CN111584585A

CN111584585A - 像素单元和掩膜板

Info

Publication number: CN111584585A
Application number: CN202010415228.2A
Authority: CN
Inventors: 周思思
Original assignee: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Current assignee: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date: 2020-05-15
Filing date: 2020-05-15
Publication date: 2020-08-25
Anticipated expiration: 2040-05-15
Also published as: CN111584585B

Abstract

本发明实施例提供的像素单元包括上层金属图案、以及与上层全属图案通过接触孔对应连接的下层金属图案，上层金属图案同层制备，其中，较大孔深的接触孔的最大设计孔径，大于孔深较小的接触孔的最大设计孔径，使得不同孔深的接触孔与下层金属图案的接触面积趋于相同；最大孔径的设计方式，使得接触面积趋于相同，从而阻抗相同。

Description

像素单元和掩膜板

技术领域

本发明涉及OLED显示技术领域，尤其涉及一种像素单元和一种掩膜板。

背景技术

因为掩膜板的通孔尺寸相同，在现有像素单元中，三个接触孔的深度不同，第一接触孔的深度大于第二接触孔的深度大于第三接触孔的深度，由于接触孔深度的不同，导致了第一接触面的面积小于第二接触面的面积小于第三接触面的面积，从而造成三个接触面处的阻抗不同，因此，现有像素单元存在因接触孔接触面积不同而引起的阻抗差异的技术问题。

发明内容

本发明实施例提供一种像素单元和一种掩膜板，可缓解现有像素单元存在因接触孔接触面积不同而引起的阻抗差异的技术问题。

本发明实施例提供一种像素单元，包括衬底、以及阵列设置在所述衬底上的上层金属图案，以及与所述上层全属图案对应设置的下层金属图案，相对应的所述上层全属图案与所述下层金属图案通过接触孔连接；所述上层金属图案同层制备，所述下层金属图案中至少有一功能金属图案与其他金属图案位于不同膜层，连接该功能金属图案的接触孔孔深不同于其他接触孔的孔深；其中，较大孔深的接触孔的最大设计孔径，大于孔深较小的接触孔的最大设计孔径，使得不同孔深的接触孔与所述下层金属图案的接触面积趋于相同。

在本发明实施例提供的像素单元中，所述下层金属图案包括有源层、第一金属层、第二金属层，所述上层金属图案包括源漏极金属层，所述源漏极金属层通过第一接触孔与所述有源层触接形成第一接触面，所述源漏极金属层通过第二接触孔与所述第一金属层触接形成第二接触面，所述源漏极金属层通过第三接触孔与所述第二金属层触接形成第三接触面，所述第一接触面、所述第二接触面、所述第三接触面中至少有两个接触面的面积相同。

在本发明实施例提供的像素单元中，在层间绝缘层的同一高度处，所述第一接触孔的横截面面积大于所述第二接触孔的横截面面积，所述第二接触孔的横截面面积大于所述第三接触孔的横截面面积。

在本发明实施例提供的像素单元中，所述第一接触面、所述第二接触面、所述第三接触面的形状均相同，所述形状为矩形、圆形、菱形中的任一种。

在本发明实施例提供的像素单元中，所述第一接触面、所述第二接触面、所述第三接触面形状均不同。

在本发明实施例提供的像素单元中，所述第一接触面和所述第二接触面的面积相同，所述第二接触面的面积大于所述第三接触面的面积，其中，所述第一接触面材料的电阻率和所述第二接触面材料的电阻率相同，所述第二接触面材料的电阻率大于所述第三接触面材料的电阻率，使得所述第一接触面、所述第二接触面、所述第三接触面处的阻抗相同。

本发明实施例提供一种掩膜板，包括主体、以及设置在所述主体上的第一通孔、第二通孔、第三通孔，所述第一通孔对应形成所述第一接触孔，所述第二通孔对应形成所述第二接触孔，所述第三通孔对应形成所述第三接触孔，其中，所述第一通孔的尺寸大于所述第二通孔的尺寸，所述第二通孔的尺寸大于所述第三通孔的尺寸。

在本发明实施例提供的掩膜板中，所述第一通孔的尺寸、所述第二通孔的尺寸、所述第三通孔的尺寸的值呈等差排布。

在本发明实施例提供的掩膜板中，所述第一通孔、所述第二通孔、所述第三通孔的形状均相同，所述形状为矩形、圆形、菱形中的任一种。

在本发明实施例提供的掩膜板中，所述第一通孔、所述第二通孔、所述第三通孔的形状均不同。

有益效果：本发明实施例提供的像素单元包括上层金属图案、以及与所述上层全属图案对应设置的下层金属图案，所述上层金属图案同层制备，所述下层金属图案中至少一功能金属图案膜层与其他下层金属图案位于不同层，上层金属图案和下层金属图案之间通过不同孔深的接触孔连接，较大孔深的接触孔的最大设计孔径，大于孔深较小的接触孔的最大设计孔径；最大孔径的设计方式，使得不同孔深的接触孔与所述下层金属图案的接触面积趋于相同，以抵消刻蚀力衰减导致的孔径随孔深缩放，进而导致因接触面积不同而引起的阻抗差异的技术问题。

附图说明

下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为本发明实施例提供的像素单元的第一种截面示意图；

图2为本发明实施例提供的像素单元的第二种截面示意图；

图3为本发明实施例提供的掩膜板的截面示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

如图1所示，本发明实施例提供的像素单元包括衬底201、以及阵列设置在所述衬底201上的上层金属图案104，以及与所述上层全属图案104对应设置的下层金属图案105，相对应的所述上层全属图案104与所述下层金属图案105通过接触孔连接；所述上层金属图案104同层制备，所述下层金属图案105中至少有一功能金属图案1051与其他金属图案位于不同膜层，连接该功能金属图案的接触孔孔深不同于其他接触孔的孔深:其中，较大孔深的接触孔的最大设计孔径，大于孔深较小的接触孔的最大设计孔径，使得不同孔深的接触孔与所述下层金属图案的接触面积趋于相同。

其中，最大设计孔径H1大于最大设计孔径H2大于最大设计孔径H3。

其中，接触孔与所述下层金属图案的接触面积S1等于接触孔与所述下层金属图案的接触面积S2等于接触孔与所述下层金属图案的接触面积S3。

本发明实施例提供的像素单元包括衬底、以及阵列设置在所述衬底上的上层金属图案，以及与所述上层全属图案对应设置的下层金属图案，相对应的所述上层全属图案与所述下层金属图案通过接触孔连接；所述上层金属图案同层制备，所述下层金属图案中至少有一功能金属图案与其他金属图案位于不同膜层，连接该功能金属图案的接触孔孔深不同于其他接触孔的孔深:其中，较大孔深的接触孔的最大设计孔径，大于孔深较小的接触孔的最大设计孔径，使得不同孔深的接触孔与所述下层金属图案的接触面积趋于相同；最大孔径的设计方式，使得不同孔深的接触孔与所述下层金属图案的接触面积趋于相同，以抵消刻蚀力衰减导致的孔径随孔深缩放，进而导致因接触面积不同而引起的阻抗差异的技术问题。

其中，如图2所示，像素单元包括衬底201、缓冲层202、有源层203、第一栅绝缘层204、第一金属层205、第二栅绝缘层206、第二金属层207、层间绝缘层208、源漏极金属层209、平坦层210，所述源漏极金属层209通过第一接触孔H1与所述有源层203触接形成第一接触面S1，所述源漏极金属层209通过第二接触孔H2与所述第一金属层205触接形成第二接触面S2，所述源漏极金属层通过第三接触孔H3与所述第二金属层207触接形成第三接触面S3，其中，所述第一接触面S1、所述第二接触面S2、所述第三接触面S3中至少两个接触面的面积相同。

在一种实施例中，如图2所示，所述像素单元包括衬底201、缓冲层202、有源层203、第一栅绝缘层204、第一金属层205、第二栅绝缘层206、第二金属层207、层间绝缘层208、源漏极金属层209、平坦层210，所述源漏极金属层209通过第一接触孔H1与所述有源层203触接形成第一接触面S1，所述源漏极金属层209通过第二接触孔H2与所述第一金属层205触接形成第二接触面S2，所述源漏极金属层通过第三接触孔H3与所述第二金属层207触接形成第三接触面S3，其中，所述第一接触面S1、所述第二接触面S2、所述第三接触面S3中至少两个接触面的面积相同；通过使得所述第一接触面S1、所述第二接触面S2、所述第三接触面S3中至少两个接触面的面积相等，缓解了现有像素单元存在因接触孔接触面积不同而引起的阻抗差异的技术问题。

其中，所述第一接触孔H1贯穿所述第一栅绝缘层204、所述第二栅绝缘层206、所述层间绝缘层208设置。

其中，所述第二接触孔H2贯穿所述第二栅绝缘层206、所述层间绝缘层208设置。

其中，所述第三接触孔H3贯穿所述层间绝缘层208设置。

其中，在所述层间绝缘层208的同一高度处，所述第一接触孔H1的尺寸大于所述第二接触孔H2的尺寸，所述第二接触孔H2的尺寸大于所述第三接触孔H3的尺寸。

在一种实施例中，所述下层金属图案包括有源层、第一金属层、第二金属层，所述上层金属图案包括源漏极金属层，所述源漏极金属层通过第一接触孔与所述有源层触接形成第一接触面，所述源漏极金属层通过第二接触孔与所述第一金属层触接形成第二接触面，所述源漏极金属层通过第三接触孔与所述第二金属层触接形成第三接触面，所述第一接触面、所述第二接触面、所述第三接触面中至少有两个接触面的面积相同。

在一种实施例中，在层间绝缘层的同一高度处，所述第一接触孔的横截面面积大于所述第二接触孔的横截面面积，所述第二接触孔的横截面面积大于所述第三接触孔的横截面面积。

在一种实施例中，所述第一接触面、所述第二接触面、所述第三接触面的形状均相同，所述形状为矩形、圆形、菱形中的任一种。

在一种实施例中，所述第一接触面、所述第二接触面、所述第三接触面形状均不同。

在一种实施例中，所述第一接触面和所述第二接触面的面积相同，所述第二接触面的面积大于所述第三接触面的面积，其中，所述第一接触面材料的电阻率和所述第二接触面材料的电阻率相同，所述第二接触面材料的电阻率大于所述第三接触面材料的电阻率，使得所述第一接触面、所述第二接触面、所述第三接触面处的阻抗相同。

在一种实施例中，在所述层间绝缘层208的同一高度处，所述第一接触孔H1的横截面面积大于所述第二接触孔H2的横截面面积，所述第二接触孔H2的横截面面积大于所述第三接触孔H3的横截面面积。

其中，所述第一接触孔H1深度大于所述第二接触孔H2。

其中，所述第二接触孔H2深度大于所述第三接触孔H3。

其中，所述层间绝缘层208上表面处，第一接触孔H1的开口面积大于第二接触孔H2的开口面积大于第三接触孔H3的开口面积，通过一对应掩膜板进行曝光形成所述第一接触孔H1、所述第二接触孔H2、所述第三接触孔H3。

其中，所述第一接触孔H1、所述第二接触孔H2、所述第三接触孔H3的形状均为倒梯形，所述孔径从上到下依次减小。

在本实施例中，通过将第一接触孔H1设置尺寸最大，第三接触孔H3设置尺寸最小，保证了在不同深度处的第一接触面S1的面积等于第二接触面S2的面积等于第三接触面S3的面积。

在一种实施例中，所述第一接触面S1、所述第二接触面S2、所述第三接触面S3的面积均相同。

在本实施例中，所述第一接触面S1、所述第二接触面S2、所述第三接触面S3的面积均相同，为本申请的最优选方案。

在一种实施例中，所述第一接触面S1、所述第二接触面S2、所述第三接触面S3的形状均相同，所述形状为矩形、圆形、菱形中的任一种。

其中，所述第一接触面S1的形状可能为矩形。

其中，所述第一接触面S1的形状也可能为圆形。

其中，所述第一接触面S1的形状还可能为菱形。

在一种实施例中，所述第一接触面S1、所述第二接触面S2、所述第三接触面S3形状均不同。

其中，所述第一接触面S1的形状可能为矩形，所述第二接触面S2的形状可能为圆形，所述第三接触面S3的形状可能为菱形。

其中，所述第一接触面S1的形状也可能为圆形，所述第二接触面S2的形状也可能为矩形，所述第三接触面S3的形状也可能为菱形。

其中，所述第一接触面S1的形状还可能为菱形，所述第二接触面S2的形状还可能为矩形，所述第三接触面S3的形状还可能为圆形。

在一种实施例中，所述第一接触面S1和所述第二接触面S2的面积相同，所述第二接触面S2的面积大于所述第三接触面S3的面积，其中，所述第一接触面S1材料的电阻率和所述第二接触面S2材料的电阻率相同，所述第二接触面S2材料的电阻率大于所述第三接触面S3材料的电阻率，使得所述第一接触面S1、所述第二接触面S2、所述第三接触面S3处的阻抗相同。

其中，阻抗与接触面积呈反比，阻抗与电阻率呈正比。

如图3所示，本发明实施例提供一种掩膜板，包括主体10、以及设置在所述主体10上的第一通孔101、第二通孔102、第三通孔103，所述第一通孔101对应形成所述第一接触孔H1，所述第二通孔102对应形成所述第二接触孔H2，所述第三通孔103对应形成所述第三接触孔H3，其中，所述第一通孔101的尺寸大于所述第二通孔102的尺寸，所述第二通孔102的尺寸大于所述第三通孔103的尺寸。

在本实施例中，掩膜板包括主体10、以及设置在所述主体10上的第一通孔101、第二通孔102、第三通孔103，所述第一通孔101对应形成所述第一接触孔H1，所述第二通孔102对应形成所述第二接触孔H2，所述第三通孔103对应形成所述第三接触孔H3，其中，所述第一通孔101的尺寸大于所述第二通孔102的尺寸，所述第二通孔102的尺寸大于所述第三通孔103的尺寸；通过所述掩膜板形成所述像素单元中的所述第一接触孔H1、所述第二接触孔H2、以及所述第三接触孔H3，通过所述第一通孔101尺寸大于所述第二通孔102尺寸大于所述第三通孔103尺寸，使得所述像素单元中的所述第一接触面S1的面积等于所述第二接触面S2的面积等于所述第三接触面S3的面积。

在一种实施例中，所述第一通孔101的尺寸、所述第二通孔102的尺寸、所述第三通孔103的尺寸的值呈等差排布。

在一种实施例中，所述第一通孔101的尺寸、所述第二通孔102的尺寸、所述第三通孔103的尺寸的值呈等比排布。

在一种实施例中，所述第一通孔101、所述第二通孔102、所述第三通孔103的形状均相同，所述形状为矩形、圆形、菱形中的任一种。

其中，所述第一通孔101的形状可能为矩形。

其中，所述第一通孔101的形状也可能为圆形。

其中，所述第一通孔101的形状还可能为菱形。

在一种实施例中，所述第一通孔101、所述第二通孔102、所述第三通孔103的形状均不同。

其中，所述第一通孔101的形状可能为矩形，所述第二通孔102的形状可能为圆形，所述第三通孔103的形状可能为菱形。

以上对本发明实施例所提供的一种进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。

Claims

1.一种像素单元，其特征在于，包括衬底、以及阵列设置在所述衬底上的上层金属图案，以及与所述上层全属图案对应设置的下层金属图案，相对应的所述上层全属图案与所述下层金属图案通过接触孔连接；

所述上层金属图案同层制备，所述下层金属图案中至少有一功能金属图案与其他金属图案位于不同膜层，连接该功能金属图案的接触孔孔深不同于其他接触孔的孔深；

其中，较大孔深的接触孔的最大设计孔径，大于孔深较小的接触孔的最大设计孔径，使得不同孔深的接触孔与所述下层金属图案的接触面积趋于相同。

2.如权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述下层金属图案包括有源层、第一金属层、第二金属层，所述上层金属图案包括源漏极金属层，所述源漏极金属层通过第一接触孔与所述有源层触接形成第一接触面，所述源漏极金属层通过第二接触孔与所述第一金属层触接形成第二接触面，所述源漏极金属层通过第三接触孔与所述第二金属层触接形成第三接触面，所述第一接触面、所述第二接触面、所述第三接触面中至少有两个接触面的面积相同。

3.如权利要求2所述的像素单元，其特征在于，在层间绝缘层的同一高度处，所述第一接触孔的横截面面积大于所述第二接触孔的横截面面积，所述第二接触孔的横截面面积大于所述第三接触孔的横截面面积。

4.如权利要求2所述的像素单元，其特征在于，所述第一接触面、所述第二接触面、所述第三接触面的形状均相同，所述形状为矩形、圆形、菱形中的任一种。

5.如权利要求2所述的像素单元，其特征在于，所述第一接触面、所述第二接触面、所述第三接触面形状均不同。

6.如权利要求2所述的像素单元，其特征在于，所述第一接触面和所述第二接触面的面积相同，所述第二接触面的面积大于所述第三接触面的面积，其中，所述第一接触面材料的电阻率和所述第二接触面材料的电阻率相同，所述第二接触面材料的电阻率大于所述第三接触面材料的电阻率，使得所述第一接触面、所述第二接触面、所述第三接触面处的阻抗相同。

7.一种掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括主体、以及设置在所述主体上的第一通孔、第二通孔、第三通孔，所述第一通孔对应形成所述第一接触孔，所述第二通孔对应形成所述第二接触孔，所述第三通孔对应形成所述第三接触孔，其中，所述第一通孔的尺寸大于所述第二通孔的尺寸，所述第二通孔的尺寸大于所述第三通孔的尺寸。

8.如权利要求7所述的掩膜板，其特征在于，所述第一通孔的尺寸、所述第二通孔的尺寸、所述第三通孔的尺寸的值呈等差排布。

9.如权利要求7所述的掩膜板，其特征在于，所述第一通孔、所述第二通孔、所述第三通孔的形状均相同，所述形状为矩形、圆形、菱形中的任一种。

10.如权利要求7所述的掩膜板，其特征在于，所述第一通孔、所述第二通孔、所述第三通孔的形状均不同。