JPWO2009011081A1 - プラズマディスプレイパネルとその製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネルとその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2009011081A1 JPWO2009011081A1 JP2009523520A JP2009523520A JPWO2009011081A1 JP WO2009011081 A1 JPWO2009011081 A1 JP WO2009011081A1 JP 2009523520 A JP2009523520 A JP 2009523520A JP 2009523520 A JP2009523520 A JP 2009523520A JP WO2009011081 A1 JPWO2009011081 A1 JP WO2009011081A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fine particles
- plane
- magnesium oxide
- mgo
- mgo fine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 33
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims abstract description 585
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 308
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 71
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 664
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 664
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 664
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 280
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 88
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 76
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 52
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 165
- 206010051686 Pachydermoperiostosis Diseases 0.000 description 164
- 201000006652 primary hypertrophic osteoarthropathy Diseases 0.000 description 164
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 70
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 62
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 50
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 50
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 46
- 102100039169 [Pyruvate dehydrogenase [acetyl-transferring]]-phosphatase 1, mitochondrial Human genes 0.000 description 38
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 36
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 36
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 35
- 101710126534 [Pyruvate dehydrogenase [acetyl-transferring]]-phosphatase 1, mitochondrial Proteins 0.000 description 32
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 32
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 32
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 32
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 30
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 28
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 description 28
- 230000008569 process Effects 0.000 description 28
- 239000010408 film Substances 0.000 description 26
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 26
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 20
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 18
- 238000005136 cathodoluminescence Methods 0.000 description 16
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 16
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 16
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 14
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 14
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 14
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 14
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 14
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 12
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 12
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 12
- YIXJRHPUWRPCBB-UHFFFAOYSA-N magnesium nitrate Chemical compound [Mg+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O YIXJRHPUWRPCBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 12
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 12
- 150000002681 magnesium compounds Chemical class 0.000 description 11
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 10
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 10
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 8
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 8
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 8
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 7
- 101001126226 Homo sapiens Polyisoprenoid diphosphate/phosphate phosphohydrolase PLPP6 Proteins 0.000 description 6
- 101000609849 Homo sapiens [Pyruvate dehydrogenase [acetyl-transferring]]-phosphatase 1, mitochondrial Proteins 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 6
- 238000007610 electrostatic coating method Methods 0.000 description 6
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 6
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 6
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 6
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 6
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 6
- -1 magnesium alkoxide Chemical class 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 6
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 6
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 6
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 4
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 4
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 4
- UEGPKNKPLBYCNK-UHFFFAOYSA-L magnesium acetate Chemical compound [Mg+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O UEGPKNKPLBYCNK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000011654 magnesium acetate Substances 0.000 description 4
- 235000011285 magnesium acetate Nutrition 0.000 description 4
- 229940069446 magnesium acetate Drugs 0.000 description 4
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 4
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 description 4
- UHNWOJJPXCYKCG-UHFFFAOYSA-L magnesium oxalate Chemical compound [Mg+2].[O-]C(=O)C([O-])=O UHNWOJJPXCYKCG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 4
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 4
- QIJRBQDGQLSRLG-UHFFFAOYSA-N magnesium;pentane-2,4-dione Chemical compound [Mg].CC(=O)CC(C)=O QIJRBQDGQLSRLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 description 2
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 2
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102100039167 [Pyruvate dehydrogenase [acetyl-transferring]]-phosphatase 2, mitochondrial Human genes 0.000 description 2
- 101710106699 [Pyruvate dehydrogenase [acetyl-transferring]]-phosphatase 2, mitochondrial Proteins 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940088601 alpha-terpineol Drugs 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 2
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 2
- 230000005596 ionic collisions Effects 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910001392 phosphorus oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 2
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 2
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 2
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 2
- VSAISIQCTGDGPU-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus hexaoxide Chemical compound O1P(O2)OP3OP1OP2O3 VSAISIQCTGDGPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/20—Constructional details
- H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
- H01J11/40—Layers for protecting or enhancing the electron emission, e.g. MgO layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
- H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/20—Constructional details
- H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
- H01J11/42—Fluorescent layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
Description
2 フロントパネル
3 フロントパネルガラス
4 サステイン電極
5 スキャン電極
6 表示電極対
7、12 誘電体層
8 表面層
9 バックパネル
10 バックパネルガラス
11 データ(アドレス)電極
13 隔壁
14 蛍光体層
15 放電空間
16、16X、16Y MgO微粒子群
16a 特定2種配向面で囲まれた結晶構造を有するMgO微粒子
16b 特定2種配向面で囲まれた結晶構造を有するMgO微粒子
16c 特定3種配向面で囲まれた結晶構造を有するMgO微粒子
16d 特定3種配向面で囲まれた結晶構造を有するMgO微粒子
16a1、16a2 特定2種配向面で囲まれた結晶構造を有するMgO微粒子のバリエーション
16b1、16b2 特定2種配向面で囲まれた結晶構造を有するMgO微粒子のバリエーション
16c1 特定3種配向面で囲まれた結晶構造を有するMgO微粒子のバリエーション
16d1 特定3種配向面で囲まれた結晶構造を有するMgO微粒子のバリエーション
17 保護層
140 蛍光体層の表面
(PDPの構成例)
図1は、本発明の実施の形態1に係るPDP1のxz平面に沿った模式的な断面図である。当該PDP1は保護層周辺の構成を除き、全体的には従来構成(前述の図16)と同様である。
上記構成のPDP1は、駆動時には各ドライバ111〜113を含む公知の駆動回路(不図示)によって、各表示電極対6の間隙に数十kHz〜数百kHzのAC電圧が印加される。これにより任意の放電セル内で放電が発生し、励起Xe原子による波長147nm主体の共鳴線と励起Xe分子による波長173nm主体の分子線を含む紫外線(図1の点線及び矢印)が蛍光体層14に照射される。蛍光体層14は励起されて可視光発光する。そして当該可視光はフロントパネル2を透過して前面に発光される。
図4は、MgO微粒子群16に含まれる各MgO微粒子の形状を示す模式図である。MgO微粒子群16は、MgO前駆体を焼成して得られる、主として4種の形状の粒子16a、16b、16c、16dを含んでなる。
次に、図4(b)に示すMgO微粒子16bは、8面体を基本構造とし、その各頂点が切除されたことにより切頂面81bが形成された14面体である。8面存在する6角形状の主要面82bが(111)面に相当し、6面存在する4角形状の切頂面81bが(100)面に相当する。
ここで主要面とは、上記6面体または8面体の中で同一ミラー指数を持つ面の面積の総和が最も大きいミラー指数を持つ面をいう。また切頂面とは、多面体の頂点が切除されたことにより形成された面をいう。
ここで、図4では一例として、MgO微粒子16aでは当該粒子全体の面積に対して(100)面が占める割合を50%以上98%以下としている。一方、MgO微粒子16bでは前記割合を30%以上50%以下としている。
また、図4(d)に示すMgO微粒子16dは、16aにおいて隣接する(100)面の境界が切除されることにより、斜方面83dが形成された26面体である。これにより、MgO微粒子16dでは、6面存在する8角形状の(100)面からなる主要面81d、8面存在する6角形状の(111)面からなる切頂面82dと、12面存在する4角形状の(110)面からなる斜方面83dとを有する26面体となっている。なお、焼成条件によっては、(100)面もしくは(110)面が占める面積が肥大する場合があり、このとき、(100)面もしくは(110)面が主要面となる。
ここで「斜方面」とは、26面体において、2つの頂点を結ぶ線である辺が切除されたことにより形成された面をいう。
図5は、上記MgO微粒子16a〜16dのバリエーションの形状を示す図である。
MgO微粒子16bは、8面体構造を有し、更に少なくとも1つの切頂面が形成されていればよい。例えば、図5(c)に示すMgO微粒子16b1のように、切頂面が1つだけ存在する構造や、図5(d)に示すMgO微粒子16b2のように、切頂面が2つだけ存在する構造も取り得る。このとき、切頂面が(100)面に相当し、主要面が(111)面に相当する。なお、8面体構造を有し、更に少なくとも1つの切頂面が形成されているとは、9面以上を有する多面体であって、少なくとも1面が切頂面である構造を有していると言い換えることができる。
MgO微粒子16cは、8面体構造を有し、更に少なくとも1つの切頂面、かつ、少なくとも1つの斜方面が形成されていればよい。例えば、図5(e)に示すMgO微粒子16c1のように、6つの切頂面に対し、斜方面が1つだけ存在する構造も取り得る。このとき、主要面が(111)面に相当し、切頂面が(100)面に相当し、斜方面が(110)面に相当する。なお、8面体構造を有し、更に少なくとも1つの切頂面、かつ、少なくとも1つの斜方面が形成されているとは、10面以上を有する多面体であって、少なくとも1面が切頂面であり、かつ、少なくとも1面が斜方面である構造を有していると言い換えることができる。
MgO微粒子16dは、6面体構造を有し、更に少なくとも1つの切頂面、かつ、少なくとも1つの斜方面が形成されていればよい。例えば、図5(f)に示すMgO微粒子16d1のように、8つの切頂面に対し、斜方面が1つだけ存在する構造も取り得る。このとき、主要面が(100)面に相当し、切頂面が(111)面に相当し、斜方面が(110)面に相当する。なお、6面体構造を有し、更に少なくとも1つの切頂面、かつ、少なくとも1つの斜方面が形成されているとは、8面以上を有する多面体であって、少なくとも1面が切頂面であり、かつ、少なくとも1面が斜方面である構造を有していると言い換えることができる。
PDP1では、蛍光体層14にMgO微粒子群16を配設するに際して、(100)面と(111)面からなる特定2種配向面で囲まれたNaCl結晶構造を有するMgO微粒子16a、16bと、さらに(100)面、(110)面、(111)面からなる特定3種配向面で囲まれたNaCl結晶構造を有するMgO微粒子16c、16dを用いている。PDP1では、このように特定2種配向面及び特定3種配向面を有するMgO微粒子16a〜16dを含むMgO微粒子群16を蛍光体層14の層内部に分散させて配置することで、各配向面の特性を発揮させるとともに、各特性を互いに補完させた効果を期待できるようになっている。
以上のようにPDP1では、(100)面及び(111)面に囲まれてなるMgO微粒子16a、16b、もしくは、(100)面、(111)面、及び(110)面に囲まれてなるMgO微粒子16c、16d、または当該MgO微粒子16a〜16dを混合して利用することで、高い2次電子放出効果が奏され、特に蛍光体層14からの豊富な電子放出によって、初期化輝点の発生防止が期待できる。
(MgO微粒子のカソードルミネッセンス特性について)
従来の気相酸化法で作製したMgO微粒子(比較例)と、本発明の特定2種配向面もしくは特定3種配向面で囲まれたMgO微粒子16a、16b、16c、16d(実施例)について行った、カソードルミネッセンス(CL)測定の結果を図7(a)、(b)に示す。
MgO微粒子16cの表面における(111)面が、MgO微粒子16cの全表面において占める面積の割合は、10%以上80%以下の範囲が好適である。
本発明の前駆体焼成法で作製されたMgO微粒子を波長173nmの真空紫外光により励起した際に発生する紫外線発光について、実際に測定を行って確認した。図8に、当該実験により測定された発光スペクトルを示す。
(比表面積について)
本発明のMgO微粒子について、MgO前駆体を700℃以上2000℃未満の温度範囲で焼成して作製し、BET値の頻度を測定した。図9にその測定結果を示す。
本発明の実施の形態2について、実施の形態1との差異を中心に説明する。図10は、本実施の形態2に係るPDP1aを示す断面図である。
さらに、特定3種配向面を持つMgO微粒子を利用することによって、各配向面の特性を活かしつつ、相互に配向面の特性を補完させて、「放電遅れ」と「放電遅れの温度依存性」に加えて「放電遅れの空間電荷依存性」の抑制も行え、一層良好な画像表示性能の発揮が期待できるものである。
以下、その他の実施の形態3、4について、実施の形態1、2との差異を中心に説明する。
次に、各実施の形態におけるPDP1、2の製造方法例について説明する。PDP1、1a〜1cの違いは、主に表面層8及び蛍光体層14周辺の構成にあり、その他の部分の製造工程は共通している。
(MgO微粒子の製造方法)
MgO微粒子16a〜16dを得るためには、一例として、高純度のマグネシウム化合物(MgO前駆体)を高温の酸素含有雰囲気(700℃以上)で均一に熱処理して焼成する。
ここで、700℃以上2000℃以下の焼成温度条件で焼成を行なった場合、特定2種及び3種配向面で囲まれたMgO微粒子16a〜16dがともに生成される。本発明者による別の実験により、およそ1500℃以上の温度で焼成を行うと、(110)面が縮小していく傾向がみられることが分かった。したがって、特定3種配向面で囲まれたMgO微粒子16c、16dの生成頻度を上げるためには、700℃以上1500℃未満の焼成温度が好ましい。一方、特定2種配向面で囲まれたMgO微粒子16a、16bの生成頻度を上げるためには、1500℃以上2000℃以下の焼成温度が好ましい。
このため従来の製造工程では、均一な放電特性を得るために、一定の粒径範囲の粒子を選別する分級工程が必要である(例えば特開2006−147417号公報に記載)。
厚さ約2.6mmのソーダライムガラスからなるフロントパネルガラス3の面上に、表示電極対6を作製する。ここでは印刷法によって表示電極対6を形成する例を示すが、これ以外にもダイコート法、ブレードコート法等で形成することができる。
(バックパネルの作製)
厚さ約2.6mmのソーダライムガラスからなるバックパネルガラス10の表面上に、スクリーン印刷法によりAgを主成分とする導電体材料を一定間隔でストライプ状に塗布し、厚さ数μm(例えば約5μm)のデータ電極11を形成する。データ電極11の電極材料としては、Ag、Al、Ni、Pt、Cr、Cu、Pd等の金属や、各種金属の炭化物や窒化物等の導電性セラミックスなどの材料やこれらの組み合わせ、あるいはそれらを積層して形成される積層電極も必要に応じて使用できる。
次に、誘電体層12面上に所定のパターンで隔壁13を形成する。この隔壁13は、低融点ガラス材料ペーストを塗布し、サンドブラスト法やフォトリソグラフィ法を用い、隣接放電セル(図示省略)との境界周囲を仕切るように、放電セルの複数個の配列を行および列を仕切る井桁形状のパターンで形成する。
緑色蛍光体;Zn2SiO4:Mn
青色蛍光体;BaMgAl10O17:Eu2+
蛍光体層の形成方法としては、静電塗布法、スプレー法、スクリーン印刷法等、いずれかの公知の方法が採用できる。
作製したフロントパネル2とバックパネル9を、封着用ガラスを用いて貼り合わせる。その後、放電空間15の内部を高真空(1.0×10−4Pa)程度に排気し、大気や不純物ガスを取り除く。そして当該内部に所定の圧力(ここでは66.5kPa〜101kPa)でNe−Xe系やHe−Ne−Xe系、Ne−Xe−Ar系等のXe混合ガスを放電ガスとして封入する。混合ガス中のXe濃度は15%〜100%とする。
<性能評価実験>
次に、本発明の実施例を比較例とともに作製して、本発明の性能評価試験を行った。その結果について以下に示す。なお、当然ながら実施例の構成及び性能評価試験の方法は、本発明を何ら限定するものではない。
[実験1]
気相酸化法及び前駆体焼成法で作製されたMgO微粒子を量を変えて蛍光体成分と組み合わせ、蛍光体層として配設したPDPを駆動することにより、MgO微粒子の重量濃度と輝度変化の関係について調べた。蛍光体には一般的な蛍光特性を有する青色蛍光体のBaMgAl10O17:Euを用いた。MgO微粒子としては、水酸化マグネシウムを前駆体として、各々1200℃及び1000℃で焼成することにより作製した実施例のMgO微粒子1、2を用意し、気相酸化法により作製した比較例のMgO微粒子3を用意した。用意したMgO微粒子1〜3の各BET値は、同順に1.0m2/g、2.0m2/g、7.1m2/gであった。
[実験2]
次に、実施例及び比較例のサンプル1〜8のPDPを用意し、初期化輝点の発生率と輝度を調べた。サンプル2〜4(実施例1〜3)は実施の形態1のPDP1に準じて作製し、サンプル6〜8(実施例4〜6)は実施の形態2のPDP1aの構成に準じて作製した。
サンプル8(実施例6):バックパネル側の蛍光体層には、10wt%の割合で水酸化マグネしウムを前駆体として、各々1200℃焼成することにより作製されたMgO微粒子を配設し、フロントパネル側の誘電体層には、前駆体焼成によって作製された酸化マグネシウム微粒子を配設する構造とした。
<その他の事項>
上記各実施の形態におけるPDPでは、MgO微粒子として16a〜16dを用いる例を示したが、本発明はこれら4種のMgO微粒子の全てを同時に用いる必要はない。このため、前述したMgO微粒子16a〜16d、16a1、16a2、16b1、16b2、16c1、16d1の内の1種以上を用いればよい。
図16は、一般的なAC型PDPの放電単位である、放電セルの構造を示す模式的な組図である。図16に示すPDP1xは、フロントパネル2及びバックパネル9を互いに貼り合わせて構成される。フロントパネル2は、フロントパネルガラス3の片面に、走査電極5及び維持電極4を一対とする表示電極対6が複数対にわたり併設され、当該表示電極対6を覆うように、誘電体層7および保護層8が順次積層されている。走査電極5、維持電極4は、それぞれ透明電極51、41及びバスライン52、42を積層して構成される。
表面層8は、駆動時に放電空間15で発生するプラズマ放電のイオン衝突から上記誘電体層7及び表示電極対6を保護すると共に、放電空間15に2次電子を効率よく放出し、放電開始電圧を低下させる役目をなす。通常、当該表面層8は2次電子放出特性、耐スパッタ性、光学透明性に優れる酸化マグネシウム(MgO)の材料で構成され、真空蒸着法や印刷法で厚み0.5μm〜1μm程度で成膜される。なお、表面層8と同様の構成は、誘電体層7及び表示電極対6を保護する他に、2次電子放出特性の確保を目的とした保護層として設けられることもある。
このPDP1xの駆動方法としては、1フィールドの映像を複数のサブフィールド(S.F.)に分割する階調表現方式(例えばフィールド内時分割表示方式)が用いられる。
第一の問題として、初期化輝点の発生の問題がある。
従来、PDPでは各サブフィールドの初期化期間において、全表示セルを初期化してコントラスト比を向上させるために、弱放電(初期化放電)と呼ばれる弱い小さな放電を安定的に行う必要がある。このためPDPでは通常、電圧−時間推移がゆるやかに傾斜して上下するランプ波形を、フロントパネル側の走査電極とバックパネル側のデータ電極との間に印加し、小さな放電電流を定常的に流すことにより、弱放電が安定化するように調節される。
第二の問題として、PDPにおける各色の放電セルが、互いの2次電子放出特性においてバラツキを生じる問題がある。
第三の問題として、PDPの駆動時に、放電ガスから発生する真空紫外光の一部がMgO層に吸収されてしまい、輝度向上が図りにくい問題がある。
また、初期化輝点の発生を抑制するとともに、輝度向上を図り、且つ、各色放電セル間における放電特性のバラツキをも解消することは、優れた画像表示性能を持つPDPを得る上で重要であるが、非常に実現が困難であるとされている。
本発明は、以上の課題に鑑みなされたものであって、第一の目的として、蛍光体層を改質して初期化輝点の発生を抑制するとともに、各色の放電セル間における放電特性バラツキを解消し、優れた画像表示性能の発揮が期待できるプラズマディスプレイパネルとその製造方法を提供する。
また、第二基板の前記片面には、複数の電極と、当該複数の電極を覆うように誘電体層とが配設され、前記酸化マグネシウム微粒子群は、前記誘電体層表面に対して直接、または保護層を介して配設された構成とすることもできる。
また、酸化マグネシウム微粒子は、8面体構造を有し、更に少なくとも1つの切頂面を有する構成とすることができる。この場合、酸化マグネシウム微粒子は、主要面に(111)面、切頂面に(100)面を有する構成とすることができる。
また、第二基板の前記片面には、複数の電極と、当該複数の電極を覆うように誘電体層とが配設され、前記酸化マグネシウム微粒子群は、前記誘電体層表面に対して直接、または保護層を介して配設された構成とすることもできる。
或いは、本発明の酸化マグネシウム微粒子は、8面体構造を有し、更に少なくとも1つの切頂面と、少なくとも1つの斜方面とを有する構成とすることもできる。この場合、酸化マグネシウム微粒子は、主要面に(111)面、切頂面に(100)面、斜方面に(110)面を持つ構成とすることもできる。
また、本発明ではさらに、フロントパネル(第二基板)側にMgO微粒子群を配設することにより、蛍光体層中の蛍光体は、放電空間で発生する球面波の紫外線照射により直接励起されるのに加え、当該球面波の紫外線照射により励起されたバックパネル側及びフロントパネル側のMgO微粒子からも紫外線発光を受けるので、いっそう効率よく励起される。その結果、蛍光体層では豊富な可視光発光が発生し、且つ、高い輝度で良好な画像表示性能が発揮されることとなる。
<実施の形態1>
(PDPの構成例)
図1は、本発明の実施の形態1に係るPDP1のxz平面に沿った模式的な断面図である。当該PDP1は保護層周辺の構成を除き、全体的には従来構成(前述の図16)と同様である。
PDP1は、ここでは42インチクラスのNTSC仕様例のAC型としているが、本発明は当然ながらXGAやSXGA等、この他の仕様例に適用してもよい。HD(High Definition)以上の解像度を有する高精細なPDPとしては、例えば、次の規格を例示できる。パネルサイズが37、42、50インチの各サイズの場合、同順に1024×720(画素数)、1024×768(画素数)、1366×768(画素数)に設定できる。そのほか、当該HDパネルよりもさらに高解像度のパネルを含めることができる。HD以上の解像度を有するパネルとしては、1920×1080(画素数)を備えるフルHDパネルを含めることができる。
フロントパネル2の基板となるフロントパネルガラス3には、その一方の主面に所定の放電ギャップ(75μm)をおいて配設された一対の表示電極対6(走査電極5、維持電極4)が複数対にわたり形成されている。各表示電極対6は、酸化インジウム錫(ITO)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化錫(SnO2)等の透明導電性材料からなる帯状の透明電極51、41(厚さ0.1μm、幅150μm)に対して、Ag厚膜(厚み2μm〜10μm)、Al薄膜(厚み0.1μm〜1μm)またはCr/Cu/Cr積層薄膜(厚み0.1μm〜1μm)等からなるバスライン52、42(厚さ7μm、幅95μm)が積層されてなる。このバスライン52、42によって透明電極51、41のシート抵抗が下げられる。
表示電極対6を配設したフロントパネルガラス3には、その主面全体にわたり、酸化鉛(PbO)または酸化ビスマス(Bi2O3)または酸化燐(PO4)を主成分とする低融点ガラス(厚み35μm)の誘電体層7が、スクリーン印刷法等によって形成されている。
誘電体層7の放電空間15側の面には表面層8が配設される。表面層8は、放電時のイオン衝撃から誘電体層7を保護し、放電開始電圧を低減させる目的で配される薄膜であって、耐スパッタ性及び2次電子放出係数γに優れるMgO材料からなり、誘電体層7上に真空蒸着法、イオンプレーティング法等公知の薄膜形成法で厚さ約1μmの範囲で成膜される。なお、表面層8の材料はMgOに限らず、MgO、CaO、BaO及びSrOの群より選ばれた少なくとも一つの金属酸化物を含むように構成することもできる。
隣接する2つの隔壁13の側面とその間の誘電体層12の面上には、カラー表示のための赤色(R)、緑色(G)、青色(B)のいずれかの色に対応する蛍光体層14が形成されている。各種蛍光体の組成は、青色蛍光体(B)には、既知のBAM:Eu、赤色蛍光体(R)には(Y,Gd)BO3:EuやY2O3:Eu等、緑色蛍光体(G)にはZn2SiO4:Mn、YBO3:Tbおよび(Y,Gd)BO3:Tb等が利用できる。
フロントパネル2とバックパネル9は、データ電極11と表示電極対6の互いの長手方向が直交するように対向配置され、両パネル2、9の外周縁部がガラスフリットで封着されている。この両パネル2、9間にはHe、Xe、Ne等を含む不活性ガス成分からなる放電ガスが所定圧力で封入される。
上記構成のPDP1は、駆動時には各ドライバ111〜113を含む公知の駆動回路(不図示)によって、各表示電極対6の間隙に数十kHz〜数百kHzのAC電圧が印加される。これにより任意の放電セル内で放電が発生し、励起Xe原子による波長147nm主体の共鳴線と励起Xe分子による波長173nm主体の分子線を含む紫外線(図1の点線及び矢印)が蛍光体層14に照射される。蛍光体層14は励起されて可視光発光する。そして当該可視光はフロントパネル2を透過して前面に発光される。
ここで図3は、フィールド中の第m番目のサブフィールドにおける駆動波形例である。図3が示すように、各サブフィールドには、初期化期間、アドレス期間、維持期間、消去期間がそれぞれ割り当てられる。
(MgO微粒子の構成)
図4は、MgO微粒子群16に含まれる各MgO微粒子の形状を示す模式図である。MgO微粒子群16は、MgO前駆体を焼成して得られる、主として4種の形状の粒子16a、16b、16c、16dを含んでなる。
粒子16c、16dは、図4(c)、(d)に示すように、それぞれ(100)面、(110)面、(111)面の3面からなる特定3種配向面で囲まれたNaCl結晶構造を有する。
次に、図4(b)に示すMgO微粒子16bは、8面体を基本構造とし、その各頂点が切除されたことにより切頂面81bが形成された14面体である。8面存在する6角形状の主要面82bが(111)面に相当し、6面存在する4角形状の切頂面81bが(100)面に相当する。
ここで主要面とは、上記6面体または8面体の中で同一ミラー指数を持つ面の面積の総和が最も大きいミラー指数を持つ面をいう。また切頂面とは、多面体の頂点が切除されたことにより形成された面をいう。
ここで、図4では一例として、MgO微粒子16aでは当該粒子全体の面積に対して(100)面が占める割合を50%以上98%以下としている。一方、MgO微粒子16bでは前記割合を30%以上50%以下としている。
また、図4(d)に示すMgO微粒子16dは、16aにおいて隣接する(100)面の境界が切除されることにより、斜方面83dが形成された26面体である。これにより、MgO微粒子16dでは、6面存在する8角形状の(100)面からなる主要面81d、8面存在する6角形状の(111)面からなる切頂面82dと、12面存在する4角形状の(110)面からなる斜方面83dとを有する26面体となっている。なお、焼成条件によっては、(100)面もしくは(110)面が占める面積が肥大する場合があり、このとき、(100)面もしくは(110)面が主要面となる。
ここで「斜方面」とは、26面体において、2つの頂点を結ぶ線である辺が切除されたことにより形成された面をいう。
図5は、上記MgO微粒子16a〜16dのバリエーションの形状を示す図である。
MgO微粒子16bは、8面体構造を有し、更に少なくとも1つの切頂面が形成されていればよい。例えば、図5(c)に示すMgO微粒子16b1のように、切頂面が1つだけ存在する構造や、図5(d)に示すMgO微粒子16b2のように、切頂面が2つだけ存在する構造も取り得る。このとき、切頂面が(100)面に相当し、主要面が(111)面に相当する。なお、8面体構造を有し、更に少なくとも1つの切頂面が形成されているとは、9面以上を有する多面体であって、少なくとも1面が切頂面である構造を有していると言い換えることができる。
MgO微粒子16cは、8面体構造を有し、更に少なくとも1つの切頂面、かつ、少なくとも1つの斜方面が形成されていればよい。例えば、図5(e)に示すMgO微粒子16c1のように、6つの切頂面に対し、斜方面が1つだけ存在する構造も取り得る。このとき、主要面が(111)面に相当し、切頂面が(100)面に相当し、斜方面が(110)面に相当する。なお、8面体構造を有し、更に少なくとも1つの切頂面、かつ、少なくとも1つの斜方面が形成されているとは、10面以上を有する多面体であって、少なくとも1面が切頂面であり、かつ、少なくとも1面が斜方面である構造を有していると言い換えることができる。
MgO微粒子16dは、6面体構造を有し、更に少なくとも1つの切頂面、かつ、少なくとも1つの斜方面が形成されていればよい。例えば、図5(f)に示すMgO微粒子16d1のように、8つの切頂面に対し、斜方面が1つだけ存在する構造も取り得る。このとき、主要面が(100)面に相当し、切頂面が(111)面に相当し、斜方面が(110)面に相当する。なお、6面体構造を有し、更に少なくとも1つの切頂面、かつ、少なくとも1つの斜方面が形成されているとは、8面以上を有する多面体であって、少なくとも1面が切頂面であり、かつ、少なくとも1面が斜方面である構造を有していると言い換えることができる。
PDP1では、蛍光体層14にMgO微粒子群16を配設するに際して、(100)面と(111)面からなる特定2種配向面で囲まれたNaCl結晶構造を有するMgO微粒子16a、16bと、さらに(100)面、(110)面、(111)面からなる特定3種配向面で囲まれたNaCl結晶構造を有するMgO微粒子16c、16dを用いている。PDP1では、このように特定2種配向面及び特定3種配向面を有するMgO微粒子16a〜16dを含むMgO微粒子群16を蛍光体層14の層内部に分散させて配置することで、各配向面の特性を発揮させるとともに、各特性を互いに補完させた効果を期待できるようになっている。
しかしながら、この問題はMgO微粒子において、さらに(111)面及び(110)面を併用することで抑制できる。(111)面は、低温から高温までの広い温度域で良好な電子放出特性を発揮し、特に常温以上で良好な電子放出特性を発揮する結晶面である。このため、特に、常温以上の温度範囲で初期化輝点の発生を抑制する効果が得られる。また(110)面は、低温から高温までの広い温度域で優れた電子放出特性を発揮できるので、豊富な電子を利用して、初期化輝点の発生がより効果的に防止される。
以上のようにPDP1では、(100)面及び(111)面に囲まれてなるMgO微粒子16a、16b、もしくは、(100)面、(111)面、及び(110)面に囲まれてなるMgO微粒子16c、16d、または当該MgO微粒子16a〜16dを混合して利用することで、高い2次電子放出効果が奏され、特に蛍光体層14からの豊富な電子放出によって、初期化輝点の発生防止が期待できる。
第一に、駆動時において、放電空間15で発生した波長147nmまたは173nmの紫外線が蛍光体層14に到達すると、蛍光体粒子の間隙に充填されたMgO微粒子16a〜16dが当該紫外線を受け、2次電子放出特性を発揮する。ここでMgO微粒子16a〜16dでは、特定2種及び特定3種配向面を利用することで、上記の通り従来に比べて格段に優れた2次電子放出特性を有しており、低温から高温までの広範囲な温度域にわたり、豊富な2次電子が放電空間15に向けて放出される。
このため、肉眼で確認できる好ましくない強放電(初期化輝点)の発生が抑制され、スムーズに弱放電を進行させることができるので、初期化輝点による画像表示性能の低下の問題を有効に防止できる。従って、PDPの構成上、たとえランプ波形の電圧印加時においてデータ電極側がカソードとなるランプ波形を印加しても、放電開始電圧Vfを上げることなく従来と同等値で弱放電を発生させることができる。また、このような効果はPDPの環境温度が低温から比較的高温の場合まで、いずれの温度域にあっても、良好に発揮される。
なお、MgO微粒子のサイズが小さい場合や、微粒子全体の表面積に占める割合が小さい場合は、各面に対応した上記の放電特性を充分に発揮しない場合がある。後述するように、気相酸化法で作製されたMgO微粒子は、粒径に比較的バラつきがあるため、300nm未満の粒径を有する微粒子は(100)面で構成されるにもかかわらず、PDPにおいて初期化輝点を発生したり、放電遅れを生ずる原因となりうる。しかしながら、前駆体焼成法で作製されたMgO微粒子16a〜16dは、粒径が均一で、ほぼ全ての微粒子が一次粒子として300nm以上の粒径を有する。これによりMgO微粒子16a〜16dは、ほぼ全ての微粒子が各配向面に対応した放電特性を発揮できるので、気相酸化法で作製されたMgO微粒子の問題を回避して、特に優れた初期化輝点の抑制効果が均一に得られようになっている。
以上のように本発明によれば、MgO微粒子16a〜16dを蛍光体層14に配設することによって、初期化輝点の発光抑制、蛍光体の可視光発光量の向上、及び各色蛍光体層間の発光強度のバラツキを防止する効果をともに実現することができ、従来の構成に比べて飛躍的に優れた画像表示性能が期待されるものである。
(MgO微粒子のカソードルミネッセンス特性について)
従来の気相酸化法で作製したMgO微粒子(比較例)と、本発明の特定2種配向面もしくは特定3種配向面で囲まれたMgO微粒子16a、16b、16c、16d(実施例)について行った、カソードルミネッセンス(CL)測定の結果を図7(a)、(b)に示す。
このうち実施例では図7(b)に示すように、CLスペクトルでは、200〜300nm付近において極大なピークの存在が確認できる。この200〜300nm付近の波長の光は、PDPの放電時にも発生する。この極大なピークは、気相酸化法で作製した比較例のMgO微粒子については確認されない。
一方、実施例のように、前駆体焼成法で作製されたMgO微粒子は、気相酸化法で作製された比較例のようなMgO微粒子に比べて電子放出性能が高いことが、本願発明者らの別の考察で明らかになっている。従って、CLスペクトルの200nm〜300nmの波長領域において、極大なピークの有無を確認することは、MgO微粒子の電子放出特性に関する有効な評価指針となる。従って、このことを根拠として、前駆体焼成法で作製された本発明のMgO微粒子は、気相酸化法で作製されたMgO微粒子よりも高い電子放出能を有すると評価できる。
さらに、MgO微粒子16a〜16dが蛍光体成分に比して十分に高い2次電子放出特性を有するため、各色蛍光体層14中の各蛍光体成分に起因する放電特性のバラツキが相対的に目立たなくなる。その結果、PDP全体の放電セルで放電特性を揃えることが可能となり、PDP1における安定性の高い画像表示性能の発揮が期待できる。
ここで、本実施の形態1におけるMgO微粒子16a、16b、16c、16dが、各結晶構造において取り得る各結晶面の面積割合について説明する。
MgO微粒子16aの表面における(100)面が、MgO微粒子16aの全表面において占める面積の割合は、50%以上98%以下の範囲が好適である。
MgO微粒子16bの表面における(100)面が、MgO微粒子16bの全表面において占める面積の割合は、30%以上50%以下の範囲が好適である。
MgO微粒子16cの表面における(111)面が、MgO微粒子16cの全表面において占める面積の割合は、10%以上80%以下の範囲が好適である。
さらに、MgO微粒子16cの表面における(110)面が、MgO微粒子16cの全表面において占める面積の割合は、5%以上50%以下の範囲が好適である。
MgO微粒子16dの表面における(111)面が、MgO微粒子16dの全表面において占める面積の割合は、10%以上40%以下の範囲が好適である。
さらに、MgO微粒子16dの表面における(110)面が、MgO微粒子16dの全表面において占める面積の割合は、10%以上40%以下の範囲が好適である。
(MgO微粒子による紫外光発光の確認)
本発明の前駆体焼成法で作製されたMgO微粒子を波長173nmの真空紫外光により励起した際に発生する紫外線発光について、実際に測定を行って確認した。図8に、当該実験により測定された発光スペクトルを示す。
このような性質を有するMgO微粒子16a〜16dを蛍光体層に配設することにより、PDPパネル中のXeガスから発生した波長147nmや173nmの真空紫外光により、MgO微粒子群16が励起され、波長200〜300nmの紫外光を発光する。これにより、蛍光体層を構成する蛍光体材料が励起され、輝度を向上させることができる。
(比表面積について)
本発明のMgO微粒子について、MgO前駆体を700℃以上2000℃未満の温度範囲で焼成して作製し、BET値の頻度を測定した。図9にその測定結果を示す。
当図に示されるように、本発明のMgO微粒子のBET値は、MgO前駆体の種類や焼成プロファイル、焼成雰囲気等の各条件により若干変化するが、概ね1.0 m2/g以下、2.0m2/gの範囲に収まり、大部分が1.0 m2/g以上1.6 m2/g以下の範囲内に集中する。
このように、前駆体焼成法で作製されたMgO微粒子は、気相酸化法で作製されたMgO微粒子よりも比表面積が小さい性質を有することが確認できる。この特徴により本発明のMgO微粒子では、放電空間15中の不要ガスと接触する面積が従来よりも低減されるので、ガス吸着量が抑制され、経時的に優れた耐吸着性が発揮されるものと考えられる。
本発明の実施の形態2について、実施の形態1との差異を中心に説明する。図10は、本実施の形態2に係るPDP1aを示す断面図である。
PDP1aは、フロントパネル2における表面層8の上にMgO微粒子群16Xが配置され、表面層8とMgO微粒子群16Xとの積層構造により保護層17が形成された特徴を有する。MgO微粒子群16Xは、16と同様にMgO微粒子16a〜16dを含んで構成されている。
すなわち従来のPDPでは、放電空間で放電ガスにより球面波として発生する波長147nmや173nmの真空紫外光は、フロントパネル側のMgOからなる保護層においては実質的に何ら可視光発光に寄与されず、当該保護層に吸収されてしまう。そのため、球面波の真空紫外線のうち、蛍光体層に到達する一部の紫外線のみが蛍光体の可視光発光に供され、フロントパネル側に照射される残余の紫外線は可視光発光にほぼ寄与されずに無駄になっている。
またMgO微粒子16a〜16dから発光される200〜300nmの紫外光は、放電ガス中のXeガスから発生した147nmや173nmの真空紫外光から発生される紫外光よりも寿命が長い性質がある。このため、MgO微粒子16a〜16dから発生した紫外線が継続的に照射されることで、蛍光体層14中の電子は比較的浅い準位に存在し続け、蛍光体の電子放出特性が向上するといった効果が得られる。
一般に、PDPの放電遅れの問題は、MgOを含む表面層において、MgO微粒子の結晶中に2次電子放出特性が低い配向面のみが存在する場合に発生しうる。このような好ましくない配向面としては、(100)面が該当すると考えられる。
さらに、特定3種配向面を持つMgO微粒子を利用することによって、各配向面の特性を活かしつつ、相互に配向面の特性を補完させて、「放電遅れ」と「放電遅れの温度依存性」に加えて「放電遅れの空間電荷依存性」の抑制も行え、一層良好な画像表示性能の発揮が期待できるものである。
以下、その他の実施の形態3、4について、実施の形態1、2との差異を中心に説明する。
図11は、実施の形態3のPDP1bの構成を示す断面図である。PDP1bは、PDP1aとほぼ同様の構成であるが、表面層8を用いず、MgO微粒子16a〜16dからなるMgO微粒子群16Xを誘電体層7の表面に直接配設した点が異なる。
図12は、実施の形態4のPDP1cの構成を示す断面図である。PDP1cは蛍光体層14のバックパネル9側の底面において、MgO微粒子16a〜16dによりMgO微粒子群16Yが形成された特徴を持つ。
また、PDP1、1a〜1cの各構成は、矛盾しない範囲で互いに組み合わせても良い。
<PDPの製造方法>
次に、各実施の形態におけるPDP1、2の製造方法例について説明する。PDP1、1a〜1cの違いは、主に表面層8及び蛍光体層14周辺の構成にあり、その他の部分の製造工程は共通している。
(MgO微粒子の製造方法)
MgO微粒子16a〜16dを得るためには、一例として、高純度のマグネシウム化合物(MgO前駆体)を高温の酸素含有雰囲気(700℃以上)で均一に熱処理して焼成する。
次に焼成温度の設定を行なう場合、700℃以上が好ましく1000℃以上が一層好ましい。これは、焼成温度が700℃を下回る温度では、結晶面が十分発達せず欠陥が多くなり、微粒子への不純物ガスの吸着が多くなるためである。ただし、焼成温度が2000℃より高温に達すると、酸素抜けが生じてしまい、結果としてMgOの欠陥が多くなるため吸着が生じる。このため、1800℃以下が好ましい。
ここで、700℃以上2000℃以下の焼成温度条件で焼成を行なった場合、特定2種及び3種配向面で囲まれたMgO微粒子16a〜16dがともに生成される。本発明者による別の実験により、およそ1500℃以上の温度で焼成を行うと、(110)面が縮小していく傾向がみられることが分かった。したがって、特定3種配向面で囲まれたMgO微粒子16c、16dの生成頻度を上げるためには、700℃以上1500℃未満の焼成温度が好ましい。一方、特定2種配向面で囲まれたMgO微粒子16a、16bの生成頻度を上げるためには、1500℃以上2000℃以下の焼成温度が好ましい。
ここで、MgO前駆体としての水酸化マグネシウムを液相方法で作製する工程、及び、その水酸化マグネシウムを用いてMgO微粒子16a〜16dを含む粉体を作製する工程について具体的に説明する。
このため従来の製造工程では、均一な放電特性を得るために、一定の粒径範囲の粒子を選別する分級工程が必要である(例えば特開2006−147417号公報に記載)。
これに対し本発明では、MgO前駆体を焼成してMgO微粒子を得るが、当該MgO微粒子は、従来よりも粒径が均一で且つ一定の粒径範囲に収まっている。具体的には、本発明で作製されるMgO微粒子のサイズは300nm〜2μmの範囲に収まっている。このため、気相酸化法で作製された結晶よりも比表面積が小さい粒子が得られる。このことは、本発明のMgO微粒子16a〜16dが耐吸着性に優れている一つの要因であり、電子放出性能を向上させていると考えられる。また、これにより本発明では、不要な微粒子を振り分ける分級工程を省略することも可能であり、工程の簡略化により製造効率及びコストの面で非常に有利な面がある。
厚さ約2.6mmのソーダライムガラスからなるフロントパネルガラス3の面上に、表示電極対6を作製する。ここでは印刷法によって表示電極対6を形成する例を示すが、これ以外にもダイコート法、ブレードコート法等で形成することができる。
まず、ITO、SnO2、ZnO等の透明電極材料を最終厚み約100nmで、ストライプ等所定のパターンでフロントパネルガラス上に塗布し、乾燥させる。これにより透明電極41、51が作製される。
ここで、PDP1、1a、1cを作製する場合は、次に誘電体層の表面に所定の厚みの表面層を成膜する。成膜方法は蒸着法を用い、酸素雰囲気中において、ピアス式電子ビームガンを加熱源として、上記蒸着源を加熱して行う。成膜時の電子ビーム電流量、酸素分圧量、基板温度等は成膜後の表面層の組成に大きな影響を及ぼさないため、任意設定で構わない。なお表面層の成膜方法は、上記EB法に限定するものではなく、その他の方法、例えばスパッタ法、イオンプレーティング法等、各種薄膜法を利用してもよい。
以上でフロントパネル2が作製される。
(バックパネルの作製)
厚さ約2.6mmのソーダライムガラスからなるバックパネルガラス10の表面上に、スクリーン印刷法によりAgを主成分とする導電体材料を一定間隔でストライプ状に塗布し、厚さ数μm(例えば約5μm)のデータ電極11を形成する。データ電極11の電極材料としては、Ag、Al、Ni、Pt、Cr、Cu、Pd等の金属や、各種金属の炭化物や窒化物等の導電性セラミックスなどの材料やこれらの組み合わせ、あるいはそれらを積層して形成される積層電極も必要に応じて使用できる。
続いて、データ電極11を形成したバックパネルガラス10の面全体にわたって鉛系あるいは非鉛系の低融点ガラスやSiO2材料からなるガラスペーストを厚さ約20〜30μmで塗布して焼成し、誘電体層12を形成する。
次に、誘電体層12面上に所定のパターンで隔壁13を形成する。この隔壁13は、低融点ガラス材料ペーストを塗布し、サンドブラスト法やフォトリソグラフィ法を用い、隣接放電セル(図示省略)との境界周囲を仕切るように、放電セルの複数個の配列を行および列を仕切る井桁形状のパターンで形成する。
なお、PDP1cを作製する場合は、MgO微粒子を溶媒に分散させてなる分散液を誘電体層12の表面に塗布し、これを乾燥させてMgO微粒子群16Yを配設しておく。
赤色蛍光体;Y2O3;Eu3+
緑色蛍光体;Zn2SiO4:Mn
青色蛍光体;BaMgAl10O17:Eu2+
蛍光体層の形成方法としては、静電塗布法、スプレー法、スクリーン印刷法等、いずれかの公知の方法が採用できる。
(PDPの完成)
作製したフロントパネル2とバックパネル9を、封着用ガラスを用いて貼り合わせる。その後、放電空間15の内部を高真空(1.0×10−4Pa)程度に排気し、大気や不純物ガスを取り除く。そして当該内部に所定の圧力(ここでは66.5kPa〜101kPa)でNe−Xe系やHe−Ne−Xe系、Ne−Xe−Ar系等のXe混合ガスを放電ガスとして封入する。混合ガス中のXe濃度は15%〜100%とする。
なお、上記方法例ではフロントパネルガラス3およびバックパネルガラス10をソーダライムガラスからなるものとしたが、これは材料の一例として挙げたものであって、これ以外の材料で構成してもよい。
<性能評価実験>
次に、本発明の実施例を比較例とともに作製して、本発明の性能評価試験を行った。その結果について以下に示す。なお、当然ながら実施例の構成及び性能評価試験の方法は、本発明を何ら限定するものではない。
[実験1]
気相酸化法及び前駆体焼成法で作製されたMgO微粒子を量を変えて蛍光体成分と組み合わせ、蛍光体層として配設したPDPを駆動することにより、MgO微粒子の重量濃度と輝度変化の関係について調べた。蛍光体には一般的な蛍光特性を有する青色蛍光体のBaMgAl10O17:Euを用いた。MgO微粒子としては、水酸化マグネシウムを前駆体として、各々1200℃及び1000℃で焼成することにより作製した実施例のMgO微粒子1、2を用意し、気相酸化法により作製した比較例のMgO微粒子3を用意した。用意したMgO微粒子1〜3の各BET値は、同順に1.0m2/g、2.0m2/g、7.1m2/gであった。
これに対して、MgO微粒子1及び2では、BET値がそれぞれ1.0m2/g、2.0m2/gに低く調整され、蛍光体層全体における重量濃度が10wt%程度に達しても、輝度劣化はMgO微粒子3に比べてそれほど見られなかった。これは、MgO微粒子1及び2では、蛍光体から球面状に発光される可視光が、蛍光体層の空隙に存在するBET値の小さいMgO微粒子によって良好に反射され、その際に乱反射も防止されるので、MgO微粒子3に比べて輝度低下の要因が補填されたものと考えられる。この可視光の反射の効果は、BET値が小さいほど大きく、また、蛍光体からの可視光の乱反射もBET値が小さいほど抑えられることが分かっている。
[実験2]
次に、実施例及び比較例のサンプル1〜8のPDPを用意し、初期化輝点の発生率と輝度を調べた。サンプル2〜4(実施例1〜3)は実施の形態1のPDP1に準じて作製し、サンプル6〜8(実施例4〜6)は実施の形態2のPDP1aの構成に準じて作製した。
各サンプルは以下のように調整した。
サンプル1(比較例1):最も基本的なPDPの従来構成として、バックパネル側の蛍光体にも、フロントパネル側の誘電体層にもMgO微粒子を配設しない構造とした。
サンプル3(実施例2):バックパネル側の蛍光体層には、2wt%の割合で水酸化マグネシウムを前駆体として、各々1200℃焼成することにより作製されたMgO微粒子を配設し、フロントパネル側の誘電体層にはMgO微粒子を配設しない構造とした。
サンプル5(比較例2):バックパネル側の蛍光体層にはMgO微粒子を配設せず、フロントパネル側の誘電体層には、前駆体焼成によって作製された酸化マグネシウム微粒子を配設した構成とした。
サンプル7(実施例5):バックパネル側の蛍光体層には、2wt%の割合で水酸化マグネしウムを前駆体として、各々1200℃焼成することにより作製されたMgO微粒子を配設し、フロントパネル側の誘電体層には、前駆体焼成によって作製された酸化マグネシウム微粒子を配設する構造とした。
サンプル8(実施例6):バックパネル側の蛍光体層には、10wt%の割合で水酸化マグネしウムを前駆体として、各々1200℃焼成することにより作製されたMgO微粒子を配設し、フロントパネル側の誘電体層には、前駆体焼成によって作製された酸化マグネシウム微粒子を配設する構造とした。
図14に示す結果から、実施の形態1に相当する構成のサンプル2、3、4(実施例1、2、3)では、サンプル1(比較例1)に比べて初期化輝点の発生頻度が減少しており、PDPとして特に優れた性能を有することが確認できた。これは、蛍光体成分と前駆体焼成法で作製したMgO微粒子とを組み合わせることで、蛍光体層全体における2次電子放出係数γを従来よりも飛躍的に増大できたためと考えられる。さらに、蛍光体層中のMgO微粒子の重量濃度が増加するに従い、初期化輝点の発生頻度が顕著に減少することが分かった。
<その他の事項>
上記各実施の形態におけるPDPでは、MgO微粒子として16a〜16dを用いる例を示したが、本発明はこれら4種のMgO微粒子の全てを同時に用いる必要はない。このため、前述したMgO微粒子16a〜16d、16a1、16a2、16b1、16b2、16c1、16d1の内の1種以上を用いればよい。
また本発明では、Xe分圧の高い構成や微細セル構成の場合でも初期化輝点の発生が抑制されるので、画質が温度環境に影響されにくい高画質なディスプレイとして利用することができる。
2 フロントパネル
3 フロントパネルガラス
4 サステイン電極
5 スキャン電極
6 表示電極対
7、12 誘電体層
8 表面層
9 バックパネル
10 バックパネルガラス
11 データ(アドレス)電極
13 隔壁
14 蛍光体層
15 放電空間
16、16X、16Y MgO微粒子群
16a 特定2種配向面で囲まれた結晶構造を有するMgO微粒子
16b 特定2種配向面で囲まれた結晶構造を有するMgO微粒子
16c 特定3種配向面で囲まれた結晶構造を有するMgO微粒子
16d 特定3種配向面で囲まれた結晶構造を有するMgO微粒子
16a1、16a2 特定2種配向面で囲まれた結晶構造を有するMgO微粒子のバリエーション
16b1、16b2 特定2種配向面で囲まれた結晶構造を有するMgO微粒子のバリエーション
16c1 特定3種配向面で囲まれた結晶構造を有するMgO微粒子のバリエーション
16d1 特定3種配向面で囲まれた結晶構造を有するMgO微粒子のバリエーション
17 保護層
140 蛍光体層の表面
Claims (26)
- 片面に蛍光体層が形成された第一基板が、前記片面において、放電空間を介して第二基板と対向に配置され、第一基板及び第二基板の周囲が封着されたプラズマディスプレイパネルであって、
蛍光体層は、蛍光体成分と、(100)面及び(111)面とで囲まれた結晶構造を有する酸化マグネシウム微粒子を含む酸化マグネシウム微粒子群とを含んでなり、
酸化マグネシウム微粒子群は蛍光体層における、当該層内部または放電空間に臨む表面、或いは背面基板側の当該層底部、の少なくとも何れかの領域に配設されている
プラズマディスプレイパネル。 - 第二基板の片面には、放電空間に臨む表面領域に、前記酸化マグネシウム微粒子と同一の結晶構造を有する酸化マグネシウム微粒子を含む酸化マグネシウム微粒子群が配設されている
請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 第二基板の前記片面には、複数の電極と、当該複数の電極を覆うように誘電体層とが配設され、
前記酸化マグネシウム微粒子群は、前記誘電体層表面に対して直接、または保護層を介して配設されている
請求項2に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 酸化マグネシウム微粒子は、6面体構造を有し、更に少なくとも1つの切頂面を有する
請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 酸化マグネシウム微粒子は、主要面に(100)面、切頂面に(111)面を有する
請求項4に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 酸化マグネシウム微粒子は、8面体構造を有し、更に少なくとも1つの切頂面を有する
請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 酸化マグネシウム微粒子は、主要面に(111)面、切頂面に(100)面を有する
請求項6に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 酸化マグネシウム微粒子は、(100)面に相当する6面及び(111)面に相当する8面を持つ14面体である
請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 酸化マグネシウム微粒子は、主要面に(100)面、切頂面に(111)面を持つ
請求項8に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 酸化マグネシウム微粒子は、主要面に(111)面、切頂面に(100)面を持つ
請求項8に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 酸化マグネシウム微粒子は、酸化マグネシウム前駆体の焼成生成物である
請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 酸化マグネシウム微粒子は、粒径が300nm以上である
請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 酸化マグネシウム微粒子は、BET値が2.0m2以下である
請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 片面に蛍光体層が形成された第一基板が、前記方面において、放電空間を介して第二基板と対向に配置され、第一基板及び第二基板の周囲が封着されたプラズマディスプレイパネルであって、
蛍光体層は、蛍光体成分と、(100)面、(110)面、(111)面とで囲まれた結晶構造を有する酸化マグネシウム微粒子を含む酸化マグネシウム微粒子群とを含んでなり、
酸化マグネシウム微粒子群は蛍光体層における、当該層内部または放電空間に臨む表面、或いは背面基板側の当該層底部、の少なくとも何れかの領域に配設されている
プラズマディスプレイパネル。 - 第二基板の片面には、放電空間に臨む表面領域に、前記酸化マグネシウム微粒子と同一の結晶構造を有する酸化マグネシウム微粒子を含む酸化マグネシウム微粒子群が配設されている
請求項14に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 第二基板の前記片面には、複数の電極と、当該複数の電極を覆うように誘電体層とが配設され、
前記酸化マグネシウム微粒子群は、前記誘電体層表面に対して直接、または保護層を介して配設されている
請求項15に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 酸化マグネシウム微粒子は、6面体構造を有し、更に少なくとも1つの切頂面と、少なくとも1つの斜方面とを有する
請求項14に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 酸化マグネシウム微粒子は、主要面に(100)面、切頂面に(111)面、斜方面に(110)面を持つ
請求項17に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 酸化マグネシウム微粒子は、8面体構造を有し、更に少なくとも1つの切頂面と、少なくとも1つの斜方面とを有する
請求項14に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 酸化マグネシウム微粒子は、主要面に(111)面、切頂面に(100)面、斜方面に(110)面を持つ
請求項19に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 酸化マグネシウム微粒子は、(100)面に相当する6面及び(110)面に相当する12面、並びに(111)面に相当する8面を持つ26面体である
請求項14に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 酸化マグネシウム微粒子は、主要面に(111)面、斜方面に(110)面、切頂面に(100)面を持つ
請求項21に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 酸化マグネシウム微粒子は、主要面に(100)面、斜方面に(110)面、切頂面に(111)面を持つ
請求項21に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 酸化マグネシウム微粒子は、酸化マグネシウム前駆体の焼成生成物である
請求項14に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 酸化マグネシウム微粒子は、粒径が300nm以上である
請求項14に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 酸化マグネシウム微粒子は、BET値が2.0m2以下である
請求項14に記載のプラズマディスプレイパネル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009523520A JP5028487B2 (ja) | 2007-07-13 | 2008-04-15 | プラズマディスプレイパネル |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007184220 | 2007-07-13 | ||
JP2007184220 | 2007-07-13 | ||
PCT/JP2008/000986 WO2009011081A1 (ja) | 2007-07-13 | 2008-04-15 | プラズマディスプレイパネル |
JP2009523520A JP5028487B2 (ja) | 2007-07-13 | 2008-04-15 | プラズマディスプレイパネル |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2009011081A1 true JPWO2009011081A1 (ja) | 2010-09-16 |
JP5028487B2 JP5028487B2 (ja) | 2012-09-19 |
Family
ID=40259429
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009523520A Expired - Fee Related JP5028487B2 (ja) | 2007-07-13 | 2008-04-15 | プラズマディスプレイパネル |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100181909A1 (ja) |
JP (1) | JP5028487B2 (ja) |
KR (1) | KR20100031532A (ja) |
CN (1) | CN101790769B (ja) |
WO (1) | WO2009011081A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010251054A (ja) * | 2009-04-14 | 2010-11-04 | Hitachi Ltd | プラズマディスプレイ装置およびその製造方法 |
CN103311071B (zh) * | 2013-06-14 | 2015-05-27 | 电子科技大学 | 一种pdp用铝掺杂类立方体状氧化镁粉末材料的制备方法 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2571015B2 (ja) * | 1994-04-27 | 1997-01-16 | 日本電気株式会社 | ガス放電表示パネルの製造方法 |
JPH0912976A (ja) * | 1995-07-04 | 1997-01-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | 誘電体保護膜形成用ペースト |
JPH10130827A (ja) * | 1996-10-28 | 1998-05-19 | Mitsubishi Materials Corp | MgOターゲット及びその製造方法 |
WO2000003408A1 (fr) * | 1998-07-08 | 2000-01-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede de production d'ecrans plasma pour image haute qualite, dispositif de production et encre fluorescente a cet effet |
US6605151B1 (en) * | 1999-11-29 | 2003-08-12 | Northwestern University | Oxide thin films and composites and related methods of deposition |
JP2001240856A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-04 | Sumitomo Chem Co Ltd | 真空紫外線励起発光素子用蛍光体 |
CN100414664C (zh) * | 2000-08-29 | 2008-08-27 | 松下电器产业株式会社 | 等离子体显示面板及其制造方法和等离子体显示面板显示装置 |
JP2003092086A (ja) * | 2001-09-19 | 2003-03-28 | Nec Lighting Ltd | 希ガス放電灯及びその製造方法並びに蛍光体膜形成材料 |
JP3921118B2 (ja) * | 2002-04-04 | 2007-05-30 | 三星エスディアイ株式会社 | プラズマ表示パネル |
JP2004207047A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Fujitsu Ltd | 蛍光体層及びそれを用いたプラズマディスプレイパネル |
KR100570675B1 (ko) * | 2003-10-21 | 2006-04-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 보호막용 MgO 펠렛 및 이를이용한 플라즈마 디스플레이 패널 |
KR100612297B1 (ko) * | 2003-10-24 | 2006-08-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 보호막을 개선한 플라즈마 디스플레이 패널 |
JP4541832B2 (ja) * | 2004-03-19 | 2010-09-08 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
WO2006038654A1 (ja) * | 2004-10-05 | 2006-04-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | プラズマディスプレイパネルとその製造方法 |
JP4399344B2 (ja) * | 2004-11-22 | 2010-01-13 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
JP2006225743A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-31 | Tateho Chem Ind Co Ltd | 酸化マグネシウム単結晶蒸着材及びその製造方法 |
JP4824339B2 (ja) * | 2005-05-13 | 2011-11-30 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
EP2031629A4 (en) * | 2006-05-31 | 2010-07-21 | Panasonic Corp | PLASMA DISPLAY PANEL AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
JP2008004436A (ja) * | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Advanced Pdp Development Corp | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
EP2194560A1 (en) * | 2006-09-08 | 2010-06-09 | Panasonic Corporation | Plasma display panel and method therefor |
JP4110234B2 (ja) * | 2006-09-08 | 2008-07-02 | パイオニア株式会社 | プラズマディスプレイパネルおよびその駆動方法 |
US20080160346A1 (en) * | 2006-12-28 | 2008-07-03 | Masaharu Terauchi | Plasma display panel and manufacturing method therefor |
-
2008
- 2008-04-15 KR KR1020107000180A patent/KR20100031532A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-04-15 CN CN2008800244193A patent/CN101790769B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-04-15 US US12/665,310 patent/US20100181909A1/en not_active Abandoned
- 2008-04-15 WO PCT/JP2008/000986 patent/WO2009011081A1/ja active Application Filing
- 2008-04-15 JP JP2009523520A patent/JP5028487B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101790769A (zh) | 2010-07-28 |
WO2009011081A1 (ja) | 2009-01-22 |
KR20100031532A (ko) | 2010-03-22 |
JP5028487B2 (ja) | 2012-09-19 |
CN101790769B (zh) | 2012-06-13 |
US20100181909A1 (en) | 2010-07-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4148986B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
JP4148982B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
JP4129288B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルとその製造方法 | |
JP4476334B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルとその製造方法 | |
JP4659118B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルとその製造方法 | |
JP2009134921A (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
JP4989634B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
JP4148983B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
JP2009170191A (ja) | プラズマディスプレイパネルとその製造方法 | |
JP5028487B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
WO2010095344A1 (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
WO2011138870A1 (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
JP2009301841A (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
JP2009301865A (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
WO2010095343A1 (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
JP2013008507A (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
JP2013008508A (ja) | プラズマディスプレイパネル |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101005 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120605 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120625 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150629 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |