TWI768057B

TWI768057B - 封裝膜、包含其之有機電子裝置及製造有機電子裝置之方法

Info

Publication number: TWI768057B
Application number: TW107120068A
Authority: TW
Inventors: 文晶玉; 柳賢智; 睦英鳳; 梁世雨
Original assignee: 南韓商Ｌｇ化學股份有限公司
Priority date: 2017-06-09
Filing date: 2018-06-11
Publication date: 2022-06-21
Also published as: WO2018226077A1; CN110731017A; KR20180134776A; KR102145757B1; CN110731017B; JP2020522865A; US20200127230A1; TW201919891A; JP6953062B2; US11342534B2

Abstract

本申請案關於封裝膜、其製造方法、包含其之有機電子裝置及使用其製造有機電子裝置之方法，該封裝膜使得可形成能夠阻擋濕氣或氧氣自外部引入有機電子裝置中的結構，且可防止有機電子裝置出現亮點。

Description

封裝膜、包含其之有機電子裝置及製造有機電子裝置之方法

相關申請案之交互參照

本申請案主張在2017年6月9日提出之韓國專利申請案第10-2017-0072500號之優先權權益，其揭示內容整體以引用方式併入本文。

本申請案關於封裝膜、包含其之有機電子裝置及使用其製造有機電子裝置之方法。

有機電子裝置(OED)意指包含使用電洞及電子產生電荷交流之有機材料層的裝置，其實例可包括光伏打裝置、整流器、發射機和有機發光二極體(OLED)及類似者。

在上述有機電子裝置之中，有機發光二極體(OLED)具有比現有光源更低的電力消耗及更快的反應速度，且有利於顯示裝置或照明器之薄化。另外，OLED具有空間可用性且因此期能應用於各種領域涵蓋各種可攜式裝置、監視器、筆記型電腦及TV。

在OLED之商業化及應用擴展方面，最重要的問題為耐久性問題。內含在OLED中的有機材料和金屬電極等等非常容易因外部因素(諸如濕氣)而氧化。另外，亦有因可能在OLED裝置內部出現之釋氣(outgas)而出現OLED亮點的問題。亦即含有OLED之產品對環境因素具有高敏感性。據此已提出各種方法以有效阻擋氧氣或濕氣自外部滲入有機電子裝置(諸如OLED)中及抑制內部產生釋氣。

本申請案提供封裝膜，其使得可形成能夠阻擋濕氣或氧氣自外部引入有機電子裝置中的結構，且可防止有機電子裝置出現亮點。

本申請案關於封裝膜。封裝膜可應用於密封或封裝有機電子裝置，諸如例如OLED。

在本說明書中，術語〝有機電子裝置〞意指具有包含使用彼此相對的一對電極間的電洞及電子產生電荷交流(alternate current of charges)之有機材料層的結構之物件或裝置，其實例可包括但不限於光伏打裝置、整流器、發射機和有機發光二極體(OLED)及類似者。在本發明之一個實例中，有機電子裝置可為OLED。

一例示性有機電子元件封裝膜可包含封裝層。封裝層可密封形成於基板上之有機電子元件的頂端。在一個實例中，封裝膜可包含亮點抑制劑。在一個實施態樣中，如圖1(a)，封裝膜可包含至少兩個封裝層，其中封裝層可包含接觸有機電子元件之第一層(2)及不接觸有機電子元件之第二層(4)。另外，第二層(4)可包含亮點抑制劑(3)，其對釋氣(outgas)的吸附能，以密度泛函理論(density functional theory)計算，為0ev或更低。吸附能(adsorption energy)的下限值並無特別的限制，但是可為 -20eV。釋氣的類型並無特別的限制，但是可包括H原子、H₂ 分子及/或NH₃ 。因封裝膜包含亮點抑制劑，本申請案可阻擋濕氣引入有機電子元件中並且避免因釋氣出現在有機電子裝置中的亮點。另外，藉由在不接觸有機電子元件之第二層中包含亮點抑制劑，本申請案之封裝膜可根據由於亮點抑制劑之應力集中(stress concentration)而防止對有機電子元件的損害。鑑於上述，第一層可包含或可不包含以封裝膜中的總亮點抑制劑質量為基準計為15%或更低量之亮點抑制劑。另外，不接觸有機電子元件之層(不包括第一層)可包含以封裝膜中的總亮點抑制劑質量為基準計為85%或更多之亮點抑制劑。亦即在本申請案中，與接觸有機電子元件之第一層相比，不接觸有機電子元件之其他封裝層可包含較高含量的亮點抑制劑，由此避免加至元件的物理損害，同時實現膜的濕氣阻隔性質及防亮點性質。

在本申請案一實施態樣中，亮點抑制劑與亮點引起原子或分子之間的吸附能係可透過基於密度泛函理論的電子結構計算(electronic structure calculation)來計算。可藉由本領域已知的方法進行上述計算。例如，在本申請案中，於製造二維板狀結構(two-dimensional slab structure)(其中具有晶體結構之亮點抑制劑的最密堆積填充面(closest packed filling surface)暴露於表面上且接著進行結構最優化(structure optimization))、及對亮點引起分子吸附在此真空狀態之表面上的結構進行結構最優化之後，從此兩系統之總能量差(total energy difference)減去亮點引起分子(bright spot-causing molecule)之總能量所獲得的值被定義為吸附能(adsorption energy)。關於各系統之總能量計算，修正PBE函數(revised-PBE function)(為GGA(廣義梯度近似(generalized gradient approximation))系列函數)係用作為交換相關(exchange-correlation)以模擬電子與電子之間的交互作用，所使用之截止電子動能(cutoff of the electron kinetic energy)為500eV，且僅包含及計算對應於倒易空間(reciprocal space)之原點(origin)的γ點(gamma point)。採用共軛梯度法以使各系統之原子結構最優化且進行疊代計算(iterative calculation)，直到原子間力(interatomic force)為0.01 eV/Å或更低為止。一系列的計算係透過商業可用之程式碼(code)VASP進行。

亮點抑制劑的材料未受到限制，只要該材料為將封裝膜施加至有機電子裝置時具有防止有機電子裝置面板上的亮點之效果的材料。例如，亮點抑制劑可為能夠於從沈積在有機電子元件之電極上的氧化矽、氮化矽或氮氧化矽之無機沈積層產生釋氣時吸附例如H₂ 氣、氨(NH₃ )氣、H⁺ 、NH² 、NHR₂ 或NH₂ R等物質的材料。在此，R可為有機基團，例如，可為諸如烷基、烯基、炔基及類似者，但不限於此。

在一個實例中，亮點抑制劑的材料未受到限制，只要其符合上述吸附能值，其可為金屬或非金屬。亮點抑制劑可包括例如Li、Ni、Ti、Rb、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Zn、In、Pt、Pd、Fe、Cr、Si或彼等之調配物，可包括材料之氧化物或氮化物，且可包含材料之合金。在一個實例中，亮點抑制劑可包括鎳粒子、氧化鎳粒子、氮化鈦、鐵-鈦之鈦系合金粒子(titanium-based alloy particle)、鐵-錳之錳系合金粒子、鎂-鎳之鎂系合金粒子、稀土系合金粒子、沸石粒子、矽石粒子、碳奈米管(carbon nanotube)、石墨、鋁磷分子篩粒子(aluminophosphate molecular sieve particle)或中孔矽石粒子(meso silica particle)。在封裝膜中，相對於封裝層中的100重量份之樹脂組份，亮點抑制劑的含量可為3至150重量份、6至143重量份、8至131重量份、9至123重量份、10至116重量份、10至95重量份、10至50重量份、或10至35重量份。於上述含量範圍，本申請案可實現有機電子裝置之防亮點性，同時改進膜之黏著性及耐久性。另外，亮點抑制劑的粒徑可在10奈米(nm)至30微米(μm)、50奈米至21微米、105奈米至18微米、110奈米至12微米、120奈米至9微米、140奈米至4微米、150奈米至2微米、180奈米至900奈米、230奈米至700奈米或270奈米至400奈米之範圍。藉由包含亮點抑制劑，本申請案可一起實現封裝膜之濕氣阻隔性質及耐久可靠性(endurance reliability)，同時有效地吸附有機電子裝置中所產生的氫氣。在本說明書中，術語樹脂組份可為下文說明之封裝樹脂及/或黏合劑樹脂。

如上述，封裝層可具有二以上之多層化結構。當二或更多層組構成封裝層時，封裝層中的各層之組成可相同或不同。在一個實例中，封裝層可包含封裝樹脂及/或濕氣吸附劑，且封裝層可為壓敏性黏著層(pressure-sensitive adhesive layer)或為黏著層。

如圖1中所示，封裝層(2、4)可包含第一層(2)及第二層(4)，且封裝層之第二層(4)可包含亮點抑制劑(3)。另外，如圖1(b)，第二層可同時包含亮點抑制劑(3)及濕氣吸附劑(5)。此外，封裝層不限於上述者，其可形成三層化結構，如圖3和4中所示。在本申請案之封裝膜中，當封裝層具有三層化結構時，至少一個封裝層可包含亮點抑制劑及/或濕氣吸附劑。例如，亮點抑制劑及濕氣吸附劑可一起被包含在一個封裝層中或可分別存在於各別封裝層中。然而，當封裝膜施加至有機電子元件上時，第一層(2)(其為面對有機電子元件之封裝層)可不包含亮點抑制劑及濕氣吸附劑，或若有的話，亦可包含少量的該等者。

在本發明一實施態樣中，封裝樹脂之玻璃轉換溫度可為低於0℃、低於-10℃、低於-30℃、低於-50℃、或低於-60℃。在此，玻璃轉換溫度可為固化之後的玻璃轉換溫度，在一個實施態樣中，其可意指在以約1焦耳/平方公分(J/cm² )或更大的紫外光照射後的玻璃轉換溫度；或是在紫外線照射後進一步進行熱固化(thermosetting)後的玻璃轉換溫度。

在一個實例中，封裝樹脂可包含苯乙烯樹脂或彈性體(elastomer)、聚烯烴(polyolefin)樹脂或彈性體、其他的彈性體、聚氧化烯(polyoxyalkylene)樹脂或彈性體、聚酯樹脂或彈性體、聚氯乙烯樹脂或彈性體、聚碳酸酯樹脂或彈性體、聚苯硫(polyphenylene sulfide)樹脂或彈性體、烴類之混合物、聚醯胺樹脂或彈性體、丙烯酸酯樹脂或彈性體、環氧樹脂或彈性體、聚矽氧樹脂或彈性體、氟樹脂或彈性體或彼等之混合物及類似者。

在此，作為苯乙烯樹脂或彈性體的實例，可例如苯乙烯-乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SIS)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(ABS)、丙烯腈-苯乙烯-丙烯酸酯嵌段共聚物(ASA)、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBS)、苯乙烯均聚物或其混合物。作為烯烴樹脂或彈性體的實例，可例如高密度聚乙烯樹脂或彈性體、低密度聚乙烯樹脂或彈性體、聚丙烯樹脂或彈性體或其混合物。作為彈性體，可使用例如酯熱塑性彈性體、烯烴彈性體、聚矽氧彈性體、丙烯酸系彈性體(acrylic elastomer)或其混合物及類似者。特別地，作為烯烴熱塑性彈性體(olefin thermoplastic elastomer)，可使用聚丁二烯樹脂或彈性體或聚異丁烯樹脂或彈性體及類似者。作為聚氧化烯樹脂或彈性體的實例，可例如聚甲醛(polyoxymethylene)樹脂或彈性體、聚氧乙烯樹脂或彈性體或其混合物及類似者。作為聚酯樹脂或彈性體的實例，可例如聚對酞酸乙二酯樹脂或彈性體、聚對酞酸丁二酯(polybutylene terephthalate)樹脂或彈性體或其混合物及類似者。作為聚氯乙烯樹脂或彈性體的實例，可例如聚偏二氯乙烯(polyvinylidene chloride)及類似者。作為烴類之混合物的實例，可例如三十六烷(hexatriacotane)或石蠟及類似者。作為聚醯胺樹脂或彈性體的實例，可例如耐綸(nylon)及類似者。作為丙烯酸酯樹脂或彈性體的實例，可例如聚(甲基)丙烯酸丁酯及類似者。作為環氧樹脂或彈性體的實例，可例如雙酚類諸如雙酚A類、雙酚F類、雙酚S類和其氫化產物；酚醛清漆類(novolak type)諸如酚清漆類(phenol novolak type)或甲酚清漆類(cresol novolak type)；含氮環類諸如三環氧丙基三聚異氰酸酯類(triglycidyl isocyanurate type)或尿囊素類(hydantoin type)；脂環族類(alicyclic type)；脂族類；芳族類諸如萘類和聯苯類；環氧丙基類(glycidyl type)諸如環氧丙基醚類(glycidyl ether type)、環氧丙基胺類(glycidyl amine type)和環氧丙基酯類(glycidyl ester type)；二環類諸如二環戊二烯類(dicyclopentadiene type)；酯類；醚酯類(ether ester type)或其混合物，及類似者。作為聚矽氧樹脂或彈性體的實例，可例如聚二甲基矽氧烷(polydimethylsiloxane)及類似者。另外，作為氟樹脂或彈性體，可為例如聚三氟乙烯(polytrifluoroethylene)樹脂或彈性體、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene)樹脂或彈性體、聚氯三氟乙烯(polychlorotrifluoroethylene)樹脂或彈性體、聚六氟丙烯(polyhexafluoropropylene)樹脂或彈性體、聚偏二氟乙烯(polyfluorinated vinylidene)、聚氟乙烯(polyfluorinated vinyl)、聚氟乙烯丙烯(polyfluorinated ethylene propylene)或其混合物、及類似者。

亦可使用例如經順丁烯二酸酐或類似者接枝、透過用於製造樹脂或彈性體之單體而與其他樹脂或彈性體共聚合、及經其他化合物修飾之上文列示之樹脂或彈性體。上述其他化合物的實例可包括羧基封端之丁二烯-丙烯腈共聚物(carboxyl-terminal butadiene-acrylonitrile copolymer)及類似者。

在一個實例中，封裝層可包含但不限於上述類型之中的烯烴彈性體、聚矽氧彈性體或丙烯酸系彈性體、及類似者作為封裝樹脂。

在本發明之一個實施態樣中，封裝樹脂可為烯烴樹脂(olefin resin)。在一個實例中，烯烴樹脂可為丁烯單體之均聚物；藉由丁烯單體與其他可聚合單體共聚合而獲得的共聚物；使用丁烯單體之反應性寡聚物(reactive oligomer)；或其混合物。丁烯單體可包括例如1-丁烯、2-丁烯或異丁烯。

可與丁烯單體或衍生物聚合的其他單體可包括例如異戊二烯、苯乙烯或丁二烯及類似者。藉由使用共聚物，可維持物理性質諸如可加工性及交聯度，且因此施加至有機電子裝置時可確保黏著劑本身的耐熱性。

另外，使用丁烯單體之反應性寡聚物可包含具有反應性官能基之丁烯聚合物。寡聚物可具有在500至5,000範圍內的重量平均分子量。此外，丁烯聚合物可與具有反應性官能基之其他聚合物偶合。其他的聚合物可為但不限於(甲基)丙烯酸烷酯。反應性官能基可為羥基、羧基、異氰酸基(isocyanate group)或含氮基團。反應性寡聚物及其他的聚合物亦可藉由多官能性交聯劑交聯，且多官能性交聯劑(multifunctional cross-linking agent)可為選自由下列者所組成之群組的至少一者：異氰酸酯(isocyanate)交聯劑、環氧(epoxy)交聯劑、吖

(aziridine)交聯劑和金屬螯合物(metal chelate)交聯劑。

在一個實例中，本申請案之封裝樹脂可為二烯與含有一個碳-碳雙鍵的烯烴系化合物之共聚物。在此，烯烴系化合物可包括丁烯或類似者，二烯可為能夠與烯烴系化合物聚合之單體，且可包括例如異戊二烯或丁二烯及類似者。例如，含有一個碳-碳雙鍵的烯烴系化合物與二烯之共聚物可為丁基橡膠。

在封裝層中，樹脂或彈性體組份可具有使得壓敏性黏著劑組成物可形成膜形狀的程度之重量平均分子量(Mw)。例如，樹脂或彈性體可具有約100,000至2,000,000、120,000至1,500,000、或150,000至1,000,000或之類的重量平均分子量。術語重量平均分子量在本文意指相對於以GPC(凝膠滲透層析術)所測量之標準聚苯乙烯所轉換之值。然而，樹脂或彈性體並非必需要具有上述重量平均分子量。例如，在樹脂或彈性體組份之分子量未達足以形成膜之量的情況中，可將單獨的黏合劑樹脂摻入壓敏性黏著劑組成物中。

在另一實施態樣中，根據本申請案之封裝樹脂可為可固化樹脂。封裝樹脂為可固化樹脂時，封裝樹脂可為在固化後具有85℃或更高的玻璃轉換溫度之樹脂。玻璃轉換溫度可為在光固化或熱固化封裝樹脂後的玻璃轉換溫度。可用於本發明之特定種類的可固化樹脂並無特別的限制，例如可使用本領域中已知的各種熱固性或光可固化樹脂。術語〝熱固性樹脂(thermosetting resin)〞意指可通過適當的熱施加或老化(aging)製程而固化之樹脂，且術語〝光可固化樹脂(photo-curable resin)〞意指可藉由電磁波照射而固化之樹脂。此外，可固化樹脂可為包括熱固化及光固化性質的雙重可固化樹脂。

在本申請案中，可固化樹脂的具體種類並無特別的限制，只要其具有上述特性即可。例如，可固化以展現黏著性質的那些係可包括含有一或更多可熱固化官能基(諸如環氧丙基(glycidyl group)、異氰酸基(isocyanate group)、羥基(hydroxy group)、羧基(carboxyl group)或醯胺基(amide group))或一或更多能夠藉由電磁波照射而固化之官能基(諸如環氧基(epoxide group)、環醚基(cyclic ether group)、硫基(sulfide group)、縮醛基(acetal group)或內酯基(lactone group))之樹脂。此等樹脂的具體種類亦可包括丙烯酸系樹脂、聚酯樹脂、異氰酸酯樹脂或環氧樹脂及類似者，但本發明不限於此。

在本申請案中，可使用芳族或脂族、或直鏈或支鏈環氧樹脂作為可固化樹脂。在本發明之一個實施態樣中，可使用具有180克/當量(g/eq)至1,000克/當量之環氧當量(epoxy equivalent)的環氧樹脂，其含有二或更多官能基。藉由使用具有上述範圍之環氧當量的環氧樹脂，可有效地維持固化產物的特性諸如黏著性能及玻璃轉換溫度。此等環氧樹脂的實例可包括下列中之一者或是二或更多者之混合物：甲酚清漆環氧樹脂(cresol novolac epoxy resin)、雙酚A型環氧樹脂、雙酚A型清漆環氧樹脂(bisphenol A type novolak epoxy resin)、酚清漆環氧樹脂(phenol novolak epoxy resin)、四官能性環氧樹脂(tetrafunctional epoxy resin)、聯苯型環氧樹脂(biphenyl type epoxy resin)、三酚甲烷型環氧樹脂(triphenol methane type epoxy resin)、經烷基修飾之三酚甲烷環氧樹脂(alkyl-modified triphenol methane epoxy resin)、萘型環氧樹脂(naphthalene type epoxy resin)、二環戊二烯型環氧樹脂(dicyclopentadiene type epoxy resin)和經二環戊二烯修飾之酚型環氧樹脂(dicyclopentadiene-modified phenol type epoxy resin)。

在本申請案中，可使用在分子結構中包含環結構之環氧樹脂作為可固化樹脂，及可使用包含芳族基團(例如苯基)之環氧樹脂作為可固化樹脂。當環氧樹脂包含芳族基團時，固化產物具有極佳的熱穩定性及化學穩定性，且同時展現低的濕氣吸收量(moisture absorption amount)，由此可改進有機電子裝置封裝結構的可靠性。可用於本發明之含芳族基團之環氧樹脂的具體實例可為下列中之一者或是二或更多者之混合物：聯苯型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、經二環戊二烯修飾之酚型環氧樹脂、甲酚系環氧樹脂、雙酚系環氧樹脂、二甲苯(xylol)系環氧樹脂、多官能性環氧樹脂、酚清漆環氧樹脂、三酚甲烷型環氧樹脂和經烷基修飾之三酚甲烷環氧樹脂、及類似者，但本發明不限於此。

另外，在一個實例中，本申請案之封裝層可包含與封裝樹脂具有高相容性及可與封裝樹脂一起形成特定的交聯結構之活性能射線可聚合化合物(active energy ray polymerizable compound)。在此例子中，封裝樹脂可為可交聯樹脂。

例如，本申請案之封裝層可取決於封裝樹脂類型而包含多官能性活性能射線可聚合化合物(multifunctional active energy ray polymerizable compound)，其可藉由活性能射線照射而與封裝樹脂一起聚合。活性能射線可聚合化合物可意指包含二或更多能夠藉由活性能射線照射而參與聚合反應的官能基之化合物，例如含有乙烯系不飽和雙鍵(ethylenically unsaturated double bond)之官能基(諸如丙烯醯基(acryloyl group)或甲基丙烯醯基(methacryloyl group))、或諸如環氧基或氧呾基(oxetane group)之官能基。

可使用例如多官能性丙烯酸酯(multifunctional acrylate)(MFA)作為多官能性活性能射線可聚合化合物。

再者，相對於100重量份之封裝樹脂，活性能射線可聚合化合物的含量可為5至30重量份、5至25重量份、8至20重量份、10至18重量份或12至18重量份。在上述範圍，本申請案提供即使在諸如高溫及高濕度的嚴苛條件下亦具有極佳的耐久可靠性之封裝膜，。

可使用能藉由活性能射線照射而聚合之多官能性活性能射線可聚合化合物而沒有任何限制。例如，化合物可包括1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,3-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,8-辛二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,12-十二烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二(甲基)丙烯酸二環戊酯(dicyclopentanyl di(meth)acrylate)、環己烷-1,4-二醇二(甲基)丙烯酸酯(cyclohexane-1,4-diol di(meth)acrylate)、三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、二羥甲基二環戊烷二(甲基)丙烯酸酯(dimethyloldicyclopentane di(meth)acrylate)、經新戊二醇修飾之三羥甲丙烷二(甲基)丙烯酸酯(neopentylglycol-modified trimethylol propane di(meth)acrylate)、二(甲基)丙烯酸金剛烷酯(admantane di(meth)acrylate)、三羥甲丙烷三(甲基)丙烯酸酯(trimethylolpropane tri(meth)acrylate)、或其混合物。

可使用例如具有少於1,000之分子量且含有二或更多官能基之化合物作為多官能性活性能射線可聚合化合物。在此例子中，分子量可意指重量平均分子量或一般分子量(typical molecular weight)。包括在多官能性活性能射線可聚合化合物中的環結構可為下列中的任一者：碳環結構或雜環結構；或單環或多環結構。

在本申請案一實施態樣中，封裝層可進一步包含自由基引發劑。自由基引發劑(radical initiator)可為光引發劑或熱引發劑。光引發劑之具體種類可以考量固化速率和黃化(yellowing)可能性等等而適當地選擇。例如，可使用基於安息香(benzoin-based)、基於羥基酮(hydroxy ketone-based)、基於胺基酮(amino ketone-based)或基於膦氧化物(phosphine oxide-based)之光引發劑及類似者，具體地，可使用安息香(benzoin)、安息香甲醚(benzoin methyl ether)、安息香乙醚(benzoin ethyl ether)、安息香異丙醚(benzoin isopropyl ether)、安息香正丁醚(benzoin n-butyl ether)、安息香異丁醚(benzoin isobutyl ether)、苯乙酮(acetophenone)、二甲胺基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基-2-苯基苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙-1-酮(2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one)、1-羥基環己基苯基酮(1-hydroxycyclohexylphenyl ketone)、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-N-

啉基-丙-1-酮(2-methyl-1-[4-(methylthio)phenyl]-2-morpholino-propan-1-one)、4-(2-羥乙氧基)苯基-2-(羥基-2-丙基)酮、二苯甲酮(benzophenone)、對-苯基二苯甲酮(p-phenylbenzophenone)、4,4'-二乙胺基二苯甲酮(4,4’-diethylaminobenzophenone)、二氯二苯甲酮(diclorobenzophenone)、2-甲基蒽醌(2-methylanthraquinone)、2-乙基蒽醌、2-三級丁基蒽醌、2-胺基蒽醌、2-甲基硫代𠮿酮(2-methylthioxanthone)、2-乙基硫代𠮿酮(2-ethylthioxanthone)、2-氯硫代𠮿酮(2-chlorothioxanthone)、2,4-二甲基硫代𠮿酮(2,4-dimethylthioxanthone)、2,4-二乙基硫代𠮿酮(2,4-diethylthioxanthone)、苄基二甲基縮酮(benzyl dimethyl ketal)、苯乙酮二甲縮酮(acetophenone dimethyl ketal)、對-二甲基胺基苄酸酯(p-dimethylaminobenzoic acid ester)、寡[2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮](oligo[2-hydroxy-2-methyl-1-[4-(1-methylvinyl)phenyl] propanone] )和2,4,6-三甲基苄醯基-二苯基-氧化膦(2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenyl-phosphine oxide)、及類似者。

相對於100重量份之活性能射線可聚合化合物，含有自由基引發劑的比例可為0.2至20重量份、0.5至18重量份、1至15重量份、或2至13重量份。因此，可有效地誘發活性能射線可聚合化合物的反應且亦可防止因固化後的殘餘組份造成封裝層組成物之物理性質的劣化。

在本申請案一實施態樣中，封裝膜之封裝層可取決於欲包括之樹脂組份種類而進一步包含固化劑。例如，其可進一步包含能夠與上述封裝樹脂反應以形成交聯結構或類似者的固化劑。在本說明書中，術語封裝樹脂及/或黏合劑樹脂在作為樹脂組份上可以相同意義使用。

固化劑的種類可取決於樹脂組份種類或樹脂中所含的官能基而適當地選擇及使用。

在一個實例中，樹脂組份為環氧樹脂時，固化劑為本領域已知的環氧樹脂之固化劑，例如，可使用胺固化劑、咪唑固化劑、酚固化劑、磷固化劑或酸酐固化劑、及類似者中之一者或二者或更多者，但不限於此。

在一個實例中，可使用在室溫下為固體及具有80℃或更高的熔點或分解溫度之咪唑化合物作為固化劑。此等化合物的實例可為例如2-甲基咪唑、2-十七烷基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、或1-氰乙基-2-苯基咪唑及類似者，但不限於此。

固化劑的含量可取決於組成物的組成而選擇，例如封裝樹脂之類型或比例。例如，相對於100重量份之樹脂組份，固化劑的含量可為1至20重量份、1至10重量份或1至5重量份。然而，重量比可取決於封裝樹脂之類型和比例、或樹脂之官能基、或欲成就之交聯密度等等而改變。

樹脂組份為可藉由活性能射線照射而固化之樹脂時，可使用例如陽離子光聚合引發劑作為引發劑。

可使用鎓鹽有機金屬鹽系列之離子性陽離子引發劑(ionized cationic initiator)、或者有機矽烷或潛伏型磺酸(latent sulfonic acid)系列之非離子性陽離子光聚合引發劑(nonionized cationic photopolymerization initiator)作為陽離子光聚合引發劑(cationic photopolymerization initiator)。作為鎓鹽系列之引發劑的實例可為二芳基錪鹽(diaryliodonium salt)、三芳基鋶鹽(triarylsulfonium salt)或芳基重氮鹽(aryldiazonium salt)、及類似者，作為有機金屬鹽系列之引發劑的實例可為鐵芳烴(iron arene)及類似者，作為有機矽烷系列之引發劑的實例可為鄰-硝基苄基三芳基矽醚(o-nitrobenzyl triaryl silyl ether)、過氧化三芳基矽烷(triaryl silyl peroxide)或醯基矽烷(acyl silane)、及類似者，以及，作為潛伏型磺酸系列之引發劑的實例可為α-磺醯氧基酮(α-sulfonyloxy ketone)或α-羥甲基安息香磺酸酯(α-hydroxymethylbenzoin sulfonate)、及類似者，但不限於此。

在一個實例中，可使用離子性陽離子光聚合引發劑作為陽離子引發劑。

在一個實例中，封裝層可進一步包含膠黏劑(tackifier)，其中該膠黏劑較佳地可為氫化環烯烴聚合物(hydrogenated cyclic olefin polymer)。可使用例如藉由氫化(hydrogenating)石油樹脂(petroleum resin)而獲得的氫化石油樹脂(hydrogenated petroleum resin)作為膠黏劑。氫化石油樹脂可為部分或完全氫化，且亦可為此等樹脂之混合物。可選擇具有與壓敏性黏著劑組成物之良好的相容性、極佳的濕氣阻隔性質及少量的有機揮發性組份之膠黏劑。氫化石油樹脂的具體實例可包括氫化萜樹脂(hydrogenated terpene resin)、氫化酯樹脂(hydrogenated ester resin)或氫化二環戊二烯樹脂(hydrogenated dicyclopentadiene resin)、及類似者。膠黏劑可具有約200至5,000之重量平均分子量。需要時可適當地調整膠黏劑的含量。例如，根據一個實例，相對於100重量份之樹脂組份，膠黏劑的含量可為以5至100重量份、8至95重量份、10至93重量份或15至90重量份之比例含有。

如上文所述，封裝層可進一步包含濕氣吸附劑。在本說明書中，術語〝濕氣吸附劑(moisture adsorbent)〞可意指能夠例如藉由與透入封裝膜之濕氣或潮氣的化學反應而移除濕氣(moisture)或潮氣(humidity)之化學反應吸附劑，如下文所述。

例如，濕氣吸附劑可呈均勻分散狀態存在於封裝層或封裝膜中。在此，均勻分散狀態(evenly dispersed state)可意指濕氣吸附劑係以相同或實質相同的密度均勻存在於封裝層或封裝膜之任何部位的狀態。可用於上文之濕氣吸附劑可包括例如金屬氧化物、硫酸鹽或有機金屬氧化物及類似者。具體而言，硫酸鹽的實例可包括硫酸鎂、硫酸鈉或硫酸鎳及類似者，以及有機金屬氧化物的實例可包括氧化辛酸鋁(aluminum oxide octylate)及類似者。在此，金屬氧化物的具體實例可包括五氧化二磷(P₂ O₅ )、氧化鋰(Li₂ O)、氧化鈉(Na₂ O)、氧化鋇(BaO)、氧化鈣(CaO)或氧化鎂(MgO)及類似者，以及金屬鹽的實例可包括硫酸鹽諸如硫酸鋰(Li₂ SO₄ )、硫酸鈉(Na₂ SO₄ )、硫酸鈣(CaSO₄ )、硫酸鎂(MgSO₄ )、硫酸鈷(CoSO₄ )、硫酸鎵(Ga₂ (SO₄ )₃ )、硫酸鈦(Ti(SO₄ )₂ )或硫酸鎳(NiSO₄ )；金屬鹵化物諸如氯化鎂(MgCl₂ )、氯化鍶(SrCl₂ )、氯化釔(YCl₃ )、氯化銅(CuCl₂ )、氟化銫(CsF)、氟化鉭(TaF₅ )、溴化鋰(LiBr)、溴化鈣(CaBr₂ )、溴化鈰(CeBr₃ )、溴化硒(SeBr₄ )、溴化釩(VBr₃ )、溴化鎂(MgBr₂ )、碘化鋇(BaI₂ )或碘化鎂(MgI₂ )；或金屬氯酸鹽諸如過氯酸鋇(Ba(ClO₄ )₂ )或過氯酸鎂(Mg(ClO₄ )₂ )，以及類似者，但不限於此。亦可使用上述成分中之一者或二或更多者作為可內含在封裝層中的濕氣吸附劑。在一個實例中，使用二或更多者作為濕氣吸附劑時，可使用煅燒白雲石(calcined dolomite)及類似者。

此等濕氣吸附劑可取決於應用而控制至適當的大小。在一個實例中，濕氣吸附劑之平均粒徑可控制為100至15000奈米、500奈米至10000奈米、800奈米至8000奈米、1微米至7微米、2微米至5微米、或2.5微米至4.5微米。具有在上述範圍內的大小之濕氣吸附劑不會與濕氣有太快的反應速率因此容易貯存，且可不損害欲封裝之元件及有效地移除濕氣，而不干擾與亮點抑制劑有關的氫氣吸附過程。此外，在本申請案一實施態樣中，亮點抑制劑粒徑對濕氣吸附劑粒徑之比可在0.01至1.5或0.1至0.95之範圍內。在本說明書中，粒徑可意指平均粒徑，且可以D50粒徑分析儀(D50 particle size analyzer)藉由已知方法測量。本申請案可藉由控制存在於膜內部的亮點抑制劑及濕氣吸附劑之粒徑比而實現濕氣阻隔性質(其為封裝膜之原功能)、和元件的可靠性以及防亮點性(bright spot prevention)。

濕氣吸附劑的含量並無特別的限制，其可考量所欲阻擋特性而適當地選擇。在一個實例中，本申請案之封裝膜的亮點抑制劑對濕氣吸附劑之重量比可在0.05至0.8或0.1至0.7之範圍內。在本申請案中，亮點抑制劑係分散在膜中以防止亮點，但是考量到濕氣阻隔性質(其為封裝膜之固有功能)及元件可靠性之實現，可以與濕氣吸附劑之特定含量比來包含該添加用以防止亮點之亮點抑制劑。

需要時，封裝層亦可包含濕氣阻擋劑。在本說明書中，術語〝濕氣阻擋劑(moisture blocker)〞可意指與濕氣沒有或具有低反應性、但是可物理性阻擋或阻礙濕氣或潮氣在膜內移動的材料。可使用例如黏土、滑石、似針狀矽石(needle-like silica)、似板狀矽石(plate-like silica)、多孔矽石(porous silica)、沸石、氧化鈦(titania)或氧化鋯(zirconia)中之一者或二或更多者作為濕氣阻擋劑。另外，濕氣阻擋劑可用有機修飾劑或類似者作表面處理以促進有機物質透入。可使用例如二甲基苄基氫化牛脂四級銨(dimethyl benzyl hydrogenated tallow quaternary ammonium)、二甲基氫化牛脂四級銨(dimethyl hydrogenated tallow quaternary ammonium)、甲基牛脂雙-2-羥乙基四級銨(methyl tallow bis-2-hydroxyethyl quaternary ammonium)、二甲基氫化牛脂2-乙基己基四級銨(dimethyl hydrogenated tallow 2-ethylhexyl quaternary ammonium)、二甲基去氫化牛脂四級銨(dimethyl dehydrogenated tallow quaternary ammonium)或其混合物、以及類似者作為此等有機修飾劑。

濕氣阻擋劑的含量並無特別的限制且可考量所欲阻擋特性而適當地選擇。

除了上述成分以外，封裝層可取決於下文所述之封裝膜應用及製造方法而包含各種添加劑。例如，取決於所欲之物理性質，封裝層可包含適當的含量範圍之可固化材料、交聯劑、填充劑或類似者。

封裝層係由二或更多層形成時，不接觸有機電子元件之第二層可包含濕氣吸附劑。例如，在形成二或更多層的例子中，在封裝層中接觸有機電子元件之層可不包含濕氣吸附劑，或可包含相對於100重量份之封裝樹脂為少於5重量份或少於4重量份之少量的濕氣吸附劑。

具言之，鑒於封裝膜係應用於有機電子元件之封裝，可慮及元件等等的損害來控制濕氣吸附劑的含量。例如，與元件接觸之第一層可包含少量的濕氣吸附劑或可不包含濕氣吸附劑。在一個實例中，與元件接觸的封裝層之第一層可包含相對於封裝膜內含有的濕氣吸附劑總質量為0至20%之濕氣吸附劑。另外，不接觸元件之封裝層可包含相對於封裝膜內含有的濕氣吸附劑總質量為80至100%之濕氣吸附劑。

在本申請案一實施態樣中，封裝膜可進一步包含形成於封裝層上之金屬層。如上述的本申請案之金屬層的熱傳導率(thermal conductivity)可為50 W/m･K或更高、60 W/m･K或更高、70 W/m･K或更高、80 W/m･K或更高、90 W/m･K或更高、100 W/m･K或更高、110 W/m･K或更高、120 W/m･K或更高、130 W/m･K或更高、140 W/m･K或更高、150 W/m･K或更高、200 W/m･K或更高、或210 W/m･K或更高。熱傳導率的上限並無特別的限制，其可為800 W/m･K或更低。藉由具有此高的熱傳導率，可更快速地釋放在金屬層黏結製程時於黏結界面所產生的熱。因為高的熱傳導率，亦可快速地釋放在有機電子裝置操作期間累積的熱，因而可使有機電子裝置本身保持於較低溫度，及減少龜裂和缺陷發生。熱傳導率可在15至30℃之溫度範圍內的任何溫度下測量。

術語〝熱傳導率(thermal conductivity)〞在本文為表示材料能夠藉傳導而轉移熱之能力的程度，其中，單位可以W/m･K表示。該單位表示材料在相同的溫度及距離下轉移熱的程度，其意指熱的單位(瓦特(watt))相對於距離的單位(公尺)及溫度的單位(克耳文(kellvin))。

在本申請案一實施態樣中，封裝膜之金屬層可為透明或不透明的。金屬層的厚度可在3微米至200微米、10微米至100微米、20微米至90微米、30微米至80微米、或40微米至75微米之範圍。本申請案可提供薄膜型封裝膜，同時藉由控制金屬層厚度而實現充分的熱釋放效果。金屬層可為薄的金屬箔或以金屬沈積之聚合物基底層。金屬層並無特別的限制，只要其為符合上述熱傳導率且含有金屬的材料。金屬層可包括下列任一者：金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、金屬氮氧化物(metal oxynitride)、金屬硼氧化物(metal oxyboride)、及彼等之調配物。例如，金屬層可包含合金(其中一或更多金屬元素或非金屬元素添加至一金屬中)，及可包含例如不銹鋼(SUS)。另外，在一個實例中，金屬層可包含鐵、鉻、銅、鋁、鎳、氧化鐵、氧化鉻、矽氧化物(silicon oxide)、氧化鋁、氧化鈦、氧化銦、氧化錫、銦錫氧化物(indium tin oxide)、氧化鉭、氧化鋯、氧化鈮、及彼等之調配物。可藉助於電解、輥壓(rolling)、熱蒸發、電子束蒸發、濺鍍(sputtering)、反應性濺鍍(reactive sputtering)、化學蒸氣沈積(chemical vapor deposition)、電漿化學蒸氣沈積(plasma chemical vapor deposition)或電子迴旋加速共振源電漿化學蒸氣沈積(electron cyclotron resonance source plasma chemical vapor deposition)而沈積金屬層。在本申請案之一個實例中，金屬層可藉由反應性濺鍍而沈積。

一般，經常使用鎳-鐵合金(Invar)作為封裝膜，但是鎳-鐵合金具有其價格昂貴、其熱傳導率低及其切割性質差的缺點。本申請案提供不使用鎳-鐵合金作為金屬層之封裝膜，其防止有機電子裝置之亮點產生、具有極佳的熱釋放特性、及由於磁性而實現製程的方便性。

在本申請案一實施態樣中，封裝層可包含含有磁性粒子之磁性層。在本說明書中，包含磁性粒子之封裝層可稱為磁性層。磁性層可形成於第二層與金屬層之間，或可形成於金屬層上。當包括磁性層時，封裝膜中所含的亮點抑制劑可存在於磁性層中，但不限於此。當包括磁性粒子時，亮點抑制劑的含量，相對於封裝膜中的100重量份之磁性粒子，可為1至120重量份、5至109重量份、7至100重量份、9至92重量份或10至83重量份。本申請案使得能藉由包含含有磁性粒子之磁性層而以磁性進行製程。具言之，根據本申請案之封裝膜具有充分的磁性，由此可使膜藉磁體固定，據此改進生產力(因為不需要固定膜的額外製程)。

在一個實例中，封裝層包含磁性層時，封裝膜可包含第一層(2)、含有亮點抑制劑(3)和濕氣吸附劑(5)之第二層(4)、以及含有磁性粒子(7)之封裝層(磁性層，6)，如圖2中所示。

磁性層的材料並無特別的限制，只要其包含磁性粒子。在一個實例中，磁性層可為包含壓敏性黏著劑組成物或黏著劑組成物之壓敏性黏著層或黏著層。

磁性層可進一步包含黏合劑樹脂。構成黏合劑樹脂的材料並無特別的限制。在一個實例中，黏合劑樹脂可包括丙烯酸系樹脂、環氧樹脂、聚矽氧樹脂、氟樹脂、胺甲酸酯樹脂(urethane resin)、苯乙烯樹脂、聚烯烴樹脂、熱塑性彈性體、聚氧化烯樹脂(polyoxyalkylene resin)、聚酯樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚苯硫樹脂、聚醯胺樹脂或其混合物，但不限於此。黏合劑樹脂可具有低於0℃、低於-10℃、低於-30℃、低於-50℃、或低於-60℃之玻璃轉換溫度。在此，玻璃轉換溫度可為固化後的玻璃轉換溫度，在一個實施態樣中，其可意指在以約1焦耳/平方公分(J/cm² )或更高的紫外光照射後的玻璃轉換溫度；或在紫外光照射後進一步進行熱固化(thermosetting)後的玻璃轉換溫度。

在一個實例中，磁性粒子的種類並無特別的限制，只要其具有磁性即可，其可為本領域已知的材料。例如，磁性粒子可為Cr、Fe、Pt、Mn、Zn、Cu、Co、Sr、Si、Ni、Ba、Cs、K、Ra、Rb、Be、Y、B、其合金或其氧化物，在本申請案一實施態樣中，磁性粒子可包括Cr、Fe、Fe₃ O₄ 、Fe₂ O₃ 、MnFe₂ O₄ 、BaFe₁₂ O₁₉ 、SrFe₁₂ O₁₉ 、CoFe₂ O₄ 、CoPt或FePt。在一個實例中，磁性粒子的大小可在10奈米至200微米、90奈米至180微米、120奈米至130微米、280奈米至110微米、450奈米至100微米、750奈米至90微米、950奈米至70微米、990奈米至30微米、或995奈米至20微米之範圍。呈粉末形式之磁性粒子可與磁性層之黏合劑樹脂一起形成磁性層。另外，在本申請案一實施態樣中，相對於100重量份之磁性粒子，黏合劑樹脂的含量可為5至30重量份、8至28重量份、9至23重量份、10至18重量份或11至14重量份。以上述比例包括黏合劑樹脂及磁性粒子，膜可以具有充分磁性的磁體固定，且可提供在如上述之防亮點及濕氣阻隔方面具有所欲的高可靠性之膜。另一方面，兼具磁性、防亮點性能及/或濕氣吸附性能的粒子可存在於本申請案之封裝膜內部，且在此例子中，粒子可具有亮點抑制劑、磁性粒子及/或濕氣吸附劑之所有作用。此外，在本申請案中，有二或更多種粒子存在時，具有較低吸附能之粒子可定義為亮點抑制劑。

在一個實例中，磁性層的厚度可在5微米至200微米、10微米至150微米、13微米至120微米、18微米至90微米、22微米至70微米、或26微米至50微米之範圍。本申請案可提供薄膜型封裝膜，同時藉由控制磁性層厚度在上述範圍內而給出充分的磁性質。

封裝膜可進一步包含基底膜(base film)或脫離膜(release film)(在下文可稱為〝第一膜〞)，其可具有封裝層係形成於基底膜或脫離膜上之結構。該結構亦可進一步包含形成於金屬層上之基底膜或脫離膜(在下文可稱為〝第二膜〞)。

可用於本申請案之第一膜的具體種類並無特別的限制。在本申請案中，可使用例如本領域中之一般聚合物膜作為第一膜。在本申請案中，作為基底膜或脫離膜可使用例如聚對酞酸乙二酯膜(polyethylene terephthalate film)、聚四氟乙烯膜(polytetrafluoroethylene film)、聚乙烯膜(polyethylene film)、聚丙烯膜(polypropylene film)、聚丁烯膜(polybutene film)、聚丁二烯膜(polybutadiene film)、聚氯乙烯膜、聚胺甲酸酯膜(polyurethane film)、乙烯-乙酸乙烯酯膜(ethylene-vinyl acetate film)、乙烯-丙烯共聚物膜、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物膜(ethylene-ethyl acrylate copolymer film)、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物膜或聚醯亞胺膜(polyimide film)及類似者。另外，適合的脫模處理可在本申請案之基底膜或脫離膜的一側或兩側進行。用於基底膜的脫離處理之脫離劑(releasing agent)的實例可使用酸醇系列(alkyd series)、聚矽氧系列、氟系列、不飽和酯系列(unsaturated ester series)、聚烯烴系列或蠟系列及類似者，在該等之中，就耐熱性而言較佳係使用酸醇系列、聚矽氧系列或氟系列之脫離劑，但不限於此。

在本申請案中，如上述之基底膜或脫離膜(第一膜)的厚度並無特別的限制，其可取決於欲施加之應用而適當地選擇。例如，在本申請案中，第一膜的厚度可為10微米至500微米，較佳為20微米至200微米等等。若厚度小於10微米，則基底膜會在製程期間容易發生變形，而若其超過500微米，則經濟效益低。

包括在本申請案之封裝膜中的封裝層之厚度並無特別的限制，其可根據後續條件考量施加至膜之應用而適當地選擇。封裝層的厚度可為5微米至200微米，較佳為5微米至100微米等等。封裝層的厚度可為多層化封裝層的整體厚度。若封裝層的厚度小於5微米，則無法展現充分的濕氣阻擋能力，而若其超過200微米，則難以確保加工性，由於濕氣反應性所致之大的厚度膨脹，會使得有機發光元件之沈積膜受損且經濟效益低。

本申請案亦關於有機電子裝置。如圖5中所示，有機電子裝置可包含基板(21)、形成於基板(21)上之有機電子元件(23)、以及用於封裝有機電子元件(23)的上述之封裝膜(1)。封裝膜可封裝形成於基板上之有機電子元件的頂端(例如整個上部)及側表面。封裝膜可包含封裝層，其含有呈交聯或固化狀態之壓敏性黏著劑組成物或黏著劑組成物。此外，有機電子裝置可藉由密封封裝層以接觸形成於基板上之有機電子元件的頂端而形成。

在本申請案一實施態樣中，有機電子元件可包含一對電極、含有至少一發光層之有機層、以及鈍化膜(passivation film)。具言之，有機電子元件可包含第一電極層、形成於第一電極層上且含有至少一發光層之有機層、以及形成於有機層上之第二電極層，且可包含鈍化膜用於保護電極(在第二電極層及有機層上)。第一電極層可為透明電極層或反射電極層，第二電極層亦可為透明電極層或反射電極層。更特定言之，有機電子元件可包含形成於基板上之透明電極層、形成於透明電極層上且含有至少一發光層之有機層、以及形成於該有機層上之反射電極層。

在此，有機電子元件可為例如有機發光元件。

鈍化膜可包含無機膜及有機膜。在一個實施態樣中，無機膜可為一或多種選自由Al、Zr、Ti、Hf、Ta、In、Sn、Zn和Si所組成之群組的金屬氧化物或氮化物。無機膜可具有0.01微米至50微米、或0.1微米至20微米、或1微米至10微米之厚度。在一個實例中，本申請案之無機膜可為不含有摻雜劑之無機材料或可為含有摻雜劑之無機材料。可摻雜之摻雜劑可為一或多種選自由下列所組成之群組的元素：Ga、Si、Ge、Al、Sn、Ge、B、In、Tl、Sc、V、Cr、Mn、Fe、Co和Ni、或元素之氧化物，但不限於此。有機膜與含有至少一發光層之有機層的區別在於有機膜不含發光層，及可為含有環氧化合物之有機沈積層。

無機膜或有機膜可藉由化學蒸氣沈積(CVD)而形成。例如，可使用氮化矽(SiNx)作為無機膜。在一個實例中，用作為無機膜的氮化矽(SiNx)可沈積至0.01至50微米之厚度。在一個實例中，有機膜的厚度可在2微米至20微米、2.5微米至15微米、及2.8微米至9微米之範圍。

本申請案亦提供製造有機電子裝置之方法。製造方法可包含將上述封裝膜施加至其上形成有機電子元件之基板以覆蓋有機電子元件的步驟。另外，製造方法可包含固化封裝膜的步驟。封裝膜之固化步驟可意指封裝層之固化，其可在封裝膜覆蓋有機電子元件之前或之後進行。

在本說明書中，術語〝固化〞可意指本發明之壓敏性黏著劑組成物透過加熱或UV照射製程及類似製程而形成交聯結構，以製成壓敏性黏著劑形式。或者，其可意指將黏著劑組成物固化且作為黏著劑附著。

具言之，有機電子元件之形成係可藉由：以諸如真空蒸發或濺鍍之方法在用作為基板的玻璃或聚合物膜上形成透明電極，在透明電極上形成由例如電洞傳輸層、發光層和電子傳輸層及類似者所組成之發光有機材料層，及接著進一步在其上形成電極層。接著安置封裝膜之封裝層以覆蓋經歷上述製程的基板之有機電子元件的頂端。

本申請案之封裝膜可應用於有機電子裝置(諸如OLED)之密封或封裝。膜係使得可形成能夠阻擋濕氣或氧氣自外部引入有機電子裝置中的結構，且可防止有機電子裝置出現亮點。

最好的模式

在下文，透過根據本發明之實施例及非根據本發明之比較例以更詳細地說明本發明，但是本發明之範圍並不受下列實施例所限。

實施例1 製造封裝層

為了製備第一層溶液，製備其中180克丁基橡膠樹脂(BT-20, Sunwoo Chemtech)及60克DCPD石油樹脂(SU5270, Sunwoo Chemtech)以甲苯稀釋之溶液(固體含量50%)且接著將溶液均勻化(homogenize)。將10克多官能性丙烯酸酯(三羥甲丙烷三丙烯酸酯(trimethylolpropane triacrylate), Miwon)及3克光引發劑(Irgacure 819, Ciba)引入均勻化溶液中，均勻化且接著在高速下攪拌1小時以製備第一層溶液。

為了製備第二層溶液，製備煅燒白雲石(calcined dolomite)(平均粒徑3微米)溶液(固體含量50%)作為濕氣吸附劑。亦單獨製備其中140克聚異丁烯樹脂(重量平均分子量450,000)、作為亮點抑制劑之14克Ni粒子(粒徑約300奈米)及作為膠黏劑之60克氫化二環戊二烯樹脂(hydrogenated dicyclopentadiene resin)(軟化點(softening point)125℃)以甲苯稀釋之溶液(固體含量50%)，且接著將溶液均勻化。將10克光固化劑(TMPTA, Miwon)及15克光引發劑(Irgacure 819, Ciba)引入均勻化溶液中及均勻化，且接著將100克濕氣吸附劑溶液引入其中及接著在高速下攪拌1小時以製備第二層溶液。

上述製備之封裝層溶液係使用逗號刮刀塗佈器(comma coater)施加至脫離PET(releasing PET)之脫離表面(release surface)(分開地各第一層及第二層)且在乾燥器中以130℃經3分鐘乾燥以形成各具有50微米厚度之封裝層，且接著將兩層層壓(laminate)。

製造封裝膜

將附著於封裝層之第二層的經脫離處理之PET(release-treated PET)剝離在先前製備之金屬層(鋁箔，厚度70微米)上且在70℃下以輥對輥法(roll-to-roll process)層壓以製造封裝膜，使得第二層與金屬層接觸。

所製造之封裝膜係利用木材切割機(wood cutting machine)以切割刀(knife cutter)切成方形片狀，以製造用於封裝有機電子元件之膜。

實施例2至9及比較例1至5

以與實施例1相同的方式製造封裝膜，除了係將亮點抑制劑如表1中所示而改變。

實驗實施例1-計算吸附能

在實施例及比較例中用於釋氣之亮點抑制劑的吸附能係透過基於密度泛函理論之電子結構計算來計算。在製造二維板狀結構(two-dimensional slab structure) (其中具有晶體結構之亮點抑制劑的最密堆積填充面(closest packed filling surface)暴露於表面上且接著進行結構最優化)、及對亮點引起分子吸附在此真空狀態之表面上的結構進行結構最優化之後，從此兩系統之總能量差(total energy difference)減去亮點引起分子(bright spot-causing molecule)之總能量所獲得的值被定義為吸附能。關於各系統之總能量計算，修正PBE函數(revised-PBE function)(為GGA(廣義梯度近似)系列函數)係用作為交換相關(exchange-correlation)以模擬電子與電子之間的交互作用，所使用之截止電子動能(cutoff of the electron kinetic energy)為500eV，且僅包含及計算對應於倒易空間(reciprocal space)之原點(origin)的γ點(gamma point)。採用共軛梯度法以使各系統之原子結構最優化且進行疊代計算(iterative calculation)，直到原子間力(interatomic force)為0.01 eV/Å或更低為止。一系列的計算係透過商業可用之程式碼(code)VASP進行。

實驗實施例2-黑點或亮點的出現

有機電子元件沈積在玻璃基板上之後，實施例及比較例所製造之封裝膜係各使用真空層壓機(vacuum laminator)在50℃、50毫托(mtorr)真空度(vacuum degree)及0.4 MPa的條件下層壓至元件上以製造有機電子面板。

將上述製造之面板安置在85℃及85%之恆定溫度及濕度室中且貯存。在1000小時之後，將面板取出且啟動以檢查是否產生亮點或元件是否收縮。當未出現亮點及元件收縮時被歸類成

，當出現非常少的亮點及元件收縮時被歸類成O，當出現亮點缺陷及出現元件收縮(element shrinkage)時被歸類成X。

1‧‧‧封裝膜2、4、6‧‧‧封裝層3‧‧‧亮點抑制劑5‧‧‧濕氣吸附劑7‧‧‧磁性粒子21‧‧‧基板23‧‧‧有機電子元件

圖1至4為顯示根據本申請案之一實施例的封裝膜之橫截面圖。

圖5為顯示根據本申請案之一實施例的有機電子裝置之橫截面圖。

1:封裝膜

2、4:封裝層

3:亮點抑制劑

5:濕氣吸附劑

Claims

一種有機電子元件封裝膜，其包含至少兩個封裝層，該封裝層包含封裝樹脂、濕氣吸附劑及膠黏劑，其中，該至少兩個封裝層包含接觸該有機電子元件之第一層及不接觸該有機電子元件之第二層，且該第二層包含對釋氣(outgas)具有以密度泛函理論(density functional theory)計算為0ev或更低的吸附能之亮點抑制劑，該亮點抑制劑的含量，相對於該封裝層中的100重量份之封裝樹脂，為3至150重量份，其中，該釋氣包含H原子、H₂分子或NH₃，以及其中，亮點抑制劑粒徑對濕氣吸附劑粒徑之比在0.01至1.5的範圍。
根據申請專利範圍第1項之有機電子元件封裝膜，其中，該第一層不包含或包含以該封裝膜中的整體亮點抑制劑質量為基準計為15%或更低量之亮點抑制劑。
根據申請專利範圍第1項之有機電子元件封裝膜，其中，該濕氣吸附劑包含化學反應吸附劑。
根據申請專利範圍第1項之有機電子元件封裝膜，其中，該亮點抑制劑對該濕氣吸附劑之重量比係在0.05至0.8之範圍內。
根據申請專利範圍第1項之有機電子元件封裝膜，其中，該濕氣吸附劑具有在100至15000奈米範圍內的粒徑。
根據申請專利範圍第1項之有機電子元件封裝膜，其中，該亮點抑制劑具有在10奈米至30微米範圍內的粒徑。
根據申請專利範圍第1項之有機電子元件封裝膜，其中，該封裝層密封形成於基板上之有機電子元件的頂端。
根據申請專利範圍第1項之有機電子元件封裝膜，其進一步包含形成於該第二層上之金屬層。
根據申請專利範圍第8項之有機電子元件封裝膜，其中，該金屬層具有50至800W/m．K之熱傳導率。
根據申請專利範圍第8項之有機電子元件封裝膜，其中，該金屬層包含金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、金屬氮氧化物、金屬硼氧化物、及彼等之調配物中的任一者。
根據申請專利範圍第8項之有機電子元件封裝膜，其中，該金屬層包含鐵、鉻、鋁、銅、鎳、氧化鐵、氧化鉻、矽氧化物、氧化鋁、氧化鈦、氧化銦、氧化錫、銦錫氧化物、氧化鉭、氧化鋯、氧化鈮、及彼等之調配物中的任一者。
根據申請專利範圍第8項之有機電子元件封裝膜，其中，該封裝層進一步包含含有磁性粒子之磁性層且該磁性層係形成於該第二層與該金屬層之間或形成於該金屬層上。
根據申請專利範圍第12項之有機電子元件封裝膜，其中，該磁性層包含黏合劑樹脂。
根據申請專利範圍第13項之有機電子元件封裝膜，其中，相對於100重量份之磁性粒子，該黏合劑樹脂的含量為5至30重量份。
一種有機電子裝置，其包含基板；形成於該基板上之有機電子元件；以及用於封裝該有機電子元件之根據申請專利範圍第1項之封裝膜。
根據申請專利範圍第15項之有機電子裝置，其中，該有機電子元件包含一對電極、含有至少一發光層之有機層以及鈍化膜。
一種製造有機電子裝置之方法，其包含將根據申請專利範圍第1項之封裝膜施加至其上形成有機電子元件之基板以覆蓋該有機電子元件之步驟。