KR101127859B1 - 단색 발광 표시장치 및 이의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 단색 발광(Monochrome Light Emitting) 표시패널의 화소 구조를 변경하여 명암비와 해상도를 향상시킴과 아울러 컬러 쉬프트 현상을 방지하여 보다 명확한 영상을 표시할 수 있도록 한 단색 발광 표시장치 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 제 1 및 제 2 서브 화소로 이루어진 단위 화소들이 매트릭스 형태로 배열되어 단색의 영상을 표시하는 표시패널; 상기 표시패널의 게이트 라인 및 데이터 라인들을 각각 구동하는 게이트 및 데이터 구동부; 및 외부로부터 입력되는 RGB 데이터를 상기 표시패널의 구동에 알맞게 정렬하여 상기 데이터 구동부에 공급함과 아울러 게이트 및 데이터 제어신호를 생성하여 상기 게이트 및 데이터 구동부를 제어하는 타이밍 제어부를 구비한 것을 특징으로 한다.
발광 표시장치, 표시 패널, AMOLED, 서브 화소 구조,
Description
본 발명은 발광 표시장치에 관한 것으로, 특히 단색 발광(Monochrome Light Emitting) 표시패널의 화소 구조를 변경하여 명암비와 해상도를 향상시킴과 아울러 컬러 쉬프트 현상을 방지하여 보다 명확한 영상을 표시할 수 있도록 한 단색 발광 표시장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
최근, 퍼스널 컴퓨터, 휴대용 단말기 및 각종 정보기기의 모니터 등에 사용되는 영상 표시장치로 경량 박형의 평판 표시장치(Flat Panel Display)가 주로 이용되고 있다. 이러한, 평판 표시장치로는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display), 발광 표시장치(Light Emitting Display), 플라즈마 표시패널(Plasma Display Panel), 전계방출 표시장치(Field Emission Display) 등이 대두되고 있다.
이 중, 발광 표시장치는 스스로 빛을 내는 자체 발광형 표시패널을 사용하기 때문에 명암대비(Contrast Ratio)가 크고, 초박형 디스플레이의 구현이 가능하며, 응답시간이 수 마이크로초(㎲) 정도로 동화상 구현이 용이하다.
일반적으로, 컬러 영상을 표시하기 위한 자체 발광형 표시패널에는 적색, 녹 색, 및 청색을 표시하기 위한 세개의 서브화소가 하나의 단위 화소를 이루게 된다. 여기서, 각 서브 화소에는 적색, 녹색, 또는 청색의 컬러 필터가 각각 형성되어 컬러 영상을 표시하게 된다.
하지만, 종래의 의료용 기기나 면 광원을 이용한 조명장치, 안내정보 표시장치 및 흑백 광고용 표시장치 등은 컬러 영상을 표시할 필요가 없었음에도 불구하고, 단색 발광(Monochrome Light Emitting) 표시패널이 상용화되지 않았기 때문에 적색, 녹색, 및 청색의 컬러필터가 제거된 모노 액정 표시장치 등이 사용되었다.
특히, 의료용 기기나 안내정보 표시장치 등은 보다 높은 해상도와 고휘도, 고화질의 영상을 표시해야 함에도 불구하고, 적색, 녹색, 및 청색의 컬러필터가 제거된 상태의 액정 표시장치가 사용되었기 때문에 그 명암대비가 떨어지고 컬러 쉬프트 현상이 발생하여 의료용으로 적합하지 않는 등의 매우 큰 불편함을 초래하였다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 특히 단색 발광 표시패널의 화소 구조를 변경하여 명암비와 해상도를 향상시킴과 아울러 컬러 쉬프트 현상을 방지하여 보다 명확한 영상을 표시할 수 있도록 한 단색 발광 표시장치 및 이의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 단색 발광 표시장치는 제 1 및 제 2 서브 화소로 이루어진 단위 화소들이 매트릭스 형태로 배열되어 단색의 영상을 표시하는 표시패널; 상기 표시패널의 게이트 라인 및 데이터 라인들을 각각 구동하는 게이트 및 데이터 구동부; 및 외부로부터 입력되는 RGB 데이터를 상기 표시패널의 구동에 알맞게 정렬하여 상기 데이터 구동부에 공급함과 아울러 게이트 및 데이터 제어신호를 생성하여 상기 게이트 및 데이터 구동부를 제어하는 타이밍 제어부를 구비한 것을 특징으로 한다.
상기 각각의 단위 화소를 이루는 상기 제 1 및 제 2 서브 화소 각각은 수직 스트라이프 또는 수평 스트라이프 형태로 구성된 것을 특징으로 한다.
상기 각각의 제 1 및 제 2 서브 화소에는 컬러 필터가 구비되지 않으며, 상기 제 1 서브 화소와 제 2 서브 화소의 크기는 서로 동일하거나 서로 다르게 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 각각의 제 1 및 제 2 서브 화소는 적어도 하나의 스위칭 소자와 발광 셀을 구비하며, 상기 제 1 서브 화소에 형성되는 발광 셀의 제 1 전극 두께는 상기 제 2 서브 화소에 형성되는 발광 셀의 제 1 전극 두께와 서로 동일하거나 서로 다르게 형성됨을 특징으로 한다. 아울러, 상기 제 1 서브 화소에 형성되는 발광 셀의 유기 발광층 두께는 상기 제 2 서브 화소에 형성되는 발광 셀의 유기 발광층 두께와 서로 동일하거나 서로 다르게 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 및 제 2 서브 화소로 이루어진 각각의 단위 화소는 적색, 녹색, 청색의 서브 화소로 이루어진 단위 화소의 2/3 크기로 형성된 것을 특징으로 한다.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 단색 발광 표시장치의 제조방법은 단색 발광 표시패널과 상기 단색 발광 표시 패널을 구동하기 위한 구동부 및 상기의 구동부를 제어하는 타이밍 제어부를 포함하는 단색 발광 표시장치의 제조 방법에 있어서, 제 1 및 제 2 서브 화소로 이루어진 단위 화소들이 매트릭스 형태로 배열되어 단색의 영상을 표시하도록 상기의 단색 표시패널을 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 단색 표시패널을 제조하는 단계에서는 상기 각각의 단위 화소를 이루는 상기 제 1 및 제 2 서브 화소 각각을 수직 스트라이프 또는 수평 스트라이프 형태로 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 단색 표시패널을 제조하는 단계에서는 상기 각각의 제 1 및 제 2 서브 화소에 컬러 필터가 구비되지 않도록 하며, 상기 제 1 서브 화소와 제 2 서브 화소의 크기를 서로 동일하거나 또는 서로 다르게 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 서브 화소와 제 2 서브 화소를 형성하는 단계는 적어도 하나의 스 위칭 소자와 발광 셀을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 제 1 서브 화소에 형성되는 발광 셀의 제 1 전극 두께는 상기 제 2 서브 화소에 형성되는 발광 셀의 제 1 전극 두께와 서로 동일하거나 서로 다르게 형성한다. 그리고, 상기 제 1 서브 화소에 형성되는 발광 셀의 유기 발광층 두께는 상기 제 2 서브 화소에 형성되는 발광 셀의 유기 발광층 두께와 서로 동일하거나 서로 다르게 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 단색 표시패널을 제조하는 단계에서는 상기 제 1 및 제 2 서브 화소로 이루어진 각각의 단위 화소의 크기를 적색, 녹색, 청색의 서브 화소로 이루어진 단위 화소의 2/3 크기로 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 특징을 갖는 본 발명의 실시 예에 따른 단색 발광 표시장치 및 이의 제조 방법은 단색 발광 표시패널의 화소 구조를 변경함으로써 명암비와 해상도를 더욱 향상시킬 수 있다. 아울러, 컬러 쉬프트 현상을 방지하여 보다 고휘도의 명확한 영상을 표시하도록 함으로써 특수 화면을 분석하는 의료용 기기 등에 유용하게 사용되도록 할 수 있다.
이하, 상기와 같은 특징을 갖는 본 발명의 실시 예에 따른 단색 발광 표시장치 및 이의 제조 방법을 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 단색 발광 표시장치를 나타낸 구성도이다. 그리고, 도 2는 도 1에 도시된 단색 표시패널의 한 서브 화소를 나타낸 등가 회로도이다.
도 1에 도시된 단색 발광 표시장치는 제 1 및 제 2 서브 화소(MP,SP)로 이루어진 단위 화소(P)들이 매트릭스 형태로 배열되어 단색의 영상을 표시하는 표시패널(1); 표시패널(1)의 게이트 라인(GL1 내지 GLn)들을 구동하는 게이트 구동부(2); 표시패널(1)의 데이터 라인(DL1 내지 DLm)들을 구동하는 데이터 구동부(3); 표시패널(1)의 전원라인(PLn 내지 PLm)들에 제 1 및 제 2 전원신호(VDD,GND)를 인가하는 전원 공급부(4); 및 외부로부터 입력되는 RGB 데이터(RGB)를 표시패널(1)의 크기 및 해상도에 알맞게 정렬하여 데이터 구동부(3)에 공급함과 아울러 데이터 및 게이트 제어신호(DS,GS)를 생성하여 상기 데이터 및 게이트 구동부(3,2)를 제어하는 타이밍 제어부(5)를 구비한다.
표시패널(1)은 마스터 서브 화소(MP; Master Sub Pixel)과 슬레이브 서브 화소(SP; Slave Sub Pixel) 즉, 제 1 및 제 2 서브 화소(MP,SP)가 하나의 단위 화소(P)를 이루며, 이러한 복수의 단위화소(P)들이 매트릭스 형태로 배열되어 단색의 영상을 표시하게 된다. 여기서, 제 1 및 제 2 서브 화소(MP,SP) 각각은 발광 셀(OES)과 그 발광 셀(OES)을 독립적으로 구동하는 셀 구동부(DRV)를 구비한다. 다시 말해, 도 2에 도시된 바와 같이 제 1 및 제 2 서브 화소(MP,SP) 각각은 어느 한 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL) 및 전원 라인(PL)에 접속된 셀 구동부(DRV), 셀 구동부(DRV)와 제 2 전원신호(GND)의 사이에 접속되어 등가적으로는 다이오드로 표현되는 발광 셀(OES)을 구비한다.
셀 구동부(DRV)는 어느 한 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)과 접속된 제 1 스위칭 소자(T1), 제 1 스위칭 소자(T1)와 전원 라인(PL) 및 발광 셀(OES) 사이에 접속된 제 2 스위칭 소자(T2), 전원 라인(PL)과 제 1 스위칭 소자(T1) 사이에 접속된 스토리지 커패시터(C)를 구비한다.
제 1 스위칭 소자(T1)의 게이트 전극은 게이트 라인(GL)에 접속되고, 소스 전극은 데이터 라인(DL)에 접속되며, 드레인 전극은 제 2 스위칭 소자(T2)의 게이트 전극에 접속된다. 이러한, 제 1 스위칭 소자(T1)는 게이트 라인(GL)에 게이트 온 신호가 공급되면 턴-온되어 데이터 라인(DL)에 공급된 데이터 신호를 스토리지 커패시터(C) 및 제 2 스위칭 소자(T2)의 게이트 전극으로 공급한다.
제 2 스위칭 소자(T2)의 소스 전극은 전원 라인(PL)과 접속되고 드레인 전극은 발광 셀(OES)에 접속된다. 이러한, 제 2 스위칭 소자(T2)는 제 1 스위칭 소자로부터의 데이터 신호에 응답하여 전원 라인(PL)으로부터 발광 셀(OES)로 공급되는 전류(I)을 제어함으로써 발광 셀(OLE)의 발광량을 조절하게 된다.
스토리지 커패시터(C)는 전원 라인(PL)과 제 2 스위칭 소자(T2)의 게이트 전극 사이에 접속된다. 그리고, 제 2 스위칭 소자(T2)는 제 1 스위칭 소자(T1)가 턴-오프 되더라도 스토리지 커패시터(C)에 충전된 전압에 의해 온 상태를 유지하여 다음 프레임의 데이터 신호가 공급될 때까지 발광 셀(OES)의 발광을 유지시킨다. 여기서, 제 1 및 제 2 스위칭 소자(T1, T2)는 PMOS 또는 NMOS 트랜지스터가 사용될 수 있으나 상기에서는 NMOS 트랜지스터가 사용된 경우만을 설명하였다.
도 1의 게이트 구동부(2)는 타이밍 제어부(5)로부터의 게이트 제어신호(GS) 예를 들어, 게이트 스타트 펄스(GSP; Gate Start Pulse)와 게이트 쉬프트 클럭(GSC; Gate Shift Clock)에 응답하여 게이트 온 신호를 순차적으로 생성하고, 게이트 출력 인에이블(GOE; Gate Output Enable) 신호에 따라 게이트 온 신호의 펄스 폭 제어한다. 그리고, 게이트 온 신호들을 게이트 라인들(GL1 내지 GLn)에 순차적으로 공급한다. 여기서, 게이트 라인들(GL1 내지 GLn)에 게이트 온 전압이 공급되지 않는 기간에는 게이트 오프 전압이 공급된다.
데이터 구동부(3)는 타이밍 제어부(5)로부터의 데이터 제어신호(DS) 중 소스 스타트 펄스(SSP; Source Start Pulse)와 소스 쉬프트 클럭(SSC; Source Shift Clock) 등을 이용하여 타이밍 제어부(5)로부터 입력되는 확장 RGB 데이터(Data)를 아날로그 전압 즉, 아날로그의 영상신호로 변환한다. 그리고, 소스 출력 인에이블(SOE; Source Output Enable) 신호에 응답하여 영상신호를 각 데이터 라인(DL1 내지 DLm)에 공급한다. 구체적으로, 데이터 구동부(3)는 SSC에 따라 입력되는 확장 RGB 데이터(Data)를 래치한 후, SOE 신호에 응답하여 각 게이트 라인(GL1 내지 GLn)에 스캔펄스가 공급되는 1수평 주기마다 1수평 라인분의 영상신호를 각 데이터 라인(DL1 내지 DLm)에 공급한다.
전원 공급부(4)는 표시패널(1)에 제 1 전원신호(VDD)과 제 2 전원신호(GND)를 공급한다. 여기서, 제 1 전원신호(VDD)는 발광 셀(OES)을 구동하기 위한 구동전압을 의미하며, 제 2 전원신호(GND)는 그라운드 전압 또는 로우 전압을 의미하기도 한다. 이러한, 제 1 전원신호(VDD)과 제 2 전원신호(GND)의 차이에 의해 제 1 및 제 2 서브 화소(MP,SP) 각각에서는 영상 신호에 대응되는 전류가 흐르기도 한 다.
타이밍 제어부(5)는 외부로부터 입력되는 RGB 데이터(RGB)를 표시패널(1)의 크기 및 해상도 등에 알맞게 정렬하고 정렬된 영상 데이터(Data)를 데이터 구동부(3)에 공급한다. 또한, 타이밍 제어부(5)는 외부로부터 입력되는 동기신호들을 이용하여 게이트 및 데이터 제어신호(GS,DS)를 생성하고 이를 게이트 구동부(2)와 데이터 구동부(3)에 공급한다.
도 3a와 도 3b는 종래의 발광 표시패널과 본 발명의 발광 표시패널을 비교 설명하기 위한 구성도이다.
구체적으로, 도 3a에 도시된 종래의 발광 표시패널은 적색, 녹색, 청색의 서브화소(R,G,B)들이 하나의 단위화소(P)를 이루도록 수직 스트라이프 형태로 구성되어 있다. 이러한 종래의 표시 패널은 단색의 영상 즉, 백색이나 그레이(Gray) 영상을 표시하는 경우에는 적색, 녹색, 청색의 컬러 조합을 이용하여 백색이나 그레이 영상을 표시한다. 또한, 상기의 컬러 조합 표시 방법과는 달리 적색, 녹색, 청색의 서브화소(R,G,B)를 이루는 적색, 녹색, 청색의 컬러 필터를 제거함으로써 백색이나 그레이 영상을 표시하기도 하였다. 이러한, 종래의 표시패널은 적색, 녹색, 청색의 서브화소(R,G,B)들이 하나의 단위화소(P)를 이루기 때문에 각각의 서브 화소(R,G,B)를 이루는 면적 즉, 각 서브 화소(R,G,B)의 크기가 줄어들 수밖에 없으며, 각각의 서브 화소(R,G,B)를 구동하기 위한 데이터 라인(DL1 내지 DLm)의 수 또한 각 서브 화소(R,G,B)의 수에 따라 증가할 수밖에 없다.
하지만, 도 3b에 도시된 본 발명의 단색 발광 표시패널(1)은 제 1 및 제 2 서브 화소(MP,SP)가 하나의 단위 화소(P)를 이루도록 수직 스트라이프 형태로 구성될 수 있다. 이러한, 제 1 및 제 2 서브 화소(MP,SP)에는 컬러 필터가 구비되지 않으며, 제 1 서브 화소(MP)와 제 2 서브 화소(SP)의 크기는 서로 동일하거나 서로 다르게 형성될 수 있다.
도 3b의 경우에는 제 1 서브 화소(MP)의 크기가 제 2 서브 화소(SP)의 크기 보다 2배 더 크게 형성된 경우를 도시하였다. 이와 같이, 제 1 서브 화소(MP)와 제 2 서브 화소(SP)의 크기가 서로 다르게 형성되면, 제 1 서브 화소(MP)의 발광 휘도와 제 2 서브 화소(SP)의 발광 휘도가 서로 달라지게 된다. 즉, 제 1 및 제 2 서브 화소(MP,SP)의 크기에 따라 광학적인 밝기 등이 서로 달라질 수 있는데, 제 1 서브 화소(MP)와 제 2 서브 화소(SP)의 크기를 상호 보완되도록 예를 들어, 2배 차이가 나도록 형성한다면 컬러 쉬프트 현상이 발생하더라도 서로 반대되는 컬러로 쉬프트되기 때문에 서로 보완되어 본연의 밝기를 표시할 수 있게 된다. 다시 말해, 제 1 서브 화소(MP)의 밝기가 레드리쉬하게 변하는 경우 제 2 서브 화소(SP)는 면적의 차이에 따라 제 1 서브 화소(MP)와 달리 블루리쉬하게 변하게 되므로 하나의 단위 화소(P)는 표시하고자 하는 본연의 밝기를 표시할 수 있게 된다. 이와 더불어, 도 3b와 같이, 제 1 및 제 2 서브 화소(MP,SP)만으로 하나의 단위 화소(P)를 이루는 한 경우에는 각 단위 화소(P)의 구성 면적을 종래의 단위 화소 구성 면적 대비 2/3로 줄일 수 있다. 따라서, 본 발명의 경우 종래와 동일한 크기의 표시 패널(1)을 제조하게 되면 그 해상도를 1/3배 더 높여서 구현할 수 있게 된다.
도 4는 도 3b에 도시된 I-I' 영역을 나타낸 공정 단면도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 표시 패널(1)에 구비된 각각의 단위화소(P)는 서로 인접한 제 1 서브 화소(MP)와 제 2 서브 화소(SP)로 이루어지며, 각각의 서브 화소(MP,SP)에는 TFT 등으로 이루어진 셀 구동부(DRV)와 다이오드 형태의 발광 셀(OES)들이 형성된다. 이러한, 셀 구동부(DRV)와 발광 셀(OES)들은 하부 기판(10) 상에 모두 형성될 수 있으며 이 경우, 하부 기판(10) 상에는 셀 구동부(DRV)와 발광 셀(OES)들을 인캡슐레이션하기 위한 인캡슐레이션 기판 즉, 상부 기판(미도시)이 더 형성된다.
각각의 서브 화소(MP,SP)에 형성되는 스위칭 소자들은 아몰퍼스 실리콘(a-Si)을 사용한 바텀 게이트(bottom gate) 구조가 될 수 있으며, 도시하지 않았지만 상기 각각의 스위칭 소자는 폴리 실리콘을 사용한 탑 게이트(top gate) 구조를 가질 수도 있다. 여기서, 표시 영역(1a)의 하부 기판(10) 구조를 좀 더 상세히 설명하면 다음과 같다.
각각의 서브 화소(MP,SP)가 형성되는 하부 기판(10)에는 비 발광영역에 형성된 게이트 전극(11), 게이트 전극(11)을 포함한 하부 기판(10)의 전면에 형성된 게이트 절연막(12), 게이트 전극(11)과 중첩되도록 게이트 절연막(12) 상에 형성된 반도체 층(13), 반도체층(13)의 양측 가장자리에 중첩되도록 형성된 오믹 접촉층(14), 오믹 접촉층(14) 상에 형성된 소스/드레인 전극(15,16), 상기 소스/드레인 전극(15,16)을 포함한 하부 기판(10)의 전면에 형성된 보호막(17)을 포함한다. 여기서, 게이트 전극(11), 소스/드레인 전극(15,16), 반도체층(13), 오믹 접촉층(14), 게이트 절연막(12), 및 보호막(17)은 하나의 스위칭 소자를 형성한다.
또한, 보호막(17)에는 서브 화소 영역별로 보호막(17)을 관통하는 콘택홀(18)이 형성되어 드레인 전극(16)의 일부를 노출시키며, 각 콘택홀(18)에는 제 1 전극(19a,19b)이 형성되어 드레인 전극과 전기적으로 접촉된다. 아울러, 하부 기판(10)에는 콘택홀(18)을 포함한 하부 기판(10)의 비 발광영역에 형성된 화소 정의층(23), 발광영역의 제 1 전극(19) 표면상에 형성된 유기 발광층(21), 상기 유기 발광층(21)을 포함한 하부 기판(10)의 전면에 형성된 제 2 전극(22)이 더 형성된다. 이러한, 제 1 전극(19), 유기 발광층(21) 및 제 2 전극(22)은 하나의 발광 셀(OES)을 형성한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 단위 화소(P)를 이루는 제 1 및 제 2 서브 화소(MP,SP) 각각은 적어도 하나의 스위칭 소자와 발광 셀(OES)을 구비하는데, 상기 제 1 및 제 2 서브 화소(MP,SP) 각각의 발광 셀(OES)에 형성되어 상기 각 스위칭 소자와 전기적으로 접속되는 제 1 전극(19a,19b) 각각의 두께는 서로 동일하거나 서로 다르게 형성될 수도 있다. 다시 말해, 제 1 서브 화소(MP)에 형성되는 발광 셀(OES)의 제 1 전극(19a)의 두께는 제 2 서브 화소(SP)에 형성되는 발광 셀(OES)의 제 1 전극(19b)의 두께와 동일할 수도 있고, 서로 다를 수도 있다. 도 4의 경우에는 제 2 서브 화소(SP)에 형성되는 발광 셀(OES)의 제 1 전극(19b) 두께가 제 1 서브 화소(MP)에 형성되는 발광 셀(OES)의 제 1 전극(19a) 두께보다 2배 두껍게 형성된 경우를 도시하고 있다. 이와 같은 제 1 전극(19a,19b)들 각각은 콘택홀(18)을 통해 각 스위칭 소자의 드레인 전극(16)에 접속되어 각 드레인 전극(16)을 통해 입력되는 영상 신호에 따라 각 발광 셀(OES)에 공급하게 된다.
제 1 서브 화소(MP)와 제 2 서브 화소(SP) 각각의 제 1 전극(19a,19b)들 두께가 서로 다르게 형성되면, 제 1 서브 화소(MP)의 발광 셀(OES)에서 발광되는 휘도와 제 2 서브 화소(SP)의 발광 셀(OES)에서 발광되는 휘도가 서로 달라지게 된다. 즉, 제 1 전극(19a,19b)들 각각의 두께에 따라 광학적인 밝기 등이 서로 달라질 수 있는데, 제 1 서브 화소(MP)의 제 1 전극(19a)와 제 2 서브 화소(SP)의 제 1 전극(19b)의 두께를 서로 상호 보완되도록 예를 들어, 2배 차이가 나도록 형성한다면 각 서브 화소(MP,SP) 별로 컬러 쉬프트 현상이 발생하더라도 서로 반대되는 컬러로 쉬프트되기 때문에 서로 보완되어 본연의 밝기를 표시할 수 있게 된다. 다시 말해, 제 1 서브 화소(MP)의 밝기가 제 1 전극(19a)의 두께에 따라 레드리쉬하게 변하는 경우 제 2 서브 화소(SP)는 제 1 전극(19b) 두께의 차이상 블루리쉬하게 변하게 되므로 하나의 단위 화소(P)는 표시하고자 하는 본연의 밝기를 표시할 수 있게 된다.
제 1 서브 화소(MP)의 제 1 전극(19a)과 제 2 서브 화소(SP)의 제 1 전극(19b)은 각 서브 화소(MP,SP) 영역의 콘택홀(18)을 포함한 발광 영역들의 전면에 형성된다. 이러한, 각각의 제 1 전극(19a,19b)은 애노드 또는 캐소드 전극이 될 수 있으며, 하부 발광을 이루고자 하는 경우에는 ITO(Induim Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Al- dopped Zinc Oxide) 중 적어도 하나의 투명 도전성 물질로 형성될 수 있다. 여기서, ITO는 일 함수가 비교적 균일하여 유기 발광층(21)에 대한 정공 주입 장벽이 작은 투명 도전막이다. 반면, 각각의 제 1 전극(19a,19b)은 상부 발광을 이루고자 하는 경우 저 저항 금속물질로 분류된 ITO/Ag, ITO/Ag/ITO, ITO/Ag/IZO(Indium Zinc Oxide), 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 은(Ag), 구리 합금 중 적어도 하나의 금속물질로 형성될 수 있다. 이와 같은 제 1 및 제 2 서브 화소(MP,SP)들의 제조 방법은 이 후 첨부된 도면을 참조하여 좀 더 구체적으로 설명하기로 한다.
한편, 도면으로 도시되지 않았지만, 하부 기판(10)의 외곽부 비 표시 영역(1b)에 위치한 게이트 절연막 상에는 전원 라인(PL)이 형성된다. 전원 라인(PL)은 제 1 전원신호 또는 제 2 전원신호를 전송하는 라인으로서, 상기 전원 라인(PL)을 통해 인가되는 제 1 전원신호 또는 제 2 전원신호는 발광 셀(OES)들의 각 제 1 또는 제 2 전극(19a,19b 또는 22)에 인가되는 전원을 의미한다. 전원 라인(PL)은 소스/드레인 전극(15, 16)과 동일한 재질로 형성된다. 다시 말하여, 상기 전원 라인(PL)과 소스/드레인 전극(15, 16)은 동일한 마스크 공정을 통해 동시에 제조될 수도 있다. 이와 같은, 전원 라인(PL)은 도시되지 않은 패드 전극을 통해 발광 셀(OES)들의 각 제 1 또는 제 2 전극(19a,19b 또는 22)에 전기적으로 연결된다. 따라서, 보호막(17)에는 드레인 전극(16)과 접속되는 콘택홀(18) 외에 전원 라인(PL)과 접속되는 콘택홀들이 더 형성되기도 한다.
화소 정의층(23)은 각 서브 화소를 감싸는 격벽으로써 발광영역의 개구율을 높이기 위해 상기 비 발광영역에 형성되는데, 상기 스위칭 소자들 각각의 위치에 대응되도록 형성될 수 있다. 이러한 화소 정의층(23)은 각 발광영역에 위치한 발광 셀(OES) 간의 경계를 명확히 구별되게 하여 발광영역 사이의 발광 경계 영역이 명확해지도록 한다. 상기 화소 정의층(23)은 상기 제 1 전극(19a,19b)에 비스듬하 게 형성되는 경사면을 포함한다. 상기 경사면은 제 1 전극(19a,19b)과 이루는 각도 즉, 테이퍼(taper) 각도가 10도 내지 20도(degree) 일 수 있다. 이러한, 화소 정의층(23)은 산화 실리콘(SiOx), 질화 실리콘(SiNx), 포토 아크릴(photo acryl), 벤조사이클로부텐(BCB) 등의 절연 물질이 도포된 후 패터닝되어 형성될 수 있다. 마찬가지로, 절연 패턴(28) 또한 화소 정의층(23)과 동시에 형성될 수 있으므로, 절연 패턴(28) 형성 물질 또한 화소 정의층(23) 형성 물질과 동일할 수 있다.
유기 발광층(21)은 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 발광층(OEL), 전자 주입층(EIL) 및 전자 수송층(ETL)을 포함한다. 정공 주입층(HIL)은 제 1 전극(19)의 표면에 형성된 산화 박막(미도시) 상에 형성되며, 정공 수송층(HTL)은 정공 주입층(HIL)의 상부 전면에 형성된다. 그리고, 발광층(OEL)은 발광영역의 정공 수송층(HTL) 상에 형성되며, 전자 수송층(ETL)은 발광층(OEL)의 상부 전면에 형성된다. 아울러 전자 주입층(EIL)은 전자 수송층(ETL)의 상부면에 형성된다. 이렇게 유기 발광층(21)을 이루는 다수의 유기 층 즉, 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 발광층(OEL), 전자 주입층(EIL) 및 전자 수송층(ETL)들은 그 두께가 서로 동일하거나 다르게 형성될 수도 있다.
제 2 전극(22)은 상기의 화소 정의층(23)과 유기 발광층(21)을 포함한 하부 기판(10)의 전면을 덮도록 형성된다. 이러한, 제 2 전극(22)은 캐소드 또는 애노드 전극이 될 수 있으며, 하부 발광을 이루고자 하는 경우에는 일 함수값이 비교적 작은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리 합금, ITO, ITO/Ag/ITO, ITO/Ag/IZO(Indium Zinc Oxide) 및 그 등가물 중 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다. 반면, 상부 발광을 이루고자 하는 경우에는 ITO, IZO, AZO 중 적어도 하나의 투명 도전성 물질로 형성될 수 있다.
도 5a와 도 5b는 제 1 및 제 2 서브 화소의 발광 셀을 비교 설명하기 위한 구성도이다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 단위 화소(P)를 이루는 제 1 및 제 2 서브 화소(MP,SP) 각각은 적어도 하나의 스위칭 소자와 발광 셀(OES)을 구비하는데, 상기 제 1 및 제 2 서브 화소(MP,SP) 각각의 발광 셀(OES) 두께는 서로 동일하거나 서로 다르게 형성될 수도 있다. 다시 말해, 제 1 서브 화소(MP)에 형성되는 발광 셀(OES)의 두께는 제 2 서브 화소(SP)에 형성되는 발광 셀(OES)의 두께와 동일할 수도 있고, 서로 다를 수도 있다.
도 5a의 경우에는 제 1 서브 화소(MP)에 형성되는 발광 셀(OES)을 단면도로 나타내었다. 이와 같은 단면 구조를 가지고 형성되는 발광 셀(OES)은 제 1 및 제 2 서브 화소(MP,SP)에 동일하게 형성될 수도 있다.
하지만, 도 5b에 도시된 바와 같이, 제 1 및 제 2 서브 화소(MP,SP) 중 어느 하나에 형성되는 발광 셀(OES)은 그 두께가 다르게 형성될 수 있다. 특히, 발광 셀(OES)을 이루는 유기 발광층(21)의 두께를 다르게 형성할 수 있는데, 도 5b의 경우는 유기 발광층(21)을 이루는 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 발광층(OEL), 전자 주입층(EIL) 및 전자 수송층(ETL) 중 발광층(OEL)의 두께를 도 5a에 도시된 발광층(OEL) 보다 0.5배 더 두껍게 형성한 일 예를 나타내었다.
상술한 바와 같이, 제 1 서브 화소(MP)와 제 2 서브 화소(SP) 각각의 유기 발광층(21) 두께가 서로 다르게 형성되면, 제 1 서브 화소(MP)의 발광 셀(OES)에서 발광되는 휘도와 제 2 서브 화소(SP)의 발광 셀(OES)에서 발광되는 휘도가 서로 달라지게 된다. 즉, 유기 발광층(21)의 두께에 따라 광학적인 밝기 등이 서로 달라질 수 있는데, 제 1 서브 화소(MP)의 유기 발광층(21)과 제 2 서브 화소(SP)의 유기 발광층(21)의 두께를 서로 상호 보완되도록 예를 들어, 0.5 내지 2배 차이가 나도록 형성한다면, 각 서브 화소(MP,SP) 별로 컬러 쉬프트 현상이 발생하더라도 서로 반대되는 컬러로 쉬프트되기 때문에 서로 보완되어 본연의 밝기를 표시할 수 있게 된다. 다시 말해, 제 1 서브 화소(MP)의 밝기가 유기 발광층(21)의 두께에 따라 레드리쉬하게 변하는 경우 제 2 서브 화소(SP)는 유기 발광층(21) 두께의 차이상 블루리쉬하게 변하게 되므로 하나의 단위 화소(P)는 표시하고자 하는 본연의 밝기를 표시할 수 있게 된다.
도 6a와 도 6b는 제 1 및 제 2 서브 화소의 발광 셀을 비교 설명하기 위한 다른 구성도이다.
도 6a의 경우에는 제 1 서브 화소(MP)에 형성되는 발광 셀(OES)을 단면도로 나타내었다. 도 5a 및 도 6a와 같이, 발광 셀(OES)은 제 1 및 제 2 서브 화소(MP,SP)에 동일하게 형성될 수도 있다.
반면, 도 6b에 도시된 바와 같이, 제 1 및 제 2 서브 화소(MP,SP) 중 어느 하나에 형성되는 발광 셀(OES) 특히, 발광 셀(OES)을 이루는 유기 발광층(21)의 두께를 다르게 형성할 수 있는데, 도 6b의 경우는 유기 발광층(21)을 이루는 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 발광층(OEL), 전자 주입층(EIL) 및 전자 수송 층(ETL) 중 정공 수송층(HTL)의 두께를 도 6a에 도시된 정공 수송층(HTL) 보다 0.5배 더 두껍게 형성한 일 예를 나타내었다.
상술한 바와 같이, 제 1 서브 화소(MP)와 제 2 서브 화소(SP) 각각의 유기 발광층(21) 두께가 서로 다르게 형성되면, 제 1 서브 화소(MP)의 발광 셀(OES)에서 발광되는 휘도와 제 2 서브 화소(SP)의 발광 셀(OES)에서 발광되는 휘도가 서로 달라지게 된다. 즉, 유기 발광층(21)의 두께에 따라 광학적인 밝기 등이 서로 달라질 수 있는데, 제 1 서브 화소(MP)의 유기 발광층(21)과 제 2 서브 화소(SP)의 유기 발광층(21)의 두께를 서로 상호 보완되도록 예를 들어, 0.5 내지 2배 차이가 나도록 형성한다면, 각 서브 화소(MP,SP) 별로 컬러 쉬프트 현상이 발생하더라도 서로 반대되는 컬러로 쉬프트되기 때문에 서로 보완되어 본연의 밝기를 표시할 수 있게 된다.
도 7a 내지 7d는 도 1 및 도 4 등에 도시된 표시 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 7a 내지 7d를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 표시 패널의 제조 방법을 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 7a를 참조하면, 먼저 하부 기판(10)으로 사용되는 유리 기판상에 게이트 금속물질을 증착하고 패터닝하여 게이트 전극(11)을 형성한다. 그리고, 게이트 전극(11)을 포함한 하부 기판(10)의 전면에 게이트 절연막(12)을 증착한 후, 게이트 절연막(12) 상에 반도체 층 형성물질과 오믹 접촉층 형성물질 및 소스/드레인 형성물질을 순차적으로 증착한다.
이 후, 상기의 반도체 층 형성물질과 오믹 접촉층 형성물질 및 소스/드레인 형성물질을 동시 또는 순차적으로 패터닝함으로써 반도체 층(13)과 오믹 접촉층(14) 및 소스/드레인 전극(15, 16) 등으로 이루어진 스위칭 소자를 형성한다. 그리고, 상기 스위칭 소자와 게이트 절연막(12)을 포함한 하부 기판(10)의 전면에 보호막(17)을 형성한 후 패터닝함으로써 스위칭 소자의 드레인 전극(16)이 소정 영역 노출되도록 콘택홀(18)을 형성한다.
다음으로, 도 7b를 참조하면, 하부 기판(10) 상에 PPECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposion) 또는 스퍼터링 등의 증착 방법으로 ITO, IZO, AZO 또는 그 등가 물질 즉, 제 1 전극(19a,19b) 형성 물질을 1차적으로 증착하고 이를 패터닝하여 상기의 제 1 전극(19a,19b)을 형성한다. 여기서, 제 1 전극(19)은 컨택홀(18)을 통해 스위칭 소자의 드레인 전극(16)과 전기적으로 접촉된다.
이 후, 도 7c를 참조하면, 상기에서 1차적으로 제 1 전극(19a,19b)이 형성된 하부 기판(10) 상에 2차적으로 제 1 전극(19a,19b) 형성 물질을 다시 증착하고, 제 1 서브 화소(MP)의 제 1 전극(19a)과 제 2 서브 화소(SP)의 제 1 전극(19b)을 서로 다르게 패터닝하여 제 1 서브 화소(MP)의 제 1 전극(19a)과 제 2 서브 화소(SP)의 제 1 전극(19b) 두께를 서로 다르게 형성할 수도 있다.
반면, 제 1 서브 화소(MP)의 제 1 전극(19a)과 제 2 서브 화소(SP)의 제 1 전극(19b)은 상기와 같이 증착 및 패터닝 공정을 반복하여 서로 다른 두께로 형성하는 방법 외에, 제 1 전극(19a,19b) 형성 물질을 동일한 두께로 증착한 후 패터닝 공정을 공정만을 제 1 서브 화소(MP)의 제 1 전극(19a)과 제 2 서브 화소(SP)의 제 1 전극(19b)별로 서로 다르게 수행함으로써 그 두께를 서로 다르게 형성할 수도 있다.
다음으로, 도 7d를 참조하면 서로 다른 두께의 제 1 전극(19a,19b)들이 각각 형성된 하부 기판(10)의 전면에 PECVD, 스핀 코팅(Spin Coating), 스핀리스 코팅(Spinless Coating) 등의 방법으로 산화 실리콘(SiOx), 질화 실리콘(SiNx), 포토 아크릴(photo acryl), 벤조사이클로부텐(BCB) 등의 절연 물질을 증착하고, 이를 패터닝하여 스위칭 소자가 형성된 비 발광영역에 대응하도록 화소 정의층(23)을 형성한다.
이 후, 프린팅 방법이나 섀도우 마스크 방법 또는 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging) 등을 이용하여 서로 다른 두께의 제 1 전극(19a,19b)들이 형성된 발광영역의 제 1 전극(19a,19b)들의 전면에 유기 발광층(21)을 형성한다. 즉, 도면으로 자세히 도시하진 않았지만 유기 발광층(21)은 섀도우 마스크 방법이나 열전사법 등으로 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 발광층(OEL), 전자 주입층(EIL) 및 전자 수송층(ETL)을 순차적으로 증착함으로써 형성된다.
이 후, 유기 발광층(21)이 형성된 하부 기판(10)의 전면에 PECVD나 스퍼터링 공정을 수행하여 일 함수값이 비교적 작은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리 합금 중 적어도 하나의 금속물질에 은/칼슘(Ag/Ca) 등이 적층된 구조의 제 2 전극(22)을 형성한다. 이러한, 제 2 전극(22)은 상기의 화소 정의층(23)을 포함한 유기 발광층(21)의 전면을 모두 덮도록 형성된다.
다음으로, 도면으로 도시하지는 않았지만 상부 또는 하부 기판(10)의 비 표 시 영역에 실런트를 형성한 다음, 상부 및 하부 기판(10)을 합착 시켜 단색의 발광 표시 패널을 완성하게 된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 발광 표시장치는 단색 발광 표시패널(1)의 각 단위 화소(P)가 제 1 및 제 2 서브 화소(MP,SP)만으로 이루어지도록 함과 아울러 제 1 및 제 2 서브 화소(MP,SP)의 크기를 서로 동일하거나 다르게 형성할 수 있다. 이와 더불어, 제 1 및 제 2 서브 화소(MP,SP)의 발광 셀(OES)을 이루는 각각의 전극(19a,19b) 및 유기 발광층(21)의 두께를 서로 동일하거나 다르게 형성함으로써 표시되는 영상의 명암비와 해상도를 향상시키고, 컬러 쉬프트 현상을 방지하여 보다 명확한 영상을 표시할 수 있다.
도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 단색 발광 표시장치를 나타낸 구성도이다. 그리고, 도 9a와 도 9b는 종래의 다른 표시 패널과 도 6에 도시된 표시 패널을 비교 설명하기 위한 구성도이다.
도 8 및 도 9b에 도시된 단색 발광 표시장치의 표시패널(1)은 제 1 및 제 2 서브 화소(MP,SP)가 하나의 단위화소(P)를 이루며, 이러한 복수의 단위 화소(P)들이 수평 스트라이프 형태로 배열되어 단색 즉, 그레이 영상을 표시하게 된다. 다시 말해, 하나의 단위화소(P)를 이루는 제 1 및 제 2 서브 화소(MP,SP)들은 게이트 라인(GL) 방향으로 길고 나란하게 배열되어, 각 단위 화소(P)를 이루는 제 1 및 제 2 서브 화소(MP,SP)들이 하나씩의 데이터 라인(DL1 내지 DLm)에 동일하게 연결된 구조이다. 따라서, 도 8 및 도 9b와 같이 구성되는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 표시패널(1)은 종래의 경우나 도 1에 도시된 표시패널(1)에 비해 게이트 라 인(GL1 내지 GLm)의 수는 증가하나 데이터 라인(DL1 내지 DLm)의 수는 1/3로 감소하게 된다. 이에, 데이터 구동부(3)를 이루는 도시되지 않는 데이트 드라이브 IC의 수를 1/3로 감소시킬 수 있으며 이 경우, 데이터 구동부(3)를 비롯한 게이트 구동부(2) 등은 시분할 구동 방법을 통해 각 단위 화소(P)의 제 1 및 제 2 서브 화소(MP,SP)들에 데이터 신호를 공급한다.
이와 같이 구성된 본 발명의 다른 실시 예에 따른 표시 패널(1) 구성 외에 나머지 구성요소들 즉, 게이트 구동부(2), 데이터 구동부(3), 전원 공급부(4) 및 타이밍 제어부(5)의 구성과 그 구동 방법 등에 대한 설명은 상기의 도 1을 참조한 구체적인 설명으로 대신하기로 한다.
도 9a는 종래의 수평 스트라이프 형태의 표시 패널 구조를 도시한 것으로, 종래의 발광 표시패널은 적색, 녹색, 청색의 서브화소(R,G,B)들이 하나의 단위화소(P)를 이루도록 구성되어 있다. 이러한 종래의 표시패널은 도 3a로 도시된 바와 마찬가지로, 단색이나 그레이(Gray) 영상을 표시하는 경우 적색, 녹색, 청색의 컬러 조합을 이용하여 단색이나 그레이 영상을 표시하게 된다. 하지만, 도 7b에 도시된 본 발명의 단색 발광 표시패널(1)은 제 1 및 제 2 서브 화소(MP,SP)가 하나의 단위화소(P)를 이루도록 수평 스트라이프 형태로 구성될 수 있으며, 제 1 서브 화소(MP)와 제 2 서브 화소(SP)의 크기는 서로 동일하거나 서로 다르게 형성될 수 있다.
도 9b의 경우에는 제 1 서브 화소(MP)의 크기가 제 2 서브 화소(SP)의 크기 보다 2배 더 크게 형성된 경우를 도시하였다. 이와 같이, 제 1 서브 화소(MP)와 제 2 서브 화소(SP)의 크기가 서로 다르게 형성되면, 제 1 서브 화소(MP)의 발광 휘도와 제 2 서브 화소(SP)의 발광 휘도가 서로 달라지게 된다. 즉, 제 1 및 제 2 서브 화소(MP,SP)의 크기에 따라 광학적인 밝기 등이 서로 달라질 수 있는데, 제 1 서브 화소(MP)와 제 2 서브 화소(SP)의 크기를 상호 보완되도록 형성한다면 컬러 쉬프트 현상이 발생하더라도 서로 반대되는 컬러로 쉬프트되기 때문에 서로 보완되어 본연의 밝기를 표시할 수 있게 된다. 이와 더불어, 도 9b와 같이 제 1 및 제 2 서브 화소(MP,SP)만으로 하나의 단위 화소(P)를 이루는 한 경우에는 각 단위 화소(P)의 구성 면적을 종래의 단위 화소 구성 면적 대비 2/3로 줄일 수 있다. 따라서, 본 발명의 경우 종래와 동일한 크기의 표시 패널(1)을 제조하게 되면 그 해상도를 1/3배 더 구현할 수 있게 된다.
한편, 본 발명의 단위 화소(P)를 이루는 제 1 및 제 2 서브 화소(MP,SP) 각각은 적어도 하나의 스위칭 소자와 발광 셀(OES)을 구비하는데, 상기 제 1 및 제 2 서브 화소(MP,SP) 각각의 발광 셀(OES)에 형성되어 상기 각 스위칭 소자와 전기적으로 접속되는 제 1 전극(19a,19b) 각각의 두께는 서로 동일하거나 서로 다르게 형성될 수도 있다. 다시 말해, 제 1 서브 화소(MP)에 형성되는 발광 셀(OES)의 제 1 전극(19a)의 두께는 제 2 서브 화소(SP)에 형성되는 발광 셀(OES)의 제 1 전극(19b)의 두께와 동일할 수도 있고 서로 다를 수도 있다. 아울러, 도 5b 및 6b에 도시된 바와 같이, 제 1 서브 화소(MP)에 형성되는 발광 셀(OES)의 유기 발광층(21)의 두께는 제 2 서브 화소(SP)에 형성되는 발광 셀(OES)의 유기 발광층(21)의 두께와 동일할 수도 있고 서로 다를 수도 있다.
도 9b의 I-I' 부분의 절단면은 도 4와 동일할 수 있는데, 도 4의 경우에는 제 2 서브 화소(SP)에 형성되는 발광 셀(OES)의 제 1 전극(19b) 두께가 제 1 서브 화소(MP)에 형성되는 발광 셀(OES)의 제 1 전극(19a)의 두께보다 2배 두껍게 형성된 경우를 도시하고 있다. 이와 같은 제 1 전극(19a,19b)들 각각은 콘택홀(18)을 통해 각 스위칭 소자의 드레인 전극(16)에 접속되어 각 드레인 전극(16)을 통해 입력되는 영상 신호에 따라 각 발광 셀(OES)에 공급하게 된다. 따라서, 제 1 서브 화소(MP)와 제 2 서브 화소(SP)의 제 1 전극(19a,19b)들 두께가 서로 다르게 형성되면, 제 1 서브 화소(MP)의 발광 셀(OES)에서 발광되는 휘도와 제 2 서브 화소(SP)의 발광 셀(OES)에서 발광되는 휘도가 서로 달라지게 된다. 즉, 제 1 전극(19a,19b)들 각각의 두께에 따라 광학적인 밝기 등이 서로 달라질 수 있는데, 제 1 서브 화소(MP)의 제 1 전극(19a)와 제 2 서브 화소(SP)의 제 1 전극(19b)의 두께를 서로 상호 보완되도록 예를 들어, 2배 차이가 나도록 형성한다면 각 서브화소(MP,SP) 별로 컬러 쉬프트 현상이 발생하더라도 서로 반대되는 컬러로 쉬프트되기 때문에 서로 보완되어 본연의 밝기를 표시할 수 있게 된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 발광 표시장치는 단색 발광 표시패널(1)의 각 단위 화소(P)가 제 1 및 제 2 서브 화소(MP,SP)만으로 이루어지도록 함과 아울러 제 1 및 제 2 서브 화소(MP,SP)의 크기를 서로 동일하거나 다르게 형성할 수 있다. 이와 더불어, 제 1 및 제 2 서브 화소(MP,SP)의 발광 셀(OES)을 이루는 각각의 전극(19a,19b) 두께를 서로 동일하거나 다르게 형성함으로써 표시되는 영상의 명암비와 해상도를 향상시키고, 컬러 쉬프트 현상을 방지하여 보다 명확 한 영상을 표시할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술 될 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음이 자명하다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 단색 발광 표시장치를 나타낸 구성도.
도 2는 도 1에 도시된 단색 표시패널의 한 서브 화소를 나타낸 등가 회로도.
도 3a와 도 3b는 종래의 발광 표시패널과 본 발명의 발광 표시패널을 비교 설명하기 위한 구성도.
도 4는 도 3b에 도시된 I-I' 영역을 나타낸 공정 단면도.
도 5a 내지 5d는 도 1 및 도 4 등에 도시된 표시 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도.
도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 단색 발광 표시장치를 나타낸 구성도.
도 7a와 도 7b는 종래의 다른 표시 패널과 도 6에 도시된 표시 패널을 비교 설명하기 위한 구성도.
＊도면의 주요 부분에 대한 부호의 간단한 설명＊
1: 표시 패널 2: 게이트 구동부
3: 데이터 구동부 4: 전원 공급부
5: 타이밍 제어부 11: 게이트 전극
19a,19b: 제 1 전극 22: 제 2 전극
MP: 제 1 서브 화소 SP: 제 2 서브 화소
Claims (12)
- 제 1 및 제 2 서브 화소로 이루어진 단위 화소들이 매트릭스 형태로 배열되어 단색의 영상을 표시하는 표시패널;상기 표시패널의 게이트 라인 및 데이터 라인들을 각각 구동하는 게이트 및 데이터 구동부; 및외부로부터 입력되는 RGB 데이터를 상기 표시패널의 구동에 알맞게 정렬하여 상기 데이터 구동부에 공급함과 아울러 게이트 및 데이터 제어신호를 생성하여 상기 게이트 및 데이터 구동부를 제어하는 타이밍 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 단색 발광 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 각각의 단위 화소를 이루는 상기 제 1 및 제 2 서브 화소 각각은수직 스트라이프 또는 수평 스트라이프 형태로 구성된 것을 특징으로 하는 단색 발광 표시장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 각각의 제 1 및 제 2 서브 화소에는 컬러 필터가 구비되지 않으며,상기 제 1 서브 화소와 제 2 서브 화소의 크기는 서로 동일하거나 서로 다르게 형성된 것을 특징으로 하는 단색 발광 표시장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 각각의 제 1 및 제 2 서브 화소는적어도 하나의 스위칭 소자와 발광 셀을 구비하며,상기 제 1 서브 화소에 형성되는 발광 셀의 제 1 전극 두께는 상기 제 2 서브 화소에 형성되는 발광 셀의 제 1 전극 두께와 서로 동일하거나 서로 다르게 형성된 것을 특징으로 하는 단색 발광 표시장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 제 1 서브 화소에 형성되는 발광 셀의 유기 발광층 두께는 상기 제 2 서브 화소에 형성되는 발광 셀의 유기 발광층 두께와 서로 동일하거나 서로 다르게 형성된 것을 특징으로 하는 단색 발광 표시장치.
- 삭제
- 단색 발광 표시패널과 상기 단색 발광 표시 패널을 구동하기 위한 구동부 및 상기의 구동부를 제어하는 타이밍 제어부를 포함하는 단색 발광 표시장치의 제조 방법에 있어서,제 1 및 제 2 서브 화소로 이루어진 단위 화소들이 매트릭스 형태로 배열되어 단색의 영상을 표시하도록 상기의 단색 표시패널을 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단색 발광 표시장치의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 단색 표시패널을 제조하는 단계에서는상기 각각의 단위 화소를 이루는 상기 제 1 및 제 2 서브 화소 각각을 수직 스트라이프 또는 수평 스트라이프 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 단색 발광 표시장치의 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 단색 표시패널을 제조하는 단계에서는상기 각각의 제 1 및 제 2 서브 화소에 컬러 필터가 구비되지 않도록 하며,상기 제 1 서브 화소와 제 2 서브 화소의 크기를 서로 동일하거나 또는 서로 다르게 형성하는 것을 특징으로 하는 단색 발광 표시장치의 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 제 1 서브 화소와 제 2 서브 화소를 형성하는 단계는적어도 하나의 스위칭 소자와 발광 셀을 형성하는 단계를 더 포함하며,상기 제 1 서브 화소에 형성되는 발광 셀의 제 1 전극 두께는 상기 제 2 서브 화소에 형성되는 발광 셀의 제 1 전극 두께와 서로 동일하거나 서로 다르게 형성된 것을 특징으로 하는 단색 발광 표시장치의 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 제 1 서브 화소에 형성되는 발광 셀의 유기 발광층 두께는 상기 제 2 서브 화소에 형성되는 발광 셀의 유기 발광층 두께와 서로 동일하거나 서로 다르게 형성되는 것을 특징으로 하는 단색 발광 표시장치의 제조 방법.
- 삭제
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