CN101790769B - 等离子体显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种等离子体显示面板，它通过对荧光体层进行改质来抑制初始化亮点的发生，同时消除各色放电单元间的放电特性的差异，可望发挥优异的图像显示性能。提供除了解决上述存在问题外，在前面板侧也利用在放电空间发生的紫外线发光，促进可见光发光的发生，可望提高辉度的等离子体显示面板。具体地说，如下所述构成，即荧光体层(14)通过配设荧光体成分和氧化镁微粒群(16)而构成，上述氧化镁微粒群(16)主要配设在该荧光体层，为赋予二次电子发射特性而露出于层的内部以及面临放电空间的表面(140)。氧化镁微粒群(16)由具有以下结晶构造的氧化镁微粒(16a～16d)构成，该结构造是被由(100)面及(111)面构成的特定的2种取向面、或由(100)面、(110)面、(111)面构成的特定的3种取向面包围的结晶结构。
Description
技术领域
本发明涉及使用于各种显示器的等离子体显示面板及其制造方法。
背景技术
近年来，对以高清晰度电视、HD-TV为首的高精细、高品位、大画面电视机的期待越来越高，其中，等离子体显示面板(Plasma DisplayPanel，以下简称PDP)显示装置作为能够实现大型、薄型和轻量化的彩色显示装置很引人注目。
图16是作为一般的AC型PDP的放电单位的放电单元的结构的示意图。图16所示的PDP1x是将前面板2和后面板9相互贴合形成的。前面板2是在前面板玻璃3的一个面上并设多对将扫描电极5和维持电极4作为一对的显示电极对6，覆盖着该显示电极对6依序叠层形成电介质层7和保护层8。扫描电极5、维持电极4是分别将透明电极51、41和总线52、42叠层构成的。
电介质层7由玻璃软化点为约550℃～600℃左右范围的低熔点玻璃形成，具有AC型PDP特有的电流限制功能。
表面层8具有保护上述电介质层7和显示电极对6使其不受驱动时放电空间15发生的等离子体放电的离子的轰击，同时高效率地向放电空间15发射二次电子，使放电开始电压降低的作用。通常该表面层8使用二次电子发射特性、耐溅射性、光学透明性优异的氧化镁(MgO)材料构成，用真空蒸镀法或印刷法形成厚度为0.5微米～1微米左右的膜。还有，除了保护电介质层7和显示电极对6之外，与表面层8相同的结构，也有作为以确保二次电子发射特性为目的的保护层设置。
另一方面，后面板9在后面板玻璃10上并设写入图像数据用的多个数据(地址)电极11，以使其与所述前面板2的显示电极对6在正交方向上交叉。在后面板玻璃10，覆盖着数据电极11配设由低熔点玻璃构成的电介质层12。在电介质层12中与相邻的放电单元(图示省略)的边界上，由低熔点玻璃构成的规定高度的隔壁(凸棱)13组合形成“井”字形桁架等的图案部1231、1232，以将放电空间15加以划分。在电介质层12表面与隔壁13的侧面上，涂布包含R、G、B各色中的任一颜色的荧光体材料的荧光体墨液并加以烧结，形成荧光体层14(荧光体层14R、14G、14B)。
前面板2和后面板9配置为使显示电极对6与数据电极11隔着放电空间15相互正交，该两面板的周围被密封。这时在内部密封的放电空间15中以约数十kPa压力封入作为放电气体的Xe-Ne系或Xe-He系等的稀有气体。如上所述构成PDP1x。
作为该PDP1x的驱动方法，采用将一个场的图像分割为多个子场(S.F.)的灰度表现方式(例如场内时分割显示方式)。
在这里，在已有的PDP中存在如下所述的问题。
第1个问题是，发生初始化亮点的问题。
以往，在PDP的情况下，在各子场的初始化期间，为了把全部显示单元初始化，提高对比度，有必要稳定地进行被称为弱放电(初始化放电)的弱小放电。因此在PDP的情况下，通常把电压随时间推移缓慢倾斜地上下波动的灯波形施加于前面板侧的扫描电极与后面板侧的数据电极之间，使小放电电流恒定流动，以进行调节使弱放电稳定化。
但是，在初始化期间施加上升灯波形时发生的放电，是后面板侧的数据电极或二次电子发射系数小的荧光体侧形成阴极的放电，因此放电开始电压容易变高。因此有时候弱放电的发生不稳定，可能发生强放电。强放电是与图像无关的误放电(初始化亮点)，在画面上作为点状或线状的不需要的亮点发生，成为使图像显示性能显著降低的原因。
又，在PDP中，为了谋求提高辉度，有时候采取提高放电气体的组成中的Xe浓度的对策。但是这样提高Xe浓度时也有容易发生初始化亮点的问题。
第2个问题是，PDP的各色的放电单元相互之间二次电子发射特性存在差异的问题。
也就是说，在已有的PDP中，将组成不同的R、G、B中的任一颜色的荧光体材料使用于各色荧光体层的每一层，因此在颜色不同的放电单元相互之间，存在各荧光体材料的二次电子发射特性引起的放电特性差异。这样的差异会对整个面板的图像显示特性发生不良影响，因此存在应该对其加以改善的问题。
第3个问题是，对PDP进行驱动时，从放电气体产生的真空紫外光线的一部分被氧化镁层所吸收，存在不容易谋求提高辉度的问题。
也就是说，具有氧化镁构成的保护层的PDP，在驱动时从Ne-Xe系等放电气体发生的147nm和173nm的真空紫外光在放电空间中作为球面波发光。这样的球面波中，到达配设于后面板侧的荧光体层的真空紫外光被该荧光体层中的荧光体成分提供给用于发生可见光，而若被照射于荧光体层以外的真空紫外光能够对可见光的发生有贡献，则可望促进可见光高效率地发生，提高辉度。但是在前面板侧面对开阔的放电空间的所述保护层，与荧光体层无关地主要吸收真空紫外光。结果存在这样的问题，即照射于前面板侧的真空紫外光实质上在荧光体层不能够对可见光的发光作出贡献。
作为初始化亮点的对策，试图使二次电子发射系数γ比构成荧光体层的荧光体材料更高的颗粒状粉末附着于荧光体层，以改善发生初始化亮点的情况(专利文献1)。此外还尝试在电介质层上、或在真空蒸镀法或溅射法形成的氧化镁膜上，涂布气相氧化法制作的氧化镁微粒，用氧化镁微粒发射的紫外线使荧光体层发生可见光，以提高辉度(专利文献2)。
专利文献1：WO06/038654号公报
专利文献2：日本特开2006-59786号公报
但是，采用上述任何一种已有技术，实际上很难说能够有效抑制初始化亮点的发生，很难有效地解决在这个问题。
又，抑制初始化亮点的发生，同时谋求提高辉度，而且也将各色放电单元间放电特性的差异加以消除，这对于得到具有优异的图像显示性能的PDP是很重要的，但是也被认为是很难实现的。
这样，PDP的现状是，还存在一些应该解决的问题。
发明内容
本发明是鉴于上述存在问题而作出的，其第1个目的在于，提供通过对荧光体层进行改质，抑制初始化亮点的发生，同时能够消除各色放电单元间的放电特性的差异，可望得到优异的图像显示特性的等离子体显示面板及其制造方法。
又，本发明的第2个目的在于，提供除了能够解决上述问题之外，而且在前面板侧也能够利用放电空间发生的紫外线，促进可见光的发生，可望提高辉度的等离子体显示面板及其制造方法。
为了解决上述存在问题，本发明是一种具有如下所述结构的等离子体显示面板，即在一个面上形成荧光体层的第1基板，在所述一个面隔着放电空间与第2基板对向配置，该第1基板和第2基板的周围被密封，其特征在于，荧光体层包含荧光体成分、以及含有具有被(100)面和(111)面包围的结晶结构的氧化镁微粒的氧化镁微粒群，氧化镁微粒群配设于荧光体层中的该层内部、面临放电空间的表面、或背面基板侧的该层底部的至少任意一个区域。
在这里，也可以在第2基板的一个面上，在面临放电空间的表面区域，配设包含与所述氧化镁微粒具有相同的结晶结构的氧化镁微粒的氧化镁微粒群。
又，可以采用在第2基板的所述一个面上，配设多个电极和覆盖着该多个电极配设的电介质层，所述氧化镁微粒群为在所述电介质层表面直接配设或者隔着保护层配设的结构。
还可以采用如下所述结构，即本发明的氧化镁微粒具有六面体结构，而且至少具有一个截顶面。在这种情况下，氧化镁微粒其主要面具有(100)面，截顶面具有(111)面。
又，可以采用如下所述结构，即氧化镁微粒具有八面体结构，而且至少具有一个截顶面。在这种情况下，可以采用氧化镁微粒其主要面具有(111)面，截顶面具有(100)面的结构。
又，可以采用如下所述结构，即本发明的氧化镁微粒也可以是具有相当于(100)面的6个面、以及相当于(111)面的8个面的14面体。在这种情况下，也可以是氧化镁微粒其主要面具有(100)面，截顶面具有(111)面的结构。或者也可以是在这种情况下的氧化镁微粒其主要面具有(111)面，截顶面具有(100)面的结构。
而且本发明的等离子体显示面板又可以采用如下所述的结构，即一个面上形成荧光体层的第1基板，在所述一个面隔着放电空间与第2基板对向配置，该第1基板和第2基板的周围被密封，其特征在于，荧光体层包含荧光体成分、以及含有具备被(100)面、(110)面、和(111)面包围的结晶结构的氧化镁微粒的氧化镁微粒群，氧化镁微粒群配设于荧光体层中的该层内部、或面临放电空间的表面、或背面基板侧的该层底部的至少任意一个区域。
在这里，又可以在第2基板的一个面上，在面临放电空间的表面区域，配设包含与所述氧化镁微粒具有相同的结晶结构的氧化镁微粒的氧化镁微粒群。
又，可以采用如下所述结构，即在第2基板的所述一个面上，配设多个电极和覆盖着该多个电极配设电介质层，对所述电介质层表面直接配设、或隔着保护层配设所述氧化镁微粒群。
在这里，又可以采用如下所述结构，即本发明的氧化镁微粒具有六面体结构，而且具有至少一个截顶面和至少一个倾斜面。在这种情况下，也可以采用如下所述结构，即氧化镁微粒其主要面具有(100)面，截顶面具有(111)面、倾斜面具有(110)面。
或者，也可以采用如下所述结构，即本发明的氧化镁微粒具有八面体结构，而且具有至少一个截顶面和至少一个倾斜面。在这种情况下，也可以采用如下所述结构，即氧化镁微粒其主要面具有(111)面，截顶面具有(100)面、倾斜面具有(110)面。
也可以采用如下所述结构，即本发明的氧化镁微粒也能够是具有相当于(100)面的6个面、相当于(110)面的12个面、以及相当于(111)面的8个面的26面体。在这种情况下，也可以采用如下所述结构，即氧化镁微粒其主要面具有(111)面、倾斜面具有(110)面、截顶面具有(100)面。或者这种情况下的氧化镁微粒也可以采用如下所述结构，即其主要面具有(100)面、倾斜面具有(110)面、截顶面具有(111)面。
还有，最好是本发明中的氧化镁微粒是作为氧化镁前体的烧成生成物而构成。而且该氧化镁微粒其初级颗粒的粒径以300nm以上为宜。还有，该氧化镁微粒的BET值为2.0m2以下是理想的。
具有如上所述结构的本发明的PDP，在驱动时放电空间发生的紫外线一旦到达荧光体层，则充填于荧光体颗粒的间隙中的具有特定取向面的氧化镁微粒受到该紫外线的照射，发挥优异的二次电子发射特性。由此，在初始化期间，从荧光体层向放电空间发射出充裕的二次电子，弱放电平稳发生。借助于此，能够实现理想的弱放电，抑制不需要的强放电(初始化亮点)的发生。
又，本发明的氧化镁微粒由于伴随放电发生紫外线，因此荧光体除了受到放电空间发生的紫外线的照射外，还受到荧光体层中的氧化镁微粒产生的紫外线的照射而被激发，能够高效率地产生可见光。在这里，在荧光体层中，借助于围绕荧光体颗粒周围的氧化镁微粒，能够从其周围高效率地激发荧光体颗粒，而且能够防止漫反射，合适地反射可见光，因此可望实现高辉度可见光的发光。
还有，与荧光体相比，本发明的氧化镁微粒具有足够高的二次电子发射特性，因此通过将其配设于荧光体层，能够使各色荧光体层的各荧光体成分造成的放电特性差异相对减小。其结果是，能够使整个PDP的各色放电单元间放电特性大致一致，能够实现稳定的图像显示性能。
而且在本发明中，还通过在前面板(第2基板)侧配设氧化镁微粒群，荧光体层中的荧光体受到放电空间中发生的球面波紫外线照射而被直接激发，此外也受到从该球面波紫外线照射激发的后面板侧和前面板侧的氧化镁微粒来的紫外线的照射，因此受到更高效率的激发。其结果是，在荧光体层发生充裕的可见光，而且能够以高辉度实现良好的图像显示性能。
还有，在本发明的上述氧化镁微粒群的说明中，所谓在上述氧化镁微粒群中“包含”具有特定取向面的氧化镁微粒是指，在氧化镁微粒群中也包含具有上述氧化镁微粒以外的结晶结构的氧化镁微粒。在这里，可以认为，本发明的氧化镁微粒在氧化镁微粒群中包含的比例越大，则能够得到本发明的更好的效果。
附图说明
图1是表示本发明实施形态1的PDP的结构的剖面图。
图2是表示各电极与驱动器的关系的示意图。
图3是表示PDP的驱动波形例的图。
图4是表示氧化镁微粒的形状的图。
图5是表示氧化镁微粒的变化的形状的图。
图6是表示氧化镁微粒的形状的照片。
图7是表示氧化镁微粒的发光波长与发光强度的关系的曲线图。
图8是表示氧化镁微粒的CL测定波形的曲线图。
图9是表示氧化镁微粒的BET值与频度的关系的图。
图10是表示本发明实施形态2的PDP的结构的剖面图。
图11是表示本发明实施形态3的PDP的结构的剖面图。
图12是表示本发明实施形态4的PDP的结构的剖面图。
图13是表示整个荧光体层中的氧化镁重量浓度与辉度的关系的图。
图14是表示实施例和比较例的PDP的初始化亮点有无发生的图。
图15是表示实施例和比较例的PDP的辉度的图。
图16是表示已有的一般的PDP的结构的组图。
符号说明
1、1a、1b、1c、1x PDP
2 前面板
3 前面板玻璃
4 维持电极
5 扫描电极
6 显示电极对
7、12 电介质层
8 表面层
9 后面板
10 后面板玻璃
11 数据(地址)电极
13 隔壁
14 荧光体层
15 放电空间
16、16X、16Y MgO 微粒群
16a 具有被特定的2种取向面包围的结晶结构的氧化镁微粒
16b 具有被特定的2种取向面包围的结晶结构的氧化镁微粒
16c 具有被特定的3种取向面包围的结晶结构的氧化镁微粒
16d 具有被特定的3种取向面包围的结晶结构的氧化镁微粒
16a1、16a2 具有被特定的2种取向面包围的结晶结构的氧化镁微粒的变化
16b1、16b2 具有被特定的2种取向面包围的结晶结构的氧化镁微粒的变化
16c1 具有被特定的3种取向面包围的结晶结构的氧化镁微粒的变化
16d1 具有被特定的3种取向面包围的结晶结构的氧化镁微粒的变化
17 保护层
140 荧光体层的表面
具体实施方式
下面对本发明的各实施形态和实施例进行说明，当然本发明不限于这些形式，在不超出本发明的技术范围的范围内可以在适当变更后实施。
实施形态1
PDP的结构例
图1是本发明实施形态1的PDP1的沿xz平面的模式性剖面图。该PDP1除了保护层周边的结构外，总体说来与以往的结构(上述图16)相同。
还有，在图1中，为了说明方便，将配设于荧光体层14内部的氧化镁微粒群16的粒径模式性地表示得比实际尺寸大。
PDP1在这里采用42英寸级的NTSC标准的例子的AC型，但是本发明当然也可以使用于XGA、SXGA等其他标准的例子。具有HD(HighDefinition，高清晰)以上的分辨率的高精细PDP，以例如下述标准为例。面板尺寸为37、42、50英寸各种尺寸的情况下，依序可以设定为1024×720(像素数目)、1024×768(像素数目)、1366×768(像素数目)。此外，还可以包含比该HD面板更高分辨率的面板。作为具有HD以上的分辨率的面板，可以包含具备1920×1080(像素数目)的全HD面板。
如图1所示，PDP1的结构分为将主面对向对置配设第1基板(后面板9)以及第2基板(前面板2)。
在作为前面板2的基板的前面板玻璃3，形成多对在其一主面上保持规定的放电间隙(75微米)配设的成对的显示电极对6(扫描电极5、维持电极4)。各显示电极对6是对于氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、二氧化锡(SnO2)等透明导电材料构成的带状透明电极51、41(厚度0.1微米、宽大150微米)叠层由银厚膜(厚度2微米～10微米)、铝薄膜(厚度0.1微米～1微米)或Cr/Cu/Cr叠层薄膜(厚度0.1微米～1微米)等构成的总线52、42(厚度7微米、宽度95微米)而构成。借助于该总线52、42，使透明电极51、41的薄片电阻(sheet resistance)下降。
在这里，所谓「厚膜」是指利用各种厚膜法形成的膜，其中，所述厚膜法是指涂布包含导电性材料的导电膏等之后进行烧成形成的方法。又，所谓「薄膜」是指利用包含溅射法、离子电镀法(ion plating)、电子束蒸镀法等的使用真空工艺的各种薄膜法形成的膜。
在配设有显示电极对6的前面板玻璃3，在其整个主面，利用网板印刷方法等形成以氧化铅(PbO)、三氧化二铋(Bi2O3)或四氧化磷(PO4)为主成分的低熔点玻璃(厚度35微米)的电介质层7。
电介质层7具有AC型PDP特有的电流限制功能，是与DC型PDP相比实现长寿命化的要素。
在电介质层7的放电空间15侧的面上配设表面层8。表面层8是为了保护电介质层7免受放电时的离子轰击，以降低放电开始电压为目的而配设的薄膜，由耐溅射性和二次电子发射系数γ优异的氧化镁材料构成，在电介质层7上利用真空蒸镀法、离子电镀法等公知的薄膜成形法形成厚度约1微米左右的薄膜。还有，该表面层8的材料不限于氧化镁，也可以是包含从氧化镁、氧化钙、氧化钡以及氧化锶中选出的至少一种金属氧化物而形成的结构。
在作为后面板9的基板的后面板玻璃10上，在其一主面上设置由银厚膜(厚度2微米～10微米)、铝薄膜(厚度0.1微米～1微米)或Cr/Cu/Cr叠层薄膜(厚度0.1微米～1微米)等中的任意一种构成的数据电极11，其宽度为100微米，以x方向为长边方向，在y方向上以每一定间隔(360微米)并排配设成条纹状。然后，在后面板玻璃9的整个面上，内包各数据电极11配设厚度30微米的电介质层12。
在电介质层12上还对应于相邻的数据电极11的间隙配设“井”字形桁架状的隔壁13(高度约110微米，宽度约40微米)，区隔放电单元，起着防止发生误放电和光学性串扰的作用。
在相邻的两个隔壁13的侧面与其间的电介质层12的面上，形成与彩色显示用的红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)中的任一颜色对应的荧光体层14。在各种荧光体层的组成中，蓝色荧光体(B)能够利用已知的BAM:Eu，红色荧光体(R)能够利用(Y、Gd)BO3:Eu或Y2O3:Eu等，绿色荧光体(G)能够利用Zn2SiO4:Mn、YBO3:Tb以及(Y、Gd)BO3:Tb等。
荧光体层14包含上述荧光体成分、以及氧化镁微粒群16，其中，在该荧光体层主要为了赋予其二次电子发射特性，使氧化镁微粒群16处于层的内部和露出于面临放电空间15的表面140。在这里，作为本实施形态的特征，氧化镁微粒群16包含具有被由(100)面以及(111)面构成的特定的2种取向面、或由(100)面、(110)面、以及(111)面构成的特定的3种取向面包围的结晶结构的各氧化镁微粒16a～16d(图4(a)～(d))。关于该氧化镁微粒16a～16d将在下面详细叙述。
还有，电介质层12并不是必须的，也可以直接用荧光体层14内包数据电极11。
前面板2与后面板9对向配置并且使得数据电极11的长边方向与显示电极对6的长边方向正交，两面板2、9的外周边缘部用玻璃料(glassfrit)密封。在两面板2、9之间以规定的压力封入包含He、Xe、Ne等惰性气体成分构成的放电气体。
隔壁13之间是放电空间15，相邻的一对显示电极对6和一个数据电极11夹着放电空间15交叉的区域与涉及图像显示的放电单元(也称为“子像素”)对应。放电单元的间距为x方向675微米，y方向300微米。由对应于相邻的RGB各色的三个放电单元构成一个像素(675微米×900微米)。
在扫描电极5、维持电极4、以及数据电极11的各个上，如图2所示，在面板xy方向端部附近，作为驱动电路，电气连接扫描电极驱动器111、维持电极驱动器112、数据电极驱动器113。在这里，维持电极4都连接于维持电极驱动器112，各扫描电极5与各数据电极11分别独立地连接于扫描电极驱动器111或数据电极驱动器113。
PDP的驱动例
上述结构的PDP1在驱动时借助于包含各驱动器111～113的公知的驱动电路(未图示)，对各显示电极对6的间隙施加数十kHz～数百kHz的AC电压。借助于此，使得任意放电单元内发生放电，包含激发的Xe原子产生的以波长147nm为主体的谐振线(resonance lines)和激发的Xe分子产生的以波长173nm为主体的分子射线(molecular lines)的紫外线(图1的虚线和箭头)照射于荧光体层14。荧光体层14受到激发产生可见光。然后，该可见光透过前面板2向前面发光。
作为这种驱动方法的一个例子，采用场内时分灰度显示方式。该方式将显示的场分为多个子场(S.F.)，再将各子场分为多个期间。一个子场再分割为(1)使全部放电单元为初始化状态的初始化期间、(2)对各放电单元进行寻址，选择与输入数据对应的显示状态并将其输入各放电单元的写入期间、(3)使处于显示状态的放电单元发光显示的维持期间、(4)消除由维持放电形成的壁电荷的消除期间这四个期间。
在各子场中，在初始化期间将整个画面的壁电荷用初始化脉冲复位后，在写入期间进行只使应该点亮的放电单元积蓄壁电荷的写入放电，在其后的放电维持期间对所有的放电单元一齐施加交流电压(维持电压)，以此在一定时间进行维持放电以进行发光显示。
在这里，图3是场中的第m号子场的驱动波形例。如图3所示，对各子场分别分配初始化期间、寻址期间、维持期间、消除期间。
所谓初始化期间是为了防止其之前的放电单元点亮产生的影响(积蓄的壁电荷造成的影响)，而对整个画面进行壁电荷消除(初始化放电)的期间。图3所示的驱动波形的例子中，对扫描电极5施加比数据电极11与维持电极4高的电压(初始化脉冲)，使放电单元内的气体放电。以此发生的电荷积蓄于放电单元的壁面上，抵消数据电极11、扫描电极5以及维持电极4之间的电位差，因此在扫描电极5附近的表面层8和氧化镁微粒群16的表面上作为壁电荷积蓄了负电荷。又在数据电极11附近的荧光体层14表面和维持电极4附近的表面层8以及氧化镁微粒群16的表面上，作为壁电荷积蓄了正电荷。利用该壁电荷，在扫描电极5-数据电极11之间、扫描电极5-维持电极4之间产生规定值的壁电位。
寻址期间(写入期间)是进行根据分割为子场的图像信号选择的放电单元的寻址(点亮/不点亮的设定)的期间。在该期间，使放电单元点亮的情况下，在扫描电极5上施加比数据电极11和维持电极4低的电压(扫描脉冲)。也就是说，在扫描电极5-数据电极11上与所述壁电位同方向地施加电压，同时在扫描电极5-维持电极4之间与壁电位同方向地施加数据脉冲，使得发生寻址放电(写入放电)。借助于此，在荧光体层14表面、维持电极4附近的表面层8、以及氧化镁微粒群16的表面上积蓄负电荷，在扫描电极5附近的表面层8和氧化镁微粒群16的表面上积蓄作为壁电荷的正电荷。用以上方法在维持电极4-扫描电极5之间产生规定值的壁电位。
维持期间是为了确保与灰度对应的辉度，将利用写入放电设定的点亮状态扩大，维持放电的期间。在这里，在存在上述壁电荷的放电单元，以互不相同的相位在一对扫描电极5和维持电极4上分别施加维持放电用的电压脉冲(例如约200V的矩形波(rectangular)电压)。借助于此，对于写入显示状态的放电单元，每当电压极性发生变化，就使得发生脉冲放电。
借助于该维持放电，放电空间15中的激发的Xe原子发射147nm的谐振线，激发的Xe分子发射以173nm为主体的分子线。该谐振线、分子线照射于荧光体层14表面，形成可见光的显示发光。然后，借助于RGB各色的以子场为单位的组合，实现多颜色、多灰度的显示。还有，在表面层8中没有写入壁电荷的非放电单元中，不发生维持放电，显示状态为黑显示状态。
在消除期间，对扫描电极5施加渐减型的消除脉冲，以此消除壁电荷。
氧化镁微粒的构成
图4是表示氧化镁微粒群16中包含的各氧化镁微粒的形状的示意图。氧化镁微粒群16是将氧化镁前体烧成而得到的，主要包含4种形状的微粒16a、16b、16c、16d。
微粒16a、16b如图4(a)、(b)所示，分别具有被由(100)面以及(111)面两个面构成的特定的2种取向面包围的NaCl结晶结构。
微粒16c、16d如图4(c)、(d)所示，分别具有被由(100)面、(110)面、(111)面三个面构成的3种特定的取向面包围的NaCl结晶结构。
在这里，图6(a)～(d)是依序分别表示实际制作的氧化镁微粒16a、16b、16c的形状和作为已有技术的例子用气相氧化法制作的氧化镁微粒的形状的电子显微镜照片。如该图所示，前面的图4所示的各微粒16a、16b、16c、16d各自的形状只不过是一个例子而已，实际上还含有有比图示的形状更有一些畸变的形状的颗粒。
图4(a)所示的氧化镁微粒16a是以六面体作为基本结构，通过切除其各顶点而形成截顶面82a的14面体。存在6个面的8角形的主要面81a相当于(100)面，存在8个面的三角形截顶面82a相当于(111)面。
其次，图4(b)所示的氧化镁微粒16b是以八面体作为基本结构，通过切除其各顶点而形成截顶面81b的14面体。存在8个面的6角形的主要面82b相当于(111)面，存在6个面的四角形的截顶面81b相当于(100)面。
在这里所谓主要面是指在上述六面体或八面体中具有持有相同Miller指数(Millerindex)的面的面积的总和为最大的Miller指数的面。而所谓截顶面是指切除多面体的顶点而形成的面。
在这里，图4中，作为一个例子，在氧化镁微粒16a的情况下，相对于该微粒的总体面积，(100)面所占的比例定为50％以上98％以下。另一方面，在氧化镁微粒16b的情况下，所述比例定为30％以上50％以下。
又，图4(c)所示的氧化镁微粒16c是通过切除在16b中相邻的(111)面的边界而形成了倾斜面83c的26面体。由此，在氧化镁微粒16c的情况下，成为具有存在6个面的八角形的(100)面构成的截顶面81c、存在8个面的六角形的(111)面构成的主要面82c、存在12个面的四角形的(110)面构成的倾斜面83c的26面体。
又，图4(d)所示的氧化镁微粒16d是通过切除在16a中相邻的(100)面的边界而形成了倾斜面83d的26面体。由此，在氧化镁微粒16d的情况下，成为具有存在6个面的八角形的(100)面构成的主要面81d、存在8个面的六角形的(111)面构成的截顶面82d和存在12个面的四角形的(110)面构成的倾斜面83d的26面体。还有，因烧成的条件不同，有时候(100)面或(110)占有的面积很大，这时(100)面或(110)面成为主要面。
在这里，所谓「倾斜面」是指在26面体中通过切除作为连接两个顶点的线条的边而形成的面。
图5是表示上述氧化镁微粒16a～16d的变化的形状的图。
氧化镁微粒16a只要是具有六面体结构，而且至少形成有一个截顶面即可。例如，也可以采取像图5(a)所示的氧化镁微粒16a1那样只存在一个截顶面的结构和像图5(b)所示的氧化镁微粒16a2那样只存在两个截顶面的结构。这时，截顶面相当于(111)面，主要面相当于(100)面。还有，所谓具有六面体结构，而且至少形成有一个截顶面，换句话说也可以说成是具有7个面以上的多面体，并且至少有一个面是截顶面的结构。
氧化镁微粒16b只要具有八面体结构，而且至少形成有一个截顶面即可。例如像图5(c)所示的氧化镁微粒16b1那样，可以采取只存在一个截顶面的结构，或像图5(d)所示的氧化镁微粒16b2那样，只存在两个截顶面的结构。这时截顶面相当于(100)面，主要面相当于(111)面。还有，所谓具有八面体结构而且至少形成有一个截顶面，换句话说也可以说成是具有9个面以上的多面体并且至少一个面是截顶面的结构。
氧化镁微粒16c只要是具有八面体结构，而且至少形成有一个截顶面并且形成有至少一个倾斜面即可。例如也可以采用像图5(e)所示的氧化镁微粒16c1那样，相对于6个截顶面、只存在一个倾斜面的结构。这时，主要面相当于(111)面，截顶面相当于(100)面，倾斜面相当于(110)面。还有，所谓具有八面体结构并且形成有至少一个截顶面而且至少一个倾斜面，也可以说成是具有10个以上的面的多面体，并且具有至少一个面为截顶面，而且至少一个面为倾斜面的结构。
氧化镁微粒16d只要是具有六面体结构，而且至少形成有一个截顶面，并且至少形成有一个倾斜面即可。例如可以采用像图5(f)所示的氧化镁微粒16d1那样，相对于8个截顶面，只存在一个倾斜面的结构。这时，主要面相当于(100)面，截顶面相当于(111)面，倾斜面相当于(110)面。还有，所谓具有六面体结构，并且至少形成有一个截顶面，而且至少形成有一个倾斜面，也可以说成是具有8个以上的面的多面体，至少1个面是截顶面，而且至少1个面是倾斜面的结构。
还有，本发明的氧化镁结晶颗粒不是像已有的前体烧成法制造的氧化镁微粒那样的，特定的边比其他边长的扁平形状的板状体，而是像图4、5各图所示，具有边的长度基本上都在规定的范围内的6面体或8面体结晶形状。
在PDP1中，在荧光体层14上配设氧化镁微粒群16时，使用具有由(100)面和(111)面构成的特定的2种取向面包围的NaCl结晶结构的氧化镁微粒16a、16b、以及具有由(100)面、(110)面和(111)构成的特定的3种取向面包围的NaCl结晶结构的氧化镁微粒16c、16d。在PDP1中，将这样包含具有特定的2种取向面以及特定的3种取向面的氧化镁微粒16a～16d的氧化镁微粒群16分散配置于荧光体层14的层内部，可以期待发挥各取向面的特性，而且可望能够实现各特性相互补充的效果。
具体地说，(100)面相当于上述3个取向面中原子最密集的面(最稠密的面)，表面自由能最低。因此在低温时和常温以上的高温的广大温度区域不容易吸附杂质气体(水、烃、二氧化碳等)，不容易产生不需要的化学反应。因此，利用(100)面的特性，即使是在被认为特别是杂质气体的吸附影响大的低温区域，也能够期望有良好的化学稳定性(例如，表面技术Vol.41.No.4199050页)。从而，如果将具有(100)面的氧化镁使用于PDP，则在低温时和常温以上的高温的广大的温度区域，能够防止放电空间15内部的杂质气体(特别是二氧化碳)的吸附，能够维持二次电子发射特性(J.Chem.Phys.Vol.103.No.83240-32521995)。
在这里，(100)面在低温时和常温以上的高温的广大温度区域电子发射的绝对量小。因此，如果使氧化镁微粒的取向面只取决于(100)面，则二次电子发射特性不会好，可能发生初始化亮点。
但是，该问题通过在氧化镁微粒中进一步并用(111)和(110)面能够得到抑制。(111)面是在从低温到高温的广大温度区域能够发挥良好的电子发射特性，特别是在常温以上温度能够发挥良好的电子发射特性的结晶面。因此，特别是在常温以上的温度范围具有能够抑制初始化亮点的发生的效果。又，(110)面在从低温到高温的广大温度区域能够发挥优异的电子发射特性，因此能够利用丰富的电子更有效地防止初始化亮点的发生。
如上所述，通过各取向面之间特性相互弥补，能够良好地防止在PDP1发生初始化亮点。
如上所述，在PDP1中，通过将(100)面、以及(111)面包围形成的氧化镁微粒16a、16b，或(100)面、(111)面、以及(110)面包围形成的氧化镁微粒16c、16d，或该氧化镁微粒16a～16d混合使用，能够得到高的二次电子发射效果，特别是借助于从荧光体层14发射丰富的电子，可望能够防止初始化亮点的发生。
PDP1发挥的各主要效果具体汇总如下。
第一，在驱动时，在放电空间15发生的波长为147nm或173nm的紫外线一旦到达荧光体层14，充填于荧光体颗粒的间隙间的氧化镁微粒16a～16d接收该紫外线，发挥二次电子发射特性。在这里，在氧化镁微粒16a～16d的情况下，利用特定的2种以及特定的3种取向面，与上述已有技术相比，具有特别优异的二次电子发射特性，在从低温到高温的广大的温度区域，向放电空间15发射丰富的2次电子。
从而，如果利用该特性，在初始化期间在扫描电极4与数据电极11之间施加灯波形(图3)的电压时，利用从荧光体层14向放电空间15发射的丰富的2次电子，能够使理想的弱放电平稳发生。
因此，能够抑制肉眼能够确认的不想要的强放电(初始化亮点)的发生，使弱放电顺利进行，所以能够有效地防止初始化亮点造成的图像显示性能的下降。从而，在PDP结构上，如即使是在施加灯波形电压时施加使数据电极侧成为阴极的波形，也能够不提高放电开始电压Vf而以与以往相同的值使弱放电发生。这样的效果在PDP的环境温度从低温到比较高的温度的情况下，在任何温度区域都能够得到很好发挥。
这样，本发明不但对于防止初始化亮点的发生有很好的效果，而且也很容易实现。
还有，在氧化镁微粒的尺寸比较小的情况下或占微粒全体的表面积的比例较小的情况下，有时候不能够充分发挥与各面对应的上述放电特性。如下所述，用气相氧化法制作的氧化镁微粒，其粒径有较大波动，因此具有不足300nm粒径的微粒尽管由(100)面构成，可能成为在PDP中发生初始化亮点或放电滞后的原因。但是，用前体烧成法制作的氧化镁微粒16a～16d粒径均匀，几乎全部的微粒作为一次粒子具有300nm以上的粒径。因此，氧化镁微粒16a～16d几乎全部微粒能够发挥与各取向面对应的放电特性，因此能够回避气相氧化法制作的氧化镁微粒的问题，均匀地得到特别优异的抑制初始化亮点的效果。
第二，通过在荧光体层14中混入氧化镁微粒16a～16d，能够谋求提高荧光体颗粒发射可见光的发光效率。也就是说，在放电空间15发生的波长147nm或173nm的真空紫外光一旦到达荧光体层中的氧化镁微粒16a～16d，该氧化镁微粒16a～16d就受到激发，发射出上述二次电子，同时自己也发生200nm～300nm左右的波长范围的紫外线(参照下述图8)。
荧光体成分为了能够同时接收来自放电空间15的真空紫外光和来自氧化镁微粒16a～16d的紫外线，活跃地进行可见光变换过程。特别是在荧光体层14中，由于围绕着荧光体颗粒的周围存在氧化镁微粒16a～16d，可望以更高的效率从其周围激发荧光体颗粒。其结果是，借助于优异的可见光发光效率，能够实现高辉度发光。又，200nm～300nm左右的波长范围的紫外线，与波长147nm或173nm的真空紫外光相比，氧化镁的能量变换效率更高，能够促进活泼的二次电子发射。这样的氧化镁微粒16a～16d产生的荧光体颗粒的紫外线激发作用在具有特有的CL特性的本发明的氧化镁微粒16a～16d中特别能够高效率得到。
第三，氧化镁微粒16a～16d与荧光体成分相比，具有高得多的二次电子发射特性，因此各色荧光体层14中的各荧光体成分引起的放电特性偏差相对地变得比较不显眼。其结果是能够使PDP全体的放电单元具有大致相同的放电特性，能够实现稳定的图像显示性能。
若如上所述采用本发明，通过将氧化镁微粒16a～16d配设于荧光体层14，能够同时实现抑制初始化亮点的发光、提高荧光体发射可见光的发光量、以及防止各色荧光体层间的发光强度偏差的效果，能够期待得到比以往的结构大大优异的图像显示性能。
关于氧化镁微粒的阴极发光特性
图7(a)、(b)表示对用以往的气相氧化法制作的氧化镁微粒(比较例)和本发明的特定的2种取向面或特定的3种取向面包围的氧化镁微粒16a、16b、16c、16d(实施例)进行的，阴极发光(CL)测定的结果。
如图7(a)所示，实施例和比较例的氧化镁微粒具有在CL光谱中都是在200nm～500nm附近的宽波长区域存在波峰(peak)的发光光谱。
其中，在实施例中，如图7(b)所示，在CL光谱中，在200nm～300nm附近可以确认有极大的波峰存在。该200～300nm附近波长的光在PDP放电时也发生。该极大的波峰在用气相氧化法制造的比较例的氧化镁微粒中没有被确认。
实施例是在具有这样的极大波峰的200～300nm附近波长区域中放电时发出的光线的能量大约为5eV的示例。图7中的实施例的氧化镁微粒借助于该能量可以在能级(energy level)中激发从真空能级(vacuumlevel)起5eV以内存在的氧化镁的电子，使其作为二次电子向放电空间发射。
另一方面，如实施例所示，用前体烧成法制造的氧化镁微粒与气相氧化法制作的比较例的氧化镁微粒相比电子发射性能更好，这一点从本申请的发明人的其他研究中也得到证实。从而，在CL光谱中的200nm～300nm的波长区域确认有无极大波峰是关于氧化镁微粒的电子发射特性的有效评价指针。从而，将这一点作为根据，可以确认用前体烧成法制作的本发明的氧化镁微粒与气相氧化法制作的氧化镁微粒相比具有更高的电子发射性能。
在本发明中，通过将二次电子发射特性优异的氧化镁微粒16a～16d配设于荧光体层14，能够在驱动时从荧光体层向放电空间15良好地发射二次电子。其结果是，能够平稳地产生初始化期间的弱放电，能够改善初始化亮点发生的情况。
而且由于氧化镁微粒16a～16d与荧光体成分相比，具有高得多的二次电子发射特性，因此由各色荧光体层14中各荧光体成分引起的放电特性波动相对较不明显。其结果是，能够使全体PDP的放电单元放电特性大致一致，可以期待能够实现PDP1的稳定性良好的图像显示性能。
根据以上所述，可以认为，在配设有CL测定中被检测出深紫外光(DUV)的、由特定的2种取向面或特定的3种取向面包围的氧化镁微粒16a、16b、16c、16d的PDP中，由此在放电时发生200～300nm左右波长的光。
在这里，对本实施形态1中的氧化镁微粒16a、16b、16c、16d在各结晶结构中能够取得的各结晶面的面积比例进行说明。
根据发明人的研究，在PDP中，为了有效地取得上述效果，最好是有如下所述的面积比例。
氧化镁微粒16a的表面中的(100)面在氧化镁微粒16a的全部表面中占有的面积比例最好是50％以上、98％以下范围。
氧化镁微粒16b的表面中的(100)面在氧化镁微粒16b全部表面中占有的面积比例最好是30％以上、50％以下范围。
氧化镁微粒16c的表面中的(111)面在氧化镁微粒16c的全部表面中占有的面积比例最好是10％以上、80％以下范围。
同样，氧化镁微粒16c的表面中的(100)面在氧化镁微粒16c的全部表面中占有的面积比例最好是5％以上、50％以下范围。
还有，氧化镁微粒16c的表面中的(110)面在氧化镁微粒16c的全部表面中占有的面积比例最好是5％以上、50％以下范围。
氧化镁微粒16d的表面中的(111)面在氧化镁微粒16d的全部表面中占有的面积比例最好是10％以上、40％以下范围。
同样，氧化镁微粒16d的表面中的(100)面在氧化镁微粒16d的全部表面中占有的面积比例最好是40％以上、80％以下范围。
还有，氧化镁微粒16d的表面中的(110)面在氧化镁微粒16d的全部表面中占有的面积比例最好是10％以上、40％以下范围。
氧化镁微粒发生的紫外线发光的确认
对本发明的用前体烧成法制作的氧化镁微粒利用波长173nm的真空紫外光激发时发生的紫外线发光进行实际测定加以确认。在图8中表示利用该实验测定的发光光谱。
如该图所示，在该氧化镁微粒中，可以确认在200nm～300nm的波长区域具有极大波峰的发光强度的紫外线的波形。可知，在该氧化镁微粒中，即使是利用波长147nm的真空紫外光激发的情况下，也能够得到同样的紫外线发光。
通过将具有这样性质的氧化镁微粒16a～16d配设于荧光体层，利用PDP面板中的Xe气体发生的波长147nm或173nm的真空紫外光激发氧化镁微粒16，使其发出波长200～300nm的紫外光。借助于此，能够激发构成荧光体层的荧光体材料，使辉度得到提高。
还有，这样的紫外线发光在用已有的气相氧化法制作的氧化镁微粒中几乎没有发现，或是只有停留在相当低的发光量。因此即使是将已有技术制造的氧化镁微粒混在荧光体层中，也不能够期待其对荧光体发射可见光起有效作用。
关于比表面积
对关于本发明的氧化镁微粒，将氧化镁前体在700℃以上不足2000℃的温度范围内进行烧成制作本发明的氧化镁微粒，并测定BET值的频度。图9表示其测定结果。
比表面积(BET值)的测定基于BET法，使氧化镁微粒表面吸附已知吸附占有面积的气体分子(N2)，从其吸附量求比表面积。
如该图所示，本发明的氧化镁微粒的BET值因氧化镁前体的种类和烧成概况、烧成气氛等各条件而有所变化，但是大概集中于1.0m2/g到2.0m2/g范围，大部分在1.0m2/g以上到1.6m2/g以下范围内。
另一方面，气相氧化法制作的氧化镁微粒其BET值为7.0m2/g左右。
这样，可以确认用前体烧成法制作的氧化镁微粒具有比用气相氧化法制作的氧化镁微粒比表面积小的性质。由于这一特征，本发明的氧化镁微粒与放电空间15中的不要的气体接触的面积比以往减小，因此能够抑制气体吸附量，是被认为能够实现随时间变化小的吸附性小的材料。
实施形态2
下面对本发明实施形态2，以与实施形态1的不同点为中心进行说明。图10是表示实施形态2的PDP1a的剖面图。
PDP1a的特征在于，在前面板2的表面层8上配设氧化镁微粒群16X，利用表面层8与氧化镁微粒群16X的叠层结构形成保护层17。氧化镁微粒群16X与16一样形成包含氧化镁微粒16a～16d的结构。
采用具有这样的结构的PDP1a，除了可以希望具有与PDP1相同的效果外，利用氧化镁微粒群16X的配设，可以希望有更高的初始化亮点抑制效果，而且可以期望能够提高PDP整体的辉度。
也就是说，在已有的PDP的情况下，在放电空间利用放电气体发生的作为球面波的波长为147nm或173nm的真空紫外光，在前面板侧的由氧化镁构成的保护层中实质上对发射可见光没有任何贡献，就被该保护层吸收。因此，球面波的真空紫外线中，仅到达荧光体层的一部分紫外线被提供给荧光体用于可见光的发光，照射到前面板侧的残余的紫外线对可见光的发光几乎没有贡献而被浪费掉了。
与此相对，在PDP1a中，除了配设于后面板9侧的荧光体层14中的氧化镁微粒群16之外，还有配置于前面板2侧的表面层8上的氧化镁微粒群16X受到作为球面波发生的波长为147nm或173nm的紫外线的照射而没有浪费。因此荧光体层14中的氧化镁微粒16a～16d除了受到作为球面波的波长147nm或173nm的紫外线发光的直接激励外，还能够受到来自该球面波紫外线激励的后面板9侧以及前面板2侧的氧化镁微粒的波长比较长的200～300nm波长的紫外线发光的激励，因此能够得到高效率的激励。其结果是，荧光体层14中的荧光体颗粒利用其全部表面大量地发生可见光。
而且，配置于前面板3和后面板9双方的氧化镁微粒16a～16d都受到作为球面波产生的紫外线照射，由此向放电空间15内大量发射二次电子。借助于此，在放电空间15，利用该二次电子形成良好规模的放电。
而且从氧化镁微粒16a～16d发出的200nm～300nm的紫外光具有比放电气体中的Xe气体发生的147nm或173nm的真空紫外光所发生的紫外光寿命长的性质。因此通过用氧化镁微粒16a～16d发生的紫外线继续照射，荧光体层14中的电子继续存在于比较低的能级，能够得到提高荧光体的电子发射特性的效果。
还有，作为PDP1a的又一特征，通过使用氧化镁微粒16a～16d，可望改善放电滞后和放电滞后的温度依赖性、以及放电滞后的空间电荷依赖性。
通常，PDP的放电滞后的问题，在包含氧化镁的表面层中，氧化镁微粒的结晶中只存在二次电子发射特性低的取向面的情况下可能发生。(100)面被认为是这样的不理想取向面。
但是在PDP1a中，由于在表面层8上的氧化镁微粒群16X中混合被特定的2种取向面包围的NaCl结晶结构的氧化镁微粒16a、16b、或被特定的3种取向面包围的NaCl结晶结构的氧化镁微粒16c、16d、或这些氧化镁微粒16a～16d后使用，对有关放电滞后的问题也有良好的效果。
也就是说，PDP1a驱动时，首先，由于(100)面以及(111)面各自的特性一起发挥，在低温时(PDP驱动初期或在周围环境温度低的区域使用时)和常温以上的高温时(从驱动开始经过一定的时间后，或在周围环境温度高的区域使用时)的广大的温度区域中，能够防止杂质气体的吸附，维持稳定的电子发射特性，同时向放电空间发射出大量的电子。借助于此，能够有效地抑制「放电滞后」和「放电滞后的温度依赖性」的各种问题。
还有，利用具备(110)面的氧化镁微粒16c、16d固有的特性，即使是在PDP驱动的初期没有得到放电开始时发生的空间电荷的帮助，也能够得到充分的电子发射特性。因此，能够在维持放电期间与显示电极对6上施加的脉冲数(维持脉冲数)的大小无关地实现稳定的电子发射。换句话说，这是能够减少放电滞后的空间电荷依赖性的效果。
这样，在PDP1a的情况下，通过利用具有特定的2种取向面的氧化镁微粒，活用各取向面的特性，而且使取向面的特性相互弥补，能够抑制「放电滞后」和「放电滞后的温度依赖性」。
而且，通过利用具有特定的3种取向面的氧化镁微粒，活用各取向面的特性，而且使取向面的特性相互弥补，能够抑制「放电滞后」和「放电滞后的温度依赖性」，而且也能够抑制「放电滞后的空间电荷依赖性」，可望发挥更好的图像显示性能。
其他实施形态
下面对其他实施形态3、4，以与实施形态1、2的差异为中心进行说明。
图11是表示实施形态3的PDP1b的结构的剖面图。PDP1b其结构大致与PDP1a相同，但是不使用表面层8，直接将氧化镁微粒16a～16d构成的氧化镁微粒群16X配设于电介质层7的表面上这一点不同。
即使是具有这样的结构的PDP1b，在驱动时在氧化镁微粒群16X中也与PDP1a大致相同地发挥下述效果，即，通过确保二次电子发射特性来抑制初始化亮点的发生、可见光的高辉度化、以及对各放电单元的放电特性波动的抑制等的各项效果。而且除了抑制「放电滞后」和「放电滞后的温度依赖性」外，也可以期待有抑制「放电滞后的空间电荷依赖性」的效果。
又，在PDP1b的情况下，相应于表面层8的取消，前面板2的可见光透射率得到提高，可以期待有高发光辉度。而且不需要形成表面层8用的薄膜形成工序，可以期待有同时谋求简化PDP结构和制造工序的效果。
图12是表示实施形态4的PDP1c的结构的剖面图。PDP1c具有在荧光体层14的后面板9侧的底面利用氧化镁微粒16a～16d形成氧化镁微粒群16Y的特征。
利用这样构成的PDP1c，也可以期待得到与PDP1相同的效果。又，在荧光体层14中，由于是形成配设氧化镁微粒群16Y的衬底层的结构，即使是从荧光体层14中的荧光体颗粒表面向后面板侧发射可见光，也可以利用氧化镁微粒群16Y将该可见光向前面板2侧反射，高效率地提供图像显示。其结果是，可以期望以更高的辉度实现优异的图像显示性能。
还有，在PDP1c的情况下，也可以在图12的结构的基础上，再在荧光体层14的层中也分散氧化镁微粒16a～16d。
又可以将PDP1、1a～1c各自的结构在不矛盾的范围内相互组合。
<PDP的制造方法>
下面对各实施形态的PDP1、2的制造方法例进行说明。PDP1、1a～1c的不同主要在于表面层8和荧光体层14周边的结构，其他部分的制造工序是相同的。
氧化镁微粒的制造方法
为了得到氧化镁微粒16a～16d，作为一个示例，在高温的含氧气氛(700℃以上)中对高纯度的镁化合物(氧化镁前体)均匀地进行热处理、烧成。
能够作为氧化镁前体使用的镁化合物，除了氢氧化镁外，还有醇镁、乙酰丙酮镁、硝酸镁、氯化镁、碳酸镁、硫酸镁、草酸镁、醋酸镁等。在本发明中，可以选择这些化合物中的任一种以上(也可以将两种以上混合使用)。根据所选择的化合物的不同，也有采取水合物的形态的，但是也可以使用这样的水合物。
而且，作为氧化镁前体使用的镁化合物的纯度以99.95％以上为宜，99.98％以上则更为理想。这是因为，如果在镁化合物中大量存在碱金属、硼、硅、铁、铝等杂质元素，则热处理时(特别是烧成温度高的情况下)，会发生微粒之间相互熔合(fuse)、烧结(sinter)的情况，不容易生长出结晶性能高的氧化镁微粒，而如果采用高纯度的镁化合物，则能够防止该问题的发生。
这样的高纯度的氧化镁前体在含氧气氛中烧成时，制作的氧化镁微粒16a～16d的纯度也达到99.95％以上或99.98％以上的高纯度。
接着，在进行烧成温度的设定的情况下，以700℃以上为宜，1000℃以上则更加理想。这是因为，烧成温度低于700℃的温度下，结晶面不十分发达，缺陷多，微粒上吸附杂质气体多。但是，如果烧成温度高于2000℃，会发生脱氧，结果，氧化镁的缺陷变多，因而发生吸附。因此1800℃以下是理想的。
在这里，在700℃以上2000℃以下的烧成温度条件下进行烧成的情况下，被特定的2种和3种取向面包围的氧化镁微粒16a～16d会一起生成。根据本发明人进行的其他实验，大约在1500℃以上的温度进行烧成时，可以看到(110)面有缩小的倾向。因此，为了提高被特定的3种取向面包围的氧化镁微粒16c、16d的生成频度，最好是烧成温度为700℃以上，不足1500℃。另一方面，为了提高被特定的2种取向面包围的氧化镁微粒16a、16b的生成频度，以1500℃以上，2000℃以下的烧成温度为宜。
还有，各氧化镁微粒16a～16d也可以利用分选工序进行相互分离。
在这里，对用液相方法制作作为氧化镁前体的氢氧化镁的工序、以及采用该氢氧化镁制作包含氧化镁微粒16a～16d的粉末的工序进行具体说明。
(1)作为出发原料，准备纯度99.95％以上的醇镁(Mg(OR)2)或乙酰丙酮镁。在溶解这些材料的水溶液中加入少量酸进行加水分解，以制作作为氧化镁前体的氢氧化镁凝胶。然后，在空气中在700℃以上，2000℃以下对该凝胶进行烧成使其脱水，以此制作包含氧化镁微粒16a～16d的粉末。
(2)以纯度99.95％以上的硝酸镁(Mg(NO3)2)作为出发原料，准备溶解了该原料的水溶液。然后在该水溶液中添加碱溶液，制作氢氧化镁沉淀物。接着从水溶液中分离氢氧化镁沉淀物，在空气中以700℃以上、2000℃以下温度进行烧成使其脱水，以此制作含有氧化镁微粒16a～16d的粉末。
(3)以纯度99.95％以上的氯化镁(MgCl2)作为出发原料，准备溶解有该原料的水溶液。然后，在该水溶液中添加氢氧化钙(Ca(OH)2)以此使作为氧化镁前体的氢氧化镁(Mg(OH)2)沉淀。从水溶液中分离出该沉淀物，在空气中以700℃以上、2000℃以下温度对其进行烧成使其脱水，以此制作含有氧化镁微粒16a～16d的粉末。
上述各液相方法(1)～(3)中，在纯度99.95％以上的(Mg(OR)2)、(Mg(NO3)2)或氯化镁(MgCl2)水溶液中，一边添加酸或碱一边对其进行浓度控制，进行加水分解，借助于此，可以做成非常细的氢氧化镁(Mg(OH)2)沉淀物。在空气中以700℃以上的温度将该沉淀物烧成，以此使氢氧化镁脱水，形成氧化镁粉末。包含该方法生成的氧化镁微粒16a～16d的粉末，由于结晶学上的缺陷少，形成不容易吸附烃系气体的结构。
在这里，一般地，用气相氧化法制作的氧化镁微粒其粒径波动比较大。
因此，在已有的制造工艺中，为了得到均匀的放电特性，需要有分选出一定粒径范围的颗粒的分级工序(记载于例如日本特开2006-147417号公报)。
与此不同，在本发明中，将氧化镁前体烧成取得氧化镁微粒，但是，该氧化镁微粒比已有技术得到的微粒粒径均匀，而且其粒径在一定的粒径范围内。具体地说，本发明制作的氧化镁微粒的尺寸在300nm～2微米的范围内。因此能够得到比气相氧化法制作的结晶比表面积更小的颗粒。认为这是本发明的氧化镁微粒16a～16d吸附性小的一个重要原因，能够使电子发射性能有所提高。又，借助于此，在本发明中也可以省略筛分不需要的微粒的分级工序，由于工序的简化，制造效率和成本方面都非常有利。
还有，作为氧化镁前体的氢氧化镁(Mg(OH)2)是六方晶系的化合物，与氧化镁能够取得的立方晶系的八面体结构不同。从而，虽然氢氧化镁热分解生成氧化镁结晶的结晶生长过程复杂，但是由于一边留下六方晶系的氢氧化镁的形态，一边形成氧化镁，因此，可以认为，作为结晶面，除了形成了(100)面以及(111)面之外，还形成(110)面。
相比之下，在用气相合成法形成氧化镁的情况下，只有某特定面容易生长。例如，在充满惰性气体的槽中一边将镁(镁金属)加热到高温，一边流过少量氧气，直接使镁氧化形成氧化镁粉末的方法中，在结晶的生长过程中，在镁取入氧的同时在表面只有(100)面出现，其他取向面不容易生长。
作为其他制造氧化镁微粒的方法，也可以与烧成氢氧化镁的方法一样，用醇镁(magnesium alkoxide)、硝酸镁、氯化镁、碳酸镁、硫酸镁、草酸镁、醋酸镁等非NaCl型(立方晶系)的镁化合物作为氧化镁前体，实施直接在700℃以上的高温使其热平衡地实现热分解的工序。如果采用这些工序，与镁元素配位的(OR)2基、Cl2基、(NO3)2基、CO3基、C2O4基等脱离时，不仅(100)面，而且在(110)面和(111)面在表面上呈现的机构也起作用，因此，能够得到包含被特定的2种取向面或特定的3种取向面包围的氧化镁微粒16a～16d的粉末。
前面板2的制造
在厚度约2.6mm的钠钙玻璃构成的前面板玻璃3的面上制作显示电极对6。在这里，表示出利用印刷方法形成显示电极对6的例子，但是此外也可以用染色涂层法、刮片涂层法等方法形成。
首先，将ITO、SnO2、ZnO等的透明电极材料按照最终形成约100nm的厚度的要求，以带状等规定的图案涂布在前面板玻璃上，使其干燥。以此制作透明电极41、51。
另一方面，在银粉与有机赋形剂(vehicle)中添加感光性树脂(光分解性树脂)混合形成的感光性膏经过调整，然后将其重叠涂布于所述透明电极41、51上，以具有与形成的总线的图案相配的开口部的掩模覆盖。然后从该掩模上进行曝光，经过显像工序，然后在约590～600℃左右的的烧成温度下烧成。以此在透明电极41、51上形成最终厚度为数微米的总线42、52。如果采用这种光掩模方法，与以往的100微米线宽为限的网板印刷方法相比，能够将总线42、52的线宽细化到30微米左右。总线42、52的金属材料除了Ag以外还可以采用Pt、Au、Al、Ni、Cr、或氧化锡、氧化铟等。总线42、52除了上述方法外，也可以采用蒸镀法、溅射法等形成电极材料膜后，进行蚀刻处理形成。
接着，从显示电极对6之上开始，涂布软化点为550℃～600℃的铅系或非铅系的低熔点玻璃或二氧化硅材料粉末与丁基卡必醇醋酸酯(butyl carbitol acetate)等构成的有机粘接剂混合的糊。然后在550℃～650℃左右的温度下烧成，形成最终厚度为数微米～数十微米膜厚的电介质层7。
在这里，制造PDP1、1a、1c的情况下，接着在电介质层的表面形成规定厚度的表面层。成膜方法是用蒸镀法，在氧气气氛中以Pierce式(刺穿式)电子枪作为加热源，对上述蒸镀源进行加热的成膜方法。成膜时的电子束电流量、氧气分压量、基板温度等对成膜后的表面层的组成没有大的影响，因此可以任意设定。还有，表面层的成膜方法不限于上述EB法，也可以利用其他方法，例如溅射法、离子镀法等各种薄膜形成方法。
还有，在制作PDP1a～1c的情况下，在电介质层7或表面层8的表面上形成氧化镁微粒群16X。利用网板印刷法或喷雾法等涂布包含氧化镁微粒16a～16d的溶剂，其后去除溶剂，使其充分干燥，就能够形成氧化镁微粒群16X。
用以上方法制作前面板2。
后面板的制作
在厚度约2.6nm钠钙玻璃构成的后面板玻璃10的表面上，利用网板印刷方法以一定间隔将以银为主成分的导体材料涂布成带状，形成厚度数微米(例如约5微米)的数据电极11。作为数据电极11的电极材料，根据需要也可以使用Ag、Al、Ni、Pt、Cr、Cu、Pd等金属、各种金属的碳化物或氮化物等的导电性陶瓷等材料或这些材料的组合，或是将这些材料叠层形成的叠层电极。
在这里，为了将预定制作的PDP1做成40英寸级的NTSC标准或VGA标准，将相邻的两个数据电极11的间隔设定为约0.4mm以下。
接着，在形成数据电极11的后面板玻璃10的整个面上涂布厚度约20～30微米的铅系或非铅系的低熔点玻璃或二氧化硅材料构成的玻璃糊，将其烧成形成电介质层12。接着，在电介质层12面上以规定的图案形成隔壁13。该隔壁13是涂布低熔点玻璃材料糊，用喷砂法或光刻法将与相邻的放电单元(未图示)的边界周围隔开地，将放电单元的多个排列形成为将行以及列隔开的“井”状的图案。
若形成了隔壁13，则在隔壁13壁面与隔壁13之间露出的电介质层12的表面上制作红色(R)荧光体、绿色(G)荧光灯、蓝色(B)荧光体中的任一种荧光体层14。
还有，在制作PDP1c的情况下，在电介质层12的表面上涂布使氧化镁微粒分散于溶媒中形成的分散液，使其干燥以备配设氧化镁微粒群16Y。
RGB各色荧光体可以利用具有如下所述组成的材料。
红色荧光体；Y2O3:Eu3+
绿色荧光体；Zn2SiO4:Mn
蓝色氧化体；BaMgAl10O17:Eu2+
荧光体层的形成方法可以采用静电涂布法、喷射法、网板印刷法等任一公知的方法。
其中，使用静电涂布法的情况下，乙基纤维素(ethylcellulose)、α萜品醇(α-terpineol)分别作为溶媒、溶剂使用，在其中添加平均粒径为2.0微米的荧光体粉末和粉末，用砂磨机(sand mill)混合，以此制作15×10-3Pa·s左右粘度的荧光体墨液。然后将该荧光体墨液投入服务器内，用泵使其从口径60微米的喷嘴喷射出，涂布于相邻的隔壁间。这时，使面板在隔壁13的长边方向移动，将荧光体墨液涂布成带状。涂布结束后在500℃对荧光体墨液进行烧成10分钟，除去溶媒、溶剂。借助于此形成氧化镁微粒群16X分散于层中的荧光体层14。
又，在荧光体层的表面140配设氧化镁微粒的情况下，制作使氧化镁微粒分散于溶媒中形成的分散液，将其用静电涂布法、喷射法、网板印刷方法等散布后使其干燥固定形成。
PDP的完成
将制作的前面板2与后面板9用密封用玻璃贴合。此后，将放电空间15的内部抽真空到高真空(1.0×10-4Pa)程度，去除大气和杂质气体。然后，在该内部封入规定压力(在这里是66.5kPa～101kPa)的Ne-Xe系或He-Ne-Xe系、Ne-Xe-Ar系等含Xe混合气体作为放电气体。混合气体中的Xe浓度采用15％～100％。
经过以上工序，完成了PDP1、1a～1c。
还有，上述方法的例子中，前面板玻璃3和后面板玻璃10采用钠钙玻璃构成的面板，但是这是对于材料举出的一个例子，也可以采用此外的其他材料。
<性能评价实验>
接着，与比较例一起制作了本发明的实施例，进行本发明的性能评价试验。其结果如下所示。当然实施例的构成以及性能评价试验的方法不能够对本发明进行任何限定。
实验1
通过驱动PDP，对氧化镁微粒的重量浓度与辉度变化的关系进行研究，其中，上述PDP是通过改变用气相氧化法以及前体烧成法制作的氧化镁微粒的量以与荧光体成分组合而作为荧光体层进行配设的PDP。荧光体采用具有一般的荧光特性的蓝色荧光体体BaMgAl10O17:Eu。作为氧化镁微粒，准备以氢氧化镁为前体，分别在1200℃和1000℃烧成制成的实施例的氧化镁微粒1、2，准备用气相氧化法制作的比较例的氧化镁微粒3。所准备的氧化镁微粒1～3各自的BET值依序为1.0m2/g、2.0m2/g、7.1m2/g。
该实验的结果示于图13。如该图所示，在氧化镁微粒3的情况下，随着混合量的增加，辉度急剧减小，在整个荧光体层中的重量浓度一旦达到10重量％，就可以发现辉度下降到8成左右。这被认为是因为荧光体发出的可见光被氧化镁微粒遮蔽或漫反射，结果不能够很好地从前面板侧取出，辉度减少。
又，气相氧化法制作的氧化镁微粒3，其粒径的偏差比较大，微观上看来，在粒径大的结晶颗粒在周围存在许多粒径小的微细颗粒，因此BET值大。如果采用这样的氧化镁微粒，则会发生不需要的可见光的散射，有可能对图像显示性能造成不良影响。
与此相对，氧化镁微粒1和2的情况下，BET值分别调整为比较低的值1.0m2/g、2.0m2/g，即使是在整个荧光体层中的重量浓度达到10重量％左右，与氧化镁微粒3相比，辉度的劣化也几乎不能够发现。这被认为是，在氧化镁微粒1和2的情况下，从荧光体球面状发出的可见光被存在于荧光体层的空隙的BET值小的氧化镁微粒很好地反射，那时漫反射也得到防止，因此与氧化镁微粒3相比，辉度下降的重要原因得以抵消。已知BET值越小则该可见光的反射的效果越大，而且荧光体对可见光的漫反射也是BET值越小越是受到抑制。
又，在BET值为1.0m2/g的氧化镁微粒1的情况下，辉度与氧化镁微粒的重量浓度一起上升，在曲线中，5重量％左右时辉度为最大值。从而可以认为，实际辉度的最大值在5重量％以上10重量％以下的范围内。这样，在氧化镁微粒1和2的情况下，即使是氧化镁微粒的重量浓度增加，辉度也不容易下降，由于该微粒受到放电空间的波长147nm或173nm的紫外线的激发，微粒本身也发射波长200～300nm的紫外线，因此被其包围的荧光体颗粒良好地地发射可见光，能够得到进一步提高辉度的效果，这被认为是主要原因。
还有，气相氧化法制作的氧化镁微粒(氧化镁微粒3)，与前体烧成法制作的氧化镁微粒(氧化镁微粒1、2)相比，二次电子发射少。其结果是，为了有效防止初始化亮点的发生，得到所希望的效果，必须在荧光体层配设得比前体烧成法制作的氧化镁微粒多。但是，在气相氧化法制作的氧化镁微粒的情况下，如上述曲线所示，一旦增加氧化镁微粒的重量浓度，就发生辉度减少的问题。从而，为了谋求同时实现防止初始化亮点的发生和提高辉度的目标，最好是像本发明这样采用以前体烧成法制作的氧化镁微粒。
实验2
接着，准备实施例和比较例的试样1～8的PDP，调查初始化亮点的发生率和辉度。试样2～4(实施例1～3)根据实施形态1的PDP1制作，试样6～8(实施例4～6)根据实施形态2的PDP1a的结构制作。
初始化亮点的发生率是通过用图像处理分解为RGB，计算每单位面积的发光面积测定的。首先，使各试样的PDP发生初始化亮点，取入PC作为图像，分解为RGB。然后，在分解为RGB的图像中决定发光强度的阈值，根据是否超过该阈值决定有无发光，根据每单位面积中发光的部分的面积计算出初始化亮点的发生率。
亮度的测定是以放电维持电压180V、频率200kHz驱动各试样的PDP，用辉度计进行测定。
各试样如下所述调整。
试样1(比较例1)：作为最基本的PDP的已有的结构，采用在后面板侧的荧光体中和前面板侧的电介质层中都不配设氧化镁微粒的结构。
试样2(实施例1)：采用在后面板侧的荧光体层，以0.5重量％的比例配设以氢氧化镁为前体，分别以1200℃烧成制作的氧化镁微粒，在前面板侧的电介质层中不配设氧化镁微粒的结构。
试样3(实施例2)：采用在后面板侧的荧光体层，以2重量％的比例配设以氢氧化镁为前体，分别以1200℃烧成制作的氧化镁微粒，在前面板侧的电介质层中不配设氧化镁微粒的结构。
试样4(实施例3)：采用在后面板侧的荧光体层，以10重量％的比例配设以氢氧化镁为前体，分别以1200℃烧成制作的氧化镁微粒，在前面板侧的电介质层中不配设氧化镁微粒的结构。
试样5(比较例2)：采用在后面板侧的荧光体层不配设氧化镁微粒，在前面板侧的电介质层中配设利用前体烧成方法制作的氧化镁微粒的结构。
试样6(实施例4)：采用在后面板侧的荧光体层，以0.5重量％的比例配设以氢氧化镁为前体，分别以1200℃烧成制作的氧化镁微粒，在前面板侧的电介质层中配设利用前体烧成方法制作的氧化镁微粒的结构。
试样7(实施例5)：采用在后面板侧的荧光体层，以2重量％的比例配设以氢氧化镁为前体，分别以1200℃烧成制作的氧化镁微粒，在前面板侧的电介质层中配设利用前体烧成方法制作的氧化镁微粒的结构。
试样8(实施例6)：采用在后面板侧的荧光体层，以10重量％的比例配设以氢氧化镁为前体，分别以1200℃烧成制作的氧化镁微粒，在前面板侧的电介质层中配设利用前体烧成方法制作的氧化镁微粒的结构。
对以上述条件实施的各试样PDP，关于初始化亮点的发生频度的测定结果示于图14，关于辉度的测定结果示于图15。该图14和图15都是作为相对于试样1的测定值的比较值作成的图。
根据图14所示的结果，在相当于实施形态1的结构的试样2、3、4(实施例1、2、3)的情况下，可以确认与试样1(比较例1)相比初始化亮点的发生频度减少，作为PDP具有特别优异的性能。这被认为是因为通过将荧光体成分与前体烧成法制作的氧化镁微粒组合，整个荧光体层的二次电子发射系数γ比以往飞跃增大。而且，可以看出随着荧光体层中的氧化镁微粒的重量浓度的增加，初始化亮点的发生频度显著减少。
另一方面，根据图15所示的结果，可以确认在相当于实施形态1的结构的试样2、3、4(实施例1、2、3)的情况下，与试样1(比较例1)相比，辉度提高了，作为PDP能够实现特别优异的图像显示性能。还有，该试验的结果表明，荧光体层中的氧化镁微粒的重量浓度为2重量％的情况下，能够得到最高的辉度。
而且，在相当于实施形态2的结构的试样6、7、8(实施例4、5、6)中，也可以确认与试样5(比较例2)相比，初始化亮点的发生频度减少，具有良好的特性(图14)。又，可以确认，试样6、7、8(实施例4、5、6)与试样2、3、4(实施例1、2、3)相比，在初始化亮点的改善和辉度的提高方面，具有更良好的特性(图14、图15)。
这样，在各实施例的情况下，与比较例不同，利用前体烧成法形成的氧化镁微粒与荧光体成分混合。因此，荧光体除了受到在放电气体中产生的紫外线的激发外，也受到上述氧化镁微粒的紫外线的激发，因此能够高效率地发生可见光，能够实现高辉度发光。又，各实施例中，一旦荧光体产生可见光，就由上述氧化镁微粒很好地向前面板侧反射，被提供给图像显示，这被认为也是能够得到很好的辉度的重要原因。
还有，当荧光体层中的氧化镁微粒的重量浓度增大时，该氧化镁微粒对荧光体颗粒发生的可见光的遮光效果变大。从而，在将氧化镁微粒添加于荧光体层时，不是单纯地将该重量浓度设定得大以谋求得到提高辉度的效果，而应该在也想到遮挡可见光的效果的基础上，兼顾这两个效果进行调整以得到最大辉度。
根据以上各实验结果确认了本申请的发明的优势。
<其他事项>
上述各实施形态中的PDP中，氧化镁微粒以16a～16d为例，但是本发明没有必要同时使用全部四种的氧化镁微粒。因此，只要使用上述氧化镁微粒16a～16d、16a1、16a2、16b1、16b2、16c1、16d1中的一种以上即可。
工业应用性
本发明的PDP特别是作为能够用低电压驱动高精细图像显示的气体放电面板技术，可以使用于交通设备以及公共设施、家庭等的电视装置以及计算机用的显示装置等。
又，在本发明中，即使是在Xe分压高的结构或微细单元结构的情况下，也能够抑制初始化亮点的发生，因此能够作为图像质量不容易受环境温度影响的高图像质量的显示器使用。
Claims (26)
1.一种等离子体显示面板，一个面上形成荧光体层的第1基板，在所述一个面隔着放电空间与第2基板相对配置，第1基板和第2基板的周围被密封，其特征在于，
荧光体层包含荧光体成分、以及氧化镁微粒群，所述氧化镁微粒群含有具备被(100)面和(111)面包围的结晶结构的氧化镁微粒，
氧化镁微粒群配设于荧光体层的该荧光体层内部、面临放电空间的表面、背面基板侧的该荧光体层底部的至少任意一个区域。
2.根据权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于，在第2基板的一个面，在面临放电空间的表面区域配设包含与所述氧化镁微粒具有相同的结晶结构的氧化镁微粒的氧化镁微粒群。
3.根据权利要求2所述的等离子体显示面板，其特征在于，
在第2基板的所述一个面，配设有多个电极和覆盖着该多个电极的电介质层，
对所述电介质层表面直接配设或隔着保护层配设所述氧化镁微粒群。
4.根据权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于，
氧化镁微粒具有六面体结构，而且至少具有一个截顶面，
其中，这里的截顶面是指切除多面体的顶点而形成的面。
5.根据权利要求4所述的等离子体显示面板，其特征在于，
氧化镁微粒其主要面具有(100)面，截顶面具有(111)面，
其中，这里的主要面是指在上述六面体中具有持有相同Miller指数的面的面积的总和为最大的Miller指数的面。
6.根据权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于，
氧化镁微粒具有八面体结构，而且至少具有一个截顶面，
其中，这里的截顶面是指切除多面体的顶点而形成的面。
7.根据权利要求6所述的等离子体显示面板，其特征在于，
氧化镁微粒其主要面具有(111)面，截顶面具有(100)面，
其中，这里的主要面是指在上述八面体中具有持有相同Miller指数的面的面积的总和为最大的Miller指数的面。
8.根据权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于，
所述氧化镁微粒是具有相当于(100)面的6个面、以及相当于(111)面的8个面的14面体。
9.根据权利要求8所述的等离子体显示面板，其特征在于，
氧化镁微粒其主要面具有(100)面，截顶面具有(111)面，
其中，这里的截顶面是指切除多面体的顶点而形成的面，
这里的主要面是指在多面体中具有持有相同Miller指数的面的面积的总和为最大的Miller指数的面。
10.根据权利要求8所述的等离子体显示面板，其特征在于，
氧化镁微粒其主要面具有(111)面，截顶面具有(100)面，
其中，这里的截顶面是指切除多面体的顶点而形成的面，
这里的主要面是指在多面体中具有持有相同Miller指数的面的面积的总和为最大的Miller指数的面。
11.根据权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于，
氧化镁微粒是氧化镁前体的烧成生成物。
12.根据权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于，
氧化镁微粒其粒径为300nm以上。
13.根据权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于，
氧化镁微粒的BET比表面积值为2.0m2以下。
14.一种等离子体显示面板，一个面上形成荧光体层的第1基板，在所述一个面隔着放电空间与第2基板相对配置，第1基板和第2基板的周围被密封，其特征在于，
荧光体层包含荧光体成分、以及含有具备被(100)面、(110)面、和(111)面包围的结晶结构的氧化镁微粒的氧化镁微粒群，
氧化镁微粒群配设于荧光体层的该荧光体层内部、面临放电空间的表面、背面基板侧的该荧光体层底部的至少任意一个区域。
15.根据权利要求14所述的等离子体显示面板，其特征在于，
在第2基板的一个面，在面临放电空间的表面区域，配设包含与所述氧化镁微粒具有相同的结晶结构的氧化镁微粒的氧化镁微粒群。
16.根据权利要求15所述的等离子体显示面板，其特征在于，
在第2基板的所述一个面，配设多个电极和覆盖着该多个电极的电介质层，
对所述电介质层表面直接配设或隔着保护层配设所述氧化镁微粒群。
17.根据权利要求14所述的等离子体显示面板，其特征在于，
氧化镁微粒具有六面体结构，而且具有至少一个截顶面和至少一个倾斜面，
其中，这里的截顶面是指切除多面体的顶点而形成的面，
这里的倾斜面是指在多面体中通过切除作为连接两个顶点的线条的边而形成的面。
18.根据权利要求17所述的等离子体显示面板，其特征在于，
氧化镁微粒其主要面具有(100)面，截顶面具有(111)面、倾斜面具有(110)面，
其中，所述主要面是指在上述六面体中具有持有相同Miller指数的面的面积的总和为最大的Miller指数的面。
19.根据权利要求14所述的等离子体显示面板，其特征在于，
氧化镁微粒具有八面体结构，而且具有至少一个截顶面和至少一个倾斜面，
其中，这里的截顶面是指切除多面体的顶点而形成的面，
这里的倾斜面是指在多面体中通过切除作为连接两个顶点的线条的边而形成的面。
20.根据权利要求19所述的等离子体显示面板，其特征在于，
氧化镁微粒其主要面具有(111)面，截顶面具有(100)面、倾斜面具有(110)面，
其中，这里的主要面是指在上述八面体中具有持有相同Miller指数的面的面积的总和为最大的Miller指数的面。
21.根据权利要求14所述的等离子体显示面板，其特征在于，
氧化镁微粒是具有相当于(100)面的6个面、相当于(110)面的12个面、以及相当于(111)面的8个面的26面体。
22.根据权利要求21所述的等离子体显示面板，其特征在于，
氧化镁微粒其主要面具有(111)面、倾斜面具有(110)面、截顶面具有(100)面，
其中，这里的主要面是指在多面体中具有持有相同Miller指数的面的面积的总和为最大的Miller指数的面，
这里的倾斜面是指在26面体中通过切除作为连接两个顶点的线条的边而形成的面，
这里的截顶面是指切除多面体的顶点而形成的面。
23.根据权利要求21所述的等离子体显示面板，其特征在于，
氧化镁微粒其主要面具有(100)面、倾斜面具有(110)面、截顶面具有(111)面，
其中，这里的主要面是指在多面体中具有持有相同Miller指数的面的面积的总和为最大的Miller指数的面，
所述倾斜面是指在26面体中通过切除作为连接两个顶点的线条的边而形成的面，
所述截顶面是指切除多面体的顶点而形成的面。
24.根据权利要求14所述的等离子体显示面板，其特征在于，
氧化镁微粒是氧化镁前体的烧成生成物。
25.根据权利要求14所述的等离子体显示面板，其特征在于，
氧化镁微粒其粒径为300nm以上。
26.根据权利要求14所述的等离子体显示面板，其特征在于，
氧化镁微粒的BET比表面积值为2.0m2以下。
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