TWI742289B - 封裝膜 - Google Patents

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Abstract

本申請案係關於封裝膜、彼之製法、包含彼之有機電子裝置、及使用彼製造有機電子裝置之方法，該膜使得能夠形成一種能阻斷水分或氧自外部引至有機電子裝置之結構，且能夠有效地釋放累積在該有機電子裝置內部的熱並防止該有機電子裝置的亮點發生。

Description

封裝膜
本申請案係關於封裝膜和包含彼之有機電子裝置。
有機電子裝置(OED)是指包括使用電洞和電子產生電荷的交流電之有機材料層的裝置，且其例子可包括光伏打裝置、整流器、發射器、和有機發光二極體(OLED)等。
相較於現有的光源，以上的有機電子裝置中，有機發光二極體(OLED)的能量消耗較低且回應速率較快，且有利於顯示裝置或照明設備的薄化。此外，此OLED亦具有空間利用性並因此而被預期施用於涵蓋各種可攜式裝置、螢幕、筆記型電腦、和TV的各種領域。
OLED的商品化和應用之擴展中，最關鍵的問題是耐久性問題。OLED中所含的有機材料和金屬電極等極易被外在因素(如水分)所氧化。此外，因為釋出氣(outgases)而發生OLED亮點的問題也會發生於OLED裝置內部。即，含有OLED的產物對於環境因素高度敏感。據此，提出各種方法以有效地阻斷氧或水分自外部滲入有機電子裝置(如OLED)和抑制在內部生成的釋出氣。
及
所欲解決技術問題
本申請案提出一種封裝膜，該膜使得形成一種能夠阻斷水分或氧自外部引至有機電子裝置之結構，且能夠有效地釋放累積在該有機電子裝置內部的熱、藉磁性提高程序效率並防止該有機電子裝置的亮點發生。 　　 解決問題之技術手段
本申請案係關於封裝膜。此封裝膜可施用以密封或封裝有機電子裝置，例如，OLED。
此說明書中，用語“有機電子裝置”是指具有包含使用介於彼此面對的電極對之間的電洞和電子產生電荷的交流電之有機材料層之結構之物件或裝置，其例子可包括，但不限於，光伏打裝置、整流器、發射器和有機發光二極體(OLED)等。本發明的一個實例中，該有機電子裝置係OLED。
例示封裝膜(10)包含含有水分吸附劑的封裝層(11)；形成於該封裝層(11)上並具有50至800W/m·K的導熱度的金屬層(13)；和形成於該金屬層上並含有磁性粒子的磁性層(12)，此如圖1所示。本申請案之封裝膜整合地提供磁性層、金屬層和封裝層。此處，封裝層可密封有機電子裝置的頂側。藉由提供以上結構的封裝膜，本申請案能夠有效地釋放累積在有機電子裝置內部的熱並具有水分阻擋性且防止因為在有機電子裝置中的釋出氣而形成亮點。
本申請案之封裝膜不限於以上結構，且可另包含樹脂層。此樹脂層可為塗層或黏著層，其可包含至少一種樹脂組份。本申請案之具體實施例中，樹脂層可形成於磁性層和金屬層之間或封裝層和金屬層之間。本申請案提出多層整合膜，其用以提供封裝膜磁性和釋熱功能，但就本發明阻斷水分的目的，可包含樹脂層。即，本申請案可以包含樹脂層，以阻擋水分侵入水分阻擋性稍微降低的磁性層的側表面或上表面。據此，樹脂層可包含水分吸附劑，但不在此限。水分吸附劑和樹脂組份可以分別與封裝層中所含的水分吸附劑和封裝樹脂相同或不同。例如，樹脂層可包含丙烯酸系樹脂、烯烴系樹脂、胺甲酸酯系樹脂、或環氧樹脂。此外，一個實例中，樹脂層可為硬塗層。未特別限制硬塗層的材料，可包含紫外光可固化樹脂和固化引發劑，且可以與以下描述的封裝層的樹脂組成物相同或不同。
此外，本申請案可以另外包含在封裝膜結構中之磁性層上的金屬層。此情況中，二或更多個金屬層存在於膜中。此外，本申請案之封裝膜可以另包含保護層，其述於下文中，存在於金屬層和∕或黏著層上以使得保護層接合至金屬層。
一個實例中，此封裝膜包含亮點抑制劑。此亮點抑制劑可以存在於封裝層或磁性層中，但不在此限。只要此亮點抑制劑在封裝膜施用至有機電子裝置時具有防止亮點出現於有機電子裝置的面板上的效果，就不限制其材料。例如，此亮點抑制劑可以是能夠吸收以，例如，H原子、氫氣(H2 )、氨(NH3 )氣、H+ 、NH2+ 、NHR2 和∕或NH2 R(在沈積層(如，沈積在有機電子元件的電極上之氧化矽、氮化矽或氧氮化矽的惰性膜(無機氣相沈積層))中生成的釋出氣)，為例的材料之材料。此處，R可為有機基團，且例如，可以烷基、烯基、炔基等為例，但不限於此。
藉密度泛函理論計算，此亮點抑制劑可具有0eV或更低之對於釋出氣的吸附能。未特別限制此吸附能的下限值，但可為-20eV。在本申請案之具體實施例中，基於密度泛函理論，經由電子結構計算，可計算出介於亮點抑制劑和引發亮點的原子或分子之間的吸附能。以上計算可藉此技術已知的方法進行。例如，本申請案中，在作出二維片結構(其中，具有晶狀結構之亮點抑制劑之最緊密充填的表面暴於表面)之後進行結構最佳化，及之後進行引發亮點的分子在此真空條件下吸附於表面上之結構為佳化，藉由自這兩個系統的總能量差扣掉引發亮點的分子的總能量所得的值定義為吸附能。用於各系統的總能量計算，作為GGA(通用的梯度近似法)系列的函數之修正的PBE函數被用來作為交換關聯以模擬電子和電子之間的交互作用，電子動能的使用截止點為500eV，並且僅包括並計算對應於倒易空間原點的γ點。使用共軛梯度法使得各系統的原子結構最佳化且進行反覆計算直到交互作用力為0.01 eV/Å或更低。經由商業代碼為VASP者進行一系列的計算。
一個實例中，未限制此亮點抑制劑的材料，只要其符合以上吸附能值即可，其可為金屬或非金屬。此亮點抑制劑可包含，例如，Li、Ni、Ti、Rb、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Zn、In、Pt、Pd、Fe、Cr、Si、或其調合物，可包含此材料的氧化物或氮化物，且可包含材料的合金。一個實例中，此亮點抑制劑可包含鎳粒子、氧化鎳粒子、氮化鈦、鐵-鈦的鈦系合金粒、鐵-錳的錳系合金粒、鎂-鎳的鎂系合金粒、稀土金屬系合金粒、沸石粒子、氧化矽粒子、碳奈米管、石墨、鋁磷酸鹽分子篩粒子或中孔氧化矽粒子。在此封裝膜中，相對於100重量份的磁性粒子，此亮點抑制劑的含量可為1至120重量份、5至109重量份、7至100重量份、9至92重量份或10至83重量份。相對於100重量份在層中的樹脂組份，此亮點抑制劑的含量可為3至150重量份、6至143重量份、8至131重量份、9至123重量份、或10至116重量份。在以上的含量範圍內，本申請案可以在改良膜的黏著性和耐久性的同時，實現有機電子裝置的亮點之防止。此外，此亮點抑制劑所具有的粒徑在10 nm至30 μm、50 nm至21 μm、105 nm至18 μm、110 nm至12 μm、120 nm至9 μm、140 nm至4 μm、150 nm至2 μm、180 nm至900 nm、230 nm至700 nm或270 nm至400 nm的範圍內。藉由包含此亮點抑制劑，本申請案可以在有效地吸附在有機電子裝置中生成的氫的同時，一併實現封裝膜的水分阻擋性和耐久可靠性。此說明書中，用語樹脂組份可為封裝樹脂和∕或黏合劑樹脂，於下文中描述彼等。
在本申請案之具體實施例中，封裝膜可包含至少兩個封裝層，且封裝層可包含與有機電子元件接觸的第一層和未與有機電子元件接觸的第二層。此外，第二層或磁性層可包含所具有之藉密度泛函理論計算之對於釋出氣的吸附能為0eV或更低的亮點抑制劑。藉由在未與有機電子元件接觸的第二層或磁性層中包括此亮點抑制劑，由於此亮點抑制劑，根據應力集中度，本申請案之封裝膜可防止有機電子裝置受損。鑑於以上者，第一層可包含或不包含此亮點抑制劑，基於封裝膜中的亮點抑制劑的總量，其量為15%或更低。此外，未與有機電子元件接觸的層，除了第一層以外，可包含基於封裝膜中的亮點抑制劑的總量之85%或更高的此亮點抑制劑。即，本申請案中，相較於與有機電子元件接觸的第一層，未與有機電子元件接觸的其他層(如，第二層或磁力層)可包含較高含量的此亮點抑制劑，藉此防止在實現膜的水分阻擋性和亮點防止性的同時之施於元件的物理損害。
在本申請案之具體實施例中，磁性層上另包括金屬層。此情況中，金屬層可存在於磁性層兩側。本申請案之金屬層可具有50 W/m·K或更高、60 W/m·K或更高、70 W/m·K或更高、80 W/m·K或更高、90 W/m·K或更高、100 W/m·K或更高、110 W/m·K或更高、120 W/m·K或更高、130 W/m·K或更高、140 W/m·K或更高、150 W/m·K或更高、200 W/m·K或更高、或210 W/m·K或更高的導熱度。未特別限制導熱度的上限，其可為800 W/m·K或更低。藉由使用此高導熱度，在金屬層結合程序中，於結合界面生成的熱會更迅速地釋出。同樣地，因為此高導熱度，所以在有機電子裝置的操作期間內累積的熱被迅速釋出，藉此可以使得有機電子裝置本身維持於較低溫度，並減少裂紋和缺陷的發生。可以在15至30℃的溫度範圍內的任何溫度測定導熱度。
文中用語“導熱度”為材料能夠藉傳導而轉移熱的能力之程度，其單位是W/m·K。此單位是材料於相同溫度和距離的熱傳導程度，且是指相關於距離的單位(meter)和溫度的單位(kellvin)之熱的單位(watt)。
在本申請案之具體實施例中，封裝膜的金屬層可為透明或不透明。此金屬層的厚度在3 μm至200 μm、10 μm至100 μm、20 μm至90 μm、30 μm至80 μm、或40 μm至75 μm的範圍內。藉由控制金屬層的厚度，本申請案提出薄膜封裝膜，同時實現足夠的釋熱效果。此金屬層可為薄金屬箔或經金屬沈積的聚合物底層。未特別限制此金屬層，只要其為符合上述導熱度並含有金屬的材料即可。此金屬層可包含金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、金屬氧氮化物、金屬氧硼化物、和其調合物中之任一者。例如，該金屬層可包含一或多種金屬元素或非金屬元素加至一金屬中之合金，且可包含，例如，不銹鋼(SUS)。此外，在一個實例中，該金屬層包含鐵、鉻、銅、鋁、鎳、氧化鐵、氧化鉻、氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化銦、氧化錫、氧化銦錫、氧化鉭、氧化鋯、氧化鈮、和其調合物。此金屬層可藉電解、滾壓、熱蒸發、電子束蒸發、濺鍍、反應性濺鍍、化學氣相沈積、電漿化學氣相沈積或電子迴旋加速器共振電漿源化學氣相沈積的方式沈積。本發明的一個實例中，該金屬層可藉反應性濺鍍沈積。
習慣上，通常使用鎳-鐵合金(Invar)作為封裝膜，但鎳-鐵合金具有價格高、其導熱性低，和其切割性質欠佳的缺點。本申請案提出封裝膜，其防止有機電子裝置產生亮點，具有極佳的釋熱特性，且因為磁性而實現了程序便利性，未使用鎳-鐵合金作為金屬層。
在本申請案之具體實施例中，封裝膜包含含有磁性粒子的磁性層，此如前述者。本申請案得以藉由包括含有磁性粒子的磁性層藉磁性來進行程序。特定言之，根據本發明之封裝膜具有足夠的磁性，藉此可藉磁鐵固定，並據此，因為不須要額外的程序來固定此膜，所以改良了產能。
只要磁性層包含磁性粒子，就對其材料沒有特別的限制。一個實例中，磁性層為包含壓敏性黏著劑組成物或黏著劑組成物之壓敏性黏著層或黏著層。
此磁性層可以另包含黏合劑樹脂。未特別限制構成黏合劑樹脂的材料。一個實例中，黏合劑樹脂可包括丙烯酸系樹脂、環氧樹脂、聚矽氧樹脂、胺甲酸酯樹脂、氟樹脂、苯乙烯樹脂、聚烯烴樹脂、熱塑性彈性體、聚環氧烷樹脂、聚酯樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚醯胺樹脂、或其混合物，但不限於此。此黏合劑樹脂具有低於0℃、低於-10℃、低於-30℃、低於-50℃、或低於-60℃的玻璃轉變溫度。此處，玻璃轉變溫度可以是固化之後的玻璃轉變溫度，且在一個具體實施例中，其可為以約1 J/cm2 或更高的紫外光照射之後的玻璃轉變溫度；或在紫外光照射之後再另外進行熱固化之後的玻璃轉變溫度。
一個實例中，只要磁性粒子具有磁性，未特別限制其類型，其可為此技術中已知的材料。例如，此磁性粒子可為Cr、Fe、Pt、Mn、Zn、Cu、Co、Sr、Si、Ni、Ba、Cs、K、Ra、Rb、Be、Y、B、其合金或其氧化物，且在本申請案之具體實施例中，此磁性粒子可包括Cr、Fe、Fe3 O4 、Fe2 O3 、MnFe2 O4 、BaFe12 O19 、SrFe12 O19 、CoFe2 O4 、CoPt、或FePt。一個實例中，此磁性粒子具有的尺寸在10 nm至200 μm、90 nm至180 μm、120 nm至130 μm、280 nm至110 μm、450 nm至100 μm、750 nm至90 μm、950 nm至70 μm、990 nm至30 μm、或995 nm至20 μm範圍內。粉狀的此磁性粒子可以與磁性層的黏合劑樹脂一起形成磁性層。此外，在本申請案之具體實施例中，相對於100重量份的此磁性粒子，黏合劑樹脂的含量可為5至30重量份、8至28重量份、9至23重量份、10至18重量份、或11至14重量份。黏合劑樹脂和磁性粒子以以上的比含括時，膜可藉磁鐵以足夠的磁性固定，且得以提供關於前述亮點防止和水分阻擋之具有所須高可靠性的膜。另一方面，一併具有磁性、亮點防止性能和∕或水分吸附性能的粒子可存在於本申請的封裝膜內側，且在此情況中，粒子可同時作為亮點抑制劑、磁性粒子和∕或水分吸附劑。此外，本申請案中，當二或更多種粒子存在時，可以將具有較低吸附能的粒子界定為亮點抑制劑。
一個實例中，磁性層所具有的厚度在5 μm至200 μm、10 μm至150 μm、13 μm至120 μm、18 μm至90 μm、22 μm至70 μm、或26 μm至50 μm的範圍內。本申請案可以在藉由將磁性層的厚度控制在以上範圍內而在提供足夠的磁性的同時提供薄封裝膜。
一個實例中，封裝膜可包含一個封裝層。一個實例中，封裝層可為單層或具二或更多層的多層結構。當二或更多層構成封裝層時，封裝層中的各層之組成可相同或不同。一個實例中，封裝層可為包含壓敏性黏著劑組成物或黏著劑組成物之壓敏性黏著層或黏著層。
本發明的一個具體實施例中，封裝層可包含封裝樹脂。此封裝樹脂可具有低於0℃、低於-10℃、低於-30℃、低於-50℃、或低於-60℃的玻璃轉變溫度。此處，玻璃轉變溫度可以是固化之後的玻璃轉變溫度，且在一個具體實施例中，其可為以約1 J/cm2 或更高的紫外光照射之後的玻璃轉變溫度；或在紫外光照射之後再另外進行熱固化之後的玻璃轉變溫度。
一個實例中，封裝樹脂可包含苯乙烯樹脂或彈性體、聚烯烴樹脂或彈性體、其他彈性體、聚氧伸烷基樹脂或彈性體、聚酯樹脂或彈性體、聚氯乙烯樹脂或彈性體、聚碳酸酯樹脂或彈性體、聚苯硫醚樹脂或彈性體、烴的混合物、聚醯胺樹脂或彈性體、丙烯酸酯樹脂或彈性體、環氧樹脂或彈性體、聚矽氧樹脂或彈性體、氟樹脂或彈性體、或其混合物等。
此處，苯乙烯樹脂或彈性體可為，例如，苯乙烯–乙烯–丁二烯–苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)、苯乙烯–異戊二烯–苯乙烯嵌段共聚物(SIS)、丙烯腈–丁二烯–苯乙烯嵌段共聚物(ABS)、丙烯腈–苯乙烯–丙烯酸酯嵌段共聚物(ASA)、苯乙烯–丁二烯–苯乙烯嵌段共聚物(SBS)、苯乙烯均聚物或其混合物。烯烴樹脂或彈性體可為，例如，高密度聚乙烯樹脂或彈性體、低密度聚乙烯樹脂或彈性體、聚丙烯樹脂或彈性體或其混合物等。使用該彈性體可為，例如，酯熱塑性彈性體、烯烴彈性體、聚矽氧彈性體、丙烯酸系彈性體或其混合物等。特別地，烯烴熱塑性彈性體可為，例如，聚丁二烯樹脂或彈性體或聚異丁烯樹脂或彈性體等。聚氧伸烷基樹脂或彈性體的例子可為，例如，聚氧伸甲基樹脂或彈性體、聚氧伸乙基樹脂或彈性體或其混合物等。聚酯樹脂或彈性體可為，例如，聚伸乙基對酞酸酯樹脂或彈性體、聚伸丁基對酞酸酯樹脂或彈性體或其混合物等。聚氯乙烯樹脂或彈性體可為，例如，聚偏二氯乙烯等。烴的混合物可為，例如，三十六烷或烷烴等。聚醯胺樹脂或彈性體可為，例如，尼龍等。丙烯酸酯樹脂或彈性體的例子可為，例如，聚(甲基)丙烯酸丁酯等。環氧基樹脂或彈性體的例子可為，例如，雙酚型(如雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型)和其氫化產物；清漆型，如酚清漆型或甲酚清漆型；含氮的環型，如三環氧丙基三聚異氰酸酯型或乙內醯胺型；脂族環型；脂族型；芳族型，如萘型及聯苯型；環氧丙基型，如環氧丙醚型、環氧丙胺型、及環氧丙酯型；二環型，如二環戊二烯型；酯型；醚酯型；或彼等之混合物等。聚矽氧樹脂或彈性體的例子可為，例如，聚二甲基矽氧烷等。此外，氟樹脂或彈性體的例子可為聚三氟乙烯樹脂或彈性體、聚四氟乙烯樹脂或彈性體、聚氯三氟乙烯樹脂或彈性體、聚六氟丙烯樹脂或彈性體、聚偏二氟乙烯、聚氟乙烯、聚伸乙基伸丙基氟化物、或其混合物等。
上列樹脂或彈性體亦可以，例如，經順丁烯二酸酐接枝之類、與其他樹脂或彈性體經由用於製造樹脂或彈性體之單體共聚，及藉由以其他化合物改質的形式使用。以上的其他化合物的例子包括羧基終端的丁二烯-丙烯腈共聚物等。
一個實例中，在作為封裝樹脂的上述類型中，該封裝層包含，但不限於，烯烴彈性體、聚矽氧彈性體或丙烯酸系彈性體等。
在本申請案的一個具體實施例中，該封裝樹脂可為烯烴樹脂。該烯烴樹脂可為丁烯單體的均聚物；藉由使丁烯單體和另一可聚合的單體共聚而得到的共聚物；使用丁烯單體的反應性寡聚物；或彼等之混合物。此丁烯單體可包括，例如，1-丁烯、2-丁烯、異丁烯。
可以與丁烯單體或衍生物共聚的其他單體包括，例如，異戊二烯、苯乙烯、或丁二烯等。藉由使用此共聚物，當施用於有機電子裝置時，可確保物理性，如，可維持加工性和交聯度並藉此確保黏著劑本身的耐熱性。
此外，使用丁烯單體的反應性寡聚物可包含具有反應性官能基的丁烯聚合物。此寡聚物可具有範圍由500至5,000的重量平均分子量。此外，丁烯聚合物可偶合至具有反應性官能基的另一聚合物。此其他聚合物可為，但不限於，(甲基)丙烯酸烷酯。此反應性官能基亦可為羥基、羧基、異氰酸酯基或含氮基團。此反應性寡聚物和其他聚合物可藉多官能性交聯劑交聯，且此多官能性交聯劑可為選自由異氰酸酯交聯劑、環氧基交聯劑、吖啶交聯劑和金屬螯合物交聯劑所組成群組中之至少一者。
一個實例中，本申請案之封裝樹脂可為二烯和含有碳-碳雙鍵的烯烴系化合物之共聚物。此處，烯烴系化合物可包括丁烯之類，而二烯可為能夠與烯烴系化合物聚合的單體，且可包括，例如，異戊二烯或丁二烯等。例如，含有一個碳-碳雙鍵的烯烴系化合物和二烯的共聚物可為丁基橡膠。
在封裝層中，樹脂或彈性體組份的重量平均分子量(Mw)使得壓敏性黏著劑組成物可製成膜形狀。例如，樹脂或彈性體的重量平均分子量是約100,000至2,000,000、120,000至1,500,000、或150,000至1,000,000等。文中的用語“重量平均分子量”是藉GPC(凝膠穿透層析法)測得之相關於聚苯乙烯標準品的轉化值。但是，該樹脂或彈性體不一定得具有上述重量平均分子量。例如，在該樹脂或彈性體組份的分子量不足以形成膜的情況中，個別的黏合劑樹脂可摻入該壓敏性黏著劑組成物中。
另一具體實施例中，根據本申請案之封裝樹脂可為可固化的樹脂。當封裝樹脂是可固化的樹脂時，封裝樹脂可為在固化之後具有85℃或更高的玻璃轉變溫度之樹脂。玻璃轉變溫度可為光固化或熱固化此封裝樹脂之後的玻璃轉變溫度。未特別限制可用於本發明之可固化的樹脂的特定類型，且例如，可以使用此領域中已知之各種熱固化或光可固化的樹脂。用語“熱固化樹脂”是指可經由適當的施熱或老化程序加以固化的樹脂，而用語“光可固化的樹脂”是指可藉電磁波照射加以固化的樹脂。此外，可固化的樹脂亦可為包括熱可固化和光可固化性質二者之雙重可固化的樹脂。
未特別限制本申請案中之可固化的樹脂的特定種類，只要其具有上述特徵即可。例如，在固化之後展現黏著性者可包括含括一或多個熱可固化的官能基(例如，環氧丙基、異氰酸酯基、羥基、羧基或醯胺基)的樹脂，或含括一或多個能夠藉電磁波照射而固化之官能基(如，環氧基、環狀醚基、硫醚基、縮醛基或內酯基)的樹脂。此樹脂的特定種類可包括丙烯酸系樹脂、聚酯樹脂、異氰酸酯樹脂或環氧樹脂等，但不在此限。
本申請案中，可以使用芳族或脂族；或直鏈或支鏈環氧樹脂作為可固化的樹脂。本申請案之具體實施例中，可以使用環氧基當量為180 g/eq至1,000 g/eq，其含有二或更多個官能基的環氧樹脂。藉由使用環氧基當量在以上範圍內的環氧樹脂，可以有效地維持固化產物的特徵，如黏著性能和玻璃轉變溫度。此環氧樹脂的例子可包括甲酚清漆環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚A型清漆環氧樹脂、酚清漆環氧樹脂、四官能性環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三酚甲烷型環氧樹脂、經烷基改質的三酚甲烷環氧樹脂、萘型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂或經二環戊二烯改質的酚型環氧樹脂中之一者或其中的二或更多者之混合物。
本申請案中，可以使用分子結構中包含環狀結構的環氧樹脂和包含芳基(例如，苯基)的環氧樹脂作為可固化的樹脂。環氧樹脂包含芳基時，固化產物具有極佳的熱和化學安定性且同時展現低的水分吸收量，藉此改良該有機電子裝置的封裝結構的可靠性。可用於本申請案之含有芳基的環氧樹脂的特定例子可為，聯苯型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、經二環戊二烯改質的酚型環氧樹脂、甲酚系環氧樹脂、雙酚系環氧樹脂、二甲苯系環氧樹脂、多官能性環氧樹脂、酚清漆環氧樹脂、三酚甲烷型環氧樹脂、和經烷基改質的三酚甲烷環氧樹脂中之一者或二或更多者之混合物，但不在此限。
此外，本申請案之封裝層可包含活性能量射線可聚合的化合物，該化合物與封裝樹脂極可相配伍並可以與封裝樹脂一起形成特定的交聯結構。此情況中，封裝樹脂可為可交聯的樹脂。
例如，取決於封裝樹脂的類型，本申請案之封裝層可包含可藉活性能量射線的照射而聚合之多官能性活性能量射線可聚合的化合物和封裝樹脂。此活性能量射線可聚合的化合物可以是指包含二或更多個能夠藉由活性能量射線的照射而參與聚合反應的官能基(例如，含有乙烯系不飽和雙鍵的官能基(如，丙烯醯基或甲基丙烯醯基)、或官能基(如，環氧基或環氧丁基))之化合物。
可以使用，例如，多官能性丙烯酸酯(MFA)作為多官能性活性能量射線可聚合的化合物。
相對於100重量份的封裝樹脂，此活性能量射線可聚合的化合物的含量亦可為5至30重量份、5至25重量份、8至20重量份、10至18重量份或12至18重量份。本申請案提出即使在嚴苛條件下(如，在以上範圍內的高溫度和高濕度)下仍具有極佳耐久可靠性的封裝膜。
可以無任何限制地使用該可藉活性能量射線照射而聚合之多官能性活性能量射線可聚合的化合物。例如，此化合物可包括二(甲基)丙烯酸1,4-丁二醇酯、二(甲基)丙烯酸1,3-丁二醇酯、二(甲基)丙烯酸1,6-己二醇酯、二(甲基)丙烯酸1,8-辛二醇酯、二(甲基)丙烯酸1,12-十二烷二醇酯、二(甲基)丙烯酸新戊二醇酯、二(甲基)丙烯酸二環戊酯、環己烷-1,4-二醇二(甲基)丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、二羥甲基二環戊烷二(甲基)丙烯酸酯、經新戊二醇改質的三羥甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、金剛烷二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、或其混合物。
作為該多官能性活性能量射線可聚合的化合物，例如，可使用分子量低於1,000並含有二或更多個官能基的化合物。此情況中，分子量是指重量平均分子量或傳統分子量。該多官能性活性能量射線可聚合的化合物中所含括的環結構可為碳環結構或雜環結構；或單環結構或多環結構中之任一者。
在本申請案之具體實施例中，該封裝層可以另外包含自由基引發劑。該自由基引發劑可為光引發劑或熱引發劑。可以考慮固化速率和黃化可能性等，適當地選擇光引發劑的特定種類。例如，可以使用苯偶姻系、羥基酮系、胺基酮系或氧化膦系光引發劑等，且特定言之，可使用苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、苯偶姻正丁醚、苯偶姻異丁醚、苯乙酮、二甲胺基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基-2-苯基苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙-1-酮、1-羥基環己基苯基酮、2-甲基-1-[4-(甲巰基)苯基]-2-嗎啉-丙-1-酮、4-(2-羥基乙氧基)苯基-2-(羥基-2-丙基)酮、二苯基酮、對-苯基二苯基酮、4,4’-二乙胺基二苯基酮、二氯二苯基酮、2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-三級丁基蒽醌、2-胺基蒽醌、2-甲基噻噸酮、2-乙基噻噸酮、2-氯噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、苄基二甲縮酮、乙醯苯二甲縮酮、對-二甲胺基苯甲酸酯、寡聚[2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮]和2,4,6-三甲基苄醯基-二苯基-氧化膦等。
相對於100重量份該活性能量射線可聚合的化合物，該自由基引發劑的含量比例為0.2至20重量份、0.5至18重量份、1至15重量份、或2至13重量份。結果，有效地誘發活性能量射線可聚合的化合物之反應，且亦可防止此封裝層組成物的物理性質因為固化之後殘留的組份而受損。
在本申請案的具體實施例中，取決於所含括之樹脂組份的種類，封裝膜的封裝層、磁性層或樹脂層可以另外包含固化劑。例如，可以另外包含能夠藉由與上述封裝樹脂反應而形成交聯結構的固化劑之類。此說明書中，用語封裝樹脂和∕或黏合劑樹脂可以與樹脂組份以相同含義使用。
可以取決於樹脂中所含樹脂組份或官能基的類型適當選擇和使用固化劑的種類。
在一個實例中，當該樹脂組份是環氧樹脂時，該固化劑是此技術中已知之環氧樹脂的固化劑，且可以使用，例如，胺固化劑、咪唑固化劑、酚固化劑、磷固化劑或酸酐固化劑等中之一或二或更多者，但不在此限。
在一個實例中，所用的該固化劑可為咪唑化合物，其於室溫為固體且具有80℃或更高的熔點或分解溫度。此化合物的例子可為，例如，2-甲基咪唑、2-十七烷基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑或1-氰基乙基-2-苯基咪唑等，但不在此限。
可以取決於組成物之組成(例如，封裝樹脂的類型或比)而選擇固化劑的含量。例如，基於100重量份的封裝樹脂，該固化劑的含量可為1至20重量份、1至10重量份或1至5重量份。但是，可以取決於封裝樹脂的類型和比或樹脂的官能基、或欲實現的交聯密度等而改變此重量比。
封裝樹脂為可藉活性能量射線照射而固化的樹脂時，例如，可以使用陽離子性光聚合反應引發劑作為引發劑。
可以使用鎓鹽或有機金屬鹽系列之離子化的陽離子性引發劑、或有機矽烷或潛在的磺酸系列之非離子化的陽離子性光聚合反應引發劑作為陽離子性光聚合反應引發劑。鎓鹽系列的引發劑的例子可為二芳基碘鎓鹽、三芳基硫鎓鹽、或芳基疊氮鎓鹽等，有機金屬鹽系列的引發劑的例子可為鐵芳烴等，有機矽烷系列的引發劑的例子可為鄰-硝基苄基三芳基矽基醚、三芳基矽基過氧化物、或醯基矽烷等，潛在的磺酸系列的引發劑的例子為α-磺醯氧基酮或α-羥基甲基苯偶姻磺酸酯，但不限於此。
在一個實例中，使用離子化的陽離子性光聚合反應引發劑作為陽離子性引發劑。
在一個實例中，封裝層和∕或磁性層可以另外包括賦黏劑，其中該賦黏劑較佳地為氫化的環狀烯烴聚合物。作為賦黏劑，例如，可使用藉由將石油樹脂加以氫化而得之氫化的石油樹脂。該氫化的石油樹脂可經部分或完全氫化且亦可為此樹脂之混合物。此賦黏劑可經選擇以具有對於壓敏性黏著劑組成物之良好的配伍性、極佳的水分阻擋性、且為低揮發性有機組份。氫化的石油樹脂的特定例子可包括氫化的萜烯樹脂、氫化的酯樹脂或氫化的二環戊二烯樹脂等。該賦黏劑的重量平均分子量為約200至5,000。必要時，可適當地調整賦黏劑的含量。例如，可以考慮以下將描述的凝膠含量等而選擇該賦黏劑的含量，且根據一個例子，相對於100重量份的樹脂組份，其比例為5至100重量份、8至95重量份、10至93重量份或15至90重量份。
如前述者，該封裝層可以另外包含水分吸附劑。此說明書中，用語“水分吸附劑”是指，例如，能夠藉由與水分或水氣之化學反應移除滲入封裝膜的水分或水氣之化學反應性吸附劑，此如以下描述者。
例如，該水分吸附劑可以均勻分散的狀態存在於該封裝層或該封裝膜中。此處，均勻分散的狀態是指該水分吸附劑以相同或實質上相同的密度均勻地存在於該封裝層或該封裝膜的任何部分。可用於以上之水分吸附劑可包括，例如，金屬氧化物、硫酸鹽或有機金屬氧化物等。特定言之，硫酸鹽的例子包括硫酸鎂、硫酸鈉或硫酸鎳等，有機金屬氧化物的例子包括氧化鋁辛酸酯。此處，金屬氧化物的特定例子包括五氧化磷(P2 O5 )、氧化鋰(Li2 O)、氧化鈉(Na2 O)、氧化鋇(BaO)、氧化鈣(CaO)或氧化鎂(MgO)等，金屬鹽的例子包括硫酸鹽，如硫酸鋰(Li2 SO4 )、硫酸鈉(Na2 SO4 )、硫酸鈣(CaSO4 )、硫酸鎂(MgSO4 )、硫酸鈷(CoSO4 )、硫酸鎵(Ga2 (SO4 )3 )、硫酸鈦(Ti(SO4 )2 )或硫酸鎳(NiSO4 )，金屬鹵化物，如氯化鎂(MgCl2 )、氯化鍶(SrCl2 )、氯化釔(YCl3 )、氯化銅(CuCl2 )、氟化銫(CsF)、氟化鉭(TaF5 )、溴化鋰(LiBr)、溴化鈣(CaBr2 )、溴化銫(CeBr3 )、溴化硒(SeBr4 )、溴化釩(VBr3 )、溴化鎂(MgBr2 )、碘化鋇(BaI2 )或碘化鎂(MgI2 )；或金屬氯酸鹽，如過氯酸鋇(Ba(ClO4 )2 )或過氯酸鎂(Mg(ClO4 )2 )等，但不在此限。由於該水分吸附劑可含括於該封裝層中，所以亦可使用上述構份中之一或二或更多者。一個實例中，當使用二或更多者作為水分吸附劑時，可使用經煅燒的白雲石等。
此水分吸附劑可取決於其用途而控制於適當尺寸。在一個實例中，此水分吸附劑的平均粒子直徑可控制於100至15000 nm、500 nm至10000 nm、800 nm至8000 nm、1 μm至7 μm、2 μm至5 μm、或2.5 μm至4.5 μm。尺寸在以上範圍內的水分吸附劑與水分的反應速率不會過快並因此而容易儲存，且不會損及須封裝的元件，且可以有效地移除水分，不會干擾氫吸附程序。此外，在本申請案之具體實施例中，亮點抑制劑的粒徑對此水分吸附劑的粒徑的比可以在0.01至1.5或0.1至0.95的範圍內。此說明書中，粒徑是指平均粒徑，且可藉已知方法以D50粒子尺寸分析儀測定。藉由控制存在於膜內部的亮點抑制劑和水分吸附劑的粒徑比，本申請案可實現水分阻擋性(其為封裝膜的原始功能)、和元件的可靠性及亮點防止性。
未特別限制該水分吸附劑的含量且可考慮所須的阻斷性而適當地選擇。一個實例中，本申請案之封裝膜所具有之亮點抑制劑對水分吸附劑的重量比在0.05至0.8或0.1至0.7的範圍內。本申請案中，亮點抑制劑分散於膜中以防止亮點，但考慮水分阻擋性(其為封裝膜的內稟功能)、和元件的可靠性的實現，添加用於防止亮點的亮點抑制劑可以與水分吸附劑具特定的含量比。
必要時，該封裝層亦可另外包括水分阻斷劑。此說明書中，用語“水分阻斷劑”是指與水分不具反應性或反應性低，但可物理性阻斷或阻礙水分或水氣在膜中之移動的材料。可以使用黏土、滑石、針狀矽石、板狀矽石、多孔矽石、沸石、氧化鈦或氧化鋯中之一或二或更多者作為水分阻斷劑。此外，該水分阻斷劑的表面亦可經有機改質劑之類處理以利於有機物質的滲透。可以使用的有機改質劑可為，例如，二甲基苄基氫化的牛油四級銨、二甲基氫化的牛油四級銨、甲基牛油雙-2-羥基乙基四級銨、二甲基氫化的牛油2-乙基己基四級銨、二甲基去氫化的牛油四級銨、或彼等之混合物等。
未特別限制此水分阻斷劑的含量且可以考慮所欲阻斷特性而經適當地選擇。
取決於下文將描述之封裝膜的應用和製程，除了上述組份以外，封裝層可包含各種添加劑。例如，取決於所欲的物理性質，此封裝層可包括適當含量範圍之可固化的材料、交聯劑、填料之類。
在本申請案之具體實施例中，封裝層可製成上述單層構造，亦可製成二或更多層。當製成二或更多層時，接近磁性層的層可包含水分吸附劑。例如，在製成二或更多層的情況中，封裝層的最外層可以不包含水分吸附劑。
一個實例中，考慮到封裝膜應用於有機電子元件的封裝，考慮元件受損之類可控制此水分吸附劑的含量。例如，接觸此元件的層可包含小量的水分吸附劑、或可以不含水分吸附劑。一個實例中，相對於封裝膜中所含的水分吸附劑總量，與元件接觸的封裝層可包含0至20%的水分吸附劑。此外，相對於封裝膜中所含的水分吸附劑總量，未與元件接觸的封裝層可包含80至100%的水分吸附劑。
在本申請案之具體實施例中，可以另外有黏著層含括於金屬層和磁性層之間。此外，另有保護層含括於磁性層上，其中黏著層可以另外含括於磁性層和保護層之間。未特別限制黏著層的材料，其可以與上述封裝層的材料相同或不同，必要時，其可包含上述水分吸附劑。一個實例中，黏著層可為丙烯酸系黏著劑。此黏著層可具有2至50 μm、6至42 μm、或9至33 μm等的厚度。磁性層存在於封裝膜的多層結構中的最外圍時，本申請案的保護層可形成磁性層上，且當金屬層存在於最外圍時，其可形成於金屬層上。此保護層用以防止膜在過程中被黏住或擠壓以抵抗外部衝擊。
一個實例中，此保護層可包含樹脂組份。未特別限制構成保護層的材料。一個實例中，此保護層可為能夠阻斷水分滲透的防潮層。一個實例中，構成此保護層的樹脂組份可包含選自由聚有機矽氧烷、聚醯亞胺、苯乙烯樹脂或彈性體、聚烯烴樹脂或彈性體、聚環氧烷樹脂或彈性體、聚酯樹脂或彈性體、聚氯乙烯樹脂或彈性體、聚碳酸酯樹脂或彈性體、聚苯硫醚樹脂或彈性體、聚醯胺樹脂或彈性體、丙烯酸酯樹脂或彈性體、環氧樹脂或彈性體、聚矽氧樹脂或彈性體、和氟樹脂或彈性體所組成群組中之一或多者。此樹脂組份可具有低於0℃、低於-10℃、或低於-30℃、低於-50℃、或低於-60℃的玻璃轉變溫度。此處，玻璃轉變溫度可以是固化之後的玻璃轉變溫度，且在一個具體實施例中，其可為以約1 J/cm2 或更高的紫外光照射之後的玻璃轉變溫度；或在紫外光照射之後再另外進行熱固化之後的玻璃轉變溫度。此保護層可具有10至100 μm、18至88 μm、或22至76 μm等的厚度。
在本申請案之具體實施例中，包含水分吸附劑之硬塗層可以另外含括於封裝層和金屬層之間。此硬塗層可經由將硬樹脂(如，丙烯酸系樹脂、胺甲酸酯樹脂或矽氧烷樹脂)施用在封裝層或金屬層的一側上並固化此塗層的方法形成，此處，其厚度通常為0.1 μm至30 μm、1 μm至23 μm、或3 μm至18 μm等。此硬塗層可藉由包含水分吸附劑而抑制水分由外部滲入。
此封裝膜可以另包含底膜或脫模膜(下文中，可稱為“第一膜”)，其可具有封裝層形成於底膜或脫模膜上的結構。此結構亦可另外包含底膜或脫模膜(下文中，可稱為“第二膜”)形成於金屬層上的構造。
未特別限制本申請案可用之第一膜的特定種類。本申請案中，例如，此領域中之通用的聚合物膜可作為第一膜。本申請案中，例如，可以用來作為底膜或脫模膜的是聚伸乙基對酞酸酯膜、聚四氟乙烯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚氯乙烯膜、聚胺甲酸酯膜、乙烯-乙酸乙烯酯膜、乙烯-丙烯共聚物膜、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物膜、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物膜或聚醯亞胺膜等。此外，可以在本申請案的底膜或脫模膜的一側或兩側上進行適當的脫模處理。底膜之脫模處理中使用的脫模劑的例子可為醇酸系列、矽氧烷系列、氟系列、不飽和酯系列、聚烯烴系列或蠟系列等，且其中，就耐熱性的觀點，較佳地使用醇酸系列、矽氧烷系列或氟系列的脫模劑，但不限於此。
本申請案中，未特別限制以上的底膜或脫模膜(第一膜)的厚度，其可取決於其施用的應用而適當地選擇。例如，本申請案中，第一膜的厚度可為10 μm至500 μm，較佳地，20 μm至200 μm之類。若其厚度低於10 μm，則底膜易在製程中變形，而當其超過500 μm，則經濟效率低。
未特別限制本申請案的封裝膜中所含括的封裝層的厚度，其可根據以下條件，考慮此膜施用的應用而適當地選擇。此封裝層的厚度可為5 μm至200 μm，較佳地，5 μm至100 μm之類。若此封裝層的厚度低於5 μm，則未能展現足夠的濕度阻擋能力，而若其超過200 μm，則難以確保加工性，因為水分反應性大而造成厚度膨脹，使得有機發光元件的沈積膜受損，且經濟效益低。
此外，封裝膜的厚度可以在10 μm至500 μm、23 μm至480 μm或34 μm至430 μm的範圍內。此處，封裝膜的厚度是指排除底膜或脫模膜的狀態中之厚度。藉由控制封裝膜的厚度範圍，本申請案可提供具有極佳的水分阻擋性的薄膜有機電子裝置。
本申請案亦係關於製造上述封裝膜之方法。製造此封裝膜的例示方法包含在金屬層的一側上形成磁性層的步驟。磁性層可製成與金屬層直接接觸的形式，但不限於此，此處，磁性層和金屬層可以經由樹脂層或黏著層接合。形成磁性層的步驟可包含滾壓或塗覆法。
一個實例中，此方法可包含將含有上述構成磁性層的組份之塗覆液施用在片或膜形的底膜或脫模膜上，並乾燥施用的塗覆液。
塗覆於底膜或脫模膜上的磁性層可以使用滾壓機形成於金屬層上。此滾壓可以在50℃或更高且100℃或更低的高溫進行，但不在此限。
另一實例中，塗覆液可以直接施用在金屬層上，且例如，可以施用已知的塗覆方法，如，刮刀塗覆、滾塗、噴塗、凹版塗覆、簾塗、間隔塗覆(comma coating)或澆嘴塗覆。
本申請案亦可包含在金屬層的一面上形成封裝層的步驟。對於前述形成磁性層的步驟和形成封裝層的步驟沒有特別的限制。可以使所形成的封裝層與金屬層直接接觸，但不在此限，且封裝層和金屬層可經由硬塗層接合。封裝層亦可藉與形成磁性層相同的方法形成，但不在此限。
一個實例中，在金屬層和磁性層結構中，封裝層可藉捲軸程序(roll-to-roll process)積層至金屬層側。此積層方法可藉已知方法進行。
本申請案可以另包含切割封裝膜的步驟。此切割可以是指形成所須形狀的封裝層、金屬層或磁性層，例如，多角形或圓形。切割步驟可包含使用雷射或刀切割器切割封裝層、金屬層或磁性層。刀切割器切割可藉由引進適當的格式(例如，木材型、尖頂、開縫或超級切割器)進行。本申請案可以使用未使用鎳-鐵合金的刀切割器，藉此改良此程序的效率。
本申請案亦係關於有機電子裝置。如圖2中所示者，有機電子裝置可包含基板(21)；形成於基板(21)上的有機電子元件(22)；和用於封裝該有機電子元件(22)的上述封裝膜(10)。封裝膜可封裝頂側，例如，形成於基板上之有機電子元件的所有上部和側表面。封裝膜可包含含有處於交聯或固化狀態之壓敏性黏著劑組成物或黏著劑組成物的封裝層。此外，有機電子裝置之形成可以使得此封裝層與該有機電子元件的頂側接觸。
在本申請案之具體實施例中，有機電子元件可包含一對電極、含有至少一個發光層的有機層、和惰性膜。特定言之，此有機電子元件可包含第一電極層、形成於第一電極層上並含有至少一個發光層的有機層、和形成於有機層上的第二電極層，且可包含用於保護在第二電極層上的電極和有機層之惰性膜。此第一電極層可為透明電極層或反射電極層，而第二電極層亦可為透明電極層或反射電極層。更特定言之，有機電子元件可包含形成於基板上的透明電極層、形成於透明電極層上並含有至少一個發光層的有機層、和形成於有機層上的反射電極層。
此處，此有機電子元件可為，例如，有機發光元件。
惰性膜可包含無機膜和有機膜。一個具體實施例中，此無機膜可為選自由Al、Zr、Ti、Hf、Ta、In、Sn、Zn和Si所組成群組中之一或更多種金屬氧化物或氮化物。此無機膜可具有0.01 μm至50 μm或0.1 μm至20 μm或1 μm至10 μm的厚度。一個實例中，本申請案的無機膜可為不含摻雜物的無機材料，或可為含有摻雜物的無機材料。可摻雜的此摻雜物可為選自由Ga、Si、Ge、Al、Sn、Ge、B、In、Tl、Sc、V、Cr、Mn、Fe、Co和Ni所組成群組的一或更多種元素、或此元素的氧化物，但不在此限。此有機膜與含有至少一個發光層的有機層的差別在於其不包括發光層，且可為含有環氧化合物的有機沈積層。
此無機膜或有機膜可藉化學氣相沈積法(CVD)形成。例如，可以使用氮化矽(SiNx)作為無機膜。一個實例中，作為無機膜的氮化矽(SiNx)可以沈積至0.01至50μm的厚度。一個實例中，有機膜可具有2 μm至20 μm、2.5 μm至15 μm、和2.8 μm至9 μm範圍內的厚度。
本申請案亦提出製造有機電子裝置之方法。此製法包含將上述封裝膜施用至上面形成有有機電子元件的基板，以覆蓋有機電子元件的步驟。此製法亦可包含固化此封裝膜的步驟。固化此封裝膜的步驟是指固化此封裝層，此可以在施用其以覆蓋有機電子元件的步驟之前或之後進行。
此說明書中，用語“固化”是指經由加熱或UV照射程序等而使得本發明之壓敏性黏著劑組成物形成交聯結構，並藉此製得壓敏性黏著劑。或者，亦是指黏著劑組成物經固化並以黏著劑形式接著。
特定言之，藉由方法(如，真空沈積或濺鍍)，在作為基板的玻璃或聚合膜上形成透明電極，在透明電極上形成發光有機材料層(例如，由電洞傳輸層、發光層和電子傳輸層等所組成)，及之後另外在其上形成電極層，可形成有機電子元件。之後，放置將該封裝膜的該封裝層以覆蓋已進行上述程序之基板的有機電子元件的頂側。發明對照先前技術之功效
本申請案之封裝膜可經施用以密封或封裝有機電子裝置，如OLED。該膜使得能夠形成一種能阻斷水分或氧自外部引至有機電子裝置之結構，且能夠有效地釋放累積在該有機電子裝置內部的熱、藉磁性提高程序效率並防止該有機電子裝置的亮點發生。實例
下文中，將經由根據本發明之實例和非根據本發明之比較例更詳細地描述本發明，但本申請案之範圍不限於以下所示實例。
實例 1
磁性層之製造
作為磁性粒子的Fe粒(粒徑約1至10 μm，薄片型)和作為黏合劑樹脂的丙烯酸系樹脂以90:10(磁性粒子：黏合劑樹脂)的重量比混合以製造經甲苯稀釋的溶液(固體含量50%)。
使用間隔塗覆機(comma coater)將以上製備的溶液施用於脫膜PET的脫模表面並在乾燥機中於130℃乾燥3分鐘以形成具有30 μm厚度的磁性層。
封裝層之製造
製備CaO(平均粒徑3 μm)溶液(固體含量50%)作為水分吸附劑。另外，製備200 g 的丁基橡膠樹脂(BT-20, Sunwoo Chemtech)和60 g的DCPD石油樹脂(SU5270, Sunwoo Chemtech)以甲苯稀釋之溶液及之後將此溶液均質化。將10 g的光固化劑(TMPTA, Miwon)和15 g的光引發劑(Irgacure 819, Ciba)引至此經均質化的溶液中，均質化並接著將100 g的CaO溶液引至其中，接著於高速攪拌1小時以製備封裝層溶液。
使用間隔塗覆機將以上製備的封裝層溶液施用於脫膜PET的脫模表面並在乾燥機中於130℃乾燥3分鐘以形成具有50 μm厚度的封裝層。
封裝膜之製造
接合至以上製造的磁性層的兩個外側之經脫模處理的PET經剝除並藉由於180℃施用滾壓而將磁性層積層至事先製備的金屬層(鋁箔，70 μm厚度)上。
接合至事先製造的封裝層的一側上之經脫模處理的PET被剝除且使用捲軸程序於75℃將封裝層積層在積層的金屬層上以製造磁性層、金屬層和封裝層以此順序積層的封裝膜。
製得的封裝膜以刀切割器經由切木機切割成正方形片以製造用於封裝有機電子元件的膜。
實例 2
以與實例1中之相同的方法製造封裝膜，但在磁性層的製造中，作為磁性粒子的Fe粒(粒徑約1至10μm，薄片型)和作為亮點抑制劑的Ni粒(粒徑約300 nm)以9:1的重量比混合，且作為黏合劑樹脂的丙烯酸系樹脂與磁性粒子和亮點抑制劑以90:10(磁性粒子+亮點抑制劑：黏合劑樹脂)的重量比混合以製備經甲苯稀釋的溶液(固體含量50%)，接著形成磁性層。
實例 3
以與實例2中相同的方法製造封裝膜，但磁性粒子和亮點抑制劑以6:4的重量比混合。
實驗例 1- 有機電子裝置封裝之評估
有機電子元件沈積在玻璃基板上之後，使用真空積層機在50℃、50 mtorr的真空度和0.4 MPa的條件下，在實例中製造的封裝膜各者積層於元件上以製造有機電子面板。
以上製造的面板置於85℃和85%的恆溫和濕度室中，並儲存。1000小時之後，取出且打開並檢視是否生成亮點或者元件是否收縮。未發生亮點和元件收縮情況則歸類為◎，發生亮點和元件收縮的情況極微則歸類為○，發生亮點缺陷和發生元件收縮的情況則歸類為×。
實驗例 2- 吸附能之計算
基於密度泛函理論，經由電子結構計算，計算實例中所用亮點抑制劑對於釋出氣的吸附能。在作出二維片結構(其中，具有晶狀結構之亮點抑制劑之最緊密充填的表面暴於表面)之後進行結構最佳化，及之後進行引發亮點的分子在此真空條件下吸附於表面上之結構為佳化，藉由自這兩個系統的總能量差扣掉引發亮點的分子的總能量所得的值定義為吸附能。用於各系統的總能量計算，作為GGA(通用的梯度近似法)系列的函數之修正的PBE函數被用來作為交換關聯以模擬電子和電子之間的交互作用，電子動能的使用截止點為500eV，並且僅包括並計算對應於倒易空間原點的γ點。使用共軛梯度法使得各系統的原子結構最佳化且進行反覆計算直到交互作用力為0.01 eV/Å或更低。經由商業代碼為VASP者進行一系列的計算。
[表1]
Figure 107120070-A0304-0001
10‧‧‧封裝膜11‧‧‧封裝層12‧‧‧磁性層13‧‧‧金屬層21‧‧‧基板22‧‧‧有機電子元件
圖1是出示根據本申請案的一個實例之封裝膜之截面圖。 　　圖2是出示根據本申請案的一個實例之有機電子裝置之截面圖。
10‧‧‧封裝膜
11‧‧‧封裝層
12‧‧‧磁性層
13‧‧‧金屬層

Claims (19)

  1. 一種有機電子元件封裝膜，包含：含有封裝樹脂及水分吸附劑的封裝層；形成於該封裝層上並具有50至800W/m．K之導熱度的金屬層；和形成於該金屬層上並含有黏合劑樹脂及磁性粒子的磁性層，其中該有機電子元件封裝膜包含亮點抑制劑，藉密度泛函理論(density functional theory)計算，該亮點抑制劑具有0eV或更低之對於釋出氣的吸附能。
  2. 如請求項1之有機電子元件封裝膜，另包含樹脂層，其中該樹脂層形成於該磁性層和該金屬層之間或該封裝層和該金屬層之間。
  3. 如請求項2之有機電子元件封裝膜，其中該樹脂層包含水分吸附劑。
  4. 如請求項1之有機電子元件封裝膜，另包含形成於該磁性層上並具有50至800W/m．K的導熱度之金屬層。
  5. 如請求項1之有機電子元件封裝膜，另包含形成於該磁性層上的保護層。
  6. 如請求項5之有機電子元件封裝膜，另包含形成於該 磁性層和該保護層之間的黏著層。
  7. 如請求項1之有機電子元件封裝膜，其中該金屬層具有在3μm至200μm範圍內的厚度。
  8. 如請求項1之有機電子元件封裝膜，其中該金屬層包含金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、金屬氧氮化物(metal oxynitride)、金屬氧硼化物(metal oxyboride)、和其調合物中之任一者。
  9. 如請求項1之有機電子元件封裝膜，其中該金屬層包含鐵、鉻、鋁、銅、鎳、氧化鐵、氧化鉻、氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化銦、氧化錫、氧化銦錫、氧化鉭、氧化鋯、氧化鈮、和其調合物中之任一者。
  10. 如請求項1之有機電子元件封裝膜，其中相對於100重量份的該等磁性粒子，該黏合劑樹脂含量為5重量份至30重量份。
  11. 如請求項1之有機電子元件封裝膜，其中該等磁性粒子包含Cr、Fe、Pt、Mn、Zn、Cu、Co、Sr、Si、Ni、Ba、Cs、K、Ra、Rb、Be、Y、B、其合金或其氧化物。
  12. 如請求項1之有機電子元件封裝膜，其中該磁性層具 有在5μm至200μm範圍內的厚度。
  13. 如請求項1之有機電子元件封裝膜，其中該封裝層係由單層或二或更多層所形成。
  14. 如請求項1之有機電子元件封裝膜，其中該水分吸附劑是化學反應性吸附劑。
  15. 如請求項1之有機電子元件封裝膜，其中該封裝層將形成於基板上的有機電子元件的頂側密封。
  16. 如請求項1之有機電子元件封裝膜，其中該封裝層包含與有機電子元件接觸的第一層和未與該有機電子元件接觸的第二層，且該亮點抑制劑含於該第二層或該磁性層中。
  17. 如請求項1之有機電子元件封裝膜，其中該亮點抑制劑具有在10nm至30μm範圍內的粒子直徑。
  18. 一種有機電子裝置，包含：基板；形成於該基板上的有機電子元件；和請求項1之用於封裝該有機電子元件的封裝膜。
  19. 一種製造有機電子裝置之方法，包含將請求項1之封 裝膜施用至上面形成有有機電子元件的基板，以覆蓋該有機電子元件。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110164939B (zh) * 2019-05-30 2021-02-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性有机发光二极管显示面板及其制造方法
WO2021086007A1 (ko) * 2019-10-28 2021-05-06 주식회사 엘지화학 봉지 필름
CN114868272A (zh) 2020-01-02 2022-08-05 株式会社Lg化学 封装膜

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014203707A (ja) * 2013-04-05 2014-10-27 凸版印刷株式会社 有機ｅｌディスプレイの製造方法及び有機ｅｌディスプレイ
TW201700278A (zh) * 2015-02-17 2017-01-01 Ｌｇ化學股份有限公司 封裝膜

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07169567A (ja) * 1993-12-16 1995-07-04 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機ｅｌ素子
US6146225A (en) * 1998-07-30 2000-11-14 Agilent Technologies, Inc. Transparent, flexible permeability barrier for organic electroluminescent devices
AU1669400A (en) * 1998-12-17 2000-07-03 Cambridge Display Technology Limited Organic light-emitting devices
US6465953B1 (en) 2000-06-12 2002-10-15 General Electric Company Plastic substrates with improved barrier properties for devices sensitive to water and/or oxygen, such as organic electroluminescent devices
US6984546B2 (en) * 2001-03-15 2006-01-10 Delta Optoelectronics, Inc. Method for forming a thin film light emitting device
US6624568B2 (en) * 2001-03-28 2003-09-23 Universal Display Corporation Multilayer barrier region containing moisture- and oxygen-absorbing material for optoelectronic devices
KR100413449B1 (ko) 2001-07-20 2003-12-31 엘지전자 주식회사 유기 전계발광 소자
KR100475849B1 (ko) * 2002-04-17 2005-03-10 한국전자통신연구원 습식 공정에 의하여 형성된 엔캡슐레이션 박막을 갖춘유기 전기발광 소자 및 그 제조 방법
JP2004079301A (ja) * 2002-08-14 2004-03-11 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子およびその製造方法
KR100993827B1 (ko) * 2003-12-01 2010-11-12 삼성전자주식회사 발광장치 및 이를 갖는 표시장치 및 이의 제조 방법
KR100615228B1 (ko) * 2004-06-29 2006-08-25 삼성에스디아이 주식회사 흡습 능력이 개선된 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법
KR100647340B1 (ko) * 2006-01-11 2006-11-23 삼성전자주식회사 평판표시장치
US8617913B2 (en) * 2006-08-23 2013-12-31 Rockwell Collins, Inc. Alkali silicate glass based coating and method for applying
JP2009224238A (ja) * 2008-03-18 2009-10-01 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP2010181749A (ja) 2009-02-06 2010-08-19 Tohcello Co Ltd 封止された機能素子
CN104362259B (zh) * 2014-11-17 2017-02-22 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管显示面板及其封装方法
KR102415108B1 (ko) 2015-10-29 2022-06-30 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102411420B1 (ko) 2015-10-31 2022-06-20 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
CN106328825B (zh) * 2016-10-31 2019-01-15 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示器
CN110710013B (zh) * 2017-06-09 2022-11-22 株式会社Lg化学 封装膜
JP6953062B2 (ja) * 2017-06-09 2021-10-27 エルジー・ケム・リミテッド 封止フィルム

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014203707A (ja) * 2013-04-05 2014-10-27 凸版印刷株式会社 有機ｅｌディスプレイの製造方法及び有機ｅｌディスプレイ
TW201700278A (zh) * 2015-02-17 2017-01-01 Ｌｇ化學股份有限公司 封裝膜
US20170040570A1 (en) * 2015-02-17 2017-02-09 Lg Chem, Ltd. Encapsulation film

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