CN101916704A - 等离子体显示面板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种PDP和能够简单地制造该PDP的制造方法，即使提高针对放电气体中的总压力的Xe分压比例，在初始化期间可稳定地产生弱放电，降低放电开始电压，抑制初始化亮点的产生，提高图像质量，并且，抑制发光效率的降低，抑制亮度的降低，提高亮度。本发明的PDP具有在前面面板域背面面板之间开设有放电空间的状态下对置配置的结构。并且，在背面面板的放电空间侧的区域形成有荧光体层，在其表面的部分区域上形成作为高γ部的荧光体保护膜。荧光体保护膜由二次电子发射系数γ比构成荧光体层的荧光体材料高的材料构成。荧光体层的表面的一部分被荧光体保护膜覆盖，其他部分为面对放电空间的状态。

Description

等离子体显示面板及其制造方法

本申请是母案为如下申请的分案申请：

申请日：2005年10月5日

申请号：200580041728.8

发明名称：等离子体显示面板及其制造方法

技术领域

本发明涉及等离子体显示面板及其制造方法。

背景技术

作为利用了以往的根据气体放电发射的平面显示装置，谋求等离子体显示装置(以下记为“PDP装置”)的商品化。在该PDP装置中，有直流型(DC型)和交流型(AC型)，但是，作为大型显示装置，面放电型AC型PDP装置具有更高的技术潜力，寿命特性优良，已被商品化。使用图26(a)对作为PDP装置的面板部的等离子显示面板(以下记为“PDP”)的结构进行说明。图26(a)是表示现有的代表性的面放电型AC型PDP一部分的放电单元结构的展开立体图(部分剖面图)。

如图26(a)所示，PDP具有前面面板710和背面面板720对置配置的结构。前面面板710由前面衬底711、形成在该表面上的显示电极对712以及依次层叠在其上的电介质层715以及电介质保护层716等构成。其中，显示电极对712由以条纹状延伸的扫描电极713和维持电极714构成，各个电极713、714由透明电极要素713a、714a和总线713b、714b的叠层构成。此处，总线713b、714b是为了补偿透明电极要素713a、714a的高电阻，即为了降低电阻而以金属材料等以较细宽度形成的。

电介质层715由低熔点玻璃形成，具有AC型PDP特有的电流控制功能。电介质保护层716保护扫描电极713以及维持电极714的表面，并且，具有能够有效发射二次电子并降低开始放电电压的功能。并且，作为电介质保护层716的材料，广泛应用二次电子发射系数γ较大、并且耐溅射性较高、在光学上透明的电绝缘材料的金属氧化物MgO(氧 化镁)。

背面面板720由低熔点玻璃层叠背面衬底721、在其表面上以条纹状形成多个用于写入图像数据的数据电极722、以覆盖数据电极722以及背面衬底721表面的至少一部分的方式的背面侧电介质层723。在与邻接的放电单元(未图示)之间的电介质层723上，预定高度的隔壁724由低熔点玻璃(在图26(a)中，作为一例，为井字形)等形成，并且，在电介质层723表面和隔壁724的侧壁上，涂敷并烧结荧光体层725。荧光体层725按照每个放电单元分别被分为发出红、绿、蓝光的3色荧光体材料进行使用。

在扫描电极713以及维持电极714和数据电极722交叉的方向，配置前面面板710和背面面板720并进行密封，构成PDP。此处，在形成在前面面板710和背面面板720之间的放电空间730中，将在制造过程中残留的大气或者杂质气体排除后，填充了作为放电气体的稀有气体氙(Xe)和氖(Ne)、或者氙(Xe)和氦(He)等。放电气体是Xe相对总压力的分压比为5(％)～6(％)，封入压力(总压力)以大约数十(kPa)进行设定。并且，在PDP中，对应于显示电极对712与数据电极722立体交叉的各区域为放电单位的放电单元，以矩阵状配置多个放电单元。

并且，对于PDP来说，对各电极713、714连接以矩阵状进行驱动的驱动电路或者对其进行控制的控制电路等，由此，构成PDP装置。

所述AC型PDP由以下期间构成的驱动方式进行驱动显示：(1)使全部显示单元成为初始化状态的初始化期间、(2)对各放电空间进行寻址、对各放电单元选择并输入与输入数据对应的显示状态的数据写入期间、(3)使显示状态下的放电单元进行显示发光的维持期间。

为了进行显示而直接发光，使用前面面板710的扫描电极713和维持电极714，数据电极722起到对要进行显示发光的放电单元进行选择的作用，不直接参与显示发光。在所述(2)的写入期间，使用背面面板720的数据电极722写入数据，在对置的前面面板710的电介质保护层716的表面形成壁电荷。

在所述(3)的维持期间，在存在所述壁电荷的放电单元中，分别对显示电极对712的扫描电极713和维持电极714施加电压脉冲(例如，大约200(V)的矩形波电压)以使彼此相位不同。即，在维持期 间，对所述显示电极对712间施加交流电压，由此，对于写入显示状态的放电单元，每当电压极性变化时都产生脉冲放电。通过该维持放电的产生，显示发光根据放电空间730的激励Xe原子产生波长为147(nm)的共振线，从激励Xe分子中发射波长为173(nm)主体的分子线。

然后，在设置于背面面板720上的荧光体层725中将所述紫外线变换可见光，由此，得到可见光。此处，在未对电介质保护层716写入壁电荷的放电单元中，即使在维持期间施加交流电压，也不会产生维持放电，显示状态为黑显示。并且，AC型PDP的显示像素单位通常由分别设置了发出红、绿以及蓝色光的荧光体层725的3个显示放电单位的放电单元构成。

以往，在PDP的3个所述工作期间内将所有显示单元的壁电荷分布置于初始化状态的初始化期间，为了提高对比率，对稳定地产生称作弱放电(初始化放电)的较弱的小放电进行了研究。通常，在前面面板710的扫描电极713和背面面板720的数据电极722之间施加以电压-时间变化缓和的倾斜度进行波动的斜坡波形高电压，恒定地流过较小的放电电流，由此，能够稳定地产生弱放电。

施加初始化期间的上升斜坡波形电压时的放电是数据电极722或者二次电子发射系数γ较小的荧光体层725侧为阴极的放电，所以，放电开始电压变高，弱放电不稳定，容易引起较强的放电。因此，该放电时，存在图像中容易产生无关的初始化误发光(以下，称为初始化亮点)的问题。

因此，以往，为了稳定地产生初始化期间的弱放电，进行研究开发以对荧光体层725的表面进行改善。这样，通过改善荧光体层725的表面，在初始化期间，降低荧光体层725侧成为阴极时的开始放电电压，使弱放电稳定，能够控制正确的写入，对初始化亮点的产生进行控制。

但是，提出了如下技术：在开发PDP时，为了提高亮度，而提高Xe相对放电气体的总压力的分压比例(谋求高Xe化)，来提高发光效率。但是，产生如下的问题：在提高PDP的Xe相对放电气体的总压力的分压比例时，发光效率上升，但放电开始电压将上升或者施加初始化期间的所述斜坡波形时弱放电不稳定，不能够进行正确的初始化。 即，存在如下问题：在谋求高Xe的PDP中，开始放电时所施加的电压变大，此外，放电延迟变大，故所产生的初始化放电不是弱放电，容易产生较强的放电，不正确的壁电荷量发生移动，成为初始化亮点，PDP的黑显示部分发光，成为白显示，不能够进行正确的显示。

以往，提出了如下技术(例如，参照专利文献1)：为了降低驱动电压并减少隔壁724侧面或者荧光体层725表面的电荷粒子的损失、提高发光效率，采用由二次电子发射系数γ较高的材料构成的保护膜对荧光体层725、隔壁724、背面面板720的面对放电空间部分的整体进行覆盖。

图26(b)示出专利文献1所公开的一个实施例的剖面图。如图26(b)所示，在背面面板740中，形成在背面衬底721内侧(放电空间730侧)的荧光体层725的表面面对放电空间730部分均被由二次电子发射系数γ较高的材料构成的荧光体保护膜746覆盖。并且，在该实施例中，隔壁724的表面暴露在放电空间730中时，其露出部分也被保护膜746覆盖。

在图26(b)所示的专利文献1中的PDP中，在写入期间以外的期间，在数据电极722附近的荧光体层725表面蓄积正的壁电荷，并且，在数据电极722附近的放电空间730中浮置有正离子群，在隔壁724侧面或者荧光体层725表面，扩散到放电空间730中的电粒子损失，对发光效率产生恶劣影响。此处，在背面面板740中，在面对放电空间730的部分(对应于荧光体层725的表面)，使用二次电子发射系数γ较高的材料形成保护膜746，由此，在正离子冲击保护膜746表面时，由在放电空间730中发射出的二次电子抵消浮置的正离子群，由此，增强放电空间730的电场，能够进一步以低电压、低功耗进行下次放电。

因此，在专利文献1中，考虑到可在某种程度上降低维持期间的放电功率。

此外，作为现有技术，以往为了长时间稳定地保持PDP的发光亮度，开发了形成覆盖荧光体层725表面、由MgO构成的膜的技术(例如，参照专利文献2)。在该技术中，采用以MgO膜覆盖荧光体层725表面的结构，由此，提高二次电子发射性能，激活放电状态，并且，保护荧光体层725不受放电时溅射的影响。因此，在采用该技术的PDP 中，能够长时间稳定地维持发光亮度。

专利文献1  特开2002-110046号公报

专利文献2  特开平08-212929号公报

但是，在包括所述专利文献1、2的现有技术中，使初始化期间的弱放电的产生稳定化很困难。具体地说，在所述专利文献1的技术中，采用在荧光体层、隔壁的面对放电空间的部分上均具有二次电子发射系数γ较高的材料构成的保护膜的结构，但是，在这样的结构中，解决谋求初始化期间的弱放电的稳定化、控制初始化亮点的产生这样的课题很困难。特别是，如上所述，提高放电气体中Xe相对总压力的分压比例时，弱放电的稳定化较困难。

此外，在所述专利文献1的技术中，以保护膜覆盖荧光体层725的整个表面，所以，由放电空间730的激励Xe原子发射的共振线的一部分被形成在荧光体层725上的膜吸收，到达荧光体层725的共振线减少。因此，在采用该技术的PDP中，推定为发光效率降低，亮度降低。

此外，在上述专利文献2的PDP中，采用了覆盖荧光体层725表面形成MgO膜的结构，但是，在该结构中，谋求初始化期间的弱放电的稳定化很困难。此外，在该技术的PDP中，荧光体层725的整个表面被0.5(μm)～20(μm)膜厚的保护膜746覆盖，所以，与所述专利文献1的PDP相同，由放电空间730的激励Xe原子发射的波长为147(nm)的共振线被保护膜746吸收，难以到达荧光体层725，推定为发光效率大幅度降低。

发明内容

本发明是鉴于这样的问题而进行的，其目的在于提供一种PDP以及能够简单地制造该PDP的制造方法，对于该PDP来说，即使提高放电气体中Xe相对总压力的比例，在初始化期间也能够始终地使弱放电稳定，降低放电开始电压，抑制初始化亮点的产生，并且，能够抑制发光效率的降低、抑制亮度的降低，提高亮度。

为了达到所述目的，本发明的PDP具有第一衬底与第二衬底之间隔开空隙对置配置、在第一衬底的空隙侧的区域形成荧光体层的结构，在荧光体层表面的一部分区域覆盖形成高伽马部(以下记为“高γ 部”)，该高伽马部在构成要素中含有二次电子发射系数γ比构成荧光体层的荧光体材料高的材料，荧光体层表面的其余区域(即，未形成高γ部的区域)和高γ部都面对空隙。

此外，本发明的PDP具有第一衬底与第二衬底之间隔开空隙对置配置、在第一衬底的空隙侧的区域形成荧光体层的结构，在荧光体层表面覆盖形成保护膜状的高γ部，该保护膜状的高γ部在构成要素中含有二次电子发射系数γ比构成荧光体层的荧光体材料高的材料，高γ部的膜厚大于等于1(nm)而小于等于10(nm)。

本发明的PDP的制造方法是第一衬底与第二衬底之间隔开空隙对置配置、在第一衬底的空隙侧的区域形成荧光体层而形成的PDP的制造方法，具有如下步骤。

荧光体层形成步骤，在第一衬底上，在与第二衬底对置一侧的显示部分形成荧光体层。

高γ部形成步骤，在荧光体层表面的一部分区域上，使用二次电子发射系数γ比形成荧光体层中所用的荧光体材料高的材料，覆盖形成高γ部。

此处，特征在于：在高γ部形成步骤中，以荧光体层表面的其余区域(荧光体层表面的未形成高γ部的区域)和高γ部都面对空隙的方式形成高γ部。

此外，本发明的PDP的制造方法是第一衬底与第二衬底之间隔开空隙对置配置、在第一衬底的空隙侧的区域形成荧光体层而形成的PDP的制造方法，具有如下步骤：

荧光体层形成步骤，在第一衬底上，在与第二衬底对置一侧的表面部分形成荧光体层。

高γ部形成步骤，在荧光体层表面上，使用二次电子发射系数γ比形成荧光体层中所用的荧光体材料高的材料，覆盖形成保护膜状的高γ部。

此处，特征在于：在高γ部形成步骤中，以大于等于1(nm)而小于等于10(nm)的膜厚形成高γ部。

在本发明的高γ部的形成装置中，相对于在表面形成有电极和覆盖该电极的荧光体层的衬底，在荧光体层的表面的相当于电极表面的部分内，以二次电子发射系数比该荧光体层高的材料形成高γ部，具 有：带电单元，使在形成高γ部中所使用的形成材料带电；散布单元，对带电后的形成材料进行散布；施加单元，为了在所述荧光体层的表面的相当于电极的表面部分内不均匀地堆积所散布的形成材料，对电极施加电压。

本发明者们发现，在具有现有技术的结构的PDP的驱动中，对于初始化期间较强的放电的发生来说，容易在施加斜坡波形的过程中产生，特别是容易在施加上升斜坡波形时产生。即，在初始化期间，对扫描电极施加具有正斜率的上升斜坡波形电压，然后，施加具有负斜率的下降倾斜波形电压，进行整个单元的初始化，但是，在施加上升倾斜波形时，背面面板的数据电极或者二次电子发射系数γ较小的荧光体层侧成为阴极时，初始化放电不稳定，容易产生不希望的较强的放电。

与此相对，在本发明的PDP中，因为高γ部是以面对空隙的状态形成的，故在面板驱动的初始化期间，使在施加斜坡波形时荧光体层一侧成为阴极时的放电开始电压降低，通过抑制较强的放电的产生，能够得到稳定的初始化放电的发生。

此外，在本发明的PDP中，因为荧光体层表面的一部分面对空隙，所以，在驱动时在空隙内产生的紫外线不会大幅衰减，而入射到荧光体层上，与采用以MgO覆盖荧光体层的整个表面的专利文献1的技术时的PDP相比，能够抑制面板的发光效率降低。

因此，在本发明的PDP中，能够谋求初始化期间的稳定的弱放电的发生，能够同时谋求较高的发光效率和较高的图像质量性能。该PDP中，能够采用以下的变化。

在所述的本发明的PDP中，能够采用如下结构：在所述荧光体层表面，以斑点状或者条纹状形成高γ部。

在所述的本发明的PDP中，能够采用如下结构：高γ部是通过在所述荧光体层表面上附着粒子状材料形成的。

在所述的本发明的PDP中，优选粒子的直径大于等于0.05(μm)而小于等于20(μm)。

在所述的本发明的PDP中，优选粒子的一次粒子的直径大于等于0.05(μm)而小于等于1(μm)。

在所述的本发明的PDP中，优选粒子的二次粒子的直径大于等于2 (μm)而小于等于20(μm)。

在所述本发明的PDP中，采用在第一衬底表面上形成多条第一电极、以覆盖该第一电极的方式层叠电介质层以及荧光体层的结构时，采用在包含所述第一电极的层叠上方区域的范围内形成高γ部的结构。

在所述本发明的PDP中，优选采用在所述荧光体层表面不均匀地形成高γ部。

在所述的本发明的PDP中，具体地可采用在相当于第一电极表面的部分不均匀地形成高γ部的结构。

在所述的本发明的PDP中，可采用如下结构：在第一衬底的表面上形成多个第一电极，在第二衬底的表面上，在与第一电极交叉的方向上，形成多对由相互平行的第二电极和第三电极构成对的电极对，在相当于第一电极和显示电极对立体交叉的区域的部分或者相当于该区域附近的部分，高γ部不均匀。

在所述本发明的PDP中，可采用如下结构：第二电极和第三电极中，一个是扫描电极，另一个是维持电极，在相当于第一电极(相当于数据电极)和扫描电极立体交叉的区域的部分，高γ部不均匀。

在所述本发明的PDP中，可采用如下结构：分别对第一电极、第二电极、第三电极施加基于输入图像数据的电压，在基于输入图像数据所选择的放电单元，在第一电极和第二电极之间施加电压而产生写入放电，由于该写入放电的产生而形成壁电荷。

在所述本发明的PDP中，可采用如下结构：在第一衬底的表面上形成多个数据电极，在第二衬底的表面上，在与数据电极交叉的方向，形成多个由彼此平行的扫描电极以及维持电极构成对的电极对，从扫描电极的各侧缘边向第一衬底的表面引出垂线时，高γ部具有在荧光体层表面内的位于由垂线包围的区域的部分。

在所述本发明的PDP中，可采用如下结构：在第一衬底上以覆盖多个数据电极的方式形成电介质层，并且，在该电介质层表面上，在相邻的数据电极之间、在与数据电极平行的方向延伸地设置隔壁，该隔壁具有朝向该第一衬底表面、彼此间隔变窄的状态下的斜面，荧光体层形成在被电介质层的表面和相邻的隔壁包围的各凹部的壁面上，高γ部包括以所述垂线包围的区域并在覆盖形成于所述隔壁的斜面上 的荧光体层表面的状态下形成。

在所述本发明的PDP中，可采用如下结构：在第一衬底上以覆盖多个数据电极的方式形成电介质层，并且，在该电介质层表面上，在相邻的数据电极之间竖立设置沿着与数据电极平行的方向延伸的第一隔壁、和在形成于第二衬底上的相邻的电极对之间延伸的第二隔壁，荧光体层形成在与第一衬底的电介质层表面相邻的第一隔壁以及第二隔壁包围的各凹部的壁面上，第二隔壁具有朝向第一衬底表面、彼此间隔变窄的状态的斜面，高γ部包括以所述垂线包围的区域并在覆盖形成在第二隔壁的斜面上的荧光体层表面的状态下形成。

在所述本发明的PDP中，可采用如下结构：从数据电极的各侧缘边向第二衬底表面引出第二垂线时，高γ部具有位于所述垂线与第二垂线包围的区域的部分。

在所述本发明的PDP中，可采用如下结构：从维持电极的各侧缘边向第一个衬底表面引出第三垂线时，荧光体层表面内的被第三垂线包围的区域面对空隙。

在所述本发明的PDP中，可采用如下结构：荧光体层表面内的被所述垂线包围的区域以外的区域面对空隙。

在所述本发明的PDP中，优选采用如下结构：高γ部以膜状形成，其膜厚设定为大于等于100(nm)而小于等于3(μm)。

在所述本发明的PDP中，可采用如下结构：高γ部含有金属氧化物而构成。

在所述本发明的PDP中，优选采用如下结构：作为所述金属氧化物的具体例子，至少含有从MgO、CaO、BaO、SrO、MgNO以及ZnO的物质群中选择的至少一种。

在所述本发明的PDP中，优选采用如下结构：作为所述金属氧化物的其他的具体例子，至少含有MgO以及SrO的至少一种。

在所述的本发明的PDP中，可采用如下结构：高γ部含有碳纳米管、纳米光纤、富勒烯以及AlN的至少一种。

在所述的本发明的PDP中，可采用如下结构：高γ部含有Pt、Au、Pd、Mg、Ta、W以及Ni的金属材料群的至少一种。

在所述的本发明的PDP中，可采用如下结构：高γ部含有Pt以及Mg的至少一种。

在所述的本发明的PDP中，优选采用如下结构：以大于等于1(％)而小于等于50(％)的覆盖率相对于所述荧光体层表面形成高γ部。

在所述的本发明的PDP中，优选采用如下结构：以大于等于3(％)而小于等于20(％)的覆盖率相对于所述荧光体层表面形成高γ部。

此外，在本发明的PDP中，如上所述，在采用以大于等于1(nm)而小于等于10(nm)的膜厚以覆盖荧光体层表面的状态下形成高γ部的结构时，当驱动面板时，包括在空隙(放电空隙)中产生的147(nm)的共振线的紫外线实际上没有被高γ部吸收很多，以较高的效率透过到荧光体层。因此，在本发明的PDP中，在荧光体层表面上形成高γ部，但是，通过将其膜厚规定在所述数值范围内，由此，不会导致发光效率降低。并且，这样将高γ部的膜厚规定为大于等于1(nm)而小于等于10(nm)时，能够采用以高γ部覆盖荧光体层大致整体的结构。此处所说的“覆盖大致整个区域”表示：例如，在形成高γ部的过程中，由于其形成不均匀等，即使在膜状的高γ部上产生一些小孔等，也包括在本发明的范畴内。

此外，在本发明的PDP中，因为面对空隙地形成高γ部，所以，在面板驱动时的初始化期间，能够谋求施加斜坡波形电压时荧光体层一侧成为阴极的情况下的放电开始电压的降低，能够稳定地产生弱放电。

因此，在本发明的PDP中，可谋求初始化期间的稳定的弱放电的产生，可同时谋求较高的发光效率和较高的图像质量性能。采用上述结构的本发明的PDP中，能够采用以下的变换。

在本发明的PDP中，可采用高γ部含有金属氧化物的结构。作为具体的金属氧化物，优选含有MgO以及SrO的至少一种。并且，在所述本发明的PDP中，优选采用如下结构：金属氧化物含有MgO，高γ部是使用电子束蒸镀法对金属氧化物进行蒸镀而形成的。

在本发明的PDP中，在形成于第一衬底与第二衬底之间的空隙中填充含Xe的放电气体，Xe分压相对放电气体的总压力的比例为大于等于5(％)而小于等于100(％)。

在本发明的PDP中，作为进一步优选的Xe分压比例，可采用大于等于5(％)而小于等于50(％)的范围。

在本发明的PDP的制造方法中，能够容易并且可靠地制造高γ部 以及具有该高γ部的本发明的PDP。本发明的PDP的制造方法可采用以下的变化。

在本发明的PDP的制造方法中，可采用如下的具体方法：在高γ部形成步骤中，使用喷雾法、分散堆积法或者电子束蒸镀法的任意一种对荧光体层的表面以斑点状或者条纹状形成保护膜，由此，形成高γ部。

在本发明的PDP的制造方法中，可采用如下的具体方法：在高γ部形成步骤中，使用散布法、喷雾法、分子堆积法或者电沉积法的任意一种对荧光体层的表面附着粒子状的材料，由此，形成高γ部。

在本发明的PDP的制造方法中，可采用如下的具体方法：在荧光体层形成步骤中形成荧光体层之前，在第一衬底的表面上，相互平行地形成多个第一电极，以覆盖该第一电极的方式，层叠形成电介质层，在高γ部形成步骤中，在包括第一电极的层叠上方区域的范围内，覆盖形成高γ部。

在本发明的PDP的制造方法中，可采用如下方法：在荧光体层形成步骤中形成荧光体层之前，在第一衬底的表面上，相互平行地形成多个第一电极，以覆盖该第一电极的方式，层叠形成电介质层，在第二衬底的表面上，在与第一衬底的第一电极交叉的方向上，形成多对由相互平行的第二电极和第三电极构成对的显示电极对，在高γ部形成步骤中，在包括第一电极与第二电极交叉的区域的范围内，形成高γ部。

在本发明的PDP的制造方法中，可采用如下的具体方法：在高γ部形成步骤中，使用含有MgO或SrO的材料形成高γ部。

在本发明的PDP的制造方法中，可采用如下的具体方法：在高γ部形成步骤中，使用从碳纳米管、纳米光纤、富勒烯以及AlN构成的物质群中选择的至少一种来形成高γ部。

在本发明的PDP的制造方法中，可采用如下的具体方法：在高γ部形成步骤中，使用含有Pt或者Mg的材料形成高γ部。

在本发明的PDP的制造方法中，优选在高γ部形成步骤中，将针对荧光体层表面的高γ部的覆盖率规定为大于等于3(％)而小于等于20(％)。

此外，在高γ部形成步骤中以大于等于1(nm)而小于等于10(nm)的膜厚在覆盖荧光体层表面的状态下形成高γ部的本发明的PDP的制造 方法中，可采用如下的变化。

在本发明的PDP的制造方法中，可采用如下的具体方法：在高γ部形成步骤中，使用电子束蒸镀法形成高γ部。

在本发明的PDP的制造方法中，可采用如下的具体方法：在高γ部形成步骤中，使用含有MgO或SrO的材料形成高γ部。

在本发明的PDP的制造方法中，可采用如下的具体方法：具有如下步骤：密封步骤，对第一衬底与第二衬底彼此的外周部进行密封；气体填充步骤，在放电空间中填充含Xe的放电气体，在气体填充步骤中，使用将Xe分压调整为大于等于5(％)而小于等于50(％)的放电气体。

在本发明的PDP的制造方法中，可采用如下的具体方法：在高γ部形成步骤中，使高γ部的形成材料带正电，并且，通过静电力将带电后的形成材料堆积在荧光体层表面上的所述规定的一部分区域上。

在本发明的PDP的制造方法中，可采用如下的具体方法：在荧光体层形成步骤中形成荧光体层之前，在第一衬底的表面上，相互平行地形成多个第一电极，以覆盖该第一电极的方式，层叠形成电介质层，在高γ部形成步骤中，使高γ部的形成材料带正电，并且，对第一电极施加负电压，由此，对带电状态的高γ部的形成材料进行堆积。

在本发明的PDP的制造方法中，可采用如下的具体方法：在高γ部形成步骤中，以随着时间的推移在负侧变大的方式对第一电极施加负电压。

在本发明的PDP的制造方法中，可采用如下的具体方法：在高γ部形成步骤中，以在负侧连续地或者阶段性地变大的方式对第一电极施加负电压。

在本发明的PDP的制造方法中，可采用如下的具体方法：在高γ部形成步骤中，将所述带电后的形成材料向荧光体层的表面散布。

在本发明的PDP的制造方法中，可采用如下的具体方法：在高γ部形成步骤中，在等离子体中使高γ部的形成材料带电，通过电子束蒸镀对该带电后的形成材料进行堆积。

在本发明的PDP的制造方法中，可采用如下的具体方法：在高γ部形成步骤中，对高γ部的形成材料照射等离子体束使其带电，对该带电后的形成材料进行成膜由此来进行堆积。

在本发明的PDP的制造方法中，可采用如下的具体方法：在高γ部形成步骤中，作为高γ部的形成材料，使用至少含MgO的材料。

在本发明的PDP的制造方法中，可采用如下方法：在荧光体层形成步骤中形成荧光体层之前，在第一衬底的表面上，相互平行地形成多个第一电极，以覆盖数据的方式，层叠形成电介质层，在电介质层的表面上形成隔壁，其朝向所述第二衬底一侧、在相邻的数据电极彼此之间并行延伸，并且具有朝向第一衬底表面彼此间隔变窄状态的斜面，在荧光体层形成步骤中，在相邻的隔壁间，对该隔壁以及电介质层构成的凹部的内壁面形成荧光体层，隔壁具有朝向第一衬底的主表面、彼此间隔变小状态的斜面，在第二衬底的表面上，在与数据电极交叉的方向上，形成多对由相互平行的扫描电极和维持电极构成对的电极对，从扫描电极的各侧缘边向第一衬底的表面引出垂线时，在高γ部形成步骤中，通过倾斜蒸镀法，以与所述垂线交叉的角度对隔壁的斜面上的荧光体层表面形成高γ部。

在本发明的PDP的制造方法中，可采用如下方法：在第二衬底的表面上，在与数据电极交叉的方向上，形成多个由彼此平行的扫描电极和维持电极构成对的电极对，在荧光体层形成步骤中形成荧光体层之前，在第一衬底的表面上，相互平行地形成多个数据电极，以覆盖该数据电极的方式，层叠形成电介质层，在电介质层的表面上，在相邻的数据电极之间形成并行延伸的第一隔壁，并在电介质层的表面上，朝向第二衬底一侧，在与第一隔壁交叉的方向，形成第二隔壁，该第二隔壁在形成于第二衬底上的邻接的电极对彼此之间延伸，在荧光体层形成步骤中，对由电介质层以及第一隔壁以及第二隔壁构成的凹部的内壁面形成荧光体层，第二隔壁具有朝向第一衬底的表面、彼此间隔变窄状态的斜面，从扫描电极的各侧缘边向第一衬底的表面引出垂线时，在高γ部形成步骤中，通过倾斜蒸镀法以与所述垂线交叉的角度对第二隔壁的斜面上的荧光体层的表面覆盖形成高γ部。

在本发明的PDP的制造方法中，可采用如下的具体方法：在高γ部形成步骤中，在维持所述角度的状态下，沿其主面方向运送第一衬底。

在本发明的PDP的制造方法中，可采用如下的具体方法：在高γ部形成步骤中，使用含MgO的金属氧化物材料，通过电子束蒸镀法以膜状形成高γ部。

在本发明的PDP的制造方法中，可采用如下的具体方法：在高γ部形成步骤中，形成膜厚为大于等于100(nm)而小于等于3(μm)的膜状的高γ部。

在本发明的PDP的制造方法中，可采用如下的具体方法：在高γ部形成步骤中，使荧光体层表面内的、将所述垂线包围的区域之外的区域维持在面对所述空隙的状态。

此外，本发明的高γ部的形成装置通过使用所述结构能够在如上所述的规定部位形成高γ部。并且，能够使用该装置容易地制造所述本发明的PDP。

附图说明

图1是表示实施方式1的PDP1结构的要部立体图(部分剖面图)。

图2是示意性表示PDP1的背面面板20的平面图以及剖面图。

图3是在驱动PDP1时施加到各电极121、122、22上的脉冲的波形图。

图4是表示实施方式2的PDP2结构的要部剖面图。

图5是表示PDP2的各电极121、122、42与荧光体保护膜46的形成区域的位置关系的示意平面图。

图6是表示实施方式3的PDP3结构的要部剖面图。

图7是表示实施方式4的PDP4结构的要部剖面图。

图8是示意地表示PDP4的粒状体66的形成步骤的装置图。

图9是表示实施方式5的PDP5结构的要部剖面图。

图10是表示荧光体保护膜的膜厚与紫外线透射率的关系的特性图。

图11是表示切出实施方式6的构成PDP6的一个像素的部分而描绘出的立体图(部分剖面图)。

图12(a)是从图11的D方向观察一个放电单元的放大图，(b)是去掉图11中的前面面板10而从图11的E方向观察背面面板80的平面图。

图13是用于说明实施方式1的高γ部86的形成方法的概要图。

图14是变形例1的切掉PDP的放电单元的一部分的平面图。

图15是表示变形例1的高γ部1086的形成状态的示意图。

图16是切出构成实施方式7的PDP1006的一个像素的部分、为了了解背面面板1180的内部结构而切除前面面板10的一部分而描绘出 的立体图。

图17(a)是图16的G-G剖面图，(b)是在F方向观察一个放电单元的平面图。

图18是用于说明实施方式8的高γ部86的形成方法的示意图。

图19是表示实施方式9的PDP7结构的要部立体图。

图20是取出表示PDP7的结构中的一个放电单元的剖面概要图。

图21是以平面方式表示PDP7结构中的一个放电单元的平面示意图。

图22是表示实施方式10的PDP的制造方法中形成荧光体保护膜96的步骤的一部分的步骤示意图。

图23是表示实施方式11的PDP的制造方法中形成荧光体保护膜96的步骤的一部分的步骤示意图。

图24是只取出实施方式12的PDP8结构中的一个放电单元来表示的剖面示意图。

图25是只取出实施方式13的PDP9结构中的一个放电单元来表示的剖面示意图。

图26是表示现有技术的面放电型AC型PDP结构的剖面示意图。

具体实施方式

以下，参照附图对用于实施本发明的优选方式进行说明。并且，关于以下说明中所使用的等离子体显示面板(以下记为“PDP”)的各结构，是作为本发明的一例示出的，本发明除了如上所述的特征部分以外，可进行适当变更。

实施方式1

1.PDP1的整体结构

使用图1对实施方式1的PDP1的整体结构进行说明。图1是取出PDP1的主要部分进行描述的要部立体图。

如图1所示，PDP1大致由前面面板10与背面面板20构成。其中，在前面衬底11的一个主面(图1中为Z轴方向向下的主面)上形成多对显示电极12，以覆盖该显示电极对12的方式依次层叠电介质层13以及电介质保护层14，构成前面面板10。构成要素中，显示电极对12由扫描电极(以下记为“Scn电极”)121与维持电极(以下记载“Sus 电极”)122构成。在透明电极要素121a、122a上分别层叠总线121b以及122b，构成各个Scn电极121以及Sus电极122。

构成各电极121、122的部分中的透明电极要素121a、122a例如由ITO(Indium Tin Oxide：氧化铟锡)、SnO₂、ZnO等构成，总线121b、122b由Au、Ag、Cr、Cu、Ni、Pt等构成。并且，前面面板10的各电极121、122不限于本实施方式中所示的2层结构，也可采用由Ag等金属构成的单层结构或者Cr-Cu-Cr等的3层以上的结构。

此外，例如使用钠钙玻璃等形成前面衬底11，例如使用铅系的低熔点玻璃材料形成电介质层13，例如使用MgO形成电介质保护层14。并且，在形成电介质保护层14时，通常可使用真空蒸镀法等，但是，也可使用倾斜蒸镀法，此外，也可将重量密度设定在单晶材料的70(％)～85(％)左右的范围内等。

在背面衬底21的一个主面(图1中是Z方向向上的主面)上以条纹状形成多个数据电极(以下记为“Dat电极”)22，以覆盖Dat电极的方式形成电介质层23，构成背面面板20。背面面板20的电介质层23的表面上竖立设置相邻的Dat电极22间的各个隔壁24，在由电介质层23与隔壁24构成的凹(槽)部分的内壁面形成对应于各色的荧光体层25。荧光体层25由按照每个槽分开构成的红色(R)荧光体层25R、绿色(G)荧光体层25G、蓝色(B)荧光体层25B构成。各个荧光体层25R、25G、25B例如由如下的荧光体材料形成。

红色(R)荧光体：(γ、Gd)BO₃:Eu

绿色(G)荧光体：Zn₂SiO₄:Mn

蓝色(B)荧光体：BaMg₂Al₁₄O₂₄:Eu

并且，在本实施方式的PDP1中，在荧光体层的表面上形成斑点状的荧光体保护膜26。覆盖荧光体层25表面的一部分区域形成荧光体保护膜26，荧光体层25表面的一部分和荧光体保护膜26表面成为面对放电空间30的状态。

并且，构成背面面板20的各部分中的背面衬底21与前面衬底11相同，例如由钠钙玻璃形成、Dat电极22例如由Au、Ag、Cr、Cu、Ni、Pt等构成。此外，电介质层23基本上与电介质层13相同，使用铅系的低熔点玻璃形成，但是，有时也混入TiO₂。此外，背面面板20的隔壁24不仅可采用图1所示的条纹状，也可采用井字形等。

关于荧光体保护膜26的结构后文将进行描述。

如图1所示，对于前面面板10与背面面板20来说，形成有各个显示电极对12以及Dat电极22等的主面彼此面对，并且，在显示电极对12和Dat电极22交叉的方向对置配置，彼此的外周部用烧结玻璃(平板玻璃)等密封。并且，在形成于前面面板10与背面面板20之间的放电空间30中以大约60(kPa)的压力填充Xe-Ne系的放电气体(稀有气体)。并且，除了Xe-Ne系以外，也可使用Xe-Ne-He系的混合气体作为放电气体。并且，相对放电气体的总压力的Xe分压比例是决定面板的发光效率的重要因素，但是，在本实施方式中，例如，将Xe相对总压力的分压比例设定为大于等于5(％)而小于等于50(％)。

2.荧光体保护膜26的结构

使用图2对在本实施方式的PDP1的结构要素中最具特征的荧光体保护膜26的结构进行说明。图2中，(a)是俯视背面面板20的荧光体层25的图，(b)是其剖面图。

如图2(a)所示，在PDP1中，在背面面板20的荧光体层25表面上以斑点状形成荧光体保护膜26。在荧光体层25的表面上以散布的状态形成荧光体保护膜26，将针对荧光体层25表面的覆盖率设定为大于等于1(％)而小于等于50(％)的范围内。并且，进一步优选覆盖率在大于等于3(％)而小于等于20(％)的范围内。

如图2(b)所示，在荧光体层25表面的一部分区域上覆盖形成荧光体保护膜26，并相对于放电空间30露出。此外，因为荧光体保护膜26形成在荧光体层25表面的一部分区域上，所以，未形成荧光体保护膜26的荧光体层25的表面相对于放电空间30露出。

荧光体保护膜26由具有比构成荧光体层25的各荧光体材料高的二次电子发射系数γ、并且与荧光体材料不同的材料构成，形成该保护膜26的部分相当于本实施方式的PDP1中的高γ部。作为荧光体保护膜26的构成材料，例如，有MgO、SrO、CaO、BaO、MgNO或ZnO等金属氧化物。此外，作为荧光体保护膜26的构成材料，除了金属氧化物以外，也可采用碳纳米管(CNT)等纳米光纤、C60等富勒烯、AlN等、Pt、Au、Pd、Mg、Ta、W以及Ni等材料。

作为能够用于荧光体保护膜26的结构中的材料而举出的所述材料中，特别是金属氧化物的情况下，从二次电子发射系数γ等观点看 优选MgO或SrO等，此外，在使用所述金属材料的情况下，优选Pt或者Mg。

并且，在荧光体保护膜26的形成中，可以含有所述材料以外的材料或者杂质材料。即，用于形成荧光体保护膜26的材料，综合地为二次电子发射系数γ比荧光体材料大。

3.荧光体保护膜26的形成

图2所示的荧光体保护膜26例如可使用含有MgO材料的混合有机溶剂的喷雾法或者分散堆积法、电子束蒸镀法等来形成。例如，在使用喷雾法的情况下，经如下步骤形成荧光体保护膜26。

(1)在乙醇等中混合MgO材料，制作混合有机溶剂。

(2)沿着荧光体层25的表面安装掩模，通过形成在该掩模上的孔，在荧光体层25表面的一部分区域上涂敷混合有机溶剂。

(3)使涂敷在荧光体层25表面一部分区域上的混合有机溶剂干燥，使有机溶剂挥发。

如上所述，形成图2所示的荧光体保护膜26。

此外，在使用分散堆积法的情况下，例如在有机溶剂中分散MgO材料，使用分散有该MgO材料的有机溶剂，使浮在该溶剂表面的MgO材料慢慢地堆积在背面面板的荧光体层的预定部分。此后，使其干燥，使有机溶剂挥发，由此，在荧光体表面的一部分区域覆盖形成荧光体保护膜26。并且，在堆积MgO材料之前，若在荧光体层表面的未形成荧光体保护膜26的部分上形成抗蚀剂掩模，则可形成图2所示的斑点状的荧光体保护膜26。

4.PDP1的驱动方法

在所述PDP1中，省略视图，但是，采用了相对于各电极121、122、22连接了含有各驱动器的控制驱动部的结构。这样，使用图3对如上所述连接有驱动控制部的PDP1的驱动方法进行说明。图3以地址、显示分离驱动方式进行显示驱动。在该驱动方法中，例如，如图3所示，为了表现256灰度，将一个区域(field)分为8个子域(subfield)SF1～SF8，分别在子域SF1～SF8中设定初始化期间T₁、写入期间T₂、维持期间T₃这三个期间。

首先，在PDP1的驱动中，在初始化期间T₁，对PDP1的全部放电单元产生初始化放电，由此，实施初始化，初始化是用于除去该子域 的前一子域中有无放电所造成的影响或者吸收放电特性的分散。初始化期间T₁的初始化放电如图3所示，在Scn电极121与Dat电极22之间施加电压-时间推移缓和地倾斜并上下波动的倾斜波形，恒定地流过较小的放电电流。由此，在形成于PDP1的所有放电单元中，产生初始化放电，该初始化放电是上升倾斜的斜坡波形部分与下降斜坡波形部分各一次的弱放电。

然后，在写入期间T₂，基于子域数据按照每一行依次对Scn电极121(1)～121(k)进行扫描，对在该子域中要维持放电的放电单元，在Scn电极121和Dat电极22之间产生写入放电(微小的放电)。这样，Scn电极121和Dat电极22之间产生写入放电的放电单元中，在前面面板10的电介质保护层14的表面上蓄积壁电荷。

然后，在维持期间T₃，对Sus电极122以及Scn电极121以预定周期(例如6μsec)、预定电压(例如180V)施加矩形波的维持脉冲Psus、Pscn。施加到Sus电极122上的维持脉冲Psus和施加到Scn电极121上的维持脉冲Pscn彼此具有相同的周期，并且，其相位错开半个周期，对PDP1的所有放电单元同时施加。

通过施加图3所示的脉冲，在PDP1中，在进行写入后的放电单元中，每当在维持期间T₃中施加交流电压改变电压极性时，便产生脉冲放电。通过产生这样的维持放电，对于显示发光来说，从放电空间30的激励Xe原子发射出147(nm)的共振线、从激励Xe分子中发射出以173(nm)为主的分子线，然后，将产生的紫外线在背面面板20的荧光体层25中进行可见光变换，以进行图像显示。

5.PDP1的优点

如图2(a)所示，在本实施方式的PDP1中，结构为：在荧光体层25表面的一部分区域上形成荧光体保护膜26，荧光体层25表面的其余的区域与荧光体保护膜26都面对放电空间30，荧光体保护膜26作为在具有二次电子发射系数γ比荧光体材料高的特性的MgO中具有较高二次电子发射系数γ的部分(高γ部)。在这样结构的PDP1中，因为荧光体层25表面的一部分面对放电空间，所以，在维持期间T₃，在驱动面板时，在放电空间30中产生的紫外线不会大幅衰减而入射到荧光体层25上，与专利文献1中的PDP那样以MgO膜覆盖荧光体层的整个表面的情况相比，能够抑制面板的发光效率降低。并且，在本实 施方式中，优选荧光体保护膜26对荧光体层25整个表面的覆盖率大于等于1(％)而小于等于50(％)，规定为大于等于3(％)而小于等于20(％)。关于该数值范围的规定将在下文中叙述。

此外，在本实施方式的PDP1中，因为以面对放电空间30的状态形成荧光体保护膜26，所以，在面板驱动的初始化期间T₁，施加斜坡波形时(特别是施加上升斜坡波形时)，能够使荧光体层25一侧成为阴极时的放电开始电压降低，能够抑制较强的放电的产生，能够产生稳定的初始化放电(弱放电)。这是因为，如果在荧光体层25表面上完全不形成荧光体保护膜26时，将Xe分压设定得较高，表观上的电子发射变小，放电不稳定，与此相对，如PDP1那样具有荧光体保护膜26时，俄歇中和时的荧光体保护膜26所接收到的能量较大，因此，能够稳定地产生弱放电。

此外，在本实施方式的PDP1中，如上所述，因为能够产生稳定的初始化放电，所以，在放电气体中将Xe分压相对总压力的比例提高为大于等于5(％)而小于等于50(％)的范围，也不会导致图像质量的降低。

因此，在本实施方式1的PDP1中，可谋求产生初始化期间T₁的稳定的弱放电，可同时谋求较高的发光效率和较高的图像质量性能。

6.荧光体保护膜26的覆盖率

在本实施方式的PDP1中，荧光体保护膜26对荧光体层25的整个表面的覆盖率为大于等于1(％)而小于等于50(％)，优选规定为大于等于3(％)而小于等于20(％)，其理由如下。

覆盖率小于1(％)时，面对放电空间30的表面实质上不能起到使初始化期间T₁的初始化放电的产生稳定化的功能，因此，荧光体保护膜26的覆盖率需要最低为大于等于1(％)，优选大于等于3(％)。此外，对于由MgO等构成的荧光体保护膜26来说，按照面对放电空间30的表面积吸收在放电空间30中产生的真空紫外线，将覆盖率设为大于等于50(％)时，到达荧光体层25的紫外线过于少，面板的发光效率降低到可以应用的水平以下。并且，对于考虑PDP1的其他结构要素等时优选的覆盖率的上限值来说，以同样的理由设定为小于等于20(％)。

7.确认试验

本实施方式的PDP1所具有的优点如上所述，下面对为了进行确认而实施的试验进行说明。

在试验中，通过如上所述的制造方法制作了具有本实施方式所述结构的实施例中的PDP。即，在背面面板20的荧光体层25的表面上以5(％)的覆盖率形成由MgO构成的膜厚为0.5(μm)～20(μm)的荧光体保护膜26。在形成时，使用了含有MgO以及乙醇等的混合分散有机溶剂的喷雾法。并且，在放电空间30中，填充相对总压力的Xe分压比例为30(％)的高Xe放电气体。

此外，在本确认试验中，作为比较例，制造采用了所述专利文献1的结构的PDP。即，以膜厚为0.5(μm)～20(μm)的MgO膜覆盖荧光体整个表面的结构的PDP作为比较例。

对于优点的确认来说，对所述实施例以及比较例的各PDP进行显示驱动，测定其发光效率以及初始化期间T₁的产生弱放电的稳定性等，将其结果与不具有荧光体保护膜的现有技术的面板进行比较。其比较结果是，在具有本实施方式的结构的PDP中，与现有技术的PDP相比较，初始化期间T₁的弱放电稳定，由于误写入降低而使图像质量性能提高。此外，针对放电气体中的总压力的Xe分压比例上升为30(％)，所以，发光效率提高到大约3(lm/W)。

另一方面，在以MgO膜覆盖荧光体层的整个表面的比较例PDP中，发光效率约为0.1(lm/W)。这与在荧光体层的表面上完全不形成膜的现有技术的PDP相比，低到大约为其1/10。这是因为，在比较例PDP中，覆盖形成在荧光体层表面上的MgO膜吸收了在放电空间中所产生的含有共振线的真空紫外线的缘故。

根据以上结果，如实施例所示，采用在荧光体层25表面的一部分区域上形成由二次电子发射系数γ比荧光体材料大的材料构成的高γ部(荧光体保护膜26)、荧光体层25和荧光体保护膜26都面对放电空间30的结构，由此，可谋求抑制发光效率的降低，并且，可谋求降低初始化期间T₁的荧光体层25一侧成为阴极时的放电开始电压。因此，在实施例的PDP中，可确保稳定地产生初始化期间T₁的弱放电，能够抑制由于误写入而引起的图像质量的降低。此外，在实施例的PDP中，将放电气体中的Xe分压设定为大于等于5(％)时，也难以导致图像质量的降低，并能够同时提高发光效率和图像质量。

实施方式2

然后，使用图4以及图5对实施方式2的PDP2的结构进行说明。并且，除了前面面板10的结构以及背面面板40的荧光体保护膜46的形成方式之外的部分，都与所述实施方式1相同，所以，省略其说明。

如图4(a)所示，PDP2的荧光体保护膜46形成在荧光体层45表面的一部分区域上，这一点与实施方式1相同，但是，其形成方式设定在相当于Dat电极42上的区域W_DAT。此外，如图4(a)的A-A剖面的图4(b)所示，荧光体保护膜46设定在相当于前面面板10上所形成的显示电极对12中的Scn电极121之下的区域W_SCN。

图5是示意性取出构成PDP2的各要素中的电极121、122、42、隔壁44、荧光体保护膜46进行描述的图。如图5所示，荧光体保护膜46形成在各放电单元的荧光体层45表面上的Scn电极121与Dat电极42交叉的区域上。此处，在PDP2中，荧光体保护膜46对荧光体层45表面的覆盖率与所述实施方式1相同，设定为大于等于1(％)而小于等于50(％)，优选设定为大于等于3(％)而小于等于20(％)。其理由与如上所述相同。

荧光体保护膜46的构成材料与所述实施方式1相同，可使用二次电子发射系数γ比构成荧光体层45的荧光体材料大的材料构成，例如，可使用与形成所述实施方式1的荧光体保护膜26中所使用的材料相同的材料。

在本实施方式中，在初始化期间T₁，在要产生弱放电的Scn电极121和Dat电极42的交叉部分形成荧光体保护膜46，由此，在初始化期间T₁，Scn电极121与Sus电极42之间施加斜坡波形脉冲时，也可稳定地产生弱放电(初始化放电)。特别是放电气体中的Xe分压上升为大于等于5(％)时产生弱放电的稳定性比现有技术的PDP好。

因此，在本实施方式的PDP2中，可谋求初始化期间T₁稳定地产生弱放电，并可同时谋求较高的发光效率和较高的图像质量性能。

并且，本实施方式的PDP2的荧光体保护膜46也能够一般与所述实施方式1相同的方法形成。

此外，在本实施方式中，在荧光体层45表面上的Scn电极121与Dat电极42的交叉部分上形成了荧光体保护膜46，但是，也可与Scn电极121无关地形成在Dat电极42的整个上方部分。

实施方式3

使用图6对实施方式3的PDP3进行说明。并且，PDP3的结构中除了前面面板10以及背面面板50的高γ部之外部分的结构与所述实施方式1、2相同，所以，省略其说明。

1.PDP3的结构

如图6所示，在本实施方式的PDP3中，在荧光体层55的表面上附着配置了粒状体56。该粒状体56由二次电子发射系数γ比构成荧光体层55的荧光体材料大的材料构成，例如，可使用构成所述实施方式1的荧光体保护膜26的材料等。在本实施方式的PDP3中，荧光体层55的表面附着配置有粒状体56的部分相当于高γ部。作为一例，材料使用MgO、SrO等金属氧化物时，使用压缩氮气等散布粒径大于等于0.05(μm)而小于等于1(μm)的金属氧化物粒子，由此，附着配置粒状体56，在荧光体层55的表面上形成高γ部。

本实施方式中，粒状体56对荧光体层55表面的覆盖率设定为大于等于1(％)而小于等于50(％)，优选设定为大于等于3(％)而小于等于20(％)。

这样，在荧光体层55的表面上以所述数值范围内的覆盖率附着形成了粒状体56的PDP3中，二次电子发射系数γ较高的粒状体56与荧光体层55都暴露在放电空间30中。因此，在本实施方式的PDP3中，可谋求在面板驱动的初始化期间T₁产生稳定的弱放电，并可同时谋求较高的发光效率和较高的图像质量性能。

并且，对荧光体层55的表面附着形成粒状体56的方法除了所述的散布法以外，还可使用喷雾法、分散堆积法以及电附着法等。

2.粒状体56的粒子直径

关于构成高γ部的粒状体56，如上所述，散布形成各粒子直径大于等于0.05(μm)而小于等于1(μm)的粒子，所以，多个粒子凝集，由此，二次粒子直径大于等于2(μm)而小于等于20(μm)，高γ部由大于等于0.05(μm)而小于等于20(μm)或者其以上范围的粒状体56构成。此处，对于比0.05(μm)小的粒状体来说，制造本身就是困难的，此外，由于散布时难以凝集，所以，实际上不能使用。另一方面，对于直径大于20(μm)的粒状体来说，容易吸收在放电空间30中所产生的共振线或者分子线，使面板的发光效率降低，因此， 实际上不能使用。

3.确认试验

以下，对为了确认本实施方式的PDP3的所述优点而实施的试验进行说明。

作为本实施方式使用的PDP，在背面面板的荧光体层55的表面上使用散布法散布粒径大于等于0.1(μm)而小于等于0.6(μm)的MgO粒子。并且，通过该散布所形成的高γ部(形成粒状体56的部分)针对荧光体层55表面的覆盖率规定为约10(％)。并且，以所述方法构成高γ部时的粒状体56的凝集粒子直径大于等于0.2(μm)而小于等于5(μm)。此外，在本试验中所使用的PDP中，在放电空间30中填充的放电气体中相对总压力的Xe分压比例约为15(％)。

在试验中，对如上所述构成的PDP进行显示驱动，测定其发光效率以及初始期间T₁的产生弱放电的稳定性等。本试验中所使用的PDP中，初始化期间T₁的荧光体层55一侧成为阴极时的放电开始电压降低，可谋求弱放电的稳定化，由于误写入的降低而提高图像质量。此外，因为将Xe相对总压力的分压比例提高为15(％)，由此，发光效率变为约2(lm/W)，与现有的PDP相比提高了。

由以上的结果可知，在本试验的PDP中，通过在荧光体层55的表面上附着配置粒状体56而形成高γ部，由此，可将发光效率维持得较高，并且，可谋求初始化期间T₁的弱放电的稳定化。并且，在附着配置粒状体56时，散布粒子单体的一次粒子直径大于等于0.05(μm)而小于等于1(μm)，凝集粒子的情况下的二次粒子直径适于采用大于等于2(μm)而小于等于20(μm)的粒子。

此外，这样，通过形成高γ部，将相对放电气体中的总压力的Xe分压比例设定得较高为大于等于5(％)时，可谋求初始化期间T₁的弱放电的稳定化，也可提高发光效率。

实施方式4

然后，使用图7以及图8对实施方式4的PDP4进行说明。并且，除了前面面板10的结构以及背面面板60的粒状体66的形成方式之外的部分与所述实施方式1～3相同，所以，省略其说明。

1.PDP4的结构

如图7(a)所示，PDP4的粒状体66附着配置在荧光体层65表面 上的相当于Dat电极62上的区域W_DAT上，此外，如图7(b)所示，粒状体66设定在区域W_SCN上，该区域_WSCN相当于形成在前面面板10上的显示电极对12中的Scn电极121之下的区域。即，在与所述实施方式2相同的位置上形成粒状体66，由此，形成高γ部。

此处，对于PDP4来说，荧光体保护膜46对荧光体层65的表面的覆盖率与所述实施方式1相同，设定为大于等于1(％)而小于等于50(％)，优选设定为大于等于3(％)而小于等于20(％)。其理由与如上所述的相同。

荧光体保护膜66的构成材料与所述实施方式1相同，可使用二次电子发射系数γ比构成荧光体层66的荧光体材料高的材料，例如，可使用与在形成所述荧光体层26、46、56中所使用的材料相同的材料。

在本实施方式中，在初始化期间T₁中要产生弱放电的Scn电极121与Dat电极62的交叉部分附着配置粒状体66，形成高γ部，由此，在初始化期间T₁在Scn电极121与Dat电极62之间施加斜坡波形的电压脉冲时，也可稳定地产生弱放电(初始化放电)。特别是，在将放电气体中的Xe分压提高到大于等于5(％)时产生弱放电的稳定性比现有技术的PDP好。

因此，在本实施方式的PDP4中，可在谋求初始化期间T₁产生稳定的弱放电，并且，可同时谋求较高的发光效率与较高的图像质量性能。

2.粒状体66的附着配置方法

使用图8对本实施方式的PDP4的粒状体66的附着配置方法进行说明。图8是示意性示出粒状体66的附着配置步骤的剖面图。并且，在图8中，为了图示方便，将背面面板的隔壁64的形成个数设为4条，但是，实际上使用形成有更多的隔壁64的背面面板。

如图8所示，将背面衬底61载置在散布容器501内的底部分。此时，背面衬底61在散布容器501内大致水平。在所载置的背面衬底61上形成多个Dat电极62，以覆盖其上的方式形成基底电介质层63，并且，在其上形成隔壁64以及荧光体层65。

然后，在载置于散布容器501的底部分上的背面衬底上配置具有与所希望的图形形状一致而设置的透孔504a的金属掩模504。因为图8是示意图，所以，省略金属掩模504的固定工具等的图示，但是，实际的金属掩模504使用固定工具等进行固定，以使透孔504a的位置不 会相对于背面衬底61以及散布容器501错开。

在散布电容501的上方部分设置了粒子插入部502，该粒子插入部502内例如装入预定量的MgO等粒子660。并且，对粒子插入部502供给氮气或者空气等压缩气体，很容易地使粒子660从喷嘴503朝向设置在背面衬底61上的荧光体层65的表面喷出。这样，使粒子660喷出后，停止供给压缩空气，在一定时间内使粒子660自然落下。这样，使粒子向荧光体层65的表面上散布。

如上所述，使散布在荧光体层65的表面上的粒子660干燥，由此，附着配置粒状体66，完成高γ部的形成。

此处，如上所述，粒状体66对荧光体层65的表面的覆盖率设定为大于等于1(％)而小于等于50(％)，优选设定为大于等于3(％)而小于等于20(％)，此外，在图7所示的位置配置高γ部，但是，可通过金属掩模504的透孔504a的设定以及针对背面面板61的金属掩模504的相对位置的设定等来实施这些设定。

并且，在所述散布法的粒状体66的附着配置中，根据其要形成的形状、尺寸、所使用的粒子660的材质等适当地设定散布容器501的形状或者尺寸、散布条件等。此外，在散布时，使用带电等的方法实施均匀的散布，或者为了抑制粒子彼此凝集，采用干式方法、湿式方法等各种方法都可以。这些可通过使用制造液晶显示面板时所使用的空间散布法较容易地实施，所以，此处省略说明。

此外，作为粒状体66的附着配置的方法，除了所述的散布法之外，也可使用喷雾法、分散堆积法以及电附着法等。例如，在使用喷雾法的情况下，在荧光体层65的表面上形成预定图形的抗蚀剂掩模等，对其喷雾散布含有粒子660以及乙醇的有机溶剂，然后，使其干燥。并且，除去抗蚀剂掩模，由此，可附着配置图7所示的预定图形的粒状体660。

此外，对于分子散布法来说可按照如下方式实施：在荧光体层65的表面上形成有具有预定图形的抗蚀剂掩模等，使浮在混合有机溶剂表面的粒子660静堆积，并使其干燥后除去抗蚀剂掩模。

并且，在电附着法中，在含有粒子660的电解溶液中，使用形成在背面衬底61上的Dat电极62对背面衬底61侧施加电压。由此，带电的粒子660被吸引并固定在荧光体层65表面上的Dat电极62上的 位置上。通过这样的方法可实施粒状体66的附着配置。

实施方式5

然后，使用图9对实施方式5的PDP5的结构进行说明。

1.PDP5的结构

如图9(a)(b)所示，在本实施方式的PDP5中，以覆盖背面面板70的荧光体层75表面的大致整个区域的状态形成荧光体保护膜76。并且，该荧光体保护膜76的形成方式以外的部分与所述实施方式1～4的PDP1、2、3、4相同。此外，在如上所述中，“覆盖大致整个区域的状态”的意思是，例如，允许在制造过程中所产生的小孔或者形成不均匀等。

在本实施方式的PDP5中，与所述实施方式1～4的各PDP1、2、3、4不同，以覆盖荧光体层75的整个表面的方式形成荧光体保护膜76，与所述专利文献1的MgO膜的不同在于规定了其膜厚t。即，在专利文献1的PDP中，不规定膜厚、以覆盖荧光体层的表面的方式形成MgO膜。因此，在专利文献1的PDP中，如所述实施方式1的试验的考察那样，发光效率降低到实际上不能应用的程度。

与此相对，在本实施方式的PDP5中，如图9(b)放大部分所示，将膜厚t规定为大于等于1(nm)而小于等于10(nm)，覆盖荧光体层75的整个表面形成荧光体保护膜76。这样，在非常薄的荧光体保护膜76中，在放电空间30中产生的共振线或者分子线在膜中几乎不被吸收地透射到荧光体层75。因此，在PDP5中，面板的发光效率不会降低很大。

对于PDP5的荧光体保护膜76来说，其膜厚t为所述数值范围，非常薄，但是，与所述实施方式1～4相同，在面板驱动时的初始化期间T1，施加斜坡波形脉冲时的荧光体层75侧成为阴极时的放电开始电压降低，可谋求稳定地产生弱放电。在为了提高发光效率而将放电气体中的Xe分压设定为大于等于5(％)的较高的情况下，这样的优点也不变。

并且，在本实施方式中，也与所述实施方式1～4相同，在形成荧光体保护膜76中，需要使用二次电子发射系数γ比构成荧光体层75的荧光体材料高的材料。例如，可使用所述列举的材料等。

2.荧光体保护膜76的形成方法

在荧光体保护膜76的形成中，可采用电子束蒸镀法或者溅射法等，但是，因为将其膜厚设定为非常薄的范围内，所以，特别优选使用电子束蒸镀法。

为了使用电子束蒸镀法形成荧光体保护膜76，通过以下步骤完成。

在电子束蒸镀装置中装入MgO等保护膜材料，对其照射电子束。受到电子束的照射的保护膜材料被蒸镀在形成于背面衬底71上的荧光体层75的表面上。这样，形成荧光体保护膜76。通过使用这样的方法，在形成荧光体保护膜76时几乎没有对荧光体层75表面造成损伤。因此，在PDP5中，不会产生因形成荧光体保护膜76而引起的亮度降低。

3.规定荧光体保护膜76的膜厚

在本实施方式的PDP5中，将荧光体保护膜76的膜厚t规定为大于等于1(nm)而小于等于10(nm)，这基于以下的理由。

在荧光体保护膜76的厚度t小于1(nm)时，谋求维持形成荧光体保护膜的初始化期间T₁的稳定的弱放电是困难的。即，在膜厚小于1(nm)的荧光体保护膜中，不能降低初始化期间T₁的荧光体层75一侧成为阴极时的放电开始电压，弱放电不稳定，产生较强的放电。

另一方面，如图10所示，在将荧光体保护膜76的厚度t形成得比10(nm)厚时，紫外线透射率约小于83(％)，被荧光体保护膜吸收的共振线或者分子线的量变大。因此，例如，通过将放电气体中的Xe分压从目前的5(％)提高到10(％)左右而得到的亮度提高约为120(％)左右，所以，由于将膜厚t设定得比10(nm)厚而紫外线透射率降低到83(％)或其以下，故导致实质上不能得到发光效率的提高。因此，在具有膜比10(nm)厚的荧光体保护膜的情况下，形成荧光体保护膜所引起的缺点与弱放电的稳定化的优点抵消，实际上不能应用。

并且，所述图10是表示将由BaMg₂Al₁₄O₂₄:Eu(BAM)荧光体材料构成的荧光体层为基底(ベ一ス)时的荧光体保护膜的膜厚与紫外线透射率的关系的图，但是，将由其他的荧光体材料构成的荧光体层作为基底时，也可得到相同的效果。

此外，在本发明的PDP5中，将膜厚t规定为所述数值范围内，以覆盖荧光体层75整个表面的方式形成荧光体保护膜76，但是，此处，膜厚t的规定不一定需要在整个区域上是均匀的厚度。此外，当仅部 分区域上具有膜厚t超过10(nm)的部位时，在实际的所述数值范围内若其膜厚t在1(nm)～10(nm)的范围内，也可得到相同的效果。特别是，因为实际的荧光体层75的表面有凹凸，所以，即使在粒子与粒子之间的部分等，局部地有膜厚t超过10(nm)的部位，也不会对本实施方式的PDP5所起到的效果造成很大的影响。

实施方式1～5的其他事项

所述实施方式1～5是为了容易理解地说明本发明的结构以及由此得到的效果而作为一个举例，本发明并不限于此。例如，在实施方式1～5中，以使用Scn电极121、Sus电极122、Dat电极22、42、52、62、72的三个电极对面板进行显示驱动的结构的PDP作为一例，但是，可在背面面板20、40、50、60、70上设置第四电极、第五电极，也可以在初始化期间T₁～维持期间T₃适宜地对这些电极施加电压。

此外，在实施方式1～5的各PDP1、2、3、4、5中，将背面面板20、40、50、60、70的隔壁24、44、54、64、74制作成与Dat电极22、42、52、62、72平行的条状，但是，也可采用井字形或者弯曲状。

此外，所述图3的施加脉冲的波形图也可采用各种变形例。例如，可采用如下的驱动方法：不将一个区域分割为8子域SF1～SF8，而是分割为9个或者9个以上的子域或者相反地分割为7个或者7个以下的子域。

此外，在述实施方式1中，荧光体层25表面上的荧光体保护膜26的形成方式如1以及图2所示那样，制作成大致规则排列的方式，但是，本发明并不限于此，也可制作成不规则的方式。此外，可以不是图2那样的斑点状而作成条纹状。

并且，所述实施方式的PDP的各种构成材料或者形成方法可适当地改变。荧光体保护膜26、46、76的形成方法或者粒状体56、66的附着配置方法等也可根据其形成方式以及所使用的材料进行变更。

实施方式6

然后对实施方式6的PDP6进行说明。

1.PDP的整体结构

图11是切出构成本实施方式的PDP6的一个像素的部分而描绘的要部立体图(一部分剖面图)。图12(a)是从图11的D方向观察一个放电单元的放大图，图12(b)是假定去除图11中的前面面板10后从 图11的E方向观察背面面板的平面图。并且，本实施方式的PDP6的结构除了背面面板80以外与所述实施方式1～5相同，所以，省略相同部分的重复说明。

PDP6的背面面板80具有背面衬底81、形成在该背面衬底81表面上的Dat电极82、以覆盖形成有该Dat电极82的背面衬底81表面的方式所形成的电介质层83。此时的“表面”与所述前面面板10的情况相同，表示位于放电空间30一侧的表面，换言之，就是面对放电空间30的表面。具体地说，是衬底81的Z轴方向上侧的表面。

Dat电极82用于写入图像数据，位于放电单元的大致中央位置，以条纹状在与所述显示电极对12的延伸方向正交的方向(在图11中是Y轴方向)延伸。并且，在背景技术中也说明了，显示电极对12与Dat电极82立体交叉的各部位是作为放电单位的放电单元。

在背面面板80的电介质层83上，在相邻的放电空间30之间，如图11、12所示，沿Dat电极82的延伸方向以条纹状形成隔壁84。

在由相邻的隔壁84与电介质层83构成的各凹部的内壁面上，按照每个凹部形成发光颜色不同的荧光体层85R、85G、85B。并且，在这些荧光体层85R、85G、85B表面的一部分区域上形成高γ部86。本实施方式的高γ部86也与所述实施方式1～5相同，由二次电子发射系数γ比荧光体层85R、85G、85B大并且与荧光体层85R、85G、85B的构成材料不同的材料构成。即，在本实施方式的PDP6中，对荧光体层85R、85G、85B的各表面以不均匀的方式形成高γ部86。

高γ部86与所述实施方式4等相同，不均匀地形成在荧光体层85R、85G、85B的表面上。具体地说，高γ部86在荧光体层85R、85G、85B的表面上，在相当于Dat电极82主侧的部分上不均匀。并且，在本实施方式中，在后文中进行了描述，但是，与所述实施方式1～5等相同，高γ部86由MgO粒子构成。因此，在图12(a)中，为了方便，以粒状表示高γ部86。

并且，PDP6的显示驱动与所述实施方式1的PDP1相同，因此，省略重复说明。

2.实施例

对所述实施方式的PDP6的结构进行具体地说明。并且，此处的说明是一个例子，本发明不限于本实施例。

首先，对前面板3进行说明。

构成Scn电极121以及Sus电极122的透明电极121a、122a由ITO、SnO₂、ZnO等构成，此外，总线121b、122b由Cr-Cu-Cr或者Ag等形成。

前面面板10的电介质层13由低熔点的玻璃构成，使用该结构的玻璃膏，通过丝网印刷等以覆盖形成有显示电极12的前面衬底11表面的方式进行涂敷，然后烧结来形成。

使用薄膜工艺或者印刷法形成电介质保护层14，材料通常使用电绝缘并且透明的MgO膜，其厚度例如为0.6(μm)左右。并且，作为电介质保护层14的构成材料的MgO，其二次电子发射系数较高，透明并且在耐溅射性上优良。

然后，背面面板80的Dat电极82由Ag形成。Dat电极82的宽度(图11的X轴方向的尺寸)为100(μm)。

背面面板80的电介质层83与所述前面面板10的电介质层13相同，由低熔点玻璃形成，形成方法也可采用相同的方法。

隔壁84由低熔点玻璃构成，在电介质层83的表面上对由所述低熔点玻璃构成的膏进行涂敷、烧结后，与沿着Dat电极82的延伸方向的放电空间30一致地以条纹状的图形通过喷砂法或者光刻法等以凸缘形状等来形成。

荧光体层85R、85G、85B的发光色分别为红、绿、蓝三色，含有(Y、Gd)BO₃:Eu、Zn₂SiO₄:Mn以及BaMg₂Al₁₄O₂₄:Eu等荧光体而形成。对于所述隔壁84的侧面、电介质层83的表面上未形成隔壁84的部分，按照每个所述荧光体的发光颜色进行印刷涂敷、烧结步骤，由此，在由电介质层83与隔壁84构成的凹部的表面上形成荧光体层85R、85G、85B。

由与荧光体层85R、85G、85B的构成材料不同并且具有较高的二次电子发射系数γ的金属氧化物材料形成高γ部86。所使用的金属氧化物材料与所述实施方式1～5等相同，例如是MgO，在与Dat电极82表面上对应的部分形成粒径为0.05(μm)～1(μm)的范围内的粒子，以使其厚度为1(μm)。并且，本实施方式的高γ部86的形成方法以后详细说明。

此外，作为放电气体中所使用的稀有气体，例如使用含有氙、氖 的稀有气体，以大约60(kPa)的压力将其密封。并且，相对放电气体的总压力的Xe分压比例为15(％)。

4.高γ部86的形成方法

首先，对高γ部86的形成方法的概要进行说明，使构成高γ部86的材料即二次电子发射系数γ比荧光体层85(以下将符号85R、85G、85B记作符号85)大并且与荧光体层85的构成材料不同的材料带电，通过静电力使该带电后的材料集聚在Dat电极82的上方，由此，形成高γ部86(该方法叫做“施加电压粒子散布集聚法”)。

即，经如下步骤形成高γ部86：带电步骤，使作为形成该高γ部86的材料的金属粒子带电；集聚步骤，通过将Dat电极82置为比带电的金属粒子低的电位，由此，在荧光体层85的表面，通过静电力使金属粒子集聚在相当于Dat电极82上方的的部分。使用图13对具体的形成方法进行说明。图13是用于说明高γ部86的形成方法的概要图。

以下，对使用MgO(粒子)作为构成高γ部86的材料的例子进行说明。

如图13(a)所示，准备形成有隔壁84的背面面板80用的板80a(在该板上形成高γ部86而完成背面面板80(即，是背面板完成之前阶段)，所以，将该板记为“前级背面面板”)，以背面衬底81的主面大致水平、荧光体层85为上侧的方式配置。该前级背面面板80a具有所述结构的栏所说明的背面衬底81、Dat电极82、电介质层83、隔壁84，并且，在隔壁84的侧面以及电介质层83的表面上，除了形成有隔壁84的部分之外的部分上还形成了荧光体层85。

利用图13(b)所示的粒子散布装置510形成高γ部86。该粒子散布装置510具有：粒子散布容器511；存储MgO粒子670的存储容器512；使存储容器512内的MgO粒子带电的带电单元514；散布单元，将在存储容器512内带电后的MgO粒子670散布在粒子散布容器511内；施加单元514，为了使所散布的MgO粒子671集聚，对前级背面面板80a的Dat电极82施加所希望的电压。

此处，存储容器512配置在粒子散布容器511的上壁511a外侧，散布单元由连通存储容器512内部与粒子散布容器511内部的喷嘴、以及使氮气或者空气等压缩气体流入到存储容器512内的流入单元(省略图示)构成。

此外，如图13(b)所示，带电单元对存储容器512以及喷嘴513施加预定电压，由此，使存储容器512内以及喷嘴513内的MgO粒子670带电。通过高压直流电源装置514对存储容器512以及喷嘴513施加电压。通过所述高压直流电源装置514也对Dat电极82施加电压。

对使用了所述结构的粒子散布装置510的高γ部的形成方法的具体例进行说明。

如图13(b)所示，首先，在粒子散布容器511的上壁511a上的存储容器512中装入预定量的直径为0.5(μm)～1(μm)的MgO粒子670。并且，通过高压直流电源装置514对存储MgO粒子670的存储容器512或者喷嘴513施加数千(V)～1万(V)的正电压(+V1)，使MgO粒子670带电。

另一方面，通过高压直流电源装置514对前级背面面板80a的Dat电极82施加用于使MgO粒子670带电所施加的极性相反的负的固定大小的电压(-V2)，例如-100(V)～0(V)。

并且，使压缩气体流入存储容器512的内部，从喷嘴513喷出带电后的MgO粒子670并进行散布。由此，带正电并散布后的MgO粒子671向下方落下。

然后，停止压缩气体的流入，带正电并散布后的MgO粒子671自然落下，并且，被施加了负的固定大小的电压后的Dat电极82通过静电力吸引，不久，在前级面板80a的荧光体层85表面，被吸引的MgO粒子671堆积在相当于Dat电极85上方的部分。由此，如图13(c)所示，在荧光体层85的表面上不均匀地形成由MgO粒子670、671构成的高γ部86。

在由所述电压施加粒子散布集聚法形成高γ部86的过程中，带电状态的MgO粒子671由于静电力而被Dat电极82吸引，堆积在相当于Dat电极82上部的部分(包括电极部分)，因为MgO粒子671未附着在离开Dat电极82的部分上，故能够以良好的精度在所希望的范围内形成高γ部86(可以不均匀地形成高γ部86)，并且，能够以大致均匀的厚度并且以所希望的厚度形成高γ部41。

另一方面，能够由施加在Dat电极82的电压值以及带电的MgO粒子671的散布量来决定高γ部86的厚度，所以，在使用本实施方式的方法的情况下，能够容易地管理高γ部86的厚度。并且，如图13(c)， 作为绝缘材料的MgO粒子671大致均匀且以所希望的面密度通过静电力集聚在前级背面面板80a的荧光体层85表面对应于Dat电极82上方的部分，可形成图11以及图13(c)所示的高γ部86。

并且，若在荧光体层85的表面上不均匀地形成高γ部86，则在现有的方法中，例如，通过电子束蒸镀法在荧光体层表面的整体上形成MgO膜，然后，必须通过刻蚀等将所形成的MgO膜形成为所希望的图形。但是，在本实施方式的形成方法中，使MgO粒子670带电，只对Dat电极82施加电压就能够形成，故与现有的方法相比，能够非常容易且高精度地形成高γ部86。

在所述电压施加粒子散布集聚法中，适当地设定粒子散布装置510的粒子散布容器511等的形状、或者压缩气体的流入量、流入速度、或者填充到存储容器512中的MgO粒子670的量、对MgO粒子所施加的电压值等各种条件，由此，能够以更均匀的状态堆积高γ部86的厚度。此外，在如上所述中，称为电压施加粒子散布集聚法，但是，如果是使构成材料带电、通过静电力堆积在电极82上方的方法，可以是任意的叫法。

4.评价试验

在如上所述的方法中，制作成形成实施例的高γ部86而构成的PDP6，使用该PDP6进行画面的显示试验。试验内容为：在初始化期间T₁，对前面面板10一侧的Scn电极121和Dat电极82之间施加电压-时间推移缓慢倾斜、上下波动的斜坡波形的电压，在写入期间T₂，根据是否施加写入脉冲来选择放电单元，在维持期间T₃，在所选择的放电单元中进行放电，确认是否进行了本意的图像显示。

根据试验结果，在本实施方式的PDP6中，在初始化期间T₁，即便是荧光体层85一侧作为阴极进行放电，初始化亮点的产生也将减少，并且，能够抑制亮度的降低。结果是，与在荧光体层表面上没有高γ部86(MgO膜)的情况相比，发光效率的降低被抑制到大约5(％)。

与此相对，在荧光体层85、隔壁84的全部面对放电空间30的部分上形成了由MgO构成的保护膜(相当于高γ部)746的现有技术的PDP(图26(b)所示的结构)中，在初始化期间T₁，即使是荧光体层725一侧作为阴极而进行放电，初始化亮点的产生也将降低，但是，由于附着在荧光体层725整个表面的保护膜746吸收含有共振线的真空 紫外线，所以，亮度降低很大。并且，结果是，相对于荧光体层上没有保护膜746的情况，发光效率急剧减到约1/10。

这被认为是，高γ部86由二次电子发射系数γ比荧光体层85大并且与荧光体层85的构成材料不同的材料只在荧光体层85的表面相当于Dat电极82上方的部分上不均匀地形成，所以，在初始化期间T₁，从该高γ部86发射出二次电子。由此，在施加斜坡波形电压时，荧光体层85侧成为阴极时的放电延迟减少，能够容易地稳定地产生弱放电。

并且，高γ部86只是不均匀地形成在相当于Dat电极82上方的部分上，所以，荧光体层85的未形成高γ部86的部分直接面对放电空间30，能够减少亮度的降低，其结果是，能够减少发光效率的降低。

5.其他

如上所说明的高γ部86以在荧光体层85表面上覆盖相当于Dat电极82表面的部分的方式在整个范围内形成，但是，也可以不在所述区域的整个范围内形成高γ部86。以下，作为在相当于Dat电极82表面的部分的整个范围内未形成的、实施方式1的变形例1进行说明。

(1)结构

图14是切掉变形例1的PDP的放电单元的一部分的平面图。

此处，除了高γ部1086(的大小)、荧光体层1085的形成范围以外与所述实施方式6相同，所以，除了高γ部1086、荧光体层1085以外的部分使用与所述实施方式6相同的符号。此外，图14是从与PDP的显示面(位于前面面板的前面衬底11的与放电空间30相反侧的面)正交的方向观察一个放电单元的图。

如图14所示，高γ部1086形成在显示电极对12的Scn电极121与Dat电极1082立体交叉的荧光体层1085的表面上。即，从与前面面板的主面正交的方向观察该前面面板侧时(图14)，在荧光体层1085的表面上相当于Dat电极1082上方(前面面板侧)的区域和相当于前面面板的Scn电极121下方(背面面板1080侧)的区域重叠的部分(本发明的“相当于所述Dat电极与所述显示电极对立体交叉区域的部分)上形成高γ部1086。

并且，构成高γ部1086的材料与所述实施方式6等相同，是二次电子放射系数γ比荧光体层1085的构成材料大并且与荧光体层1085的构成材料不同的材料(MgO)。此外，在本实施例1中，荧光体层1085 形成在电介质层1083的表面未形成隔壁1084的部分上，并不形成在隔壁1084的侧面上(参照图14)。

(2)形成方法

使用图15对本实施例的高γ部1086的形成方法进行说明。图15是表示变形例1的高γ部的形成方式的图。

如图15所示，使用所述实施方式6的电压施加粒子散布集聚法形成本变形例的高γ部1086。在本变形例1中，将高γ部1086形成在相当于Dat电极1082与Scn电极121立体交叉部分的部分上，所以，此处所说明的粒子散布装置550具有选择性地形成高γ部1086用的选择单元555，在这点上与所述实施方式1中的粒子散布装置510不同。

本变形例1的粒子散布装置550具有：粒子散布容器551；存储MgO粒子680的存储容器552；带电单元554，使存储容器552中的MgO粒子680带电；散布单元，将在存储容器552中带电后的MgO粒子680散布在粒子散布容器551中；施加单元554，为了使所散布的MgO粒子680集聚，对前级背面面板1080a的Dat电极1082施加所希望的电压；选择单元555，用于选择性地形成高γ部1086。

选择单元555由在相当于高γ部1086的形成部分的部分上具有贯通孔556的掩膜557构成。并且，从喷嘴553散布带电状态下的MgO粒子680时，带电后被散布的MgO粒子681通过掩膜557的贯通孔556堆积在对应于贯通孔556的开口部分的所希望的范围内。由此，在与前级面板1086a的Dat电极1082对应的范围、并且只在前面面板10的Scn电极121的背面面板1080侧所对应的部分上部分地不均匀地形成高γ部1086。

通过此处所说明的形成方法，使用选择单元555，由此，可容易地在部分不均匀的状态下形成高γ部1086。

(3)试验结果

对所述变形例1的PDP也与所述实施方式6同样地，进行了评价试验。按照该试验，对于变形例1的PDP来说，在初始化期间T₁，即使是荧光体层1085侧成为阴极而进行放电，初始化亮点的产生也降低，可抑制亮度的降低，并可得到比在荧光体层、隔壁的放电空间侧的部分整体上形成了高γ部，即保护膜746的现有技术的PDP(图26(b)所示的结构)高的发光效率。

这被认为是，本变形例的高γ部1086由二次电子发射系数γ比荧光体层1086大并且与荧光体层1085的构成材料不同的材料只在Dat电极1082的上方且Scn电极121下方不均匀地形成，所以，初始化期间T₁施加斜坡波形电压时，从仅形成在Dat电极1082上方且Scn电极121下方的高γ部1086有效地发射二次电子，荧光体层1085侧成为阴极时的放电开始电压降低，由此，容易稳定地引起弱放电，并可抑制初始化亮点的产生。

此外，只在Dat电极1082上方且Scn电极121的下方形成高γ部1086。即，荧光体层1085的未形成高γ部1086部分的面积比实施方式6宽，与其相应的较宽的范围内直接面对放电空间30，与实施方式6相比，可抑制发光效率的降低。

实施方式7

所述实施方式6的隔壁84沿着Dat电极82的延伸方向形成为条纹状，但是，在本实施方式中，形成所谓的井字形。

1.结构

图16是切出构成PDP1006的一个像素的部分、为了了解隔壁的形式而切掉前面板的一部分所描绘出的立体图。图17(a)是图16的G-G线的剖面图，是在箭头方向观察的图，(b)是在F方向观察一个放电单元的图，在图17(b)中，以阴影表示高γ部1186。并且，此处与实施方式6结构相同的部分、材料使用相同的符号。

如图16所示，前面面板10与所述实施方式6相同，具有前面衬底11、显示电极对12、电介质层13、电介质保护层14。此外，显示电极对12具有Scn电极121与Sus电极122。

如图16和图17(b)所示，背面面板1180具有背面衬底1181、Dat电极1182、电介质层1183、荧光体层1185R、1185G、1185B、隔壁1184(1184a、1184b)以及高γ部1186。此处，在本实施方式中，相对于所述实施方式6，隔壁1184的形状、形成有高γ部1186的荧光体层1185R、1185G、1185B的形状不同。

并且，以前面面板10的显示电极对12与背面面板1180的Dat电极1182立体地正交的方式进行前面面板10与背面面板1180的密封。

如图16以及图17所示，隔壁1184制作成井字形，以包围各放电空间30的周围，与所述实施方式6相同，形成在电介质层1183上， 划分相邻的放电空间30之间。并且，如图17(b)所示，隔壁1184由4个隔壁要素1184a、1184b构成。

并且，对于井字形的隔壁1184的形成来说，对作为材料的低熔点玻璃进行涂敷烧结，使用喷砂法或者光刻法法等方法以多个放电单元的排列隔开行以及列的井字形的图形将隔壁1184形成为凸缘(rib)状。

另一方面，荧光体层1185R、1185G、1185B(为方便，不图示符号1185B)形成在电介质层1183表面的未形成隔壁1184的部分与隔壁1184的侧面上。因此，荧光体层1185R、1185G、1185B具有形成在电介质层1183上的底部和从隔壁1184的侧面向所述底部以倾斜状形成的倾斜部。

前面面板10的显示电极对12与背面面板1180的隔壁1184的位置关系可采取各种关系，但是，在显示电极对12与隔壁1184接近的情况下，位于显示电极对12下方侧的部分的荧光体层1185R、1185G、1185B为其倾斜部和从该倾斜部稍稍跨过底部的部分。

并且，如图17(a)、(b)所示，在荧光体层1185B的表面，在相当于Dat电极1182上方的区域与相当于Scn电极121下方的区域立体交叉的部分(在平面图中Dat电极1182与Scn电极121重叠的部分)形成高γ部1186。

如图17(b)所示，特别地，如上所述，在接近隔壁1184的部位荧光体层1185B成为倾斜状，故在位于荧光体层1185B的Scn电极121外侧(Dat电极1182的延伸方向上Sus电极122的相反侧)的隔壁1184b的侧面上所形成的倾斜部和从该倾斜部稍稍跨越底部的部分形成。

与所述实施方式6相同，由MgO粒子形成高γ部1186，该形成中使用与所述实施方式6相同的电压施加粒子散布集聚法。并且，因为高γ部1186形成在荧光体层1185R、1185G、1185B的表面上，所以，需要使用所述变形例1中所使用的选择单元555等。

如本实施方式所示，Scn电极121与Dat电极1182之间的荧光体层185R、1185G、1185B的表面倾斜时，表观上，在Scn电极121与荧光体层185R、1185G、1185B的倾斜部的表面附近之间产生初始化期间T₁的放电。因此，若在产生放电的荧光体层185R、1185G、1185B的倾斜部以及从该倾斜部跨越底部的部分存在高γ部1186，则能够有效地 使从高γ部1186发射的二次电子进行作用，并能够有效地降低放电开始电压。

实施方式8

通过电压施加粒子散布集聚法形成所述实施方式6以及实施方式7的高γ部86、1186，但是，也可通过其他方法形成。在本实施方式8中，对利用蒸镀法形成高γ部86、1186的情况进行说明。并且，此处对在实施方式6中的前级背面面板80a上形成高γ部86的情况进行说明。

由至少含有MgO的材料通过蒸镀法例如电子束蒸镀法在电子束蒸镀装置中对作为靶源的MgO照射电子束，由此，只在Dat电极82的上方蒸镀膜厚为10(nm)～1(μm)的由MgO构成的保护膜，形成该高γ部86。

以下对通过电子束蒸镀法形成高γ部86的方法进行说明。

图18是用于说明本实施方式8的高γ部86的形成方法的概要图。对于高γ部86的形成方法来说，在蒸镀装置560内，对前级面板80a的Dat电极82施加负电位或者接地电位，在蒸镀装置560中的前级面板80a下方产生RF等离子体563。

在该状态下，由电子枪567对作为靶源的MgO 690照射电子束569并使其飞散。该飞散的MgO粒子691在所述RF等离子体563中带正电，被负电位或者接地电位的Dat电极82吸引，集聚、堆积在荧光体层85表面并且相当于Dat电极82主侧的部分。

这样，通过电子枪567对作为靶源的MgO690照射电子束569进行蒸镀，在RF等离子体中带正电的MgO粒子691通过高压直流电源装置(施加单元)692至少被赋予负电位或者接地电位的Dat电极82吸引而进行蒸镀，所以，能够以简单的方法形成高γ部86，并且，能够有效地形成由薄膜构成的高γ部86。

并且，对于具有在所述形成方法中所形成的高γ部86的PDP也进行与实施方式6相同的试验。

在放电单元的背面板上，以只存在于荧光体层85表面的Dat电极82上方的方式使二次电子发射系数γ比荧光体层85的构成材料大的MgO材料在RF等离子体563中带电并进行电子束蒸镀的电子束蒸镀法进行蒸镀，由此，例如将高γ部86的膜厚形成为约0.5(μm)，其他 与实施方式6的试验相同，制作成该试验中所使用的PDP。

根据本试验，与所述实施方式6相同，能够确认在初始化期间T₁始终稳定地产生弱放电，可减少初始化亮度的产生，并且，能够将亮度的降低抑制到最小。

以上，基于各实施方式对本发明的结构上以及作用、效果的特征进行了说明，但是，本发明的内容当然不限于所述各实施方式所示的具体例，例如，还可以实施以下的变形例。

1.高γ部

在荧光体层85、1085、1185的表面，只在相当于Dat电极82、1082、1182表面的部分上形成实施方式6、7以及变形例1的高γ部86、1086、1186，但是，也可以在相当于Dat电极82、1082、1182表面的部分以外形成高γ部86、1086、1186。并且，“只在相当于数据电极表面的部分”中，包括使相当于Dat电极82、1082、1182表面的部分稍稍露出而形成高γ部86、1086、1186的形成范围的情况。

即，在包含相当于Dat电极82、1082、1182表侧的部分的范围内形成厚度不均匀的高γ部86、1086、1186的情况下，高γ部86、1086、1186的厚度可以不均匀，以使其厚度最厚的位置位于相当于Dat电极82、1082、1182主侧的部分内。

但是，此种情况下，在相当于Dat电极82、1082、1182表面的部分以外，需要使高γ部86、1086、1186的厚度为从放电气体等发出的、例如共振线几乎不被吸收的厚度。具体地说，平均为0.5(μm)或其以下。

此外，在荧光体层85、1085、1185的表面，在相当于Dat电极82、1082、1182表面的部分或者位于Dat电极82、1082、1182上方(前面面板10一侧)的部分与位于Scn电极121下方(背面面板80、1080、1180侧)的部分的重叠部分(将该部分只称做“数据电极与扫描电极的重叠部分”。)上均匀地形成实施方式6、7以及变形例1的高γ部86、1086、1186，但也可以是不均匀的。例如，在相当于Dat电极82、1082、1182与Scn电极121的重叠部分内，也可以有未形成高γ部86、1086、1186的部分(即，高γ部86、1086、1186可以呈岛状地不均匀)。并且，在相当于Dat电极82、1082、1182主侧的部分或者Dat电极82、1082、1182与Scn电极121的重叠部分(立体交叉部分)的大致中央， 使高γ部86、1086、1186的厚度最大地进行不均匀。

此外，关于形成范围，换言之，对于高γ部86、1086、1186来说，在相当于Dat电极82、1082、1182主侧的部分，覆盖荧光体层85、1085、1185的覆盖率比相当于Dat电极82、1082、1182主侧的部分大。即，集中在相当于Dat电极82、1082、1182主侧的部分来形成。

(2)关于材料

在所述实施方式6～8以及变形例1中，使用MgO作为高γ部86、1086、1186的构成材料，但是，也可使用其他材料。例如，可作为其他材料使用的材料有：含有MgO、CaO、BaO、SrO、MgNO以及ZnO中的至少一种的金属氧化物材料、含有作为绝缘体的CNT(碳纳米管)等纳米光纤、C60等富勒烯以及AlN(氮化铝)等材料的至少一种的绝缘物材料。它们之中也可以含有其他材料或者杂质材料。

此外，在如上所述之中对使用绝缘物质材料的MgO粒子670、680、690作为高γ部86、1086、1186进行了说明，但是，作为其他粒子，使用含有Pt(铂)、Au(金)、Pd(钯)、Mg(镁)、Ta(钽)、W(钨)以及Ni(镍)的至少一种的金属材料构成的粒子同样也能够实施。这些粒子群是功函数的值较小、具有二次电子发射系数γ比荧光体层大的值、难以氧化的金属粒子，在初始化期间T₁，能够使荧光体层85、1085、1185侧成为阴极时的放电开始电压降低，稳定地产生弱放电，能够抑制初始化亮点的产生。

2.关于电子施加粒子散布集聚法

在所述实施方式6～8以及变形例1中，形成高γ部86、1086、1186的步骤中，使形成高γ部86、1086、1186用的材料带正电，对Dat电极82、1082、1182施加负电压，但是，在形成高γ部86、1086、1186的步骤中，也可以具有对Dat电极82、1082、1182继续施加固定大小的负电压的步骤，此外，也可以具有在Dat电极82、1082、1182上施加电压以便随着时间的推移在负侧变大的步骤，此外，也可以具有在Dat电极82、1082、1182上施加电压以便随着时间的推移在负侧连续地例如呈直线形或者曲线形变大的步骤，此外，也可以具有在Dat电极82、1082、1182上施加电压以便随着时间的推移在负侧阶段性变大的步骤，此外，也可以具有对Dat电极82、1082、1182施加负电压脉冲的步骤。

通过这些制造方法，作为对Dat电极82、1082、1182施加负电压的方法，采取所述各种方法，由此，在使带正电的MgO绝缘性材料集聚在施加有负电压的Dat电极82、1082、1182的过程中，Dat电极82、1082、1182上方的表面电位因MgO粒子671、681、691的电荷而上升，能够防止MgO粒子难以堆积在Dat电极82、1082、1182的上方。

例如，对Dat电极82、1082、1182施加电压以便随着时间的推移在负侧变大，通过采用该方法，从而由于带电的MgO粒子附着而上升的Dat电极82、1082、1182的上部表面电位成为大致固定的预定电位，表面电位不会下降，所以，能够使MgO粒子671、681、691均匀地集聚在Dat电极82、1082、1182的上方。

当然，通过其他的所述方法也可同样地实施，能够有效地以简单的方法在Dat电极82、1082、1182上形成高γ部86、1086、1186。此外，可通过一边检测Dat电极82、1082、1182上部的表面电位并进行反馈一边对所述负电压进行调节的方法，从而在Dat电极82、1082、1182上形成高γ部86、1086、1186。

2.能够形成在1182的上方

此外，在各实施方式中，作为形成高γ部86、1086、1186的材料，使用了MgO粒子670、680、690。该MgO粒子670、680、690具有容易带正电的性质，所以，在实施方式中，使MgO粒子670、680、690带正电，向数据电极施加负电压。

但是，例如在使MgO粒子670、680、690带负电的情况下，需要对Dat电极82、1082、1182施加正电压。这样，在形成高γ部86、1086、1186时，该高γ部86、1086、1186的形成材料的带电极性由该材料的带电容易程度决定，根据其带电的极性决定施加到Dat电极82、1082、1182的电压的极性。

并且，在各实施方式中，作为形成高γ部86、1086、1186的材料，使用了MgO粒子670、680、690，对Dat电极82、1082、1182施加负电压，但是，例如将Dat电极82、1082、1182设为接地电位，带正电的MgO粒子671、681、691也被Dat电极82、1082、1182吸引。这与使形成高γ部86、1086、1186的材料带负电的情况相同。

3.关于高γ部86、1086、1186的形成

在所述实施方式6、7以及变形例1中，形成高γ部86、1086、 1186的步骤是使用电压施加粒子散布集聚法的步骤进行说明的，并且，作为在实施方式8中所说明的电子束蒸镀法以外的制造方法，对于形成高γ部86的步骤来说，对形成高γ部86的材料照射等离子体束使其带电并成膜的等离子体束照射成膜法的步骤同样也可以实施。

由此，以简单的方法，通过等离子体束照射而带正电的MgO粒子690在至少赋予负电位或者接地电位的数据电极的上部飞散集聚进行蒸镀，能够有效地形成由薄膜构成的高γ部86。

进而，通过蒸镀形成由MgO构成的保护膜，通过光刻等只在相当于Dat电极82、1082、1182表面的部分残留保护膜，可以形成高γ部86、1086、1186。相反地，对没有形成高γ部86、1086、1186的部分进行掩膜，在荧光体层85、1085、1185的表面，只在相当于Dat电极82、1082、1182上的部分形成高γ部86、1086、1186。

4.关于Dat电极82、1082、1182

所述实施方式6、7中的Dat电极82、1182由Ag(银)形成，但是，也可使用其他材料形成。作为其他材料，例如有Au(金)、铬(Cr)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)或者适当对这些进行组合后的材料。

5.关于隔壁84、1084、1184

所述实施方式6、7以及变形例1的背面面板80、1080、1180具有隔壁84、1084、1184，但是，例如可以是在前面面板10侧具有隔壁84、1084、1184的结构。此外，使隔壁84、1084、1184形成为与前面面板10以及背面面板不同的结构，将前面面板10以及背面面板80、1080、1180对置配置时，可以使所述隔壁84、1084、1184介于二者之间，形成PDP。

6.关于荧光体层85、1085、1185

构成荧光体层85、1085、1185的各荧光体材料不限于所述实施方式6的材料，例如，可采用CaMgSi₂O₆:Eu或者YBO₃:Tb等。

7.其他

所述荧光体材料或者放电气体种类、压力不限定于如上所述，可采用在AC型PDP中通常使用的材料、条件。此外，当然可以分别组合如上所述的变形例中所说明的内容。

实施方式9

1.PDP1的结构

使用图19对本发明实施方式9的PDP7的结构进行说明。图19是表示实施方式9的PDP7结构的要部立体图(一部分剖面图)。并且，关于基本结构以及前面面板10的基本结构没有与所述实施方式～8等不同之处，但是下面将进行确认地说明。

1-1.前面面板10的结构

对于前面面板10来说，在前面衬底11的与背面面板90对置一侧的面(图19中为下表面)上彼此平行地设置多个由Scn电极121与Sus电极122构成的显示电极对12，以覆盖该显示电极对12的方式依次覆盖形成电介质层13以及电介质保护层14。

前面面板11例如由高应变点玻璃或者钠钙玻璃构成。此外，在分别对由ITO(氧化铟锡)、SnO₂(氧化锡)、ZnO(氧化锌)等构成的宽度较宽膜厚约100nm的透明电极要素121a、122a、和补充了高电阻的透明电极要素121a、122a并降低电阻用的总线121b、122b进行层叠的状态下构成各Scn电极121以及Sus电极122。总线121b、122b例如为膜厚为数(μm)左右，由银(Ag)、铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)或者钯(Pd)等构成。并且，将透明电极像素121a、122a形成为条纹状或者突出形状(图19中为条纹状)。

此外，电介质层13使用铅系或者非铅系的低熔点玻璃材料或氧化硅(SiO₂)材料等以厚膜形成工艺或者薄膜形成工艺以膜厚为数(μm)～数十(μm)形成，电介质保护层14MgO(氧化镁)或者MgF₂(氟化镁)等为主要材料来构成且膜厚为数百(nm)。

并且，在前面衬底11的表面上，在相邻的显示电极对12彼此之间设置防止相邻的放电单元的光彼此漏出的黑条纹。

1-2.背面面板90的结构

对于背面面板90来说，在背面衬底91的与前面面板10对置侧的面(图19中为上表面)上，在与显示电极对12大致正交的方向上配置多个Dat电极92，以覆盖该Dat电极92的方式形成电介质层93。此外，在该电介质层93上，在相邻的Dat电极92间竖立设置主隔壁要素94a，并且，在与该主隔壁94a大致平行的方向上形成辅助隔壁要素94b。

在PDP7中，由这些主隔壁要素94a与辅助隔壁要素94b构成背面面板90的隔壁94。并且，虽然在附图上没有详细示出，但在Z轴方向 上，辅助隔壁要素94b的上端设定得比主隔壁要素94a的上端稍低。

由与电介质层93相邻的2条主隔壁要素94a以及2条辅助隔壁要素94b包围的凹部的内壁面上设置了荧光体层95。荧光体层95按照每个槽分别分为红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)。

背面面板90的背面衬底91也与所述前面面板10的前面衬底11相同，由高应变点玻璃或者钠钙玻璃等构成。Dat电极92例如由银(Ag)等金属材料形成，在背面面板91的表面上对银膏进行丝网印刷来形成。并且，作为Dat电极92的形成材料，除了Ag之外，也可以使用Al、Cr、Cu、Ni、Pt、Pd或者例如以对这些进行层叠等的方法进行组合的材料。

电介质层93基本上与前面面板10的电介质层13相同，由铅系或者非铅系的低熔点玻璃材料、SiO₂材料等形成，但是，也可含有氧化铝(Al₂O₃)或者TiO₂的材料。此外，例如使用低熔点玻璃材料以喷砂法或者光刻法等方法形成隔壁94。此处，隔壁94以在各放电单元中挖掘长方体形状的洞的方式形成，故其侧壁不与背面衬底91垂直，而成为在Z轴方向的下向相邻的隔壁94间的间隔变窄的倾斜状(图19中省略)。

使用如下所示的各色荧光体按照每个凹部形成荧光体层95。

R荧光体；(Y、Gd)BO₃:Eu

G荧光体；Zn₂SiO₄:Mn

B荧光体；BaMg₂Al₁₄O₂₄:Eu

此外，在本实施方式的PDP7中，以覆盖荧光体层95表面的一部分的方式形成荧光体保护膜96。对于该荧光体保护膜96来说，因为含有其形成区域，故后文中将进行叙述。

1-3.前面面板10与背面面板90的配置

在前面面板10与背面面板90夹持作为间隙材料形成于背面面板90上的隔壁94，并且，配置在显示电极对12与Dat电极92大致正交的方向上，在该状态下，密封各个面板10、20的外周部之间，构成PDP7。由此，在前面面板10与背面面板90之间形成被各隔壁94隔开的放电空间30，两面板10、90形成密闭容器。在PDP7的放电空间30中填充Ne、Xe、He等混合而成的放电气体来构成。放电气体的密封压力例如为50(kPa)～80(kPa)左右。

并且，关于相对放电气体中的总压力的Xe分压比例，以往设定为小于5(％)，但是，将提高面板的发光亮度作为目的，设定为5(％)～100(％)的范围内的较高值。

此外，在PDP7的制造中，可以采用贴合两面板10、90进行组装后、在进行真空置换后的放电气体中同时进行密封的方法。此外，所述气体种类不限于如上所述的气体，可以应用在AC型PDP中通常使用的材料、条件。

在PDP7中，显示电极对12与Dat电极92立体交叉的各部位与放电单元(未图示)对应。并且，在PDP7中，多个放电单元为矩阵状排列的状态。

2.荧光体保护膜96

在本实施方式的PDP7中，使用图20以及图21对作为结构上的特征的荧光体保护膜96的结构进行说明。图20是取出PDP7的一个放电单元进行表示的剖面图，(a)是在XZ剖面切出PDP7的图，(b)是在YZ剖面切出PDP7的图。

如图20(a)所示，在PDP7中，在沿着Scn电极121以及Sus电极122的延伸方向(Y方向)大致平行地形成配置的隔壁94的面对放电空间30侧的倾斜部表面上，以倾斜的形状形成荧光体层95。此外，在包括电介质层93表面的其他内壁表面上也层叠形成荧光体层95。

在本实施方式的PDP7中，如后所述，在初始化期间T₁，为了发射二次电子，在放电单元内，以覆盖荧光体层95表面的一部分的方式由二次电子发射系数γ比荧光体层95大并且与构成荧光体层95的所述荧光体材料不同的材料形成荧光体保护膜96。如图20(a)以及图20(b)所示，荧光体保护膜96的形成区域包括从Scn电极121的各侧缘边(X轴方向的两缘)向背面衬底91的表面引出垂线(Z方向)时该垂线所包围的荧光体层95的表面部分。此外，在PDP7中，在层叠于Sus电极122下的区域或者电介质层93表面的部分上，荧光体层95的表面成为面对放电空间30的状态。

如图21所示，从Z方向的前面面板10侧观察PDP7的荧光体层95时，在所述Scn电极121之下的区域内包括位于总线121b之下的区域的荧光体层倾斜部分95a上形成荧光体保护膜96。并且，成为在层叠于荧光体层95的其他倾斜部分95b～95d以及底面(层叠在电介质 层93表面上的部分)上未形成荧光体保护膜96的状态。

荧光体保护膜96由包括MgO(氧化镁)的金属氧化物材料构成，使用电子束蒸镀法以膜厚为数十(nm)～数千(nm)来形成。关于荧光体保护膜96的厚度，进一步优选制作成100(nm)～3000(nm)的薄膜状。对于荧光体保护膜96来说，在荧光体层95表面上的倾斜部分95a，可以是平均为所述范围的值的膜厚，不需要是固定的膜厚。此外，荧光体保护膜96可以作为非常薄的膜形成为岛状。并且，关于荧光体保护膜96的形成方法将在后文进行叙述。

3.PDP7的区域以及优点

以下，对驱动本实施方式的PDP7的方法进行说明。在PDP7中，相对于各电极121、14、22连接以预定定时施加电压的驱动电路(省略图示)。并且，在本实施方式的PDP7中，也与所述实施方式1的PDP1相同，重复以下的3个动作期间，使用所谓地址、显示分离驱动方式对PDP7进行显示驱动。

(1)使所有显示单元为初始化状态的初始化期间T₁

(2)按照每个放电单元进行寻址、选择并输入与对各单元的输入数据对应的显示状态的数据写入期间T₂

(3)使处于显示状态的放电单元1进行显示发光的维持期间T₃

在所述(3)的维持期间T₃，对由Scn电极121与Sus电极122构成的显示电极对12以彼此相位不同的方式施加电极电压脉冲的矩形波电压。即，在显示电极对12之间施加交流电压以写入有显示状态数据的放电单元中，每当电压极性变化时就产生脉冲放电。

根据所述维持放电，从放电空间30中的激励氙原子发射147(nm)的共振线，从激励氙分子发射173(nm)为主的分子线，然后，在背面面板90的荧光体层95中将所述紫外放射变换为可见光进行放射，由此，可得到PDP7的显示发光。

如上所述，具有在荧光体层95表面的一部分区域上形成荧光体保护膜96而构成的背面面板90的PDP7中，具有如下的优点。如图20、图21所示，在位于Z轴方向的Scn电极121之下的区域的荧光体层95的倾斜部分95a，由二次电子发射系数γ比荧光体层95大并且与构成荧光体层95的荧光体材料不同的材料覆盖形成荧光体保护膜96。此外，在PDP7中，荧光体层95的其他表面区域(包括其他的倾斜部分 95b、95c、95d)成为面对放电空间30的状态。

被荧光体层95表面的倾斜部分95a覆盖而成的荧光体保护膜96由二次电子发射系数γ较大并且含有作为耐溅射性较高的材料MgO的金属氧化物材料形成，由此，在PDP7的驱动的初始化期间T₁，能够进一步降低荧光体层95侧成为阴极时的放电开始电压，使弱放电进一步稳定，并且，因为是耐溅射性较高的材料，故可获得高图像质量以及高可靠性。

此外，对于荧光体保护膜96来说，在初始化期间T₁，使荧光体层95侧成为阴极时的放电开始电压降低，稳定地产生弱放电，提高图像质量，并且，以非常薄的膜来形成，由此，包含所放射的147(nm)的共振线的真空紫外线几乎不被吸收。因此，在PDP7中，在放电空间30中所产生的真空紫外线能够高效率地到达荧光体层95，并能够将发光效率维持得较高。

此外，在包括荧光体层95表面的倾斜部分95a的至少一部分上设置荧光体保护膜96，在相当于其他倾斜部分95b、95c、95d以及电介质层93上未形成荧光体保护膜96，所以，在PDP7中，在需要产生弱放电的部位形成荧光体保护膜96，在不需要的部位不形成荧光体保护膜96，所以，能够将荧光体保护膜96的紫外线放射的吸收抑制为到最小限度的范围内。

4.试验

在试验中，制作成与所述的PDP7相同结构的面板。即，形成到PDP7的背面面板90的荧光体层95之后，在包括Scn电极121之下的区域(倾斜部分95a)的荧光体层95表面的至少一部分区域上，使用MgO材料通过电子束蒸镀法以膜厚约为1000(nm)以薄膜状形成荧光体保护膜96。

以在荧光体层95表面的所述倾斜部分95b、95c、95d等部分上至少不形成的方式，通过后述的倾斜蒸镀法的制造方法形成荧光体保护膜96。并且，相对放电气体中的总压力的Xe分压比例定为15(％)的较高值，以约60(kPa)密封，制作成PDP7，并进行了以下的评价。

对于所述PDP7，在使所有显示单元为初始化状态的初始化期间T₁，在Scn电极121与Dat电极92之间施加电压-时间推移缓和波动的高电压的斜坡波形，并进行了评价。

根据试验结果，在本实施方式的PDP7中，在包括荧光体层95表面的倾斜部分95a的一部分区域上形成荧光体保护膜96，所以，尽管将相对放电气体中总压力的Xe分压比例设定为较高的15(％)但是，在初始化期间T₁，在Scn电极121与Dat电极92之间施加斜坡波形高电压，在荧光体层95侧成为阴极时，由于荧光体保护膜96，放电开始电压降低50(V)～100(V)，始终稳定地产生弱放电，不会产生初始化亮点，图像质量大幅提高。

此外，因为至少在荧光体层95表面的所述倾斜部分95b、95c、95d等部分不形成荧光体保护膜96，所以，即使提高相对于放电气体中的总压力的Xe分压比例，也可抑制发光效率的降低，能够抑制亮度的降低，作为高Xe的PDP，亮度大幅提高。并且，在PDP7中，即使将针对放电气体中的总压力的Xe分压比例提高为5(％)～100(％)的范围的值，也能始终稳定地产生弱放电，并且，对应于Xe分压比例提高亮度。

另一方面，如图26(b)所示，覆盖荧光体层725的整个表面形成由MgO构成的膜厚较厚的荧光体层746的现有例的PDP中，在提高针对放电气体中的总压力的Xe分压比例的情况下，在初始化期间T₁，荧光体层725侧成为阴极时的放电开始电压降低，弱放电稳定，但是，由附在荧光体层725的整个表面上的较厚的荧光体保护膜746吸收包括共振线的真空紫外线，抑制发光效率，即使提高针对放电单元的总压力的Xe分压比例，与本实施方式的PDP7相比较，亮度为其约1/10，没有提高。

根据以上的结果，在本实施方式的PDP7中，在包含荧光体层95表面的倾斜部分95a的至少一部分的部分上形成荧光体保护膜96，并且，使其以外的部分成为面对放电空间30的状态，由此，在使所有显示单元成为初始化状态的初始化期间T₁，容易稳定地引起弱放电，抑制初始化亮点的产生，并且，抑制维持期间T₃的发光效率的降低，所以，能够提高图像质量，并且，能够成为高亮度。

如上所述，在包括荧光体层95表面的倾斜部分95a的至少一部分的部分上设置荧光体保护膜96，在其他倾斜部分95b、95c、95d特别是Sus电极122之下的部分(相当于倾斜部分95b)上未形成荧光体保护膜96的状态，所以，在初始化期间T₁，开始放电电压降低，能够使 弱放电稳定，并且，能够抑制紫外放射效率的降低，并能够抑制发光效率的降低。因此，在PDP7中，具有高图像质量、高亮度或者低功耗的优点。

实施方式10

使用图22对实施方式10的PDP7的制造方法进行说明。图22是表示实施方式10的PDP7的制造方法中形成背面面板90的荧光体保护膜96的步骤的步骤概要图。并且，以本实施方式的方法进行制造的PDP7结构与所述实施方式9的PDP7的结构相同。

如图22(a)所示，在背面衬底91的一个主面上进行构图化并形成Dat电极92，覆盖Dat电极与背面面板91表面的至少一部分涂敷烧结低熔点玻璃膏，形成电介质层93。并且，在电介质层93的表面上竖立设置隔壁94。作为形成隔壁94所使用的材料，例如，在使用低熔点玻璃形成隔壁94中，涂敷烧结该材料之后，分隔放电单元的多个排列的行以及列，以与相邻放电单元的分隔边界周围的例如井字形状等的图形使用喷砂法或光刻法、或者转印法的方法进行实施。

如所述实施方式9所示，作为井字形的隔壁94，将沿着Scn电极121的延伸方向平行地形成的隔壁94的侧壁面作为隔壁94的Scn电极侧倾斜部24b1(参照图22(b))。同样，将Sus电极122侧的隔壁94的侧壁面作为隔壁94的Sus电极侧倾斜部94b2。当然，在其他隔壁94的侧壁面上也形成隔壁的倾斜部。

如图22(a)所示，例如，对以井字形图形形成的隔壁94印刷涂敷荧光体材料，实施烧结，在隔壁94的侧壁面以及电介质层93表面上形成荧光体层95。形成发出红(R)、绿(G)、蓝(B)光的各荧光体层95时，在RGB各放电单元单位中分别使用所述三色的荧光体材料。并且，所使用的荧光体材料不限于如上所述的材料，可应用在AC型PDP中通常使用的材料。

在沿着Scn电极121的延伸方向(Y轴方向)大致平行地形成的隔壁94表面的Scn电极侧倾斜部94b1上，倾斜地形成荧光体层95。同样，在隔壁94表面的Sus电极侧倾斜部94b2上也倾斜地形成荧光体层95。此外，在其他的隔壁94的侧壁面以及电介质层93的表面上也形成荧光体层95。

本实施方式的PDP7的制造方法的特征在于，背面面板90的加工 面形成步骤具有如下步骤：由二次电子发射系数γ比荧光体层95大并且与荧光体层95的结构不同的材料，在从Scn电极121的各侧缘边向背面衬底91的表面引出的垂线所包围的区域上，在包含荧光体保护膜95的斜面部分95a(参照图21)的至少一部分的部分上，形成荧光体保护膜96。以下详细说明。

如图22(b)所示，对于在背面衬底91上依次形成有Dat电极92、电介质层93、隔壁94或者荧光体层95的背面板加工面，将Scn电极121以及Sus电极122的延伸方向配置为Y轴方向(纸面垂直方向)，将Dat电极92的长轴方向配置为X轴方向(纸面水平方向)。并且，对于背面板加工面，从与Scn电极121延伸方向(Y轴方向)正交的方向，使用二次电子发射系数γ比荧光体层95大并且与形成荧光体层95的荧光体材料不同的材料通过倾斜蒸镀法形成荧光体层保护膜96。

作为形成荧光体层96所使用的材料，例如，可举出含有MgO的金属氧化物材料。并且，对于荧光体保护膜96的形成来说，使用所述材料通过电子束蒸镀法等薄膜形成工艺从与Scn电极121的延伸方向(Y轴方向)正交的方向，从由背面板加工面的法线方向(Z轴方向)的倾斜角θ的C方向倾斜蒸镀来形成。倾斜蒸镀中形成荧光体保护膜96时，将其厚度设为数十(nm)～6000(nm)的范围。并且，关于荧光体保护膜96的膜厚，优选膜厚设为100(nm)～3000(nm)的范围内的值，并且，可以形成为岛状的非常薄的膜。

如图22(c)所示，在背面板加工面的放电单元内，在与Scn电极121的延伸方向(Y轴方向)正交的方向，并且，将Sus电极122侧的隔壁94用作设置在附近的遮蔽壁，比Scn电极121侧的隔壁94的底边靠近前的Sus电极122侧以未蒸镀的倾斜角θ进行倾斜蒸镀。这样，在本实施方式的制造方法中，将Sus电极122侧的隔壁94用作设置在附近的遮蔽壁，通过设定倾斜角θ，能够将倾斜蒸镀的倾斜角的值设定为适当的范围，该倾斜角θ是在比Scn电极121侧的隔壁94的底边更靠近Sus电极122的一侧不形成荧光体保护膜96的倾斜角。这样，在形成于隔壁94的Scn电极侧倾斜部94b1上的荧光体层95的倾斜表面的至少一部分上形成荧光体保护膜96，在荧光体层95底面以及隔壁94的其他倾斜部94b2的荧光体层表面上不形成荧光体保护膜96。

在所述的制造方法中，中间夹着放电空间30将在荧光体层95表面的一部分(Scn电极侧倾斜部94b1上的部分)上形成了荧光体保护膜96的背面面板90、和如所述实施方式9那样至少具有使Scn电极121和Sus电极122彼此平行地延伸的显示电极对12的前面面板10对置配置，排列形成多个放电单元，构成PDP7。并且，在放电空间30中，以针对总压力的分压比例较高的状态填充含有Xe的放电气体。这样，能够以高成品率稳定地制造高图像质量高亮度的PDP7。

在本实施方式的PDP7的制造方法中，背面板加工面的形成步骤具有如下步骤：由二次电子发射系数γ比荧光体层95大并且与荧光体层95的材料不同的材料，在沿着Scn电极121的延伸方向所形成的隔壁94的Scn电极侧倾斜部94b1上的荧光体层95的至少一部分表面上形成荧光体保护膜96，由此，在所完成的PDP7的驱动中，在初始化期间T₁容易稳定地产生弱放电，并且，能够抑制维持期间T₃的亮度降低，具有高亮度的优点。

此外，在本实施方式的PDP7的制造方法中，通过电子束蒸镀法从与Scn电极121的延伸方向正交的方向以将Sus电极122侧的隔壁94作为遮蔽壁的倾斜角度对背面板加工面倾斜蒸镀含有MgO的金属氧化物，通过这样的简单方法，能够在包括沿Scn电极121的延伸方向所形成的隔壁94的Scn电极侧倾斜部94b1的荧光体层95表面的至少一部分的部分上形成含有金属氧化物材料而形成的荧光体保护膜96。并且，在该制造方法中，在槽底面的荧光体层95、隔壁94的Sus电极侧倾斜部94b2的荧光体层95表面上未形成荧光体保护膜96，所以，在PDP7的驱动中，在初始化期间T₁容易稳定地产生弱放电，抑制初始化亮点的产生，并能够以高成品率稳定地制造出抑制维持期间T₃的亮度降低的、高图像质量、高亮度的PDP。

实施方式11

使用图23对实施方式11的PDP的制造方法进行说明。图23是表示实施方式11的PDP的制造方法中的形成背面面板90的一部分的另一实施例的步骤的步骤示意图。作为实施方式10的制造方法的具体实施例，参照所述图20以及图22，对形成实施方式9的PDP7的背面面板90的一部分的步骤进行说明。与图19～图22相同的部分标注相同的参照序号，为了简略，省略一部分。

在图23中，省略了图示，但是，形成到背面面板90的荧光体层95的背面板加工面900f的放电单元单位的结构与所述图20(b)、图22(a)相同。如图23的放大部分所示，在井字形的隔壁94上，将沿Scn电极121的延伸方向大致平行地形成的隔壁94的侧面作为Scn电极侧倾斜部94b1。同样，将Sus电极122侧的隔壁94侧面作为Sus电极侧倾斜部94b2。

并且，作为荧光体层95，在沿Scn电极121的延伸方向(X轴方向)大致平行地形成的隔壁94的Scn电极侧倾斜部94b1表面上，倾斜地形成荧光体层95。同样，在隔壁94的Sus电极侧倾斜部94b2的表面上也倾斜地形成荧光体层95。

如图23所示，在电子束蒸镀装置(省略图示)内，以背面板加工面900f为下侧(Z轴方向)的方式将在背面衬底91面上排列形成多个放电单元单位的背面板加工面900f的前级背面面板900配置为水平。即，在图23中，朝向下侧(Z轴方向)配置所述图22(a)的背面板加工面，配置前级背面面板900，以便以Scn电极121以及Sus电极122的延伸方向为Y轴方向(纸面垂直方向)、以Dat电极92为X轴方向。

如图23所示，在前级背面面板900、材料靶695以及电子枪577之间配置例如金属掩模572以使连接材料靶695与开口部572的线和金属掩模572的面法线(背面板加工面法线)具有大致倾斜角θ，该金属掩模572在Scn电极121的延伸方向与平行方向(Y轴方向)设置了具有长轴方向的例如作为长方形孔的开口部572h。

然后，一边使前级背面面板900以固定速度向与Scn电极121的延伸方向(Y轴方向)正交的X轴方向或者从X轴方向以固定速度移动，一边从电子枪577对含有例如MgO的由金属氧化物材料构成的材料靶695照射电子束，从倾斜角θ的下侧J方向倾斜蒸镀含有MgO的金属氧化物材料。即，一边以固定速度使前级面板900在X轴方向上移动一边对背面板加工面900f，通过金属掩模572的开口部572h在与Scn电极121的延伸方向正交的方向并且从背面板加工面900f的法线方向大致维持倾斜角θ倾斜的方向，通过电子束蒸镀法倾斜蒸镀二次电子发射系数γ比荧光体层95大且与荧光体层95的材料不同的含有MgO的金属氧化物，由此，形成作为高γ部的荧光体层保护膜96。

这样，对于形成荧光体保护膜96的步骤来说，维持针对背面板900f的倾斜较θ为大致固定，一边以固定速度移动前级背面面板900，一边沿与Scn电极121的延伸方向正交的方向且从倾斜的方向对背面加工面900f进行倾斜蒸镀，通过该简单的所述制造方法，对背面板加工面900f的各放电单元单位从与Scn电极121的延伸方向正交的方向，以Sus电极122侧的隔壁94为遮蔽壁，以固定的蒸镀速度从固定的方向进行倾斜蒸镀。

根据所述的简单的制造方法，作为放电单元，在隔壁94的Scn电极侧倾斜部94b1上的荧光体层95的至少一部分表面上，形成二次电子发射系数γ比荧光体层95大并且与荧光体层95的材料不同的材料的荧光体保护膜96，在凹部底面的荧光体层95的表面以及隔壁94的Sus电极侧倾斜部94b2上的荧光体层95的表面上不形成荧光体保护膜96，能够稳定并且低价地制造高亮度、高图像质量的PDP。

此外，在所述制造方法中，对于形成荧光体保护膜96的步骤来说，在将针对背面板加工面900f的倾斜角度θ大致维持固定的状态下，一边以固定速度移动前级背面面板900一边对背面板加工面900f在与Scn电极121的延伸方向正交的方向上并且从倾斜的方向进行倾斜蒸镀，通过该简单的制造方法，在放电单元内，由二次电子发射系数γ比荧光体层95的材料大的材料，在沿着Scn电极121延伸方向的隔壁94的Scn电极侧倾斜部94b1上之荧光体层95的至少一部分上形成荧光体保护膜96，在凹部底面的荧光体层95表面以及隔壁94的Sus电极侧倾斜部94b2上的荧光体层95的表面上未形成荧光体保护膜96，所以，能够稳定并且低价地制造具有如下优点的面板：在所完成的PDP的驱动中，在初始化期间T₁，弱放电稳定，可抑制初始化亮点的产生，并且，可抑制维持放电期间的亮度的降低，具有高亮度、高图像质量。

实施方式12

使用图24对实施方式12的PDP8的结构进行说明。图24是表示作为所述实施方式9的变形例示出了实施方式12的PDP8的一部分结构的剖面图以及平面概要图。与图20相同结构的部分标注相同的参照序号，并省略其一部分。

如图24(a)所示，本实施方式的PDP8与所述PDP7的不同点在于荧光体保护膜1096的形成区域。具体地说，当从Scn电极121的总 线电极121b的两侧缘边向背面衬底1091的表面引出垂线时，荧光体保护膜1096形成在由该荧光体层1095上的两条垂线所包围的区域K中。

如图24(b)所示，Scn电极121的总线电极121b和形成在背面面板上的荧光体层1095的表面在平面上重叠的区域K为非常缓的倾斜面。因此，区域K的面积非常大。通过在区域K的荧光体层1095的表面上设置荧光体保护膜96，在PDP8中，在其驱动中，使荧光体保护膜1096对初始放电时的Scn电极121与Dat电极1092之间所产生的放电贡献很大，可稳定地降低放电开始电压，稳定地产生弱放电。此外，在与Scn电极121或者Dat电极1092在平面上不重叠的区域上也形成荧光体保护膜1096，能够在倾斜方向的电场中有助于放电。

此外，限定在区域K的荧光体层95表面上形成荧光体保护膜1096，故荧光体保护膜1096的紫外放射的吸收减少，不会降低亮度。

由此，在本实施方式的PDP8中，通过在区域K的荧光体层1095的表面区域形成含有MgO的荧光体保护膜1096，由此，即使提高放电空间30中的放电气体中的Xe的分压比例，在PDP8的驱动的初始化期间T₁，在Scn电极121与Dat电极92之间，能够降低当荧光体层1095侧成为阴极时的放电开始电压，并能够进一步稳定地产生弱放电。

因此，在PDP8中，特别是在将针对总压力的Xe的分压比例设定为较高值的情况下，能够进一步抑制初始化亮点的产生，能够得到更高的图像质量，并且，因为限定在区域K的荧光体层1095的表面上形成荧光体保护膜1096，故与所述PDP7相比，荧光体保护膜1096的紫外放射的吸收减少，不会使亮度进一步降低，特别是在采用高Xe放电气体的情况下，能够按照针对放电气体中的总压力的Xe分压比例提高亮度。

并且，在如上所述中，提高针对放电气体中的总压力的Xe的分压比例进行密封的PDP中，抑制初始化亮点的产生并且进一步抑制亮度降低的本发明的效果特别显著，但是，对具有通常的5(％)～6(％)的Xe分压比例的PDP也是有效的。如针对放电气体中的总压力的Xe的分压比例在5(％)～6(％)的范围的现有PDP的情况那样，即使是低亮度或者功耗较高并且初始化期间T₁的弱放电不稳定的PDP，通过采用所述实施方式的结构，在隔壁1094的Scn电极侧倾斜部(参照 实施方式9等。)上的荧光体层1095表面上形成荧光体保护膜1096，在Sus电极层倾斜部(参照实施方式9等。)或者凹部底面(参照实施方式9等。)的荧光体层1095的表面等上不形成荧光体保护膜1096，由此，放电开始电压降低，所以，能够稳定地改善初始化期间T₁的弱放电，并且，能够抑制亮度的降低。

此外，在所述PDP8中，在前面衬底11的主面上，显示电极对12采用了透明电极要素121a、122a与总线121b、122b的层叠结构，但是，也可以在前面衬底11的主面上先形成总线121b、122b，在其上形成透明电极要素121a、122a。

实施方式13

使用图25对实施方式13的PDP9的结构进行说明。图25是表示PDP9的一部分结构的剖面图以及平面概要图。与图20以及图24相同的结构标注相同的参照序号，一部分省略。

如图25(a)所示，在本实施方式的PDP9中，与所述实施方式12的PDP8相同，从Scn电极121的总线121b的两侧缘边向背面衬底1191的表面引出垂线时，在由该荧光体层1195上的两条垂线包围的区域上形成荧光体保护膜1196，但是，与所述实施方式12不同，在本实施方式中，如图25(b)所示，在X-Y平面上，限定在Scn电极121的总线121b和Dat电极1192重叠的区域E进行设定。

在具有上述结构的本实施方式的PDP9中，具有与所述实施方式9以及实施方式12的PDP7、PDP8相同的效果，从抑制亮度降低的观点看是优选的。

其他事项

并且，在所述各实施方式9～13中，作为隔壁94、1094、1194，将分隔与邻接放电单元的边界周围的隔壁为井字形的隔壁作为一例，但是，如弯曲隔壁那样，可以是以波形凸凹形状分隔与邻接放电单元的边界周围的隔壁，即使沿Scn电极121的延伸方向的隔壁94、1094、1194的形状是波形凸凹形状，同样也可以实施。

此外，在所述各实施方式9～13中，对于形成荧光体保护膜96、1096、1196的步骤来说，从与Scn电极121的延伸方向正交的方向对背面板加工面900f进行倾斜蒸镀，但是，可以是与Scn电极121的延伸方向大致正交的方向，也可以是从正交方向的±30(℃)范围的方 向进行蒸镀。

此外，在所述实施方式9～13中，作为荧光体保护膜96、1096、1196的结构材料，采用MgO，但是，除此以外还可以使用含有CgO、BaO、SrO以及ZnO中的至少一种金属氧化物材料。此外，这些之中可以含有其他材料或者杂质材料。这些材料是与构成荧光体层95、1095、1195的荧光体材料不同的材料，作为二次电子发射系数γ具有比荧光体层95大的较高值的材料，作为形成本发明的荧光体保护膜96、1096、1196的材料很有用。

此外，作为形成高γ部所使用的材料，可使用所述实施方式1～13中所使用的材料，但是，也可以按照PDP的每个放电单元来购买高γ部的构成材料。例如，在R、G、B的放电单元间，由于所使用的荧光体材料等，各个荧光体层的二次电子发射系数γ产生差异，但是，此时，可按照放电单元的荧光体层所使用的荧光体材料种类改变高γ部的结构材料或者覆盖率等。

此外，在所述各实施方式10、11中，通过来自电子枪577的电子束照射进行倾斜蒸镀，但是，电子枪577的个数可以是多个，将它们平行地配置在衬底上，对同样平行配置的多个材料靶695分别照射电子束，由此，在衬底面上更均匀地形成荧光体保护膜96、1096、1196，所以，能够制造高亮度、高图像质量的大画面、高精细的PDP。

在上述各实施方式10、11中，对采用电子束蒸镀法进行倾斜蒸镀进行了说明，除此之外，采用溅射法或者离子枪蒸镀法同样也可以实施。

此外，在所述实施方式10、11中，对于形成荧光体保护膜96、1096、1196的步骤来说，使针对背面板加工面900f的倾斜角度θ维持大致固定，在该状态下一边以固定速度使前级背面面板900向X轴方向移动一边进行蒸镀，但是，使衬底在Y轴上往复运动并一边向X轴方向移动一边进行倾斜蒸镀同样可进行实施。由此，能够更均匀地蒸镀荧光体保护膜96、1096、1196，故能够制造更高图像质量、高精细的均质的大画面PDP。

本发明对同时实现要求较高的发光效率和较高的图像质量性能的、特别是大型电视机或者高精细的电视机或者大型显示装置等很有效。

Claims (9)

1.一种等离子体显示面板，第一衬底与第二衬底之间隔开空隙对置配置，在所述第一衬底的所述空隙侧的区域形成荧光体层，其特征在于：

在所述荧光体层表面覆盖形成有保护膜状的高伽马部，该高伽马部在构成要素中含有二次电子发射系数比构成所述荧光体层的荧光体材料高的材料；

所述高伽马区域的膜厚大于等于1nm而小于等于10nm；

在形成于所述第一衬底与第二衬底之间的空隙中填充含Xe的放电气体；

Xe分压相对所述放电气体的总压力的比例为大于等于5％而小于等于100％。

2.如权利要求1记载的等离子体显示面板，其特征在于：

所述高伽马部含有金属氧化物而构成。

3.如权利要求2记载的等离子显示面板，其特征在于：

所述金属氧化物含有MgO以及SrO中的至少一种。

4.如权利要求2记载的等离子显示面板，其特征在于：

所述金属氧化物含有MgO；

所述高伽马部是使用电子束蒸镀法对所述金属氧化物进行蒸镀而形成的。

5.如权利要求1～4中任意一项记载的等离子显示面板，其特征在于：

Xe分压相对所述放电气体的总压力的比例大于等于5％而小于等于50％。

6.一种等离子体显示面板的制造方法，该等离子体显示面板中，在第一衬底与第二衬底之间隔开空隙对置配置，在所述第一衬底的所述空隙侧的区域形成荧光体层，其特征在于，

具有以下步骤：

荧光体层形成步骤，在所述第一衬底上，在与所述第二衬底对置的一侧的表面部分形成荧光体层；

高伽马部形成步骤，在所述荧光体层表面上，使用二次电子发射系数比形成所述荧光体层中所用的荧光体材料高的材料，覆盖形成保护膜状的高伽马部；

密封步骤，对所述第一衬底与第二衬底彼此的外周部进行密封；和

气体填充步骤，在所述空隙内填充含Xe的放电气体，

在所述高伽马部形成步骤中，以大于等于1nm而小于等于10nm的膜厚形成所述高伽马区域；

在所述气体填充步骤中，使用将Xe分压调整为大于等于5％而小于等于100％的放电气体。

7.如权利要求6记载的等离子体显示面板的制造方法，其特征在于：

在所述高伽马部形成步骤中，使用电子束蒸镀法形成所述高伽马部。

8.如权利要求6记载的等离子体显示面板的制造方法，其特征在于：

在所述高伽马部形成步骤中，使用含有MgO或SrO的材料形成所述高伽马部。

9.如权利要求6～8中任意一项记载的等离子体显示面板的制造方法，其特征在于，

在所述气体填充步骤中，使用将Xe分压调整为大于等于5％而小于等于50％的放电气体。

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