WO2006038654A1

WO2006038654A1 - プラズマディスプレイパネルとその製造方法

Info

Publication number: WO2006038654A1
Application number: PCT/JP2005/018443
Authority: WO
Inventors: Masanori Miura; Yukihiro Morita; Shinichiro Hashimoto; Kyohei Yoshino; Junko Asayama; Masashi Goto
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Priority date: 2004-10-05
Filing date: 2005-10-05
Publication date: 2006-04-13
Also published as: CN101073136A; JPWO2006038654A1; US20080061692A1; CN101916704A; JP4880472B2; KR20070061878A; CN101073136B; US7973477B2

Abstract

　本発明は、放電ガス中の全圧に対するＸｅ分圧比率を上げても、初期化期間において弱放電を常に安定化させて放電開始電圧を低下させ、初期化輝点の発生を抑制して画質を向上させ、かつ発光効率の低下を抑え輝度の低下を抑制し輝度を向上させることが可能なＰＤＰと、当該ＰＤＰを簡易に製造可能な製造方法を提供する。　本発明に係るＰＤＰは、前面パネルと背面パネルとが間に放電空間をあけた状態で対向配置された構成を有している。そして、背面パネルにおける放電空間側の領域には、蛍光体層が形成され、その表面の一部領域に高γ部としての蛍光体皮膜が形成されている。　蛍光体皮膜は、蛍光体層を構成する蛍光体材料よりも２次電子放出係数γが高い材料から構成されている。蛍光体層の表面は、その一部が蛍光体皮膜で覆われ、その他の部分が放電空間を臨む状態となっている。

Description

明細書

プラズマディスプレイパネルとその製造方法

技術分野

[0001] 本発明は、プラズマディスプレイパネルとその製造方法に関する。

背景技術

[0002] 従来の気体放電からの放射を利用した平面表示装置としてプラズマディスプレイ装置（以下では、「PDP装置」と記載する。）の商品化が図られている。この PDP装置には直流型 (DC型）と交流型 (AC型）があるが、大型表示装置として、面放電型 AC型 PDP装置がより高、技術的ポテンシャルを持ち寿命特性がすぐれ商品化されて!/、る。 PDP装置のパネル部であるプラズマディスプレイパネル（以下では、「PDP」と記載する。）の構成について、図 26 (a)を用いて説明する。図 26 (a)は、従来の代表的な面放電型 AC型 PDPの一部の放電セル構造を示す展開斜視図（一部断面図)である。

[0003] 図 26 (a)に示すように、 PDPは、前面パネル 710と背面パネル 720とが対向配置された構成を有する。前面パネル 710は、前面基板 711と、この表面上に形成された表示電極対 712、およびその上に順次積層される誘電体層 715および誘電体保護層 716などカゝらなる。この内、表示電極対 712は、ストライプ状に延びたスキャン電極 713とサスティン電極 714とで構成され、その各々の電極 713、 714は、透明電極要素 713a、 714aとノスライン 713b、 714bとの積層により構成されている。ここで、バスライン 713b、 714bは、透明電極要素 713a、 714aの高抵抗を補うため、即ち、電気抵抗を下げるために金属材料などで細幅に形成されるものである。

[0004] 誘電体層 715は、低融点ガラスカゝら形成され、 AC型 PDP特有の電流制限機能を有する。誘電体保護層 716は、スキャン電極 713およびサスティン電極 714の表面を保護すると共に、 2次電子を効率よく放出し放電開始電圧を低下させる機能を有する。そして、誘電体保護層 716の材料としては、 2次電子放出係数 γが大きぐ且つ、耐スパッタ性が高ぐ光学的に透明な電気絶縁性材料である金属酸ィ匕物の MgO (酸ィ匕マグネシウム）が広く用いられている。 [0005] 背面パネル 720は、背面基板 721と、この表面上にストライプ状に複数形成され、画像データを書き込むためのデータ電極 722と、さらにデータ電極 722および背面基板 721表面の少なくとも一部を覆うように、背面側の誘電体層 723が低融点ガラスにより積層される。隣接する放電セル（図示省略）との間の誘電体層 723上には、所定の高さの隔壁 724が低融点ガラスによってストライプ状や井桁状（図 26 (a)では、一例として井桁状。）などに形成され、さらに誘電体層 723の表面と隔壁 724の側壁には、蛍光体層 725が塗布焼成され配置された構造としている。蛍光体層 725は、放電セル毎に赤、緑、青発光の 3色の蛍光体材料のそれぞれが区分けされ使用されている。

[0006] PDPは、前面パネル 710と背面パネル 720とを、スキャン電極 713およびサスティン電極 714とデータ電極 722とが交差する方向に、配置され封着されて構成されている。ここで、前面パネル 710と背面パネル 720との間に形成される放電空間 730は、製造過程で残留する大気や不純物ガスを排気した後、放電ガスとして希ガスのキセノン (Xe) ·ネオン (Ne)あるいはキセノン (Xe) ·ヘリウム（He)などが充填されている。放電ガスは、全圧に対する Xeの分圧比率が 5 (%)〜6 (%)であって、封入圧力（全圧）が約数十 (kPa)で設定される。そして、 PDPでは、表示電極対 712とデータ電極 722とが立体交差する各領域が放電単位である放電セルに対応し、複数の放電セルがマトリクス状に配列した構成となって、る。

[0007] さらに、 PDPは、各電極 713、 714、 722に対してマトリクス状に駆動する駆動回路やこれらを制御する制御回路などが接続され、これによつて PDP装置が構成される。上記 AC型 PDPは、（1)全表示セルを初期化状態にする初期化期間、（2)各放電セルをアドレスし、各放電セルへ入力データに対応した表示状態を選択 '入力して!/ヽくデータの書き込み期間、（3)表示状態にある放電セルを表示発光させる維持期間とから構成される駆動方式により駆動表示されてヽる。

[0008] 表示するために直接発光させるのは、前面パネル 710のスキャン電極 713とサステイン電極 714とを用いてであり、データ電極 722は、表示発光させようとする放電セルを選択するために機能するものであって、表示発光には直接寄与していない。上記（ 2)の書き込み期間において、背面パネル 720のデータ電極 722を用いて書き込みデータが入力され、対向する前面パネル 710の誘電体保護層 716の表面に壁電荷が形成される。

[0009] 上記（3)の維持期間において、上記壁電荷が存在する放電セルで、表示電極対 7 12のスキャン電極 713とサスティン電極 714とのそれぞれに対し、電圧パルス（例えば、約 200 (V)の矩形波電圧）が互いに位相が異なるように印加される。即ち、維持期間では、上記表示電極対 712間に交流電圧を印加することにより、表示状態が書き込まれた放電セルに対し、電圧極性が変化するたびにパルス放電を発生させることができる。この維持放電の発生により、表示発光は、放電空間 730の励起 Xe原子力も波長 147 (nm)の共鳴線が発生し、励起 Xe分子からは波長 173 (nm)主体の分子線が放射される。

[0010] 次いで、上記紫外放射が、背面パネル 720に設けられた蛍光体層 725で可視放射に変換され、これにより可視光が得られる。ここで、誘電体保護層 716に壁電荷が書き込まれていない放電セルでは、維持期間に交流電圧が印加されても維持放電が発生することはなぐ表示状態は黒表示となる。なお、 AC型 PDPの表示画素単位は、通常、それぞれに赤、緑および青色発光の蛍光体層 725を設けた 3つの表示放電単位である放電セル力構成される。

[0011] 従来、 PDPの 3つの上記動作期間の内、全表示セルの壁電荷分布を初期化状態にする初期化期間において、コントラスト比を向上させるために、弱放電 (初期化放電）と呼ばれる弱い小さな放電を安定して起こさせる工夫がなされている。通常、電圧—時間推移が緩やかな傾斜で上下するランプ波形高電圧を、前面パネル 710のスキャン電極 713と背面パネル 720のデータ電極 722との間に印加し、小さな放電電流を定常的に流すことにより、弱放電が安定して起きるようにして、る。

[0012] 初期化期間における上りランプ波形電圧印加時の放電は、データ電極 722あるいは 2次電子放出係数 γが小さい蛍光体層 725側が力ソード（陰極）となる放電であるので、放電開始電圧が高くなり弱放電が不安定となって強い放電が起きやすくなる。このため、この放電の際には、映像に無関係な初期化による誤発光 (以下、初期化輝点と呼ぶ）が発生しやす!/、と、う問題がある。

[0013] そこで、従来においては、初期化期間における弱放電を安定して発生させるために、蛍光体層 725の表面を改質するという開発がなされている。このように蛍光体層 72 5の表面を改質することにより、初期化期間では、蛍光体層 725側が力ソードとなる時の放電開始電圧を低下させて弱放電を安定化させ、正確な書き込み制御ができるようにして初期ィ匕輝点の発生を抑制することが考えられる。

[0014] ところで、 PDPの開発にあたっては、輝度向上のために放電ガスにおける全圧に対する Xe分圧比率を上げて (高 Xe化を図って)発光効率を向上させることが提案されている。しかし、 PDPの放電ガスの全圧に対する Xe分圧比率を上げた場合には、発光効率は向上するが放電開始電圧が上昇することや、初期化期間における上記ランプ波形印加時において弱放電が不安定になり、正確な初期化ができなくなるという大きな問題が生じる。即ち、高 Xe化を図った PDPでは、放電開始時に印加される電圧が大きくなり、また放電遅れが大きくなるので、発生する初期化放電が弱放電ではなく強い放電が発生し易くなり、不正確な壁電荷量が移動し、初期ィ匕輝点となって PD Pの黒表示部分が光って白表示となり正確な表示ができなくなるという大きな問題がめつに。

[0015] 従来においては、駆動電圧を下げ、また隔壁 724側面や蛍光体層 725表面での荷電粒子の損失を低減し、発光効率を高めるために蛍光体層 725、隔壁 724、背面パネル 720の放電空間 730を臨む部分全てを、 2次電子放出係数 γが高い材料からなる皮膜で被覆するとヽぅ技術が提案されてヽる (例えば、特許文献 1参照)。

図 26 (b)は、特許文献 1に開示されている一実施例を示す断面図である。図 26 (b )に示すように、背面パネル 740では、背面基板 721の内側 (放電空間 730の側）に形成された蛍光体層 725の表面の放電空間 730を臨む部分全てが、 2次電子放出係数 Ύが高い材料カゝらなる蛍光体皮膜 746で被覆されている。なお、この実施例では、隔壁 724の表面が放電空間 730に露出する場合には、その露出部分も皮膜 74 6で被覆する。

[0016] 図 26 (b)に示す特許文献 1に係る PDPでは、書き込み期間以外の期間では、データ電極 722の付近の蛍光体層 725表面に正の壁電荷が蓄積され、さらにデータ電極 722付近の放電空間 730に正イオン群が浮遊し、隔壁 724側面や蛍光体層 725表面では放電空間 730中を拡散する電粒子が損失して、発光効率に悪影響を及ぼしているとしている。そこで、背面パネル 740の中で放電空間 730を臨む部分 (蛍光体層 725の表面に対応）に、 2次電子放出係数 γが高い材料を用いて皮膜 746を形成することにより、正イオンが皮膜 746表面に衝突する際、放電空間 730に放出される 2次電子により浮遊している正イオン群を中和することで放電空間 730の電界を強め、次の放電をより低電圧 '低消費電力で引き起こすことができるとしている。

[0017] 従って、特許文献 1においては、維持期間における放電の電力を下げることはある程度可能となると考えられる。

また、他の従来技術としては、従来、長時間にわたり安定して PDPの発光輝度を保つために、蛍光体層 725の表面を覆って MgO力もなる膜を成膜するという技術が開発されている（例えば、特許文献 2参照)。この技術では、蛍光体層 725の表面を Mg O膜で被覆した構成を採用することにより、 2次電子放出性能を高めて放電状態の活性ィ匕が行われるとともに、蛍光体層 725が放電時のスパッタカも保護される。よって、この技術を採用する PDPでは、長期間にわたり安定して発光輝度を維持することができると考えられる。

特許文献 1：特開 2002— 110046号公報

特許文献 2：特開平 08— 212929号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0018] しかし、上記特許文献 1、 2を含む従来の技術では、初期化期間における弱放電の発生を安定化させるということは困難である。具体的には、上記特許文献 1の技術では、蛍光体層、隔壁の放電空間を臨む部分全てに、 2次電子放出係数 γが高い材料で構成した皮膜を備える構成を採用するが、このような構成では、初期化期間における弱放電の安定ィ匕を図り初期ィ匕輝点の発生を抑制するという課題を解決することは困難であると考えられる。特に、上述のように、放電ガス中における全圧に対する X e分圧比率を高めていく場合には、弱放電の安定ィ匕は困難である。

[0019] また、上記特許文献 1の技術では、蛍光体層 725の表面全体を皮膜で覆っているので、放電空間 730の励起 Xe原子から放射される共鳴線の一部が蛍光体層 725上に形成された膜で吸収されるに至り、蛍光体層 725に到達する共鳴線が減少する。このため、この技術を採用する PDPでは、発光効率が低下し輝度が低下すると推定される。

また、上記特許文献 2の PDPでは、蛍光体層 725表面を覆って MgO膜を成膜する構成としているが、この構成では、初期化期間における弱放電の安定ィ匕を図ることは困難であると考えられる。また、この技術の PDPにおいても、蛍光体層 725の表面全体を 0. 5 ( m)〜20 ( μ m)の厚膜の皮膜 746で覆うので、上記特許文献 1の PDP と同様に、放電空間 730の励起 Xe原子力ゝら放射される波長 147 (nm)の共鳴線が皮膜 746で吸収されて蛍光体層 725に届き難くなり、発光効率が大幅に低下するものと推定される。

[0020] 本発明は、このような問題に鑑みなされたもので、放電ガスでの全圧に対する Xe分圧比率を上げても、初期化期間において弱放電を常に安定化させて放電開始電圧を低下させ、初期ィ匕輝点の発生を抑制して画質を向上させ、且つ、発光効率の低下を抑え輝度の低下を抑制し輝度を向上させることが可能な PDPと、当該 PDPを簡易に製造可能な製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

[0021] 上記目的を達成するために、本発明に係る PDPは、第 1の基板と第 2の基板とが間に空間をあけて対向配置され、第 1の基板における空間側の領域に蛍光体層が形成されてなる構成を有するものであって、蛍光体層の表面における一部領域には、蛍光体層を構成する蛍光体材料よりも 2次電子放出係数 γが高ヽ材料を構成要素に含む高ガンマ部（以下では、「高 γ部」と記載する。）が被覆形成されており、蛍光体層の表面における残りの領域 (即ち、高 Ί部が形成されていない領域）と、高 γ部とは、ともに空間を臨む、という構成を有する。

[0022] また、本発明に係る PDPは、第 1の基板と第 2の基板とが間に空間をあけて対向配置され、第 1の基板における空間側の領域に蛍光体層が形成されてなる構成を有するものであって、蛍光体層の表面には、蛍光体層を構成する蛍光体材料よりも 2次電子放出係数 γが高い材料を構成要素に含む皮膜状の高 γ部が被覆形成されており、高 γ部は、その膜厚が l (nm)以上 10 (nm)以下である、という構成を有する。

[0023] また、本発明に係る PDPの製造方法は、第 1の基板と第 2の基板とが間に空間をあけて対向配置され、第 1の基板における空間側の領域に蛍光体層が形成されてなる PDPを製造する方法であって、次の各ステップを有する。

※蛍光体層形成ステップ;第 1の基板の上であって、第 2の基板と対向させる側の表面部分に蛍光体層を形成する。

[0024] ※高 γ部形成ステップ;蛍光体層の表面における一部領域に、蛍光体層を形成するのに用いた蛍光体材料よりも 2次電子放出係数 γが高い材料を用いて、高 γ部を被覆形成する。

ここで、高 γ部形成ステップでは、蛍光体層の表面における残りの領域 (蛍光体層の表面における高 γ部が形成されていない領域）と高 γ部とがともに空間を臨むように高 γ部の形成を実施することを特徴とする。

[0025] また、本発明に係る PDPの製造方法は、第 1の基板と第 2の基板とが間に空間をあけて対向配置され、第 1の基板における空間側の領域に蛍光体層が形成されてなる

PDPを製造する方法であって、次の各ステップを有する。

※蛍光体層形成ステップ;第 1の基板の上であって、第 2の基板と対向する側の表面部分に蛍光体層を形成する。

[0026] ※高 γ部形成ステップ;蛍光体層の表面に、蛍光体層を形成するのに用いた蛍光体材料よりも 2次電子放出係数 γが高ヽ材料を用いて、皮膜状の高 γ部を被覆形成する。

ここで、高 γ部形成ステップでは、高 γ部を 1 (nm)以上 10 (nm)以下の膜厚を以つて形成することを特徴とする。

また、本発明に係る高 γ部の形成装置は、表面に電極と、当該電極を被覆する蛍光体層が形成された基板に対して、蛍光体層の表面であって電極の表面に相当する部分内に当該蛍光体層よりも 2次電子放出係数 γが高い材料を以つて高 γ部を形成する装置であって、高 γ部の形成に用いる形成材料を帯電させる帯電手段と、帯電された形成材料を散布する散布手段と、散布された形成材料を、蛍光体層の表面であって電極の表面に相当する部分内に偏在して堆積させるために、電極に電圧を印加する印加手段とを備える、という構成を有する。

発明の効果 [0027] 本願発明者らは、従来の構成を有する PDPの駆動において、初期化期間における強い放電の発生がランプ波形印加時の中でも、特に上りランプ波形印加時に発生し易いことを見出した。即ち、初期化期間には、スキャン電極に対して正の傾きを有する上りランプ波形電圧を印加し、その後に、負の傾きを有する下りランプ波形電圧を印加して全セルの初期化を行うのである力上りランプ波形印加時において、背面パネルのデータ電極あるいは 2次電子放出係数 γが小さ、蛍光体層の側が力ソードとなる際に、初期化放電が不安定となり、不所望の強い放電を生じ易い。

[0028] これに対して、本発明〖こ係る PDPでは、高 γ部が空間を臨む状態で形成されて!ヽるので、パネル駆動の初期化期間において、ランプ波形印加時に蛍光体層の側が力ソードとなる場合の放電開始電圧を低下させ、強!、放電の発生を抑制することで安定した初期化放電の発生を生じさせることができる。

また、本発明に係る PDPでは、蛍光体層の表面の一部が空間を臨むことから、駆動時にお 1ヽて空間内で発生した紫外線が大きく減衰することなく蛍光体層に入射し、蛍光体層の表面全体を MgOで覆ってしまう特許文献 1の技術を採用した場合の Ρ DPに比べて、パネルの発光効率が低下してしまうのを抑制することができる。

[0029] 従って、本発明に係る PDPでは、初期化期間における安定的な弱放電の発生を図ることができ、高い発光効率と高い画質性能との両立を図ることが可能である。この P DPにおいては、次のようなノリエーシヨンを採用することが可能である。

上記本発明に係る PDPでは、高 γ部力前記蛍光体層の表面において、斑点状または縞状に形成されてヽると!ヽぅ構成を採用することができる。

[0030] 上記本発明に係る PDPでは、高 γ部が、蛍光体層の表面に粒子状の材料が付着されることで形成されてヽると!/ヽぅ構成を採用することができる。

上記本発明に係る PDPでは、粒子の粒径を、 0. 05 m)以上 20 ( m)以下にすることが望ましい。

上記本発明に係る PDPでは、粒子の 1次粒子の径を、 0. 05 ( 111)以上1 ( 111) 以下にすることが望ましい。

[0031] 上記本発明に係る PDPでは、粒子の 2次粒子の径を、 2 m)以上 ²〇 m)以下にすることが望ましい。上記本発明に係る PDPでは、第 1の基板の表面上に複数本の第 1電極が形成され、当該第 1電極を覆うように誘電体層および蛍光体層が積層されてなる構成を採用する場合において、高 γ部が、第 1電極の積層上方領域を含む範囲に形成されていると、う構成を採用することができる。

[0032] 上記本発明に係る PDPでは、高 γ部が、蛍光体層の表面において偏在して形成されて、ると、う構成を採用することが望まし、。

上記本発明に係る PDPでは、具体的に、高 γ部が、第 1電極の表面に相当する部分に偏在して形成されてヽると!ヽぅ構成を採用することができる。

上記本発明に係る PDPでは、第 1の基板の表面上には、複数本の第 1電極が形成され、第 2の基板の表面上には、第 1の基板上における第 1電極と交差する方向であつて、互いに平行な第 2電極および第 3電極で対をなす電極対が複数対形成されており、高 γ部が、第 1電極と表示電極対とが立体的に交差する領域に相当する部分又は当該領域付近に相当する部分で偏在しているという構成を採用することができる

[0033] 上記本発明に係る PDPでは、第 2電極と第 3電極との一方がスキャン電極であり、他方がサスティン電極であって、高 γ部は、第 1電極 (データ電極に相当）とスキャン電極とが立体的に交差する領域に相当する部分に偏在した状態で存在しているという構成を採用することができる。

上記本発明に係る PDPでは、第 1電極、第 2電極および第 3電極の各々に対し入力映像データに基づく電圧が印加され、入力映像データに基づき選択された放電セルにおいて、第 1電極と第 2電極との間に電圧が印加されることによって書き込み放電が発生し、当該書き込み放電の発生により壁電荷の形成がなされるという構成を採用することができる。

[0034] 上記本発明に係る PDPでは、第 1の基板の表面上に複数本のデータ電極が形成され、第 2の基板の表面上にデータ電極と交差する方向であって、互いに平行なスキヤン電極およびサスティン電極で対をなす電極対が複数形成されており、スキャン電極の各側縁辺力も前記第 1の基板の表面に対して垂線を下ろすときに、高 Ί部が、蛍光体層の表面の内、上記垂線によって囲まれる領域に存する部分を有するという構成を採用することができる。

[0035] 上記本発明に係る PDPでは、複数のデータ電極を覆うように第 1の基板に誘電体層が形成されるとともに、当該誘電体層の表面に、隣り合うデータ電極どうしの間であつてデータ電極と並行する方向に延び、当該第 1の基板の表面に向けて互いの間隔が狭まっていく状態の斜面を有する隔壁が立設されており、蛍光体層が第 1の基板の誘電体層の表面と隣り合う隔壁とに囲まれる各凹部の壁面に形成されているものであって、高 γ部は、上記垂線で囲まれる領域を含み、隔壁の斜面上に形成された蛍光体層表面を覆う状態に形成されているという構成を採用することができる。

[0036] 上記本発明に係る PDPでは、複数のデータ電極を覆うように第 1の基板に誘電体層が形成されるとともに、当該誘電体層の表面に、隣り合うデータ電極どうしの間であつてデータ電極と並行する方向に延びる第 1隔壁と、この第 1隔壁に交差する方向であって、第 2の基板に形成された隣り合う電極対どうしの間に延びる第 2隔壁とが立設されているものであって、蛍光体層が第 1の基板の誘電体層の表面と隣り合う第 1隔壁および第 2隔壁とに囲まれる各凹部の壁面に形成されているものであって、第 2隔壁が第 1の基板の表面に向けて互いの間隔が狭まっていく状態の斜面を有し、高 γ 部が上記垂線で囲まれる領域を含み、第 2隔壁の斜面上に形成された蛍光体層表面を覆う状態に形成されてヽるとヽぅ構成を採用することができる。

[0037] 上記本発明に係る PDPでは、データ電極の各側縁辺から第 2の基板の表面に対して第 2の垂線を下ろすときに、高 γ部力上記垂線と第 2の垂線とによって囲まれる領域に損する部分を有するという構成を採用することができる。

上記本発明に係る PDPでは、サスティン電極の各側縁辺力ゝら第 1の基板の表面に対して第 3の垂線を下ろすときに、蛍光体層の表面の内、第 3の垂線によって囲まれる領域が空間を臨んでいるという構成を採用することができる。

[0038] 上記本発明に係る PDPでは、蛍光体層の表面の内、上記垂線によって囲まれる領域の外の領域が空間を臨んでいるという構成を採用することができる。

上記本発明に係る PDPでは、高 γ部が膜状に形成され、その膜厚が lOO (nm)以上 3 m)以下に設定されて、ると!/、う構成を採用することが望ま、。

上記本発明に係る PDPでは、高 γ部が金属酸ィ匕物を含み構成されているという構成を採用することができる。

[0039] 上記本発明に係る PDPでは、上記金属酸化物の具体例として、 MgO、 CaO、 Ba

0、 SrO、 MgNOおよび ZnOの物質群の中力選択される少なくとも 1種を含むという構成を採用することが望ましい。

上記本発明に係る PDPでは、上記金属酸ィ匕物の別の具体例として、 MgOおよび S rOの少なくとも一方を含むと!ヽぅ構成を採用することが望まヽ。

[0040] 上記本発明に係る PDPでは、高 γ部が、カーボンナノチューブ、ナノファイバー、フラーレンおよび A1Nの物質群の中カゝら選択される少なくとも 1種を含むという構成を採用することができる。

上記本発明に係る PDPでは、高 γ部が、 Pt、 Au、 Pd、 Mg、 Ta、 Wおよび Niの金属材料群の中から選択される少なくとも 1種を含むという構成を採用することができる

[0041] 上記本発明に係る PDPでは、高 γ部が、 Ptおよび Mgの少なくとも 1種を含むという構成を採用することができる。

上記本発明に係る PDPでは、高 γ部力蛍光体層の表面に対して、 1 (%)以上 50 (%)以下の被覆率を以つて形成されてヽるとヽぅ構成を採用することが望ましヽ。上記本発明に係る PDPでは、高 γ部力蛍光体層の表面に対して、 3 (%)以上 20 (%)以下の被覆率を以つて形成されてヽるとヽぅ構成を採用することが望ま Uヽ。

[0042] また、本発明に係る PDPは、上述のように、 1 (nm)以上 10 (nm)以下の膜厚で、蛍光体層の表面を被覆する状態に高 Ί部が形成された構成を採用する場合においては、パネル駆動時において、空間（放電空間）で発生した 147 (nm)の共鳴線を含む真空紫外線が高 γ部で実質的に多く吸収されることはなぐ高い効率で蛍光体層へと透過される。よって、本発明に係る PDPでは、蛍光体層の表面に高 γ部を形成しているものの、その膜厚を上記数値範囲に規定することによって発光効率の低下を招き難い。なお、このように高 γ部の膜厚を l (nm)以上 10 (nm)以下に規定する場合には、高 γ部で蛍光体層の表面の略全域を覆うという構成を採用することができる。ここでいう「略全域を覆う」とは、例えば、高 γ部の形成過程において、その形成ムラなどにより膜状の高 γ部に若干のピンホールなどが生じても、本発明の範疇に含むということを示す。

[0043] また、上記本発明に係る PDPでは、空間を臨むように高 γ部を形成して、るので、パネル駆動時の初期化期間において、ランプ波形電圧の印加時に蛍光体層の側が力ソードとなる場合の放電開始電圧の低下を図ることができ、弱放電の発生を安定ィ匕させることがでさる。

従って、本発明に係る PDPは、初期化期間における安定的な弱放電の発生を図ることができ、高い発光効率と高い画質性能との両立を図ることが可能である。このような構成を採用する本発明に係る PDPでは、次のようなノリエーシヨンを採用することができる。

[0044] 上記本発明に係る PDPでは、高 γ部が金属酸ィ匕物を含むという構成を採用することができる。具体的な金属酸ィ匕物としては、 MgOおよび SrOの少なくとも一方を含むことが望ましい。さらに、上記本発明に係る PDPでは、金属酸ィ匕物が MgOを含み、高 γ部が、金属酸ィ匕物を電子ビーム蒸着法を用い蒸着形成されたものであるという構成を採用することがより望ましい。

[0045] 上記本発明に係る PDPでは、第 1の基板と第 2の基板との間に形成された空間 (放電空間）に Xeを含む放電ガスが充填されており、放電ガスの全圧に対する Xe分圧の比率を、 5 (%)以上 100 (%)以下にすることができる。

上記本発明に係る PDPでは、より望ましい Xe分圧比率として、 5 (%)以上 50 (%) 以下の範囲を採用することができる。

[0046] また、本発明に係る PDPの製造方法では、高 γ部およびこれを備える上記本発明に係る PDPを容易且つ確実に製造することができる。本発明に係る PDPの製造方法は、次のようなノリエーシヨンを採ることが可能である。

上記本発明に係る PDPの製造方法では、高 γ部形成ステップにおいて、スプレー法、分散堆積法あるいは電子ビーム蒸着法の何れかを用いて、蛍光体層の表面に対して斑点状または縞状に皮膜を形成することで、高 γ部を形成するという具体的方法を採用することができる。

[0047] 上記本発明に係る PDPの製造方法では、高 γ部形成ステップにお、て、散布法、スプレー法、分散堆積法あるいは電着法の何れかを用いて、蛍光体層の表面に対して粒子状の材料を付着させることで、高 γ部を形成するという具体的方法を採用することができる。

上記本発明に係る PDPの製造方法では、蛍光体層形成ステップでの蛍光体層の形成に先行して、第 1の基板の表面上に複数本の第 1電極を互!、に平行に形成し、当該第 1電極を覆うように誘電体層を積層形成し、高 Ί部形成ステップにおいては第 1電極の積層上方領域を含む範囲に高 γ部を被覆形成するという具体的方法を採用することができる。

[0048] 上記本発明に係る PDPの製造方法では、蛍光体層形成ステップでの蛍光体層の形成に先行して、第 1の基板の表面上に複数本の第 1電極を互!、に平行に形成し、当該第 1電極を覆うように誘電体層を積層形成し、第 2の基板の表面上に、第 1の基板における第 1電極と交差する方向であって、互いに平行な第 2電極および第 3電極で対をなす表示電極対を複数対形成し、高 γ部形成ステップにおいては、第 1電極と第 2電極とが交差する領域を含む範囲に高 γ部を形成するという手段を採用することがでさる。

[0049] 上記本発明に係る PDPの製造方法では、高 γ部形成ステップにお、て、 MgOまたは SrOを含む材料を用いて高 γ部を形成するという具体的方法を採用することができる。

上記本発明に係る PDPの製造方法では、高 γ部形成ステップにおいて、カーボンナノチューブ、ナノファイバー、フラーレンおよび A1Nで構成される物質群の中力ゝら選択される少なくとも 1種の材料を用いて高 γ部を形成するという具体的方法を採用することがでさる。

[0050] 上記本発明に係る PDPの製造方法では、高 γ部形成ステップにお、て、 Ptまたは Mgを含む材料を用いて高 γ部を形成するという具体的方法を採用することができる上記本発明に係る PDPの製造方法では、高 γ部形成ステップにおいて、蛍光体層の表面に対する高 γ部の被覆率を 3 (%)以上 20 (%)以下に規定することが望ましい。

また、高 γ部形成ステップにおいて、 l (nm)以上 10 (nm)以下の膜厚を以つて蛍光体層の表面を覆う状態に高 γ部を形成する上記本発明に係る PDPの製造方法では、次のようなノリエーシヨンを採用することができる。

[0051] 上記本発明に係る PDPの製造方法では、高 γ部形成ステップにお、て、電子ビーム蒸着法を用いて高 Ί部を蒸着形成するという具体的方法を採用することができる。上記本発明に係る PDPの製造方法では、高 γ部形成ステップにおいて、 MgOまたは SrOを含む材料を用いて高 γ部を形成するという具体的方法を採用することができる。

上記本発明に係る PDPの製造方法では、第 1の基板と第 2の基板との互いの外周部を封止する封止ステップと、放電空間内に Xeを含む放電ガスを充填するガス充填ステップとを有し、ガス充填ステップにおいては、全圧に対する Xe分圧の比率を 5 (% )以上 50 (%)以下に調整された放電ガスを用いるとういう具体的方法を採用することができる。

[0052] 上記本発明に係る PDPの製造方法では、高 γ部形成ステップにお、て、高 γ部の形成材料を帯電させるとともに、その帯電された形成材料を、静電力により蛍光体層の表面における上記規定された一部領域に堆積させるという具体的方法を採用することができる。

上記本発明に係る PDPの製造方法では、蛍光体層形成ステップにおける蛍光体層の形成に先行して、第 1の基板の表面上に、複数本の第 1電極を互いに形成し、当該第 1電極を覆うように誘電体層を積層形成し、高 Ί部形成ステップにおいては、高 Ί部の形成材料を正に帯電させるとともに、第 1電極に負の電圧を印加すること〖こより、帯電状態の高 γ部の形成材料を堆積させるという具体的方法を採用することができる。

[0053] 上記本発明に係る PDPの製造方法では、高 γ部形成ステップにお、て、第 1電極への負の電圧の印加を、時間の経過と共に負側に大きくなるように行うという具体的方法を採用することができる。

上記本発明に係る PDPの製造方法では、高 γ部形成ステップにおいて、第 1電極への負の電圧の印加を、負側に連続的または段階的に大きくなるように行うという具体的方法を採用することができる。 [0054] 上記本発明に係る PDPの製造方法では、高 γ部形成ステップにお、て、上記のように帯電された形成材料を、蛍光体層の表面に向けて散布するという具体的方法を採用することができる。

上記本発明に係る PDPの製造方法では、高 γ部形成ステップにおいて、高 γ部の形成材料を、プラズマ中で帯電させ、当該帯電された形成材料を、電子ビーム蒸着により堆積させるという具体的方法を採用することができる。

[0055] 上記本発明に係る PDPの製造方法では、高 γ部形成ステップにお、て、高 γ部の形成材料に、プラズマビームを照射させて帯電させ、当該帯電された形成材料を成膜することにより堆積させるという具体的方法を採用することができる。

上記本発明に係る PDPの製造方法では、高 γ部形成ステップにおいて、高 γ部の形成材料として、少なくとも MgOを含む材料を用いることができる。

[0056] 上記本発明に係る PDPの製造方法では、蛍光体層形成ステップでの蛍光体層の形成に先行して、第 1の基板の表面上に複数本のデータ電極を互!ヽに平行に形成し、当該データ電極を覆うように誘電体層を積層形成し、誘電体層の表面上に第 2の基板の側に向けて、隣り合うデータ電極どうしの間で並行して延び、且つ、第 1の基板の表面に向けて互いの間隔が狭まっていく状態の斜面を有する隔壁を形成するものであって、蛍光体層形成ステップでは、隣り合う隔壁間において、当該隔壁および誘電体層とで構成される凹部の内壁面に対して、蛍光体層を形成し、隔壁が第 1の基板の主表面に向けて互いの間隔が狭まって行く状態の斜面を有し、第 2の基板の表面上に、データ電極と交差する方向であって、互いに平行なスキャン電極およびサスティン電極で対をなす電極対が複数形成されており、スキャン電極の各側縁辺力も第 1の基板の表面に対して垂線を下ろすときに、高 γ部形成ステップにおいて、上記垂線に対して交差する角度を以つて、隔壁の斜面上における蛍光体層の表面に対して斜め蒸着法により高 γ部の被覆形成を行うという方法を採用することができる。

[0057] 上記本発明に係る PDPの製造方法では、第 2の基板の表面上に、データ電極と交差する方向であって、互いに平行なスキャン電極およびサスティン電極で対をなす電極対が複数形成されており、蛍光体層形成ステップでの蛍光体層の形成に先行して、第 1の基板の表面上に、複数本のデータ電極を互いに平行に形成し、当該データ電極を覆うように誘電体層を積層形成し、誘電体層の表面上に、第 2の基板の側に向けて、隣り合うデータ電極どうしの間で並行して延びる第 1隔壁を形成し、且つ、同じく誘電体層の表面上に、第 2の基板の側に向けて、第 1隔壁に交差する方向であつて、第 2の基板に形成された隣り合う前記電極対どうしの間に延びる第 2隔壁 (第 1 隔壁と第 2隔壁とで、所謂、井桁状隔壁を構成する。）を形成するものであって、蛍光体層形成ステップにおいて、誘電体層および第 1隔壁および前記第 2隔壁とで構成される凹部の内壁面に対して蛍光体層を形成し、第 2隔壁が第 1の基板の表面に向けて互いの間隔が狭まって行く状態の斜面を有し、スキャン電極の各側縁辺から第 1 の基板の表面に対して垂線を下ろすときに、高 γ部形成ステップにおいて、上記垂線に対して交差する角度を以つて、第 2隔壁の斜面上における蛍光体層の表面に対して斜め蒸着法により高 _Ί部の被覆形成を行うという方法を採用することができる。

[0058] 上記本発明に係る PDPの製造方法では、高 γ部形成ステップにお、て、上記角度を維持した状態で、第 1の基板をその主面方向に搬送するという具体的方法を採用することができる。

上記本発明に係る PDPの製造方法では、高 γ部形成ステップにおいて、 MgOを含む金属酸化物材料を用い、電子ビーム蒸着法により高 γ部を膜状に形成するという具体的方法を採用することができる。

[0059] 上記本発明に係る PDPの製造方法では、高 γ部形成ステップにお、て、膜厚が 1 00 (nm)以上 3 ( μ m)以下の膜状に高 γ部を形成するという具体的方法を採用することができる。

上記本発明に係る PDPの製造方法では、高 γ部形成ステップにおいて、蛍光体層の表面の内、上記垂線で囲まれる領域の外の領域を放電空間を臨む状態に維持するという具体的方法を採用することができる。

[0060] また、本発明に係る高 γ部の形成装置は、上記構成を採用することにより、上述のような規定箇所に高 γ部を形成することができる。そして、この装置を用いることで、上記本発明に係る PDPを容易に製造することができる。

図面の簡単な説明 [図 1]実施の形態 1に係る PDP1の構成を示す要部斜視図（一部断面図）である。

[図 2]PDP1の背面パネル 20を模式的に示す平面図および断面図である。

[図 3]PDP1の駆動に際し、各電極 121、 122、 22に印加されるパルスの波形図である。

[図 4]実施の形態 2に係る PDP2の構成を示す要部断面図である。

[図 5]PDP2における各電極 121、 122、 42と蛍光体皮膜 46の形成領域との位置関係を示す模式平面図である。

[図 6]実施の形態 3に係る PDP3の構成を示す要部断面図である。

[図 7]実施の形態 4に係る PDP4の構成を示す要部断面図である。

[図 8]PDP4における粒状体 66の形成工程を示す模式装置図である。

[図 9]実施の形態 5に係る PDP5の構成を示す要部断面図である。

[図 10]蛍光体皮膜の膜厚と紫外線透過率との関係を示す特性図である。

[図 11]実施の形態 6に係る PDP6における 1画素を構成する部分を切り出して描いた斜視図 (一部断面図)である。

[図 12] (a)は、図 11の D方向から 1放電セルを見た拡大図であり、（b)は、図 11での前面パネル 10を取り除いて背面パネル 80を図 11の E方向力も見た平面図である。

[図 13]実施の形態 1に係る高 γ部 86の形成方法を説明するための概略図である。

[図 14]変形例 1における PDPの放電セルの一部を切り欠いた平面図である。

[図 15]変形例 1の高 γ部 1086の形成状態を示す模式図である。

[図 16]実施の形態 7に係る PDP1006における 1画素を構成する部分を切り出し、背面パネル 1180の内部構成が分力るように前面パネル 10の一部を切り欠、て描ヽた斜視図である。

[図 17] (a)は、図 16の G— G断面図であり、（b)は、 1放電セルを F方向に見た平面図である。

[図 18]実施の形態 8に係る高 γ部 86の形成方法を説明するための概略図である。

[図 19]実施の形態 9に係る PDP7の構成を示す要部斜視図である。

[図 20]PDP7の構成の内、 1つの放電セルのみを抜き出して示す断面概念図である [図 21]PDP7の構成の内、 1つの放電セルを平面的に示す平面概念図である。

[図 22]実施の形態 10に係る PDPの製造方法の内、蛍光体皮膜 96の形成に係るェ程の一部を示す工程概念図である。

[図 23]実施の形態 11に係る PDPの製造方法の内、蛍光体皮膜 96の形成に係るェ程の一部を示す工程概念図である。

[図 24]実施の形態 12に係る PDP8の構成の内、 1つの放電セルのみを抜き出して示す断面概念図である。

[図 25]実施の形態 13に係る PDP9の構成の内、 1つの放電セルのみを抜き出して示す断面概念図である。

[図 26]従来の面放電型 AC型 PDPの構成のを示す断面概念図である。

符号の説明

1、 2、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9、 1006. PDP

10. U面ノ、不ノレ

11.食 U面基板

12.表示電極対

13.誘電体層

14.誘電体保護層

20、 40、 50、 60、 70、 80、 90、 1080、 1180、 1190.背面パネル

21、 41、 51、 61、 71、 81、 91、 1081、 1181、 1191.背面基板

22、 42、 52、 62、 72、 82、 92、 1082、 1182、 1192.データ電極

23、 43、 53、 63、 73、 83、 93、 1083、 1183、 1193.誘電体層

24、 44、 54、 64、 74、 84、 94、 1084、 1184、 1194.隔壁

25、 45、 55、 65、 75、 85、 95、 1085、 1185、 1195.蛍光体層

26、 46, 76, 96, 1196.蛍光体皮膜

56、 66.粒状体

86、 1086、 1186.高 γ部

121.スキャン電極

122.サスティン電極発明を実施するための最良の形態

[0063] 以下では、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参酌しながら説明する。なお、以下の説明で用いるプラズマディスプレイパネル（以下では「PDP」と記載する。）の各構成などについては、本発明の一例として示すものであって、本発明は、上述のような特徴的部分以外について、適宜変更が可能である。

(実施の形態 1)

1. PDP1の全体構成

実施の形態 1に係る PDP1の全体構成について、図 1を用いて説明する。図 1は、 P DPIの要部を抜き出して描いた要部斜視図である。

[0064] 図 1に示すように、 PDP1は、大きく分けて前面パネル 10と背面パネル 20とから構成されている。この内、前面パネル 10は、前面基板 11の一方の主面上（図 1においては、 Z軸方向下向きの主面）に表示電極対 12が複数対形成され、この表示電極対 12を覆うように誘電体層 13および誘電体保護層 14が順に積層され構成されて、る。構成要素の内、表示電極対 12は、スキャン電極（以下では、「Scn電極」と記載する。）121とサスティン電極 (以下では、「Sus電極」と記載する。） 122とで構成されている。 Sen電極 121および Sus電極 122の各々は、透明電極要素 121a、 122aにバスライン 121b、 122bがそれぞれ積層され構成されている。

[0065] 各電極 121、 122を構成する部分の内、透明電極要素 121a、 122aは、例えば、 I TO (Indium Tin Oxide)、 SnO、 ZnOなどから構成されており、ノスライン 121b

2

、 122bは、 Au、 Ag、 Cr、 Cu、 Ni、 Ptなどから構成されている。なお、前面パネル 10 における各電極 121、 122については、本実施の形態で示す 2層構造のものに限らず、 Agなどの金属力もなる単層構造のものや、 Cr—Cu—Crなどの 3層以上の構造のちのを採用することちでさる。

[0066] また、前面基板 11は、例えば、ソーダライムガラスなどを用い形成され、誘電体層 1 3は、例えば、鉛系の低融点ガラス材料を用い形成され、誘電体保護層 14は、例えば、 MgOを用い形成されている。なお、誘電体保護層 14の形成にあたっては、通常、真空蒸着法などを用いることができるが、斜め蒸着法を用いることもできるし、また、重量密度を単結晶材料の 70 (%)〜85 (%)程度の範囲内に設定しておくことなどもできる。

[0067] 背面パネル 20は、背面基板 21の一方の主面上（図 1においては、 Z方向上向きの主面）に複数条のデータ電極 (以下では、「Dat電極」と記載する。） 22がストライプ状に形成され、 Dat電極 22を覆うように誘電体層 23が形成され構成されている。背面パネル 20における誘電体層 23の表面には、隣り合う Dat電極 22間のそれぞれ隔壁 24が立設され、誘電体層 23と隔壁 24とで構成される凹 (溝)部分の内壁面に各色に対応の蛍光体層 25が形成されている。蛍光体層 25は、溝毎に色分けされて構成された赤色 (R)蛍光体層 25R、緑色 (G)蛍光体層 25G、青色 (B)蛍光体層 25Bから構成されている。各々の蛍光体層 25R、 25G、 25Bは、例えば、次のような蛍光体材料から形成されている。

[0068] 赤色（R)蛍光体；（Y、 Gd) BO： Eu

3

緑色（G)蛍光体； Zn SiO： Mn

2 4

青色（B)蛍光体； BaMg Al O ： Eu

2 14 24

そして、本実施の形態に係る PDP1では、蛍光体層の表面上に斑点状の蛍光体皮膜 26が形成されている。蛍光体皮膜 26は、蛍光体層 25の表面の一部領域を覆い形成されており、蛍光体層 25の表面の一部と、蛍光体皮膜 26の表面とが、ともに放電空間 30を臨む状態となっている。

[0069] なお、背面パネル 20を構成する各部の内、背面基板 21は、前面基板 11と同様に、例えばソーダライムガラスから形成され、 Dat電極 22は、例えば、 Au、 Ag、 Cr、 Cu 、 Ni、 Ptなどカゝら構成されている。また、誘電体層 23は、基本的には誘電体層 13と同様に、鉛系の低融点ガラスを用い形成されている力 TiOが混入されていることも

2

ある。また、背面パネル 20における隔壁 24については、図 1に示すようなストライプ状のものだけでなぐ井桁状のものなどを採用することも可能である。

[0070] 蛍光体皮膜 26の構成については、後述する。

図 1に示すように、前面パネル 10と背面パネル 20とは、各々の表示電極対 12および Dat電極 22などが形成された主面どうしが向き合うように、且つ、表示電極対 12と Dat電極 22とが交差する方向に対向配置され、互いの外周部がフリットガラスなどを用いて封止されている。そして、前面パネル 10と背面パネル 20との間に形成される放電空間 30には、 Xe— Ne系の放電ガス（希ガス）が約 60 (kPa)の圧力を以つて充填されている。なお、放電ガスについては、 Xe— Ne系のもの以外に、 Xe— Ne— He 系の混合ガスを用いることもできる。そして、放電ガスにおける全圧に対する Xe分圧の比率は、パネルの発光効率を左右する大きな要因となる力本実施の形態では、例えば、全圧に対する Xe分圧比率が 5 (%)以上 50 (%)以下に設定されて、る。

[0071] 2.蛍光体皮膜 26の構成

本実施の形態に係る PDP1の構成要素の内でも、最も特徴的となる蛍光体皮膜 26 の構成について、図 2を用いて説明する。図 2は、（a)が背面パネル 20における蛍光体層 25を平面視した図であり、 (b)がその断面図である。

図 2 (a)〖こ示すように、 PDP1では、背面パネル 20における蛍光体層 25の表面に斑点状に蛍光体皮膜 26が形成されている。蛍光体皮膜 26は、蛍光体層 25の表面上において、点在する状態に形成されており、蛍光体層 25の表面に対する被覆率は、 1 (%)以上 50 (%)以下の範囲内に設定されている。なお、被覆率については、 3 (%)以上 20 (%)以下の範囲内とすることがより望ま、。

[0072] 図 2 (b)に示すように、蛍光体皮膜 26は、蛍光体層 25の表面における一部領域に被覆形成されており、放電空間 30に対して露出している。また、蛍光体皮膜 26は、蛍光体層 25の表面の一部領域に形成されているため、蛍光体皮膜 26が形成されて V、な、蛍光体層 25の表面は放電空間 30に対して露出されて、る。

蛍光体皮膜 26は、蛍光体層 25を構成する各蛍光体材料よりも高い 2次電子放出係数 γを有する材料であって、且つ、蛍光体材料とは異なる材料カゝら構成されており、この皮膜 26の形成部分が本実施の形態に係る PDP1での高 γ部に相当する。蛍光体皮膜 26の構成材料としては、例えば、 MgO、 SrO、 CaO、 BaO、 MgNOや Zn Oなどの金属酸ィ匕物をあげることができる。また、蛍光体層皮膜 26の構成材料としては、金属酸化物以外に、カーボンナノチューブ（CNT)などのナノファイバー、 C60などのフラーレン、 A1Nなど、さらには、 Pt、 Au、 Pd、 Mg、 Ta、 W、 Niなどの材料を採用することも可能である。

[0073] 蛍光体皮膜 26の構成に用いることのできる材料として列挙した上記材料の内、特に、金属酸ィ匕物の場合には、 MgOや SrOなどが 2次電子放出係数 γなどの観点から望ましぐまた、上記金属材料を用いる場合には、 Ptや Mgが望ましい。

なお、蛍光体皮膜 26の形成においては、上記材料以外の材料や不純物材料が含まれていてもよい。即ち、蛍光体皮膜 26の形成に用いる材料には、総合的に蛍光体材料よりも大き、2次電子放出係数 γとなって、ればよ、。

[0074] 3.蛍光体皮膜 26の形成

図 2に示す蛍光体皮膜 26は、例えば、 MgO材料を含む混合有機溶剤によるスプレー法や分散堆積法、電子ビーム蒸着法などを用いることで形成可能である。例えば、スプレー法を用いる場合には、次のようにステップを経て蛍光体皮膜 26の形成がなされる。

(1)エタノールなどに MgO材料を混合し、混合有機溶剤を作製する。

(2)蛍光体層 25の表面に沿ってマスクを装着し、このマスクに形成された孔を通して、混合有機溶剤を蛍光体層 25の表面の一部領域上に塗布する。

(3)蛍光体層 25の表面の一部領域上に塗布された混合有機溶剤を乾燥させ、有機溶剤を揮発させる。

[0075] 以上のようにして、図 2に示すような蛍光体皮膜 26が形成される。

また、分散堆積法を用いる場合には、例えば、有機溶剤に MgO材料を分散させておき、この MgO材料が分散された有機溶剤を用い、この溶剤表面に浮力せた MgO 材料を静かに背面パネルの蛍光体層の所定の部分に堆積させる。この後、これを乾燥させ有機溶剤を揮発させることで蛍光体表面の一部領域上への蛍光体皮膜 26の被覆形成がなされる。なお、 MgO材料の堆積に先行して蛍光体層表面における蛍光体皮膜 26を形成したくない部分には、レジストマスクを形成しておけば、図 2に示すような斑点状の蛍光体皮膜 26の形成が可能である。

[0076] 4. PDP1の駆動方法

上記構成の PDP1では、図示を省略する力各電極 121、 122、 22に対し、各ドラィバを含む制御駆動部が接続された構成となって！/ヽる。このように駆動制御部が接続された PDP1の駆動方法について、図 3を用いて説明する。図 3は、アドレス '表示分離駆動方式を以つて表示駆動される。この駆動方法では、例えば図 3に示すように、 256階調を表現するために 1フィールドを 8つのサブフィールド SF1〜SF8に分割し、それぞれのサブフィールド SF1〜SF8に初期化期間 T、書き込み期間 Τ、維持

1 2 期間 Τの 3期間を設定する。

3

[0077] 先ず、 PDP1の駆動では、初期化期間 Τにおいて、 PDP1の全放電セルに対して

1

初期化放電を発生させ、これによつて当該サブフレームよりも前のサブフレームにおける放電の有無による影響の除去や放電特性のバラツキを吸収するための初期化が実施される。初期化期間 Τにおける初期化放電は、図 3に示すように、電圧一時間

1

推移が緩やかに傾斜して上下するランプ波形を、 Sen電極 121と Dat電極 22との間に印加し、小さな放電電流を定常的に流す。これにより、 PDP1に形成された全放電セルで、上り傾斜のランプ波形部分と下りランプ波形部分とで各 1回づっ弱放電である初期化放電が発生する。

[0078] 次に、書き込み期間 Tにおいて、サブフィールドデータに基づいて Sen電極 121 (

2

1)〜121 (k)を 1ライン毎に順にスキャンして行き、当該サブフィールドで維持放電させたい放電セルに対して、 Sen電極 121と Dat電極 22との間で書き込み放電（微小な放電）を発生させる。このように Sen電極 121と Dat電極 22との間で書き込み放電を生じた放電セルでは、前面パネル 10の誘電体保護層 14の表面に壁電荷が蓄えられる。

[0079] その後、維持期間 Tにおいて、 Sus電極 122および Sen電極 121〖こ対し、所定の

3

周期（例えば、 6 sec. )、所定の電圧 (例えば、 180V)で矩形波の維持パルス Psu s、 Pscnを印加する。 Sus電極 122に印加する維持パルス Psusと、 Sen電極 121に印加する維持パルス Pscnとは、互いに同一の周期を有し、且つその位相が半周期ずれた状態となっており、 PDP1における全放電セルに対して同時に印加される。

[0080] 図 3に示すようなパルスの印加によって、 PDP1では、書き込みがなされた放電セルにおいて、維持期間 Tでの交流電圧の印加を以つて電圧極性が変化するたびに

3

パルス放電が発生する。このような維持放電の発生により、表示発光は、放電空間 3 0の励起 Xe原子からは 147 (nm)の共鳴線が、励起 Xe分子からは 173 (nm)主体の分子線が放射され、次いで発生の紫外線を背面パネル 20における蛍光体層 25で可視光変換して画像表示がなされることになる。

[0081] 5. PDP1の優位性本実施の形態に係る PDP1では、図 2 (a)に示すように、蛍光体層 25の表面における一部領域上に、蛍光体材料よりも 2次電子放出係数 γが高い特性を有する MgO で高、2次電子放出係数 γを有する部分 (高 y部）としての蛍光体皮膜 26を被覆形成し、蛍光体層 25の表面の残りの領域と蛍光体皮膜 26とがともに放電空間 30を臨む構成となっている。このような構成の PDP1では、蛍光体層 25の表面の一部が放電空間 30を臨むことから、維持期間 Tにおいてパネル駆動時において放電空間 30

3

内で発生した紫外線が大きく減衰することなく蛍光体層 25に入射し、特許文献 1〖こ係る PDPのように蛍光体層の表面全体を MgO膜で被覆する場合に比べて、パネルの発光効率が低下してしまうのを抑制することができる。そして、本実施の形態では、蛍光体層 25の全表面に対する蛍光体皮膜 26の被覆率を 1 (%)以上 50 (%)以下、より望ましくは、 3 (%)以上 20 (%)以下に規定している。この数値範囲の規定については、後述する。

[0082] また、本実施の形態に係る PDP1では、蛍光体皮膜 26が放電空間 30を臨む状態で形成されているので、パネル駆動の初期化期間 Tにおいて、ランプ波形印加時（

1

特に、上りランプ波形印加時）に蛍光体層 25の側が力ソードとなる場合の放電開始電圧を低下させることができ、強い放電の発生を抑制し、安定した初期化放電 (弱放電)の発生を生じさせることができる。これは、仮に蛍光体層 25の表面に全く蛍光体皮膜 26が形成されていない場合には、 Xe分圧を高く設定すると見かけ上の電子放出が小さくなり放電が安定しないのに対し、 PDP1のように蛍光体皮膜 26を有する場合には、ォージェ中和した際の蛍光体皮膜 26が受け取るエネルギが大きぐこのために弱放電を安定的に生じさせることができるためである。

[0083] また、本実施の形態に係る PDP1では、上述のように安定的な初期化放電を発生し得るので、放電ガスでの全圧に対する Xe分圧の比率を 5 (%)以上 50 (%)以下の範囲まで上げても、画質の低下を招くことがない。

従って、本実施の形態 1に係る PDP1では、初期化期間 Tにおける安定的な弱放

1

電の発生を図ることができ、高、発光効率と高、画質性能との両立を図ることが可能である。

[0084] 6.蛍光体皮膜 26の被覆率本実施の形態に係る PDP1では、蛍光体層 25の全表面に対する蛍光体皮膜 26の被覆率を 1 (%)以上 50 (%)以下、望ましくは 3 (%)以上 20 (%)以下と規定したが、これは、次のような理由によるものである。

被覆率を 1 (%)未満にした場合には、放電空間 30を臨む表面が初期化期間 T1における初期化放電の発生を安定化させる機能を実質的に発揮し得ないことから、蛍光体皮膜 26の被覆率は、最低でも 1 (%)以上、望ましくは 3 (%)以上とする必要がある。また、 MgOなど力もなる蛍光体皮膜 26は、放電空間 30に面する表面積に応じて放電空間 30内で発生した真空紫外線を吸収してしまい、被覆率を 50 (%)以上にした場合には、蛍光体層 25にまで届く紫外線量が少なくなり過ぎ、パネルの発光効率を実用となるレベル以下まで低下させてしまう。なお、 PDP1の他の構成要素などを考慮した際の望ましい被覆率の上限値は、同様の理由力も 20 (%)以下である。

[0085] 7.確認実験

本実施の形態に係る PDP1が有する優位性については、上述の通りであるが、以下では、その確認のために実施した実験につ!、て説明する。

実験では、上述の製造方法により本実施の形態に係る構成を有する実施例に係る PDPを作製した。即ち、背面パネル 20における蛍光体層 25の表面に被覆率 5 (%) で MgO力もなる膜厚 0. 5 m)〜20 ( μ m)の蛍光体皮膜 26を形成した。形成にあたっては、 MgOおよびエタノールなどを含む混合分散有機溶剤によるスプレー法を用いた。そして、放電空間 30には、全圧に対する Xe分圧比率が約 30 (%)の高 Xe 放電ガスを充填した。

[0086] また、本確認実験では、比較例として、上記特許文献 1に係る構成を採用した PDP を作製した。即ち、蛍光体層の表面全体を膜厚 0. 5 ( m)〜20 ( μ m)の MgO膜で被覆した構成の PDPを比較例として作製した。

優位性の確認は、上記実施例および比較例の各 PDPを表示駆動し、その発光効率および初期化期間 Tにおける弱放電発生の安定性などを測定し、その結果を蛍

1

光体皮膜を有さない従来のパネルと比較した。その結果によると、本形態に係る構成を有する PDPでは、従来の PDPに比べて、初期化期間 Tにおける弱放電が安定ィ匕

1

し、誤書き込みの低減による画質性能の向上がみられた。また、放電ガス中の全圧に対する Xe分圧比率を 30 (%)まで上昇させて、ることから、発光効率が約 3 (lmZ W)まで向上した。

[0087] 一方、蛍光体層の表面全体を MgO膜で被覆した比較例 PDPでは、発光効率は約 0. l (lmZW)であった。これは、蛍光体層の表面上に全く膜形成をしていない従来の PDPに比べて、約 1Z10という低いものであった。これは、比較例 PDPにおいては蛍光体層の表面上に被覆形成された MgO膜が放電空間で発生した共鳴線を含む真空紫外線を吸収してしまうためであると考えられる。

[0088] 以上の結果より、実施例のように蛍光体層 25の表面の一部領域上に 2次電子放出係数 γが蛍光体材料よりも大き！ヽ材料からなる高 γ部 (蛍光体皮膜 26)を形成し、蛍光体層 25と蛍光体皮膜 26とがともに放電空間 30を望む構成を採用することにより、発光効率の低下の抑制を図るとともに、初期化期間 Τにおける蛍光体層 25側がカソ

1

ードとなるときの放電開始電圧の低減を図ることができる。よって、実施例に係る PDP では、初期化期間 Τにおける弱放電の安定的な発生を確保し、誤書き込みによる画

1

質の低下を抑制することが可能となる。また、実施例に係る PDPでは、放電ガス中における Xe分圧を 5 (%)以上に設定する場合においても、画質の低下を招き難いので、発光効率の向上と画質の向上とを両立できる。

[0089] (実施の形態 2)

次に、実施の形態 2に係る PDP2の構成について、図 4および図 5を用いて説明する。なお、前面パネル 10の構成、および背面パネル 40の蛍光体皮膜 46の形成形態を除く部分については、上記実施の形態 1と同様であるので、説明を省略する。図 4 (a)に示すように、 PDP2〖こおける蛍光体皮膜 46は、蛍光体層 45の表面の一部領域上に形成されている点では、上記実施の形態 1と同様である力その形成形態は、 Dat電極 42の上に相当する領域 W に設定されている。また、図 4 (a)の A—

DAT

A断面である図 4 (b)に示すように、蛍光体皮膜 46は、前面パネル 10に形成された表示電極対 12の内の Sen電極 121の下に相当する領域 W に設定されている。

SCN

[0090] 図 5は、 PDP2を構成する各要素の内の電極 121、 122、 42と、隔壁 44と、蛍光体皮膜 46とを抜き出して模式的に描いたものである。図 5に示すように、蛍光体皮膜 46 は、各放電セルの蛍光体層 45の表面上における Sen電極 121と Dat電極 42とが交差する領域に形成されている。ここで、 PDP2では、蛍光体層 45の表面に対する蛍光体皮膜 46の被覆率は、上記実施の形態 1と同様に、 1 (%)以上 50 (%)以下、望ましくは 3 (%)以上 20 (%)以下に設定されている。この理由に付いては、上記同様である。

[0091] 蛍光体皮膜 46の構成材料には、上記実施の形態 1と同様に、蛍光体層 46を構成する蛍光体材料よりも 2次電子放出係数 γが大きい材料を用いることができ、例えば、上記実施の形態 1に係る蛍光体皮膜 26の形成に用いることができるのと同様の材料を用いることができる。

本実施の形態では、初期化期間 Τにおいて弱放電を生じさせようとする Sen電極 1

1

21と Dat電極 42との交差部分に蛍光体皮膜 46を形成することで、初期化期間 Tに

1

Sen電極 121と Sus電極 42との間にランプ波形パルスが印加された場合にも、弱放電 (初期化放電)が安定的に発生する。特に、放電ガス中における Xe分圧を 5 (%) 以上に上昇させた場合の弱放電発生の安定性は、従来の PDPに比べて優れてヽる

[0092] 従って、本実施の形態に係る PDP2では、初期化期間 Tにおける安定的な弱放電

1

の発生を図ることができ、高、発光効率と高、画質性能との両立を図ることが可能である。

なお、本実施の形態に係る PDP2における蛍光体皮膜 46も、上記実施の形態 1と同様の方法を以つて形成することが可能である。

また、本実施の形態では、蛍光体皮膜 46を蛍光体層 45の表面上における Sen電極 121と Dat電極 42との交差部分に形成することとした力 Sen電極 121に関係なく Dat電極 42の上方部分全体に形成することとしてもよい。

[0093] (実施の形態 3)

実施の形態 3に係る PDP3について、図 6を用いて説明する。なお、 PDP3の構成の内、前面パネル 10および背面パネル 50における高 γ部を除く部分についての構成は、上記実施の形態 1、 2と同様であるので説明を省略する。

1. PDP3の構成

図 6に示すように、本実施の形態に係る PDP3では、蛍光体層 55の表面上において、粒状体 56が付着配置されている。この粒状体 56は、蛍光体層 55を構成する蛍光体材料よりも 2次電子放出係数 γが大きい材料力もなるものであって、例えば、上記実施の形態 1の蛍光体皮膜 26を構成する材料などを用いることができる。本実施の形態に係る PDP3では、蛍光体層 56の表面における粒状体 56が付着配置された部分が、高 Ύ部相当する。に一例として、材料に MgO、 SrOなどの金属酸ィ匕物を用 V、る場合には、粒径が 0. 05 m)以上 1 ( m)以下の金属酸化物粒子を、圧縮窒素ガスなどを用いて散布することで粒状体 56の付着配置がなされ、蛍光体層 55の表面上に高 γ部の形成がなされる。

[0094] 本実施の形態においても、蛍光体層 55の表面に対する粒状体 56の被覆率は、 1 ( %)以上 50 (%)以下、望ましくは 3 (%)以上 20 (%)以下に設定される。

このように蛍光体層 55の表面上に上記数値範囲内の被覆率を以つて粒状体 56を付着形成した PDP3では、放電空間 30に対して 2次電子放出係数 γが高い粒状体 56と蛍光体層 55とがともに露出されることになる。よって、本実施の形態に係る PDP 3では、パネル駆動における初期化期間 Τにおける安定的な弱放電の発生を図るこ

1

とができ、高、発光効率と高、画質性能との両立を図ることが可能である。

[0095] なお、蛍光体層 55の表面に対する粒状体 56の付着形成の方法には、上記散布法以外にも、スプレー法、分散堆積法および電着法などを用いることができる。

2.粒状体 56の粒子径

高 0部を構成する粒状体 56については、上述のように各粒子径が 0. 05 ( 111)以上 1 ( m)以下のものが散布形成されているので、複数の粒子が凝集することで 2次粒子径が 2 ( μ m)以上 20 ( μ m)以下となり、高 γ部は、 0. 05 ( m)以上 20 ( μ m) 以下、あるいはそれ以上の範囲の粒状体 56により構成されることになる。ここで、 0. 05 m)よりも小さな粒状体については、作製すること自体が困難であって、また、散布した際に凝集し難くなることから、実際に用いることはできない、。他方、 20 ( m )よりも大きな径の粒状体については、放電空間 30内で発生する共鳴線や分子線を吸収し易くなり、パネルの発光効率を低下させるため、実際に用いることはできない。

[0096] 3.確認実験

以下では、本実施の形態に係る PDP3の上記優位性を確認するために実施した実験について説明する。

本実験用の PDPとしては、背面パネルにおける蛍光体層 55の表面上に、粒径が 0 . 1 ( m)以上 0. 6 ( m)以下の MgO粒子を散布法を用いて散布した。そして、この散布により形成された高 γ部 (粒状体 56の形成部分)の蛍光体層 55の表面に対する被覆率は、約 10 (%)に規定した。なお、上記方法を以つて高 γ部を構成した際における粒状体 56の凝集粒子径は、 0. 2 ( m)以上 5 ( μ m)以下であった。また、本実験に用、た PDPでは、放電空間 30に充填の放電ガス中における全圧に対する Xe分圧比率を約 15 (%)とした。

[0097] 実験では、以上のように構成された PDPを表示駆動し、その発光効率および初期化期間 Tにおける弱放電発生の安定性などを測定した。本実験に用いた PDPでは

1

、初期化期間 Tにおける蛍光体層 55側が力ソードとなる際の放電開始電圧が低下し

1

、弱放電の安定ィ匕が図られ、誤書き込みの低減により画質が向上した。また、全圧に対する Xe分圧比率を 15 (%)まで高めたことで、発光効率が約 2 (lmZW)となり、従来の PDPよりも向上した。

[0098] 以上の結果より、本実験に係る PDPでは、蛍光体層 55の表面上に粒状体 56を付着配置することで高 γ部を形成し、これによつて発光効率を高く維持しながら、初期化期間 Τにおける弱放電の安定ィ匕を図ることができたことがわかる。そして、粒状体 5

1

6の付着配置にあたっては、散布粒子単体の 1次粒子径が 0. 05 ( ^ m)以上 1 ( μ m )以下で、凝集粒子の場合の 2次粒子径が 2 ( μ m)以上 20 ( μ m)の粒子の採用が適する。

[0099] また、このように高 γ部を形成することによって、放電ガス中の全圧に対する Xe分圧比率を 5 (%)以上に高く設定する場合にも、初期化期間 Tにおける弱放電の安定

1

化を図ることが可能となり、発光効率を高めることも可能となる。

(実施の形態 4)

次に、実施の形態 4に係る PDP4について、図 7および図 8を用いて説明する。なお、前面パネル 10の構成、および背面パネル 60の粒状体 66の形成形態を除く部分については、上記実施の形態 1〜3と同様であるので、説明を省略する。

[0100] 1. PDP4の構成図 7 (a)に示すように、 PDP4における粒状体 66は、蛍光体層 65の表面上における Dat電極 62の上に相当する領域 W に付着配置されており、また、図 7 (b)に示す

DAT

ように、粒状体 66は、前面パネル 10に形成された表示電極対 12の内の Sen電極 12 1の下に相当する領域 W に設定されている。即ち、上記実施の形態 2と同様の位

SCN

置に粒状体 66の形成がなされており、これによつて、高 γ部が形成されている。

[0101] ここで、 PDP4〖こついても、蛍光体層 65の表面に対する蛍光体皮膜 46の被覆率は、上記実施の形態 1と同様に、 1 (%)以上 50 (%)以下、望ましくは 3 (%)以上 20 (% )以下に設定されている。この理由に付いては、上記同様である。

蛍光体皮膜 66の構成材料には、上記実施の形態 1と同様に、蛍光体層 66を構成する蛍光体材料よりも 2次電子放出係数 γが大きい材料を用いることができ、例えば、上記蛍光体皮膜 26、 46、 56の形成に用いることができるのと同様の材料を用いることができる。

[0102] 本実施の形態では、初期化期間 Τにおいて弱放電を生じさせようとする Sen電極 1

1

21と Dat電極 62との交差部分に粒状体 66を付着配置し、高 γ部を形成することで、初期化期間 Τに Sen電極 121と Dat電極 62との間にランプ波形の電圧パルスが印

1

加された場合にも、弱放電 (初期化放電)が安定的に発生する。特に、放電ガス中における Xe分圧を 5 (%)以上に上昇させた場合の弱放電発生の安定性は、従来の P DPに比べて優れて!/、る。

[0103] 従って、本実施の形態に係る PDP4では、初期化期間 Tにおける安定的な弱放電

1

2.粒状体 66の付着配置方法

本実施の形態に係る PDP4における粒状体 66の付着配置方法について、図 8を用いて説明する。図 8は、粒状体 66の付着配置工程を示す模式断面図である。なお、図 8では、図示の便宜上、背面パネルにおける隔壁 64の形成個数を 4条としている力実際には、より多い隔壁 64の形成がなされた背面パネルを用いる。

[0104] 図 8に示すように、散布容器 501内の底部分に背面基板 61を載置する。このとき、背面基板 61は、散布容器 501内で略水平となるようにする。載置される背面基板 61 上には、複数の Dat電極 62が形成され、その上を覆うように下地誘電体層 63、さらにその上に隔壁 64および蛍光体層 65が形成されている。

次に、散布容器 501の底部分に載置した背面基板 61の上に所望のパターン形状に合わせて設けられた透孔 504aを有するメタルマスク 504を配置する。図 8は模式図のため、メタルマスク 504の固定具などの図示を省略している力実際のメタルマスク 504は、透孔 504aの位置が背面基板 61および散布容器 501に対してずれないように固定具などを用いて固定されている。

[0105] 散布容器 501の上方部分には、粒子挿入部 502が設けられており、この粒子挿入部 502の内方に、例えば、 MgOなどの粒子 660を所定量入れる。そして、粒子挿入部 502に対して窒素ガスや空気などの圧縮ガスを供給し、粒子 660をノズル 503から背面基板 61の上に設けられた蛍光体層 65の表面に向けて勢いよく噴出させる。このように粒子 660を噴出させた後、圧縮ガスの供給を停止し、粒子 660を一定時間にわたって自然落下させる。このようにして、蛍光体層 65の表面上への粒子の散布がなされる。

[0106] 以上のように蛍光体層 65の表面上に散布された粒子 660を乾燥させることで粒状体 66の付着配置がなされ、高 γ部の形成が完了する。

ここで、蛍光体層 65の表面に対する粒状体 66による被覆率は、上述のように 1 (% )以上 50 (%)以下、望ましくは 3 (%)以上 20 (%)以下と設定し、また、図 7に示すような位置に高 γ部を配置するが、これらの設定は、メタルマスク 504における透孔 50 4aの設定、および背面基板 61に対するメタルマスク 504の相対位置の設定などを以つて実施することが可能となる。

[0107] なお、上記散布法による粒状体 66の付着配置において、散布容器 501の形状やサイズ、散布条件などについては、その形成しょうとする形状、サイズ、用いる粒子 6 60の材質などによって適宜設定されるものである。また、散布時においては、帯電などの手法を用いて均一な散布を実施したり、粒子どうしの凝集を抑制するために乾式 •湿式方法などの種々の方法を採用することも勿論可能である。これらは、液晶パネルを製造する際に用いられるスぺーサ散布方法を用いることで容易に実施することができるものであるため、ここでの説明を省略する。 [0108] また、粒状体 66の付着配置の方法としては、上記散布法の他に、スプレー法、分散堆積法および電着法などを用いることも可能である。例えば、スプレー法を用いる場合には、蛍光体層 65の表面上に所定パターンのレジストマスクなどを形成しておき、これに対して粒子 660およびエタノールを含む混合有機溶剤をスプレー散布して、その後これを乾燥させる。そして、レジストマスクを除去することにより、図 7に示すような所定のパターンでの粒状体 66の付着配置が可能となる。

[0109] また、分散堆積法につ!、ては、蛍光体層 65の表面上に所定のパターンを有するレジストマスクを形成した背面基板 61を、混合有機溶剤の表面に浮!、た粒子 660を静かに堆積させ、これを乾燥させた後にレジストマスクを除去することで実施可能であるさらに、電着法では、粒子 660を含む電解溶液中で背面基板 61上に形成された D at電極 62を用いて背面基板 61の側に電圧を印加する。これにより、帯電した粒子 6 60は、蛍光体層 65の表面上における Dat電極 62上の位置に引き寄せられ固着する。このような方法によっても、粒状体 66の付着配置を実施することが可能である。

[0110] (実施の形態 5)

次に、実施の形態 5に係る PDP5の構成について、図 9を用いて説明する。

1. PDP5の構成

図 9 (a)、 (b)に示すように、本実施の形態に係る PDP5では、背面パネル 70における蛍光体層 75の表面の略全域を覆う状態に蛍光体皮膜 76が形成されている。なお、この蛍光体皮膜 76の形成形態以外の構成部分については、上記実施の形態 1 〜4に係る各 PDP1、 2、 3、 4と同様である。また、上記において、「略全域を覆う状態」とは、例えば、製造過程で生じるピンホールや形成ムラなどを許容するものである旨を示す。

[0111] 本実施の形態に係る PDP5では、上記実施の形態 1〜4に係る各 PDP1、 2、 3、 4 と相違し、蛍光体層 75の表面全体を覆うように蛍光体皮膜 76が形成されているのであるが、上記特許文献 1に係る MgO膜との違いはその膜厚 tを規定しているところにある。即ち、特許文献 1に係る PDPでは、膜厚の規定をすることなく蛍光体層の表面を覆うように MgO膜を形成している。このため、特許文献 1に係る PDPでは、上記実施の形態 1の実験の考察のように、発光効率が実際に適用できない程度に低いものとなる。

[0112] これに対して、本実施の形態に係る PDP5では、図 9 (b)拡大部分に示すように、膜厚 tを 1 (nm)以上 10 (nm)以下に規定した上で、蛍光体層 75の表面全体を覆い蛍光体皮膜 76を形成している。このように極薄い蛍光体皮膜 76では、放電空間 30で発生した共鳴線や分子線が膜でほとんど吸収されることなく蛍光体層 75へと透過される。そのため、 PDP5では、パネルの発光効率が大きく低下することはない。

[0113] PDP5における蛍光体皮膜 76は、その膜厚 tが上気数値範囲と極薄いものの、ノネル駆動時の初期化期間 Tにおいて、ランプ波形のパルス印加の際の蛍光体層 75

1

の側が力ソードとなるときの放電開始電圧は上記実施の形態 1〜4と同様に低減され、弱放電の安定的な発生を図ることができる。このような優位性は、発光効率向上のために放電ガス中における Xe分圧を 5 (%)以上に高く設定する場合にも変わることはない。

[0114] なお、本実施の形態においても蛍光体皮膜 76の形成には、上記実施の形態 1〜4 と同様に、少なくとも蛍光体層 75を構成する蛍光体材料よりも 2次電子放出係数 γ が高い材料を用いることが必要である。例えば、上記列挙の材料などを用いることができる。

2.蛍光体皮膜 76の形成方法

蛍光体皮膜 76の形成には、電子ビーム蒸着法やスパッタリング法などを採用することができるが、その膜厚を極薄い範囲内に規定することから、電子ビーム蒸着法を用いることが特に望ましい。

[0115] 電子ビーム蒸着法を用いて蛍光体皮膜 76を形成するのには、以下のような手順を踏むことで達成される。

電子ビーム蒸着装置内に MgOなどの皮膜材料を入れ、これに電子ビームを照射する。電子ビームの照射を受けた皮膜材料は、背面基板 71上に形成された蛍光体層 75の表面上に蒸着される。このようにして蛍光体皮膜 76の形成がなされる。この形成方法を用いることで、蛍光体皮膜 76形成時における蛍光体層 75表面へのダメージはほとんどない。このため、 PDP5では、蛍光体皮膜 76の形成による輝度の低下を生じることはない。

[0116] 3.蛍光体皮膜 76の膜厚規定

本実施の形態に係る PDP5では、蛍光体皮膜 76の膜厚 tを 1 (nm)以上 10 (nm) 以下に規定したが、これは、次のような理由に基づくものである。

蛍光体皮膜 76の膜厚 tを 1 (nm)未満とした場合には、蛍光体皮膜形成による初期化期間 Tにおける安定的な弱放電の維持を図ることは困難となる。即ち、膜厚が l (n

1

m)未満の蛍光体皮膜では、初期化期間 Tの蛍光体層 75の側が力ソードとなる際の

1

放電開始電圧を低減することはできず、弱放電が不安定となり、強い放電を生じることちある。

[0117] 一方、図 10に示すように、蛍光体皮膜 76の膜厚 tを 10 (nm)よりも厚くした場合には、紫外線透過率が約 83 (%)よりも小さくなつてしまい、蛍光体皮膜で吸収される共鳴線や分子線の量が大きくなる。このため、例えば、放電ガス中の Xe分圧を現状の 5 (%)から 10 (%)程度まで上げることで得られる輝度向上が約 120 (%)程度であることから、膜厚 tを 10 (nm)よりも厚く設定することで紫外線透過率が 83 (%)以下まで低下してしまうと、発光効率の向上を実質的に得られなくなってしまう。従って、膜厚力 SlO (nm)よりも厚い蛍光体皮膜を有する場合には、蛍光体皮膜を形成することによるデメリットの方が、弱放電の安定ィ匕というメリットを相殺してしまうことになり、実際に適用することができなくなってしまう。

[0118] なお、上記図 10は、 BaMg Al O ： Eu (BAM)蛍光体材料からなる蛍光体層をべ

2 14 24

ースとするときの蛍光体皮膜の膜厚と紫外線透過率との関係を表すものであるが、他の蛍光体材料力なる蛍光体層をベースとするときにおいても、同様の結果が得られる。

また、本実施の形態に係る PDP5では、膜厚 tを上記数値範囲内に規定した上で、蛍光体層 75の表面全体を覆うように蛍光体皮膜 76を形成することとしている力ここでの膜厚 tの規定は必ずしも全域で均一な厚みとする必要はない。また、部分的に僅カゝの領域で膜厚 tが 10 (nm)を超えるような箇所を有する場合にあっても、実効的に上記数値範囲内にその膜厚 tが 1 (nm)〜 10 (nm)の範囲に収まって、れば同様の効果を得ることが可能である。特に、実際の蛍光体層 75の表面は、凹凸を有するものであるため、粒子と粒子との間の部分などで局所的に膜厚 tが 10 (nm)を超えるようなところがあっても、本実施の形態に係る PDP5が奏する効果に大きな影響を及ぼすものではない。

[0119] (実施の形態 1〜5に関するその他の事項）

上記実施の形態 1〜5については、本発明の構成およびそれより得られる効果について、分力りやすく説明するために一例として用いたものであって、本発明は、これに限定を受けるものではない。例えば、実施の形態 1〜5では、 Sen電極 121、 Sus電極 122、 Dat電極 22、 42、 52、 62、 72の 3電極を用!ヽてノノレの表示馬区動を行う構成の PDPを一伊とした力背面ノネノレ 20、 40、 50、 60、 70に第 4の電極、第 5の電極を設けておき、初期化期間 T〜維持期間 Tに適宜これらの電極に電圧を印加す

1 3

ることとしてちよい。

[0120] また、実施の形態 1〜5に係る各 PDP1、 2、 3、 4、 5では、背面パネル 20、 40、 50 、 60、 70における隔壁 24、 44、 54、 64、 74を Dat電極 22、 42、 52、 62、 72と平行なストライプ状のものとしたが、井桁状やミアンダ状のものを採用することも可能であるまた、上記図 3の印加パルスの波形図についても、種々の変形例を適用することができる。例えば、 1フィールドを 8つのサブフィールド SF1〜SF8に分割するのではなく、 9以上のサブフィールドに分割、あるいは逆に 7以下のサブフィールドに分割するような駆動方法を採用することも可能である。

[0121] また、実施の形態 1では、蛍光体層 25の表面上における蛍光体皮膜 26の形成形態について、図 1および図 2のように略規則正しく整列した状態としたが、本発明はこれに限定されるものではなぐ不規則に形成されたものとすることもできる。また、図 2 のような斑点状ではなぐ縞状などとすることも可能である。

さらに、上記実施の形態における PDPの各構成材料、あるいは形成方法などについても適宜変更が可能である。蛍光体皮膜 26、 46、 76の形成方法や粒状体 56、 6 6の付着配置の方法などにっ、ても、その形成形態および用いる材料などに適用して変更することが可能である。

[0122] (実施の形態 6) 次に、実施の形態 6に係る PDP6について説明する。

1. PDP6の全体構成

図 11は、本実施の形態に係る PDP6の 1画素を構成する部分を切り出して描!ヽた要部斜視図（一部断面図）である。図 12 (a)は、図 11の D方向から 1放電セルを見た拡大図であり、図 12 (b)は、図 11での前面パネル 10を仮想的に取り除いて背面パネルを図 11の E方向力も見た平面図である。なお、本実施の形態に係る PDP6の構成は、背面パネル 80を除き、上記実施の形態 1〜5と同一であるので、同一部分についての繰り返しの説明を省略する。

[0123] PDP6における背面パネル 80は、背面基板 81と、当該背面基板 81の表面に形成された Dat電極 82と、当該 Dat電極 82が形成された背面基板 81の表面を覆うように形成された誘電体層 83とを備える。この場合における「表面」とは、上記前面パネル 10の場合と同様に、放電空間 30側に位置する表面を示し、さらに換言すると、放電空間 30を臨む表面をいう。具体的には、背面基板 81における Z軸方向上側の表面となる。

[0124] Dat電極 82は、画像データを書き込むためのものであり、放電セルのほぼ中央の位置であって上記表示電極対 12の延伸方向に直交する方向（図 11では Y軸方向）へとストライプ状に延伸している。なお、背景技術の欄でも説明したが、表示電極対 1 2と Dat電極 82とが立体交差する各箇所力放電単位である放電セルである。

背面パネル 80における誘電体層 83上であって、隣接する放電空間 30の間には、隔壁 84力図 11、 12に示すように、 Dat電極 82の延伸方向に沿ってストライプ状に形成されている。

[0125] 隣り合う隔壁 84と誘電体層 83とで構成される各凹部の内壁面には、凹部毎に発光色の異なる蛍光体層 85R、 85G、 85Bが形成されている。さらに、これら蛍光体層 85 R、 85G、 85Bの表面の一部領域には、高 γ部 86が形成されている。本実施の形態に係る高 γ部 86についても、上記実施の形態 1〜5と同様に、 2次電子放出係数 γ が蛍光体層 85R、 85G、 85Bよりも大きく、且つ、蛍光体層 85R、 85G、 85Bの構成材料とは異なる材料によって構成されている。即ち、本実施の形態に係る PDP6においても、蛍光体層 85R、 85G、 85Bの各表面に対し、偏在した状態で高 γ部 86が形成されている。

[0126] 高 γ部 86は、上記実施の形態 4などと同様に、蛍光体層 85R、 85G、 85Bの表面に偏在して形成されている。具体的に高 γ部 86は、蛍光体層 85R、 85G、 85Bの表面において、 Dat電極 82のォモテ側に相当する部分で偏在している。なお、本実施の形態では、確認的に後述するが、高 γ部 86は、上記実施の形態 1〜5などと同様に、 MgO粒子により構成されている。このため、図 12 (a)では、便宜上、高 γ部 86を粒状で表している。

[0127] なお、 PDP6の表示駆動については、上記実施の形態 1に係る PDP1と同じであるので、繰り返しての説明を省略する。

2.実施例

上記本実施の形態に係る PDP6の構成についての具体的について説明する。なお、ここでの説明は一つの例であり、本発明は、本実施例に限定されるものではない

[0128] 先ず、前面板 3について説明する。

Sen電極 121および Sus電極 122を構成する透明電極部 121a、 122aは、 ITO、 S ηθ、 ZnO等からなり、また、ノスライン 121b、 122bは、 Cr— Cu— Crや Ag等から

2

形成されている。

前面パネル 10の誘電体層 13は低融点ガラスにより構成されており、当該構成のガラスペーストを使用して、スクリーン印刷などにより、表示電極対 12が形成された前面基板 11の表面を覆うように塗布され、その後焼成されて形成される。

[0129] 誘電体保護層 14は、薄膜プロセスまたは印刷法を用いて形成されており、材料には電気絶縁性で透明な MgO膜が通常使用され、その厚さは例えば 0. 6 m)程度である。なお、誘電体保護層 14の構成材料である MgOは、 2次電子放出係数が高く、透明で耐スパッタ性に優れる。

次に、背面パネル 80における Dat電極 82は、 Agにより形成されている。 Dat電極 8 2の幅（図 11における X軸方向の寸法）は、 100 ( m)である。

[0130] 背面パネル 80の誘電体層 83は、上記前面パネル 10の誘電体層 13と同様に、低融点ガラスで形成されており、形成方法も同じ方法を採用することができる。隔壁 84は、低融点ガラス力構成されており、誘電体層 83の表面に前記低融点ガラス力もなるペーストを塗布 '焼成した後、 Dat電極 82の延伸方向に沿う放電空間 30 に合わせてストライプ状のパターンで、サンドブラスト法やフォトリソグラフィ法等によりリブ形状に形成される。

[0131] 蛍光体層 85R、 85G、 85Bは、その発光色がそれぞれ赤、緑、青の 3色であり、（Y 、 Gd) BO： Eu、 Zn SiO： Mnおよび BaMg Al O ： Euなどの蛍光体を含み形成さ

3 2 4 2 14 24

れている。蛍光体層 85R、 85G、 85Bは、上記隔壁 84の側面と、誘電体層 83の表面上で隔壁 84が形成されていない部分に対して、上記蛍光体の発光色毎に印刷塗布、焼成工程を行うことにより、誘電体層 83と隔壁 84とで構成される凹部の表面に形成される。

[0132] 高 γ部 86は、蛍光体層 85R、 85G、 85Bの構成材料とは異なる材料で、且つ、高い 2次電子放出係数 γを有する金属酸化物材料を用いて形成される。用いられる金属酸化物材料は、上記実施の形態 1〜5などと同様に、例えば MgOであり、粒径が 0 . 05 ( /ζ πι)〜1 ( /ζ πι)の範囲内にある粒子力 Dat電極 82の表面上に対応する部分に、その厚さが l m)になるように形成されている。なお、本実施例における高 γ 部 86の形成方法については、後で詳細に説明する。

[0133] また、放電ガスに用いられる希ガスとしては、例えば、キセノン ·ネオンを含む希ガスが用いられ、これらが約 60 (kPa)の圧力で封入されている。なお、放電ガスの全圧に対する Xe分圧比率は、 15 (%)である。

4.高 γ部 86の形成方法

先ず、高 Ί部 86の形成方法の概略を説明すると、高 γ部 86を構成する材料、つまり、 2次電子放出係数 γが蛍光体層 85 (以下では、符号 85R、 85G、 85Bを纏めて、符号 85と記載する。）よりも大きぐ且つ、蛍光体層 85の構成材料とは異なる材料を帯電させて、この帯電した材料を静電力によって Dat電極 82の上方に集積することで、高 γ部 86を形成する（この方法を、「電圧印加粒子散布集積法」 t 、うことにする

) o

[0134] つまり、高 γ部 86は、当該高 γ部 86を形成する材料である金属粒子を帯電させる帯電工程と、 Dat電極 82を帯電する金属粒子より低い電位にすることによって、蛍光体層 85の表面であって、 Dat電極 82の上方に相当する部分に金属粒子を静電力により集積する集積工程とを経て形成される。具体的な形成方法について、図 13を用いて説明する。図 13は、高 γ部 86の形成方法を説明するための概略図である。

[0135] 以下、高 γ部 86を構成する材料として MgO (粒子）を用いた例で説明する。

図 13 (a)に示すように、隔壁 84が形成された背面パネル 80用の板 80a (この板に高 Ί部 86を形成して背面パネル 80が完成する（つまり、背面板が完成する前段階である）ので、この板を、「前段背面パネル」と記載する。） 80aを用意し、背面基板 81の主面が略水平であって蛍光体層 85が上側となるように配する。この前段背面パネル 80aは、上記構成の欄で説明した、背面基板 81、 Dat電極 82、誘電体層 83、隔壁 8 4を備えるとともに、隔壁 84の側面および誘電体層 83の表面であって、隔壁 84が形成されている部分を除く部分に蛍光体層 85が形成されているものである。

[0136] 高 γ部 86の形成は、図 13 (b)に示す粒子散布装置 510を利用して行われる。

この粒子散布装置 510は、粒子散布容器 511と、 MgO粒子 670を格納する格納容器 512と、格納容器 512内の MgO粒子を帯電させる帯電手段 514と、格納容器 512 内で帯電された MgO粒子 670を粒子散布容器 511内に散布する散布手段と、散布された MgO粒子 671を集積するために前段背面パネル 80aの Dat電極 82に所望の電圧を印加する印加手段 514とを備える。

[0137] ここで、格納容器 512は、粒子散布容器 511の上壁 51 laの外側に配されており、散布手段は、格納容器 512の内部と粒子散布容器 511の内部とを連通させるノズル 513と、格納容器 512内に、窒素ガスや空気等の圧縮ガスを流入される流入手段（図示省略)とにより構成される。

また、帯電手段は、図 13 (b)に示すように、格納容器 512およびノズル 513に所定の電圧を印加することで、格納容器 512内およびノズル 513内の Mgo粒子 670を帯電させる。格納容器 512およびノズル 513への印加は、高電圧直流電源装置 514により行われる。なお、 Dat電極 82への電圧の印加も、上記高電圧直流電源装置 514 により行われる。

[0138] 上記構成の粒子散布装置 510を用いた高 γ部 86の形成方法の具体例について説明する。図 13 (b)に示すように、先ず、粒子散布容器 511の上壁 51 la上の格納容器 512 に、例えば、直径 0. 05 m)〜1 ( m)の MgO粒子 670を所定量入れる。そして、 MgO粒子 670を格納する格納容器 512やノズル 513に、高電圧直流電源装置 514 により数千 (V)〜l万 (V)の正の電圧 (+V1)を印加して、 MgO粒子 670を帯電させる。

[0139] 一方、前段背面パネル 80aの Dat電極 82には、高電圧直流電源装置 514によって、 Mgo粒子 670を帯電させるために印加した極性と反対である負の一定の大きさの電圧（一 V2)、例えば— 100 (V)〜0 (V)を印加する。

そして、圧縮ガスを格納容器 512の内部に流入させて、帯電した MgO粒子 670をノズル 513から吹き出させて散布する。これにより、正に帯電して散布された MgO粒子 671が下方に向力つて落下して行く。

[0140] その後、圧縮ガスの流入を止め、正に帯電して散布された MgO粒子 671は、自然落下しつつ、負の一定の大きさの電圧が印加された Dat電極 82による静電力によつて吸引され、やがて、吸引されている MgO粒子 671は、前段背面パネル 80aの蛍光体層 85の表面であって Dat電極 85の上方に相当する部分に堆積されてゆく。これによって、図 13 (c)の如く、 MgO粒子 670、 671力らなる高 γ部 86力光体層 85の表面上に偏在形成される。

[0141] 上記電圧印加粒子散布集積法による高 γ部 86の形成では、帯電状態の MgO粒子 671は、静電力により Dat電極 82に吸引されて、 Dat電極 82の上部に相当する部分 (電極部分を含む。 )に堆積され、 Dat電極 82から離れた部分には MgO粒子 671 は付着しないので、精度良く所望の範囲に高 Ί部 86を形成できる（高 γ部 86を偏在形成させることができる）と共に、略均一な厚さでしかも所望の密度で高 γ部 41を形成できる。

[0142] 一方、高 γ部 86の厚さは、 Dat電極 82に印加する電圧値および帯電した MgO粒子 671の散布量によって決定できるので、本実施の形態に係る方法を用いた場合には、高 γ部 86の厚さの管理を容易に行える。し力も、図 13 (c)に示すように、前段背面パネル 80aの蛍光体層 85の表面であって Dat電極 82の上方に対応する部分に、絶縁物材料である MgO粒子 671が略均一に、且つ、所望の面密度で静電力により集積され、図 11および図 13 (c)に示すような、高 γ部 86を形成することができる。

[0143] なお、蛍光体層 85の表面に高 γ部 86を偏在形成しょうとすると、従来の方法では、例えば、電子ビーム蒸着法により蛍光体層表面の全体に MgO膜を形成し、そのあと、形成した MgO膜を所望のパターンにエッチング等により加工しなければならなかつた。し力しながら、本実施の形態に係る形成方法では、 MgO粒子 670を帯電させ、 Dat電極 82に電圧を印加するだけで形成できるので、従来の方法に比べて、極めて簡易に、且つ、高精度に高 γ部 86を成形できる。

[0144] 上記の電圧印加粒子散布集積法では、粒子散布装置 510の粒子散布容器 511などの形状や、圧縮ガスの流入量、流入速度や、格納容器 512に充填する Mgo粒子 6 70の量、 Mgo粒子 670に印加する電圧値等の種々の条件を適切に設定することにより、高 γ部 86の厚みを、さらに均一な状態で堆積させることができる。また、上記において、電圧印加粒子散布集積法と呼ぶことにしたが、構成材料を帯電させ静電力で Dat電極 82の上方に堆積させる方法であれば如何なる呼称の方法でもよい。

[0145] 4.評価実験

上述した方法で、実施例の高 γ部 86を形成してなる PDP6を作成して、当該 PDP 6を用いて画面の表示試験を行った。試験の内容は、初期化期間 Τに、電圧-時間

1

推移が緩やかに傾斜して上下するランプ波形の電圧を前面パネル 10側の Sen電極 121と Dat電極 82との間に印加し、書き込み期間 Tにおいて、書き込みパルスの印

2

加の有無により放電セルの選択を行い、維持期間 τ

3において選択された放電セルでの放電を実行し、意図した画像表示が行われて、るかどうかを確認することである。

[0146] 実験結果によれば、本実施の形態に係る PDP6では、初期化期間 Tにおいて蛍光

1

体層 85側が力ソードとなる放電であっても初期ィ匕輝点の発生が低減し、さらに輝度の低下を抑えることができた。そして、結果的に発光効率の低下は、蛍光体層の表面に高 γ部 86 (MgO膜)がな、場合に対し、約 5 (%)に抑えられた。

これに対して、蛍光体層 85、隔壁 84の放電空間 30を臨む部分全てに MgO力なる皮膜 (高 0部に相当） 746を形成した従来の PDP ( 26 (b)に示す構成)でも、初期化期間 Tにおいて蛍光体層 725側が力ソードとなる放電であっても初期ィ匕輝点の

1

発生が低減したが、蛍光体層 725の全表面に付けた皮膜 746によって共鳴線を含む真空紫外線が吸収されるため輝度低下が大きい。そして、結果的に発光効率は、蛍光体層に皮膜 746がな、場合に対し、約 1Z10に激減した。

[0147] これは、高 γ部 86が、 2次電子放出係数 γが蛍光体層 85よりも大きぐ且つ、蛍光体層 85の構成材料とは異なる材料によって、蛍光体層 85の表面であって Dat電極 8 2の上方に相当する部分のみに偏在形成されているので、初期化期間 Tにおいて、

1 この高 γ部 86から 2次電子が放出される。これによつて、ランプ波形電圧印加時において、蛍光体層 85側が力ソードとなるときの放電遅れが減少し、弱放電が安定して起きやすくなつたと考えられる。

[0148] さらに、高 γ部 86は、 Dat電極 82の上方に相当する部分のみに偏在形成されているので、蛍光体層 85における高 γ部 86が形成されていない部分が放電空間 30を直接臨むことになり、輝度の低下を少なぐ結果的に発光効率の低下を少なくできたと考えられる。

5.その他

上記で説明した高 γ部 86は、蛍光体層 85の表面であって、 Dat電極 82の表面に相当する部分を覆うように全範囲に形成することとしたが、上記領域の全範囲に高 γ 部 86を形成していなくても良い。以下、 Dat電極 82の表面に相当する部分の全範囲に形成されて、な、、実施の形態 1における変形例 1として説明する。

[0149] (1)構成

図 14は、変形例 1に係る PDPの放電セルの一部を切り欠いた平面図である。

ここでは、高 γ部 1086 (の大きさ）と、蛍光体層 1085の形成範囲以外は上記実施の形態 6と同じであるため、高 γ部 1086および蛍光体層 1085以外の部分については、上記実施の形態 6と同じ符号を使用する。また、図 14は、 PDPの表示面 (前面パネルの前面基板 11における放電空間 30と反対側に位置する面）と直交する方向から、 1つの放電セルを見た図である。

[0150] 高 γ部 1086は、図 14に示すように、表示電極対 12の Sen電極 121と Dat電極 10 82とが立体交差している蛍光体層 1085の表面に形成されている。つまり、前面パネルの主面と直交する方向から当該前面パネル側を見たとき（図 14となる。 )に、蛍光体層 1085の表面上であって、 Dat電極 1082の上方（前面パネル側）に相当する領域と、前面パネルの Sen電極 121の下方（背面パネル 1080側）に相当する領域とが重なる部分 (本発明の「前記 Dat電極と前記表示電極対とが立体的に交差する領域に相当する部分」である。）に形成されている。

[0151] なお、高 γ部 1086を構成する材料は、上記実施の形態 6などと同じであり、 2次電子放出係数 γが蛍光体層 1085の構成材料よりも大きぐ且つ、蛍光体層 1085の構成材料とは異なる材料 (MgO)である。また、蛍光体層 1085は、本変形例 1では、誘電体層 1083の表面であって、隔壁 1084が形成されてヽな、部分に形成されており、隔壁 1084の側面には形成されてヽなヽ（図 14を参照）。

[0152] (2)形成方法

本変形例に係る高 γ部 1086の形成方法について、図 15を用いて説明する。図 15 は、変形例 1の高 Ί部の形成状態を示す図である。

図 15に示すように、本変形例 1における高 γ部 1086の形成は、上記実施の形態 6 における電圧印加粒子散布集積法を用いて行われる。本変形例 1では、高 γ部 108 6を Dat電極 1082と Sen電極 121とが立体的に交差する部分に相当する部分に形成されているため、ここで説明する粒子散布装置 550は、高 γ部 1086を選択的に形成するための選択手段 555を備えている点で、上記実施の形態 1での粒子散布装置 510と異なる。

[0153] 本変形例 1における粒子散布装置 550は、粒子散布容器 551と、 MgO粒子 680を格納する格納容器 552と、格納容器 552内の MgO粒子 680を帯電させる帯電手段 554と、格納容器 552内で帯電された MgO粒子 680を粒子散布容器 551内に散布する散布手段と、散布された MgO粒子 681を集積するために前段背面パネル 1080 aの Dat電極 1082に所望の電圧を印加する印加手段 554と、高 γ部 1086を選択的に形成するための選択手段 555とを備える。

[0154] 選択手段 555は、高 γ部 1086の形成部分に相当する部分に貫通孔 556を有するマスク 557により構成される。そして、帯電状態での MgO粒子 680がノズル 553から散布されると、帯電して散布された MgO粒子 681が、マスク 557の貫通孔 556を通つて、貫通孔 556の開口部分に対応する所望の範囲に堆積される。これにより、高 γ 部 1086は、前段背面パネル 1080aの Dat電極 1082に対応する範囲で、且つ、前面パネル 10の Sen電極 121の背面パネル 1080側に対応する部分のみに部分的に偏在形成される。

[0155] ここで説明した形成方法によると、選択手段 555を用いることで、高 γ部 1086を部分的に偏在した状態で容易に形成することができる。

(3)実験結果

上記変形例 1における PDPにつ、ても、上記実施の形態 6と同様に評価試験を行つた。この実験によれば、本変形例 1における PDPは、初期化期間 Τにおいて、蛍

1

光体層 1085側が力ソードとなる放電であっても初期ィ匕輝点の発生が低減し、さらに輝度の低下を抑えることができ、蛍光体層、隔壁の放電空間側の部分全てに高 γ部である皮膜 746を形成した従来の PDP (図 26 (b)に示す構成)の発光効率よりも高い発光効率が得られた。

[0156] これは、本変形例に係る高 γ部 1086が、 2次電子放出係数 γが蛍光体層 1086よりも大きぐ且つ、蛍光体層 1085の構成材料とは異なる材料によって、 Dat電極 108 2の上方のみで、且つ、 Sen電極 121の下方のみに偏在形成されているため、初期化期間 Tにおけるランプ波形電圧印加時において、 Dat電極 1082の上方で、且つ

1

、 Sen電極 121の下方のみに形成された高 γ部 1086から 2次電子が効率的に放出され、蛍光体層 1085側が力ソードとなる時の放電開始電圧が低下することにより、弱放電が安定して起きやすくなり、初期ィ匕輝点の発生が抑えられたと考えられる。

[0157] また、高 γ部 1086は、 Dat電極 1082の上方のみで、且つ、 Sen電極 121の下方のみに偏在している。つまり、蛍光体層 1085は、高 γ部 1086の形成されていない部分の面積が、実施の形態 6よりも広くなり、それだけ広い範囲で放電空間 30を直接臨むことになり、実施の形態 6に比べて、発光効率の低下を抑制できたと考えられる。

[0158] (実施の形態 7)

上記実施の形態 6に係る隔壁 84は、 Dat電極 82の延伸方向に沿ってストライプ状に形成されていたが、本実施の形態では、所謂、井桁状に形成されている。

.構成

図 16は、 PDP1006における 1画素を構成する部分を切り出し、隔壁の様子が分かるように前面板の一部を切り欠いて描いた斜視図である。図 17 (a)は、図 16の G— G 線における断面図であって矢印方向に見た図であり、（b)は、 1つの放電セル分を F 方向に見た図であり、図 17 (b)において、高 γ部 1186は網掛けで示している。なお、ここでも、上記実施の形態 6と構造が同じ部分 '部材については同じ符号を用いる。

[0159] 図 16に示すように、前面パネル 10は、上記実施の形態 6と同様に、前面基板 11、表示電極対 12、誘電体層 13、誘電体保護層 14を備える。また、表示電極対 12は、 Sen電極 121と Sus電極 122とを備免る。

背面パネル 1180は、図 16および図 17 (b)に示すように、背面基板 1181、 Dat電極 1182、誘電体層 1183、蛍光体層 1185R、 1185G、 1185B、隔壁 1184 184 a、 1184b)および高 γ部 1186を備える。ここで、本実施の形態では、上記実施の形態 6に対し、隔壁 1184の形状、高 γ部 1186が形成される蛍光体層 1185R、 1185 G、 1185Bの形状が異なる。

[0160] なお、前面パネル 10と背面パネル 1180との封着は、前面パネル 10の表示電極対 12と背面パネル 1180の Dat電極 1182とが立体的に直交するようになされて!、る。隔壁 1184は、図 16および図 17に示すように、各放電空間 30の周りを囲むように井桁状をしており、上記実施の形態 6と同様に、誘電体層 1183上に形成され、隣接する放電空間 30どうしの間を区画している。なお、隔壁 1184は、図 17 (b)に示すように、 4つの隔壁要素 1184a、 1184b力ら構成されて!/、る。

[0161] なお、井桁状の隔壁 1184の成形は、材料として低融点ガラスを塗布焼成し、放電セルの複数個の配列を行および列を仕切る井桁状のパターンでサンドブラスト法やフォトリソ法などの方法を使用して、隔壁 1184をリブ形状に形成する。

一方、光体層 1185R、 1185G, 1185B (便宜上、符号 1185B【こつ!ヽて ίま、不図示。）は、誘電体層 1183の表面であって隔壁 1184が形成されていない部分と、隔壁 1184の佃 J面とに形成されて!/、る。このため、光体層 1185R、 1185G、 1185 Bは、誘電体層 1183上に形成された底部と、隔壁 1184の側面から前記底部へと傾斜状に形成された傾斜部とを有する。

[0162] 前面パネル 10の表示電極対 12と背面パネル 1180の隔壁 1184との位置関係は、種々採り得る力表示電極対 12と隔壁 1184とが近接する場合、表示電極対 12の下方側に位置する部分の蛍光体層 1185R、 1185G、 1185Bは、その傾斜部と当該傾斜部から少し底部に跨った部分となる。

そして、高 γ部 1186は、図 17 (a)、（b)に示すように、蛍光体層 1185Bの表面であって、 Dat電極 1182の上方に相当する領域と Sen電極 121の下方に相当する領域とが立体交差する部分（平面視において、 Dat電極 1182と Sen電極 121とが重なる部分）に形成されている。

[0163] 図 17 (b)に示すように、特に、蛍光体層 1185Bは、上述したように、隔壁 1184に近い箇所では、傾斜状になっているため、蛍光体層 1185Bにおける Sen電極 121の外側（Dat電極 1182の延伸方向であって Sus電極 122の反対側）に位置する隔壁 1 184bの側面に形成された傾斜部と当該傾斜部から少し底部に跨った部分とに形成されている。

[0164] 高 γ部 1186は、上記実施の形態 6と同様に、 MgO粒子により形成され、この形成には、上記実施の形態 6と同様の電圧印加粒子散布集積法を用いている。なお、高 γ咅 1186ίま、光体層 1185R、 1185G、 1185Bの表面上【こ咅分的【こ形成されるため、上記変形例 1で用いた選択手段 555等を用いる必要がある。

本実施の形態のように、 Sen電極 121と Dat電極 1182との間の蛍光体層 1185R、 1185G、 1185Bの表面が傾斜している場合には、初期化期間 Tにおける放電が、

1

見力け上、 Sen電極 121と蛍光体層 1185R、 1185G、 1185Bの傾斜部の表面付近との間で生じる。このため、放電が生じている蛍光体層 1185R、 1185G、 1185Bの傾斜部および当該傾斜部力底部とに跨る部分に高 γ部 1186があると、高 γ部 11 86から放出された 2次電子を有効に作用し、放電開始電圧を効果的に下げることができる。

[0165] (実施の形態 8)

上記実施の形態 6および実施の形態 7における高 γ部 86、 1186は、電圧印加粒子散布集積法により形成されていたが、他の形成方法によっても形成できる。本実施の形態 8では、蒸着法を利用して高 γ部 86、 1186を形成する場合ついて説明する。なお、ここでは、実施の形態 6での前段背面パネル 80aに高 γ部 86を形成する場合について説明する。

[0166] この高 γ部 86は、 MgOを少なくとも含む材料によって、蒸着法、例えば、電子ビーム蒸着法により、電子ビーム蒸着装置内でターゲットである MgOに電子ビームを照射することによって、例えば、膜厚が10 (nm)〜l ( _iu m)のMgOカらなる皮膜カ Da t電極 82の上方にのみに蒸着され形成される。

では、電子ビーム蒸着法よる高 γ部 86の形成方法について、以下説明する。

[0167] 図 18は、本実施の形態 8に係る高 γ部 86の形成方法を説明するための概略図である。高 Ύ部 86の形成方法は、蒸着装置 560内において、前段背面パネル 80aの D at電極 82に負あるいは接地電位を付与しておき、蒸着装置 560内の前段背面パネル 80aの下方で RFプラズマ 563を発生させておく。

この状態で、電子銃 567によって電子ビーム 569をターゲットである MgO690に照射させて飛散させる。この飛散する MgO粒子 691は、上記 RFプラズマ 563中で正の電位に帯電し、その後、負あるいは接地電位の Dat電極 82に吸引されて、蛍光体層 85の表面であって、且つ、 Dat電極 82のォモテ側に相当する部分に集積'堆積する

[0168] このように高 γ部 86は、電子銃 567により電子ビーム 569をターゲットである Mg06 90に照射して蒸着させて、 RFプラズマ中で正に帯電した MgO粒子 691が、高電圧直流電源装置（印加手段) 692によって少なくとも負あるいは接地電位に付与された Dat電極 82に吸引されて蒸着するので、簡易な方法で成形できると共に、薄膜からなる高 Ί部 86を効率よく形成することができる。

[0169] なお、上記成形方法で形成された高 γ部 86を有する PDPにつヽても、実施の形態 6と同様の試験を行った。

この実験に用いた PDPは、放電セルの背面板において、蛍光体層 85表面の Dat 電極 82の上方のみに存在するように、 2次電子放出係数 γが蛍光体層 85の構成材料よりも大きい MgO材料を、 RFプラズマ 563中で帯電させながら電子ビーム蒸着する電子ビーム蒸着法によって蒸着することにより、例えば、高 γ部 86を膜厚約 0. 5 ( μ m)に形成し、その他は実施の形態 6の実験と同様にして作成されている。

[0170] 本実験によって、上記実施の形態 6と同様に、初期化期間 Tにおいて弱放電が常

1

に安定して起き、初期化輝点の発生が低減し、さらに輝度の低下が最小限に抑えられることが確認できた。以上、本発明に係る構成上および作用'効果面での特徴を各実施の形態に基づいて説明したが、本発明の内容が、上記各実施の形態に示された具体例に限定されないことは勿論であり、例えば、以下のような変形例をさらに実施することができる。

[0171] 1.高 γ部

(1)形成範囲について

実施の形態 6、 7および変形例 1における高 γ部 86、 1086、 1186は、蛍光体層 8 5、 1085、 1185の表面であって、 Dat電極 82、 1082、 1182の表面に相当する部分にのみ形成されていた力 Dat電極 82、 1082、 1182の表面に相当する部分以外に高 γ部 86、 1086、 1186が形成されていても良い。なお、「データ電極の表面にネ目当する咅分にのみ」に ίま、高 γ咅 86、 1086、 1186の形成範囲力 Dat電極 82 、 1086、 1182の表面に相当する部分を若干はみ出して形成されている場合も含んでいる。

[0172] つまり、高 γ部 86、 1086、 1186は、 Dat電極 82、 1082、 1182の表側に相当する部分を含む範囲に厚さが不均一な高 γ部 86、 1086、 1186が形成されている場合、その厚さが最も厚い位置が Dat電極 82、 1082、 1182のォモテ側に相当する部分内にあるように偏在して、れば良!、。

但し、この場合、 Dat電極 82、 1082、 1182の表面に相当する部分以外では、高 γ部 86、 1086、 1186の厚さを、放電ガス等カゝら発せられた、例えば、共鳴線が殆ど吸収されない程度の厚さにする必要がある。具体的には、この厚さは、平均で 0. 5 ( m)以下である。

[0173] また、実施の形態 6、 7および変形例 1における高 γ部 86、 1086、 1186は、蛍光体層 85、 1085, 1185の表面であって、 Dat電極 82、 1082, 1182の表面に相当する部分、あるいは、 Dat電極 82、 1082、 1182の上方（前面パネル 10側）に位置する部分と Sen電極 121の下方（背面パネル 80、 1080、 1180側）に位置する部分との重なり部分 (この部分を、単に、「データ電極と走査電極との重なり部分」という。）に均一に形成されていた力不均一であっても良い。例えば、 Dat電極 82、 1082、 1182 のォモテ側に相当する部分、または Dat電極 82、 1082、 1182と Sen電極 121との重なり部分内に、高 0部 86、 1086、 1186の形成されていない部分があっても良い（つまり、高 γ咅 86、 1086、 1186力 ^島状に偏在して!/、ても良!ヽ）。さらに ίま、 Dat電極 82、 1082、 1182の才モテ佃 Jにネ目当する咅分、または Dat電極 82、 1082、 1182と Sen電極 121との重なり部分（立体交差部分）の略中央で、高 γ部 86、 1086、 118 6の厚さが最大となるように偏在しても良、。

[0174] また、形成範囲について別の言い方をすれば、高 γ部 86、 1086、 1186は、 Dat 電極 82、 1082、 1182のォモテ側に相当する部分では、蛍光体層 85、 1085、 118 5を覆う被覆率力 Dat電極 82、 1082、 1182のォモテ側に相当する部分よりも大きくなつている。つまり、 Dat電極 82、 1082、 1182のォモテ側に相当する部分に集中して形成されてヽることになる。

[0175] (2)材料について

上記各実施の形態 6〜8および変形例 1では、高 γ部 86、 1086、 1186の構成材料として MgOを用いた力他の材料を用いることもできる。例えば、他の材料として用いることが可能であるのは、 MgO、 CaO、 BaO、 SrO、 MgNOおよび ZnOの内の少なくとも一種を含んだ金属酸ィ匕物材料、絶縁体としての CNT (カーボンナノチューブ )などのナノファイバー、 C60等のフラーレンおよび A1N (窒化アルミニウム）等の材料の少なくとも 1種を含む絶縁物材料を使用することができる。これらには他の材料や不純物材料も含まれて、ても良ヽ。

[0176] また、上記において、高 γ部 86、 1086、 1186として絶縁物質材料である MgO粒子 670、 680、 690を使用して説明した力他の粒子として、 Pt (白金）、 Au (金）、 Pd (パラジウム）、 Mg (マグネシウム）、 Ta (タンタル）、 W (タングステン）および Ni (エッケル)の少なくとも 1種を含む金属材料カゝらなる粒子を使用しても同様に実施可能である。これらの粒子群は、仕事関数の値が小さくて 2次電子放出係数 γが蛍光体層よりも大きい値を有し、酸化されにくい金属粒子であり、初期化期間 Τにおいて蛍光体

1

層 85、 1085、 1185側が力ソードとなる時の放電開始電圧を低下させることができ、弱放電を安定して起こさせ、初期ィ匕輝点の発生を抑えることができる。

[0177] 2.電圧印加粒子散布集積法について

上記実施の形態 6〜8および変形例 1において、高 γ部 86、 1086、 1186を形成する工程力高 γ部 86、 1086、 1186を形成するための材料を正に帯電し、 Dat電極 82、 1082、 1182に負の電圧を印カロするとして説明した力 S、高 γ咅 86、 1086、 1 186を形成する工程力 Dat電極 82、 1082、 1182に一定の大きさの負の電圧を印加し続ける工程を有していても構わず、また、 Dat電極 82、 1082、 1182上に時間の経過と共に負側に大きくなるように電圧を印加する工程を有していても構わず、また、 Dat電極 82、 1082、 1182上に時間の経過と共に負側に連続的、例えば、直線状、或いは曲線状に大きくなるように電圧を印加する工程を有して、ても構わず、また、 Dat電極 82、 1082、 1182上に時間の経過と共に負側に段階的に大きくなるように電圧を印加する工程を有していても構わず、また、 Dat電極 82、 1082、 1182に負電圧のパルスを印加する工程を有してヽても構わな、。

[0178] これらの製造方法により、 Dat電極 82、 1082、 1182に負の電圧を印加する方法として、上記各種方法をとることにより、正に帯電した MgO絶縁性材料を負の電圧に印カロした Dat電極 82、 1082、 1182に集積させる過程で、 MgO粒子 671、 681、 69 1の電荷により、 Dat電極 82、 1082、 1182の上方の表面電位が上昇し、 MgO粒子が Dat電極 82、 1082、 1182の上方に堆積しにくくなるのを防止することができる。

[0179] 帯電した MgO粒子が付着することにより上昇する Dat電極 82、 1082、 1182の上部の表面電位を、例えば、 Dat電極 82、 1082、 1182に時間の経過と共に負側に大きくなるように電圧を印加する方法により、上昇する Dat電極 82、 1082、 1182の上方の表面電位を略一定の所定の電位とすることが可能となり、表面電位が下がること力 Sなヽので、 Dat電極 82、 1082、 1182の上方に MgO粒子 671、 681、 691を均一に集積させることができる。

[0180] 当然他の上記方法によっても同様に実施可能であって、効率よく簡易な方法で高 γ咅 86、 1086、 1186を Dat電極 82、 1082、 1182の上方に形成すること力 Sできる。また、 Dat電極 82、 1082、 1182の上部の表面電位を検出しフィードバックしながら上記負の電圧を調節する方法により、高 0部 86、 1086、 1186を Dat電極 82、 108 2、 1182の上方に形成することも可能である。

[0181] また、各実施の形態では、高 γ部 86、 1086、 1186を形成する材料として、 MgO 粒子 670、 680、 690を使用して!/ヽる。この MgO粒子 670、 680、 690ίま、正【こ帯電しゃすい性質を有しているため、実施の形態では、 MgO粒子 670、 680、 690を正に帯電させて、データ電極に負の電圧を印加した。

しかしながら、例えば、 MgO粒子 670、 680、 690を負に帯電させた場合は、 Dat 電極 82、 1082、 1182には正の電圧を印カロする必要力 Sある。このように高 γ咅 86、 1 086、 1186の形成【こお!ヽて ίま、当該高 γ咅 86、 1086、 1186の形成する材料の帯電の極性は、その材料の帯電のし易さによって決定され、この帯電の極性によって D at電極 82、 1082、 1182に印加する電圧の極性が決まることになる。

[0182] さらに、各実施の形態では、高 γ部 86、 1086、 1186を形成する材料として、 MgO 粒子 670、 680、 690を使用し、 Dat電極 82、 1082、 1182に負の電圧を印カロさせていたが、例えば、 Dat電極 82、 1082、 1182を接地電位としても、正に帯電した Mg O粒子 671、 681、 691は Dat電極 82、 1082、 1182に吸引される。これは、高 γ部 86、 1086、 1186を形成する材料を負に帯電した場合であっても同様のことが言える。

[0183] 3.高 γ咅 86、 1086、 1186の形成【こつ!/ヽて

上記実施の形態 6、 7および変形例 1において、高 γ部 86、 1086、 1186を形成する工程が、電圧印加粒子散布集積法による工程であるとして説明した力さらに、実施の形態 8で説明した電子ビーム蒸着法以外の製造方法として、高 γ部 86を形成する工程が、高 γ部 86を形成する材料にプラズマビームを照射して帯電させ成膜するプラズマビーム照射成膜法による工程であっても同様に実施可能である。

[0184] これにより、簡易な方法により、プラズマビーム照射によって正に帯電した MgO粒子 690を少なくとも負あるいは接地電位に付与されたデータ電極の上部に飛散集積させて蒸着し、薄膜からなる高 γ部 86を効率よく形成することができる。

さらに、蒸着より MgO力もなる皮膜を形成し、フォトエッチング等により Dat電極 82 、 1082、 1182の表面に相当する部分にのみ皮膜が残るようにして高 γ部 86、 108 6、 1186を形成しても良!ヽ。逆【こ、高 γ咅 86、 1086、 1186を形成しな!ヽ咅分をマスキングして、蛍光体層 85、 1085、 1185の表面であって Dat電極 82、 1082、 1182 上に相当する部分にだけ、高 γ部 86、 1086、 1186を形成しても良い。

[0185] 4. Dat電極 82、 1082、 1182【こつ!ヽて

上記実施の形態 6、 7〖こおける Dat電極 82、 1182は、 Ag (銀）により形成されていたが、他の材料を用いて形成することも可能である。他の材料としては、例えば、 Au ( 金）、クロム (Cr)、銅 (Cu)、ニッケル (Ni)、白金 (Pt)や、これらを適宜組合わせたものがある。

[0186] 5.隔壁 84、 1084、 1184【こつ!ヽて

上記実施の形態 6、 7および変形例 1における背面パネル 80、 1080、 1180は隔壁 84、 1084、 1184を備えて!/ヽた力 f列えば、、前面ノネノレ 10の佃 Jに隔壁 84、 1084 、 1184を備免る構造であってち良!ヽ。また、隔壁 84、 1084、 1184を、前面ノノレ 1 0およ背面パネルと別の構成として成形して、前面パネル 10と背面パネル 80、 1080 、 1180とを対向配置させるときに、前記隔壁 84、 1084、 1184を両者間に介在させて、 PDPを形成しても良い。

[0187] 6.蛍光体層 85、 1085、 1185について

蛍光体層 85、 1085、 1185を構成する各蛍光体材料は、上記実施の形態 6における材料に限定するものではなぐ例えば、 CaMgSi O： Euや YBO： Tbなどを採用

2 6 3

することちでさる。

7.その他について

上記蛍光体材料や放電ガス種、圧力は上記に特定するものではなぐ AC型 PDP で通常使用できる材料、条件が適用できる。また、上記の変形例で説明した内容をそれぞれ糸且合わせても良、のは言うまでもな、。

[0188] (実施の形態 9)

1. PDP1の構成

本発明の実施の形態 9に係る PDP7の構成について、図 19を用いて説明する。図 19は、実施の形態 9に係る PDP7の構造を示す要部斜視図（一部断面図）である。なお、基本的な構成および前面パネル 10の基本的な構成については、上記実施の形態 1〜8などと変わるところがないが、確認的に以下で説明する。

[0189] 1 1.前面パネル 10の構成

前面パネル 10は、前面基板 11における背面パネル 90と対向する側の面（図 19では下面）に、 Sen電極 121と Sus電極 122からなる表示電極対 12力互いに平行に複数配設され、この表示電極対 12を覆うように、誘電体層 13および誘電体保護層 1 4が順に被覆形成されて、る。

[0190] 前面基板 11は、例えば、高歪点ガラスあるいはソーダライムガラス力構成されている。また、 Sen電極 121および Sus電極 122の各々は、 ITO (錫ドープ酸化インジゥム）、 SnO (酸化錫）、 ZnO (酸化亜鉛)など力もなる幅広であって膜厚約 lOOnmの

2

透明電極要素 121a、 122aと、高抵抗な透明電極要素 121a、 122aを補い電気抵抗を下げるためのバスライン 121b、 122bとをそれぞれ積層した状態で構成されている。バスライン 121b、 122bは、例えば、膜厚が数 m)程度であって、銀 (Ag)、ァルミ-ゥム（A1)、クロム（Cr)、銅（Cu)、ニッケル (Ni)、白金（Pt)あるいはパラジウム (Pd)などから構成されている。なお、透明電極要素 121a、 122aについては、ストライブ状あるいは突出形状に形成される（図 19では、ストライプ状)。

[0191] また、誘電体層 13は、鉛系や非鉛系の低融点ガラス材料や酸ィ匕珪素 (SiO )材料

2 などを用い、厚膜形成プロセスまたは薄膜形成プロセスで膜厚数（ μ m)〜数十（ μ m)で形成され、誘電体保護層 14については、 MgO (酸ィ匕マグネシウム)あるいは M gF (弗化マグネシウム)などを主材料として膜厚が数百 (nm)で構成されて!、る。

2

なお、前面基板 11の表面において、隣り合う表示電極対 12どうしの間には、隣り合う放電セルの光が互いに漏れ出るのを防止するためのブラックストライプが設けられることちある。

[0192] 1 - 2.背面パネル 90の構成

背面パネル 90は、背面基板 91における前面パネル 10と対向する側の面（図 19では上面）に、表示電極対 12と略直交する方向において、 Dat電極 92が複数配置されており、この Dat電極 92を覆うように、誘電体層 93が形成されている。また、この誘電体層 93上には、隣り合う Dat電極 92間に主隔壁要素 94aが立設され、さらに、この主隔壁要素 94aと略直行する方向に補助隔壁要素 94bが形成されている。

[0193] PDP7では、これら主隔壁要素 94aと補助隔壁要素 94bとを以つて背面パネル 90 における隔壁 94を構成している。なお、図面上では詳細に示していないが、 Z軸方向において、補助隔壁要素 94bの上端は、主隔壁要素 94aの上端よりも若干低く設定されている。

誘電体層 93と隣り合う 2条の主隔壁要素 94aおよび 2条の補助隔壁要素 94bとで囲まれた凹部の内壁面には、蛍光体層 95が設けられている。蛍光体層 95は、窪み毎に赤色 (R)、緑色 (G)、青色 (B)の各々に分けられて、る。

[0194] 背面パネル 90における背面基板 91についても、上記前面パネル 10の前面基板 1 1と同様に、高歪点ガラスあるいはソーダライムガラスなど力も構成されている。 Dat電極 92は、例えば、銀 (Ag)などの金属材料から形成されており、背面基板 91の表面上に Agペーストをスクリーン印刷して形成されている。なお、 Dat電極 92の形成材料としては、 Agの他に、 Al、 Cr、 Cu、 Ni、 Pt、 Pdや、例えば、これらを積層するなどの方法で組み合わせたものも用いることもできる。

[0195] 誘電体層 93は、基本的に前面パネル 10の誘電体層 13と同じぐ鉛系や非鉛系の低融点ガラス材料、 SiO材料など力も形成されている力酸ィ匕アルミニウム (Al O )

2 2 3 や酸ィ匕チタン (TiO )が含まれたものでもよい。また、隔壁 94は、例えば、低融点ガラ

2

ス材料を用い、サンドブラスト法やフォトリソグラフィ法などの方法で形成されて、る。ここで、隔壁 94は、各放電セルにおいて直方体形状の穴を掘るように形成されることから、その側壁が、背面基板 91に対して垂直ではなぐ Z軸方向の下向に隣り合う隔壁 94間の間隔が狭くなるような傾斜状となっている（図 19では、省略)。

[0196] 蛍光体層 95は、凹部毎に、次に示すような各色蛍光体を用い形成されている。

R蛍光体；（Y、 Gd) BO

3： Eu

G蛍光体； Zn SiO： Mn

2 4

B蛍光体； BaMg Al O ： Eu

2 14 24

また、本実施の形態に係る PDP7では、蛍光体層 95の表面の一部を覆うように、蛍光体皮膜 96が形成されている。この蛍光体皮膜 96については、その形成領域を含め、後述する。

[0197] 1 - 3.前面パネル 10と背面パネル 90との配置

PDP7は、前面パネル 10と背面パネル 90とが、ギャップ材として背面パネル 90に形成された隔壁 94を間に挟み、且つ、表示電極対 12と Dat電極 92とが略直交する方向に配され、この状態で各々のパネル 10、 20の外周部どうしが封止されて構成されている。これによつて、前面パネル 10と背面パネル 90との間には、各隔壁 94によつて仕切られた放電空間 30が形成され、両パネル 10、 90が密閉容器を形成することになる。 PDP7における放電空間 30には、 Ne、 Xe、 He等が混合されてなる放電ガスが充填され構成されている。放電ガスの封入圧力は、例えば、 50 (kPa)〜80 (kP a)程度である。

[0198] なお、放電ガス中における全圧に対する Xe分圧の比率については、従来、 5 (%) 未満に設定されていたものである力パネルの発光輝度向上を目的として 5 (%；)〜 1 00 (%)の範囲の高!、値に設定される。

また、 PDP7の製造においては、両パネル 10、 90を貼り合わせて組み立てた後、真空置換された放電ガス中で同時に封着封止する方法を採用しても構わない。また、上記ガス種は上記に特定するものではなぐ AC型 PDPで通常使用できる材料、条件も適用できる。

[0199] PDP7では、表示電極対 12と Dat電極 92とが立体交差する各箇所が放電セル (不図示）に対応する。そして、 PDP7には、複数の放電セルがマトリックス配列された状態となつている。

2.蛍光体皮膜 96

本実施の形態に係る PDP7において、構成上の特徴となる蛍光体皮膜 96の構成について、図 20および図 21を用いて説明する。図 20は、 PDP7の 1つの放電セルを抜き出して示す断面図であり、（a)が PDP7を XZ断面で切り取った図であり、（b)が P DP7を YZ断面で切り取った図である。

[0200] 図 20 (a)〖こ示すように、 PDP7では、 Sen電極 121および Sus電極 122の延設方向

(Y方向）に沿ってほぼ平行に形成配置された隔壁 94の放電空間 30を臨む側の傾斜部表面に、蛍光体層 95が傾斜する形で形成される。また、蛍光体層 95は、誘電体層 93の表面を含めて他の内壁表面にも積層形成されている。

本実施の形態に係る PDP7においては、後述するように、初期化期間 Tにおいて 2

1 次電子を放出させるために、放電セル内において、 2次電子放出係数 γが蛍光体層 95よりも大きぐ且つ、蛍光体層 95を構成する上記蛍光体材料とは異なる材料により、蛍光体層 95の表面の一部を覆うように蛍光体皮膜 96が形成されている。図 20 (a) および図 20 (b)に示すように、蛍光体皮膜 96の形成領域は、 Sen電極 121の各側縁辺 (X軸方向の両縁)から背面基板 91の表面に対して垂線 (Z方向）を下ろすとき、この垂線で囲まれる蛍光体層 95の表面部分を含んでいる。また、 PDP7では、 Sus 電極 122の下の領域や誘電体層 93の表面に積層された部分では蛍光体層 95の表面が放電空間 30を臨む状態となっている。

[0201] 図 21に示すように、 PDP7の蛍光体層 95を Z方向における前面パネル 10の側から見るとき、蛍光体皮膜 96は、上記 Sen電極 121の下の領域の内でもバスライン 121b の下の領域にある蛍光体層傾斜部分 95aを含んで形成されている。そして、蛍光体層 95の他の傾斜部分 95b〜95dおよび底面 (誘電体層 93の表面に積層された部分 )には蛍光体皮膜 96が形成されて、な、状態となって!/、る。

[0202] 蛍光体皮膜 96は、 MgO (酸化マグネシウム）を含む金属酸ィ匕物材料カゝらなり、電子ビーム蒸着法を用いて膜厚数十 (nm)〜数千 (nm)で形成されて!、る。蛍光体皮膜 96の膜厚につ!、ては、 100 (nm) -3000 (nm)の薄膜状とするのがより望まし！/、。蛍光体皮膜 96は、蛍光体層 95の表面上における傾斜部分 95aで平均として上記範囲の値の膜厚でよぐ一定の膜厚である必要はない。また、蛍光体皮膜 96は、極めて薄い膜として島状に形成されていてもよい。なお、蛍光体皮膜 96の形成方法に関しては、後述する。

[0203] 3. PDP7の駆動および優位性

以下では、本実施の形態に係る PDP7を駆動する方法について説明する。 PDP7 には、各電極 121、 14、 22に対して所定タイミングで電圧を印加する駆動回路が接続されている（図示を省略)。そして、本実施の形態に係る PDP7においても、上記実施の形態 1に係る PDP1と同様に、次の 3つの動作期間を繰り返す、所謂、アドレス' 表示分離駆動方式を用いて PDP7は表示駆動される。

( 1 )全表示セルを初期化状態にする初期化期間 T

1

(2)各放電セルごとにアドレスし、各セルへ入力データに対応した表示状態を選択 · 入力していくデータの書き込み期間 T

2

(3)表示状態にある放電セル 1を表示発光させる維持期間 T

3

上記（3)の維持期間 Tにおいて、 Sen電極 121と Sus電極 122とで構成される表示

3

電極対 12に対して、電極電圧パルスの矩形波電圧を互、に位相が異なるように印加する。即ち、表示電極対 12間に交流電圧を印加して、表示状態データが書き込まれた放電セルに、電圧極性が変化するたびにパルス放電を発生させる。

[0204] 上記維持放電により、放電空間 30の中の励起キセノン原子からは 147 (nm)の共鳴線が、励起キセノン分子からは 173 (nm)主体の分子線が放射され、次いで上記紫外放射を背面パネル 90の蛍光体層 95で可視放射に変換することにより、 PDP7 の表示発光が得られる。

上述のように、蛍光体層 95の表面の一部領域に蛍光体皮膜 96が形成されてなる背面パネル 90を有する PDP7では、次のような優位性を有する。図 20、図 21に示すように、 Z軸方向における Sen電極 121の下の領域にある蛍光体層 95の傾斜部分 9 5aに、 2次電子放出係数 γが蛍光体層 95よりも大きぐ且つ、蛍光体層 95を構成する蛍光体材料とは異なる材料によって、蛍光体皮膜 96が被覆形成されてる。また、 Ρ DP7では、蛍光体層 95の他の表面領域（他の傾斜部分 95b、 95c、 95dを含む。 ) が放電空間 30を臨む状態になっている。

[0205] 蛍光体層 95の表面における傾斜部分 95aに被覆されてなる蛍光体皮膜 96は、 2 次電子放出係数 γが大きぐ且つ、耐スパッタ性が高い材料である MgOを含む金属酸ィ匕物材料により形成されることにより、 PDP7の駆動の初期化期間 T

1において、蛍光体層 95側が力ソードとなる時の放電開始電圧をさらに低下させて弱放電をさらに安定化させ、且つ、耐スパッタ性が高い材料であるので、高画質および高信頼性にすることができる。

[0206] また、蛍光体皮膜 96は、初期化期間 Tにおいて、蛍光体層 95側が力ソードとなる

1

時の放電開始電圧を低下させ、弱放電を安定して起こさせて画質を向上させるとともに、極く薄い膜で形成されることにより、放射される 147 (nm)の共鳴線を含む真空紫外線をほとんど吸収することがない。よって、 PDP7では、放電空間 30で発生した真空紫外線が蛍光体層 95に高効率に届けられ、発光効率が高く維持される。。

[0207] また、蛍光体皮膜 96は、蛍光体層 95の表面における傾斜部分 95aを含む少なくとも一部に設けられ、他の傾斜部分 95b、 95c、 95dおよび誘電体層 93の上に当たる部分には形成されていないので、 PDP7では、弱放電を起こさせる必要な箇所には蛍光体皮膜 96が形成され、不必要な個所には蛍光体皮膜 96が形成されていないので、蛍光体皮膜 96による紫外線放射の吸収が最小限の範囲に抑えられる。 [0208] 4.実験

実験において、上述した PDP7と同一構成のパネルを作成した。即ち、 PDP7の背面パネル 90の蛍光体層 95までを形成した後、 Sen電極 121の下の領域 (傾斜部分 95a)を含む蛍光体層 95の表面の少なくとも一部領域に、 MgO材料を使用して電子ビーム蒸着法によって、蛍光体皮膜 96を膜厚約 1000 (nm)で薄膜状に形成した。

[0209] 蛍光体皮膜 96は、後述する斜め蒸着法による製造方法によって、蛍光体層 95の表面における上記傾斜部分 95b、 95c、 95dなどの部分には少なくとも形成しないようにした。そして、放電ガス中の全圧に対する Xe分圧比率を約 15 (%)の高い値として約 60 (kPa)で封入し、 PDP7を作成し、次のような評価した。

上記 PDP7に対して、全表示セルを初期化状態にする初期化期間 Tにおいて、 Sc

1

n電極 121と Dat電極 92との間に電圧一時間推移が緩やかに上下する高電圧のランプ波形を印加し評価した。

[0210] 実験結果によれば、本実施の形態に係る PDP7では、蛍光体層 95の表面における傾斜部分 95aを含む一部の領域に蛍光体皮膜 96を形成したので、放電ガスの全圧に対する Xe分圧比率を約 15 (%)と高く設定しているにも関わらず、初期化期間 Tに

1 おいて Sen電極 121と Dat電極 92との間にランプ波形高電圧が印加され、蛍光体層 95側が力ソードとなったときに、蛍光体皮膜 96により、放電開始電圧が 50 (V)〜10 0 (V)低下し、弱放電が常に安定して起きるようになって初期ィ匕輝点の発生が無くなり、画質が大幅に向上した。

[0211] また、蛍光体皮膜 96を蛍光体層 95の表面における上記傾斜部分 95b、 95c, 95d などの部分には少なくとも形成しな、ようにしたので、放電ガス中の全圧に対する Xe 分圧比率を上げても発光効率の低下が抑えられて輝度の低下を抑制させることができ、高 Xeの PDPとして輝度が大幅に向上した。なお、 PDP7では、放電ガス中の全圧に対する Xe分圧比率を 5 (%)〜100 (%)の範囲の値に上げても弱放電が常に安定して発生し、且つ、輝度は Xe分圧比率に対応して向上した。

[0212] 一方、図 26 (b)に示すように、蛍光体層 725の表面全体を覆って MgO力なる厚みの厚い蛍光体皮膜 746を成膜した従来例の PDPにおいては、放電ガス中の全圧に対する Xe分圧比率を上げた場合、初期化期間 Tにおいて、蛍光体層 725側が力ソードとなる時の放電開始電圧が下がって弱放電は安定ィ匕するものの、蛍光体層 72 5の全表面に付けた厚い蛍光体皮膜 746によって共鳴線を含む真空紫外線が吸収され、発光効率が抑制され、放電ガス中の全圧に対する Xe分圧比率を上げても、本実施の形態に係る PDP7に比較して輝度はその約 1/10となって向上しな力つた。

[0213] 以上の結果より、本実施の形態に係る PDP7では、蛍光体層 95の表面における傾斜部分 95aの少なくとも一部を含む部分に蛍光体皮膜 96を形成し、且つ、これ以外の部分を放電空間 30を臨む状態としておくことで、全表示セルを初期化状態にする初期化期間 Tにおいて、弱放電が安定して起きやすくなつて初期ィ匕輝点の発生を

1

抑制するとともに、維持期間 τにおける発光効率の低下を抑え輝度の低下を抑制す

3

るので、画質を向上させ、かつ高輝度とすることができる。

[0214] 上述のように、蛍光体皮膜 96は、蛍光体層 95の表面における傾斜部分 95aの少なくとも一部を含む部分に設けられ、他の傾斜部分 95b、 95c, 95d、特に Sus電極 1 22の下の部分 (傾斜部分 95bに相当。）には形成されない状態となっているので、初期化期間 Tにおいて、放電開始電圧が下力 ^弱放電を安定化させることができ、か

1

つ紫外放射効率の低下を抑え発光効率の低下がおさえられる。このため、 PDP

7では、高画質で高輝度あるいは低消費電力と!/、う優位性を有する。

[0215] (実施の形態 10)

実施の形態 10に係る PDP7の製造方法について、図 22を用いて説明する。図 22 は、実施の形態 10に係る PDP7の製造方法の内、背面パネル 90の蛍光体皮膜 96 の形成に係る工程を示す工程概念図である。なお、本実施の形態に係る方法を以って製造しょうとする PDP7の構成は、上記実施の形態 9の PDP7と同一の構成のものである。

[0216] 図 22 (a)〖こ示すように、背面基板 91の一方の主面上に Dat電極 92をパターン化して形成し、 Dat電極 92と背面基板 91表面の少なくとも一部を覆って低融点ガラスべ一ストを塗布焼成して誘電体層 93を形成する。さらに、誘電体層 93の表面上に隔壁 94を立設する。隔壁 94の形成に用いる材料としては、例えば、低融点ガラスを用い、隔壁 94の形成においては、この材料を塗布焼成した後、放電セルの複数個の配列の行および列を仕切って、隣接放電セルとの境界周囲を仕切る例えば井桁形状などのパターンで、サンドブラスト法やフォトリソ法あるいは転写法などの方法を使用して実施する。

[0217] 上記実施の形態 9のように、井桁形状の隔壁 94として、 Sen電極 121の延設方向に沿って平行に形成した隔壁 94の側壁面を、隔壁 94の Sen電極側傾斜部 24b 1 ( 図 22 (b)を参照。）としている。同様に、 Sus電極 122側の隔壁 94の側壁面を、隔壁 94の Sus電極側傾斜部 94b2としている。もちろんその他の隔壁 94の側壁面にも、隔壁の傾斜部を形成して、る。

[0218] 図 22 (a)に示すように、例えば井桁形状パターンで形成された隔壁 94に対して、蛍光体材料を印刷塗布、焼成を実施し、隔壁 94の側壁面および誘電体層 93の表面に蛍光体層 95を形成する。赤 (R)、緑 (G)、青 (B)発光の各蛍光体層 95の形成には、上記 3色の蛍光体材料を RGB各放電セル単位にそれぞれ使用する。なお、用いる蛍光体材料は、上記に特定するものではなぐ AC型 PDPで通常使用する材料が適用できる。

[0219] Sen電極 121の延設方向（Y軸方向）に沿ってほぼ平行に形成した隔壁 94の表面における Sen電極側傾斜部 94blには、蛍光体層 95を傾斜して形成している。同様に、隔壁 94の表面における Sus電極側傾斜部 94b2にも、蛍光体層 95を傾斜して形成している。また、蛍光体層 95は、その他の隔壁 94の側壁面および誘電体層 93の表面にも形成ししている。

[0220] 本実施の形態に係る PDP7の製造方法での特徴は、背面パネル 90の加工面形成工程が、 2次電子放出係数 γが蛍光体層 95よりも大きぐ且つ、蛍光体層 95の構成材料とは異なる材料により、 Sen電極 121の各側縁辺カゝら背面基板 91の表面に向けて下ろす垂線で囲まれる領域において、蛍光体層 95の斜面部分 95a (図 21を参照。）の少なくとも一部を含む部分に、蛍光体皮膜 96を形成する工程を有するものであり、以下に詳述する。

[0221] 図 22 (b)に示すように、背面基板 91上に Dat電極 92、誘電体層 93、隔壁 94や蛍光体層 95を順次形成した背面板加工面を、 S cn電極 121および Sus電極 122の延設方向を Y軸方向（紙面垂直方向）に、 Dat電極 92の長軸方向を X軸方向（紙面水平）に配置する。そして、背面板加工面に対して、 Sen電極 121の延設方向（Y軸方向）と直交する方向から、 2次電子放出係数 γが蛍光体層 95よりも大きぐ且つ、これを形成する蛍光体材料とは異なる材料を使用して、斜め蒸着方法により蛍光体皮膜 96を形成する。

[0222] 蛍光体皮膜 96の形成に用いる材料としては、例えば、 MgOを含む金属酸化物材料をあげることができる。そして、蛍光体皮膜 96の形成は、上記材料を用い、電子ビーム蒸着法などの薄膜形成プロセスにより Sen電極 121の延設方向 (Y軸方向）と直交する方向から、背面板加工面の法線方向（Z軸方向）からの傾斜角 Θの C方向から斜め蒸着して形成する。斜め蒸着での蛍光体皮膜 96の形成に際しては、その膜厚を数十 (ηπ！)〜 6000 (nm)の範囲となるようにする。なお、蛍光体皮膜 96の膜厚に関しては、 100 (nm)〜3000 (nm)の範囲の値の薄膜とするのが望ましぐさらに極薄膜として島状に形成してもよい。

[0223] 図 22 (c)に示すように、背面板加工面の放電セル内において、 Sen電極 121の延設方向（Y軸方向）と直交する方向で、且つ、 Sus電極 122の側の隔壁 94を手前に設けた遮蔽壁として利用し、 Sen電極 121の側の隔壁 94の底辺より手前の Sus電極 122の側には蒸着しないような傾斜角 Θで斜め蒸着する。このように、本実施の形態に係る製造方法では、 Sus電極 122の側の隔壁 94を手前に設けた遮蔽壁として利用し、 Sen電極 121の側の隔壁 94の底辺より Sus電極 122の側には蛍光体皮膜 96 が形成されない傾斜角 Θを設定することにより、斜め蒸着の傾斜角の値を適切な範囲に設定することが可能となる。このようにして、隔壁 94の Sen電極側傾斜部 94b 1 に形成した蛍光体層 95の傾斜表面の少なくとも一部に蛍光体皮膜 96を形成し、蛍光体層 95底面および隔壁 94の他の傾斜部 94b2の蛍光体層の表面には蛍光体皮膜 96の形成を行わな、ようにする。

[0224] 上記の製造方法では、蛍光体皮膜 96を蛍光体層 95の表面の一部（Sen電極側傾斜部 94bl上の部分）に形成した背面パネル 90と、上記実施の形態 9のように、 Sen 電極 121と Sus電極 122とを交互に平行に延設した表示電極対 12を少なくとも有する前面パネル 10とを、間に放電空間 30を挟んで対向配置し、放電セルを複数個配列し形成して PDP7が構成される。なお、放電空間 30には、全圧に対する分圧比率が高い状態で Xeを含む放電ガスを充填する。このようにして、高画質で高輝度の PD P7を歩留まりよく安定して製造することができる。

[0225] 本実施の形態に係る PDP7の製造方法では、背面板加工面の形成工程が、放電セル内において、 2次電子放出係数 γが蛍光体層 95よりも大きぐ且つ、蛍光体層 9 5の材料とは異なる材料により、 Sen電極 121の延設方向に沿って形成した隔壁 94 の Sen電極側傾斜部 94bl上の蛍光体層 95の少なくとも一部表面に蛍光体皮膜 96 を形成する工程を有することにより、完成した PDP7の駆動において、初期化期間 T

1 に弱放電を安定して起こしやすく初期化輝点の発生を抑制する、且つ、維持期間 τ

3 における輝度の低下を抑えて高画質、高輝度と、う優位性を有することが可能となる

[0226] また、本実施の形態に係る PDP7の製造方法では、 MgOを含む金属酸化物材料を、電子ビーム蒸着法により、背面板加工面に対して、 Sen電極 121の延設方向と直交する方向から、 Sus電極 122の側の隔壁 94を遮蔽壁とする傾斜角度で斜め蒸着するという簡易な方法により、 Sen電極 121の延設方向に沿って形成した隔壁 94の S cn電極側傾斜部 94blの蛍光体層 95の表面の少なくとも一部を含む部分に、金属酸ィ匕物材料を含んでなる蛍光体皮膜 96を形成することができる。そして、この製造方法では、窪みの底面における蛍光体層 95、隔壁 94の Sus電極側傾斜部 94b2の蛍光体層 95表面には蛍光体皮膜 96を形成しないようにするので、 PDP7の駆動において、初期化期間 Tに弱放電を安定して起こしやすく初期ィ匕輝点の発生を抑制し、

1

且つ、維持期間 Tにおける輝度の低下を抑える高画質、高輝度の PDPを歩留まりよ

3

く安定して製造することができる。

[0227] (実施の形態 11)

実施の形態 11に係る PDPの製造方法について、図 23を用いて説明する。図 23は、実施の形態 11に係る PDPの製造方法の内、背面パネル 90の一部を形成する別の実施例の工程を示す工程概念図である。上記図 20および図 22を参照しながら、実施の形態 10の製造方法のさらに具体的な実施例として、実施の形態 9に係る PD P7の背面パネル 90の一部を形成する工程について説明する。図 19〜22と同じものには同じ参照番号を付与して、て、簡略のために一部省略して、る。

[0228] 図 23において、図示を省略する力背面パネル 90における蛍光体層 95までを形成した背面板カ卩工面 900fの放電セル単位の構成は、上記図 20 (b)、図 22 (a)と同じである。図 23の拡大部分に示すように、井桁形状の隔壁 94には、 Sen電極 121の延設方向に沿ってほぼ平行に形成した隔壁 94の側面を、 Sen電極側傾斜部 94b 1としている。同様に、 Sus電極 122の側の隔壁 94側面を、 Sus電極側傾斜部 94b2としている。

[0229] また、蛍光体層 95として、 Sen電極 121の延設方向（X軸方向）に沿ってほぼ平行に形成した隔壁 94の Sen電極側傾斜部 94blの表面においては、蛍光体層 95を傾斜して形成している。同様に、隔壁 94の Sus電極側傾斜部 94b2の表面においても、蛍光体層 95を傾斜して形成して、る。

図 23に示すように、電子ビーム蒸着装置（図示省略）内において、背面基板 91面上に複数個の放電セル単位の背面板加工面 900fを形成配列した前段背面パネル 900を、背面板カ卩工面 900fを下側 (Z軸方向）にして水平に配置する。即ち、図 23において、上記図 22 (a)における背面板カ卩工面を下側 (Z軸方向）に向けて配置し、 Sc n電極 121および Sus電極 122の延設方向を Y軸方向（紙面垂直方向）に、 Dat電極 92を X軸方向になるように前段背面パネル 900を配置する。

[0230] 図 23に示すように、前段背面パネル 900と、材料ターゲット 695および電子銃 577 との間には、 Sen電極 121の延設方向と平行方向（Y軸方向）に長軸方向を有する例えば長方形状の穴である開口部 572hを設けた例えばメタルマスク 572を、材料ターゲット 695と開口部 572hを結んだ線とメタルマスク 572の面法線 (背面板カ卩工面法線）とが、ほぼ傾斜角 Θを有するように配置する。

[0231] 次に、前段背面パネル 900を Sen電極 121の延設方向（Y軸方向）と直交する X軸方向へ、あるいは X軸方向から一定の速度で移動させながら、例えば MgOを含む金属酸ィ匕物材料力もなる材料ターゲット 695に電子銃 577から電子ビームを照射し、傾斜角 Θの下 «[方向から MgOを含む金属酸化物材料を斜め蒸着する。即ち、前段背面パネル 900を一定速度で X軸方向に移動させながら、背面板カ卩工面 900fに対して、メタルマスク 572の開口部 572hを介して、 Sen電極 121の延設方向と直交する方向で、且つ、背面板加工面 900fの法線方向から傾斜角 Θを略維持して傾斜させた方向から、電子ビーム蒸着法によって、 2次電子放出係数 γが蛍光体層 95よりも大きぐ且つ、蛍光体層 95の材料とは異なる MgOを含む金属酸化物材料を斜め蒸着することにより、高 γ部である蛍光体皮膜 96を形成する。

[0232] 以上のようにして、蛍光体皮膜 96を形成する工程は、背面板加工面 900fに対する傾斜角 Θを略一定に維持して、前段背面パネル 900を一定速度で移動させながら、背面板カ卩工面 900fに対して、 Sen電極 121の延設方向と直交する方向で、且つ、傾斜した方向から斜め蒸着するという簡易な上記製造方法により、背面板加工面 900f の各放電セル単位に対して、 Sen電極 121の延設方向と直交する方向から、 Sus電極 122の側の隔壁 94を遮蔽壁として一定の蒸着速度で一定の方向から斜め蒸着することになる。

[0233] 上記による簡易な製造方法によって、放電セルとして、隔壁 94の Sen電極側傾斜部 94bl上の蛍光体層 95の少なくとも一部表面に、 2次電子放出係数 γが蛍光体層 95よりも大きぐ且つ、蛍光体層 95の材料とは異なる材料による蛍光体皮膜 96を形成し、凹部の底面における蛍光体層 95の表面および隔壁 94の Sus電極側傾斜部 9 4b2上の蛍光体層 95の表面には蛍光体皮膜 96を形成せず、高輝度高画質の PDP を安定してかつ安価に製造することができる。

[0234] また、上記製造方法では、蛍光体皮膜 96を形成する工程が、背面板加工面 900f に対する傾斜角度 Θを略一定に維持したまま、前段背面パネル 900を一定速度で移動させながら、背面板カ卩工面 900fに対して、 Sen電極 121の延設方向と直交する方向で、且つ、傾斜した方向から斜め蒸着するという簡易な製造方法により、放電セル内において、蛍光体層 95の材料とは異なる 2次電子放出係数 γが大きい材料により、 Sen電極 121の延設方向に沿う隔壁 94の Sen電極側傾斜部 94bl上の蛍光体層 95の少なくとも一部に蛍光体皮膜 96を形成し、凹部の底面の蛍光体層 95表面および隔壁 94の Sus電極側傾斜部 94b2上の蛍光体層 95の表面には蛍光体皮膜 96 を形成しないので、完成した PDPの駆動において、初期化期間 Tに弱放電が安定

1

し初期ィ匕輝点の発生を抑え、かつ維持放電時の輝度の低下を抑制した、高輝度、高画質と、う優位性を有するパネルを、安定してかつ安価に製造することができる。

[0235] (実施の形態 12)

実施の形態 12に係る PDP8の構成について、図 24を用いて説明する。図 24は、上記実施の形態 9の変形例として、実施の形態 12に係る PDP8の一部構成を示す断面図および平面概念図である。図 20 (c)と同じ構成のものは同じ参照番号を付与し、一部省略している。

[0236] 図 24 (a)に示すように、本実施の形態に係る PDP8が上記 PDP7と相違するのは、蛍光体皮膜 1096の形成領域である。具体的には、 Sen電極 121におけるバス電極 12 lbの両側縁辺力も背面基板 1091の表面に向けて垂線を下ろすときに、蛍光体皮膜 1096は、この蛍光体層 1095上における 2本の垂線で囲まれる領域 Kに形成されている。

[0237] 図 24 (b)〖こ示すように、 Sen電極 121のバス電極 121bと背面パネルに形成される蛍光体層 1095の表面とが平面的に重なる領域 Kは、かなり緩やかな傾斜面になつている。このため、領域 Kの面積はかなり広い。蛍光体皮膜 1096を領域 Kにおける蛍光体層 1095の表面上に設けることにより、 PDP8では、その駆動において、初期放電時での Sen電極 121と Dat電極 1092との間で発生する放電に対して、蛍光体皮膜 1096を強く寄与させることができ、放電開始電圧を安定して低下させ、弱放電を安定して発生させることができる。また、例え蛍光体皮膜 1096が Sen電極 121や D at電極 1092と平面的に重ならない領域に形成されるものであっても、斜め方向の電界で放電に寄与させることができる。

[0238] また、蛍光体皮膜 1096が、領域 Kにおける蛍光体層 95の表面上に限定して形成されるので、蛍光体皮膜 1096による紫外放射の吸収が減少し、輝度を低下させることがない。

以上により、本実施の形態に係る PDP8では、領域 Kにおける蛍光体層 1095の表面領域に MgOを含む蛍光体皮膜 1096が形成されることにより、放電空間 30内の放電ガス中における Xe分圧比率を上げても、 PDP8の駆動での初期化期間 Tにおい

1 て、 Sen電極 121と Dat電極 92との間において蛍光体層 1095側が力ソードとなる時の放電開始電圧を低下させ、弱放電の発生をさらに安定化させ易くすることが可能となる。

[0239] 従って、 PDP8では、特に全圧に対する Xe分圧比率を高い値に設定した場合において、初期ィ匕輝点の発生をさらに抑えることができるようになって、さらに高い画質を得ることができ、且つ、蛍光体皮膜 1096が領域 Kの蛍光体層 1095の表面上に限定して形成されるので、蛍光体皮膜 1096による紫外放射の吸収が上記 PDP7に比べてさらに減少し、輝度をさらに低下させることがなぐ特に高 Xeの放電ガスを採用した場合において、放電ガス中の全圧に対する Xe分圧比率に応じて輝度を向上させることがでさる。

[0240] なお、上記において、初期ィ匕輝点の発生を抑え、且つ、輝度の低下をさらに抑制するという本発明の効果は、放電ガス中の全圧に対する Xe分圧比率を上げて封入された PDPにおいて特に顕著である力通常の 5 (%)〜6 (%)の Xe分圧比率を有する PDPに対しても有効である。放電ガス中の全圧に対する Xe分圧比率が 5 (%)〜6 (%)の範囲にある従来の PDPの場合のように、低輝度ある!/、は消費電力が高!、かつ初期化期間 Tにおける弱放電が不安定な PDPであっても、上記本実施の形態に

1

係る構成を採用することによって、隔壁 1094の Sen電極側傾斜部（実施の形態 9などを参照。）上の蛍光体層 1095の表面に蛍光体皮膜 1096を形成し、 Sus電極側傾斜部（実施の形態 9などを参照。）や凹部の底面 (実施の形態 9などを参照。）における蛍光体層 1095の表面などには蛍光体皮膜 1096を形成しないことにより、放電開始電圧は下がるので初期化期間 Tでの弱放電を安定化させ改善することができ、且

1

つ、輝度の低下を抑制することができる。

[0241] また、上記 PDP8では、表示電極対 12を、前面基板 11の主面上において、透明電極要素 121a、 122aとバスライン 121b、 122bとの積層構造のものを採用した力前面基板 11の主面上にバスライン 121b、 122bを先に形成し、その上に透明電極要素 121a, 122aを形成することとしても構わない。

(実施の形態 13)

実施の形態 13に係る PDP9の構成について、図 25を用いて説明する。図 25は、 P DP9の一部構成を示す断面図および平面概念図である。図 20 (c)および図 24と同じ構成のものは同じ参照番号を付与し、一部省略している。

[0242] 図 25 (a)に示すように、本実施の形態に係る PDP9では、蛍光体皮膜 1196が上記実施の形態 12に係る PDP8と同様に、 Sen電極 121におけるバスライン 121bの両側縁辺から背面基板 1191の表面に向けて垂線を下ろすときに、この蛍光体層 1195 上における 2本の垂線で囲まれる領域に形成されているのである力上記実施の形態 12とは相違し、本実施の形態では、図 25 (b)に示すように、さらに、 X—Y平面において、 Sen電極 121のバスライン 121bと Dat電極 1192とが重畳する領域 Eに限定して設定されている。

[0243] このような構成を有する本実施の形態に係る PDP9では、上記実施の形態 9および実施の形態 12に係る PDP7、 PDP8と同様の効果を有し、輝度の低下抑制という観点からより望ましいものである。

(その他の事項）

なお、上記各実施の形態 9〜 13では、隔壁 94、 1094、 1194として、隣接放電セルとの境界周囲を仕切る隔壁を井桁形状のものを一例として適用したが、ミアンダ隔壁のように波形凸凹形状で隣接放電セルとの境界周囲を仕切る隔壁でもよぐ Sen 電極 121の延設方向に沿う隔壁 94、 1094、 1194の形状が波形凸凹形状となって Vヽても同様に実施可能である。

[0244] また、上記各実施の形態 9〜13では、蛍光体皮膜 96、 1096、 1196を形成するェ程力背面板カ卩工面 900fに対して、 Sen電極 121の延設方向と直交する方向から斜め蒸着することとしたが、 Sen電極 121の延設方向と略直交する方向としてよぐ直交方向力も約 ± 30 (° )の範囲の方向力もでも構わない。

また、上記各実施の形態 9〜 13では、蛍光体皮膜 96、 1096、 1196の構成材料として MgOを採用することとした力この他に CaO、 BaO、 SrOおよび ZnOの内の少なくとも一種を含んだ金属酸ィ匕物材料を使用しても構わない。また、これらには、他の材料や不純物材料が含まれていてもよい。これら材料は、蛍光体層 95、 1095、 119 5を構成する蛍光体材料とは異なる材料であり、 2次電子放出係数 γが蛍光体層 95 よりも大きく高い値を有する材料として、本発明の蛍光体皮膜 96、 1096、 1196を形成する材料として有用である。

[0245] また、高 γ部の形成に用いる材料としては、上記実施の形態 1〜13で用いたものを適用することができるのである力 PDPにおける放電セル毎に高 γ部の構成材料を買えることも可能である。例えば、 R、 G、 Bの放電セル間では、使われている蛍光体材料などによって各々の蛍光体層の 2次電子放出係数 γに違いが生じる力このような場合には、放電セルの蛍光体層に用いられる蛍光体材料種類に応じて高 γ部の構成材料や被覆率などを変えるということも可能である。

[0246] また、上記各実施の形態 10、 11では、電子ビーム蒸着法により電子銃 577からの電子ビーム照射により斜め蒸着することとしたが、電子銃 577の個数は複数個でもよくこれらを基板に平行に配列させ、同様に平行に配列させた複数個の材料ターゲット 695に電子ビームをそれぞれ照射することによって、基板面により均一に蛍光体皮膜 96、 1096、 1196を形成することになるので、高輝度高画質の大画面、高精細な PD Ρを製造することがでさる。

[0247] また、上記各実施の形態 10、 11では、電子ビーム蒸着法により斜め蒸着するとして説明したが、この他にスパッタ法ゃイオンガン蒸着法などの方法を使用しても同様に実施可能である。

また、上記実施の形態 10、 11では、蛍光体皮膜 96、 1096、 1196を形成する工程力背面板加工面 900fに対する傾斜角度 Θを略一定に維持したまま、前段背面パネル 900を一定速度で X軸方向へ移動させながら斜め蒸着するとして説明したが、基板を Y軸方向に往復させつつ X軸方向へ移動させながら斜め蒸着しても同様に実施可能である。これにより、蛍光体皮膜 96、 1096、 1196をより均一に蒸着させることができるので、より高画質、高精細のさらに均質な大画面 PDPを製造することができる。

産業上の利用可能性

[0248] 本発明は、高、発光効率と高!、画質性能との両立が要求される、特に大型のテレビジョンや高精細なテレビジョン、ある 1、は大型表示装置等を実現するのに有効である。

Claims

請求の範囲

[1] 第 1の基板と第 2の基板とが間に空間をあけて対向配置され、前記第 1の基板における前記空間側の領域に蛍光体層が形成されてなるプラズマディスプレイパネルであって、

前記蛍光体層の表面における一部領域には、前記蛍光体層を構成する蛍光体材料よりも 2次電子放出係数が高い材料を構成要素として含む高ガンマ部が被覆形成されており、

前記蛍光体層の表面における残りの領域と、前記高ガンマ部とは、ともに前記空間を臨むプラズマディスプレイパネル。

[2] 請求項 1に記載のプラズマディスプレイパネルであって、

前記高ガンマ部は、前記蛍光体層の表面において、斑点状または縞状に形成されている。

[3] 請求項 1に記載のプラズマディスプレイパネルであって、

前記高ガンマ部は、前記蛍光体層の表面に粒子状の材料が付着されることで形成されている。

[4] 請求項 3に記載のプラズマディスプレイパネルであって、

前記粒子の粒径は、 0. 05 μ m以上 20 μ m以下である。

[5] 請求項 4に記載のプラズマディスプレイパネルであって、

前記粒子の 1次粒子の径は、 0. 05 μ m以上 1 μ m以下である。

[6] 請求項 4に記載のプラズマディスプレイパネルであって、

前記粒子の 2次粒子の径は、 2 μ m以上 20 μ m以下である。

[7] 請求項 1に記載のプラズマディスプレイパネルであって、

前記第 1の基板の表面上には、複数本の第 1電極が形成され、当該第 1電極を覆うように誘電体層および前記蛍光体層が積層されてなり、

前記高ガンマ部は、前記第 1電極の積層上方領域を含む範囲に形成されている。

[8] 請求項 1に記載のプラズマディスプレイパネルであって、

前記高ガンマ部は、前記蛍光体層の表面において偏在して形成されている。

[9] 請求項 8に記載のプラズマディスプレイパネルであって、前記高ガンマ部は、前記第 1電極の表面に相当する部分に偏在して形成されている。

[10] 請求項 9に記載のプラズマディスプレイパネルであって、

前記第 1の基板の表面上には、複数本の第 1電極が形成され、

前記第 2の基板の表面上には、前記第 1電極と交差する方向であって、互いに平行な第 2電極および第 3電極で対をなす電極対が複数対形成されており、

前記高ガンマ部は、前記第 1電極と前記表示電極対とが立体的に交差する領域に相当する部分又は当該領域付近に相当する部分で偏在して!/、る。

[11] 請求項 10に記載のプラズマディスプレイパネルであって、

前記第 2電極と第 3電極とは、一方がスキャン電極であり、他方がサスティン電極であって、

前記高ガンマ部は、前記第 1電極と前記スキャン電極とが立体的に交差する領域に相当する部分に偏在している。

[12] 請求項 11に記載のプラズマディスプレイパネルであって、

前記第 1電極、第 2電極および第 3電極には、各々に入力映像データに基づく電圧が印加され、

前記入力映像データに基づき選択された放電セルでは、前記第 1電極と第 2電極との間に電圧が印加されることによって書き込み放電が発生し、当該書き込み放電の発生により壁電荷の形成がなされる。

[13] 請求項 1に記載のプラズマディスプレイパネルであって、

前記第 1の基板の表面上には、複数本のデータ電極が形成され、

前記第 2の基板の表面上には、前記データ電極と交差する方向であって、互いに平行なスキャン電極およびサスティン電極で対をなす電極対が複数形成されており、前記スキャン電極の各側縁辺から前記第 1の基板の表面に対して垂線を下ろすときに、

前記高ガンマ部は、前記蛍光体層の表面の内、前記垂線によって囲まれる領域に存する部分を有する。

[14] 請求項 13に記載のプラズマディスプレイパネルであって、前記第 1の基板には、前記複数のデータ電極を覆うように誘電体層が形成されるとともに、当該誘電体層の表面に、隣り合う前記データ電極どうしの間であって前記データ電極と並行する方向に延び、当該第 1の基板の表面に向けて互いの間隔が狭まつていく状態の斜面を有する隔壁が立設されており、

前記蛍光体層は、前記誘電体層の表面と隣り合う前記隔壁とに囲まれる各凹部の壁面に形成されているものであって、

前記高ガンマ部は、前記垂線で囲まれる領域を含み、前記隔壁の斜面上に形成された蛍光体層表面を覆う状態に形成されている。

[15] 請求項 13に記載のプラズマディスプレイパネルであって、

前記第 1の基板には、前記複数のデータ電極を覆うように誘電体層が形成されるとともに、当該誘電体層の表面に、隣り合う前記データ電極どうしの間であって前記データ電極と並行する方向に延びる第 1隔壁と、前記第 1隔壁に交差する方向であって、前記第 2の基板に形成された隣り合う電極対どうしの間に延びる第 2隔壁とが立設されているものであって、

前記蛍光体層は、前記誘電体層の表面と隣り合う前記第 1隔壁および前記第 2隔壁とに囲まれる各凹部の壁面に形成されているものであって、

前記第 2隔壁は、前記第 1の基板の表面に向けて互いの間隔が狭まっていく状態の斜面を有するものであって、

前記高ガンマ部は、前記垂線で囲まれる領域を含み、前記第 2隔壁の斜面上に形成された蛍光体層表面を覆う状態に形成されている。

[16] 請求項 13に記載のプラズマディスプレイパネルであって、

前記データ電極の各側縁辺から前記第 2の基板の表面に対して第 2の垂線を下ろすときに、

前記高ガンマ部は、前記垂線と前記第 2の垂線とによって囲まれる領域に存する部分を有する。

[17] 請求項 13に記載のプラズマディスプレイパネルであって、

前記サスティン電極の各側縁辺から前記第 1の基板の表面に対して第 3の垂線を下ろすときに、前記蛍光体層の表面の内、前記第 3の垂線によって囲まれる領域は、前記空間を臨んで、る。

[18] 請求項 13に記載のプラズマディスプレイパネルであって、

前記蛍光体層の表面の内、前記垂線によって囲まれる領域の外の領域は、前記空間を臨んでいる。

[19] 請求項 13に記載のプラズマディスプレイパネルであって、

前記高ガンマ部は、膜厚が lOOnm以上 3 /z m以下に設定されている。

[20] 請求項 1に記載のプラズマディスプレイパネルであって、

前記高ガンマ部は、金属酸化物を含み構成されている。

[21] 請求項 20に記載のプラズマディスプレイパネルであって、

前記金属酸化物は、 MgO、 CaO、 BaO、 SrO、 MgNOおよび ZnOの物質群の中から選択される少なくとも 1種を含む。

[22] 請求項 20に記載のプラズマディスプレイパネルであって、

前記金属酸化物は、 MgOおよび SrOの少なくとも一方を含む。

[23] 請求項 1に記載のプラズマディスプレイパネルであって、

前記高ガンマ部は、カーボンナノチューブ、ナノファイバー、フラーレンおよび A1N の物質群の中から選択される少なくとも 1種を含み構成されてヽる。

[24] 請求項 1に記載のプラズマディスプレイパネルであって、

前記高ガンマ部は、 Pt、 Au、 Pd、 Mg、 Ta、 Wおよび Niの金属材料群の中力選択される少なくとも 1種を含み構成されている。

[25] 請求項 1に記載のプラズマディスプレイパネルであって、

前記高ガンマ部は、 Ptおよび Mgの少なくとも 1種を含み構成されている。

[26] 請求項 1に記載のプラズマディスプレイパネルであって、

前記高ガンマ部は、前記蛍光体層の表面に対して、 1%以上 50%以下の被覆率を以つて形成されている。

[27] 請求項 1に記載のプラズマディスプレイパネルであって、

前記高ガンマ部は、前記蛍光体層の表面に対して、 3%以上 20%以下の被覆率を以つて形成されている。

[28] 第 1の基板と第 2の基板とが間に空間をあけて対向配置され、前記第 1の基板における前記空間側の領域に蛍光体層が形成されてなるプラズマディスプレイパネルであって、

前記蛍光体層の表面には、前記蛍光体層を構成する蛍光体材料よりも 2次電子放出係数が高い材料を構成要素に含む皮膜状の高ガンマ部が被覆形成されており、前記高ガンマ領域は、その膜厚が lnm以上 lOnm以下であるプラズマディスプレイノネノレ。

[29] 請求項 28に記載のプラズマディスプレイパネルであって、

前記高ガンマ部は、金属酸化物を含み構成されている。

[30] 請求項 29に記載のプラズマディスプレイパネルであって、

[31] 請求項 29に記載のプラズマディスプレイパネルであって、

前記金属酸化物は、 MgOを含み、

前記高ガンマ部は、前記金属酸化物を電子ビーム蒸着法を用い蒸着形成されたものである。

[32] 請求項 1または請求項 28に記載のプラズマディスプレイパネルであって、

前記第 1の基板と第 2の基板との間に形成された空間には、 Xeを含む放電ガスが充填されており、

前記放電ガスの全圧に対する Xe分圧の比率は、 5%以上 100%以下である。

[33] 請求項 1または請求項 28に記載のプラズマディスプレイパネルであって、

前記放電ガスの全圧に対する Xe分圧の比率は、 5%以上 50%以下である。

[34] 第 1の基板と第 2の基板とが間に空間をあけて対向配置され、前記第 1の基板における前記空間側の領域に蛍光体層が形成されてなるプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、

前記第 1の基板の上であって、前記第 2の基板と対向する側の表面部分に蛍光体層を形成する蛍光体層形成ステップと、前記蛍光体層の表面における一部領域に、前記蛍光体層を形成するのに用いた蛍光体材料よりも 2次電子放出係数が高ヽ材料を用いて、高ガンマ部を被覆形成する高ガンマ領域形成ステップとを有し、

前記高ガンマ部形成ステップでは、蛍光体層の表面における残りの領域と前記高ガンマ部とがともに前記空間を臨むように前記高ガンマ領域を形成するプラズマディスプレイパネルの製造方法。

[35] 請求項 34に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、

前記高ガンマ部形成ステップでは、スプレー法、分散堆積法あるいは電子ビーム蒸着法の何れかを用いて、前記蛍光体層の表面に対して斑点状または縞状に皮膜を形成することで、前記高ガンマ部を形成する。

[36] 請求項 34に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、

前記高ガンマ部形成ステップでは、散布法、スプレー法、分散堆積法あるいは電着法の何れかを用いて、前記蛍光体層の表面に対して粒子状の材料を付着させることで、前記高ガンマ部を形成する。

[37] 請求項 34に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、

前記蛍光体層形成ステップでの前記蛍光体層の形成に先行して、前記第 1の基板の表面上に、複数本の第 1電極を互いに平行に形成し、当該第 1電極を覆うように誘電体層を積層形成するものであって、

前記高ガンマ部形成ステップでは、前記第 1電極の積層上方領域を含む範囲に前記高ガンマ部を被覆形成する。

[38] 請求項 34に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、

前記蛍光体層形成ステップでの前記蛍光体層の形成に先行して、第 1の基板の表面上に、複数本の第 1電極を互いに平行に形成し、当該第 1電極を覆うように誘電体層を積層形成し、

前記第 2の基板の表面上に、前記第 1電極と交差する方向であって、互いに平行な第 2電極および第 3電極で対をなす電極対を複数対形成し、

前記高ガンマ部形成ステップでは、前記第 1電極と第 2電極とが交差する領域を含む範囲に前記高ガンマ部を形成する。

[39] 請求項 34に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記高ガンマ部形成ステップでは、 MgOまたは SrOを含む材料を用いて前記高ガンマ部を形成する。

[40] 請求項 34に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、

前記高ガンマ部形成ステップでは、カーボンナノチューブ、ナノファイバー、フラーレンおよび A1Nで構成される物質群の中カゝら選択される少なくとも 1種の材料を用いて前記高ガンマ部を形成する。

[41] 請求項 34に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、

前記高ガンマ部形成ステップでは、 Ptまたは Mgを含む材料を用いて前記高ガンマ部を形成する。

[42] 請求項 34に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、

前記高ガンマ部形成ステップでは、前記蛍光体層の表面に対する前記高ガンマ部の被覆率を 3%以上 20%以下に規定する。

[43] 第 1の基板と第 2の基板とが間に空間をあけて対向配置され、前記第 1の基板における前記空間側の領域に蛍光体層が形成されてなるプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、

前記第 1の基板の上であって、前記第 2の基板と対向する側の表面部分に蛍光体層を形成する蛍光体層形成ステップと、

前記蛍光体層の表面に、前記蛍光体層を形成するのに用いた蛍光体材料よりも 2 次電子放出係数が高ヽ材料を用いて、皮膜状の高ガンマ部を被覆形成する高ガンマ部形成ステップとを有し、

前記高ガンマ領域形成ステップでは、前記高ガンマ領域を lnm以上 10nm以下の膜厚を以つて形成するプラズマディスプレイパネルの製造方法。

[44] 請求項 43に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、

前記高ガンマ部形成ステップでは、電子ビーム蒸着法を用い、前記高ガンマ部を蒸着形成する。

[45] 請求項 43に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、

前記高ガンマ部形成ステップでは、 MgOまたは SrOを含む材料を用いて前記高ガンマ部を形成する。

[46] 請求項 34または請求項 43に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であつて、

前記第 1の基板と第 2の基板との互いの外周部を封止する封止ステップと、前記空間内に Xeを含む放電ガスを充填するガス充填ステップとを有し、前記ガス充填ステップでは、 Xe分圧が 5%以上 50%以下に調整された放電ガスを用いる。

[47] 請求項 34に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、

前記高ガンマ部形成ステップでは、前記高ガンマ部の形成材料を帯電させるとともに、

前記帯電された形成材料を、静電力により前記蛍光体層の表面における前記一部領域に堆積させる。

[48] 請求項 47に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、

前記蛍光体層形成ステップにおける前記蛍光体層の形成に先行して、第 1の基板の表面上に、複数本の第 1電極を互いに形成し、当該第 1電極を覆うように誘電体層を積層形成するものであって、

前記高ガンマ部形成ステップでは、前記高ガンマ部の形成材料を正に帯電させるとともに、前記第 1電極に負の電圧を印加することにより、前記帯電状態の形成材料を堆積させる。

[49] 請求項 48に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、

前記高ガンマ部形成ステップでは、前記第 1電極への負の電圧の印加が、時間の経過と共に負側に大きくなるように行われる。

[50] 請求項 49に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、

前記高ガンマ部形成ステップでは、前記第 1電極への負の電圧の印加が、負側に連続的または段階的に大きくなるように行われる。

[51] 請求項 47に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、

前記高ガンマ部形成ステップでは、前記帯電された形成材料を、前記蛍光体層の表面に向けて散布する。

[52] 請求項 47に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記高ガンマ部形成ステップでは、前記高ガンマ部の形成材料を、プラズマ中で帯電させ、当該帯電された形成材料を、電子ビーム蒸着により堆積させる。

[53] 請求項 47に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、

前記高ガンマ部形成ステップでは、前記高ガンマ部の形成材料に、プラズマビームを照射させて帯電させ、当該帯電された形成材料を成膜することにより堆積させる。

[54] 請求項 47に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、

前記高ガンマ部形成ステップでは、前記高ガンマ部の形成材料として、少なくとも MgOを含む材料を用いる。

[55] 請求項 34に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、

前記蛍光体層形成ステップでの前記蛍光体層の形成に先行して、前記第 1の基板の表面上に、複数本のデータ電極を互いに平行に形成し、当該データ電極を覆うように誘電体層を積層形成し、前記誘電体層の表面上に、前記第 2の基板の側に向けて、隣り合う前記データ電極どうしの間で並行して延び、且つ、前記第 1の基板の表面に向けて互!、の間隔が狭まって!/、く状態の斜面を有する隔壁を形成するものであつて、

前記蛍光体層形成ステップでは、隣り合う前記隔壁間において、当該隔壁および前記誘電体層とで構成される凹部の内壁面に対して、前記蛍光体層を形成し、前記隔壁は、前記第 1の基板の主表面に向けて互いの間隔が狭まって行く状態の斜面を有し、

前記第 2の基板の表面上には、前記データ電極と交差する方向であって、互いに平行なスキャン電極およびサスティン電極で対をなす電極対が複数形成されており、前記スキャン電極の各側縁辺から前記第 1の基板の表面に対して垂線を下ろすときに、前記高ガンマ部形成ステップでは、前記垂線に対して交差する角度を以つて、前記隔壁の斜面上における前記蛍光体層の表面に対して斜め蒸着法により前記高ガンマ部の被覆形成を行う。

[56] 請求項 34に記載のプラズマディスプレイパネルであって、

前記第 2の基板の表面上には、前記データ電極と交差する方向であって、互いに平行なスキャン電極およびサスティン電極で対をなす電極対が複数形成されており、前記蛍光体層形成ステップでの前記蛍光体層の形成に先行して、前記第 1の基板の表面上に、複数本のデータ電極を互いに平行に形成し、当該データ電極を覆うように誘電体層を積層形成し、前記誘電体層の表面上に、前記第 2の基板の側に向けて、隣り合う前記データ電極どうしの間で並行して延びる第 1隔壁を形成し、且つ、前記誘電体層の表面上に、前記第 2の基板の側に向けて、前記第 1隔壁に交差する方向であって、前記第 2の基板に形成された隣り合う前記電極対どうしの間に延びる第 2隔壁を形成するものであって、

前記蛍光体層形成ステップでは、前記誘電体層および前記第 1隔壁および前記第 2隔壁とで構成される凹部の内壁面に対して、前記蛍光体層を形成し、

前記第 2隔壁は、前記第 1の基板の表面に向けて互いの間隔が狭まって行く状態の斜面を有し、

前記スキャン電極の各側縁辺から前記第 1の基板の表面に対して垂線を下ろすときに、前記高ガンマ部形成ステップでは、前記垂線に対して交差する角度を以つて、前記第 2隔壁の斜面上における前記蛍光体層の表面に対して斜め蒸着法により前記高ガンマ部の被覆形成を行う。

[57] 請求項 55または請求項 56に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であつて、

前記高ガンマ部形成ステップでは、前記角度を維持した状態で、前記第 1の基板をその主面方向に搬送する。

[58] 請求項 55または請求項 56に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であつて、

前記高ガンマ部形成ステップでは、 MgOを含む金属酸ィヒ物材料を用い、電子ビーム蒸着法により前記高ガンマ部を膜状に形成する。

[59] 請求項 55または請求項 56に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であつて、

前記高ガンマ部形成ステップでは、膜厚が lOOnm以上 3 m以下の膜状に前記高ガンマ部を形成する。

[60] 請求項 55または請求項 56に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であつて、

前記高ガンマ部形成ステップでは、前記蛍光体層の表面の内、前記垂線で囲まれる領域の外の領域を、前記空間を臨む状態に維持する。

[61] 表面に電極と、当該電極を被覆する蛍光体層が形成された基板に対して、前記蛍光体層の表面であつて前記電極の表面に相当する部分内に当該蛍光体層よりも 2 次電子放出係数が高い材料を以つて高ガンマ部を形成する形成装置であって、前記高ガンマ部の形成に用いる形成材料を帯電させる帯電手段と、

帯電された前記形成材料を散布する散布手段と、

散布された形成材料を、前記蛍光体層の表面であって前記電極の表面に相当する部分内に偏在して堆積させるために、前記電極に電圧を印加する印加手段とを備える形成装置。