JP2001028243A

JP2001028243A - 高周波駆動プラズマディスプレーパネル及びその駆動装置

Info

Publication number: JP2001028243A
Application number: JP2000167946A
Authority: JP
Inventors: Won Kan Jun; ジュン・ウォン・カン; Don Kim Oi; オイ・ドン・キム
Original assignee: LG Electronics Inc
Current assignee: LG Electronics Inc
Priority date: 1999-06-03
Filing date: 2000-06-05
Publication date: 2001-01-30
Anticipated expiration: 2020-06-05
Also published as: US6794820B1; JP3454781B2

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、放電電圧を低くするとともにリー
ク電流を少なくした、高周波駆動プラズマディスプレー
パネルを提供する。【解決手段】本発明は、アドレス電極とスキャン電極
とを交差するように背面基板に配置し、その双方の電極
の交差する部分を絶縁するための誘電体層を厚く形成さ
せ、その他の誘電体層を薄く形成させた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はプラズマディスプレ
ーパネルに関し、特に、放電電圧を低くするようにした
高周波駆動プラズマディスプレーパネル及びその製造方
法に関する。また、本発明は電極間のリーク電流を減ら
した高周波駆動プラズマディスプレーパネル及びその製
造方法に関することである。

【０００２】

【従来の技術】プラズマディスプレーパネル（ＰＤＰ）
はＨｅ＋ＸｅまたはＮｅ＋Ｘｅガスの放電の時に発生す
る１４７ｎｍの紫外線によって蛍光体を発光させて文字
またはグラフィックを含めた画像を画面上に表示してい
る。このようなＰＤＰは薄膜化と大型化が容易であるだ
けではなく、最近の技術の開発によって画質が大幅に向
上している。このようなＰＤＰは大きく直流駆動方式と
交流駆動方式に分けられる。

【０００３】交流駆動方式のＰＤＰは直流駆動方式に比
べて低電圧駆動と長寿命の長所を有するので今後、表示
装置として脚光を浴びるようになるであろう。また、交
流駆動方式のＰＤＰは、誘電体を間に置いて配置された
電極の間に交流電圧信号を印加して、その信号の半周期
ごとに放電を起こさせて画像を表示している。このよう
な交流型ＰＤＰは表面に壁電荷が蓄積される誘電体を使
用している。

【０００４】図１及び図２を参照すると、交流型ＰＤＰ
は維持電極対（１０）が形成された前面基板（１）と、
アドレス電極（４）が形成された背面基板（２）とを具
備する。前面基板（１）と背面基板（２）は隔壁（３）
を間に置いて平行に離隔されている。前面基板（１）、
背面基板（２）及び隔壁（３）によって区画された放電
空間にはＮｅ−Ｘｅ、Ｈｅ−Ｘｅなどの混合ガスが注入
される。維持電極対（１０）はプラズマ放電チャンネル
内で二つが一つの対となるように配置されている。維持
電極対（１０）のいずれかの一つはアドレス期間に供給
されるスキャンパルスに応答してアドレス電極（４）と
共に対向放電を起こし、かつサステイニング期間には供
給されるサステイニングパルスに応答して隣接した維持
電極（１０）と面放電を起こす走査／サステイニング電
極として利用される。また、走査／サステイニング電極
として利用される維持電極（１０）に隣接した他方の維
持電極（１０）はサステイニングパルスが共通に供給さ
れる共通サステイニング電極として利用される。維持電
極（１０）が形成された前面基板（１）上には誘電層
（８）と保護膜（９）が積層される。誘電層（８）はプ
ラズマ放電電流を制限するとと共に、放電時、壁電荷を
蓄積する役割をする。保護膜（９）はプラズマ放電時に
発生したスパタリングによる誘電体（８）の損傷を防い
で二次電子の放出効率を高めるたものものである。この
保護膜（９）は通常酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を用い
ている。背面基板（２）にはアドレス電極（４）を覆う
誘電体厚膜（６）が形成されており、かつ放電空間を区
画するための隔壁（３）がほぼ垂直に延びている。背面
基板（２）と隔壁（３）の表面には真空紫外線によって
励起されて可視光を発生する蛍光層（５）が形成され
る。

【０００５】このような交流型ＰＤＰは一つのフレーム
が多数のサブフィルドで構成されてサブフィルドの組み
合わせによってグレーレベルが実現される。一般的に一
つのフレーム期間はそれぞれ時間が異なる八つのサブフ
ィルドに時分割されている。その八つのサブフィルド組
み合わせて、例えば、２５６のグレーレベルを実現して
いる。八つのサブフィルドそれぞれはリセット期間、ア
ドレス期間及びサステイニング期間に分かれている。リ
セット期間には全画面が初期化される。アドレス期間に
はデータが表示されるセルがアドレス放電によって選択
される。選択されたセルはサステイニング期間に放電が
維持される。サステイニング期間はサブフィルドそれぞ
れの加重値によって２ⁿに該当する期間ずつ長くなる。
すなわち、第１ないし第８サブフィルドそれぞれのサス
テイニング期間は、２⁰、２¹、２ ²、２³、２⁴、２⁵、２
⁶、２⁷の比率で長くなる。このために、サステイニング
期間に発生させるサステイニングパルスの数もサブフィ
ルドによって、２⁰、２¹、２²、２³、２⁴、２⁵、２⁶、
２⁷と増加する。これらサブフィルドの組み合わせによ
って表示映像の輝度及び色度が決定される。

【０００６】このような交流型ＰＤＰにおいて、維持電
極対（１０）ではデューティ比が１であり、２００〜３
００ｋＨｚの周波数と１０〜２０μｓ程度の幅を有する
サステイニングパルスが極性を変えて交互に供給され
る。このサステイニングパルスの応答して維持電極対
（１０）間に起きる維持放電は維持パルス当たり極めて
短い瞬間に１回ずつ発生する。維持放電によって発生し
た荷電粒子は維持電極対（１０）の極性によって維持電
極対（１０）の間の放電経路を移動して上部誘電層
（８）に蓄積されて壁電荷として残る。このような壁電
荷は次の維持放電時駆動電圧を低くする。該当維持放電
後、壁電荷の放電空間が止まる。これにように、維持放
電は維持パルスの幅に比べて極めて短い瞬間に１回だけ
発生して、そのほかの大部分時間は壁電荷形成及び次の
放電のための準備段階に消費されている。これによっ
て、従来の交流型ＰＤＰでは全体の放電期間に比べて実
際に放電する期間がかなり短くなるので輝度及び放電効
率が低くならざるを得ない。

【０００７】上述した、交流型ＰＤＰの低い輝度及び低
い放電効率の問題を解決するために、数十ないし数百Ｍ
Ｈｚの高周波放電を利用して維持放電を起こせる高周波
ＰＤＰ（Radio Frequency ＰＤＰ：以下“ＲＦＰＤ
Ｐ”という）が提案されたことがある。ＲＦＰは高周波
放電によってセル内の電子を振動させる。

【０００８】図２を参照して従来のＲＦＰＤＰを説明す
る。ＲＦＰＤＰはアドレス電極（１４）とスキャン電極
（１８）が直交されるように形成された背面基板（１
２）と、スキャン電極（１８）と平行に高周波電極（２
８）が形成された前面基板（３０）とを具備する。アド
レス電極（１４）とスキャン電極（１８）の間にはこれ
らの電極間の絶縁のための第１下部誘電層（１６）が形
成される。スキャン電極（１８）の上には第２下部誘電
層（２０）と保護膜（２２）が積層される。高周波電極
（２８）が形成された背面基板（３０）には上部誘電層
（２９）が平坦に形成されている。このＲＦＰＤＰの場
合は、前面基板と背面基板とを離してセルを形成させる
隔壁（２４）は空間を各セル毎に区画するので直四角形
とされている。この直四角形の隔壁（２４）と保護層
（２２）の表面には蛍光体（２６）が塗布される。

【０００９】ＲＦＰＤＰは、通常の交流式ＰＤＰと同様
に、リセット期間、アドレス期間及びサステイニング期
間を含む多数のサブフフィルドの組み合わせで画像を表
示する。リセット期間には全画面が初期化される。続い
て、アドレス期間にはアドレス電極（１４）とスキャン
電極（１８）の間の放電によってセルが選択される。選
択されたセルはサステイニング期間に電子の振動運動に
よって画像を表示できるようになる。この時、高周波電
極（２８）に数十ないし数百ＭＨｚの高周波信号が印加
されてスキャン電極（１８）に所定レベルの直流バイア
ス電圧が印加される。この高周波信号によってセル内の
電子は高周波信号の極性によって放電ガスが連続的にイ
オン化される。この放電によって発生する真空紫外線が
蛍光体（２６）を励起させ、蛍光体（２６）が遷移され
て可視光を発生する。このようにＲＦＰＤＰは高周波信
号を利用してサステイニング期間の間、連続的に放電を
起こすので交流型ＰＤＰに比べて輝度及び放電効率が高
くなる。

【００１０】背面基板（１２）上に積層される誘電層
（１６、２０）の厚さはアドレス放電の時に必要なライ
ティング電圧（書込み電圧）と電極間のリーク電流を決
定するために適切に設計されなければならない。

【００１１】このような誘電層（１６、２０）の厚さは
通常交流型のＰＤＰの誘電体厚膜（６）に比べて厚くな
る。このように誘電層の厚さが厚い場合、誘電層（１
６、２０）によって電圧降下が起きるためにアドレスの
放電時にアドレス電極（１４）とスキャン電極（１８）
の間に印加されるライティング電圧が低くなる。その結
果、アドレス放電が不安定になることがある。アドレス
放電を安定化するために、ライティング電圧を高めるよ
うになると高電圧用の回路素子などで駆動回路を具現し
なければならないために製造費用が上昇されることは勿
論であり消費電力が大きくなる。このアドレス放電に必
要なライティング電圧を計算してみる。

【００１２】誘電層（１６、２０）に蓄積されるキャパ
シタンス（Ｃ）は下の式１の通りである。Ｃ＝ε_rε_oＡ／ｄ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・式１

【００１３】ここで、ε_rε_oは誘電率、Ａは誘電層（１
６、２０）の面積、ｄは誘電層（１６、２０）の厚さを
意味する。図３のように、Ｃ１をスキャン電極（１８）
と放電空間（３２）の間のキャパシタンス、Ｃ２を放電
空間（３２）の放電経路上に形成されるキャパシタン
ス、Ｃ３を放電空間（３２）とアドレス電極（１４）の
間のキャパシタンスとすると、Ｃ１、Ｃ２及びＣ３の大
きさは次の式２のようにＣ１，Ｃ３、Ｃ２の順に小さく
なる。ここで、スキャン電極（１８）と放電空間（３
２）の間の誘電層（１６、２０）の厚さは３０μｍ、ア
ドレス電極（１４）と放電空間（３２）の間の誘電層
（１６、２０）の厚さｄは７０μｍ、Ｃ２が形成される
放電空間（３２）の間の厚さｄは２０μｍと仮定してい
る。また、Ｃ１ないしＣ３の面積Ａは一定と仮定する。
誘電層（１６、２０）の誘電率ε_rε_oは１０であり、放
電空間（３２）の誘電率ε_rε_oは１と仮定する。Ｃ１：Ｃ２：Ｃ３＝１０Ａ／３０：１Ａ／２０：１０Ａ／７０＝０．３３：０．０５：０．１４・・・・・式２

【００１４】式２で放電空間（３２）のキャパシタンス
Ｃ２と誘電層（１６、２０）のキャパシタンスＣ１＋Ｃ
３の関係はほぼ０.１：０.０５となる。スキャン電極
（１８）とアドレス電極（１４）の間に印加されるライ
ティング電圧をＶｗｒｔと言う時、誘電層（１６、２
０）に印加される電圧Ｖｄｉは式３となる。Ｖｄｉ＝｛０．０５／（０．１＋０．０５）｝Ｖｗｒｔ・・・・式３

【００１５】従って、スキャン電極（１０）とアドレス
電極（１４）に印加されるライティング電圧の３０％な
いし４０％が誘電層（１６、２０）に印加される。その
結果、アドレス放電を生じさせるためのセル電圧が２０
０Ｖであるとすると、スキャン電極（１８）とアドレス
電極（１４）との間に必要なライティング電圧は少なく
とも２９０〜３３０Ｖ程度の高さでなければならない。

【００１６】誘電層（１６、２０）の厚さが３０ないし
４０μｍ以上であるために、誘電体を基板（１２）上に
塗布するためには、スクリーンプリンティングの工程を
数回繰り返して行わなければならない。このような方法
によって基板（１２）上に塗布された誘電層（１６、２
０）の平面特性と厚さがスクリーンプリンティングの繰
り返しによって不均一になりやすい。この場合、誘電層
（１６、２０）の厚さの不均一によってスキャン電極
（１４）とアドレス電極（１８）に印加されるライティ
ング電圧も不均一になる。

【００１７】一方、スキャン電極（１８）とアドレス電
極（１４）の間に存在する誘電層（１６）の厚さを薄く
形成すると、式１と下記の式４で分かるとように、誘電
層（１６）の厚さが薄くなるほどスキャン電極（１８）
とアドレス電極（１４）の間にリーク電流がｉ_leak増大
する。ｉ_leak＝Ｃ・ｄｖ／ｄｔ・・・・・・・・・・・式４

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は放電電圧を低くするようにしたＲＦＰＤ及びその製造
方法を提供することである。本発明の他の目的は電極間
のリーク電流を減らすようにしたＲＦＰＤＰ及びその製
造方法を提供することにある。

【００１９】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成する本発
明によるＲＦＰＤＰは、基板上に形成された第１電極
と、第１電極と交差して第１電極と間に放電を起こすた
めの第２電極と、第１及び第２電極の間に双方の電極が
交差する箇所では厚く、他の箇所では薄くなる形状にさ
れた、第１及び第２電極の間を絶縁させる誘電体層とを
具備する。

【００２０】本発明によるＲＦＰＤＰは、表面が膨らむ
ように基板上に平行に形成される多数の誘電体パターン
と、誘電体パターンとその誘電体パターンのない基板上
に誘電体パターンに直交するように形成される第１電極
と、第１電極と共に放電を起こさせるために第１電極に
直交する方向に形成させた第２電極と、第１及び第２電
極の間に、双方の電極が交差する部分は厚く形成されて
第１及び第２電極の間を絶縁させる誘電層とを具備す
る。

【００２１】本発明によるＲＦＰＤＰの製造方法は、基
板上に誘電体を全面塗布する段階と、表面が膨らみ、山
と谷の波面の形態を有する形態に誘電体をパターニング
する段階と、誘電体パターンを横切る第１電極を基板上
に形成する段階と、前記誘電体パターン及び第１電極が
形成された基板上に誘電層を全面塗布する段階と、山と
谷の波面の形態を有する誘電層の上の凹んでいる谷領域
の上に第１電極と交差されるように第２電極を形成する
段階を含む。

【００２２】本発明によるＲＦＰＤＰの製造方法は、基
板上に第１電極を形成する段階と、第１電極が形成され
た基板上に誘電体を全面塗布する段階と、誘電体を所定
の形態でパターニングする段階と、誘電体パターンを間
に置いて第１電極と交差されるように第２電極を基板上
に形成する段階を含む。

【００２３】

【作用】本発明によるＲＦＰＤＰは、アドレス電極とス
キャン電極とを絶縁する両者の間の誘電体層を薄くし
て、その一方、双方の電極が交差する部分では誘電体層
を厚く形成させているので、放電電圧を低下させること
ができると共に、リーク電流を減少させることができ
る。

【００２４】

【発明の実施の形態】前記目的以外に本発明のまたの目
的及び利点などは添付した図面を参照した本発明の好ま
しい実施形態に対する説明を通して明白になるであろ
う。以下、本発明の実施形態を添付した図４ないし図１
１を参照してして詳細に説明することにする。図４には
背面パネルが示されている。本発明実施形態によるＲＦ
ＰＤＰの背面パネルは、背面基板（３２）上に積層され
た誘電体パターン（３４）、アドレス電極（３６）及び
第１下部誘電層（３８）と、第１下部誘電層（３８）上
でアドレス電極（３６）と交差されるスキャン電極（４
２）とを具備する。誘電体パターン（３４）の断面形状
はは両辺が薄くて真ん中の部分が膨らんだ形状を有す
る。この誘電体パターン（３４）は所定の間隔ほど離隔
されるように背面基板（３２）上にストライプ形態でパ
ターニングされる。この誘電体パターン（３４）のスト
ライプの幅は図示のようにスキャン電極（４２）の間に
ほぼ等しい。アドレス電極（３６）は誘電体パターン
（３４）が形成された背面基板（３２）上に均一の厚さ
で形成される。従って、アドレス電極（３６）は誘電体
パターン（３４）のストライプの断面形状に沿った山と
谷を有する波面形態に形成される。第１下部誘電層（３
８）はアドレス電極（３６）を覆うように形成されてい
る。したがって、アドレス電極（３６）と同様に山と谷
の部分が形成される。しかし、この第１下部誘電層（３
８）の谷部分はアドレス電極（３６）の谷部分より緩や
かにする。その結果、誘電体層（３８）の谷の部分はそ
の他の部分より厚くなる。スキャン電極（４２）が第１
下部誘電層（３８）の厚くされた緩やかな谷部分の上に
形成されて、アドレス電極（３６）と直交される。した
がって、アドレス電極（３６）とスキャン電極（４２）
が交差する部分の誘電体層は誘電体層の他の部分より厚
くなる。第２下部誘電層（４０）は第１下部誘電層（３
８）上に表面が平坦に形成されてスキャン電極（４２）
を覆う。アドレス電極（３６）の山部分の上に覆われた
第１及び第２誘電層（３８、４０）の厚さ（ｔ１）は図
２に図示された誘電層（１６、２０）に比べて薄くな
る。このように下部誘電層（３８、４０）の厚さが薄く
なればなるほど電圧の損失が減るのでアドレス電極（３
６）とスキャン電極（４２）の間に印加されるライティ
ング電圧の電圧レベルを低くすることができる。また、
アドレス電極（３６）とスキャン電極（４２）が直接交
差している箇所の誘電体層（３８）は比較的厚くされて
いるので、リーク電流が少なくなる。なお、本実施形態
においてはアドレス電極が第１電極で、スキャン電極が
第２電極である。

【００２５】このような背面パネルと結合される前面パ
ネルはその構造が図２に図示されたそれと実質的に同一
となるので省略する。図中４４は前面基板との間に形成
される隔壁である。即ち、図示しない前面パネルの前面
基板には高周波電極と誘電層が形成される。

【００２６】放電の時に隣接した放電セル間の荷電粒子
または電荷の拡散が隔壁（４４）によって遮断されて隣
接した放電セル間のクロストークを防ぐようになってい
る。

【００２７】図５Ａないし図５Ｅは図４に図示されたＲ
ＦＰＤＰの背面パネル製造方法を段階的に表す。図５Ａ
を参照すると、背面基板（３２）上に誘電体パターン
（３４）を形成する。この誘電体パターン（３４）はス
トライプ形態にパターニングされたマスクパターンを利
用してスクリーンプリンティング方法を繰り返して形成
される。塗布ごとに誘電体の双方の縁の部分を崩し、真
ん中の部分が膨らんだ形状にパターニングされる。誘電
体パターン（３４）が形成された下部基板（３２）上に
は図５Ｂのようにアドレス電極（３６）を形成する。ア
ドレス電極（３６）は誘電体パターン（３４）に交差す
るようにスパタリングのような真空蒸着で背面基板（３
２）上に蒸着させる。このように形成されたアドレス電
極（３６）は誘電体パターン（３４）と背面基板（３
２）の表面となる波面の形状によって山と谷の形態を有
するようになる。谷の部分では基板に接している。続い
て、アドレス電極（３６）を覆うようにスクリーンプリ
ンティング方法を利用して誘電体を背面基板（３２）上
に塗布して図５Ｃのように第１下部誘電層（３８）を形
成する。この第１下部誘電層（３８）はアドレス電極
（３６）と類似に山と谷を有する波面形態に形成され
る。ここで、スクリーンプリンティング時に誘電体が谷
の部分に偏るために第１下部誘電層（３８）の谷はアド
レス電極（３６）のそれに比べて緩やかになる。第１下
部誘電層（３８）の谷の部分に、図５Ｄのようにアドレ
ス電極（３６）と交差するようにスキャン電極（４２）
を形成する。このスキャン電極（４２）はスパッタリン
グのような真空蒸着方法で形成される。最後に、図５Ｅ
のようにスキャン電極（４２）を覆うように第２下部誘
電層（４０）を塗布する。その際、その表面を平坦にす
る。誘電体はスキャン電極（４２）が形成された背面基
板（３２）上にスクリーンプリンティングまたはスピン
コーティングのような方法で背面基板（３２）の全面に
塗布する。このような第２下部誘電層（４０）の上には
図４のように誘電体パターン（３４）の膨らんだ真ん中
の部分に左右の両側が対応するように格子型の隔壁（４
４）が形成される。第２下部誘電層（４０）の上には図
示しない保護膜を形成してもよい。隔壁（４４）表面に
は蛍光体が塗布される。このように背面パネルが完成す
ると図示しない前面基板上に高周波電極及び誘電層が形
成された前面パネルを背面パネルと接合してその内部の
放電空間内に放電ガスを注入する。

【００２８】図６は本発明の第２実施形態によるＲＦＰ
ＤＰの背面パネルを表す。図６を参照すると、本実施形
態による背面パネルは放電セル（５０）ごとに同一断面
形状のパターンを二つ対にして所定の間隔をおいて並べ
た誘電体パターン（５４）を具備している。一つの誘電
体パターン（５４）は図４に図示されたそれに比べて幅
がほぼ１／２程度である。放電セル（５０）の境界部で
は二つの誘電体パターン（５４）が隣接する。このよう
な誘電体パターン（５４）の上にはアドレス電極（５
６）が山と谷を有する形状に配置される。アドレス電極
（５６）は誘電体パターン（５４）とは交差する。先の
例と同様に、誘電体パターン（５４）とアドレス電極
（５６）の上には第１下部誘電層（５８）が全面塗布さ
れる。第１下部誘電層（５８）の谷にはアドレス電極
（５６）と交差するようにスキャン電極（６２）を形成
する。第１下部誘電層（５８）とスキャン電極（６２）
の上には第２下部誘電層（６０）を形成して、その上に
図示しない保護膜と隔壁（６４）を形成する。

【００２９】スキャン電極（６２）の両側に位置してア
ドレス電極（５６）の山の上に形成された下部誘電層
（５８、６０）の厚さ（ｔ２）は、第１実施形態と同様
の理由により従来のそれに比べて薄くなる。これによっ
て、アドレス電極（５６）とスキャン電極（６２）の間
にライティング電圧が印加されるとき、誘電体による電
圧損失が小さくなる。また、スキャン電極（６２）の両
側に位置するアドレス電極（５６）の山がスキャン電極
（６２）とほぼ同じ高さを有するのでこれら二電極（５
６、６２）間の放電距離がその分減少する。放電距離は
スキャン電極（６２）の側面とアドレス電極（５６）の
山の間であるので誘電体パターン（５４）の大きさを放
電距離が減少するように適切に設計する。このように、
双方の電極（５６、６２）間の放電距離が減少すると、
放電に必要な電圧を低くすることができるのでアドレス
電極（５６）に印加されるライティング電圧が低くな
る。

【００３０】図７は本発明の第３の実施形態である。こ
の実施形態では、前面基板（７２）の表面にアドレス電
極（７４）を一定の間隔で平行に配置する。そのアドレ
ス電極と交差するように断面矩形の誘電体パターン（７
６）が配置され、その誘電体パターン（７６）の表面に
スキャン電極（７８）がアドレス電極と交差する方向に
配置されている。したがって、この実施形態おいては誘
電体パターン（７６）はストライプ又はライン状に形成
されている。また、誘電体パターン（７６）はアドレス
電極（７４）とスキャン電極（７８）との絶縁層ともな
っている。更にそれらの上に全体を覆うように誘電層
（８０）が形成され、その上に保護層（８２）が形成さ
れている。（８４）は隔壁である。このように、誘電体
パターン（７６）がスキャン電極（７８）と同じ方向に
ライン形態で形成されているので、アドレス電極（７
４）やスキャン電極（７８）の上を覆うように形成させ
る誘電層（８０）の厚さを薄くすることができる。この
ようにアドレス電極（７４）及びスキャン電極（７８）
の上に覆われた誘電層（８０）の厚さが薄くなるのでア
ドレス電極（７４）とスキャン電極（７８）の間の放電
に必要な電圧を低くすることができる。一方、誘電体パ
ターン（７６）によってアドレス電極（７４）とスキャ
ン電極（７８）が交差している部分の誘電体層は厚くな
っている。

【００３１】Ｃ１をスキャン電極（７８）と放電空間
（８６）の間のキャパシタンス、Ｃ２を放電空間（８
６）の放電経路の上に形成されるキャパシタンス、そし
てＣ３を放電空間（８６）とアドレス電極（７４）の間
のキャパシタンスとすると、Ｃ１ないしＣ３の大きさは
下の式５のように計算される。ここで、スキャン電極
（７８）と放電空間（８６）の間の誘電体（８０）及び
保護膜（８２）の厚さｄは２０μｍ、アドレス電極（７
４）とスキャン電極（７８）の間の誘電体（８０）及び
保護膜（８２）の厚さは２０μｍと仮定する。また、Ｃ
１、Ｃ２及びＣ３を形成するキャパシタンスの面積Ａは
一定と仮定する。放電空間（８２）内に形成されるＣ２
の距離は誘電体パターン（７６）の幅によって調節する
ことができる。Ｃ１：Ｃ２：Ｃ３＝１０Ａ／２０：１Ａ／６０：１０Ａ／２０＝０．５：０．０１６：０．５・・・・・・・・・式５

【００３２】式５で放電空間（８２）内に形成されるＣ
２と誘電層（８０）及び保護膜（８２）に形成されるキ
ャパシタンスＣ１＋Ｃ３との関係は０.２５：０.０１６
となる。スキャン電極（７８）とアドレス電極（７４）
の間に印加されるライティング電圧をＶｗｒｔとすると
き、誘電層（８０）及び保護膜（８２）に印加される電
圧Ｖｄｉは下の式６の通りである。Ｖｄｉ＝｛０.０５／（０.１＋０.０５）｝Ｖｗｒｔ・・・式６

【００３３】式６から分かるように、アドレス電極（７
４）とスキャン電極（７８）の間に印加されるライティ
ング電圧の９０％以上が放電空間（８６）に印加され
る。その結果、アドレス放電を生じさせる電圧が２００
Ｖであると、スキャン電極（７８）とアドレス電極（７
４）に必要なライティング電圧は２２０Ｖ程度でも充分
である。

【００３４】図８Ａないし図８Ｅは図７に図示されたＲ
ＦＰＤＰの背面パネルの製造方法を段階的に示してい
る。図８Ａに示すように、背面基板（７２）上にスパタ
リングのような真空蒸着方法を利用してアドレス電極
（７４）を形成する。続いて、図８Ｂのようにアドレス
電極（７４）と直交するように誘電体パターン（７６）
を形成する。誘電体パターン（７６）は背面基板（７
２）上にライン形態でパターニングされたマスクパター
ンを整列させた後、誘電体ペーストをスクリーンプリン
ティング方法で印刷することでライン形態に形成する。
誘電体パターン（７６）上には図８Ｃのように誘電体パ
ターン（７６）の上にそれに沿うようにスパッタリング
のような真空蒸着方法でスキャン電極（７８）を形成す
る。このように背面基板（７２）上にスキャン電極（７
８）まで形成したあと、図８Ｄのようにスクリーンプリ
ンティング方法を利用して背面基板（２）の全面に誘電
体を塗布して下部誘電層（８０）を形成する。誘電体パ
ターン（７６）と下部誘電層（８０）は、背面基板（７
２）上にそれぞれスクリーンプリンティングで一回また
は二回で分けて塗布できるので、すべてのセルに対する
誘電体パターン（７６）及び下部誘電層（８０）の表面
特性及び厚さを均一に形成することができる。従って、
誘電体パターン（７６）及び下部誘電層（８０）の厚さ
不均一によるライティング電圧の変動量が最小化され、
すべてのセルにほとんど同一のライティング電圧を印加
することができる。下部誘電層（８２）が形成された背
面基板（７２）上には保護膜（８２）が均一の厚さに蒸
着される。

【００３５】このようなＲＦＰＤＰの背面パネル構造は
放電経路の上に存在する誘電層（８０）の厚さを薄くし
てライティング電圧を低くすることが出来だけではな
く、アドレス電極（７４）とスキャン電極（７８）の間
に存在する誘電体パターン（７６）の厚さを厚くして電
極間のリーク電流を減少させることができる。

【００３６】図９及び図１０は本発明の第４実施形態に
よるＲＦＰＤＰの背面パネルを示している。図９及び図
１０を参照すると、本発明の実施形態によるＲＦＰＤＰ
は、アドレス電極（１０４）とスキャン電極（１０８）
の交差部分に島形態でパターニングされた誘電体パター
ン（１０８）を具備する。誘電体パターン（１０６）は
アドレス電極（１０４）とスキャン電極（１０８）の間
を絶縁する役割をする。この誘電体パターン（１０６）
の厚さはアドレス電極（１０４）とスキャン電極（１０
８）間のリーク電流が最小化されるように調節する。こ
の誘電体パターン（１０６）と電極（１０４、１０８）
の上には下部誘電層（１１０）と保護膜（１１２）が積
層されて、その上に格子型の隔壁（１１４）が載せられ
る。誘電体パターン（１０６）がセルの中央部即ち、ア
ドレス電極（１０４）とスキャン電極（１０８）に限定
されるので放電経路の上に存在する誘電層（１１０）の
厚さが薄くなる。このように放電経路の上に存在する誘
電層（１１０）の厚さが薄くなるのでアドレス放電時に
ライティング電圧を低くすることができる。保護膜（１
１２）の中央部は誘電体パターン（１０６）の厚さだけ
隆起している。

【００３７】図１１Ａ及び図１１Ｄは図９に図示された
ＲＦＰＤＰの背面パネルの製造方法を段階的に示す。図
１１Ａを参照すると、スクリーンプリンティングまたは
フォトリソグラフィック工程などによってアドレス電極
（１０４）がライン形態で背面基板（１０２）上にパタ
ーニングされる。アドレス電極（１０４）が形成された
基板（１０２）の上にはセルの中央部に該当する位置に
四角パターンが形成されたマスクパターンを整列させた
後、誘電体物質を塗布する。そうすると、セルの中央部
即ち、アドレス電極（１０４）とスキャン電極（１０
８）の交差部に該当する位置に図１１Ｂのような四角の
島形態の誘電体パターン（１０６）が形成される。続い
て、図１１Ｃのように誘電体パターン（１０６）の上に
アドレス電極（１０４）と直交するようにスキャン電極
（１０８）がライン形態で形成される。アドレス電極
（１０４）とスキャン電極（１０８）が形成された背面
基板（１０２）の上に図１１Ｄのように下部誘電層（１
１０）を全面に塗布する。最後に、下部誘電層（１１
０）の上に保護膜（１１２）を全面に蒸着する。

【００３８】

【発明の効果】上述したとように、本発明によるＲＦＰ
ＤＰは、アドレス電極とスキャン電極の間の誘電体層を
厚くして、その他の箇所での誘電体層を薄くしているの
で、アドレス電極とスキャン電極の間の放電経路に存在
する誘電体の厚さを少なくすることができる。したがっ
て、本発明によるＲＦＰＤＰはアドレス電極とスキャン
電極の間の誘電体の厚さが減るのでアドレス電極とスキ
ャン電極の間の放電に必要な放電電圧を低くすることが
できる。このように放電電圧が低くなると放電電圧を発
生するための駆動回路が低電圧用の素子で構成すること
ができる。

【００３９】一方、アドレス電極とスキャン電極とが交
差する部分では誘電体層の厚さを厚くしているので、ア
ドレス電極とスキャン電極間のリーク電流を減少させる
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の交流型プラズマディスプレーパネルを
表す斜視図である。

【図２】従来の高周波駆動プラズマディスプレーパネ
ルを表す斜視図である。

【図３】図２に図示された下部誘電層と放電空間内に
形成されるキャパシターを概略的に表す断面図である。

【図４】本発明の第１実施形態による高周波駆動プラ
ズマディスプレーパネルの背面パネルを表す断面図であ
る。

【図５Ａ】〜

【図５Ｅ】図４に図示された高周波駆動プラズマディ
スプレーパネルの背面パネルの製造方法を段階的に表す
断面図である。

【図６】本発明の第２実施形態による高周波駆動プラ
ズマディスプレーパネルの背面パネルを表す断面図であ
る。

【図７】本発明の第３実施形態による高周波駆動プラ
ズマディスプレーパネルの背面パネルを表す断面図であ
る。

【図８Ａ】〜

【図８Ｅ】図７に図示された高周波駆動プラズマディ
スプレーパネルの背面パネルの製造方法を段階的に表す
断面図である。

【図９】本発明の第４実施形態による高周波駆動プラ
ズマディスプレーパネルの背面パネルを表す断面図であ
る。

【図１０】図９に図示された高周波駆動プラズマディ
スプレーパネルの断面図である。

【図１１Ａ】〜

【図１１Ｄ】図９に図示された高周波駆動プラズマデ
ィスプレーパネルの背面パネルの製造方法を段階的に表
す断面図である。

【符号の説明】

１：前面基板２、１２、３０、３２、７２、１０２：背面基板３、２４、４４、８４、１１４：隔壁４、１４、３６、５６、７４、１０４：アドレス電極５：蛍光層６：誘電体厚膜８：誘電層９、２２、８２、１１２：保護膜１０：維持電極対１６、３８、５８：第１下部誘電層１８、４２、６２、７８、１０８：スキャン電極２６：蛍光体２８：高周波電極１６、２０：誘電層３８、４０：下部誘電体層３２、８２、８６：放電空間３４、５４、７６、１０６：誘電体パターン４０、６０：第２下部誘電層５０：放電セル５６、６２：二電極８０、１１０：誘電層１０４、１０８：電極１１６：隆起部分

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表面が膨らむ形状で平行に基板上に形成
される多数の誘電体パターンと、その誘電体パターン上
と誘電体パターンがない箇所では基板上に誘電体パター
ンに直交する方向に形成される第１電極と、前記第１電
極と共に放電を起こすための第２電極と、前記第１及び
第２電極の間に形成されて双方の電極が交差する部分で
は厚く、他の部分では薄く形成された前記第１及び第２
電極の間を絶縁させるための誘電層とを具備することを
特徴とする高周波駆動プラズマディスプレーパネル。
【請求項２】前記第１電極は誘電体パターンと基板の
表面とで形成される波面形状に沿って山と谷を有するこ
とを特徴とする請求項１記載の高周波駆動プラズマディ
スプレーパネル。
【請求項３】前記誘電層は前記第１電極及び誘電体パ
ターンが形成された基板全面に蒸着されて波面の形態の
表面を有することを特徴とする請求項１記載の高周波駆
動プラズマディスプレーパネル。
【請求項４】前記第１及び第２電極は前記誘電層を間
にして交差されることを特徴とする請求項１記載の高周
波駆動プラズマディスプレーパネル。
【請求項５】前記多数の誘電体パターンのそれぞれは
前記第２電極と並んだ方向のストライプ形態で形成され
ることを特徴とする請求項４記載の高周波駆動プラズマ
ディスプレーパネル。
【請求項６】前記誘電体パターンの幅を調整して前記
第１電極及び第２電極の間の放電距離を調節することを
特徴とする請求項１記載の高周波駆動プラズマディスプ
レーパネル。
【請求項７】基板上に形成された第１電極と、前記第
１電極と交差する方向に前記第１電極との間で放電を起
こさせる第２電極と、前記第１及び第２電極の間に前記
第１及び第２電極の間を絶縁させる誘電体パターンとを
具備することを特徴とする高周波駆動プラズマディスプ
レーパネル。
【請求項８】前記誘電体パターンの厚さを調節するこ
とで前記第１及び第２電極の間のリーク電流を調節する
ことを特徴とする請求項７記載の高周波駆動プラズマデ
ィスプレー表示パネル。
【請求項９】前記第１及び第２電極と誘電体パターン
が形成された前記基板全面に塗布された薄い誘電層を具
備することを特徴とする請求項７記載の高周波駆動プラ
ズマディスプレーパネル。
【請求項１０】前記誘電体パターンはストライプ形態
で形成されることを特徴とする請求項７記載の高周波駆
動プラズマディスプレーパネル。
【請求項１１】前記誘電体パターンは前記１及び第２
電極の交差部で島の形態でパターニングされることを特
徴とする請求項７記載の高周波駆動プラズマディスプレ
ーパネル。
【請求項１２】前記第１電極はデータ信号が印加され
るアドレス電極であり、前記第２電極は前記データ信号
に動機されてスキャンパルスが印加されるスキャン電極
であることを特徴とする請求項１又は７記載の高周波駆
動プラズマディスプレーパネル。
【請求項１３】高周波信号が印加されて前記第２電極
と共に放電を起こす高周波電極を具備することを特徴と
する請求項１又は７記載の高周波駆動プラズマディスプ
レーパネル。
【請求項１４】基板上に誘電体を全面塗布する段階
と、表面が膨らんでいる形態に前記誘電体をパターニン
グする段階と、前記誘電体パターンを横切る第１電極を
前記基板上に形成する段階と、前記誘電体パターン及び
第１電極が形成された前記基板上に誘電層を全面塗布す
る段階と、山と谷の波面の形態を有する誘電層の上の凹
んでいる谷領域の上に前記第１電極と交差されるように
第２電極を形成する段階を含むことを特徴とする高周波
駆動プラズマディスプレーパネルの製造方法。
【請求項１５】前記誘電体パターンと前記誘電層及び
前記電極が形成された前記基板上に表面が平坦するよう
に第２誘電層を全面塗布する段階を含むことを特徴とす
る請求項１４記載の高周波駆動プラズマディスプレーパ
ネルの製造方法。
【請求項１６】前記誘電体パターンはストライプ型の
マスクパターンを利用して前記基板上に印刷されること
を特徴とする請求項１４記載の高周波駆動プラズマディ
スプレーパネルの製造方法。
【請求項１７】基板上に第１電極を形成する段階と、
前記第１電極が形成された基板上に誘電体を全面塗布す
る段階と、前記誘電体を所定の形態でパターニングする
段階と、前記誘電体パターンを間に置いて前記第１電極
と交差されるように第２電極を前記基板上に形成する段
階を含むことを特徴とする高周波駆動プラズマディスプ
レーパネル。
【請求項１８】前記誘電体パターンと電極が形成され
た前記基板上に誘電体を全面塗布する段階を追加で含む
ことを特徴とする請求項１９記載の高周波駆動プラズマ
ディスプレーパネルの製造方法。
【請求項１９】前記誘電体パターンは前記第２電極と
並んだ方向のストライプ形態でパターニングされること
を特徴とする請求項１７記載の高周波駆動プラズマディ
スプレーパネルの製造方法。
【請求項２０】前記誘電体パターンは前記１及び第２
電極の交差部で島の形態でパターニングされることを特
徴とする請求項１７記載の高周波駆動プラズマディスプ
レーパネルの製造方法。