CN110429125A - 柔性显示基板及其制作方法、柔性显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种柔性显示基板及其制作方法、柔性显示装置，属于显示技术领域。其中，所述柔性显示基板包括显示区、电极绑定区和位于所述电极绑定区和所述显示区之间的弯折区，所述制作方法包括：在完成所述柔性显示基板的无机膜层的制备后，通过一次构图工艺在所述弯折区形成贯穿所述无机膜层的第一过孔，所述第一过孔的侧壁呈台阶状，所述无机膜层包括以下至少一种膜层：阻隔层，缓冲层，第一栅绝缘层，第二栅绝缘层和层间绝缘层。本发明的技术方案能够减少制作柔性显示基板的构图工艺的次数，减少柔性显示基板的制作时间和制作成本。

Description

柔性显示基板及其制作方法、柔性显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是指一种柔性显示基板及其制作方法、柔性显示装置。
背景技术
现有的柔性显示基板划分为显示区和电极绑定区，为了实现柔性显示装置的窄边框，将与电极绑定区对应位置的柔性显示基板部分沿背向显示面的方向弯折设置，弯折区位于显示区和电极绑定区之间，为了释放弯折区的无机膜层在弯折时产生的应力，在弯折区设置有贯穿无机膜层的过孔，为了避免过孔处的段差过大，影响显示区与电极绑定区之间的电连接，现有技术通过多次构图工艺形成具有台阶结构的过孔，但这样增加了制作柔性显示基板的构图工艺的次数，增加了柔性显示基板的制作时间和制作成本。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种柔性显示基板及其制作方法、柔性显示装置，能够减少制作柔性显示基板的构图工艺的次数，减少柔性显示基板的制作时间和制作成本。
为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：
一方面，提供一种柔性显示基板的制作方法，所述柔性显示基板包括显示区、电极绑定区和位于所述电极绑定区和所述显示区之间的弯折区，所述制作方法包括：
在完成所述柔性显示基板的无机膜层的制备后，通过一次构图工艺在所述弯折区形成贯穿所述无机膜层的第一过孔，所述第一过孔的侧壁呈台阶状，所述无机膜层包括以下至少一种膜层：阻隔层，缓冲层，第一栅绝缘层，第二栅绝缘层和层间绝缘层。
进一步地，所述通过一次构图工艺在所述弯折区形成贯穿所述无机膜层的第一过孔包括：
在所述无机膜层上涂覆光刻胶，利用半色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全去除区域，所述光刻胶部分保留区域对应所述第一过孔的台阶面，所述光刻胶完全去除区域对应所述第一过孔除所述台阶面之外的其他区域，所述光刻胶保留区域对应除所述第一过孔之外的其他区域，所述台阶面为所述第一过孔的侧壁中与所述柔性显示基板的衬底基板平行的部分；
对所述光刻胶完全去除区域的无机膜层进行刻蚀，去除所述光刻胶完全去除区域的全部所述无机膜层，形成第一过渡过孔；
灰化掉所述光刻胶部分保留区域的光刻胶；
对所述光刻胶部分保留区域的无机膜层进行刻蚀，去除所述光刻胶部分保留区域的部分所述无机膜层，形成所述第一过孔。
全部所述无机膜层包括：阻隔层，缓冲层，第一栅绝缘层，第二栅绝缘层和层间绝缘层；
部分所述无机膜层包括第一栅绝缘层，第二栅绝缘层和层间绝缘层。
进一步地，在形成所述第一过孔的构图工艺中，通过同次构图工艺形成位于显示区的至少一个第二过孔。
所述第二过孔包括暴露出栅金属层图形的栅金属层连接过孔和暴露出源漏金属层图形的源漏金属层连接过孔。
进一步地，形成所述第一过孔和所述第二过孔之前，所述方法包括：
提供一柔性基底；
在所述柔性基底上形成阻隔层；
在所述阻隔层上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成有源层和源漏金属层图形；
形成覆盖所述有源层和所述源漏金属层图形的第一栅绝缘层；
在所述第一栅绝缘层上形成栅金属层图形；
形成覆盖所述栅金属层图形的第二栅绝缘层；
形成层间绝缘层。
进一步地，通过一次构图工艺形成所述第一过孔和所述第二过孔包括：
在所述层间绝缘层上涂覆光刻胶；
利用半色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全去除区域，所述光刻胶部分保留区域对应所述第一过孔的台阶面，所述光刻胶完全去除区域包括对应所述栅金属层连接过孔的第一区域、对应所述源漏金属层连接过孔的第二区域以及对应所述第一过孔除所述台阶面之外的其他区域的第三区域，所述光刻胶保留区域对应除所述第一过孔和所述第二过孔之外的其他区域，所述台阶面为所述第一过孔的侧壁中与所述柔性显示基板的衬底基板平行的部分；
通过干法刻蚀，去除所述第一区域的层间绝缘层和第二栅绝缘层，形成暴露出所述栅金属层图形的栅金属层连接过孔；去除所述第二区域的层间绝缘层、第二栅绝缘层和第一栅绝缘层，形成暴露出所述源漏金属层图形的源漏金属层连接过孔；去除所述第三区域的层间绝缘层、第二栅绝缘层、第一栅绝缘层、缓冲层和阻隔层，形成第一过渡过孔；
灰化掉所述光刻胶部分保留区域的光刻胶；
通过干法刻蚀，去除所述光刻胶部分保留区域的层间绝缘层、第二栅绝缘层和第一栅绝缘层，形成所述第一过孔。
进一步地，形成所述层间绝缘层之后，在所述层间绝缘层上涂覆光刻胶之前，所述制作方法还包括：
对所述层间绝缘层进行活化处理。
进一步地，形成所述第一过孔和所述第二过孔之后，所述制作方法还包括：
对所述层间绝缘层进行热处理。
本发明实施例还提供了一种柔性显示基板，采用如上所述的制作方法制作得到，所述柔性显示基板包括显示区、电极绑定区和位于所述电极绑定区和所述显示区之间的弯折区，所述弯折区设置有贯穿柔性显示基板的无机膜层的第一过孔，所述第一过孔的侧壁呈台阶状，所述无机膜层包括以下至少一种膜层：阻隔层，缓冲层，第一栅绝缘层，第二栅绝缘层和层间绝缘层。
本发明实施例还提供了一种柔性显示装置，包括如上所述的柔性显示基板。
本发明的实施例具有以下有益效果：
上述方案中，通过一次构图工艺在弯折区形成贯穿无机膜层、侧壁呈台阶状的第一过孔，能够减少制作柔性显示基板的掩膜板的个数，减少制作柔性显示基板的构图工艺的次数，减少柔性显示基板的制作时间和制作成本。
附图说明
图1为本发明实施例柔性显示基板的结构示意图；
图2为本发明实施例在层间绝缘层上涂覆光刻胶，并利用掩膜板进行曝光的示意图；
图3为本发明实施例对光刻胶进行显影后的示意图；
图4为本发明实施例对光刻胶去除区域的膜层进行刻蚀的示意图；
图5为本发明实施例对光刻胶部分保留区域的膜层进行刻蚀的示意图。
附图标记
1 衬底基板
2 阻隔层
3 缓冲层
4 第一栅绝缘层
5 第二栅绝缘层
6 层间绝缘层
7 有源层
8 源电极
9 漏电极
10 栅电极
11 掩膜板本体
12 不透光图形
13 半透光图形
14 光刻胶
具体实施方式
为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
现有的柔性显示基板划分为显示区和电极绑定区，为了实现柔性显示装置的窄边框，将与电极绑定区对应位置的柔性显示基板部分沿背向显示面的方向弯折设置，弯折区位于显示区和电极绑定区之间，为了释放弯折区的无机膜层在弯折时产生的应力，在弯折区设置有贯穿无机膜层的过孔，为了避免过孔处的段差过大，影响显示区与电极绑定区之间的电连接，现有技术通过多次构图工艺形成具有台阶结构的过孔，但这样增加了制作柔性显示基板的构图工艺的次数，增加了柔性显示基板的制作时间和制作成本。
具体地，如图1所示，柔性显示基板中，台阶结构的过孔由C和D组成，另外在显示区，还设置有贯穿第二栅绝缘层5和层间绝缘层6的过孔A，过孔A暴露出栅电极10；在显示区，还设置有贯穿第二栅绝缘层5、第一栅绝缘层4和层间绝缘层6的过孔B，过孔B暴露出漏电极9。
现有技术在制备过孔A、B、C和D时，首先在沉积形成层间绝缘层6后，对层间绝缘层6进行活化处理，提高层间绝缘层6的性能。
之后在层间绝缘层6上涂覆光刻胶，利用制作过孔C的掩膜板对光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，对光刻胶去除区域的第一栅绝缘层4、第二栅绝缘层5和层间绝缘层6进行刻蚀，形成过孔C，剥离剩余的光刻胶。
之后在层间绝缘层6以及暴露出的缓冲层3上涂覆光刻胶，对光刻胶进行曝光后，显影后形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，光刻胶去除区域对应过孔D，对光刻胶去除区域的缓冲层3和阻隔层2进行刻蚀，形成过孔D，剥离剩余的光刻胶。
之后在层间绝缘层6以及暴露出的衬底基板1上涂覆光刻胶，对光刻胶进行曝光后，显影后形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，光刻胶去除区域对应过孔A和过孔B，对光刻胶去除区域的绝缘膜层进行刻蚀，形成过孔A和过孔B。
可以看出，现有技术需要3张掩模板，3次构图工艺才能形成过孔A、B、C和D，使得制作柔性显示基板的掩膜板的个数较多，制作柔性显示基板的构图工艺的次数较多，增加了柔性显示基板的制作时间和制作成本。
为了解决上述问题，本发明实施例提供一种柔性显示基板及其制作方法、柔性显示装置，能够减少制作柔性显示基板的构图工艺的次数，减少柔性显示基板的制作时间和制作成本。
本发明实施例提供一种柔性显示基板的制作方法，所述柔性显示基板包括显示区、电极绑定区和位于所述电极绑定区和所述显示区之间的弯折区，所述制作方法包括：
在完成所述柔性显示基板的无机膜层的制备后，通过一次构图工艺在所述弯折区形成贯穿所述无机膜层的第一过孔，所述第一过孔的侧壁呈台阶状，所述无机膜层包括以下至少一种膜层：阻隔层，缓冲层，第一栅绝缘层，第二栅绝缘层和层间绝缘层。
本实施例中，通过一次构图工艺在弯折区形成贯穿无机膜层、侧壁呈台阶状的第一过孔，能够减少制作柔性显示基板的掩膜板的个数，减少制作柔性显示基板的构图工艺的次数，减少柔性显示基板的制作时间和制作成本。
具体实施例中，所述通过一次构图工艺在所述弯折区形成贯穿所述无机膜层的第一过孔包括：
在所述无机膜层上涂覆光刻胶，利用半色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全去除区域，所述光刻胶部分保留区域对应所述第一过孔的台阶面，所述光刻胶完全去除区域对应所述第一过孔除所述台阶面之外的其他区域，所述光刻胶保留区域对应除所述第一过孔之外的其他区域，所述台阶面为所述第一过孔的侧壁中与所述柔性显示基板的衬底基板平行的部分。
其中，所述半色调掩膜板包括对应所述第一过孔的台阶面的部分透光图形和对应所述第一过孔除所述台阶面之外的其他区域的透光图形。
进一步地，形成光刻胶保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全去除区域之后，所述方法还包括：
对所述光刻胶完全去除区域的无机膜层进行刻蚀，去除所述光刻胶完全去除区域的全部所述无机膜层，形成第一过渡过孔；
灰化掉所述光刻胶部分保留区域的光刻胶；
对所述光刻胶部分保留区域的无机膜层进行刻蚀，去除所述光刻胶部分保留区域的部分所述无机膜层，形成所述第一过孔。
其中，上述全部所述无机膜层可以包括：阻隔层，缓冲层，第一栅绝缘层，第二栅绝缘层和层间绝缘层；
部分所述无机膜层可以包括第一栅绝缘层，第二栅绝缘层和层间绝缘层。
进一步地，在形成所述第一过孔的构图工艺中，通过同次构图工艺形成位于显示区的至少一个第二过孔。这样可以进一步地减少制作柔性显示基板的掩膜板的个数，减少制作柔性显示基板的构图工艺的次数，减少柔性显示基板的制作时间和制作成本。
具体地，所述第二过孔包括暴露出栅金属层图形的栅金属层连接过孔和暴露出源漏金属层图形的源漏金属层连接过孔。形成所述第二过孔包括：
形成暴露出栅金属层图形的栅金属层连接过孔和暴露出源漏金属层图形的源漏金属层连接过孔。
进一步地，形成所述第一过孔和所述第二过孔之前，所述方法包括：
提供一柔性基底；
在所述柔性基底上形成阻隔层；
在所述阻隔层上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成有源层和源漏金属层图形；
形成覆盖所述有源层和所述源漏金属层图形的第一栅绝缘层；
在所述第一栅绝缘层上形成栅金属层图形；
形成覆盖所述栅金属层图形的第二栅绝缘层；
形成层间绝缘层。
一具体实施例中，通过一次构图工艺形成所述第一过孔和所述第二过孔包括：
在所述层间绝缘层上涂覆光刻胶；
利用半色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全去除区域，所述光刻胶部分保留区域对应所述第一过孔的台阶面，所述光刻胶完全去除区域包括对应所述栅金属层连接过孔的第一区域、对应所述源漏金属层连接过孔的第二区域以及对应所述第一过孔除所述台阶面之外的其他区域的第三区域，所述光刻胶保留区域对应除所述第一过孔和所述第二过孔之外的其他区域，所述台阶面为所述第一过孔的侧壁中与所述柔性显示基板的衬底基板平行的部分。
其中，所述半色调掩膜板包括对应所述第一过孔的台阶面的部分透光图形，对应所述栅金属层连接过孔的第一区域、对应所述源漏金属层连接过孔的第二区域以及对应所述第一过孔除所述台阶面之外的其他区域的第三区域的透光图形。
进一步地，形成光刻胶保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全去除区域之后，所述方法还包括:
通过干法刻蚀，去除所述第一区域的层间绝缘层和第二栅绝缘层，形成暴露出所述栅金属层图形的栅金属层连接过孔；去除所述第二区域的层间绝缘层、第二栅绝缘层和第一栅绝缘层，形成暴露出所述源漏金属层图形的源漏金属层连接过孔；去除所述第三区域的层间绝缘层、第二栅绝缘层、第一栅绝缘层、缓冲层和阻隔层，形成第一过渡过孔；
灰化掉所述光刻胶部分保留区域的光刻胶；
通过干法刻蚀，去除所述光刻胶部分保留区域的层间绝缘层、第二栅绝缘层和第一栅绝缘层，形成所述第一过孔。
进一步地，形成所述层间绝缘层之后，在所述层间绝缘层上涂覆光刻胶之前，所述制作方法还包括：
对所述层间绝缘层进行活化处理，通过活化处理可以提高层间绝缘层的性能。
进一步地，形成所述第一过孔和所述第二过孔之后，所述制作方法还包括：
对所述层间绝缘层进行热处理，热处理可以使得层间绝缘层的氢离子往下移动到有源层，修复有源层在制作工艺中产生的缺陷。
下面结合附图以及具体的实施例对本发明的柔性显示基板的制作方法进行详细介绍，本实施例的柔性显示基板的制作方法包括以下步骤：
步骤1、提供一衬底基板1，在衬底基板1上形成阻隔层2、缓冲层3、第一栅绝缘层4、第二栅绝缘层5、层间绝缘层6、有源层7、栅金属层图形和源漏金属层图形；
其中，衬底基板1可以采用柔性衬底，比如聚酰亚胺；
阻隔层2可以提高柔性显示基板的阻隔水氧的能力；
缓冲层3可以采用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，对应的反应气体是SiH4、NH3、N2或SiH2Cl2、NH3、N2；
在缓冲层3上形成半导体材料层，对半导体材料层进行构图，形成有源层7；
在缓冲层3上形成源漏金属层，对源漏金属层进行构图，形成源漏金属层图形，源漏金属层图形包括源电极8和漏电极9；
形成第一栅绝缘层4，第一栅绝缘层4可以选用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，对应的反应气体是SiH4、NH3、N2或SiH2Cl2、NH3、N2；
在第一栅绝缘层4上形成栅金属层，对栅金属层进行构图形成栅金属层图形，栅金属层图形包括栅电极10；
形成第二栅绝缘层5，第二栅绝缘层5可以选用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，对应的反应气体是SiH4、NH3、N2或SiH2Cl2、NH3、N2；
形成层间绝缘层6，层间绝缘层6可以选用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，对应的反应气体是SiH4、NH3、N2或SiH2Cl2、NH3、N2。
步骤2、对层间绝缘层6进行活化处理；
活化处理可以提高层间绝缘层6的性能，其中，活化处理可以采用热处理，通过热处理可以使被打乱的晶格重新排列，活化处理的温度可以为347.5-452.5℃，环境中的氧气浓度需要小于100ppm。
步骤3、如图2所示，在层间绝缘层6上涂覆光刻胶14，利用掩膜板对光刻胶14进行曝光；
其中，掩膜板包括掩膜板本体11和位于掩膜板本体11上的不透光图形12和部分透光图形13。
步骤4、如图3所示，显影后形成光刻胶部分保留区域、光刻胶完全保留区域和光刻胶去除区域；
其中，光刻胶去除区域对应图1中过孔A、B和D所在位置，光刻胶部分保留区域对应图1中过孔C和D之间的台阶面；
步骤5、如图4所示，对光刻胶去除区域的绝缘膜层进行刻蚀；
形成暴露出栅电极10的过孔，即过孔A；形成暴露出漏电极9的过孔，即过孔B；形成暴露出衬底基板1的过孔。
步骤6、如图5所示，灰化掉光刻胶部分保留区域的光刻胶，对光刻胶部分保留区域的第一栅绝缘层4、第二栅绝缘层5和层间绝缘层6进行刻蚀，在弯折区形成侧壁呈台阶状的过孔。
之后剥离剩余的光刻胶14，即可得到如图1所示的柔性显示基板。
本实施例中，通过一次构图工艺形成显示区的过孔和弯折区的过孔，仅需要使用一个掩模板，能够减少制作柔性显示基板的掩膜板的个数，减少制作柔性显示基板的构图工艺的次数，减少柔性显示基板的制作时间和制作成本。
剥离光刻胶之后，还可以对层间绝缘层6进行热处理，热处理可以使得层间绝缘层6中的氢离子往下扩散到有源层7中，用氢键钝化与修护有源层7中悬挂键及陷阱，从而提高薄膜晶体管的稳定性，热处理的温度可以为347.5-402.5℃，环境中的氧气浓度需要小于100ppm。
其中，在采用掩膜板对层间绝缘层上的光刻胶进行曝光后，光刻胶去除区域对应图1中过孔A、B和D所在位置，但是过孔A、B和D的深度是不一样的，比如在形成过孔A时，需要对第二栅绝缘层5和层间绝缘层6进行刻蚀；在形成过孔B时，需要对第一栅绝缘层4、第二栅绝缘层5和层间绝缘层6进行刻蚀；在形成过孔D时，需要对阻隔层2、缓冲层3、第一栅绝缘层4、第二栅绝缘层5和层间绝缘层6进行刻蚀，为了防止在刻蚀时对栅电极10和漏电极9进行过刻，需要在设计时对过孔A和过孔B采用不同的设计值使得刻蚀达到平衡，过孔A和过孔B的设计大小应遵循过孔A的尺寸大于过孔B的尺寸，一般情况下，过孔A的直径可以比过孔B的直径大0.2um。
本发明实施例还提供了一种柔性显示基板，采用如上所述的制作方法制作得到。
本发明实施例还提供了一种柔性显示装置，包括如上所述的柔性显示基板，所述柔性显示基板包括显示区、电极绑定区和位于所述电极绑定区和所述显示区之间的弯折区，所述弯折区设置有贯穿柔性显示基板的无机膜层的第一过孔，所述第一过孔的侧壁呈台阶状，所述无机膜层包括以下至少一种膜层：阻隔层，缓冲层，第一栅绝缘层，第二栅绝缘层和层间绝缘层。
一具体实施例中，如图5所示，无机膜层包括阻隔层2、缓冲层3、第一栅绝缘层4、第二栅绝缘层5和层间绝缘层6，第一过孔的台阶面为所述第一过孔的侧壁中与所述柔性显示基板的衬底基板1平行的部分，台阶面远离衬底基板1一侧的第一栅绝缘层4、第二栅绝缘层5和层间绝缘层6被去除，台阶面与衬底基板1之间的阻隔层2、缓冲层3得以保留，由此形成台阶状结构。
所述柔性显示装置可以为：电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件，其中，所述显示装置还包括柔性电路板、印刷电路板和背板。
在本发明各方法实施例中，所述各步骤的序号并不能用于限定各步骤的先后顺序，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，对各步骤的先后变化也在本发明的保护范围之内。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (11)

1.一种柔性显示基板的制作方法，所述柔性显示基板包括显示区、电极绑定区和位于所述电极绑定区和所述显示区之间的弯折区，其特征在于，所述制作方法包括：
在完成所述柔性显示基板的无机膜层的制备后，通过一次构图工艺在所述弯折区形成贯穿所述无机膜层的第一过孔，所述第一过孔的侧壁呈台阶状，所述无机膜层包括以下至少一种膜层：阻隔层，缓冲层，第一栅绝缘层，第二栅绝缘层和层间绝缘层。
2.根据权利要求1所述的柔性显示基板的制作方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺在所述弯折区形成贯穿所述无机膜层的第一过孔包括：
在所述无机膜层上涂覆光刻胶，利用半色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全去除区域，所述光刻胶部分保留区域对应所述第一过孔的台阶面，所述光刻胶完全去除区域对应所述第一过孔除所述台阶面之外的其他区域，所述光刻胶保留区域对应除所述第一过孔之外的其他区域，所述台阶面为所述第一过孔的侧壁中与所述柔性显示基板的衬底基板平行的部分；
对所述光刻胶完全去除区域的无机膜层进行刻蚀，去除所述光刻胶完全去除区域的全部所述无机膜层，形成第一过渡过孔；
灰化掉所述光刻胶部分保留区域的光刻胶；
对所述光刻胶部分保留区域的无机膜层进行刻蚀，去除所述光刻胶部分保留区域的部分所述无机膜层，形成所述第一过孔。
3.根据权利要求2所述的柔性显示基板的制作方法，其特征在于，全部所述无机膜层包括：阻隔层，缓冲层，第一栅绝缘层，第二栅绝缘层和层间绝缘层；
部分所述无机膜层包括第一栅绝缘层，第二栅绝缘层和层间绝缘层。
4.根据权利要求1所述的柔性显示基板的制作方法，其特征在于，在形成所述第一过孔的构图工艺中，通过同次构图工艺形成位于显示区的至少一个第二过孔。
5.根据权利要求4所述的柔性显示基板的制作方法，其特征在于，所述第二过孔包括暴露出栅金属层图形的栅金属层连接过孔和暴露出源漏金属层图形的源漏金属层连接过孔。
6.根据权利要求5所述的柔性显示基板的制作方法，其特征在于，形成所述第一过孔和所述第二过孔之前，所述方法包括：
提供一柔性基底；
在所述柔性基底上形成阻隔层；
在所述阻隔层上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成有源层和源漏金属层图形；
形成覆盖所述有源层和所述源漏金属层图形的第一栅绝缘层；
在所述第一栅绝缘层上形成栅金属层图形；
形成覆盖所述栅金属层图形的第二栅绝缘层；
形成层间绝缘层。
7.根据权利要求6所述的柔性显示基板的制作方法，其特征在于，通过一次构图工艺形成所述第一过孔和所述第二过孔包括：
在所述层间绝缘层上涂覆光刻胶；
利用半色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全去除区域，所述光刻胶部分保留区域对应所述第一过孔的台阶面，所述光刻胶完全去除区域包括对应所述栅金属层连接过孔的第一区域、对应所述源漏金属层连接过孔的第二区域以及对应所述第一过孔除所述台阶面之外的其他区域的第三区域，所述光刻胶保留区域对应除所述第一过孔和所述第二过孔之外的其他区域，所述台阶面为所述第一过孔的侧壁中与所述柔性显示基板的衬底基板平行的部分；
通过干法刻蚀，去除所述第一区域的层间绝缘层和第二栅绝缘层，形成暴露出所述栅金属层图形的栅金属层连接过孔；去除所述第二区域的层间绝缘层、第二栅绝缘层和第一栅绝缘层，形成暴露出所述源漏金属层图形的源漏金属层连接过孔；去除所述第三区域的层间绝缘层、第二栅绝缘层、第一栅绝缘层、缓冲层和阻隔层，形成第一过渡过孔；
灰化掉所述光刻胶部分保留区域的光刻胶；
通过干法刻蚀，去除所述光刻胶部分保留区域的层间绝缘层、第二栅绝缘层和第一栅绝缘层，形成所述第一过孔。
8.根据权利要求7所述的柔性显示基板的制作方法，其特征在于，形成所述层间绝缘层之后，在所述层间绝缘层上涂覆光刻胶之前，所述制作方法还包括：
对所述层间绝缘层进行活化处理。
9.根据权利要求7所述的柔性显示基板的制作方法，其特征在于，形成所述第一过孔和所述第二过孔之后，所述制作方法还包括：
对所述层间绝缘层进行热处理。
10.一种柔性显示基板，其特征在于，采用如权利要求1-9中任一项所述的制作方法制作得到，所述柔性显示基板包括显示区、电极绑定区和位于所述电极绑定区和所述显示区之间的弯折区，所述弯折区设置有贯穿柔性显示基板的无机膜层的第一过孔，所述第一过孔的侧壁呈台阶状，所述无机膜层包括以下至少一种膜层：阻隔层，缓冲层，第一栅绝缘层，第二栅绝缘层和层间绝缘层。
11.一种柔性显示装置，其特征在于，包括如权利要求10所述的柔性显示基板。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111180467A (zh) * 2020-01-06 2020-05-19 昆山国显光电有限公司 阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法
CN111293080A (zh) * 2020-02-18 2020-06-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板的制备方法及显示面板
CN111312777A (zh) * 2020-02-26 2020-06-19 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示基板、显示面板、显示装置和显示基板的制作方法
CN111490056A (zh) * 2020-04-23 2020-08-04 京东方科技集团股份有限公司 Oled背板弯折区、背板的制作方法、oled背板以及oled面板
CN111540757A (zh) * 2020-05-07 2020-08-14 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN111584555A (zh) * 2020-05-06 2020-08-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板的制作方法及阵列基板、显示装置
CN111757592A (zh) * 2020-06-18 2020-10-09 昆山国显光电有限公司 一种柔性电路板和显示屏体组件
CN113823654A (zh) * 2020-06-19 2021-12-21 京东方科技集团股份有限公司 一种驱动基板、发光装置及其制作方法
CN114093241A (zh) * 2020-08-25 2022-02-25 合肥鑫晟光电科技有限公司 驱动背板及其制作方法、显示装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111415968A (zh) * 2020-04-26 2020-07-14 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示面板的制作方法
CN112002702B (zh) * 2020-08-06 2022-09-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及可卷曲显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102651344A (zh) * 2010-07-15 2012-08-29 友达光电股份有限公司 共通线结构与显示面板及其制作方法
CN109065583A (zh) * 2018-08-06 2018-12-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板的制造方法及柔性显示面板
US20180374879A1 (en) * 2014-11-07 2018-12-27 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor array substrate, organic light-emitting diode display including the same, and manufacturing method thereof
US20190019819A1 (en) * 2012-11-27 2019-01-17 Samsung Display Co., Ltd. Exposure mask and method of manufacturing a substrate using the exposure mask
CN109300840A (zh) * 2018-09-30 2019-02-01 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
CN109560087A (zh) * 2018-12-14 2019-04-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种tft阵列基板及其制备方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102651930B1 (ko) * 2016-07-29 2024-03-27 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102651344A (zh) * 2010-07-15 2012-08-29 友达光电股份有限公司 共通线结构与显示面板及其制作方法
US20190019819A1 (en) * 2012-11-27 2019-01-17 Samsung Display Co., Ltd. Exposure mask and method of manufacturing a substrate using the exposure mask
US20180374879A1 (en) * 2014-11-07 2018-12-27 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor array substrate, organic light-emitting diode display including the same, and manufacturing method thereof
CN109065583A (zh) * 2018-08-06 2018-12-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板的制造方法及柔性显示面板
CN109300840A (zh) * 2018-09-30 2019-02-01 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
CN109560087A (zh) * 2018-12-14 2019-04-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种tft阵列基板及其制备方法

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111180467A (zh) * 2020-01-06 2020-05-19 昆山国显光电有限公司 阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法
US11967599B2 (en) 2020-01-06 2024-04-23 Kunshan Go-Visionox Opto-Electronics Co., Ltd Array substrate and display panel
CN111293080A (zh) * 2020-02-18 2020-06-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板的制备方法及显示面板
CN111293080B (zh) * 2020-02-18 2024-05-31 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板的制备方法及显示面板
CN111312777B (zh) * 2020-02-26 2023-12-15 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示基板、显示面板、显示装置和显示基板的制作方法
CN111312777A (zh) * 2020-02-26 2020-06-19 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示基板、显示面板、显示装置和显示基板的制作方法
CN111490056A (zh) * 2020-04-23 2020-08-04 京东方科技集团股份有限公司 Oled背板弯折区、背板的制作方法、oled背板以及oled面板
CN111584555A (zh) * 2020-05-06 2020-08-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板的制作方法及阵列基板、显示装置
CN111540757A (zh) * 2020-05-07 2020-08-14 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN111757592A (zh) * 2020-06-18 2020-10-09 昆山国显光电有限公司 一种柔性电路板和显示屏体组件
CN113823654B (zh) * 2020-06-19 2024-03-15 京东方科技集团股份有限公司 一种驱动基板、发光装置及其制作方法
CN113823654A (zh) * 2020-06-19 2021-12-21 京东方科技集团股份有限公司 一种驱动基板、发光装置及其制作方法
CN114093241B (zh) * 2020-08-25 2023-08-15 合肥鑫晟光电科技有限公司 驱动背板及其制作方法、显示装置
CN114093241A (zh) * 2020-08-25 2022-02-25 合肥鑫晟光电科技有限公司 驱动背板及其制作方法、显示装置

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