バインダを含
有する生蛍光体層を形成する共に、熱で軟化する封着材
を配し、前記前面基板及び背面基板を対向配置し、その
後、両基板の間に形成される内部空間に、酸素を含む乾
燥ガスを流しながら、前記対向配置ステップで対向配置
された前面基板及び背面基板を加熱することによって、
有機バインダをバーンアウトさせることとした。
【0011】この製造方法によれば、対向配置された前
面基板及び背面基板を加熱して有機バインダを焼失させ
る際に、封着材を軟化させて封着する工程を兼ねること
ができるし、封着材の仮焼も合せて行うことができる。
また、本発明の製造方法では、第2に前面基板及び背面
基板における対向予定面に、蛍光体及び有機バインダを
含有する生蛍光体層を形成すると共に熱で軟化する封着
材を配し、その後、前面基板と背面基板とを、同一炉内
に配置し、前面基板及び背面基板を互いに離間した状態
で加熱することによって前記有機バインダをバーンアウ
トさせ、加熱された状態を維持しつつ前面基板及び背面
基板を対向配置し、封着材の軟化温度以上に保つことに
よって封着することとした。
【0012】ここで「乾燥ガス」というのは、通常の大
気と比べて水蒸気分圧が小さいガスのことであって、1
0Torr(1300Pa)以下であることが好まし
く、乾燥処理された空気(乾燥空気)が代表的である。
上記第1,第2の製造方法によれば、いずれも、蛍光体
を焼成して有機バインダのバーンアウト及び基板の封着
を、一回の昇降温動作の中で行うことができ、封着材の
仮焼も合わせて行うことができる。即ち、蛍光体焼成工
程、封着材仮焼工程、封着工程を、同じ炉内でまとめて
行うことができるので、その分、製造にかかる時間及び
エネルギを低減でき、蛍光体が熱に晒される回数が低減
されるので、蛍光体の熱劣化(発光強度並びに発光色度
の劣化)も抑えられる。
【0013】ところで、単純に、蛍光体並びに封着材を
前面基板或は背面基板の対向予定面上に塗布した後、前
面基板と背面基板とを対向配置して加熱するという方法
をとることによって、蛍光体焼成と封着を並行して行う
ことも可能とは考えられる。しかし、このように両基板
を対向配置した状態で蛍光体焼成を行うと、基板に吸着
されている水分などが加熱に伴って放出された脱ガスや
燃焼ガスが狭い内部空間内に充満し、高温・高濃度で蛍
光体やMgOからなる保護層が晒されるため、蛍光体の
熱劣化やMgOの変質が生じやすくなる。また、バーン
アウトに必要な酸素が不足する状況にもなりやすく、残
滓として有機物が残ったりMgOや蛍光体に酸素欠損が
生じたりすることがある。この結果、放電特性が低下し
たり蛍光体の発光効率が低下したりする。特に青色蛍光
体は、この熱劣化に伴って色度が低下しやすい。
【0014】これに対して、第1の製造方法によれば、
対向配置した両基板を加熱する際に、酸素を含む乾燥ガ
スを内部空間に流しながら行うので、高温・高濃度の脱
ガスや燃焼ガスに蛍光体や保護層が晒されることがな
く、蛍光体の熱劣化及び保護層の変質が抑えられる。ま
た、第2の製造方法においては、前面基板及び背面基板
を互いに離間した状態で加熱するので、この加熱に伴っ
て基板に吸着されている水分などが放出されても、その
脱ガスが内部空間に閉じこめられることはない。また、
その後、加熱された前面基板及び背面基板を対向配置
し、封着材の軟化温度以上に保つことによって封着する
が、この時点では、基板に吸着していた水分などはすで
に放出されているので、やはり内部空間に脱ガスが充満
することはない。従って、高温・高濃度の脱ガスや燃焼
ガスに蛍光体や保護層が晒されることがなく、蛍光体の
熱劣化及び保護層の変質が抑えられる。
【0015】よって、第1並びに第2の製造方法によれ
ば、発光強度並びに発光色度の優れたPDPを製造する
ことができる。
【0016】
【発明の実施の形態】[実施の形態1]図1は、実施の
形態に係る交流面放電型PDPを示す要部斜視図であっ
て、本図ではPDPの中央部にある表示領域を部分的に
示している。このPDPは、前面ガラス基板11上に表
示電極対12(走査電極12a,維持電極12b)、誘
電体層13、保護層14が配されてなる前面パネル板1
0と、背面ガラス基板21上にアドレス電極22、下地
誘電体層23が配された背面パネル板20とが、表示電
極対12とアドレス電極22とを対向させた状態で互い
に平行に間隔をおいて配されて構成されている。そし
て、前面パネル板10と背面パネル板20との間隙は、
ストライプ状の隔壁24で仕切られることによって放電
空間30が形成され、当該放電空間30内には放電ガス
が封入されている。
【0017】また、この放電空間30内において、背面
パネル板20側には、蛍光体層25が配設されている。
なお、蛍光体層25は、赤,緑,青の順で繰返し並べら
れている。表示電極対12及びアドレス電極22は、共
にストライプ状であって、表示電極対12は隔壁24と
直交する方向に、アドレス電極22は隔壁24と平行に
配されている。そして、表示電極対12とアドレス電極
22が交差するところに、赤,緑,青の各色を発光する
セルが形成されたパネル構成となっている。
【0018】アドレス電極22は、金属電極(例えば、
銀電極あるいはCr−Cu−Cr電極)である。表示電
極対12は、ITO,SnO2,ZnO等の導電性金属
酸化物からなる幅広の透明電極の上に、細い幅のバス電
極(銀電極,Cr−Cu−Cr電極)を積層させた電極
構成とするのが、表示電極の抵抗を低く且つセル内の放
電面積を広く確保する上で好ましいが、アドレス電極2
2と同様に銀電極とすることもできる。
【0019】誘電体層13は、前面ガラス基板11の表
示電極対12が配された表面全体を覆って配設された誘
電物質からなる層であって、一般的に、鉛系低融点ガラ
スが用いられているが、ビスマス系低融点ガラス、或は
鉛系低融点ガラスとビスマス系低融点ガラスの積層物で
形成しても良い。保護層14は、酸化マグネシウム(M
gO)からなる薄層であって、誘電体層13の表面全体
を覆っている。
【0020】下地誘電体層23は、誘電体層13と同様
のものであるが、可視光反射層としての働きも兼ねるよ
うにTiO2粒子が混合されている。隔壁24は、ガラ
ス材料からなり、背面パネル板20の下地誘電体層23
の表面上に突設されている。蛍光体層25を構成する蛍
光体材料として、ここでは、 青色蛍光体:BaMgAl1017:Eu 緑色蛍光体:Zn2SiO4:Mn 赤色蛍光体:(YxGd1-x)BO3:Eu を用いることとする。
【0021】これらの蛍光体材料の組成は、従来からP
DPに用いられているものと基本的には同じである。な
お、本実施の形態では、40インチクラスのハイビジョ
ンテレビに合わせて、誘電体層13の膜厚は20μm程
度、保護層14の膜厚は0.5μm程度とする。また、
隔壁24の高さは0.1〜0.15mm、隔壁ピッチは
0.15〜0.3mm、蛍光体層25の膜厚は5〜50
μmとする。また、封入する放電ガスは、Ne−Xe系
で、Xeの含有量は5体積%とし、封入圧力は6〜10
×10 4Paの範囲に設定する。
【0022】図2は、PDPに駆動装置を接続した画像
表示装置の構成を示す図である。PDPの駆動時におい
ては、本図のようにPDPに各ドライバ及びパネル駆動
回路100を接続し、点灯させようとするセルの走査電
極12aとアドレス電極22間に印加してアドレス放電
を行った後に、表示電極対12間にパルス電圧を印加し
て維持放電を行う。そして、当該セルで放電に伴って紫
外線を発光し、蛍光体層31で可視光に変換する。この
ようにしてセルが点灯することによって、画像が表示さ
れる。
【0023】〔PDPの作製方法について〕以下、上記
構成のPDPを製造する方法について説明する。 (前面パネル板の作製)前面パネル板10は、前面ガラ
ス基板11上に、銀電極用のペーストをスクリーン印刷
で塗布した後に焼成することにより表示電極対12を形
成し、その上を覆うように、鉛系のガラス材料(その組
成は、例えば、酸化鉛[PbO]70重量%,酸化硼素
[B23]15重量%,酸化硅素[SiO2]15重量
%。)を含むペーストをスクリーン印刷法で塗布し焼成
することによって、誘電体層13を形成し、更に誘電体
層13の表面に真空蒸着法などで酸化マグネシウム(M
gO)からなる保護層14を形成することによって作製
する。
【0024】(背面パネル板の作製)背面パネル板は、
背面ガラス基板21上に、銀電極用のペーストをスクリ
ーン印刷しその後焼成する方法によってアドレス電極2
2を形成し、その上に、TiO2粒子と誘電体ガラス粒子
とを含むペーストをスクリーン印刷法で塗布して焼成す
ることによって下地誘電体層23を形成し、同じくガラ
ス粒子を含むペーストをスクリーン印刷法を用いて所定
のピッチで繰返し塗布した後、焼成することによって隔
壁24を形成する。
【0025】そして、赤色,緑色,青色の各色蛍光体ペ
ーストを作製し、これを隔壁24どうしの間隙にスクリ
ーン印刷法で塗布し、乾燥することによって生の各色蛍
光体層を形成する。なお、各色蛍光体ペーストは、各色
蛍光体粒子を有機バインダ(例えば、分子量5万のエチ
ルセルロース)及び溶剤と混合することによって得られ
る。
【0026】なお、生蛍光体層を形成する際には、上記
のスクリーン印刷法による方法以外に、蛍光体インキを
ノズルから吐出させながら走査する方法、あるいは、各
色の蛍光体材料を含有する感光性樹脂のシートを作製
し、これを背面ガラス基板21の隔壁24を配した側の
面に貼り付け、フォトリソグラフィでパターニングし現
像することにより不要な部分を除去する方法によっても
形成することができる。
【0027】(前面パネル板と背面パネル板の封着、真
空排気、放電ガス封入)このように作製した前面パネル
板10及び背面パネル板20のどちらか一方の対向予定
面外周部に、封着ガラスペースト(封着用ガラスフリッ
ト及び有機バインダが含まれる。)を塗布することによ
って封着ガラス層を形成する。なお、図3には、背面パ
ネル板20の外周部に封着ガラス層15を形成した様子
が示されている。
【0028】そして、以下に詳述するように、フリット
仮焼工程、蛍光体焼成工程、封着工程を行った後、封着
したパネル板の内部空間を真空排気しながらパネルを焼
成する。その後、上記組成の放電ガスを所定の圧力で封
入することによってPDPが作製される。本実施形態で
は、フリット仮焼工程、蛍光体焼成工程、封着工程、排
気工程を一貫して行う。
【0029】図4は、この工程で用いる加熱焼成装置の
構成を模式的に示す図である。加熱焼成装置50は、内
部に収納される基板(ここでは対向配置された前面パネ
ル板10及び背面パネル板20)をヒータ55で加熱す
る加熱炉51と、加熱炉51の外部から両パネル板1
0,20間の内部空間に雰囲気ガスを送り込む配管52
a、この内部空間から加熱炉51の外部に雰囲気ガスを
排出する配管52bとから構成されている。配管52a
には乾燥空気を送り込む乾燥空気供給源53が接続され
ている。
【0030】なお、乾燥空気供給源53では、空気を低
温(マイナス数十度)に冷却して水分を凝結させること
によって除去するガス乾燥器(不図示)が設けられてお
り、このガス乾燥器を経由することによって、空気中の
水蒸気量(水蒸気分圧)が低減される。この加熱焼成装
置50を用いて、以下のように封着工程を行う。
【0031】図3に示すように、背面パネル板20の対
角位置には、表示領域より外側の外周部に、通気口21
a及び通気口21bが設けられている。そして図4に示
すように、通気口21a・21bには、ガラス管26a
・26bが取り付けられている。なお、図4において、
符号25aは生蛍光体層である。前面パネル板10と背
面パネル板20とを、位置合わせしながら、封着ガラス
層15が両パネル板の間に介挿されるように対向配置
し、加熱炉51の中に入れる。ここで位置合わせされた
前面パネル板10と背面パネル板20とが位置ずれしな
いように、図5に示すようにクランプ(クリップ)42
によって外周部を圧着して締結しておくのが好ましい。
【0032】ここで、クランプ42の押圧位置が、封着
ガラス層15より外側であると、その押圧力によって、
両パネル板10・20の外周部が互いに接近する方向に
変形しようし、それに伴って、隔壁24の最も外側にあ
る端部を支点とする「てこ」の作用によって両パネル板
10・20の中央部は互いに離れる方向に変形し、封着
後のパネルにおいても、隔壁24の頂部と前面パネル板
10との間隙が大きくなるので好ましくない。
【0033】それに対してクランプ42で押圧する位置
が封着ガラス層15よりも内側となるように設定すると
上記の変形を防止できる。更に、隔壁24の最外端部よ
りも中央寄りの位置を押圧すると、クランプ42の押圧
力によって両パネル板10・20の中央部が接近する。
これによって、封着後のパネルにおいても、隔壁24の
頂部と前面パネル板10との間隙が小さくなるので好ま
しい。
【0034】そして、ガラス管26a・26bに、加熱
炉51の外部から挿設された配管52a・52bを連結
し、乾燥空気供給源53から一定の流量で乾燥空気を送
り込む。これによって、両パネル板10・20間の内部
空間に乾燥空気が流通し、配管52bから排出される。
【0035】このように乾燥空気を流しながら、両パネ
ル板10・20を加熱することによって、蛍光体層焼
成、封着ガラス層仮焼及び封着を行う。この工程におけ
る炉内温度変化について、詳しくは実施例のところで述
べるが、基本的に、生蛍光体層25aの焼成が可能で且
つ封着ガラス層15に用いた封着用ガラスフリットの軟
化点より高いピーク温度T3(図9参照)に上昇させた
後、再び当該軟化点以下に降温させるものである。ここ
で、蛍光体の焼成及び封着材軟化を十分に行うために、
通常は、ピーク温度T3で一定の期間(例えば520℃
で20分間)保持する。
【0036】これによって、封着ガラス層15に含まれ
る有機バインダ並びに生蛍光体層25a中に含まれる有
機バインダがバーンアウトされると共に、封着ガラス層
15も軟化して両パネル板10・20の封着がなされ
る。そして、再び温度を降下し乾燥空気の供給を停止す
るが、封着ガラス層15の軟化点まで温度降下すると封
着ガラスが硬化し、両パネル板10・20の封着が完了
する。
【0037】ここで、蛍光体層の焼成温度としては上記
の520℃程度が適当なので、蛍光体層の焼成と封着と
を並行して行うために、封着用ガラスフリットとして
は、焼成温度(520℃)より低い軟化点を持つものを
用いる必要がある。一方、使用する封着用ガラスフリッ
トの軟化点が低すぎると、焼成中に封着ガラス層が変形
しやすいので、軟化点400℃以上のものを用いること
が望ましい。
【0038】封着工程に引き続き、加熱炉51内におい
て両パネル板10・20を降温させるが、室温まで降温
する途中において、封着されたパネル板10・20が所
定の排気温度まで降温した段階で排気工程を行う。この
排気工程では、パネル板10・20を排気温度に維持し
ながら(例えば350℃で3時間)、内部空間から真空
排気することによって、基板に吸着されている不純物ガ
スを除去する。なお、この真空排気は、上記ガラス管2
6a・26bのどちらか一つを密栓し、残りのガラス管
に真空ポンプを連結して行うことができる。
【0039】なお、排気工程後は、降温して次の放電ガ
スの封入工程に移るが、この封入工程は、放電ガスが入
っているボンベを上記残りのガラス管に連結して、排気
装置を作動させながら内部空間に放電ガスを封入するこ
とによって行うことができる。 (本実施の形態の製造方法による効果)上記のように、
フリット仮焼工程、蛍光体焼成工程、封着工程を、同じ
炉内で1回にまとめて行うことによって、従来のように
蛍光体焼成工程とフリット仮焼工程と封着工程とを別々
に行う場合と比べて、製造にかかる時間及びエネルギを
低減できる。また、蛍光体が熱に晒される回数が低減さ
れるので、その分、蛍光体の熱劣化(発光強度並びに発
光色度の劣化)も抑えられる。
【0040】また、基板には水分等が吸着されている
が、これは加熱に伴って放出されるので、仮に、乾燥空
気を流すことなく、両パネル板を対向配置した状態で蛍
光体焼成や封着材仮焼を行ったとすると、内部空間に臨
んでいる生蛍光体層25aや保護層14が高温・高濃度
の脱ガス(特に保護層14から放出される水蒸気)や燃
焼ガスに晒されるので、蛍光体の熱劣化やMgOの変質
が生じやすくなる。この結果、放電特性が低下したり蛍
光体の発光効率が低下したりする。特に青色蛍光体は、
この熱劣化に伴って色度が低下しやすい。
【0041】また、内部空間は、隔壁24等によって非
常に狭いライン状空間に仕切られているため、バーンア
ウトに必要な酸素が不足する状況になりやすく、残滓と
して有機物が残ったりMgOや蛍光体に酸素欠損が生じ
たりすることがある。しかし、本実施形態のように、乾
燥空気を内部空間に流しながら焼成すれば、生蛍光体層
25a中の樹脂成分のバーンアウトに必要な酸素を常時
供給できるし、生蛍光体層25aや保護層14が高温・
高濃度の脱ガスや燃焼ガスに晒されることがないので、
蛍光体の熱劣化及び保護層14の変質が抑えられる。
【0042】また、上記の製法では、封着工程終了後、
室温まで降温する途中で同じ炉内で排気工程を行ってい
るので、従来のように封着工程と排気工程を別々に行う
場合と比べて、製造にかかる時間及びエネルギを低減で
きるという効果も奏する。 (乾燥ガス中の水蒸気分圧と青色蛍光体の熱劣化につい
て)乾燥空気中の水蒸気分圧は、低く設定するほど蛍光
体の熱劣化を抑える効果は大きい。即ち、乾燥ガスの雰
囲気中での水蒸気分圧は、10Torr(1300P
a)以下,5Torr(650Pa)以下,1Torr
(130Pa)以下とより小さくする方が好ましい。乾
燥ガスの露点温度としては、12℃以下,0℃以下,−
20℃以下とより低くすることが好ましいということも
言え、より好ましくは露点−50℃以下である。
【0043】乾燥ガス中の水蒸気分圧が低いほど、青色
蛍光体の熱劣化を防止できることについては、以下実験
結果からも考察される。図6,7は、水蒸気分圧をいろ
いろと変えた空気中で、青色蛍光体(BaMgAl10
17:Eu)を焼成したときの相対発光強度及び色度座標
yの測定結果である。焼成条件として、ピーク温度は4
50℃とし、ピーク温度で維持する時間は20分とし
た。
【0044】図6に示す相対発光強度は、発光強度測定
値を、焼成前の青色蛍光体の発光強度測定値を基準値1
00としたときの相対値で表わしたものである。発光強
度は、分光光度計を用いて蛍光体層からの発光スペクト
ルを測定し、この測定値から色度座標y値を算出し、こ
の色度座標y値と、輝度計で予め測定した輝度値とか
ら、式(発光強度=輝度/色度座標y値)で算出した値
である。
【0045】なお、焼成前の青色蛍光体の色度座標y
は、0.052であった。図6,7の結果より、水蒸気
分圧が0Pa付近では、加熱に伴う発光強度の低下並び
に色度変化は全く見られないが、水蒸気分圧が増加する
に従って、青色の相対発光強度は低下し、青色の色度座
標yは大きくなっていることがわかる。ところで、青色
蛍光体(BaMgAl1017:Eu)を加熱するときに
発光強度が劣化したり色度座標y値が大きくなったりす
るのは、付活剤Eu2+イオンが加熱により酸化されEu
3+イオンになることが原因であると従来から考えられて
いるが(J.Electrochem. Soc.Vo
l.145,No.11,November 1998
参照)、上記の青色蛍光体の色度座標y値が雰囲気中
の水蒸気分圧に依存するという結果とを組み合わせて考
察すると、Eu2+イオンがガス雰囲気(例えば空気)中
の酸素と直接反応するのではなく、ガス雰囲気中の水蒸
気によって劣化に係る反応が促進されるものと考えられ
る。
【0046】(乾燥空気の流通についての考察) 封着ガラス層15の形状に関して:蛍光体の熱劣化防止
効果を得るためには、内部空間に乾燥空気を流通させる
ときに、基本的に蛍光体層上を乾燥空気が流通する必要
がある。ところが、乾燥空気が複数の隔壁24の最も外
側に位置するものよりも外側に多く流れてしまうと、蛍
光体層上(隔壁どうしの間隙)を乾燥空気があまり流れ
ないので、蛍光体の熱劣化防止が損なわれてしまうこと
になる。
【0047】これに対して、封着ガラス層15を形成す
る際に、上記図3に示すように、内方に突出する堰15
aが形成しておくと、内部空間を流通する乾燥空気の多
くは隔壁どうしの間隙を経由するので、蛍光体の熱劣化
防止効果を得る上で好ましい。 乾燥空気の流量に関して:内部空間を流通させる乾燥空
気の流量としては、内部空間の単位体積(1cm 3)当
たり1CCMとすることが好ましい。
【0048】また、酸素の流量は、内部空間の単位体積
当たり0.5CCM以上に設定することが好ましい。な
お、この酸素流量値は、以下のように導き出されたもの
である。現在一般的に製造されている42インチサイズ
のPDPでは、1枚のパネルに塗布される蛍光体インキ
中の樹脂量は10g程度で、放電空間の総容積は50c
3程度である。このサイズのPDPを、蛍光体インキ
の有機バインダとしてエチルセルロース(C12
225nを用いて製造するときに必要な酸素の流量を考
察する。
【0049】エチルセルロースが完全燃焼するときの反
応は次のように表される。 (C12225n + 15nO2 → 12nCO2
11nH2O この式より、10gのエチルセルロースを完全燃焼させ
るのに必要な酸素分子のモル数は10÷246×15=
0.61(mol)となる。この酸素量を体積に換算す
ると、0.61×22.4=13664ccとなる。
【0050】例えば、バーンアウトにかける時間を5時
間とすると、5時間で10gのエチルセルロースを完全
燃焼させるためには、13664÷(5×60)=4
5.5CCMの酸素流量が必要となる。この酸素流量
は、放電空間の単位体積当たりに換算すると45.5÷
50=0.91CCM(約1CCM)となる。バーンア
ウト時間を10時間以内に納めるには、内部空間を流通
させる酸素の流量は、内部空間の単位体積当たり0.5
CCM以上に設定する必要があることになる。
【0051】ガラス基板の厚みに関して:上記のよう
に、対向配置した両パネル板の外周部をクランプなどで
締結し内部空間に乾燥空気を送り込んで流通させるとき
に、通常、内部空間は陽圧(外部より高圧)となる。こ
こで、両パネル板の外周部は締結されているが、中央部
は締結されておらず、ガラス基板は弾性を有しているの
で、中央部ではパネル板が互いの距離が大きくなるよう
に変形する(即ち、中央部ではパネル板が膨れて浮いた
状態となる。)。一方、降温時に乾燥空気の流通を止め
ると、この膨れはなくなる。
【0052】ここで、使用するガラス基板の厚みが小さ
いほど、この変形は大きなものとなり、中央部での基板
間の距離が大きくなるので、内部空間に送り込まれる乾
燥空気が蛍光体層上をスムースに流通することができる
点で好ましいということができる。従って、内部空間に
おける乾燥ガスの流通を良好にするためには、前面ガラ
ス基板11及び背面ガラス基板21のいずれか一方に薄
いガラス基板を用いることが好ましい。
【0053】このような観点から見ると、前面ガラス基
板及び背面ガラス基板は、現在では厚さ2.8mmのも
のが多用されているが、どちらか一方又は両方のガラス
基板に2.0mm以下のものを用いることが好ましい
(但し、基板としての必要な最低限の厚さは必要であ
る。)ということが言える。この点は、以下の実験結果
からもわかる。
【0054】即ち、厚みの異なるいくつかのガラス基板
を準備し、別の一定厚みの基板と重ね合わせ外周部を締
結した状態で内部空間に空気を流通させ、その状態で基
板中央部での浮き量(両基板間の間隙)を測定した。図
8は、その結果であって、ガラス基板の板厚(mm)と
中央部における浮き量(mm)との関係を表す特性図で
ある。
【0055】図8より、ガラス基板の板厚が2mm以下
の範囲では浮き量が大きいことがわかる。なお、背面ガ
ラス基板21の代りに、例えば金属製の背面基板を用い
ることも可能とは考えられるが、金属基板と比べるとガ
ラス基板の方が弾性定数が小さいので、同じ厚さで比べ
ると、ガラス基板を用いる方が浮き量を大きくして乾燥
空気を良好に流通させる点で有利と考えられる。
【0056】但し、ガラスは、脆性材料であって変形時
に壊れすいので、ガラス基板は厚さを薄く設定すると強
度を確保しにくい。これに対して金属製基板は、延性に
優れるため、薄くしても強度を確保でき、生産性に優れ
るので、この点では金属製基板の方が有利であると考え
られる。金属の中でもAlは弾性定数が比較的小さいの
で、金属製基板としてはAl製基板が優れている考えら
れる。
【0057】(実施の形態1の変形例) *上述した実施形態の説明では、内部空間に乾燥空気を
流通させたが、必ずしも乾燥空気に限らず、酸素を含有
する乾燥ガス(窒素等の不活性ガス)を流しても、同様
の効果が得られる。 *上述した実施形態の製法では、封着工程において、内
部空間に乾燥空気を一定流量で流すようにしたが、流量
は適宜変動させてもよい。また、内部空間を真空排気し
た後に乾燥空気を導入する操作を交互に繰り返すことに
よっても、酸素を供給すると共に内部空間に発生する水
蒸気などを排出することができるので、ある程度同様の
効果を奏する。
【0058】*上述した実施形態の製法では、封着材と
して、通常のガラスフリットを用いる例を示したが、代
りに結晶化ガラスを用いてもよい。結晶化ガラスとして
は、PbO−ZnO−B23系フリットガラスが代表的
である。封着ガラス層に通常のフリットガラスを用いた
場合、その軟化温度以上において内部空間に乾燥空気を
流通させると、封着ガラス層が変形することもあるが、
結晶化ガラスは、加熱されて流動状態になった後、結晶
化して固まり、その後は当初の結晶化温度まで加熱され
ても軟化しない性質を持つので、封着材に結晶化ガラス
を用いた場合は、結晶化後に更に高温に加熱して内部空
間に乾燥空気を流通させても、封着ガラス層が変形する
ことはない。
【0059】*上述した実施形態の製法では、両パネル
板を対向配置した状態で、内部空間に乾燥ガスを流しな
がら、フリット仮焼工程、蛍光体焼成工程、封着工程を
まとめて行うようにしたが、後述する実施例No.8の
ように、先ず、封着ガラス層を形成した背面パネル板2
0だけを仮焼した後、これを前面パネル板10と対向配
置させて、内部空間に乾燥空気を流しながら蛍光体焼成
及び封着をまとめて行うという製造方法も可能である。
【0060】この場合、上述した実施形態の製法と比べ
ると、仮焼工程を別途に行う分だけ時間及びエネルギの
低減効果は劣るが、蛍光体焼成工程と封着工程とをまと
めて行っているので、従来の製法と比べると時間及びエ
ネルギが低減できる。また、上述した実施形態の製法の
場合、両パネルを対向配置するときに、封着ガラス層が
未焼成で脆い状態にあるためが崩れやすいが、この変形
例の場合は、封着ガラス層は、仮焼することによってガ
ラスフリットどうしの結合が強まるので、この変形例で
は、両パネルを対向配置する際に封着ガラス層が崩れに
くい。この特長は、歩留りを高めるのに寄与する。 〔実施例〕
【0061】
【表1】 表1に示すNo.1〜8は、上述した実施の形態1の製
法に基づく実施例に係るPDPの製造方法であって、表
中に示す図9〜12の各温度プロファイルに基づいてフ
リット仮焼・蛍光体焼成・封着・排気を施したものであ
る。
【0062】また、No.9は、比較例に係るPDPの
製造方法であって、図13の温度プロファイルに基づい
てフリット仮焼・蛍光体焼成・封着・排気を施したもの
である。表1及び図9〜13において、符号T1〜T4
は、以下の温度を表す。 T1:フリット仮焼温度 T2:フリット結晶化温度 T3:蛍光体焼成及び封着温度(ピーク温度) T4:排気温度 なお、上記No.1〜9の製法においてはいずれも、封
着ガラス層15形成時に図3に示すように堰15aを形
成し、パネル構成が同一となるようにした。
【0063】No.1〜5の製法では、いずれも通常の
フリットを用い、図9の温度プロファイルを適用した。
但し、フリットの軟化点並びに排気温度T4は、表1に
示すようにいろいろな値に設定してある。即ち、No.
1〜5の製法では、図9の温度プロファイルに示すよう
に、ピーク温度T3まで加熱昇温した後、ピーク温度T3
で30分間保持することによって蛍光体の焼成及び封着
材の軟化を行った。そして、排気温度T4まで自然冷却
して封着終了した後、排気温度T4に維持したまま排気
を行った。当該排気工程では、真空度1.3×10-5
aに到達した後、2時間温度を保持した。そして、排気
工程後は自然冷却した。
【0064】No.1〜5いずれにおいても、総所要時
間(昇温開始から排気完了まで)は6時間程度であっ
て、所要電力も同程度であった。No.5はNo.1〜
4と比べて所要時間が若干長いが、これは、排気温度T
4が低いので、パネルに吸着していたガスが抜けにくか
ったためと考えられる。また、封着後の各パネルを観察
したところ、軟化点が低いフリットガラスを用いたN
o.3の製法で作製したパネルでは、封着ガラス層15
の幅が異常に広がっており、堰15aは原形を留めてい
なかった。一方、比較的軟化点の高いNo.1,No.
4では、封着ガラス層15はもとの形をとどめていた。
【0065】これより、ピーク温度T3が520℃のと
きには、使用するフリットガラスの軟化点は450℃程
度のものが適当であることがわかる。なお、No.1,
4,5の製法で作製した各PDPについて点灯評価した
ところ、排気温度T4が高いNo.4の製法によるPD
Pは輝度が低かった。これは、排気工程において、蛍光
体が高温且つ真空状態に長時間晒されたため、蛍光体に
酸素欠陥が生じたためと考えられる。
【0066】No.6の製法では、通常のフリットガラ
スを用い、図10の温度プロファイルを適用した。この
温度プロファイルに基づき、封着が終了した後、排気温
度T4で排気を開始するまでは、図9の場合と同様であ
るが、排気工程中は炉内温度を制御することなく、継続
して自然冷却を行った。この場合、総所要時間は7.5
時間と長かったが、排気工程中に温度が低下し、パネル
に吸着していたガスが抜けにくかったためと考えられ
る。
【0067】No.7の製法では、結晶化ガラスフリッ
トを用い、図11の温度プロファイルを適用した。この
温度プロファイルに基づき、昇温時に軟化点(380
℃)を越えてピーク温度T3に到達するまでのフリット
結晶化温度T2において30分間保持することによって
ガラスフリットを結晶化させた。それ以外は、上記N
o.1(図9の温度プロファイル)と同様である。
【0068】総所要時間は6.5時間と若干長めではあ
るが、総消費電力はNo.1と比べて大きな違いはなか
った。No.8の製法では、通常のフリットガラスを用
い、図12の温度プロファイルを適用した。この温度プ
ロファイルに基づき、封着ガラス層を形成した背面パネ
ル板20だけをフリット仮焼温度T1で仮焼し、一旦冷
却した。その後は、No.1と同様に、前面パネル板1
0と対向配置させて、内部空間に乾燥空気を流しながら
ピーク温度T3まで加熱することによって蛍光体焼成及
び封着を行い、排気温度T4で排気を行った。
【0069】総所要時間は9.5時間と長かったが、両
パネルを対向配置させる際に封着ガラス層が崩れにくい
ので、歩留りを高めることができる点で有効な方法であ
る。No.9の製法では、通常のフリットガラスを用
い、図13の温度プロファイルに基づき、蛍光体焼成工
程、フリット仮焼工程、封着工程、排気工程ごとに、昇
温・降温を行った。
【0070】この場合、総所要時間は15時間程度であ
った。このNo.9の製法と比べると、上記No.1〜
8のいずれにおいても、所要時間が短縮され、電力も低
減できることがわかる。 [実施の形態2]本実施形態におけるPDPの製造方法
は、蛍光体層の焼成及び封着を同じ炉内にいおいて一回
の昇降温動作の中で行う点は、上記実施の形態1と同様
である。
【0071】但し、上記実施の形態1では、前面パネル
板10および背面パネル板20を対向配置させた状態
で、内部空間に乾燥空気を流しながら蛍光体層の焼成及
び封着を行ったが、本実施の形態では、前面パネル板1
0および背面パネル板20を、同一炉内において互いに
離間した状態で加熱することによって蛍光体層に含まれ
る有機バインダをバーンアウトさせ、その後に、前面パ
ネル板10および背面パネル板20を対向配置させ、封
着材の軟化温度以上に保つことによって封着する。
【0072】即ち、本実施形態では、上記実施の形態1
と同様にして前面パネル板10及び背面パネル板20を
作製した後、以下のように、仮焼工程・蛍光体層焼成工
程・封着工程・排気工程を行う。なお、本実施形態で
は、背面パネル板20外周部に通気口21aが1つだけ
設けられている。図14は、本実施形態で用いる加熱焼
成装置の構成を模式的に示す図である。
【0073】この加熱焼成装置80は、前面パネル板1
0及び背面パネル板20を加熱する加熱炉81に、加熱
炉81内ヘ導入する雰囲気ガスの導入量を調整するガス
導入口82、加熱炉81から排出するガスの排出量を調
整するガス排出口83等が取り付けられて構成されてい
る。加熱炉81内は、ヒータ(図示省略)によって高温
に加熱できるようになっている。また、加熱炉81内に
は、ガス導入口82から乾燥空気を導入し、ガス排出口
83から排気することによって、乾燥空気を流通できる
ようにもなっている。
【0074】加熱炉81の中には、前面パネル板10と
背面パネル板20を対向配置させて載置する載置台84
が設けられ、この載置台84の上部には、背面パネル板
20を平行移動させる移動ピン85が設置されている。
また載置台84の上方には、背面パネル板20を下方に
押圧するための押圧機構86が設置されている。図15
は、加熱炉81の内部の構成を示す斜視図である。
【0075】なお、図14,15において、背面パネル
板20は、隔壁の長手方向が図面表裏方向に沿うように
配置されている。図に示すように、隔壁の長手方向(図
面横方向)において、背面パネル板20は、前面パネル
板10よりも若干長く設定されており、背面パネル板2
0の両端部が前面パネル板10の両端部より外方にはみ
出している。なお、このはみ出し部分には、アドレス電
極22を駆動回路に接続するための引出し線が配設され
ている。そして、移動ピン85及び押圧機構86は、載
置台84上に載置される背面パネル板20のはみ出し部
分を、背面パネル板20の4角付近において上下から挟
みこむように配置されている。
【0076】4つの移動ピン85は、ピン上端が載置台
84の上面から上方に突き出ており、載置台84の内部
に設けられたピン昇降機構(不図示)によって同時に昇
降できるようになっている。4つの押圧機構86の各々
は、加熱炉81の上部に固着されている円筒状の支持部
86aと、支持部86aの内側を上下移動可能な状態で
支持されているスライド棒86bと、支持部86aの内
部にあってスライド棒86bを下方に付勢するバネ86
cとから構成され、バネ86cの付勢力によりスライド
棒86bの下端が背面パネル板20を押圧するようにな
っている。
【0077】図16は、この加熱焼成装置80を用いて
仮焼工程・蛍光体層焼成工程・封着工程を行う際の動作
を示す図である。ここでは、図17(a)に示す温度プ
ロファイルに基づいて行うこととする。予め、前面パネ
ル板10の対向予定面(背面パネル板20と対向される
面)の外周部、あるいは背面パネル板20の対向予定面
(前面パネル板10と対向され面)の外周部、あるいは
前面パネル板10及び背面パネル板20両方の対向予定
面の外周部に、封着用ガラス(ガラスフリット)からな
るペーストを塗布することによって封着ガラス層15を
形成しておく(なお、図では、封着ガラス層15は前面
パネル板10の対向予定面に形成されている。)。
【0078】そして、前面パネル板10及び背面パネル
板20を位置合わせして対向配置させた状態で、載置台
84上の定位置に載置し、押圧機構86をセットして背
面パネル板20を押える(図16(a)参照)。なお、
位置合せを正確に行うために、前面ガラス基板11及び
背面ガラス基板21に、予め位置合わせ用マーカーを形
成しておき、このマーカーを用いて位置合せすることが
望ましい。
【0079】次に、加熱炉81内に乾燥空気を流通させ
ながら、以下の操作を行う。移動ピン85を上昇させ、
背面パネル板20を上方に押し上げて平行移動させる
(図16(b)参照)。これによって前面パネル板10
及び背面パネル板20の対向面の間隙が広がり、背面パ
ネル板20の生蛍光体層25aが配された面は、加熱炉
81内の広い空間に開放されることになる。そして、こ
の状態で加熱炉81内を加熱昇温し、フリット軟化点
(例えば450℃)未満のフリット仮焼温度T1(例え
ば350℃)において10〜30分間程度維持すること
によって封着ガラス層15を仮焼した後、フリット軟化
点より高いピーク温度T3(例えば520℃)まで昇温
させて温度維持する。
【0080】このように加熱することによって、生蛍光
体層25a中の有機バインダがバーンアウトされると共
に、パネル板10,20に吸着されているガス(水分な
ど)も放出されるが、生蛍光体層25aは、乾燥空気が
存在する広い空間に開放されているので、生蛍光体層2
5aの劣化は抑えられる。また、この加熱によって封着
ガラス層15軟化するので、移動ピン85を降下させ
て、背面パネル板20を前面パネル板10に再度対向配
置させる。このとき、背面パネル板20は、もとのよう
に位置合わせした状態で対向配置される(図16(c)
参照)。
【0081】そして、押圧機構86によって背面パネル
板20は前面パネル板10に押えつけられた状態で10
〜20分間維持した後、冷却して封着を完了する。その
後、押圧機構86を解除して、封着された基板を取り出
す。なお、封着用ガラスフリットの軟化点については、
実施の形態1と同様、焼成温度(520℃)より低いこ
とが必要である一方、使用する封着用ガラスフリットの
軟化点が低すぎると、焼成中に封着ガラス層が変形しや
すいので400℃以上であることが望ましい。
【0082】このように封着工程を行った後、排気工程
を行う。排気工程では、通気口21aに取り付けられた
ガラス管26に真空ポンプ(不図示)を連結して排気を
行う。そして、この排気工程の後、ガラス管26から内
部空間に放電ガスを封入し、通気口21aを封止してガ
ラス管26を切り取ることによって、PDPが作製され
る。
【0083】(本実施の形態の製造方法による効果)本
実施形態においても、上記実施の形態1と同様、フリッ
ト仮焼工程、蛍光体焼成工程、封着工程を1つの焼成工
程で行っているので、従来のように蛍光体焼成工程と封
着工程とを別々に行う場合と比べて、製造にかかる時間
及びエネルギを低減できる。
【0084】また、生蛍光体層25a中の樹脂成分のバ
ーンアウトに必要な酸素を常時供給できるし、生蛍光体
層25a及び保護層14が高温・高濃度の脱ガスや燃焼
ガスに晒されることがないので、蛍光体と保護層14の
熱劣化が抑えられる。 (実施形態2の変形例について) *本実施形態においても、実施形態1で説明したよう
に、乾燥空気を導入・排出するガラス管26a・26b
を接続しておいて、前面パネル板10と背面パネル板2
0とを対向配置させて封着する際に、内部空間に乾燥空
気を流通させるようにすれば、蛍光体の熱劣化防止効果
を更に向上させるものと考えられる。
【0085】*本実施形態においても、封着工程を終了
した後、室温まで降温する途中で排気工程を行うことも
可能である。即ち、実施の形態1で説明した図9或は図
10と同様の温度プロファイルに基づいて、仮焼工程−
蛍光体層焼成工程−封着工程−排気工程を、一回の昇降
温動作の中で行うことができる。
【0086】この場合、従来のように封着工程と排気工
程を別々に行う場合と比べて、製造にかかる時間及びエ
ネルギを低減できるという効果も奏する。具体的には、
図18に示すように、背面パネル板20の通気口21a
に取り付けられているガラス管26に、加熱炉81の外
部から挿設された配管90を接続した状態で、仮焼・蛍
光体層焼成・封着工程を行った後、排気温度T4まで冷
却したら、配管90に真空ポンプを連結して排気工程を
行えばよい。
【0087】*図17(b)に示す温度プロファイルに
基づいて、予め封着ガラス層15を形成した背面パネル
板20を加焼してから、上記加熱焼成装置80で、蛍光
体焼成工程−封着工程を連続して行うことも可能であ
る。この場合、実施の形態1の変形例で説明したのと同
様に、仮焼工程を別途に行う分だけ時間及びエネルギの
低減効果は劣るが、両パネルを対向配置させる際に封着
ガラス層が崩れにくく、歩留りを高めるのに寄与する。
【0088】*上記図16、18に示した例では、背面
パネル板20を平行移動させることによって、前面パネ
ル板10と背面パネル板20の離間及び対向配置を行っ
たが、図19のように、背面パネル板20を部分的に接
近させた状態で回転させることによって、前面パネル板
10から引き離したり、対向配置させたりすることもで
きる。
【0089】即ち、この例では、載置台84の上部に
は、図18の場合と同様に、背面パネル板20の4角付
近に合計4つのピン85a・85bが設けられている
が、一方側(図19で左側)にある1対のピン85a
は、その先端で、背面パネル板20の一定位置を支持し
ており(例えば、ピン85aの先端部を球面状に形成す
ると共に、背面パネル板20にも球面状の凹みを形成し
て填め込むようにする。)、他方側(図19で右側)に
ある1対のピン85bは、上下に駆動できるようになっ
ている。なお、背面パネル板20において1対のピン8
5aで支持する位置は、回転軸が隔壁24と平行となる
ように、図3の右端部もしくは左端部に設定するのが好
ましい。
【0090】また、加熱炉81には、図19の紙表面側
及び裏面側に乾燥空気導入口及び排出口が設けられ、加
熱炉81内に隔壁24に沿った方向(図19紙面表裏方
向)に乾燥空気を流通できるようになっている。この場
合、図19(a)に示すように、前面パネル板10と背
面パネル板20を対向配置させた状態で載置台84に載
置し、図19(b)に示すように、一対のピン85bを
上方に動かすことによって、一対のピン85aの先端を
中心にして背面パネル板20を回転させ、前面パネル板
10から引き離すことができる。また、図19(c)に
示すように、一対のピン85bを下方に動かすことによ
って、背面パネル板20を同じ経路で逆方向に回転さ
せ、前面パネル板10に位置合わせされた状態で対向配
置させることもできる。
【0091】そして、図19(b)の状態では、一対の
ピン85a側で、前面パネル板10と背面パネル板20
とが接触状態にあるが、背面パネル板20の蛍光体層が
配設された対向面は開放されているので、脱ガスや燃焼
ガスが内部空間に閉じこめられることはない。また、両
パネル板間の間隙を乾燥空気がスムースに流通すること
ができる。
【0092】*上述した実施形態2の説明では、両パネ
ル板10,20を位置合せしながら封着するために、装
置80内で両パネル板10,20を予め位置合せして対
向配置させた後、背面パネル板20を一定の経路に沿っ
て離間させて加熱し、この経路を逆方向に移動させて再
び対向配置させて封着する様にしたが、前面ガラス基板
11及び背面ガラス基板21に、予め位置合わせ用マー
カーを形成しておき、装置80内で対向配置させるとき
にマーカーを検出できるようにカメラを設けると共に背
面パネル板20の水平位置を微調整する機構を設けてお
けば、加熱した状態でマーカーに基づいて位置合せする
ことができる。この方法によれば、仮に両パネル板を離
間して加熱焼成するときに位置ずれしたとしても、正確
に位置合せした状態で封着することができるので望まし
い。
【0093】なお、このように炉内で位置合せする機構
としては、すでにPDPの封着工程において使用されて
いる公知のものを用いればよい。 *上記方法では、加熱焼成装置80に乾燥空気を流通さ
せながら仮焼工程−蛍光体層焼成工程−封着工程を行っ
たが、必ずしも加熱焼成装置80に乾燥空気を流通させ
なくても、上記のように前面パネル板10および背面パ
ネル板20を互いに離間した状態で加熱することによっ
て仮焼工程−蛍光体層焼成工程−封着工程を行えば、脱
ガスや燃焼ガスが内部空間に閉じ込められることがな
い。従って、生蛍光体層25a及び保護層が高濃度の脱
ガスや燃焼ガスに晒されることはなく、生蛍光体層25
aの劣化と保護層の変質はある程度抑制される。
【0094】(その他の事項)実施の形態1,2におい
ては、蛍光体層を背面パネル板側に形成する場合を示し
たが、蛍光体層を前面パネル板側に形成する場合や前面
パネル板と背面パネル板の両方に形成する場合おいて
も、同様に実施可能であって、同様の効果を奏する。
【0095】また、蛍光体としては、上で示した組成以
外に、一般的にPDPの蛍光体層に使用されているもの
を用いることができる。また、上記実施の形態1,2で
説明したように、蛍光体を塗布した後に、封着用ガラス
を塗布するのが一般的であるが、この順序を入れ換えて
行うことも可能と考えられる。
【0096】また、実施の形態1,2においては、面放
電型のPDPを製造する場合について説明したが、本発
明は、対向放電型のPDPを製造する場合、或はDC型
PDPを製造する場合などにも適用することができる。
【0097】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、第1に
前面基板及び背面基板における対向予定面に、蛍光体及
び有機バインダを含有する生蛍光体層を形成する共に、
熱で軟化する封着材を配し、前記前面基板及び背面基板
を対向配置し、その後、両基板の間に形成される内部空
間に、酸素を含む乾燥ガスを流しながら、前記対向配置
ステップで対向配置された前面基板及び背面基板を加熱
することによって、有機バインダをバーンアウトさせる
こととした。或は、第2に前面基板及び背面基板におけ
る対向予定面に、蛍光体及び有機バインダを含有する生
蛍光体層を形成すると共に熱で軟化する封着材を配し、
その後、前面基板と背面基板とを、同一炉内に配置し、
前面基板及び背面基板を互いに離間した状態で加熱する
ことによって前記有機バインダをバーンアウトさせ、加
熱された状態を維持しつつ前面基板及び背面基板を対向
配置し、封着材の軟化温度以上に保つことによって封着
することとした。
【0098】そして、上記第1、第2のいずれによって
も、蛍光体焼成工程、封着材仮焼工程、封着工程を、同
じ炉内でまとめて行うことが可能となり、その分、製造
にかかる時間及びエネルギを低減できると共に蛍光体の
熱劣化を抑えることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態に係る交流面放電型PDPの要部斜
視図である。
【図2】PDPに駆動装置を接続した画像表示装置の構
成図である。
【図3】背面パネル板の外周部に封着ガラス層を形成し
た様子を示す図である。
【図4】実施の形態1で用いる加熱焼成装置の構成を模
式的に示す図である。
【図5】実施の形態1におけるパネル板の締結について
説明する図である。
【図6】水蒸気分圧をいろいろと変えた空気中で青色蛍
光体を焼成したときの相対発光強度の測定結果である。
【図7】水蒸気分圧をいろいろと変えた空気中で青色蛍
光体を焼成したときの色度座標yの測定結果である。
【図8】 ガラス基板間に空気を流通させるときにおけ
る板厚と浮き量との関係を表す特性図である。
【図9】実施例の製造方法にかかる温度プロファイルを
示す図である。
【図10】実施例の製造方法にかかる温度プロファイル
を示す図である。
【図11】実施例の製造方法にかかる温度プロファイル
を示す図である。
【図12】実施例の製造方法にかかる温度プロファイル
を示す図である。
【図13】比較例の製造方法にかかる温度プロファイル
を示す図である。
【図14】実施の形態2で用いる加熱焼成装置の構成を
示す図である。
【図15】上記加熱焼成装置の内部の構成を示す斜視図
である。
【図16】加熱焼成装置における動作を示す図である。
【図17】実施の形態2の製造方法にかかる温度プロフ
ァイルを示す図である。
【図18】実施の形態2の変形例にかかる製造方法にお
いて排気工程を説明する図である。
【図19】実施の形態2の変形例にかかる動作を示す図
である。
【図20】一般的な交流型(AC型)PDPの一例を示
す概略断面図である。
【符号の説明】
10 前面パネル板 11 前面ガラス基板 12 表示電極対 13 誘電体層 14 保護層 15 封着ガラス層 20 背面パネル板 21 背面ガラス基板 21a 通気口 21b 通気口 22 アドレス電極 23 下地誘電体層 24 隔壁 25 蛍光体層 25a 生蛍光体層 30 放電空間 31 蛍光体層 42 クランプ 50 加熱焼成装置 80 加熱焼成装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5C012 AA09 BC03 BC04 BD01 BD02 BD05 5C028 FF11 FF14 5C040 FA01 GB03 GB14 HA01 JA21 MA12 MA26

Claims (35)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 対向配置された前面基板及び背面基板を
    有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であっ
    て、 前記前面基板及び背面基板における対向予定面の少なく
    とも一方に、蛍光体及び有機バインダを含有する生蛍光
    体層を形成する生蛍光体層形成ステップと、 前記前面基板及び背面基板における対向予定面のいずれ
    か一方の外周部に、熱で軟化する封着材を配する封着材
    配設ステップと、 前記前面基板及び背面基板を対向配置する対向配置ステ
    ップと、 前記両基板の間に形成される内部空間に、酸素を含む乾
    燥ガスを流しながら、前記対向配置ステップで対向配置
    された前面基板及び背面基板を加熱することによって、
    前記有機バインダをバーンアウトさせる焼成ステップと
    を備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネル
    の製造方法。
  2. 【請求項2】 前記封着材配設ステップで配する封着材
    は、 前記焼成ステップにおける最高加熱温度以下で軟化する
    ガラスフリットであることを特徴とする請求項1記載の
    プラズマディスプレイパネルの製造方法。
  3. 【請求項3】 前記ガラスフリットは、 軟化点が400℃以上であることを特徴とする請求項2
    記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
  4. 【請求項4】 前記封着材配設ステップの後で対向配置
    ステップの前に、 配されたガラスフリットを所定の温度まで加熱すること
    によって仮焼する仮焼ステップを備えることを特徴とす
    る請求項2記載のプラズマディスプレイパネルの製造方
    法。
  5. 【請求項5】 前記封着材配設ステップで配する封着材
    は、 結晶化ガラスからなるガラスフリットであることを特徴
    とする請求項1記載のプラズマディスプレイパネルの製
    造方法。
  6. 【請求項6】 前記焼成ステップでは、 前記ガラスフリットが結晶化する所定の温度まで昇温し
    て一定時間待機し、 その後、更に昇温して前記有機材料をバーンアウトさせ
    ることを特徴とする請求項5記載のプラズマディスプレ
    イパネルの製造方法。
  7. 【請求項7】 前面基板及び背面基板の少なくとも一方
    は、2mm以下の厚さであることを特徴とする請求項1
    記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
  8. 【請求項8】 前記内部空間に流す乾燥ガス流量は、 当該内部空間の体積1cm3当たり1CCM以上である
    ことを特徴とする請求項1記載のプラズマディスプレイ
    パネルの製造方法。
  9. 【請求項9】 前記内部空間に流す乾燥ガスに含まれる
    酸素の流量は、 当該内部空間の体積1cm3当たり0.5CCM以上で
    あることを特徴とする請求項8記載のプラズマディスプ
    レイパネルの製造方法。
  10. 【請求項10】 前記焼成ステップでは、 前記対向配置ステップで対向配置された前面基板及び背
    面基板を、複数個の圧着部材で厚着固定した状態で加熱
    することを特徴とする請求項1記載のプラズマディスプ
    レイパネルの製造方法。
  11. 【請求項11】 前記焼成ステップで前記圧着部材が圧
    着する箇所は、 前面基板及び背面基板の周辺部であることを特徴とする
    請求項10記載のプラズマディスプレイパネルの製造方
    法。
  12. 【請求項12】 前記焼成ステップで前記圧着部材が圧
    着する箇所は、 前記封着材配設ステップで封着材が配される箇所よりも
    基板中央寄りであることを特徴とする請求項11記載の
    プラズマディスプレイパネルの製造方法。
  13. 【請求項13】 更に、前記内部空間から排気する排気
    ステップを備え、 前記焼成ステップの後、室温まで冷却されることなく前
    記排気ステップを開始することを特徴とする請求項1記
    載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
  14. 【請求項14】 前記排気ステップは、 前記焼成ステップの後、室温まで降温する途中で行われ
    ることを特徴とする請求項13記載のプラズマディスプ
    レイパネルの製造方法。
  15. 【請求項15】 前記排気ステップでは、 一定の温度を維持しながら排気することを特徴とする請
    求項14記載のプラズマディスプレイパネルの製造方
    法。
  16. 【請求項16】 対向配置された前面基板及び背面基板
    を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であっ
    て、 前面基板及び背面基板における対向予定面の少なくとも
    一方に、蛍光体及び有機バインダを含有する生蛍光体層
    を形成する生蛍光体層形成ステップと、 前面基板及び背面基板における対向予定面のいずれか一
    方の外周部に、熱で軟化する封着材を配する封着材配設
    ステップと、 前面基板と背面基板とが、同一炉内に配置され、互いに
    離間した状態で加熱することによって前記有機バインダ
    をバーンアウトさせる焼成ステップと、 前記焼成ステップで加熱された状態を維持しつつ前面基
    板及び背面基板を対向配置し、前記封着材の軟化温度以
    上に保つことによって封着する封着ステップとを備える
    ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方
    法。
  17. 【請求項17】 前記封着ステップでは、 前記前面基板及び背面基板を前記封着材を対向配置させ
    た後、 前記両基板の間に形成される内部空間に、酸素を含む乾
    燥ガスを流通させることを特徴とする請求項16記載の
    プラズマディスプレイパネルの製造方法。
  18. 【請求項18】 前記封着材は、 ガラスフリットであることを特徴とする請求項16記載
    のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
  19. 【請求項19】 前記ガラスフリットは、 軟化点が400℃以上であることを特徴とする請求項1
    8記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
  20. 【請求項20】 前記封着ステップでは、前面基板及び
    背面基板を、 400℃以上520℃以下の温度まで加熱することを特
    徴とする請求項19記載のプラズマディスプレイパネル
    の製造方法。
  21. 【請求項21】 前記焼成ステップでは、 前面基板と背面基板とを、乾燥ガスが存在する雰囲気中
    で加熱することを特徴とする請求項16記載のプラズマ
    ディスプレイパネルの製造方法。
  22. 【請求項22】 前記焼成ステップでは、 前面基板と背面基板とを、乾燥ガスが流通する雰囲気中
    で加熱することを特徴とする請求項21記載のプラズマ
    ディスプレイパネルの製造方法。
  23. 【請求項23】 前記焼成ステップで用いる乾燥ガス
    は、酸素を含むものであることを特徴とする請求項21
    記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
  24. 【請求項24】 前記焼成ステップで前面基板及び背面
    基板を加熱する際に、 加熱に伴って前面基板及び背面基板から放出されるガス
    を強制的に除去することを特徴とする請求項16記載の
    プラズマディスプレイパネルの製造方法。
  25. 【請求項25】 前記生蛍光体層形成ステップ及び封着
    材配設ステップより後で焼成ステップより前に、 前面基板と背面基板とを位置合わせしながら対向配置す
    る対向配置ステップと、 その後、前面基板と背面基板とを所定の経路に沿って相
    対移動させることによって離間させる離間ステップとを
    備え、 前記封着ステップでは、 前面基板と背面基板とを、前記所定の経路に沿って、前
    記離間ステップで移動した方向と逆方向に相対移動させ
    ることによって対向配置することを特徴とする請求項1
    6記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
  26. 【請求項26】 前記離間ステップ及び封着ステップで
    は、 前面板および背面板を互いに平行移動させることを特徴
    とする請求項25記載のプラズマディスプレイパネルの
    製造方法。
  27. 【請求項27】 前記焼成ステップの前に、 前面基板及び背面基板に、位置合わせ用マーカーを設
    け、 前記封着ステップでは、 前記位置合わせ用マーカーを用いて前記前面板と背面板
    とを位置合せしながら対向配置することを特徴とする請
    求項16記載のプラズマディスプレイパネルの製造方
    法。
  28. 【請求項28】 前記封着ステップを経た後、室温まで
    冷却されることなく前記内部空間から排気する排気ステ
    ップを備えることを特徴とする請求項16記載のプラズ
    マディスプレイパネルの製造方法。
  29. 【請求項29】 前記排気ステップは、 前記焼成ステップの後、室温まで降温する途中で行われ
    ることを特徴とする請求項28記載のプラズマディスプ
    レイパネルの製造方法。
  30. 【請求項30】 前記排気ステップでは、 一定の温度を維持しながら排気することを特徴とする請
    求項29記載のプラズマディスプレイパネルの製造方
    法。
  31. 【請求項31】 青色蛍光体層を形成する蛍光体として
    BaMgAl1017:Euを用いることを特徴とする請
    求項1または16記載のプラズマディスプレイパネルの
    製造方法。
  32. 【請求項32】 請求項16記載の製造方法における焼
    成ステップ及び封着ステップで用いるプラズマディスプ
    レイパネル用製造装置であって、 前面基板及び背面基板を、対向配置した状態で収納し加
    熱する加熱炉と、 前面基板及び背面基板間に形成される内部空間に乾燥ガ
    スを導入する乾燥ガス供給機構とを備えることを特徴と
    するプラズマディスプレイパネル用製造装置。
  33. 【請求項33】 前記前面基板及び背面基板間に形成さ
    れる内部空間からガスを排出する排気機構を備えること
    を特徴とする請求項32記載のプラズマディスプレイパ
    ネル用製造装置。
  34. 【請求項34】 請求項1または16記載の製造方法で
    製造されたことを特徴とするプラズマディスプレイパネ
    ル。
  35. 【請求項35】 請求項34記載のプラズマディスプレ
    イパネルと、 前記PDPを駆動する駆動回路とを備えたことを特徴と
    する画像表示装置。
JP2001105672A 2000-04-04 2001-04-04 プラズマディスプレイパネルの製造方法 Pending JP2002008533A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001105672A JP2002008533A (ja) 2000-04-04 2001-04-04 プラズマディスプレイパネルの製造方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000-101924 2000-04-04
JP2000101924 2000-04-04
JP2001105672A JP2002008533A (ja) 2000-04-04 2001-04-04 プラズマディスプレイパネルの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002008533A true JP2002008533A (ja) 2002-01-11
JP2002008533A5 JP2002008533A5 (ja) 2005-05-26

Family

ID=18615885

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001105672A Pending JP2002008533A (ja) 2000-04-04 2001-04-04 プラズマディスプレイパネルの製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6860780B2 (ja)
JP (1) JP2002008533A (ja)
KR (1) KR100827504B1 (ja)
CN (2) CN1243335C (ja)
TW (1) TW509960B (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002140985A (ja) * 2000-10-31 2002-05-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表示パネルおよびその製造方法
JP2009224092A (ja) * 2008-03-14 2009-10-01 Panasonic Corp プラズマディスプレイパネルの製造方法
WO2010082269A1 (ja) * 2009-01-14 2010-07-22 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネルの製造方法
WO2010140307A1 (ja) * 2009-06-02 2010-12-09 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネルの製造方法

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6545422B1 (en) * 2000-10-27 2003-04-08 Science Applications International Corporation Socket for use with a micro-component in a light-emitting panel
US6935913B2 (en) * 2000-10-27 2005-08-30 Science Applications International Corporation Method for on-line testing of a light emitting panel
US6612889B1 (en) * 2000-10-27 2003-09-02 Science Applications International Corporation Method for making a light-emitting panel
US6801001B2 (en) * 2000-10-27 2004-10-05 Science Applications International Corporation Method and apparatus for addressing micro-components in a plasma display panel
US6764367B2 (en) * 2000-10-27 2004-07-20 Science Applications International Corporation Liquid manufacturing processes for panel layer fabrication
US6796867B2 (en) * 2000-10-27 2004-09-28 Science Applications International Corporation Use of printing and other technology for micro-component placement
US6822626B2 (en) 2000-10-27 2004-11-23 Science Applications International Corporation Design, fabrication, testing, and conditioning of micro-components for use in a light-emitting panel
US7288014B1 (en) 2000-10-27 2007-10-30 Science Applications International Corporation Design, fabrication, testing, and conditioning of micro-components for use in a light-emitting panel
US6620012B1 (en) * 2000-10-27 2003-09-16 Science Applications International Corporation Method for testing a light-emitting panel and the components therein
US7618609B2 (en) 2002-01-16 2009-11-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method to prepare defective metal oxides with increased specific capacity
JP4207463B2 (ja) * 2002-06-03 2009-01-14 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネルの製造方法
US7592980B2 (en) 2002-06-05 2009-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US20050189164A1 (en) * 2004-02-26 2005-09-01 Chang Chi L. Speaker enclosure having outer flared tube
US20060042316A1 (en) * 2004-08-24 2006-03-02 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing hermetically sealed container and image display apparatus
KR100759408B1 (ko) * 2005-08-31 2007-09-19 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
US20080030136A1 (en) * 2006-08-07 2008-02-07 Lg Electronics Inc. Plasma display panel
JP5947098B2 (ja) 2011-05-13 2016-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 ガラス封止体の作製方法および発光装置の作製方法
KR102038844B1 (ko) 2011-06-16 2019-10-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 밀봉체의 제작 방법 및 밀봉체, 그리고 발광 장치의 제작 방법 및 발광 장치
JP6111022B2 (ja) 2011-06-17 2017-04-05 株式会社半導体エネルギー研究所 封止体の作製方法および発光装置の作製方法
WO2013031509A1 (en) 2011-08-26 2013-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, electronic device, lighting device, and method for manufacturing the light-emitting device
US9472776B2 (en) 2011-10-14 2016-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing sealed structure including welded glass frits
JP2013101923A (ja) 2011-10-21 2013-05-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 分散組成物の加熱方法、及びガラスパターンの形成方法
TWI569490B (zh) 2011-11-28 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 密封體,發光模組,及製造密封體之方法
KR102058387B1 (ko) 2011-11-28 2019-12-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 유리 패턴 및 그 형성 방법, 밀봉체 및 그 제작 방법, 및 발광 장치
KR102001815B1 (ko) 2011-11-29 2019-07-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 밀봉체의 제작 방법 및 발광 장치의 제작 방법
KR20140016170A (ko) 2012-07-30 2014-02-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 밀봉체 및 유기 전계 발광 장치
US9362522B2 (en) 2012-10-26 2016-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for bonding substrates, method for manufacturing sealing structure, and method for manufacturing light-emitting device
CN113912272B (zh) * 2021-11-05 2022-05-24 广东南星玻璃有限公司 一种平凹一体化玻璃面板加工装置及其加工方法

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3213515A (en) 1961-02-06 1965-10-26 Sylvania Electric Prod Process for increasing light emission, stabilization and rejuvenation of electro-luminescent lamps and phosphors
US3492598A (en) 1967-08-24 1970-01-27 Bell Telephone Labor Inc Method for processing gas discharge devices
US3743879A (en) 1970-12-31 1973-07-03 Burroughs Corp Cold cathode display panel having a multiplicity of gas cells
JPS6055946A (ja) 1983-09-04 1985-04-01 土倉 満 生理用衛生ナプキンの改良
US4849674A (en) 1987-03-12 1989-07-18 The Cherry Corporation Electroluminescent display with interlayer for improved forming
JPH0335826A (ja) 1989-06-30 1991-02-15 Fuji Heavy Ind Ltd プレスによる被加工物加工方法及びその装置
JPH0377233A (ja) 1989-08-19 1991-04-02 Fujitsu Ltd 平板型表示パネルの製造方法
EP0445298A4 (en) * 1989-09-22 1992-03-18 Mitsubishi Rayon Co., Ltd. Color cathode-ray tube
US5207607A (en) 1990-04-11 1993-05-04 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Plasma display panel and a process for producing the same
US5428263A (en) 1992-01-07 1995-06-27 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Discharge cathode device with stress relieving layer and method for manufacturing the same
EP0554172B1 (en) 1992-01-28 1998-04-29 Fujitsu Limited Color surface discharge type plasma display device
JPH05234512A (ja) 1992-02-21 1993-09-10 Nec Corp ガス放電表示パネルの製造方法
US5424605A (en) * 1992-04-10 1995-06-13 Silicon Video Corporation Self supporting flat video display
US5686790A (en) * 1993-06-22 1997-11-11 Candescent Technologies Corporation Flat panel device with ceramic backplate
JP2832510B2 (ja) 1994-05-10 1998-12-09 双葉電子工業株式会社 表示装置の製造方法
JPH08185802A (ja) * 1994-12-28 1996-07-16 Noritake Co Ltd 放電表示装置
JP3339554B2 (ja) 1995-12-15 2002-10-28 松下電器産業株式会社 プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
US5951350A (en) * 1996-09-18 1999-09-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Production method of plasma display panel suitable for minute cell structure, the plasma panel, and apparatus for displaying the plasma display panel
JP3220065B2 (ja) * 1996-09-18 2001-10-22 松下電器産業株式会社 プラズマディスプレイパネルの蛍光体層の形成方法及びプラズマディスプレイパネルの製造方法
DE69732646T2 (de) * 1996-12-16 2005-07-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma Gasentladungsanzeigetafel und verfahren zur herstellung derselben
JPH1167065A (ja) * 1997-08-08 1999-03-09 Pioneer Electron Corp 電子放出素子及びこれを用いた表示装置
KR100421214B1 (ko) * 1997-08-23 2004-06-10 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마디스플레이패널의형광체페이스트및그제조방법
JP3202964B2 (ja) 1998-01-05 2001-08-27 松下電器産業株式会社 蛍光体材料、蛍光体膜およびプラズマディスプレイパネル
JP3394173B2 (ja) 1997-12-26 2003-04-07 富士通株式会社 ガス放電パネル及びその排気方法
US6309272B1 (en) * 1997-12-26 2001-10-30 Canon Kabushiki Kaisha Method of making an image forming apparatus
JPH11250804A (ja) * 1997-12-26 1999-09-17 Canon Inc 画像形成装置の製造方法
US6006003A (en) 1998-03-11 1999-12-21 Samsung Display Devices Co., Ltd. Apparatus for sealing substrates of field emission device
US6113450A (en) * 1998-05-14 2000-09-05 Candescent Technologies Corporation Seal material frit frame for flat panel displays
KR20010092557A (ko) * 2000-03-22 2001-10-26 구자홍 플라즈마 디스플레이 패널의 형광체 페이스트

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002140985A (ja) * 2000-10-31 2002-05-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表示パネルおよびその製造方法
JP2009224092A (ja) * 2008-03-14 2009-10-01 Panasonic Corp プラズマディスプレイパネルの製造方法
WO2010082269A1 (ja) * 2009-01-14 2010-07-22 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネルの製造方法
WO2010140307A1 (ja) * 2009-06-02 2010-12-09 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネルの製造方法
US8317563B2 (en) 2009-06-02 2012-11-27 Panasonic Corporation Method for producing plasma display panel

Also Published As

Publication number Publication date
CN1243335C (zh) 2006-02-22
CN100423164C (zh) 2008-10-01
CN1645539A (zh) 2005-07-27
US6860780B2 (en) 2005-03-01
KR20010095302A (ko) 2001-11-03
KR100827504B1 (ko) 2008-05-06
CN1318824A (zh) 2001-10-24
TW509960B (en) 2002-11-11
US20020024295A1 (en) 2002-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002008533A (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法
KR100742854B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법
KR100723752B1 (ko) 발광특성이 뛰어난 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법
JP3372028B2 (ja) プラズマディスプレイパネル、その製造方法及び製造装置
JP3366895B2 (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法
WO2011142138A1 (ja) プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
WO2001056053A1 (fr) Dispositif electroluminescent a decharge et son procede de fabrication
JP3553903B2 (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法
JP3420218B2 (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法
JP2003109503A (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法
JP3564418B2 (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法及び製造装置
JP3410681B2 (ja) プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
JP3553902B2 (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法及び製造装置
JP3540764B2 (ja) プラズマディスプレイパネル
JP2004146231A (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法
JP2001351532A (ja) プラズマディスプレイパネル
JP3219075B2 (ja) プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法
JP2001319583A (ja) プラズマディスプレイパネル
JP3876689B2 (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法
JP3522712B2 (ja) プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
JP2001155648A (ja) プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法
JP3591461B2 (ja) 蛍光体材料,蛍光体膜およびプラズマディスプレイパネル
WO2010109770A1 (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法
JP2011187354A (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法
JP2009123537A (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040727

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040817

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20041018

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050531