CN110752245A - 一种显示面板和显示面板的制备方法 - Google Patents

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CN110752245A CN201911061895.9A CN201911061895A CN110752245A CN 110752245 A CN110752245 A CN 110752245A CN 201911061895 A CN201911061895 A CN 201911061895A CN 110752245 A CN110752245 A CN 110752245A
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Abstract

本发明实施例提供的一种显示面板和显示面板的制备方法，该显示面板包括：衬底层；第一电容基板，所述第一电容基板设置在所述衬底层上；第一介质层，所述第一介质层设置在所述第一电容基板背离所述衬底层的一面；第二电容基板，所述第二电容基板设置在所述第一介质层背离所述第一电容基板的一面；彩膜层，所述彩膜层设置在所述第二电容基板背离所述第一介质层的一侧。本发明实施例将像素电容和发光区制备在同一区，在增加像素电容值的同时，也不需要压缩发光区的面积，能够提升显示面板的像素，并且提高了显示面板的开口率。

Description

一种显示面板和显示面板的制备方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板和显示面板的制备方法。
背景技术
目前，底发射发光二极管显示通常是将像素电容和发光区分区设置，如图1所示，其中，01为发光区，02为像素电容区。
但是，对于高像素显示面板，由于像素电容的电容基板为不透明的金属材料，且为了保证得到合适的像素电容值，必须压缩发光区面积，但是发光区面积的减少会影响显示面板的像素。
发明内容
本发明提供一种显示面板，以解决现有显示面板的像素低的问题。
本发明一方面提供了一种显示面板，包括：
衬底层；
第一电容基板，所述第一电容基板设置在所述衬底层上；
第一介质层，所述第一介质层设置在所述第一电容基板背离所述衬底层的一面；
第二电容基板，所述第二电容基板设置在所述第一介质层背离所述第一电容基板的一面；
彩膜层，所述彩膜层设置在所述第二电容基板背离所述第一介质层的一侧。
可选地，还包括：驱动晶体管基层；所述驱动晶体管基层设置在所述衬底层上，并与与所述第一电容基板同层设置；所述第一介质层覆盖所述第一电容基板及所述驱动晶体管基层。
可选地，还包括：
钝化层，所述钝化层设置在所述第一介质层背离所述第一电容基板的一面，与所述第二电容基板同层设置，并且设置在所述第二电容基板的两侧；
第二介质层，所述第二介质层设置在所述钝化层背离所述第一介质层的一面；
平坦化层，所述平坦化层覆盖所述彩膜层、所述第二介质层和所述钝化层与所述彩膜层之间第二电容基板；
阳极层，所述阳极层设置在所述平坦化层背离所述彩膜层的一面；
像素界定层，所述像素界定层设置在所述阳极层背离所述平坦化层的一面。
可选地，在所述钝化层上具有第一开孔，所述第一开孔贯穿所述第一介质层，所述第一开孔在所述第一介质层上的正投影位于所述驱动晶体管基层上；在所述第一开孔内设置有源漏电极，所述源漏电极与所述驱动晶体管基层接触。
可选地，所述第一介质层上具有第二开孔，所述第二开孔设置在所述第一开孔和所述第一电容基板之间，所述第二开孔在所述第一介质层上的正投影位于所述驱动晶体管基层上；所述第二电容基板覆盖所述第二开孔的内表面，使所述第二电容基板与所述驱动晶体管基层接触。
可选地，还包括：栅绝缘层；所述栅绝缘层设置在所述驱动晶体管基层与所述第一介质层之间。
可选地，还包括：检测晶体管基层和开关晶体管基层；所述检测晶体管基层与所述开关晶体管基层均与所述第一电容基板同层设置；所述检测晶体管基层与所述驱动晶体管基层并列设置在所述第一电容基板的同侧；所述开关晶体管基层与所述所述检测晶体管基层分立于所述第一电容基板的两侧。
可选地，还包括：第一栅极和第二栅极；所述第一栅极设置在所述开关晶体管基层上；所述第二栅极设置在所述检测晶体管基层上。
可选地，所述平坦化层还覆盖在所述检测晶体管基层靠近所述第一电容基板的边缘区域；在所述边缘区域对应的平坦层上设置有第三开孔；所述阳极层与所述检测晶体管基层通过所述第三开孔连通。
本发明另一方面提供一种显示面板的制备方法，包括：
提供衬底层；
在所述衬底层上形成第一电容基板；
在所述第一电容基板背离所述衬底层的一面形成第一介质层；
在所述第一介质层背离所述第一电容基板的一面形成第二电容基板；
在所述第二电容基板背离所述第一介质层的一面形成彩膜层。
可选地，所述在所述第一介质层背离所述第一电容基板的一面形成第二电容基板，包括：
在所述第一介质层背离所述第一电容基板的一面形成第一预设面积的第二电容基板层；
在所述第二电容基板层上涂覆第一金属层；
在所述第一金属层上形成第二金属层；
采用第一刻蚀液对第一金属层和第二金属层进行刻蚀，使第二金属层在第一金属层上的正投影覆盖所述第一金属；
采用第二刻蚀液刻蚀所述第二电容基板层，得到第二预设面积的第二电容基板，使所述第二电容基板和所述第一金属层等大；
在所述第二电容基板两侧，所述第一介质层上形成钝化层和第二介质层；
使用所述第一刻蚀液去除所述第一金属层和所述第二金属层。
可选地，所述在所述衬底层上形成第一电容基板，包括：
在所述衬底层上制备有源层；
对所述有源层进行图形化得到所述第一电容基板。
可选地，其中，对所述有源层进行图形化还得到驱动晶体管基层、检测晶体管基层和开关晶体管基层；所述检测晶体管基层与所述驱动晶体管基层并列设置在所述第一电容基板的同侧；所述开关晶体管基层与所述所述检测晶体管基层分立于所述第一电容基板的两侧。
本发明实施例提供的一种显示面板，包括：衬底层；第一电容基板，所述第一电容基板设置在所述衬底层上；第一介质层，所述第一介质层设置在所述第一电容基板背离所述衬底层的一面；第二电容基板，所述第二电容基板设置在所述第一介质层背离所述第一电容基板的一面；彩膜层，所述彩膜层设置在所述第二电容基板背离所述第一介质层的一侧。本发明实施例将像素电容和发光区制备在同一区，在增加像素电容值的同时，也不需要压缩发光区的面积，能够提升显示面板的像素，并且提高了显示面板的开口率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术的一种显示面板的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的一种显示面板的俯视结构示意图；
图4是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的步骤流程图；
图5是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的结构示意图；
图6是本发明实施例提供的一种第二电容基板的制备方法的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一
参照图2和图3，其中，图2是图3中B-B的截面图，本发明一方面提供了一种显示面板，包括：
衬底层10；
第一电容基板11，所述第一电容基板11设置在所述衬底层10上；
第一介质层12，所述第一介质层12设置在所述第一电容基板11背离所述衬底层10的一面；
第二电容基板13，所述第二电容基板13设置在所述第一介质层12背离所述第一电容基板11的一面；
彩膜层15，所述彩膜层15设置在所述第二电容基板13背离所述第一介质层12的一侧。
在本发明实施例中，衬底层10可以是玻璃基板或者树脂材料。第一电容基板11和第二电容基板13均为透明导电材料，如透明导电氧化物，ITO(氧化铟锡)。其中，第一电容基板11和第二电容基板13的材料相同，也可以不同，在此不加以限定。
在本发明实施例中，第一介质层为绝缘材料。
在本发明实施例中，第一电容基板11和第二电容基板13构成了像素电容，在第二电容基板13上设置彩膜层，使像素电容与显示面板的发光区同区设置，能够提高显示面板的像素。
在本发明实施例中，参照图2，还包括：驱动晶体管基层16；所述驱动晶体管基层16设置在所述衬底层10上，并与与所述第一电容基板11同层设置；所述第一介质层12覆盖所述第一电容基板11及所述驱动晶体管基层16。
在本发明实施例中，驱动晶体管基层16只设置在第一电容基板11的一侧，如图2和图3。
在本发明实施例中，还包括：
钝化层17，所述钝化层17设置在所述第一介质层12背离所述第一电容基板11的一面，与所述第二电容基板13同层设置，并且设置在所述第二电容基板13的两侧；
第二介质层18，所述第二介质层18设置在所述钝化层17背离所述第一介质层12的一面；
平坦化层19，所述平坦化层19覆盖所述彩膜层15、所述第二介质层18和所述钝化层17与所述彩膜层15之间第二电容基板13；
阳极层20，所述阳极层20设置在所述平坦化层19背离所述彩膜层15的一面；
像素界定层21，所述像素界定层21设置在所述阳极层20背离所述平坦化层19的一面。
在本发明实施例中，第二介质层18也为绝缘层，其中，彩膜层15、钝化层17、第二介质层18、平坦化层19、阳极层20和像素界定层21共同构成了显示面板的发光区。
在本发明实施例中，参照图2和图3，在所述钝化层17上具有第一开孔171，所述第一开孔171贯穿所述第一介质层12，所述第一开孔171在所述第一介质层12上的正投影位于所述驱动晶体管基层16上；在所述第一开孔171内设置有源漏电极1711，所述源漏电极1711与所述驱动晶体管基层16接触。
在本发明实施例中，在驱动晶体管基层16正对位置的钝化层上具有第一开孔171，该第一开孔171贯穿第一介质层12直达驱动晶体管基层16。
在本发明实施例中，驱动晶体管基层16，栅绝缘层22和源漏极1711，构成了显示面板的驱动晶体管X。
在本发明实施例中，所述第一介质层12上具有第二开孔121，所述第二开孔121设置在所述第一开孔171和所述第一电容基板11之间，所述第二开孔121在所述第一介质层12上的正投影位于所述驱动晶体管基层16上；所述第二电容基板13覆盖所述第二开孔121的内表面，使所述第二电容基板13与所述驱动晶体管基层16接触。
在本发明实施例中，第二开孔121用于第二电容基板13与驱动晶体管基层16建立连接，以使驱动晶体管控制第二电容基板。
在本发明实施例中，还包括：栅绝缘层22；所述栅绝缘层22设置在所述驱动晶体管基层16与所述第一介质层12之间。
在本发明实施例中，还包括：检测晶体管基层23和开关晶体管基层24；所述检测晶体管基层23与所述开关晶体管基层24均与所述第一电容基板11同层设置；所述检测晶体管基层23与所述驱动晶体管基层16并列设置在所述第一电容基板11的同侧；所述开关晶体管基层24与所述所述检测晶体管基层23分立于所述第一电容基板11的两侧。
在本发明实施例中，参照图3，检测晶体管基层23对应的位置形成检测晶体管Y。开关晶体管基层24对应的位置形成开关晶体管Z。其中，将检测晶体管、驱动晶体管和驱动晶体管分设在发光区A-A的两侧，能够增加显示区域占整个显示面板的面积比，提高显示区域的显示质量。
在本发明实施例中，还包括：第一栅极25和第二栅极26；所述第一栅极25设置在所述开关晶体管基层24上；所述第二栅极26设置在所述检测晶体管基层23上。
在本发明实施例中，第一栅极25和第二栅极26在显示面板中起到导线的作用。第二栅极26用于与电源VDD连接，给显示面板进行供电。
在本发明实施例中，所述平坦化层19还覆盖在所述检测晶体管基层23靠近所述第一电容基板11的边缘区域；在所述边缘区域对应的平坦层19上设置有第三开孔191；所述阳极层20与所述检测晶体管基层23通过所述第三开孔191连通。
在本发明实施例中，参照图3，未示出阳极层20，其中，阳极层20在图3的俯视图中覆盖在第二电容基板12上，在平坦层上开设有第三开孔191，第三开孔191贯穿第二电容基板，通过第三开孔使阳极层和检测晶体管基层建立电连接，对显示面板进行检测。
在本发明实施例中，参照图3，还包括数据线Data，数据线与开关晶体管Z连接，用于与显示面板进行数据传输。电源VDD，与驱动晶体管16连接，用于给显示面板进行供电。
本发明实施例提供的一种显示面板，包括：衬底层；第一电容基板，所述第一电容基板设置在所述衬底层上；第一介质层，所述第一介质层设置在所述第一电容基板背离所述衬底层的一面；第二电容基板，所述第二电容基板设置在所述第一介质层背离所述第一电容基板的一面；彩膜层，所述彩膜层设置在所述第二电容基板背离所述第一介质层的一侧。本发明实施例将像素电容和发光区制备在同一区，在增加像素电容值的同时，也不需要压缩发光区的面积，能够提升显示面板的像素，并且提高了显示面板的开口率。
实施例二
参照图4，示出本发明实施例提供一种显示面板的制备方法的流程图，具体包括如下步骤：
步骤201，提供衬底层。
在本发明实施例中，衬底层10可以是玻璃基板或者树脂材料。
步骤202，在所述衬底层上形成第一电容基板。
在本发明实施例中，所述在所述衬底层上形成第一电容基板，包括：
在所述衬底层上制备有源层；
对所述有源层进行图形化得到所述第一电容基板。
在本发明实施例中，参照图5(a)，对所述有源层进行图形化还得到驱动晶体管基层、检测晶体管基层和开关晶体管基层；所述检测晶体管基层与所述驱动晶体管基层并列设置在所述第一电容基板的同侧；所述开关晶体管基层与所述所述检测晶体管基层分立于所述第一电容基板的两侧。
在本发明实施例中，在衬底层上制备有源层后，对有源层进行图形化，同时得到第一电容基板11、驱动晶体管基层16、检测晶体管基层23和开关晶体管基层24。其中，第一电容基板11、驱动晶体管基层16、检测晶体管基层23和开关晶体管基层24的材料相同，均为透明导电氧化物材料。
在本发明实施例中，同时得到第一电容基板11、驱动晶体管基层16、检测晶体管基层23和开关晶体管基层24，不需要增加工序制备第一电容基板，可以使提高显示面板制备的效率。
在本发明实施例中，在图形化有源层后，参照图5(b)，还包括，在驱动晶体管基层上制备栅绝缘层22，在开关晶体管基层24上制备第一栅极25，在检测晶体管基层23上制备第二栅极26。
在本发明实施例中，通过带胶刻蚀制备栅绝缘层，并对无栅绝缘层和第一栅极及第二栅极覆盖的有源层的其他区域进行导体化处理，然后剥离栅绝缘层上的胶体。
在本发明实施例中，参照图5(c)，在制备好栅绝缘层，第一栅极和第二栅极后，对第一介质层12进行开孔得到第二开孔121。然后沉积第二电容基板、第一金属层和第二金属层。
在本发明实施例中，参照图5(d)，然后进行第一开孔171、沉积源漏极后。进行第一金属层和第二金属层的刻蚀及钝化层和第二介质层的制备。最后制备彩膜基板、平坦化层、阳极层和像素界定层。
步骤203，在所述第一电容基板背离所述衬底层的一面形成第一介质层。
步骤204，在所述第一介质层背离所述第一电容基板的一面形成第二电容基板。
在本发明实施例中，参照图6，所述在所述第一介质层背离所述第一电容基板的一面形成第二电容基板，包括：
参照图6(a)，首先，在所述第一介质层12背离所述第一电容基板的一面形成第一预设面积的第二电容基板层13；在所述第二电容基板层13上涂覆第一金属层131；在所述第一金属层上形成第二金属层132；
在本发明实施例中，在第一介质层12上涂覆的第二电容基板层13可以完全覆盖第一介质层，面积也可以小于第一介质层。其中，第二电容基板层13的第一预设面积大于最终的第二电容基板13的面积。
在本发明实施例中，第一金属层和第二金属层为金属材料，其中，第一金属层包括：Mo(钼)；第二金属层包括：ALNd(钕铝合金)。
参照图6(b)，其次，采用第一刻蚀液对第一金属层131和第二金属层132进行刻蚀，使第二金属层132在第一金属层131上的正投影覆盖所述第一金属。
在本发明实施例中，经过第一刻蚀液刻蚀后，第二金属层132的面积大于第一金属层131的面积，其中，选择对第二金属层的刻蚀速率大于对第一金属层的刻蚀速率的第一刻蚀液。
参照图6(c)，再次，采用第二刻蚀液刻蚀所述第二电容基板层，得到第二预设面积的第二电容基板，使所述第二电容基板和所述第一金属层等大。
参照图6(d)，在所述第二电容基板两侧，所述第一介质层上形成钝化层和第二介质层。
参照图6(e)，最后，使用所述第一刻蚀液去除所述第一金属层和所述第二金属层，形成第二金属基板13。
在本发明实施例中，采用图6的步骤，可以得到需要大小及厚度的第二金属基板，并且第二金属基板13可以在刻蚀过程中进行减薄来增加像素电容的电容值。
步骤205，在所述第二电容基板背离所述第一介质层的一面形成彩膜层。
本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法，包括：提供衬底层；在所述衬底层上形成第一电容基板；在所述第一电容基板背离所述衬底层的一面形成第一介质层；在所述第一介质层背离所述第一电容基板的一面形成第二电容基板；在所述第二电容基板背离所述第一介质层的一面形成彩膜层。在本发明实施例中，可以将像素电容和显示面板的发光区制备在同一区，制备方法简单高效。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统、装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (13)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
衬底层；
第一电容基板，所述第一电容基板设置在所述衬底层上；
第一介质层，所述第一介质层设置在所述第一电容基板背离所述衬底层的一面；
第二电容基板，所述第二电容基板设置在所述第一介质层背离所述第一电容基板的一面；
彩膜层，所述彩膜层设置在所述第二电容基板背离所述第一介质层的一侧。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：驱动晶体管基层；所述驱动晶体管基层设置在所述衬底层上，并与与所述第一电容基板同层设置；所述第一介质层覆盖所述第一电容基板及所述驱动晶体管基层。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，还包括：
钝化层，所述钝化层设置在所述第一介质层背离所述第一电容基板的一面，与所述第二电容基板同层设置，并且设置在所述第二电容基板的两侧；
第二介质层，所述第二介质层设置在所述钝化层背离所述第一介质层的一面；
平坦化层，所述平坦化层覆盖所述彩膜层、所述第二介质层和所述钝化层与所述彩膜层之间第二电容基板；
阳极层，所述阳极层设置在所述平坦化层背离所述彩膜层的一面；
像素界定层，所述像素界定层设置在所述阳极层背离所述平坦化层的一面。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，在所述钝化层上具有第一开孔，所述第一开孔贯穿所述第一介质层，所述第一开孔在所述第一介质层上的正投影位于所述驱动晶体管基层上；在所述第一开孔内设置有源漏电极，所述源漏电极与所述驱动晶体管基层接触。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一介质层上具有第二开孔，所述第二开孔设置在所述第一开孔和所述第一电容基板之间，所述第二开孔在所述第一介质层上的正投影位于所述驱动晶体管基层上；所述第二电容基板覆盖所述第二开孔的内表面，使所述第二电容基板与所述驱动晶体管基层接触。
6.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，还包括：栅绝缘层；所述栅绝缘层设置在所述驱动晶体管基层与所述第一介质层之间。
7.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，还包括：检测晶体管基层和开关晶体管基层；所述检测晶体管基层与所述开关晶体管基层均与所述第一电容基板同层设置；所述检测晶体管基层与所述驱动晶体管基层并列设置在所述第一电容基板的同侧；所述开关晶体管基层与所述所述检测晶体管基层分立于所述第一电容基板的两侧。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，还包括：第一栅极和第二栅极；所述第一栅极设置在所述开关晶体管基层上；所述第二栅极设置在所述检测晶体管基层上。
9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述平坦化层还覆盖在所述检测晶体管基层靠近所述第一电容基板的边缘区域；在所述边缘区域对应的平坦层上设置有第三开孔；所述阳极层与所述检测晶体管基层通过所述第三开孔连通。
10.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底层；
在所述衬底层上形成第一电容基板；
在所述第一电容基板背离所述衬底层的一面形成第一介质层；
在所述第一介质层背离所述第一电容基板的一面形成第二电容基板；
在所述第二电容基板背离所述第一介质层的一面形成彩膜层。
11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一介质层背离所述第一电容基板的一面形成第二电容基板，包括：
在所述第一介质层背离所述第一电容基板的一面形成第一预设面积的第二电容基板层；
在所述第二电容基板层上涂覆第一金属层；
在所述第一金属层上形成第二金属层；
采用第一刻蚀液对第一金属层和第二金属层进行刻蚀，使第二金属层在第一金属层上的正投影覆盖所述第一金属；
采用第二刻蚀液刻蚀所述第二电容基板层，得到第二预设面积的第二电容基板，使所述第二电容基板和所述第一金属层等大；
在所述第二电容基板两侧，所述第一介质层上形成钝化层和第二介质层；
使用所述第一刻蚀液去除所述第一金属层和所述第二金属层。
12.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底层上形成第一电容基板，包括：
在所述衬底层上制备有源层；
对所述有源层进行图形化得到所述第一电容基板。
13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，其中，对所述有源层进行图形化还得到驱动晶体管基层、检测晶体管基层和开关晶体管基层；所述检测晶体管基层与所述驱动晶体管基层并列设置在所述第一电容基板的同侧；所述开关晶体管基层与所述所述检测晶体管基层分立于所述第一电容基板的两侧。
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