CN114902439A - 封装膜 - Google Patents

封装膜 Download PDF

Info

Publication number
CN114902439A
CN114902439A CN202180007702.0A CN202180007702A CN114902439A CN 114902439 A CN114902439 A CN 114902439A CN 202180007702 A CN202180007702 A CN 202180007702A CN 114902439 A CN114902439 A CN 114902439A
Authority
CN
China
Prior art keywords
encapsulation
film
layer
resin
organic electronic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202180007702.0A
Other languages
English (en)
Inventor
全哲民
金贤硕
睦英凤
文圣男
朴相敏
李承民
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Chem Ltd
Original Assignee
LG Chem Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Chem Ltd filed Critical LG Chem Ltd
Publication of CN114902439A publication Critical patent/CN114902439A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B25/00—Layered products comprising a layer of natural or synthetic rubber
    • B32B25/18—Layered products comprising a layer of natural or synthetic rubber comprising butyl or halobutyl rubber
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B15/06—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of natural rubber or synthetic rubber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/10—Materials in mouldable or extrudable form for sealing or packing joints or covers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/87—Arrangements for heating or cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/724—Permeability to gases, adsorption
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/20—Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
    • B32B2457/206—Organic displays, e.g. OLED
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2571/00—Protective equipment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本申请涉及封装膜、包括其的有机电子装置、以及使用其制造有机电子装置的方法，本申请提供了具有优异可靠性的封装膜，所述具有优异可靠性的封装膜允许形成能够阻挡水分或氧从外部流入有机电子装置的结构，吸收和分散由CTE不匹配引起的随着面板弯曲的应力，并克服由于可靠性降低而引起的性能下降，同时防止有机电子装置中产生亮点。

Description

封装膜
技术领域
本申请涉及封装膜、包括其的有机电子装置和用于制造有机电子装置的方法。
背景技术
有机电子装置(OED)意指包括利用空穴和电子产生电荷的交流电的有机材料层的装置，并且其实例可以包括光伏装置、整流器、发射器和有机发光二极管(OLED)等。
以上有机电子装置中的有机发光二极管(OLED)具有比现有光源更低的功耗和更快的响应速度，并且有利于使显示装置或照明设备变薄。此外，OLED具有空间可用性，并因此有望应用于各种领域，包括各种便携式装置、监视器、笔记本电脑和TV。
在OLED的商业化和应用扩展中，最重要的问题是耐久性问题。OLED中包含的有机材料和金属电极等非常容易被外部因素例如水分氧化。此外，还存在由OLED装置内部可能出现的排气(outgas)引起OLED的亮点的问题。即，包括OLED的产品对环境因素非常敏感。此外，由于面板在高温下的弯曲而出现应力，并且该应力使外部水分或氧容易渗入。因此，已经提出各种方法以在有效地阻挡氧或水分从外部渗入有机电子装置例如OLED中的同时，抑制内部产生的排气。
为了解决这样的问题，需要用于防止氧、水分等流入OLED的薄膜封装过程等。作为常规薄膜封装过程中使用的材料，已使用玻璃或作为镍铁合金的殷钢等。然而，玻璃具有差的可加工性，作为镍铁合金的殷钢昂贵并具有差的热导率的缺点，使得可以解决这样的缺点的具有高通用性的不锈钢(SUS)作为新的封装剂而引起关注。
然而，由于不锈钢与基底具有大的热膨胀系数差异，因此在结合过程或可靠性评估时在高温条件下发生与基底的位移差异，从而可能存在水分或氧阻挡效果降低的问题。
发明内容
技术问题
本申请提供了具有优异可靠性的封装膜，所述具有优异可靠性的封装膜允许形成能够阻挡水分或氧从外部流入有机电子装置的结构，并且吸收和分散由面板弯曲引起的应力，同时防止有机电子装置中产生亮点。
技术方案
本申请涉及封装膜。所述封装膜可以应用封装层或者对有机电子装置例如如OLED进行封装。
常规地，通常使用镍铁合金(殷钢)作为封装膜，但镍铁合金具有昂贵、具有差的热导率以及具有差的可切割性的缺点。本申请在不使用镍铁合金的情况下可以提供在高温下具有优异可靠性的封装膜，所述在高温下具有优异可靠性的封装膜防止有机电子装置中出现亮点，具有优异的散热特性，并且吸收和分散由面板弯曲引起的应力。
在本说明书中，术语“有机电子装置”意指具有包括面向彼此的一对电极之间的利用空穴和电子产生电荷的交流电的有机材料层的结构的制品或装置，并且其实例可以包括但不限于光伏装置、整流器、发射器和有机发光二极管(OLED)等。在本申请的一个实例中，有机电子装置可以为OLED。
示例性有机电子装置封装膜可以包括封装层和形成在封装层上的金属层。封装层可以密封形成在基底上的有机电子元件的顶表面。封装层还可以包含封装树脂和吸湿剂。封装层可以满足以下一般式1。
[一般式1]
Figure BDA0003715661050000021
在以上一般式1中，HT1为封装层在25℃下的厚度，HT2为封装层在T2温度下的连接基底的最外侧与金属层的最外侧的长度，以及ΔLCTE满足以下一般式2。
[一般式2]
ΔLCTE＝(CTE金属-CTE基底)×LT1×(T2-T1)
在以上一般式2中，CTE金属为金属层的CTE值，CTE基底为基底的CTE值，LT1为封装层在25℃下的长边长度，T1为25℃，以及T2为85℃。
在本说明书中，术语“厚度”可以为平均厚度或侧边缘部分的平均厚度。
虽然封装膜应用于对形成在基底上的有机电子元件的顶表面进行封装，但以下描述的一般式1至2和一般式3不一定必须在其上形成有有机电子元件的基底中测量，并且厚度比率可以在封装膜附接在基底上的状态下测量。相对于基底的CTE，金属层可以具有例如1.5倍或更大、2倍至5倍、2.5倍至4倍、或2.8倍至3.5倍的CTE范围。在用ASTM E 831方法使用热机械分析仪(膨胀模式，力0.05N)测量根据温度的尺寸变化之后，“CTE(热膨胀系数)”意指由封装膜的根据温度(-120℃至600℃)的长度变化曲线测量的值。CTE也可以根据ISO11359-1或ISO 11359-2来测量。
在本申请中，用于封装有机电子元件的顶表面的封装层设置在金属层与其上形成有元件的基底之间。然而，基底和金属层具有彼此不同的材料，因此也具有不同的热膨胀特性。当封装膜或有机电子装置在高温下存在一定时间段时(当其存在于过程中时)，随着基底与金属层之间的膨胀程度的差异而出现尺寸不匹配，其中在基底与金属层之间的封装层中，根据应力出现一些剥离、间隙或空隙，引起外部氧或水分容易渗入的情况。通过根据以上一般式1调节厚度比率，即使基底与金属层之间的封装层在高温下也很好地吸收或分散应力以防止在封装层的侧面上出现间隙或空隙，从而本申请可以在具有优异的水分阻挡特性的同时有效地防止异物从外部渗入。
在本申请的一个实施方案中，吸湿剂的含量可以在其中在以下一般式3中，γ满足0.04至0.08的范围内。
[一般式3]
吸湿剂含量＝Q最大×(HT1+HT2×γ)/HT1
在以上一般式3中，相对于封装层的100重量份的固体含量，Q最大为60重量份至90重量份，以及HT1和HT2如以上一般式1中所定义。
以上所有的一般式1至3都可以在将封装膜施加在基底上之后测量，并且可以在封装膜的长边和短边与基底的长边和短边基本匹配之后测量。在本说明书中，基本匹配可以具有±5μm、±3μm、或±1μm的误差范围。
通过调节吸湿剂的含量，本申请可以同时实现高温下的尺寸可靠性、水分阻挡特性和高温耐久可靠性。
如上所述，封装层可以包含封装树脂。封装树脂可以为可交联树脂或可固化树脂。
在一个实例中，封装树脂的玻璃化转变温度可以低于0℃、低于-10℃、或低于-30℃、低于-50℃、或低于-60℃。下限没有特别限制，其可以为-150℃或更高。在此，玻璃化转变温度可以为固化之后的玻璃化转变温度，并且在一个实施方案中，其可以意指在用照射水平为约1J/cm2或更大的紫外线照射之后的玻璃化转变温度；或者在紫外照射然后进一步进行热固化之后的玻璃化转变温度。
在一个实例中，封装树脂可以包括苯乙烯树脂或弹性体、聚烯烃树脂或弹性体、其他弹性体、聚氧化烯树脂或弹性体、聚酯树脂或弹性体、聚氯乙烯树脂或弹性体、聚碳酸酯树脂或弹性体、聚苯硫醚树脂或弹性体、烃的混合物、聚酰胺树脂或弹性体、丙烯酸酯树脂或弹性体、环氧树脂或弹性体、有机硅树脂或弹性体、氟树脂或弹性体、或其混合物等。
在此，作为苯乙烯树脂或弹性体，例如，可以例示苯乙烯-乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SIS)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(ABS)、丙烯腈-苯乙烯-丙烯酸酯嵌段共聚物(ASA)、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBS)、苯乙烯均聚物、或其混合物。作为烯烃树脂或弹性体，例如，可以例示高密度聚乙烯树脂或弹性体、低密度聚乙烯树脂或弹性体、聚丙烯树脂或弹性体、或其混合物。作为弹性体，例如，可以使用酯热塑性弹性体、烯烃弹性体、有机硅弹性体、丙烯酸类弹性体、或其混合物等。特别地，作为烯烃热塑性弹性体，可以使用聚丁二烯树脂或弹性体、或者聚异丁烯树脂或弹性体等。作为聚氧化烯树脂或弹性体，例如，可以例示聚甲醛树脂或弹性体、聚氧乙烯树脂或弹性体、或其混合物等。作为聚酯树脂或弹性体，例如，可以例示聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂或弹性体、聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂或弹性体、或其混合物等。作为聚氯乙烯树脂或弹性体，例如，可以例示聚偏二氯乙烯等。作为烃的混合物，例如，可以例示三十六烷或石蜡等。作为聚酰胺树脂或弹性体，例如，可以例示尼龙等。作为丙烯酸酯树脂或弹性体，例如，可以例示聚(甲基)丙烯酸丁酯等。作为环氧树脂或弹性体，例如，可以例示双酚型，例如双酚A型、双酚F型、双酚S型、及其氢化产物；酚醛清漆型，例如苯酚酚醛清漆型、或甲酚酚醛清漆型；含氮环状型，例如异氰脲酸三缩水甘油酯型、或乙内酰脲型；脂环族型；脂族型；芳族型，例如萘型和联苯型；缩水甘油基型，例如缩水甘油醚型、缩水甘油胺型和缩水甘油酯型；二环型，例如二环戊二烯型；酯型；醚酯型；或其混合物；等等。作为有机硅树脂或弹性体，例如，可以例示聚二甲基硅氧烷等。此外，作为氟树脂或弹性体，可以例示聚三氟乙烯树脂或弹性体、聚四氟乙烯树脂或弹性体、聚氯三氟乙烯树脂或弹性体、聚六氟丙烯树脂或弹性体、多氟化亚乙烯基、多氟化乙烯基、多氟化乙烯丙烯、或其混合物等。
以上列出的树脂或弹性体也可以通过以下方式使用：例如，通过用马来酸酐等接枝，通过经由用于生产树脂或弹性体的单体与其他树脂或弹性体共聚，以及通过用其他化合物改性。以上其他化合物的实例可以包括羧基末端丁二烯-丙烯腈共聚物等。
在一个实例中，封装层可以包含但不限于上述类型中的烯烃弹性体、有机硅弹性体或丙烯酸类弹性体等作为封装树脂。
在本发明的一个实施方案中，封装树脂可以为基于烯烃的树脂。在一个实例中，基于烯烃的树脂可以为丁烯单体的均聚物；通过使丁烯单体和另外的可聚合单体共聚而获得的共聚物；使用丁烯单体的反应性低聚物；或其混合物。丁烯单体可以包括例如1-丁烯、2-丁烯或异丁烯。
可与丁烯单体或衍生物聚合的其他单体可以包括例如异戊二烯、苯乙烯、或丁二烯等。通过使用共聚物，可以保持物理特性例如可加工性和交联度，并因此当施加至有机电子装置时可以确保粘合剂自身的耐热性。
此外，使用丁烯单体的反应性低聚物可以包括具有反应性官能团的丁烯聚合物。低聚物的重均分子量范围可以为500g/mol至5000g/mol。此外，丁烯聚合物可以与具有反应性官能团的另外的聚合物结合。另外的聚合物可以为但不限于(甲基)丙烯酸烷基酯。反应性官能团可以为羟基、羧基、异氰酸酯基或含氮基团。此外，反应性低聚物和另外的聚合物可以通过多官能交联剂交联，多官能交联剂可以为选自异氰酸酯交联剂、环氧交联剂、氮丙啶交联剂和金属螯合物交联剂的至少一者。
在一个实例中，本申请的封装树脂可以包括二烯和含有一个碳-碳双键的烯属化合物的共聚物。在此，烯属化合物可以包括丁烯等，二烯可以为能够与烯属化合物聚合的单体，并且可以包括例如异戊二烯或丁二烯等。例如，二烯和含有一个碳-碳双键的烯属化合物的共聚物可以为丁基橡胶。
在封装层中，树脂或弹性体组分可以具有达到使得压敏粘合剂组合物可以形成为膜形状的程度的重均分子量(Mw)。例如，树脂或弹性体的重均分子量可以为约100,000g/mol至2,000,000g/mol、120,000g/mol至1,500,000g/mol、或150,000g/mol至1,000,000g/mol左右。在本说明书中，术语重均分子量意指通过GPC(凝胶渗透色谱)测量的转化为标准聚苯乙烯的值，并且除非另有说明，否则单位为g/mol。然而，树脂或弹性体不一定具有上述重均分子量。例如，在树脂或弹性体组分的分子量不在足以形成膜的水平的情况下，可以将单独的粘结剂树脂共混到压敏粘合剂组合物中。
在另一个实施方案中，根据本申请的封装树脂可以为可固化树脂。当封装树脂为可固化树脂时，封装树脂可以为固化之后的玻璃化转变温度为85℃或更高且200℃或更低的树脂。玻璃化转变温度可以为在使封装树脂光固化或热固化之后的玻璃化转变温度。本发明中可用的可固化树脂的具体种类没有特别限制，例如，可以使用本领域已知的各种热固性树脂或可光固化树脂。术语“热固性树脂”意指可以通过适当的热施加或老化过程而固化的树脂，术语“可光固化树脂”意指可以通过用电磁波照射而固化的树脂。此外，可固化树脂可以为包括热固化特性和光固化特性二者的双固化树脂。
本申请中的可固化树脂的具体种类没有特别限制，只要其具有上述特性即可。例如，其可以被固化以表现出粘合特性，其可以包括这样的树脂：所述树脂包含一个或更多个热固性官能团(例如缩水甘油基、异氰酸酯基、羟基、羧基或酰胺基)或者包含一个或更多个可通过用电磁波照射而固化的官能团(例如环氧化物基、环醚基、硫化物基团、缩醛基或内酯基)。这样的树脂的具体实例可以包括丙烯酸类树脂、聚酯树脂、异氰酸酯树脂或环氧树脂等，但不限于此。
在本申请中，作为可固化树脂，可以使用芳族或脂族环氧树脂；或者线性或支化环氧树脂。在本发明的一个实施方案中，可以使用包含两个或更多个官能团的具有180g/当量至1,000g/当量的环氧当量的环氧树脂。通过使用具有以上范围内的环氧当量的环氧树脂，可以有效地保持固化产物的特性例如粘合性能和玻璃化转变温度。这样的环氧树脂的实例可以包括以下中的一者或者两者或更多者的混合物：甲酚酚醛清漆环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚A型酚醛清漆环氧树脂、苯酚酚醛清漆环氧树脂、四官能环氧树脂、联苯型环氧树脂、三酚甲烷型环氧树脂、烷基改性的三酚甲烷环氧树脂、萘型环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂、或二环戊二烯改性的酚型环氧树脂。
在本申请中，作为可固化树脂，可以使用分子结构中包含环状结构的环氧树脂，并且可以使用包含芳族基团(例如，苯基)的环氧树脂。当环氧树脂包含芳族基团时，固化产物具有优异的热稳定性和化学稳定性，并且同时表现出低的水分吸收量，从而可以改善有机电子装置封装结构的可靠性。本发明中可以使用的含芳族基团的环氧树脂的具体实例可以为以下中的一者或者两者或更多者的混合物：联苯型环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂、萘型环氧树脂、二环戊二烯改性的酚型环氧树脂、基于甲酚的环氧树脂、基于双酚的环氧树脂、基于二甲苯的环氧树脂、多官能环氧树脂、苯酚酚醛清漆环氧树脂、三酚甲烷型环氧树脂和烷基改性的三酚甲烷环氧树脂等，但不限于此。
在一个实例中，封装树脂可以以40重量％或更大、45重量％或更大、48重量％或更大、50重量％或更大、53重量％或更大、55重量％或更大、58重量％或更大、60重量％或更大、或者65重量％或更大的量包含在封装层中，其中其上限可以为90重量％或更小、85重量％或更小、83重量％或更小、70重量％或更小、65重量％或更小、60重量％或更小、或者55重量％或更小。封装树脂具有良好的水分阻挡特性，但具有耐热耐久性降低的缺点，使得通过调节封装树脂的含量，本申请可以在充分实现树脂自身的水分阻挡性能的同时一起保持在高温和高湿度下的耐热耐久性。
如上所述，封装层可以包含吸湿剂。在本说明书中，术语“吸湿剂”可以意指能够例如通过与渗入封装膜的水分或湿气的化学反应而除去水分或湿气的化学反应性吸附剂，如下所述。
例如，吸湿剂可以作为颗粒的形式以均匀分散的状态存在于封装层或封装膜中。在此，均匀分散的状态可以意指吸湿剂甚至在封装层或封装膜的任何部分中都以相同或基本相同的密度存在的状态。以上可以使用的吸湿剂可以包括例如金属氧化物、硫酸盐或有机金属氧化物等。具体地，硫酸盐的实例可以包括硫酸镁、硫酸钠或硫酸镍等，有机金属氧化物的实例可以包括铝氧化物辛酸盐等。在此，金属氧化物的具体实例可以包括五氧化二磷(P2O5)、氧化锂(Li2O)、氧化钠(Na2O)、氧化钡(BaO)、氧化钙(CaO)或氧化镁(MgO)等，金属盐的实例可以包括硫酸盐，例如硫酸锂(Li2SO4)、硫酸钠(Na2SO4)、硫酸钙(CaSO4)、硫酸镁(MgSO4)、硫酸钴(CoSO4)、硫酸镓(Ga2(SO4)3)、硫酸钛(Ti(SO4)2)或硫酸镍(NiSO4)；金属卤化物，例如氯化钙(CaCl2)、氯化镁(MgCl2)、氯化锶(SrCl2)、氯化钇(YCl3)、氯化铜(CuCl2)、氟化铯(CsF)、氟化钽(TaF5)、氟化铌(NbF5)、溴化锂(LiBr)、溴化钙(CaBr2)、溴化铯(CeBr3)、溴化硒(SeBr4)、溴化钒(VBr3)、溴化镁(MgBr2)、碘化钡(BaI2)或碘化镁(MgI2)；或金属氯酸盐，例如高氯酸钡(Ba(ClO4)2)或高氯酸镁(Mg(ClO4)2)；等等，但不限于此。作为封装层中可以包含的吸湿剂，也可以使用上述成分中的一者或者两者或更多者。在一个实例中，当使用两者或更多者作为吸湿剂时，可以使用煅烧白云石等。
可以根据应用将这样的吸湿剂控制为合适的尺寸。在一个实例中，可以将吸湿剂的平均粒径控制为100nm至15000nm、500nm至10000nm、800nm至8000nm、1μm至7μm、2μm至5μm、或2.5μm至4.5μm。具有以上范围内的尺寸的吸湿剂由于与水分的反应速率不太快而易于储存，不损害要封装的元件，并且可以有效地除去水分而不干扰与以下将描述的亮点抑制剂有关的氢吸附过程。在本说明书中，除非另有说明，否则粒径可以意指平均粒径，并且可以为通过已知的方法用D50颗粒尺寸分析仪测量的粒径。
吸湿剂的含量没有特别限制，其可以考虑期望的阻挡特性来适当地选择。相对于100重量份的封装树脂，吸湿剂可以以20重量份至200重量份、25重量份至190重量份、30重量份至180重量份、35重量份至170重量份、40重量份至160重量份、或45重量份至155重量份的范围包含在内。此外，如以下将描述的，本申请的封装层还可以包含亮点抑制剂，并且在本申请的封装膜中亮点抑制剂与吸湿剂的重量比可以在0.05至0.8、或0.1至0.7的范围内。在本申请中，亮点抑制剂分散在膜中以防止亮点，但考虑到作为封装膜的最初功能的水分阻挡特性和元件的可靠性的实现，被添加以防止亮点的亮点抑制剂可以与吸湿剂以特定的含量比包含在内。
此外，在本申请中，作为对于在将封装层溶解在有机溶剂中之后通过300目尼龙过滤的样品的吸湿剂的颗粒尺寸分析的结果，根据D50的平均粒径与根据D10的平均粒径的比率可以在2.3至3.5的范围内。该比率的下限可以为例如2.4、2.5、2.6、或2.7，并且上限可以为例如3.4、3.3、3.2、3.1、3.0、2.95、或2.93。有机溶剂的类型没有特别限制，但可以为例如甲苯，并且样品可以为对于被切割成例如1.5cm×1.5cm的样品测量的样品。此外，在本说明书中，单位目可以为美国ASTM标准的单位。通过控制颗粒尺寸分布，本申请可以防止由于高温下尺寸稳定性的降低而引起的水分阻挡可靠性的降低，从而实现有机电子装置的长期耐久可靠性。
在一个实例中，封装层还可以包含增粘剂。增粘剂可以为例如软化点为70℃或更高的化合物，其中在一个实施方案中，软化点可以为75℃或更高、78℃或更高、83℃或更高、85℃或更高、90℃或更高、或者95℃或更高，并且其上限没有特别限制，但可以为150℃或更低、140℃或更低、130℃或更低、120℃或更低、110℃或更低、或者100℃或更低。增粘剂可以为分子结构中具有环状结构的化合物，其中环状结构中的碳原子数可以在5至15的范围内。碳原子数可以例如在6至14、7至13、或8至12的范围内。环状结构可以为单环化合物，但不限于此，其可以为双环化合物或三环化合物。增粘剂也可以为基于烯烃的聚合物，其中聚合物可以为均聚物或共聚物。此外，本申请的增粘剂可以为氢化化合物。氢化化合物可以为部分氢化化合物或完全氢化化合物。这样的增粘剂在与封装层中的其他组分具有良好的相容性的同时，可以具有优异的水分阻挡特性并具有外部应力松弛特性。增粘剂的具体实例可以包括氢化的基于萜烯的树脂、氢化的基于酯的树脂或氢化的基于二环戊二烯的树脂等。增粘剂的重均分子量可以在约200g/mol至5,000g/mol、300g/mol至4,000g/mol、400g/mol至3,000g/mol、或500g/mol至2,000g/mol的范围内。增粘剂的含量可以根据需要适当地调节。例如，相对于100重量份的封装树脂，增粘剂的含量可以以15重量份至200重量份、20重量份至190重量份、25重量份至180重量份、或30重量份至150重量份的比率包含在内。本申请通过使用特定的增粘剂而可以提供具有优异的水分阻挡特性和外部应力松弛特性的封装膜。
在本申请的封装膜中，封装层可以包含亮点抑制剂。亮点抑制剂的根据通过密度泛函理论的近似方法计算的对排气的吸附能可以为0eV或更小。吸附能的下限没有特别限制，但可以为-20eV。排气的类型没有特别限制，但可以包含氧、H原子、H2分子和/或NH3。由于封装膜包含亮点抑制剂，因此本申请可以防止由于有机电子装置中产生的排气而引起的亮点。此外，本申请的封装层在位于第一层的与在封装时面向有机电子元件的元件附接表面相反的表面上的第二层中包含亮点抑制剂，从而可以防止根据由于亮点抑制剂引起的应力集中对有机电子元件的损坏。从这样的角度来看，基于封装膜中的全部亮点抑制剂的质量，第一层可以以15％或更少包含亮点抑制剂或者可以不包含亮点抑制剂。此外，基于封装膜中的全部亮点抑制剂的质量，除第一层之外，不接触有机电子元件的层可以包含85％或更多的亮点抑制剂。即，在本申请中，与在元件封装时面向有机电子元件的第一层相比，不接触有机电子元件的其他封装层可以包含较大量的亮点抑制剂，从而可以在实现膜的水分阻挡特性和亮点防止特性的同时防止施加于元件的物理损坏。
在本申请的一个实施方案中，亮点抑制剂与引起亮点的原子或分子之间的吸附能可以基于密度泛函理论通过电子结构计算来计算。以上计算可以通过本领域已知的方法来进行。例如，在本申请中，在制造其中具有晶体结构的亮点抑制剂的最紧密堆积的填充表面暴露于表面上的二维平板结构，然后进行结构优化，并对该真空状态的表面上吸附有引起亮点的分子的结构进行结构优化之后，将通过从这两个体系的总能量差中减去引起亮点的分子的总能量而获得的值定义为吸附能。对于关于各体系的总能量计算，使用作为GGA(广义梯度近似，Generalized Gradient Approximation)系列的函数的修正PBE函数作为交换关联(exchange-correlation)以模拟电子与电子之间的相互作用，所使用的电子动能截止值(cutoff)为500eV，并且仅包括对应于倒易空间的原点的伽玛点，并计算。使用共轭梯度法来优化各体系的原子结构并进行迭代计算直至原子间力为
Figure BDA0003715661050000101
或更小。一系列的计算通过作为市售代码的VASP进行。
亮点抑制剂的材料没有限制，只要该材料是在将封装膜应用于有机电子装置时具有防止有机电子装置的面板上的亮点的效果的材料即可。例如，亮点抑制剂可以为能够吸附例示为以下材料的材料：例如作为由沉积在有机电子元件的电极上的硅氧化物、硅氮化物或硅氮氧化物的无机沉积层产生的排气的氧、H2气、氨(NH3)气、H+、NH2+、NHR2或NH2R。在此，R可以为有机基团，例如，可以例示为烷基、烯基、炔基等，但不限于此。
在一个实例中，亮点抑制剂的材料没有限制，只要其满足以上吸附能值即可，其可以为金属或非金属。亮点抑制剂可以包括例如Li、Ni、Ti、Rb、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Zn、In、Pt、Pd、Fe、Cr、Si、或其组合，可以包括所述材料的氧化物或氮化物，并且可以包括所述材料的合金。在一个实例中，亮点抑制剂可以包括镍颗粒、镍氧化物颗粒、钛氮化物、基于钛的铁钛合金颗粒、基于锰的铁锰合金颗粒、基于镁的镁镍合金颗粒、基于稀土的合金颗粒、沸石颗粒、二氧化硅颗粒、碳纳米管、石墨、磷酸铝分子筛颗粒或介孔二氧化硅颗粒。相对于100重量份的封装树脂，亮点抑制剂可以以3重量份至150重量份、6重量份至143重量份、8重量份至131重量份、9重量份至123重量份、10重量份至116重量份、10重量份至95重量份、10重量份至50重量份、或10重量份至35重量份的量包含在内。在以上含量范围内本申请可以实现有机电子装置的亮点防止，同时改善膜的粘合性和耐久性。此外，亮点抑制剂的粒径可以在10nm至30μm、50nm至21μm、105nm至18μm、110nm至12μm、120nm至9μm、140nm至4μm、150nm至2μm、180nm至900nm、230nm至700nm、或270nm至400nm的范围内。颗粒尺寸可以根据D50颗粒尺寸分析。通过包含亮点抑制剂，本申请可以在有效地吸附有机电子装置中产生的氢的同时一起实现封装膜的水分阻挡特性和耐久可靠性。
此外，在本申请中，作为对于在将封装层溶解在有机溶剂中之后通过300目尼龙过滤的样品的吸湿剂的颗粒尺寸分析的结果，根据D50的平均粒径与根据D10的平均粒径的比率可以在2.3至3.5的范围内。该比率的下限可以为例如2.4、2.5、2.6、或2.7，并且上限可以为例如3.4、3.3、3.2、3.1、3.0、2.95、或2.93。有机溶剂的类型没有特别限制，但可以为例如甲苯，并且样品可以为对于被切割成例如1.5cm×1.5cm的样品测量的样品。此外，在本说明书中，单位目可以为美国ASTM标准的单位。通过控制颗粒尺寸分布，本申请可以防止由于高温下尺寸稳定性的降低而引起的水分阻挡可靠性的降低，从而实现有机电子装置的长期耐久可靠性。
在一个实例中，亮点抑制剂的粒径与吸湿剂的粒径的比率可以为2.0或更小。粒径的比率可以根据D50颗粒尺寸分析。粒径比率的下限可以为0.3、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、或者1.1或更大，并且上限可以为1.9、1.8、1.7、1.6、1.5、1.4、1.3、1.2、1.1、1.0、0.9或更小。本申请的封装膜的最初目的旨在阻挡来自外部的水分，其中为了解决氢吸附的另一个技术问题，新引入了亮点抑制剂，但存在在包含亮点抑制剂时不容易保持最初的水分阻挡效果的技术问题。本申请通过调节吸湿剂和亮点抑制剂的粒径比率和/或上述颗粒尺寸分布而在保持最初的水分阻挡效果的同时实现优异的亮点防止性能。
在一个实例中，本申请的封装层可以具有单层结构或者包括至少两个或更多个封装层的多层结构。在包括两个或更多个封装层的情况下，封装层可以包括在封装有机电子元件时面向所述元件的第一层，和位于第一层的与面向所述元件的表面相反的表面上的第二层。在一个实施方案中，如以上图2(a)所示，封装膜包括至少两个或更多个封装层，其中封装层可以包括在封装时面向有机电子元件的第一层2和不面向有机电子元件的第二层4。
如上所述，封装层2可以具有单层结构。如图1(a)所示，封装层4可以包含亮点抑制剂3。此外，如图1(b)所示，封装层4还可以同时包含亮点抑制剂3和吸湿剂5。
如上所述，封装层可以具有两个或更多个的多层结构。当两个或更多个层构成封装层时，封装层中各层的组成可以相同或不同。在一个实例中，封装层可以包含封装树脂和/或吸湿剂，并且封装层可以为压敏粘合剂层或粘合剂层。
如图2(a)所示，封装层2、4可以包括第一层2和第二层4，并且封装层的第二层4可以包含亮点抑制剂3。此外，如在图2(b)中，第二层可以同时包含亮点抑制剂3和吸湿剂5。然而，当将封装膜应用于有机电子元件时，作为面向有机电子元件的封装层的第一层2可以不包含亮点抑制剂和吸湿剂，或者即使包含亮点抑制剂和吸湿剂，也只可以包含以亮点抑制剂和吸湿剂的总重量为基础，15％或更少、或者5％或更少的少量。
此外，在一个实例中，本申请的封装层可以包含与封装树脂高度相容并且可以与封装树脂一起形成特定交联结构的可活性能量射线聚合的化合物。
例如，本申请的封装层可以包含可以通过照射活性能量射线而与封装树脂一起聚合的多官能可活性能量射线聚合的化合物。可活性能量射线聚合的化合物可以意指这样的化合物：其包含两个或更多个能够通过照射活性能量射线而参与聚合反应的官能团，例如含有烯键式不饱和双键的官能团(例如丙烯酰基或甲基丙烯酰基)、或者诸如环氧基或氧杂环丁烷基的官能团。
作为多官能可活性能量射线聚合的化合物，例如，可以使用多官能丙烯酸酯(multifunctional acrylate，MFA)。
此外，相对于100重量份的封装树脂，可活性能量射线聚合的化合物可以以3重量份至30重量份、5重量份至25重量份、8重量份至20重量份、10重量份至18重量份、或12重量份至18重量份的量包含在内。在以上范围内本申请提供了即使在苛刻条件例如高温和高湿度下也具有优异的耐久可靠性的封装膜。
可以没有任何限制地使用可以通过照射活性能量射线而聚合的多官能可活性能量射线聚合的化合物。例如，所述化合物可以包括1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,3-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯(HDDA)、1,8-辛二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,12-十二烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二环戊基二(甲基)丙烯酸酯、环己烷-1,4-二醇二(甲基)丙烯酸酯、三环癸烷二甲醇(甲基)二丙烯酸酯、二羟甲基二环戊烷二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇改性的三羟甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、金刚烷二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯(TMPTA)、或其混合物。
作为多官能可活性能量射线聚合的化合物，例如，可以使用具有100g/mol或更大且小于1,000g/mol的分子量并包含两个或更多个官能团的化合物。多官能可活性能量射线聚合的化合物中包含的环结构可以为碳环结构或杂环结构；或者单环结构或多环结构中的任一者。
在本申请的一个实施方案中，封装层还可以包含自由基引发剂。自由基引发剂可以为光引发剂或热引发剂。光引发剂的具体种类可以考虑固化速率和黄化可能性等来适当地选择。例如，可以使用基于安息香的光引发剂、基于羟基酮的光引发剂、基于氨基酮的光引发剂或基于氧化膦的光引发剂等，具体地，可以使用安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香异丙醚、安息香正丁醚、安息香异丁醚、苯乙酮、二甲基氨基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基-2-苯基苯乙酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙-1-酮、1-羟基环己基苯基酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉代-丙-1-酮、4-(2-羟基乙氧基)苯基-2-(羟基-2-丙基)酮、二苯甲酮、对苯基二苯甲酮、4,4’-二乙基氨基二苯甲酮、二氯二苯甲酮、2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-叔丁基蒽醌、2-氨基蒽醌、2-甲基噻吨酮、2-乙基噻吨酮、2-氯噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、苄基二甲基缩酮、苯乙酮二甲基缩酮、对二甲基氨基苯甲酸酯、低聚[2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮]和2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基-氧化膦等。
相对于100重量份的可活性能量射线聚合的化合物，自由基引发剂可以以0.2重量份至20重量份、0.5重量份至18重量份、1重量份至15重量份、或2重量份至13重量份的比率包含在内。因此，可以有效地诱导可活性能量射线聚合的化合物的反应并且还可以防止由于固化之后的残留组分而引起的封装层组合物的物理特性的劣化。
在本申请的一个实施方案中，根据包含的树脂组分的类型，封装膜的封装层还可以包含固化剂。例如，其还可以包含能够与上述封装树脂反应以形成交联结构等的固化剂。在本说明书中，术语封装树脂和/或粘结剂树脂可以以与树脂组分相同的含义使用。
固化剂的种类可以根据树脂中包含的官能团或树脂组分的类型而适当地选择和使用。
在一个实例中，当树脂组分为环氧树脂时，固化剂为本领域已知的环氧树脂的固化剂，例如，可以使用以下中的一者或者两者或更多者：胺固化剂、咪唑固化剂、酚固化剂、磷固化剂、或酸酐固化剂等，但不限于此。
在一个实例中，作为固化剂，可以使用在室温下为固体并具有80℃或更高的熔点或分解温度的咪唑化合物。作为这样的化合物，例如，可以例示2-甲基咪唑、2-十七烷基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、或1-氰基乙基-2-苯基咪唑等，但不限于此。
固化剂的含量可以根据组合物的组成(例如，封装树脂的类型或比率)来选择。例如，相对于100重量份的树脂组分，固化剂可以以1重量份至20重量份、1重量份至10重量份、或1重量份至5重量份的量包含在内。然而，重量比可以根据封装树脂或该树脂的官能团的类型和比率、或者待实现的交联密度等而改变。
当树脂组分为可以通过照射活性能量射线而固化的树脂时，例如，可以使用阳离子光聚合引发剂作为引发剂。
作为阳离子光聚合引发剂，可以使用
Figure BDA0003715661050000141
盐、有机金属盐系列的离子化阳离子引发剂、或者有机硅烷或潜在磺酸系列的非离子化阳离子光聚合引发剂。作为
Figure BDA0003715661050000142
盐系列的引发剂，可以例示二芳基碘
Figure BDA0003715661050000143
盐、三芳基
Figure BDA0003715661050000144
盐或芳基重氮盐等，作为有机金属盐系列的引发剂，可以例示铁芳烃等，作为有机硅烷系列的引发剂，可以例示邻硝基苄基三芳基甲硅烷基醚、三芳基甲硅烷基过氧化物或酰基硅烷等，作为潜在磺酸系列的引发剂，可以例示α-磺酰氧基酮或α-羟基甲基安息香磺酸酯等，但不限于此。
在一个实例中，作为阳离子引发剂，可以使用离子化阳离子光聚合引发剂。
如有需要，封装层还可以包含水分阻挡剂(moisture blocker)。在本说明书中，术语“水分阻挡剂”可以意指与水分没有反应性或具有低的反应性，但可以物理地阻挡或阻碍水分或湿气在膜内运动的材料。作为水分阻挡剂，例如，可以使用以下中的一者或者两者或更多者：粘土、滑石、针状二氧化硅、片状二氧化硅、多孔二氧化硅、沸石、二氧化钛或氧化锆。此外，水分阻挡剂可以用有机改性剂等进行表面处理以促进有机物质的渗透。作为这样的有机改性剂，例如，可以使用二甲基苄基氢化牛油季铵、二甲基氢化牛油季铵、甲基牛油双-2-羟基乙基季铵、二甲基氢化牛油2-乙基己基季铵、二甲基脱氢牛油季铵、或其混合物等。
水分阻挡剂的含量没有特别限制，并且可以考虑期望的阻挡特性来适当地选择。
除上述成分之外，根据以下将描述的封装膜的应用和制造过程，封装层还可以包含各种添加剂。例如，根据预期的物理特性，封装层可以以适当的含量范围包含可固化材料、交联剂、填料等。
当封装层由两个或更多个层形成时，不接触有机电子元件的第二层可以包含吸湿剂。例如，当封装层由两个或更多个层形成时，封装层中的与有机电子元件接触的层可以不包含吸湿剂，或者可以以相对于100重量份的封装树脂小于5重量份、或小于4重量份的少量包含吸湿剂。
具体地，考虑到将封装膜应用于有机电子元件的封装，可以考虑对元件的损害来控制吸湿剂的含量。例如，在封装时面向元件的第一层可以包含少量的吸湿剂，或者可以不包含吸湿剂。在一个实例中，相对于封装膜中包含的吸湿剂的总质量，封装层的在封装时面向元件的第一层可以包含0％至20％的吸湿剂。此外，相对于封装膜中包含的吸湿剂的总质量，不接触元件的封装层可以包含80％至100％的吸湿剂。在本申请的一个实施方案中，封装膜还可以包括形成在封装层上的金属层。本申请的金属层的热导率可以为20W/m·K或更大、50W/m·K或更大、60W/m·K或更大、70W/m·K或更大、80W/m·K或更大、90W/m·K或更大、100W/m·K或更大、110W/m·K或更大、120W/m·K或更大、130W/m·K或更大、140W/m·K或更大、150W/m·K或更大、200W/m·K或更大、或者210W/m·K或更大。热导率的上限没有特别限制，其可以为800W/m·K或更小。通过具有这样的高热导率，可以更快速地释放在金属层结合过程时在结合界面处产生的热。此外，在有机电子装置的运行期间积聚的热由于高热导率而被迅速释放，由此有机电子装置自身的温度可以保持较低，并且减少裂纹和缺陷的出现。热导率可以在15℃至30℃的温度范围内的任何温度下测量。
本文中的术语“热导率”是表示材料能够通过传导传递热的能力的程度，其中单位可以由W/m·K表示。该单位表示材料在相同的温度和距离下传递热的程度，其意指相对于距离单位(米)和温度单位(开尔文)的热量单位(瓦)。
在本申请的一个实施方案中，封装膜的金属层可以为透明的或不透明的。金属层的厚度可以在3μm至200μm、10μm至100μm、20μm至90μm、30μm至80μm、或40μm至75μm的范围内。本申请通过控制金属层的厚度可以在实现足够的热释放效果的同时提供薄膜封装膜。金属层可以为薄金属箔或沉积有金属的聚合物基础层。金属层没有特别限制，只要其是满足上述热导率并包含金属的材料即可。金属层可以包含来自金属、金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属氮氧化物、金属硼氧化物、及其组合的任一者。例如，金属层可以包含其中一种金属中添加有一种或更多种金属元素或非金属元素的合金，并且可以包含例如不锈钢(SUS)。此外，在一个实例中，金属层可以包含铁、铬、铜、铝、镍、铁氧化物、铬氧化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、铟氧化物、锡氧化物、铟锡氧化物、钽氧化物、锆氧化物、铌氧化物、及其组合。金属层可以通过以下方式来沉积：电解、轧制、热蒸镀、电子束蒸镀、溅射、反应溅射、化学气相沉积、等离子体化学气相沉积或电子回旋共振源等离子体化学气相沉积。在本申请的一个实例中，金属层可以通过反应溅射来沉积。
常规地，通常使用镍铁合金(殷钢)作为封装膜，但镍铁合金具有价格高、热导率低并且切割特性差的缺点。本申请在不使用镍铁合金作为金属层的情况下提供了防止有机电子装置产生亮点，具有优异的热释放特性并且由于磁性而实现加工便利性的封装膜。
在一个实例中，金属层的CTE可以在2ppm/K至25ppm/K、4ppm/K至20ppm/K、6ppm/K至15ppm/K、或9ppm/K至12ppm/K的范围内。此外，如以下将描述的，在本申请的封装膜中，封装层可以封装基底上的有机电子元件的顶表面。基底的CTE可以在1ppm/K至6ppm/K、2ppm/K至5ppm/K、或3ppm/K至4ppm/K的范围内。当封装膜封装有机电子元件时，基底、有机电子元件、用于封装有机电子元件的封装层、和封装层上的金属层以该顺序层合。在这种情况下，基底与金属层之间的热膨胀特性可能是不同的。
封装膜还可以包括基础膜或离型膜(在下文中，可以被称为“第一膜”)，其可以具有其中封装层形成在基础膜或离型膜上的结构。此外，该结构还可以包括形成在金属层上的基础膜、保护膜或离型膜(在下文中，可以被称为“第二膜”)。
本申请中可以使用的第一膜的具体种类没有特别限制。在本申请中，例如，可以使用该领域中的一般聚合物膜作为第一膜。在本申请中，例如，作为基础膜或离型膜，可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚四氟乙烯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚氯乙烯膜、聚氨酯膜、乙烯-乙酸乙烯酯膜、乙烯-丙烯共聚物膜、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物膜、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物膜、或聚酰亚胺膜等。此外，可以在本申请的基础膜或离型膜的一侧或两侧上进行合适的脱模处理。作为在基础膜的脱模处理中使用的脱模剂的实例，可以使用醇酸系列、有机硅系列、氟系列、不饱和酯系列、聚烯烃系列或蜡系列等，其中，在耐热性方面，优选使用醇酸系列、有机硅系列或氟系列的脱模剂，但不限于此。
在本申请中，如上的基础膜或离型膜(第一膜)的厚度没有特别限制，其可以根据应用其的应用来适当地选择。例如，在本申请中，第一膜的厚度可以为10μm至500μm，优选地，20μm至200μm左右。如果厚度小于10μm，则在制造过程期间可能容易发生基础膜的变形，而如果厚度超过500μm，则经济效益低。
本申请的封装膜中包括的封装层的厚度没有特别限制，其可以考虑应用该膜的应用来根据以下条件适当地选择。封装层的厚度可以为5μm至200μm，优选地，5μm至100μm左右。封装层的厚度可以为多层封装层的整个厚度。如果封装层的厚度小于5μm，则可能无法表现出足够的水分阻挡能力，而如果其超过200μm，则难以确保可加工性，由水分反应性引起的厚度膨胀大，使得有机发光元件的沉积膜可能受到损害，并且经济效益低。
本申请还涉及有机电子装置。如图3所示，有机电子装置可以包括基底21；形成在基底21上的有机电子元件22；以及用于封装有机电子元件22的上述封装膜10。封装膜可以封装形成在基底上的有机电子元件的顶表面(例如全部上部)和侧表面。封装膜可以包括包含呈交联或固化状态的压敏粘合剂组合物或粘合剂组合物的封装层。此外，有机电子装置可以通过将封装层密封成接触形成在基底上的有机电子元件的顶表面来形成。
用于封装有机电子元件的顶表面的封装层设置在其上形成有元件的基底与封装膜的金属层之间。然而，基底和金属层的材料彼此不同，因此热膨胀特性也不同，使得当有机电子装置在高温下存在一定时间段时，由于基底与金属层之间的膨胀程度差异而可能发生尺寸不匹配。
当有机电子装置中在金属层与基底之间发生CTE不匹配时，如图4所示，出现有机电子装置1的基底21与金属层13的位移差，从而可以拉伸层合在基底21与金属层13之间的封装层11。
通过根据以下一般式1调节厚度比率(HT2/HT1)，即使基底21与金属层13之间的封装层11在高温下也很好地吸收或分散应力以防止在封装层11的侧面上出现间隙或空隙，从而本申请可以在具有优异的水分阻挡特性的同时有效地防止异物从外部渗入。
[一般式1]
Figure BDA0003715661050000181
在以上一般式1中，HT1为封装层在25℃下的厚度，HT2为封装层在T2温度下的连接基底的最外侧与金属层的最外侧的长度，以及ΔLCTE满足以下一般式2。
[一般式2]
ΔLCTE＝(CTE金属-CTE基底)×LT1×(T2-T1)
在以上一般式2中，CTE金属为金属层的CTE值，CTE基底为基底的CTE值，LT1为封装层在25℃下的长边长度，T1为25℃，以及T2为85℃。
在本申请的一个实施方案中，有机电子元件可以包括一对电极、至少包括发光层的有机层、和钝化膜。具体地，有机电子元件可以包括第一电极层、形成在第一电极层上并且至少包括发光层的有机层、和形成在有机层上的第二电极层，并且可以包括用于保护第二电极层上的电极和有机层的钝化膜。第一电极层可以为透明电极层或反射电极层，第二电极层也可以为透明电极层或反射电极层。更具体地，有机电子元件可以包括形成在基底上的透明电极层、形成在透明电极层上并且至少包括发光层的有机层、和形成在有机层上的反射电极层。
在此，有机电子元件可以为例如有机发光元件。
钝化膜可以包括无机膜和有机膜。在一个实施方案中，无机膜可以为选自Al、Zr、Ti、Hf、Ta、In、Sn、Zn和Si的一种或更多种金属氧化物或氮化物。无机膜的厚度可以为0.01μm至50μm、或0.1μm至20μm、或1μm至10μm。在一个实例中，本申请的无机膜可以是不包含掺杂剂的无机材料，或者可以是包含掺杂剂的无机材料。可以掺杂的掺杂剂可以为选自Ga、Si、Ge、Al、Sn、Ge、B、In、Tl、Sc、V、Cr、Mn、Fe、Co和Ni的一种或更多种元素，或所述元素的氧化物，但不限于此。有机膜与至少包括发光层的有机层的区别在于，其不包括发光层，并且可以为包含环氧化合物的有机沉积层。
无机膜或有机膜可以通过化学气相沉积(CVD)形成。例如，作为无机膜，可以使用硅氮化物(SiNx)。在一个实例中，可以将用作无机膜的硅氮化物(SiNx)沉积至0.01μm至50μm的厚度。在一个实例中，有机膜的厚度可以在2μm至20μm、2.5μm至15μm、或2.8μm至9μm的范围内。
本申请还提供了用于制造有机电子装置的方法。所述制造方法可以包括将上述封装膜施加至其上形成有有机电子元件的基底以覆盖有机电子元件的步骤。此外，所述制造方法可以包括使封装膜固化的步骤。封装膜的固化步骤可以意指封装层的固化，其可以在封装膜覆盖有机电子元件之前或之后进行。
在本说明书中，术语“固化”可以意指本发明的压敏粘合剂组合物通过加热或UV照射过程等形成交联结构，从而被制造成压敏粘合剂的形式。或者，其可以意指使粘合剂组合物固化并作为粘合剂附接。
具体地，有机电子元件可以通过以下形成：通过诸如真空蒸镀或溅射的方法在用作基底的玻璃或聚合物膜上形成透明电极，在透明电极上形成由例如空穴传输层、发光层和电子传输层等构成的发光有机材料层，然后在发光有机材料层上进一步形成电极层。随后，放置封装膜的封装层以覆盖经受以上过程的基底的有机电子元件的顶表面。
有益效果
本申请的封装膜可以应用于密封或封装有机电子装置例如OLED。所述膜提供了具有优异可靠性的封装膜，所述具有优异可靠性的封装膜允许形成能够阻挡水分或氧从外部流入有机电子装置的结构，并且吸收和分散由面板弯曲引起的应力，同时防止有机电子装置中产生亮点。
附图说明
图1和图2是示出根据本申请的一个实例的封装膜的截面图。
图3是示出根据本申请的一个实例的有机电子装置的截面图。
图4是当有机电子装置中发生金属层与基底之间的CTE不匹配时图3的部分“A”的放大截面图。
具体实施方式
在下文中，将通过根据本发明的实施例和不根据本发明的比较例更详细地描述本发明，但本发明的范围不受以下实施例限制。
实施例1
封装层的制备
为了制备第一层溶液，制备其中丁基橡胶树脂(BR068，EXXON)和增粘剂(具有9个碳原子的氢化二环戊二烯树脂，软化点：90℃，Mw：570g/mol)以50:45的重量比(重量份)用甲苯稀释的溶液(固体含量33％)，然后使溶液均匀化。向均匀化的溶液中引入5重量份多官能丙烯酸酯(HDDA，Miwon)和1重量份光引发剂(Irgacure819，BASF)并使其均匀化，然后在高速下搅拌1小时以制备第一层溶液。
为了制备第二层溶液，将作为吸湿剂的CaO(Sigma-Aldrich，平均粒径1μm)制备为溶液(固体含量50％)。此外，与此分开地，制备其中丁基橡胶树脂(BR068，EXXON)、作为亮点抑制剂的Ni颗粒(粒径约300nm)和增粘剂(具有9个碳原子的氢化二环戊二烯树脂，软化点：90℃，Mw：570g/mol)相应地以40:10:55(丁基橡胶:Ni:增粘剂)的重量比(重量份)用甲苯稀释的溶液(固体含量50％)，然后使溶液均匀化。向均匀化的溶液中引入5重量份多官能丙烯酸酯(HDDA，Miwon)和1重量份光引发剂(Irgacure819，BASF)并使其均匀化，然后向其中引入吸湿剂溶液使得相对于第二层溶液的100重量份的固体含量，吸湿剂的量为115重量份，然后在高速下搅拌1小时以制备第二层溶液。
对于第一层和第二层，使用逗点涂覆机分别将如上制备的封装层溶液各自施加至离型PET的离型表面，在130℃下在干燥器中干燥3分钟，并层合以制备总厚度为100μm的封装层。
封装膜的生产
在预先准备的金属层(SUS430，厚度70μm)上，将附接至封装层的第二层的离型处理的PET剥离，并在70℃下通过辊对辊过程层合，从而封装膜被生产成使得第二层与金属层接触。
将生产的封装膜切割以生产用于封装有机电子元件的膜。测量通过以2J/cm2用紫外线照射生产的膜而获得的样品的物理特性。
实施例2
通过与实施例1中相同的组成制备封装层溶液以制备厚度为60μm的封装层。
实施例3
通过与实施例1中相同的组成制备封装层溶液以制备厚度为50μm的封装层。
比较例1
通过与实施例1中相同的组成制备封装层溶液以制备厚度为30μm的封装层。
比较例2
通过与实施例1中相同的组成制备封装层溶液以制备厚度为20μm的封装层。
实验例1-HT2/HT1的计算
根据以下一般式1计算HT2，通过结果值计算HT2/HT1并汇总于下表1中。
[一般式1]
Figure BDA0003715661050000211
在以上一般式1中，HT1为封装层在25℃下的厚度，HT2为封装层在T2温度下的连接基底的最外侧与金属层的最外侧的长度，以及ΔLCTE满足以下一般式2，
[一般式2]
ΔLCTE＝(CTE金属-CTE基底)×LT1×(T2-T1)
CTE金属为10.4，CTE基底为3.7，LT1为封装层在25℃下的长边长度，其为1440mm，T1为25℃，以及T2为85℃。
[表1]
实施例1 实施例2 实施例3 比较例1 比较例2
H<sub>T1</sub> 100 60 50 30 20
H<sub>T2</sub> 306 296 294 291 290
H<sub>T2</sub>/H<sub>T1</sub> 3.06 4.93 5.87 9.7 14.57
实验例2·可靠性评估(水分阻挡性能)
在将有机电子元件沉积在55英寸玻璃基底(0.5T)上之后，使用真空结合机在25℃、50毫托真空度和0.4MPa的条件下将实施例和比较例中制备的封装膜层合在元件上以生产有机电子面板。
在将生产的面板在85℃和85％的恒温恒湿室中保持约500小时时，观察玻璃基底与封装膜层之间的界面处是否产生抬起或气泡。
当用肉眼观察时，将玻璃基底与封装膜层之间的界面处即使出现一个抬起或气泡的情况标记为X，当不出现抬起或气泡时，将其标记为O，并汇总于下表2中。
[表2]
水分阻挡性能
实施例1 O
实施例2 O
实施例3 O
比较例1 X
比较例2 X
[附图标记说明]
1、10：封装膜
2、4、11：封装层
13：金属层
3：亮点抑制剂
5：吸湿剂
21：基底
23：有机电子元件

Claims (21)

1.一种封装膜，包括用于封装形成在基底上的有机电子元件的顶表面的封装层和形成在所述封装层上的金属层，
其中所述封装层满足以下一般式1：
[一般式1]
Figure FDA0003715661040000011
其中，HT1为所述封装层在25℃下的厚度，HT2为所述封装层在T2温度下的连接所述基底的最外侧与所述金属层的最外侧的长度，以及ΔLCTE满足以下一般式2，
[一般式2]
ΔLCTE＝(CTE金属-CTE基底)×LT1×(T2-T1)
其中，CTE金属为所述金属层的CTE值，CTE基底为所述基底的CTE值，LT1为所述封装层在25℃下的长边长度，T1为25℃，以及T2为85℃。
2.根据权利要求1所述的封装膜，其中相对于所述基底的CTE，所述金属层具有1.5倍或更大的CTE范围。
3.根据权利要求1所述的封装膜，其中所述封装层包含封装树脂和吸湿剂。
4.根据权利要求3所述的封装膜，其中所述吸湿剂为化学反应性吸附剂。
5.根据权利要求3所述的封装膜，其中作为对于在将所述封装层溶解在有机溶剂中之后通过300目尼龙过滤的样品的所述吸湿剂的颗粒尺寸分析的结果，根据D50的平均粒径与根据D10的平均粒径的比率在2.5至3.5的范围内。
6.根据权利要求3所述的封装膜，其中所述封装树脂的玻璃化转变温度低于0℃。
7.根据权利要求3所述的封装膜，其中所述封装树脂包括基于烯烃的树脂。
8.根据权利要求3所述的封装膜，其中所述封装树脂包括二烯和含有一个碳-碳双键的烯属化合物的共聚物。
9.根据权利要求3所述的封装膜，其中所述封装树脂以40重量％或更大的量包含在所述封装层中。
10.根据权利要求3所述的封装膜，其中所述封装层还包含增粘剂。
11.根据权利要求10所述的封装膜，其中所述增粘剂的软化点为70℃或更高。
12.根据权利要求10所述的封装膜，其中所述增粘剂为包含具有5至15个碳原子的环状结构的化合物。
13.根据权利要求10所述的封装膜，其中所述增粘剂为氢化化合物。
14.根据权利要求12所述的封装膜，其中所述环状结构为双环化合物或三环化合物。
15.根据权利要求10所述的封装膜，其中相对于100重量份的所述封装树脂，所述增粘剂以10重量份至80重量份的范围包含在内。
16.根据权利要求3所述的封装膜，其中所述封装层还包含亮点抑制剂。
17.根据权利要求16所述的封装膜，其中所述亮点抑制剂的根据通过密度泛函理论的近似方法计算的对排气的吸附能为0eV或更小。
18.根据权利要求16所述的封装膜，其中相对于100重量份的所述封装树脂，所述亮点抑制剂以3重量份至150重量份的量包含在内。
19.根据权利要求3所述的封装膜，其中所述封装层还包含可活性能量射线聚合的化合物。
20.一种有机电子装置，包括：基底；形成在所述基底上的有机电子元件；以及用于封装所述有机电子元件的根据权利要求1所述的封装膜。
21.一种用于制造有机电子装置的方法，包括将根据权利要求1所述的封装膜施加至其上形成有有机电子元件的基底以覆盖所述有机电子元件的步骤。
CN202180007702.0A 2020-01-02 2021-01-04 封装膜 Pending CN114902439A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2020-0000526 2020-01-02
KR20200000526 2020-01-02
PCT/KR2021/000013 WO2021137672A1 (ko) 2020-01-02 2021-01-04 봉지 필름

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114902439A true CN114902439A (zh) 2022-08-12

Family

ID=76686958

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202180007702.0A Pending CN114902439A (zh) 2020-01-02 2021-01-04 封装膜

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20230029785A1 (zh)
EP (1) EP4068407B1 (zh)
JP (1) JP7338067B2 (zh)
KR (1) KR102504349B1 (zh)
CN (1) CN114902439A (zh)
WO (1) WO2021137672A1 (zh)

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4072197B2 (ja) * 2001-05-21 2008-04-09 邦仁 河本 フォトニック結晶及びその製造方法
EP1804310B1 (en) 2005-12-30 2016-10-19 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emiting device and method of manufacturing the same
KR101097326B1 (ko) * 2010-02-02 2011-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 평판 디스플레이 장치 및 유기 발광 디스플레이 장치
KR101772661B1 (ko) * 2010-11-29 2017-09-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20140073268A (ko) * 2012-12-06 2014-06-16 도레이케미칼 주식회사 유기전자장치용 박막봉지체, 이를 포함하는 유기전자장치 봉지제품 및 유기전자장치의 봉지방법
JP6258471B2 (ja) * 2013-05-21 2018-01-10 エルジー・ケム・リミテッド 封止フィルムおよびこれを利用した有機電子装置の封止方法
KR101561102B1 (ko) 2014-07-01 2015-10-19 주식회사 이녹스 유기전자장치용 접착필름 및 이를 포함하는 유기전자장치용 봉지재
US10864706B2 (en) 2016-03-11 2020-12-15 Lg Chem, Ltd. Encapsulation film
WO2018226077A1 (ko) * 2017-06-09 2018-12-13 주식회사 엘지화학 봉지 필름
CN109096932B (zh) * 2017-06-29 2020-03-24 新和因特泰科株式会社 粘附膜以及包含上述粘附膜的有机电子装置
KR102059172B1 (ko) * 2019-07-04 2019-12-24 (주)이녹스첨단소재 유기전자장치 봉지재용 접착필름 및 이를 포함하는 유기전자장치용 봉지재

Also Published As

Publication number Publication date
EP4068407A4 (en) 2023-01-25
EP4068407B1 (en) 2023-07-05
JP7338067B2 (ja) 2023-09-04
US20230029785A1 (en) 2023-02-02
JP2023509685A (ja) 2023-03-09
WO2021137672A1 (ko) 2021-07-08
KR102504349B1 (ko) 2023-02-28
EP4068407A1 (en) 2022-10-05
KR20210087401A (ko) 2021-07-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11342534B2 (en) Encapsulation film
KR102126700B1 (ko) 봉지 필름
TWI742289B (zh) 封裝膜
CN112219291A (zh) 封装膜
JP7338064B2 (ja) 封止フィルム
KR20210140939A (ko) 봉지 필름
KR102504349B1 (ko) 봉지 필름
US12089436B2 (en) Encapsulation film having moisture adsorbent and metal mesh layer
KR102504352B1 (ko) 봉지 필름
CN114555358B (zh) 封装膜
CN115551930A (zh) 封装膜
KR20210141220A (ko) 봉지 필름
KR20210141865A (ko) 봉지 필름
KR20230046867A (ko) 봉지 필름

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination