CN110710012B - 封装膜 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及封装膜、用于制造其的方法、包括其的有机电子器件、以及用于使用其制备有机电子器件的方法，所述封装膜允许形成能够阻挡水分或氧从外部引入有机电子器件中的结构，并且可以有效地释放有机电子器件内部积聚的热，并且防止有机电子器件出现亮点。

Description

封装膜
技术领域
相关申请的交叉引用
本申请要求基于2017年6月9日提交的韩国专利申请第10-2017-0072501号的优先权的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。
技术领域
本申请涉及封装膜和包括其的有机电子器件。
背景技术
有机电子器件(OED)意指包括利用空穴和电子产生电荷的交流电的有机材料层的器件，并且其实例可以包括光伏器件、整流器、发射器和有机发光二极管(OLED)等。
以上有机电子器件中的有机发光二极管(OLED)具有比现有光源更低的功耗和更快的响应速度，并且有利于使显示器件或照明设备变薄。此外，OLED具有空间可用性，因此有望应用于各种领域，包括各种便携式装置、监视器、笔记本电脑和电视机。
在OLED的商业化和应用扩展中，最重要的问题是耐久性问题。包含在OLED中的有机材料和金属电极等非常容易被外部因素例如水分氧化。此外，还存在由于OLED器件内部可能发生的排气(outgas)而出现OLED亮点的问题。即，包括OLED的产品对环境因素高度敏感。因此，已经提出了各种方法以有效地阻挡氧或水分从外部渗入有机电子器件例如OLED中并且抑制内部产生的排气。
发明内容
技术问题
本申请提供了封装膜，所述封装膜允许形成能够阻挡水分或氧从外部引入有机电子器件中的结构，并且可以有效地释放有机电子器件内部积聚的热，可以通过磁性来提高加工效率，并且可以防止有机电子器件出现亮点。
技术方案
本申请涉及封装膜。封装膜可以应用于密封或封装有机电子器件，例如OLED。
在本说明书中，术语“有机电子器件”意指具有以下结构的制品或器件：所述结构包括在面向彼此的电极对之间的、利用空穴和电子产生电荷的交流电的有机材料层，并且有机电子器件的实例可以包括但不限于光伏器件、整流器、发射器和有机发光二极管(OLED)等。在本发明的一个实例中，有机电子器件可以为OLED。
如图1所示，示例性封装膜10可以包括：包含水分吸附剂的封装层11；形成在封装层11上并且具有50W/m·K至800W/m·K的热导率的金属层13；和形成在金属层上并且包含磁性颗粒的磁性层12。本申请的封装膜一体地提供磁性层、金属层和封装层。在此，封装层可以封装有机电子器件的整个表面。通过提供上述结构的封装膜，本申请连同水分阻挡特性可以有效地释放有机电子器件内部积聚的热，并且可以防止由于有机电子器件中发生的排气而引起的亮点。
本申请的封装膜不限于上述结构，并且还可以包括树脂层。树脂层可以意指可以包含至少一种树脂组分的涂层或粘合剂层。在本申请的一个实施方案中，树脂层可以形成在磁性层与金属层之间或者形成在封装层与金属层之间。本申请提供了用于赋予封装膜磁性以及热释放功能的多层一体膜，但是鉴于水分阻挡的基本发明目的可以包括树脂层。即，本申请可以包括树脂层以阻挡水分侵入具有稍微降低的水分阻挡特性的磁性层的侧表面或上表面中。因此，树脂层可以包含水分吸附剂，但不限于此。水分吸附剂和树脂组分可以分别与封装层中包含的水分吸附剂和封装树脂相同或不同。例如，树脂层可以包含丙烯酸类树脂、基于烯烃的树脂、基于氨基甲酸酯的树脂或环氧树脂。此外，在一个实例中，树脂层可以为硬涂层。硬涂层的材料没有特别限制，可以包含可紫外线固化的树脂和固化引发剂，并且可以与以下描述的封装层的树脂组分相同或不同。
此外，本申请在封装膜结构中还可以包括磁性层上的金属层。在这种情况下，在膜中可以存在两个或更多个金属层。此外，本申请的封装膜还可以包括存在于金属层和/或用于将保护层附接至金属层的粘合剂层上的以下描述的保护层。
在一个实例中，封装膜可以包含亮点抑制剂。亮点抑制剂可以存在于封装层或磁性层中，但不限于此。亮点抑制剂的材料没有限制，只要在将封装膜应用于有机电子器件时亮点抑制剂具有防止有机电子器件的面板中的亮点的效果即可。例如，亮点抑制剂可以为能够吸附例示为以下的材料的材料：例如作为沉积在有机电子元件的电极上的硅氧化物、硅氮化物或硅氮氧化物的沉积层例如钝化层(无机气相沉积层)中产生的排气的H原子、氢气(H2)、氨(NH3)气、H+、NH2+、NHR2和/或NH2R。在此，R可以为有机基团，例如可以例示为烷基、烯基、炔基等，但不限于此。
如通过密度泛函理论计算的，亮点抑制剂对排气的吸附能可以为0eV或更小。吸附能的下限值没有特别限制，但可以为-20eV。在本申请的一个实施方案中，亮点抑制剂与引起亮点的原子或分子之间的吸附能可以基于密度泛函理论通过电子结构计算来计算。以上计算可以通过本领域已知的方法来进行。例如，在本申请中，在制成二维平板结构(其中具有晶体结构的亮点抑制剂的最紧密堆积的填充表面暴露于表面上)，然后进行结构优化，并对该真空状态的表面上吸附有引起亮点的分子的结构进行结构优化之后，将通过从这两个体系的总能量差中减去引起亮点的分子的总能量而获得的值定义为吸附能。对于关于各体系的总能量计算，使用作为GGA(generalized gradient approximation，广义梯度近似)系列的函数的修正PBE函数作为交换关联(exchange-correlation)以模拟电子与电子之间的相互作用，所使用的电子动能截止值为500eV，并且仅包括并计算对应于倒易空间的原点的伽玛点。使用共轭梯度法来优化各体系的原子结构并进行迭代计算直至原子间力为0.01
Figure GDA0002305840540000031
或更小。一系列的计算通过作为市售代码的VASP进行。
在一个实例中，亮点抑制剂的材料没有限制，只要其满足以上吸附能值即可，其可以为金属或非金属。亮点抑制剂可以包括例如Li、Ni、Ti、Rb、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Zn、In、Pt、Pd、Fe、Cr、Si、或其组合，可以包括所述材料的氧化物或氮化物，并且可以包括所述材料的合金。在一个实例中，亮点抑制剂可以包括镍颗粒、镍氧化物颗粒、钛氮化物、基于钛的铁钛合金颗粒、基于锰的铁锰合金颗粒、基于锰的锰镍合金颗粒、基于稀土元素的合金颗粒、沸石颗粒、二氧化硅颗粒、碳纳米管、石墨、铝磷酸盐分子筛颗粒或介孔二氧化硅颗粒(mesosilica particle)。在封装膜中，相对于100重量份的磁性颗粒，亮点抑制剂可以以1重量份至120重量份、5重量份至109重量份、7重量份至100重量份、9重量份至92重量份、或10重量份至83重量份的量包含在内。相对于层中的100重量份的树脂组分，亮点抑制剂可以以3重量份至150重量份、6重量份至143重量份、8重量份至131重量份、9重量份至123重量份、或10重量份至116重量份的量包含在内。本申请在以上含量范围内可以实现有机电子器件的亮点防止，同时改善膜的粘合性和耐久性。此外，亮点抑制剂的粒径可以在10nm至30μm、50nm至21μm、105nm至18μm、110nm至12μm、120nm至9μm、140nm至4μm、150nm至2μm、180nm至900nm、230nm至700nm、或270nm至400nm的范围内。通过包含亮点抑制剂，本申请可以在有效地吸附有机电子器件中产生的氢的同时一起实现封装膜的水分阻挡特性和耐久可靠性。在本说明书中，术语树脂组分可以为以下描述的封装树脂和/或粘结剂树脂。
在本申请的一个实施方案中，封装膜可以包括至少两个封装层，并且封装层可以包括接触有机电子元件的第一层和不接触有机电子元件的第二层。此外，如通过密度泛函理论计算的，第二层或磁性层可以包含对排气的吸附能为0eV或更小的亮点抑制剂。通过在不接触有机电子元件的第二层或磁性层中包含亮点抑制剂，本申请的封装膜可以防止由于亮点抑制剂引起的基于应力集中的有机电子器件的损坏。鉴于以上，基于封装膜中的总亮点抑制剂的质量，第一层可以以15％或更少的量包含亮点抑制剂或者可以不包含亮点抑制剂。此外，基于封装膜中的总亮点抑制剂的质量，不接触有机电子器件的层(不包括第一层)可以包含85％或更多的亮点抑制剂。即，在本申请中，与接触有机电子元件的第一层相比，不与有机电子元件接触的其他层(例如，第二层或磁性层)可以包含更高含量的亮点抑制剂，从而在实现膜的水分阻挡特性和亮点防止特性的同时防止施加于元件的物理损坏。
在本申请的一个实施方案中，还可以包括磁性层上的金属层。在这种情况下，金属层可以存在于磁性层的两侧上。本申请的金属层的热导率可以为50W/m·K或更大、60W/m·K或更大、70W/m·K或更大、80W/m·K或更大、90W/m·K或更大、100W/m·K或更大、110W/m·K或更大、120W/m·K或更大、130W/m·K或更大、140W/m·K或更大、150W/m·K或更大、200W/m·K或更大、或者210W/m·K或更大。热导率的上限没有特别限制，其可以为800W/m·K或更小。通过具有如此高的热导率，可以更快地释放在金属层结合过程时在结合界面处产生的热。此外，由于高热导率，在有机电子器件的操作期间积聚的热被迅速释放，从而可以将有机电子器件自身的温度保持得较低，并且减少裂纹和缺陷的发生。可以在15℃至30℃的温度范围内的任何温度下测量热导率。
本文中的术语“热导率”是表示材料能够通过传导传递热的能力的程度，其中单位可以以W/m·K表示。该单位表示材料在相同的温度和距离下传递热的程度，其意指相对于距离单位(米)和温度单位(开尔文)的热量单位(瓦特)。
在本申请的一个实施方案中，封装膜的金属层可以为透明的和不透明的。金属层的厚度可以在3μm至200μm、10μm至100μm、20μm至90μm、30μm至80μm、或40μm至75μm的范围内。本申请在通过控制金属层的厚度来实现足够的热释放效果的同时可以提供薄膜封装膜。金属层可以为薄金属箔或沉积有金属的聚合物基础层。金属层没有特别限制，只要其是满足上述热导率并且包含金属的材料即可。金属层可以包含来自金属、金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属氮氧化物、金属硼氧化物、及其组合中的任一者。例如，金属层可以包含其中一种金属被添加有一种或更多种金属元素或非金属元素的合金，并且可以包含例如不锈钢(SUS)。此外，在一个实例中，金属层可以包含铁、铬、铜、铝、镍、铁氧化物、铬氧化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、铟氧化物、锡氧化物、铟锡氧化物、钽氧化物、锆氧化物、铌氧化物、及其组合。金属层可以通过以下方式沉积：电解、轧制、热蒸镀、电子束蒸镀、溅射、反应溅射、化学气相沉积、等离子体化学气相沉积或电子回旋共振源等离子体化学气相沉积。在本申请的一个实例中，金属层可以通过反应溅射来沉积。
常规地，通常使用镍-铁合金(Invar)作为金属层，但镍-铁合金具有其价格高、其热导率低以及其切割特性差的缺点。本申请提供了在不使用镍-铁合金作为金属层的情况下防止有机电子器件的亮点产生，具有优异的热释放特性并且由于磁性而实现加工便利性的封装膜。
在本申请的一个实施方案中，如上所述，封装膜包括包含磁性颗粒的磁性层。本申请通过包括包含磁性颗粒的磁性层使得可以通过磁性进行过程。具体地，根据本申请的封装膜具有足够的磁性，从而可以通过磁体将膜固定，并因此，由于不需要另外的过程来将膜固定，因此生产率得到提高。
磁性层的材料没有特别限制，只要磁性层包含磁性颗粒即可。在一个实例中，磁性层可以为包含压敏粘合剂组合物或粘合剂组合物的压敏粘合剂层或粘合剂层。
磁性层还可以包含粘结剂树脂。构成粘结剂树脂的材料没有特别限制。在一个实例中，粘结剂树脂可以包括丙烯酸类树脂、环氧树脂、有机硅树脂、氨基甲酸酯树脂、氟树脂、苯乙烯树脂、聚烯烃树脂、热塑性弹性体、聚氧化烯树脂、聚酯树脂、聚氯乙烯树脂、聚碳酸酯树脂、聚苯硫醚树脂、聚酰胺树脂、或其混合物，但不限于此。粘结剂树脂的玻璃化转变温度可以低于0℃，低于-10℃，低于-30℃，低于-50℃，或低于-60℃。在此，玻璃化转变温度可以为固化之后的玻璃化转变温度，并且在一个实施方案中，其可以意指在用约1J/cm2或更大的紫外光照射之后的玻璃化转变温度；或者在紫外线照射之后进一步进行热固化之后的玻璃化转变温度。
在一个实例中，磁性颗粒的类型没有特别限制，只要磁性颗粒具有磁性即可，其可以为本领域已知的材料。例如，磁性颗粒可以为Cr、Fe、Pt、Mn、Zn、Cu、Co、Sr、Si、Ni、Ba、Cs、K、Ra、Rb、Be、Y、B、其合金或其氧化物，并且在本申请的一个实施方案中，磁性颗粒可以包括Cr、Fe、Fe3O4、Fe2O3、MnFe2O4、BaFe12O19、SrFe12O19、CoFe2O4、CoPt或FePt。在一个实例中，磁性颗粒的尺寸可以在10nm至200μm、90nm至180μm、120nm至130μm、280nm至110μm、450nm至100μm、750nm至90μm、950nm至70μm、990nm至30μm、或995nm至20μm的范围内。粉末形式的磁性颗粒可以与磁性层的粘结剂树脂一起形成磁性层。此外，在本申请的一个实施方案中，相对于100重量份的磁性颗粒，粘结剂树脂可以以5重量份至30重量份、8重量份至28重量份、9重量份至23重量份、10重量份至18重量份、或11重量份至14重量份的量包含在内。由于粘结剂树脂和磁性颗粒以上述比率包含在内，因此膜可以通过具有足够的磁性的磁体被固定，并且可以提供在如上所述的亮点防止和水分阻挡方面具有期望的高可靠性的膜。另一方面，在本申请的封装膜内部可以存在同时具有磁性、亮点防止性能和/或水分吸附性能的颗粒，并且在这种情况下，颗粒可以用作亮点抑制剂、磁性颗粒和/或水分吸附剂中的全部。此外，在本申请中，当存在两种或更多种颗粒时，可以将具有较低吸附能的颗粒限定为亮点抑制剂。
在一个实例中，磁性层的厚度可以在5μm至200μm、10μm至150μm、13μm至120μm、18μm至90μm、22μm至70μm、或26μm至50μm的范围内。本申请在通过将磁性层的厚度控制在以上范围内来给予足够的磁特性的同时可以提供薄膜封装膜。
在一个实例中，封装膜可以包括封装层。在一个实例中，封装层可以为单层或者具有两个或更多个层的多层结构。当两个或更多个层构成封装层时，封装层中各层的组成可以相同或不同。在一个实例中，封装层可以为包含压敏粘合剂组合物或粘合剂组合物的压敏粘合剂层或粘合剂层。
在本发明的一个实施方案中，封装层可以包含封装树脂。封装树脂的玻璃化转变温度可以低于0℃，低于-10℃，低于-30℃，低于-50℃，或低于-60℃。在此，玻璃化转变温度可以为固化之后的玻璃化转变温度，并且在一个实施方案中，其可以意指在用约1J/cm2或更大的紫外光照射之后的玻璃化转变温度；或者在紫外线照射之后进一步进行热固化之后的玻璃化转变温度。
在一个实例中，封装树脂可以包括：苯乙烯树脂或弹性体、聚烯烃树脂或弹性体、其他弹性体、聚氧化烯树脂或弹性体、聚酯树脂或弹性体、聚氯乙烯树脂或弹性体、聚碳酸酯树脂或弹性体、聚苯硫醚树脂或弹性体、烃的混合物、聚酰胺树脂或弹性体、丙烯酸酯树脂或弹性体、环氧树脂或弹性体、有机硅树脂或弹性体、氟树脂或弹性体、或其混合物等。
在此，作为苯乙烯树脂或弹性体，例如，可以例示苯乙烯-乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SIS)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(ABS)、丙烯腈-苯乙烯-丙烯酸酯嵌段共聚物(ASA)、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBS)、苯乙烯均聚物或其混合物。作为烯烃树脂或弹性体，例如，可以例示高密度聚乙烯树脂或弹性体、低密度聚乙烯树脂或弹性体、聚丙烯树脂或弹性体或者其混合物。作为弹性体，例如，可以使用酯热塑性弹性体、烯烃弹性体、有机硅弹性体、丙烯酸类弹性体或其混合物等。特别地，作为烯烃热塑性弹性体，可以使用聚丁二烯树脂或弹性体或者聚异丁烯树脂或弹性体等。作为聚氧化烯树脂或弹性体，例如，可以例示聚甲醛树脂或弹性体、聚氧乙烯树脂或弹性体或者其混合物等。作为聚酯树脂或弹性体，例如，可以例示聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂或弹性体、聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂或弹性体或者其混合物等。作为聚氯乙烯树脂或弹性体，例如，可以例示聚偏二氯乙烯等。作为烃的混合物，例如，可以例示三十六烷或石蜡等。作为聚酰胺树脂或弹性体，例如，可以例示尼龙等。作为丙烯酸酯树脂或弹性体，例如，可以例示聚(甲基)丙烯酸丁酯等。作为环氧树脂或弹性体，例如，可以例示：双酚型，例如双酚A型、双酚F型、双酚S型及其氢化产物；酚醛清漆型，例如苯酚酚醛清漆型或甲酚酚醛清漆型；含氮环状型，例如异氰脲酸三缩水甘油酯型或乙内酰脲型；脂环族型；脂族型；芳族型，例如萘型和联苯型；缩水甘油基型，例如缩水甘油醚型、缩水甘油胺型和缩水甘油酯型；二环型，例如二环戊二烯型；酯型；醚酯型；或者其混合物等。作为有机硅树脂或弹性体，例如，可以例示聚二甲基硅氧烷等。此外，作为氟树脂或弹性体，可以例示聚三氟乙烯树脂或弹性体、聚四氟乙烯树脂或弹性体、聚氯三氟乙烯树脂或弹性体、聚六氟丙烯树脂或弹性体、多氟化亚乙烯基树脂、多氟化乙烯基树脂、多氟化乙烯丙烯或其混合物等。
以上所列出的树脂或弹性体还可以通过以下方式使用：例如，用马来酸酐等接枝，通过用于制造树脂或弹性体的单体与其他树脂或弹性体共聚，用其他化合物改性。上述其他化合物的实例可以包括羧基末端丁二烯-丙烯腈共聚物等。
在一个实例中，封装层可以包含上述类型中的烯烃弹性体、有机硅弹性体或丙烯酸类弹性体等作为封装树脂，但不限于此。
在本发明的一个实施方案中，封装树脂可以为烯烃树脂。烯烃树脂可以为丁烯单体的均聚物；通过使丁烯单体与另外的可聚合单体共聚而获得的共聚物；使用丁烯单体的反应性低聚物；或其混合物。丁烯单体可以包括例如1-丁烯、2-丁烯或异丁烯。
可与丁烯单体或衍生物聚合的其他单体可以包括例如异戊二烯、苯乙烯或丁二烯等。通过使用共聚物，可以保持物理特性例如可加工性和交联度，并因此在施加至有机电子器件时可以确保粘合剂自身的耐热性。
此外，使用丁烯单体的反应性低聚物可以包括具有反应性官能团的丁烯聚合物。低聚物的重均分子量可以为500至5000。此外，丁烯聚合物可以与具有反应性官能团的另外的聚合物连接。其他聚合物可以为(甲基)丙烯酸烷基酯，但不限于此。反应性官能团可以为羟基、羧基、异氰酸酯基或含氮基团。此外，反应性低聚物和其他聚合物可以通过多官能交联剂交联，多官能交联剂可以为选自异氰酸酯交联剂、环氧交联剂、氮丙啶交联剂和金属螯合物交联剂中的至少一者。
在一个实例中，本申请的封装树脂可以为二烯与包含一个碳-碳双键的烯烃化合物的共聚物。在此，烯烃化合物可以包括丁烯等，二烯可以为能够与烯烃化合物聚合的单体，并且可以包括例如异戊二烯或丁二烯等。例如，包含一个碳-碳双键的烯烃化合物与二烯的共聚物可以为丁基橡胶。
在封装层中，树脂或弹性体组分的重均分子量(Mw)可以达到使得压敏粘合剂组合物可以形成为膜形状的程度。例如，树脂或弹性体的重均分子量可以为约100000至2000000、120000至1500000、或150000至1000000左右。本文中的术语重均分子量意指通过GPC(凝胶渗透色谱)测量的转化为标准聚苯乙烯的值。然而，树脂或弹性体不一定具有上述重均分子量。例如，在树脂或弹性体组分的分子量不在足以形成膜的水平的情况下，可以将单独的粘结剂树脂共混到压敏粘合剂组合物中。
在另一个实施方案中，根据本申请的封装树脂可以为可固化树脂。当封装树脂为可固化树脂时，封装树脂可以为固化之后的玻璃化转变温度为85℃或更高的树脂。玻璃化转变温度可以为在使封装树脂光固化或热固化之后的玻璃化转变温度。可以用于本发明的可固化树脂的具体种类没有特别限制，并且例如，可以使用本领域中已知的各种热固性树脂或可光固化树脂。术语“热固性树脂”意指可以通过适当的热施加或老化过程而固化的树脂，术语“可光固化树脂”意指可以通过照射电磁波而固化的树脂。此外，可固化树脂可以为包含热固性特性和光固化特性二者的可双固化树脂。
在本申请中，可固化树脂的具体种类没有特别限制，只要其具有上述特性即可。例如，可以固化成表现出粘合特性的可固化树脂可以包括这样的树脂：其包含一个或更多个可热固化官能团，例如缩水甘油基、异氰酸酯基、羟基、羧基或酰胺基；或者一个或更多个能够通过照射电磁波而固化的官能团，例如环氧基、环状醚基、硫化物基团、缩醛基或内酯基。此外，这样的树脂的具体种类可以包括丙烯酸类树脂、聚酯树脂、异氰酸酯树脂或环氧树脂等，但不限于此。
在本申请中，作为可固化树脂，可以使用芳族或脂族的；或者线性或支化的环氧树脂。在本发明的一个实施方案中，可以使用包含两个或更多个官能团的环氧当量为180g/当量至1000g/当量的环氧树脂。通过使用环氧当量在以上范围内的环氧树脂，可以有效地保持固化产物的特性例如粘合性能和玻璃化转变温度。这样的环氧树脂的实例可以包括以下中的一者或者两者或更多者的混合物：甲酚酚醛清漆环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚A型酚醛清漆环氧树脂、苯酚酚醛清漆环氧树脂、四官能环氧树脂、联苯型环氧树脂、三酚甲烷型环氧树脂、烷基改性的三酚甲烷环氧树脂、萘型环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂、或二环戊二烯改性的酚型环氧树脂。
在本申请中，作为可固化树脂，可以使用分子结构中包含环状结构的环氧树脂，并且可以使用包含芳族基团(例如，苯基)的环氧树脂。当环氧树脂包含芳族基团时，固化产物具有优异的热稳定性和化学稳定性，并且同时表现出低水分吸附量，从而可以改善有机电子器件封装结构的可靠性。可以用于本发明的含芳族基团的环氧树脂的具体实例可以为以下中的一者或者两者或更多者的混合物：联苯型环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂、萘型环氧树脂、二环戊二烯改性的酚型环氧树脂、基于甲酚的环氧树脂、基于双酚的环氧树脂、基于二甲苯的环氧树脂、多官能环氧树脂、苯酚酚醛清漆环氧树脂、三酚甲烷型环氧树脂、和烷基改性的三酚甲烷环氧树脂等，但不限于此。
此外，本申请的封装层可以包含与封装树脂高度相容并且可以与封装树脂一起形成特定交联结构的可活性能量射线聚合化合物。在这种情况下，封装树脂可以为可交联树脂。
例如，根据封装树脂的类型，本申请的封装层可以包含可以通过照射活性能量射线与封装树脂一起聚合的多官能可活性能量射线聚合化合物。可活性能量射线聚合化合物可以意指这样的化合物：其包含两个或更多个能够通过照射活性能量射线而参与聚合反应的官能团，例如包含烯键式不饱和双键的官能团如丙烯酰基或甲基丙烯酰基，或者诸如环氧基、氧杂环丁烷基的官能团。
作为多官能可活性能量射线聚合化合物，例如，可以使用多官能丙烯酸酯(multifunctional acrylate，MFA)。
此外，相对于100重量份的封装树脂，可活性能量射线聚合化合物可以以5重量份至30重量份、5重量份至25重量份、8重量份至20重量份、10重量份至18重量份、或12重量份至18重量份的量包含在内。本申请在以上范围内提供了即使在诸如高温和高湿度的严酷条件下也具有优异的耐久可靠性的封装膜。
可以没有任何限制地使用可以通过照射活性能量射线而聚合的多官能可活性能量射线聚合化合物。例如，所述化合物可以包括1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,3-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,8-辛二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,12-十二烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二环戊基二(甲基)丙烯酸酯、环己烷-1,4-二醇二(甲基)丙烯酸酯、三环癸烷二甲醇(甲基)二丙烯酸酯、二羟甲基二环戊烷二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇改性的三羟甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、金刚烷二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、或其混合物。
作为多官能可活性能量射线聚合化合物，例如，可以使用分子量小于1000并且包含两个或更多个官能团的化合物。在这种情况下，分子量可以意指重均分子量或典型的分子量。多官能可活性能量射线聚合化合物中包含的环结构可以为碳环结构或杂环结构；或者单环结构或多环结构中的任一者。
在本申请的一个实施方案中，封装层还可以包含自由基引发剂。自由基引发剂可以为光引发剂或热引发剂。可以考虑固化速率和黄化可能性等适当地选择光引发剂的具体类型。例如，可以使用基于苯偶姻、基于羟基酮、基于氨基酮或基于氧化膦的光引发剂等，并且具体地，可以使用苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻异丙基醚、苯偶姻正丁基醚、苯偶姻异丁基醚、苯乙酮、二甲基氨基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基-2-苯基苯乙酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-羟基环己基苯基酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉代-丙烷-1-酮、4-(2-羟基乙氧基)苯基-2-(羟基-2-丙基)酮、二苯甲酮、对苯基二苯甲酮、4,4’-二乙基氨基二苯甲酮、二氯二苯甲酮、2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-叔丁基蒽醌、2-氨基蒽醌、2-甲基噻吨酮、2-乙基噻吨酮、2-氯噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、苄基二甲基缩酮、苯乙酮二甲基缩酮、对二甲基氨基苯甲酸酯、低聚[2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮]和2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基-氧化膦等。
相对于100重量份的可活性能量射线聚合化合物，自由基引发剂可以以0.2重量份至20重量份、0.5重量份至18重量份、1重量份至15重量份、或2重量份至13重量份的比率包含在内。因此，可以有效地诱导可活性能量射线聚合化合物的反应并且还可以防止由固化之后的残留组分引起的封装层组合物的物理特性劣化。
在本申请的一个实施方案中，封装膜的封装层、磁性层或树脂层还可以根据包含的树脂组分的种类而包含固化剂。例如，其还可以包含能够与上述封装树脂反应以形成交联结构等的固化剂。在本说明书中，作为树脂组分，术语封装树脂和/或粘结剂树脂可以以相同意义使用。
固化剂的种类可以根据树脂中包含的官能团或树脂组分的类型而适当地选择和使用。
在一个实例中，当树脂组分为环氧树脂时，固化剂为本领域已知的环氧树脂的固化剂，并且例如，可以使用以下中的一者或者两者或更多者：胺固化剂、咪唑固化剂、酚固化剂、磷固化剂或酸酐固化剂等，但不限于此。
在一个实例中，作为固化剂，可以使用在室温下为固体并且具有80℃或更高的熔点或分解温度的咪唑化合物。作为这样的化合物，例如，可以例示2-甲基咪唑、2-十七烷基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、或1-氰基乙基-2-苯基咪唑等，但不限于此。
固化剂的量可以根据组合物的组成(例如，封装树脂的类型或比率)来选择。例如，相对于100重量份的树脂组分，固化剂可以以1重量份至20重量份、1重量份至10重量份、或1重量份至5重量份的量包含在内。然而，重量比可以根据封装树脂或该树脂的官能团的类型和比率、或者待实现的交联密度等而改变。
当树脂组分为可以通过照射活性能量射线而固化的树脂时，例如，可以使用阳离子光聚合引发剂作为引发剂。
作为阳离子光聚合引发剂，可以使用盐有机金属盐系列的离子化阳离子引发剂、或者有机硅烷或潜在磺酸系列的非离子化阳离子光聚合引发剂。作为盐系列的引发剂，可以例示二芳基碘盐、三芳基锍盐或芳基重氮盐等，作为有机金属盐系列的引发剂，可以例示铁芳烃等，作为有机硅烷系列的引发剂，可以例示邻硝基苄基三芳基甲硅烷基醚、三芳基甲硅烷基过氧化物或酰基硅烷等，作为潜在磺酸系列的引发剂，可以例示α-磺酰氧基酮或α-羟基甲基苯偶姻磺酸酯等，但不限于此。
在一个实例中，作为阳离子引发剂，可以使用离子化阳离子光聚合引发剂。
在一个实例中，封装层和/或磁性层还可以包含增粘剂，其中增粘剂可以优选为氢化环烯烃聚合物。作为增粘剂，例如，可以使用通过使石油树脂氢化而获得的氢化石油树脂。氢化石油树脂可以为部分或完全氢化的，并且也可以为这样的树脂的混合物。可以选择这样的增粘剂以具有良好的与压敏粘合剂组合物的相容性、优异的水分阻挡特性和低的有机挥发性组分。氢化石油树脂的具体实例可以包括氢化萜烯树脂、氢化酯树脂或氢化二环戊二烯树脂等。增粘剂的重均分子量可以为约200至5,000。增粘剂的量可以根据需要适当地调节。例如，增粘剂的量可以考虑以下将描述的凝胶含量等来选择，并且根据一个实例，相对于100重量份的树脂组分，其可以以5重量份至100重量份、8重量份至95重量份、10重量份至93重量份、或15重量份至90重量份的比率包含在内。
如上所述，封装层还可以包含水分吸附剂。在本说明书中，术语“水分吸附剂”可以意指能够例如通过与渗入封装膜的水分或湿气进行化学反应而除去水分或湿气的化学反应性吸附剂，如下所述。
例如，水分吸附剂可以以均匀分散的状态存在于封装层或封装膜中。在此，均匀分散的状态可以意指水分吸附剂即使在封装层或封装膜的任何部分中也以相同或基本上相同的密度存在的状态。以上可以使用的水分吸附剂可以包括例如金属氧化物、硫酸盐或有机金属氧化物等。具体地，硫酸盐的实例可以包括硫酸镁、硫酸钠或硫酸镍等，有机金属氧化物的实例可以包括铝氧化物辛酸盐等。在此，金属氧化物的具体实例可以包括五氧化二磷(P2O5)、氧化锂(Li2O)、氧化钠(Na2O)、氧化钡(BaO)、氧化钙(CaO)或氧化镁(MgO)等，金属盐的实例可以包括硫酸盐，例如硫酸锂(Li2SO4)、硫酸钠(Na2SO4)、硫酸钙(CaSO4)、硫酸镁(MgSO4)、硫酸钴(CoSO4)、硫酸镓(Ga2(SO4)3)、硫酸钛(Ti(SO4)2)或硫酸镍(NiSO4)；金属卤化物，例如氯化钙(CaCl2)、氯化镁(MgCl2)、氯化锶(SrCl2)、氯化钇(YCl3)、氯化铜(CuCl2)、氟化铯(CsF)、氟化钽(TaF5)、氟化铌(NbF5)、溴化锂(LiBr)、溴化钙(CaBr2)、溴化铯(CeBr3)、溴化硒(SeBr4)、溴化钒(VBr3)、溴化镁(MgBr2)、碘化钡(BaI2)或碘化镁(MgI2)；或者金属氯酸盐，例如高氯酸钡(Ba(ClO4)2)或高氯酸镁(Mg(ClO4)2)；等等，但不限于此。作为可以包含在封装层中的水分吸附剂，也可以使用上述成分中的一者或者两者或更多者。在一个实例中，当使用两者或更多者作为水分吸附剂时，可以使用煅烧白云石(calcineddolomite)等。
可以根据应用将这样的水分吸附剂控制为合适的尺寸。在一个实例中，可以将水分吸附剂的平均粒径控制为100nm至15000nm、500nm至10000nm、800nm至8000nm、1μm至7μm、2μm至5μm、或2.5μm至4.5μm。尺寸在以上范围内的水分吸附剂具有不太快的与水分的反应速率并因此易于储存，并且可以不损害要封装的元件，并且可以有效地除去水分，而不会干扰氢吸附过程。此外，在本申请的一个实施方案中，亮点抑制剂粒径与水分吸附剂粒径之比可以在0.01至1.5、或0.1至0.95的范围内。在本说明书中，粒径可以意指平均粒径，并且可以通过已知的方法用D50颗粒尺寸分析仪来测量。本申请通过控制存在于膜内部的亮点抑制剂和水分吸附剂的粒径比，可以实现水分阻挡特性(其是封装膜的原功能)和元件的可靠性以及防亮点性。
水分吸附剂的量没有特别限制，其可以考虑期望的阻挡特性适当地进行选择。在一个实例中，本申请的封装膜的亮点抑制剂与水分吸附剂的重量比可以在0.05至0.8、或0.1至0.7的范围内。在本申请中，亮点抑制剂分散在膜中以防止亮点，但考虑到作为封装膜的固有功能的水分阻挡特性以及元件的可靠性实现，用以防止亮点而添加的亮点抑制剂可以与水分吸附剂以特定的含量比包含在内。
如有需要，封装层还可以包含水分阻挡剂(moisture blocker)。在本说明书中，术语“水分阻挡剂”可以意指与水分没有反应性或具有低的反应性但可以物理地阻挡或阻碍水分或湿气在膜内运动的材料。作为水分阻挡剂，例如，可以使用以下中的一者或者两者或更多者：粘土、滑石、针状二氧化硅、板状二氧化硅、多孔二氧化硅、沸石、二氧化钛或氧化锆。此外，水分阻挡剂可以用有机改性剂等进行表面处理以促进有机物质的渗透。作为这样的有机改性剂，例如，可以使用二甲基苄基氢化牛油季铵、二甲基氢化牛油季铵、甲基牛油双-2-羟基乙基季铵、二甲基氢化牛油2-乙基己基季铵、二甲基脱氢牛油季铵或其混合物等。
水分阻挡剂的量没有特别限制，并且可以考虑期望的阻挡特性适当地进行选择。
除上述成分之外，根据以下将描述的封装膜的应用和制备过程，封装层还可以包含各种添加剂。例如，根据预期的物理特性，封装层可以以适当的含量范围包含可固化材料、交联剂、填料等。
在本申请的一个实施方案中，封装层可以形成为如上所述的单层结构或者可以由两个或更多个层形成。当封装层由两个或更多个层形成时，靠近磁性层的层可以包含水分吸附剂。例如，在由两个或更多个层形成的情况下，封装层的最外层可以不包含水分吸附剂。
在一个实例中，考虑到将封装膜应用于有机电子元件的封装，可以考虑对元件的损害等来控制水分吸附剂的量。例如，接触元件的层可以包含少量的水分吸附剂，或者可以不包含水分吸附剂。在一个实例中，相对于包含在封装膜中的水分吸附剂的总质量，与元件接触的封装层可以包含0％至20％的水分吸附剂。此外，相对于包含在封装膜中的水分吸附剂的总质量，不接触元件的封装层可以包含80％至100％的水分吸附剂。
在本申请的一个实施方案中，还可以包括在金属层与磁性层之间的粘合剂层。此外，还可以包括磁性层上的保护层，其中还可以包括在磁性层与保护层之间的粘合剂层。粘合剂层的材料没有特别限制，其可以与如上所述的封装层的材料相同或不同，并且根据需要，其可以包含上述水分吸附剂。在一个实例中，粘合剂层可以为丙烯酸类粘合剂。粘合剂层的厚度可以为2μm至50μm、6μm至42μm、或9μm至33μm左右。当磁性层存在于封装膜的多层结构中的最外围时，本申请的保护层可以形成在磁性层上，当金属层存在于最外围时，其可以形成在金属层上。保护层用于防止膜在加工期间受外部冲击而粘附或挤压。
在一个实例中，保护层可以包含树脂组分。构成保护层的材料没有特别限制。在一个实例中，保护层可以为能够阻挡水分渗透的防水层。在一个实例中，构成保护层的树脂组分可以包括选自以下的一者或更多者：聚有机硅氧烷、聚酰亚胺、苯乙烯树脂或弹性体、聚烯烃树脂或弹性体、聚氧化烯树脂或弹性体、聚酯树脂或弹性体、聚氯乙烯树脂或弹性体、聚碳酸酯树脂或弹性体、聚苯硫醚树脂或弹性体、聚酰胺树脂或弹性体、丙烯酸酯树脂或弹性体、环氧树脂或弹性体、有机硅树脂或弹性体、氟树脂或弹性体，但不限于此。树脂组分的玻璃化转变温度可以低于0℃，低于-10℃或低于-30℃，低于-50℃，或低于-60℃。在此，玻璃化转变温度可以为固化之后的玻璃化转变温度，在一个实施方案中，其可以意指在用约1J/cm2或更大的紫外光照射之后的玻璃化转变温度；或者在紫外线照射之后进一步进行热固化之后的玻璃化转变温度。保护层的厚度可以为10μm至100μm、18μm至88μm、或22μm至76μm左右。
在本申请的一个实施方案中，还可以包括在封装层与金属层之间的包含水分吸附剂的硬涂层。硬涂层可以通过以下方法形成：将硬树脂例如丙烯酸类树脂、氨基甲酸酯树脂或硅氧烷树脂施加到封装层或金属层的一侧上并使涂层固化，其中其厚度通常可以为0.1μm至30μm、1μm至23μm、或3μm至18μm左右。硬涂层可以通过包含水分吸附剂来抑制从外部引入的水分的渗透。
封装膜还可以包括基础膜或离型膜(在下文中，可以称为“第一膜”)，其可以具有其中封装层形成在基础膜或离型膜上的结构。此外，该结构还可以包括形成在金属层上的基础膜或离型膜(在下文中，可以称为“第二膜”)。
可以在本申请中使用的第一膜的具体种类没有特别限制。在本申请中，例如，可以使用该领域中的一般聚合物膜作为第一膜。在本申请中，例如，作为基础膜或离型膜，可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚四氟乙烯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚氯乙烯膜、聚氨酯膜、乙烯-乙酸乙烯酯膜、乙烯-丙烯共聚物膜、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物膜、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物膜或聚酰亚胺膜等。此外，可以在本申请的基础膜或离型膜的一侧或两侧上进行合适的脱模处理。作为在基础膜的脱模处理中使用的脱模剂的实例，可以使用醇酸系列、有机硅系列、氟系列、不饱和酯系列、聚烯烃系列或蜡系列等，其中，就耐热性而言，优选使用醇酸系列、有机硅系列或氟系列的脱模剂，但不限于此。
在本申请中，如上的基础膜或离型膜(第一膜)的厚度没有特别限制，其可以根据其所应用的应用来适当地选择。例如，在本申请中，第一膜的厚度可以为10μm至500μm，优选为20μm至200μm左右。如果厚度小于10μm，则在制备过程期间可能容易发生基础膜的变形，而如果厚度超过500μm，则经济效益低。
本申请的封装膜中包括的封装层的厚度没有特别限制，其可以考虑膜所应用的应用来根据以下条件适当地选择。封装层的厚度可以为5μm至200μm，优选为5μm至100μm左右。如果封装层的厚度小于5μm，则无法表现出足够的水分阻挡能力，而如果其超过200μm，则难以确保可加工性，由于水分反应性而引起的厚度膨胀大，导致有机发光元件的沉积膜可能受到损害，并且经济效益低。
此外，封装膜的厚度可以在10μm至500μm、23μm至480μm、或34μm至430μm的范围内。在此，封装膜的厚度可以意指排除基础膜或离型膜的状态下的厚度。本申请可以通过控制封装膜的厚度范围来提供具有优异的水分阻挡特性的薄膜有机电子器件。
本申请还涉及用于制造上述封装膜的方法。用于制造封装膜的示例性方法可以包括在金属层的一侧上形成磁性层的步骤。磁性层可以形成为与金属层直接接触，但不限于此，其中磁性层和金属层可以经由树脂层或粘合剂层附接。形成磁性层的步骤可以包括辊压机或涂覆方法。
在一个实例中，该方法可以包括将包含如上所述构成磁性层的组分的涂覆溶液施加到呈片或膜状的基础膜或离型膜上，以及干燥施加的涂覆溶液。
涂覆在基础膜或离型膜上的磁性层可以使用辊压机形成在金属层上。辊压机可以在50℃或更高且100℃或更低的高温下进行，但不限于此。
在另一个实例中，可以将涂覆溶液直接施加到金属层上，例如，可以应用已知的涂覆方法，例如刀涂、辊涂、喷涂、凹版涂覆、幕涂、逗号涂覆或唇涂(lip coating)。
此外，本申请可以包括在金属层的一侧上形成封装层的步骤。如上所述的形成磁性层的步骤和形成封装层的步骤的顺序没有特别限制。封装层可以形成为与金属层直接接触，但不限于此，封装层和金属层可以经由硬涂层附接。封装层也可以通过与磁性层形成相同的方法来形成，但不限于此。
在一个实例中，可以通过辊对辊法将封装层层合至金属层和磁性层的结构中的金属层侧。层合方法可以通过已知方法来进行。
本申请还可以包括切割封装膜的步骤。切割可以意指以期望的形状(例如多边形形状或圆形形状)形成封装层、金属层或磁性层。切割的步骤可以包括使用激光或切割刀切割封装层、金属层或磁性层。切割刀切割可以通过引入合适的形式(例如木材型、尖峰(pinnacle)、纵切(slitting)或超级切割机(super cutter))来进行。本申请能够进行刀式切割，因为可以不使用镍-铁合金，从而可以提高加工效率。
本申请还涉及有机电子器件。如图2所示，有机电子器件可以包括基底21；形成在基底21上的有机电子元件22；和用于封装有机电子元件22的上述封装膜10。封装膜可以封装形成在基底上的有机电子元件的整个表面，例如全部上部和侧表面。封装膜可以包括包含呈交联或固化状态的压敏粘合剂组合物或粘合剂组合物的封装层。此外，有机电子器件可以形成为使得封装层接触有机电子元件的整个表面。
在本申请的一个实施方案中，有机电子元件可以包括一对电极；有机层，其包括至少发光层；和钝化层。具体地，有机电子元件可以包括第一电极层、形成在第一电极层上并且包括至少发光层的有机层、和形成在有机层上的第二电极层，并且可以包括用于保护第二电极层和有机层上的电极的钝化层。第一电极层可以为透明电极层或反射电极层，并且第二电极层也可以为透明电极层或反射电极层。更具体地，有机电子元件可以包括形成在基底上的透明电极层、形成在透明电极层上并且包括至少发光层的有机层、和形成在有机层上的反射电极层。
在此，有机电子元件可以为例如有机发光元件。
钝化层可以包括无机层和有机层。在一个实施方案中，无机层可以为选自Al、Zr、Ti、Hf、Ta、In、Sn、Zn和Si中的一种或更多种金属的氧化物或氮化物。无机层的厚度可以为0.01μm至50μm、或0.1μm至20μm、或1μm至10μm。在一个实例中，本申请的无机层可以为不包含掺杂剂的无机材料，或者可以为包含掺杂剂的无机材料。可以掺杂的掺杂剂可以为选自Ga、Si、Ge、Al、Sn、Ge、B、In、Tl、Sc、V、Cr、Mn、Fe、Co和Ni中的一种或更多种元素，或所述元素的氧化物，但不限于此。有机层与包括至少发光层的有机层的区别在于，其不包括发光层，并且可以为包含环氧化合物的有机沉积层。
无机层或有机层可以通过化学气相沉积(CVD)形成。例如，作为无机层，可以使用硅氮化物(SiNx)。在一个实例中，可以将用作无机层的硅氮化物(SiNx)沉积至0.01μm至50μm的厚度。在一个实例中，有机层的厚度可以在2μm至20μm、2.5μm至15μm、或2.8μm至9μm的范围内。
本申请还提供了用于制备有机电子器件的方法。该制备方法可以包括将上述封装膜施加至其上形成有有机电子元件的基底以便覆盖有机电子元件的步骤。该制备方法还可以包括使封装膜固化的步骤。使封装膜固化的步骤意指封装层的固化，其可以在施加封装膜以覆盖有机电子元件的步骤之前或之后进行。
在本说明书中，术语“固化”可以意指本发明的压敏粘合剂组合物通过加热或UV照射过程等形成交联结构，从而被制造成压敏粘合剂的形式。或者，其可以意指使粘合剂组合物固化并作为粘合剂附接。
具体地，有机电子元件可以通过以下过程形成：通过诸如真空蒸镀或溅射的方法在用作基底的玻璃或聚合物膜上形成透明电极，在透明电极上形成由例如空穴传输层、发光层和电子传输层等构成的发光有机材料层，然后在发光有机材料层上进一步形成电极层。随后，放置封装膜的封装层以覆盖经受以上过程的基底的有机电子元件的整个表面。
有益效果
本申请的封装膜可以应用于密封或封装有机电子器件例如OLED。所述膜允许形成能够阻挡水分或氧从外部引入有机电子器件中的结构，并且可以有效地释放有机电子器件内部积聚的热，可以通过磁性提高加工效率，并且可以防止有机电子器件出现亮点。
附图说明
图1是示出根据本申请的一个实例的封装膜的截面视图。
图2是示出根据本申请的一个实例的有机电子器件的截面视图。
[附图标记说明]
10：封装膜
11：封装层
12：磁性层
13：金属层
21：基底
22：有机电子元件
具体实施方式
在下文中，将通过根据本发明的实施例和不根据本发明的比较例更详细地描述本发明，但本发明的范围不受以下实施例的限制。
实施例1
磁性层的制造
将作为磁性颗粒的Fe颗粒(粒径约1μm至10μm，片型)和作为粘结剂树脂的丙烯酸类树脂以90:10(磁性颗粒:粘结剂树脂)的重量比混合以制备用甲苯稀释的溶液(固体含量50％)。
使用逗号涂覆机将以上制备的溶液施加至离型PET的离型表面，并在130℃下在干燥机中干燥3分钟，以形成厚度为30μm的磁性层。
封装层的制造
制备作为水分吸附剂的CaO(平均粒径3μm)溶液(固体含量50％)。单独地，制备其中200g的丁基橡胶树脂(BT-20，Sunwoo Chemtech)和60g的DCPD(双环戊二烯，dicyclopentadiene)石油树脂(SU5270，Sunwoo Chemtech)用甲苯稀释的溶液(固体含量50％)，然后使溶液均匀化。向均匀化的溶液中引入10g的光固化剂(TMPTA(三羟甲基丙烷三丙烯酸酯，trimethylolpropane triacrylate)，Miwon)和15g的光引发剂(Irgacure819，Ciba)，使其均匀化，然后向其中引入100g的CaO溶液，然后在高速下搅拌1小时以制备封装层溶液。
使用逗号涂覆机将以上制备的封装层溶液施加至离型PET的离型表面，并在130℃下在干燥机中干燥3分钟以形成厚度为50μm的封装层。
封装膜的制造
将附接至以上制造的磁性层的两个外侧的经脱模处理的PET剥离，并通过应用辊压机在180℃下将磁性层层合到预先准备的金属层(铝箔，厚度70μm)上。
将附接至先前制造的封装层的一侧的经脱模处理的PET剥离，并用辊对辊法在75℃下将封装层层合到经层合的金属层上以制造其中磁性层、金属层和封装层按此顺序层合的封装膜。
将制造的封装膜通过木材切割机用切割刀切割成方形片状以制造用于封装有机电子元件的膜。
实施例2
以与实施例1中相同的方法制造封装膜，不同之处在于在磁性层的制造中，将作为磁性颗粒的Fe颗粒(粒径约1μm至10μm，片型)和作为亮点抑制剂的Ni颗粒(粒径约300nm)以9:1的重量比混合，并将作为粘结剂树脂的丙烯酸类树脂与磁性颗粒和亮点抑制剂以90:10(磁性颗粒+亮点抑制剂:粘结剂树脂)的重量比混合以制备用甲苯稀释的溶液(固体含量50％)，然后形成磁性层。
实施例3
以与实施例2中相同的方法制造封装膜，不同之处在于将磁性颗粒和亮点抑制剂以6:4的重量比混合。
实验例1-有机电子器件封装的评估
在将有机电子元件沉积在玻璃基底上之后，将实施例中制造的封装膜各自使用真空层合机在50℃、50毫托的真空度和0.4MPa的条件下层合到元件上以制造有机电子面板。
将以上制造的面板放置在85℃和85％的恒温恒湿室中并储存。在1000小时之后，将其取出并启动以检查是否产生亮点或元件是否收缩。当未出现亮点和元件收缩时将其归类为◎，当极少地出现亮点和元件收缩时将其归类为O，当出现亮点缺陷且出现元件收缩时将其归类为X。
实验例2-吸附能的计算
基于密度泛函理论通过电子结构计算来计算实施例中使用的亮点抑制剂对排气的吸附能。在制成二维平板结构(其中具有晶体结构的亮点抑制剂的最紧密堆积的填充表面暴露于表面上)，然后进行结构优化，并对该真空状态的表面上吸附有引起亮点的分子的结构进行结构优化之后，将通过从这两个体系的总能量差中减去引起亮点的分子的总能量而获得的值定义为吸附能。对于关于各体系的总能量计算，使用作为GGA(广义梯度近似)系列的函数的修正PBE函数作为交换关联来模拟电子与电子之间的相互作用，所使用的电子动能截止值为500eV，并且仅包括并计算对应于倒易空间的原点的伽玛点。使用共轭梯度法来优化各体系的原子结构，并进行迭代计算直至原子间力为0.01
Figure GDA0002305840540000212
或更小。通过作为市售代码的VASP进行一系列计算。
[表1]
Figure GDA0002305840540000211

Claims (20)

1.一种用于有机电子元件的封装膜，包括：包含水分吸附剂的封装层；形成在所述封装层上并且具有50 W/m·K至800 W/m·K的热导率的金属层；和形成在所述金属层上并且包含磁性颗粒的磁性层，
其中所述封装膜还包含亮点抑制剂，所述亮点抑制剂的根据通过密度泛函理论计算的对排气的吸附能为0 eV或更小，所述亮点抑制剂为选自Li、Ni、Ti、Rb、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Zn、In、Pt、Pd、Fe、Cr、Si、其氧化物、其氮化物和其合金的一种或更多种颗粒，所述亮点抑制剂的粒径在10 nm至30 μm的范围内，以及所述排气为选自H原子、氢气、氨气、H+、NH2+、NHR2和NH2R中的至少一者，其中R为有机基团，
其中所述亮点抑制剂以所述磁性颗粒的1重量份至120重量份的量包含在内，
其中
i）所述亮点抑制剂存在于所述磁性层中，或者
ii）所述封装层包括接触有机电子元件的第一层和不接触所述有机电子元件的第二层，以及所述亮点抑制剂包含在所述第二层中。
2.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，还包括树脂层，其中所述树脂层形成在所述磁性层与所述金属层之间或者形成在所述封装层与所述金属层之间。
3.根据权利要求2所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述树脂层包含水分吸附剂。
4.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，还包括形成在所述磁性层上并且具有50 W/m·K至800 W/m·K的热导率的金属层。
5.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，还包括形成在所述磁性层上的保护层。
6.根据权利要求5所述的用于有机电子元件的封装膜，还包括形成在所述磁性层与所述保护层之间的粘合剂层。
7.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述金属层的厚度在3 μm至200 μm的范围内。
8.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述金属层包含金属、金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属氮氧化物、金属硼氧化物、及其组合中的任一者。
9.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述金属层包含铁、铬、铝、铜、镍、铁氧化物、铬氧化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、铟氧化物、锡氧化物、铟锡氧化物、钽氧化物、锆氧化物、铌氧化物、及其组合中的任一者。
10.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述磁性层包含粘结剂树脂。
11.根据权利要求10所述的用于有机电子元件的封装膜，其中相对于100重量份的所述磁性颗粒，所述粘结剂树脂以5重量份至30重量份的量包含在内。
12.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述磁性颗粒包括Cr、Fe、Pt、Mn、Zn、Cu、Co、Sr、Si、Ni、Ba、Cs、K、Ra、Rb、Be、Y、B、其合金或其氧化物。
13.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述磁性层的厚度在5 μm至200 μm的范围内。
14.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述封装层由单层或者两个或更多个层形成。
15.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述封装层包含封装树脂。
16.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述水分吸附剂为化学反应性吸附剂。
17.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，其中所述封装层封装形成在基底上的有机电子元件的整个表面。
18.根据权利要求1所述的用于有机电子元件的封装膜，其中基于所述封装膜中的总亮点抑制剂的质量，不接触所述有机电子元件的层包含85%或更多的所述亮点抑制剂。
19.一种有机电子器件，包括：基底；形成在所述基底上的有机电子元件；和用于封装所述有机电子元件的根据权利要求1所述的封装膜。
20.一种用于制备有机电子器件的方法，包括将根据权利要求1所述的封装膜施加至其上形成有有机电子元件的基底以便覆盖所述有机电子元件的步骤。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110164939B (zh) * 2019-05-30 2021-02-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性有机发光二极管显示面板及其制造方法
US20220393139A1 (en) * 2019-10-28 2022-12-08 Lg Chem, Ltd. Encapsulation film
US11864395B2 (en) 2020-01-02 2024-01-02 Lg Chem, Ltd. Encapsulation film

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07169567A (ja) * 1993-12-16 1995-07-04 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機ｅｌ素子
US6146225A (en) * 1998-07-30 2000-11-14 Agilent Technologies, Inc. Transparent, flexible permeability barrier for organic electroluminescent devices
AU1669400A (en) * 1998-12-17 2000-07-03 Cambridge Display Technology Limited Organic light-emitting devices
US6465953B1 (en) * 2000-06-12 2002-10-15 General Electric Company Plastic substrates with improved barrier properties for devices sensitive to water and/or oxygen, such as organic electroluminescent devices
US6984546B2 (en) * 2001-03-15 2006-01-10 Delta Optoelectronics, Inc. Method for forming a thin film light emitting device
US6624568B2 (en) * 2001-03-28 2003-09-23 Universal Display Corporation Multilayer barrier region containing moisture- and oxygen-absorbing material for optoelectronic devices
KR100413449B1 (ko) * 2001-07-20 2003-12-31 엘지전자 주식회사 유기 전계발광 소자
KR100475849B1 (ko) * 2002-04-17 2005-03-10 한국전자통신연구원 습식 공정에 의하여 형성된 엔캡슐레이션 박막을 갖춘유기 전기발광 소자 및 그 제조 방법
JP2004079301A (ja) * 2002-08-14 2004-03-11 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子およびその製造方法
KR100993827B1 (ko) * 2003-12-01 2010-11-12 삼성전자주식회사 발광장치 및 이를 갖는 표시장치 및 이의 제조 방법
KR100615228B1 (ko) * 2004-06-29 2006-08-25 삼성에스디아이 주식회사 흡습 능력이 개선된 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법
KR100647340B1 (ko) * 2006-01-11 2006-11-23 삼성전자주식회사 평판표시장치
US8617913B2 (en) * 2006-08-23 2013-12-31 Rockwell Collins, Inc. Alkali silicate glass based coating and method for applying
JP2009224238A (ja) * 2008-03-18 2009-10-01 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP2010181749A (ja) * 2009-02-06 2010-08-19 Tohcello Co Ltd 封止された機能素子
JP2014203707A (ja) * 2013-04-05 2014-10-27 凸版印刷株式会社 有機ｅｌディスプレイの製造方法及び有機ｅｌディスプレイ
CN104362259B (zh) * 2014-11-17 2017-02-22 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管显示面板及其封装方法
KR101825805B1 (ko) * 2015-02-17 2018-02-08 주식회사 엘지화학 봉지 필름
KR102415108B1 (ko) * 2015-10-29 2022-06-30 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102411420B1 (ko) 2015-10-31 2022-06-20 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
CN106328825B (zh) * 2016-10-31 2019-01-15 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示器
WO2018226079A1 (ko) * 2017-06-09 2018-12-13 주식회사 엘지화학 봉지 필름
JP6953062B2 (ja) * 2017-06-09 2021-10-27 エルジー・ケム・リミテッド 封止フィルム

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