TWI754435B - 封裝膜 - Google Patents

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TWI754435B
TWI754435B TW109137493A TW109137493A TWI754435B TW I754435 B TWI754435 B TW I754435B TW 109137493 A TW109137493 A TW 109137493A TW 109137493 A TW109137493 A TW 109137493A TW I754435 B TWI754435 B TW I754435B
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睦英鳳
李承民
朴相敏
文聖男
梁世雨
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南韓商Lg化學股份有限公司
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Abstract

本申請案係關於封裝膜、該封裝膜之製法、包含該封裝膜的有機電子裝置、及使用該封裝膜製造有機電子裝置之方法。所提供的封裝膜得以形成能夠阻斷濕氣或氧自外部流入有機電子裝置中的結構且能夠防止該有機電子裝置中亮點的生成。

Description

封裝膜
本申請案係關於封裝膜、包含該封裝膜之有機電子裝置、及製造該有機電子裝置之方法。
相關申請案之交互參照
此申請案主張2019年10月28日提出申請之韓國專利申請案第10-2019-0134808號之優先權,茲將案件全文以引用方式納入本文中。
有機電子裝置(OED)是指包含使用電洞和電子產生電荷的交流電流之有機材料層的裝置,且其例子可包括光伏打裝置、整流器、發射器、和有機發光二極體(OLED)等。
在上述的有機電子裝置中,有機發光二極體(OLED)的電力消耗比現有的光源來得低且回應速率比現有的光源來得快,且有利於顯示裝置或照明設備的薄化。此外,OLED亦具有空間利用性並因此而被預期施用於涵蓋各種可攜式裝置、螢幕、筆記型電腦、和TV的各種領域。
OLED的商品化和應用擴展中,最關鍵的問題是耐久性問題。OLED中含括的有機材料和金屬電極等極易被外在因素(如濕氣)所氧化。此外,也會發生由OLED裝置內部產生的逸氣而引發OLED的亮點的問題。即,包含OLED的產品對於環境因素極為敏感。據此,提出各種方法以抑制內部生成逸氣,同時有效地阻斷氧或濕氣自外部滲入有機電子裝置(如OLED)中。
所欲解決技術問題
本申請案提出一種封裝膜,該封裝膜可形成能夠阻斷濕氣或氧自外部流入有機電子裝置中且能夠防止該有機電子裝置中亮點的生成之結構。 解決問題之技術手段
本申請案係關於封裝膜。該封裝膜可施用於封裝層或封裝有機電子裝置,例如,OLED。
此說明書中,術語“有機電子裝置”是指具有包含使用介於彼此面對的一對電極之間的電洞和電子產生電荷的交流電流之有機材料層之結構之物件或裝置,且其例子可包括,但不限於,光伏打裝置、整流器、發射器和有機發光二極體(OLED)等。本發明的一個實例中,該有機電子裝置可為OLED。
例示的有機電子元件的封裝膜可包含封裝層。該封裝層可封裝形成於基板上的該有機電子元件的全部表面。一個例子中,該封裝層可包括濕氣吸附劑、亮點抑制劑和封裝樹脂。此外,在本申請案中,經由將該封裝層溶於有機溶劑中及接著使其濾經300-網目尼龍濾器而分析樣品中含有的該濕氣吸附劑和該亮點抑制劑的粒子尺寸,結果,根據以下通式1的值符合2.4至3.6的範圍。即,關於以下通式1,首先,將該封裝層溶於有機溶劑中。接著,使溶解的封裝層組成物濾經300-網目尼龍濾器且對通過者採樣。對採得的樣品中所包括的該濕氣吸附劑和該亮點抑制劑進行粒子尺寸分析。作為粒子分析的結果,計算D10、D50和D90並代入以下通式1中。根據以下通式1計算的值的下限可為,例如,2.4、2.5、2.6、2.7、2.75、2.8、2.85、2.9、2.95、3.0、3.05、3.1、3.15或3.17或更高,而其上限可為,例如,3.6、3.5、3.4、3.3、3.28、3.25、3.2、3.0、2.95、2.9、2.85、或2.8或更低。
[通式1]
Figure 02_image001
在以上通式1中,D10係根據D10粒子尺寸分析結果的平均粒子直徑,D50係根據D50粒子尺寸分析結果的平均粒子直徑,而D90係根據D90粒子尺寸分析結果的平均粒子直徑。其單位是µm。該粒子尺寸分析可為根據 ISO13320:2009測量的粒子尺寸分佈。D10、D50和D90的定義係如該粒子尺寸分析中所定義。作為粒子尺寸分析的結果,相關於粒子尺寸的累積分佈中的最大值,D10、D50和D90是指分別對應於10%、50%和90%的平均尺寸。傳統上,僅經由平均粒子直徑就能簡單地控制該封裝層中包括的粒子尺寸,但在本申請案中,調整D50的絕對值,其為在粒子的累積分佈中之對應於體積累積50%之粒子直徑,且是介於具有小粒子尺寸的粒子和具有大粒子尺寸的粒之間的適當的比值。藉此,本申請案能夠防止有機電子裝置因為氫吸附而生成的亮點,同時體現濕氣阻斷性,且因為固化性質未受損,所以即使在嚴苛的環境中,亦能實現有機電子裝置的長期耐久可靠性。
一個例子中,該濕氣吸附劑和該亮點抑制劑之根據D50的平均粒子直徑對根據D10粒子尺寸分析結果的平均粒子直徑之比可在2.0至4.0的範圍內。該比的下限可為,例如,2.1、2.2、2.3、2.4、2.5、2.6、或2.7或更高,且其上限可為,例如,4.0、3.9、3.8、3.7、3.6、3.5、3.4、3.3、3.2、3.1、3.0、2.95或2.93。
一個實施樣態中,未特别限制該有機溶劑的類型,且可為,例如,甲苯,且該樣品可為切成,例如,1.5cm×1.5cm,的樣品並進行測定。此外,本說明書中,網目的單位可為美國ASTM標準的單位。該封裝層接合至玻璃基板和/或金屬層時,該封裝層可藉由自該玻璃基板去封裝及接著將其浸於液態氮中而與該金屬層分離,此處的去封裝方法不限於此,且可以使用已知方法。本申請案可以經由粒子尺寸分析定量計算粒子直徑分佈。此外,該封裝層濾經濾器之過濾係用以移除在再溶解程序中引入的不純粒子,如,塵粒。
一個例子中,根據D50粒子尺寸分析,該亮點抑制劑的平均粒子直徑與該濕氣吸附劑的平均粒子直徑的比可為2.0或更低。該粒子直徑比的下限可為0.01、0.1、0.15、0.18、0.2、0.23、0.25、0.3、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0或1.1或更高,且其上限可為1.9、1.8、1.7、1.6、1.5、1.4、1.3、1.2、1.1、1.0、0.9、0.8、0.7、0.6、0.5、0.4或0.3或更低。本申請案之封裝膜的原始目的是要阻斷來自外部的濕氣,此處,為了要解決氫吸附的其他技術問題,新引入亮點抑制劑,但是有一個技術問題為包含該亮點抑制劑的同時,不易維持原始的濕氣阻斷效果。經由調整該濕氣吸附劑和該亮點抑制劑的粒子尺寸分佈和/或粒子直徑比,本申請案實現優異的亮點防止效能,同時維持原始的濕氣阻斷效果。
此說明書中,術語“濕氣吸附劑”是指能夠移除濕氣或水氣的化學反應性吸附劑,例如,經由與已經滲透該封裝膜的濕氣或水氣之化學反應者,其如以下描述者。
例如,該濕氣吸附劑可以均勻分散的狀態存在於該封裝層或該封裝膜中。此處,該均勻分散的狀態可以是指該濕氣吸附劑以相同或實質上相同的密度均勻地存在於該封裝層或該封裝膜的任何部分。可用於以上之濕氣吸附劑可包括,例如,金屬氧化物、硫酸鹽或有機金屬氧化物等。特定言之,該硫酸鹽可包括硫酸鎂、硫酸鈉或硫酸鎳等,而該有機金屬氧化物的例子包括氧化鋁辛酸鹽等。此處,該金屬氧化物的特定例子可包括五氧化磷(P2 O5 )、氧化鋰(Li2 O)、氧化鈉(Na2 O)、氧化鋇(BaO)、氧化鈣(CaO)或氧化鎂(MgO)等,該金屬鹽的例子可包括硫酸鹽,如硫酸鋰(Li2 SO4 )、硫酸鈉(Na2 SO4 )、硫酸鈣(CaSO4 )、硫酸鎂(MgSO4 )、硫酸鈷(CoSO4 )、硫酸鎵(Ga2 (SO4 )3 )、硫酸鈦(Ti(SO4 )2 )或硫酸鎳(NiSO4 ),金屬鹵化物,如氯化鎂(MgCl2 )、氯化鍶(SrCl2 )、氯化釔(YCl3 )、氯化銅(CuCl2 )、氟化銫(CsF)、氟化鉭(TaF5 )、溴化鋰(LiBr)、溴化鈣(CaBr2 )、溴化銫(CeBr3 )、溴化硒(SeBr4 )、溴化釩(VBr3 )、溴化鎂(MgBr2 )、碘化鋇(BaI2 )或碘化鎂(MgI2 );或金屬氯酸鹽,如過氯酸鋇(Ba(ClO4 )2 )或過氯酸鎂(Mg(ClO4 )2 )等,但不在此限。由於該濕氣吸附劑可含括於該封裝層中,所以亦可使用上述構份中之一或二或更多者。一個實例中,當使用二或更多者作為濕氣吸附劑時,可使用經煅燒的白雲石等。
此濕氣吸附劑可取決於其用途而控制於適當尺寸。在一個實例中,此濕氣吸附劑的平均粒子直徑可控制於100至15000 nm、500 nm至10000 nm、800 nm至8000 nm、1 μm至7 μm、1.5 μm至5 μm、或1.8 μm至3 μm。尺寸在以上範圍內的濕氣吸附劑因為與濕氣的反應速率不會過快,所以容易儲存,不會損及待封裝的元件,且可以有效地移除濕氣,不會因為上述亮點抑制劑而干擾氫吸附程序。此說明書中,除非另外指明,否則該粒子直徑可以是指平均粒子直徑,且可以是以D50粒子尺寸分析儀藉已知方法測得者。
未特別限制該濕氣吸附劑的含量,且可考慮所須的阻斷性而適當地選擇。一個實例中,本申請案之封裝膜所具有之該亮點抑制劑對該濕氣吸附劑的重量比在0.001至0.5或0.01至0.1的範圍內。本申請案中,該亮點抑制劑分散於該膜中以防止亮點,但考慮實現濕氣阻擋性和元件的可靠性(其為該封裝膜的原始功能),所添加之用於防止亮點的亮點抑制劑可以與濕氣吸附劑具特定的含量比。
如上述者,本申請案之封裝層可包含亮點抑制劑。藉密度函數理論的近似法計算,該亮點抑制劑對於逸氣的吸附能為0 eV或更低。未特別限制該吸附能的下限,但可為-20 eV。未特別限制該逸氣的類型,但可包括氧、H原子、H2 分子或NH3 。該封裝膜包含該亮點抑制劑時,本申請案能夠防止由於在該有機電子裝置中生成的逸氣而導致的亮點。
本申請案之實施樣態中,可以基於密度函數理論,經由電子結構計算,計算亮點抑制劑與引發亮點的原子或分子之間的吸附能。以上計算可藉此技術已知的方法進行。例如,本申請案中,製造板狀構造(其中,具有晶狀結構之亮點抑制劑的最緊密充填的表面暴於表面上)之後,接著實施結構最佳化,對引發亮點的分子吸附於此真空狀態的表面上之結構進行結構最佳化,將自這兩個系統的總能量差扣除引發亮點的分子的總能量而得到的值定義為該吸附能。對於各個系統的總能量計算,使用修正的PBE函數作為GGA (通用的梯度近似法)的函數作為交換-關聯(exchange-correlation)以模擬電子和電子之間的交互作用,電子動能的使用截點為500 eV,且僅包括和計算對應於倒易空間(reciprocal space)之原點的γ點。使用共軛梯度法將各系統的原子結構最佳化,且進行迭替計算直到分子間力為0.01 eV/Å或更低。經由VASP作為商用代碼進行一系列的計算。
未限制該亮點抑制劑的材料,只要該材料是在該封裝膜施用至該有機電子裝置時具有防止亮點出現於有機電子裝置的面板上的效果的材料即可。例如,該亮點抑制劑可以是能夠吸附由澱積在有機電子元件的電極上的氧化矽、氮化矽、或氧氮化矽的無機澱積層所產生的逸氣(例如,氧、H2 氣、氨(NH3 )氣、H+ 、NH2+ 、NHR2 和/或NH2 R)的材料。此處,R可為有機基團,且例如,可以烷基、烯基、炔基等為例,但不限於此。
一個實例中,未限制該亮點抑制劑的材料,只要其符合以上吸附能值即可,其可為金屬或非金屬。該亮點抑制劑可包含,例如,Li、Ni、Ti、Rb、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Zn、In、Pt、Pd、Fe、Cr、Si、或其調合物,可包含此材料的氧化物或氮化物,且可包含該材料的合金。一個實例中,該亮點抑制劑可包含鎳粒子、氧化鎳粒子、氮化鈦、鐵-鈦的鈦系合金粒、鐵-錳的錳系合金粒、鎂-鎳的鎂系合金粒、稀土金屬系合金粒、沸石粒子、氧化矽粒子、碳奈米管、石墨、鋁磷酸鹽分子篩粒子或中孔氧化矽粒子。相對於100重量份的該封裝樹脂,該亮點抑制劑的含量可為1至150重量份、1.5至100重量份、2至80重量份、2.5至50重量份、3至40重量份、3.5重量份至20重量份、4重量份至10重量份、或4.5重量份至8重量份。在以上含量範圍內,本申請案可體現該有機電子裝置的亮點防止效果,同時改良該膜的黏著性和耐久性。此外,該亮點抑制劑的粒子直徑範圍可為10 nm至30 μm、50 nm至21 μm、105 nm至18 μm、110 nm至12 μm、120 nm至9 μm、140 nm至4 μm、150 nm至2 μm、180 nm至900 nm、230 nm至700 nm或270 nm至550 nm。該粒子尺寸可根據D50粒子尺寸分析。藉由包含該亮點抑制劑,本申請案能夠同時實現封裝膜的濕氣阻斷性和耐久可靠性,同時有效率地吸附在該有機電子裝置產生的氫。此說明書中,術語“樹脂組份”可以是封裝樹脂和/或黏合樹脂,皆述於下文中。
一個實施樣態中,當經由SEM使用逆散射電子影像以15 kV的加速電壓確認該封裝層的表面或橫截面時,粒子直徑為100 nm至20 μm的該濕氣吸附劑和該亮點抑制劑係位於全部表面或截面的面積之10%或更高、15%或更高、或20%或更高的範圍內。其上限可為95%或更低、80%或更低、70%或更低、或50%或更低。此外,當經由SEM使用逆散射電子影像以15 kV的加速電壓確認該包封層的表面或橫截面時,該亮點抑制劑所佔據的面積係小於該濕氣吸附劑所佔據的面積。經由調整逆散射電子影像的面積比,本申請案不僅能夠實現濕氣阻斷效果和光點防止效果,也能夠在UV固化之後,使得光充份到達該樹脂基質,藉此實現固化特性及於高溫和高濕度的耐久可靠性。可以根據前述濕氣吸附劑和亮點抑制劑之累積的粒子尺寸分佈、粒子直徑尺寸、或粒子直徑比調整該面積比。
一個例子中,本申請案之封裝層可具有包含至少二或更多個封裝層作為單一層的多層結構。在包含二或更多個封裝層的情況中,封裝有機電子元件時,該封裝層可包含面對該有機電子元件的第一層,及位於面對該元件的第一層表面之反面上的第二層。一個實施樣態中,如圖1(a)所示,該封裝膜包含至少二或更多個封裝層,其中在封裝之後,該封裝層包含面對該有機電子元件的第一層(2)和未面對該有機電子元件的第二層(4)。此外,該第二層(4)可包含藉密度函數理論的近似法計算,對於逸氣的吸附能為0 eV或更低的該亮點抑制劑(3)。此外,在封裝之後,本申請案之封裝膜的第二層包含該亮點抑制劑,該第二層位於面對該有機電子元件的該第一層的元件接合面之反面上,藉此能夠防止因為該亮點抑制劑的應力集中而損及該有機電子元件。由此觀點,該第一層可包含基於該封裝膜中之亮點抑制劑的總質量之15%或更少的亮點抑制劑或不包含亮點抑制劑。此外,除了該第一層以外,未接觸該有機電子元件的層可包含基於該封裝膜中之該亮點抑制劑的總質量之85%或更多的該亮點抑制劑。即,本申請案中,在元件封裝之後,未與該有機電子元件的其他封裝層可以比面對該有機電子元件的該第一層含有更大量的該亮點抑制劑,藉此能夠防止物理損害施加於該元件,同時實現該膜的濕氣阻斷性和亮點防止特性。
如上述者,該封裝層可具有二或更多個多層結構。當二或更多層構成該封裝層時,該封裝層中的各層之組成可以相同或不同。一個例子中,該封裝層可包含封裝樹脂和/或濕氣吸附劑,且該封裝層可為壓敏性黏著層或黏著層。
如圖1所示,該封裝層(2, 4)可包含第一層(2)和第二層(4),且該封裝層的該第二層(4)可包含亮點抑制劑(3)。同樣地,如圖1(b)所示,該第二層可以一起包含亮點抑制劑(3)和濕氣吸附劑(5)。此外,未限於以上者,該封裝層可製成三層結構。在本申請案之封裝膜中,當該封裝層具有三層結構時,至少一個封裝層可包含亮點抑制劑和/或濕氣吸附劑。例如,該亮點抑制劑和該濕氣吸附劑亦可一起含括於一個封裝層中或者可以各自存在於不同的封裝層中。但是,當該封裝膜施用於該有機電子元件上時,該第一層(2),其為面對該有機電子元件的封裝層,可以不包含該亮點抑制劑和該濕氣吸附劑,或者即使有含括時,可包含小量。
本發明之實施樣態中,該封裝層可包含封裝樹脂,且該封裝樹脂係可固化樹脂或可交聯樹脂。該封裝樹脂的玻璃轉變溫度低於0℃、低於-10℃、低於-30℃、低於-50℃或低於-60℃。未特別限制其下限,其可為-150℃或更高。此處,該玻璃轉變溫度可以是固化之後的玻璃轉變溫度,且在一個實施樣態中,其可為以約1 J/cm2 或更高的紫外光照射之後的玻璃轉變溫度;或在紫外光照射之後接著另外進行熱固化之後的玻璃轉變溫度。
一個例子中,該封裝樹脂可包含苯乙烯樹脂或彈性體、聚烯烴樹脂或彈性體、其他彈性體、聚氧伸烷基樹脂或彈性體、聚酯樹脂或彈性體、聚氯乙烯樹脂或彈性體、聚碳酸酯樹脂或彈性體、聚苯硫醚樹脂或彈性體、烴的混合物、聚醯胺樹脂或彈性體、丙烯酸酯樹脂或彈性體、環氧樹脂或彈性體、聚矽氧樹脂或彈性體、氟樹脂或彈性體、或其混合物等。
此處,苯乙烯樹脂或彈性體可為,例如,苯乙烯-乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SIS)、丙烯腈-丁二烯–苯乙烯嵌段共聚物(ABS)、丙烯腈–苯乙烯-丙烯酸酯嵌段共聚物(ASA)、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBS)、苯乙烯均聚物或其混合物。烯烴樹脂或彈性體可為,例如,高密度聚乙烯樹脂或彈性體、低密度聚乙烯樹脂或彈性體、聚丙烯樹脂或彈性體或其混合物等。彈性體可使用,例如,酯熱塑性彈性體、烯烴彈性體、聚矽氧彈性體、丙烯酸系彈性體或其混合物等。特別地,烯烴熱塑性彈性體可使用,例如,聚丁二烯樹脂或彈性體或聚異丁烯樹脂或彈性體等。聚氧伸烷基樹脂或彈性體的例子可為,例如,聚氧伸甲基樹脂或彈性體、聚氧伸乙基樹脂或彈性體或其混合物等。聚酯樹脂或彈性體可為,例如,聚伸乙基對酞酸酯樹脂或彈性體、聚伸丁基對酞酸酯樹脂或彈性體或其混合物等。聚氯乙烯樹脂或彈性體可為,例如,聚偏二氯乙烯等。烴的混合物可為,例如,三十六烷或烷烴等。聚醯胺樹脂或彈性體可為,例如,尼龍等。丙烯酸酯樹脂或彈性體的例子可為,例如,聚(甲基)丙烯酸丁酯等。環氧基樹脂或彈性體的例子可為,例如,雙酚型(如雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型)和其氫化產物;清漆型,如酚清漆型或甲酚清漆型;含氮的環型,如三環氧丙基三聚異氰酸酯型或乙內醯胺型;脂族環型;脂族型;芳族型,如萘型或聯苯型;環氧丙基型,如環氧丙醚型、環氧丙胺型、或環氧丙酯型;二環型,如二環戊二烯型;酯型;醚酯型;或彼等之混合物等。聚矽氧樹脂或彈性體的例子可為,例如,聚二甲基矽氧烷等。此外,氟樹脂或彈性體的例子可為聚三氟乙烯樹脂或彈性體、聚四氟乙烯樹脂或彈性體、聚氯三氟乙烯樹脂或彈性體、聚六氟丙烯樹脂或彈性體、聚偏二氟乙烯基、氟化乙烯丙烯、聚伸乙基伸丙基氟化物、或其混合物等。
上列樹脂或彈性體亦可以,例如,與順丁烯二酸酐等接枝、與其他樹脂或彈性體經由用於製造樹脂或彈性體之單體共聚合,及以其他化合物改質。上述的其他化合物的例子包括羧基終端的丁二烯-丙烯腈共聚物等。
一個例子中,在作為該封裝樹脂的上述類型中,該封裝層可包含,但不限於,烯烴彈性體、聚矽氧彈性體或丙烯酸系彈性體等。
本申請案的一個實施樣態中,該封裝樹脂可為烯烴系樹脂。一個例子中,該烯烴系樹脂可為丁烯單體的均聚物、丁烯單體與另一可聚合的單體共聚合而得到的共聚物;使用丁烯單體的反應性寡聚物;或彼等之混合物。該丁烯單體可包括,例如,1-丁烯、2-丁烯、或異丁烯。
可以與丁烯單體或衍生物聚合的其他單體包括,例如,異戊二烯、苯乙烯、或丁二烯等。當施用於有機電子裝置時,藉由使用該共聚物,可確保物理性,例如,可維持加工性和交聯度並藉此確保黏著劑本身的耐熱性。
此外,使用丁烯單體的反應性寡聚物可包含具有反應性官能基的丁烯聚合物。該寡聚物的重量平均分子量在500至5000的範圍內。此外,該丁烯聚合物可偶合至另一具有反應性官能基的聚合物。該其他聚合物可為,但不限於,(甲基)丙烯酸烷酯。該反應性官能基亦可為羥基、羧基、異氰酸酯基或含氮基團。該反應性寡聚物和其他聚合物可藉多官能性交聯劑交聯,且該多官能性交聯劑可為選自由異氰酸酯交聯劑、環氧基交聯劑、吖啶交聯劑和金屬螯合物交聯劑所組成群組中之至少一者。
一個例子中,本申請案之封裝樹脂可為二烯和含有碳-碳雙鍵的烯烴系化合物之共聚物。此處,烯烴系化合物可包括丁烯等,而二烯可為能夠與烯烴系化合物聚合的單體,且可包括,例如,異戊二烯或丁二烯等。例如,含有一個碳-碳雙鍵的烯烴系化合物和二烯的共聚物可為丁基橡膠。
該封裝層中,該樹脂或彈性體組份的重量平均分子量(Mw)可為使壓敏性黏著劑組成物得以製成膜形狀者。例如,該樹脂或彈性體的重量平均分子量是約100,000至2,000,000 g/mol、120,000至1,500,000 g/mol、或150,000至1,000,000 g/mol等。此說明書中,術語“重量平均分子量”是藉GPC (凝膠滲透層析法)測得之相對於聚苯乙烯標準品的轉換值。但是,該樹脂或彈性體組份不一定得具有上述重量平均分子量。例如,在該樹脂或彈性體組份的分子量不足以形成膜的情況中,可在壓敏性黏著劑組成物中摻入單獨的黏合樹脂。
另一實施樣態中,根據本申請案之封裝樹脂可為可固化的樹脂。當該封裝樹脂是可固化的樹脂時,該封裝樹脂可為在固化之後具有85℃或更高或200℃或更低的玻璃轉變溫度之樹脂。該玻璃轉變溫度可為光固化或熱固化該封裝樹脂之後的玻璃轉變溫度。未特別限制可用於本發明之可固化的樹脂的特定種類,且例如,可以使用此領域中已知之各種熱固化樹脂或光可固化的樹脂。術語“熱固化樹脂”是指可經由適當的施熱或老化程序加以固化的樹脂,而術語“光可固化的樹脂”是指可藉電磁波照射加以固化的樹脂。此外,可固化的樹脂亦可為包括熱可固化和光可固化性質二者之雙重可固化的樹脂。
未特別限制本申請案中之可固化的樹脂的特定種類,只要其具有上述特徵即可。例如,其可經固化而展現黏著性,其可包括含有一或多個熱固化的官能基(例如,環氧丙基、異氰酸酯基、羥基、羧基或醯胺基)的樹脂,或可包括含有一或多個能夠藉電磁波照射而固化之官能基(例如,環氧基、環狀醚基、硫醚基、縮醛基或內酯基)的樹脂。此樹脂的特定種類可包括丙烯酸系樹脂、聚酯樹脂、異氰酸酯樹脂或環氧樹脂等,但不在此限。
本申請案中,可以使用芳族或脂族;或直鏈或支鏈環氧樹脂作為可固化的樹脂。本申請案之實施樣態中,可以使用環氧基當量為180 g/eq至1,000 g/eq之含有二或更多個官能基的環氧樹脂。藉由使用環氧基當量在以上範圍內的環氧樹脂,可以有效地維持固化產物的特徵,例如黏著性能和玻璃轉變溫度。此環氧樹脂的例子可包括甲酚清漆環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚A型清漆環氧樹脂、酚清漆環氧樹脂、四官能性環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三酚甲烷型環氧樹脂、經烷基改質的三酚甲烷環氧樹脂、萘型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、或經二環戊二烯改質的酚型環氧樹脂中之一者或其中的二或更多者之混合物。
本申請案中,可以使用分子結構中包含環狀結構的環氧樹脂和包含芳基(例如,苯基)的環氧樹脂作為可固化的樹脂。該環氧樹脂包含芳基時,固化產物具有優異的熱和化學安定性且同時展現低的濕氣吸收量,藉此能夠改良該有機電子裝置封裝結構的可靠性。可用於本申請案之含有芳基的環氧樹脂的特定例子可為,聯苯型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、經二環戊二烯改質的酚型環氧樹脂、甲酚系環氧樹脂、雙酚系環氧樹脂、二甲苯系環氧樹脂、多官能性環氧樹脂、酚清漆環氧樹脂、三酚甲烷型環氧樹脂、和經烷基改質的三酚甲烷環氧樹脂中之一者或二或更多者之混合物,但不在此限。
此外,一個例子中,本申請案之封裝層可包含活性能量射線可聚合的化合物,該化合物與該封裝樹脂的配伍性極高且能夠與該封裝樹脂一起形成特定的交聯結構。此情況中,該封裝樹脂可為可交聯的樹脂。
例如,本申請案之封裝層可包含多官能性或單官能性活性能量射線可聚合的化合物,該化合物可經由照射活性能量射線而與該封裝樹脂聚合。該活性能量射線可聚合的化合物可以是指包含二或更多個能夠藉由活性能量射線的照射而參與聚合反應的官能基之化合物,該官能基是例如,含有乙烯系不飽和雙鍵的官能基(例如,丙烯醯基或甲基丙烯醯基)、或例如環氧基或環氧丁基的官能基。
可以使用,例如,多官能性丙烯酸酯(MFA)作為多官能性活性能量射線可聚合的化合物。
相對於100重量份的該封裝樹脂,該活性能量射線可聚合的化合物的含量亦可為3重量份至30重量份、5重量份至25重量份、8重量份至20重量份、10重量份至18重量份、或12重量份至18重量份。在單官能性活性能量可聚合的化合物的情況中,亦可以分別以上述含量範圍含括。在以上範圍內,本申請案提供一種封裝膜,其具有優異的耐久可靠性,即使在嚴苛的條件(例如,高溫度和高濕度)下亦然。
可以無任何限制地使用可藉活性能量射線照射而聚合之該多官能性活性能量射線可聚合的化合物。例如,該化合物可包括1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,3-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,8-辛二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,12-十二烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二(甲基)丙烯酸二環戊酯、環己烷-1,4-二醇二(甲基)丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、二羥甲基二環戊烷二(甲基)丙烯酸酯、經新戊二醇改質的三羥甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、金剛烷二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、或其混合物。
作為多官能性活性能量射線可聚合的化合物,例如,可以使用分子量為100或更高且低於1,000 g/mol並且含有二或更多個官能基的化合物。作為單官能性活性能量射線可聚合的化合物,例如,可以使用分子量為100或更高且低於1,000 g/mol並且含有一個官能基的化合物。此情況中,分子量可以是指重量平均分子量(GPC測定)或典型分子量。該多官能性活性能量射線可聚合的化合物中所含括的環結構可為碳環結構或雜環結構;或單環結構或多環結構中之任一者。
在本申請案之實施樣態中,該封裝層可以另外包含自由基引發劑。該自由基引發劑可為光引發劑或熱引發劑。可以考慮固化速率和黃化可能性等,適當地選擇特定種類的光引發劑。例如,可以使用苯偶姻系、羥基酮系、胺基酮系或氧化膦系光引發劑等,且特定言之,可使用苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、苯偶姻正丁醚、苯偶姻異丁醚、苯乙酮、二甲胺基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基-2-苯基苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙-1-酮、1-羥基環己基苯基酮、2-甲基-1-[4-(甲巰基)苯基]-2-嗎啉-丙-1-酮、4-(2-羥基乙氧基)苯基-2-(羥基-2-丙基)酮、二苯基酮、對-苯基二苯基酮、4,4’-二乙胺基二苯基酮、二氯二苯基酮、2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-三級丁基蒽醌、2-胺基蒽醌、2-甲基噻噸酮、2-乙基噻噸酮、2-氯噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、苄基二甲縮酮、乙醯苯二甲縮酮、對-二甲胺基苯甲酸酯、寡聚[2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮]和2,4,6-三甲基苄醯基-二苯基-氧化膦等。
相對於100重量份該活性能量射線可聚合的化合物,該自由基引發劑的含量比為0.2至20重量份、0.5至18重量份、1至15重量份、或2至13重量份。結果,能夠有效地誘發該活性能量射線可聚合的化合物之反應,且亦可防止該封裝層組成物的物理性質因為固化之後殘留的組份而受損。
本申請案的特定例子中,取決於所含括之樹脂組份的類型,該封裝膜的該封裝層可以另外包含固化劑。例如,可以另外包含能夠藉由與上述封裝樹脂反應而形成交聯結構的固化劑等。此說明書中,術語封裝樹脂和/或黏合樹脂與樹脂組份在使用時具有相同的定義。
該固化劑的種類可以取決於該樹脂中所含該樹脂組份或該官能基的類型而適當地選擇和使用。
一個例子中,當該樹脂組份是環氧樹脂時,該固化劑是此技術中已知之環氧樹脂的固化劑,且可以使用,例如,胺固化劑、咪唑固化劑、酚固化劑、磷固化劑或酸酐固化劑等中之一或二或更多者,但不在此限。
一個例子中,可以使用於室溫為固體且熔點或分解溫度為80℃或更高的咪唑化合物作為固化劑。該化合物的例子可為,例如,2-甲基咪唑、2-十七烷基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、或1-氰基乙基-2-苯基咪唑等,但不在此限。
可以取決於組成物之組成(例如,該封裝樹脂的類型或比率)而選擇該固化劑的含量。例如,基於100重量份的該樹脂組份,該固化劑的含量可為1重量份至20重量份、1重量份至10重量份、或1重量份至5重量份。但是,可以取決於該封裝樹脂的類型和比率或該樹脂的官能基、或欲實現的交聯密度等而改變此重量比。
該樹脂組份係可藉活性能量射線照射而固化的樹脂時,例如,可以使用陽離子性光聚合反應引發劑作為引發劑。
可以使用鎓鹽或有機金屬鹽系列之離子化的陽離子性引發劑、或有機矽烷或潛在性磺酸系列之非離子化的陽離子性光聚合反應引發劑作為該陽離子性光聚合反應引發劑。鎓鹽系列的引發劑的例子可為二芳基碘鎓(錪)鹽、三芳基硫鎓(鋶)鹽或芳基疊氮鎓鹽等,有機金屬鹽系列的引發劑的例子可為鐵芳烴等,有機矽烷系列的引發劑的例子可為鄰-硝基苄基三芳基矽基醚、三芳基矽基過氧化物、或醯基矽烷等,潛在性磺酸系列的引發劑的例子為α-磺醯氧基酮或α-羥基甲基苯偶姻磺酸酯,但不限於此。
一個例子中,使用離子化的陽離子性光聚合反應引發劑作為陽離子性引發劑。
一個例子中,該封裝層可以另外包括賦黏劑,其中該賦黏劑可以較佳地為氫化的環狀烯烴聚合物。作為該賦黏劑,例如,可使用藉由將石油樹脂加以氫化而得之氫化的石油樹脂。該氫化的石油樹脂可經部分或完全氫化且亦可為此樹脂之混合物。該賦黏劑可經選擇以具有對於該壓敏性黏著劑組成物之良好的配伍性、優異的濕氣阻斷性、且為低揮發性有機組份。該氫化的石油樹脂的特定例子可包括氫化的萜烯樹脂、氫化的酯樹脂或氫化的二環戊二烯樹脂等。該賦黏劑的重量平均分子量為約200至5,000 g/mol。可以視須要地適當調整賦黏劑的含量。例如,根據一個例子,基於100重量份的該封裝樹脂,該賦黏劑的含量比為5重量份至100重量份、8重量份至95重量份、10重量份至93重量份、或15重量份至90重量份。
必要時,該封裝層亦可包含濕氣阻斷劑。此說明書中,術語“濕氣阻斷劑”可以是指與濕氣不具反應性或反應性低,但是能夠物理性阻斷或阻礙濕氣或水氣在膜中之移動的材料。可以使用黏土、滑石、球狀矽石、針狀矽石、板狀矽石、多孔矽石、沸石、氧化鈦或氧化鋯中之一或二或更多者作為該濕氣阻斷劑。此外,該濕氣阻斷劑的表面亦可經有機改質劑等進行表面處理以利於有機物質的滲透。此類有機改質劑可使用,例如,二甲基苄基氫化的牛油四級銨、二甲基氫化的牛油四級銨、甲基牛油雙-2-羥基乙基四級銨、二甲基氫化的牛油2-乙基己基四級銨、二甲基去氫化的牛油四級銨、或彼等之混合物等。
未特別限制該濕氣阻斷劑的含量,且可以考慮所須的阻斷特性而適當選擇。
除了上述構份以外,該封裝層可包含各種添加劑,此取決於下文將描述之封裝膜的應用和製程。例如,取決於所欲的物理性質,該封裝層可包括適當含量範圍之可固化的材料、交聯劑、填料等。
當該封裝層被製成二或更多層時,未與該有機電子元件接觸的第二層可包含濕氣吸附劑。例如,當其製成二或更多層時,該封裝層中之與該有機電子元件接觸的該第二層可以不包含濕氣吸附劑或包含基於100重量份的該封裝樹脂之低於5重量份或低於4重量份之少量的濕氣吸附劑。
特定言之,考慮到該封裝膜用於該有機電子元件之封裝,該濕氣吸附劑的含量可考量該元件的受損而加以控制。例如,封裝之後,面對該元件的該第一層可以包含少量的濕氣吸附劑,或者不含濕氣吸附劑。一個例子中,封裝之後,面對該元件之該封裝層的該第一層可包含相對於該封裝膜中所含的該濕氣吸附劑的總質量之0至20%的濕氣吸附劑。此外,未與該元件接觸的該封裝層可包含相對於該封裝膜中所含的該濕氣吸附劑的總質量之80至100%的濕氣吸附劑。
在本發明之特定的例子中,該封裝膜可以另外包含形成於該封裝層的一面上的金屬層。本申請案之金屬層的導熱率為15 W/m·K或更高、18 W/m·K或更高、20 W/m·K或更高、25 W/m·K或更高、30 W/m·K或更高、40 W/m K或更高、50 W/m K或更高、60 W/m K或更高、70 W/m K或更高、80 W/m K或更高、90 W/m K或更高、100 W/m K或更高、110 W/m·K或更高、120 W/m·K或更高、130 W/m·K或更高、140 W/m·K或更高、150 W/m·K或更高、200 W/m·K或更高、或210 W/m·K或更高。未特別限制該導熱率的上限,其可為800 W/m·K或更低。經由使用此高導熱率,在金屬層結合程序之後,在結合界面處產生的熱能夠更迅速地釋出。因為此高導熱率,操作該有機電子裝置的期間內累積的熱也會迅速釋出,藉此能夠使得該有機電子置本身維持較低溫度,並且減少裂紋和缺陷的發生。該導熱率可以在15至30℃的溫度範圍內的任何溫度測定。
此中的術語“導熱率”係材料能夠藉傳導而轉移熱的能力之程度,其單位是W/m·K。此單位是材料於相同溫度和距離的熱傳導程度,且是指相關於距離的單位(meter)和溫度的單位(kelvin)之熱的單位(watt)。
在本申請案之實施樣態中,該封裝膜的該金屬層可為透明或不透明。該金屬層的厚度在3 μm至200 μm、10 μm至100 μm、20 μm至90 μm、30 μm至80 μm、或40 μm至75 μm的範圍內。藉由控制該金屬層的厚度,本申請案提供薄膜封裝膜,同時實現足夠的釋熱效果。該金屬層可為薄金屬箔片或經金屬澱積的聚合物基層。對於該金屬層沒有特別的限制,只要其為符合上述導熱率並含有金屬的材料即可。該金屬層可包含金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、金屬氧氮化物、金屬氧硼化物、和其調合物中之任一者。例如,該金屬層可包含一或多種金屬元素或非金屬元素加至一金屬中之合金,且可包含,例如,不銹鋼(SUS)。此外,在一個例子中,該金屬層包含鐵、鉻、銅、鋁、鎳、氧化鐵、氧化鉻、氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化銦、氧化錫、氧化銦錫、氧化鉭、氧化鋯、氧化鈮、和其調合物。此金屬層可藉電解、滾壓、熱蒸發、電子束蒸發、濺鍍、反應性濺鍍、化學蒸鍍、電漿化學蒸鍍或電子迴旋加速器共振電漿源化學蒸鍍的方式澱積。本發明的一個例子中,該金屬層可藉反應性濺鍍澱積。
傳統上,通常使用鎳-鐵合金(Invar)作為封裝膜,但鎳-鐵合金具有價格高、其導熱率低,和其切割性質欠佳的缺點。本申請案提供封裝膜,其防止有機電子裝置產生亮點,具有優異的釋熱特性,且因為磁性而實現了程序便利性,未使用鎳-鐵合金作為金屬層。
該封裝膜可以另外包含底膜或脫模膜(下文中,可稱為“第一膜”),其可具有該封裝層形成於該底膜或脫模膜上的結構。該結構亦可另外包含形成於該金屬層上的底膜或脫模膜(下文中,可稱為“第二膜”)。
對於能夠用於本申請案之該第一膜的明確種類沒有特別的限制。本申請案中,例如,此領域中的一般聚合物膜可作為該第一膜。本申請案中,例如,作為該底膜或脫模膜,可以使用聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚四氟乙烯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚氯乙烯膜、聚胺甲酸酯膜、乙烯-乙酸乙烯酯膜、乙烯-丙烯共聚物膜、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物膜、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物膜或聚醯亞胺膜等。此外,可以在本申請案的底膜或脫模膜的一側或兩側上進行適當的脫模處理。底膜之脫模處理中使用的脫模劑的例子可為醇酸系列、聚矽氧系列、氟系列、不飽和酯系列、聚烯烴系列或蠟系列等,且其中,就耐熱性的觀點,較佳地使用醇酸系列、聚矽氧系列或氟系列的脫模劑,但不限於此。
本申請案中,未特別限制上述的底膜或脫模膜(第一膜)的厚度,其可取決於所施加的應用而適當地選擇。例如,本申請案中,該第一膜的厚度可為10 μm至500 μm,較佳地,20 μm至200 μm等。若其厚度低於10 μm,則該底膜易在製程中變形,而若其超過500 μm,則經濟效率低。
對於本申請案之封裝膜中所含括的該封裝層的厚度沒有特別的限制,其可根據以下條件,考慮該膜的應用而適當地選擇。該封裝層的厚度可為5 μm至200 μm,較佳地,5 μm至100 μm等。該封裝層的厚度可為該多層封裝層的全部厚度。若該封裝層的厚度低於5 μm,則未能展現足夠的濕氣阻斷能力,而若其超過200 μm,則難以確保加工性,因為濕氣反應性而造成大幅厚度膨脹,使得該有機發光元件的澱積膜可能受損,且經濟效益低。
本申請案亦係關於有機電子裝置。如圖2所示,該有機電子裝置可包含基板(21);形成於該基板(21)上的有機電子元件(22);和用於封裝該有機電子元件(22)的上述封裝膜(12)。該封裝膜可封裝形成於該基板上的該有機電子元件的全部表面,例如,所有上部和側表面。該封裝膜可包含含有處於交聯或固化狀態的壓敏性黏著劑組成物或黏著劑組成物之封裝層。此外,可以密封該封裝層而與形成於該基板上的該有機電子元件的全部表面接觸,藉此形成該有機電子裝置。可以在該封裝層(12)上形成覆蓋基板(13)。該覆蓋基板(13)可為玻璃、塑膠膜、或之後描述的金屬層。一個例子中,該覆蓋基板(13)可以與該封裝層(12)以整合方式含括而形成封裝膜。一個例子中,本申請案之封裝膜可以是具有包含該封裝層(12)和該金屬層(13)之整合的多層結構的膜。
在本申請案之實施樣態中,有機電子元件可包含一對電極、含有至少一個發光層的有機層、和被動層。特定言之,該有機電子元件可包含第一電極層、形成於該第一電極層上並含有至少一個發光層的有機層、和形成於該有機層上的第二電極層,且可包含被動層以用於保護在該第二電極層上的電極和該有機層。該第一電極層可為透明電極層或反射電極層,而該第二電極層亦可為透明電極層或反射電極層。更特定言之,該有機電子元件可包含形成於基板上的透明電極層、形成於該透明電極層上並含有至少一個發光層的有機層、和形成於該有機層上的反射電極層。
此處,該此有機電子元件可為,例如,有機發光元件。
該被動膜可包含無機膜和有機膜。一個實施樣態中,該無機膜可為選自由 Al、Zr、Ti、Hf、Ta、In、Sn、Zn和Si所組成群組中之一或多種金屬氧化物或氮化物。該無機膜可具有0.01 μm至50 μm、或0.1 μm至20 μm、或1 μm至10 μm的厚度。一個例子中,本申請案的該無機膜可為不含摻雜物的無機材料,或可為含有摻雜物的無機材料。該可摻雜的摻雜物可為選自由 Ga、Si、Ge、Al、Sn、Ge、B、In、Tl、Sc、V、Cr、Mn、Fe、Co 和 Ni 所組成群組的一或多種元素、或該元素的氧化物,但不在此限。該有機膜與含有至少一個發光層的有機層的差別在於其不包括發光層,且可為含有環氧化合物的有機澱積層。
該無機膜或有機膜可藉化學蒸氣澱積法(CVD)形成。例如,可以使用氮化矽(SiNx)作為該無機膜。一個例子中,作為該無機膜的氮化矽(SiNx)可以澱積至0.01 μm至50 μm的厚度。一個例子中,該有機膜可具有2 μm至20 μm、2.5 μm至15 μm、或2.8 μm至9 μm範圍內的厚度。
本申請案亦提供製造有機電子裝置之方法。該製法可包含將上述封裝膜施用至上面形成有有機電子元件的基板,以覆蓋該有機電子元件的步驟。此外,該製法可包含固化該封裝膜的步驟。固化該封裝膜的步驟可以是指固化該封裝層,此可以在施用該封裝膜以覆蓋有機電子元件的步驟之前或之後進行。
此說明書中,術語“固化”是指經由加熱或UV照射程序等而使得本發明之壓敏性黏著劑組成物形成交聯結構,並藉此製得壓敏性黏著劑。或者,亦是指黏著劑組成物經固化並以黏著劑形式接合。
特定言之,藉由例如真空澱積或濺鍍的方法,在作為基板的玻璃或聚合膜上形成透明電極,在該透明電極上形成發光有機材料層(例如,由電洞傳輸層、發光層和電子傳輸層等所組成),及之後另外在其上形成電極層,如此以形成有機電子元件。之後,放置該封裝膜的該封裝層以覆蓋已進行上述程序之基板的有機電子元件的全部表面。 發明對照先前技術之功效
本申請案之封裝膜能夠施用於密封或封裝有機電子裝置,如,OLED。該膜得以形成能夠阻斷濕氣或氧自外部引至有機電子裝置之結構,且能夠防止該有機電子裝置的亮點的生成。
下文中,將經由根據本發明和之實例和非根據本發明之比較例更詳細地描述本發明,但本發明之範圍不受限於以下實例。
實例 1
封裝層之製造
為製備第一層溶液,使溶於甲苯之250 kg的丁基橡膠樹脂(BR268,EXXON,固體含量20%)和溶於甲苯之50 kg的二環戊二烯氫化樹脂(SU525,Kolon,固體含量70%)均質化。將溶於甲苯之15 kg的多官能性丙烯酸酯(三羥甲基丙烷三丙烯酸酯,Miwon,固體含量50%)和溶於甲苯之5 kg的光引發劑(Irgacure651,Ciba,固體含量20%)引至該均質化的溶液中,將15 kg的丙烯酸2-(2-乙氧基乙氧基)乙酯和作為額外溶劑之137 kg的甲苯引至其中,均質化及接著於高速率攪拌1小時以製備第一層溶液。
為製備第二層溶液,使溶於甲苯之265 kg的丁基橡膠樹脂(BR268,EXXON,固體含量20%)和溶於甲苯之67 kg的二環戊二烯氫化的樹脂(SU525,Kolon,固體含量70%)及作為亮點抑制劑之3 kg的鎳(平均粒子直徑 500 nm)經均質化。將溶於甲苯之16 kg的多官能性丙烯酸酯(三羥甲基丙烷三丙烯酸酯,Miwon,固體含量50%)和溶於甲苯之8 kg的光引發劑(Irgacure651,Ciba,固體含量20%)引至該均質化的溶液中,及將分散於甲苯中之288 kg的氧化鈣(CaO,原料平均粒子直徑2 μm)溶液(固體含量50%)引至其中。66 kg的甲苯引至該溶液中,均質化,接著於高速率攪拌1小時以製備第二層溶液。
如上製備的封裝層溶液濾經400-網目尼龍濾器之後,使用澆嘴塗佈機,該第一層(厚度10 μm)和該第二層(厚度50 μm)分別施用至脫模PET的脫模表面,分別在乾燥機中於110℃乾燥2分鐘和4分鐘,且分別以紫外射線以0.8 J/cm2 和2 J/cm2 照射以形成封裝層,及接著層合該二層。所述之厚度是指完成乾燥處理之後的厚度。
封裝膜之製造
在事先製備的金屬層(SUS430,厚度80 μm)上,剝除接合至該封裝層的該第二層之經脫模處理的PET並於70℃藉滾筒-至-滾筒(roll-to-roll)程序層合,藉此製造封裝膜,使得該第二層與該金屬層接觸。
將所製得的封裝膜切割成65英吋的尺寸以製造片狀態之用於封裝有機電子元件的膜。測定所製得的膜之物理性質。
實例 2
以與實例1中相同的方式製造用於封裝有機電子元件的膜,但CaO粒子的含量改為290 kg。
實例 3
以與實例1中相同的方式製造用於封裝有機電子元件的膜,但CaO粒子的平均粒子直徑改為2.5 μm。
實例 4
以與實例1中相同的方式製造用於封裝有機電子元件的膜,但CaO粒子的平均粒子直徑改為1.5 μm。
實例 5
以與實例1中相同的方式製造用於封裝有機電子元件的膜,但Ni粒子的平均粒子直徑改為600 nm。
比較例 1
以與實例1中相同的方式製造用於封裝有機電子元件的膜,但CaO粒子的平均粒子直徑改為6 μm。
比較例 2
以與實例1中相同的方式製造用於封裝有機電子元件的膜,但Ni粒子的平均粒子直徑改為2 μm。
比較例 3
以與實例1中相同的方式製造用於封裝有機電子元件的膜,但CaO粒子的含量改為1 kg。
實驗例 1- 吸附能之計算
基於密度函數理論,經由電子結構計算,計算實例和比較例中使用的亮點抑制劑對於逸氣的吸附能。在作出二維片結構(其中,具有晶狀結構之亮點抑制劑之最緊密充填的表面暴於表面)及之後進行結構最佳化,及對引發亮點的分子吸附於此真空狀態的表面上之結構進行結構最佳化處理,將自這兩個系統的總能量差減去引發亮點的分子的總能量所得的值界定為吸附能。對於各系統的總能量計算,使用修正的PBE函數作為GGA(通用的梯度近似法)的函數作為交換-關聯以模擬電子和電子之間的交互作用,電子動能的使用截點為500 eV,並且僅包括並計算對應於倒易空間的原點的γ點。使用共軛梯度法使得各系統的原子結構最佳化,且進行迭替計算直到交互作用力為0.01 eV/Å或更低。經由VASP作為商用代碼進行一系列的計算。作為實例和比較例中使用之亮點抑制劑的Ni對於NH3 和H的吸附能分別是-0.54和-2.624。
實驗例 2- 粒子尺寸分佈分析
用於實例中製造的封裝膜,該封裝層分別切成1.5cm×1.5cm,製成樣品,之後溶於3 g甲苯(音波處理20分鐘,50℃)。濾經300-網目尼龍濾器之後,測定通過該濾器之溶液的粒子尺寸。在該粒子尺寸測定法中,使用Mastersizer(Malvern Panalytical Ltd)作為裝置,使用經 ISO 13320: 2009認證的技術。在軟體的設置中,粒子類型輸入為非球狀,然後將溶劑輸入為甲苯,並將感測器臨界值輸入為20。然後,將背景測定時間和樣品測定時間分別輸入為10秒和5秒,將測定遮蔽值(obscuration)的上限和下限值分別輸入為1%和20%,之後輸入測定以進行至少3次,藉此完成設定。該甲苯溶液引至裝置並於2000至3000 RPM循環之後,進行初始和背景數值測定,及將該亮點抑制劑和該濕氣吸附劑之經過濾的分散液引至其中,並將軟體螢幕上的遮蔽值設定為3至7%及接著進行測定。測定程序中,將在粒子直徑為30 μm或更高的區域中以不規則的頻率和訊號出現的峰視為塵粒等所引發的雜訊,並移除,及接著衍生出結果值。
計算根據以下通式1的計算值。平均粒子直徑的單位是µm。
[通式1]
Figure 02_image003
Figure 02_image005
實驗例 3- 面板缺陷的測定
有機電子元件澱積於薄膜電晶體玻璃基板上之後,使用真空結合機,在25℃、50 mtorr的真空度和 0.4 MPa的條件下,將實例和比較中製得的封裝膜分別層合於元件上,以得到3至4 mm的有效邊框長度,藉此製得尺寸為65英吋的有機電子面板。該有效邊框是指邊緣區域的外側和內側之間的距離,在該邊緣區域中,該封裝層與該玻璃基板直接相接而該有機電子元件不在該玻璃基板的邊緣上。於85℃和85%相對濕度下驅動所製造的面板1000小時之後,在暗室中打開並以肉眼驗證是否生成有缺陷的像素。關於有缺陷的像素,將比周圍來得亮的亮點或者比周圍來得暗的暗點視為有缺陷的像素。有3或更少個有缺陷的像素的情況,歸類為O;少於10個有缺陷的像素的情況,歸類為Δ;10或更多個有缺陷的像素生成時,歸類為X。
實驗例 4- 濕氣阻斷長度的測定
對於完成實驗例3的測定之面板的邊緣區域的濕氣滲透長度,測定透光率提高的區域之外側和內側之間的距離。關於該濕氣吸附劑,將因為與濕氣反應、濕氣滲透而提高透光率的區域及濕氣未滲透的區域以透光率不同的邊界點隔開。濕氣阻斷距離是2 mm或更低時,歸類為O,而濕氣阻斷距離超過2 mm時,因為高溫度和高濕度耐久可靠性欠佳,所以被歸類為X。
在高溫度和高濕度評估為耐久性(固化程度)欠佳的情況中,濕氣阻斷距離變差。因此,該濕氣阻斷距離能夠作為耐久性和硬化的指標。
Figure 02_image007
1:封裝膜 2,4:封裝層 3:亮點抑制劑 5:濕氣吸附劑 12:封裝層 13:金屬層 21:基板 22:有機電子元件
[圖1]係出示根據本申請案的一個實例之封裝膜之截面圖。
[圖2]係出示根據本申請案的一個實例之有機電子裝置之截面圖。
1:封裝膜
2,4:封裝層
3:亮點抑制劑
5:濕氣吸附劑

Claims (18)

  1. 一種封裝膜,其包含含括濕氣吸附劑、亮點抑制劑和封裝樹脂之封裝層,其中,經由將該封裝層溶於有機溶劑中及接著使其濾經300-網目尼龍濾器而分析樣品中所含的該濕氣吸附劑和該亮點抑制劑之粒子尺寸所得的結果,根據以下通式1的值符合2.4至3.6的範圍:
    Figure 109137493-A0305-02-0039-1
    其中,D10係根據D10粒子尺寸分析結果的平均粒子直徑,D50係根據D50粒子尺寸分析結果的平均粒子直徑,而D90係根據D90粒子尺寸分析結果的平均粒子直徑,其中該粒子尺寸分析係根據ISO13320:2009測量的粒子尺寸分佈,其中藉密度函數理論的近似法計算,該亮點抑制劑對於逸氣的吸附能為0eV或更低,其中該濕氣吸附劑的粒子直徑在500nm或更大的範圍內,及其中該亮點抑制劑的粒子直徑在230nm或更大的範圍內。
  2. 如請求項1之封裝膜,其中根據D50粒子尺寸分析,該亮點抑制劑的平均粒子直徑對該濕氣吸附劑的平均粒子直徑的比是2.0或更低。
  3. 如請求項1之封裝膜,其中該濕氣吸附劑的粒子直徑在500至15000nm範圍內。
  4. 如請求項1之封裝膜,其中該亮點抑制劑的粒子直徑在230nm至30μm範圍內。
  5. 如請求項1之封裝膜,其中該逸氣包含氧、H原子、H2分子或NH3
  6. 如請求項1之封裝膜,其中該濕氣吸附劑包含化學反應性吸附劑。
  7. 如請求項1之封裝膜,其中相對於100重量份的該封裝樹脂,該濕氣吸附劑的含量在5至250重量份的範圍內。
  8. 如請求項1之封裝膜,其中相對於100重量份的該封裝樹脂,該亮點抑制劑的含量在1至150重量份的範圍內。
  9. 如請求項1之封裝膜,其中該封裝樹脂係可固化樹脂或可交聯樹脂。
  10. 如請求項1之封裝膜,其中該封裝層另外包含賦黏劑。
  11. 如請求項1之封裝膜,其中該封裝層另外包含活性能量射線可聚合的化合物。
  12. 如請求項1之封裝膜,其中當經由SEM使用逆散射電子影像以15kV的加速電壓確認該封裝層的表面或橫截面時,粒子直徑為100nm至20μm的該濕氣吸附劑和該亮點抑制劑係位於整個表面或截面的面積之10% 或更高的範圍內。
  13. 如請求項1之封裝膜,其中當經由SEM使用逆散射電子影像以15kV的加速電壓確認該包封層的表面或橫截面時,該亮點抑制劑所佔據的面積係小於該濕氣吸附劑所佔據的面積。
  14. 如請求項1之封裝膜,其中該封裝層封裝形成於基板上的有機電子元件的全部表面。
  15. 如請求項1之封裝膜,其另外包含形成於該封裝層的一側上的金屬層。
  16. 一種有機電子裝置,其包含基板;形成於該基板上的有機電子元件;和封裝該有機電子元件之如請求項1之封裝膜。
  17. 如請求項16之有機電子裝置,其中該有機電子元件包含一對電極、含有至少一個發光層的有機層、和被動膜。
  18. 一種製造有機電子裝置之方法,其包含將請求項1之封裝膜施用至上面形成有有機電子元件的基板,以覆蓋該有機電子元件的步驟。
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