JP6956812B2 - 封止フィルム - Google Patents

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関連出願との相互引用
本出願は、２０１７年６月９日付けの韓国特許出願第１０−２０１７−００７２４９９号に基づく優先権の利益を主張し、当該韓国特許出願の文献に開示されたすべての内容は、 本明細書の一部として含まれる。

技術分野
本出願は、封止フィルム、その製造方法、これを含む有機電子装置およびこれを利用した有機電子装置の製造方法に関する。

有機電子装置（ＯＥＤ；ｏｒｇａｎｉｃ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｄｅｖｉｃｅ）は、正孔および電子を用いて電荷の交流を発生する有機材料層を含む装置を意味し、その例としては、光電池装置（ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ ｄｅｖｉｃｅ）、整流器（ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ）、トランスミッター（ｔｒａｎｓｍｉｔｔｅｒ）および有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ；ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）等が挙げられる。

前記有機電子装置のうち有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）は、従来の光源に比べて、電力消費量が少なく、応答速度が速く、表示装置または照明の薄型化に有利である。また、ＯＬＥＤは、空間活用性に優れていて、各種携帯用機器、モニター、ノートパソコンおよびテレビを含む多様な分野において適用されるものと期待されている。

ＯＬＥＤの商用化および用途拡大において、最も主要な問題点は、耐久性の問題である。ＯＬＥＤに含まれた有機材料および金属電極などは、水分などの外部的要因により非常に容易に酸化する。また、ＯＬＥＤ装置の内部で発生しうるアウトガスによりＯＬＥＤの輝点が発生する問題も存在する。すなわち、ＯＬＥＤを含む製品は、環境的要因に大きく敏感である。これに伴い、ＯＬＥＤなどのような有機電子装置に対する外部からの酸素または水分などの浸透を効果的に遮断し、同時に内部で発生するアウトガスを抑制するために多様な方法が提案されている。

本出願は、外部から有機電子装置に流入する水分または酸素を遮断できる構造の形成が可能であり、有機電子装置の内部に蓄積される熱を効果的に放出させ、磁性による工程効率を高め、有機電子装置の輝点発生を防止できる封止フィルムを提供する。

本出願は、封止フィルムに関する。前記封止フィルムは、例えば、ＯＬＥＤなどのような有機電子装置を封止またはカプセル化することに適用され得る。

本明細書で、用語「有機電子装置」は、互いに対向する一対の電極の間に正孔および電子を用いて電荷の交流を発生する有機材料層を含む構造を有する物品または装置を意味し、その例としては、光電池装置、整流器、トランスミッターおよび有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）等が挙げられるが、これらに制限されるものではない。本出願の一例において、前記有機電子装置は、ＯＬＥＤであってもよい。

例示的な封止フィルム１０は、図１に示されたように、水分吸着剤を含む封止層１１と；前記封止層１１上に形成され、磁性体粒子を含む磁性層１２と；前記磁性層１２上に形成され、５０〜８００Ｗ／ｍ・Ｋの熱伝導度を有するメタル層１３とを含むことができる。本出願の封止フィルムは、メタル層、磁性層および封止層を一体に提供する。前記で封止層は、有機電子素子の前面を密封することができる。本出願は、前記構造の封止フィルムを提供することにより、水分遮断特性と共に有機電子装置の内部に蓄積される熱を効果的に放出することができ、有機電子装置で発生するアウトガスによる輝点を防止することができる。

本出願の封止フィルムは、前記構造に限定されず、樹脂層をさらに含むことができる。前記樹脂層は、コート層または接着層を意味し、少なくとも一つ以上の樹脂成分を含むことができる。本出願の具体例において、前記樹脂層は、前記磁性層と前記メタル層との間に形成されるか、または、前記封止層と前記磁性層との間に形成され得る。本出願は、封止フィルムに放熱機能と共に磁性を付与するために、多層の一体型フィルムで提供するものの、水分遮断という基本的な発明の目的の側面から、前記樹脂層を含むことができる。すなわち、本出願は、水分遮断性に多少劣る前記磁性層の側面や上部面に侵入する水分を遮断するために、前記樹脂層を含むことができる。これに伴い、前記樹脂層は、水分吸着剤を含むことができるが、これに限定されるものではない。前記水分吸着剤および樹脂成分は、それぞれ、封止層に含まれる水分吸着剤および封止樹脂と同じでも異なっていてもよい。例えば、前記樹脂層は、アクリル系樹脂、オレフィン系樹脂、ウレタン系樹脂またはエポキシ樹脂を含むことができる。また、一例において、前記樹脂層は、ハードコート層であってもよい。前記ハードコート層の素材は、特に制限されず、紫外線硬化型樹脂および硬化開始剤を含むことかでき、後述する封止層の樹脂成分と同じでも異なっていてもよい。

また、封止フィルムは、前記メタル層上に後述する保護層を含むことかでき、前記メタル層と保護層を貼り付ける接着層をさらに含むことができる。

一例において、前記封止フィルムは、輝点防止剤を含むことができる。前記輝点防止剤は、前記封止層または磁性層に存在することができるが、これに限定されるものではない。輝点防止剤は、前記封止フィルムが有機電子装置に適用されて、有機電子装置のパネルにおいて輝点を防止する効果を有する物質であれば、その素材は制限されない。例えば、輝点防止剤は、有機電子素子の電極上に蒸着される酸化ケイ素、窒化ケイ素または酸窒化ケイ素のパッシベーション膜（無機蒸着層）のような蒸着層で発生するアウトガスであって、例えば、Ｈ原子、水素ガス（Ｈ_２）、アンモニア（ＮＨ_３）ガス、Ｈ^＋、ＮＨ^２＋、ＮＨＲ_２および／またはＮＨ_２Ｒで例示される物質を吸着できる物質であってもよい。前記で、Ｒは、有機基であってもよく、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基などを例示することができるが、これらに限らない。

前記輝点防止剤は、密度汎関数理論近似法（Ｄｅｎｓｉｔｙ Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ Ｔｈｅｏｒｙ）により計算された、アウトガスに対する吸着エネルギーが０ｅＶ以下であってもよい。前記吸着エネルギーの下限値は、特に限定されないが、−２０ｅＶであってもよい。本出願の具体例において、輝点防止剤と輝点原因原子または分子間の吸着エネルギーを密度汎関数理論（ｄｅｎｓｉｔｙ ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ ｔｈｅｏｒｙ）基盤の電子構造計算を用いて計算することができる。前記計算は、当業界における公知の方法で行うことができる。例えば、本出願は、結晶型構造を有する輝点防止剤の最密充填面が表面に露出する２次元スラブ構造を作った後、構造最適化を進め、この真空状態の表面上に輝点原因分子が吸着した構造に対する構造最適化を進めた後、これらの二つのシステムの総エネルギーの差異から輝点原因分子の総エネルギーを抜いた値を吸着エネルギーと定義した。それぞれのシステムに対する総エネルギー計算のために電子−電子間の相互作用を模写する交換相関（ｅｘｃｈａｎｇｅ−ｃｏｒｒｅｌａｔｉｏｎ）でＧＧＡ（ｇｅｎｅｒａｌｉｚｅｄ ｇｒａｄｉｅｎｔ ａｐｐｒｏｘｉｍａｔｉｏｎ）系の関数であるｒｅｖｉｓｅｄ−ＰＢＥ関数を使用し、電子運動エネルギーのカットオフは、５００ｅＶを使用し、逆格子空間の原点に該当するガンマ点のみを含ませて計算した。各システムの原子構造を最適化するために共役勾配法を使用し、原子間の力が０．０１ｅＶ／Å以下となるまで反復計算を行った。一連の計算は、常用コードであるＶＡＳＰを用いて行われた。

一例において、輝点防止剤の素材は、前記吸着エネルギー値を満たす限り、制限されず、金属または非金属であってもよい。前記輝点防止剤は、例えば、Ｌｉ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｒｂ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｓｉまたはこれらの配合物を含むことかでき、前記素材の酸化物または窒化物を含むことかでき、前記素材の合金を含むことができる。一例において、輝点防止剤は、ニッケル粒子、酸化ニッケル粒子、窒化チタン、鉄−チタンのチタン系合金粒子、鉄−マンガンのマンガン系合金粒子、マグネシウム−ニッケルのマグネシウム系合金粒子、希土類系合金粒子、ゼオライト粒子、シリカ粒子、炭素ナノチューブ、グラファイト、アルミノホスフェート分子体粒子またはメゾシリカ粒子を含むことができる。前記輝点防止剤は、封止フィルム内で磁性体粒子１００重量部に対して１〜１２０重量部、５〜１０９重量部、７〜１００重量部、９〜９２重量部または１０〜８３重量部で含まれ得る。前記輝点防止剤は、層内の樹脂成分１００重量部に対して３〜１５０重量部、６〜１４３重量部、８〜１３１重量部、９〜１２３重量部または１０〜１１６重量部で含まれ得る。本出願は、前記含量範囲で、フィルムの接着力および耐久性を向上させると共に、有機電子装置の輝点防止を具現することができる。また、前記輝点防止剤の粒径は、１０ｎｍ〜３０μｍ、５０ｎｍ〜２１μｍ、１０５ｎｍ〜１８μｍ、１１０ｎｍ〜１２μｍ、１２０ｎｍ〜９μｍ、１４０ｎｍ〜４μｍ、１５０ｎｍ〜２μｍ、１８０ｎｍ〜９００ｎｍ、２３０ｎｍ〜７００ｎｍまたは２７０ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内であってもよい。本出願は、前記の輝点防止剤を含むことにより、有機電子装置内で発生する水素を効率的に吸着しながらも、封止フィルムの水分遮断性および耐久信頼性を共に具現することができる。本明細書で用語「樹脂成分」は、後述する封止樹脂および／またはバインダー樹脂であってもよい。

本出願の具体例において、前記封止フィルムは、少なくとも２以上の封止層を含み、前記封止層は、前記有機電子素子と接する第１層と、前記有機電子素子と接しない第２層とを含むことができる。また、前記第２層または磁性層が密度汎関数理論近似法（Ｄｅｎｓｉｔｙ Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ Ｔｈｅｏｒｙ）により計算された、アウトガスに対する吸着エネルギーが０ｅＶ以下の輝点防止剤を含むことができる。本出願の封止フィルムは、有機電子素子と接しない第２層または磁性層に輝点防止剤を含ませることにより、前記輝点防止剤に因る応力集中による有機電子素子へのダメージを防止することができる。前記のような観点から、第１層は、封止フィルム内の全体輝点防止剤の質量を基準として１５％以下で輝点防止剤を含むか、または含まなくてもよい。また、前記第１層を除いた、有機電子素子と接しない層に封止フィルム内の全体輝点防止剤の質量を基準として８５％以上の輝点防止剤を含むことができる。すなわち、本出願で、有機電子素子と接する第１層に比べて有機電子素子と接しない他の層（例えば、第２層または磁性層）が輝点防止剤をより多くの含量で含むことかでき、これにより、フィルムの水分遮断性と輝点防止特性を具現しながらも、素子に加えられる物理的な損傷を防止することができる。

前述したような本出願のメタル層は、５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、９０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上、１１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、１２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、１３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、１４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、１５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上または２１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導度を有することができる。前記熱伝導度の上限は、特に限定されず、８００Ｗ／ｍ・Ｋ以下であってもよい。このように高い熱伝導度を有することにより、メタル層の接合工程時に接合界面で発生した熱をより速く放出させることができる。また、高い熱伝導度は、有機電子装置の動作中に蓄積される熱を迅速に外部に放出させ、これに伴い、有機電子装置自体の温度は、より低く維持させることができ、クラックおよび欠陥の発生は減少する。前記熱伝導度は、１５〜３０℃の温度範囲のうちいずれか一つの温度で測定したものであってもよい。

本明細書で用語「熱伝導度」とは、物質が伝導により熱を伝達できる能力を示す程度であり、単位は、Ｗ／ｍ・Ｋで示すことができる。前記単位は、同じ温度と距離で物質が熱伝達する程度を示すものであって、距離の単位（メートル）と温度の単位（カルビン）に対する熱の単位（ワット）を意味する。

本出願の具体例において、前記封止フィルムのメタル層は、透明であってもよく、不透明であってもよい。前記メタル層の厚さは、３μｍ〜２００μｍ、１０μｍ〜１００μｍ、２０μｍ〜９０μｍ、３０μｍ〜８０μｍまたは４０μｍ〜７５μｍの範囲内であってもよい。本出願は、前記メタル層の厚さを制御することにより、放熱効果が十分に具現され、薄膜の封止フィルムを提供することができる。前記メタル層は、薄膜のメタルホイル（Ｍｅｔａｌ ｆｏｉｌ）または高分子基材層にメタルが蒸着されていてもよい。前記メタル層は、前述した熱伝導度を満たし、金属を含む素材なら特に制限されない。メタル層は、金属、酸化金属、窒化金属、炭化金属、オキシ窒化金属、オキシホウ化金属、およびこれらの配合物のうちいずれか一つを含むことができる。例えば、メタル層は、一つの金属に１以上の金属元素または非金属元素が添加された合金を含むことかでき、例えば、ステンレススチール（ＳＵＳ）を含むことができる。また、一例において、メタル層は、鉄、クロム、銅、アルミニウムニッケル、酸化鉄、酸化クロム、酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化インジウム、酸化スズ、酸化スズインジウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ニオビウム、およびこれらの配合物を含むことができる。メタル層は、電解、圧延、加熱蒸発、電子ビーム蒸発、スパッタリング、反応性スパッタリング、化学気相蒸着、プラズマ化学気相蒸着または電子サイクロトロン共鳴ソースプラズマ化学気相蒸着手段により蒸着できる。本出願の一実施例において、メタル層は、反応性スパッタリングにより蒸着できる。

従来、封止フィルムとしてニッケル−鉄合金（Ｉｎｖａｒ）を通常多く使用したが、前記ニッケル−鉄合金は、価格が高価であり、熱伝導度に劣り、裁断性が悪いという短所がある。本出願は、メタル層として前記ニッケル−鉄合金を使用しないながらも、有機電子装置の輝点発生を防止し、放熱特性に優れ、磁性による工程便宜を具現する封止フィルムを提供する。

本出願の具体例において、封止フィルムは、前述したように、磁性体粒子を含む磁性層を含む。本出願は、磁性体粒子を含む磁性層を含むことにより、磁力による工程が可能になる。具体的に、本出願による封止フィルムは、十分な磁力で磁石により前記フィルムが固定され得、これに伴い、フィルムを固定するために追加の工程を必要とせず、生産性が向上する。

前記磁性層は、磁性体粒子を含む限り、その素材は、特に制限されない。一例において、磁性層は、粘着剤組成物または接着剤組成物を含む粘着剤層または接着剤層であってもよい。

磁性層は、バインダー樹脂をさらに含むことができる。前記バインダー樹脂を構成する素材は、特に制限されない。一例において、前記バインダー樹脂として、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、フッ素樹脂、ウレタン樹脂、スチレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、熱可塑性エラストマー、ポリオキシアルキレン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリアミド樹脂またはこれらの混合物を含むことができるが、これらに限定されるものではない。前記バインダー樹脂は、ガラス転移温度が０℃未満、−１０℃未満または−３０℃未満、−５０℃未満または−６０℃未満であってもよい。前記でガラス転移温度とは、硬化後のガラス転移温度であってもよく、一具体例において、照射量約１Ｊ／ｃｍ^２以上の紫外線を照射した後のガラス転移温度；または紫外線の照射後に熱硬化をさらに進めた後のガラス転移温度を意味する。

一例において、前記磁性体粒子は、磁性を有する限り、その種類は、特に制限されず、当業界における公知の材料であってもよい。例えば、磁性体粒子は、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｓｒ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｂａ、Ｃｓ、Ｋ、Ｒａ、Ｒｂ、Ｂｅ、Ｙ、Ｂ、これらの合金またはこれらの酸化物であってもよく、本出願の具体例において磁性体粒子は、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｆｅ_３Ｏ_４、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＭｎＦｅ_２Ｏ_４、ＢａＦｅ_１２Ｏ_１９、ＳｒＦｅ_１２Ｏ_１９、ＣｏＦｅ_２Ｏ_４、ＣｏＰｔ、またはＦｅＰｔを含むことができる。一例において、磁性体粒子のサイズは、１０ｎｍ〜２００μｍ、９０ｎｍ〜１８０μｍ、１２０ｎｍ〜１３０μｍ、２８０ｎｍ〜１１０μｍ、４５０ｎｍ〜１００μｍ、７５０ｎｍ〜９０μｍ、９５０ｎｍ〜７０μｍ、９９０ｎｍ〜３０μｍまたは９９５ｎｍ〜２０μｍの範囲内であってもよい。磁性体粒子は、粉末形態で磁性層のバインダー樹脂とともに磁性層を構成することができる。また、本出願の具体例において、前記バインダー樹脂は、磁性体粒子１００重量部に対して５〜３０重量部、８〜２８重量部、９〜２３重量部、１０〜１８重量部、または１１〜１４重量部で含まれ得る。前記バインダー樹脂および磁性体粒子が前記比率で含まれることにより、十分な磁力で磁石によりフィルムが固定され得、前述した輝点防止および水分遮断の側面から目的とする信頼性が高いフィルムを提供することができる。なお、本出願の封止フィルムの内部で、磁性、輝点防止性能および／または水分吸着性能を共に有する粒子が存在することができ、この場合、前記粒子は、輝点防止剤、磁性体粒子および／または水分吸着剤としての機能を全て行うことができる。また、本出願で、前記粒子が２以上存在する場合、吸着エネルギーがさらに低い粒子を輝点防止剤と定義することができる。

一例において、磁性層の厚さは、５μｍ〜２００μｍ、１０μｍ〜１５０μｍ、１３μｍ〜１２０μｍ、１８μｍ〜９０μｍ、２２μｍ〜７０μｍまたは２６μｍ〜５０μｍの範囲内であってもよい。本出願は、前記磁性層の厚さを前記範囲で制御することにより、十分な磁性特性を付与しつつ、薄膜の封止フィルムを提供することができる。

一例において、前記封止フィルムは、封止層を含むことができる。一例において、前記封止層は、単一層あるいは２以上の多層構造であってもよい。２以上の層が封止層を構成する場合、前記封止層の各層の組成は、同じでも異なっていてもよい。一例において、前記封止層は、粘着剤組成物または接着剤組成物を含む粘着剤層または接着剤層であってもよい。

本発明の具体例において、封止層は、封止樹脂を含むことができる。前記封止樹脂は、ガラス転移温度が０未満、−１０℃未満または−３０℃未満、−５０℃未満または−６０℃未満であってもよい。前記でガラス転移温度とは、硬化後のガラス転移温度であってもよく、一具体例において、照射量約１Ｊ／ｃｍ^２以上の紫外線を照射した後のガラス転移温度；または紫外線の照射後に熱硬化をさらに進めた後のガラス転移温度を意味する。

一例において、前記封止樹脂は、スチレン系樹脂またはエラストマー、ポリオレフィン系樹脂またはエラストマー、その他エラストマー、ポリオキシアルキレン系樹脂またはエラストマー、ポリエステル系樹脂またはエラストマー、ポリ塩化ビニル系樹脂またはエラストマー、ポリカーボネート系樹脂またはエラストマー、ポリフェニレンスルフィド系樹脂またはエラストマー、炭化水素の混合物、ポリアミド系樹脂またはエラストマー、アクリレート系樹脂またはエラストマー、エポキシ系樹脂またはエラストマー、シリコン系樹脂またはエラストマー、フッ素系樹脂またはエラストマーあるいはこれらの混合物などを含むことができる。

前記でスチレン系樹脂またはエラストマーとしては、例えば、スチレン−エチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ）、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体（ＳＩＳ）、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ＡＢＳ）、アクリロニトリル−スチレン−アクリレートブロック共重合体（ＡＳＡ）、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）、スチレン系単独重合体またはこれらの混合物を例示することができる。前記オレフィン系樹脂またはエラストマーとしては、例えば、高密度ポリエチレン系樹脂またはエラストマー、低密度ポリエチレン系樹脂またはエラストマー、ポリプロピレン系樹脂またはエラストマーあるいはこれらの混合物を例示することができる。前記エラストマーとしては、例えば、エステル系熱可塑性エラストマー、オレフィン系エラストマー、シリコン系エラストマー、アクリル系エラストマーまたはこれらの混合物などが使用できる。そのうち、オレフィン系熱可塑性エラストマーとして、ポリブタジエン樹脂またはエラストマー、あるいはポリイソブチレン樹脂またはエラストマーなどが使用できる。前記ポリオキシアルキレン系樹脂またはエラストマーとしては、例えば、ポリオキシメチレン系樹脂またはエラストマー、ポリオキシエチレン系樹脂またはエラストマーあるいはこれらの混合物などを例示することができる。前記ポリエステル系樹脂またはエラストマーとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート系樹脂またはエラストマー、ポリブチレンテレフタレート系樹脂またはエラストマーあるいはこれらの混合物などを例示することができる。前記ポリ塩化ビニル系樹脂またはエラストマーとしては、例えば、ポリビニリデンクロリドなどを例示することができる。前記炭化水素の混合物としては、例えば、ヘキサトリアコタン（ｈｅｘａｔｒｉａｃｏｔａｎｅ）またはパラフィンなどを例示することができる。前記ポリアミド系樹脂またはエラストマーとしては、例えば、ナイロンなどを例示することができる。前記アクリレート系樹脂またはエラストマーとしては、例えば、ポリブチル（メタ）アクリレートなどを例示することができる。前記エポキシ系樹脂またはエラストマーとしては、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型およびこれらの水添加物などのビスフェノール型；フェノールノボラック型やクレゾールノボラック型などのノボラック型；トリグリシジルイソシアヌレート型やヒダントイン型などの含窒素環形；脂環式型；脂肪族型；ナフタレン型、ビフェニル型などの芳香族型；グリシジルエーテル型、グリシジルアミン型、グリシジルエステル型などのグリシジル型；ジシクロペタジエン型などのジシクロ型；エステル型；エーテルエステル型またはこれらの混合物などを例示することができる。前記シリコン系樹脂またはエラストマーとしては、例えば、ポリジメチルシロキサンなどを例示することができる。また、前記フッ素系樹脂またはエラストマーとしては、ポリトリフルオロエチレン樹脂またはエラストマー、ポリテトラフルオロエチレン樹脂またはエラストマー、ボリクロロトリフルオロエチレン樹脂またはエラストマー、ポリヘキサフルオロプロピレン樹脂またはエラストマー、ポリフルオリン化ビニリデン、ポリフルオリン化ビニル、ポリフルオリン化エチレンプロピレンまたはこれらの混合物などを例示することができる。

前記羅列した樹脂またはエラストマーは、例えば、マレイン酸無水物などとグラフトされて使用されてよく、羅列した他の樹脂またはエラストマー乃至樹脂またはエラストマーを製造するための単量体と共重合されて使用されてもよく、その他、他の化合物により変性させて使用することもできる。前記他の化合物の例としては、カルボキシル−末端ブタジエン−アクリロニトリル共重合体などが挙げられる。

一例において、前記封止層は、封止樹脂として前記言及した種類のうちオレフィン系エラストマー、シリコン系エラストマーまたはアクリル系エラストマーなどを含むことができるが、これらに制限されるものではない。

本発明の一具体例において、前記封止樹脂は、オレフィン系樹脂であってもよい。一例において、オレフィン系樹脂は、ブチレン単量体の単独重合体；ブチレン単量体と重合可能な他の単量体を共重合した共重合体；ブチレン単量体を利用した反応性オリゴマー；またはこれらの混合物であってもよい。前記ブチレン単量体は、例えば、１−ブテン、２−ブテンまたはイソブチレンを含むことができる。

前記ブチレン単量体あるいは誘導体と重合可能な他の単量体は、例えば、イソプレン、スチレンまたはブタジエンなどを含むことができる。前記共重合体を使用することにより、工程性および架橋度のような物性を維持することができて、有機電子装置への適用時に粘着剤自体の耐熱性を確保することができる。

また、ブチレン単量体を利用した反応性オリゴマーは、反応性官能基を有するブチレン重合体を含むことができる。前記オリゴマーは、重量平均分子量５００〜５，０００の範囲を有することができる。また、前記ブチレン重合体は、反応性官能基を有する他の重合体と結合されていてもよい。前記他の重合体は、アルキル（メタ）アクリレートであってもよいが、これに限定されるものではない。前記反応性官能基は、ヒドロキシ基、カルボキシル基、イソシアネート基または窒素含有基であってもよい。また、前記反応性オリゴマーと前記他の重合体は、多官能性架橋剤により架橋されていてもよく、前記多官能性架橋剤は、イソシアネート架橋剤、エポキシ架橋剤、アジリジン架橋剤および金属キレート架橋剤よりなるグループから選択された一つ以上であってもよい。

一例において、本出願の封止樹脂は、ジエンと一つの炭素−炭素二重結合を含むオレフィン系化合物の共重合体であってもよい。ここで、オレフィン系化合物は、ブチレンなどを含むことかでき、ジエンは、前記オレフィン系化合物と重合可能な単量体であってもよく、例えば、イソプレンまたはブタジエンなどを含むことができる。例えば、一つの炭素−炭素二重結合を含むオレフィン系化合物およびジエンの共重合体は、ブチルゴムであってもよい。

封止層において前記樹脂またはエラストマー成分は、粘着剤組成物がフィルム形状に成形可能な程度の重量平均分子量（Ｍｗ：Ｗｅｉｇｈｔ Ａｖｅｒａｇｅ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｗｅｉｇｈｔ）を有することができる。例えば、前記樹脂またはエラストマーは、約１０万〜２００万、１２万〜１５０万または１５万〜１００万程度の重量平均分子量を有することができる。本明細書で用語「重量平均分子量」は、ＧＰＣ（Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈ）で測定した標準ポリスチレンに対する換算数値を意味する。ただし、前記言及された重量平均分子量を前記樹脂またはエラストマー成分が必ず有しなければならないものではない。例えば、樹脂またはエラストマー成分の分子量がフィルムを形成するほどの水準にならない場合には、別のバインダー樹脂が粘着剤組成物に配合され得る。

さらに他の具体例において、本出願による封止樹脂は、硬化性樹脂であってもよい。封止樹脂が硬化性樹脂である場合、前記封止樹脂は、硬化後のガラス転移温度が８５℃以上である樹脂であってもよい。前記ガラス転移温度は、前記封止樹脂を光硬化または熱硬化させた後のガラス転移温度であってもよい。本発明で使用できる硬化性樹脂の具体的な種類は、特に制限されず、例えば、この分野において公知となっている多様な熱硬化性または光硬化性樹脂が使用できる。用語「熱硬化性樹脂」とは、適切な熱の印加または熟成（ａｇｉｎｇ）工程を用いて硬化することができる樹脂を意味し、用語「光硬化性樹脂」は、電磁気波の照射により硬化することができる樹脂を意味する。また、前記硬化性樹脂は、熱硬化と光硬化の特性を共に含むデュアル硬化型樹脂であってもよい。

本出願で硬化性樹脂の具体的な種類は、前述した特性を有するものであれば、特に制限されない。例えば、硬化して接着特性を示すことができるものであって、グリシジル基、イソシアネート基、ヒドロキシ基、カルボキシル基またはアミド基などのような熱硬化可能な官能基を一つ以上含むか、あるいはエポキシド（ｅｐｏｘｉｄｅ）基、環状エーテル（ｃｙｃｌｉｃ ｅｔｈｅｒ）基、スルフィド（ｓｕｌｆｉｄｅ）基、アセタール（ａｃｅｔａｌ）基またはラクトン（ｌａｃｔｏｎｅ）基などのような電磁気波の照射により硬化可能な官能基を一つ以上含む樹脂が挙げられる。また、前記のような樹脂の具体的な種類には、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、イソシアネート樹脂またはエポキシ樹脂などが含まれ得るが、これに制限されるものではない。

本出願では、前記硬化性樹脂として、芳香族または脂肪族；または直鎖状または分岐鎖状のエポキシ樹脂が使用できる。本発明の一具現例では、２個以上の官能基を含有するものであって、エポキシ当量が１８０ｇ／ｅｑ〜１，０００ｇ／ｅｑのエポキシ樹脂が使用できる。前記範囲のエポキシ当量を有するエポキシ樹脂を使用して、硬化物の接着性能およびガラス転移温度などの特性を効果的に維持することができる。このようなエポキシ樹脂の例には、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型ノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、四官能性エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタンエポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペタジエン型エポキシ樹脂またはジシクロペタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂の一種または二種以上の混合が挙げられる。

本出願では、硬化性樹脂として分子構造内に環形構造を含むエポキシ樹脂が使用でき、芳香族基（例えば、フェニル基）を含むエポキシ樹脂が使用できる。エポキシ樹脂が芳香族基を含む場合、硬化物が、優れた熱的および化学的安定性を有すると共に、低い吸湿量を示して、有機電子装置封止構造の信頼性を向上させることができる。本発明で使用できる芳香族基含有エポキシ樹脂の具体的な例としては、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、クレゾール系エポキシ樹脂、ビスフェノール系エポキシ樹脂、キシロック系エポキシ樹脂、多官能エポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂およびアルキル変性トリフェノールメタンエポキシ樹脂などの一種または二種以上の混合であってもよいが、これらに制限されるものではない。

また、本出願の封止層は、封止樹脂と相溶性が高く、前記封止樹脂とともに特定の架橋構造を形成できる活性エネルギー線重合性化合物を含むことができる。この場合、前記封止樹脂は、架橋可能な（ｃｒｏｓｓ−ｌｉｎｋａｂｌｅ）樹脂であってもよい。

例えば、本出願の封止層は、封止樹脂とともに活性エネルギー線の照射により重合され得る多官能性の活性エネルギー線重合性化合物を含むことができる。前記活性エネルギー線重合性化合物は、例えば、活性エネルギー線の照射による重合反応に参加できる官能基、例えば、アクリロイル基またはメタクリロイル基などのようなエチレン性不飽和二重結合を含む官能基、エポキシ基またはオキセタン基などの官能基を２個以上含む化合物を意味する。

多官能性の活性エネルギー線重合性化合物としては、例えば、多官能性アクリレート（ＭＦＡ；Ｍｕｌｔｉｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ ａｃｒｙｌａｔｅ）が使用できる。

また、前記活性エネルギー線重合性化合物は、封止樹脂１００重量部に対して５重量部〜３０重量部、５重量部〜２５重量部、８重量部〜２０重量部、１０重量部〜１８重量部または１２重量部〜１８重量部で含まれ得る。本出願は、前記範囲内で、高温高湿など苛酷条件でも耐久信頼性に優れた封止フィルムを提供する。

前記活性エネルギー線の照射により重合され得る多官能性の活性エネルギー線重合性化合物は、制限なしに使用できる。例えば、前記化合物は、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，３−ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，８−オクタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，１２−ドデカンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニルジ（メタ）アクリレート、シクロヘキサン−１，４−ジメタノールジ（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジメタノール（メタ）ジアクリレート、ジメチロールジシクロペンタンジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコール変性トリメチルプロパンジ（メタ）アクリレート、アダマンタンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレートまたはこれらの混合物を含むことができる。

多官能性の活性エネルギー線重合性化合物としては、例えば、分子量が１，０００未満であり、官能基を２個以上含む化合物が使用できる。この場合、分子量は、重量平均分子量または通常の分子量を意味する。前記多官能性の活性エネルギー線重合性化合物に含まれる環構造は、炭素環式構造または複素環式構造；または単環式または多環式構造のいずれであってもよい。

本出願の具体例において、封止層は、ラジカル開始剤をさらに含むことができる。ラジカル開始剤は、光開始剤または熱開始剤であってもよい。光開始剤の具体的な種類は、硬化速度および黄変可能性などを考慮して適宜選択され得る。例えば、ベンゾイン系、ヒドロキシケトン系、アミノケトン系またはホスフィンオキシド系光開始剤などが使用でき、具体的には、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインｎ−ブチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、アセトフェノン、ジメチルアミノアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１オン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノ−プロパン−１−オン、４−（２−ヒドキシエトキシ）フェニル−２−（ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、ベンゾフェノン、ｐ−フェニルベンゾフェノン、４，４’−ジエチルアミノベンゾフェノン、ジクロロベンゾフェノン、２−メチルアントラキノン、２−エチルアントラキノン、２−ｔ−ブチルアントラキノン、２−アミノアントラキノン、２−メチルチオキサントン、２−エチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタル、アセトフェノンジメチルケタル、ｐ−ジメチルアミノ安息香酸エステル、オリゴ［２−ヒドロキシ−２−メチル−１−［４−（１−メチルビニル）フェニル］プロパノン］および２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−ホスフィンオキシドなどが使用できる。

ラジカル開始剤は、活性エネルギー線重合性化合物１００重量部に対して０．２重量部〜２０重量部、０．５〜１８重量部、１〜１５重量部、または２重量部〜１３重量部の比率で含まれることもできる。これにより、活性エネルギー線重合性化合物の反応を効果的に誘導し、また、硬化後に残存成分に起因して封止層組成物の物性が悪化するのを防止することができる。

本出願の具体例において、封止フィルムの封止層、磁性層または樹脂層は、含まれる樹脂成分の種類によって、硬化剤をさらに含むことができる。例えば、前述した封止樹脂と反応して、架橋構造などを形成できる硬化剤をさらに含むことができる。本明細書で用語「封止樹脂および／またはバインダー樹脂」は、樹脂成分と同じ意味で使用できる。

硬化剤は、樹脂成分またはその樹脂に含まれる官能基の種類によって適切な種類が選択および使用できる。

一例において、樹脂成分がエポキシ樹脂である場合、硬化剤としては、この分野において公知となっているエポキシ樹脂の硬化剤として、例えば、アミン硬化剤、イミダゾール硬化剤、フェノール硬化剤、リン硬化剤または酸無水物硬化剤などの一種または二種以上が使用できるが、これらに制限されるものではない。

一例において、前記硬化剤としては、常温で固相であり、融点または分解温度が８０℃以上のイミダゾール化合物が使用できる。このような化合物としては、例えば、２−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾールまたは１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾールなどが例示されるが、これに制限されるものではない、

硬化剤の含量は、組成物の組成、例えば、封止樹脂の種類や比率によって選択され得る。例えば、硬化剤は、樹脂成分１００重量部に対して、１重量部〜２０重量部、１重量部〜１０重量部または１重量部〜５重量部で含むことができる。しかしながら、前記重量比は、封止樹脂またはその樹脂の官能基の種類および比率、または具現しようとする架橋密度などによって変更され得る。

樹脂成分が活性エネルギー線の照射により硬化することができる樹脂である場合、開始剤としては、例えば、カチオン光重合開始剤が使用できる。

カチオン光重合開始剤としては、オニウム塩（ｏｎｉｕｍ ｓａｌｔ）または有機金属塩（ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ ｓａｌｔ）系のイオン化カチオン開始剤または有機シランまたは潜在性スルホン酸（ｌａｔｅｎｔ ｓｕｌｆｏｎｉｃ ａｃｉｄ）系や非イオン化カチオン光重合開始剤が使用できる。オニウム塩系の開始剤としては、ジアリールヨードニウム塩（ｄｉａｒｙｌｉｏｄｏｎｉｕｍ ｓａｌｔ）、トリアリールスルホニウム塩（ｔｒｉａｒｙｌｓｕｌｆｏｎｉｕｍ ｓａｌｔ）またはアリールジアゾニウム塩（ａｒｙｌｄｉａｚｏｎｉｕｍ ｓａｌｔ）等を例示することができ、有機金属塩系の開始剤としては、鉄アレン（ｉｒｏｎ ａｒｅｎｅ）等を例示することができ、有機シラン系の開始剤としては、ｏ−ニトリルベンジルトリアリールシリルエーテル（ｏ−ｎｉｔｒｏｂｅｎｚｙｌ ｔｒｉａｒｙｌ ｓｉｌｙｌ ｅｔｈｅｒ）、トリアーリルシリルペルオキシド（ｔｒｉａｒｙｌ ｓｉｌｙｌ ｐｅｒｏｘｉｄｅ）またはアシルシラン（ａｃｙｌ ｓｉｌａｎｅ）等を例示することができ、潜在性スルホン酸系の開始剤としては、α−スルホニルオキシケトンまたはα−ヒドロキシメチルベンゾインスルホネートなどを例示することができるが、これらに制限されるものではない。

一例において、カチオン開始剤としては、イオン化カチオン光重合開始剤が使用できる。

一例において、封止層および／または磁性層は、粘着付与剤をさらに含むことかでき、前記粘着付与剤は、好ましくは、水素化した環形オレフィン系重合体であってもよい。粘着付与剤としては、例えば、石油樹脂を水素化して得られる水素化した石油樹脂が使用できる。水素化した石油樹脂は、部分的にまたは完全に水素化され得、そのような樹脂の混合物であってもよい。このような粘着付与剤は、粘着剤組成物と相溶性が良いながらも、水分遮断性に優れ、有機揮発成分が低いものを選択することができる。水素化した石油樹脂の具体的な例としては、水素化したテルペン系樹脂、水素化したエステル系樹脂または水素化したジシクロペンタジエン系樹脂などが挙げられる。前記粘着付与剤の重量平均分子量は、約２００〜５，０００であってもよい。前記粘着付与剤の含量は、必要に応じて適宜調節することができる。例えば、粘着付与剤の含量は、後述するゲル含量などを考慮して選択され得、一例によれば、樹脂成分１００重量部に対して５重量部〜１００重量部、８〜９５重量部、１０重量部〜９３重量部または１５重量部〜９０重量部の比率で含まれ得る。

前述したように、封止層は、水分吸着剤をさらに含むことができる。本明細書で用語「水分吸着剤（ｍｏｉｓｔｕｒｅ ａｂｓｏｒｂｅｎｔ）」とは、例えば、後述する封止フィルムに浸透した水分乃至湿気との化学的反応を通じて前記を除去できる化学反応性吸着剤を意味する。

例えば、水分吸着剤は、封止層または封止フィルム内に均一に分散した状態で存在することができる。ここで、均一に分散した状態は、封止層または封止フィルムのいずれの部分においても同じまたは実質的に同じ密度で水分吸着剤が存在する状態を意味する。前記で使用できる水分吸着剤としては、例えば、金属酸化物、硫酸塩または有機金属酸化物などが挙げられる。具体的に、前記硫酸塩の例としては、硫酸マグネシウム、硫酸ナトリウムまたは硫酸ニッケルなどが挙げられ、前記有機金属酸化物の例としては、アルミニウムオキシドオクチレートなどが挙げられる。前記で金属酸化物の具体的な例としては、五酸化リン（Ｐ_２Ｏ_５）、酸化リチウム（Ｌｉ_２Ｏ）、酸化ナトリウム（Ｎａ_２Ｏ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）または酸化マグネシウム（ＭｇＯ）等が挙げられ、金属塩の例としては、硫酸リチウム（Ｌｉ_２ＳＯ_４）、硫酸ナトリウム（Ｎａ_２ＳＯ_４）、硫酸カルシウム（ＣａＳＯ_４）、硫酸マグネシウム（ＭｇＳＯ_４）、硫酸コバルト（ＣｏＳＯ_４）、硫酸ガリウム（Ｇａ_２（ＳＯ_４）_３）、硫酸チタン（Ｔｉ（ＳＯ_４）_２）または硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ_４）等のような硫酸塩、塩化カルシウム（ＣａＣｌ_２）、塩化マグネシウム（ＭｇＣｌ_２）、塩化ストロンチウム（ＳｒＣｌ_２）、塩化イットリウム（ＹＣｌ_３）、塩化銅（ＣｕＣｌ_２）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化タンタル（ＴａＦ_５）、フッ化ニオビウム（ＮｂＦ_５）、臭化リチウム（ＬｉＢｒ）、臭化カルシウム（ＣａＢｒ_２）、臭化セシウム（ＣｅＢｒ_３）、臭化セレニウム（ＳｅＢｒ_４）、臭化バナジウム（ＶＢｒ_３）、臭化マグネシウム（ＭｇＢｒ_２）、ヨウ化バリウム（ＢａＩ_２）またはヨウ化マグネシウム（ＭｇＩ_２）等のような金属ハロゲン化物；または過塩素酸バリウム（Ｂａ（ＣｌＯ_４）_２）または過塩素酸マグネシウム（Ｍｇ（ＣｌＯ_４）_２）等のような金属塩素酸塩などが挙げられるが、これらに制限されるものではない。封止層に含まれ得る水分吸着剤としては、前述した構成のうち１種を使用してもよく、２種以上を使用してもよい。一例において、水分吸着剤として２種以上を使用する場合、焼成ドロマイト（ｃａｌｃｉｎｅｄ ｄｏｌｏｍｉｔｅ）等が使用できる。

このような水分吸着剤は、用途によって適切なサイズに制御され得る。一例において、水分吸着剤の平均粒径が１００〜１５，０００ｎｍ、５００ｎｍ〜１０，０００ｎｍ、８００ｎｍ〜８，０００ｎｍ、１μｍ〜７μｍ、２μｍ〜５μｍまたは２．５μｍ〜４．５μｍに制御され得る。前記範囲のサイズを有する水分吸着剤は、水分との反応速度があまり速くないため、保管が容易であり、水素吸着過程を妨害することなく、封止しようとする素子に損傷を与えず、効果的に水分を除去することができる。また、本出願の具体例において、水分吸着剤の粒径に対する輝点防止剤粒径の比率が０．０１〜１．５または０．１〜０．９５の範囲内であってもよい。本明細書で、粒径は、平均粒径を意味し、Ｄ５０粒度分析器で公知の方法で測定したものであってもよい。本出願は、フィルム内部に存在する輝点防止剤と水分吸着剤の粒径比率を調節することにより、輝点防止と同時に、封止フィルムの本来の機能である水分遮断性と素子の信頼性を具現することができる。

水分吸着剤の含量は、特に制限されず、目的とする遮断特性を考慮して適宜選択され得る。一例において、本出願の封止フィルムは、前記水分吸着剤に対する輝点防止剤の重量比が０．０５〜０．８または０．１〜０．７の範囲内であってもよい。本出願は、輝点を防止するために輝点防止剤をフィルム内に分散させるが、前記輝点防止のために添加された輝点防止剤は、封止フィルムの本来の機能である水分遮断性と素子の信頼性具現を考慮すれば、前記水分吸着剤と特定の含量比率で含まれ得る。

封止層は、必要な場合、水分遮断剤をさらに含むことができる。本明細書で用語「水分遮断剤（ｍｏｉｓｔｕｒｅ ｂｌｏｃｋｅｒ）」は、水分との反応性がないか、低いが、物理的に水分乃至湿気のフィルム内での移動を遮断したり妨害したりすることができる物質を意味する。水分遮断剤としては、例えば、クレー、タルク、針状シリカ、板状シリカ、多孔性シリカ、ゼオライト、チタニアまたはジルコニアのうち１種または２種以上が使用できる。また、水分遮断剤は、有機物の浸透が容易となるように有機改質剤などにより表面処理が施されてもよい。このような有機改質剤としては、例えば、ジメチルベンジル水素化タロー４次アンモニウム（ｄｉｍｅｔｈｙｌ ｂｅｎｚｙｌ ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ ｔａｌｌｏｗ ｑｕａｔｅｒｎａｔｙ ａｍｍｏｎｉｕｍ）、ジメチル水素化タロー４次アンモニウム（ｄｉｍｅｔｈｙｌ ｄｉｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ ｔａｌｌｏｗ ｑｕａｔｅｒｎａｒｙ ａｍｍｏｎｉｕｍ）、メチルタロービス−２−ヒドロキシエチル４次アンモニウム（ｍｅｔｈｙｌ ｔａｌｌｏｗ ｂｉｓ−２−ｈｙｄｒｏｘｙｅｔｈｙｌ ｑｕａｔｅｒｎａｒｙ ａｍｍｏｎｉｕｍ）、ジメチル水素化タロー２−エチルヘキシル４次アンモニウム（ｄｉｍｅｔｈｙｌ ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ ｔａｌｌｏｗ ２−ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ ｑｕａｔｅｒｎａｒｙ ａｍｍｏｎｉｕｍ）、ジメチル脱水素化タロー４次アンモニウム（ｄｉｍｅｔｈｙｌ ｄｅｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ ｔａｌｌｏｗ ｑｕａｔｅｒｎａｒｙ ａｍｍｏｎｉｕｍ）またはこれらの混合物である有機改質剤などが使用できる。

水分遮断剤の含量は、特に制限されず、目的とする遮断特性を考慮して適宜選択され得る。

封止層には、前述した構成の他にも、用途および後述する封止フィルムの製造工程によって多様な添加剤が含まれ得る。例えば、封止層は、硬化性物質、架橋剤またはフィラーなどを目的とする物性によって適正範囲の含量で含むことができる。

本出願の具体例において、前記封止層は、前述したように、単層構造で形成されてもよく、また、２以上の層で形成され得る。２層以上の層で形成される場合、前記磁性層と近い層が前記水分吸着剤を含むことができる。例えば、２層以上の層で形成される場合、前記封止層のうち最外郭層は、水分吸着剤を含まなくてもよい。

一例において、前記水分吸着剤の含量は、前記封止フィルムが有機電子素子の封止に適用されるという点を考慮すれば、素子の損傷などを考慮して制御することができる。例えば、素子と接触する層に少量の水分吸着剤を構成してもよく、水分吸着剤を含まなくてもよい。一例において、素子と接触する封止層は、封止フィルムが含有する水分吸着剤の全体質量に対して０〜２０％の水分吸着剤を含むことができる。また、素子と接触しない封止層は、封止フィルムが含有する水分吸着剤の全体質量に対して８０〜１００％の水分吸着剤を含むことができる。

本出願の具体例において、封止層と磁性層との間に水分吸着剤を含むハードコート層をさらに含むことができる。前記ハードコート層は、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂またはシロキサン系樹脂などの硬質樹脂を封止層またはメタル層の一面に塗布し、硬化処理する方法を用いて形成することができ、その厚さは、通常、０．１μｍ〜３０μｍ、１μｍ〜２３μｍまたは３μｍ〜１８μｍ程度であってもよい。前記ハードコート層は、水分吸着剤を含むことにより、外部から流入する水分の浸透を抑制することができる。

本出願の具体例において、メタル層と磁性層との間に接着層をさらに含むことができる。また、前記磁性層上に保護層をさらに含むことかでき、この際、前記磁性層と保護層との間に接着層をさらに含むことができる。接着層の素材は、特に制限されず、前述した封止層の素材と同じでも異なっていてもよく、必要に応じて前述した水分吸着剤を含むことができる。一例において、前記接着層は、アクリル系接着剤であってもよい。前記接着層は、２〜５０μｍ、６〜４２μｍまたは９〜３３μｍ程度の厚さを有することができる。

一例において、前記保護層は、樹脂成分を含むことができる。前記保護層を構成する素材は、特に制限されない。一例において、前記保護層は、水分透過を遮断できる防湿層であってもよい。一例において、前記保護層を構成する樹脂成分として、ポリオルガノシロキサン、ポリイミド、スチレン系樹脂またはエラストマー、ポリオレフィン系樹脂またはエラストマー、ポリオキシアルキレン系樹脂またはエラストマー、ポリエステル系樹脂またはエラストマー、ポリ塩化ビニル系樹脂またはエラストマー、ポリカーボネート系樹脂またはエラストマー、ポリフェニレンスルフィド系樹脂またはエラストマー、ポリアミド系樹脂またはエラストマー、アクリレート系樹脂またはエラストマー、エポキシ系樹脂またはエラストマー、シリコン系樹脂またはエラストマー、およびフッ素系樹脂またはエラストマーよりなる群から選択された１以上を含むことができるが、これらに限定されるものではない。前記樹脂成分は、ガラス転移温度が、０℃未満、−１０℃未満または−３０℃未満、−５０℃未満または−６０℃未満であってもよい。前記でガラス転移温度とは、硬化後のガラス転移温度であってもよく、一具体例において、照射量約１Ｊ／ｃｍ^２以上の紫外線を照射した後のガラス転移温度；または紫外線照射以後熱硬化をさらに進めた後のガラス転移温度を意味する。前記保護層は、１０〜１００μｍ、１８〜８８μｍまたは２２〜７６μｍ程度の厚さを有することができる。

封止フィルムは、基材フィルムまたは離型フィルム（以下、「第１フィルム」ということがある）をさらに含み、前記封止層が前記基材または離型フィルム上に形成されている構造を有することができる。また、前記構造は、前記メタル層上に形成された基材または離型フィルム（以下、「第２フィルム」ということがある）をさらに含むことができる。

本出願で使用できる前記第１フィルムの具体的な種類は、特に限定されない。本出願では、前記第１フィルムとして、例えば、この分野における一般的な高分子フィルムが使用できる。本出願では、例えば、前記基材または離型フィルムとして、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリテトラフルオルエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン−ビニルアセテートフィルム、エチレン−プロピレン共重合体フィルム、エチレン−アクリル酸エチル共重合体フィルム、エチレン−アクリル酸メチル共重合体フィルムまたはポリイミドフィルムなどが使用できる。また、本出願の前記基材フィルムまたは離型フィルムの一面または両面には、適切な離型処理が行われていてもよい。基材フィルムの離型処理に使用される離型剤の例としては、アルキド系、シリコン系、フッ素系、不飽和エステル系、ポリオレフィン系またはワックス系などが使用でき、これらのうち、耐熱性の側面から、アルキド系、シリコン系またはフッ素系離型剤を使用することが好ましいが、これらに制限されるものではない。

本出願で前記のような基材フィルムまたは離型フィルム（第１フィルム）の厚さは、特に限定されず、適用される用途に応じて適宜選択され得る。例えば、本出願で前記第１フィルムの厚さは、１０μｍ〜５００μｍ、好ましくは２０μｍ〜２００μｍ程度であってもよい。前記厚さが１０μｍ未満であれば、製造過程で基材フィルムの変形が容易に発生する恐れがあり、５００μｍを超過すれば、経済性が劣る。

本出願の封止フィルムに含まれる封止層の厚さは、特に制限されず、前記フィルムが適用される用途を考慮して下記の条件によって適宜選択することができる。封止層の厚さは、５μｍ〜２００μｍ、好ましくは５μｍ〜１００μｍ程度であってもよい。封止層の厚さが５μｍ未満の場合、十分な水分遮断能力を発揮することができず、２００μｍを超過する場合、工程性を確保することが難しく、水分反応性に起因して厚さの膨張が大きくて、有機発光素子の蒸着膜に損傷を与えることができ、経済性が劣る。

また、前記メタル層、磁性層および封止層を含む封止フィルムの厚さは、１０μｍ〜５００μｍ、２３μｍ〜４８０μｍまたは３４μｍ〜４３０μｍの範囲内であってもよい。前記で封止フィルムの厚さは、前述した基材フィルムまたは離型フィルムが排除された状態の厚さを意味する。本出願は、前記封止フィルムの厚さ範囲を制御することにより、水分遮断性に優れているながらも、薄膜の有機電子装置を提供することができる。

また、本出願は、前述した封止フィルムの製造方法に関する。例示的な封止フィルムの製造方法は、メタル層の一面に磁性層を形成する段階を含むことができる。前記磁性層は、メタル層と直接接触するように形成され得るが、これに限らず、樹脂層または接着層を介して形成され得る。前記磁性層を形成する段階は、ロールプレスまたはコート方式を含むことができる。

一例において、前記方法は、前述した磁性層を構成する成分を含むコート液を基材または離型フィルム上にシートまたはフィルム形状に適用し、前記適用されたコート液を乾燥することを含むことができる。

基材または離型フィルム上にコートした前記磁性層をロールプレスを用いてメタル層上に形成することができる。前記ロールプレスは、５０℃以上、１００℃以下の高温で進行され得るが、これに限定されるものではない。

さらに他の例において、前記コート液をメタル層上に直接に適用することができ、例えば、ナイフコート、ロールコート、スプレーコート、グラビアコート、カーテンコート、コンマコートまたはリップコートなどのような公知のコート方式を適用することができる。

また、本出願は、磁性層の一面に封止層を形成する段階を含むことができる。前述した磁性層を形成する段階と前記封止層を形成する段階の順序は、特に制限されない。前記封止層は、磁性層と直接接触するように形成され得るが、これに限定されるものではない。前記封止層も、前記磁性層の形成と同じ方法で形成することができるが、これに限定されるものではない。

一例において、前記封止層は、ロール・ツー・ロール工程を用いて、前記メタル層および磁性層構造の磁性層の面にラミネートされ得る。ラミネート方法は、公知の方法で行われ得る。

本出願は、前記封止フィルムを裁断する段階をさらに含むことができる。前記裁断は、目的とする形状、例えば、多角形状または円形状に封止層、磁性層またはメタル層を形成することを意味する。前記裁断する段階は、封止層、磁性層またはメタル層をレーザーまたはナイフカッターを用いて裁断することを含むことができる。前記ナイフカッターを用いた裁断は、例えば、木型、ピナクル、スリッティング、スーパーカッターなどの適切な形式を導入して進めることができる。本出願は、ニッケル−鉄合金を使用しなくてもよいという点から、ナイフ裁断が可能であり、これに伴い、工程の効率性を向上させることができる。

また、本出願は、有機電子装置に関する。前記有機電子装置は、図２に示されたように、基板２１と、前記基板２１上に形成された有機電子素子２２と、前記有機電子素子２２を封止する前述した封止フィルム１０とを含むことができる。前記封止フィルムは、基板上に形成された有機電子素子の前面、例えば上部および側面を全て封止していてもよい。前記封止フィルムは、粘着剤組成物または接着剤組成物を架橋または硬化した状態で含有する封止層を含むことができる。また、前記封止層が有機電子素子の前面に接触するように有機電子装置が形成されていてもよい。

本出願の具体例において、有機電子素子は、一対の電極と、少なくとも発光層を含む有機層およびパッシベーション膜を含むことができる。具体的に、前記有機電子素子は、第１電極層と、前記第１電極層上に形成され、少なくとも発光層を含む有機層と、前記有機層上に形成される第２電極層とを含み、前記第２電極層上に電極および有機層を保護するパッシベーション膜を含むことができる。前記第１電極層は、透明電極層または反射電極層であってもよく、第２電極層も、透明電極層または反射電極層であってもよい。より具体的に、前記有機電子素子は、基板上に形成された透明電極層と、前記透明電極層上に形成され、少なくとも発光層を含む有機層と、前記有機層上に形成される反射電極層とを含むことができる。

前記で有機電子素子は、例えば、有機発光素子であってもよい。

前記パッシベーション膜は、無機膜と有機膜を含むことができる。一具体例において前記無機膜は、Ａｌ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｉｎ、Ｓｎ、ＺｎおよびＳｉよりなる群から選択された一つ以上の金属酸化物または窒化物であってもよい。前記無機膜の厚さは、０．０１μｍ〜５０μｍまたは０．１μｍ〜２０μｍまたは１μｍ〜１０μｍであってもよい。一例において、本出願の無機膜は、ドーパントが含まれていない無機物であるか、またはドーパントが含まれた無機物であってもよい。ドープされ得る前記ドーパントは、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｂ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｃ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、ＣｏおよびＮｉよりなる群から選択された１種以上の元素または前記元素の酸化物であってもよいが、これらに限らない。前記有機膜は、発光層を含まない点から、前述した少なくとも発光層を含む有機層とは区別され、エポキシ化合物を含む有機蒸着層であってもよい。

前記無機膜または有機膜は、化学気相蒸着（ＣＶＤ、ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により形成され得る。例えば、前記無機膜は、シリコンナイトライド（ＳｉＮｘ）が使用できる。一例において、前記無機膜として使用されるシリコンナイトライド（ＳｉＮｘ）を０．０１μｍ〜５０μｍの厚さで蒸着することができる。一例において、前記有機膜の厚さは、２μｍ〜２０μｍ、２．５μｍ〜１５μｍ、２．８μｍ〜９μｍの範囲内であってもよい。

また、本出願は、有機電子装置の製造方法を提供する。前記製造方法は、上部に有機電子素子が形成された基板に前述した封止フィルムが前記有機電子素子をカバーするように適用する段階を含むことができる。前記製造方法は、また、前記封止フィルムを硬化する段階をさらに含むことができる。前記封止フィルムの硬化段階は、封止層の硬化を意味し、有機電子素子をカバーするように適用する段階の前または後に進めることができる。

本明細書で用語「硬化」とは、加熱またはＵＶ照射工程などを経て本発明の粘着剤組成物が架橋構造を形成して粘着剤の形態で製造することを意味する。または、接着剤組成物が接着剤として固化および貼付されることを意味する。

具体的に、基板として使用されるガラスまたは高分子フィルム上に真空蒸着またはスパッタリングなどの方法で電極を形成し、前記電極上に例えば、正孔輸送層、発光層および電子輸送層などで構成される発光性有機材料の層を形成した後に、その上部に電極層をさらに形成して有機電子素子を形成することができる。次に、前記工程を経た基板の有機電子素子の前面を、前記封止フィルムの封止層が覆うように位置させる。

本出願の封止フィルムは、ＯＬＥＤなどのような有機電子装置の封止またはカプセル化に適用され得る。前記フィルムは、外部から有機電子装置に流入する水分または酸素を遮断できる構造の形成が可能であり、有機電子装置の内部に蓄積される熱を効果的に放出させ、磁性による工程効率を高め、有機電子装置の輝点発生を防止することができる。

図１は、本出願の一例による封止フィルムを示す断面図である。 図２は、本出願の一例による有機電子装置を示す断面図である。

以下、本発明による実施例および本発明によらない比較例を通じて本発明をより詳細に説明するが、本発明の範囲が下記提示された実施例により制限されるものではない。

実施例１
磁性層の製造
磁性体粒子としてＦｅ粒子（粒径が約１〜１０μｍ、フレークタイプ）およびバインダー樹脂としてアクリル系樹脂をそれぞれ９０：１０（磁性体粒子：バインダー樹脂）の重量比で混合し、トルエンで希釈した溶液（固形分５０％）を製造した。

前記で製造した溶液を離型ＰＥＴの離型面にコンマコーターを使用して塗布し、乾燥器にて１３０℃で３分間乾燥して、厚さが３０μｍの磁性層を形成した。

封止層の製造
水分吸着剤として、ＣａＯ（平均粒径３μｍ）溶液（固形分５０％）を製造した。また、これとは別に、ブチルゴム樹脂（ＢＴ−２０、Ｓｕｎｗｏｏ Ｃｈｅｍ−ｔｅｃｈ）２００ｇおよびＤＣＰＤ(dicyclopentadiene)系石油樹脂（ＳＵ５２７０、Ｓｕｎｗｏｏ Ｃｈｅｍ−ｔｅｃｈ）６０ｇをトルエンで希釈した溶液（固形分５０％）を製造した後、溶液を均質化した。前記均質化した溶液に光硬化剤（ＴＭＰＴＡ(trimethylolpropane triacrylate)、ＭＩＷＯＮ）１０ｇおよび光開始剤（Ｉｒｇａｃｕｒｅ ８１９、Ｃｉｂａ）１５ｇを投入して均質化した後、前記ＣａＯ溶液１００ｇを投入した後、１時間の間高速撹拌して、封止層溶液を製造した。

前記で製造された封止層溶液を離型ＰＥＴの離型面にコンマコーターを使用して塗布し、乾燥器にて１３０℃で３分間乾燥して、厚さが５０μｍの封止層を形成した。

封止フィルムの製造
前記で製造された磁性層の両外側に付着した離型処理されたＰＥＴを剥離させ、あらかじめ準備したメタル層（アルミニウム箔、厚さ７０μｍ）上に、１８０℃でロールプレスを適用して磁性層を結合した。

前記結合された磁性層上にあらかじめ製造した封止層の片側に付着した離型処理されたＰＥＴを剥離させ、ロール・ツー・ロール（Ｒｏｌｌ−ｔｏ−Ｒｏｌｌ）工程で７５℃でラミネーションして、メタル層、磁性層および封止層の順に積層された封止フィルムを製造した。

前記製造された封止フィルムを木型裁断機を用いてナイフカッターで四角シート状に裁断して、有機電子素子封止用フィルムを製造した。

実施例２
磁性層の製造において、磁性体粒子としてＦｅ粒子（粒径が約１〜１０μｍ、フレークタイプ）および輝点防止剤としてＮｉ粒子（粒径が約３００ｎｍ）を９：１の重量比で混合し、バインダー樹脂としてアクリル系樹脂を前記磁性体粒子および輝点防止剤と９０：１０（磁性体粒子＋輝点防止剤：バインダー樹脂）の重量比で混合して、トルエンで希釈した溶液（固形分５０％）を製造した後、磁性層を形成したことを除いて、実施例１と同じ方法で封止フィルムを製造した。

実施例３
磁性体粒子および輝点防止剤を６：４の重量比で混合したことを除いて、実施例２と同じ方法で封止フィルムを製造した。

実験例１−有機電子装置のエンキャップ評価
ガラス基板上に有機電子素子を蒸着した後、前記実施例で製造した封止フィルムを真空接合器を用いて５０℃、真空度５０ｍＴｏｒｒ、０．４ＭＰａの条件で前記素子上に接合して、有機電子パネルを製造した。

前記製造したパネルを８５℃、８５％の恒温除湿チャンバーに入れて保管する。１０００時間後に取り出して、点灯して、輝点発生の有無、素子の収縮の有無を確認する。輝点および素子収縮が全く発生しない場合、◎、輝点および素子収縮がきわめて一部発生した場合、Ｏ、輝点不良が発生して素子収縮が発生した場合、Ｘに分類した。

実験例２−吸着エネルギーの計算
実施例で使用した輝点防止剤のアウトガスに対する吸着エネルギーを密度汎関数理論（ｄｅｎｓｉｔｙ ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ ｔｈｅｏｒｙ）基盤の電子構造計算を用いて計算した。結晶型構造を有する輝点防止剤の最密充填面が表面に露出する２次元スラブ構造を作った後、構造最適化を進め、この真空状態の表面上に輝点原因分子が吸着した構造に対する構造最適化を進めた後、これらの二つのシステムの総エネルギーの差異から輝点原因分子の総エネルギーを抜いた値を吸着エネルギーと定義した。それぞれのシステムに対する総エネルギー計算のために、電子−電子間の相互作用を模写する交換相関（ｅｘｃｈａｎｇｅ−ｃｏｒｒｅｌａｔｉｏｎ）でＧＧＡ（ｇｅｎｅｒａｌｉｚｅｄ ｇｒａｄｉｅｎｔ ａｐｐｒｏｘｉｍａｔｉｏｎ）系の関数であるｒｅｖｉｓｅｄ−ＰＢＥ関数を使用し、電子運動エネルギーのカットオフは、５００ｅＶを使用し、逆格子空間の原点に該当するガンマ点のみを含ませて計算した。各システムの原子構造を最適化するために共役勾配法を使用し、原子間の力が０．０１ｅＶ／Å以下となるまで反復計算を行った。一連の計算は、常用コードであるＶＡＳＰを用いて行われた。

１０ 封止フィルム
１１ 封止層
１２ 磁性層
１３ メタル層
２１ 基板
２２ 有機電子素子

Claims (21)

1. 水分吸着剤を含む封止層と；前記封止層上に形成され、磁性体粒子を含む磁性層と；前記磁性層上に形成され、５０〜８００Ｗ／ｍ・Ｋの熱伝導度を有するメタル層とを含み、
   前記磁性層は密度汎関数理論近似法（Ｄｅｎｓｉｔｙ Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ Ｔｈｅｏｒｙ）により計算された、アウトガスに対する吸着エネルギーが０ｅＶ以下の輝点防止剤をさらに含み、
   前記水分吸着剤の粒径に対する前記輝点防止剤粒径の比率が０．０１〜１．５の範囲内である、有機電子素子封止フィルム。
2. 樹脂層をさらに含み、前記樹脂層は、磁性層とメタル層との間に形成されるか、または封止層と磁性層との間に形成される、請求項１に記載の有機電子素子封止フィルム。
3. 樹脂層は、水分吸着剤を含む、請求項２に記載の有機電子素子封止フィルム。
4. メタル層上に形成される保護層をさらに含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機電子素子封止フィルム。
5. メタル層と保護層との間に形成される接着層をさらに含む、請求項４に記載の有機電子素子封止フィルム。
6. メタル層の厚さは、３μｍ〜２００μｍの範囲内にある、請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機電子素子封止フィルム。
7. メタル層は、金属、酸化金属、窒化金属、炭化金属、オキシ窒化金属、オキシホウ化金属、およびこれらの配合物のうちいずれか一つを含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の有機電子素子封止フィルム。
8. メタル層は、鉄、クロム、アルミニウム、銅、ニッケル、酸化鉄、酸化クロム、酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化インジウム、酸化スズ、酸化スズインジウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ニオビウム、およびこれらの配合物のうちいずれか一つを含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の有機電子素子封止フィルム。
9. 磁性層は、バインダー樹脂を含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の有機電子素子封止フィルム。
10. バインダー樹脂は、磁性体粒子１００重量部に対して５重量部〜３０重量部で含まれる、請求項９に記載の有機電子素子封止フィルム。
11. 磁性体粒子は、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｓｒ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｂａ、Ｃｓ、Ｋ、Ｒａ、Ｒｂ、Ｂｅ、Ｙ、Ｂ、これらの合金またはこれらの酸化物を含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の有機電子素子封止フィルム。
12. 磁性層の厚さは、５μｍ〜２００μｍの範囲内である、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の有機電子素子封止フィルム。
13. 封止層は、単一層または２以上の層で形成されている、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の有機電子素子封止フィルム。
14. 封止層は、封止樹脂を含む、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の有機電子素子封止フィルム。
15. 水分吸着剤は、化学反応性水分吸着剤である、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の有機電子素子封止フィルム。
16. 封止層が基板上に形成された有機電子素子の前面を密封する、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の有機電子素子封止フィルム。
17. 前記アウトガスが、Ｈ_２ガス、アンモニア（ＮＨ_３）ガス、Ｈ^＋、ＮＨ^２＋ガス、またはＮＨＲ_２もしくはＮＨ_２Ｒで示されるガスを含み、ここで、Ｒは有機基である、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の有機電子素子封止フィルム。
18. 封止層は、有機電子素子と接する第１層と、前記有機電子素子と接しない第２層とを含む、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の有機電子素子封止フィルム。
19. 輝点防止剤の粒径は、１０ｎｍ〜３０μｍの範囲内である、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の有機電子素子封止フィルム。
20. 基板と；前記基板上に形成された有機電子素子と；前記有機電子素子を封止する請求項１〜１９のいずれか一項に記載の封止フィルムとを含む有機電子装置。
21. 上部に有機電子素子が形成された基板に請求項１〜１９のいずれか一項に記載の封止フィルムが前記有機電子素子をカバーするように適用する段階を含む有機電子装置の製造方法。

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