CN102449722A - 等离子显示面板的制造方法 - Google Patents

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CN102449722A
CN102449722A CN2011800022289A CN201180002228A CN102449722A CN 102449722 A CN102449722 A CN 102449722A CN 2011800022289 A CN2011800022289 A CN 2011800022289A CN 201180002228 A CN201180002228 A CN 201180002228A CN 102449722 A CN102449722 A CN 102449722A
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武田英治
辻田卓司
后藤真志
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

本发明提供一种等离子显示面板的制造方法。具有包含金属氧化物的基底层和分散配置在基底层上的凝聚粒子的等离子显示面板的制造方法包括以下的过程。将形成有保护层的前面板在含有从氮气、氮和氧的混合气体及稀有气体中选出的至少一种和水分子的气氛下进行烧成。然后，在该气氛下降温而在保护层的表面形成水分子或氢氧化物的被膜。接着，将形成有被膜的前面板和背面板对置配置。其次，通过将对置配置的前面板和背面板加热，从而使被膜从保护层脱离并且将水分子从放电空间排出。然后，将被膜脱离的前面板和背面板密封。

Description

等离子显示面板的制造方法
技术领域
在此公开的技术涉及在显示装置等中使用的等离子显示面板的制造方法。
背景技术
等离子显示面板(以下，称为“PDP”)由前面板和背面板构成。前面板包括：玻璃基板、在玻璃基板的一方的主面上形成的显示电极、覆盖显示电极而作为电容器工作的电介体层、形成在电介体层上的由氧化镁(MgO)构成的保护层。另一方面，背面板包括：玻璃基板、在玻璃基板的一方的主面上形成的数据电极、覆盖数据电极的基底电介体层、形成在基底电介体层上的间隔壁、形成在各间隔壁间的分别发出红色、绿色及蓝色光的荧光体层。
前面板和背面板在电极形成面侧对置而被气密密封。在由间隔壁分隔成的放电空间内封入氖(Ne)及氙(Xe)的放电气体。放电气体通过对显示电极选择性地施加的影像信号电压而放电。因放电产生的紫外线将各色荧光体层激发。激发后的荧光体层发出红色、绿色、蓝色光。PDP以这种方式实现彩色图像显示(参照专利文献1)。
保护层主要具备四个功能。第一，保护电介体层免受因放电造成的离子冲击。第二，放出用于产生数据放电的初始电子。第三，保持用于产生放电的电荷。第四，在维持放电时放出二次电子。通过针对离子冲击对电介体层施加保护，可抑制放电电压的上升。通过增加初始电子放出数量，能够减少成为图像闪烁的原因的数据放电错误。通过提高电荷保持性能，可减少印加电压。通过增加二次电子放出数量，可降低维持放电电压。为了使初始电子放出数量增加，例如，尝试向保护层的MgO添加硅(Si)或铝(Al)等(例如，参照专利文献1、2、3、4、5等)。
【先行技术文献】
【专利文献】
【专利文献1】日本特开2002-260535号公报
【专利文献2】日本特开平11-339665号公报
【专利文献3】日本特开2006-59779号公报
【专利文献4】日本特开平8-236028号公报
【专利文献5】日本特开平10-334809号公报
发明内容
一种PDP的制造方法，PDP具备背面板、在与背面板之间设置放电空间而被密封的前面板。前面板具有电介体层和覆盖电介体层的保护层。保护层包括形成在电介体层上的基底层。在基底层上遍及整面地分散配置有多个氧化镁的结晶粒子凝聚而成的凝聚粒子。基底层至少包括第一金属氧化物和第二金属氧化物。而且，基底层在X射线衍射分析中具有至少一个峰值。基底层的峰值存在于第一金属氧化物的X射线衍射分析中的第一峰值与第二金属氧化物的X射线衍射分析中的第二峰值之间。第一峰值及第二峰值表示与基底层的峰值所示的面方位相同的面方位。第一金属氧化物及第二金属氧化物为从氧化镁、氧化钙、氧化锶及氧化钡所构成的组中选出的两种。
该PDP的制造方法包括以下的过程。将形成有保护层的前面板在含有从氮气、氮和氧的混合气体及稀有体中选出的至少一种和水分子的气氛下，在350℃以上且500℃以下的温度范围内进行烧成。然后，在该气氛下降温至200℃以下而在保护层的表面形成水分子或氢氧化物的被膜。然后，将形成有被膜的前面板和背面板对置配置。接下来，通过将对置配置的前面板和背面板加热而使被膜从保护层脱离且使水分子从放电空间排出。接下来，将被膜脱离了的前面板和背面板密封。
附图说明
图1是表示实施方式的PDP的结构的立体图。
图2是表示实施方式的前面板的结构的剖视图。
图3是实施方式的PDP的制造工序图。
图4是表示实施方式的基底膜的X射线衍射分析的结果的图。
图5是表示实施方式的其他结构的基底膜的X射线衍射分析的结果的图。
图6是实施方式的凝聚粒子的放大图。
图7是表示实施方式的PDP的放电延迟与保护层中的钙(Ca)浓度的关系的图。
图8是表示该PDP的电子放出性能和Vscn点灯电压的关系的图。
图9是表示实施方式的凝聚粒子的平均粒径和电子放出性能的关系的图。
图10是表示实施方式的凝聚粒子的平均粒径和隔壁破坏概率的关系的图。
图11是表示实施方式的保护层形成工序的图。
图12是表示实施方式的被膜的形成状态的图。
图13是表示实施方式的TDS的结果的图。
具体实施方式
[1.PDP的基本构造]
PDP的基本结构为一般的交流面放电型PDP。如图1所示，PDP1配置成由前面玻璃基板3等构成的前面板2与由背面玻璃基板11等构成的背面板10相对置。前面板2和背面板10的外周部通过由玻璃熔料等构成的密封件实现气密密封。在被密封的PDP1内部的放电空间16内，Ne及Xe等放电气体以53kPa～80kPa的压力被封入。
在前面玻璃基板3上，由扫描电极4及维持电极5构成的一对带状的显示电极6和黑条7相互平行地分别配置有多列。在前面玻璃基板3上以覆盖显示电极6和黑条7的方式形成有作为电容器工作的电介体层8。而且，在电介体层8的表面形成有由MgO等构成的保护层9。另外，如图2所示，本实施方式的保护层9包括层叠在电介体层8上的作为基底层的基底膜91和附着在基底膜91上的凝聚粒子92。
扫描电极4及维持电极5分别在由铟锡氧化物(ITO)、二氧化锡(SnO2)、氧化亚铅(ZnO)等导电性金属氧化物构成的透明电极上层叠有含有Ag的总线电极。
在背面玻璃基板11上，沿与显示电极6正交的方向相互平行地配置有由以银(Ag)为主要成分的导电性材料构成的多个数据电极12。数据电极12由基底电介体层13覆盖。数据电极12覆盖在基底电介体层13上。而且，在数据电极12间的基底电介体层13上形成有划分放电空间16的具有规定高度的间隔壁14。在基底电介体层13上及间隔壁14的侧面按照每个数据电极12依次涂敷形成有通过紫外线发出红色光的荧光体层15、发出绿色光的荧光体层15及发出蓝色光的荧光体层15。在显示电极6与数据电极12交叉的位置形成有放电单元。在显示电极6方向排列的具有红色、绿色、蓝色的荧光体层15的放电单元成为用于彩色显示的像素。
需要说明的是，在本实施方式中，封入放电空间16的放电气体含有10体积％以上30％体积以下的Xe。
[2.PDP的制造方法]
接下来，对PDP1的制造方法进行说明。
首先，对前面板2的制造方法进行说明。如图3所示，在电极形成工序中，通过光刻法在前面玻璃基板3上形成扫描电极4及维持电极5和黑条7。扫描电极4及维持电极5具有含有用于确保导电性的Ag的总线电极4b、5b。另外，扫描电极4及维持电极5具有透明电极4a、5a。总线电极4b层叠在透明电极4a上。总线电极5b层叠在透明电极5a上。
关于透明电极4a、5a的材料，使用用于确保透明度和电传导度的ITO等。首先，通过溅射法等在前面玻璃基板3上形成ITO薄膜。接下来，通过光刻法形成规定图案的透明电极4a、5a。
关于总线电极4b、5b的材料，使用含有Ag、用于使Ag结合的玻璃熔料、感光性树脂和溶剂等的白色膏剂。首先，通过丝网印刷法等将白色膏剂涂敷在前面玻璃基板3上。然后，利用干燥炉去除白色膏剂中的溶剂。然后，经由规定的图案的光掩膜使白色膏剂曝光。
然后，白色膏剂显影而形成总线电极图案。最后，通过烧成炉以规定的温度将总线电极图案烧成。即，将总线电极图案中的感光性树脂除去。另外，总线电极图案中的玻璃熔料熔融。熔融后的玻璃熔料在烧成后再度玻璃化。通过以上的工序形成总线电极4b、5b。
黑条7由含有黑色颜料的材料形成。
接下来，在电介体层形成工序中形成电介体层8。关于电介体层8的材料，使用含有电介体玻璃熔料和树脂和溶剂等的电介体膏剂。首先，利用金属型涂料法等将电介体膏剂以通过规定厚度覆盖扫描电极4、维持电极5及黑条7的方式涂敷在前面玻璃基板3上。接下来，通过干燥炉去除电介体膏剂中的溶剂。最后，通过烧成炉以规定的温度烧成电介体膏剂。即，去除电介体膏剂中的树脂。另外，电介体玻璃熔料熔融。熔融后的玻璃熔料在烧成后再度玻璃化。通过以上的工序形成电介体层8。在此，除了将电介体膏剂进行金属型涂敷的方法以外，还可以使用丝网印刷法、旋涂(spin-coating)法等。另外，也可以不使用电介体膏剂，通过CVD(化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition))法等也可以形成成为电介体层8的膜。关于电介体层8的详细内容将进行后述。
接下来，在保护层形成工序中，在电介体层8上形成保护层9。对于保护层9的详细内容及保护层形成工序的详细内容将进行后述。
接下来，在被膜形成工序中，在后续说明的保护层9上形成水分子或氢氧化物的被膜17。关于被膜形成工序的详细内容及被膜除去方法的详细内容将进行后述。
通过以上的工序在前面玻璃基板3上形成扫描电极4、维持电极5、黑条7、电介体层8、保护层9，从而完成前面板2。
接下来，对背面板制作工序进行说明。通过光刻法在背面玻璃基板11上形成数据电极12。关于数据电极12的材料，使用含有用于确保导电性的Ag和用于使Ag结合的玻璃熔料、感光性树脂、溶剂等的数据电极膏剂。首先，通过丝网印刷法等以规定的厚度在背面玻璃基板11上涂敷数据电极膏剂。然后，通过干燥炉去除数据电极膏剂中的溶剂。接着，经由规定图案的光掩膜使数据电极膏剂曝光。然后，数据电极膏剂显影而形成数据电极图案。最后，通过烧成炉以规定的温度将数据电极图案烧成。即，去除数据电极图案中的感光性树脂。另外，数据电极图案中的玻璃熔料熔融。熔融后的玻璃熔料在烧成后再度玻璃化。通过以上的工序形成数据电极12。在此，除了将数据电极膏剂进行丝网印刷的方法以外，还可以使用溅射法、蒸镀法等。
接下来，形成基底电介体层13。关于基底电介体层13的材料，使用含有电介体玻璃熔料、树脂和溶剂等的基底电介体膏剂。首先，通过丝网印刷法等以规定的厚度在形成有数据电极12的背面玻璃基板11上涂敷基底电介体膏剂，从而将数据电极12覆盖。接着，通过干燥炉去除基底电介体膏剂中的溶剂。最后，通过烧成炉以规定的温度烧成基底电介体膏剂。即，去除基底电介体膏剂中的树脂。另外，电介体玻璃熔料熔融。熔融后的玻璃熔料在烧成后再度玻璃化。通过以上的工序形成基底电介体层13。在此，除了将基底电介体膏剂进行丝网印刷的方法以外，还可以使用金属型涂料法、旋涂法等。另外，也可以不使用基底电介体膏剂，而通过CVD法等形成成为基底电介体层13的膜。
然后，通过光刻法形成间隔壁14。关于间隔壁14的材料，使用含有填料、用于使填料结合的玻璃熔料、感光性树脂、溶剂等的间隔壁膏剂。首先，通过金属型涂料法等，以规定的厚度在基底电介体层13上涂敷间隔壁膏剂。然后，通过干燥炉去除间隔壁膏剂中的溶剂。接下来，经由规定的图案的光掩膜使间隔壁膏剂曝光。然后，间隔壁膏剂显影而形成间隔壁图案。最后，通过烧成炉以规定的温度烧成间隔壁图案。即，去除间隔壁图案中的感光性树脂。另外，间隔壁图案中的玻璃熔料熔融。熔融后的玻璃熔料在烧成后再度玻璃化。通过以上的工序形成间隔壁14。在此，除了光刻法以外，还可以使用喷砂法等。
接下来，形成荧光体层15。作为荧光体层15的材料，使用含有荧光体粒子和粘结剂和溶剂等的荧光体膏剂。首先，通过散播(dispense)法等以规定的厚度在邻接的间隔壁14间的基底电介体层13上及间隔壁14的侧面上涂敷荧光体膏剂。接下来，通过干燥炉去除荧光体膏剂中的溶剂。最后，通过烧成炉以规定的温度烧成荧光体膏剂。即，去除荧光体膏剂中的树脂。通过以上的工序形成荧光体层15。在此，除了散播法以外，还可以使用丝网印刷法、喷墨法等。关于荧光体层15的详细内容将进行后述。
通过以上的背面板制作工序，完成在背面玻璃基板11上具有规定的构成构件的背面板10。
接下来，在熔料涂敷工序中，通过散播法在背面板10的周围形成密封件(未图示)。关于密封件(未图示)的材料，使用含有玻璃熔料、粘结剂和溶剂等的密封膏剂。然后，通过干燥炉去除密封膏剂中的溶剂。
随后，组装前面板2和背面板10。在排列工序(aligning step)中，以显示电极6与数据电极12正交的方式将前面板2和背面板10对置配置。
接着，在密封排气工序中，前面板2和背面板10的周围被玻璃熔料密封，在放电空间16内排气。此时，在被膜形成工序中形成在保护层9上的被膜17被去除。
最后，在放电气体供给工序中，向放电空间16封入含有Ne、Xe等的放电气体。
通过以上的工序完成PDP1。
[3.电介体层的详细内容]
对电介体层8的详细内容进行说明。电介体层8由第一电介体层81和第二电介体层82构成。第一电介体层81的电介体材料含有以下的成分。三氧化二铋(Bi2O3)为20重量％～40重量％。从由氧化钙(CaO)、氧化锶(SrO)及氧化钡(BaO)构成的组中选出的至少1种为0.5重量％～12重量％。从由三氧化钼(MoO3)、三氧化钨(WO3)、二氧化铈(CeO2)及二氧化锰(MnO2)构成的组中选出的至少1种为0.1重量％～7重量％。
需要说明的是，也可以替代由MoO3、WO3、CeO2及MnO2构成的组，而含有0.1重量％～7重量％的从由氧化铜(CuO)、三氧化二铬(Cr2O3)、三氧化二钴(Co2O3)、七氧化二钒(V2O7)及三氧化二锑(Sb2O3)构成的组中选出的至少1种化合物。
另外，作为上述成分以外的成分，也可以含有ZnO为0重量％～40重量％、三氧化二硼(B2O3)为0重量％～35重量％、二氧化硅(SiO2)为0重量％～15重量％、三氧化二铝(Al2O3)为0重量％～10重量％等不含铅成分的成分。
电介体材料以通过湿式喷射研磨或球磨使平均粒径成为0.5μm～2.5μm的方式被粉碎而制作电介体材料粉末。接下来，55重量％～70重量％的该电介体材料粉末和30重量％～45重量％的粘结剂成分通过三根辊充分混炼而成为金属型涂料用或印刷用的第一电介体层用膏剂。
粘结剂成分为乙基纤维素或含有1重量％～20重量％的丙烯酸树脂的松油醇或二甘醇丁醚醋酸酯。另外，在膏剂中，根据需要可添加作为可塑剂的邻苯二甲酸二辛酯、邻苯二甲酸二丁酯、磷酸三苯酯、磷酸三丁酯。另外，作为分散剂可以添加甘油单油酸酯、脱水山梨醇倍半油酸酯、homogenol(花王公司制商品名)、烷基芳基的磷酸酯等。若添加分散剂，则可提高印刷性。
第一电介体层用膏剂覆盖显示电极6而通过金属型涂料法或丝网印刷法印刷在前面玻璃基板3上。被印刷的第一电介体层用膏剂在干燥后，以比电介体材料的软化点稍高的温度的575℃～590℃烧成，从而形成第一电介体层81。
接下来，说明第二电介体层82。第二电介体层82的电介体材料含有以下的成分。Bi2O3为11重量％～20重量％。从CaO、SrO、BaO选出的至少1种为1.6重量％～21重量％。从MoO3、WO3、CeO2中选出的至少1种为0.1重量％～7重量％。
需要说明的是，也可以替代MoO3、WO3、CeO2，而含有0.1重量％～7重量％的从CuO、Cr2O3、Co2O3、V2O7、Sb2O3、MnO2选出的至少1种。
另外，作为上述的成分以外的成分，也可以含有ZnO为0重量％～40重量％、B2O3为0重量％～35重量％、SiO2为0重量％～15重量％、Al2O3为0重量％～10重量％等不含铅成分的成分。
电介体材料以通过湿式喷射研磨或球磨使平均粒径成为0.5μm～2.5μm的方式被粉碎而制作电介体材料粉末。然后，55重量％～70重量％的该电介体材料粉末、30重量％～45重量％的粘结剂成分通过三根辊充分混炼而成为金属型涂料用或印刷用的第二电介体层用膏剂。
粘结剂成分为乙基纤维素或含有1重量％～20重量％的丙烯酸树脂的松油醇或二甘醇丁醚醋酸酯。另外，在膏剂中，根据需要可添加作为可塑剂的邻苯二甲酸二辛酯、邻苯二甲酸二丁酯、磷酸三苯酯、磷酸三丁酯。另外，作为分散剂可以添加甘油单油酸酯、脱水山梨醇倍半油酸酯、homogenol(花王公司制商品名)、烷基芳基的磷酸酯等。若添加分散剂，则可提高印刷性。
第二电介体层用膏剂通过丝网印刷法或金属型涂料法印刷在第一电介体层81上。印刷的第二电介体层用膏剂在干燥后以比电介体材料的软化点稍高的温度的550℃～590℃烧成，从而形成第二电介体层82。
需要说明的是，为确保可见光透射率，对于电介体层8的膜厚而言，优选第一电介体层81和第二电介体层82合计为41μm以下。
对于第一电介体层81而言，为了抑制与总线电极4b、5b的Ag的反应，使Bi2O3的含有量比第二电介体层82的Bi2O3的含有量多而成为20重量％～40重量％。于是，由于第一电介体层81的可见光透射率比第二电介体层82的可见光透射率低，因此第一电介体层81的膜厚比第二电介体层82的膜厚薄。
对于第二电介体层82而言，若Bi2O3的含有量小于11重量％，则难以产生着色，但在第二电介体层82中容易产生气泡。因此，不优选Bi2O3的含有量小于11重量％。另一方面，若Bi2O3的含有率超过40重量％，则容易产生着色，因此可见光透射率下降。从而，不优选Bi2O3的含有量超过40重量％。
另外，电介体层8的膜厚越小则亮度提高和放电电压降低的效果越明显。因此，只要在绝缘耐压不下降的范围内，则优选尽量将膜厚设定得小。
根据以上的观点，在本实施方式中，将电介体层8的膜厚设定为41μm以下，将第一电介体层81设为5μm～15μm，将第二电介体层82设为20μm～36μm。
对于以如上的方式制造的PDP1而言，即使显示电极6使用Ag材料，也可以抑制前面玻璃基板3的着色现象(变黄)及电介体层8中的气泡的产生等，从而确认出实现了绝缘耐压性能优良的电介体层8的情况。
然后，在本实施方式的PDP1中，对通过这些电介体材料可抑制第一电介体层81中的变黄或气泡的产生的理由进行考察。即可知，通过向含有Bi2O3的电介体玻璃添加MoO3或WO3，Ag2MoO4、Ag2Mo2O7、Ag2Mo4O13、Ag2WO4、Ag2W2O7、Ag2W4O13这些化合物在580℃以下的低温容易生成。在本实施方式中，因为电介体层8的烧成温度为550℃～590℃，所以在烧成中向电介体层8中扩散的银离子(Ag+)与电介体层8中的MoO3、WO3、CeO2、MnO2反应，从而生成稳定的化合物而实现稳定化。即，由于在Ag+未被还原的情况下实现稳定化，因此不会凝聚而生成胶体。因此，通过使Ag+稳定化，从而减少伴随Ag的胶体化而产生的氧，因此向电介体层8中产生的气泡也变少。
另一方面，为了使这些效果有效，优选使含有Bi2O3的电介体玻璃中的MoO3、WO3、CeO2、MnO2的含有量为0.1重量％以上，进一步优选为0.1重量％以上、7重量％以下。尤其是，若不足0.1重量％则抑制变黄的效果变小，若超过7重量％则引起玻璃上的着色，因此不优选。
即，对于本实施方式的PDP1的电介体层8而言，利用与由Ag材料构成的总线电极4b、5b相接的第一电介体层81抑制变黄现象和气泡产生，通过设置在第一电介体层81上的第二电介体层82实现高光透射率。其结果是，电介体层8整体能够实现气泡或变黄的产生极少且透射率高的PDP。
[4.保护层的详细内容]
保护层9含有作为基底层的基底膜91和凝聚粒子92。基底膜91至少含有第一金属氧化物和第二金属氧化物。第一金属氧化物及第二金属氧化物为从由MgO、CaO、SrO及BaO构成的组中选出的两种。而且，基底膜91在X射线衍射分析中具有至少一个峰值。该峰值位于第一金属氧化物的X射线衍射分析中的第一峰值与第二金属氧化物的X射线衍射分析中的第二峰值之间。第一峰值和第二峰值表示与基底膜91的峰值所示的面方位(surface orientation)相同的面方位。
[4-1.基底膜的详细内容]
本实施方式的构成PDP1的保护层9的基底膜91面的X射线衍射结果在图4中示出。另外，在图4中还示出MgO单体、CaO单体、SrO单体及BaO单体的X射线衍射分析的结果。
在图4中，横轴为布拉格的衍射角(2θ)，纵轴为X射线衍射波的强度。衍射角的单位由1周为360度的度进行表示，强度由任意单位(arbitraryunit)表示。对作为特定方位面的结晶方位面附加括号而进行表示。
如图4所示，在(111)的面方位，CaO单体在衍射角32.2度处具有峰值。MgO单体在衍射角36.9度处具有峰值。SrO单体在衍射角30.0度处具有峰值。BaO单体在衍射角27.9度处具有峰值。
在本实施方式的PDP1中，保护层9的基底膜91含有从由MgO、CaO、SrO及BaO构成的组中选出的至少2种以上的金属氧化物。
关于构成基底膜91的单体成分为两种成分的情况下的X射线衍射结果在图4中示出。A点为作为单体成分使用MgO和CaO的单体而形成的基底膜91的X射线衍射结果。B点为作为单体成分使用MgO和SrO的单体而形成的基底膜91的X射线衍射结果。C点为作为单体成分使用MgO和BaO的单体而形成的基底膜91的X射线衍射结果。
如图4所示，A点在(111)的面方位上在衍射角36.1度处具有峰值。成为第一金属氧化物的MgO单体在衍射角36.9度处具有峰值。成为第二金属氧化物的CaO单体在衍射角32.2度处具有峰值。即，A点的峰值存在于MgO单体的峰值与CaO单体的峰值之间。同样，B点的峰值在衍射角为35.7度处，存在于成为第一金属氧化物的MgO单体的峰值与成为第二金属氧化物的SrO单体的峰值之间。C点的峰值在衍射角为35.4度处，也存在于成为第一金属氧化物的MgO单体的峰值与成为第二金属氧化物的BaO单体的峰值之间。
另外，构成基底膜91的单体成分为三种成分以上的情况下的X射线衍射结果在图5中示出。D点为作为单体成分使用MgO、CaO及SrO形成的基底膜91的X射线衍射结果。E点为作为单体成分使用MgO、CaO及BaO形成的基底膜91的X射线衍射结果。F点为作为单体成分使用CaO、SrO及BaO形成的基底膜91的X射线衍射结果。
如图5所示，D点在(111)的面方位上在衍射角33.4度处具有峰值。成为第一金属氧化物的MgO单体在衍射角36.9度处具有峰值。成为第二金属氧化物的SrO单体在衍射角30.0度处具有峰值。即，D点的峰值存在于MgO单体的峰值与SrO单体的峰值之间。同样，E点的峰值在衍射角为32.8度处，存在于成为第一金属氧化物的MgO单体的峰值与成为第二金属氧化物的BaO单体的峰值之间。F点的峰值在衍射角为30.2度处，也存在于成为第一金属氧化物的CaO单体的峰值与成为第二金属氧化物的BaO单体的峰值之间。
因此，本实施方式的PDP1的基底膜91至少含有第一金属氧化物和第二金属氧化物。而且，基底膜91在X射线衍射分析中具有至少一个峰值。该峰值存在于第一金属氧化物的X射线衍射分析的第一峰值与第二金属氧化物的X射线衍射分析的第二峰值之间。第一峰值和第二峰值表示与基底膜91的峰值所示的面方位相同的面方位。第一金属氧化物及第二金属氧化物为从由MgO、CaO、SrO及BaO构成的组中选出的两种。
需要说明的是，在上述的说明中，作为结晶的面方位面以(111)为对象进行了说明，但是，在以其他面方位作为对象的情况下，金属氧化物的峰值的位置也与上述情况同样。
CaO、SrO及BaO的距真空能级的深度存在于比MgO浅的区域。因此，可以想到的是，在驱动PDP1的情况下，存在于CaO、SrO、BaO的能级的电子向Xe离子的基底状态迁移时，通过俄歇效应放出的电子数比从MgO的能级迁移的情况多。
另外，如上述那样，本实施方式的基底膜91的峰值位于第一金属氧化物的峰值与第二金属氧化物的峰值之间。即，基底膜91的能级存在于单体的金属氧化物之间，可以想到的是，通过俄歇效应放出的电子数比从MgO的能级迁移的情况多。
其结果是，与MgO单体相比，利用基底膜91能够发挥良好的二次电子放出特性，其结果是，能够降低放电维持电压。因此，尤其是为了提高亮度而提高作为放电气体的Xe分压的情况下，能够降低放电电压，实现低电压且高亮度的PDP1。
在表1中示出，在本实施方式的PDP1中将60kPa的Xe及Ne的混合气体(Xe、15％)封入且改变了基底膜91的构成的情况下的维持电压的结果。
【表1】
  样品A   样品B   样品C   样品D   样品E   比较例
  放电维持电压(a.u.)   90   87   85   81   82   100
需要说明的是，表1的维持电压以比较例的值为“100”的情况下的相对值进行表示。样品A的基底膜91由MgO和CaO构成。样品B的基底膜91由MgO和SrO构成。样品C的基底膜91由MgO和BaO构成。样品D的基底膜91由MgO、CaO及SrO构成。样品E的基底膜91由MgO、CaO及BaO构成。另外，比较例中的基底膜91由MgO单体构成。
在放电气体的Xe的分压从10％提高到15％的情况下，亮度上升约30％，在基底膜91为MgO单体的情况的比较例中，维持电压上升约10％。
另一方面，在本实施方式的PDP中，样品A、样品B、样品C、样品D、样品E的维持电压与比较例相比均能够降低约10％～20％。因此，能够作为通常动作范围内的维持电压，从而能够实现高亮度且低电压驱动的PDP。
需要说明的是，对于CaO、SrO、BaO而言，若为单体则反应性高而容易与不纯物反应，从而存在电子放出性能下降的问题。然而，在本实施方式中，通过形成为所述金属氧化物的结构，将反应性降低，形成不纯物的混入和氧欠缺少的结晶构造。因此，在PDP的驱动时，可抑制电子的过剩放出，除了低电压驱动和二次电子放出性能这双重效果之外，还发挥适当的电子保持特性的效果。该电荷保持特性尤其保持在初始化期间积存的壁电荷，在写入期间防止写入不良而进行可靠的写入放电方面是有效的。
[4-2.凝聚粒子的详细内容]
接下来，对本实施方式的基底膜91上设置的凝聚粒子92进行详细地说明。
如图6所示，凝聚粒子92是凝聚多个MgO的结晶粒子92a的而成的粒子。形状可通过扫描型电子显微镜(SEM)得到确认。在本实施方式中，多个凝聚粒子92遍布基底膜91的整面地分散配置。
凝聚粒子92是平均粒径为0.9μm～2.5μm这种范围的粒子。需要说明的是，在本实施方式中，平均粒径是指体积累积平均径(D50)。另外，关于平均粒径的测定，使用激光衍射式粒度分布测定装置MT-3300(日机装株式会社制)。
凝聚粒子92并非作为固体通过较强的结合力结合。凝聚粒子92是通过静电或范德瓦尔斯力等将多个一次粒子集合的粒子。另外，凝聚粒子92以利用超声波等外力可将其一部分或全部分解成一次粒子状态的这种程度的力结合。作为凝聚粒子92的平均粒径，其为约1μm左右大小，作为结晶粒子92a，其具备具有14面体或12面体等7面以上的面的多面体形状。另外，结晶粒子92a能够通过以下所示的气相合成法或前驱体烧成法的任意一种方法制造。
在气相合成法中，对充满惰性气体的气氛下纯度为99.9％以上的镁(Mg)金属材料进行加热。而且，通过向气氛中导入少量氧而进行加热，Mg直接氧化。由此，制作MgO的结晶粒子92a。
另一方面，在前驱体烧成法中，通过以下的方法制作结晶粒子92a。在前驱体烧成法中，以700℃以上的高温均匀地对MgO的前驱体进行烧成。然后，烧成的MgO逐渐冷却而获得MgO的结晶粒子92a。作为前驱体，例如，可以选择醇镁(Mg(OR)2)、乙酰丙酮镁(Mg(acac)2)、氢氧化镁(Mg(OH)2)、碳酸镁(MgCO2)、氯化镁(MgCl2)、硫酸镁(MgSO4)、硝酸镁(Mg(NO3)2)、草酸镁(MgC2O4)中的任意1种以上的化合物。
需要说明的是，根据所选择的化合物的不同，存在通常成为含水化合物的形态的物质，也可以使用这种含水化合物。所述化合物被调整成烧成后获得的MgO的纯度为99.95％以上，优选为99.98％以上。在所述的化合物中，若混合一定量以上的各种碱金属、B、Si、Fe、Al等不纯物元素，则热处理时产生不期望的粒子间粘连或烧结，从而难以获得高结晶性的MgO的结晶粒子92a。因此，需要通过去除不纯物元素等预先调整前驱体。通过对前驱体烧成法的烧成温度和烧成气氛进行调整，能够控制粒径。烧成温度可以在700℃左右至1500℃左右的范围进行选择。在烧成温度为1000℃以上时，一次粒径可控制成0.3～2μm左右。在通过前驱体烧成法生成结晶粒子92a的生成过程中，能够以多个一次粒子彼此凝聚的凝聚粒子92的状态获得结晶粒子92a。
关于MgO的凝聚粒子92，通过本发明者的实验主要可确认抑制写入放电中的放电延迟的效果和改善放电延迟的温度依存性的效果。因此，在本实施方式中，利用凝聚粒子92与基底膜91相比在高度的初始电子放出特性方面优越的性质，将其配设作为当放电脉冲上升时所需的初始电子供给部。
可以想到的是，放电延迟的主要原因在于，在放电开始时，成为触发器的初始电子从基底膜91表面向放电空间16中放出的量不足。因此，为了有利于初始电子对放电空间16的稳定供给，MgO的凝聚粒子92分散配置在基底膜91的表面。由此，当放电脉冲上升时，在放电空间16中存在充足的电子，从而实现放电延迟的消除。因此，利用这种初始电子放出特性，即使在PDP1为高精细的情况下等也能够实现放电响应性良好的高速驱动。另外，利用在基底膜91的表面配设金属氧化物的凝聚粒子92的构成，除了主要抑制写入放电中的放电延迟的效果之外，还可获得改善放电延迟的温度依存性的效果。
如上所述，在本实施方式的PDP1中，通过实现低电压驱动和电荷保持的双重效果的基底膜91和实现放电延迟的防止效果的MgO的凝聚粒子92构成PDP1，对于PDP1整体而言，即使是高精细的PDP也能够以低电压实现高速驱动，并且还能够实现抑制了点灯不良的高品位的图像显示性能。
[4-3.实验1]
图7是表示本实施方式的PDP1中的、使用由MgO和CaO构成的基底膜91的情况下的放电延迟与保护层9中的钙(Ca)浓度的关系的图。作为基底膜91由MgO和CaO构成，基底膜91形成为，在X射线衍射分析中，峰值存在于产生MgO的峰值的衍射角和产生CaO的峰值的衍射角之间。
需要说明的是，在图7中示出作为保护层9仅有基底膜91的情况和在基底膜91上配置有凝聚粒子92的情况，放电延迟以在基底膜91中不含有Ca的情况为基准而进行表示。
根据图7可以明显可知，在仅有基底膜91的情况和在基底膜91上配置有凝聚粒子92的情况下，对于仅有基底膜91的情况而言，随着Ca浓度增加而放电延迟变长，相对于此，通过在基底膜91上配置有凝聚粒子92，能够使放电延迟大幅度减小，即使Ca浓度增加，放电延迟也几乎不增大。
[4-4.实验2]
接下来，对为了确认本实施方式的具有保护层9的PDP1的效果而完成的实验结果进行说明。
首先，试制出具有构成不同的保护层9的PDP1。试制品1为仅形成有基于MgO的保护层9的PDP1。试制品2为形成有掺有Al、Si等不纯物的基于MgO的保护层9的PDP1。试制品3为在MgO的保护层9上仅散布且附着有由MgO构成的结晶粒子92a的一次粒子的PDP1。
另一方面，试制品4为本实施方式的PDP1。试制品4为在基于MgO的基底膜91上以遍及整面地分布的方式附着有使具备同等粒径的MgO的结晶粒子92a彼此凝聚而成的凝聚粒子92的PDP1。作为保护层9，使用前述的样品A。即，保护层9具备由MgO和CaO构成的基底膜91，在基底膜91上以遍及整面而大致均匀分布的方式附着有由结晶粒子92a凝聚而成的凝聚粒子92。需要说明的是，基底膜91在基底膜91面的X射线衍射分析中在构成基底膜91的第一金属氧化物的峰值与第二金属氧化物的峰值之间具有峰值。即，第一金属氧化物为MgO，第二金属氧化物为CaO。此外，MgO的峰值的衍射角为36.9度，CaO的峰值的衍射角为32.2度，基底膜91的峰值的衍射角存在于36.1度。
关于具有这4种保护层的结构的PDP1，对电子放出性能和电荷保持性能进行了测定。
需要说明的是，电子放出性能为其越大则表示电子放出量越多的数值。电子放出性能表现为根据放电的表面状态和气体种类及其状态而决定的初始电子放出量。初始电子放出量能够以向表面照射离子或电子束测定从表面放出的电子电流量的方法来进行测定。然而，在以非破坏方式实施的方面存在困难。因此，采用在日本特开2007-48733号公报中记载的方法。即，测定了放电时的延迟时间中的、被称为“统计延迟时间”的成为容易产生放电程度的基准的数值。通过对统计延迟时间的倒数进行积分，成为与初始电子的放出量线性对应的数值。放电时的延迟时间是指，从写入放电脉冲的上升到写入放电延迟产生的时间。可以想到的是，产生放电延迟的主要原因在于，产生写入放电时的成为触发器的初始电子难以从保护层表面向放电空间中放出。
另外，关于电荷保持性能，作为其指标，使用制作PDP1时为抑制电荷放出现象所需的施加于扫描电极的电压(以下，称为“Vscn点灯电压”)的电压值。即，Vscn点灯电压的较低则表示电荷保持能力高。若Vscn点灯电压低，则能够以低电压驱动PDP。因此，作为电源和各电气部件，能够使用耐压及容量小的部件。在现阶段的制品中，作为用于依次向面板施加扫描电压的MOSFET等半导体开关元件，使用耐压为150V左右的元件。作为Vscn点灯电压，考虑到温度的变动，优选抑制为120V以下。
根据图8明显可知，对于试制品4而言，在对电荷保持性能进行的评价中，能够使Vscn点灯电压为120V以下，而且电子放出性能与仅为MgO的保护层的情况下的试制品1相比能够获得非常良好的特性。
一般而言，PDP的保护层的电子放出能力与电荷保持能力相反。例如，通过保护层的成膜条件的变更或者向保护层中掺入Al、Si、Ba等不纯物而成膜，能够提高电子放出性能。然而，作为其副作用，也会导致Vscn点灯电压上升。
在具有本实施方式的保护层9的PDP中，作为电子放出能力，能够获得8以上的特性，作为电荷保持能力，Vscn点灯电压能够为120V以下。即，能够获得具备与因高精细化而使扫描线数增加且具有单元大小减小倾向的PDP相对应的电子放出能力和电荷保持能力双方的保护层9。
[4-5.实验3]
接下来，对本实施方式的PDP1的保护层9所使用的凝聚粒子92的粒径进行详细地说明。需要说明的是，在以下的说明中，粒径是指平均粒径，平均粒径是指体积累积平均径(D50)的情况。
图9表示在保护层9中使MgO的凝聚粒子92的平均粒径变化而调查了电子放出性能得到的实验结果。在图9中，通过对凝聚粒子92进行SEM观察而测定凝聚粒子92的平均粒径的长度。
如图9所示，若平均粒径小到0.3μm左右，则电子放出性能降低，若为大致0.9μm以上，能够获得较高的电子放出性能。
为了使放电单元内的电子放出数增加，优选保护层9上的每个单位面积的结晶粒子数多。根据本发明人等的实验，若在相当于与保护层9紧密接触的间隔壁14的顶部的部分存在结晶粒子92a，则存在间隔壁14的顶部破损的情况。在这种情况下可知，破损的间隔壁14的材料越上荧光体上，从而产生该单元无法正常点灯或灭灯的现象。对于间隔壁破损的现象而言，由于若结晶粒子92a不存在于与间隔壁顶部对应的部分则难以产生，所以若附着的结晶粒子数多，则间隔壁14的破损产生概率增加。图10表示使凝聚粒子92的平均粒径变化而调查了间隔壁破坏概率的实验结果。如图10所示，若凝聚粒子92的平均粒径大到2.5μm左右，则间隔壁破损概率急剧升高，若小于2.5μm，则能够将间隔壁破损概率抑制得较小。
在如上述那样具有本实施方式的保护层9的PDP1中，作为电子放出能力，可获得8以上的特性，作为电荷保持能力，能够使Vscn点灯电压为120V以下。
需要说明的是，在本实施方式中，虽然作为结晶粒子使用MgO粒子用进行了说明，但是对于其他单结晶粒子而言，使用与MgO同样带有高电子放出性能的Sr、Ca、Ba、Al等金属氧化物形成的结晶粒子也能够获得同样的效果，因此，作为粒子种类，不局限于MgO。
[5.保护层形成工序的详细内容]
接下来，参照图11说明形成本实施方式的PDP1中的保护层9的制造工序。
如图11所示，在进行了形成电介体层8的电介体层形成工序之后，在保护层形成工序中，通过真空蒸镀法在电介体层8上形成基底膜91。真空蒸镀法的原材料为MgO单体、CaO单体、SrO单体及BaO单体的材料的颗粒或将这些材料混合而成的颗粒。另外，可以使用电子束蒸镀法、溅射法、离子电镀法等。
然后，在未烧成的基底膜91上离散地散布而附着多个凝聚粒子92。即，遍及基底膜91整面地分散布置凝聚粒子92。
在该工序中，制作凝聚粒子92混合于有机溶剂中的凝聚粒子膏剂。然后，在凝聚粒子膏剂涂敷工序中，通过将凝聚粒子膏剂涂敷在基底膜91上，从而形成平均膜厚8μm～20μm的凝聚粒子膏剂膜。需要说明的是，作为将凝聚粒子膏剂涂敷在基底膜91上的方法，可以使用丝网印刷法、喷雾法、旋涂法、金属型涂料法、狭缝式涂敷法等。
在此，作为用于制作凝聚粒子膏剂的溶剂，适合采用与基底膜91和凝聚粒子92的亲和性高，并且为了在下一工序的干燥工序中容易进行蒸发除去而在常温下的蒸气压为数十Pa这种程度的溶剂。例如使用甲氧基甲基丁醇、松油醇、丙二醇、苯甲醇等有机溶剂单体或它们的混合溶剂。含有这些溶剂的膏剂的粘度为数mPa·s～数十mPa·s。
涂敷有凝聚粒子膏剂的基板立即向干燥工序移送。在干燥工序中，将凝聚粒子膏剂膜减压干燥。具体而言，凝聚粒子膏剂膜在真空腔体内在数十秒以内被急速干燥。因此，不产生在加热干燥中显著的膜内的对流。因此，凝聚粒子92更加均匀地附着在基底膜91上。需要说明的是，作为该干燥工序中的干燥方法，根据制作凝聚粒子膏剂时使用的溶剂等，也可以采加热干燥方法。
接下来，在烧成工序中，将在基底膜蒸镀工序中形成的未烧成的基底膜91和经过了干燥工序的凝聚粒子膏剂膜在数百摄氏度的温度下同时烧成。通过烧成去除残留在凝聚粒子膏剂膜中的溶剂和树脂成分。其结果是，形成在基底膜91上附着有由多个多面体形状的结晶粒子92a构成的凝聚粒子92的保护层9。
根据该方法，能够遍及整面地在基底膜91上分散配置凝聚粒子92。
需要说明的是，除了这种方法以外，也可以不使用溶剂等而使用将粒子组直接与气体等一起喷射的方法或单纯利用重力进行散布的方法等。
[6.被膜形成工序的详细内容]
接下来，说明被膜形成工序。如图3所示，在本实施方式中，被膜形成工序在保护层形成工序之后施行。
首先，将形成有保护层9的前面板2输送到真空装置内。然后，真空装置内被减压排气到1×10-2Pa左右。随后，导入使水形成气泡的氮气。氮气是通过使25℃的纯水中形成气泡而使其含有水分子直至露点温度例如成为15℃的25℃的氮气。真空装置的内压增压到例如0.1MPa左右。由此，真空装置内成为含有水分子的氮气气氛。接下来，真空装置内的温度升温，而在400℃下维持10分钟。由此，烧成前面板2。此时，保护层9被洁净化。在此，洁净化是指，使CO系的不纯物或CH系的不纯物等附着在保护层9的表面的不纯物脱离。为了使保护层9洁净化，优选在真空、氮气、氮和氧的混合气体、稀有气体等气体气氛下进行烧成。对于保护层9而言，即使在含有水分子的氮气、氮和氧的混合气体、稀有气体等气氛下进行烧成，也能够实现洁净化。因此，在本实施方式的被膜形成工序中，通过在含有水分子的氮气的气氛下进行前面板2的烧成，能够使保护层9洁净化。需要说明的是，前面板2的烧成温度优选维持在350℃以上500℃以下的温度范围内。若前面板2的烧成温度低于350℃，则保护层9的洁净化不充分，因此不优选。另外，若前面板2的烧成温度高于500℃，则由于前面玻璃基板3开始软化变形，因此不优选。
接下来，在保持烧成气氛的状态下直接使真空装置内的温度降温至200℃以下。在本实施方式中，真空装置内的温度降温至室温。于是，氮气中含有的水分子开始向保护层9表面吸附。此外，如图12所示，以覆盖保护层9整体的方式使水分子液相化而形成水分子或氢氧化物的被膜17。经过这些工序，向保护层9上形成水分子或氢氧化物的被膜形成工序结束。真空装置内的气氛只要为含有选自氮气、氮和氧的混合气体及稀有体中的至少一种及水分子的气氛即可。
[6-1.关于被膜除去方法]
若形成在保护层9上的水分子或氢氧化物的被膜17残留在PDP内，则产生使放电电压变动而造成保护层9的耐溅射性能劣化等不良状况。因此，在该PDP1的制造工序中需要在将放电气体封入之前除去被膜17。在本实施方式中，在密封排气工序中，使被膜17从保护层9脱离，将水分子从放电空间16排出。以下，对被膜除去的方法进行说明。
首先，在排列工序中，形成有被膜17的前面板2与背面板10对置配置。此时，前面板2和背面板10隔着设置在基板周边部的密封件对置配置，例如通过夹子等，临时固定而设置在密封炉内。在背面板10配置有通过排气孔能够与放电空间16导通的、例如由玻璃材料构成的排气管。排气管与面板内排气装置及放电气体导入装置相连。作为密封件，例如使用软化点温度为380℃的低熔点玻璃。
接下来，在密封排气工序中，通过对对置配置的前面板2和背面板10进行加热，使被膜17从保护层9脱离且使水分子从放电空间16排出。
首先，将密封炉的内部减压排气到1×10-2Pa左右。此时，由于背面板10和前面板2还未密封，使放电空间16内与密封炉内成为同一压力。
接着，在密封炉的内部继续排气的状态下，使密封炉升温到前面板2和背面板10为密封件的软化点温度380℃以下且为被膜17的脱离所需的例如330℃左右，在该温度下保持10分钟。由此，形成在保护层9上的被膜17作为水分子从保护层9的表面脱离而向放电空间16外排出。由于形成在保护层9的表面上的被膜17的吸附力比CO系的不纯物或CH系的不纯物的吸附力弱，因此能够以较低的温度进行脱离。
此外，在放电空间16内继续排气的状态下，使密封炉升温到前面板2和背面板10超过密封件的软化点温度即380℃的温度，例如420℃左右，并在该温度下保持10分钟左右。通过该工序中，使密封件充分熔融。然后，通过使其降温到密封件的软化点温度以下的例如300℃，从而进行将前面板2和背面板10密封的密封排气工序。
而且，在继续排气而使放电空间16内成为1×10-4Pa左右之后，通过放电气体导入装置向放电空间16导入放电气体。作为放电气体，以压力66.5kPa导入例如Ne和Xe的混合气体而将排气管密封，从密封装置取出前面板2和背面板10。
通过以上的工序，完成被膜17脱离的前面板2和背面板10被密封的PDP1。
[6-2.实验4]
接下来，对为了确认本实施方式的制造方法的效果而进行的实验结果进行说明。在形成保护层9之后，准备使前面板2的烧成气氛变化而形成的样品，对于这些样品，进行了升温脱离气体分析(Thermal DesorptionSpectroscopy：TDS)的测定。所准备的样品为实施例、比较例1及比较例2这3种样品。实施例是在保护层形成工序之后进行上述的被膜形成工序且然后暴露于大气中的样品。比较例1是在形成保护层9之后将暴露于大气中的前面板2在导入有氮气的真空装置内以400℃进行烧成，并在该气氛下直接降温到室温且随后暴露于大气中的样品。比较例2是形成保护层9后暴露于大气中的样品。需要说明的是，每一个样品的使其暴露的大气环境都为气温25℃、湿度40％的气氛下。
所述TDS的测定结果在图13中示出。图13表示质量数为44(CO2)的强度。对于TDS测定，使用WA1000S(电子科学株式会社制)。测定腔体内的压力为1×10-7Pa。测定样品切断成约1cm见方，以保护层9成为上方的方式配置在设置于腔体内的石英台上。作为测定装置的四极质量分析器(quadrupole mass spectrometer)设置在腔体的上方。样品通过红外线加热。升温速度为1℃/s。样品的温度由埋入石英台内的热电偶测定。样品从室温升温到600℃。通过四极质量分析器检测到的强度值的从室温到600℃的积分值为强度。
如图13所示，与比较例2的样品相比可知，实施例1及比较例1的样品的CO2脱离量大幅度降低。这表示，实施例及比较例1的保护层9表面被洁净化。即表示，即使在含有水分子的氮气的气氛下进行烧成也能够实现洁净化。另外可知，在实际的制造工序中使用的20℃左右到480℃左右的温度范围内，实施例的样品与比较例1的样品相比，CO2脱离量降低。这表示，被膜形成工序后的保护层9由于被被膜17所覆盖，从而即使暴露于大气中也可抑制CO系的不纯物或CH系的不纯物的附着。附着在保护层9上的CO系的不纯物或CH系的不纯物在放电时向放电空间16中脱离而成为二氧化碳(CO2)。由MgO、CaO、SrO、BaO构成的基底膜91与CO2反应，其表面容易变质，从而二次电子放出能力减小。因此，利用PDP1的寿命试验逐渐使维持电压上升。
然而，对于利用本实施方式的制造方法制作的PDP1而言，通过在洁净化的保护层9上形成被膜17，能够抑制在基底膜91上附着CO系的不纯物或CH系的不纯物。因此，对于本实施方式的基底膜91而言，即使长期使用也能够抑制二次电子放出能力的降低。因此，利用本实施方式的制造方法制作的PDP1能够抑制基底膜91的劣化，从而能够降低维持电压。
另外，对于利用本实施方式的制造方法制作的PDP1而言，通过在含有水分子的氮气的气氛下烧成形成有保护层9的前面板2，从而能够使保护层9洁净化，进而能够在保护层9表面形成水分子或氢氧化物的被膜17。即，本实施方式的制造方法能够同时进行使保护层9洁净化的工序和在保护层9的洁净化后不进行大气暴露而在保护层9表面形成被膜17的工序。因此，在这些工序间无需使基板的气氛变化，从而能够实现生产设备的简化。
而且，在本实施方式的制造方法中，通过在保护层9的洁净化后在保护层9表面形成被膜17，从而降低CO系的不纯物或CH系的不纯物的吸附。因此，能够减少CO系的不纯物或CH系的不纯物被带入放电空间16内的情况。由此能够抑制因CO系的不纯物或CH系的不纯物附着在保护层9上而导致保护层9变质的情况。另外，无需使基板的搬送气氛成为真空或者氮、氮和氧的混合气体或稀有气体等气体气氛，从而能够实现生产设备的简化。
另外，本实施方式的制造方法能够在前面板2与背面板10的密封排气工序中去除所形成的被膜17。因此，无需设置去除被膜17的工序，从而能够实现生产设备的简化。
需要说明的是，如图3所示，在本实施方式中，虽然被膜形成工序在保护层形成工序后进行，但是也可以在图10所示的保护层形成工序的基底膜蒸镀工序后、凝聚粒子膏剂涂敷工序前进行。通过在基底膜蒸镀工序后、凝聚粒子膏剂涂敷工序前进行被膜形成工序，从而能够进一步在保护层9上以良好的密合性附着凝聚粒子92。因此，保护层9的初始电子放出特性得到提高，而放电延迟被进一步减少。
[7.总结]
本实施方式的PDP1的制造方法包括以下的过程。在此，本实施方式的PDP1具备背面板10、在与背面板10之间设置有放电空间16而被密封的前面板2。前面板2具有电介体层8和覆盖电介体层8的保护层9。保护层9包括形成在电介体层8上的基底膜91。在基底膜91上遍及整面地分散配置有多个氧化镁的结晶粒子92a凝聚而成的凝聚粒子92。基底膜91至少包括第一金属氧化物和第二金属氧化物。而且，基底膜91在X射线衍射分析中具有至少一个峰值。基底膜91的峰值存在于第一金属氧化物的X射线衍射分析中的第一峰值与第二金属氧化物的X射线衍射分析中的第二峰值之间。第一峰值及第二峰值表示与基底层的峰值所示的面方位相同的面方位。第一金属氧化物及第二金属氧化物为从由氧化镁、氧化钙、氧化锶及氧化钡构成的组中选出的两种。
此外，在本实施方式的PDP1的制造方法中，将形成有保护层9的前面板2在含有从氮气、氮和氧的混合气体及稀有气体中选出的至少一种和水分子的气氛下、在350℃以上500℃以下的温度范围进行烧成。然后，在该气氛下降温到200℃以下而在保护层9的表面形成水分子或氢氧化物的被膜17。接着，将形成有被膜17的前面板2和背面板10对置配置。然后，通过将对置配置的前面板2和背面板10加热而使被膜17从保护层9脱离且使水分子从放电空间16排出。随后，将被膜17脱离了的前面板2和背面板10密封。
另外，在其他实施方式的PDP1的制造方法中，将形成有基底膜91的前面板2在含有从氮气、氮和氧的混合气体及稀有气体中选出的至少一种和水分子的气氛下、在350℃以上500℃以下的温度范围内进行烧成。然后，在该气氛下降温至200℃以下而在基底膜91的表面形成水分子或氢氧化物的被膜17。然后，将形成有被膜17的前面板2和背面板10对置配置。然后，通过将对置配置的前面板2和背面板10加热使被膜17从基底膜91脱离且使水分子从放电空间16排出。然后，将被膜17脱离的前面板2和背面板10密封。
利用以上的过程，本实施方式的PDP1的制造方法通过由具有低电压驱动和电荷保持这双重效果的基底膜91和具有放电延迟的防止效果的MgO的凝聚粒子92进行构成，作为PDP1整体，即使是高精细的PDP也能够以低电压实现高速驱动，并且能够实现抑制点灯不良的高品位的图像显示性能。另外，通过在保护层9或基底膜91上形成被膜17，能够抑制基底膜91的劣化，并且降低维持电压。
【产业上的可利用性】
以如上方式在本实施方式中公开的技术在实现具备高精细、高亮度的显示性能且电力消耗低的PDP方面是有用的。
【符号说明】
1 PDP
2前面板
3前面玻璃基板
4扫描电极
4a、5a透明电极
4b、5b总线电极
5维持电极
6显示电极
7黑条
8电介体层
9保护层
10背面板
11背面玻璃基板
12数据电极
13基底电介体层
14间隔壁
15荧光体层
16放电空间
17被膜
91基底膜
92凝聚粒子
92a结晶粒子

Claims (2)

1.一种等离子显示面板的制造方法，
该等离子显示面板具备：背面板、在与所述背面板之间设置放电空间而被密封的前面板，
所述前面板具有电介体层和覆盖所述电介体层的保护层，
所述保护层包括形成在所述电介体层上的基底层，
在所述基底层的整面上分散配置有多个氧化镁的结晶粒子凝聚而成的凝聚粒子，
所述基底层至少包括第一金属氧化物和第二金属氧化物，
而且，所述基底层在X射线衍射分析中具有至少一个峰值，
所述峰值存在于第一金属氧化物的X射线衍射分析中的第一峰值与第二金属氧化物的X射线衍射分析中的第二峰值之间，
所述第一峰值及所述第二峰值表示与所述峰值所示的面方位相同的面方位，
所述第一金属氧化物及所述第二金属氧化物为从由氧化镁、氧化钙、氧化锶及氧化钡构成的组中选出的两种，
在所述等离子显示面板的制造方法中，
将形成有所述保护层的所述前面板在含有从氮气、氮和氧的混合气体及稀有气体中选出的至少一种和水分子的气氛下，在350℃以上且500℃以下的温度范围内进行烧成，
然后，在所述气氛下降温至200℃以下而在所述保护层的表面形成水分子或氢氧化物的被膜，
接着，将形成有所述被膜的前面板和所述背面板对置配置，
接着，通过对对置配置的所述前面板和背面板加热使所述被膜从所述保护层脱离并使水分子从所述放电空间排出，
接着，将所述被膜脱离了的前面板和所述背面板密封。
2.一种等离子显示面板的制造方法，
该等离子显示面板具备：背面板、在与所述背面板之间设置放电空间而被密封的前面板，
所述前面板具有电介体层和覆盖所述电介体层的保护层，
所述保护层包括形成在所述电介体层上的基底层，
在所述基底层的整面上分散配置有多个氧化镁的结晶粒子凝聚而成的凝聚粒子，
所述基底层至少包括第一金属氧化物和第二金属氧化物，
而且，所述基底层在X射线衍射分析中具有至少一个峰值，
所述峰值位于第一金属氧化物的X射线衍射分析中的第一峰值与第二金属氧化物的X射线衍射分析中的第二峰值之间，
所述第一峰值及所述第二峰值表示与所述峰值所示的面方位相同的面方位，
所述第一金属氧化物及所述第二金属氧化物为从由氧化镁、氧化钙、氧化锶及氧化钡构成的组中选出的两种，
在所述等离子显示面板的制造方法中，
将形成有所述基底层的所述前面板在含有从氮气、氮和氧的混合气体及稀有气体中选出的至少一种和水分子的气氛下，在350℃以上且500℃以下的温度范围内进行烧成，
然后，在所述气氛下降温至200℃以下而在所述基底层的表面形成水分子或氢氧化物的被膜，
接着，在形成有所述被膜的基底层的表面分散配置所述凝聚粒子，
接着，将形成有所述被膜及所述凝聚粒子的前面板和所述背面板对置配置，
接着，通过对对置配置的所述前面板和背面板加热而使所述被膜从所述基底层脱离并使水分子从所述放电空间排出，
接着，将所述被膜脱离了的前面板和所述背面板密封。
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