JP3477151B2 - 高周波駆動プラズマディスプレーパネルとその製造方法及びそれを駆動するための駆動装置 - Google Patents
高周波駆動プラズマディスプレーパネルとその製造方法及びそれを駆動するための駆動装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマディスプレ
ーパネルに関し、特に、放電電圧を低くするようにした
高周波駆動プラズマディスプレーパネル及びその製造方
法に関する。また、本発明はセル間のクローストークを
防ぐようにした高周波駆動プラズマディスプレーパネル
及びその製造方法に関する。さらに、本発明は高周波ラ
ズマディスプレーパネルの駆動装置に関することであ
る。
ーパネルに関し、特に、放電電圧を低くするようにした
高周波駆動プラズマディスプレーパネル及びその製造方
法に関する。また、本発明はセル間のクローストークを
防ぐようにした高周波駆動プラズマディスプレーパネル
及びその製造方法に関する。さらに、本発明は高周波ラ
ズマディスプレーパネルの駆動装置に関することであ
る。
【０００２】
【従来の技術】プラズマディスプレーパネル（ＰＤＰ）
はＨｅ＋ＸｅまたはＮｅ＋Ｘｅガスの放電の時に発生す
る１４７ｎｍの紫外線によって蛍光体を発光させて、文
字やグラフィックを含んだ画像を表示している。このよ
うなＰＤＰは、薄膜化と大型化が容易であるだけではな
く、最近の技術の開発によって画質が大きく向上してい
る。このようなＰＤＰは直流駆動方式と交流駆動方式と
がある。
はＨｅ＋ＸｅまたはＮｅ＋Ｘｅガスの放電の時に発生す
る１４７ｎｍの紫外線によって蛍光体を発光させて、文
字やグラフィックを含んだ画像を表示している。このよ
うなＰＤＰは、薄膜化と大型化が容易であるだけではな
く、最近の技術の開発によって画質が大きく向上してい
る。このようなＰＤＰは直流駆動方式と交流駆動方式と
がある。
【０００３】交流駆動方式のＰＤＰは直流駆動方式に比
べて低電圧駆動と長寿命の長所を有するので、これらか
らの表示装置として脚光を浴びるであろう。この交流駆
動方式のＰＤＰは、誘電体を間に置いて配置された電極
間に交流電圧信号を印加し、その信号の半周期ごとに放
電を起こさせて画像を表示している。このような交流型
ＰＤＰは、放電時に壁電荷が蓄積される誘電体を使用し
なければならない。
べて低電圧駆動と長寿命の長所を有するので、これらか
らの表示装置として脚光を浴びるであろう。この交流駆
動方式のＰＤＰは、誘電体を間に置いて配置された電極
間に交流電圧信号を印加し、その信号の半周期ごとに放
電を起こさせて画像を表示している。このような交流型
ＰＤＰは、放電時に壁電荷が蓄積される誘電体を使用し
なければならない。
【０００４】図１及び図２を参照して、従来の交流型Ｐ
ＤＰについて更に説明する。交流型ＰＤＰは維持電極対
（１０）が形成された前面基板（１）と、アドレス電極
（４）が形成された背面基板（２）とを具備する。前面
基板（１）と背面基板（２）は隔壁（３）を間に置いて
平行に離隔される。前面基板（１）、背面基板（２）及
び隔壁（３）によって設けられた放電空間にはＮｅ＋Ｘ
ｅ、Ｈｅ＋Ｘｅなどの混合ガスが注入される。維持電極
対（１０）は一つのプラズマ放電セル内で二つが一つの
対と成るように配置されている。維持電極対（１０）の
中のいずれかの一方は、アドレス期間にスキャンパルス
が供給され、アドレス電極（４）との間に対向放電を生
じさせるとともに、サステイニング期間にはサステイニ
ングパルスが供給されて対の他方の維持電極（１０）と
面放電を生じさせる。すなわち走査／サステイニング電
極として利用される。また、この走査／サステイニング
電極で利用される維持電極（１０）と隣接した他方の維
持電極（１０）はサステイニングパルスが共通に供給さ
れる共通サステイニング電極として利用される。維持電
極（１０）が形成された前面基板（１）の後面基板
（２）側の表面上には維持電極（１０）を覆うように誘
電層（８）と保護膜（９）が積層される。誘電層（８）
はプラズマ放電電流を制限すると共に、放電時、壁電荷
を蓄積する役割をする。保護膜（９）はプラズマ放電時
に発生されたスパッタリングによる誘電体（８）の損傷
を防いで二次電子の放出効率を高める。この保護膜
（９）は通常酸化マグネシウム（ＭｇＯ）で形成させ
る。背面基板（２）にはアドレス電極（４）を覆う誘電
体厚膜（６）が形成されるとともに、放電空間を分割す
る隔壁（３）が垂直で多数並んで延び出している。背面
基板（２）と隔壁（３）の表面には真空紫外線によって
励起されて可視光を発生する蛍光層（５）が形成され
る。
ＤＰについて更に説明する。交流型ＰＤＰは維持電極対
（１０）が形成された前面基板（１）と、アドレス電極
（４）が形成された背面基板（２）とを具備する。前面
基板（１）と背面基板（２）は隔壁（３）を間に置いて
平行に離隔される。前面基板（１）、背面基板（２）及
び隔壁（３）によって設けられた放電空間にはＮｅ＋Ｘ
ｅ、Ｈｅ＋Ｘｅなどの混合ガスが注入される。維持電極
対（１０）は一つのプラズマ放電セル内で二つが一つの
対と成るように配置されている。維持電極対（１０）の
中のいずれかの一方は、アドレス期間にスキャンパルス
が供給され、アドレス電極（４）との間に対向放電を生
じさせるとともに、サステイニング期間にはサステイニ
ングパルスが供給されて対の他方の維持電極（１０）と
面放電を生じさせる。すなわち走査／サステイニング電
極として利用される。また、この走査／サステイニング
電極で利用される維持電極（１０）と隣接した他方の維
持電極（１０）はサステイニングパルスが共通に供給さ
れる共通サステイニング電極として利用される。維持電
極（１０）が形成された前面基板（１）の後面基板
（２）側の表面上には維持電極（１０）を覆うように誘
電層（８）と保護膜（９）が積層される。誘電層（８）
はプラズマ放電電流を制限すると共に、放電時、壁電荷
を蓄積する役割をする。保護膜（９）はプラズマ放電時
に発生されたスパッタリングによる誘電体（８）の損傷
を防いで二次電子の放出効率を高める。この保護膜
（９）は通常酸化マグネシウム（ＭｇＯ）で形成させ
る。背面基板（２）にはアドレス電極（４）を覆う誘電
体厚膜（６）が形成されるとともに、放電空間を分割す
る隔壁（３）が垂直で多数並んで延び出している。背面
基板（２）と隔壁（３）の表面には真空紫外線によって
励起されて可視光を発生する蛍光層（５）が形成され
る。
【０００５】このような交流型ＰＤＰは表示のための一
つのフレームが多数のサブフィールドで構成されて、サ
ブフィールドの組み合わせによって階調を調節してい
る。例えば、２５６階調を実現しようとする場合には一
つのフレーム期間は八つのサブフィールドび分割され
る。共に、八つのサブフィールドは、それぞれリセット
期間、アドレス期間及びサステイニング期間にさらに分
かれる。リセット期間には全画面が初期化される。アド
レス期間にはデータが表示されるセルがアドレス放電に
よって選択される。その選択されたセルがサステイニン
グ期間で放電が維持される。サステイニング期間はサブ
フィールドそれぞれの加重値に応じて２nに相当する期
間ずつ長くなる。すなわち、第１ないし第８サブフィー
ルドそれぞれのサステイニング期間は、２0、２1、
２2、２3、２4、２5、２6、２7の比率で長くなるように
設定されている。このために、サステイニング期間に発
生させるサステイニングパルスの数もサブフィールドに
応じて、２0、２1、２2、２3、２4、２5、２6、２7に増
加させる。これらサブフィールドの組み合わせによって
階調が決まり、結局、表示映像の輝度及び色度が決ま
る。
つのフレームが多数のサブフィールドで構成されて、サ
ブフィールドの組み合わせによって階調を調節してい
る。例えば、２５６階調を実現しようとする場合には一
つのフレーム期間は八つのサブフィールドび分割され
る。共に、八つのサブフィールドは、それぞれリセット
期間、アドレス期間及びサステイニング期間にさらに分
かれる。リセット期間には全画面が初期化される。アド
レス期間にはデータが表示されるセルがアドレス放電に
よって選択される。その選択されたセルがサステイニン
グ期間で放電が維持される。サステイニング期間はサブ
フィールドそれぞれの加重値に応じて２nに相当する期
間ずつ長くなる。すなわち、第１ないし第８サブフィー
ルドそれぞれのサステイニング期間は、２0、２1、
２2、２3、２4、２5、２6、２7の比率で長くなるように
設定されている。このために、サステイニング期間に発
生させるサステイニングパルスの数もサブフィールドに
応じて、２0、２1、２2、２3、２4、２5、２6、２7に増
加させる。これらサブフィールドの組み合わせによって
階調が決まり、結局、表示映像の輝度及び色度が決ま
る。
【０００６】このような交流型ＰＤＰにおいて、維持電
極対（１０）ではデュティ比が１であり、２００〜３０
０ｋＨｚの周波数で１０〜２０μｓ程度の幅を有するサ
ステイニングパルスが交番的に供給される。このサステ
イニングパルスに応答して維持電極対（１０）の間に起
きる維持放電は維持パルス当たり極めて短い瞬間に１回
ずつ発生する。維持放電によって発生した荷電粒子は維
持電極対（１０）の極性によって維持電極対（１０）の
間の放電経路を移動して上部誘電層（８）に蓄積されて
壁電荷として残る。このような壁電荷は次の維持放電時
駆動電圧を低くするが、該当維持放電時に壁電荷の放電
が止まる。これにように、維持放電は維持パルスの幅に
比べて極めて短い瞬間に１回だけ発生してそのほかの大
部分時間は壁電荷形成及び次の放電のための準備段階に
消費される。したがって、従来の交流型ＰＤＰは全体の
放電期間に比べて実際の放電期間が短くなるので輝度及
び放電効率が低くなっていた。
極対（１０）ではデュティ比が１であり、２００〜３０
０ｋＨｚの周波数で１０〜２０μｓ程度の幅を有するサ
ステイニングパルスが交番的に供給される。このサステ
イニングパルスに応答して維持電極対（１０）の間に起
きる維持放電は維持パルス当たり極めて短い瞬間に１回
ずつ発生する。維持放電によって発生した荷電粒子は維
持電極対（１０）の極性によって維持電極対（１０）の
間の放電経路を移動して上部誘電層（８）に蓄積されて
壁電荷として残る。このような壁電荷は次の維持放電時
駆動電圧を低くするが、該当維持放電時に壁電荷の放電
が止まる。これにように、維持放電は維持パルスの幅に
比べて極めて短い瞬間に１回だけ発生してそのほかの大
部分時間は壁電荷形成及び次の放電のための準備段階に
消費される。したがって、従来の交流型ＰＤＰは全体の
放電期間に比べて実際の放電期間が短くなるので輝度及
び放電効率が低くなっていた。
【０００７】交流型ＰＤＰの低い輝度及び放電効率の問
題を解決するために、数十ないし数百ＭＨｚの高周波放
電を利用して維持放電を起こさせる高周波ＰＤＰ（Radi
o Frequency ＰＤＰ：以下「ＲＦＰＤＰ」という）が
提案された。ＲＦＰは高周波放電によってセル内で電子
が振動運動をする。
題を解決するために、数十ないし数百ＭＨｚの高周波放
電を利用して維持放電を起こさせる高周波ＰＤＰ（Radi
o Frequency ＰＤＰ：以下「ＲＦＰＤＰ」という）が
提案された。ＲＦＰは高周波放電によってセル内で電子
が振動運動をする。
【０００８】図２を参照すると、ＲＦＰＤＰは後面基板
（１２）にアドレス電極（１４）とスキャン電極（１
８）と直交するように形成する。それらの間は第１下部
誘電層（１６）で絶縁されている。一方、前面基板（３
０）には、高周波電極（２８）がスキャン電極（１８）
と同じ方向に向き合って配置されている。スキャン電極
（１８）の上には第２下部誘電層（２０）と保護膜（２
２）が積層される。保護膜（２２）の上にはセル毎に区
画した格子型隔壁（２４）が形成される。格子型隔壁
（２４）の表面には蛍光体（２６）が塗布される。高周
波電極（２８）が形成された前面基板（３０）には上部
誘電層（２９）が形成されて、隔壁（２４）の先端部が
その上にきて一つのセルを完全に区画する。
（１２）にアドレス電極（１４）とスキャン電極（１
８）と直交するように形成する。それらの間は第１下部
誘電層（１６）で絶縁されている。一方、前面基板（３
０）には、高周波電極（２８）がスキャン電極（１８）
と同じ方向に向き合って配置されている。スキャン電極
（１８）の上には第２下部誘電層（２０）と保護膜（２
２）が積層される。保護膜（２２）の上にはセル毎に区
画した格子型隔壁（２４）が形成される。格子型隔壁
（２４）の表面には蛍光体（２６）が塗布される。高周
波電極（２８）が形成された前面基板（３０）には上部
誘電層（２９）が形成されて、隔壁（２４）の先端部が
その上にきて一つのセルを完全に区画する。
【０００９】ＲＦＰＤＰはリセット期間、アドレス期間
及びサステイニング期間を含む多数のサブフィールドの
組み合わせで画像を表示する。リセット期間には全画面
が初期化される。続いて、アドレス期間にはアドレス電
極（１４）とスキャン電極（１８）にそれぞれデータパ
ルスとスキャンパルスが供給されてこれらの間の放電に
よってセルが選択される。選択されたセルはサステイニ
ング期間に電子の振動運動によって画像を表示する。こ
のサスティンイング期間に、高周波電極（２８）に数十
ないし数百ＭＨｚの高周波信号を加え、同時にスキャン
電極（１８）には高周波信号の直流バイアス電圧を加え
る。セル内の電子は、この高周波信号によって高周波信
号の変化する極性に従って引きつけられて、放電空間内
で振動運動をする。電子の信号運動によって放電ガスが
連続的にイオン化される。このような放電によって発生
した真空紫外線が蛍光体（２６）を励起させ、その蛍光
体（２６）の遷移に応じて可視光を発生する。このよう
にＲＦＰＤＰは高周波信号を利用してサステイニング期
間の間に連続的に放電を起こさせることができるので通
常の交流型ＰＤＰに比べて輝度及び放電効率が高くな
る。
及びサステイニング期間を含む多数のサブフィールドの
組み合わせで画像を表示する。リセット期間には全画面
が初期化される。続いて、アドレス期間にはアドレス電
極（１４）とスキャン電極（１８）にそれぞれデータパ
ルスとスキャンパルスが供給されてこれらの間の放電に
よってセルが選択される。選択されたセルはサステイニ
ング期間に電子の振動運動によって画像を表示する。こ
のサスティンイング期間に、高周波電極（２８）に数十
ないし数百ＭＨｚの高周波信号を加え、同時にスキャン
電極（１８）には高周波信号の直流バイアス電圧を加え
る。セル内の電子は、この高周波信号によって高周波信
号の変化する極性に従って引きつけられて、放電空間内
で振動運動をする。電子の信号運動によって放電ガスが
連続的にイオン化される。このような放電によって発生
した真空紫外線が蛍光体（２６）を励起させ、その蛍光
体（２６）の遷移に応じて可視光を発生する。このよう
にＲＦＰＤＰは高周波信号を利用してサステイニング期
間の間に連続的に放電を起こさせることができるので通
常の交流型ＰＤＰに比べて輝度及び放電効率が高くな
る。
【００１０】しかし従来のＲＦＰＤＰはアドレス電極
（１４）とスキャン電極（１８）が同じ後面基板上にあ
り、それらを電気的に絶縁する必要があるので、誘電層
（１６）を間に置いて配置される。そのため、それらは
異なる高さに位置する。しかも、双方の電極を十分に絶
縁する必要上誘電層（１６）の厚さは、図３のように、
厚くし、しかも、さらにスキャン電極（１８）の上にも
誘電層（２０）がある。したがって、アドレス時に双方
の電極の間に生じるライティング放電の時には、電極間
の放電経路上にこれらの誘電層（１６、２０）が存在す
ることになり、これらの誘電体層によって電圧降下が大
きく発生するという問題がある。すなわち、アドレス電
極（１４）とスキャン電極（１８）の間に印加されるラ
イティング電圧が誘電層（１６、２０）の厚さによって
生じる電圧降下分だけ低下する。その結果、ライティン
グ電圧が不安定になることがある。ライティング放電を
安定化させるために、ライティング電圧を高くするとラ
イティング時に発生する放電電界がアドレス電極（１
４）またはスキャン電極（１８）に沿って隣接したセル
へ拡散し、セル間にクローストークが生じる。このよう
にセル間にクローストークが発生すると誤放電が起きる
ことがある。また、ライティング電圧を高くすると高電
圧用の回路素子などで駆動回路をしなければならないた
めに、製造費用が上昇し、しかも消費電力が大きくな
る。
（１４）とスキャン電極（１８）が同じ後面基板上にあ
り、それらを電気的に絶縁する必要があるので、誘電層
（１６）を間に置いて配置される。そのため、それらは
異なる高さに位置する。しかも、双方の電極を十分に絶
縁する必要上誘電層（１６）の厚さは、図３のように、
厚くし、しかも、さらにスキャン電極（１８）の上にも
誘電層（２０）がある。したがって、アドレス時に双方
の電極の間に生じるライティング放電の時には、電極間
の放電経路上にこれらの誘電層（１６、２０）が存在す
ることになり、これらの誘電体層によって電圧降下が大
きく発生するという問題がある。すなわち、アドレス電
極（１４）とスキャン電極（１８）の間に印加されるラ
イティング電圧が誘電層（１６、２０）の厚さによって
生じる電圧降下分だけ低下する。その結果、ライティン
グ電圧が不安定になることがある。ライティング放電を
安定化させるために、ライティング電圧を高くするとラ
イティング時に発生する放電電界がアドレス電極（１
４）またはスキャン電極（１８）に沿って隣接したセル
へ拡散し、セル間にクローストークが生じる。このよう
にセル間にクローストークが発生すると誤放電が起きる
ことがある。また、ライティング電圧を高くすると高電
圧用の回路素子などで駆動回路をしなければならないた
めに、製造費用が上昇し、しかも消費電力が大きくな
る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
はアドレス放電の電極間に加えられる放電電圧を低くし
ても安定に放電が生じるようにしたＲＦＰＤ及びその製
造方法を提供することである。本発明の他の目的はセル
間のクローストークを最小化するようにしたＲＦＰＤＰ
及びその製造方法を提供することである。本発明の更に
他の目的はＲＦＰＤＰの駆動装置を提供することであ
る。
はアドレス放電の電極間に加えられる放電電圧を低くし
ても安定に放電が生じるようにしたＲＦＰＤ及びその製
造方法を提供することである。本発明の他の目的はセル
間のクローストークを最小化するようにしたＲＦＰＤＰ
及びその製造方法を提供することである。本発明の更に
他の目的はＲＦＰＤＰの駆動装置を提供することであ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明によるＲＦＰＤＰは、基板上に、複数の第１
電極ラインと、第１電極ラインと直交する複数の第２電
極ラインとが形成されるとともに、第１電極ラインと第
２電極ラインとの間に誘電層が形成されたＰＤＰにおい
て、前記第１及び第２電極ラインの中のいずれか一方の
電極ライン上に形成された第１補助電極を備え、この第
１補助電極表面の高さと他の電極表面の高さをほぼ同一
にすることを特徴とする。
に、本発明によるＲＦＰＤＰは、基板上に、複数の第１
電極ラインと、第１電極ラインと直交する複数の第２電
極ラインとが形成されるとともに、第１電極ラインと第
２電極ラインとの間に誘電層が形成されたＰＤＰにおい
て、前記第１及び第２電極ラインの中のいずれか一方の
電極ライン上に形成された第１補助電極を備え、この第
１補助電極表面の高さと他の電極表面の高さをほぼ同一
にすることを特徴とする。
【００１３】本発明によるＰＤＰ製造方法は、基板上に
多数の第１電極ラインを形成する段階と；所定の間隔を
間に置いて離隔させて前記第１電極ラインから突出する
第１補助電極を形成する段階と；前記第１補助電極及び
第１電極ラインを覆うように第１誘電体を全面塗布する
段階と；前記第１電極ラインと直交される第２電極ライ
ンを形成する段階をと含むことを特徴とする。
多数の第１電極ラインを形成する段階と；所定の間隔を
間に置いて離隔させて前記第１電極ラインから突出する
第１補助電極を形成する段階と；前記第１補助電極及び
第１電極ラインを覆うように第１誘電体を全面塗布する
段階と；前記第１電極ラインと直交される第２電極ライ
ンを形成する段階をと含むことを特徴とする。
【００１４】 本発明によるＲＦＰＤＰの駆動装置は、
第１基板上に誘電層を間に挟んで交差してライティング
放電を起こすスキャン電極とアドレス電極を有する放電
セルがマトリックス形態で配置されて、第１基板と対面
される第２基板上に形成されてスキャン電極と共に高周
波放電を起こす高周波電極とを具備する高周波駆動ＰＤ
Ｐの駆動装置において、高周波電極へ数十ないし数百Ｍ
Ｈｚの周波数を有する高周波信号を供給するための高周
波信号の駆動部と；スキャン電極とアドレス電極それぞ
れに常用交流電圧の周波数を有するスキャンパルス及び
データパルスを供給するためのパルス信号の駆動部と；
前記放電セル毎に前記スキャン電極及びアドレス電極の
中の少なくともいずれか一方の電極上に形成された第１
補助電極とを具備し、この第１補助電極表面の高さと他
の電極表面の高さをほぼ同一にすることを特徴とする。
第１基板上に誘電層を間に挟んで交差してライティング
放電を起こすスキャン電極とアドレス電極を有する放電
セルがマトリックス形態で配置されて、第１基板と対面
される第２基板上に形成されてスキャン電極と共に高周
波放電を起こす高周波電極とを具備する高周波駆動ＰＤ
Ｐの駆動装置において、高周波電極へ数十ないし数百Ｍ
Ｈｚの周波数を有する高周波信号を供給するための高周
波信号の駆動部と；スキャン電極とアドレス電極それぞ
れに常用交流電圧の周波数を有するスキャンパルス及び
データパルスを供給するためのパルス信号の駆動部と；
前記放電セル毎に前記スキャン電極及びアドレス電極の
中の少なくともいずれか一方の電極上に形成された第１
補助電極とを具備し、この第１補助電極表面の高さと他
の電極表面の高さをほぼ同一にすることを特徴とする。
【００１５】
【作用】本発明によるＲＦＰＤＰは、背面基板上に間に
絶縁膜を配置して交差するアドレス電極とスキャン電極
とが互いにほぼ同じ高さとなるようにスキャン電極及び
／またはアドレス電極上に補助電極を形成させたので、
放電間隔が短くなり、放電電圧を低くすることができ
る。
絶縁膜を配置して交差するアドレス電極とスキャン電極
とが互いにほぼ同じ高さとなるようにスキャン電極及び
／またはアドレス電極上に補助電極を形成させたので、
放電間隔が短くなり、放電電圧を低くすることができ
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を添付し
た図４ないし図１２を参照して詳細に説明する。図４及
び図５を参照すると、本実施形態によるＲＦＰＤＰは、
従来同様に背面基板（４８）上に双方を絶縁する第１下
部誘電層（５４）を間に挟んで互いに直交するように第
１電極としてのアドレス電極（５０）と第２電極として
のスキャン電極（５６）が形成されている。本実施形態
は、アドレス電極（５０）の上の、アドレス電極（５
０）とスキャン電極（５６）の交差点に隣接される位置
に、アドレス電極（５０）から突出するように補助電極
（５２）を取り付けている。この補助電極によってアド
レス電極（５０）とスキャン電極（５６）の高さがほぼ
等しくなる。
た図４ないし図１２を参照して詳細に説明する。図４及
び図５を参照すると、本実施形態によるＲＦＰＤＰは、
従来同様に背面基板（４８）上に双方を絶縁する第１下
部誘電層（５４）を間に挟んで互いに直交するように第
１電極としてのアドレス電極（５０）と第２電極として
のスキャン電極（５６）が形成されている。本実施形態
は、アドレス電極（５０）の上の、アドレス電極（５
０）とスキャン電極（５６）の交差点に隣接される位置
に、アドレス電極（５０）から突出するように補助電極
（５２）を取り付けている。この補助電極によってアド
レス電極（５０）とスキャン電極（５６）の高さがほぼ
等しくなる。
【００１７】前面基板（４２）にはスキャン電極（５
６）と同一方向に配置された高周波電極（４６）が形成
されている。スキャン電極（５６）とアドレス電極（５
０）の間に形成された第１下部誘電層（５４）の上には
第２誘電層（５８）がスキャン電極を覆うように形成さ
れ、その上に保護膜（６０）が積層される。保護膜（６
０）の上には格子型の隔壁（６２）が形成される。格子
型の隔壁（６２）の表面には蛍光体（６４）が塗布され
る。前面基板（４２）、背面基板（４８）及び隔壁（５
２）の間に設けられた放電空間（６６）にはＮｅ−Ｘ
ｅ、Ｈｅ−Ｘｅなどの混合ガスが注入される。
６）と同一方向に配置された高周波電極（４６）が形成
されている。スキャン電極（５６）とアドレス電極（５
０）の間に形成された第１下部誘電層（５４）の上には
第２誘電層（５８）がスキャン電極を覆うように形成さ
れ、その上に保護膜（６０）が積層される。保護膜（６
０）の上には格子型の隔壁（６２）が形成される。格子
型の隔壁（６２）の表面には蛍光体（６４）が塗布され
る。前面基板（４２）、背面基板（４８）及び隔壁（５
２）の間に設けられた放電空間（６６）にはＮｅ−Ｘ
ｅ、Ｈｅ−Ｘｅなどの混合ガスが注入される。
【００１８】アドレス電極（５０）とスキャン電極（５
６）はアドレス期間に同期されるデータパルスとスキャ
ンパルスが供給される。この時、本実施形態において
は、スキャン電極（５６）と交差する箇所の近くにアド
レス電極（５０）から突出するように補助電極（５２）
が形成されているので、この補助電極（５２）とスキャ
ン電極（５６）の間にライティング放電が起きる。
６）はアドレス期間に同期されるデータパルスとスキャ
ンパルスが供給される。この時、本実施形態において
は、スキャン電極（５６）と交差する箇所の近くにアド
レス電極（５０）から突出するように補助電極（５２）
が形成されているので、この補助電極（５２）とスキャ
ン電極（５６）の間にライティング放電が起きる。
【００１９】一方、高周波電極（４６）は高周波信号が
印加されてライティング放電によって選択されたセルを
高周波によって維持放電させる。スキャン電極（５６）
は高周波の維持放電時に高周波電極（４６）に印加され
る高周波信号に対するバイアス電圧が印加される。この
高周波の維持放電によって発生した紫外線は蛍光体（６
４）を励起させて赤色、緑色及び青色の中のいずれかの
一つの色の可視光が発生する。
印加されてライティング放電によって選択されたセルを
高周波によって維持放電させる。スキャン電極（５６）
は高周波の維持放電時に高周波電極（４６）に印加され
る高周波信号に対するバイアス電圧が印加される。この
高周波の維持放電によって発生した紫外線は蛍光体（６
４）を励起させて赤色、緑色及び青色の中のいずれかの
一つの色の可視光が発生する。
【００２０】図６Ａないし図６Ｇは、図４及び図５に図
示されたＲＦＰＤＰの下板製造方法を段階的に表してい
る。図６Ａを参照すると、スパッタリングのような真空
蒸着方法によって背面基板（４８）上に金属からなるア
ドレス電極（５０）が形成される。続いて、真空蒸着方
法によって図６Ｂのようにアドレス電極（５０）上に所
定間隔をおいて金属からなる補助電極（５２）が形成さ
れる。アドレス電極（５０）及び補助電極（５２）が形
成された背面基板（４８）には図６Ｃのようにスクリー
ン印刷方法で誘電層（５４）が前面に塗布される。この
ように形成された第１誘電層（５４）はアドレス電極
（５０）と補助電極（５２）を覆う。続いて、補助電極
（５２）上に覆われた第１誘電層（５０）をアドレス電
極（５０）上に覆われたそれに比べて薄い厚さとする。
第１誘電層（５０）の上に真空蒸着法によって図６Ｄの
ように金属からなるスキャン電極（５６）をアドレス電
極（５０）と直交する方向に形成する。スキャン電極
（５６）を補助電極（５２）とほぼ同一の高さになるよ
うにする。スキャン電極（５６）と補助電極（５２）の
間の間隔を調節することでスキャン電極（５６）と補助
電極（５６）の間に形成される寄生容量を調節すること
ができる。スキャン電極（５６）が形成された第１誘電
層（５０）の上には図６Ｅのようにスクリーン印刷方法
によって誘電体が全面に塗布される。このように形成さ
れた第２誘電層（５８）の上には図６ＦのようにＭｇＯ
からなる保護膜（６０）が全面に蒸着される。保護膜
（６０）の上には図６Ｇのようにスクリーン印刷方法、
サンドブラスター法または感光性ガラスを利用して格子
型隔壁（６２）を形成する。隔壁（６２）の表面には蛍
光体（６４）が塗布される。
示されたＲＦＰＤＰの下板製造方法を段階的に表してい
る。図６Ａを参照すると、スパッタリングのような真空
蒸着方法によって背面基板（４８）上に金属からなるア
ドレス電極（５０）が形成される。続いて、真空蒸着方
法によって図６Ｂのようにアドレス電極（５０）上に所
定間隔をおいて金属からなる補助電極（５２）が形成さ
れる。アドレス電極（５０）及び補助電極（５２）が形
成された背面基板（４８）には図６Ｃのようにスクリー
ン印刷方法で誘電層（５４）が前面に塗布される。この
ように形成された第１誘電層（５４）はアドレス電極
（５０）と補助電極（５２）を覆う。続いて、補助電極
（５２）上に覆われた第１誘電層（５０）をアドレス電
極（５０）上に覆われたそれに比べて薄い厚さとする。
第１誘電層（５０）の上に真空蒸着法によって図６Ｄの
ように金属からなるスキャン電極（５６）をアドレス電
極（５０）と直交する方向に形成する。スキャン電極
（５６）を補助電極（５２）とほぼ同一の高さになるよ
うにする。スキャン電極（５６）と補助電極（５２）の
間の間隔を調節することでスキャン電極（５６）と補助
電極（５６）の間に形成される寄生容量を調節すること
ができる。スキャン電極（５６）が形成された第１誘電
層（５０）の上には図６Ｅのようにスクリーン印刷方法
によって誘電体が全面に塗布される。このように形成さ
れた第２誘電層（５８）の上には図６ＦのようにＭｇＯ
からなる保護膜（６０）が全面に蒸着される。保護膜
（６０）の上には図６Ｇのようにスクリーン印刷方法、
サンドブラスター法または感光性ガラスを利用して格子
型隔壁（６２）を形成する。隔壁（６２）の表面には蛍
光体（６４）が塗布される。
【００２１】図７は図４及び図５に図示されたＲＦＰＤ
Ｐの駆動部を概略的に表す。図７を参照する。図示のよ
うに、本実施形態のＲＦＰＤＰ（７０）のアドレス電極
（５０）への入力端子は交互に反対側（図示では上と
下）に延びている。このＦＰＤＰの駆動部は、スキャン
電極（５６）用ローパスフィルター（７４）とアドレス
電極（５０）用のローパスフィルター（８４、８８）が
それぞれの電極に接続されている。これらはいうまでも
なくそれぞれの電極に加える交流パルスの低周波分をフ
ィルターするためのものである。したがって、それぞれ
の電極に接続されたフィルタ素子（７６，８６，９０）
でそれぞれのフィルタが構成されている。これらのロー
パスフィルター（７４、８４、８８）にはアドレス制御
部（７２）が接続されている。このアドレス制御部（７
２）はライティング放電を制御するためのものである。
ＲＦＰＤＰ（７０）のスキャン電極（５６）には、さら
に高周波信号をパスするためのハイパスフィルター（８
０）が接続されている。一方、高周波電極（４６）に
は、サスティニング制御部（７８）が接続されており、
このをサスティニング制御部（７８）はハイパスフィル
ター（８０）とが接続されている。サスティニング制御
部（７８）は、高周波の維持放電を制御するためのもの
である。
Ｐの駆動部を概略的に表す。図７を参照する。図示のよ
うに、本実施形態のＲＦＰＤＰ（７０）のアドレス電極
（５０）への入力端子は交互に反対側（図示では上と
下）に延びている。このＦＰＤＰの駆動部は、スキャン
電極（５６）用ローパスフィルター（７４）とアドレス
電極（５０）用のローパスフィルター（８４、８８）が
それぞれの電極に接続されている。これらはいうまでも
なくそれぞれの電極に加える交流パルスの低周波分をフ
ィルターするためのものである。したがって、それぞれ
の電極に接続されたフィルタ素子（７６，８６，９０）
でそれぞれのフィルタが構成されている。これらのロー
パスフィルター（７４、８４、８８）にはアドレス制御
部（７２）が接続されている。このアドレス制御部（７
２）はライティング放電を制御するためのものである。
ＲＦＰＤＰ（７０）のスキャン電極（５６）には、さら
に高周波信号をパスするためのハイパスフィルター（８
０）が接続されている。一方、高周波電極（４６）に
は、サスティニング制御部（７８）が接続されており、
このをサスティニング制御部（７８）はハイパスフィル
ター（８０）とが接続されている。サスティニング制御
部（７８）は、高周波の維持放電を制御するためのもの
である。
【００２２】ローパスフィルター（７４、８４、８８）
はそれぞれスキャン電極（５６）とアドレス電極（５
０）へ入力させる信号を低周波帯域にフィルターリング
する役割をする。このために、ローパスフィルター（７
４、８４、８８）のフィルタ素子（７４、８６、９０）
それぞれがスキャン電極（５６）とアドレス電極（５
０）にそれぞれに直列に接続されている。アドレス制御
部（７２）は、同期されるデータパルスとスキャンパル
スとをアドレス電極（５０）に接続されたローパスフィ
ルター（８４、８８）とスキャン電極（５６）に接続さ
れたローパスフィルター（７４）部に供給する。ハイパ
スフィルター（８２）は、スキャン電極（５６）へ入力
される信号の高周波帯域の信号を抽出する。このため
に、ハイパスフィルター（８２）はスキャン電極（５
６）に直列接続された多数の高周波のフィルター素子
（ＨＰＦ：８２）を具備する。サステイニング制御部
（７８）は高周波信号を高周波電極（４６）に共通に供
給する。スキャン電極（５６）にはローパスフィルター
（７４）とハイパスフィルター（８０）が共通に接続さ
れているが、通過帯域が異なるためにアドレス制御部
（７２）は高周波信号の影響を受けず、サステイニング
制御部（７６）は低周波信号によって影響を受けない。
はそれぞれスキャン電極（５６）とアドレス電極（５
０）へ入力させる信号を低周波帯域にフィルターリング
する役割をする。このために、ローパスフィルター（７
４、８４、８８）のフィルタ素子（７４、８６、９０）
それぞれがスキャン電極（５６）とアドレス電極（５
０）にそれぞれに直列に接続されている。アドレス制御
部（７２）は、同期されるデータパルスとスキャンパル
スとをアドレス電極（５０）に接続されたローパスフィ
ルター（８４、８８）とスキャン電極（５６）に接続さ
れたローパスフィルター（７４）部に供給する。ハイパ
スフィルター（８２）は、スキャン電極（５６）へ入力
される信号の高周波帯域の信号を抽出する。このため
に、ハイパスフィルター（８２）はスキャン電極（５
６）に直列接続された多数の高周波のフィルター素子
（ＨＰＦ：８２）を具備する。サステイニング制御部
（７８）は高周波信号を高周波電極（４６）に共通に供
給する。スキャン電極（５６）にはローパスフィルター
（７４）とハイパスフィルター（８０）が共通に接続さ
れているが、通過帯域が異なるためにアドレス制御部
（７２）は高周波信号の影響を受けず、サステイニング
制御部（７６）は低周波信号によって影響を受けない。
【００２３】図８は図４及び図５に図示されたＲＦＰＤ
Ｐの駆動方法を表す波形図である。図８を参照すると、
アドレス制御部（７２）によってアドレス電極（５０）
とスキャン電極（５６）にそれぞれ同期されるデータパ
ルス（Ｐdata）とスキャンパルス（Ｐscan）を印加す
る。そうすると、スキャン電極（５６）とアドレス電極
（５０）の間では、放電距離が短くなっているスキャン
電極（５６）と補助電極（５２）の間の同一の平面上で
ライティング放電が起きる。
Ｐの駆動方法を表す波形図である。図８を参照すると、
アドレス制御部（７２）によってアドレス電極（５０）
とスキャン電極（５６）にそれぞれ同期されるデータパ
ルス（Ｐdata）とスキャンパルス（Ｐscan）を印加す
る。そうすると、スキャン電極（５６）とアドレス電極
（５０）の間では、放電距離が短くなっているスキャン
電極（５６）と補助電極（５２）の間の同一の平面上で
ライティング放電が起きる。
【００２４】ライティング放電時に図９のように放電経
路（４０）には従来の誘電層より薄い厚さを有する誘電
層（５８）だけが存在する。すなわち、放電経路上の誘
電体の厚さが従来のものより薄くなっている。ライティ
ング放電に必要な電圧は、誘電体の厚さが薄くなればな
るほど電圧降下の量が減少するのでその分低くすること
ができる。ライティング放電によって発生される放電電
界（９２）は、図１０に示すように、スキャン電極（５
６）と補助電極（５２）の間にだけ限定されて発生す
る。このようにセル領域内で放電電界（９２）が限定さ
れるので放電電界（９２）の拡散による隣接したセルで
の誤放電が起きなくなる。このようにしてライティング
放電が起きると、選択されたセル内で電子を含む荷電粒
子が発生する。
路（４０）には従来の誘電層より薄い厚さを有する誘電
層（５８）だけが存在する。すなわち、放電経路上の誘
電体の厚さが従来のものより薄くなっている。ライティ
ング放電に必要な電圧は、誘電体の厚さが薄くなればな
るほど電圧降下の量が減少するのでその分低くすること
ができる。ライティング放電によって発生される放電電
界（９２）は、図１０に示すように、スキャン電極（５
６）と補助電極（５２）の間にだけ限定されて発生す
る。このようにセル領域内で放電電界（９２）が限定さ
れるので放電電界（９２）の拡散による隣接したセルで
の誤放電が起きなくなる。このようにしてライティング
放電が起きると、選択されたセル内で電子を含む荷電粒
子が発生する。
【００２５】ライティング放電が起きている間、高周波
電極（４６）には高周波信号が持続的に印加されて高周
波電極（４６）とスキャン電極（５６）の間の放電空間
（６６）には高周波電界が印加される。従って、ライテ
ィング放電時に発生した荷電粒子特に、質量が軽い電子
が、高周波電界によって振動運動するので、高周波の維
持放電が生じる。高周波の維持放電時に、電子は誘電層
（４４、５８）に衝突する前に高周波信号の極性が反転
されるので放電空間（６６）内だけで振動運動するよう
になる。高周波の周期はそれが実現する程度に選定され
ている。このように振動運動する電子は放電空間（６
６）内の放電ガスを持続的に励起させて蛍光体（６４）
が可視光を発生するようにする。
電極（４６）には高周波信号が持続的に印加されて高周
波電極（４６）とスキャン電極（５６）の間の放電空間
（６６）には高周波電界が印加される。従って、ライテ
ィング放電時に発生した荷電粒子特に、質量が軽い電子
が、高周波電界によって振動運動するので、高周波の維
持放電が生じる。高周波の維持放電時に、電子は誘電層
（４４、５８）に衝突する前に高周波信号の極性が反転
されるので放電空間（６６）内だけで振動運動するよう
になる。高周波の周期はそれが実現する程度に選定され
ている。このように振動運動する電子は放電空間（６
６）内の放電ガスを持続的に励起させて蛍光体（６４）
が可視光を発生するようにする。
【００２６】高周波の維持放電が所定期間持続された
後、スキャン電極（５６）には正極性の消去パルス（Ｐ
erase）が印加される。そうすると高周波電界が攪乱さ
れて高周波の維持放電が消滅される。
後、スキャン電極（５６）には正極性の消去パルス（Ｐ
erase）が印加される。そうすると高周波電界が攪乱さ
れて高周波の維持放電が消滅される。
【００２７】図１１は本実施形態の異なる実施形態によ
る高周波駆動プラズマディスプレーパネルを表す。
る高周波駆動プラズマディスプレーパネルを表す。
【００２８】図１１を参照すると、本実施形態による高
周波駆動プラズマディスプレーパネルはアドレス電極
（１１０）とスキャン電極（１１６）が直交されるよう
に形成された背面基板（１０８）と、アドレス電極（１
１０）とスキャン電極（１１６）の交差箇所に隣接した
位置でアドレス電極（１１０）から突出される第１補助
電極（１１２）と、スキャン電極（１１６）に補助電極
（１１２）側に突出するように形成させた第２補助電極
（１２６）と、スキャン電極（１１６）と同一方向に配
置された高周波電極（１０６）が形成された前面基板
（４２）とを具備する。第１及び第２補助電極（１１
２、１２６）は同一の平面の上に位置してスキャン電極
（１１６）とアドレス電極（１１０）それぞれスキャン
パルスとデータパルスが供給されるとライティング放電
を起こす役割を果たす。この第１及び第２補助電極（１
１２、１２６）は、ライティング放電時に放電経路を短
くする役を果たしている。従って、図１２のようにライ
ティング放電時に発生する放電電界（１２８）は第１と
第２放電電極（１１２、１２６）の間に集中的に起き
る。このために放電電界（１２８）の分布が図４に図示
されたＲＦＰＤＰよりセル中央により限定される。ライ
ティング放電時に必要なライティング電圧は、第１と第
２補助電極（１１２、１２６）が同一の平面上に位置し
て、しかも放電経路の上の誘電体の厚さが薄くなるの
で、より低くなる。
周波駆動プラズマディスプレーパネルはアドレス電極
（１１０）とスキャン電極（１１６）が直交されるよう
に形成された背面基板（１０８）と、アドレス電極（１
１０）とスキャン電極（１１６）の交差箇所に隣接した
位置でアドレス電極（１１０）から突出される第１補助
電極（１１２）と、スキャン電極（１１６）に補助電極
（１１２）側に突出するように形成させた第２補助電極
（１２６）と、スキャン電極（１１６）と同一方向に配
置された高周波電極（１０６）が形成された前面基板
（４２）とを具備する。第１及び第２補助電極（１１
２、１２６）は同一の平面の上に位置してスキャン電極
（１１６）とアドレス電極（１１０）それぞれスキャン
パルスとデータパルスが供給されるとライティング放電
を起こす役割を果たす。この第１及び第２補助電極（１
１２、１２６）は、ライティング放電時に放電経路を短
くする役を果たしている。従って、図１２のようにライ
ティング放電時に発生する放電電界（１２８）は第１と
第２放電電極（１１２、１２６）の間に集中的に起き
る。このために放電電界（１２８）の分布が図４に図示
されたＲＦＰＤＰよりセル中央により限定される。ライ
ティング放電時に必要なライティング電圧は、第１と第
２補助電極（１１２、１２６）が同一の平面上に位置し
て、しかも放電経路の上の誘電体の厚さが薄くなるの
で、より低くなる。
【００２９】図１１に図示されたＲＦＰＤＰの製造工程
は次のようである。先に、アドレス電極（１１０）が背
面基板（１０８）上に形成されて、その上に第１補助電
極（１１２）が形成される。第１補助電極（１１０）は
セルピッチだけ離して形成させる。アドレス電極（１１
０）及び第１補助電極（１１２）が形成された背面基板
（１０８）には誘電体を全面に塗布させて第１誘電層
（１１４）を形成する。第１誘電層（５０）上には同一
のマスクパターンを利用してスキャン電極（１１６）と
第２補助電極（１２６）を形成する。スキャン電極（１
１６）及び第２補助電極（１２６）が形成された第１誘
電層（５０）の上に第２誘電層（１１８）と保護膜（１
２０）を積層する。保護膜（１２０）の上に格子型隔壁
（１２２）を形成して、隔壁（１２２）の表面に蛍光体
（１２４）を塗布する。このような製造工程で分かるよ
うに、スキャン電極（１１６）と第２補助電極（１２
６）は同時にパタニングされるので図１１に図示された
ＲＦＰＤＰの製造工程数は図４に図示されたＲＦＰＤＰ
の製造工程数と変わるところはない。
は次のようである。先に、アドレス電極（１１０）が背
面基板（１０８）上に形成されて、その上に第１補助電
極（１１２）が形成される。第１補助電極（１１０）は
セルピッチだけ離して形成させる。アドレス電極（１１
０）及び第１補助電極（１１２）が形成された背面基板
（１０８）には誘電体を全面に塗布させて第１誘電層
（１１４）を形成する。第１誘電層（５０）上には同一
のマスクパターンを利用してスキャン電極（１１６）と
第２補助電極（１２６）を形成する。スキャン電極（１
１６）及び第２補助電極（１２６）が形成された第１誘
電層（５０）の上に第２誘電層（１１８）と保護膜（１
２０）を積層する。保護膜（１２０）の上に格子型隔壁
（１２２）を形成して、隔壁（１２２）の表面に蛍光体
（１２４）を塗布する。このような製造工程で分かるよ
うに、スキャン電極（１１６）と第２補助電極（１２
６）は同時にパタニングされるので図１１に図示された
ＲＦＰＤＰの製造工程数は図４に図示されたＲＦＰＤＰ
の製造工程数と変わるところはない。
【００３０】
【発明の効果】上述したところのように、本発明による
ＲＦＰＤＰは背面基板上で交差するスキャン電極とアド
レス電極のそれぞれの交差箇所でスキャン電極及び／ま
たはアドレス電極上に補助電極をそれぞれの電極に近づ
くように形成させている。したがって、本発明ＲＦＰＤ
Ｐは、アドレス電極とスキャン電極との間にライティン
グ放電が起きるとき、実質的に平行な状態にある補助電
極によって放電が生じ、しかも、アドレス電極とスキャ
ン電極の放電経路の上に存在する誘電体の厚さが薄くな
っているので、電極の間の間隔が狭くなる。従って、ス
キャン電極とアドレス電極の間に放電を起こせるための
放電電圧を低くすることができる。
ＲＦＰＤＰは背面基板上で交差するスキャン電極とアド
レス電極のそれぞれの交差箇所でスキャン電極及び／ま
たはアドレス電極上に補助電極をそれぞれの電極に近づ
くように形成させている。したがって、本発明ＲＦＰＤ
Ｐは、アドレス電極とスキャン電極との間にライティン
グ放電が起きるとき、実質的に平行な状態にある補助電
極によって放電が生じ、しかも、アドレス電極とスキャ
ン電極の放電経路の上に存在する誘電体の厚さが薄くな
っているので、電極の間の間隔が狭くなる。従って、ス
キャン電極とアドレス電極の間に放電を起こせるための
放電電圧を低くすることができる。
【００３１】したがって、本発明によるＲＦＰＤＰは補
助電極によってスキャン電極とアドレス電極の間の間隔
を狭くするようにしているので、放電電界の分布をセル
中央に集中させることができ、隣接セルに拡散される放
電電界によるセル間のクローストークを防止することが
できる。
助電極によってスキャン電極とアドレス電極の間の間隔
を狭くするようにしているので、放電電界の分布をセル
中央に集中させることができ、隣接セルに拡散される放
電電界によるセル間のクローストークを防止することが
できる。
【００３２】本発明によるＲＦＰＤＰの駆動装置はスキ
ャン電極にローパスフィルター設置し、スキャン電極と
高周波電極の間にハイパスフィルターを設置して、単純
な周波数帯域フィルターリングによって、常用の交流電
圧の周波数より高い周波数の高周波信号を高周波電極に
供給することができて、常用の交流電圧の周波数を有す
るパルス信号をスキャン電極とアドレス電極に供給する
ことができる。
ャン電極にローパスフィルター設置し、スキャン電極と
高周波電極の間にハイパスフィルターを設置して、単純
な周波数帯域フィルターリングによって、常用の交流電
圧の周波数より高い周波数の高周波信号を高周波電極に
供給することができて、常用の交流電圧の周波数を有す
るパルス信号をスキャン電極とアドレス電極に供給する
ことができる。
【図１】 従来の交流型プラズマディスプレーパネルを
表す写視図である。
表す写視図である。
【図２】 従来の高周波駆動プラズマディスプレーパネ
ルを表す写視図である。
ルを表す写視図である。
【図３】 図２に図示された高周波駆動プラズマディス
プレーパネルのライティング放電時に放電経路を表す下
板の断面図である。
プレーパネルのライティング放電時に放電経路を表す下
板の断面図である。
【図４】 本発明の実施形態による高周波駆動プラズマ
ディスプレーパネルを表す部分的に切り欠いた写視図で
ある。
ディスプレーパネルを表す部分的に切り欠いた写視図で
ある。
【図５】 図４に図示された高周波駆動プラズマディス
プレーパネルの断面図である。
プレーパネルの断面図である。
【図６Ａ】〜
【図６Ｇ】 図４に図示された高周波駆動プラズマディ
スプレーパネルの下側のパネルの製造方法を段階的に表
す平面図である。
スプレーパネルの下側のパネルの製造方法を段階的に表
す平面図である。
【図７】 図４に図示された高周波駆動プラズマディス
プレーパネルの駆動部を表すブロック図である。
プレーパネルの駆動部を表すブロック図である。
【図８】 図４に図示された高周波駆動プラズマディス
プレーパネルの各電極に印加される駆動信号の波形図で
ある。
プレーパネルの各電極に印加される駆動信号の波形図で
ある。
【図９】 図４に図示された高周波駆動プラズマディス
プレーパネルのライティング放電時に放電経路を表す下
板の断面図である。
プレーパネルのライティング放電時に放電経路を表す下
板の断面図である。
【図１０】 図４に図示された高周波駆動プラズマディ
スプレーパネルのライティング放電時に放電電界の分布
を表す平面図である。
スプレーパネルのライティング放電時に放電電界の分布
を表す平面図である。
【図１１】 本発明の異なる実施形態による高周波駆動
プラズマディスプレーパネルを表す部分切開写視図であ
る。
プラズマディスプレーパネルを表す部分切開写視図であ
る。
【図１２】 図１１に図示された高周波駆動プラズマデ
ィスプレーパネルのライティング放電時に放電電界の分
布を表す平面図である。
ィスプレーパネルのライティング放電時に放電電界の分
布を表す平面図である。
１、４２、１０２：前面基板 ２、１２、４８、１
０８：背面基板 ３、２４、１２２：隔壁 ４、１４、３６、５６、１１０：アドレス電極 ５：蛍光層 ６：誘電体厚膜 ８、５８：誘電層 ９、２２、６０、１
２０：保護膜 １０：維持電極対 １６：第１下部誘電
層 ２０：第２下部誘電層 １８、５０、１１
６：スキャン電極 ２６、６４：蛍光体 ２８、４６：高周波
電極 ２９：上部誘電層 ３２、４０：放電経
路 ５０：第１誘電層 ５２、１１２、１２
６：補助電極 ６２、１２８：放電電界 ６６：放電空間 ７０：ＲＦＰＤＰ ７４、８４、８８：ローパスフィルター ７８：制御部 ７２：アドレス制御
部 ７６：サステイニング制御部 ８２：高周波の通過
フィルター
０８：背面基板 ３、２４、１２２：隔壁 ４、１４、３６、５６、１１０：アドレス電極 ５：蛍光層 ６：誘電体厚膜 ８、５８：誘電層 ９、２２、６０、１
２０：保護膜 １０：維持電極対 １６：第１下部誘電
層 ２０：第２下部誘電層 １８、５０、１１
６：スキャン電極 ２６、６４：蛍光体 ２８、４６：高周波
電極 ２９：上部誘電層 ３２、４０：放電経
路 ５０：第１誘電層 ５２、１１２、１２
６：補助電極 ６２、１２８：放電電界 ６６：放電空間 ７０：ＲＦＰＤＰ ７４、８４、８８：ローパスフィルター ７８：制御部 ７２：アドレス制御
部 ７６：サステイニング制御部 ８２：高周波の通過
フィルター
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｇ０９Ｇ 3/28 Ｈ０１Ｊ 9/02 Ｆ
3/288 11/00 Ｂ
Ｈ０１Ｊ 9/02 Ｇ０９Ｇ 3/28 Ｂ
11/00 Ｈ
(56)参考文献 特開 平８−96716（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−181633（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−48534（ＪＰ，Ａ)
特開2000−294144（ＪＰ，Ａ)
特開2000−47632（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01J 11/00
H01J 11/02
H01J 9/02
Claims (14)
- 【請求項１】 基板上に、複数の第１電極ラインと、前
記第１電極ラインと直交する複数の第２電極ラインとが
形成されるとともに、前記第１電極ラインと第２電極ラ
インとの間に誘電層が形成されたプラズマディスプレイ
ーパネルにおいて、前記第１及び第２電極ラインの中の
いずれか一方の電極ライン上に形成された第１補助電極
を備え、この第１補助電極表面の高さと他の電極表面の
高さをほぼ同一にすることを特徴とする高周波駆動プラ
ズマディスプレーパネル。 - 【請求項２】 前記第１電極ラインは基板上に形成され
るアドレス電極であり、前記第２電極ラインは前記アド
レス電極を覆う前記誘電層の上に形成されるスキャン電
極であることを特徴とする請求項１記載の高周波駆動プ
ラズマディスプレーパネル。 - 【請求項３】 前記第１補助電極は、前記アドレス電極
の上の、前記スキャン電極との交差部に隣接した位置で
前記アドレス電極から突出させて形成させたことを特徴
とする請求項２記載の高周波駆動プラズマディスプレー
パネル。 - 【請求項４】 前記スキャン電極に、前記第１補助電極
側に突出した構造を持つように形成させた第２補助電極
を備えたことを特徴とする請求項３記載の高周波駆動プ
ラズマディスプレーパネル。 - 【請求項５】 前記誘電層は、前記アドレス電極とスキ
ャン電極の間に形成された第１誘電層と；前記補助電極
と前記スキャン電極とを覆う第２誘電層とを具備するこ
とを特徴とする請求項２記載の高周波駆動プラズマディ
スプレーパネル。 - 【請求項６】 前記第１及び第２電極ラインと前記第１
補助電極が形成された第１基板と；数十ないし数百ＭＨ
ｚの周波数を有する高周波信号が供給されて前記第１及
び第２電極の中のいずれかの一つと高周波放電を起こす
高周波電極が形成されて前記第１基板と対面される第２
基板と；前記第１及び第２基板の間に垂直に形成される
隔壁と；前記隔壁に塗布される蛍光体とをさらに具備す
ることを特徴とする請求項１記載の高周波駆動プラズマ
ディスプレーパネル。 - 【請求項７】 基板上に多数の第１電極ラインを形成す
る段階と；所定の間隔を間に置いて離隔させて前記第１
電極ラインから突出する第１補助電極を形成する段階
と；前記第１補助電極及び第１電極ラインを覆うように
第１誘電体を全面塗布する段階と；前記第１電極ライン
と直交される第２電極ラインを形成する段階とを含むこ
とを特徴とする高周波駆動プラズマディスプレーパネル
の製造方法。 - 【請求項８】 前記第２電極ライン上に前記第１補助電
極の側に突出される第２補助電極を形成する段階と；前
記第２電極ライン及び第２補助電極を覆うように第２誘
電体を前記第１誘電体の上に全面に塗布する段階と；前
記第２誘電体の上に保護膜を形成する段階と；前記保護
膜の上に隔壁を形成する段階と；前記隔壁に蛍光体を塗
布する段階とをさらに含むことを特徴とする請求項７記
載の高周波駆動プラズマディスプレーパネルの製造方
法。 - 【請求項９】 前記第２電極ラインと第２補助電極は同
一のマスクパターンを利用して同時にパタニングされる
ことを特徴とする請求項８記載の高周波駆動プラズマデ
ィスプレーパネルの製造方法。 - 【請求項１０】 第１基板上に誘電層を間に挟んで交差
してライティング放電を起こすスキャン電極とアドレス
電極を有する放電セルがマトリックス形態で配置され
て、前記第１基板と対面される第２基板上に形成されて
前記スキャン電極と共に高周波放電を起こす高周波電極
とを具備する高周波駆動プラズマディスプレーパネルの
駆動装置において、前記高周波電極へ数十ないし数百Ｍ
Ｈｚの周波数を有する高周波信号を供給するための高周
波信号の駆動部と；前記スキャン電極とアドレス電極そ
れぞれに常用交流電圧の周波数を有するスキャンパルス
及びデータパルスを供給するためのパルス信号の駆動部
と；前記放電セル毎に前記スキャン電極及びアドレス電
極の中の少なくともいずれか一方の電極上に形成された
第１補助電極とを具備し、この第１補助電極表面の高さ
と他の電極表面の高さをほぼ同一にすることを特徴とす
る高周波駆動プラズマディスプレーパネルの駆動装置。 - 【請求項１１】 前記高周波信号の駆動部は、前記スキ
ャン電極に接続されて前記スキャン電極へ入力される数
十ないし数百ＭＨｚの周波数を有する高周波信号を通過
させるハイパスフィルターと；前記高周波信号を前記高
周波電極に供給するためのサステイニング駆動部とを具
備することを特徴とする請求項１０記載の高周波駆動プ
ラズマディスプレーパネルの駆動装置。 - 【請求項１２】 前記パルス信号の駆動部は前記アドレ
ス電極に接続される第１ローパスフィルターと；前記ス
キャン電極に接続される第２ローパスフィルターと；前
記第１及び第２ローパスフィルターに共通に接続されて
前記ライティング放電に必要なパルス信号を生成して前
記ライティング放電を制御するアドレスの駆動部とを具
備することを特徴とする請求項１０記載の高周波駆動プ
ラズマディスプレーパネルの駆動装置。 - 【請求項１３】 前記第１補助電極は、前記アドレス電
極の上の、前記スキャン電極との交差部に隣接した位置
で前記アドレス電極から突出させて形成させたことを特
徴とする請求項１０記載の高周波駆動プラズマディスプ
レーパネルの駆動装置。 - 【請求項１４】 前記スキャン電極に、前記第１補助電
極側に突出した構造を持つように形成させた第２補助電
極を備えたことを特徴とする請求項１３記載の高周波駆
動プラズマディスプレーパネルの駆動装置。
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|---|---|---|---|
| KR1019990022981A KR100577160B1 (ko) | 1999-06-18 | 1999-06-18 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| KR22981/1999 | 1999-06-18 | ||
| KR1019990032892A KR100303212B1 (ko) | 1999-08-11 | 1999-08-11 | 고주파 플라즈마 디스플레이 패널 |
| KR32892/1999 | 1999-08-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001084914A JP2001084914A (ja) | 2001-03-30 |
| JP3477151B2 true JP3477151B2 (ja) | 2003-12-10 |
Family
ID=26635482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000183122A Expired - Fee Related JP3477151B2 (ja) | 1999-06-18 | 2000-06-19 | 高周波駆動プラズマディスプレーパネルとその製造方法及びそれを駆動するための駆動装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP3477151B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100404843B1 (ko) * | 2001-05-24 | 2003-11-07 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 어드레싱 방법 및 장치 |
| TWI319558B (en) | 2004-11-19 | 2010-01-11 | Lg Electronics Inc | Plasma display device and method for driving the same |
| KR100708733B1 (ko) | 2005-11-28 | 2007-04-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP3719743B2 (ja) * | 1995-08-09 | 2005-11-24 | 株式会社日立製作所 | プラズマディスプレイパネル |
| US6100859A (en) * | 1995-09-01 | 2000-08-08 | Fujitsu Limited | Panel display adjusting number of sustaining discharge pulses according to the quantity of display data |
| KR0154793B1 (ko) * | 1995-10-19 | 1998-11-16 | 김광호 | 무선전화기의 비화회로 및 역비화회로 |
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| KR100263857B1 (ko) * | 1998-03-31 | 2000-08-16 | 김순택 | 플라즈마 표시 장치 |
| US6271810B1 (en) * | 1998-07-29 | 2001-08-07 | Lg Electronics Inc. | Plasma display panel using radio frequency and method and apparatus for driving the same |
-
2000
- 2000-06-19 JP JP2000183122A patent/JP3477151B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-06-19 US US09/597,553 patent/US7230586B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
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