KR101109094B1 - 플라즈마 디스플레이 패널 - Google Patents

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무네토 하코모리
토시하루 쿠라우치
타카노부 야노
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울박, 인크
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    • H01J9/261—Sealing together parts of vessels the vessel being for a flat panel display

Abstract

플라즈마 디스플레이 패널 내에 불순물 가스를 혼입시키지 않는 기술을 제공한다. 발광 영역(15)을 제 1, 제 2 패널(20, 30)에 밀착한 금속막으로 이루어지는 밀폐부(17)로 둘러싸고, 제 1, 제 2 패널(20, 300을 고정하는 봉착부(41)를 밀폐부(17)의 외측에 배치한다. 봉착부(41)를 수분이 투과하여도, 밀폐부(17)를 투과할 수 없기 때문에 발광 영역(15) 내에 수분이 혼입하지 않는다. 봉착부(41)는 수분이 투과하여도 무방하므로, 자외선 경화형 수지를 이용할 수 있어 작업 효율이 향상한다.
플라즈마, 디스플레이, 패널, 금속막, 봉착부, 밀폐부, 발광, 자외선, 불순물

Description

플라즈마 디스플레이 패널{Plasma display panel}
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 기술 분야에 관한 것으로, 특히 플라즈마 디스플레이 패널 내로의 불순물 가스의 침입을 방지하는 기술에 관한 것이다.
종래부터 PDP는 표시 장치의 분야에서 널리 이용되고 있으며, 최근에는 대화면에 고품질이면서 저가인 PDP가 요구되고 있다.
현재, PDP는 유리 기판 상에 어드레스 전극이 형성된 제 1 패널(배면판)과, 유리 기판 상에 유지 전극 및 주사 전극이 형성된 제 2 패널(전면판)이 접합된 3전극면 방전형이 주류를 이루고 있다.
도 11(a), (b)의 부호 110은 종래 기술의 플라즈마 디스플레이 패널로서, 제 1, 제 2 패널(120, 130)을 가지고 있다. 도 11(a)는 내부를 설명하기 위한 평면도, 도 11(b)는 단면도이다.
제 1, 제 2 패널(120, 130)은 유리 기판으로 이루어지는 제 1, 제 2 기판(121, 131)과, 제 1, 제 2 기판(121, 131) 상에 배치된 제 1, 제 2 배선층(122, 132)을 각각 가지고 있다.
제 1 배선층(122) 상에는 돌조 형상의 격벽(124)이 배치되어 있고, 제 1, 제 2 패널(120, 130)은 제 1, 제 2 배선층(122, 132)을 대면시켜, 격벽(124)을 사이에 두고 서로 마주보도록 배치되어 있다.
제 1, 제 2 패널(120, 130)의 주위에는 링 형상의 봉착부(141)가 배치되어 있고, 제 1, 제 2 패널(120, 130)은 봉착부(141)에 의해 서로 고정되어 있다.
제 1, 제 2 패널(120, 130) 사이에는 방전 가스가 봉입되어 있고, 제 1, 제 2 배선층(122, 132) 내의 전극에 전압을 인가시켜 격벽(124)과 격벽(124) 사이의 소정 위치에 플라즈마를 형성하면, 방전 가스의 플라즈마가 형성되고, 플라즈마로부터 방출되는 자외광이 격벽(124)에 배치된 형광층에 조사되면 형광층이 발광하여, 가시광이 외부로 방출된다. 도 11(a), (b)의 부호 115는 외부로 가시광이 방출되는 발광 영역이다.
봉착부(141)를 형성하기 위한 봉착 재료로는 저융점 유리가 이용되고 있지만, 저융점 유리는 유기물의 바인더를 함유하기 때문에, 가열하여 고화시키면 다량의 불순물 가스가 방출된다.
따라서, 봉착 전에 탈가스를 수행할 필요가 있고, 또한 탈가스를 수행하여도 봉착시의 방출 가스가 많기 때문에, 제 1, 제 2 패널(120, 130)을 봉착한 후에도 장시간의 에이징이 필요하다. 이 때문에, 패널의 생산 쓰루풋을 율속하여 많은 전력을 필요로 하고 있다.
그런 점에서 최근에는 패널 제조 시간을 단축하기 위하여 봉착부(141)에 수지 재료를 이용하는 연구가 이루어지고 있는데, 자외선 경화 수지를 사용하면, 가열하지 않고, 가스 방출이 적은 상태에서 봉착부(141)를 형성하는 것이 가능해진다.
그러나, 링 형상의 봉착부(141)로 발광 영역(115)을 둘러싸고, 봉착부(141)에 의해 플라즈마 디스플레이 패널(110)의 내부를 외부 분위기로부터 분리하는 경우, 외부 분위기에 포함되는 불순물 가스가 수지 재료를 투과하여 패널 내에 침입하여, 방전 가스의 순도가 저하한다.
방전 가스의 순도가 저하하면 방전 전압이 상승하게 된다.
또한, 플라즈마로부터 방출되는 자외광이 봉착부(141)에 조사되면 수지 재료가 분해하는 것만으로 제 1, 제 2 패널(120, 130)간에 불순물 가스가 혼입하여 방전 가스의 순도가 저하하고, 제 1, 제 2 패널(120, 130)간의 접착력이 약해지게 된다.
봉착부(141)에 대해서는, 봉착 재료를 경화시킬 때 불순물 가스가 발생한다는 문제도 있어, 봉착부(141)를 구성하는 수지 재료를 경화시키기 전에 미리 탈가스하여 봉착시의 불순물 발생량을 저감시키는 시도가 이루어지고 있다. 그러나, 탈가스 처리를 수행하면 봉착 재료의 접착성이 저하되어 제 1, 제 2 패널(120, 130)간의 접착력을 확보할 수 없게 된다.
또한, 상기 문제를 해소하기 위하여, 봉착부(141)를 형성하는 봉착 재료로서 불순물 가스를 발생시키지 않는 인듐 또는 인듐 합금과 같은 저융점 금속 재료를 이용하는 것도 시도되고 있다. 그러나, 봉착력(접착력)은 재료의 특성과 면적으로 결정되기 때문에 다량의 저융점 금속 재료를 필요로 하는데, 특히 인듐은 희소 금속으로 고가이기 때문에 고비용이 된다. 또한, 봉착 처리에 요하는 시간도 길어진다는 문제가 있다.
특허 문헌 1: 일본 특허공개 2002-75197호 공보
특허 문헌 2: 일본 특허공개 2002-156160호 공보
특허 문헌 3: 일본 특허공개 2002-231129호 공보
특허 문헌 4: 일본 특허공개 2001-210258호 공보
본 발명은 상기 종래 기술의 과제를 해결하기 위하여 창안된 것으로, 그 목적은 플라즈마 디스플레이 패널 내에 불순물 가스를 혼입시키지 않는 기술을 제공하는 것에 있다.
플라즈마 디스플레이 패널(PDP)의 동작 원리는 조명용 형광등과 비슷하며, 전계 중의 기체 방전을 이용하고 있다.
형광등에서는, 방전 가스 중에 불순물 가스인 H2분자가 1% 미만이라도 포함되어 있으면, 형광등의 스타트 전압을 배가시킨다는 것은 잘 알려져 있다.
이것은 H2분자가 준안정 원자나 점화에 관계하는 전자로부터 에너지를 빼앗기 때문이다. 그렇게 되면, 방전을 얻기 위해서는 보다 높은 전압을 걸어야만 한다.
이로부터, PDP에 있어서도 H2O, H2, O2, CO, CO2, N2와 같은 불순물 가스가 스타트 전압, 동작 전압, 휘도 등의 동작 중의 제반 특성에 영향을 미친다는 것을 알 수 있다.
특히, H2O는 DC형 PDP의 금속 전극을 산화하거나, AC형 PDP의 MgO막의 특성에 영향을 준다.
PDP의 방전 가스에는 수만Pa의 He 또는 Ne와 수%의 Xe가 이용되고 있는데, H2O, O2, CO2, N2 등의 불순물 가스가 20ppm 이상 함유되면, AC형 PDP의 동작 전압을 증가시킨다는 보고도 있다. 또한, 불순물 가스에 의해 PDP셀 내의 재료를 열화시킨다는 문제도 있다.
PDP 중의 불순물 가스의 주된 발생원은 방전 가스 중에 처음부터 포함되어 있는 경우 외에, 내부 구조체로부터 발생하는 경우나, 제조 과정에서 발생하는 경우도 있고, 또한, 발광 중에 방출되는 경우나 배기 후의 잔류 가스인 경우가 있다.
상기와 같은 불순물 가스가 발광 영역 내에 침입하지 않도록 하기 위하여, 본 발명은 제 1, 제 2 기판을 가지고, 대면하여 배치된 제 1, 제 2 패널과, 상기 제 1, 제 2 기판 사이에 위치하는 발광 영역과, 상기 발광 영역의 외측에 위치하며, 상기 제 1, 제 2 패널을 서로 고정하는 수지로 이루어지는 봉착부와, 상기 발광 영역을 둘러싸는 링 형상의 금속막으로 이루어지는 밀폐부를 가지며, 상기 봉착부는 상기 밀폐부의 외측에 위치하는 플라즈마 디스플레이 패널이다.
또한 본 발명은, 상기 밀폐부는 상기 제 1, 제 2 패널에 각각 밀착된 제 1, 제 2 금속층과, 상기 제 1, 제 2 금속층 사이에 위치하며, 상기 제 1, 제 2 금속층보다도 저융점이어서 상기 제 1, 제 2 금속층을 접착하는 저융점 금속층을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널이다.
또한 본 발명은, 상기 봉착부의 수지는 열경화 수지인 플라즈마 디스플레이 패널이다.
또한 본 발명은, 상기 봉착부의 수지는 자외선 경화 수지인 플라즈마 디스플레이 패널이다.
또한 본 발명은, 상기 봉착부는 링 형상으로, 상기 밀폐부를 둘러싸고 있는 플라즈마 디스플레이 패널이다.
또한 본 발명은, 상기 봉착부와 상기 밀폐부의 사이에는 배기구가 설치된 플라즈마 디스플레이 패널이다.
본 발명은 제 1, 제 2 패널 사이에 배치한 금속막으로 이루어지는 밀폐부에 의해 발광 영역을 둘러쌌기 때문에, 접착재인 봉착 재료로부터 투과하여 패널 내에 침입하는 불순 가스와, 패널 봉착시에 수지의 봉착 재료로부터 패널간에 방출되는 불순 가스 모두의 발광 영역 내로의 침입을 방지할 수 있다.
또한, 방전으로 발생하는 자외선은 밀폐부에 의해 차단되어, 봉착부의 수지에 조사되지 않게 되기 때문에, 접착부의 수지를 보호하여 수지 재료의 분해를 방지하고, 이로 인해 방전 가스의 순도 저하를 방지할 수 있다.
또한, 봉착부에는 자외선 경화 수지를 이용할 수 있기 때문에 봉착에 요하는 처리 시간을 단축시킬 수 있다.
수지의 봉착부에 의해 패널간을 접착하기 때문에, 밀폐부에 의해 패널간을 접착하는 경우에 비해, 밀폐부에 필요한 저융점 금속은 아주 적은 양으로도 충분하다.
또한, 밀폐부는 제 1, 제 2 패널에 각각 금속층을 설치해 두고, 그 금속층끼리를 저융점 금속층으로 접착하기 때문에, 접착/밀폐에 사용하는 인듐 등의 저융점 금속의 양은 적게 할 수 있고, 봉착부에는 자외선 경화 수지를 이용할 수 있기 때문에 봉착에 요하는 처리 시간을 단축시킬 수 있다.
도 1은 본 발명 일예의 플라즈마 디스플레이 패널을 설명하기 위한 도.
도 2는 그 발광 영역을 설명하기 위한 도.
도 3은 발광 영역과 밀폐부와 봉착부의 배치예.
도 4(a), (b)는 보조적인 배기구를 설명하기 위한 도.
도 5(a)~(c)는 발광 영역과 밀폐부와 봉착부의 다른 배치예.
도 6은 방치 시간과 방전 전압의 관계도로서, (a)는 본 발명, (b)는 종래 기술.
도 7은 에이징 시간과 방전 전압의 관계도로서, (a)는 본 발명, (b)는 종래 기술.
도 8(a)~(c)는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 제 1 패널의 제조 공정을 설명하기 위한 도.
도 9(a), (b)는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 제 2 패널의 제조 공정을 설명하기 위한 도.
도 10은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 공정을 설명하기 위한 흐름도.
도 11(a), (b)는 종래 기술의 플라즈마 디스플레이 패널을 설명하기 위한 도.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
10 플라즈마 디스플레이 패널
15 발광 영역
17 밀폐부
18 저융점 금속층
20 제 1 패널
30 제 2 패널
21 제 1 기판
31 제 2 기판
28 배기구
27 제 1 금속층
37 제 2 금속층
41 봉착부
도 1은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 밀봉 상태를 설명하기 위한 단면도로서, 제 1, 제 2 패널(20, 30)을 가지고 있다.
제 1, 제 2 패널(20, 30)은 유리 등의 투명한 판으로 이루어지는 제 1, 제 2 기판(21, 31)과, 제 1, 제 2 기판(21, 31) 상에 배치된 제 1, 제 2 배선층(22, 32)을 각각 가지고 있다.
제 1, 제 2 기판(21, 31)의 형상은 직사각형 또는 정사각형이다.
제 1 배선층(22) 상에는 돌조 형상의 격벽(24)이 배치되어 있고, 제 1, 제 2 패널(20, 30)은 제 1, 제 2 배선층(22, 32)을 대면시켜, 격벽(24)을 사이에 두고 서로 마주보도록 배치되어 있다. 제 1, 제 2 패널(20, 30)에는 표면에 SrO-20mol% CaO 증착막(두께 8000Å)을 EB 증착에 의해 형성한 보호막이 형성되어 있는데, 보호막의 도시는 생략한다.
제 1, 제 2 패널(20, 30)은 주위에 링 형상의 밀폐부(17)가 배치되어 있고, 격벽(24)이 위치하는 발광 영역(15)은 밀폐부(17)에 의해 둘러싸여 있다. 링 형상의 밀폐부(17)는 내측을 둘러싸고 있으면 되고, 원형 링 형상, 사각 링 형상, 기타 다각 링 형상 등, 각종 링 형상을 포함한다.
밀폐부(17)의 외측에는 봉착부(41)이 배치되어 있고, 제 1, 제 2 패널(20, 30)은 봉착부(41)에 의해 서로 고정되어 있다.
밀폐부(17)는 제 1, 제 2 패널(20, 30) 상의 대면하는 위치에 각각 형성된 링 형상의 제 1, 제 2 금속층(27, 37)과, 제 1, 제 2 금속층(27, 37) 사이에 배치된 링 형상의 저융점 금속층(18)을 가지고 있다.
도 2는 격벽(24)이 위치하는 발광 영역(15)을 설명하기 위한 도면이다. 이 발광 영역(15)은 제 1, 제 2 기판(21, 31) 사이에 위치하고, 플라즈마에 의한 발광으로 문자, 도형 등의 표시가 수행된다.
도 2를 참조하면, 제 1 배선층(22)은 복수의 어드레스 전극(23)과, 그들 표면에 배치된 절연막(26)을 가지고 있다.
제 2 배선층(32)은 주사 전극이나 유지 전극 등의 복수의 면방전 전극(33)과, 면방전 전극(33)의 표면에 배치된 절연막(36)을 가지고 있다.
격벽(24)의 측면이나, 격벽(24) 사이의 위치에 형광체가 배치되어 있다. 발광 영역(15)에는 방전 가스가 봉입되어 있다.
어드레스 전극(23)과 면방전 전극(33)은 격자 형상으로 배치되어 있고, 원하는 어드레스 전극(23)과 면방전 전극(33) 사이에 전압을 인가하면, 그 어드레스 전극(23)과 면방전 전극(33) 사이에 있는 영역에 방전 가스의 플라즈마(51)가 형성되어 플라즈마(51)로부터 자외광이 방출된다. 방출된 자외광은 형광체에 조사되고, 형광체로부터 가시광(52)이 방출된다. 가시광(52)은 제 2 패널(30)을 투과하여 외부로 방출된다.
어드레스 전극(23)과 면방전 전극(33) 사이에 있는 영역은 셀이라 불리우며, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널(10)은 도 11(a), (b)의 종래 기술의 플라즈마 디스플레이 패널(110)과 마찬가지로, 복수개(여기에서는 300개)의 셀이 형성되고, 각 셀이 개별적으로 발광할 수 있도록 되어 있어, 어드레스 전극(23)으로 지시된 위치의 셀이 발광함으로써 문자나 도형이 표시되도록 되어 있다.
제 1, 제 2 금속층(27, 37)은 제 1, 제 2 패널(20, 30)의 절연막(26, 36)과 밀착되고, 제 1, 제 2 금속층(27, 37)은, 용융하여 고화하여 형성된 저융점 금속층(18)에 의해 접속되어 있다.
따라서, 제 1 패널(20)과 제 1 금속층(27) 사이, 제 1 금속층(27)과 저융점 금속층(18) 사이, 저융점 금속층(18)과 제 2 금속층(37) 사이, 제 2 금속층(37)과 제 2 패널(30) 사이는 극간이 없어, 플라즈마 디스플레이 패널(10)의 외부 분위기의 기체나 수분이 발광 영역(15) 내로 침입하지 않도록 구성되어 있다.
도 10의 흐름도와 도 8, 9의 공정도를 이용하여 플라즈마 디스플레이 패널(10)의 제조 공정을 설명하면, 도 8(a)에 나타낸 바와 같이, 제 1 패널(20)에 제 1 배선층(22)과 격벽(24)을 형성하고(도 10의 스텝 R1), 그 표면에 메탈 마스크를 배치한 상태에서, 진공 증착법에 의해, Cr이 배치된 증착원과 Ag가 배치된 증착원으로부터 Cr 증기와 Ag 증기를 이 순서대로 차례로 방출시켜, 도 8(b)에 나타내는 바와 같이, Cr 박막과 Ag 박막으로 이루어지는 제 1 금속층(27)을 형성한다(스텝 R2). Cr 박막과 Ag 박막의 형성 조건을 하기 표 1에 나타낸다.
Cr 박막과 Ag 박막의 형성 조건
성막 물질 Cr Ag
도달 압력(Pa) 5.0×10-4 1.3×10-4
기판 가열 온도(℃) 250 250
EB 출력(kW) 0.3 0.5
증착 중 압력(Pa) 1.3×10-4 6.0×10-4
성막 레이트(nm/s) 1 10
여기에서는, Cr 박막의 막두께는 50nm, Ag 박막의 막두께는 1000nm으로 하였다. Ag 페이스트를 이용하여, 인쇄법에 의해 형성할 수도 있다.
Cr 박막은 제 1 기판(21)과 밀착해 있고, 제 1 금속층(27)의 표면에는 Ag 박막이 노출되어 있다.
다음으로, 도 8(c)에 나타내는 바와 같이, 제 1 금속층(27)의 표면에 링 형상의 저융점 금속(16)을 배치한다(스텝 R3). 저융점 금속(16)은 In(융점 157℃), In 50%-Sn 50% 합금(융점 120℃), Sn 96.5%-Ag 3%-Cu 0.5% 합금(융점 210℃), Sn 96.5%-Ag 3.5% 합금(융점 220℃), Sn 100%(융점 232℃) 등의 융점이 250℃ 이하인 금속이나 합금을 이용할 수 있다.
저융점 금속(16)은 스크린 인쇄에 의해 형성할 수도 있고, 직경 0.5㎜~1㎜ 정도의 와이어를 제 1 금속층(27)의 표면에 배치할 수도 있다.
다음으로, 진공 가열 장치 내에 반입하여 진공 배기 탈가스한다(스텝 R4). 봉착 재료는, 여기에서는 자외선 경화형의 에폭시 수지이다.
제 2 패널(30)에서는, 도 9(a)에 나타내는 바와 같이 제 2 기판(31) 상에 제 2 배선층(32)을 형성하고(스텝 S1), 제 2 패널(30) 상에 금속 마스크를 배치하고, 제 1 패널(20)과 마찬가지로 증착법에 의해 링 형상의 Cr 박막과 Ag 박막을 이 순서대로 적층하여, 도 9(b)에 나타내는 바와 같이 Cr 박막과 Ag 박막으로 이루어지는 제 2 금속층(37)을 형성한다(스텝 S2). 제1 금속층(27)과 저융점 금속(16)과 제 2 금속층(37)은 같은 크기의 링 형상이고, 중첩이 가능하도록 되어 있다.
제 2 금속층(37)을 형성한 제 2 패널(30)을 탈가스 장치 내에 반입하여, 진공 분위기 중에서 가열하여 탈가스한다(스텝 S3).
이어서, 제2패널의 제 2 금속층(37)보다도 내층의 영역에 SrO-CaO, MgO 등의 보호막을 EB 증착으로 형성하고(스텝 S4), 제 1 패널(20)이 반입된 진공 가열 장치 내에 반입하여, 제 1, 제 2 금속층(27, 37)이 형성된 면을 대향시키고, 위치 맞춤을 하여 제 1 패널(20)의 저융점 금속(16) 상에 제 2 금속층(37)이 올려지도록 제 1, 제 2 패널(20, 30)을 중첩시킨다.
이 상태에서는 제 1, 제 2 금속층(27, 37)은 저융점 금속(16)을 사이에 두고 마주보도록 되어 있으며, 제 1, 제 2 금속층(27, 37)은 저융점 금속(16)에 밀착되어 있다.
진공 분위기 중에서, 제 1, 제 2 패널(20, 30)의 제 1, 제 2 금속층(27, 37)이 배치된 부분을 가열하면서, 제 1, 제 2 패널(20, 30)을 가압한다.
저융점 금속(16)은 제 1, 제 2 금속층(27, 37)보다도 저융점의 금속(단일 금속이어도, 합금이어도 무방하다)으로 구성되어 있다. 제 1, 제 2 금속층(27, 37)의 표면과 저융점 금속(16)의 용융물은 젖음성이 높아, 저융점 금속(16)이 용융하면, 그 용융물은 제 1, 제 2 금속층(27, 37) 상에서 퍼지고, 고화하여 저융점 금속층(18)이 형성된다.
냉각에 의해 용융물이 고화하면, 제 1, 제 2 금속층(27, 37)은 저융점 금속층(18)으로 접착된다. 이 상태에서는 각각 링 형상의 제 1, 제 2 금속층(27, 37)과 저융점 금속층(18)이 적층된 금속막(적층막)에 의해 링 형상의 밀폐부(17)가 형성되어, 발광 영역(15)이 밀폐부(17)로 둘러싸인다. 제 1, 제 2 금속층(27, 37)은 제 1, 제 2 패널(20, 30)에 고정되어 있다.
밀폐부의 형성 조건을 하기 표 2에 나타낸다.
밀폐부의 형성 조건
도달 압력(Pa) 5.0×10-4
패널 승온 속도(℃/min) 20
패널 봉착 온도(℃) 175
봉착시 압력(Pa) 5.0×10-4
봉착 시간(min) 1.0
패널 온도 강하 속도(℃/min) 20
취출 온도(℃) 50
밀폐부(17)를 형성한 후, 제 1, 제 2 패널(20, 30)을 봉착 장치 내에 반입하고, 봉착 재료를 배치한다.
밀폐부(17)를 형성한 상태에서는, 봉착재료는 제 1, 제 2 패널(20, 30) 모두에 접착하고 있으며, 봉착 재료에 자외선을 조사하여 고화시켜 밀폐부(17)의 외측에 링 형상의 봉착부(41)를 형성하면, 제 1, 제 2 패널(20, 30)은 봉착부(41)에 의해 서로 충분한 강도를 가지고 고정된다(스텝 T1).
이 상태에서는 발광 영역(15)이 밀폐부(17)로 둘러싸여 있고, 발광 영역(15)은 진공 분위기로 되어 있다.
도 3의 부호 20a는 제 1 기판(21) 상의 발광 영역(15)과, 밀폐부(17)와, 봉착부(41)의 배치 상태의 일예이다.
상기 실시예에서는, 봉착부(41)는 링 형상이고, 밀폐부(17)와 발광 영역(15)은 봉착부(41)의 내측에 배치되어 있지만, 도 5(a), (b)의 부호 20c, 20d에 나타내는 바와 같이, 서로 이간된 복수의 봉착부(411~414)에 의해 제 1, 제 2 패널(20, 30)을 고정할 수도 있다.
이 경우, 복수의 봉착부(411~414)의 극간은 도 5(a)의 부호 20c에 나타내는 바와 같이 제 1 기판(21)의 모서리 부분에 배치할 수도 있고, 도 5(b)의 부호 20d에 나타내는 바와 같이 변 부분에 배치할 수도 있다.
또한, 도 5(c)의 부호 20e에 나타내는 바와 같이, 다수의 점 형상의 봉착부(41n)를 밀폐부(17)의 주위에 배치할 수도 있다.
봉착부(41)가 형성된 후, 발광 영역(15) 내에 방전 가스를 도입한다. 제 1 패널(20)의 밀폐부(17)보다도 내측의 위치에는 제 1 패널(20)을 두께 방향으로 관통하는 가스 도입구가 설치되어 있고, 방전 가스는 가스 도입구로부터 밀폐부(17)로 둘러싸인 영역 내로 들어가, 발광 영역(15)이 방전 가스로 충만된다.
방전 가스가 도입된 후, 가스 도입구를 폐색하면, 발광 영역은 제 1, 제 2 패널(20, 30)과 밀폐부(17)에 의해 밀폐되어, 방전 가스가 배치된 상태에서 외부 분위기로부터 분리된다. 도 1의 플라즈마 디스플레이 패널(10)이 얻어진다(스텝 T2). 밀폐한 후, 봉착 장치의 외부로 반출한다.
또한, 평면도인 도 4(a), 그 단면도인 도 4(b)의 부호 20b에 나타내는 바와 같이, 제 1 또는 제 2 패널(20, 30) 중 어느 한 쪽 또는 양쪽의 밀폐부(17)와 봉착부(41) 사이의 위치에, 제 1 또는 제 2 패널(20, 30)을 두께 방향으로 관통하는 보조적인 배기구(28)를 설치해 두어, 밀폐부(17)와 봉착부(41) 사이가 주위 온도의 변화에 의해 가압 내지는 감압되지 않도록 한다.
(실시예 1)
방전 가스로는 Ne-4% Xe를 이용하여 발광 영역(15) 내에 400Torr의 압력으로 도입하고, 봉착한 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널(10)을 85℃, 습도 95%의 항온항습조 내에 넣어 방전 전압의 방전 변동을 측정하였다. 방치 시간과 방전 전압의 관계를 도 6(a)에 나타낸다.
비교를 위하여, 밀폐부(17)를 갖지 않고, 수지 재료의 봉착부에 의해 발광 영역을 외부 분위기로부터 분리시킨 종래의 플라즈마 디스플레이 패널(110; 도 11)을, 같은 조건에서 방전 전압을 측정하였다. 방치 시간과 방전 전압의 관계를 도 6(b)에 나타낸다.
최종 셀 점등 전압은 모든 셀을 방전 개시시키는데 필요한 구동 전압이다.
또한, 제 1 셀 소등 전압은 모든 셀을 점등시킨 상태에서 구동 전압을 서서히 내린 경우에 최초의 셀이 소등하는 전압이다.
본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널(10)에서는 방치 시간이 길어도 구동 전압이 일정한데 비해, 종래 기술의 플라즈마 디스플레이 패널(110)에서는 단시간의 방치로 최종 셀 점등 전압과 제 1 셀 소등 전압 모두가 크게 상승하였다. 이것은 항온항습조 내의 수분이 봉착부(141)를 투과하여 제 1, 제 2 패널(120, 130) 사이에 침입해, 방전 가스의 순도가 저하하였기 때문으로 생각된다.
본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널(10)에서는 방치 시간이 증가하여도 전압 변동은 5V 이내로서, 봉착부(41)를 투과한 불순물 가스(수분)의 발광 영역(15) 내로의 침입이 밀폐부(17)에 의해 방지되고 있는 것을 알 수 있다.
또한, 종래의 플라즈마 디스플레이 패널(110)도, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널도, 보호막의 형성부터 방전 가스의 도입 및 봉착까지, 대기 중으로 꺼내지 않고 진공 분위기 내에서 처리하였다.
(실시예 2)
다음으로, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널(10)을 50℃, 습도 50%의 항온항습조 내에 넣고, 전극에 전압을 인가하여 발광시킨 상태에서 방치하여 방전 전압을 측정하였다. 전극에 전압을 인가한 시간(에이징 시간)과 방전 전압의 관계를 도 7(a)에 나타낸다.
비교를 위하여, 밀폐부(17)를 갖지 않고, 수지 재료의 봉착부에 의해 발광 영역을 외부 분위기로부터 분리시킨 종래의 플라즈마 디스플레이 패널(110; 도 11)을, 같은 조건에서 방전 전압을 측정하였다. 에이징 시간과 방전 전압의 관계를 도 7(b)에 나타낸다.
본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널(10)에서는 에이징 시간이 2000시간에 달해도, 전압 상승은 10V 이하였다. 이것은 플라즈마로부터 방출된 자외선이 밀폐부(17)에 의해 차폐되어 봉착부(41)에 조사되지 않아, 봉착부(41)가 분해되지 않아 불순 가스의 방출이 방지되었기 때문으로 생각된다.
종래 기술의 플라즈마 디스플레이 패널(10)에서는 에이징 시간의 증가와 동시에 방전 전압이 상승하여, 2000시간의 에이징 후에는 최종 셀 점등 전압이 약 30V 증가하였다. 이것은 PDP의 방전에 의해 발생한 자외선이 장시간에 걸쳐 봉착재에 입사하여, 봉착재에 포함되는 수지 재료가 분해되고, CH계의 불순물 가스가 PDP 내로 방출되어 방전 가스의 순도가 저하하였기 때문으로 생각된다.
또한, 상기 실시예에서는 봉착 재료로는 자외선 경화형의 에폭시 수지를 이용하였으나, 다른 수지여도 무방하다. 또한, 자외선 경화형에 한정되지 않고, 열경화형이어도 무방하다.
또한, 상기 실시예에서는 제 1, 제 2 기판(21, 31)은 유리 기판이었지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니라, 제 2 기판(31)이 투명하다면 다른 재료라도 무방하다.
진공 일관 처리 장치에 의해 PDP를 제작하는 프로세스와 함께 대기 프로세스를 포함하는 MgO를 보호막으로 하는 PDP의 제작. 또한, FED(Field Emission Display)나 SED(Surface-Conduction Electron-Emitter Display)의 봉착 방법에 이용할 수 있다.

Claims (6)

  1. 제 1, 제 2 기판을 가지고, 대면하여 배치된 제 1, 제 2 패널과,
    상기 제 1, 제 2 기판 사이에 위치하는 발광 영역과,
    상기 발광 영역의 외측에 위치하며, 상기 제 1, 제 2 패널을 서로 고정하는 수지로 이루어지는 봉착부와,
    상기 발광 영역을 둘러싸는 링 형상의 금속막으로 이루어지는 밀폐부를 가지며,
    상기 봉착부는 상기 밀폐부의 외측에 위치하고,
    상기 밀폐부는 상기 제 1, 제 2 패널에 각각 밀착된 제 1, 제 2 금속층과,
    상기 제 1, 제 2 금속층 사이에 위치하며, 상기 제 1, 제 2 금속층보다도 저융점이어서 상기 제 1, 제 2 금속층을 접착하는 저융점 금속층을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 봉착부의 수지는 열경화 수지인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 봉착부의 수지는 자외선 경화 수지인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 봉착부는 링 형상으로, 상기 밀폐부를 둘러싸고 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 봉착부와 상기 밀폐부의 사이에는 배기구가 설치된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
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