CN102629621A - 一种电路、阵列基板及制作方法、显示器 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种电路、阵列基板及制作方法、显示器，涉及显示器制造领域，用以简化显示器生产过程中的制作工艺。所述电路，至少包括相连的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的漏极和所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接，所述第一薄膜晶体管的漏极和所述第二薄膜晶体管的栅极同层设置。本发明适用于电路的设计制造工艺。

Description

一种电路、阵列基板及制作方法、显示器
技术领域
本发明涉及显示器制造领域，尤其涉及一种电路、阵列基板及制作方法、显示器。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光器件)显示器是新一代的显示器，与液晶显示器相比，具有很多优点如：自发光，响应速度快，宽视角等，可以用于柔性显示，透明显示，3D显示等。
OLED显示器包括：OLED阵列基板以及有机发光器件；其中有机发光器件的结构主要包括：阳极、阴极以及有机功能层；其中有机功能层还可以进一步细分为：空穴传输功能层(HTL层)、发光功能层(EML层)、电子传输功能层(ETL层)等等。其主要的工作原理是有机功能层在阳极和阴极所形成电场的驱动下，通过载流子注入和复合而导致发光。
OLED显示器可以分为有源矩阵OLED显示器和无源矩阵OLED显示器。目前在大屏、高分辨率的显示领域，有源矩阵OLED显示器应用较为广泛。有源矩阵OLED显示器的阵列基板上形成有阵列形式的多个像素单元，每个像素单元中都包含有两个薄膜晶体管——作为像素单元开关的开关薄膜晶体管以及用于连接电源线驱动OLED阵列基板上的驱动薄膜晶体管。其中，现有技术中两个薄膜晶体管都为底栅型结构，这就使得开关薄膜晶体管的漏极需要通过过孔和驱动薄膜晶体管的栅极相连。显然，这就需要在制作完成钝化层之后，在两个薄膜晶体管需要连接的位置制作过孔打穿两层绝缘层，以使得两薄膜晶体管相连。但这样的连接工艺比较复杂，在一定程度上影响产率。
发明内容
本发明的实施例提供的一种电路、阵列基板及制作方法、显示器，用以简化显示器生产过程中的制作工艺。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一种电路，至少包括相连的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的漏极和所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接，所述第一薄膜晶体管的漏极和所述第二薄膜晶体管的栅极同层设置。
一种阵列基板，包括：相互垂直的扫描线和数据线，与数据线平行的电源线，以及所述扫描线和数据线所限定的像素单元；在所述像素单元内至少形成有开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管；其中，所述开关薄膜晶体管的栅极和所述扫描线电性连接、源极和所述数据线电性连接，漏极和所述驱动薄膜晶体管的栅极电性连接；所述驱动薄膜晶体管的源极和所述电源线电性连接，漏极和有机发光器件的阳极电性连接；并且，所述开关薄膜晶体管的漏极和所述驱动薄膜晶体管的栅极同层设置。
一种显示器，包括：上述的阵列基板以及有机发光器件；其中，所述有机发光器件包括：阳极、阴极和有机功能层。
一种阵列基板的制作方法，包括：
在衬底基板上制作底层导电薄膜，并通过构图工艺至少形成开关薄膜晶体管的栅极和扫描线；
制作第一绝缘层；
制作半导体薄膜，并通过构图工艺形成开关薄膜晶体管的有源层、驱动薄膜晶体管的有源层；
制作第二绝缘层，并通过过孔连接工艺至少在覆盖开关薄膜晶体管有源层上的第二绝缘层上形成两个过孔，在覆盖驱动薄膜晶体管有源层上的第二绝缘层上形成两个过孔；
制作顶层导电薄膜，覆盖上述第二绝缘层上的过孔，并通过构图工艺至少形成开关薄膜晶体管的源、漏极，驱动薄膜晶体管的栅极和源、漏极以及数据线、电源线；其中，开关薄膜晶体管的源极和数据线直接相连，驱动薄膜晶体管的源极和电源线直接相连，且开关薄膜晶体管的漏极和驱动薄膜晶体管的栅极直接相连；
制作第三绝缘层，并在该第三绝缘层上形成用于与有机发光器件的阳极电性连接的过孔。
一种阵列基板的制作方法，包括：
在衬底基板上制作底层导电薄膜，并通过构图工艺至少形成开关薄膜晶体管的源、漏极，驱动薄膜晶体管的栅极和源、漏极以及数据线、电源线；其中，开关薄膜晶体管的源极和数据线直接相连，驱动薄膜晶体管的源极和电源线直接相连，且开关薄膜晶体管的漏极和驱动薄膜晶体管的栅极直接相连；
制作第一绝缘层，并通过过孔连接工艺至少在覆盖开关薄膜晶体管源极、漏极，驱动薄膜晶体管源极、漏极的第一绝缘层上分别形成过孔；
制作半导体薄膜，覆盖上述第一绝缘层上的过孔，并通过构图工艺形成开关薄膜晶体管的有源层、驱动薄膜晶体管的有源层；
制作第二绝缘层；
制作顶层导电薄膜，并通过构图工艺至少形成开关薄膜晶体管的栅极和扫描线；
制作第三绝缘层，并在该第三绝缘层上形成用于与有机发光器件的阳极电性连接的过孔。
本发明实施例提供的电路、阵列基板及制作方法、显示器，通过将开关薄膜晶体管的漏极和驱动薄膜晶体管的栅极同层设置，即两者是同一层导电薄膜所形成的图案；这样两者就可以直接相连，而无需通过过孔，从而能够在实现两者电性连接的条件下，简化显示器生产过程中的制作工艺，进而能够在一定程度上提高产率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为实施例一提供的一种包含阵列基板的显示器的主要结构俯视示意图；
图2为图1的截面示意图；
图2A-图2H分别为图1、图2中阵列基板制作方法的步骤示意图；
图3为实施例二提供的一种包含阵列基板的显示器的主要结构俯视示意图；
图4为图3的截面示意图。
附图标记：
101-衬底基板，102-第一绝缘层，103-第二绝缘层，104-第三绝缘层，105-平坦化层，106-像素界定层；
10-扫描线，20-数据线，30-电源线，40-开关薄膜晶体管，40a-开关薄膜晶体管的栅极，40b-开关薄膜晶体管的源极，40c-开关薄膜晶体管的漏极，401-开关薄膜晶体管的有源层，50-驱动薄膜晶体管，50a-驱动薄膜晶体管的栅极，50b-驱动薄膜晶体管的源极，50c-驱动薄膜晶体管的漏极，501-驱动薄膜晶体管的有源层；
60-有机发光器件(OLED)，601-有机发光器件的阳极，602-有机功能层，603-有机发光器件的阴极。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
众所周知，薄膜晶体管(TFT)包括：栅极、源极和漏极。通常来讲对TFT的源极和漏极做如下区分：对于p型TFT，电位高的一端称为源极，电位低的一端则称为漏极；n型TFT则相反，电位低的一端称为源极，电位高的一端则称为为漏极。但是，在TFT工作时，两端电位的高低可能变化，导致源漏极的称呼随之改变，这些因素都有可能造成表述不清或不完整。故而，在本发明所有实施例中，为了对方案进行清楚的描述，统一按照信号的输入输出走向规定源漏极的称呼：将TFT的信号输入端称为源极，将TFT的信号输出端称为漏极；具体的，在本发明实施例中将开关薄膜晶体管中与数据线电性连接(即连接数据信号)的一端称为源极、与驱动薄膜晶体管的栅极电性连接的一端称为漏极，且将驱动薄膜晶体管中与电源线电性连接(即连接电源信号)的一端称为源极、与有机发光器件的阳极电性连接的一端称为漏极。
本发明实施例提供一种电路，至少包括相连的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的漏极和所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接，所述第一薄膜晶体管的漏极和所述第二薄膜晶体管的栅极同层设置。
进一步的，同层设置的第一薄膜晶体管的漏极和第二薄膜晶体管的栅极利用同一次构图工艺形成。
这样包含相连的薄膜晶体管的电路及其制备工艺可以应用在集成电路中，比如移位寄存器电路，驱动电路等。采用上述方法，可以使一个薄膜晶体管的漏极和另一个薄膜晶体管的栅极同层设置并且电性连接，而且它们之间的连接不需要采用通孔。如此，可以简化工艺，并且可以增加其电性连接性能。但本发明不局限于只有两个晶体管的情况，多个晶体管之间的连接方式，也可以采用上述方法；例如，第一个薄膜晶体管的漏极和第二个薄膜晶体管的栅极相连，第二个薄膜晶体管的漏极和第三个薄膜晶体管的栅极相连，同样可以采用本发明所提出的相连的两极同层设置的结构，以简化制作工艺。
上述电路可以应用于显示器中的GOA(Gate Driver on Array，阵列基板行驱动)电路中。具体的，GOA电路包括若干个GOA单元，每一GOA单元对应一条栅线，即每一GOA单元的输出端连接一条栅线；且一GOA单元的输出端连接下一GOA单元的输入端。传统的GOA电路中的每一GOA单元都包含有多个TFT结构，且在同一个GOA单元中至少有一个TFT的漏极需要和另一个TFT的栅极相连，这样运用本发明让这两个TFT需要相连接的两极同层设置，就无需通过过孔，从而简化在显示器生产过程中的制作工艺。
另外，上述电路还可以运用在OLED显示器各个像素的驱动上。具体的，在显示器中包括阵列排布的多个像素单元，且每个像素单元中包含第一、第二薄膜晶体管，其中，所述第一薄膜晶体管为开关薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管为驱动薄膜晶体管；所述开关薄膜晶体管的栅极连接扫描信号、源极连接数据信号，漏极和所述驱动薄膜晶体管的栅极电性连接；所述驱动薄膜晶体管的源极连接电源信号，漏极和有机发光器件的阳极电性连接；所述开关薄膜晶体管的漏极和所述驱动薄膜晶体管的栅极同层设置。
同样，由于开关薄膜晶体管的漏极和驱动薄膜晶体管的栅极同层设置，就使得两者可以直接相连，而无需通过过孔，从而能够在实现两者电性连接的条件下，简化显示器生产过程中的制作工艺。
下面，将针对在各个像素中运用上述电路的阵列基板及其制造方法、显示器，进行详细阐述。
实施例一：
本发明实施例提供了一种阵列基板，参考图1、图2，包括：相互垂直的扫描线10和数据线20，与数据线20平行的电源线30，以及所述扫描线10和数据线20所限定的像素单元；在所述像素单元内至少形成有开关薄膜晶体管40、驱动薄膜晶体管50；其中，所述开关薄膜晶体管40的栅极40a和所述扫描线10电性连接、源极40b和所述数据线20电性连接，漏极40c和所述驱动薄膜晶体管50的栅极50a电性连接；所述驱动薄膜晶体管50的源极50b和所述电源线30电性连接，漏极50c和有机发光器件60的阳极601电性连接；并且，所述开关薄膜晶体管的漏极40c和所述驱动薄膜晶体管的栅极50a同层设置。
当然，如图2所示，阵列基板还可以包括：起到绝缘作用的第一绝缘层102、第二绝缘层103，以及覆盖两个薄膜晶体管40、50的第三绝缘层104。当然，由于OLED显示器包括：阵列基板以及有机发光器件，所以要制作OLED显示器的话，还需要在上述阵列基板上形成有机发光器件60的阳极601、有机发光器件的有机功能层602，有机发光器件的阴极603，还可以进一步的包括：像素界定层106。
需要说明的是，在发明所有实施例中，上述扫描线，数据线、电源线、以及开关薄膜晶体管的栅极、源极、漏极，驱动薄膜晶体管的栅极、源极、漏极分布于两层导电薄膜；按照制作工艺上沉积导电薄膜的顺序，将先沉积的导电薄膜称为底层导电薄膜，将后沉积的导电薄膜称为顶层导电薄膜。并且，开关薄膜晶体管的漏极和驱动薄膜晶体管的栅极可以均是由顶层导电薄膜经过构图工艺所形成图案的一部分，也可以均是底层导电薄膜经过构图工艺所形成图案的一部分。其中，于图1、图2所示的阵列基板而言，开关薄膜晶体管的漏极和驱动薄膜晶体管的栅极可以均是由顶层导电薄膜经过构图工艺所形成图案的一部分，于图3、图4所示的阵列基板而言，开关薄膜晶体管的漏极和驱动薄膜晶体管的栅极可以均是由底层导电薄膜经过构图工艺所形成图案的一部分。且在图1、图2、图3、图4中主要画出与阐述本发明方案相关的部分结构，对于与其他结构只画出部分或直接省略；但将制造OLED显示器所必须的有机发光器件的阳极、阴极和有机功能层都标识图中，并进一步在图中标识出了像素界定层。
由于开关薄膜晶体管的漏极和驱动薄膜晶体管的栅极同层设置，这样两者就可以直接相连，而无需通过过孔，从而能够在实现两者电性连接的条件下，简化显示器生产过程中的制作工艺，进而能够在一定程度上提高产率。
在本实施例中，开关薄膜晶体管的漏极和驱动薄膜晶体管的栅极均是由顶层导电薄膜经过构图工艺所形成图案的一部分；并且，
优选的，所述开关薄膜晶体管40的栅极40a为底层导电薄膜经过构图工艺所形成图案的一部分；且所述开关薄膜晶体管的源极40b、漏极40c，以及所述驱动薄膜晶体管的栅极50a和源极50b、漏极50c为顶层导电薄膜经过构图工艺所形成图案的一部分。
进一步优选的，所述开关薄膜晶体管的栅极40a和所述开关薄膜晶体管的有源层401之间绝缘层(即第一绝缘层102)的厚度比所述驱动薄膜晶体管的栅极50a和所述驱动薄膜晶体管的有源层501之间绝缘层(即第二绝缘层103)的厚度大。
由于在薄膜晶体管中，栅绝缘层的材料和特性(例如：厚度)可以用于调节薄膜晶体管的特性。在本实施例中，第一绝缘层102作为开关薄膜晶体管40的栅绝缘层，第二绝缘层103作为驱动薄膜晶体管50的栅绝缘层。而由于开关晶体管需要较好的电荷保持性能，可以增加第一绝缘层102的厚度来降低栅极的漏电流，驱动晶体管需要较大的电流以提高有机发光器件的亮度，从而可以减薄第二绝缘层103的厚度来增加开态电流。
另外，对于开关薄膜晶体管的有源层401和/或所述驱动薄膜晶体管的有源层501的材料可以是通常使用的非氧化物半导体材料，例如，硅、非晶硅、或者多晶硅；在本发明实施例中，优选的，开关薄膜晶体管的有源层401和/或所述驱动薄膜晶体管的有源层501的材料为氧化物半导体。更进一步优选的，开关薄膜晶体管的有源层401和/或所述驱动薄膜晶体管的有源层501的材料为含有铟、镓、锌中至少一种金属的氧化物半导体。
使用氧化物半导体作为有源层的薄膜晶体管的特性优于使用非氧化物半导体作为有源层的薄膜晶体管的特性。例如，氧化物半导体相对于非晶硅而言，会增强薄膜晶体管的如迁移率、开态电流、开关特性等特性。氧化物半导体相对于多晶硅而言，均匀性较好，不需要增加补偿电路，在掩膜数量和制作难度上均有优势，因此，在制作大尺寸的显示器方面也有优势。而且氧化物半导体薄膜采用溅射等方法就可以制备，不需增加额外的设备，具有成本优势。
本发明实施例还提供了一种显示器，包括：上述任一种阵列基板以及有机发光器件；其中，所述有机发光器件包括：阳极、阴极和有机功能层。实际上，由于该显示器包含有机发光器件(OLED)，故这样的显示器可以一般称为OLED显示器。
具体的，若上述OLED显示器中的有机发光器件只能发白光，则包含这种有机发光器件的OLED显示器可以还包括一个设置有红、蓝、绿三种颜色像素结构的彩膜基板。若上述OLED显示器中的有机发光器件可以发出红、蓝、绿中的一种颜色的光，则包含这种有机发光器件的OLED显示器可以只包含上述阵列基板和发光显示器件，当然还可以包含一透明基板以保护阵列基板上的层结构以及发光显示器件的结构。
本发明实施例还提供了上述图1、图2中阵列基板的制作方法，包括：
步骤S101、参考图2A，在衬底基板101上制作底层导电薄膜，并通过构图工艺至少形成开关薄膜晶体管40的栅极和扫描线(在图中未标示)；
其中，底层导电薄膜的材料可以是钼，铝，铜，铬等任一金属，也可以是含有这些金属的合金，还可以是ITO等的导电化合物。这些材料可以使用蒸镀的方法制备，也可以使用溅射的方法制备，还可以通过精细电镀的方法制备形成底层导电薄膜。
步骤S102、参考图2B，制作第一绝缘层102；
其中，第一绝缘层102可以是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等薄膜，也可以是这些薄膜的叠层结构。这些绝缘薄膜可以采用PECVD方法制备，也可以采用溅射的方法制备。
步骤S103、参考图2C，制作半导体薄膜，并通过构图工艺形成开关薄膜晶体管的有源层401、驱动薄膜晶体管的有源层501；
其中，开关薄膜晶体管的有源层40位于开关薄膜晶体管的栅极40a的上方区域，驱动薄膜晶体管的有源层501位于像素单元中开关薄膜晶体管所在区域之外的其他区域。
另外，对于开关薄膜晶体管的有源层401和/或所述驱动薄膜晶体管的有源层501的材料可以是通常使用的非氧化物半导体材料，例如，硅、非晶硅、或者多晶硅；在本发明实施例中，优选的，开关薄膜晶体管的有源层401和/或所述驱动薄膜晶体管的有源层501的材料为氧化物半导体。更进一步优选的，开关薄膜晶体管的有源层401和/或所述驱动薄膜晶体管的有源层501的材料为含有铟、镓、锌中至少一种金属的氧化物半导体。
并且利用氧化物半导体材料制作半导体薄膜可以采用溅射方法制备，也可以采用旋涂的方法来制备。
步骤S104、参考图2D，制作第二绝缘层103，并通过过孔连接工艺至少在覆盖开关薄膜晶体管40有源层上的第二绝缘层103上形成两个过孔，在覆盖驱动薄膜晶体管50有源层上的第二绝缘层103上形成两个过孔；
其中，图中的4个过孔使得开关薄膜晶体管的有源层401、驱动薄膜晶体管的有源层501的部分区域裸露在外。
另外，第二绝缘层可以是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等薄膜，也可以是这些薄膜的叠层结构。上述绝缘薄膜可以采用PECVD方法制备，也可以采用溅射的方法制备。过孔可以通过离子反应刻蚀来形成。
步骤S105、参考图2E，制作顶层导电薄膜，覆盖上述第二绝缘层103上的过孔，并通过构图工艺至少形成开关薄膜晶体管的源极40b、漏极40c，驱动薄膜晶体管的栅极50a和源极50b、漏极50c以及数据线、电源线(图中未标示)；其中，开关薄膜晶体管的源极40b和数据线直接相连，驱动薄膜晶体管的源极50b和电源线直接相连，且开关薄膜晶体管的漏极40c和驱动薄膜晶体管的栅极50a直接相连；
并且，开关薄膜晶体管的源极40b、漏极40c分别通过步骤S104中的过孔与开关薄膜晶体管的有源层401相连；驱动薄膜晶体管的源极50b、漏极50c分别通过步骤S104中的过孔与驱动薄膜晶体管的有源层501相连。
上述顶层导电薄膜的材料可以是钼，铝，铜，铬等中任一种金属，也可以是含有这些金属的合金，还可以是ITO等的导电化合物，还可以是上述各导电材料构成的叠层结构。这些材料可以使用蒸镀的方法制备，也可以使用溅射的方法制备，还可以通过精细电镀的方法制备形成顶层导电薄膜。
截止至步骤S105，共通过4次掩模板构图工艺就可以同时形成两个薄膜晶体管，并且这两个薄膜晶体管可以具有不同的特性。第一薄膜晶体管的漏极和第二薄膜晶体管的栅极同层设置并且电性连接，而且它们之间的连接不需要采用通孔。
下面，还需要制作第三绝缘层，并在该第三绝缘层上形成用于与有机发光器件的阳极电性连接的过孔；具体有以下两种方式，其中利用第一种方式所制造的阵列基板上形成有平坦化层，利用第二中方式所制造的阵列基板上不形成平坦化层。
第一种方式：包括：步骤S106-S107；
步骤S106、参考图2F，制作第三绝缘层104；
其中，第三绝缘层104可以是氧化硅，也可以是氮化硅，也可以是氧化硅与氮化硅的多层结构。该绝缘薄膜可以采用PECVD方法制备，也可以采用溅射的方法制备。
步骤S107、参考图2G，制作平坦化层105，并通过过孔连接工艺至少在覆盖驱动薄膜晶体管的漏极50c的第三绝缘层104和平坦化层105上形成过孔；
其中，平坦化层的材料可以是有机材料，如聚酰亚胺等，该平坦化层可以采用旋涂的方法制备。
此时已经完成阵列基板的制造，若制造OLED显示器，则继续进行以下步骤：
参考图2H，制作有机发光器件的阳极601，覆盖上述第三绝缘层104和平坦化层105上所形成的过孔。这样就使得有机发光器件60的阳极601通过该过孔和驱动薄膜晶体管的漏极50c相连。当然，最终形成图2所示的OLED显示器的部分结构，还需要依次形成像素界定层106、有机发光器件60的有机功能层602，以及有机发光器件60的阴极603。
第二种方式：
制作第三绝缘层，并利用一次构图工艺在该第三绝缘层上形成过孔。
此时，完成阵列基板的制造，若制造OLED显示器，则继续制作有机发光器件的阳极、像素界定层、有机发光器件的有机功能层，以及有机发光器件的阴极。
此种方式虽然没有对应图示，但本领域技术人员可以通过现有技术不经过创造性劳动，就可以得到该第二种方式所描述的阵列基板的制造方法。
上述制作方式使得开关薄膜晶体管的漏极和驱动薄膜晶体管的栅极同层设置且直接相连，而无需通过过孔，从而能够在实现两者电性连接的条件下，简化显示器生产过程中的制作工艺，进而能够在一定程度上提高产率。
实施例二：
本发明实施例提供了一种阵列基板，参考图3、图4，包括：相互垂直的扫描线10和数据线20，与数据线20平行的电源线30，以及所述扫描线10和数据线20所限定的像素单元；在所述像素单元内至少形成有开关薄膜晶体管40、驱动薄膜晶体管50；其中，所述开关薄膜晶体管40的栅极40a和所述扫描线10电性连接、源极40b和所述数据线20电性连接，漏极40c和所述驱动薄膜晶体管50的栅极50a电性连接；所述驱动薄膜晶体管50的源极50b和所述电源线30电性连接，漏极50c和有机发光器件60的阳极601电性连接；并且，所述开关薄膜晶体管的漏极40c和所述驱动薄膜晶体管的栅极50a同层设置。
当然，如图3所示，阵列基板还可以包括：起到绝缘作用的第一绝缘层102、第二绝缘层103，以及覆盖两个薄膜晶体管40、50的第三绝缘层104。当然，由于OLED显示器可以包括：阵列基板以及有机发光器件，所以要制作OLED显示器的话，还需要在上述阵列基板上形成有机发光器件60的阳极601、有机发光器件的有机功能层602，有机发光器件的阴极603，还可以进一步的包括：像素界定层106。
由于开关薄膜晶体管的漏极和驱动薄膜晶体管的栅极同层设置，这样两者就可以直接相连，而无需通过过孔，从而能够在实现两者电性连接的条件下，简化显示器生产过程中的制作工艺，进而能够在一定程度上提高产率。
在本实施例中，开关薄膜晶体管的漏极和驱动薄膜晶体管的栅极均是由底层导电薄膜经过构图工艺所形成图案的一部分；并且，
优选的，所述开关薄膜晶体管的源极40b、漏极40c，以及所述驱动薄膜晶体管的栅极50a和源极50b、漏极50c为底层导电薄膜经过构图工艺所形成图案的一部分；所述开关薄膜晶体管的栅极40a为顶层导电薄膜经过构图工艺所形成图案的一部分。
进一步优选的，所述开关薄膜晶体管的栅极40a和所述开关薄膜晶体管的有源层401之间绝缘层(即第二绝缘层103)的厚度比所述驱动薄膜晶体管的栅极50a和所述驱动薄膜晶体管的有源层501之间绝缘层(即第一绝缘层102)的厚度大。
由于在薄膜晶体管中，栅绝缘层的材料和特性(例如：厚度)可以用于调节薄膜晶体管的特性。在本实施例中，第二绝缘层103作为开关薄膜晶体管40的栅绝缘层，第一绝缘层102作为驱动薄膜晶体管50的栅绝缘层。而由于开关晶体管需要较好的电荷保持性能，可以增加第二绝缘层103的厚度来降低栅极的漏电流，驱动晶体管需要较大的电流以提高有机发光器件的亮度，从而可以减薄第一绝缘层102的厚度来增加开态电流。
另外，对于开关薄膜晶体管的有源层401和/或所述驱动薄膜晶体管的有源层501的材料可以是通常使用的非氧化物半导体材料，例如，硅、非晶硅、或者多晶硅；在本发明实施例中，优选的，开关薄膜晶体管的有源层401和/或所述驱动薄膜晶体管的有源层501的材料为氧化物半导体。更进一步优选的，开关薄膜晶体管的有源层401和/或所述驱动薄膜晶体管的有源层501的材料为含有铟、镓、锌中至少一种金属的氧化物半导体。
使用氧化物半导体作为有源层的薄膜晶体管的特性优于使用非氧化物半导体作为有源层的薄膜晶体管的特性。例如，氧化物半导体相对于非晶硅而言，会增强薄膜晶体管的如迁移率、开态电流、开关特性等特性。氧化物半导体相对于多晶硅而言，能够其均匀性较好，不需要增加补偿电路，在掩膜数量和制作难度上均有优势，因此，在制作大尺寸的显示器方面也有优势。而且氧化物半导体薄膜采用溅射等方法就可以制备，不需增加额外的设备，具有成本优势。
本发明实施例还提供了一种OLED显示器，包括本发明实施例中提供的上述任一种阵列基板以及有机发光器件；其中，所述有机发光器件包括：阳极、阴极和有机功能层。
具体的，若上述OLED显示器中的有机发光器件只能发白光，则包含这种有机发光器件的OLED显示器可以还包括一个设置有红、蓝、绿三种颜色像素结构的彩膜基板。若上述OLED显示器中的有机发光器件可以发出红、蓝、绿中的一种颜色的光，则包含这种有机发光器件的OLED显示器可以只包含上述阵列基板和发光显示器件，当然还可以包含一透明基板以保护阵列基板上的层结构以及发光显示器件的结构。
本发明实施例还提供了上述图3、图4中阵列基板的制作方法，包括：
步骤S201、在衬底基板101上制作底层导电薄膜，并通过构图工艺至少形成开关薄膜晶体管的源极40b、漏极40c，驱动薄膜晶体管50的栅极50a和源极50b、漏极50c以及数据线20、电源线30；其中，开关薄膜晶体管40的源极40b和数据线20直接相连，驱动薄膜晶体管的源极50b和电源线30直接相连，且开关薄膜晶体管的漏极40c和驱动薄膜晶体管的栅极50a直接相连；
步骤S202、制作第一绝缘层102，并通过过孔连接工艺至少在覆盖开关薄膜晶体管40源极40b、漏极40c，驱动薄膜晶体管源极50b、漏极50c的第一绝缘层102上分别形成过孔；
步骤S203、制作半导体薄膜，覆盖上述第一绝缘层102上的过孔，并通过构图工艺形成开关薄膜晶体管的有源层401、驱动薄膜晶体管的有源层501；
步骤S204、制作第二绝缘层103；
步骤S205、制作顶层导电薄膜，并通过构图工艺至少形成开关薄膜晶体管的栅极40a和扫描线10；
截止至步骤S205，共通过4次掩模板构图工艺就可以同时形成两个薄膜晶体管，并且这两个薄膜晶体管可以具有不同的特性。第一薄膜晶体管的漏极和第二薄膜晶体管的栅极同层设置并且电性连接，而且它们之间的连接不需要采用通孔。
下面，还需要制作第三绝缘层，并在该第三绝缘层上形成用于与有机发光器件的阳极电性连接的过孔；具体有以下两种方式，其中利用第一种方式所制造的阵列基板上形成有平坦化层，利用第二中方式所制造的阵列基板上不形成平坦化层。
第一种方式：包括：步骤S206-S207；
步骤S206、制作第三绝缘层104；
步骤S207、制作平坦化层105，并通过过孔连接工艺至少在覆盖驱动薄膜晶体管的漏极50c的第一绝缘层102、第二绝缘层103、第三绝缘层104和平坦化层105上形成过孔；
此时已经完成OLED阵列基板的制造，若制造OLED显示器，则继续进行进行以下步骤：
制作有机发光器件60的阳极601，覆盖上述第一绝缘层102、第二绝缘层103、第三绝缘层104和平坦化层105上所形成的过孔。
当然，最终形成图3、图4所示的OLED显示器的部分结构，还需要依次形成像素界定层106、有机发光器件60的有机功能层602，以及有机发光器件60的阴极603。
第二种方式：
制作第三绝缘层，并利用一次构图工艺在该第三绝缘层上形成过孔。
此时，完成阵列基板的制造，若制造显示器，则继续制作有机发光器件的阳极、像素界定层、有机发光器件的有机功能层，以及有机发光器件的阴极。
此种方式虽然没有对应图示，但本领域技术人员可以通过现有技术不经过创造性劳动，就可以得到该第二种方式所描述的阵列基板的制造方法。
需要说明的是，本发明实施例提供的阵列基板的制作方法中，各层所使用的材料以及制备方法都可以参照实施例一中的制作方法，在本实施例中不再赘述。另外，虽然在本发明实施例中的并未针对该制作方法给出每一步骤的附图，但本领域技术人员根据上述步骤以及图3、图4可以制作出图3、图4所示的结构。
本发明实施例提供的制作方式使得开关薄膜晶体管的漏极和驱动薄膜晶体管的栅极同层设置且直接相连，而无需通过过孔，从而能够在实现两者电性连接的条件下，简化OLED显示器生产过程中的制作工艺，进而能够在一定程度上提高产率。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (11)

1.一种电路，其特征在于，至少包括相连的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的漏极和所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接，所述第一薄膜晶体管的漏极和所述第二薄膜晶体管的栅极同层设置。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管为开关薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管为驱动薄膜晶体管；其中，所述开关薄膜晶体管的栅极连接扫描信号、源极连接数据信号，漏极和所述驱动薄膜晶体管的栅极电性连接；所述驱动薄膜晶体管的源极连接电源信号，漏极和有机发光器件的阳极电性连接；所述开关薄膜晶体管的漏极和所述驱动薄膜晶体管的栅极同层设置，且利用同一次构图工艺形成。
3.一种阵列基板，包括：相互垂直的扫描线和数据线，与数据线平行的电源线，以及所述扫描线和数据线所限定的像素单元；在所述像素单元内至少形成有开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管；其中，所述开关薄膜晶体管的栅极和所述扫描线电性连接、源极和所述数据线电性连接，漏极和所述驱动薄膜晶体管的栅极电性连接；所述驱动薄膜晶体管的源极和所述电源线电性连接，漏极和有机发光器件的阳极电性连接；其特征在于，所述开关薄膜晶体管的漏极和所述驱动薄膜晶体管的栅极同层设置。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述开关薄膜晶体管的栅极为底层导电薄膜经过构图工艺所形成图案的一部分；
所述开关薄膜晶体管的源、漏极，以及所述驱动薄膜晶体管的栅极和源、漏极为顶层导电薄膜经过构图工艺所形成图案的一部分。
5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述开关薄膜晶体管的源、漏极，以及所述驱动薄膜晶体管的栅极和源、漏极为底层导电薄膜经过构图工艺所形成图案的一部分；
所述开关薄膜晶体管的栅极为顶层导电薄膜经过构图工艺所形成图案的一部分。
6.根据权利要求4或5所述的阵列基板，其特征在于，所述开关薄膜晶体管的栅极和所述开关薄膜晶体管的有源层之间绝缘层的厚度比所述驱动薄膜晶体管的栅极和所述驱动薄膜晶体管的有源层之间绝缘层的厚度大。
7.根据权利要求3-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述开关薄膜晶体管的有源层和/或所述驱动薄膜晶体管的有源层的材料为氧化物半导体。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述开关薄膜晶体管的有源层和/或所述驱动薄膜晶体管的有源层的材料为含有铟、镓、锌中至少一种金属的氧化物半导体。
9.一种显示器，其特征在于，包括：权利要求3-8任一项所述的阵列基板以及有机发光器件；其中，所述有机发光器件包括：阳极、阴极和有机功能层。
10.一种权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上制作底层导电薄膜，并通过构图工艺至少形成开关薄膜晶体管的栅极和扫描线；
制作第一绝缘层；
制作半导体薄膜，并通过构图工艺形成开关薄膜晶体管的有源层、驱动薄膜晶体管的有源层；
制作第二绝缘层，并通过过孔连接工艺至少在覆盖开关薄膜晶体管有源层上的第二绝缘层上形成两个过孔，在覆盖驱动薄膜晶体管有源层上的第二绝缘层上形成两个过孔；
制作顶层导电薄膜，覆盖上述第二绝缘层上的过孔，并通过构图工艺至少形成开关薄膜晶体管的源、漏极，驱动薄膜晶体管的栅极和源、漏极以及数据线、电源线；其中，开关薄膜晶体管的源极和数据线直接相连，驱动薄膜晶体管的源极和电源线直接相连，且开关薄膜晶体管的漏极和驱动薄膜晶体管的栅极直接相连；
制作第三绝缘层，并在该第三绝缘层上形成用于与有机发光器件的阳极电性连接的过孔。
11.一种权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上制作底层导电薄膜，并通过构图工艺至少形成开关薄膜晶体管的源、漏极，驱动薄膜晶体管的栅极和源、漏极以及数据线、电源线；其中，开关薄膜晶体管的源极和数据线直接相连，驱动薄膜晶体管的源极和电源线直接相连，且开关薄膜晶体管的漏极和驱动薄膜晶体管的栅极直接相连；
制作第一绝缘层，并通过过孔连接工艺至少在覆盖开关薄膜晶体管源极、漏极，驱动薄膜晶体管源极、漏极的第一绝缘层上分别形成过孔；
制作半导体薄膜，覆盖上述第一绝缘层上的过孔，并通过构图工艺形成开关薄膜晶体管的有源层、驱动薄膜晶体管的有源层；
制作第二绝缘层；
制作顶层导电薄膜，并通过构图工艺至少形成开关薄膜晶体管的栅极和扫描线；
制作第三绝缘层，并在该第三绝缘层上形成用于与有机发光器件的阳极电性连接的过孔。
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