CN111540757A - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种显示面板及其制备方法，显示装置，所述显示面板包括衬底；有源层，位于所述衬底上；层间介电层，位于所述有源层远离所述衬底的一侧，所述层间介电层上设置有凹陷部；第一金属层，位于所述层间介电层远离所述衬底的一侧，所述第一金属层位于所述凹陷部内，以降低所述显示面板的厚度。在制备过程中通过半色调光罩及蚀刻工艺实现所述凹陷部的制备，并使所述第一金属层位于所述凹陷部内，在减少制备过程中所使用的光罩数目的同时，可以降低显示面板的厚度，降低生产成本和生产周期。

Description

显示面板及其制备方法、显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展，显示面板的轻薄化设计受到广泛关注。显示面板的厚度越薄，显示面板的重量越轻，留给其他组件的置放空间也就越大，越易使显示实现更多的功能，产品也就越具有竞争力。因此，如何降低显示面板的厚度，使显示面板实现轻薄化设计成为目前面板行业关注的重点。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，可以降低显示面板的厚度，便于显示面板实现轻薄化设计。
本申请实施例提供一种显示面板，包括：
衬底；
有源层，位于所述衬底上；
层间介电层，位于所述有源层远离所述衬底的一侧，所述层间介电层上设置有凹陷部；
第一金属层，位于所述层间介电层远离所述衬底的一侧，所述第一金属层位于所述凹陷部内。
在一些实施例中，所述凹陷部包括连通所述有源层的第一孔，所述第一金属层包括位于所述第一孔内的源极和漏极。
在一些实施例中，所述凹陷部还包括凹槽，所述第一金属层包括位于所述凹槽内的源漏极走线。
本申请还提供一种显示面板的制备方法，包括以下步骤：
S10：提供基板，所述基板包括衬底、位于所述衬底上的有源层，以及位于所述有源层远离所述衬底一侧的层间介电层；
S20：提供第一光罩，利用所述第一光罩对所述基板进行曝光显影处理后，利用刻蚀处理在所述层间介电层形成凹陷部；
S30：在所述层间介电层远离所述衬底的一侧形成第一金属层，所述第一金属层位于所述凹陷部内。
在一些实施例中，所述第一光罩包括透光区、半透光区及遮光区，在所述步骤S20中，还包括以下步骤：
S21：在所述基板表面形成覆盖所述层间介电层的第一光阻；
S22：利用所述第一光罩对所述第一光阻进行曝光处理，所述第一光阻对应所述第一光罩的所述透光区形成第一区，所述第一光阻对应所述第一光罩的所述半透光区形成第二区，所述第一光阻对应所述第一光罩的所述遮光区形成第三区；
S23：对所述第一光阻进行显影处理，去除所述第一区的全部光阻，去除所述第二区的部分光阻以获得对应于所述第二区的第一剩余光阻；
S24：蚀刻所述第一区并去除所述第二区的所述第一剩余光阻；
S25：蚀刻所述第一区及所述第二区，在所述第一区形成连通所述有源层的第一孔，在所述第二区形成凹槽；其中所述第一孔和所述凹槽形成所述凹陷部；
S26：去除所述第三区的所述第一光阻。
在一些实施例中，所述第一金属层对应所述第一孔的部分形成源极和漏极，所述第一金属层对应所述凹槽的区域形成源漏极走线。
在一些实施例中，所述第一孔的深度为300nm～900nm，所述凹槽的深度为100nm～400nm。
在一些实施例中，在所述步骤S30中，还包括以下步骤：
S31：形成覆盖所述层间介电层的第一金属层，所述第一金属层在对应所述凹陷部的区域形成腔体；
S32：在所述第一金属层表面形成第二光阻；
S33：蚀刻所述第二光阻，在对应所述腔体处得到第二剩余光阻；
S34：蚀刻所述第一金属层；
S35：去除所述第二剩余光阻，得到位于所述凹陷部内的所述第一金属层。
在一些实施例中，在所述步骤S30中，还包括以下步骤：
S31：提供第二光罩，所述第二光罩具有开口区及遮挡区，所述第二光罩的开口区对应所述凹陷部设置；
S32：对应所述开口区制备所述第一金属层，得到位于所述凹陷部内的所述第一金属层。
本申请还提供一种显示装置，包括所述的显示面板或如所述的制备方法制得的显示面板。
本申请公开了一种显示面板及其制备方法，显示装置，所述显示面板包括衬底；有源层，位于所述衬底上；层间介电层，位于所述有源层远离所述衬底的一侧，所述层间介电层上设置有凹陷部；第一金属层，位于所述层间介电层远离所述衬底的一侧，所述第一金属层位于所述凹陷部内，以降低所述显示面板的厚度，便于所述显示面板实现轻薄化设计。在制备过程中通过半色调光罩及蚀刻工艺实现所述凹陷部的制备，使所述第一金属层位于所述凹陷部内，在减少制备过程中所使用的光罩数目的同时，可以降低显示面板的厚度，降低生产成本和生产周期。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请的实施例提供的显示面板的结构示意图；
图2A为本申请实施例提供的显示面板的制备流程图；
图2B～图2D为图2A中所示流程图制备显示面板的过程示意图；
图3A为本申请实施例提供的凹陷部的制备流程图；
图3B～图3G为图3A中所示流程图制备凹陷部的过程示意图；
图4A～图4B为本申请实施例提供的第一金属层的制备流程图；
图4C～图4F为图4A中所示流程图制备第一金属层的过程示意图；
图4G～图4H为图4B中所示流程图制备第一金属层的过程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
具体地，请参阅图1，其为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图；所述显示面板包括：
衬底101；
有源层102，位于所述衬底101上；
层间介电层103，位于所述有源层102远离所述衬底101的一侧，所述层间介电层103上设置有凹陷部1031；
第一金属层104，位于所述层间介电层103远离所述衬底101的一侧，所述第一金属层104位于所述凹陷部1031内，以降低所述显示面板的厚度，提高平坦度。
具体地，所述凹陷部1031包括连通所述有源层102的第一孔1031a，所述第一金属层104包括位于所述第一孔1031a内的源极1041a和漏极1041b。
所述凹陷部1031还包括凹槽1031b，所述第一金属层104包括位于所述凹槽1031b内的源漏极走线1042，所述源漏极走线1042位于所述显示面板的显示区100a和非显示区100b，所述源漏极走线1042包括与所述源极1041a或所述漏极1041b的其中之一电性连接的数据线。
请继续参阅图1，所述显示面板还包括缓冲层110、第二金属层105及栅极绝缘层106；所述缓冲层110位于所述有源层与102与所述衬底101之间；所述第二金属层105至少位于所述有源层102的一侧，所述第二金属层105包括对应所述有源层102设置的栅极1051；所述栅极绝缘层106位于所述有源层102和所述第二金属层105之间，以隔离所述有源层102和所述第二金属层105。
所述显示面板可为柔性显示面板或液晶显示面板。具体地，若所述显示面板为柔性显示面板，则所述显示面板还包括位于所述第一金属层104及所述层间介电层103远离所述衬底101的一侧的平坦层107；所述显示面板还包括位于所述平坦层107远离所述衬底101的一侧的有机发光器件108。所述平坦层107在对应所述源极1041a或所述漏极1041b的其中之一处设置有通孔；所述发光器件108还包括阳极1081、阴极1082，以及位于所述阳极1081与所述阴极1082之间的发光层1083，所述阳极1081与所述源极1041a或漏极1041b电性连接，所述发光层1083位于像素定义层109的定义区内，如图1所示。
此外，由于所述第一金属层104位于所述凹陷部1031内，所述第一金属层104及所述层间介电层103表面较平坦，所以所述平坦层107厚度可减薄或省略所述平坦层107，从而进一步降低所述显示面板的厚度。
若所述显示面板为液晶显示面板，则所述显示面板还包括位于所述第一金属层104及所述层间介电层103远离所述衬底101的一侧的配向层、彩膜基板，以及位于所述配向层及所述彩膜基板之间的液晶分子和框胶，在此对其不再进行赘述。
在一些实施例中，所述显示面板还包括触控电极，所述触控电极位于所述显示面板的显示区。
请参阅图2A，其为本申请实施例提供的显示面板的制备流程图；请参阅图2B～图2D为图2A中所示流程图制备显示面板的过程示意图；本申请还提供一种显示面板的制备方法，包括以下步骤：
S10：提供基板100，所述基板100包括衬底101、位于所述衬底101上的有源层102，以及位于所述有源层102远离所述衬底101一侧的层间介电层103，如图2B所示；
S20：提供第一光罩201，利用所述第一光罩201对所述基板100进行曝光显影处理后，利用刻蚀处理在所述层间介电层103形成凹陷部1031，如图2C所示；
S30：在所述层间介电层103远离所述衬底101的一侧形成第一金属层104，所述第一金属层104位于所述凹陷部1031内，如图2D所示。
采用所述的显示面板制备方法制备所述显示面板可以使用同一光罩完成对所述层间介电层103和所述第一金属层104的图形化处理，节省了制备过程中所使用光罩的数目，降低了生产成本的同时也缩短了生产周期。此外，采用所述的显示面板制备方法制备得到的所述显示面板，由于所述第一金属层104位于所述层间介电层103的所述凹陷部1031内，可以减小所述显示面板的厚度，便于所述显示面板实现轻薄化设计。
请继续参阅图2A～图2C为保证所述显示面板的正常工作，在所述步骤S10中，所述基板100还包括至少制备在所述有源层102的一侧的第二金属层105，以及制备于所述有源层102和所述第二金属层105之间的栅极绝缘层106；所述第二金属层105包括对应所述有源层102设置的栅极1051。此外，所述基板100还包括位于所述衬底101及所述有源层之间的缓冲层110。
请参阅图3A，其为本申请实施例提供的凹陷部的制备流程图；请参阅图3B～图3G为图3A中所示流程图制备凹陷部的过程示意图；所述第一光罩201包括透光区2011、半透光区2012及遮光区2013，在所述步骤S20中，还包括以下步骤：
S21：在所述基板100表面形成覆盖所述层间介电层103的第一光阻202，如图3B所示；
S22：利用所述第一光罩201对所述第一光阻202进行曝光处理，所述第一光阻202对应所述第一光罩201的所述透光区2011形成第一区2021，所述第一光阻202对应所述第一光罩201的所述半透光区2012形成第二区2022，所述第一光阻202对应所述第一光罩201的所述遮光区2013形成第三区2023，如图3C所示；
S23：对所述第一光阻202进行显影处理，去除所述第一区2021的全部光阻，去除所述第二区2022的部分光阻以获得对应于所述第二区2022的第一剩余光阻2022a，如图3D所示；
S24：蚀刻所述第一区2021并去除所述第二区2022的所述第一剩余光阻2022a，如图3E所示；
S25：蚀刻所述第一区2021及所述第二区2022，在所述第一区2021形成连通所述有源层102的第一孔1031a，在所述第二区2022形成凹槽1031b；其中所述第一孔1031a和所述凹槽1031b形成所述凹陷部1031，如图3F所示；
S26：去除所述第三区2023的所述第一光阻202，如图3G所示。
其中，所述第一金属层104对应所述第一孔1031a的部分形成源极1041a和漏极1041b，所述第一金属层104对应所述凹槽1031b的区域形成源漏极走线1042。所述第一金属层104的制备材料包括Ti/Al/Ti、Mo/Al/Mo，如图2D所示。
请继续参阅图3B，在所述步骤S21中，所述第一光阻202的厚度为1.4μm～3μm；进一步地，所述第一光阻202的厚度为1.5μm～2.5μm。
请继续参阅图3C，所述第一光罩201为半色调光罩；依据所述第一光阻202所采用的光阻材料的不同，所述第一光罩201的结构会存在一定区别，在所述步骤S22中形成所述第一区2021、所述第二区2022及所述第三区2023所对应的所述第一光罩201的结构会有所不同。
若所述第一光阻201采用正性光阻，则在所述步骤S22中，所述第一光阻202对应所述透光区2011的区域形成所述第一区2021，所述第一光阻202对应所述半透光区2012的区域形成所述第二区2022，所述第一光阻202对应所述遮光区2013的区域形成所述第三区2023。
若所述第一光阻201采用负性光阻，所述半色调光罩104仍包括透光区1041、半透光区1042及遮光区1043，但在所述步骤S22中，所述第一光阻202对应所述透光区2011的区域形成所述第三区2023，所述第一光阻202对应所述半透光区2012的区域形成所述第二区2022，所述第一光阻202对应所述遮光区2013的区域形成所述第一区2021。
请继续参阅图3D，在所述步骤S23中，对应所述第二区2022的所述第一剩余光阻2022a的厚度为0.1μm～1.3μm；进一步地，对应所述第二区2022的所述第一剩余光阻2022a的厚度为0.3μm～1μm。
请继续参阅图3E，在所述步骤S24中，采用干蚀刻工艺实现对所述第一区2021的蚀刻，所述第一区2021的蚀刻深度为200nm～500nm；所述第二区2022的所述第一剩余光阻2022a通过灰化处理去除。
请继续参阅图3F，在所述步骤S25中，采用干蚀刻工艺实现对所述第一区2021和所述第二区2022的蚀刻，所述第一区2021及所述第二区2022的蚀刻深度为100nm～400nm；即所述第一孔1031a的深度为300nm～900nm，所述凹槽1031b的深度为100nm～400nm。
请参阅图4A～图4B，其为本申请实施例提供的第一金属层的制备流程图；请参阅图4C～图4F，其为图4A中所示流程图制备第一金属层的过程示意图，图4G～图4H为图4B中所示流程图制备第一金属层的过程示意图。
在所述步骤S30中，还包括以下步骤：
S31：形成覆盖所述层间介电层103的第一金属层104，所述第一金属层104在对应所述凹陷部1031的区域形成腔体1043，如图4C所示；
S32：在所述第一金属层104表面形成第二光阻203，如图4D所示；
S33：蚀刻所述第二光阻203，在对应所述腔体1043处得到第二剩余光阻203a，如图4E所示；
S34：蚀刻所述第一金属层104；
S35：去除所述第二剩余光阻203，得到位于所述凹陷部1031内的所述第一金属层104，如图4F所示。
在所述步骤S31中，制备所述第一金属层104的制备方法包括物理气相沉积。由于所述层间介电层103上设置有所述凹陷部1031，当沉积较均匀时，所述第一金属层104在对应所述凹陷部1031的区域会形成所述腔体1043。
在所述步骤S32中，所述第二光阻203的厚度为0.1μm～1μm；进一步地，所述第二光阻203的厚度为0.2μm～0.5μm。
在所述步骤S33中，由于光阻具有流动性，在所述层间介电层103具有所述凹陷部1031及所述第一金属层104具有所述腔体1043的情况下，所述第二光阻203在所述腔体1043处的厚度会较大。所以在蚀刻时，所述显示面板上的对应所述腔体1043外的所述光阻203被蚀刻掉后，对应所述腔体2043处的所述第二光阻203仍会有部分所述第二光阻203未被蚀刻，由此形成所述第二剩余光阻203a。
之后在所述步骤S34中，对所述第一金属层104上无所述第二光阻203覆盖的区域进行干蚀刻，并采用灰化处理去除所述第二剩余光阻203，即得到位于所述凹陷部1031内的所述第一金属层104。
由于在所述显示面板制备方法的所述步骤S20中，所述层间介电层103表面已制备形成所述凹陷部1031，所以可以在所述凹陷部1031处直接形成所述第一金属层104，以减少采用光阻、蚀刻工艺等所需设备和成本的投入，缩短制程周期。具体地，请继续参阅图4B和图4G～图4H，在所述步骤S30中，还包括以下步骤：
S31：提供第二光罩204，所述第二光罩204具有开口区204a及遮挡区204b，所述第二光罩204的开口区204a对应所述凹陷部1031设置，如图4G所示；
S32：对应所述开口区204a制备所述第一金属层104，如图4H所示，得到位于所述凹陷部1031内的所述第一金属层104，如图4F所示。
其中，所述第二光罩204为高精度金属掩模版。
在一些实施例中，在所述步骤S30后，所述制备方法还包括以下步骤：
S40：形成覆盖所述第一金属层104的平坦层，且所述平坦层在对应所述源极1041a或所述漏极1041b的其中之一处设置有通孔；
S50：制备所述发光器件。
具体地，在所述步骤S50中还包括以下步骤：
S51：在所述平坦层上形成所述发光器件的阳极，所述阳极通过所述通孔与所述源极1041a或所述漏极1041b的其中之一电性连接；
S52：在所述阳极及所述平坦层表面形成像素定义层，所述像素定义层在对应所述阳极的部分区域设置有像素定义区；
S53：在所述像素定义区内设置所述发光器件的发光层；
S54：在所述发光层及所述像素定义层上形成所述发光器件的阴极。
此外，所述发光器件在所述阳极及所述发光层之间设置有空穴注入层和空穴传输层；所述发光器件在所述阴极及所述发光层之间设置有电子注入层和电子传输层。
在一些实施例中，在所述步骤S30后，所述制备方法还包括以下步骤：
S40：形成覆盖所述第一金属层104的配向层；
S50：在所述配向层表面形成框胶，并在所述框胶界定的区域内制备液晶分子；
S60：提供彩膜基板，将所述彩膜基板与所述基板100贴合并进行固化处理。
本申请还提供一种显示装置，包括所述的显示面板或如所述的制备方法制得的显示面板，所述显示装置包括液晶显示装置和柔性显示装置。
本申请实施例提供显示面板及其制备方法，显示装置，所述显示面板包括衬底101；有源层102，位于所述衬底101上；层间介电层103，位于所述有源层102远离所述衬底101的一侧，所述层间介电层103上设置有凹陷部1031；第一金属层104，位于所述层间介电层103远离所述衬底101的一侧，所述第一金属层104位于所述凹陷部1031内，以降低所述显示面板的厚度。在制备过程中通过半色调光罩及蚀刻工艺实现所述凹陷部1031的制备，使所述第一金属层104位于所述凹陷部1031内，在减少制备过程中所使用的光罩数目的同时，可以降低显示面板的厚度，降低生产成本和生产周期。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的显示面板及其制备方法、显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
衬底；
有源层，位于所述衬底上；
层间介电层，位于所述有源层远离所述衬底的一侧，所述层间介电层上设置有凹陷部；
第一金属层，位于所述层间介电层远离所述衬底的一侧，所述第一金属层位于所述凹陷部内。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述凹陷部包括连通所述有源层的第一孔，所述第一金属层包括位于所述第一孔内的源极和漏极。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述凹陷部还包括凹槽，所述第一金属层包括位于所述凹槽内的源漏极走线。
4.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S10：提供基板，所述基板包括衬底、位于所述衬底上的有源层，以及位于所述有源层远离所述衬底一侧的层间介电层；
S20：提供第一光罩，利用所述第一光罩对所述基板进行曝光显影处理后，利用刻蚀处理在所述层间介电层形成凹陷部；
S30：在所述层间介电层远离所述衬底的一侧形成第一金属层，所述第一金属层位于所述凹陷部内。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第一光罩包括透光区、半透光区及遮光区，在所述步骤S20中，还包括以下步骤：
S21：在所述基板表面形成覆盖所述层间介电层的第一光阻；
S22：利用所述第一光罩对所述第一光阻进行曝光处理，所述第一光阻对应所述第一光罩的所述透光区形成第一区，所述第一光阻对应所述第一光罩的所述半透光区形成第二区，所述第一光阻对应所述第一光罩的所述遮光区形成第三区；
S23：对所述第一光阻进行显影处理，去除所述第一区的全部光阻，去除所述第二区的部分光阻以获得对应于所述第二区的第一剩余光阻；
S24：蚀刻所述第一区并去除所述第二区的所述第一剩余光阻；
S25：蚀刻所述第一区及所述第二区，在所述第一区形成连通所述有源层的第一孔，在所述第二区形成凹槽；其中所述第一孔和所述凹槽形成所述凹陷部；
S26：去除所述第三区的所述第一光阻。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第一金属层对应所述第一孔的部分形成源极和漏极，所述第一金属层对应所述凹槽的区域形成源漏极走线。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第一孔的深度为300nm～900nm，所述凹槽的深度为100nm～400nm。
8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S30中，还包括以下步骤：
S31：形成覆盖所述层间介电层的第一金属层，所述第一金属层在对应所述凹陷部的区域形成腔体；
S32：在所述第一金属层表面形成第二光阻；
S33：蚀刻所述第二光阻，在对应所述腔体处得到第二剩余光阻；
S34：蚀刻所述第一金属层；
S35：去除所述第二剩余光阻，得到位于所述凹陷部内的所述第一金属层。
9.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S30中，还包括以下步骤：
S31：提供第二光罩，所述第二光罩具有开口区及遮挡区，所述第二光罩的开口区对应所述凹陷部设置；
S32：对应所述开口区制备所述第一金属层，得到位于所述凹陷部内的所述第一金属层。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求4～9任一所述的制备方法制得的显示面板。
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