CN103456764B - Oled阵列基板及其制造方法、显示装置 - Google Patents
Oled阵列基板及其制造方法、显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103456764B CN103456764B CN201310406560.2A CN201310406560A CN103456764B CN 103456764 B CN103456764 B CN 103456764B CN 201310406560 A CN201310406560 A CN 201310406560A CN 103456764 B CN103456764 B CN 103456764B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- black matrix
- oled
- film transistor
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 78
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 60
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 52
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 11
- 238000005286 illumination Methods 0.000 abstract description 11
- 101100214488 Solanum lycopersicum TFT2 gene Proteins 0.000 description 28
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical group N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000000156 glass melt Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明实施例公开了一种OLED阵列基板及其制造方法,以及设有该OLED阵列基板的显示装置,属于显示技术领域。解决了现有的有源矩阵型OLED显示装置中的TFT容易受到光照,影响显示效果的技术问题。该OLED阵列基板,包括设置于衬底基板上的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管上方设置有黑矩阵,所述黑矩阵上开设有过孔;所述黑矩阵上方从下至上依次设置有第一电极、发光层、第二电极;所述第一电极通过所述过孔与所述薄膜晶体管相连,相邻的所述第一电极之间通过挡墙隔开。本发明可应用于OLED面板、电视机、显示器、数码相框、手机、平板电脑等显示装置。
Description
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种OLED阵列基板及其制造方法,以及设有该OLED阵列基板的显示装置。
背景技术
有机电致发光显示(OrganicElectroluminesenceDisplay,简称OELD)又称为有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,简称OLED)显示装置,具有能耗低、亮度高、反应时间快、宽视角、重量轻等优点,近来已普遍应用于移动通信终端、个人数字助理(PDA)、掌上电脑等设备中。OLED显示装置分为无源矩阵型和有源矩阵型两种,其中,有源矩阵型OLED显示装置利用薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,简称TFT)驱动OLED,具有较高发光效率和较好的显示效果。
本发明人在实现本发明的过程中发现,现有技术至少存在以下问题:在有源矩阵型OLED显示装置的显示过程中,OLED发出的光很容易照到TFT上,这会影响TFT内部的光电流,从而导致TFT所驱动的OLED中的电流发生误差,影响显示效果。
发明内容
本发明实施例提供了一种OLED阵列基板及其制造方法,以及设有该OLED阵列基板的显示装置,解决了现有的有源矩阵型OLED显示装置中的TFT容易受到光照,影响显示效果的技术问题。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
本发明提供一种OLED阵列基板,包括设置于衬底基板上的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管上方设置有黑矩阵,所述黑矩阵上开设有过孔;
所述黑矩阵上方从下至上依次设置有第一电极、发光层、第二电极;
所述第一电极通过所述过孔与所述薄膜晶体管相连,相邻的所述第一电极之间通过挡墙隔开。
在一种实施方式中,所述第一电极与所述薄膜晶体管之间设置有第一保护层,所述黑矩阵与所述第一保护层同层设置。
其中,所述发光层为彩色发光层。
或者,所述发光层为白色发光层,所述第一保护层与所述薄膜晶体管之间还设置有彩膜层;
所述过孔贯穿所述黑矩阵和所述彩膜层。
在另一种实施方式中,所述发光层为白色发光层,所述第一电极与所述薄膜晶体管之间,从下至上依次设置有彩膜层和第一保护层,所述黑矩阵与所述彩膜层同层设置;
所述过孔贯穿所述第一保护层和所述黑矩阵。
进一步,所述彩膜层与所述薄膜晶体管之间还设置有第二保护层;
所述过孔还贯穿所述第二保护层。
在上述实施方式中,所述第一电极为阳极,所述第二电极为阴极;
或者,所述第一电极为阴极,所述第二电极为阳极。
本发明还提供一种OLED阵列基板的制造方法,包括:
在衬底基板上形成包括薄膜晶体管的图形;
在完成前述步骤的基础上,形成包括黑矩阵的图形,所述黑矩阵位于所述薄膜晶体管上方,且所述黑矩阵上开设有过孔;
在完成前述步骤的基础上,形成包括第一电极、挡墙、发光层、第二电极的图形,所述第一电极通过所述过孔与所述薄膜晶体管相连,相邻的所述第一电极之间通过所述挡墙隔开。
在一种实施方式中,所述形成包括黑矩阵的图形,具体为:
形成包括同层设置的第一保护层和黑矩阵的图形。
进一步,所述形成包括同层设置的第一保护层和黑矩阵的图形之前,还包括:
形成包括彩膜层的图形。
在另一种实施方式中,所述形成包括黑矩阵的图形,具体为:
形成包括同层设置的彩膜层和黑矩阵的图形;
且在所述形成包括同层设置的彩膜层和黑矩阵的图形之后,还包括:
在完成前述步骤的基础上,形成包括第一保护层的图形。
进一步,在衬底基板上形成包括薄膜晶体管的图形之后,还包括:
在完成前述步骤的基础上,形成包括第二保护层的图形。
本发明还提供一种显示装置,包括上述的OLED阵列基板。
与现有技术相比,本发明所提供的上述技术方案具有如下优点:在薄膜晶体管的上方设置黑矩阵,并将OLED的第一电极通过黑矩阵上的过孔与薄膜晶体管连接。薄膜晶体管驱动OLED的显示过程中,黑矩阵能够遮挡住OLED发出的光,避免薄膜晶体管受到光照,因此薄膜晶体管所驱动的OLED中的电流不会发生误差,从而保证了有源矩阵型OLED显示装置的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
图1为本发明的实施例1所提供的OLED阵列基板的结构示意图;
图2为本发明的实施例2所提供的OLED阵列基板的结构示意图;
图3为本发明的实施例2所提供的OLED阵列基板的另一种结构示意图;
图4为本发明的实施例3所提供的OLED阵列基板的结构示意图;
图5为本发明的实施例3所提供的OLED阵列基板的另一种结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。
本发明实施例提供的OLED阵列基板,包括设置于衬底基板上的薄膜晶体管(TFT),TFT上方设置有黑矩阵,黑矩阵上开设有过孔。黑矩阵上方从下至上依次设置有第一电极、发光层、第二电极。第一电极通过过孔与TFT相连,相邻的第一电极之间通过挡墙隔开。
本发明实施例提供的OLED阵列基板的制造方法,包括:
S1:在衬底基板上形成包括TFT的图形。
S2:在完成前述步骤的基础上,形成包括黑矩阵的图形。黑矩阵位于TFT上方,且黑矩阵上开设有过孔。
S3:在完成前述步骤的基础上,形成包括第一电极、挡墙、发光层、第二电极的图形。其中,第一电极通过过孔与TFT相连,相邻的第一电极之间通过挡墙隔开。
本发明实施例提供的OLED阵列基板中,在TFT的上方设置有黑矩阵,并将OLED的第一电极通过黑矩阵上的过孔与TFT连接。TFT驱动OLED的显示过程中,黑矩阵能够遮挡住OLED发出的光,避免TFT受到光照,因此TFT所驱动的OLED中的电流不会发生误差,从而保证了有源矩阵型OLED显示装置的显示效果。
实施例1:
如图1所示,本发明实施例提供的OLED阵列基板,包括设置于衬底基板1上的TFT2、栅绝缘层21和层间绝缘层22,TFT2上方设置有第一保护层31。第一保护层31上方从下至上依次设置有第一电极41、发光层43、第二电极42其中发光层43为包括红(R)、绿(G)、蓝(B)三种颜色的彩色发光层。位于TFT2上方的黑矩阵6与第一保护层31同层设置,且黑矩阵6上开设有过孔60。第一电极41通过过孔60与TFT2相连,相邻的第一电极41之间通过挡墙44隔开。此外,在第二电极42上方,通常还设置有封装层5。
优选的,本实施例中的第一电极41为OLED的阳极,第二电极42为OLED的阴极。在其他实施方式中,也可以将第一电极作为OLED的阴极,第二电极作为OLED的阳极。
本发明实施例提供的OLED阵列基板中,在TFT2的上方设置有黑矩阵6,并将OLED的第一电极41通过黑矩阵6上的过孔60与TFT2连接。TFT2驱动OLED的显示过程中,黑矩阵6能够遮挡住OLED发出的光,避免TFT2受到光照,因此TFT2所驱动的OLED中的电流不会发生误差,从而保证了有源矩阵型OLED显示装置的显示效果。
本发明实施例提供的OLED阵列基板的制造方法,包括:
S11:在衬底基板上形成包括TFT的图形。
本步骤可通过常规的构图工艺,在衬底基板上形成TFT,以及栅绝缘层、层间绝缘层等结构的图形。该TFT可以是顶栅TFT,也可以是底栅TFT。
S12:在完成前述步骤的基础上,形成包括同层设置的第一保护层和黑矩阵的图形。黑矩阵位于TFT上方,且黑矩阵上开设有过孔。具体包括:
S121:在基板上沉积第一保护层,再通过构图工艺刻蚀掉对应于TFT上方的部分。该第一保护层的材料优选为氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)。
S122:在第一保护层被刻蚀掉的部分,也就是TFT上方形成黑矩阵,并在黑矩阵上形成过孔,以遮挡住TFT,防止TFT受到光照,同时还实现了黑矩阵与第一保护层同层设置,使整个基板的表面保持平坦。
S13:在完成前述步骤的基础上,形成包括第一电极、挡墙、发光层、第二电极、封装层的图形。其中,第一电极通过过孔与TFT相连,相邻的第一电极之间通过挡墙隔开。
具体的,第一电极、挡墙、发光层、第二电极均可通过常规的构图工艺形成,然后在整个基板上形成封装层,使基板上的各个部件与外界的水和空气隔绝。封装层可以是有机层、无机层,或有机层与无机层的叠加。
此外,也可以采用其他方式进行封装。例如,利用树脂形成封装层,再覆盖一层玻璃盖板;或者,先在基板周边涂覆封框胶,中间利用树脂或密封胶填充,再覆盖一层玻璃盖板;或者,形成封装层之后,在基板周边涂覆玻璃熔料,再覆盖一层玻璃盖板,并用激光照射玻璃熔料,将玻璃盖板与衬底基板熔接。
本发明实施例中的衬底基板以及封装层均为透明材料,所以本发明实施例提供的OLED阵列基板可以为双面发射器件。当然,也可以根据实际情况,将OLED阵列基板制成顶发射器件或底发射器件。
实施例2:
如图2和图3所示,本发明实施例提供的OLED阵列基板,包括设置于衬底基板1上的TFT2、栅绝缘层21和层间绝缘层22,TFT2上方设置有包括红(R)、绿(G)、蓝(B)三种颜色的彩膜层7,彩膜层7上方设置有第一保护层31。第一保护层31上方从下至上依次设置有第一电极41、发光层43、第二电极42,其中发光层43为白色发光层。位于TFT2上方的黑矩阵6与第一保护层31同层设置,且开设有贯穿黑矩阵6和彩膜层7的过孔60。第一电极41通过过孔60与TFT2相连,相邻的第一电极41之间通过挡墙44隔开。此外,在第二电极42上方,通常还设置有封装层5。
优选的,本实施例中的第一电极41为OLED的阳极,第二电极42为OLED的阴极。在其他实施方式中,也可以将第一电极作为OLED的阴极,第二电极作为OLED的阳极。
本发明实施例提供的OLED阵列基板中,在TFT2的上方设置有黑矩阵6,并将OLED的第一电极41通过贯穿黑矩阵6和彩膜层7的过孔60与TFT2连接。TFT2驱动OLED的显示过程中,黑矩阵6能够遮挡住OLED发出的光,避免TFT2受到光照,因此TFT2所驱动的OLED中的电流不会发生误差,从而保证了有源矩阵型OLED显示装置的显示效果。
此外,本发明实施例中,位于TFT2上方的黑矩阵6还位于两个相邻的子像素之间,所以黑矩阵6还能够防止子像素中OLED发出的光照射到相邻子像素中的彩膜上,保证每个子像素中的彩膜与OLED的发光区域对齐,从而提高了OLED显示装置所显示的图像的清晰度。
进一步,如图2和图3所示,彩膜层7与TFT2之间还可以设置有第二保护层32,过孔60还贯穿第二保护层32。第二保护层32材料优选为氮化硅或氧化硅,用于保护TFT2。但是,本发明实施例中的彩膜层7也能够起到保护TFT2的作用,所以某些情况下可以省掉第二保护层32。
本发明实施例提供的OLED阵列基板的制造方法,包括:
S21:在衬底基板上形成包括TFT的图形。
本步骤与实施例1中的步骤S11相同,可通过常规的构图工艺,在衬底基板上形成TFT,以及栅绝缘层、层间绝缘层等结构的图形。
S22:在完成前述步骤的基础上,利用氮化硅或氧化硅形成包括第二保护层的图形。
由于某些情况下可以省掉第二保护层,所以本步骤某些情况下也可以省掉。
S23:在完成前述步骤的基础上,形成包括彩膜层的图形。
本步骤可通过常规的构图工艺,利用彩色树脂材料在基板上形成红、绿、蓝三种颜色的彩膜层。
S24:在完成前述步骤的基础上,形成包括同层设置的第一保护层和黑矩阵的图形。黑矩阵位于TFT上方,且开设有贯穿黑矩阵、彩膜层和第二保护层的过孔。具体包括:
S241:在基板上沉积第一保护层,再通过构图工艺刻蚀掉对应于TFT上方的部分。该第一保护层的材料优选为氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)。
S242:在第一保护层被刻蚀掉的部分,也就是TFT上方形成黑矩阵,以遮挡住TFT,防止TFT受到光照,同时还实现了黑矩阵与第一保护层同层设置,使整个基板的表面保持平坦。然后,通过构图工艺形成在黑矩阵上形成贯穿黑矩阵、彩膜层和第二保护层的过孔。
S25:在完成前述步骤的基础上,形成包括第一电极、挡墙、发光层、第二电极、封装层的图形。其中,第一电极通过过孔与TFT相连,相邻的第一电极之间通过挡墙隔开。
本步骤与实施例1中的步骤S13基本相同,其不同点在于,本发明实施例中所形成的发光层43,可以在每个子像素中分别形成(如图2所示),也可以在基板上形成整体的一层(如图3所示)。
本发明实施例所提供的OLED阵列基板中,OLED发出的是白色光,再通过彩膜层实现全彩化显示,因此本发明实施例提供的OLED阵列基板为底发射器件。
实施例3:
本发明实施例与实施例2基本相同,其不同点在于,如图4和图5所示,本实施例中,黑矩阵6与彩膜层7同层设置,过孔60贯穿第一保护层31、黑矩阵6和第二保护层32。
本发明实施例提供的OLED阵列基板中,在TFT2的上方设置有黑矩阵6,并将OLED的第一电极41通过贯穿第一保护层31、黑矩阵6和第二保护层32的过孔60与TFT2连接。TFT2驱动OLED的显示过程中,黑矩阵6能够遮挡住OLED发出的光,避免TFT2受到光照,因此TFT2所驱动的OLED中的电流不会发生误差,从而保证了有源矩阵型OLED显示装置的显示效果。
此外,本发明实施例中,位于TFT2上方的黑矩阵6还位于两个相邻的子像素之间,所以黑矩阵6还能够防止子像素中OLED发出的光照射到相邻子像素中的彩膜上,保证每个子像素中的彩膜与OLED的发光区域对齐,从而提高了OLED显示装置所显示的图像的清晰度。
本发明实施例提供的OLED阵列基板的制造方法,包括:
S31:在衬底基板上形成包括TFT的图形。
S32:在完成前述步骤的基础上,形成包括第二保护层的图形。
上述步骤S31、S32与实施例2中的步骤S21、S22相同,此处不再赘述。
S33:在完成前述步骤的基础上,形成包括同层设置的彩膜层和黑矩阵的图形。
具体的,通过的构图工艺,利用彩色树脂材料在基板上形成红、绿、蓝三种颜色的彩膜层,以及位于TFT上方的,且与彩膜层同层设置的黑矩阵。
S34:在完成前述步骤的基础上,形成包括第一保护层的图形。
具体的,利用氮化硅、氧化硅或有机树脂,在基板上形成第一保护层,再通过构图工艺形成贯穿第一保护层、黑矩阵和第二保护层的过孔。
S35:在完成前述步骤的基础上,形成包括第一电极、挡墙、发光层、第二电极、封装层的图形。其中,第一电极通过过孔与TFT相连,相邻的第一电极之间通过挡墙隔开。
本步骤与实施例2中的步骤S25相同,其中,发光层43可以在每个子像素中分别形成(如图4所示),也可以在基板上形成整体的一层(如图5所示)。
本发明实施例所提供的OLED阵列基板中,OLED发出的是白色光,再通过彩膜层实现全彩化显示,因此本发明实施例提供的OLED阵列基板为底发射器件。
实施例4:
本发明实施例提供一种显示装置,包括上述实施例1至实施例3中的任意一种OLED阵列基板。该显示装置,可以是OLED面板、电视机、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件。
由于本发明实施例提供的显示装置与上述本发明实施例所提供的OLED阵列基板具有相同的技术特征,所以也能产生相同的技术效果,解决相同的技术问题。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (9)
1.一种OLED阵列基板,其特征在于:包括设置于衬底基板上的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管上方设置有黑矩阵,所述黑矩阵上开设有过孔;
所述黑矩阵上方从下至上依次设置有第一电极、发光层、第二电极以及封装层;
所述第一电极通过所述过孔与所述薄膜晶体管相连,相邻的所述第一电极之间通过挡墙隔开;
所述第一电极与所述薄膜晶体管之间设置有第一保护层,所述黑矩阵与所述第一保护层同层设置。
2.根据权利要求1所述的OLED阵列基板,其特征在于:所述发光层为彩色发光层。
3.根据权利要求1所述的OLED阵列基板,其特征在于:所述发光层为白色发光层,所述第一保护层与所述薄膜晶体管之间还设置有彩膜层;
所述过孔贯穿所述黑矩阵和所述彩膜层。
4.根据权利要求3所述的OLED阵列基板,其特征在于:所述彩膜层与所述薄膜晶体管之间还设置有第二保护层;
所述过孔还贯穿所述第二保护层。
5.根据权利要求1所述的OLED阵列基板,其特征在于:所述第一电极为阳极,所述第二电极为阴极;
或者,所述第一电极为阴极,所述第二电极为阳极。
6.一种OLED阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上形成包括薄膜晶体管的图形;
在完成前述步骤的基础上,形成包括黑矩阵的图形,所述黑矩阵位于所述薄膜晶体管上方,且所述黑矩阵上开设有过孔;
在完成前述步骤的基础上,形成包括第一电极、挡墙、发光层、第二电极的图形,所述第一电极通过所述过孔与所述薄膜晶体管相连,相邻的所述第一电极之间通过所述挡墙隔开;
所述形成包括黑矩阵的图形,具体为:
形成包括同层设置的第一保护层和黑矩阵的图形。
7.根据权利要求6所述的制造方法,其特征在于,所述形成包括同层设置的第一保护层和黑矩阵的图形之前,还包括:
形成包括彩膜层的图形。
8.根据权利要求7所述的制造方法,其特征在于,在衬底基板上形成包括薄膜晶体管的图形之后,还包括:
在完成前述步骤的基础上,形成包括第二保护层的图形。
9.一种显示装置,其特征在于:包括权利要求1-5任一项所述的OLED阵列基板。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310406560.2A CN103456764B (zh) | 2013-09-09 | 2013-09-09 | Oled阵列基板及其制造方法、显示装置 |
PCT/CN2014/081218 WO2015032240A1 (zh) | 2013-09-09 | 2014-06-30 | Oled阵列基板及其制造方法、显示装置 |
US14/420,488 US9543368B2 (en) | 2013-09-09 | 2014-06-30 | OLED array substrate having black matrix, manufacturing method and display device thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310406560.2A CN103456764B (zh) | 2013-09-09 | 2013-09-09 | Oled阵列基板及其制造方法、显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103456764A CN103456764A (zh) | 2013-12-18 |
CN103456764B true CN103456764B (zh) | 2016-01-20 |
Family
ID=49738950
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310406560.2A Active CN103456764B (zh) | 2013-09-09 | 2013-09-09 | Oled阵列基板及其制造方法、显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9543368B2 (zh) |
CN (1) | CN103456764B (zh) |
WO (1) | WO2015032240A1 (zh) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103456764B (zh) | 2013-09-09 | 2016-01-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled阵列基板及其制造方法、显示装置 |
CN103700687A (zh) * | 2013-12-20 | 2014-04-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光显示面板及其制造方法、显示装置 |
CN103956435A (zh) * | 2014-04-28 | 2014-07-30 | 上海大学 | 一种有机发光二极管的胶带封装结构 |
CN104299973B (zh) * | 2014-09-25 | 2018-04-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 |
KR102307727B1 (ko) * | 2014-12-24 | 2021-10-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 이를 제조하는 방법 |
CN105097831B (zh) * | 2015-06-23 | 2019-03-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 低温多晶硅背板及其制造方法和发光器件 |
CN105097883A (zh) * | 2015-08-03 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法和显示装置 |
EP3902006A1 (en) * | 2016-04-01 | 2021-10-27 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Display device |
CN105789262A (zh) * | 2016-04-29 | 2016-07-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示基板及其制备方法、柔性显示器件 |
CN205900543U (zh) * | 2016-05-18 | 2017-01-18 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种oled显示面板 |
CN106997896A (zh) * | 2017-04-07 | 2017-08-01 | 惠科股份有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
CN108400153B (zh) * | 2018-04-03 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled基板及其制备方法、显示装置 |
CN108538902B (zh) * | 2018-05-21 | 2020-09-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled背板的制作方法及oled背板 |
CN108832011B (zh) * | 2018-06-05 | 2020-01-10 | 中山大学 | 量子点发光二极管器件及其制备方法、显示面板 |
CN109346622A (zh) * | 2018-10-19 | 2019-02-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled阵列基板及其制作方法 |
JP7190889B2 (ja) * | 2018-12-07 | 2022-12-16 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置及び発光装置モジュール |
CN109817676A (zh) * | 2019-01-30 | 2019-05-28 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及触控显示器 |
CN110164942A (zh) * | 2019-05-31 | 2019-08-23 | 江苏集萃有机光电技术研究所有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN112133811B (zh) * | 2019-06-25 | 2022-03-29 | 成都辰显光电有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法 |
CN110854168B (zh) * | 2019-10-31 | 2022-02-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法 |
CN111883576B (zh) * | 2020-09-09 | 2022-09-02 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板、显示装置及成型方法 |
CN112599573B (zh) * | 2020-12-10 | 2023-10-31 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板与显示装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100385707C (zh) * | 2001-10-10 | 2008-04-30 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 有机电致发光装置 |
CN101728379A (zh) * | 2008-10-22 | 2010-06-09 | 胜华科技股份有限公司 | 有机发光二极管显示装置及其制造方法 |
CN203445125U (zh) * | 2013-09-09 | 2014-02-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled阵列基板及显示装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3267271B2 (ja) * | 1998-12-10 | 2002-03-18 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置およびその製造法 |
US7102168B2 (en) * | 2001-12-24 | 2006-09-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel for display and manufacturing method thereof |
TW588571B (en) * | 2002-05-24 | 2004-05-21 | Sanyo Electric Co | Electroluminescence display device |
JP2005019211A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Casio Comput Co Ltd | El表示パネル及びel表示パネルの製造方法 |
US7692378B2 (en) * | 2004-04-28 | 2010-04-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device including an insulating layer with an opening |
WO2005115062A1 (en) * | 2004-05-20 | 2005-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and display device |
CN1731905A (zh) * | 2005-08-23 | 2006-02-08 | 悠景科技股份有限公司 | 低耗电的全彩有机电激发光显示装置 |
CN1735291A (zh) * | 2005-08-31 | 2006-02-15 | 悠景科技股份有限公司 | 光色过滤转换装置及有机电激发光显示装置 |
KR101125566B1 (ko) * | 2009-11-30 | 2012-03-26 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 |
KR20120042520A (ko) * | 2010-10-25 | 2012-05-03 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN102681276B (zh) * | 2012-02-28 | 2014-07-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法以及包括该阵列基板的显示装置 |
CN103226272B (zh) * | 2013-04-16 | 2015-07-22 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 |
CN103456764B (zh) | 2013-09-09 | 2016-01-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled阵列基板及其制造方法、显示装置 |
-
2013
- 2013-09-09 CN CN201310406560.2A patent/CN103456764B/zh active Active
-
2014
- 2014-06-30 US US14/420,488 patent/US9543368B2/en active Active
- 2014-06-30 WO PCT/CN2014/081218 patent/WO2015032240A1/zh active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100385707C (zh) * | 2001-10-10 | 2008-04-30 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 有机电致发光装置 |
CN101728379A (zh) * | 2008-10-22 | 2010-06-09 | 胜华科技股份有限公司 | 有机发光二极管显示装置及其制造方法 |
CN203445125U (zh) * | 2013-09-09 | 2014-02-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled阵列基板及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103456764A (zh) | 2013-12-18 |
US20150249120A1 (en) | 2015-09-03 |
WO2015032240A1 (zh) | 2015-03-12 |
US9543368B2 (en) | 2017-01-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103456764B (zh) | Oled阵列基板及其制造方法、显示装置 | |
CN103762224B (zh) | 有机电致发光显示面板 | |
CN103811533B (zh) | 有机电致发光显示面板及显示装置 | |
CN103000662B (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
CN104009062B (zh) | 彩膜基板及制备方法、有机电致发光显示面板、显示装置 | |
CN103996694B (zh) | 一种oled显示器及其制备方法 | |
CN103915471B (zh) | 有机发光二极管显示装置及其制造方法 | |
CN104821161B (zh) | 一种场序显示面板的驱动方法、场序显示装置的驱动方法 | |
CN105097878A (zh) | 有机电致发光显示面板及制备方法、显示装置 | |
CN105895664A (zh) | 一种显示面板、制作方法以及电子设备 | |
US10199609B2 (en) | Organic electroluminescent display panel including light-isolating members, method for manufacturing the same and display apparatus | |
US20190386067A1 (en) | Color film substrate for woled display and woled display | |
CN105304676A (zh) | 柔性有机电致发光器件的封装结构、柔性显示装置 | |
CN103730584A (zh) | 一种显示面板及显示装置 | |
CN104733632B (zh) | 有机发光显示装置及其制造方法 | |
CN102629621A (zh) | 一种电路、阵列基板及制作方法、显示器 | |
KR20050107840A (ko) | 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 | |
CN104576694A (zh) | Oled显示装置及其制造方法 | |
CN104347680A (zh) | 一种amoled显示面板及其制作方法、显示装置 | |
CN105590953A (zh) | 具有高孔径比的有机发光二极管显示器及其制造方法 | |
CN107331693B (zh) | 一种有机电致发光显示面板及其制备方法 | |
CN105576004A (zh) | 一种量子点彩色光转换膜、oled面板及显示装置 | |
KR20170036160A (ko) | 유기발광다이오드 표시장치 | |
KR20140092490A (ko) | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 | |
KR20180077834A (ko) | 전계발광 표시장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |