KR20070061878A

KR20070061878A - 플라스마 디스플레이 패널과 그 제조방법

Info

Publication number: KR20070061878A
Application number: KR1020077008592A
Authority: KR
Inventors: 마사노리 미우라; 유키히로 모리타; 신이치로 하시모토; 교헤이 요시노; 준코 아사야마; 마사시 고토
Original assignee: 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤
Priority date: 2004-10-05
Filing date: 2005-10-05
Publication date: 2007-06-14
Also published as: US7973477B2; CN101073136A; CN101916704A; CN101073136B; JP4880472B2; US20080061692A1; JPWO2006038654A1; WO2006038654A1

Abstract

본 발명은, 방전가스 중의 전체 압력에 대한 Xe 분압 비율을 높여도, 초기화기간에서 약 방전을 항상 안정화시켜서 방전개시전압을 낮추고, 초기화 휘점의 발생을 억제하여 화질을 향상시키며, 또한 발광효율의 저하를 억제해서 휘도의 저하를 억제하여 휘도를 향상시킬 수 있는 PDP와 당해 PDP를 간단하게 제조할 수 있는 제조방법을 제공한다.

본 발명의 PDP는 전면 패널과 배면 패널 사이에 방전공간을 둔 상태에서 대향 배치된 구성을 구비하고 있다. 그리고 배면 패널에서의 방전공간 측의 영역에는 형광체 층이 형성되고, 그 표면의 일부 영역에 고 γ부로서의 형광체 피막이 형성되어 있다. 형광체 피막은 형광체 층을 구성하는 형광체 재료보다도 2차 전자 방출계수 γ가 높은 재료로 구성되어 있다. 형광체 층의 표면은 그 일부가 형광체 피막으로 피복되며, 그 외의 부분이 방전공간과 면하는 상태로 되어 있다.

형광체 층, 고 γ부, 형광체 피막, 2차 전자 방출계수

Description

플라스마 디스플레이 패널과 그 제조방법{PLASMA DISPLAY PANEL AND PRODUCTION METHOD THEREFOR}

본 발명은 플라스마 디스플레이 패널과 그 제조방법에 관한 것이다.

종래의 기체방전에서의 방사를 이용한 평면표시장치로서 플라스마 디스플레이 장치(이하에서는 「PDP장치」라고 기재한다)의 상품화가 도모되고 있다. 이 PDP장치에는 직류형(DC형)과 교류형(AC형)이 있으나, 대형 표시장치로서 면 방전형 AC형 PDP장치가 더 높은 기술적 잠재력을 가지며 수명특성이 우수하여 상품화되어 있다. PDP장치의 패널부인 플라스마 디스플레이 패널(이하에서는 「PDP」라고 기재한다)의 구성에 대해서 도 26(a)을 사용하여 설명한다. 도 26(a)은 종래의 대표적인 면 방전형 AC형 PDP의 일부의 방전 셀 구조를 나타내는 전개 사시도(일부 단면도)이다.

도 26(a)에 도시하는 바와 같이, PDP는 전면 패널(front panel, 710)과 배면 패널(back panel, 720)이 대향 배치된 구성을 갖는다. 전면 패널(710)은 전면 기판(front substrate, 711)과, 그 표면상에 형성된 표시 전극 쌍(712) 및 그 위에 순차 적층되는 유전체 층(715) 및 유전체 보호층(716) 등으로 이루어진다. 이 중, 표시 전극 쌍(712)은 스트라이프(stripe) 형상으로 설치된 스캔 전극(scan electrode, 713)과 서스테인 전극(sustain electrode, 714)으로 구성되며, 그 각각의 전극(713, 714)은 투명전극요소(713a, 714a)와 버스 라인(713b, 714b)의 적층에 의해 구성되어 있다. 여기서 버스 라인(713b, 714b)은 투명전극요소(713a, 714a)의 고 저항을 보충하기 위해, 즉 전기저항을 낮추기 위해서 금속재료 등으로 좁은 폭으로 형성되는 것이다.

유전체 층(715)은 저 융점 유리로 형성되며, AC형 PDP 특유의 전류제한기능을 갖는다. 유전체 보호층(716)은 스캔 전극(713) 및 서스테인 전극(714)의 표면을 보호하는 동시에, 2차 전자를 효율 좋게 방출하여 방전개시전압을 낮추는 기능을 갖는다. 그리고 유전체 보호층(716)의 재료로는 2차 전자 방출계수 γ가 크고, 또한 내 스퍼터 성(sputtering resistance)이 높으며, 광학적으로 투명한 전기절연성 재료로서 금속산화물인 MgO(산화마그네슘)가 널리 사용되고 있다.

배면 패널(720)은, 배면 기판(721)과, 배면 기판(721)의 표면상에 스트라이프 형상으로 복수 형성되어 화상데이터를 판독하기 위한 데이터 전극(722)과, 데이터 전극(722) 및 배면 기판(721) 표면 중 적어도 일부를 피복 하도록, 배면 측 유전체 층(723)이 저 융점 유리에 의해 적층된다. 인접하는 방전 셀(도시 생략)과의 사이의 유전체 층(723) 상에는 소정 높이의 격벽(724)이 저 융점 유리에 의해서 스트라이프 형상이나 井자 형상(도 26(a)에서는 일례로 井자 형상) 등으로 형성되고, 또한 유전체 층(723)의 표면과 격벽(724)의 측벽에는 형광체 층(725)이 도포 소성되어 배치된 구조로 되어 있다. 형광체 층(725)에는 방전 셀 별로 적색, 녹색, 청색 발광의 3색의 형광체 재료가 각각 구분되어 사용되고 있다.

PDP는, 전면 패널(710)과 배면 패널(720)을 스캔 전극(713) 및 서스테인 전극(714)과 데이터 전극(722)이 교차하는 방향으로 배치되고 접착되어서 구성되어 있다. 여기서 전면 패널(710)과 배면 패널(720)의 사이에 형성되는 방전공간(730)은 제조과정에서 잔류하는 대기나 불순물 가스를 배기한 후, 방전가스로서 희 가스(rare gas)인 크세논(Xe)·네온(Ne) 혹은 크세논(Xe)·헬륨(He) 등이 충전되어 있다. 방전가스는 전체 압력에 대한 Xe의 분압 비율이 5% ~ 6%이며, 봉입 압력(전체 압력)이 약 수십㎪로 설정된다. 그리고 PDP에서는, 표시 전극 쌍(712)과 데이터 전극(722)이 입체적으로 교차하는 각 영역이 방전단위인 방전 셀에 대응하며, 복수의 방전 셀이 매트릭스 형상으로 배열된 구성으로 되어 있다.

또한, PDP는 각 전극(713, 714, 722)에 대해서 매트릭스 형상으로 구동하는 구동회로 및 이들을 제어하는 제어회로 등이 접속되며, 이에 의해서 PDP장치가 구성된다.

상기 AC형 PDP는, (1) 전체 표시 셀을 초기화 상태로 하는 초기화기간, (2) 각 방전 셀을 어드레스 하여, 각 방전 셀에 입력 데이터에 대응한 표시상태를 선택·입력해 가는 데이터 판독기간, (3) 표시상태에 있는 방전 셀을 표시 발광시키는 유지기간으로 구성되는 구동방식에 의해 구동 표시되고 있다.

표시를 하기 위해 직접 발광시키는 것으로는 전면 패널(710)의 스캔 전극(713)과 서스테인 전극(714)을 사용하고 있고, 데이터 전극(722)은 표시발광을 시키려고 하는 방전 셀을 선택하기 위한 기능을 하는 것으로, 표시발광에는 직접 기여하고 있지 않다. 상기 (2)의 판독기간에 배면 패널(720)의 데이터 전극(722)을 사용하여 판독 데이터가 입력되어, 대향 하는 전면 패널(710)의 유전체 보호층(716)의 표면에 벽 전하(wall charge)가 형성된다.

상기 (3)의 유지기간에, 상기 벽 전하가 존재하는 방전 셀에서 표시 전극 쌍(712)인 스캔 전극(713)과 서스테인 전극(714)의 각각에 대해 전압 펄스(예를 들어, 약 200V의 구형파 전압(rectangular wave voltage))가 서로 위상이 다르게 인가된다. 즉, 유지기간에서는 상기 표시 전극 쌍(712) 사이에 교류전압을 인가함으로써, 표시상태가 기록된 방전 셀에 대해 전압 극성이 변화할 때마다 펄스 방전을 발생시킬 수 있다. 이 유지방전의 발생에 의해, 표시발광은 방전공간(730)의 여기 Xe원자(excited Xe atom)로부터 파장 147㎚의 공명 선(resonance line)이 발생하고, 여기 Xe분자로부터는 파장 173㎚ 주체의 분자 선(molecule beam)이 방사된다.

이어서, 상기 자외 방사가 배면 패널(720)에 설치된 형광체 층(725)에서 가시 방사로 변환되며, 이에 의해 가시광을 얻을 수 있다. 여기서 유전체 보호층(716)에 벽 전하가 기록되어 있지 않은 방전 셀에서는 유지기간에 교류전압이 인가되어도 유지방전이 발생하지 않아서 표시상태는 흑색표시가 된다. 또한, AC형 PDP의 표시 화소 단위는, 통상 각각에 적색, 녹색 및 청색 발광의 형광체 층(725)을 설치한 3개의 표시방전 단위인 방전 셀로 구성된다.

종래, PDP의 3개의 상기 동작기간 중 전체 표시 셀의 벽 전하 분포를 초기화상태로 하는 초기화기간에서 콘트라스트 비(contrast ratio)를 향상시키기 위해서, 약 방전(weak discharge)(초기화 방전)이라고 불리는 약하고 작은 방전을 안정하게 일으키는 공정이 이루어지고 있다. 통상, 전압 - 시간 추이가 완만한 경사로 상하 이동하는 램프 파형(ramp waveform)의 고전압을 전면 패널(710)의 스캔 전극(713)과 배면 패널(720)의 데이터 전극(722) 사이에 인가하여 작은 방전전류를 정상적으로 흐르게 함으로써 약 방전이 안정되게 일어나도록 하고 있다.

초기화기간에서의 상승 램프 파형의 전압(rising ramp waveform voltage) 인가시의 방전은, 데이터 전극(722) 혹은 2차 전자 방출계수 γ가 작은 형광체 층(725) 측이 음극(cathode)이 되는 방전이므로, 방전개시전압이 높아져서, 약 방전이 불안정하게 되어 강한 방전(strong discharge)이 일어나기 쉬워진다. 그러므로 이 방전 시에는 영상에 관계없는 초기화에 의한 오 발광(erroneous light emission, 이하, 초기화 휘점(reset luminous point)이라고 한다)이 발생하기 쉬운 문제가 있다.

그래서 종래에는 초기화기간에서의 약 방전을 안정되게 발생시키기 위해서 형광체 층(725)의 표면을 개질(改質) 하는 개발이 이루어지고 있다. 이와 같이 형광체 층(725)의 표면을 개질 함으로써, 초기화기간에는 형광체 층(725) 측이 음극이 될 때의 방전개시전압을 저하시켜 약 방전을 안정화시켜서, 정확한 기록제어를 할 수 있도록 하여 초기화 휘점의 발생을 억제하는 것을 생각할 수 있다.

그런데 PDP의 개발에서는 휘도의 향상을 위해서 방전가스에서의 전체 압력에 대한 Xe 분압(partial pressure) 비율을 높여서(고 Xe화를 도모하여) 발광효율을 향상시키는 것이 제안되어 있다. 그러나 PDP의 방전가스의 전체 압력에 대한 Xe 분압 비율을 높인 경우에는, 발광효율은 향상하지만, 방전개시전압이 상승하거나 초기화기간에서의 상기 램프 파형 인가시에 약 방전이 불안정해져서 정확한 초기화를 할 수 없게 된다는 큰 문제가 발생한다. 즉, 고 Xe화를 도모한 PDP에서는, 방전개시시에 인가되는 전압이 커지고, 또 방전지연이 커지므로, 발생하는 초기화 방전이 약 방전이 아니라 강한 방전이 발생하기 쉬워져서, 부정확한 벽 전하량이 이동하여 초기화 휘점이 되어서, PDP의 흑색표시부분이 발광하여 백색표시가 됨으로써 정확한 표시를 할 수 없게 된다고 하는 큰 문제가 있었다.

종래에는 구동전압을 낮추고, 또 격벽(724)의 측면이나 형광체 층(725)의 표면에서의 하전 입자의 손실을 감소시켜서 발광효율을 높이기 위해서 형광체 층(725), 격벽(724) 및 배면 패널(720)의 방전공간(730)과 면하는 부분 전체를 2차 전자 방출계수 γ가 높은 재료로 이루어지는 피막으로 피복하는 기술이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).

도 26 (b)는 특허문헌 1에 개시되어 있는 일 실시 예를 나타내는 단면도이다. 도 26 (b)에 도시하는 바와 같이, 배면 패널(740)에서는 배면 기판(721)의 내측(방전공간(730) 측)에 형성된 형광체 층(725)의 표면의 방전공간(730)과 면하는 부분 전체가 2차 전자 방출계수 γ가 높은 재료로 이루어지는 형광체 피막(746)으로 피복되어 있다. 또한, 이 실시 예에서는 격벽(724)의 표면이 방전공간(730)에 노출되는 경우에는 그 노출부분도 피막(746)으로 피복한다.

도 26 (b)에 도시한 특허문헌 1의 PDP에서는, 기록기간 이외의 기간에는 데이터 전극(722) 부근의 형광체 층(725)의 표면에 정의 벽 전하(positive wall charge)가 축적되고, 또한 데이터 전극(722) 부근의 방전공간(730)에 양이온 군이 부유(浮游)하여, 격벽(724)의 측면이나 형광체 층(725)의 표면에서는 방전공 간(730) 내를 확산하는 하전 입자의 손실이 발생하여서 발광효율에 악영향을 미치고 있는 것으로 되어 있다. 그래서, 배면 패널(740) 중에서 방전공간(730)과 면하는 부분(형광체 층(725)의 표면에 대응)에 2차 전자 방출계수 γ가 높은 재료를 사용하여 피막(746)을 형성함으로써, 양이온이 피막(746)의 표면에 충돌할 때 방전공간(730)에 방출되는 2차 전자에 의해 부유하고 있는 양이온 군을 중화함으로써, 방전공간(730)의 전계를 강하게 하여, 다음의 방전을 더 저 전압·저 소비전력으로 발생시킬 수 있도록 하고 있다.

따라서, 특허문헌 1에서는 유지기간에서의 방전의 전력을 낮추는 것은 어느 정도 가능해지는 것으로 생각된다.

또, 다른 종래기술로는, 종래 장기간에 걸쳐 안정하게 PDP의 발광 휘도를 유지하기 위해, 형광체 층(725)의 표면을 피복 하는 MgO로 이루어지는 막을 성막(成膜)하는 기술이 개발되어 있다(예를 들어, 특허문헌 2 참조). 이 기술에서는 형광체 층(725)의 표면을 MgO막으로 피복 한 구성을 채용함으로써, 2차 전자 방출성능을 높여서 방전상태의 활성화가 이루어지는 동시에, 형광체 층(725)이 방전시의 스퍼터로부터 보호된다. 따라서 이 기술을 채용하는 PDP에서는 장기간에 걸쳐서 안정되게 발광 휘도를 유지할 수 있는 것으로 생각된다.

특허문헌 1: 일본국 특허공개 2002-110046호 공보

특허문헌 2: 일본국 특허공개 평08-212929호 공보

그러나 상기 특허문헌 1, 2를 포함하는 종래기술에서는 초기화기간에서의 약 방전의 발생을 안정화시키기는 곤란하다. 구체적으로는, 상기 특허문헌 1의 기술에 서는, 형광체 층 및 격벽의 방전공간과 면하는 부분 전체에 2차 전자방전계수 γ가 높은 재료로 구성한 피막을 구비하는 구성을 채용하나, 이와 같은 구성으로는 초기화기간에서의 약 방전의 안정화를 도모하고, 초기화 휘점의 발생을 억제하는 과제를 해결하기는 곤란한 것으로 생각된다. 특히, 상술한 바와 같이, 방전가스 중에서의 전체 압력에 대한 Xe 분압 비율을 높여 가는 경우에는 약 방전의 안정화는 곤란하다.

또, 상기 특허문헌 1의 기술에서는, 형광체 층(725)의 표면 전체를 피막으로 피복하고 있으므로, 방전공간(730)의 여기 Xe원자로부터 방사되는 공명 선의 일부가 형광체 층(725) 상에 형성된 막에서 흡수되게 되어, 형광체 층(725)에 도달하는 공명 선이 감소한다.

그러므로 이 기술을 채용하는 PDP에서는 발광효율이 저하되어 휘도가 저하될 것으로 추정된다.

또, 상기 특허문헌 2의 PDP에서는 형광체 층(725)의 표면을 피복하도록 MgO막을 성막하는 구성으로 하고 있으나, 이 구성으로는 초기화기간에서의 약 방전의 안정화를 도모하기는 곤란할 것으로 생각된다. 또, 이 기술의 PDP에서도 형광체 층(725)의 표면 전체를 0.5㎛ ~ 20㎛의 두꺼운 막인 피막(746)으로 피복하므로, 상기 특허문헌 1의 PDP와 마찬가지로, 방전공간(730)의 여기 Xe원자로부터 방사되는 파장 147㎚의 공명 선이 피막(746)에서 흡수되어서, 형광체 층(725)에 도달하기가 어렵게 되어서, 발광효율이 대폭으로 저하되는 것으로 추정된다.

본 발명은, 이와 같은 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 방전가스에서의 전 체 압력에 대한 Xe 분압 비율을 높여도 초기화기간에서 약 방전을 항상 안정화시켜서 방전개시전압을 낮추고, 초기화 휘점의 발생을 억제하여 화질을 향상시키며, 또한, 발광효율의 저하를 억제하고 휘도의 저하를 억제하여 휘도를 향상시킬 수 있는 PDP와 당해 PDP를 간단하게 제조할 수 있는 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 PDP는, 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 공간을 두고 대향 배치되며, 상기 제 1 기판에서의 공간 측의 영역에 형광체 층이 형성되어 이루어지는 구성을 구비하는 것으로, 상기 형광체 층의 표면에서의 일부 영역에는 상기 형광체 층을 구성하는 형광체 재료보다도 2차 전자 방출계수 γ가 높은 재료를 구성요소로 포함하는 고 감마부(high gamma member)(이하에서는, 「고 γ부」라고 기재한다)가 피복되어 형성되어 있고, 상기 형광체 층의 표면에서의 나머지 영역(즉, 고 γ부가 형성되어 있지 않은 영역)과 상기 고 γ부는 동시에 공간과 면하는 구성을 구비한다.

또, 본 발명의 PDP는, 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 공간을 두고 대향 배치되며, 상기 제 1 기판에서의 상기 공간 측의 영역에 형광체 층이 형성되어 이루어지는 구성을 구비하는 것으로, 상기 형광체 층의 표면에는 상기 형광체 층을 구성하는 형광체 재료보다도 2차 전자 방출계수 γ가 높은 재료를 구성요소에 포함하는 피막 형상의 고 γ부가 피복되어 형성되어 있고, 상기 고 γ부는 그 막 두께가 1㎚ 이상 10㎚ 이하의 구성을 갖는다.

또, 본 발명의 PDP의 제조방법은, 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 공간을 두고 대향 배치되며, 제 1 기판에서의 공간 측의 영역에 형광체 층이 형성되어 이루어지는 PDP를 제조하는 방법으로서 다음의 각 스텝을 갖는다.

※ 형광체 층 형성스텝 ; 제 1 기판상에서 제 2 기판과 대향하는 측의 표면부분에 형광체 층을 형성한다.

※ 고 γ부 형성스텝 ; 형광체 층의 표면에서의 일부 영역에 형광체 층을 형성하기 위해서 사용한 형광체 재료보다도 2차 전자 방출계수 γ가 높은 재료를 사용하여 고 γ부를 피복하여 형성한다.

여기서, 상기 고 γ부 형성스텝에서는 형광체 층의 표면에서의 나머지 영역(형광체 층의 표면에서 고 γ부가 형성되어 있지 않은 영역)과 상기 고 γ부가 동시에 공간과 면하도록 고 γ부를 형성하는 것을 특징으로 한다.

※ 고 γ부 형성스텝 ; 형광체 층의 표면에 형광체 층을 형성하기 위해 사용한 형광체 재료보다도 2차 전자 방출계수 γ가 높은 재료를 사용하여 피막 형상의 고 γ부를 피복하여 형성한다.

여기서, 상기 고 γ부 형성스텝에서는 고 γ부를 1㎚ 이상 10㎚ 이하의 막 두께로 형성하는 것을 특징으로 한다.

또, 본 발명의 고 γ부의 형성장치는, 표면에 전극과 당해 전극을 피복하는 형광체 층이 형성된 기판에 대해서, 상기 형광체 층의 표면으로서 상기 전극의 표면에 상당하는 부분 내에 당해 형광체 층보다도 2차 전자 방출계수 γ가 높은 재료로 고 γ부를 형성하는 형성장치로, 상기 고 γ부의 형성에 사용하는 형성재료를 대전시키는 대전수단과, 대전된 상기 형성재료를 산포(散布)하는 산포수단과, 산포된 형성재료를 상기 형광체 층의 표면으로서 상기 전극의 표면에 상당하는 부분 내에 편재하여 퇴적시키기 위해서, 상기 전극에 전압을 인가하는 인가수단을 구비하는 구성을 갖는다.

본원의 발명자들은 종래의 구성을 갖는 PDP의 구동에서, 초기화기간에서의 강한 방전의 발생이, 램프 파형을 인가하는 기간 중에서도 특히 상승 램프 파형의 인가시에 발생하기 쉽다는 사실을 발견하였다. 즉, 초기화기간에는 스캔 전극에 대해서 양의 기울기를 갖는 상승 램프 파형 전압을 인가하고, 그 후에 음의 기울기를 갖는 하강램프 파형 전압을 인가하여 전체 셀의 초기화를 행하는 것이나, 상승 램프 파형 인가시에 배면 패널의 데이터 전극 혹은 2차 전자 방출계수 γ가 작은 형광체 층 측이 음극이 될 때에 초기화 방전이 불안정해져서 원하지 않는 강한 방전을 발생시키기 쉽다.

이에 대해서, 본 발명의 PDP에서는 상기 고 γ부가 공간과 면하는 상태로 형성되어 있으므로, 패널 구동의 초기화기간에서 램프 파형 인가시에 형광체 층 측이 음극이 될 경우의 방전개시전압을 저하시켜서 강한 방전의 발생을 억제함으로써 안정된 초기화 방전의 발생을 일으킬 수 있다.

또, 본 발명의 PDP에서는 상기 형광체 층의 표면의 일부가 공간과 면하므로, 구동시에 공간 내에서 발생한 자외선이 크게 감쇄되지 않고 형광체 층에 입사되며, 형광체 층의 표면 전체를 MgO로 피복하는 특허문헌 1의 기술을 채용한 경우의 PDP에 비해서 패널의 발광효율이 저하되는 것을 억제할 수 있다.

따라서, 본 발명의 PDP에서는 초기화기간에서의 안정적인 약 방전의 발생을 도모할 수 있어서, 높은 발광효율과 높은 화질성능의 양립을 도모할 수 있다. 이 PDP에서는 다음과 같은 변형 예를 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP에서는 상기 고 γ부가 상기 형광체 층의 표면에서 반점(斑點) 형상 또는 스트라이프 형상으로 형성되어 있는 구성을 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP에서는 상기 고 γ부가 상기 형광체 층의 표면에 입자 형상의 재료가 부착되어서 형성되어 있는 구성을 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP에서는 상기 입자의 입자 직경을 0.05㎛ 이상 20㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다.

상기 본 발명의 PDP에서는 상기 입자의 1차 입자 직경을 0.05㎛ 이상 1㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다.

상기 본 발명의 PDP에서는 상기 입자의 2차 입자 직경을 2㎛ 이상 20㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다.

상기 본 발명의 PDP에서는, 상기 제 1 기판의 표면상에 복수 개의 제 1 전극이 형성되고, 당해 제 1 전극을 피복하도록 유전체 층 및 상기 형광체 층이 적층되어 이루어지는 구성을 채용할 경우에, 상기 고 γ부가 제 1 전극이 적층된 영역의 상방의 영역을 포함하는 범위에 형성되어 있는 구성을 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP에서는 상기 고 γ부가 상기 형광체 층의 표면에서 편재(偏在)하여 형성되어 있는 구성을 채용하는 것이 바람직하다.

상기 본 발명의 PDP에서는, 구체적으로, 상기 고 γ부가 상기 제 1 전극의 표면에 상당하는 부분에 편재하여 형성되어 있는 구성을 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP에서는, 상기 제 1 기판의 표면상에는 복수 개의 제 1 전극이 형성되고, 상기 제 2 기판의 표면상에는, 제 1 기판상에서의 상기 제 1 전극과 교차하는 방향으로, 서로 평행한 제 2 전극 및 제 3 전극에 의해 쌍을 이루는 전극 쌍이 복수 쌍 형성되어 있으며, 상기 고 γ부가 제 1 전극과 표시 전극 쌍이 입체적으로 교차하는 영역에 상당하는 부분 또는 당해 영역 부근에 상당하는 부분에 편재하고 있는 구성을 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP에서는, 상기 제 2 전극과 제 3 전극의 일 측이 스캔 전극이고 타 측이 서스테인 전극이며, 상기 고 γ부는 제 1 전극(데이터 전극에 상당)과 스캔 전극이 입체적으로 교차하는 영역에 상당하는 부분에 편재된 상태로 존재하는 구성을 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP에서는, 상기 제 1 전극, 제 2 전극 및 제 3 전극에는 각각의 입력 영상데이터에 의거하여 전압이 인가되고, 상기 입력 영상데이터에 의거하여 선택된 방전 셀에서는 상기 제 1 전극과 제 2 전극의 사이에 전압이 인가됨으로써 기록방전이 발생하며, 당해 기록방전의 발생에 의해 벽 전하의 형성이 이루어지는 구성을 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP에서는, 상기 제 1 기판의 표면상에는 복수 개의 데이터 전극이 형성되고, 상기 제 2 기판의 표면상에는, 상기 데이터 전극과 교차하는 방향으로, 서로 평행한 스캔 전극 및 서스테인 전극에 의해 쌍을 이루는 전극 쌍이 복수 형성되어 있으며, 상기 스캔 전극의 각 측면 가장자리에서 상기 제 1 기판의 표면에 대해서 수선(垂線)을 내린 때에, 상기 고 γ부가 상기 형광체 층의 표면 중 상기 수선에 의해서 둘러싸이는 영역에 존재하는 부분을 갖는 구성을 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP에서는, 상기 제 1 기판에는, 상기 복수의 데이터 전극을 피복하도록 유전체 층이 형성되는 동시에, 당해 유전체 층의 표면에는, 서로 이웃하는 상기 데이터 전극과 데이터 전극 사이에서 상기 데이터 전극과 병행(竝行)하는 방향으로 연장하며, 당해 제 1 기판의 표면을 향해서 상호 간의 간격이 좁아져 가는 상태의 경사면을 갖는 격벽이 직립(erect) 상태로 설치되어 있고, 상기 형광체 층이 상기 제 1 기판의 유전체 층의 표면과 서로 이웃하는 격벽으로 둘러싸이는 각 오목부의 벽면에 형성되어 있으며, 상기 고 γ부는, 상기 수선에 의해 둘러싸이는 영역을 포함하여, 상기 격벽의 경사면 상에 형성된 형광체 층의 표면을 피복하는 상태로 형성되어 있는 구성을 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP에서는, 상기 제 1 기판에는, 상기 복수의 데이터 전극을 피복하도록 유전체 층이 형성되는 동시에, 당해 유전체 층의 표면에는, 서로 이웃하는 데이터 전극과 데이터 전극 사이에서 상기 데이터 전극과 병행하는 방향으로 연장되는 제 1 격벽과, 상기 제 1 격벽에 교차하는 방향으로서, 상기 제 2 기판에 형성된 서로 이웃하는 전극 쌍과 전극 쌍 사이에 연장되는 제 2 격벽이 직립 상태로 설치되어 있고, 상기 형광체 층이 상기 제 1 기판의 유전체 층의 표면과 서로 이웃하는 상기 제 1 격벽 및 상기 제 2 격벽에 의해 둘러싸이는 각 오목부의 벽면에 형성되어 있으며, 상기 제 2 격벽이 상기 제 1 기판의 표면을 향해서 상호 간의 간격이 좁아져 가는 상태의 경사면을 구비하고, 상기 고 γ부가, 상기 수선에 의해 둘러싸이는 영역을 포함하여, 상기 제 2 격벽의 경사면 상에 형성된 형광체 층 표면을 피복하는 상태로 형성되어 있는 구성을 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP에서는, 상기 데이터 전극의 각 측면 가장자리에서 상기 제 2 기판의 표면에 대해서 제 2 수선을 내린 때에, 상기 고 γ부가 상기 수선과 상기 제 2 수선에 의해서 둘러싸이는 영역에 존재하는 부분을 갖는 구성을 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP에서는, 상기 서스테인 전극의 각 측면 가장자리에서 상기 제 1 기판의 표면에 대해서 제 3 수선을 내린 때에, 상기 형광체 층의 표면 중 제 3 수선에 의해서 둘러싸이는 영역이 상기 공간과 면하고 있는 구성을 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP에서는 상기 형광체 층의 표면 중, 상기 수선에 의해서 둘러싸이는 영역 외의 영역이 상기 공간과 면하고 있는 구성을 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP에서는 상기 고 γ부가 막 형상으로 형성되고, 그 막 두께가 100㎚ 이하 3㎛ 이하로 설정되어 있는 구성을 채용하는 것이 바람직하다.

상기 본 발명의 PDP에서는 상기 고 γ부가 금속산화물을 포함하여 구성되어 있는 구성을 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP에서는 상기 금속산화물의 구체 예로, MgO, CaO, BaO, SrO, MgNO 및 ZnO의 물질 군 중에서 선택되는 1종을 적어도 포함하는 구성을 채용하는 것이 바람직하다.

상기 본 발명의 PDP에서는 상기 금속산화물의 다른 구체 예로, MgO 및 SrO 중 적어도 하나를 포함하는 구성을 채용하는 것이 바람직하다.

상기 본 발명의 PDP에서는 상기 고 γ부가 카본 나노 튜브(carbon nanotube), 나노 섬유(nanofiber), 풀러린(fullerene) 및 AlN의 물질 군 중에서 선택되는 1종을 적어도 포함하는 구성을 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP에서는 상기 고 γ부가 Pt, Au, Pd, Mg, Ta, W 및 Ni의 금속재료 군 중에서 선택되는 1종을 적어도 포함하는 구성을 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP에서는 상기 고 γ부가 Pt 및 Mg 중 적어도 1종을 포함하는 구성을 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP에서는 상기 고 γ부가 상기 형광체 층의 표면에 대해서 1% 이상 50% 이하의 피복률로 형성되어 있는 구성을 채용하는 것이 바람직하다.

상기 본 발명의 PDP에서는 상기 고 γ부가 상기 형광체 층의 표면에 대해서 3% 이상 20% 이하의 피복률로 형성되어 있는 구성을 채용하는 것이 바람직하다.

또, 본 발명의 PDP는, 상술한 바와 같이, 1㎚ 이상 10㎚ 이하의 막 두께로 형광체 층의 표면을 피복하는 상태로 고 γ부가 형성된 구성을 채용하는 경우에는, 패널 구동시에 공간(방전공간)에서 발생한 147㎚의 공명 선을 포함하는 진공 자외선이 고 γ부에서 실질적으로 많이 흡수되지는 않고, 높은 효율로 형광체 층으로 투과된다. 따라서, 본 발명의 PDP에서는, 형광체 층의 표면에 고 γ부를 형성하고 있으나, 그 막 두께를 상기 수직범위에 규정함으로써 발광효율의 저하를 초래하기 어렵다. 또한, 이와 같이 고 γ부의 막 두께를 1㎚ 이상 10㎚ 이하로 규정하는 경우에는, 고 γ부에서 형광체 층의 표면의 대략 전체 영역을 피복하는 구성을 채용할 수 있다. 여기서 말하는 「대략 전체 영역을 피복한다」라는 것은, 예를 들어 고 γ부의 형성과정에서 그 형성 편차 등에 의해 막 형상의 고 γ부에 약간의 핀 홀(pin hole) 등이 발생해도 본 발명의 범주에 포함되는 것을 나타낸다.

또, 상기 본 발명의 PDP에서는, 상기 공간과 면하도록 고 γ부를 형성하고 있으므로, 패널 구동시의 초기화기간에서 램프 파형 전압의 인가시에 형광체 층 측이 음극이 되는 경우의 방전개시전압의 저하를 도모할 수 있어서, 약 방전의 발생을 안정화시킬 수 있다.

따라서, 본 발명의 PDP는 초기화기간에서의 안정적인 약 방전의 발생을 도모할 수 있어서 높은 발광효율과 높은 화질성능의 양립을 도모할 수 있다. 이와 같은 구성을 채용하는 본 발명의 PDP에서는 다음과 같은 변형 예를 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP에서는 상기 고 γ부가 금속산화물을 포함하는 구성을 채용할 수 있다. 구체적인 금속산화물로는 MgO 및 SrO 중 적어도 하나를 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 본 발명의 PDP에서는 금속산화물이 MgO를 포함하고, 상기 고 γ부가 상기 금속산화물을 전자 빔 증착법을 사용하여 증착 형성된 구성을 채용하는 것이 바람직하다.

상기 본 발명의 PDP에서는 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 형성된 공간(방전공간)에 Xe를 포함하는 방전가스가 충전되어 있고, 상기 방전가스의 전체 압력에 대한 Xe 분압의 비율을 5% 이상 100% 이하로 할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP에서는 더 바람직한 Xe 분압 비율로 5% 이상 50% 이하의 범위를 채용할 수 있다.

또, 본 발명의 PDP의 제조방법에서는 고 γ부 및 이를 구비하는 상기 본 발명의 PDP를 용이하고 확실하게 제조할 수 있다. 본 발명의 PDP의 제조방법은 다음과 같은 변형 예를 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP의 제조방법에서는, 상기 고 γ부 형성스텝에서 스프레이 법, 분산퇴적법(dispersion accumulation method) 혹은 전자 빔 증착법 중 어느 하나를 이용하여, 상기 형광체 층의 표면에 대해서 반점 형상 또는 스트라이프 형상으로 피막을 형성함으로써 상기 고 γ부를 형성하는 구체적인 방법을 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP의 제조방법에서는, 상기 고 γ부 형성스텝에서 산포법(dispersion method), 스프레이 법, 분산퇴적법 혹은 전착법(electrodeposition method) 중 어느 하나를 이용하여, 상기 형광체 층의 표면에 대해서 입자 형상의 재료를 부착시킴으로써 상기 고 γ부를 형성하는 구체적인 방법을 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP의 제조방법에서는, 상기 형광체 층 형성스텝에서의 상기 형광체 층의 형성에 선행하여, 상기 제 1 기판의 표면상에 복수 개의 제 1 전극을 서로 평행하게 형성하고, 당해 제 1 전극을 피복하도록 유전체 층을 적층 형성하며, 상기 고 γ부 형성스텝에서는, 상기 제 1 전극이 적층된 영역의 상방의 영역을 포함하는 범위에 상기 고 γ부를 피복 형성하는 구체적인 방법을 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP의 제조방법에서는, 상기 형광체 층 형성스텝에서의 상기 형광체 층의 형성에 선행하여, 상기 제 1 기판의 표면상에 복수 개의 제 1 전극을 서로 평행하게 형성하고, 당해 제 1 전극을 피복하도록 유전체 층을 적층 형성하며, 상기 제 2 기판의 표면상에, 상기 제 1 기판에서의 제 1 전극과 교차하는 방향으로, 서로 평행한 제 2 전극 및 제 3 전극에 의해 쌍을 이루는 표시 전극 쌍을 복수 쌍 형성하고, 상기 고 γ부 형성스텝에서는 상기 제 1 전극과 제 2 전극이 교차하는 영역을 포함하는 범위에 상기 고 γ부를 형성하는 수단을 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP의 제조방법에서는 상기 고 γ부 형성스텝에서 MgO 또는 SrO를 포함하는 재료를 사용하여 상기 고 γ부를 형성하는 구체적인 방법을 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP의 제조방법에서는 상기 고 γ부 형성스텝에서 카본 나노 튜브, 나노 섬유, 풀러린 및 AlN으로 구성되는 물질 군 중에서 선택되는 적어도 1종의 재료를 사용하여 상기 고 γ부를 형성하는 구체적인 방법을 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP의 제조방법에서는 상기 고 γ부 형성스텝에서 Pt 또는 Mg를 포함하는 재료를 사용하여 상기 고 γ부를 형성하는 구체적인 방법을 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP의 제조방법에서는 상기 고 γ부 형성스텝에서 상기 형광체 층의 표면에 대한 상기 고 γ부의 피복률을 3% 이상 20% 이하로 규정하는 것이 바람직하다.

또, 상기 고 γ부 형성스텝에서 1㎚ 이상 10㎚ 이하의 막 두께로 형광체 층의 표면을 피복하는 상태로 고 γ부를 형성하는 상기 본 발명의 PDP의 제조방법에서는 다음과 같은 변형 예를 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP의 제조방법에서는 상기 고 γ부 형성스텝에서 전자 빔 증착법을 이용하여 상기 고 γ부를 증착 형성하는 구체적인 방법을 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP의 제조방법에서는, 상기 제 1 기판과 제 2 기판의 외주부를 밀봉하는 밀봉스텝과, 상기 방전공간 내에 Xe를 포함하는 방전가스를 충전하는 가스충전스텝을 구비하고, 상기 가스충전스텝에서는 전체 압력에 대한 Xe 분압의 비율을 5% 이상 50% 이하로 조정된 방전가스를 사용하는 구체적인 방법을 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP의 제조방법에서는, 상기 고 γ부 형성스텝에서 상기 고 γ부의 형성재료를 대전(electrically charged)시키는 동시에, 상기 대전된 형성재료를 정전력에 의해 상기 형광체 층의 표면에서의 상기 규정된 일부 영역에 퇴적시키는 구체적인 방법을 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP의 제조방법에서는, 상기 형광체 층 형성스텝에서의 상기 형광체 층의 형성에 선행하여, 제 1 기판의 표면상에 복수 개의 제 1 전극을 상호 간에 형성하고, 당해 제 1 전극을 피복하도록 유전체 층을 적층 형성하며, 상기 고 γ부 형성스텝에서는, 상기 고 γ부의 형성재료를 양(positively)으로 대전시키는 동시에, 상기 제 1 전극에 음의 전압(negative voltage)을 인가함으로써, 상기 대전상태의 고 γ부의 형성재료를 퇴적시키는 구체적인 방법을 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP의 제조방법에서는, 상기 고 γ부 형성스텝에서 상기 1 전극에 대한 음의 전압의 인가가 시간의 경과와 함께 음 측(negative side)으로 커지도록 행하는 구체적인 방법을 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP의 제조방법에서는 상기 고 γ부 형성스텝에서 상기 제 1 전극에 대한 음의 전압의 인가가 음 측으로 연속적 또는 단계적으로 커지도록 행하는 구체적인 방법을 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP의 제조방법에서는 상기 고 γ부 형성스텝에서 상기와 같이 대전된 형성재료를 상기 형광체 층의 표면을 향해서 산포(disperse)하는 구체적인 방법을 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP의 제조방법에서는, 상기 고 γ부 형성스텝에서 상기 고 γ부 형성재료를 플라스마 중에서 대전시켜서, 당해 대전된 형성재료를 전자 빔 증착에 의해 퇴적시키는 구체적인 방법을 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP의 제조방법에서는, 상기 고 γ부 형성스텝에서 상기 고 γ부의 형성재료에 플라스마 빔을 조사하여 대전시켜서, 당해 대전된 형성재료를 성막함으로써 퇴적시키는 구체적인 방법을 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP의 제조방법에서는, 상기 고 γ부 형성스텝에서 상기 고 γ부의 형성재료로 적어도 MgO를 포함하는 재료를 사용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP의 제조방법에서는, 상기 형광체 층 형성스텝에서의 상기 형광체 층의 형성에 선행하여, 상기 제 1 기판의 표면상에 복수 개의 데이터 전극을 서로 평행하게 형성하고, 당해 데이터 전극을 피복하도록 유전체 층을 적층 형성하며, 상기 유전체 층의 표면상에 상기 제 2 기판 측을 향해서 서로 이웃하는 상기 데이터 전극과 데이터 전극 사이에서 병행하여 연장되고, 또한 상기 제 1 기판의 표면을 향해서 상호 간의 간격이 좁아져 가는 상태의 경사면을 갖는 격벽을 형성하며, 상기 형광체 층 형성스텝에서는, 서로 이웃하는 상기 격벽 사이에서, 당해 격벽 및 상기 유전체 층으로 구성되는 오목부의 안쪽 벽면에 대해서 상기 형광체 층을 형성하고, 상기 격벽이 상기 제 1 기판의 주 표면을 향해서 상호 간의 간격이 좁아져 가는 상태의 경사면을 가지며, 상기 제 2 기판의 표면상에, 상기 데이터 전극과 교차하는 방향으로, 서로 평행한 스캔 전극 및 서스테인 전극에 의해 쌍을 이루는 전극 쌍이 복수 형성되어 있고, 상기 스캔 전극의 각 측면 가장자리에서 상기 제 1 기판의 표면에 대해서 수선을 내린 때에, 상기 고 γ부 형성스텝에서, 상기 수선에 대해서 교차하는 각도로, 상기 격벽의 경사면 상에서의 상기 형광체 층의 표면에 대해서 경사 증착법(slant vapor deposition method)에 의해 상기 고 γ부의 피복을 형성하는 방법을 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP의 제조방법에서는, 상기 제 2 기판의 표면상에 상기 데이터 전극과 교차하는 방향으로, 서로 평행한 스캔 전극 및 서스테인 전극에 의해 쌍을 이루는 전극 쌍이 복수 형성되어 있고, 상기 형광체 층 형성스텝에서의 상기 형광체 층의 형성에 선행하여, 상기 제 1 기판의 표면상에 복수 개의 데이터 전극을 서로 평행하게 형성하고, 당해 데이터 전극을 피복하도록 유전체 층을 적층 형성하며, 상기 유전체 층의 표면상에, 상기 제 2 기판 측을 향해서, 서로 이웃하는 상기 데이터 전극과 데이터 전극 사이에서 병행하여 연장되는 제 1 격벽을 형성하고, 또한 상기 유전체 층의 표면상에, 상기 제 2 기판 측을 향해서, 상기 제 1 격벽에 교차하는 방향으로, 상기 제 2 기판에 형성된 서로 이웃하는 상기 전극 쌍과 전극 쌍 사이에 연장되는 제 2 격벽(제 1 격벽과 제 2 격벽에서 이른바, 井자 형상의 격벽을 구성한다.)을 형성하며, 상기 형광체 층 형성스텝에서 상기 유전체 층과 상기 제 1 격벽 및 상기 제 2 격벽으로 구성되는 오목부의 안쪽 벽면에 대해서 상기 형광체 층을 형성하고, 상기 제 2 격벽이 상기 제 1 기판의 표면을 향해서 상호 간의 간격이 좁아져 가는 상태의 경사면을 구비하며, 상기 스캔 전극의 각 측면 가장자리에서 상기 제 1 기판의 표면에 대해서 수선을 내린 때에, 상기 고 γ부 형성스텝에서 상기 수선에 대해서 교차하는 각도로, 상기 제 2 격벽의 경사면 상에서의 상기 형광체 층의 표면에 대해서 경사 증착법에 의해 상기 고 γ부를 피복 형성하는 방법을 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP의 제조방법에서는, 상기 고 γ부 형성스텝에서 상기 각도를 유지한 상태에서 상기 제 1 기판을 그 주면 방향으로 반송하는 구체적인 방법을 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP의 제조방법에서는, 상기 고 γ부 형성스텝에서 MgO를 포함하는 금속산화물 재료를 사용하여, 전자 빔 증착법에 의해, 상기 고 γ부를 막 형상으로 형성하는 구체적인 방법을 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP의 제조방법에서는, 상기 고 γ부 형성스텝에서 막 두께가 100㎚ 이상 3㎛ 이하의 막 형상으로 상기 고 γ부를 형성하는 구체적인 방법을 채용할 수 있다.

상기 본 발명의 PDP의 제조방법에서는, 상기 고 γ부 형성스텝에서 상기 형광체 층의 표면 중 상기 수선에 의해 둘러싸이는 영역 외의 영역을 상기 방전공간과 면하는 상태로 유지하는 구체적인 방법을 채용할 수 있다.

또, 본 발명의 고 γ부의 형성장치는 상기 구성을 채용함으로써, 상술한 바와 같은 규정 개소에 고 γ부를 형성할 수 있다. 그리고 이 장치를 사용함으로써 상기 본 발명의 PDP를 용이하게 제조할 수 있다.

도 1은 제 1 실시 예의 PDP(1)의 구성을 나타내는 요부 사시도(일부 단면도)이다.

도 2는 PDP(1)의 배면 패널(20)을 모식적으로 나타내는 평면도 및 단면도이다.

도 3은 PDP(1)의 구동시 각 전극(121, 122, 22)에 인가되는 펄스의 파형도이다.

도 4는 제 2 실시 예의 PDP(2)의 구성을 나타내는 요부 단면도이다.

도 5는 PDP(2)에서의 각 전극(121, 122, 42)과 형광체 피막(46)의 형성 영역과의 위치관계를 나타내는 모식 평면도이다.

도 6은 제 3 실시 예의 PDP(3)의 구성을 나타내는 요부 단면도이다.

도 7은 제 4 실시 예의 PDP(4)의 구성을 나타내는 요부 단면도이다.

도 8은 PDP(4)에서의 입상체(particle, 66)의 형성공정을 나타내는 모식 장치도이다.

도 9는 제 5 실시 예의 PDP(5)의 구성을 나타내는 요부 단면도이다.

도 10은 형광체 피막의 막 두께와 자외선 투과율의 관계를 나타내는 특성도이다.

도 11은 제 6 실시 예의 PDP(6)에서의 1화소를 구성하는 부분을 발췌하여 묘사한 사시도(일부 단면도)이다.

도 12(a)는 도 11의 D방향에서 1 방전 셀을 본 확대도이고, 12(b)는 도 11에서의 전면 패널(10)을 제거하여 배면 패널(80)을 도 11의 E방향에서 본 평면도이다.

도 13은 제 1 실시 예의 고 γ부(86)의 형성방법을 설명하기 위한 개략도이다.

도 14는 제 1 변형 예의 PDP의 방전 셀의 일부를 절개한 평면도이다.

도 15는 제 1 변형 예의 고 γ부(1086)의 형성상태를 나타내는 모식도이다.

도 16은 제 7 실시 예의 PDP(1006)에서의 1화소를 구성하는 부분을 발췌하여 배면 패널(1180)의 내부구성을 알 수 있도록 전면 패널(10)의 일부를 절개하여 묘 사한 사시도이다.

도 17(a)은 도 16의 G-G 단면도이고, 17(b)은 1 방전 셀을 F방향으로 본 평면도이다.

도 18은 제 8 실시 예의 고 γ부(86)의 형성방법을 설명하기 위한 개략도이다.

도 19는 제 9 실시 예의 PDP(7)의 구성을 나타내는 요부 사시도이다.

도 20은 PDP(7)의 구성 중 하나의 방전 셀만을 발췌하여 나타내는 단면 개념도이다.

도 21은 PDP(7)의 구성 중 하나의 방전 셀을 평면적으로 나타내는 평면 개념도이다.

도 22는 제 10 실시 예의 PDP의 제조방법 중 형광체 피막(96)의 형성에 관한 공정의 일부를 나타내는 공정 개념도이다.

도 23은 제 11 실시 예의 PDP의 제조방법 중 형광체 피막(96)의 형성에 관한 공정의 일부를 나타내는 공정 개념도이다.

도 24는 제 12 실시 예의 PDP(8)의 구성 중 하나의 방전 셀만을 발췌하여 나타내는 단면 개념도이다.

도 25는 제 13 실시 예의 PDP(9) 구성 내의 하나의 방전 셀만을 발췌하여 나타내는 단면 개념도이다.

도 26은 종래의 면 방전형 AC형 PDP의 구성을 나타내는 단면 개념도이다.

(부호의 설명)

1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 1006 PDP

10 전면 패널

11 전면 기판

12 표시 전극 쌍

13 유전체 층

14 유전체 보호층

20, 40, 50, 60, 70, 80, 90, 1080, 1180, 1190 배면 패널

21, 41, 51, 61, 71, 81, 91, 1081, 1181, 1191 배면 기판

22, 42, 52, 62, 72, 82, 92, 1082, 1182, 1192 데이터 전극

23, 43, 53, 63, 73, 83, 93, 1083, 1183, 1193 유전체 층

24, 44, 54, 64, 74, 84, 94, 1084, 1184, 1194 격벽

25, 45, 55, 65, 75, 85, 95, 1085, 1185, 1195 형광체 층

26, 46, 76, 96, 1196 형광체 피막

56, 66 입상체

86, 1086, 1186 고 γ부

121 스캔 전극

122 서스테인 전극

이하에서는 본 발명의 실시를 위한 가장 바람직한 형태에 대해서 도면을 참작하면서 설명한다. 또한, 이하의 설명에서 사용하는 플라스마 디스플레이 패널(이 하에서는 「PDP」라고 한다)의 각 구성 등에 대해서는 본 발명의 일례로 제시하는 것이며, 본 발명은 상술한 바와 같은 특징적인 부분 이외에 대해서 적절하게 변경할 수 있다.

(제 1 실시 예)

1. PDP(1)의 전체 구성

제 1 실시 예의 PDP(1)의 전체 구성에 대해서 도 1을 사용하여 설명한다. 도 1은 PDP(1)의 요부를 발췌하여 묘사한 요부 사시도이다.

도 1에 도시하는 바와 같이, PDP(1)는 크게 나누어 전면 패널(10)과 배면 패널(20)로 구성되어 있다. 이 중, 전면 패널(10)은, 전면 기판(11)의 일 측의 주 면(主面) 상(도 1에서는 Z축 방향의 하 방향의 주면)에 표시 전극 쌍(12)이 복수 쌍 형성되며, 이 표시 전극 쌍(12)을 피복하도록 유전체 층(13) 및 유전체 보호층(14)이 차례로 적층 되어 구성되어 있다. 구성요소 중, 표시 전극 쌍(12)은 스캔 전극(이하에서는 「Scn 전극」이라고 한다)(121)과 서스테인 전극(이하에서는 「Sus 전극」이라고 한다)(122)으로 구성되어 있다. Scn 전극(121) 및 Sus 전극(122) 각각은 투명전극요소(121a, 122a)에 버스 라인(121b, 122b)이 각각 적층되어 구성되어 있다.

각 전극(121, 122)을 구성하는 부분 중, 투명전극요소(121a, 122a)는, 예를 들어 ITO(Indium Tin Oxide), SnO₂, ZnO 등으로 구성되어 있고, 버스 라인(121b, 122b)은 Au, Ag, Cr, Cu, Ni, Pt 등으로 구성되어 있다. 또한, 전면 패널(10)에서 의 각 전극(121, 122)에 대해서는 본 실시 예에서 예시하는 2층 구조의 전극에 한정되지는 않으며, Ag 등의 금속으로 이루어지는 단층 구조의 전극이나 Cr-Cu-Cr 등의 3층 이상의 구조의 전극을 채용할 수도 있다.

또, 전면 기판(11)은, 예를 들어 소다 라임 유리 등을 사용하여 형성되고, 유전체 층(13)은, 예를 들어 납 계열의 저 융점 유리재료를 사용하여 형성되며, 유전체 보호층(14)은, 예를 들어 MgO를 사용하여 형성되어 있다. 또한, 유전체 보호층(14)의 형성시에는 통상 진공 증착법 등을 사용할 수 있으나, 경사 증착법(slant vapor deposition method)을 사용할 수도 있으며, 또, 중량밀도를 단결정 재료의 70% ~ 85% 정도의 범위 내로 설정해 두는 것 등도 가능하다.

배면 패널(20)은 배면 기판(21)의 일 측의 주면 상(도 1에서는 Z방향의 상 방향의 주면)에 복수 개의 데이터 전극(이하에서는 「Dat 전극」이라고 한다)(22)이 스트라이프 형상으로 형성되고, Dat 전극(22)을 피복하도록 유전체 층(23)이 형성되어 구성되어 있다. 배면 패널(20)에서의 유전체 층(23)의 표면에는 서로 이웃하는 Dat 전극(22) 사이에 각각 격벽(24)이 설치되고, 유전체 층(23)과 격벽(24)으로 구성되는 오목(홈) 부분의 안쪽 벽면에 각 색에 대응하는 형광체 층(25)이 형성되어 있다. 형광체 층(25)은 홈 별로 색이 구분되어서 구성된 적색(R) 형광체 층(25R), 녹색(G) 형광체 층(25G), 청색(B) 형광체 층(25B)으로 구성되어 있다. 각각의 형광체 층(25R, 25G, 25B)은, 예를 들어 다음과 같은 형광체 재료로 형성되어 있다.

적색(R) 형광체 ; (Y, Gd)BO₃:Eu

녹색(G) 형광체 ; Zn₂SiO₄:Mn

청색(B) 형광체 ; BaMg₂Al₁₄O₂₄:Eu

그리고 본 실시 예의 PDP(1)에서는 형광체 층의 표면상에 반점 형상의 형광체 피막(26)이 형성되어 있다. 형광체 피막(26)은 형광체 층(25)의 표면의 일부 영역을 피복하도록 형성되어 있고, 형광체 층(25)의 표면의 일부와 형광체 피막(26)의 표면이 함께 방전공간(30)과 면하는 상태로 되어 있다.

또한, 배면 패널(20)을 구성하는 각 부 중, 배면 기판(21)은 전면 기판(11)과 마찬가지로, 예를 들어 소다 라임 유리로 형성되며, Dat 전극(22)은, 예를 들어 Au, Ag, Cr, Cu, Ni, Pt 등으로 구성되어 있다. 또, 유전체 층(23)은 기본적으로는 유전체 층(13)과 마찬가지로, 납 계열의 저 융점 유리를 사용하여 형성되어 있으나, TiO₂가 혼입되어 있는 것도 있다. 또, 배면 패널(20)에서의 격벽(24)에 대해서는 도 1에 도시한 바와 같은 스트라이프 형상의 격벽뿐 아니라 井자 형상의 격벽을 채용할 수도 있다.

형광체 피막(26)의 구성에 대해서는 후술한다.

도 1에 도시한 바와 같이, 전면 패널(10)과 배면 패널(20)은, 각각의 표시 전극 쌍(12) 및 Dat 전극(22) 등이 형성된 주 면과 주 면이 서로 마주보도록 배치되고, 또한, 표시 전극 쌍(12)과 Dat 전극(22)이 교차하는 방향으로 대향 배치되며, 서로 간의 외주부가 프릿 유리(frit glass) 등을 사용하여 밀봉되어 있다. 그 리고 전면 패널(10)과 배면 패널(20)의 사이에 형성되는 방전공간(30)에는 Xe-Ne계의 방전가스(희 가스)가 약 60㎪의 압력으로 충전되어 있다. 또한, 방전가스에 대해서는 Xe-Ne계의 방전가스 이외에 Ne-Ne-He계의 혼합가스를 사용할 수도 있다. 그리고 방전가스에서의 전체 압력에 대한 Xe 분압의 비율은 패널의 발광효율을 좌우하는 큰 요인이 되나, 본 실시 예에서는 예를 들어 전체 압력에 대한 Xe 분압 비율이 5% 이상 50% 이하로 설정되어 있다.

2. 형광체 피막(26)의 구성

본 실시 예의 PDP(1)의 구성요소 중에서도 가장 특징적인 형광체 피막(26)의 구성에 대해서 도 2를 사용하여 설명한다. 도 2의 (a)는 배면 패널(20)에서의 형광체 층(25)을 평면적으로 본 도면이고, (b)는 그 단면도이다.

도 2 (a)에 도시하는 바와 같이, PDP(1)에서는 배면 패널(20)에서의 형광체 층(25)의 표면에 반점 형상으로 형광체 피막(26)이 형성되어 있다. 형광체 피막(26)은 형광체 층(25)의 표면상에서 점재(點在, scattered) 하는 상태로 형성되어 있고, 형광체 층(25)의 표면에 대한 피복률은 1% 이상 50% 이하의 범위 내로 설정되어 있다. 또한, 피복률에 대해서는 3% 이상 20% 이하의 범위 내로 하는 것이 더 바람직하다.

도 2 (b)에 도시하는 바와 같이, 형광체 피막(26)은 형광체 층(25)의 표면에서의 일부 영역에 피복되어 형성되어 있고, 방전공간(30)에 대해서 노출되어 있다. 또, 형광체 피막(26)은 형광체 층(25)의 표면의 일부 영역에 형성되어 있으므로, 형광체 피막(26)이 형성되어 있지 않은 형광체 층(25)의 표면은 방전공간(30)에 대 해서 노출되어 있다.

형광체 피막(26)은 형광체 층(25)을 구성하는 각 형광체 재료보다도 높은 2차 전자 방출계수 γ를 갖는 재료이면서 형광체 재료와는 다른 재료로 구성되어 있고, 이 피막(26)이 형성된 부분이 본 실시 예의 PDP(1)에서의 고 γ부에 상당한다. 형광체 피막(26)의 구성재료로는, 예를 들어 MgO, SrO, CaO, BaO, MgNO나 ZnO 등의 금속산화물을 들 수 있다. 또, 형광체 피막(26)의 구성재료로는, 금속산화물 이외에 카본 나노 튜브(CNT) 등의 나노 섬유, C60 등의 풀러린(fullerene), AlN 등을 채용할 수 있고, 나아가서는 Pt, Au, Pd, Mg, Ta, W, Ni 등의 재료를 채용할 수도 있다.

형광체 피막(26)의 구성에 사용할 수 있는 재료로 열거된 상기 재료 중, 특히 금속산화물의 경우에는 MgO나 SrO 등이 2차 전자방출계수 γ 등의 관점에서 바람직하고, 또 상기 금속재료를 사용하는 경우에는 Pt나 Mg가 바람직하다.

또한, 형광체 피막(26)의 형성에는 상기 재료 이외의 재료나 불순물 재료가 포함되어 있어도 된다. 즉, 형광체 피막(26)의 형성에 사용하는 재료에는 종합적으로 형광체 재료보다도 큰 2차 전자 방출계수 γ로 되어 있으면 된다.

3. 형광체 피막(26)의 형성

도 2에 도시한 형광체 피막(26)은, 예를 들어 MgO 재료를 포함하는 혼합유기용제에 의한 스프레이 법이나 분산퇴적법, 전자 빔 증착법 등을 사용함으로써 형성할 수 있다. 예를 들어, 스프레이 법을 사용하는 경우에는 다음과 같은 스텝을 거쳐서 형광체 피막(26)의 형성이 이루어진다.

(1) 에탄올 등에 MgO 재료를 혼합하여 혼합유기용제를 제작한다.

(2) 형광체 층(25)의 표면을 따라서 마스크를 장착하고, 이 마스크에 형성된 구멍을 통하여 혼합유기용제를 형광체 층(25)의 표면의 일부 영역 상에 도포한다.

(3) 형광체 층(25)의 표면의 일부 영역 상에 도포 된 혼합유기용제를 건조시켜서 유기용제를 휘발시킨다.

이상과 같이 하여, 도 2에 도시한 바와 같은 형광체 피막(26)이 형성된다.

또, 분산퇴적법을 사용하는 경우에는, 예를 들어 유기용제에 MgO 재료를 분산시켜 두고, 이 MgO 재료가 분산된 유기용제를 사용하여, 이 용제 표면에 분산된 MgO 재료를 조용하게 배면 패널의 형광체 층의 소정의 부분에 퇴적시킨다. 이후, 이를 건조하여 유기용제를 휘발시킴으로써 형광체 표면의 일부 영역 상에 대한 형광체 피막(26)의 피복 형성이 이루어진다. 또한, MgO 재료의 퇴적에 선행하여, 형광체 층 표면에서의 형광체 피막(26)을 형성하고 싶지 않은 부분에는 레지스트 마스크를 형성해 두면, 도 2에 도시한 것과 같은 반점 형상의 형광체 피막(26)을 형성할 수 있다.

4. PDP(1)의 구동방법

상기 구성의 PDP(1)에서는, 도시를 생략하고 있으나, 각 전극(121, 122, 22)에 대해서 각 드라이버를 포함하는 구동제어부가 접속된 구성으로 되어 있다. 이와 같이 구동제어부가 접속된 PDP(1)의 구동방법에 대해서 도 3을 사용하여 설명한다. 도 3은 어드레스·표시 분리 구동방식(address/display separation driving method)으로 표시 구동된다. 이 구동방법에서는, 예를 들어 도 3에 도시하는 바와 같이, 256계조를 표현하기 위해서 1 필드를 8개의 서브필드 SF1 ~ SF8로 분할하고, 각각의 서브필드 SF1 ~ SF8에 초기화기간 T₁, 기록기간 T₂, 유지기간 T₃의 3개의 기간을 설정한다.

먼저, PDP(1)의 구동에서는, 초기화기간 T₁에서 PDP(1)의 전체 방전 셀에 대해서 초기화 방전을 발생시키며, 이에 의해서 당해 서브프레임보다도 앞의 서브프레임에서의 방전의 유무에 의한 영향의 제거나 방전특성의 편차(variation)를 흡수하기 위한 초기화가 실시된다. 초기화기간 T₁에서의 초기화 방전은, 도 3에 도시한 바와 같이, 전압-시간 추이가 완만하게 경사져서 상승 및 하강하는 램프 파형을 Scn 전극(121)과 Dat 전극(22)의 사이에 인가하여 작은 방전전류를 정상적으로 흘린다. 이에 의해, PDP(1)에 형성된 전체 방전 셀에서 상승 경사의 램프 파형 부분과 하강램프 파형 부분에서 각 1회씩 약 방전인 초기화 방전이 발생한다.

이어서, 기록기간 T₂에서, 서브필드 데이터에 의거하여 Scn 전극(121)(1) ~ (121)(k)를 1라인마다 차례로 스캔해 가서, 당해 서브필드에서 유지방전을 시키려고 하는 방전 셀에 대해서, Scn 전극(121)과 Dat 전극(22)의 사이에서 기록방전(미세한 방전)을 발생시킨다. 이와 같이 Scn 전극(121)과 Dat 전극(22)의 사이에서 기록방전을 발생한 방전 셀에서는 전면 패널(10)의 유전체 보호층(14)의 표면에 벽 전하가 축적된다.

그 후, 유지기간 T₃에서, Sus 전극(122) 및 Scn 전극(121)에 대해 소정의 주 기(예를 들어, 6μsec), 소정의 전압(예를 들어, 180V)으로 구형파 유지 펄스 Psus, Pscn을 인가한다. Sus 전극(122)에 인가하는 유지 펄스 Psus와 Scn 전극(121)에 인가하는 유지 펄스 Pscn은 서로 동일한 주기를 가지며, 또한 그 위상이 반주기 어긋난 상태로 되어 있고, PDP(1)에서의 전체 방전 셀에 대해서 동시에 인가된다.

도 3에 도시한 바와 같은 펄스의 인가에 의해서, PDP(1)에서는 기록이 이루어진 방전 셀에서 유지기간 T₃에서의 교류전압의 인가에 의해 전압의 극성이 변화할 때마다 펄스 방전이 발생한다. 이와 같은 유지방전의 발생에 의해, 표시발광은, 방전공간(30)의 여기 Xe원자로부터는 147㎚의 공명 선이 방사되고, 여기 Xe분자로부터는 173㎚ 주체의 분자 선이 방사되며, 이어서 발생하는 자외선을 배면 패널(20)의 형광체 층(25)에서 가시광으로 변환하여 화상표시가 이루어지게 된다.

5. PDP(1)의 우위성

본 실시 예의 PDP(1)에서는, 도 2 (a)에 도시하는 바와 같이, 형광체 층(25)의 표면에서의 일부 영역 상에 형광체 재료보다도 2차 전자 방출계수 γ가 높은 특성을 갖는 MgO에 의해 높은 2차 전자 방출계수 γ를 갖는 부분(고 γ부)이 되는 형광체 피막(26)을 피복 형성하며, 형광체 층(25)의 표면의 나머지 영역과 형광체 피막(26)이 함께 방전공간(30)에 면하는 구성으로 되어 있다. 이와 같은 구성의 PDP(1)에서는, 형광체 층(25)의 표면의 일부가 방전공간(30)과 면하므로, 유지기간 T₃에서 패널 구동시에 방전공간(30) 내에서 발생한 자외선이 크게 감쇠하지 않고 형 광체 층(25)에 입사되어, 특허문헌 1의 PDP와 같이 형광체 층의 표면 전체를 MgO막으로 피복하는 경우에 비해서 패널의 발광효율이 저하되는 것을 억제할 수 있다. 그리고 본 실시 예에서는 형광체 층(25)의 전체 표면에 대한 형광체 피막(26)의 피복률을 1% 이상 50% 이하로 규정하고, 더 바람직하게는 3% 이상 20% 이하로 규정하고 있다. 이 수치범위의 규정에 대해서는 후술한다.

또, 본 실시 예의 PDP(1)에서는, 형광체 피막(26)이 방전공간(30)과 면하는 상태로 형성되어 있으므로, 패널 구동의 초기화기간 T₁에서의 램프 파형의 인가시(특히, 상승 램프 파형 인가시)에 형광체 층(25) 측이 음극이 될 경우의 방전개시전압을 낮출 수 있어서, 강한 방전의 발생을 억제하여 안정한 초기화 방전(약 방전)을 발생시킬 수 있다. 이는, 만일 형광체 층(25)의 표면에 전혀 형광체 피막(26)이 형성되어 있지 않은 경우에는, Xe 분압을 높게 설정하면 외관상의 전자방출이 적어져서 방전이 안정하지 않는 것에 대해, PDP(1)와 같이 형광체 피막(26)을 갖는 경우에는 오제 중화(Auger neutralization)한 때의 형광체 피막(26)이 받는 에너지가 커지므로, 이로 인해 약 방전을 안정적으로 발생시킬 수 있기 때문이다.

도, 본 실시 예의 PDP(1)에서는, 상술한 바와 같이, 안정적인 초기화 방전을 발생할 수 있으므로, 방전가스에서의 전체 압력에 대한 Xe 분압의 비율을 5% 이상 50% 이하의 범위까지 높여도 화질의 저하를 초래하지 않는다.

따라서, 본 제 1 실시 예의 PDP(1)에서는 초기화기간 T₁에서의 안정적인 약 방전의 발생을 도모할 수 있어서 높은 발광효율과 높은 화질성능의 양립을 도모할 수 있다.

6. 형광체 피막(26)의 피복률

본 실시 예의 PDP(1)에서는 형광체 층(25)의 전체 표면에 대한 형광체 피막(26)의 피복률을 1% 이상 50% 이하로 규정하고, 바람직하게는 3% 이상 20% 이하로 규정하였으나, 이는 다음과 같은 이유에 의한 것이다.

피복률을 1% 미만으로 한 경우에는, 방전공간(30)과 면하는 표면이 초기화기간 T₁에서의 초기화 방전의 발생을 안정화시키는 기능을 실질적으로 발휘할 수 없으므로, 형광체 피막(26)의 피복률은 최저라도 1% 이상으로, 바람직하게는 3% 이상으로 할 필요가 있다. 또, MgO 등으로 이루어지는 형광체 피막(26)은 방전공간(30)에 면하는 표면적에 따라서 방전공간(30) 내에서 발생한 진공 자외선을 흡수하여 버리므로, 피복률을 50% 이상으로 한 경우에는 형광체 층(25)까지 도달하는 자외선 양이 너무 적어져서 패널의 발광효율을 실용적인 레벨 이하까지 저하시키게 된다. 또한, PDP(1)의 다른 구성요소 등을 고려했을 때의 바람직한 피복률의 상한값은 동일한 이유에서 20% 이하이다.

7. 확인실험

본 실시 예의 PDP(1)가 갖는 우위성에 대해서는 상술한 바와 같으나, 이하에서는 그 확인을 위해서 실시한 실험에 대하여 설명한다.

실험에서는, 상술한 제조방법에 의해 본 실시 예의 구성을 갖는 실시 예의 PDP를 제작하였다. 즉, 배면 패널(20)에서의 형광체 층(25)의 표면에 피복률 5%인 MgO로 이루어지는 막 두께 0.5㎛ ~ 20㎛의 형광체 피막(26)을 형성하였다. 형성 시에는 MgO 및 에탄올 등을 포함하는 혼합분산 유기용제에 의한 스프레이 법을 사용하였다. 그리고 방전공간(30)에는 전체 압력에 대한 Xe 분압 비율이 약 30%의 고 Xe 방전가스를 충전하였다.

또, 본 확인실험에서는, 비교 예로, 상기 특허문헌 1의 구성을 채용한 PDP를 제작하였다. 즉, 형광체 층의 표면 전체를 막 두께 0.5㎛ ~ 20㎛의 MgO 막으로 피복한 구성의 PDP를 비교 예로 제작하였다.

우위성의 확인은 상기 실시 예 및 비교 예의 각 PDP를 표시 구동해서, 그 발광효율 및 초기화기간 T₁에서의 약 방전발생의 안정성 등을 측정하여, 그 결과를 형광체 피막을 갖지 않는 종래의 패널과 비교하였다. 그 결과에 의하면, 본 실시 예의 구성을 갖는 PDP에서는 종래의 PDP에 비해서 초기화기간 T₁에서의 약 방전이 안정화되어, 오 기록의 감소에 의한 화질성능의 향상을 볼 수 있었다. 또, 방전가스 중의 전체 압력에 대한 Xe 분압 비율을 30%까지 상승시키고 있으므로 발광효율이 약 3㏐/W까지 향상되었다.

한편, 형광체 층의 표면 전체를 MgO막으로 피복한 비교 예의 PDP에서는 발광효율은 약 0.1㏐/W이었다. 이는 형광체 층의 표면상에 전혀 막을 형성하고 있지 않은 종래의 PDP에 비해서 약 1/10 낮은 것이었다. 이는, 비교 예의 PDP에서는 형광체 층의 표면상에 피복 형성된 MgO막이 방전공간에서 발생한 공명 선을 포함하는 진공 자외선을 흡수해버리기 때문인 것으로 생각된다.

이상의 결과에서, 실시 예와 같이 형광체 층(25)의 표면의 일부 영역 상에 2차 전자 방출계수 γ가 형광체 재료보다도 큰 재료로 이루어지는 고 γ부(형광체 피막(26))를 형성하여, 형광체 층(25)과 형광체 피막(26)이 함께 방전공간(30)과 면하는 구성을 채용함으로써, 발광효율의 저하의 억제를 도모하는 동시에, 초기화기간 T₁에서의 형광체 층(25) 측이 음극이 될 때의 방전개시전압의 감소를 도모할 수 있다. 따라서 실시 예의 PDP에서는 초기화기간 T₁에서의 약 방전의 안정적인 발생을 확보하여 오 기록에 의한 화질의 저하를 억제할 수 있게 된다. 또, 실시 예의 PDP에서는 방전가스 중의 Xe 분압을 5% 이상으로 설정하는 경우에도 화질의 저하를 초래하기 어려우므로, 발광효율의 향상과 화질의 향상을 양립할 수 있다.

(제 2 실시 예)

이어서, 제 2 실시 예의 PDP(2)의 구성에 대해서 도 4 및 도 5를 사용하여 설명한다. 또한, 전면 패널(10)의 구성 및 배면 패널(40)의 형광체 피막(46)의 형성형태를 제외한 부분에 대해서는 상기 제 1 실시 예와 동일하므로 설명을 생략한다.

도 4 (a)에 도시하는 바와 같이, PDP(2)에서의 형광체 피막(46)은 형광체 층(45)의 표면의 일부 영역 상에 형성되어 있는 점에서는 상기 제 1 실시 예와 동일하나, 그 형성형태는 Dat 전극(42) 상에 상당하는 영역(W_DAT)에 설정되어 있다. 또, 4 (a)의 A-A 단면인 도 4 (b)에 도시하는 바와 같이, 형광체 피막(46)은 전면 패널(10)에 형성된 표시 전극 쌍(12) 내의 Scn 전극(121) 아래에 상당하는 영 역(W_SCN)에 설정되어 있다.

도 5는 PDP(2)를 구성하는 각 요소 중 전극(121, 122, 42)과 격벽(44) 및 형광체 피막(46)을 발췌하여 모식적으로 묘사한 것이다. 도 5에 도시하는 바와 같이, 형광체 피막(46)은 각 방전 셀의 형광체 층(45)의 표면상에서의 Scn 전극(121)과 Dat 전극(42)이 교차하는 영역에 형성되어 있다. 여기서, PDP(2)에서는 형광체 층(45)의 표면에 대한 형광체 피막(46)의 피복률은 상기 제 1 실시 예와 마찬가지로, 1% 이상 50% 이하로 설정되어 있고, 바람직하게는 3% 이상 20% 이하로 설정되어 있다. 그 이유에 대해서는 상기와 동일하다.

형광체 피막(46)의 구성재료로는, 상기 제 1 실시 예와 마찬가지로, 형광체 층(46)을 구성하는 형광체 재료보다도 2차 전자 방출계수 γ가 큰 재료를 사용할 수 있고, 예를 들어 상기 제 1 실시 예의 형광체 피막(26)의 형성에 사용할 수 있는 것과 동일한 재료를 사용할 수 있다.

본 실시 예에서는, 초기화기간 T₁에서 약 방전을 발생시키고자 하는 Scn 전극(121)과 Dat 전극(42)의 교차부분에 형광체 피막(46)을 형성하므로, 초기화기간 T₁에 Scn 전극(121)과 Sus 전극(42)의 사이에 램프 파형의 펄스가 인가된 경우에도 약 방전(초기화 방전)이 안정적으로 발생한다. 특히, 방전가스 중에서의 Xe 분압을 5% 이상으로 상승시킨 경우의 약 방전 발생의 안정성은 종래의 PDP에 비해서 우수하다.

따라서 본 실시 예의 PDP(2)에서는 초기화기간 T₁에서의 안정적인 약 방전의 발생을 도모할 수 있어서 높은 발광효율과 높은 화질성능의 양립을 도모할 수 있다.

또한, 본 실시 예의 PDP(2)에서의 형광체 피막(46)도 상기 제 1 실시 예와 동일한 방법으로 형성할 수 있다.

또, 본 실시 예에서는, 형광체 피막(46)을 형광체 층(45)의 표면상에서의 Scn 전극(121)과 Dat 전극(42)의 교차부분에 형성하는 것으로 하였으나, Scn 전극(121)에 관계없이 Dat 전극(42)의 상방 부분 전체에 형성하는 것으로 해도 된다.

(제 3 실시 예)

제 3 실시 예의 PDP(3)에 대해서 도 6을 사용하여 설명한다. 또한, PDP(3)의 구성 중 전면 패널(10) 및 배면 패널(50)에서의 고 γ부를 제외한 부분에 대한 구성은 상기 제 1, 2 실시 예와 동일하므로 설명을 생략한다.

1. PDP(3)의 구성

도 6에 도시하는 바와 같이, 본 실시 예의 PDP(3)에서는 형광체 층(55)의 표면상에 입상체(particle, 56)가 부착 배치되어 있다. 이 입상체(56)는 형광체 층(55)을 구성하는 형광체 재료보다도 2차 전자 방출계수 γ가 큰 재료로 이루어지는 것으로, 예를 들어 상기 제 1 실시 예의 형광체 피막(26)을 구성하는 재료 등을 사용할 수 있다. 본 실시 예의 PDP(3)에서는 형광체 층(55)의 표면에서 입상체(56)가 부착 배치된 부분이 고 γ부에 상당한다. 그 일례로, 재료에 MgO, SrO 등의 금속산화물을 사용하는 경우에는 입자 직경이 0.05㎛ 이상 1㎛ 이하의 금속산화물 입자를 압축 질소가스 등을 이용하여 산포(散布)함으로써 입상체(56)의 부착 배치가 이루어져서, 형광체 층(55)의 표면상에 고 γ부의 형성이 이루어진다.

본 실시 예에서도 형광체 층(55)의 표면에 대한 입상체(56)의 피복률은 1% 이상 50% 이하로 설정되고, 바람직하게는 3% 이상 20% 이하로 설정된다.

이와 같이 형광체 층(55)의 표면상에 상기 수치범위 내의 피복률로 입상체(56)를 부착 형성한 PDP(3)에서는 방전공간(30)에 대해서 2차 전자 방출계수 γ가 높은 입상체(56)와 형광체 층(55)이 함께 노출되게 된다. 따라서 본 실시 예의 PDP(3)에서는 패널 구동의 초기화기간 T₁에서의 안정적인 약 방전의 발생을 도모할 수 있어서 높은 발광효율과 높은 화질성능의 양립을 도모할 수 있다.

또한, 형광체 층(55)의 표면에 대한 입상체(56)의 부착 형성방법에는 상기 산포법 이외에도 스프레이 법, 분산퇴적법 및 전착법 등을 사용할 수 있다.

2. 입상체(56)의 입자 직경

고 γ부를 구성하는 입상체(56)에 대해서는, 상술한 바와 같이, 각 입자의 직경이 0.05㎛ 이상 1㎛ 이하의 것이 산포 형성되어 있으므로, 복수의 입자가 응집됨으로써 2차 입자의 입자 직경이 2㎛ 이상 20㎛ 이하가 되며, 고 γ부는 0.05㎛ 이상 20㎛ 이하, 혹은 그 이상의 범위의 입상체(56)에 의해 구성되게 된다. 여기서, 0.05㎛보다도 작은 입상체에 대해서는 그 제작 자체가 곤란하고, 또 산포된 때에 응집하기가 어려워지므로 실제로는 사용할 수 없다. 다른 한편, 20㎛보다도 큰 입자 직경의 입상체에 대해서는 방전공간(30) 내에서 발생하는 공명 선이나 분자 선을 흡수하기 쉬워져서 패널의 발광효율을 저하시키므로 실제로 사용할 수는 없 다.

3. 확인실험

이하에서는 본 실시 예의 PDP(3)의 상기 우위성을 확인하기 위해서 실시한 실험에 대하여 설명한다.

본 실험용의 PDP에서는 배면 패널에서의 형광체 층(55)의 표면상에 입자 직경이 0.1㎛ 이상 0.6㎛ 이하의 MgO 입자를 산포법을 사용하여 산포하였다. 그리고 이 산포에 의해 형성된 고 γ부(입상체(56)의 형성부분)의 형광체 층(55)의 표면에 대한 피복률은 약 10%로 규정하였다. 또한, 상기 방법으로 고 γ부를 형성하였을 때의 입상체(56)의 응집 입자의 입자 직경은 0.2㎛ 이상 5㎛ 이하였다. 또, 본 실험에 사용한 PDP에서는 방전공간(30)에 충전한 방전가스 중에서의 전체 압력에 대한 Xe 분압 비율을 약 15%로 하였다.

실험에서는 이상과 같이 구성된 PDP를 표시 구동하여 그 발광효율 및 초기화기간 T₁에서의 약 방전 발생의 안정성 등을 측정하였다. 본 실험에 사용한 PDP에서는 초기화기간 T₁에서의 형광체 층(55) 측이 음극이 될 때의 방전개시전압이 저하되어 약 방전의 안정화가 도모되고, 오 기록의 감소에 의해 화질이 향상되었다. 또, 전체 압력에 대한 Xe 분압 비율을 15%까지 높임으로써, 발광효율이 약 2㏐/W가 되어서 종래의 PDP보다도 향상되었다.

이상의 결과에서, 본 실험에 관한 PDP에서는 형광체 층(55)의 표면상에 입상체(56)를 부착 배치함으로써 고 γ부를 형성하고, 이에 의해서 발광효율을 높게 유 지하면서, 초기화기간 T₁에서의 약 방전의 안정화를 도모할 수 있었음을 알 수 있다. 그리고 입상체(56)의 부착 배치시에는, 산포 입자단위인 1차 입자의 입자 직경이 0.05㎛ 이상 1㎛ 이하의 입자의 채용이 적절하며, 응집입자의 경우인 2차 입자의 입자 직경이 2㎛ 이상 20㎛ 이하의 입자의 채용이 적절하다.

또, 이와 같이 고 γ부를 형성함으로써 방전가스 중의 전체 압력에 대한 Xe 분압 비율을 5% 이상으로 높게 설정하는 경우에도 초기화기간 T₁에서의 약 방전의 안정화를 도모할 수 있게 되어서 발광효율을 높일 수도 있게 된다.

(제 4 실시 예)

이어서, 제 4 실시 예의 PDP(4)에 대해서 도 7 및 도 8을 이용하여 설명한다. 또한, 전면 패널(10)의 구성 및 배면 패널(60)의 입상체(66)의 형성형태를 제외한 부분에 대해서는 상기 제 1 ~ 3의 실시 예와 동일하므로 설명을 생략한다.

1. PDP(4)의 구성

도 7 (a)에 도시하는 바와 같이, PDP(4)에서의 입상체(66)는 형광체 층(65)의 표면상에서의 Dat 전극(62) 상에 상당하는 영역(W_DAT)에 부착 배치되어 있고, 또, 도 7 (b)에 도시하는 바와 같이, 입상체(66)는 전면 패널(10)에 형성된 표시 전극 쌍(12) 내의 Scn 전극(121)의 아래에 상당하는 영역(W_SCN)에 설정되어 있다. 즉, 상기 제 2 실시 예와 동일한 위치에 입상체(66)의 형성이 이루어져 있고, 이에 의해서 고 γ부가 형성되어 있다.

여기서, PDP(4)에 대해서도 형광체 층(65)의 표면에 대한 형광체 피막(46)의 피복률은, 상기 제 1 실시 예와 마찬가지로, 1% 이상 50% 이하로 설정되어 있고, 바람직하게는 3% 이상 20% 이하로 설정되어 있다. 이 이유에 대해서는 상기와 동일하다.

입상체(66)의 구성재료로는, 상기 제 1 실시 예와 마찬가지로, 입상체(66)를 구성하는 형광체 재료보다도 2차 전자 방출계수 γ가 큰 재료를 사용할 수 있고, 예를 들어 상기 형광체 피막(26, 46, 56)의 형성에 사용할 수 있는 것과 동일한 재료를 사용할 수 있다.

본 실시 예에서는, 초기화기간 T₁에서 약 방전을 발생시키고자 하는 Scn 전극(121)과 Dat 전극(62)의 교차부분에 입상체(66)를 부착 배치하여 고 γ부를 형성함으로써, 초기화기간 T₁에 Scn 전극(121)과 Dat 전극(62)의 사이에 램프 파형의 전압 펄스가 인가된 경우에도 약 방전(초기화 방전)이 안정적으로 발생한다. 특히, 방전가스 중에서의 Xe 분압을 5% 이상으로 상승시킨 경우의 약 방전발생의 안정성은 종래의 PDP에 비해서 우수하다.

따라서 본 실시 예의 PDP(4)에서는 초기화기간 T₁에서의 안정적인 약 방전의 발생을 도모할 수 있어서, 높은 발광효율과 높은 화질성능의 양립을 도모할 수 있다.

2. 입상체(66)의 부착 배치방법

본 실시 예의 PDP(4)에서의 입상체(66)의 부착 배치방법에 대해서 도 8을 사용하여 설명한다. 도 8은 입상체(66)의 부착 배치공정을 나타내는 모식 단면도이 다. 또한, 도 8에서는 도시의 편의상, 배면 패널에서의 격벽(64)의 형성 개수를 4개로 하고 있으나, 실제로는 더 많은 격벽(64)이 형성되어 있는 배면 패널을 사용한다.

도 8에 도시하는 바와 같이, 산포 용기(501) 내의 바닥부분에 배면 기판(61)을 적재한다. 이때, 배면 기판(61)은 산포 용기(501) 내에서 대략 수평이 되도록 한다. 적재되는 배면 기판(61) 상에는 복수의 Dat 전극(62)이 형성되고, 그 위를 피복 하도록 베이스 유전체 층(63)이 형성되며, 그 위에는 격벽(64) 및 형광체 층(65)이 형성되어 있다.

다음에, 산포 용기(501)의 바닥부분에 배치한 배면 기판(61) 상에 원하는 패턴 형상에 맞춰서 설치된 구멍(hole, 504a)을 갖는 메탈 마스크(504)를 배치한다. 도 8은 모식도이므로 메탈 마스크(504)의 고정 구(fixture) 등의 도시를 생략하고 있으나, 실제의 메탈 마스크(504)는 구멍(504a)의 위치가 배면 기판(61) 및 산포 용기(501)에 대해서 어긋나지 않도록 고정 구 등을 사용하여 고정되어 있다.

산포 용기(501)의 상방 부분에는 입자 삽입부(502)가 설치되어 있고, 이 입자 삽입부(502)의 내측에, 예를 들어 MgO 등의 입자(660)를 소정 양 넣는다. 그리고 입자 삽입부(502)에 대해서 질소가스나 공기 등의 압축가스를 공급하여, 입자(660)를 노즐(503)로부터 배면 기판(61) 상에 설치된 형광체 층(65)의 표면을 향해서 강하게 분출시킨다. 이와 같이, 입자(660)를 분출시킨 후, 압축가스의 공급을 정지하고 입자(660)를 일정시간에 걸쳐서 자연 낙하시킨다. 이와 같이 하여 형광체 층(65)의 표면상에 대한 입자의 산포가 이루어진다.

이상과 같이 형광체 층(65)의 표면상에 산포된 입자(660)를 건조시킴으로써 입상체(66)의 부착 배치가 이루어져서, 고 γ부의 형성이 완료된다.

여기서, 형광체 층(65)의 표면에 대한 입상체(66)에 의한 피복률은 상술한 바와 같이 1% 이상 50% 이하로 설정하고, 바람직하게는 3% 이상 20% 이하로 설정하며, 또, 도 7에 도시한 바와 같은 위치에 고 γ부를 배치하나, 이들의 설정은 메탈 마스크(504)에서의 구멍(504a)의 설정 및 배면 기판(61)에 대한 메탈 마스크(504)의 상대위치의 설정 등에 의해 실시할 수 있게 된다.

또한, 상기 산포법에 의한 입상체(66)의 부착 및 배치에서 산포 용기(501)의 형상이나 사이즈, 산포 조건 등에 대해서는, 그 형성하고자 하는 형상, 사이즈, 사용한 입자(660)의 재질 등에 따라서 적절히 설정되는 것이다. 또, 산포 시에는 대전 등의 방법을 사용하여 균일한 산포를 실시하거나, 입자끼리의 응집을 억제하기 위해서 건식·습식방법 등의 다양한 방법을 채용하는 것도 물론 가능하다. 이들은 액정 패널을 제조할 때에 사용되는 스페이서 산포방법(spacer dispersion method)을 사용함으로써 용이하게 실시할 수 있는 것이므로, 여기에서는 설명을 생략한다.

또, 입상체(66)를 부착하여 배치하는 방법으로는, 상기 산포법 외에 스프레이 법, 분산퇴적법 및 전착법 등을 사용할 수도 있다. 예를 들어, 스프레이 법을 사용하는 경우에는 형광체 층(65)의 표면상에 소정 패턴의 레지스트 마스크 등을 형성하고 있으며, 이에 대해서 입자(660) 및 에탄올을 포함하는 혼합유기용제를 스프레이 산포하고, 그 후 이를 건조시킨다. 그리고 레지스트 마스크를 제거함으로써 도 7에 도시한 바와 같은 소정의 패턴에서의 입상체(66)의 부착 및 배치를 할 수 있게 된다.

또, 분산퇴적법에 대해서는, 형광체 층(65)의 표면상에 소정의 패턴을 갖는 레지스트 마스크를 형성한 배면 기판(61)에 혼합유기용제의 표면에 부유한 입자(660)를 조용히 퇴적시키고, 이를 건조한 후에 리지스트 마스크를 제거함으로써 실시할 수 있다.

또한, 전착법에서는 입자(660)를 포함하는 전해 용액 중에서 배면 기판(61) 상에 형성된 Dat 전극(62)을 사용하여 배면 기판(61) 측에 전압을 인가한다. 이에 의해, 대전된 입자(660)는 형광체 층(65)의 표면상에서의 Dat 전극(62) 상의 위치로 끌어 당겨져서 고착한다. 이와 같은 방법에 의해서도 입상체(66)의 부착 및 배치를 할 수 있다.

(제 5 실시 예)

이어서, 제 5 실시 예의 PDP(5)의 구성에 대해서 도 9를 사용하여 설명한다.

1. PDP(5)의 구성

도 9 (a), (b)에 도시하는 바와 같이, 본 실시 예의 PDP(5)에서는 배면 패널(70)에서의 형광체 층(75)의 표면의 대략 전체 영역을 피복하는 상태로 형광체 피막(76)이 형성되어 있다. 또한, 이 형광체 피막(76)의 형성형태 이외의 구성부분에 대해서는 상기 제 1 ~ 4 실시 예의 각 PDP(1, 2, 3, 4)와 동일하다. 또, 상기에서 「대략 전체 영역을 피복하는 상태」는, 예를 들어 제조과정에서 발생하는 핀 홀이나 형성 편차 등을 허용하는 상태라는 취지이다.

본 실시 예의 PDP(5)에서는, 상기 제 1 ~ 4 실시 예의 각 PDP(1, 2, 3, 4)와 상이하게, 형광체 층(75)의 표면 전체를 피복하도록 형광체 피막(76)이 형성되어 있는 것이나, 상기 특허문헌 1의 MgO막과의 차이는 그 막 두께 t를 규정하고 있는 점에 있다. 즉, 특허문헌 1의 PDP에서는 막 두께를 규정하지 않고 형광체 층의 표면을 피복하도록 MgO막을 형성하고 있다. 그러므로 특허문헌 1의 PDP에서는, 상기 제 1 실시 예의 실험의 고찰과 같이, 발광효율이 실제로 적용할 수 없을 정도로 낮은 것이 된다.

이에 대해서, 본 실시 예의 PDP(5)에서는, 도 9 (b)의 확대부분에 도시하는 바와 같이, 막 두께 t를 1㎚ 이상 10㎚ 이하로 규정한 상태에서, 형광체 층(75)의 표면 전체를 피복하는 형광체 피막(76)을 형성하고 있다. 이와 같이 극히 얇은 형광체 피막(76)에서는 방전공간(30)에서 발생한 공명 선이나 분자 선이 막에서 거의 흡수되지 않고, 형광체 층(75)에 투과된다. 그러므로 PDP(5)에서는 패널의 발광효율이 크게 저하되지는 않는다.

PDP(5)에서의 형광체 피막(76)은 그 막 두께 t가 상기 수치범위로 극히 얇으나, 패널 구동시의 초기화기간 T₁에서 램프 파형의 펄스 인가시의 형광체 층(75) 측이 음극이 될 때의 방전개시전압은 상기 제 1 ~ 4 실시 예와 마찬가지로 감소 되어서, 약 방전의 안정적인 발생을 도모할 수 있다. 이와 같은 우위성은 발광효율의 향상을 위해서 방전가스 중에서의 Xe 분압을 5% 이상으로 높게 설정하는 경우에도 변함이 없다.

또한, 본 실시 예에서도 형광체 피막(76)의 형성에는, 상기 제 1 ~ 4 실시 예와 마찬가지로, 적어도 형광체 층(75)을 구성하는 형광체 재료보다도 2차 전자 방출계수 γ가 높은 재료를 사용할 필요가 있다. 예를 들어, 상기 열거한 재료 등을 사용할 수 있다.

2. 형광체 피막(76)의 형성방법

형광체 피막(76)의 형성에는 전자 빔 증착법이나 스퍼터링 법(sputtering method) 등을 채용할 수 있으나, 그 막 두께를 극히 얇은 범위 내로 규정하므로, 전자 빔 증착법을 사용하는 것이 특히 바람직하다.

전자 빔 증착법을 사용한 형광체 피막(76)의 형성은 이하와 같은 순서에 의해서 달성된다.

전자 빔 증착 장치 내에 MgO 등의 피막 재료를 넣고, 여기에 전자 빔을 조사한다. 전자 빔의 조사를 받은 피막 재료는 배면 기판(71) 상에 형성된 형광체 층(75)의 표면상에 증착된다. 이와 같이 하여 형광체 피막(76)의 형성이 이루어진다. 이 형성방법을 이용함으로써 형광체 피막(76) 형성시의 형광체 층(75) 표면에 대한 손상은 거의 없다. 그러므로 PDP(5)에서는 형광체 피막(76)의 형성에 의한 휘도의 저하를 발생시키지 않는다.

3. 형광체 피막(76)의 막 두께의 규정

본 실시 예의 PDP(5)에서는 형광체 피막(76)의 막 두께 t를 1㎚ 이상 10㎚ 이하로 규정하였으나, 이는 다음과 같은 이유에 의한 것이다.

형광체 피막(76)의 막 두께 t를 1㎚ 미만으로 한 경우에는, 형광체 피막의 형성에 의한 초기화기간 T₁에서의 안정적인 약 방전의 유지를 도모하기가 어려워진다. 즉, 막 두께가 1㎚ 미만의 형광체 피막에서는 초기화기간 T₁의 형광체 층(75) 측이 음극이 될 때의 방전개시전압을 감소시킬 수 없어서, 약 방전이 불안정하게 되며, 강한 방전을 발생시킬 수도 있다.

한편, 도 10에 도시하는 바와 같이, 형광체 피막(76)의 막 두께 t를 10㎚보다도 두껍게 한 경우에는 자외선 투과율이 약 83%보다도 작아져서, 형광체 피막에서 흡수되는 공명 선이나 분자 선의 양이 커진다. 그러므로 예를 들어 방전가스 중의 Xe 분압을 현재 상태의 5%에서 10% 정도까지 상승시킴으로써 얻어지는 휘도의 향상이 약 120% 정도이므로, 막 두께 t를 10㎚보다도 두껍게 설정함으로써 자외선 투과율이 83% 이하까지 저하되면 발광효율의 향상을 실질적으로 얻을 수 없게 된다. 따라서, 막 두께가 10㎚보다도 두꺼운 형광체 피막을 갖는 경우에는, 형광체 피막을 형성함에 따른 단점이 약 방전의 안정화라는 장점을 상쇄하게 되어 실제로 적용할 수 없게 된다.

또한, 상기 도 10은 BaMg₂Al₁₄O₂₄ : Eu(BAM) 형광체 재료로 이루어지는 형광체 층을 베이스로 할 때의 형광체 피막의 막 두께와 자외선 투과율과의 관계를 나타내는 것이나, 다른 형광체 재료로 이루어지는 형광체 층을 베이스로 할 때에도 동일한 결과를 얻을 수 있다.

또, 본 실시 예의 PDP(5)에서는 막 두께 t를 상기 수치범위 내로 규정한 상태에서, 형광체 층(75)의 표면 전체를 피복하도록 형광체 피막(76)을 형성하는 것 으로 하고 있으나, 여기에서의 막 두께 t의 규정은 반드시 전체 영역에서 균일한 두께로 할 필요는 없다. 또, 부분적으로 일부 영역에서 막 두께 t가 10㎚를 초과하는 개소를 갖는 경우에도 실효적으로 상기 수치범위 내로 그 막 두께 t가 1㎚ ~ 10㎚의 범위에 포함되어 있으면 동일한 효과를 얻을 수 있다. 특히, 실제의 형광체 층(75)의 표면은 요철을 갖는 것이므로, 입자와 입자 사이의 부분 등에서 국소적으로 막 두께 t가 10㎚를 초과하는 곳이 있어도 본 실시 예의 PDP(5)가 발휘하는 효과에 큰 영향을 미치는 것은 아니다.

(제 1 ~ 5 실시 예에 관한 기타 사항)

상기 제 1 ~ 5 실시 예는 본 발명의 구성 및 그로부터 얻어지는 효과에 대하여 알기 쉽게 설명하기 위해서 일례로 이용한 것이며, 본 발명은 이에 한정을 받는 것은 아니다. 예를 들어, 제 1 ~ 5 실시 예에서는 Scn 전극(121), Sus 전극(122), Dat 전극(22, 42, 52, 62, 72)의 3개의 전극을 사용하여 패널의 표시구동을 행하는 구성의 PDP를 일례로 하였으나, 배면 패널(20, 40, 50, 60, 70)에 제 4 전극, 제 5 전극을 설치해 두고, 초기화기간 T₁ ~ 유지기간 T₃에 적절히 이들 전극에 전압을 인가하는 것으로 해도 된다.

또, 제 1 ~ 5 실시 예의 각 PDP(1, 2, 3, 4, 5)에서는 배면 패널(20, 40, 50, 60, 70)에서의 격벽(24, 44, 54, 64, 74)을 Dat 전극(22, 42, 52, 62, 72)과 평행한 스트라이프 형상의 격벽으로 하였으나, 井자 형상이나 미앤더 형상(meander-like fashion)의 격벽을 채용할 수도 있다.

또, 상기 도 3의 인가 펄스의 파형도에 대해서도 다양한 변형 예를 적용할 수 있다. 예를 들어, 1 필드를 8개의 서브필드 SF1 ~ SF8로 분할하는 것이 아니라, 9개 이상의 서브필드로 분할하거나, 혹은 반대로 7개 이하의 서브필드로 분할하는 구동방법을 채용할 수도 있다.

또, 제 1 실시 예에서는 형광체 층(25)의 표면상에서의 형광체 피막(26)의 형성형태에 대해서, 도 1 및 도 2와 같이, 대략 규칙적으로 정렬한 상태로 하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 불규칙하게 형성된 것으로 할 수도 있다. 또, 도 2와 같은 반점 형상이 아니라 스트라이트 형상 등으로 할 수도 있다.

또한, 상기 실시 예에서의 PDP의 각 구성재료 혹은 형성방법 등에 대해서도 적절히 변경할 수 있다. 형광체 피막(26, 46, 76)의 형성방법이나 입상체(56, 66)의 부착 배치의 방법 등에 대해서도, 그 형성형태 및 사용하는 재료 등에 따라서 변경할 수 있다.

(제 6 실시 예)

이어서 제 6 실시 예의 PDP(6)에 대하여 설명한다.

1. PDP(6)의 전체 구성

도 11은 본 실시 예의 PDP(6)의 1화소를 구성하는 부분을 발췌하여 묘사한 요부 사시도(일부 단면도)이다. 도 12 (a)는 도 11의 D 방향에서 본 하나의 방전 셀의 확대도면이고, 도 12 (b)는 도 11에서의 전면 패널(10)을 가상적으로 제거하고, 배면 패널을 도 11의 E 방향에서 본 평면도이다. 또한, 본 실시 예의 PDP(6)의 구성은 배면 패널(80)을 제외하고는 상기 제 1 ~ 5 실시 예와 동일하므로 동일 부 분에 대해서는 반복 설명을 생략한다.

PDP(6)에서의 배면 패널(80)은 배면 기판(81)과, 당해 배면 기판(81)의 표면에 형성된 Dat 전극(82)과, 당해 Dat 전극(82)이 형성된 배면 기판(81)의 표면을 피복하도록 형성된 유전체 층(83)을 구비한다. 이 경우에서의 「표면」은, 상기 전면 패널(10)의 경우와 마찬가지로, 방전공간(30) 측에 위치하는 표면을 가리키며, 바꿔말하면, 방전공간(30)과 면하는 표면을 말한다. 구체적으로는 배면 기판(81)에서의 Z축 방향의 상측의 표면이 된다.

Dat 전극(82)은 화상데이터를 기록하기 위한 것이며, 방전 셀의 대략 중앙의 위치에서 상기 표시 전극 쌍(12)의 연장방향(extension direction)에 직교하는 방향(도 11에서는 Y축 방향)으로 스트라이프 형상으로 연장되어 있다. 또한, 배경기술 난에서도 설명하였으나, 표시 전극 쌍(12)과 Dat 전극(82)이 입체 교차하는 각 개소가 방전단위인 방전 셀이다.

도 11, 12에 도시하는 바와 같이, 배면 패널(80)에서의 유전체 층(83) 상에서 인접하는 방전공간(30)의 사이에는 격벽(84)이 Dat 전극(82)의 연장방향을 따라서 스트라이프 형상으로 형성되어 있다.

서로 인접하는 격벽(84)과 유전체 층(83)으로 구성되는 각 오목부의 안쪽 벽면에는 오목부별로 발광 색이 다른 형광체 층(85R, 85G, 85B)이 형성되어 있다. 또한, 이들 형광체 층(85R, 85G, 85B)의 표면의 일부 영역에는 고 γ부(86)가 형성되어 있다. 본 실시 예의 고 γ부(86)에 대해서도, 상기 제 1 ~ 5 실시 예와 마찬가지로, 2차 전자 방출계수 γ가 형광체 층(85R, 85G, 85B)보다도 크고, 또한 형광체 층(85R, 85G, 85B)의 구성재료와는 다른 재료에 의해서 구성되어 있다. 즉, 본 실시 예의 PDP(6)에서도 형광체 층(85R, 85G, 85B)의 각 표면에 대해 편재한 상태로 고 γ부(86)가 형성되어 있다.

고 γ부(86)는 상기 제 4 실시 예 등과 마찬가지로 형광체 층(85R, 85G, 85B)의 표면에 편재하여 형성되어 있다. 구체적으로는, 고 γ부(86)는 형광체 층(85R, 85G, 85B)의 표면에서 Dat 전극(82)의 표면 측에 상당하는 부분에서 편재되어 있다. 또한, 본 실시 예에서는, 확인 차원에서 후술하나, 고 γ부(86)는 상기 제 1 ~ 5 실시 예 등과 마찬가지로 MgO 입자에 의해 구성되어 있다. 그러므로 도 12 (a)에서는 편의상 고 γ부(86)를 입자 형상으로 나타내고 있다.

또한, PDP(6)의 표시 구동에 대해서는 상기 제 1 실시 예의 PDP(1)과 동일하므로 반복 설명을 생략한다.

2. 실시 예

상기 본 실시 예의 PDP(6)의 구성에 대해 구체적으로 설명한다. 또한, 여기에서의 설명은 하나의 예로, 본 발명은 본 실시 예에 한정되는 것은 아니다.

먼저, 전면 판(3)에 대하여 설명한다.

Scn 전극(121) 및 Sus 전극(122)을 구성하는 투명전극부(121a, 122a)는 ITO, SnO₂, ZnO 등으로 이루어지고, 또, 버스 라인(121b, 122b)은 Cr-Cu-Cr이나 Ag 등으로 형성되어 있다.

전면 패널(10)의 유전체 층(13)은 저 융점 유리에 의해 구성되어 있으며, 당 해 구성의 유리 페이스트를 사용하여 스크린 인쇄 등에 의해 표시 전극 쌍(12)이 형성된 전면 기판(11)의 표면을 피복하도록 도포되고, 그 후, 소성되어서 형성된다.

유전체 보호층(14)은 박막 프로세스 또는 인쇄법을 사용하여 형성되어 있고, 재료로는 전기절연성이며 투명한 MgO막이 통상 사용되며, 그 두께는 예를 들어 0.6㎛ 정도이다. 또한, 유전체 보호층(14)의 구성재료인 MgO는 2차 전자 방출계수가 높고, 투명하며, 내 스퍼터성이 우수하다.

다음에, 배면 패널(80)에서의 Dat 전극(82)은 Ag에 의해 형성되어 있다. Dat 전극(82)의 폭(도 11에서의 X축 방향의 사이즈)은 100㎛이다.

배면 패널(80)의 유전체 층(83)은 상기 전면 패널(10)의 유전체 층(13)과 마찬가지로, 저 융점 유리로 형성되어 있고, 형성방법도 동일한 방법을 채용할 수 있다.

격벽(84)은 저 융점 유리로 구성되어 있고, 유전체 층(83)의 표면에 상기 저 융점 유리로 이루어지는 페이스트를 도포·소성한 후, Dat 전극(82)의 연장방향에 따른 방전공간(30)에 맞춰서 스트라이프 형상의 패턴으로 샌드 블라스트 법(sand blast method)이나 포토 리소그래피 법(photolithography method) 등에 의해 리브 형상으로 형성된다.

형광체 층(85R, 85G, 85B)은 그 발광 색이 각각 적색, 녹색, 청색의 3색이며, (Y, Gd)BO₃ : Eu, Zn₂SiO₄ : Mn 및 BaMg₂Al₁₄O₂₄ : Eu 등의 형광체를 포함하여 형 성되어 있다. 형광체 층(85R, 85G, 85B)은 상기 격벽(84)의 측면과 유전체 층(83)의 표면상에서 격벽(84)이 형성되어 있지 않은 부분에 대해서 상기 형광체의 발광 색 별로 인쇄 도포하고, 소성 공정을 행함으로써, 유전체 층(83)과 격벽(84)으로 구성되는 오목부의 표면에 형성된다.

고 γ부(86)는 형광체 층(85R, 85G, 85B)의 구성재료와는 다른 재료이며, 또한 높은 2차 전자 방출계수 γ를 갖는 금속산화물 재료를 사용하여 형성된다. 사용되는 금속산화물 재료는, 상기 제 1 ~ 5 실시 예 등과 마찬가지로, 예를 들어 MgO이며, 입자 직경이 0.05㎛ ~ 1㎛의 범위 내에 있는 입자가, Dat 전극(82)의 표면상에 대응하는 부분에 그 두께가 1㎛가 되도록 형성되어 있다. 또한, 본 실시 예에서의 고 γ부(86)의 형성방법에 대해서는 이후에 상세하게 설명한다.

또, 방전가스에 사용되는 희 가스로는, 예를 들어 크세논·네온을 포함하는 희 가스가 사용되고, 이들이 약 60㎪의 압력으로 봉입되어 있다. 또한, 방전가스의 전체 압력에 대한 Xe 분압 비율은 15%이다.

4. 고 γ부(86)의 형성방법

먼저, 고 γ부(86)의 형성방법의 개략을 설명하면, 고 γ부(86)를 구성하는 재료, 즉 2차 전자 방출계수 γ가 형광체 층(85)(이하에서는 부호 '85R, 85G, 85B'를 합쳐서 부호 '85'로 기재한다)보다도 크고, 또한 형광체 층(85)의 구성재료와는 다른 재료를 대전시켜서, 이 대전한 재료를 정전력에 의해서 Dat 전극(82)의 상방에 집적함으로써 고 γ부(86)를 형성한다(이 방법을 「전압인가 입자 산포 집적법(voltage-applied particle dispersion accumulation method)」이라고 한다).

즉, 고 γ부(86)는, 당해 고 γ부(86)를 형성하는 재료인 금속입자를 대전시키는 대전공정과, Dat 전극(82)을 대전하는 금속입자보다 낮은 전위로 함으로써 형광체 층(85)의 표면에서 Dat 전극(82)의 상방에 상당하는 부분에 정전력에 의해서 금속입자를 집적하는 집적공정을 거쳐서 형성된다. 구체적인 형성방법에 대해서 도 13을 사용하여 설명한다. 도 13은 고 γ부(86)의 형성방법을 설명하기 위한 개략도이다.

이하, 고 γ부(86)를 구성하는 재료로 MgO(입자)를 사용한 예에 의해 설명한다.

도 13(a)에 도시하는 바와 같이, 격벽(84)이 형성된 배면 패널(80)용의 판(80a)(이 판에 고 γ부(86)를 형성하여 배면 패널(80)이 완성(즉, 배면 판이 완성되는 전단계이다)되므로 이 판을 「전단계 배면 패널」이라고 한다)을 준비하고, 배면 기판(81)의 주 면이 대략 수평이며 형광체 층(85)이 상측이 되도록 배치한다. 이 전단계 배면 패널(80a)은 상기 구성의 난에서 설명한 배면 기판(81), Dat 전극(82), 유전체 층(83) 및 격벽(84)을 구비하는 동시에, 격벽(84)의 측면 및 유전체 층(83)의 표면에서 격벽(84)이 형성되어 있는 부분을 제외한 부분에 형광체 층(85)이 형성되어 있는 것이다.

고 γ부(86)의 형성은 도 13 (b)에 도시한 입자 산포장치(510)를 이용하여 행해진다. 이 입자 산포장치(510)는, 입자 산포용기(511)와, MgO 입자(670)를 저장하는 저장용기(512)와, 저장용기(512) 내의 MgO 입자를 대전시키는 대전수단(514)과, 저장용기(512) 내에서 대전된 MgO 입자(670)를 입자 산포용기(511) 내에 산포 하는 산포수단과, 산포된 MgO 입자(671)를 집적하기 위해서 전단계 배면 패널(80a)의 Dat 전극(82)에 원하는 전압을 인가하는 인가수단(514)을 구비한다.

여기서 저장용기(512)는 입자 산포용기(511)의 상부 벽(511a)의 외 측에 배치되어 있고, 산포수단은 저장용기(512)의 내부와 입자 산포용기(511)의 내부를 연통시키는 노즐(513)과 저장용기(512) 내에 질소가스나 공기 등의 압축가스를 유입하는 유입수단(도시생략)에 의해 구성된다.

또, 대전수단은, 도 13 (b)에 도시한 바와 같이, 저장용기(512) 및 노즐(513)에 소정의 전압을 인가함으로써 저장용기(512) 내 및 노즐(513) 내의 MgO 입자(670)를 대전시킨다. 저장용기(512) 및 노즐(513)에 대한 전압의 인가는 고전압 직류 전원장치(514)에 의해 행해진다. 또한, Dat 전극(82)에 대한 전압의 인가도 상기 고전압 직류 전원장치(514)에 의해 행해진다.

상기 구성의 입자 산포장치(510)를 사용한 고 γ부(86)의 형성방법의 구체 예에 대하여 설명한다.

도 13 (b)에 도시한 바와 같이, 먼저 입자 산포용기(511)의 상부 벽(511a) 상의 저장용기(512)에, 예를 들어 직경 0.05㎛ ~ 1㎛의 MgO 입자(670)를 소정 양 넣는다. 그리고 MgO 입자(670)를 저장하는 저장용기(512)나 노즐(513)에 고전압 직류 전원장치(514)에 의해 수천V ~ 만V의 양의 전압(+V1)을 인가하여 MgO 입자(670)를 대전시킨다.

한편, 전단계 배면 패널(80a)의 Dat 전극(82)에는, 고전압 직류 전원장치(514)에 의해서, MgO 입자(670)를 대전시키기 위해서 인가한 극성과 반대인 음의 일정 크기의 전압(-V2)으로, 예를 들어 -100V ~ 0V를 인가한다.

그리고 압축가스를 저장용기(512)의 내부에 유입시켜서 대전한 MgO 입자(670)를 노즐(513)로부터 방출하여 산포한다. 이에 의해 양으로 대전되어 산포된 MgO 입자(671)가 하방을 향해서 낙하해 간다.

그 후, 압축가스의 유입을 정지시키며, 양으로 대전되어 산포된 MgO 입자(671)는 자연낙하하면서 음의 일정 크기의 전압이 인가된 Dat 전극(82)에 의한 정전력에 의해서 흡인되고, 이어서 흡인되어 있는 MgO 입자(671)는 전단계 배면 패널(80a)의 형광체 층(85)의 표면에서 Dat 전극(82)의 상방에 상당하는 부분에 퇴적되어 간다. 이에 의해서, 도 13 (c)와 같이, MgO 입자(670, 671)로 이루어지는 고 γ부(86)가 형광체 층(85)의 표면상에 편재되어 형성된다.

상기 전압인가 입자 산포 집적법에 의한 고 γ부(86)의 형성에서는, 대전상태의 MgO 입자(671)는 정전력에 의해 Dat 전극(82)에 흡인되어서 Dat 전극(82)의 상부에 상당하는 부분(전극부분을 포함한다)에 퇴적되고, Dat 전극(82)으로부터 떨어진 부분에는 MgO 입자(671)가 부착되지 않으므로, 정밀도 좋게 원하는 범위에 고 γ부(86)를 형성할 수 있는(고 γ부(86)를 편재하여 형성시킬 수 있다) 동시에, 대략 균일한 두께로 형성할 수 있으며, 더 나아가 원하는 밀도로 고 γ부(86)를 형성할 수 있다.

한편, 고 γ부(86)의 두께는 Dat 전극(82)에 인가하는 전압 값 및 대전된 MgO 입자(671)의 산포 양에 의해서 결정할 수 있으므로, 본 실시 예의 방법을 이용하는 경우에는 고 γ부(86)의 두께 관리를 용이하게 행할 수 있다. 또한, 도 13 (c)에 도시한 바와 같이, 전단계 배면 패널(80a)의 형광체 층(85)의 표면의 Dat 전극(82)의 상방에 대응하는 부분에 절연물 재료인 MgO 입자(671)가, 대략 균일하면서도 원하는 면 밀도로, 정전력에 의해서 집적되어서, 도 11 및 도 13 (c)에 도시한 바와 같은 고 γ부(86)를 형성할 수 있다.

또한, 형광체 층(85)의 표면에 고 γ부(86)를 편재하여 형성하고자 할 때, 종래의 방법에서는, 예를 들어 전자 빔 증착법에 의해 형광체 층 표면의 전체에 MgO막을 형성하고, 그 후, 형성한 MgO막을 에칭 등에 의해 원하는 패턴으로 가공하여야 하였다. 그러나 본 실시 예의 형성방법에서는 MgO 입자(670)를 대전시키고, Dat 전극(82)에 전압을 인가하는 것만으로 형성할 수 있으므로, 종래의 방법에 비해서 극히 간단하고도 고 정밀도로 고 γ부(86)를 형성할 수 있다.

상기 전압인가 입자 산포 집적법에서는, 입자 산포장치(510)의 입자 산포용기(511) 등의 형상, 압축가스의 유입량 및 유입속도, 저장용기(512)에 충전하는 MgO 입자(670)의 양, MgO 입자(670)에 인가하는 전압 값 등의 다양한 조건을 적절하게 설정함으로써 고 γ부(86)의 두께를 더 균일한 상태로 퇴적시킬 수 있다. 또, 상기에서 전압인가 입자 산포 집적법이라고 부르는 것으로 하였으나, 구성 재료를 대전시켜서 정전력에 의해 Dat 전극(82)의 상방에 퇴적시키는 방법이라면 어떠한 호칭의 방법이라도 좋다.

4. 평가실험

상술한 방법으로 실시 예의 고 γ부(86)를 형성하여 이루어지는 PDP(6)를 제작하고, 당해 PDP를 사용하여 화면의 표시시험을 행하였다. 시험의 내용은, 초기화 기간 T₁에, 전압-시간 추이가 완만하게 경사져서 상승 또는 하강하는 램프 파형의 전압을 전면 패널(10) 측의 Scn 전극(121)과 Dat 전극(82)의 사이에 인가하고, 기록기간 T₂에, 기록 패널의 인가의 유무에 의해 방전 셀의 선택을 행하며, 유지기간 T₃에, 선택된 방전 셀에서의 방전을 실행하여 의도한 화상표시가 행해지고 있는가 여부를 확인하는 것이다.

실험결과에 의하면, 본 실시 예의 PDP(6)에서는, 초기화기간 T₁에서 형광체 층(85) 측이 음극이 되는 방전이라도 초기화 휘점의 발생이 감소하고, 또 휘도의 저하를 억제할 수 있었다. 그리고 결과적으로 발광효율의 저하는 형광체 층의 표면에 고 γ부(86)(MgO막)가 없는 경우에 대해서 약 5%로 억제되었다.

이에 대해서, 형광체 층(85) 및 격벽(84)의 방전공간(30)과 면하는 부분 전체에 MgO로 이루어지는 피막(고 γ부에 상당)(746)을 형성한 종래의 PDP(도 26 (b)에 도시한 구성)에서도 초기화기간 T₁에서 형광체 층(725) 측이 음극이 되는 방전이라도 초기화 휘점의 발생이 감소하였으나, 형광체 층(725)의 전체 표면에 부착된 피막(746)에 의해서 공명 선을 포함하는 진공 자외선이 흡수되므로 휘도 저하가 크다. 그리고 결과적으로 발광효율은 형광체 층에 피막(746)이 없는 경우에 대해 약 1/10로 급감하였다.

이는 고 γ부(86)가, 2차 전자 방출계수 γ가 형광체 층(85)보다도 크고, 또한 형광체 층(85)의 구성재료와는 다른 재료에 의해서 형광체 층(85)의 표면에서 Dat 전극(82)의 상방에 상당하는 부분에만 편재하여 형성되어 있으므로, 초기화기간 T₁에서 이 고 γ부(86)로부터 2차 전자가 방출된다. 이에 의해서, 램프 파형 전압의 인가시에 형광체 층(85) 측이 음극이 될 때의 방전지연이 감소하여 약 방전이 안정하게 일어나기 쉬워진 것으로 생각된다.

또한, 고 γ부(86)는 Dat 전극(82)의 상방에 상당하는 부분에만 편재하여 형성되어 있으므로, 형광체 층(85)에서의 고 γ부(86)가 형성되어 있지 않은 부분이 방전공간(30)과 직접 면하게 되어서, 휘도의 저하를 적게 할 수 있어서, 결과적으로 발광효율의 저하를 적게 할 수 있었다고 생각된다.

5. 기타

상기에서 설명한 고 γ부(86)는, 형광체 층(85)의 표면에서 Dat 전극(82)의 표면에 상당하는 부분을 피복하도록 전체 범위에 형성하는 것으로 하였으나, 상기 영역의 전체 범위에 고 γ부(86)를 형성하고 있지 않아도 된다. 이하, Dat 전극(82)의 표면에 상당하는 부분의 전체 범위에 형성되어 있지 않은 예인, 제 1 실시 예의 제 1 변형 예에 대하여 설명한다.

(1) 구성

여기에서는, 고 γ부(1086)(의 크기)와 형광체 층(1085)의 형성범위 이외에는 상기 제 6 실시 예와 동일하므로, 고 γ부(1086) 및 형광체 층(1085) 이외의 부분에 대해서는 상기 제 6 실시 예와 동일한 부호를 사용한다. 또, 도 14는 PDP의 표시 면(전면 패널의 전면 기판(11)에서의 방전공간(30)과 반대 측에 위치하는 면)과 직교하는 방향에서 하나의 방전 셀을 본 도면이다.

고 γ부(1086)는, 도 14에 도시하는 바와 같이, 표시 전극 쌍(12)의 Scn 전극(121)과 Dat 전극(1082)이 입체적으로 교차하고 있는 형광체 층(1085)의 표면에 형성되어 있다. 즉, 전면 패널의 주 면과 직교하는 방향에서 당해 전면 패널 측을 본 때(도 14가 된다)에, 형광체 층(1085)의 표면에서 Dat 전극(1082)의 상방(전면 패널 측)에 상당하는 영역과 전면 패널의 Scn 전극(121)의 하방(배면 패널 (1080) 측)에 상당하는 영역이 중첩되는 부분(본 발명의 「상기 Dat 전극과 상기 표시 전극 쌍이 입체적으로 교차하는 영역에 상당하는 부분」이다)에 형성되어 있다.

또한, 고 γ부(1086)를 구성하는 재료는 상기 제 6 실시 예 등과 동일하며, 2차 전자 방출계수 γ가 형광체 층(1085)의 구성재료보다도 크고, 또한 형광체 층(1085)의 구성재료와는 다른 재료(MgO)이다. 또, 형광체 층(1085)은 본 제 1 변형 예에서는 유전체 층(1083)의 표면에서 격벽(1084)이 형성되어 있지 않은 부분에 형성되어 있으며, 격벽(1084)의 측면에는 형성되어 있지 않다(도 14를 참조).

(2) 형성방법

본 변형 예의 고 γ부(1086)의 형성방법에 대해서 도 15를 사용하여 설명한다. 도 15는 제 1 변형 예의 고 γ부의 형성상태를 나타내는 도면이다.

도 15에 도시하는 바와 같이, 본 제 1 변형 예에서의 고 γ부(1086)의 형성은 상기 제 6 실시 예에서의 전압인가 입자 산포 집적법을 사용하여 행해진다. 본 제 1 변형 예에서는 고 γ부(1086)를 Dat 전극(1082)과 Scn 전극(121)이 입체적으 로 교차하는 부분에 상당하는 부분에 형성되어 있으므로, 여기서 설명하는 입자 산포장치(550)는 고 γ부(1086)를 선택적으로 형성하기 위한 선택수단(555)을 구비하고 있는 점에서 상기 제 1 실시 예에서의 입자 산포장치(510)와 다르다.

본 제 1 변형 예에서의 입자 산포장치(550)는 입자 산포용기(551)와, MgO 입자(680)를 저장하는 저장용기(552)와, 저장용기(552) 내의 MgO 입자(680)를 대전시키는 대전수단(554)과, 저장용기(552) 내에서 대전된 MgO 입자(680)를 입자 산포용기(551) 내에 산포하는 산포수단과, 산포된 MgO 입자(681)를 집적하기 위해서 전단계 배면 패널(1080a)의 Dat 전극(1082)에 원하는 전압을 인가하는 인가수단(554)과 고 γ부(1086)를 선택적으로 형성하기 위한 선택수단(555)을 구비한다.

선택수단(555)은 고 γ부(86)의 형성부분에 상당하는 부분에 관통 공(556)을 갖는 마스크(557)에 의해 구성된다. 그리고 대전상태에서의 MgO 입자(680)가 노즐(553)로부터 산포되면, 대전 되어 산포된 MgO 입자(681)가 마스크(557)의 관통 공(556)을 통해서 관통 공(556)의 개구 부분에 대응하는 원하는 범위에 퇴적된다. 이에 의해, 고 γ부(1086)는 전단계 배면 패널(1080a)의 Dat 전극(1082)에 대응하는 범위이면서, 또한 전면 패널(10)의 Scn 전극(121)의 배면 패널(1080) 측에 대응하는 부분에만 부분적으로 편재하여 형성된다.

여기서 설명한 형성방법에 의하면, 선택수단(555)을 사용함으로써 고 γ부(1086)를 부분적으로 편재한 상태로 용이하게 형성할 수 있다.

(3) 실험결과

상기 제 1 변형 예에서의 PDP에 대해서도 상기 제 6 실시 예와 마찬가지로 평가시험을 행하였다. 이 실험에 의하면, 본 제 1 변형 예에서의 PDP는, 초기화기간 T₁에서 형광체 층(1085) 측이 음극이 되는 방전이라도 초기화 휘점의 발생이 감소하고, 또한, 휘도의 저하를 억제할 수 있어서, 형광체 층 및 격벽의 방전공간 측 부분 전체에 고 γ부인 피막(746)을 형성한 종래의 PDP(도 26 (b)에 도시한 구성)의 발광효율보다도 높은 발광효율을 얻을 수 있었다.

이는, 본 변형 예의 고 γ부(1086)가 2차 전자 방출계수 γ가 형광체 층(1086)보다도 크고 또한 형광체 층(1085)의 구성재료와는 다른 재료에 의해서, Dat 전극(1082)의 상방만으로서 Scn 전극(121)의 하방인 부분에만 편재하여 형성되어 있으므로, 초기화기간 T₁에서의 램프 파형 전압의 인가시에 Dat 전극(1082)의 상방이면서 Scn 전극(121)의 하방인 부분에만 형성된 고 γ부(1086)로부터 2차 전자가 효율적으로 방출되어, 형광체 층(1085) 측이 음극이 될 때의 방전개시전압이 저하됨으로써, 약 방전이 안정하게 일어나기 쉬워져서, 초기화 휘점의 발생이 억제된 것으로 생각된다.

또, 고 γ부(1086)는 Dat 전극(1082)의 상방만이면서 Scn 전극(121)의 하방인 부분에만 편재하고 있다. 즉, 형광체 층(1085)은 고 γ부(1086)가 형성되어 있지 않은 부분의 면적이 제 6 실시 예보다도 넓어져서, 그만큼 넓은 범위에서 방전공간(30)과 직접 면함으로써 제 6 실시 예에 비해서 발광효율의 저하를 억제할 수 있었던 것으로 생각된다.

(제 7 실시 예)

상기 제 6 실시 예의 격벽(84)은 Dat 전극(82)의 연장방향에 따라서 스트라이프 형상으로 형성되어 있었으나, 본 실시 예에서는 이른바 井자 형상으로 형성되어 있다.

1. 구성

도 16은 PDP(1006)에서의 1화소를 구성하는 부분을 발췌하여, 격벽의 형상을 알 수 있도록 전면 판의 일부를 절개하여 묘사한 사시도이다. 도 17 (a)는 도 16의 G-G선에서의 단면도로서 화살표 방향으로 본 도면이며, (b)는 하나의 방전 셀 부분을 F방향을 향해서 본 도면이며, 도 17 (b)에서 고 γ부(1186)는 그물망 형상으로 나타내고 있다. 또한, 여기에서도 상기 제 6 실시 예와 구조가 동일한 부분 및 부재에 대해서는 동일한 부호를 사용한다.

도 16에 도시하는 바와 같이, 전면 패널(10)은, 상기 제 6 실시 예와 마찬가지로, 전면 기판(11), 표시 전극 쌍(12), 유전체 층(13), 유전체 보호층(14)을 구비한다. 또, 표시 전극 쌍(12)은 Scn 전극(121)과 Sus 전극(122)을 구비한다.

배면 패널(1180)은, 도 16 및 도 17 (b)에 도시한 바와 같이, 배면 기판(1181), Dat 전극(1182), 유전체 층(1183), 형광체 층(1185R, 1185G, 1185B), 격벽(1184(1184a, 1184b)) 및 고 γ부(1186)를 구비한다. 여기서, 본 실시 예에서는 상기 제 6 실시 예에 대해 격벽(1184)의 형상 및 고 γ부(1186)가 형성되는 형광체 층(1185R, 1185G, 1185B)의 형상이 다르다.

또한, 전면 패널(10)과 배면 패널(1180)의 접착은 전면 패널(10)의 표시 전극 쌍(12)과 배면 패널(1180)의 Dat 전극(1182)이 입체적으로 직교하도록 이루어져 있다.

격벽(1184)은, 도 16 및 도 17에 도시한 바와 같이, 각 방전공간(30)의 주위를 둘러싸도록 井자 형상을 하고 있고, 상기 제 6 실시 예와 마찬가지로, 유전체 층(1183) 상에 형성되며, 인접하는 방전공간(30)과 방전공간(30) 사이를 구획하고 있다. 또한, 격벽(1184)은, 도 17 (b)에 도시한 바와 같이, 4개의 격벽요소(1184a, 1184b)로 구성되어 있다.

또한, 井자 형상의 격벽(1184)의 형성은, 재료로 저 융점 유리를 도포 소성하고, 방전 셀의 복수 개의 배열을 행 및 열을 구분하는 井자 형상의 패턴으로 샌드 블라스트 법이나 포토 리소그래피 법 등의 방법을 사용하여, 격벽(1184)을 리브 형상으로 형성한다.

한편, 형광체 층(1185R, 1185G, 1185B)(편의상, 부호 '1185B'에 대해서는 도시생략)은 유전체 층(1183)의 표면 중 격벽(1184)이 형성되어 있지 않은 부분과 격벽(1184)의 측면에 형성되어 있다. 그러므로 형광체 층(1185R, 1185G, 1185B)은 유전체 층(1183) 상에 형성된 바닥부분과 격벽(1184)의 측면에서 상기 바닥부분으로 경사진 형상으로 형성된 경사부를 갖는다.

전면 패널(10)의 표시 전극 쌍(12)과 배면 패널(1180)의 격벽(1184)과의 위치관계는 다양하게 채용할 수 있으나, 표시 전극 쌍(12)과 격벽(1184)이 근접하는 경우, 표시 전극 쌍(12)의 하방 측에 위치하는 부분의 형광체 층(1185R, 1185G, 1185B)은 상기 경사부와 당해 경사부에서 일부의 바닥부분에 걸친 부분이 된다.

그리고 고 γ부(1186)는, 도 17 (a), (b)에 도시한 바와 같이, 형광체 층 (1185B)의 표면으로서, Dat 전극(1182)의 상방에 상당하는 영역과 Scn 전극(121)의 하방에 상당하는 영역이 입체적으로 교차하는 부분(평면적으로 볼 때, Dat 전극(1182)과 Scn 전극(121)이 중첩되는 부분)에 형성되어 있다.

도 17 (b)에 도시한 바와 같이, 특히 형광체 층 1185B는, 상술한 바와 같이, 격벽(1184)에 가까운 개소에서는 경사진 형상으로 되어 있으므로, 형광체 층(1185B)에서의 Scn 전극(121)의 외 측(Dat 전극(1182)의 연장방향에서 Sus 전극(122)의 반대 측)에 위치하는 격벽(1184b)의 측면에 형성된 경사부와 당해 경사부에서 일부의 바닥부분에 걸친 부분에 형성되어 있다.

고 γ부(1186)는 상기 제 6 실시 예와 마찬가지로 MgO 입자에 의해 형성되며, 이 형성에는 상기 제 6 실시 예와 동일한 전압인가 입자 산포 집적법을 사용하고 있다. 또한, 고 γ부(1186)는 형광체 층(1185R, 1185G, 1185B)의 표면상에 부분적으로 형성되므로, 상기 제 1 변형 예에서 사용한 선택수단(555) 등을 사용할 필요가 있다.

본 실시 예와 같이, Scn 전극(121)과 Dat 전극(1182) 사이의 형광체 층(1185R, 1185G, 1185B)의 표면이 경사져 있는 경우에는, 초기화기간 T₁에서의 방전이 외관상으로는 Scn 전극(121)과 형광체 층 1185R, 1185G, 1185B의 경사부의 표면 부근의 사이에서 발생한다. 그러므로 방전이 발생하고 있는 형광체 층(1185R, 1185G, 1185B)의 경사부 및 당해 경사부에서 바닥부분에 걸친 부분에 고 γ부(1186)가 있으면, 고 γ부(1186)로부터 방출된 2차 전자가 유효하게 작용하여 방 전개시전압을 효과적으로 낮출 수 있다.

(제 8 실시 예)

상기 제 6 실시 예 및 제 7 실시 예에서의 고 γ부(86, 1186)는 전압인가 입자 산포 집적법에 의해 형성하고 있으나, 다른 형성방법에 의해서도 형성할 수 있다. 본 제 8 실시 예에서는 증착법을 이용하여 고 γ부(86, 1186)를 형성하는 경우에 대하여 설명한다. 또한, 여기에서는 제 6 실시 예에서의 전단계 배면 패널(80a)에 고 γ부(86)를 형성하는 경우에 대하여 설명한다.

이 고 γ부(86)는 MgO를 적어도 포함하는 재료에 의해서, 증착법, 예를 들어 전자 빔 증착법에 의해 전자 빔 증착 장치 내에서 타깃인 MgO에 전자 빔을 조사함으로써, 예를 들어 막 두께가 10㎚ ~ 1㎛의 MgO로 이루어지는 피막이 Dat 전극(82)의 상방에만 증착되어 형성된다.

그러면, 전자 빔 증착법에 의한 고 γ부(86)의 형성방법에 대하여 이하에서 설명한다.

도 18은 본 제 8 실시 예의 고 γ부(86)의 형성방법을 설명하기 위한 개략도이다. 고 γ부(86)의 형성방법은, 증착 장치(560) 내에서 전단계 배면 패널(80a)의 Dat 전극(82)에 음 전위 혹은 접지 전위를 부여해 두고, 증착 장치(560) 내의 전단계 배면 패널(80a)의 하방에서 RF 플라스마(563)를 발생시켜 둔다.

이 상태에서 전자총(567)에 의해서 전자 빔(569)을 타깃인 MgO(690)에 조사하여 비산(飛散)시킨다. 이 비산하는 MgO 입자(691)는 상기 RF 플라스마(563) 중에서 양의 전위로 대전하고, 그 후, 음 전위 혹은 접지 전위의 Dat 전극(82)에 흡인 되어서, 형광체 층(85)의 표면이면서 Dat 전극(82)의 표면 측에 상당하는 부분에 집적되어 퇴적된다.

이와 같이 고 γ부(86)는, 전자총(567)에 의해 전자 빔(569)을 타깃인 MgO(690)에 조사하여 증착시켜서, RF 플라스마 중에서 양으로 대전된 MgO 입자(691)가 고전압 직류 전원장치(인가수단)(692)에 의해서 적어도 음 전위 혹은 접지 전위로 부여된 Dat 전극(82)에 흡인되어서 증착하므로, 간단한 방법으로 형성할 수 있는 동시에 박막으로 이루어지는 고 γ부(86)를 효율 좋게 형성할 수 있다.

또한, 상기 형성방법으로 형성된 고 γ부(86)를 갖는 PDP에 대해서도 제 6 실시 예와 동일한 시험을 행하였다.

이 실험에 사용한 PDP는, 방전 셀의 배면 판에서, 형광체 층(85) 표면의 Dat 전극(82)의 상방에만 존재하도록, 2차 전자 방출계수 γ가 형광체 층(85)의 구성재료보다도 큰 MgO 재료를 RF 플라스마(563) 중에서 대전시키면서 전자 빔 증착을 하는 전자 빔 증착법에 의해서 증착함으로써, 예를 들어 고 γ부(86)를 막 두께 약 0.5㎛로 형성하며, 그 외에는 제 6 실시 예의 실험과 동일하게 하여 제작되어 있다.

본 실험에 의해서, 상기 제 6 실시 예와 마찬가지로 초기화기간 T₁에서 약 방전이 항상 안정되게 일어나서, 초기화 휘점의 발생이 감소하고, 또한 휘도의 저하가 최소한으로 억제되는 것을 확인할 수 있었다.

이상, 본 발명의 구성상 및 작용·효과 면에서의 특징을 각 실시 예에 의거 하여 설명하였으나, 본 발명의 내용이 상기 각 실시 예에 제시된 구체 예에 한정되지 않음은 물론이며, 예를 들어 이하와 같은 변형 예도 실시할 수 있다.

1. 고 γ부

(1) 형성범위에 대하여

제 6, 7 실시 예 및 제 1 변형 예에서의 고 γ부(86, 1086, 1186)는 형광체 층(85, 1085, 1185)의 표면 중에서 Dat 전극(82, 1082, 1182)의 표면에 상당하는 부분에만 형성되어 있었으나, Dat 전극(82, 1082, 1182)의 표면에 상당하는 부분 이외에 고 γ부(86, 1086, 1186)가 형성되어 있어도 된다. 또한, 「데이터 전극의 표면에 상당하는 부분에만」에는 고 γ부(86, 1086, 1186)의 형성범위가 Dat 전극(82, 1082, 1182)의 표면에 상당하는 부분이 약간 튀어나오게 형성되어 있는 경우도 포함하고 있다.

즉, 고 γ부(86, 1086, 1186)는, Dat 전극(82, 1082, 1182)의 표면 측에 상당하는 부분을 포함하는 범위에 두께가 불균일한 고 γ부(86, 1086, 1186)가 형성되어 있는 경우, 그 두께가 가장 두꺼운 부분의 위치가 Dat 전극(82, 1082, 1182)의 표면 측에 상당하는 부분 내에 있도록 편재하여 있으면 된다.

다만, 이 경우, Dat 전극(82, 1082, 1182)의 표면에 상당하는 부분 이외에서는 고 γ부(86, 1086, 1186)의 두께를, 방전가스 등에서 발생하는, 예를 들어 공명 선이 거의 흡수되지 않을 정도의 두께로 할 필요가 있다. 구체적으로는, 이 두께는 평균으로 0.5㎛ 이하이다.

또, 제 6, 7 실시 예 및 제 1 변형 예에서의 고 γ부(86, 1086, 1186)는, 형 광체 층(85, 1085, 1185)의 표면으로서, Dat 전극(82, 1082, 1182)의 표면에 상당하는 부분, 혹은 Dat 전극(82, 1082, 1182)의 상방(전면 패널(10) 측)에 위치하는 부분과 Scn 전극(121)의 하방(배면 패널(80, 1080, 1180) 측)에 위치하는 부분의 중첩부분(이 부분을 「데이터 전극과 주사 전극의 중첩부분」이라고 한다)에 균일하게 형성되어 있었으나, 불균일해도 된다. 예를 들어, Dat 전극(82, 1082, 1182)의 표면 측에 상당하는 부분, 또는 Dat 전극(82, 1082, 1182)과 Scn 전극(121)의 중첩부분 내에 고 γ부(86, 1086, 1186)가 형성되어 있지 않은 부분이 있어도 된다(즉, 고 γ부(86, 1086, 1186)가 섬 형상으로 편재하여 있어도 좋다). 더 나아가서는, Dat 전극(82, 1082, 1182)의 표면 측에 상당하는 부분, 또는 Dat 전극(82, 1082, 1182)과 Scn 전극(121)의 중첩부분(입체교차부분)의 대략 중앙에서 고 γ부(86, 1086, 1186)의 두께가 최대가 되도록 편재해도 된다.

또, 형성범위에 대해서 다른 말로 표현하면, 고 γ부(86, 1086, 1186)는, Dat 전극(82, 1082, 1182)의 표면 측에 상당하는 부분에서는 형광체 층(85, 1085, 1185)을 피복하는 피복률이 Dat 전극(82, 1082, 1182)의 표면 측에 상당하는 부분보다도 크게 되어 있다. 즉, Dat 전극(82, 1082, 1182)의 표면 측에 상당하는 부분에 집중하여 형성되어 있게 된다.

(2) 재료에 대하여

상기 각 제 6 ~ 8 실시 예 및 제 1 변형 예에서는 고 γ부(86, 1086, 1186)의 구성재료로 MgO를 사용하였으나, 다른 재료를 사용할 수도 있다. 예를 들어, 다른 재료로서 이용할 수 있는 것으로는 MgO, CaO, BaO, SrO, MgNO 및 ZnO 중 적어도 1종을 포함한 금속산화물 재료, 절연체로서의 CNT(카본 나노튜브) 등의 나노 섬유, C60 등의 풀러린 및 AlN(질화알루미늄) 등의 재료 중 적어도 1종을 포함하는 절연물 재료를 사용할 수 있다. 이들에는 다른 재료나 불순물 재료도 포함되어 있어도 된다.

또, 상기에서 고 γ부(86, 1086, 1186)는 절연물 재료인 MgO 입자(670, 680, 690)를 이용하여 설명하였으나, 다른 입자로 Pt(백금), Au(금), Pd(팔라듐), Mg(마그네슘), Ta(탄탈), W(텅스텐) 및 Ni(니켈) 중 적어도 1종을 포함하는 금속재료로 이루어지는 입자를 이용해도 마찬가지로 실시할 수 있다. 이들 입자 군은 일 함수(work function)의 값이 작아서 2차 전자 방출계수 γ가 형광체 층보다도 큰 값을 가지며, 산화되기 어려운 금속입자로, 초기화기간 T₁에서 형광체 층(85, 1085, 1185) 측이 음극이 될 때의 방전개시전압을 낮출 수 있어서, 약 방전을 안정하게 일으켜서, 초기화 휘점의 발생을 억제할 수 있다.

2. 전압인가 입자 산포 집적법에 대하여

상기 제 6 ~ 8 실시 예 및 제 1 변형 예에서 고 γ부(86, 1086, 1186)를 형성하는 공정은, 고 γ부(86, 1086, 1186)를 형성하기 위한 재료를 양으로 대전하고, Dat 전극(82, 1082, 1182)에 음의 전압을 인가하는 것으로 하여 설명하였으나, 고 γ부(86, 1086, 1186)를 형성하는 공정이 Dat 전극(82, 1082, 1182)에 일정 크기의 음의 전압을 계속 인가하는 공정을 구비하고 있어도 무관하고, 또 Dat 전극(82, 1082, 1182) 상에 시간의 경과와 함께 음 측으로 커지도록 전압을 인가하는 공정을 구비하고 있어도 무관하며, 또 Dat 전극(82, 1082, 1182) 상에 시간의 경과와 함께 음 측으로 연속적으로, 예를 들어 직선 형상 혹은 곡선 형상으로 커지도록 전압을 인가하는 공정을 구비하고 있어도 무관하고, 또 Dat 전극(82, 1082, 1182) 상에 시간의 경과와 함께 음 측으로 단계적으로 커지도록 전압을 인가하는 공정을 구비하고 있어도 무관하며, 또 Dat 전극(82, 1082, 1182)에 음 전압의 펄스를 인가하는 공정을 구비하고 있어도 무관하다.

이들 제조방법에 의해, Dat 전극(82, 1082, 1182)에 음의 전압을 인가하는 방법으로 상기 각종 방법을 취함으로써, 양으로 대전된 MgO 절연성 재료를 음의 전압으로 인가된 Dat 전극(82, 1082, 1182)에 집적시키는 과정에서, MgO 입자(671, 681, 691)의 전하에 의해, Dat 전극(82, 1082, 1182)의 상방의 표면 전위가 상승하여, MgO 입자가 Dat 전극(82, 1082, 1182)의 상방에 잘 퇴적되기 않게 되는 것을 방지할 수 있다.

대전된 MgO 입자가 부착함에 따라서 상승하는 Dat 전극(82, 1082, 1182)의 상부의 표면 전위를, 예를 들어 Dat 전극(82, 1082, 1182)에 시간의 경과와 함께 음 측으로 커지도록 전압을 인가하는 방법에 의해, 상승하는 Dat 전극(82, 1082, 1182)의 상방의 표면 전위를 대략 일정한 소정의 전위로 할 수 있게 되어서, 표면 전위가 낮아지지 않게 되므로, Dat 전극(82, 1082, 1182)의 상방에 MgO 입자(671, 681, 691)를 균일하게 집적시킬 수 있다.

당연히, 다른 상기 방법에 의해서도 동일하게 실시할 수 있으므로, 효율 좋고 간단한 방법으로 고 γ부(86, 1086, 1186)를 Dat 전극(82, 1082, 1182)의 상방 에 형성할 수 있다. 또, Dat 전극(82, 1082, 1182)의 상부의 표면 전위를 검출하여 피드백하면서 상기 음의 전압을 조절하는 방법에 의해 고 γ부(86, 1086, 1186)를 Dat 전극(82, 1082, 1182)의 상방에 형성할 수도 있다.

또, 각 실시 예에서는 고 γ부(86, 1086, 1186)를 형성하는 재료로 MgO 입자(670, 680, 690)를 사용하고 있다. 이 MgO 입자(670, 680, 690)는 양으로 대전되기 쉬운 성질이 있으므로, 실시 예에서는 MgO 입자(670, 680, 690)를 양으로 대전시키고 데이터 전극에 음의 전압을 인가하였다.

그러나 예를 들어 MgO 입자(670, 680, 690)를 음으로 대전시킨 경우에는 Dat 전극(82, 1082, 1182)에는 양의 전압을 인가할 필요가 있다. 이와 같이, 고 γ부(86, 1086, 1186)의 형성에서는 당해 고 γ부(86, 1086, 1186)를 형성하는 재료의 대전의 극성은 그 재료의 대전의 용이성 정도에 의해서 결정되며, 이 대전의 극성에 따라서 Dat 전극(82, 1082, 1182)에 인가하는 전압의 극성이 결정되게 된다.

또한, 각 실시 예에서는, 고 γ부(86, 1086, 1186)를 형성하는 재료로 MgO 입자(670, 680, 690)를 사용하고, Dat 전극(82, 1082, 1182)에 음의 전압을 인가하였으나, 예를 들어 Dat 전극(82, 1082, 1182)을 접지 전위로 해도 양으로 대전된 MgO 입자(671, 681, 691)는 Dat 전극(82, 1082, 1182)에 흡인된다. 이는 고 γ부(86, 1086, 1186)를 형성하는 재료를 음으로 대전한 경우에도 동일하다고 할 수 있다.

3. 고 γ부(86, 1086, 1186)의 형성에 대하여

상기 제 6, 7 실시 예 및 제 1 변형 예에서는 고 γ부(86, 1086, 1186)를 형 성하는 공정을 전압인가 입자 산포 집적법에 의한 공정으로 하여 설명하였으나, 제 8 실시 예에서 설명한 전자 빔 증착법 이외의 다른 제조방법으로, 고 γ부(86)를 형성하는 공정이 고 γ부(86)를 형성하는 재료에 플라스마 빔을 조사하여 대전시켜서 성막하는 플라스마 빔 조사 성막법에 의한 공정이라도 마찬가지로 실시할 수 있다.

이에 의해, 간단한 방법에 의해서, 플라스마 빔 조사에 의해서 양으로 대전된 MgO 입자(690)를 적어도 음 혹은 접지 전위가 부여된 데이터 전극의 상부에 비산 집적시켜서 증착하여, 박막으로 이루어지는 고 γ부(86)를 효율 좋게 형성할 수 있다.

또한, 증착에 의해 MgO로 이루어지는 피막을 형성하고, 포토 에칭 등에 의해 Dat 전극(82, 1082, 1182)의 표면에 상당하는 부분에만 피막을 남기도록 하여, 고 γ부(86, 1086, 1186)를 형성해도 된다. 반대로, 고 γ부(86, 1086, 1186)를 형성하지 않는 부분을 마스킹 하여, 형광체 층(85, 1085, 1185)의 표면으로서 Dat 전극(82, 1082, 1182) 상에 상당하는 부분에만 고 γ부(86, 1086, 1186)를 형성해도 된다.

4. Dat 전극(82, 1082, 1182)에 대하여

상기 제 6, 7 실시 예에서의 Dat 전극(82, 1182)은 Ag(은)에 의해 형성되어 있었으나, 다른 재료를 사용하여 형성할 수도 있다. 다른 재료로는, 예를 들어 Au(금), 크롬(Cr), 구리(Cu), 니켈(Ni), 백금(Pt)이나 이들을 적절히 조합한 것이 있다.

5. 격벽(84, 1084, 1184)에 대하여

상기 제 6, 7 실시 예 및 제 1 변형 예에서의 배면 패널(80, 1080, 1180)은 격벽(84, 1084, 1184)을 구비하고 있었으나, 예를 들어 전면 패널(10) 측에 격벽(84, 1084, 1184)을 구비하는 구조라도 좋다. 또, 격벽(84, 1084, 1184)을 전면 패널(10) 및 배면 패널과 별개의 구성으로 형성하고, 전면 패널(10)과 배면 패널(80, 1080, 1180)을 대향 배치할 때에 상기 격벽(84, 1084, 1184)을 양자 사이에 개재시켜서 PDP를 형성해도 된다.

6. 형광체 층(85, 1085, 1185)에 대하여

형광체 층(85, 1085, 1185)을 구성하는 각 형광체 재료는 상기 제 6 실시 예에서의 재료에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 CaMgSi₂O₆ : Eu나 YBO₃ : Tb 등을 채용할 수도 있다.

7. 그 외에 대하여

상기 형광체 재료나 방전가스의 종류 또는 압력은 상기에서 설명한 것에 특정하는 것은 아니며, AC형 PDP에서 통상 사용할 수 있는 재료 및 조건을 적용할 수 있다. 또, 상기의 변형 예에서 설명한 내용을 각각 조합해도 됨은 말할 것도 없다.

(제 9 실시 예)

1. PDP(7)의 구성

본 발명의 제 9 실시 예의 PDP(7)의 구성에 대해서 도 19를 사용하여 설명한다. 도 19는 제 9 실시 예의 PDP(7)의 구조를 나타내는 요부 사시도(일부 단면도) 이다. 또한 기본적인 구성 및 전면 패널(10)의 기본적인 구성에 대해서는 상기 제 1 ~ 8 실시 예 등과 바뀐 것은 없으나, 확인 차원에서 이하에서 설명한다.

1-1. 전면 패널(10)의 구성

전면 패널(10)은, 전면 기판(11)에서의 배면 패널(90)과 대향하는 측의 면(도 19에서는 하면)에 Scn 전극(121)과 Sus 전극(122)으로 이루어지는 표시 전극 쌍(12)이 서로 평행하게 복수 배치되며, 이 표시 전극 쌍(12)을 피복하도록 유전체 층(13) 및 유전체 보호층(14)이 차례로 피복되어 형성되어 있다.

전면 기판(11)은, 예를 들어 고 장력 점 유리(high-strain-point-glass) 혹은 소다 라임 유리(soda-lime glass)로 구성되어 있다. 또, Scn 전극(121) 및 Sus 전극(122)의 각각은 ITO(주석 도프 산화 인듐), SnO₂(산화주석), ZnO(산화아연) 등으로 이루어지는, 폭이 넓으며 막 두께가 약 100㎚의 투명전극요소(121a, 122a)와, 고저항의 투명전극요소(121a, 122a)를 보충하여 전기저항을 낮추기 위한 버스 라인(121b, 122b)을 각각 적층한 상태로 구성되어 있다. 버스 라인(121b, 122b)은, 예를 들어 막 두께가 수㎛ 정도이며, 은(Ag), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 구리(Cu), 니켈(Ni), 백금(Pt) 혹은 팔라듐(Pd) 등으로 구성되어 있다. 또한, 투명전극요소(121a, 122a)는 스트라이프 형상 혹은 돌출 형상으로 형성된다(도 19에서는 스트라이프 형상).

또, 유전체 층(13)은 납 계열이나 비 납 계열의 저 융점 유리 재료나 산화규소(SiO₂) 재료 등을 사용하여 후막 형성 프로세스 또는 박막 형성 프로세스에 의해 막 두께 수㎛ ~ 수십㎛로 형성되고, 유전체 보호층(14)에 대해서는 MgO(산화마그네슘) 혹은 MgF₂(불화 마그네슘) 등을 주재료로 하여 막 두께가 수백㎚로 구성되어 있다.

또한, 전면 기판(11)의 표면에서 서로 이웃하는 표시 전극 쌍(12)의 사이에는 서로 이웃하는 방전 셀의 광이 서로 누출되는 것을 방지하기 위한 블랙 스트라이프(black stripe)가 형성되는 경우도 있다.

1-2. 배면 패널(90)의 구성

배면 패널(90)은, 배면 기판(91)에서의 전면 패널(10)과 대향하는 측의 면(도 19에서는 상면)에, 표시 전극 쌍(12)과 대략 직교하는 방향으로 Dat 전극(92)이 복수 배치되어 있고, 이 Dat 전극(92)을 피복하도록 유전체 층(93)이 형성되어 있다. 또, 이 유전체 층(93) 상에는 서로 이웃하는 Dat 전극(92)과 Dat 전극(92) 사이에 주 격벽요소(94a)가 설치되고, 또, 이 주 격벽요소(94a)와 대략 직행하는 방향으로 보조격벽요소(94b)가 형성되어 있다.

PDP(7)에서는 이들 주 격벽요소(94a)와 보조격벽요소(94b)에 의해 배면 패널(90)에서의 격벽(94)을 구성하고 있다. 또한, 도면상에서는 상세하게 도시하고 있지 않으나, Z축 방향에서, 보조격벽요소(94b)의 상단은 주 격벽요소(94a)의 상단보다도 약간 낮게 설정되어 있다.

유전체 층(93)과 서로 이웃하는 2개의 주 격벽요소(94a) 및 2개의 보조격벽요소(94b)로 둘러싸인 오목부의 안쪽 벽면에는 형광체 층(95)이 설치되어 있다. 형 광체 층(95)은 오목부별로 적색(R), 녹색(G), 청색(B)으로 각각 구분되어 있다.

배면 패널(90)에서의 배면 기판(91)에 대해서도 상기 전면 패널(10)의 전면 기판(11)과 마찬가지로, 고 장력 점 유리 혹은 소다 라임 유리 등으로 구성되어 있다. Dat 전극(92)은, 예를 들어 은(Ag) 등의 금속재료로 형성되어 있고, 배면 기판(91)의 표면상에 Ag 페이스트를 스크린 인쇄하여 형성되어 있다. 또한, Dat 전극(92)의 형성재료로는, Ag 이외에 Al, Cr, Cu, Ni, Pt, Pd나, 예를 들어 이들을 적층하는 등의 방법으로 조합한 것을 사용할 수도 있다.

유전체 층(93)은, 기본적으로 전면 패널(10)의 유전체 층(13)과 동일하며, 납 계열이나 비 납 계열의 저 융점 유리 재료, SiO₂ 재료 등으로 형성되어 있으나, 산화알루미늄(Al₂O₃)이나 산화티탄(TiO₂)이 포함된 것이어도 된다. 또, 격벽(94)은, 예를 들어 저 융점 유리 재료를 사용하여 샌드블라스트법이나 포토리소그래피법 등의 방법으로 형성되어 있다. 여기서, 격벽(94)은 각 방전 셀에서 직육면체 형상의 구멍을 설치한 형상으로 형성되므로, 그 측벽이 배면 기판(91)에 대해서 수직이 아니며, Z축 방향의 하방에 서로 이웃하는 격벽(94) 사이의 간격이 좁아지는 경사 형상으로 되어 있다(도 19에서는 생략).

형광체 층(95)은 오목부별로 다음에 열거하는 각 색의 형광체를 사용하여 형성되어 있다.

R 형광체 ; (Y, Gd)BO₃:Eu

G 형광체 ; Zn₂SiO₄:Mn

B 형광체 ; BaMg₂Al₁₄O₂₄:Eu

또, 본 실시 예의 PDP(7)에서는 형광체 층(95)의 표면의 일부를 피복하도록 형광체 피막(96)이 형성되어 있다. 이 형광체 피막(96)에 대해서는 그 형성영역을 포함하여 후술한다.

1-3. 전면 패널(10)과 배면 패널(90)의 배치

PDP(7)는, 전면 패널(10)과 배면 패널(90)이 갭 부재로서 배면 패널(90)에 형성된 격벽(94)을 사이에 두고, 표시 전극 쌍(12)과 Dat 전극(92)이 대략 직교하는 방향으로 배치되며, 이 상태에서 각각의 패널(10, 20)의 외주부가 밀봉되어 구성되어 있다. 이에 의해서, 전면 패널(10)과 배면 패널(90)의 사이에는 각 격벽(94)에 의해서 구분된 방전공간(30)이 형성되고, 양 패널(10, 90)이 밀폐용기를 형성하게 된다. PDP(17)에서의 방전공간(30)에는 Ne, Xe, He 등이 혼합되어 이루어지는 방전가스가 충전되어 구성되어 있다. 방전가스의 봉입 압력은 예를 들어 50㎪ ~ 80㎪ 정도이다.

또한, 방전가스 중에서의 전체 전압에 대한 Xe 분압의 비율에 대해서는, 종래에는 5% 미만으로 설정되어 있었으나, 패널의 발광 휘도의 향상을 위해서 5% ~ 100% 범위의 큰 값으로 설정된다.

또, PDP(7)의 제조는, 양 패널(10, 90)을 접합하여 조립한 후, 진공 치환된 방전가스 중에서 동시에 접착 밀봉하는 방법을 채용해도 무관하다. 또, 상기 가스의 종류는 상기 종류로 특정되는 것은 아니며, AC형 PDP에서 통상 사용할 수 있는 재료 및 조건도 적용할 수 있다.

PDP(7)에서는 표시 전극 쌍(12)과 Dat 전극(92)이 입체적으로 교차하는 각 개소가 방전 셀(도시생략)에 대응한다. 그리고 PDP(7)에는 복수의 방전 셀이 매트릭스 형상으로 배열된 형태로 되어 있다.

2. 형광체 피막(96)

본 실시 예의 PDP(7)에서 구성상의 특징이 되는 형광체 피막(96)의 구성에 대해서 도 20 및 도 21을 사용하여 설명한다. 도 20은 PDP(7)의 하나의 방전 셀을 발췌하여 나타내는 단면도로, (a)가 PDP(7)을 X-Z 단면으로 절단한 도면이고, (b)가 PDP(7)를 Y-Z 단면으로 절단한 도면이다.

도 20 (a)에 도시하는 바와 같이, PDP(7)에서는 Scn 전극(121) 및 Sus 전극(122)의 연장방향(Y방향)을 따라서 대략 평행하게 형성 배치된 격벽(94)의 방전공간(30)과 면하는 측의 경사부 표면에 형광체 층(95)이 경사진 형태로 형성된다. 또, 형광체 층(95)은 유전체 층(93)의 표면을 포함하여 다른 내벽 표면에도 적층되어 형성되어 있다.

본 실시 예의 PDP(7)에서는, 후술하는 바와 같이, 초기화기간 T₁에서 2차 전자를 방출시키게 위해서, 방전 셀 내에서 2차 전자 방출계수 γ가 형광체 층(95)보다도 크고, 또한 형광체 층(95)을 구성하는 상기 형광체 재료와는 다른 재료에 의해 형광체 층(95)의 표면의 일부를 피복하도록, 형광체 피막(96)이 형성되어 있다. 또 20 (a) 및 도 20 (b)에 도시하는 바와 같이, 형광체 피막(96)의 형성영역은 Scn 전극(121)의 각 측면 가장자리 부근(X축 방향의 양 가장자리)에서 배면 기판(91)의 표면에 대해서 수선(Z방향)을 내릴 때, 이 수선으로 둘러싸이는 형광체 층(95)의 표면부분을 포함하고 있다. 또, PDP(7)에서는 Sus 전극(122)의 아래의 영역이나 유전체 층(93)의 표면에 적층된 부분에서는 형광체 층(95)의 표면이 방전공간(30)과 면하는 상태로 되어 있다.

도 21에 도시하는 바와 같이, PDP(7)의 형광체 층(95)을 Z방향에서의 전면 패널(10) 측에서 본 때, 형광체 피막(96)은 상기 Scn 전극(121)의 아래의 영역 중에서도 버스 라인(121b)의 아래의 영역에 있는 형광체 층의 경사부분(95a)을 포함하여 형성되어 있다. 그리고 형광체 층(95)의 다른 경사부분(95b ~ 95d) 및 바닥면(유전체 층(93)의 표면에 적층된 부분)에는 형광체 피막(96)이 형성되어 있지 않은 상태로 되어 있다.

형광체 피막(96)은 MgO(산화마그네슘)를 포함하는 금속산화물 재료로 이루어지고, 전자 빔 증착법을 사용하여 막 두께 수십㎚ ~ 수천㎚로 형성되어 있다. 형광체 피막(96)의 막 두께에 대해서는 100㎚ ~ 3000㎚의 박막 형상으로 하는 것이 더 바람직하다. 형광체 피막(96)은 형광체 층(95)의 표면상에서의 경사부분(95a)에서 평균한 값이 상기 범위의 값의 막 두께이면 되며, 일정한 막 두께일 필요는 없다. 또, 형광체 피막(96)은 극히 얇은 막으로 섬 형상으로 형성되어 있어도 된다. 또한, 형광체 피막(96)의 형성방법에 관해서는 후술한다.

3. PDP(7)의 구동 및 우위성

이하에서는 본 실시 예의 PDP(7)를 구동하는 방법에 대하여 설명한다. PDP(7)에는 각 전극(121, 14, 22)에 대해서 소정 타이밍으로 전압을 인가하는 구동회로가 접속되어 있다(도시 생략). 그리고 본 실시 예의 PDP(7)에서도, 상기 제 1 실시 예의 PDP(1)과 마찬가지로, 다음 3개의 동작기간을 반복하는, 이른바 어드레스·표시 분리 구동방식을 사용하여 PDP(7)가 표시 구동된다.

(1) 전체 표시 셀을 초기화 상태로 하는 초기화기간 T₁

(2) 각 방전 셀 별로 어드레스 하여, 각 셀에 입력데이터에 대응한 표시상태를 선택·입력해 가는 데이터 기록기간 T₂

(3) 표시상태에 있는 방전 셀(1)을 표시 발광시키는 유지기간 T₃

상기 (3)의 유지기간 T₃에 Scn 전극(121)과 Sus 전극(122)으로 구성되는 표시 전극 쌍(12)에 대해서 전극전압 펄스의 구형파 전압을 서로 위상이 다르게 인가한다. 즉, 표시 전극 쌍(12) 사이에 교류전압을 인가하여 표시상태 데이터가 기록된 방전 셀에 전압 극성이 변화할 때마다 펄스 방전을 발생시킨다.

상기 유지방전에 의해 방전공간(30) 내의 여기 크세논 원자로부터는 147㎚의 공명 선이 방사되고, 여기 크세논 분자로부터는 173㎚ 주체의 분자 선이 방사되며, 이어서 상기 자외 방사를 배면 패널(90)의 형광체 층(95)에서 가시 방사로 변환함으로써 PDP(7)의 표시발광을 얻을 수 있다.

상기한 바와 같이, 형광체 층(95)의 표면의 일부 영역에 형광체 피막(96)이 형성되어 이루어지는 배면 패널(90)을 갖는 PDP(7)에서는 다음과 같은 우위성을 갖는다. 도 20 및 도 21에 도시한 바와 같이, Z축 방향에서의 Scn 전극(121)의 아래 의 영역에 있는 형광체 층(95)의 경사부분(95a)에, 2차 전자 방출계수 γ가 형광체 층(95)보다도 크고, 또한 형광체 층(95)을 구성하는 형광체 재료와는 다른 재료에 의해서 형광체 피막(96)이 피복되어 형성되어 있다. 또, PDP(7)에서는 형광체 층(95)의 다른 표면영역(다른 경사부분(95b, 95c, 95d)을 포함한다)이 방전공간(30)과 면하는 상태로 되어 있다.

형광체 층(95)의 표면에서의 경사부분(95a)에 피복되어 이루어지는 형광체 피막(96)은, 2차 전자 방출계수 γ가 크고, 또한 내 스퍼터성이 높은 재료인 MgO를 포함하는 금속산화물 재료에 의해 형성됨으로써, PDP(7)의 구동의 초기화기간 T₁에서 형광체 층(95) 측이 음극이 될 때의 방전개시전압을 더 저하시켜서 약 방전을 더 안정화시키고, 또한 내 스퍼터성이 높은 재료이므로, 고화질 및 고 신뢰성으로 할 수 있다.

또, 형광체 피막(96)은, 초기화기간 T₁에서 형광체 층(95) 측이 음극이 될 때의 방전개시전압을 낮춰서, 약 방전을 안정하게 일으켜서 화질을 향상시키는 동시에, 극히 얇은 막으로 형성됨으로써 방사되는 147㎚의 공명 선을 포함하는 진공 자외선을 거의 흡수하지 않는다. 따라서, PDP(7)에서는 방전공간(30)에서 발생한 진공 자외선이 형광체 층(95)에 고 효율로 도달하여 발광효율이 높게 유지된다.

또, 형광체 피막(96)은, 형광체 층(95)의 표면에서의 경사부분(95a)을 포함하는 적어도 일부에 설치되고, 다른 경사부분(95b, 95c, 95d) 및 유전체 층(93)의 상부에 해당하는 부분에는 형성되어 있지 않으므로, PDP(7)에서는, 약 방전을 일으 킬 필요가 있는 개소에는 형광체 피막(96)이 형성되고, 불필요한 개소에는 형광체 피막(96)이 형성되어 있지 않으므로, 형광체 피막(96)에 의한 자외선 방사의 흡수가 최소한의 범위로 억제된다.

4. 실험

실험에서 상술한 PDP(7)와 동일한 구성의 패널을 작성하였다. 즉, PDP(7)의 배면 패널(90)의 형광체 층(95)까지를 형성한 후, Scn 전극(121)의 아래의 영역(경사부분(95a))을 포함하는 형광체 층(95)의 표면 중 적어도 일부 영역에 MgO 재료를 이용하여 전자 빔 증착법에 의해서 형광체 피막(96)을 막 두께 약 1000㎚로 박막 형상으로 형성하였다.

형광체 피막(96)은, 후술하는 경사 증착법에 의한 제조방법에 의해서, 형광체 층(95)의 표면에서의 상기 경사부분(95b, 95c, 95d) 등의 부분에는 적어도 형성하지 않도록 하였다. 그리고 방전가스 중의 전체 압력에 대한 Xe 분압 비율을 약 15%의 큰 값으로 하여 약 60㎪로 봉입하여 PDP(7)를 작성하고, 다음과 같은 평가를 하였다.

상기 PDP(7)에 대해서, 전체 표시 셀을 초기화 상태로 하는 초기화기간 T₁에서 Scn 전극(121)과 Dat 전극(92)의 사이에 전압-시간 추이가 완만하게 상하 이동하는 고전압의 램프 파형을 인가하여 평가하였다.

실험결과에 의하면, 본 실시 예의 PDP(7)에서는, 형광체 층(95)의 표면에서의 경사부분(95a)을 포함하는 일부의 영역에 형광체 피막(96)을 형성하였으므로, 방전가스의 전체 압력에 대한 Xe 분압 비율을 약 15%로 높게 설정하고 있음에도 불구하고, 초기화기간 T₁에 Scn 전극(121)과 Dat 전극(92)의 사이에 램프 파형 고전압이 인가되어 형광체 층(95) 측이 음극이 된 때에, 형광체 피막(96)에 의해 방전개시전압이 50V ~ 100V 저하되어, 약 방전이 항상 안정하게 일어나도록 되어서, 초기화 휘점의 발생이 없어지고 화질이 대폭으로 향상되었다.

또, 형광체 피막(96)을 형광체 층(95)의 표면에서의 상기 경사부분(95b, 95c, 95d) 등의 부분에는 적어도 형성하지 않도록 하였으므로, 방전가스 중의 전체 압력에 대한 Xe 분압 비율을 높여도 발광효율의 저하가 억제되어서, 휘도의 저하를 억제시킬 수 있어서, 고 Xe의 PDP로서 휘도가 대폭으로 향상되었다. 또한, PDP(7)에서는 방전가스 중의 전체 압력에 대한 Xe 분압 비율을 5% ~ 100% 범위의 값으로 크게 해도 약 방전이 항상 안정하게 발생하고, 또한 휘도는 Xe 분압 비율에 대응하여 향상되었다.

한편, 도 26 (b)에 도시하는 바와 같이, 형광체 층(725)의 표면 전체를 피복하도록 MgO로 이루어지는 두께가 두꺼운 형광체 피막(746)을 성막한 종래예의 PDP에서는, 방전가스 중의 전체 압력에 대한 Xe 분압 비율을 높인 경우, 초기화기간 T₁에 형광체 층(725) 측이 음극이 될 때의 방전개시전압이 낮아져서 약 방전은 안정화되나, 형광체 층(725)의 전체 표면에 부착된 두꺼운 형광체 피막(746)에 의해서 공명 선을 포함하는 진공 자외선이 흡수되어, 발광효율이 억제되어서, 방전가스 중의 전체 압력에 대한 Xe 분압 비율을 높여도 본 실시 예의 PDP(7)에 비하여 휘도는 그 약 1/10이 되어서 향상되지 않았다.

상기의 결과에 의해, 본 실시 예의 PDP(7)에서는, 형광체 층(95)의 표면에서의 경사부분(95a) 중 적어도 일부를 포함하는 부분에 형광체 피막(96)을 형성하고, 또한, 이 이외의 부분을 방전공간(30)과 면하는 상태로 해둠으로써, 전체 표시 셀을 초기화 상태로 하는 초기화기간 T₁에서 약 방전이 안정하게 일어나기 쉬워져서, 초기화 휘점의 발생을 억제하는 동시에, 유지기간 T₃에서의 발광효율의 저하를 억제하고, 휘도의 저하를 억제하므로, 화질을 향상시키면서 고휘도로 할 수 있다.

상술한 바와 같이, 형광체 피막(96)은 형광체 층(95)의 표면에서의 경사부분(95a) 중 적어도 일부를 포함하는 부분에 설치되고, 다른 경사부분(95b, 95c, 95d), 특히 Sus 전극(122)의 아래의 부분(경사부분(95b)에 상당)에는 형성되지 않는 상태로 되어 있으므로, 초기화기간 T₁에서 방전개시전압이 낮아져서 약 방전을 안정화시킬 수 있고, 또한 자외 방사 효율의 저하를 억제하여 발광효율의 저하를 억제할 수 있다. 그러므로 PDP(7)에서는 고화질이면서 고휘도 혹은 저소비전력이라는 우위성을 갖는다.

(제 10 실시 예)

제 10 실시 예의 PDP(7)의 제조방법에 대해서 도 22를 사용하여 설명한다. 도 22는 제 10 실시 예의 PDP(7)의 제조방법 중 배면 패널(90)의 형광체 피막(96)의 형성에 관한 공정을 나타내는 공정 개념도이다. 또한, 본 실시 예의 방법으로 제조하고자 하는 PDP(7)의 구성은 상기 제 9 실시 예의 PDP(7)와 동일한 구성의 것 이다.

도 22 (a)에 도시하는 바와 같이, 배면 기판(91)의 일 측의 주면 상에 Dat 전극(92)을 패턴화하여 형성하고, Dat 전극(92)과 배면 기판(91)의 표면 중 적어도 일부를 피복하도록 저 융점 유리 페이스트를 도포 소성하여 유전체 층(93)을 형성한다. 또한, 유전체 층(93)의 표면상에 격벽(94)을 설치한다. 격벽(94)의 형성에 사용하는 재료로는, 예를 들어 저 융점 유리를 사용하며, 격벽(94)의 형성에서는, 이 재료를 도포 소성한 후, 방전 셀의 복수 개의 배열의 행 및 열로 구분하고, 인접 방전 셀과의 경계 주위를 구분하도록, 예를 들어 井자 형상 등의 패턴으로, 샌드블라스트법이나 포토리소그래피법 혹은 전사법 등의 방법을 사용하여 실시한다.

상기 제 9 실시 예와 같이, 井자 형상의 격벽(94)으로, Scn 전극(121)의 연장방향을 따라서 평행하게 형성한 격벽(94)의 측벽 면을 격벽(94)의 Scn 전극 측 경사부(24b1)(도 22 (b)를 참조)로 하고 있다. 마찬가지로, Sus 전극(122) 측의 격벽(94)의 측벽 면을 격벽(94)의 Sus 전극 측 경사부(94b2)로 하고 있다. 물론 그 외의 격벽(94)의 측벽 면에도 격벽의 경사부를 형성하고 있다.

도 22 (a)에 도시하는 바와 같이, 예를 들어 井자 형상의 패턴으로 형성된 격벽(94)에 대해서, 형광체 재료를 인쇄 도포하고, 소성을 실시하여, 격벽(94)의 측벽 면 및 유전체 층(93)의 표면에 형광체 층(95)을 형성한다. 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 발광의 각 형광체 층(95)의 형성에는 상기 3색의 형광체 재료를 RGB 각 방전 셀 단위로 각각 사용한다. 또한, 사용하는 형광체 재료는 상기 재료로 특정되는 것은 아니며, AC형 PDP에서 통상 사용하는 재료를 적용할 수 있다.

Scn 전극(121)의 연장방향(Y축 방향)을 따라서 대략 평행하게 형성한 격벽(94)의 표면에서의 Scn 전극 측 경사부(94b1)에는 형광체 층(95)을 경사지게 형성하고 있다. 마찬가지로, 격벽(94)의 표면에서의 Sus 전극 측 경사부(94b2)에도 형광체 층(95)을 경사지게 형성하고 있다. 또, 형광체 층(95)은 그 외의 격벽(94)의 측벽 면 및 유전체 층(93)의 표면에도 형성되어 있다.

본 실시 예의 PDP(7)의 제조방법에서의 특징은, 배면 패널(90)의 가공 면 형성공정이, 2차 전자 방출계수 γ가 형광체 층(95)보다도 크고, 또한 형광체 층(95)의 구성재료와는 다른 재료에 의해, Scn 전극(121)의 각 측면의 가장자리 부근에서 배면 기판(91)의 표면을 향해서 내린 수선에 의해 둘러싸이는 영역에서, 형광체 층(95)의 경사면 부분(95a)(도 21을 참조) 중 적어도 일부를 포함하는 부분에 형광체 피막(96)을 형성하는 공정을 갖는 것이며, 이하에 상술한다.

도 22 (b)에 도시하는 바와 같이, 배면 기판(91) 상에 Dat 전극(92), 유전체 층(93), 격벽(94) 및 형광체 층(95)을 순차 형성한 배면 판 가공 면을, Scn 전극(121) 및 Sus 전극(122)의 연장방향을 Y축 방향(지면에서 수직방향)으로 배치하고, Dat 전극(92)의 긴축 방향을 X축 방향(지면에서 수평방향)으로 배치한다. 그리고 배면 판 가공 면에 대해서, Scn 전극(121)의 연장방향(Y축 방향)과 직교하는 방향에서, 2차 전자 방출계수 γ가 형광체 층(95)보다도 크고, 또한 이를 형성하는 형광체 재료와는 다른 재료를 사용하여, 경사 증착법에 의해 형광체 피막(96)을 형성한다.

형광체 피막(96)의 형성에 사용하는 재료로는, 예를 들어 MgO를 포함하는 금 속산화물 재료를 들 수 있다. 그리고 형광체 피막(96)의 형성은, 상기 재료를 사용하여, 전자 빔 증착법 등의 박막 형성 프로세스에 의해, Scn 전극(121)의 연장방향(Y축 방향)과 직교하는 방향에서 배면 판 가공 면의 법선 방향(Z축 방향)으로부터의 경사각 θ의 C 방향에서 경사 증착(slant vapor deposition)하여 형성한다. 경상 증착에서의 형광체 피막(96)의 형성 시에는 그 막 두께를 수십㎚ ~ 6000㎚의 범위가 되도록 한다. 또한, 형광체 피막(96)의 막 두께에 관해서는 100㎚ ~ 3000㎚의 범위의 값의 박막으로 하는 것이 바람직하고, 이보다 더 얇은 박막으로 섬 형상으로 형성해도 된다.

도 22 (c)에 도시하는 바와 같이, 배면 판 가공 면의 방전 셀 내에서 Scn 전극(121)의 연장방향(Y축 방향)과 직교하는 방향이고, 또한 Sus 전극(122) 측의 격벽(94)을 앞쪽에 설치되는 차단벽으로 이용하며, Scn 전극(121) 측의 격벽(94)의 바닥 부분에서부터 앞쪽의 Sus 전극(122) 측에는 증착되지 않도록 하는 각도인 경사각 θ로 경사지게 증착한다. 이와 같이, 본 실시 예의 제조방법에서는, Sus 전극(122) 측의 격벽(94)을 앞쪽에 설치되는 차단벽으로 이용하며, Scn 전극(121) 측의 격벽(94)의 바닥부분에서부터 Sus 전극(122) 측에는 형광체 피막(96)이 형성되지 않는 각도인 경사각 θ를 설정함으로써, 경사 증착의 경사각의 값을 적절한 범위로 설정할 수 있게 된다. 이와 같이 하여 격벽(94)의 Scn 전극 측 경사부(94b1)에 형성한 형광체 층(95)의 경사진 표면 중 적어도 일부에 형광체 피막(96)을 형성하고, 형광체 층(95)의 바닥면 및 격벽(94)의 다른 경사부(94b2)의 형광체 층의 표면에는 형광체 피막(96)을 형성하지 않도록 한다.

상기 제조방법에서는, 형광체 피막(96)을 형광체 층(95)의 표면의 일부(Scn 전극 측 경사부(94b1)의 윗부분)에 형성한 배면 패널(90)과, 상기 제 9 실시 예와 같이, 적어도 Scn 전극(121)과 Sus 전극(122)을 교호로 평행하게 연장한 표시 전극 쌍(12)을 갖는 전면 패널(10)을, 방전공간(30)을 사이에 두고 대향 배치하여, 방전 셀이 복수 개 배열되도록 형성하여 PDP(7)가 구성된다. 또한, 방전공간(30)에는 전체 압력에 대한 분압 비율이 높은 상태로 Xe를 포함하는 방전가스를 충전한다. 이와 같이 하여, 고화질이면서 고휘도의 PDP (7)를 높은 수율로 안정되게 제조할 수 있다.

본 실시 예의 PDP(7)의 제조방법에서는, 배면 판 가공 면의 형성공정이, 방전 셀 내에서 2차 전자 방출계수 γ가 형광체 층(95)보다도 크고, 또한 형광체 층(95)의 재료와는 다른 재료에 의해, Scn 전극(121)의 연장방향을 따라서 형성한 격벽(94)의 Scn 전극 측 경사부(94b1) 상의 형광체 층(95) 중 적어도 일부의 표면에 형광체 피막(96)을 형성하는 공정을 구비함으로써, 완성된 PDP(7)의 구동시에 초기화기간 T₁에 약 방전을 안정되게 발생시키기가 쉬워서, 초기화 휘점의 발생을 억제하고, 또한 유지기간 T₃에서의 휘도의 저하를 억제하여 고화질, 고휘도라고 하는 우위성을 가질 수 있게 된다.

또, 본 실시 예의 PDP(7)의 제조방법에서는, MgO를 포함하는 금속산화물 재료를, 전자 빔 증착법에 의해, 배면 판 가공 면에 대해서 Scn 전극(121)의 연장방향과 직교하는 방향에서, Sus 전극(122) 측의 격벽(94)을 차단벽으로 하는 경사각 도로 경사 증착하는 간단한 방법에 의해, Scn 전극(121)의 연장방향에 따라서 형성한 격벽(94)의 Scn 전극 측 경사부(94b1)의 형광체 층(95)의 표면 중 적어도 일부를 포함하는 부분에, 금속산화물 재료를 포함하여 이루어지는 형광체 피막(96)을 형성할 수 있다. 그리고 이 제조방법에서는, 오목부의 바닥면에서의 형광체 층(95), 및 격벽(94)의 Sus 전극 측 경사부(94b2)의 형광체 층(95) 표면에는 형광체 피막(96)을 형성하지 않도록 하므로, PDP(7)의 구동시에 초기화기간 T₁에 약 방전을 안정되게 일으키기 쉬워서, 초기화 휘점의 발생을 억제하고, 또한 유지기간 T₃에서의 휘도의 저하를 억제하는 고화질, 고휘도의 PDP를 높은 제조 수율로 안정되게 제조할 수 있다.

(제 11 실시 예)

제 11 실시 예의 PDP의 제조방법에 대해서 도 23을 사용하여 설명한다. 도 23은 제 11 실시 예의 PDP의 제조방법 중 배면 패널(90)의 일부를 형성하는 다른 실시 예의 공정을 나타내는 공정 개념도이다. 도 20 및 도 22를 참조하면서, 제 10 실시 예의 제조방법의 더 구체적인 실시 예로, 제 9 실시 예의 PDP의 배면 패널(90)의 일부를 형성하는 공정에 대하여 설명한다. 도 19 ~ 22와 동일한 부분에는 동일한 참조번호를 부여하고 있으며 간략화를 위하여 일부를 생략하고 있다.

도 23에서는 도시를 생략하나, 배면 패널(90)에 형광체 층(95)까지를 형성한 배면 판 가공 면(900f)의 방전 셀 단위의 구성은 도 20 (b) 및 도 22 (a)와 동일하다. 도 23의 확대부분에 도시하는 바와 같이, 井자 형상의 격벽(94)에는 Scn 전 극(121)의 연장방향을 따라서 대략 평행하게 형성한 격벽(94)의 측면을 Scn 전극 측 경사부(94b1)로 하고 있다. 마찬가지로, Sus 전극(122) 측의 격벽(94) 측면을 Sus 전극 측 경사부(94b2)로 하고 있다.

또, 형광체 층(95)은 Scn 전극(121)의 연장방향(X축 방향)을 따라서 대략 평행하게 형성한 격벽(94)의 Scn 전극 측 경사부 94b1의 표면에서는 경사지게 형성되어 있다. 마찬가지로, 격벽(94)의 Sus 전극 측 경사부 94b2의 표면에서도 형광체 층(95)을 경사지게 형성하고 있다.

도 23에 도시하는 바와 같이, 전자 빔 증착 장치(도시생략) 내에서, 배면 기판(91) 면 상에 복수 개의 방전 셀 단위의 배면 판 가공 면(900f)을 형성하여 배열한 전단계 배면 패널(900)을, 배면 판 가공 면(900f)을 하측(Z축 방향)으로 하여 수평으로 배치한다. 즉, 도 23에서, 상기 도 22 (a)에서의 배면 판 가공 면을 하측(Z축 방향)을 향하여 배치하고, Scn 전극(121) 및 Sus 전극(122)의 연장방향을 Y축 방향(지면에서 수직방향)이 되도록 배치하며, Dat 전극(92)을 X축 방향이 되도록 전단계 배면 패널(900)을 배치한다.

도 23에 도시한 바와 같이, 전단계 배면 패널(900)과 재료 타깃(695) 및 전자총(577)의 사이에는 Scn 전극(121)의 연장방향과 평행한 방향(Y축 방향)으로 장축방향을 갖는, 예를 들어 직사각형 형상의 구멍인 개구부(572h)를 설치한 마스크로서, 예를 들어 메탈 마스크(572)를, 재료 타깃(695)과 개구부(572h)를 연결한 선과 메탈 마스크(572)의 면 법선(法線, 배면 판 가공 면의 법선)이 대략 경사각 θ를 갖도록 배치한다.

이어서, 전단계 배면 패널(900)을 Scn 전극(121)의 연장방향(Y축 방향)과 직교하는 X축 방향으로 이동시키거나, 혹은 X축 방향에서 일정한 속도로 이동시키면서, 예들 들어 MgO를 포함하는 금속산화물 재료로 이루어지는 재료 타깃(695)에 전자총(577)에서 전자 빔을 조사하여, 경사각 θ의 하측 J 방향에서 MgO를 포함하는 금속산화물 재료를 경사 증착한다. 즉, 전단계 배면 패널(900)을 일정한 속도로 X축 방향으로 이동시키면서, 배면 판 가공 면(900f)에 대하여, 메탈 마스크(572)의 개구부(572a)를 통해서, Scn 전극(121)의 연장방향과 직교하는 방향이고, 또한 배면 판 가공 면(900f)의 법선 방향으로부터 경사각 θ을 대략 유지하여 경사지게 한 방향에서, 전자 빔 증착법에 의해서, 2차 전자 방출계수 γ가 형광체 층(95)보다도 크고, 또한 형광체 층(95)의 재료와는 다른 MgO를 포함하는 금속산화물 재료를 경사 증착함으로써 고 γ부인 형광체 피막(96)을 형성한다.

이상과 같이 하여, 형광체 피막(96)을 형성하는 공정은, 배면 판 가공 면(900f)에 대한 경사각 θ을 대략 일정하게 유지하고, 전단계 배면 패널(900)을 일정한 속도로 유지시키면서, 배면 판 가공 면(900f)에 대해서 Scn 전극(121)의 연장방향과 직교하는 방향으로 경사지게 증착하며, 또한 경사진 방향으로 경사지게 증착하는 간단한 상기 제조방법에 의해, 배면 판 가공 면(900f)의 각 방전 셀 단위에 대해서, Scn 전극(121)의 연장방향과 직교하는 방향에서, Sus 전극(122) 측의 격벽(94)을 차단벽으로 하여 일정한 증착 속도로 일정한 방향에서 경사 증착하게 된다.

상기에 의한 간단한 제조방법에 의해서, 방전 셀에서, 격벽(94)의 Scn 전극 측 경사부(94b1) 상의 형광체 층(95) 중 적어도 일부 표면에, 2차 전자 방출계수 γ가 형광체 층(95)보다도 크고, 또한 형광체 층(95)의 재료와는 다른 재료에 의한 형광체 피막(96)을 형성하며, 오목부의 바닥면에서의 형광체 층(95)의 표면 및 격벽(94)의 Sus 전극 측 경사부(94b2) 상의 형광체 층(95)의 표면에는 형광체 피막(96)을 형성하지 않는, 고휘도, 고화질의 PDP를 안정되고도 염가로 제조할 수 있다.

또, 상기 제조방법에서는, 형광체 피막(96)을 형성하는 공정이, 배면 판 가공 면(900f)에 대한 경사각도 θ를 대략 일정하게 유지한 채, 전단계 배면 패널(900)을 일정한 속도로 이동시키면서, 배면 판 가공 면(900f)에 대해서, Scn 전극(121)의 연장방향과 직교하는 방향이면서, 또한 경사진 방향에서 경사 증착하는 간단한 제조방법에 의해, 방전 셀 내에서 형광체 층(95)의 재료와는 다른 재료로서 2차 전자 방출계수 γ가 큰 재료에 의해, Scn 전극(121)의 연장방향에 따른 격벽(94)의 Scn 전극 측 경사부(94b1) 상의 형광체 층(95) 중 적어도 일부에 형광체 피막(96)을 형성하며, 오목부의 바닥면의 형광체 층(95)의 표면 및 격벽(94)의 Sus 전극 측 경사부(94b2) 상의 형광체 층(95)의 표면에는 형광체 피막(96)을 형성하지 않으므로, 완성된 PDP의 구동시에, 초기화기간 T₁에 약 방전이 안정되어 초기화 휘점의 발생을 억제하고, 또한 유지방전시의 휘도의 저하를 억제한, 고휘도, 고화질이라는 우위성을 갖는 패널을 안정되고도 염가로 제조할 수 있다.

(제 12 실시 예)

제 12 실시 예의 PDP(8)의 구성에 대해서 도 24를 사용하여 설명한다. 도 24는 상기 제 9 실시 예의 변형 예인 제 12 실시 예의 PDP(8)의 일부 구성을 나타내는 단면도 및 평면 개념도이다. 도 20 (c)과 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조번호를 부여하고, 일부는 생략하고 있다.

도 24 (a)에 도시하는 바와 같이, 본 실시 예의 PDP 8이 상기 PDP 7과 상이한 점은 형광체 피막(1096)의 형성영역이다. 구체적으로는, Scn 전극(121)에서의 버스 전극(121b)의 양측 가장자리에서 배면 기판(1091)의 표면을 향하여 수선을 내린 때에, 형광체 피막(1096)은 이 형광체 층(1095) 상에서의 2개의 수선에 의해 둘러싸이는 영역 K에 형성되어 있다.

도 24 (b)에 도시하는 바와 같이, Scn 전극(121)의 버스 전극(121b)과 배면 패널에 형성되는 형광체 층(1095)의 표면이 평면적으로 중첩되는 영역 K는 상당히 완만한 경사면으로 되어 있다. 그러므로 영역 K의 면적은 상당히 넓다. 형광체 피막(1096)을 영역 K에서의 형광체 층(1095)의 표면상에 설치함으로써, PDP(8)에서는 그 구동시에, 초기화 방전시에서의 Scn 전극(121)과 Dat 전극(1092)의 사이에서 발생하는 방전에 대해서 형광체 피막(1096)이 강하게 기여하게 할 수 있어서, 방전개시전압을 안정되게 저하시켜서 약 방전을 안정하게 발생시킬 수 있다. 또, 가사 형광체 피막(1096)이 Scn 전극(121)이나 Dat 전극(1092)과 평면적으로 중첩되지 않는 영역에 형성되는 것이라도 경사방향의 전계에 의해서 방전에 기여하게 할 수 있다.

또, 형광체 피막(1096)이 영역 K에서의 형광체 층(95)의 표면상에 한정하여 형성되므로, 형광체 피막(1086)에 의한 자외 방사의 흡수가 감소하여, 휘도의 저하 를 일으키지 않는다.

이상에 의해, 본 실시 예의 PDP(8)에서는, 영역 K에서의 형광체 층(1095)의 표면영역에 MgO를 포함하는 형광체 피막(1096)이 형성됨으로써, 방전공간(30) 내의 방전가스 중에서의 Xe 분압 비율을 높여도, PDP(8)의 구동시의 초기화기간 T₁에 Scn 전극(121)과 Dat 전극(92)의 사이에서 형광체 층(1095) 측이 음극이 될 때의 방전개시전압을 저하시켜서, 약 방전의 발생을 더 쉽게 안정화시킬 수 있게 된다.

따라서, PDP(8)에서는, 특히 전체 압력에 대한 Xe 분압 비율을 큰 값으로 설정한 경우에 초기화 휘점의 발생을 더 억제할 수 있게 되어서 더 높은 화질을 얻을 수 있고, 또한 형광체 피막(1096)이 영역 K의 형광체 층(1095)의 표면상에 한정하여 형성되므로, 형광체 피막(1096)에 의한 자외 방사의 흡수가 상기 PDP(7)에 비해서 더 감소하여 휘도의 저하 문제를 더욱 개선할 수 있으며, 특히 고 Xe의 방전가스를 채용한 경우에 방전가스 중의 전체 전압에 대한 Xe 분압 비율에 따라서 휘도를 향상시킬 수 있다.

또한, 상기에서, 초기화 휘점의 발생을 억제하고, 또한 휘도의 저하를 더 억제하는 본 발명의 효과는 방전가스 중의 전체 압력에 대한 Xe 분압 비율을 높여서 봉입된 PDP에서 특히 현저하나, 통상의 5% ~ 6%의 Xe 분압 비율을 갖는 PDP에 대해서도 유효하다. 방전가스 중의 전체 압력에 대한 Xe 분압 비율이 5% ~ 6%의 범위에 있는 종래의 PDP의 경우와 같이, 저 휘도 혹은 소비전력이 높고 초기화기간 T₁에서의 약 방전이 불안정한 PDP라도, 상기 본 실시 예의 구성을 채용함으로써, 격 벽(1094)의 Scn 전극 측 경사부(제 9 실시 예 등을 참조) 상의 형광체 층(1095)의 표면에 형광체 피막(1096)을 형성하고, Sus 전극 측 경사부(제 9 실시 예 등을 참조) 및 오목부의 바닥면(제 9 실시 예 등을 참조)에서의 형광체 층(1095)의 표면 등에는 형광체 피막(1096)을 형성하지 않음에 따라서, 방전개시전압이 낮아져서 초기화기간 T₁에서의 약 방전을 안정화시켜서 개선할 수 있고, 또한 휘도의 저하도 억제할 수 있다.

또, 상기 PDP(8)에서는, 전면 기판(11)의 주면 상에서 투명전극요소(121a, 122a)와 버스 라인(121b, 122b)을 적층한 구조의 표시 전극 쌍(12)을 갖는 것을 채용하였으나, 전면 기판(11)의 주면 상에 버스 라인(121b, 122b)을 먼저 형성하고, 그 위에 투명전극요소(121a, 122a)를 형성하는 것으로 해도 무관하다.

(제 13 실시 예)

제 13 실시 예의 PDP(9)의 구성에 대해서 도 25를 사용하여 설명한다. 도 25는 PDP(9)의 일부 구성을 나타내는 단면도 및 평면 개념도이다. 도 20 (c) 및 도 24와 동일한 구성의 것은 동일한 참조번호를 부여하며 일부를 생략하고 있다.

도 25 (a)에 도시하는 바와 같이, 본 실시 예의 PDP(9)에서는, 형광체 피막(1196)이, 상기 제 12 실시 예의 PDP(8)와 마찬가지로, Scn 전극(121)에서의 버스 라인(121b)의 양측 가장자리에서 배면 기판(1191)의 표면을 향해서 수선을 내린 때에, 이 형광체 층(1195) 상에서의 2개의 수선에 의해 둘러싸이는 영역에 형성되어 있으나, 상기 제 12 실시 예와는 상이하게, 본 실시 예에서는 도 25 (b)에 도시 하는 바와 같이, X-Y 평면에서 Scn 전극(121)의 버스 라인(121b)과 Dat 전극(1192)이 중첩하는 영역 E에 더 한정되어 설정되어 있다.

이와 같은 구성을 갖는 본 실시 예의 PDP 9는 상기 제 9 실시 예 및 제 12 실시 예의 PDP 7, PDP 8과 동일한 효과를 가지며, 휘도 저하의 억제라는 관점에서 더 바람직한 것이다.

(그 외의 사항)

또한, 상기 각 제 9 ~ 13 실시 예에서는 격벽(94, 1094, 1194)으로, 인접방전 셀과의 경계 주위를 구분하는 격벽을 井자 형상으로 한 것을 일례로 하여 적용하였으나, 물결 형상의 격벽과 같이 파형(波形)의 요철형상으로서 인접방전 셀과의 경계 주위를 구분하는 격벽이라도 좋고, Scn 전극(121)의 연장방향에 다른 격벽(94, 1094, 1194)의 형상이 파형의 요철 형상으로 되어 있어도 마찬가지로 실시할 수 있다.

또, 상기 각 제 9 ~ 13 실시 예에서는, 형광체 피막(96, 1096, 1196)을 형성하는 공정이 배면 판 가공 면(900f)에 대해서 Scn 전극(121)의 연장방향과 직교하는 방향에서 경사 증착하는 것으로 하였으나, Scn 전극(121)의 연장방향과 대략 직교하는 방향으로 해도 되며, 직교방향에서 약 ±30°의 범위의 방향에서라도 무관하다.

또, 상기 각 제9 ~ 13 실시 예에서는, 형광체 피막(96, 1096, 1196)의 구성재료로 MgO를 채용하는 것으로 하였으나, 이외에 CaO, BaO, SrO 및 ZnO 중 적어도 1종을 포함한 금속산화물 재료를 사용해도 무관하다. 또, 이들에는 다른 재료나 불 순물 재료가 포함되어 있어도 된다. 이들 재료는 형광체 층(95, 1095, 1195)을 구성하는 형광체 재료와는 다른 재료이며, 2차 전자 방출계수 γ가 형광체 층(95)보다도 큰 값을 갖는 재료로서, 본 발명의 형광체 피막(96, 1096, 1196)을 형성하는 재료로 유용하다.

또, 고 γ부의 형성에 사용하는 재료로는 상기 제 1 ~ 13 실시 예에서 사용한 것을 적용할 수 있으나, PDP에서의 방전 셀 별로 고 γ부의 구성재료를 바꿀 수도 있다. 예를 들어, R, G, B의 방전 셀 사이에서는 사용되고 있는 형광체 재료 등에 따라서 각각의 형광체 층의 2차 전자 방출계수 γ에 차이가 발생하나, 이와 같은 경우에는 방전 셀의 형광체 층에 사용되는 형광체 재료의 종류에 따라서 고 γ부의 구성재료나 피복률 등을 바꿀 수도 있다.

또, 상기 각 제 10, 11 실시 예에서는, 전자 빔 증착법에 의해 전자총(577)으로부터의 전자 빔 조사에 의해 경사 증착하는 것으로 하였으나, 전자총(577)의 개수는 복수 개라도 좋으며, 이들을 기판에 평행하게 배열하고, 마찬가지로 평행하게 배열한 복수 개의 재료 타깃(695)에 전자 빔을 각각 조사하여 기판 면에 의해 균일하게 형광체 피막(96, 1096, 1196)을 형성하게 되므로, 고휘도, 고화질의 대화면을 갖는 고 정밀한 PDP를 제조할 수 있다.

또, 상기 각 제 10, 11 실시 예에서는, 전자 빔 증착법에 의해 경사 증착하는 것으로 하여 설명하였으나, 이외에도 스퍼터법이나 이온 총 증착법(ion gun vapor deposition method) 등의 방법을 사용해도 마찬가지로 실시할 수 있다.

또, 상기 제 10, 11 실시 예에서는, 형광체 피막(96, 1096, 1196)을 형성하 는 공정이 배면 판 가공 면(900f)에 대한 경사각도 θ를 대략 일정하게 유지한 채로, 전단계 배면 패널(900)을 일정한 속도로 X축 방향으로 이동시키면서 경사 증착하는 것으로 설명하였으나, 기판을 Y축 방향으로 왕복시키는 상태에서 X축 방향으로 이동시키면서 경사 증착해도 마찬가지로 실시할 수 있다. 이에 의해, 형광체 피막(96, 1096, 1196)을 더 균일하게 증착시킬 수 있으므로, 더 고화질, 고 정밀이면서 더 균질의 대화면의 PDP를 제조할 수 있다.

본 발명은 높은 발광효율과 높은 화질성능의 양립이 요구되는, 특히 대형의 텔레비전이나 고 정밀한 텔레비전 혹은 대형표시장치 등을 실현하는 것에 유효하다.

Claims

제 1 기판과 제 2 기판 사이에 공간을 두고 대향 배치되며, 상기 제 1 기판에서의 상기 공간 측의 영역에 형광체 층이 형성되어 이루어지는 플라스마 디스플레이 패널로,

상기 형광체 층의 표면에서의 일부 영역에는 상기 형광체 층을 구성하는 형광체 재료보다도 2차 전자 방출계수가 높은 재료를 구성요소로 포함하는 고 감마부(high gamma member)가 피복되어 형성되어 있고,

상기 형광체 층의 표면에서의 나머지 영역과 상기 고 감마부는 동시에 상기 공간과 면하는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
제 1 항에 있어서,

상기 고 감마부는 상기 형광체 층의 표면에서 반점(斑點) 형상 또는 스트라이프(stripe) 형상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
제 1 항에 있어서,

상기 고 감마부는 상기 형광체 층의 표면에 입자 형상의 재료가 부착되어서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
제 3 항에 있어서,

상기 입자의 입자 직경은 0.05㎛ 이상 20㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
제 4 항에 있어서,

상기 입자의 1차 입자 직경은 0.05㎛ 이상 1㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
제 4 항에 있어서,

상기 입자의 2차 입자 직경은 2㎛ 이상 20㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
제 1 항에 있어서,

상기 제 1 기판의 표면상에는 복수 개의 제 1 전극이 형성되고, 당해 제 1 전극을 피복하도록 유전체 층 및 상기 형광체 층이 적층되어 이루어지며,

상기 고 감마부는 상기 제 1 전극이 적층된 영역의 상방의 영역을 포함하는 범위에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
제 1 항에 있어서,

상기 고 감마부는 상기 형광체 층의 표면에서 편재(偏在)하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
제 8 항에 있어서,

상기 고 감마부는 상기 제 1 전극의 표면에 상당하는 부분에 편재하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
제 9 항에 있어서,

상기 제 1 기판의 표면상에는 복수 개의 제 1 전극이 형성되고,

상기 제 2 기판의 표면상에는, 상기 제 1 전극과 교차하는 방향으로, 서로 평행한 제 2 전극 및 제 3 전극에 의해 쌍을 이루는 전극 쌍이 복수 쌍 형성되어 있으며,

상기 고 감마부는 상기 제 1 전극과 상기 표시 전극 쌍이 입체적으로 교차하는 영역에 상당하는 부분 또는 당해 영역 부근에 상당하는 부분에 편재하고 있는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
제 10 항에 있어서,

상기 제 2 전극과 제 3 전극은 일 측이 스캔 전극(scan electrode)이고 타 측이 서스테인 전극(sustain electrode)이며,

상기 고 감마부는 상기 제 1 전극과 상기 스캔 전극이 입체적으로 교차하는 영역에 상당하는 부분에 편재되어 있는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
제 11 항에 있어서,

상기 제 1 전극, 제 2 전극 및 제 3 전극에는 각각의 입력 영상데이터에 의거하여 전압이 인가되고,

상기 입력 영상데이터에 의거하여 선택된 방전 셀에서는 상기 제 1 전극과 제 2 전극의 사이에 전압이 인가됨으로써 기록방전이 발생하며, 당해 기록방전의 발생에 의해 벽 전하의 형성이 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
제 1 항에 있어서,

상기 제 1 기판의 표면상에는 복수 개의 데이터 전극이 형성되고,

상기 제 2 기판의 표면상에는, 상기 데이터 전극과 교차하는 방향으로, 서로 평행한 스캔 전극 및 서스테인 전극에 의해 쌍을 이루는 전극 쌍이 복수 형성되어 있으며,

상기 스캔 전극의 각 측면 가장자리에서 상기 제 1 기판의 표면에 대해서 수선(垂線)을 내린 때에, 상기 고 감마부는 상기 형광체 층의 표면 중 상기 수선에 의해서 둘러싸이는 영역에 존재하는 부분을 갖는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
제 13 항에 있어서,

상기 제 1 기판에는, 상기 복수의 데이터 전극을 피복하도록 유전체 층이 형성되는 동시에, 당해 유전체 층의 표면에는, 서로 이웃하는 상기 데이터 전극과 데이터 전극 사이에서 상기 데이터 전극과 병행(竝行)하는 방향으로 연장하며, 당해 제 1 기판의 표면을 향해서 상호 간의 간격이 좁아져 가는 상태의 경사면을 갖는 격벽이 직립(erect) 상태로 설치되어 있고,

상기 형광체 층은 상기 유전체 층의 표면과 서로 이웃하는 상기 격벽으로 둘러싸이는 각 오목부의 벽면에 형성되어 있으며,

상기 고 감마부는, 상기 수선에 의해 둘러싸이는 영역을 포함하여, 상기 격벽의 경사면 상에 형성된 형광체 층 표면을 피복하는 상태로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
제 13 항에 있어서,

상기 제 1 기판에는, 상기 복수의 데이터 전극을 피복하도록 유전체 층이 형성되는 동시에, 당해 유전체 층의 표면에는, 서로 이웃하는 상기 데이터 전극과 데이터 전극 사이에서 상기 데이터 전극과 병행하는 방향으로 연장되는 제 1 격벽과, 상기 제 1 격벽에 교차하는 방향으로서, 상기 제 2 기판에 형성된 서로 이웃하는 전극 쌍과 전극 쌍 사이로 연장되는 제 2 격벽이 직립 상태로 설치되어 있고,

상기 형광체 층은 상기 유전체 층의 표면과 서로 이웃하는 상기 제 1 격벽 및 상기 제 2 격벽에 의해 둘러싸이는 각 오목부의 벽면에 형성되어 있으며,

상기 제 2 격벽은 상기 제 1 기판의 표면을 향해서 상호 간의 간격이 좁아져 가는 상태의 경사면을 구비하고,

상기 고 감마부는, 상기 수선에 의해 둘러싸이는 영역을 포함하여, 상기 제 2 격벽의 경사면 상에 형성된 형광체 층 표면을 피복하는 상태로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
제 13 항에 있어서,

상기 데이터 전극의 각 측면 가장자리에서 상기 제 2 기판의 표면에 대해서 제 2 수선을 내린 때에, 상기 고 감마부는 상기 수선과 상기 제 2 수선에 의해서 둘러싸이는 영역에 존재하는 부분을 갖는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
제 13 항에 있어서,

상기 서스테인 전극의 각 측면 가장자리에서 상기 제 1 기판의 표면에 대해서 제 3 수선을 내린 때에, 상기 형광체 층의 표면 중 상기 제 3 수선에 의해서 둘러싸이는 영역은 상기 공간과 면하고 있는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
제 13 항에 있어서,

상기 형광체 층의 표면 중, 상기 수선에 의해서 둘러싸이는 영역 이외의 영 역은 상기 공간과 면하고 있는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
제 13 항에 있어서,

상기 고 감마부는 막 두께가 100㎚ 이상 3㎛ 이하로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
제 1 항에 있어서,

상기 고 감마부는 금속산화물을 포함하여 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
제 20 항에 있어서,

상기 금속산화물은 MgO, CaO, BaO, SrO, MgNO 및 ZnO의 물질 군 중에서 선택되는 1종을 적어도 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
제 20 항에 있어서,

상기 금속산화물은 MgO 및 SrO 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
제 1 항에 있어서,

상기 고 감마부는 카본 나노 튜브(carbon nanotube), 나노 섬유(nanofiber), 풀러린(fullerene) 및 AlN의 물질 군 중에서 선택되는 1종을 적어도 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
제 1 항에 있어서,

상기 고 감마부는 Pt, Au, Pd, Mg, Ta, W 및 Ni의 금속재료 군 중에서 선택되는 1종을 적어도 포함하여 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
제 1 항에 있어서,

상기 고 감마부는 Pt 및 Mg 중 적어도 1종을 포함하여 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
제 1 항에 있어서,

상기 고 감마부는 상기 형광체 층의 표면에 대해서 1% 이상 50% 이하의 피복률로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
제 1 항에 있어서,

상기 고 감마부는 상기 형광체 층의 표면에 대해서 3% 이상 20% 이하의 피복률로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
제 1 기판과 제 2 기판 사이에 공간을 두고 대향 배치되며, 상기 제 1 기판에서의 상기 공간 측의 영역에 형광체 층이 형성되어 이루어지는 플라스마 디스플레이 패널로,

상기 형광체 층의 표면에는 상기 형광체 층을 구성하는 형광체 재료보다도 2차 전자 방출계수가 높은 재료를 구성요소로 포함하는 피막 형상의 고 감마부가 피복되어 형성되어 있으며,

상기 고 감마 영역은 그 막 두께가 1㎚ 이상 10㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
제 28 항에 있어서,

상기 고 감마부는 금속산화물을 포함하여 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
제 29 항에 있어서,

상기 금속산화물은 MgO 및 SrO 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
제 29 항에 있어서,

상기 금속산화물은 MgO를 포함하고,

상기 고 감마부는 상기 금속산화물을 전자 빔 증착법을 사용하여 증착 형성 된 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
제 1 항 또는 제 28 항에 있어서,

상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 형성된 공간에는 Xe를 포함하는 방전가스가 충전되어 있고,

상기 방전가스의 전체 압력에 대한 Xe 분압(partial pressure)의 비율은 5% 이상 100% 이하인 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
제 1 항 또는 제 28 항에 있어서,

상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 형성된 공간에는 Xe를 포함하는 방전가스가 충전되어 있고,

상기 방전가스의 전체 압력에 대한 Xe 분압의 비율은 5% 이상 50% 이하인 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널.
제 1 기판과 제 2 기판 사이에 공간을 두고 대향 배치되며, 상기 제 1 기판에서의 상기 공간 측의 영역에 형광체 층이 형성되어 이루어지는 플라스마 디스플레이 패널의 제조방법으로,

상기 제 1 기판상에서 상기 제 2 기판과 대향하는 측의 표면부분에 형광체 층을 형성하는 형광체 층 형성스텝과,

상기 형광체 층의 표면에서의 일부 영역에 상기 형광체 층을 형성하기 위해 사용한 형광체 재료보다도 2차 전자 방출계수가 높은 재료를 사용하여 고 감마부를 피복 형성하는 고 감마부 형성스텝을 가지며,

상기 고 감마부 형성스텝에서는, 형광체 층의 표면에서의 나머지 영역과 상기 고 감마부가 동시에 상기 공간을 면하도록 상기 고 감마 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널의 제조방법.
제 34 항에 있어서,

상기 고 감마부 형성스텝에서는, 스프레이 법, 분산퇴적법(dispersion accumulation method) 혹은 전자 빔 증착법 중 어느 하나를 이용하여, 상기 형광체 층의 표면에 대해서 반점 형상 또는 스트라이프 형상으로 피막을 형성함으로써 상기 고 감마부를 형성하는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널의 제조방법.
제 34 항에 있어서,

상기 고 감마부 형성스텝에서는 산포법(dispersion method), 스프레이 법, 분산퇴적법 혹은 전착법(electro-deposition method) 중 어느 하나를 이용하여, 상기 형광체 층의 표면에 대해서 입자 형상의 재료를 부착시킴으로써 상기 고 감마부를 형성하는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널의 제조방법.
제 34 항에 있어서,

상기 형광체 층 형성스텝에서의 상기 형광체 층의 형성에 선행하여, 상기 제 1 기판의 표면상에 복수 개의 제 1 전극을 서로 평행하게 형성하고, 당해 제 1 전극을 피복하도록 유전체 층을 적층 형성하며,

상기 고 감마부 형성스텝에서는, 상기 제 1 전극의 상방의 영역을 포함하는 범위에 상기 고 감마부를 피복 형성하는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널의 제조방법.
제 34 항에 있어서,

상기 형광체 층 형성스텝에서의 상기 형광체 층의 형성에 선행하여, 제 1 기판의 표면상에 복수 개의 제 1 전극을 서로 평행하게 형성하고, 당해 제 1 전극을 피복하도록 유전체 층을 적층 형성하며,

상기 제 2 기판의 표면상에, 상기 제 1 전극과 교차하는 방향으로, 서로 평행한 제 2 전극 및 제 3 전극에 의해 쌍을 이루는 전극 쌍을 복수 쌍 형성하고,

상기 고 감마부 형성스텝에서는 상기 제 1 전극과 제 2 전극이 교차하는 영역을 포함하는 범위에 상기 고 감마부를 형성하는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널의 제조방법.
제 34 항에 있어서,

상기 고 감마부 형성스텝에서는 MgO 또는 SrO를 포함하는 재료를 사용하여 상기 고 감마부를 형성하는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널의 제조 방법.
제 34 항에 있어서,

상기 고 감마부 형성스텝에서는 카본 나노 튜브, 나노 섬유, 풀러린 및 AlN으로 구성되는 물질 군 중에서 선택되는 적어도 1종의 재료를 사용하여 상기 고 감마부를 형성하는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널의 제조방법.
제 34 항에 있어서,

상기 고 감마부 형성스텝에서는 Pt 또는 Mg를 포함하는 재료를 사용하여 상기 고 감마부를 형성하는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널의 제조방법.
재 34 항에 있어서,

상기 고 감마부 형성스텝에서는 상기 형광체 층의 표면에 대한 상기 고 감마부의 피복률을 3% 이상 20% 이하로 규정하는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널의 제조방법.
제 1 기판과 제 2 기판 사이에 공간을 두고 대향 배치되며, 상기 제 1 기판에서의 상기 공간 측의 영역에 형광체 층이 형성되어 이루어지는 플라스마 디스플레이 패널의 제조방법으로,

상기 제 1 기판상에서 상기 제 2 기판과 대향하는 측의 표면부분에 형광체 층을 형성하는 형광체 층 형성스텝과,

상기 형광체 층의 표면에, 상기 형광체 층을 형성하기 위해 사용한 형광체 재료보다도 2차 전자 방출계수가 높은 재료를 사용하여 피막 형상의 고 감마부를 피복 형성하는 고 감마부 형성스텝을 구비하며,

상기 고 감마부 형성스텝에서는 상기 고 감마 영역을 1㎚ 이상 10㎚ 이하의 막 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널의 제조방법.
제 43 항에 있어서,

상기 고 감마부 형성스텝에서는 전자 빔 증착법을 이용하여 상기 고 감마부를 증착 형성하는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널의 제조방법.
제 43 항에 있어서,

상기 고 감마부 형성스텝에서는 MgO 또는 SrO를 포함하는 재료를 사용하여 상기 고 감마부를 형성하는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널의 제조방법.
제 34 항 또는 제 43 항에 있어서,

상기 제 1 기판과 제 2 기판의 외주부를 밀봉하는 밀봉스텝과,

상기 공간 내에 Xe를 포함하는 방전가스를 충전하는 가스충전스텝을 구비하 고,

상기 가스충전스텝에서는 Xe 분압이 5% 이상 50% 이하로 조정된 방전가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널의 제조방법.
제 34 항에 있어서,

상기 고 감마부 형성스텝에서는, 상기 고 감마부 형성재료를 대전(electrically charged)시키는 동시에, 상기 대전된 형성재료를 정전력에 의해 상기 형광체 층의 표면에서의 상기 일부 영역에 퇴적시키는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널의 제조방법.
제 47 항에 있어서,

상기 형광체 층 형성스텝에서의 상기 형광체 층의 형성에 선행하여, 제 1 기판의 표면상에 복수 개의 제 1 전극을 상호 간에 형성하고, 당해 제 1 전극을 피복하도록 유전체 층을 적층 형성하며,

상기 고 감마부 형성스텝에서는, 상기 고 감마부 형성재료를 양(positively)으로 대전시키는 동시에, 상기 제 1 전극에 음의 전압(negative voltage)을 인가함으로써, 상기 대전상태의 형성재료를 퇴적시키는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널의 제조방법.
제 48 항에 있어서,

상기 고 감마부 형성스텝에서는, 상기 제 1 전극에 대한 음의 전압의 인가가 시간의 경과와 함께 음 측(negative side)으로 커지도록 행해지는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널의 제조방법.
제 49 항에 있어서,

상기 고 감마부 형성스텝에서는, 상기 제 1 전극에 대한 음의 전압의 인가가 음 측으로 연속적 또는 단계적으로 커지도록 행해지는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널의 제조방법.
제 47 항에 있어서,

상기 고 감마부 형성스텝에서는 상기 대전된 형성재료를 상기 형광체 층의 표면을 향해서 산포(disperse) 하는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널의 제조방법.
제 47 항에 있어서,

상기 고 감마부 형성스텝에서는, 상기 고 감마부 형성재료를 플라스마 중에서 대전시켜서, 당해 대전된 형성재료를 전자 빔 증착에 의해 퇴적시키는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널의 제조방법.
제 47 항에 있어서,

상기 고 감마부 형성스텝에서는, 상기 고 감마부 형성재료에 플라스마 빔을 조사하여 대전시켜서, 당해 대전된 형성재료를 성막(成膜)함으로써 퇴적시키는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널의 제조방법.
제 47 항에 있어서,

상기 고 감마부 형성스텝에서는 상기 고 감마부 형성재료로 적어도 MgO를 포함하는 재료를 사용하는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널의 제조방법.
제 34 항에 있어서,

상기 형광체 층 형성스텝에서의 상기 형광체 층의 형성에 선행하여, 상기 제 1 기판의 표면상에 복수 개의 데이터 전극을 서로 평행하게 형성하고, 당해 데이터 전극을 피복하도록 유전체 층을 적층 형성하며, 상기 유전체 층의 표면상에 상기 제 2 기판 측을 향해서 서로 이웃하는 상기 데이터 전극과 데이터 전극 사이에서 병행하여 연장되고, 또한 상기 제 1 기판의 표면을 향해서 상호 간의 간격이 좁아져 가는 상태의 경사면을 갖는 격벽을 형성하며,

상기 형광체 층 형성스텝에서는, 서로 이웃하는 상기 격벽 사이에서, 당해 격벽 및 상기 유전체 층으로 구성되는 오목부의 안쪽 벽면에 대해서 상기 형광체 층을 형성하고,

상기 격벽은 상기 제 1 기판의 주 표면을 향해서 상호 간의 간격이 좁아져 가는 상태의 경사면을 가지며,

상기 제 2 기판의 표면상에는, 상기 데이터 전극과 교차하는 방향으로, 서로 평행한 스캔 전극 및 서스테인 전극에 의해 쌍을 이루는 전극 쌍이 복수 형성되어 있고,

상기 스캔 전극의 각 측면 가장자리에서 상기 제 1 기판의 표면에 대해서 수선을 내린 때에, 상기 고 감마부 형성스텝에서는, 상기 수선에 대해서 교차하는 각도로, 상기 격벽의 경사면 상에서의 상기 형광체 층의 표면에 대해서 경사 증착법(slant vapor deposition method)에 의해 상기 고 감마부의 피복을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널의 제조방법.
제 34 항에 있어서,

상기 제 2 기판의 표면상에는, 상기 데이터 전극과 교차하는 방향으로, 서로 평행한 스캔 전극 및 서스테인 전극에 의해 쌍을 이루는 전극 쌍이 복수 형성되어 있고,

상기 형광체 층 형성스텝에서의 상기 형광체 층의 형성에 선행하여, 상기 제 1 기판의 표면상에 복수 개의 데이터 전극을 서로 평행하게 형성하고, 당해 데이터 전극을 피복하도록 유전체 층을 적층 형성하며, 상기 유전체 층의 표면상에, 상기 제 2 기판 측으로 향해서, 서로 이웃하는 상기 데이터 전극과 데이터 전극 사이에서 병행하여 연장되는 제 1 격벽을 형성하고, 또한 상기 유전체 층의 표면상에, 상기 제 2 기판 측을 향해서, 상기 제 1 격벽에 교차하는 방향으로, 상기 제 2 기판 에 형성된 서로 이웃하는 상기 전극 쌍과 전극 쌍 사이에 연장되는 제 2 격벽을 형성하며,

상기 형광체 층 형성스텝에서는, 상기 유전체 층과 상기 제 1 격벽 및 상기 제 2 격벽으로 구성되는 오목부의 안쪽 벽면에 대해서 상기 형광체 층을 형성하고,

상기 제 2 격벽은 상기 제 1 기판의 표면을 향해서 상호 간의 간격이 좁아져 가는 상태의 경사면을 구비하며,

상기 스캔 전극의 각 측면 가장자리에서 상기 제 1 기판의 표면에 대해서 수선을 내린 때에, 상기 고 감마부 형성스텝에서는, 상기 수선에 대해서 교차하는 각도로, 상기 제 2 격벽의 경사면 상에서의 상기 형광체 층의 표면에 대해서 경사 증착법에 의해 상기 고 감마부를 피복 형성하는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널의 제조방법.
제 55 항 또는 제 56 항에 있어서,

상기 고 감마부 형성스텝에서는 상기 각도를 유지한 상태에서 상기 제 1 기판을 그 주면 방향으로 반송하는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널의 제조방법.
제 55 항 또는 제 56 항에 있어서,

상기 고 감마부 형성스텝에서는, MgO를 포함하는 금속산화물 재료를 사용하여, 전자 빔 증착법에 의해, 상기 고 감마부를 막 형상으로 형성하는 것을 특징으 로 하는 플라스마 디스플레이 패널의 제조방법.
제 55 항 또는 제 56 항에 있어서,

상기 고 감마부 형성스텝에서는 막 두께가 100㎚ 이상 3㎛ 이하의 막 형상으로 상기 고 감마부를 형성하는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널의 제조방법.
제 55 항 또는 제 56 항에 있어서,

상기 고 감마부 형성스텝에서는 상기 형광체 층의 표면 중 상기 수선에 의해 둘러싸이는 영역 외의 영역을 상기 공간과 면하는 상태로 유지하는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 패널의 제조방법.
표면에 전극과 당해 전극을 피복하는 형광체 층이 형성된 기판에 대해서, 상기 형광체 층의 표면으로서 상기 전극의 표면에 상당하는 부분 내에 당해 형광체 층보다도 2차 전자 방출계수가 높은 재료로 고 감마부를 형성하는 형성장치로,

상기 고 감마부의 형성에 사용하는 형성재료를 대전시키는 대전수단과,

대전된 상기 형성재료를 산포하는 산포수단과,

산포된 형성재료를, 상기 형광체 층의 표면으로서 상기 전극의 표면에 상당하는 부분 내에 편재하여 퇴적시키기 위해서, 상기 전극에 전압을 인가하는 인가수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 형성장치.