CN109346622A - Oled阵列基板及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提出一种OLED阵列基板。所述OLED阵列基板包括:一底板,所述底板上具有一OLED单元;一第一无机层,设置在所述所述OLED单元上;一有机层,设置在所述第一无机层上;一无机吸收层,设置在所述有机层上,所述无机吸收层吸收水和氧;及一第二无机层,设置在所述无机吸收层上。
Description
技术领域
本发明涉及显示器的技术领域,特别涉及一种OLED阵列基板及其制作方法。
背景技术
在平板显示技术中,有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示器具有轻薄、主动发光、响应速度快、可视角大、色域宽、亮度高和功耗低等众多优点,逐渐成为继液晶显示器后的显示技术。相对于液晶显示器(Liquid crystal displays,LCD),OLED显示器具有更省电,更薄,且视角宽的优势,这是LCD无法比拟的。
OLED显示器的核心组件是OLED器件。OLED器件对水和氧极为敏感。若水和氧入侵并接触OLED器件,OLED器件的发光效率和寿命会受到影响,这会使得OLED器件的发光效率变差,且使得显示画面产生暗斑问题。目前广泛应于OLED器件的封装技术是薄膜封装技术,薄膜封装技术主要涉及形成由三层组成的封装结构,所述三层是指无机层SiNx、有机层、无机层SiNx,封装结构用以避免水和氧入侵OLED器件。
然而,现有的薄膜封装技术只能把水和氧隔绝在OLED器件外面,一旦水和氧渗透薄膜封装结构且入侵并接触到OLED器件后则无法去除,而且有机层会与水和氧发生反应,使OLED器件的性能急剧下降,严重影响其寿命。
因此,有必要提供一种薄膜封装结构及其制作方法,以解决现有技术所存在的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种有机发光二极管(Organic Light-EmittingDiode,OLED)阵列基板及其制作方法,以解决现有技术所存在的OLED器件的性能差且寿命短的问题。
为解决上述技术问题,本发明提供一种OLED阵列基板,其特征在于,包括:
一底板,所述底板上具有一OLED单元;
一第一无机层,设置在所述所述OLED单元上;
一有机层,设置在所述第一无机层上;
一无机吸收层,设置在所述有机层上,所述无机吸收层吸收水和氧;及
一第二无机层,设置在所述无机吸收层上。
根据本发明一优选实施例,所述第一无机层、所述有机层、所述无机吸收层及所述第二无机层构成一薄膜封装结构,所述薄膜封装结构覆盖所述底板上的所述OLED单元,而不使所述OLED单元外露。
根据本发明一优选实施例,所述底板是一柔性底板,所述底板的材质是聚酰亚胺。
根据本发明一优选实施例,所述第一无机层与所述第二无机层的材质是氮化硅,所述有机层的材质是树脂,及所述无机吸收层的材质是铁。
根据本发明一优选实施例,所述第一无机层与所述第二无机层的厚度小于或等于1微米,所述有机层的厚度范围在3微米至8微米之间,所述无机吸收层的厚度范围在50埃至500埃之间。
本发明还提供一种制作OLED阵列基板的方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一底板,所述底板上具有一OLED单元;
形成一第一无机层于所述OLED单元上;
形成一有机层于所述第一无机层上;
形成一无机吸收层于所述有机层上,所述无机吸收层吸收水和氧;及
形成一第二无机层于所述无机吸收层上。
根据本发明一优选实施例,所述第一无机层、所述有机层、所述无机吸收层及所述第二无机层构成一薄膜封装结构,所述薄膜封装结构覆盖所述底板上的所述OLED单元,而不使所述OLED单元外露。
根据本发明一优选实施例,所述底板是一柔性底板,所述底板的材质是聚酰亚胺。
根据本发明一优选实施例,所述第一无机层与所述第二无机层的材质是氮化硅,所述有机层的材质是树脂,及所述无机吸收层的材质是铁。
根据本发明一优选实施例,所述第一无机层与所述第二无机层的厚度小于或等于1微米,所述有机层的厚度范围在3微米至8微米之间,所述无机吸收层的厚度范围在50埃至500埃之间。
相较于现有技术,本发明提出一种OLED阵列基板及其制作方法。通过设置一无机吸收层在薄膜封装结构中,其中无机吸收层会吸收水和氧,可以避免水和氧入侵而接触到OLED单元,藉此延长OLED器件的寿命。
附图说明
图1为为根据本发明提出的一种有机发光二极管(Organic Light-EmittingDiode,OLED)的剖面侧视图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图式,用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语,例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本发明,而非用以限制本发明。在图中,结构相似的单元是以相同标号表示。
请参照图1,图1为根据本发明提出的一种有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)的剖面侧视图。
如图1所示,本发明提供一种OLED阵列基板。所述OLED阵列基板包括:
一底板100,所述底板100上具有一OLED单元200;
一第一无机层301,设置在所述所述OLED单元200上;
一有机层302,设置在所述第一无机层301上;
一无机吸收层303,设置在所述有机层302上,所述无机吸收层303吸收水和氧;及
一第二无机层304,设置在所述无机吸收层303上。
所述第一无机层301、所述有机层302、所述无机吸收层303及所述第二无机层304构成一薄膜封装结构,所述薄膜封装结构覆盖所述底板100上的所述OLED单元200,而不使所述OLED单元200外露。
优选地,所述底板100是一柔性底板。例如,所述柔性底板的材质可以是聚酰亚胺。所述第一无机层301与所述第二无机层304的材质可以是氮化硅(SiNx),所述有机层302的材质可以是树脂。优选地,可以使用化学气相沉积来形成所述第一无机层301与所述第二无机层304,及可以使用喷墨打印来形成所述有机层302。
根据本发明,所述无机吸收层303的材质是铁,亦即所述无机吸收层303为一铁层。优选地,可以使用物理气相沉积(溅射)来形成所述无机吸收层303。
为了确保封装结构的透光性,所述第一无机层301与所述第二无机层304的厚度小于或等于1微米,所述有机层302的厚度范围在3微米至8微米之间,所述无机吸收层303的厚度范围在50埃至500埃之间。
根据本发明,由于所述无机吸收层303的材质是铁,所述无机吸收层303可以吸收水和氧。若水和氧渗透且通过第二无机层304时,所述无机吸收层303会吸收水和氧,以避免水和氧进一步向内入侵而接触到OLED单元200,藉此延长OLED器件的寿命。
本发明还提供一种制作OLED阵列基板的方法。所述方法包括以下步骤:
提供一底板100,所述底板上具有一OLED单元200;
形成一第一无机层301于所述OLED单元200上;
形成一有机层302于所述第一无机层301上;
形成一无机吸收层303于所述有机层302上,所述无机吸收层303吸收水和氧;及
形成一第二无机层304于所述无机吸收层303上。
所述第一无机层301、所述有机层302、所述无机吸收层303及所述第二无机层304构成一薄膜封装结构,所述薄膜封装结构覆盖所述底板100上的所述OLED单元200,而不使所述OLED单元200外露。
优选地,所述底板100是一柔性底板。例如,所述柔性底板的材质可以是聚酰亚胺。所述第一无机层301与所述第二无机层304的材质可以是氮化硅(SiNx),所述有机层302的材质可以是树脂。优选地,可以使用化学气相沉积来形成所述第一无机层301与所述第二无机层304,及可以使用喷墨打印来形成所述有机层302。
根据本发明,所述无机吸收层303的材质是铁,亦即所述无机吸收层303为一铁层。优选地,可以使用物理气相沉积(溅射)来形成所述无机吸收层303。
为了确保封装结构的透光性,所述第一无机层301与所述第二无机层304的厚度小于或等于1微米,所述有机层302的厚度范围在3微米至8微米之间,所述无机吸收层303的厚度范围在50埃至500埃之间。
根据本发明,由于所述无机吸收层303的材质是铁,所述无机吸收层303可以吸收水和氧。若水和氧渗透且通过第二无机层304时,所述无机吸收层303会吸收水和氧,以避免水和氧进一步向内入侵而接触到OLED单元200,藉此延长OLED器件的寿命。
相较于现有技术,本发明提出一种OLED阵列基板及其制作方法。通过设置一无机吸收层在薄膜封装结构中,其中无机吸收层会吸收水和氧,可以避免水和氧入侵而接触到OLED单元,藉此延长OLED器件的寿命。
综上所述,虽然本发明已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本发明,本领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种OLED阵列基板,其特征在于,包括:
一底板,所述底板上具有一OLED单元;
一第一无机层,设置在所述所述OLED单元上;
一有机层,设置在所述第一无机层上;
一无机吸收层,设置在所述有机层上,所述无机吸收层吸收水和氧;及
一第二无机层,设置在所述无机吸收层上。
2.根据权利要求1所述的OLED阵列基板,其特征在于,所述第一无机层、所述有机层、所述无机吸收层及所述第二无机层构成一薄膜封装结构,所述薄膜封装结构覆盖所述底板上的所述OLED单元,而不使所述OLED单元外露。
3.根据权利要求2所述的OLED阵列基板,其特征在于,所述底板是一柔性底板,所述底板的材质是聚酰亚胺。
4.根据权利要求2所述的OLED阵列基板,其特征在于,所述第一无机层与所述第二无机层的材质是氮化硅,所述有机层的材质是树脂,及所述无机吸收层的材质是铁。
5.根据权利要求1所述的OLED阵列基板,其特征在于,所述第一无机层与所述第二无机层的厚度小于或等于1微米,所述有机层的厚度范围在3微米至8微米之间,所述无机吸收层的厚度范围在50埃至500埃之间。
6.一种制作OLED阵列基板的方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一底板,所述底板上具有一OLED单元;
形成一第一无机层于所述OLED单元上;
形成一有机层于所述第一无机层上;
形成一无机吸收层于所述有机层上,所述无机吸收层吸收水和氧;及
形成一第二无机层于所述无机吸收层上。
7.根据权利要求6所述的制作OLED阵列基板的方法,其特征在于,所述第一无机层、所述有机层、所述无机吸收层及所述第二无机层构成一薄膜封装结构,所述薄膜封装结构覆盖所述底板上的所述OLED单元,而不使所述OLED单元外露。
8.根据权利要求7所述的制作OLED阵列基板的方法,其特征在于,所述底板是一柔性底板,所述底板的材质是聚酰亚胺。
9.根据权利要求7所述的制作OLED阵列基板的方法,其特征在于,所述第一无机层与所述第二无机层的材质是氮化硅,所述有机层的材质是树脂,及所述无机吸收层的材质是铁。
10.根据权利要求6所述的制作OLED阵列基板的方法,其特征在于,所述第一无机层与所述第二无机层的厚度小于或等于1微米,所述有机层的厚度范围在3微米至8微米之间,所述无机吸收层的厚度范围在50埃至500埃之间。
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