CN107039465A - 一种阵列基板及制备方法、显示面板和显示装置 - Google Patents
一种阵列基板及制备方法、显示面板和显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107039465A CN107039465A CN201710293240.9A CN201710293240A CN107039465A CN 107039465 A CN107039465 A CN 107039465A CN 201710293240 A CN201710293240 A CN 201710293240A CN 107039465 A CN107039465 A CN 107039465A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- electric capacity
- array base
- base palte
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 6
- 101150037603 cst-1 gene Proteins 0.000 description 9
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Geometry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了一种阵列基板及制备方法、显示面板和显示装置，包括：位于衬底基板上的像素电路，像素电路至少包括驱动晶体管、开关晶体管和第一电容；其中，第一电容的第一电极分别连接驱动晶体管的栅电极和开关晶体管的源极；阵列基板还包括覆盖第一电容的第一电极的钝化层，通过将钝化层在与第一电容的第一电极对应的区域设置的凹槽中设置第一电容的第二电极，与现有技术将第二电极设置在钝化层上相比，减小了第一电极与第二电极之间的距离，增加了电容的存储量，从而实现在保证电容存储量的同时可设置较小的电极面积，增大阵列基板的开口率，从而增加显示质量。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及制备方法、显示面板和显示装置。
背景技术
有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode，AM-OLED)具有自发光、亮度高、视角宽、对比度高、功耗低等一系列的优点，而受到人们广泛的关注。
如图1所示，现有的AM-OLED阵列基板一般采用3T1C的驱动方式，即每个子像素有3个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)和1个存储电容Cst进行驱动。开关管T1将Data信号储存在存储电容Cst中，补偿管T2给驱动管T3提供补偿电流，驱动管T3给OLED提供电流，驱动AM-OLED发出相应的光。通常情况下，存储电容Cst足够大，才能保证开关管T1关闭时，驱动管T3管保持导通状态，维持AM-OLED的电流，驱动AM-OLED发出相应的光。
现有技术中，如图2所示，存储电容Cst由第一电极1和第二电极2组成，其中第二电极2设置在钝化层3上，为了增大存储电容Cst的电容值，以满足驱动电路的需求，一般存储电容Cst的第一电极1和第二电极2的面积会做的比较大。但是，存储电容Cst的第二电极2的面积做的比较大会严重降低显示器件的开口率，影响到显示面板的显示质量。
因此，如何在保证存储电容电容值基础上提高阵列基板的开口率是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供了一种阵列基板及制备方法、显示面板和显示装置，用于实现在增大存储电容的电容值的基础上增大阵列基板的开口率，从而提高显示质量的问题。
因此，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底基板、位于所述衬底基板上的像素电路，所述像素电路至少包括驱动晶体管、开关晶体管和第一电容；其中，所述第一电容的第一电极分别连接所述驱动晶体管的栅电极和所述开关晶体管的源极；
所述阵列基板还包括覆盖所述第一电容的所述第一电极的钝化层，且所述钝化层在与所述第一电容的所述第一电极对应的区域设置有凹槽；
所述第一电容的第二电极位于所述凹槽中，且所述第一电容的所述第二电极通过贯穿所述钝化层的过孔与所述驱动晶体管的源极相连。
较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述像素电路中还包括第二电容；其中所述第一电容的第一电极复用为所述第二电容的第一电极，所述第二电容的第二电极位于所述第二电容的所述第一电极的下方。
较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述驱动晶体管和所述开关晶体管中具有相同功能的膜层同层设置。
较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，在所述驱动晶体管中，栅电极位于有源层的下方，源极和漏极位于有源层的上方。
较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述第二电容的第二电极与所述栅电极同层设置。
较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括位于源极和漏极与所述有源层之间的刻蚀阻挡层，所述源极通过贯穿所述的刻蚀阻挡层的过孔与所述有源层电连接。
较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述第二电容的第二电极与所述栅电极同层设置，或所述第二电容的第二电极与所述有源层同层设置。
相应地，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括本发明实施例提供的上述阵列基板。
相应地，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述显示面板。
相应地，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制备方法，包括：
在所述衬底基板上形成所述驱动晶体管和所述开关晶体管，且形成所述第一电容的第一电极的图形，其中所述第一电容的第一电极分别连接所述驱动晶体管的栅电极和所述开关晶体管的源极；
形成覆盖所述第一电容的所述第一电极的钝化层的图形，且所述钝化层在与所述第一电容的所述第一电极对应的区域设置有凹槽和贯穿所述钝化层的过孔；
在所述凹槽中形成所述第一电容的第二电极的图形，且所述第一电容的所述第二电极通过所述过孔与所述驱动晶体管的源极相连。
较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板的制备方法中，采用半色调掩膜板或灰色调掩膜板形成所述钝化层的图形。
本发明实施例提供的上述一种阵列基板及制备方法、显示面板和显示装置，包括：衬底基板、位于衬底基板上的像素电路，像素电路至少包括驱动晶体管、开关晶体管和第一电容；其中，第一电容的第一电极分别连接驱动晶体管的栅电极和开关晶体管的源极；阵列基板还包括覆盖第一电容的第一电极的钝化层，且钝化层在与第一电容的第一电极对应的区域设置有凹槽；第一电容的第二电极位于凹槽中，且第一电容的第二电极通过贯穿钝化层的过孔与驱动晶体管的源极相连，通过将钝化层在与第一电容的第一电极对应的区域设置的凹槽中设置第一电容的第二电极，与现有技术将第二电极设置在钝化层上相比，减小了第一电极与第二电极之间的距离，增加了电容的存储量，从而实现在保证电容存储量的同时可设置较小的电极面积，增大阵列基板的开口率，从而增加显示质量。
附图说明
图1为现有技术中的驱动电路图；
图2为现有技术中的驱动电路对应的阵列基板的剖面结构示意图；
图3为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的阵列基板的制备方法的流程图；
图5a至图5h为本发明实施例提供的阵列基板在执行各步骤后的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
下面结合附图，对本发明实施例提供的阵列基板及制备方法、显示面板和显示装置的具体实施方式进行详细地说明。
本发明实施例提供的一种阵列基板，如图3所示，包括：衬底基板4、位于衬底基板4上的像素电路，像素电路至少包括驱动晶体管7、开关晶体管8和第一电容Cst1；其中，第一电容Cst1的第一电极1分别连接驱动晶体管7的栅电极9和开关晶体管8的源极12；
阵列基板还包括覆盖第一电容Cst1的第一电极1的钝化层3，且钝化层3在与第一电容Cst1的第一电极1对应的区域设置有凹槽13；
第一电容Cst1的第二电极2位于凹槽13中，且第一电容Cst1的第二电极2通过贯穿钝化层的过孔14与驱动晶体管7的源极12相连。
本发明实施例提供的上述一种阵列基板，包括：衬底基板、位于衬底基板上的像素电路，像素电路至少包括驱动晶体管、开关晶体管和第一电容；其中，第一电容的第一电极分别连接驱动晶体管的栅电极和开关晶体管的源极；阵列基板还包括覆盖第一电容的第一电极的钝化层，且钝化层在与第一电容的第一电极对应的区域设置有凹槽；第一电容的第二电极位于凹槽中，且第一电容的第二电极通过贯穿钝化层的过孔与驱动晶体管的源极相连，通过将钝化层在与第一电容的第一电极对应的区域设置的凹槽中设置第一电容的第二电极，与现有技术将第二电极设置在钝化层上相比，减小了第一电极与第二电极之间的距离，增加了电容的存储量，从而实现在保证电容存储量的同时可设置较小的电极面积，增大阵列基板的开口率，从而增加显示质量。
在具体实施中，这开关晶体管的源极和漏极根据晶体管类型以及输入信号的不同，其功能可以互换，在此不做具体区分。
在具体实施时，为了进一步增加电容的存储量，在本发明实施例提供的阵列基板，如图3所示，像素电路中还包括第二电容Cst2；其中第一电容Cst1的第一电极1复用为第二电容Cst2的第一电极1，第二电容的第二电极15位于第二电容Cst2的第一电极1的下方。
通过在阵列基板上设置并联的两个电容，增加电容的存储量，其中，第一电容的第一电极与第二电容的第一电极进行复用，减少了电极层数的设置，节约了工艺步骤，同时进一步的增加了电容的存储量。
较佳地，在本发明实施例提供的阵列基板中，如图3所示，驱动晶体管7和开关晶体管8中具有相同功能的膜层同层设置。
将具有相同功能的膜层同层设置，可以通过一次构图工艺在同一层上形成具有相同功能的膜层，这样减少了构图工艺的步骤，节约了成本。
较佳地，在本发明实施例提供的阵列基板中，如图3所示，在驱动晶体管7中，栅电极9位于有源层10的下方，源极12和漏极11位于有源层10的上方。该种层结构的设置有利于像素电路的布线，更好的使第一电容的第一电极的一端与驱动晶体管的栅电极连接，第一电容的第二电极与驱动晶体管的源极连接。
在具体实施时，在本发明实施例提供的阵列基板中，第二电容的第二电极可以与栅电极同层设置(在附图中未示出)。第二电容的第二电极与栅电极同层设置，栅极绝缘层可使第二电容的第一电极与第二电容的第二电极相互绝缘，从而使与第二电容的第一电极与第二电容的第二电极形成第二电容结构。
在具体实施时，为了避免在对源极或漏极进行刻蚀时伤害有源层，在本发明实施例提供的阵列基板中，如图3所示，还包括位于源极12和漏极11与有源层10之间的刻蚀阻挡层6，源极12通过贯穿的刻蚀阻挡层6的过孔与有源层10电连接。
较佳地，在本发明实施例提供的阵列基板中，第二电容的第二电极与栅电极同层设置，或第二电容的第二电极与有源层同层设置。当第二电容的第二电极与有源层同层设置时，可以进一步的减小第二电容的第一电极与第二电容的第二电极之间的距离，可进一步的增加第二电容的存储量。
在具体实施时，在本发明实施例提供的阵列基板中，在钝化层上方还设置有彩膜图形，在彩膜图形上方设置有保护层。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板，该显示面板包括上述实施例中的阵列基板，由于该显示面板解决问题的原理与前述一种阵列基板相似，因此该该显示面板的实施可以参见前述阵列基板的实施，重复之处不再赘述。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述实施例的显示面板。由于该显示装置解决问题的原理与前述一种显示面板相似，因此该显示装置的实施可以参见前述显示面板的实施，重复之处不再赘述。
其中，该显示装置可以为有机电致发光显示器和任何适用于该结构的显示器。该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，在此不作限定。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制备方法，如图4所示，具体包括：
S401、在衬底基板上形成驱动晶体管和开关晶体管，且形成第一电容的第一电极的图形，其中第一电容的第一电极分别连接驱动晶体管的栅电极和开关晶体管的源极；
S402、形成覆盖第一电容的第一电极的钝化层的图形，且钝化层在与第一电容的第一电极对应的区域设置有凹槽和贯穿钝化层的过孔；
S403、在凹槽中形成第一电容的第二电极的图形，且第一电容的第二电极通过过孔与驱动晶体管的源极相连。
较佳地，在具体实施，本发明实施例提供的一种阵列基板的制备方法，采用半色调掩膜板或灰色调掩膜板形成钝化层的图形。
下面结合实施例一和附图5a至5h对阵列基板的制备方法进行详细的阐述。
实施例一
以包括3个晶体管和1个电容的阵列基板为例说明，阵列基板的制备方法具体包括：
1、在衬底基板4上通过构图工艺依次形成栅电极9、栅极绝缘层5、有源层10、刻蚀阻挡层6、漏极11或源极12、钝化层3，如图5a所示；
2、在钝化层3的上方涂布光刻胶16，如图5b所示；
3、采用半色调掩膜板或灰色调掩膜板对光刻胶16进行照射，在光刻胶16上形成I区域对应的过孔区域和II区域对应凹槽区域，其中，半色调掩膜板或灰色调掩膜板包括透光区域I、半透光区域II和遮光区域III，如图5c所示；
4、采用刻蚀工艺在钝化层与驱动晶体管的源极12对应的位置形成贯穿钝化层的过孔14，如图5d所示；
5、采用一定光强的紫外线照射钝化层3与第一电容的第一电极1对应的区域，去除该区域的光刻胶，如图5e所示；
6、采用刻蚀工艺，在钝化层3与第一电容的第一电极1对应的区域形成凹槽13，如图5f所示；
7、去除剩余的所有的光刻胶，如图5g所示；
8、通过构图工艺在钝化层与第一电容Cst1的第一电极1对应的区域的凹槽13中形成第一电容Cst1的第二电极2，通过贯穿钝化层3的过孔14与驱动晶体管的源极12连接，如图5h所示。
本发明实施例提供的上述一种阵列基板及制备方法、显示面板和显示装置，包括：衬底基板、位于衬底基板上的像素电路，像素电路至少包括驱动晶体管、开关晶体管和第一电容；其中，第一电容的第一电极分别连接驱动晶体管的栅电极和开关晶体管的源极；阵列基板还包括覆盖第一电容的第一电极的钝化层，且钝化层在与第一电容的第一电极对应的区域设置有凹槽；第一电容的第二电极位于凹槽中，且第一电容的第二电极通过贯穿钝化层的过孔与驱动晶体管的源极相连，通过将钝化层在与第一电容的第一电极对应的区域设置的凹槽中设置第一电容的第二电极，与现有技术将第二电极设置在钝化层上相比，减小了第一电极与第二电极之间的距离，增加了电容的存储量，从而实现在保证电容存储量的同时可设置较小的电极面积，增大阵列基板的开口率，从而增加显示质量。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (11)
1.一种阵列基板，包括：衬底基板、位于所述衬底基板上的像素电路，所述像素电路至少包括驱动晶体管、开关晶体管和第一电容；其中，所述第一电容的第一电极分别连接所述驱动晶体管的栅电极和所述开关晶体管的源极；其特征在于：
所述阵列基板还包括覆盖所述第一电容的所述第一电极的钝化层，且所述钝化层在与所述第一电容的所述第一电极对应的区域设置有凹槽；
所述第一电容的第二电极位于所述凹槽中，且所述第一电容的所述第二电极通过贯穿所述钝化层的过孔与所述驱动晶体管的源极相连。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电路中还包括第二电容；其中所述第一电容的第一电极复用为所述第二电容的第一电极，所述第二电容的第二电极位于所述第二电容的所述第一电极的下方。
3.如权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动晶体管和所述开关晶体管中具有相同功能的膜层同层设置。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，在所述驱动晶体管中，栅电极位于有源层的下方，源极和漏极位于有源层的上方。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电容的第二电极与所述栅电极同层设置。
6.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于源极和漏极与所述有源层之间的刻蚀阻挡层，所述源极通过贯穿所述的刻蚀阻挡层的过孔与所述有源层电连接。
7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电容的第二电极与所述栅电极同层设置，或所述第二电容的第二电极与所述有源层同层设置。
8.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的阵列基板。
9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8所述的显示面板。
10.一种如权利要求1-7任一项所述阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
在所述衬底基板上形成所述驱动晶体管和所述开关晶体管，且形成所述第一电容的第一电极的图形，其中所述第一电容的第一电极分别连接所述驱动晶体管的栅电极和所述开关晶体管的源极；
形成覆盖所述第一电容的所述第一电极的钝化层的图形，且所述钝化层在与所述第一电容的所述第一电极对应的区域设置有凹槽和贯穿所述钝化层的过孔；
在所述凹槽中形成所述第一电容的第二电极的图形，且所述第一电容的所述第二电极通过所述过孔与所述驱动晶体管的源极相连。
11.如权利要求10所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，采用半色调掩膜板或灰色调掩膜板形成所述钝化层的图形。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710293240.9A CN107039465A (zh) | 2017-04-28 | 2017-04-28 | 一种阵列基板及制备方法、显示面板和显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710293240.9A CN107039465A (zh) | 2017-04-28 | 2017-04-28 | 一种阵列基板及制备方法、显示面板和显示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107039465A true CN107039465A (zh) | 2017-08-11 |
Family
ID=59537826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710293240.9A Pending CN107039465A (zh) | 2017-04-28 | 2017-04-28 | 一种阵列基板及制备方法、显示面板和显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107039465A (zh) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108550582A (zh) * | 2018-05-09 | 2018-09-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法、显示装置 |
| CN108735792A (zh) * | 2018-08-14 | 2018-11-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 底发射型oled阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 |
| CN109473461A (zh) * | 2018-10-18 | 2019-03-15 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled面板及其制作方法 |
| CN109765733A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-05-17 | 成都中电熊猫显示科技有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及显示装置 |
| CN110098054A (zh) * | 2018-01-31 | 2019-08-06 | 三星电机株式会社 | 电容器组件 |
| CN110416232A (zh) * | 2019-08-22 | 2019-11-05 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置 |
| CN110752245A (zh) * | 2019-11-01 | 2020-02-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板和显示面板的制备方法 |
| WO2020037717A1 (zh) * | 2018-08-21 | 2020-02-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板 |
| CN111223818A (zh) * | 2020-01-17 | 2020-06-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 像素驱动电路及其制作方法 |
| CN111312728A (zh) * | 2020-02-27 | 2020-06-19 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法 |
| WO2021227744A1 (zh) * | 2020-05-15 | 2021-11-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| EP4075511A4 (en) * | 2019-12-13 | 2024-01-17 | BOE Technology Group Co., Ltd. | DISPLAY SUBSTRATE AND DISPLAY APPARATUS |
| CN117747601A (zh) * | 2024-02-21 | 2024-03-22 | 北京大学 | 基于埋入式硅基的大阵列apd基板及制备方法、功能芯片 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020076861A1 (en) * | 1999-12-31 | 2002-06-20 | Kwon Keuk-Sang | Method for fabricating array substrate for X-ray detector |
| CN103700347A (zh) * | 2014-01-10 | 2014-04-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 有机发光二极管的驱动电路 |
| CN104350532A (zh) * | 2012-06-15 | 2015-02-11 | 索尼公司 | 显示装置、半导体装置和制造显示装置的方法 |
| CN104795428A (zh) * | 2015-04-10 | 2015-07-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法以及显示装置 |
| CN105590581A (zh) * | 2014-10-21 | 2016-05-18 | 张学一 | 一种有机发光二极管的电流型像素驱动电路 |
| CN106549022A (zh) * | 2016-12-26 | 2017-03-29 | 上海天马微电子有限公司 | 一种阵列基板及其制造方法、显示面板、电子设备 |
-
2017
- 2017-04-28 CN CN201710293240.9A patent/CN107039465A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020076861A1 (en) * | 1999-12-31 | 2002-06-20 | Kwon Keuk-Sang | Method for fabricating array substrate for X-ray detector |
| CN104350532A (zh) * | 2012-06-15 | 2015-02-11 | 索尼公司 | 显示装置、半导体装置和制造显示装置的方法 |
| CN103700347A (zh) * | 2014-01-10 | 2014-04-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 有机发光二极管的驱动电路 |
| CN105590581A (zh) * | 2014-10-21 | 2016-05-18 | 张学一 | 一种有机发光二极管的电流型像素驱动电路 |
| CN104795428A (zh) * | 2015-04-10 | 2015-07-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法以及显示装置 |
| CN106549022A (zh) * | 2016-12-26 | 2017-03-29 | 上海天马微电子有限公司 | 一种阵列基板及其制造方法、显示面板、电子设备 |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110098054A (zh) * | 2018-01-31 | 2019-08-06 | 三星电机株式会社 | 电容器组件 |
| CN110098054B (zh) * | 2018-01-31 | 2022-05-10 | 三星电机株式会社 | 电容器组件 |
| CN108550582A (zh) * | 2018-05-09 | 2018-09-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法、显示装置 |
| CN108735792B (zh) * | 2018-08-14 | 2020-07-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 底发射型oled阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 |
| CN108735792A (zh) * | 2018-08-14 | 2018-11-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 底发射型oled阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 |
| WO2020037717A1 (zh) * | 2018-08-21 | 2020-02-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板 |
| CN109473461A (zh) * | 2018-10-18 | 2019-03-15 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled面板及其制作方法 |
| CN109765733A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-05-17 | 成都中电熊猫显示科技有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及显示装置 |
| CN110416232A (zh) * | 2019-08-22 | 2019-11-05 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置 |
| CN110416232B (zh) * | 2019-08-22 | 2021-11-12 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置 |
| CN110752245A (zh) * | 2019-11-01 | 2020-02-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板和显示面板的制备方法 |
| JP7541009B2 (ja) | 2019-12-13 | 2024-08-27 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 | 表示基板及び表示装置 |
| US11963420B2 (en) | 2019-12-13 | 2024-04-16 | Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. | Display substrate and display device |
| EP4075511A4 (en) * | 2019-12-13 | 2024-01-17 | BOE Technology Group Co., Ltd. | DISPLAY SUBSTRATE AND DISPLAY APPARATUS |
| CN111223818A (zh) * | 2020-01-17 | 2020-06-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 像素驱动电路及其制作方法 |
| CN111312728A (zh) * | 2020-02-27 | 2020-06-19 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法 |
| WO2021227744A1 (zh) * | 2020-05-15 | 2021-11-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN117747601A (zh) * | 2024-02-21 | 2024-03-22 | 北京大学 | 基于埋入式硅基的大阵列apd基板及制备方法、功能芯片 |
| CN117747601B (zh) * | 2024-02-21 | 2024-05-28 | 北京大学 | 基于埋入式硅基的大阵列apd基板及制备方法、功能芯片 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107039465A (zh) | 一种阵列基板及制备方法、显示面板和显示装置 | |
| US11228014B2 (en) | OLED display panel and manufacturing method thereof | |
| US10714557B2 (en) | Substrate for display device and display device including the same | |
| CN108257972B (zh) | 显示装置 | |
| DE102020135114B4 (de) | Lichtemissionsvorrichtung und damit versehene Mehrbildschirmanzeigevorrichtung | |
| CN104022139B (zh) | 一种有机电致发光显示面板及显示装置 | |
| KR101127859B1 (ko) | 단색 발광 표시장치 및 이의 제조방법 | |
| US20220036817A1 (en) | Transparent display panels and display panels | |
| CN104659072B (zh) | 阵列基板和阵列基板制作方法 | |
| CN209691758U (zh) | 显示面板和显示装置 | |
| CN107799564A (zh) | 有机发光阵列和使用其的有机发光显示装置 | |
| CN110047898A (zh) | 显示基板及其制造方法、显示装置 | |
| US20220005890A1 (en) | An array substrate, a method for manufacturing the same, and a display device | |
| CN102629621A (zh) | 一种电路、阵列基板及制作方法、显示器 | |
| CN110571257B (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
| KR20190073848A (ko) | 표시 장치 | |
| CN108511621A (zh) | 一种显示面板及其制造方法 | |
| CN103489894A (zh) | 有源矩阵有机电致发光显示器件、显示装置及其制作方法 | |
| KR20190073867A (ko) | 표시 장치 | |
| KR20190073850A (ko) | 표시 장치 | |
| CN104966728B (zh) | 显示基板及其制作方法以及显示装置 | |
| CN106997893A (zh) | 有机发光显示装置及其制造方法 | |
| CN106898617A (zh) | 基板及其制备方法、显示面板和显示装置 | |
| CN112038383A (zh) | 一种显示面板、制备方法及显示装置 | |
| CN110416274B (zh) | 一种基板及其制备方法和oled显示面板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170811 |