CN109390380A - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，显示面板包括：覆盖器件层表面的平坦化层，平坦化层包括若干像素区和非像素区，平坦化层内具有暴露出输出端的连接孔；位于连接孔底部和侧壁、以及平坦化层部分上表面的第一阳极层，第一阳极层横跨像素区和非像素区，且第一阳极层与输出端电连接；覆盖非像素区第一阳极层的像素限定层，像素限定层具有暴露像素区第一阳极层上表面的限定孔；位于限定孔内的像素区第一阳极层上表面的第二阳极层。本发明中，通过设置结构特殊的阳极，降低了阳极开裂的风险，从而提高了显示面板的显示性能。

Description

显示面板及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode)称为有机电致发光二极管。OLED显示技术具有全固态、主动发光、高对比度、超薄、低功耗、效应速度快、工作范围宽、易于实现柔性显示和3D显示等诸多优点，使它在目前在众多显示设备上得到应用，例如应用于电视机和移动设备上，并逐渐渗透到汽车、虚拟现实和健康照明等领域。
柔性OLED是指柔性有机发光二极管，其基于柔性基板制造，且在柔性基板上运行。与传统的刚性OLED相比，柔性OLED更加灵活、更轻且更薄，使得可折叠、可卷曲的显示技术成为可能。然而，现有的柔性OLED显示面板的阳极易发生开裂，导致柔性OLED显示面板的电学性能变差甚至造成阳极不能接受信号。
为此，亟需提供一种新的显示面板及其制备方法，以解决阳极开裂的问题。
发明内容
本发明实施方式的目的在于提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，在弯折显示面板时，能够降低阳极开裂的风险。
为解决上述技术问题，本发明的实施方式提供了一种显示面板，包括：器件层，器件层具有输出端；覆盖器件层表面的平坦化层，平坦化层包括若干像素区和非像素区，平坦化层内具有暴露出输出端的连接孔；位于连接孔底部和侧壁、以及平坦化层部分上表面的第一阳极层，第一阳极层横跨像素区和非像素区，且第一阳极层与输出端电连接；覆盖非像素区第一阳极层的像素限定层，像素限定层具有暴露像素区第一阳极层上表面的限定孔；位于限定孔内的像素区第一阳极层上表面的第二阳极层。
本发明的实施方式还提供一种显示装置，包括上述的显示面板。
本发明的实施方式还提供一种显示面板的制备方法，包括：形成器件层，所述器件层具有输出端；形成覆盖所述器件层表面的平坦化层，所述平坦化层包括若干像素区和非像素区，且所述平坦化层内具有暴露出所述输出端的连接孔；形成第一阳极层和第二阳极层，其中，所述第一阳极层位于所述连接孔底部和侧壁、以及所述平坦化层部分上表面，所述第一阳极层与所述输出端电连接并横跨所述像素区和非像素区，所述第二阳极层位于所述像素区第一阳极层上表面；形成覆盖所述非像素区第一阳极层的像素限定层，所述像素限定层具有暴露出像素区第一阳极层表面的限定孔，其中，所述第二阳极层位于所述限定孔内的第一阳极层上表面。
本发明实施方式相对于现有技术而言，与器件层的输出端电连接的第一阳极层横跨像素区和非像素区，且位于平坦化层内连接孔底部和侧壁、以及平坦化层部分上表面；像素限定层覆盖非像素区的第一阳极层，暴露出像素区的第一阳极层上表面；暴露出的像素区第一阳极层上表面形成有第二阳极层，因此，显示面板的阳极由两部分构成：位于非像素区的第一阳极层构成非像素区的阳极，位于像素区的第一阳极层和第二阳极层构成像素区的阳极。可见，本实施方式中，非像素区的阳极厚度明显小于像素区的阳极厚度，非像素区的厚度明显减小，有利于防止在显示面板弯折时非像素区的阳极开裂的问题，从而改善显示面板的显示性能。
另外，第一阳极层包括第一金属氧化物层，第二阳极层包括金属层以及位于金属层上表面的第二金属氧化物层，使得像素区的阳极为金属-电介质-金属的叠层结构，在满足非像素区的阳极厚度较薄的需求的同时，满足像素区的阳极对透光率和导电性能的需求。
另外，非像素区平坦化层内具有至少一个凹槽；第一阳极层还位于凹槽底部和侧壁表面，且像素限定层还填充于凹槽内。由于开设有凹槽，使得第一阳极层与平坦化层之间的接触面积增加，第一阳极层与像素限定词之间的面积增加，从而提高第一阳极层与邻近膜层之间的粘附性，进一步的抑制非像素区的阳极开裂的问题，且避免第一阳极层与邻近膜层之间发生断层的问题，进一步的改善显示面板的性能。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
图1为本发明第一实施方式提供的显示面板的剖面结构示意图；
图2为本发明第二实施方式提供的显示面板的剖面结构示意图；
图3至图11为本发明第三实施方式提供的显示面板制备过程的剖面结构示意图。
具体实施方式
由背景技术可知，现有的显示面板具有阳极容易开裂的问题，影响显示面板的性能。
分析发现，柔性OLED显示面板中，阳极通常为导电透明氧化物，所述导电透明氧化物的柔性相对较低，在柔性OLED显示面板的可靠性测试中，或者在柔性OLED显示面板的正常使用中，随着弯折半径的减小和弯折次数的增加，弯折后的柔性OLED显示面板的阳极易发生开裂，导致柔性OLED显示面板的电学性能变差甚至造成阳极不能接受信号。
为解决上问题，本发明提供一种显示面板，改善阳极开裂的问题，提高显示面板的显示性能和可靠性。
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本发明各实施方式中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。
本发明的第一实施方式涉及一种显示面板，图1为本发明第一实施方式提供的显示面板的剖面结构示意图，参考图1，显示面板包括：
器件层，器件层具有输出端107；
覆盖器件层表面的平坦化层(PLN,Planarization Layer)108，平坦化层108包括若干像素区I和非像素区(未标示)，平坦化层108内具有暴露出输出端107的连接孔；
位于连接孔底部和侧壁、以及平坦化层108部分上表面的第一阳极层109，第一阳极层109横跨像素区I和非像素区，且第一阳极层109与输出端107电连接；
覆盖非像素区第一阳极层109的像素限定层(PDL,Pixel Defining Layer)110，像素限定层110具有暴露出像素区I第一阳极层109上表面的限定孔(未标示)；
位于限定孔内的像素区I第一阳极层109上表面的第二阳极层111。
以下将结合附图对本实施方式提供的显示面板进行详细说明。以下内容仅为方便理解提供的实现细节，并非实施本方案的必须。
器件层内具有若干个驱动单元，每一驱动单元对应具有输出端107，用于向像素区I的第一阳极层109提供驱动电压。本实施方式中，驱动单元由薄膜晶体管(TFT,Thin FilmTransistor)构成。在其他实施方式中，驱动单元还可以由其他驱动晶体管或者驱动器件构成。
器件层包括：基板101；位于基板101上表面的缓冲层102；分立于缓冲层102上表面的有源层103；覆盖缓冲层102以及有源层103的第一绝缘层104；位于有源层103上方的第一绝缘层104上表面的栅极105；位于栅极105两侧的有源层103内的源区和漏区；覆盖第一绝缘层104以及栅极105的第二绝缘层106；位于第二绝缘层106上方的源极和漏极，源极和漏极位于栅极105的两侧，源极通过贯穿第一绝缘层104和第二绝缘层106的过孔与源区连接，漏极通过贯穿第一绝缘层104和第二绝缘层106的过孔与漏区连接；待与第一阳极层电连接的源极或漏极构成输出端107。
本实施方式中，基板101为柔性基板，例如为聚合物基板、塑料基板或者超薄玻璃基板。在其他实施方式中，基板还可以为刚性基板，例如为玻璃基板。
缓冲层102的材料为氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅中的一种或多种。缓冲层102的作用包括：一方面，缓冲层102可以防止基板101中的离子扩散至有源层103中，降低缺陷中心和漏电流产生的概率；另一方面，相较于直接在基板上制备有源层的方案，本实施方式中，在缓冲层102上表面制备的有源层103的质量更好，有源层103的结晶性能更优异。
有源层103的材料为多晶硅或者非晶硅。本实施方式中，有源层103内掺杂有P型离子，例如为B、Ga或者In。在其他实施方式中，有源层内的掺杂离子还可以为N型离子，例如为P、As或Sb。
第一绝缘层104为栅介质层。本实施方式中，第一绝缘层104的材料为氧化硅。在其他实施方式中，第一绝缘层的材料还可以为氮化硅或者氮氧化硅，或者，第一绝缘层的材料还可以为高k介质材料，例如为HfO2或者Al2O3。
本实施方式中，栅极105的材料为Mo。在其他实施方式中，栅极的材料还为其它金属，例如为Cu、Al或者W。
本实施方式中，源区和漏区的掺杂离子为P型离子。第二绝缘层106暴露出源极和漏极顶部表面，例如，源极和漏极顶部与第二绝缘层106上表面齐平，或者，源极和漏极顶部高于第二绝缘层106上表面。
第二绝缘层106作为层间介质层。本实施方式中，第二绝缘层106的材料为氧化硅。在其他实施方式中，第二绝缘层的材料还可以为氮化硅或者氮氧化硅。需要说明的是，本实施方式中，器件层中的薄膜晶体管为顶栅结构式薄膜晶体管，在其他实施方式中，薄膜晶体管还可以为底栅结构式薄膜晶体管。
由于有源层103分立于缓冲层102上，相应的，第二绝缘层106顶部表面非平坦化表面，在第二绝缘层106上表面以及导电插塞上表面设置平坦化层108，以获得平坦化的界面基础。
平坦化层108的材料为绝缘材料。本实施方式中，平坦化层108的材料为有机聚合物材料。在其他实施方式中，平坦化层的材料还可以氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅。
平坦化层108内具有贯穿平坦化层108厚度的连接孔，用于暴露出输出端107，以便使第一阳极层109与暴露出的输出端107电连接。本实施方式中，连接孔暴露出漏极对应的输出端107。
为了提高位于连接孔的底部和侧壁的第一阳极层109的厚度均匀性，本实施方式中，连接孔的剖面形状为倒梯形，即，连接孔的顶部开口尺寸大于底部开口尺寸。在其他实施方式中，连接孔的剖面形状还可以为矩形。
需要说明的是，本实施方式中，连接孔暴露出输出端107中导电插塞的上表面，在其他实施例中，连接孔还可以暴露出输出端中导电插塞的侧面，保证位于连接孔内的第一阳极层能够与输出端相接触即可。
平坦化层108包括像素区I和非像素区，像素区I上方具有OLED结构(包括第一阳极层109和第二阳极层111)，其中，像素区I对应为像素单元中的子像素，在显示面板处于工作状态时，位于像素区I上方的OLED结构中的功能层发光，也就是说，像素区I也可以称为显示区，非像素区可以称为非显示区。
本实施方式中，每个像素单元包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中的一种或者全部，子像素之间可以呈一定的位置关系，例如并列排列、品字排列或者在一个方块区域内互补等，根据子像素之间的位置关系，确定像素区I与非像素区之间的位置排列关系。在其他实施方式中，每个像素单元还可以包括CMYK像素单元中的任一种或者全部子像素。
第一阳极层109与第二阳极层111共同作为显示面板中OLED结构的阳极，起到向OLED结构中的功能层提供驱动电压的作用。第一阳极层109需要与器件层中的输出端107电连接，第一阳极层109位于连接孔的底部和侧壁，以使第一阳极层109与漏极的导电插塞顶部相接触。
第一阳极层109位于部分平坦化层108上表面，且横跨非像素区和像素区I，其中，位于非像素区的第一阳极层109用于电连接输出端107，位于像素区I的第一阳极层109用于与第二阳极层111电接触，以使第一阳极层109能够为OLED结构中的功能层提供驱动电压。本实施方式中，以第一阳极层109横跨单个像素区I和单个非像素区为例，在其他实施方式中，第一阳极层还可以横跨单个像素区以及与像素区相邻的至少两个非像素区。
本实施方式中，每一像素区I对应的第一阳极层109为相互分立的，保证采用不同的驱动单元分别向不同像素区I的OLED提供驱动电压。
像素限定层110与非像素区的平坦化层108之间仅有第一阳极层109，而第二阳极层111未设置在非像素区的平坦化层108上，因此，非像素区的阳极厚度明显变薄，从而降低了非像素区的阳极发生开裂的风险，尤其是当显示面板弯折时，非像素区的阳极厚度薄因此其发生开裂的风险也相应减小，即使弯折半径减小或者弯折次数增多，非像素区的阳极也不易发生开裂或者断裂。
第一阳极层109的材料为透明导电材料。本实施方式中，为了提高显示面板的透光率和导电性能，像素区I的阳极为金属氧化物层-金属层-金属氧化物层的叠层结构(DMD，Dielectric-Metal-Dielectric)的叠层结构。第一阳极层109包括第一金属氧化物层，第一金属氧化物层的材料为透明导电氧化物，其中，透明导电氧化物为氧化锡、氧化铟、氧化锌、ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)或者AZO(掺杂铝的氧化锌)。相应的，第二阳极层111为金属层以及位于金属层上表面的第二金属氧化物层的叠层结构。
采用第一阳极层109为第一金属氧化物层的单层结构，第二阳极层111为金属层-金属氧化物层的叠层结构，使得像素区I的阳极为金属氧化物层-金属层-金属氧化物层的叠层结构，既能够满足显示面板的透光率和导电性能的需求，还能够使第一阳极层109的厚度相对较薄，降低非像素区的阳极发生开裂的风险，同时充分利用阳极形成工艺且降低阳极制备工艺的工艺难度。
本实施方式中，第一阳极层109的材料为ITO。第一阳极层109的厚度不宜过薄，也不宜过厚。若第一阳极层109的厚度过薄，第一阳极层109的导电性能易受到不良影响；若第一阳极层109的厚度过厚，则非像素区的阳极厚度仍然相对较厚，对于改善非像素区的阳极开裂问题的效果有限。为此，本实施方式中，第一阳极层109的厚度为90埃至120埃，例如90埃、110埃、120埃。
需要说明的是，在其他实施例方式中，第一阳极层的材料还可以为Ag、Pt或者Au。
像素限定层110覆盖非像素区第一阳极层109表面，且还覆盖非像素区的暴露出的平坦化层108上表面，其中，暴露出的平坦化层108上表面指的是，未被第一阳极层109覆盖的非像素区的平坦化层108上表面。本实施方式中，像素限定层110还除覆盖非像素区的第一阳极层109上表面外，还覆盖非像素区的第一阳极层109的侧壁表面。
像素限定层110具有暴露出像素区I第一阳极层109上表面的限定孔，用于限定像素单元及其子像素的位置；像素限定层110位于相邻的像素区I之间且包围每个像素区I，用于隔离相邻像素区I。
本实施方式中，在垂直于基板101表面方向上，像素限定层110的剖面形状为正梯形，相应的，限定孔的剖面形状为倒梯形。在其他实施方式中，在垂直于基板表面方向上，像素限定层的剖面形状还可以为矩形，相应的，限定孔的剖面形状为矩形。
第二阳极层111与第一阳极层109共同构成显示面板中OLED结构的阳极，且第二阳极层111仅位于像素区I。
如前，本实施方式中，第二阳极层111包括金属层以及位于金属层上表面的第二金属氧化物层的叠层结构。其中，金属层的材料为Ag、Pt或者Au，第二金属氧化物层的材料为透明导电氧化物，例如为氧化锡、氧化铟、氧化锌、ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)或者AZO(掺杂铝的氧化锌)。
本实施方式中，金属层的材料为Ag，第二金属氧化物层的材料为ITO。金属层的厚度为800埃至1000埃，例如为800埃、950埃、1000埃；第二金属氧化物层的厚度为80埃至100埃，例如为80埃、95埃、100埃。
需要说明的是，在其他实施方式中，第二阳极层也可以为单层结构，例如，第二阳极层为金属氧化物层。还需要说明的是，在其他实施方式中，第二阳极层的材料还可以与第一阳极层的材料相同。另外，还需要说明的是，本实施方式中，位于像素区I的第一阳极层109和第二阳极层111为相互独立的膜层结构，在其他实施方式中，位于像素区的第一阳极层和第二阳极层还可以为一体结构。
显示面板还包括：位于像素限定层110上表面的支撑结构(SPC)112；位于第二阳极层111上表面的功能层；位于功能层上表面的阴极。第一阳极层109和第二阳极层111向功能层提供驱动电压，以使功能层的材料发光。
本实施方式中，通过设置结构特殊的阳极，使得非像素区的阳极厚度小于像素区I的阳极厚度，从而降低了非像素区阳极发生开裂或者断裂的风险，当显示面板的弯折半径减小或者弯折次数增加时，非像素区的阳极始终能够保持良好性能，为显示面板中的功能层稳定有效的提供驱动电压。
本发明的第二实施方式还提供一种显示面板。第二实施方式与第一实施方式大致相同，主要区别之处在于：在第一实施方式中，非像素区的平坦化层内除连接孔外未设置凹槽，非像素区的第一阳极层位于平坦化层上表面；而在第二实施方式中，非像素区的平坦化层内设置有凹槽，非像素区的第一阳极层除位于平坦化层上表面外，还位于凹槽的底部和侧壁，且像素限定层填充凹槽。以下将结合附图对本实施方式提供的显示面板进行详细说明，图2为本发明第二实施方式提供的显示面板的剖面结构示意图，参考图2，显示面板包括：
器件层，器件层具有输出端207；覆盖器件层表面的平坦化层208，平坦化层208包括若干像素区I和非像素区，平坦化层208内具有贯穿平坦化层208厚度的连接孔，且连接孔暴露出输出端207；位于连接孔底部和侧壁、以及平坦化层208部分上表面的第一阳极层209，第一阳极层209横跨像素区I和非像素区，且第一阳极层209与输出端207电连接；覆盖非像素区第一阳极层209的像素限定层210，像素限定层210具有暴露出像素区I第一阳极层209上表面的限定孔；位于限定孔内的像素区I第一阳极层209上表面的第二阳极层211。
以下将结合附图对本实施方式提供的显示面板进行详细说明。需要说明的是，与前一实施方式相同的部分，以下将不做详细描述，可参考前一实施方式的相应说明。
器件层包括：基板201；位于基板201上表面的缓冲层202；分立于缓冲层202上表面的有源层203；覆盖缓冲层202以及有源层203的第一绝缘层204；位于有源层203上方的第一绝缘层204上表面的栅极205；分别位于栅极205两侧的有源层203内的源区和漏区(未图示)，其中，位于栅极205一侧的为源区，位于栅极205另一侧的为漏区；覆盖第一绝缘层204、源区、漏区以及栅极205的第二绝缘层206；位于第二绝缘层206上方的源极和漏极，源极和漏极位于栅极205的两侧，源极通过贯穿第一绝缘层204和第二绝缘层206的过孔与源区连接，漏极通过贯穿第一绝缘层204和第二绝缘层206的过孔与漏区连接；待与第一阳极层电连接的源极或漏极构成输出端207。
有关器件层的详细描述可参考第一实施方式，在此不再赘述。
第一阳极层209与位于像素区I的第二阳极层211共同构成显示面板中OLED结构的阳极。与第一实施方式不同的是，第二实施方式中，非像素区的平坦化层208内具有至少一个凹槽(未标示)，且凹槽位于平坦化层208内的深度小于或等于平坦化层208的厚度；第一阳极层209还位于凹槽底部和侧壁表面；像素限定层210还填充于凹槽内，且位于凹槽内的像素限定层210覆盖第一阳极层209表面。
本实施方式中，凹槽的深度小于连接孔的深度，也就是说，凹槽位于部分厚度平坦化层208内，保证第一阳极层209与器件层之间具有一定的距离，有利于避免第一阳极层209对器件层的电学性能带来不良影响。
本实施方式中，以非像素区的凹槽的数量为两个为例，在其他实施方式中，非像素区的凹槽的数量可以根据非像素区的平坦化层208的面积以及凹槽的尺寸，确定凹槽的数量，凹槽的数量可以为三个、五个或六个等。
本实施方式中，在垂直于基板201表面方向上，凹槽的剖面形状为倒梯形。在其他实施方式中，凹槽的剖面形状还可以为正梯形、方形或者U形。
本实施方式提供的显示面板，非像素区的阳极厚度小于像素区I的阳极厚度，非像素区的阳极厚度薄，有利于降低非像素区的阳极开裂的风险；并且，本实施方式中非像素区的第一阳极层209表面面积增加，相应的，非像素区的第一阳极层209与像素限定层210之间的接触面积增加，因此非像素区的第一阳极层209与像素限定层210之间的粘附性增强，有利于进一步的抑制第一阳极层209的开裂，且降低第一阳极层209与平坦化层208之间的断层风险，降低第一阳极层209与像素限定层210之前的断层风险，进一步的改善显示面板的显示性能。
本发明第三实施方式还提供一种显示面板的制备方法，用于制备上述显示面板。以下将结合附图对本发明第三实施方式提供的显示面板的制备方法的流程进行详细说明。
图3至图11为本发明第三实施方式提供的显示面板制备过程的剖面结构示意图。
参考图3至图7，形成器件层，器件层具有输出端207。
器件层内具有若干个驱动单元。本实施方式中，以驱动单元由薄膜晶体管构成为例。形成器件层的步骤包括：
参考图3，提供基板201；在基板201上表面形成缓冲层202。
有关基板201和缓冲层202的材料和作用的详细描述，请参考前述实施方式的具体说明。
本实施方式中，采用化学气相沉积工艺形成缓冲层202。在其他实施方式中，还可以采用物理气相沉积工艺或者原子层沉积工艺，形成缓冲层。
参考图4，在缓冲层202上表面形成若干分立的有源层203。
有源层103为形成器件层内驱动单元的沟道区、漏极以及源极提供工艺基础。
本实施方式中，形成有源层203的工艺步骤包括：采用低温多晶硅薄膜(LTPS,LowTemperature Poly-silicon)沉积工艺，在缓冲层202上表面沉积有源膜；图形化有源膜，形成分立的有源层203。
参考图5，形成覆盖缓冲层202以及有源层203的第一绝缘层204。
具体地，在缓冲层202上表面、有源层203的上表面和侧面形成第一绝缘层204。
本实施方式中，采用化学气相沉积工艺，形成第一绝缘层204。
参考图6，在有源层203上方的第一绝缘层204上表面形成栅极205。
本实施方式中，形成栅极205的工艺步骤包括：在第一绝缘层204上表面形成栅极膜；图形化栅极膜，形成栅极205。
参考图7，在栅极205两侧的有源层203内形成源区和漏区，其中，位于栅极205一侧的为源区，位于栅极205另一侧的为漏区；形成覆盖第一绝缘层204、源区、漏区以及栅极205的第二绝缘层206；形成与源区电连接的源极以及与漏区电连接的漏极，其中，极和漏极位于栅极205的两侧，源极通过贯穿第一绝缘层204和第二绝缘层206的过孔与源区连接，漏极通过贯穿第一绝缘层204和第二绝缘层206的过孔与漏区连接；待与第一阳极层电连接的源极或漏极构成输出端207。
具体地，对栅极205两侧的有源层203进行n型掺杂或者p型掺杂，分别在栅极205一侧的有源层203内形成源区，在栅极205另一侧的有源层203内形成漏区。
参考图8及图9，形成覆盖器件层表面的平坦化层208，平坦化层208包括若干像素区I和非像素区，且平坦化层208内具有暴露出输出端207的连接孔20。
本实施方式中，连接孔20暴露出输出端207中导电插塞的顶部表面。在其他实施方式中，连接孔还可以暴露出输出端中导电插塞的侧壁表面。
形成平坦化层208的工艺步骤包括：在器件层表面形成平坦化膜218；在平坦化膜218表面形成图形化的光刻胶层；以图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀平坦化膜218，形成暴露出源漏输出端207的连接孔20，剩余平坦化膜218作为平坦化层208。
在其他实施方式中，平坦化层的材料还可以为绝缘光阻材料，相应的，可以采用曝光处理和显影处理，形成具有连接孔的平坦化层。
本实施方式中，非像素区的平坦化层208内具有至少一个凹槽21。形成凹槽21的作用包括：后续相继在凹槽21内形成第一阳极层和像素限定层，凹槽21的开设能够增加第一阳极层与像素限定层之间的接触面，且有利于增加第一阳极层与平坦化层208之间的接触面，从而提高形成的第一阳极层与平坦化层208以及像素限定层之间的粘附性，避免第一阳极层与邻近膜层发生断层的风险，提高制备的显示面板的显示性能。
需要说明的是，在其他实施方式中，非像素区的平坦化层也可以不开设凹槽。
本实施方式中，凹槽21位于部分厚度的平坦化层208内，可以在形成连接孔20之前形成凹槽21，也可以在形成连接孔20之后形成凹槽21。在其他实施方式中，还可以在同一道工艺步骤中，形成连接孔和凹槽，例如，通过控制形成连接孔所需的曝光条件和形成凹槽所需的曝光条件，使得待形成连接孔位置的材料和待形成凹槽位置的材料的曝光程度不同，相应的，在显影处理过程中，二者被显影去除的厚度不同，从而形成深度不同的连接孔和凹槽。
后续的工艺步骤包括：形成第一阳极层和第二阳极层，其中，所述第一阳极层位于所述连接孔20底部和侧壁、以及所述平坦化层208部分上表面，所述第一阳极层与所述输出端207电连接并横跨所述像素区I和非像素区，所述第二阳极层位于所述像素区I第一阳极层上表面；形成覆盖所述非像素区第一阳极层的像素限定层，所述像素限定层具有暴露出像素区I第一阳极层表面的限定孔，其中，所述第二阳极层位于所述限定孔内的第一阳极层上表面。
以下将结合附图对本实施方式中第一阳极层、第二阳极层和像素限定层的形成工艺步骤进行详细说明。
参考图9，在连接孔20底部和侧壁、以及平坦化层208部分上表面形成第一阳极层209，第一阳极层209横跨像素区I和非像素区，且第一阳极层209与输出端207电连接。
有关第一阳极层209的材料和厚度参数，可参考前述实施例，在此不再赘述。本实施方式中，在形成第一阳极层209的工艺步骤中，还在凹槽21底板和侧壁表面形成第一阳极层209。
每一像素区I对应的第一阳极层209为相互独立的。本实施方式中，形成第一阳极层209的工艺步骤包括：在平坦化层208上表面、以及凹槽21的底部和侧壁形成第一阳极膜；在第一阳极膜上表面形成图形化的光刻胶层；以图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀第一阳极膜形成第一阳极层209；去除图形化的光刻胶层。
可以采用蒸镀或者溅射的方式，形成第一阳极膜。在其他实施方式中，还可以采用印刷工艺形成第一阳极层209。
本实施方式中，凹槽21的剖面形状为倒梯形，有利于增加形成于凹槽内的第一阳极层209的工艺窗口，提高凹槽21内的第一阳极层209的厚度均匀性，增强第一阳极层209的导电性能。
参考图10，形成覆盖非像素区第一阳极层209的像素限定层210，像素限定层210具有暴露出像素区I第一阳极层209上表面的限定孔22。
像素限定层210覆盖非像素区第一阳极层209的上表面和侧壁。有关像素限定层210的位置、作用和材料，可参考前述实施方式中的详细描述，在此不再赘述。
在形成像素限定层209的工艺步骤中，还在凹槽21内填充像素限定层209，使得像素限定层209与凹槽21内的第一阳极层209相接触。
本实施方式中，像素限定层210的材料为光阻材料。形成像素限定层的工艺步骤包括：形成覆盖第一阳极层209上表面以及平坦化层208上表面的像素限定膜；对像素限定膜进行曝光处理以及显影处理，去除位于像素区I第一阳极层209上表面的像素限定膜，形成限定孔22，剩余像素限定膜作为像素限定层210。
在其他实施方式中，也可以对像素限定膜进行刻蚀处理，形成限定孔。
参考图11，在像素区I第一阳极层209上表面形成第二阳极层211。
有关第二阳极层211的材料和厚度参数可参考前述实施方式中的相应描述，在此不再赘述。
本实施方式中，采用蒸镀工艺形成第二阳极层211。在其他实施方式中，还可以采用印刷工艺形成第二阳极层。
需要说明的是，本实施方式中，在形成第二阳极层211前形成像素限定层209，在其他实施方式中，还可以在形成第二阳极层之后形成像素限定层。
后续的工艺步骤还包括：在像素限定层208上表面形成支撑结构；在第二阳极层211上表面形成功能层；在功能层上表面形成阴极。
采用本实施方式制备的显示面板，采用至少两步工艺，分别形成非像素区的阳极和像素区I的阳极，具体地，先在非像素区和像素区I形成第一阳极层209，接着在非像素区的第一阳极层209上覆盖像素限定层210，然后仅在像素区I的第一阳极层209上表面形成第二阳极层211，第一阳极层209构成非像素区的阳极，第一阳极层209和第二阳极层211共同构成像素区I的阳极。因此，本实施方式中，在非像素区形成的阳极厚度明显小于像素区I形成的阳极厚度，有利于降低非像素区的阳极发生开裂或断裂的风险，从而改善制备的显示面板的显示性能。
此外，在形成第一阳极层209之前，还在非像素区的平坦化层208内形成凹槽，相应的还在凹槽底部和侧壁表面形成第一阳极层209，且像素限定层210还填充于凹槽内，使得第一阳极层209与平坦化层208以及像素限定层210的接触面积增加，从而增加第一阳极层209与平坦化层208以及像素限定层210之间的粘附性，进而避免在弯折显示面板时第一阳极层209与邻近膜层之间的断层问题。
还需要说明的是，与本实施方式中分别采用不同的膜层形成工艺来形成第一阳极层209和第二阳极层211不同的是，在其他实施方式中，还可以采用同一道膜层形成工艺来形成第一阳极层和第二阳极层。具体地，在其他实施方式中，形成第一阳极层、第二阳极层和像素限定层的工艺步骤包括：
步骤S1、在连接孔底部和侧壁、平坦化层部分上表面形成阳极层，阳极层与输出端电连接且横跨像素区和非像素区。
阳极层为后续形成第一阳极层提供工艺基础；阳极层可以为单层结构也可以为叠层结构。
步骤S2、刻蚀去除非像素区的部分厚度的阳极层，非像素区剩余的阳极层作为非像素区的第一阳极层，像素区的阳极层作为像素区的第一阳极层以及第二阳极层。
在刻蚀工艺步骤之前，在像素区的阳极层上形成掩膜层；以掩膜层为掩膜，对非像素区的阳极层进行刻蚀，直至剩余的阳极层的厚度满足要求；在刻蚀工艺步骤之后，去除掩膜层。像素区的第一阳极层和第二阳极层为一体结构。
步骤S3、在刻蚀工艺步骤之后，形成像素限定层。
具体地，形成覆盖非像素区第一阳极层的像素限定层，像素限定层具有暴露出像素区第一阳极层上表面的限定孔。
采用上述的制造方法有利于减少工艺步骤降低工艺成本，并且，由于像素区的第一阳极层和第二阳极层为在同一道工艺步骤中形成的，有利于提高像素区第一阳极层和第二阳极层之间的粘附性，改善像素区第一阳极层与第二阳极层之间的界面质量，且避免像素区第一阳极层上表面受到污染。
本发明第四实施方式还提供一种显示装置，包括上述的显示面板。显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、数码相框或者导航仪等具有电视功能的产品或者部件。
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本发明的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围。

Claims (12)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
器件层，所述器件层具有输出端；
覆盖所述器件层表面的平坦化层，所述平坦化层包括若干像素区和非像素区，所述平坦化层内具有暴露出所述输出端的连接孔；
位于所述连接孔底部和侧壁、以及平坦化层部分上表面的第一阳极层，所述第一阳极层横跨所述像素区和非像素区，且所述第一阳极层与所述输出端电连接；
覆盖所述非像素区第一阳极层的像素限定层，所述像素限定层具有暴露像素区第一阳极层上表面的限定孔；
位于所述限定孔内的像素区第一阳极层上表面的第二阳极层。
2.如权利要求1所述显示面板，其特征在于，所述第一阳极层包括第一金属氧化物层；所述第二阳极层包括金属层以及位于金属层上表面的第二金属氧化物层。
3.如权利要求2所述显示面板，其特征在于，所述第一金属氧化物层的材料包括氧化锡、氧化铟、氧化锌、铟锡氧化物、铟锌氧化物或者掺杂铝的氧化锌；所述金属层的材料包括Ag、Au或者Pt；所述第二金属氧化物层的材料包括氧化锡、氧化铟、氧化锌、铟锡氧化物、铟锌氧化物或者掺杂铝的氧化锌。
4.如权利要求2所述显示面板，其特征在于，所述第一阳极层的厚度范围为90埃至120埃；所述金属层的厚度范围为800埃至1000埃；所述第二金属氧化物层的厚度范围为80埃至100埃。
5.如权利要求1所述显示面板，其特征在于，所述第一阳极层的材料与所述第二阳极层的材料相同。
6.如权利要求1所述显示面板，其特征在于，还包括：所述非像素区平坦化层内具有至少一个凹槽；所述第一阳极层还位于所述凹槽底部和侧壁表面，且所述像素限定层还填充于所述凹槽内。
7.如权利要求6所述显示面板，其特征在于，所述凹槽位于部分厚度的平坦化层内。
8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的显示面板。
9.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
形成器件层，所述器件层具有输出端；
形成覆盖所述器件层表面的平坦化层，所述平坦化层包括若干像素区和非像素区，且
所述平坦化层内具有暴露出所述输出端的连接孔；
形成第一阳极层和第二阳极层，其中，所述第一阳极层位于所述连接孔底部和侧壁、以及所述平坦化层部分上表面，所述第一阳极层与所述输出端电连接并横跨所述像素区和非像素区，所述第二阳极层位于所述像素区第一阳极层上表面；
形成覆盖所述非像素区第一阳极层的像素限定层，所述像素限定层具有暴露出像素区第一阳极层表面的限定孔，其中，所述第二阳极层位于所述限定孔内的第一阳极层上表面。
10.如权利要求9所述的显示面板的制造方法，其特征在于，形成所述第一阳极层、第二阳极层和像素限定层的工艺步骤包括：
在所述连接孔底部和侧壁、以及平坦化层部分上表面形成所述第一阳极层；在形成所述第一阳极层之后，在所述像素区第一阳极层上表面形成所述第二阳极层；在形成所述第二阳极层之前或者之后，形成所述像素限定层。
11.如权利要求9所述的显示面板的制造方法，其特征在于，形成所述第一阳极层、第二阳极层和像素限定层的工艺步骤包括：
在所述连接孔底部和侧壁、平坦化层部分上表面形成阳极层，所述阳极层与所述输出端电连接且横跨所述像素区和非像素区；
刻蚀去除所述非像素区的部分厚度的阳极层，非像素区剩余的阳极层作为非像素区的第一阳极层，像素区的阳极层作为像素区的第一阳极层以及所述第二阳极层；
在所述刻蚀工艺步骤之后，形成所述像素限定层。
12.如权利要求9所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述非像素区平坦化层内具有至少一个凹槽，在形成所述连接孔之后形成所述凹槽，或者，在形成所述连接孔之前形成所述凹槽，或者在同一工艺步骤中形成所述连接孔和所述凹槽；在形成所述第一阳极层的工艺步骤中，还在所述凹槽底部和侧壁表面形成所述第一阳极层；在形成所述像素限定层的工艺步骤中，还在所述凹槽内填充所述像素限定层。
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