CN113823654B - 一种驱动基板、发光装置及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种驱动基板、发光装置及其制作方法，涉及显示技术领域。本发明通过在器件设置区和电路板绑定区依次层叠设置刚性衬底、脱粘层、第一缓冲层、有机材料层、第二缓冲层和走线层，在弯折区依次层叠设置的第一缓冲层、搭接电极层、有机材料层和第二缓冲层；搭接电极层的两端分别延伸至器件设置区和电路板绑定区，器件设置区的走线层和电路板绑定区的走线层分别通过过孔与搭接电极层连接。通过在弯折区仅设置第一缓冲层、搭接电极层、有机材料层和第二缓冲层，减少弯折区的膜层数，从而实现弯折区中膜层的厚度降低，进而降低弯折区中膜层的最大弯曲应变力，保证弯折区中的膜层不会出现断裂或裂纹，确保了弯曲区的弯折信赖性。

Description

一种驱动基板、发光装置及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种驱动基板、发光装置及其制作方法。
背景技术
为了适应显示器轻薄化的发展趋势，在LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)之后出现了微LED(包括Micro LED和Mini LED)技术。微LED技术的一大优势在于可以实现拼接，用一定数量的小尺寸的驱动基板来实现超大尺寸的显示。
在通过多个小尺寸的驱动基板拼接形成大尺寸的驱动基板时，由于单个驱动基板具有边框，故在相邻驱动基板之间必然存在拼接缝，为了减小拼接缝，需要在驱动基板中设置弯折区，将弯折区弯折以减小拼接缝，而弯折区中膜层的最大弯曲应变力对驱动基板的质量有着很大的影响。
发明内容
本发明提供一种驱动基板、发光装置及其制作方法，以实现降低弯折区中膜层的最大弯曲应变力，提高驱动基板的质量的问题。
为了解决上述问题，本发明提供了一种驱动基板，包括：器件设置区、电路板绑定区，以及位于所述器件设置区和所述电路板绑定区之间的弯折区；
所述器件设置区和所述电路板绑定区的驱动基板包括依次层叠设置的刚性衬底、脱粘层、第一缓冲层、有机材料层、第二缓冲层和走线层；
所述弯折区的驱动基板包括依次层叠设置的所述第一缓冲层、搭接电极层、所述有机材料层和所述第二缓冲层；
其中，所述搭接电极层的两端分别延伸至所述器件设置区和所述电路板绑定区，所述器件设置区的走线层和所述电路板绑定区的走线层分别通过过孔与所述搭接电极层连接。
可选的，所述走线层包括形成在所述器件设置区和所述电路板绑定区的第二缓冲层上的第一走线层；
其中，所述器件设置区的第一走线层通过贯穿所述第二缓冲层和所述有机材料层的第一过孔与所述搭接电极层的一端连接；所述电路板绑定区的第一走线层通过贯穿所述第二缓冲层和所述有机材料层的第二过孔与所述搭接电极层的另一端连接。
可选的，所述器件设置区和所述电路板绑定区的驱动基板还包括覆盖所述第一走线层、位于所述器件设置区和所述电路板绑定区的第二缓冲层的平坦层。
可选的，所述器件设置区和所述电路板绑定区的驱动基板还包括覆盖所述平坦层的第三缓冲层，所述第一走线层部分露出所述平坦层和所述第三缓冲层。
可选的，所述走线层还包括形成在所述器件设置区的所述平坦层上的第二走线层，所述第二走线层通过贯穿所述平坦层的第三过孔与所述第一走线层连接；
所述器件设置区和所述电路板绑定区的驱动基板还包括覆盖所述平坦层和所述第二走线层的第三缓冲层，所述第二走线层部分露出所述第三缓冲层。
可选的，所述弯折区的驱动基板还包括所述脱粘层，所述脱粘层位于所述第一缓冲层远离所述搭接电极层的一侧。
可选的，所述弯折区的驱动基板还包括所述第三缓冲层，所述第三缓冲层位于所述第二缓冲层远离所述有机材料层的一侧。
可选的，在所述弯折区处于非弯折状态下，所述器件设置区的所述刚性衬底与所述电路板绑定区的所述刚性衬底沿同一水平面设置；在所述弯折区处于弯折状态下，所述器件设置区的所述刚性衬底与所述电路板绑定区的所述刚性衬底贴合。
可选的，在所述弯折区处于弯折状态下，所述器件设置区与所述弯折区的接触面上、所述电路板绑定区与所述弯折区的接触面上，以及所述器件设置区的刚性衬底与所述电路板绑定区的刚性衬底之间设置有粘接层。
可选的，所述脱粘层的材料为聚酰亚胺或聚酰亚胺改性材料；所述脱粘层的厚度为30nm至100nm。
可选的，所述搭接电极层的材料为铜、钼、钛或铝中的至少一种；所述搭接电极层的厚度为300nm至800nm。
可选的，所述第一缓冲层的厚度为50nm至300nm；所述有机材料层的厚度小于或等于6μm；所述第二缓冲层的厚度为50nm至300nm。
为了解决上述问题，本发明还提供了一种发光装置，包括电路板、发光器件以及上述的驱动基板，所述发光器件与所述器件设置区的走线层连接，所述电路板与所述电路板绑定区的走线层连接。
为了解决上述问题，本发明还提供了一种发光装置的制作方法，包括：
提供基底，所述基底包括依次层叠设置的刚性衬底、脱粘层和第一缓冲层；所述基底被划分为器件设置区、电路板绑定区以及位于所述器件设置区和所述电路板绑定区之间的弯折区；
在所述基底的所述弯折区形成搭接电极层，所述搭接电极层的两端分别延伸至所述器件设置区和所述电路板绑定区；
形成覆盖所述第一缓冲层和所述搭接电极层的有机材料层；
在所述有机材料层上形成第二缓冲层；
在所述器件设置区和所述电路板绑定区的第二缓冲层上形成走线层；所述器件设置区的走线层和所述电路板绑定区的走线层分别通过过孔与所述搭接电极层连接；
去除所述弯折区的刚性衬底。
可选的，所述在所述器件设置区和所述电路板绑定区的第二缓冲层上形成走线层的步骤，包括：
在所述器件设置区和所述电路板绑定区分别形成贯穿所述第二缓冲层和所述有机材料层的第一过孔和第二过孔；
在所述器件设置区和所述电路板绑定区的第二缓冲层上形成第一走线层；所述第一走线层分别通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述搭接电极层连接。
可选的，在所述器件设置区和所述电路板绑定区的第二缓冲层上形成第一走线层的步骤之后，还包括：
形成覆盖所述第一走线层、位于所述器件设置区和所述电路板绑定区的第二缓冲层的平坦层；
在所述器件设置区的所述平坦层上形成第二走线层；所述第二走线层通过贯穿所述平坦层的第三过孔与所述第一走线层连接；
形成覆盖所述平坦层和所述第二走线层的第三缓冲层；所述第二走线层部分露出所述第三缓冲层。
可选的，在所述去除所述弯折区的刚性衬底的步骤之前，还包括：
将发光器件与所述器件设置区的所述第二走线层连接，并将所述电路板与所述电路板绑定区的所述第一走线层连接；
在所述发光器件远离所述刚性衬底的一侧形成第一胶层，并在所述发光器件的侧壁形成第二胶层。
可选的，所述去除所述弯折区的刚性衬底的步骤，包括：
采用激光剥离工艺去除所述弯折区的所述刚性衬底和所述脱粘层。
可选的，在所述去除所述弯折区的刚性衬底的步骤之后，还包括：
在所述刚性衬底远离所述脱粘层的一侧、所述器件设置区的所述刚性衬底朝向所述弯折区的侧壁，以及所述电路板绑定区的所述刚性衬底朝向所述弯折区的侧壁设置粘接层；
将所述弯折区弯折，使得所述器件设置区的所述刚性衬底与所述电路板绑定区的所述刚性衬底贴合。
与现有技术相比，本发明包括以下优点：
在本发明实施例中，通过在器件设置区和电路板绑定区依次层叠设置刚性衬底、脱粘层、第一缓冲层、有机材料层、第二缓冲层和走线层，在弯折区依次层叠设置的第一缓冲层、搭接电极层、有机材料层和第二缓冲层；搭接电极层的两端分别延伸至器件设置区和电路板绑定区，器件设置区的走线层和电路板绑定区的走线层分别通过过孔与搭接电极层连接。通过在弯折区仅设置第一缓冲层、搭接电极层、有机材料层和第二缓冲层，减少弯折区的膜层数，从而实现弯折区中膜层的厚度降低，进而降低弯折区中膜层的最大弯曲应变力，保证弯折区中的膜层不会出现断裂或裂纹，提高驱动基板的质量，确保了弯曲区的弯折信赖性。
附图说明
图1示出了一种相关的驱动基板的结构示意图；
图2示出了本发明实施例的一种驱动基板的结构示意图；
图3示出了本发明实施例的另一种驱动基板的结构示意图；
图4示出了本发明实施例的发光装置在弯折区处于未弯折状态下的结构示意图；
图5示出了本发明实施例的发光装置在弯折区处于弯折状态下的结构示意图；
图6示出了本发明实施例的一种发光装置的制作方法的流程图；
图7示出了本发明实施例在基底上形成搭接电极层后的结构示意图；
图8示出了本发明实施例形成有机材料层和第二缓冲层后的结构示意图；
图9示出了本发明实施例形成第一走线层和平坦层后的结构示意图；
图10示出了本发明实施例形成第二走线层后的结构示意图；
图11示出了本发明实施例形成第三缓冲层后的结构示意图；
图12示出了本发明实施例将发光器件和电路板与走线层连接后的结构示意图；
图13示出了本发明实施例形成第一胶层和第二胶层后的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
如图1所示，在相关技术中的一种驱动基板包括器件设置区B1、电路板绑定区B2，以及位于器件设置区B1和电路板绑定区B2之间的弯折区B3；弯折区B3的驱动基板包括依次层叠设置的有机材料层12、缓冲层13、第一走线层14、第一平坦层15、钝化层17和第二平坦层18，而器件设置区B1和电路板绑定区B2的驱动基板包括依次层叠设置的衬底11、有机材料层12、缓冲层13、第一走线层14、第一平坦层15、第二走线层16、钝化层17和第二平坦层18。
其中，有机材料层12的厚度为6μm，缓冲层13的厚度为0.1μm，第一走线层14的厚度为2μm，第一平坦层15的厚度为1μm，钝化层17的厚度为0.1μm，第二平坦层18的厚度为6μm。发明人发现，因此，弯折区B3中膜层的厚度H1为15.2μm，在弯折区B3的弯折半径为50μm的情况下，弯折区B3中的无机膜层的最大弯曲应变力为4.73％，其大于安全弯曲应变2.52％，若对弯曲区B3进行弯折，极易导致弯折区B3中的无机膜层断裂或出现裂纹，使得弯折区B3的无机膜层失效，进而引起驱动基板的失效。
因此，本发明实施例通过在驱动基板的弯折区仅设置第一缓冲层、搭接电极层、有机材料层和第二缓冲层，减少弯折区的膜层数，从而实现弯折区中膜层的厚度降低，进而降低弯折区中膜层的最大弯曲应变力，保证弯折区中的膜层不会出现断裂或裂纹，提高驱动基板的质量，确保了弯曲区的弯折信赖性。
图2示出了本发明实施例的一种驱动基板的结构示意图，图3示出了本发明实施例的另一种驱动基板的结构示意图。
本发明实施例提供了一种驱动基板，包括：器件设置区A1、电路板绑定区A2，以及位于器件设置区A1和电路板绑定区A2之间的弯折区A3；器件设置区A1和电路板绑定区A2的驱动基板包括依次层叠设置的刚性衬底21、脱粘层22、第一缓冲层23、有机材料层25、第二缓冲层26和走线层27；弯折区A3的驱动基板包括依次层叠设置的第一缓冲层23、搭接电极层24、有机材料层25和第二缓冲层26；其中，搭接电极层24的两端分别延伸至器件设置区A1和电路板绑定区A2，器件设置区A1的走线层27和电路板绑定区A2的走线层27分别通过过孔与搭接电极层24连接。
如图2所示，在弯折区A3，刚性衬底21和脱粘层22被去除掉，则在驱动基板的弯折区A3仅设置第一缓冲层23、搭接电极层24、有机材料层25和第二缓冲层26，弯折区A3的膜层数量较少，则可实现弯折区A3中膜层的厚度降低，进而降低弯折区A3中膜层的最大弯曲应变力。
在本发明实施例中，第一缓冲层23的材料为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅，第一缓冲层23的厚度为50nm至300nm，其用来阻挡水汽进入驱动基板内部；由于搭接电极层24后续需要处于弯折状态，考虑到搭接电极层24的弯折性能和稳定电压的要求，可设置搭接电极层24的材料为铜、钼、钛或铝中的至少一种，例如，搭接电极层24可以具有钛/铝/钛的叠层结构，搭接电极层24的厚度为300nm至800nm，使得搭接电极层24可以正常弯曲，并保证搭接电极层24的走线电阻不对显示造成影响，搭接电极层24用来连接器件设置区A1和电路板绑定区A2，保证器件设置区A1和电路板绑定区A2之间的电信号可以正常传输；有机材料层25的材料为PI(Polyimide，聚酰亚胺)，有机材料层25的厚度小于或等于6μm；第二缓冲层26的材料为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅，第二缓冲层26的厚度为50nm至300nm。
若对弯折区A3中的每个膜层选择最大厚度，即选取第一缓冲层23的最大厚度300nm，搭接电极层24的最大厚度800nm，有机材料层25的最大厚度6μm，第二缓冲层26的最大厚度300nm，则可计算得到弯折区A3中膜层的厚度H2为7.4μm，其小于图1所示的驱动基板的弯折区B3中膜层的厚度H1，因此，本发明实施例可降低弯折区A3中膜层的厚度，当弯折区A3的弯折半径为50μm的情况下，弯折区A3中的无机膜层的最大弯曲应变力为2.47％，其小于安全弯曲应变2.52％。
此外，刚性衬底21的材料为刚性材料，具体可以为石英，玻璃，二氧化硅，硅，塑料，聚甲基丙烯酸甲酯中的任一种；脱粘层(Debonding Layer，DBL)22的材料为聚酰亚胺或聚酰亚胺改性材料，脱粘层22的厚度为30nm至100nm。
如图2和图3所示，走线层27包括形成在器件设置区A1和电路板绑定区A2的第二缓冲层26上的第一走线层271；其中，器件设置区A1的第一走线层271通过贯穿第二缓冲层26和有机材料层25的第一过孔与搭接电极层24的一端连接，电路板绑定区A2的第一走线层271通过贯穿第二缓冲层26和有机材料层25的第二过孔与搭接电极层24的另一端连接。
其中，第一走线层271的材料为铜，第一走线层271的厚度为0.6μm至1.2μm。
如图2和图3所示，器件设置区A1和电路板绑定区A2的驱动基板还包括覆盖第一走线层271、位于器件设置区A1和电路板绑定区A2的第二缓冲层26的平坦层28。
具体的，平坦层28仅位于器件设置区A1和电路板绑定区A2，在弯折区A3未设置有平坦层28；平坦层28的材料为树脂材料，平坦层28的厚度小于或等于6μm，其用来实现驱动基板的平坦化。
在本发明一种可选的实施方式中，如图3所示，器件设置区A1和电路板绑定区A2的驱动基板还包括覆盖平坦层28的第三缓冲层29，第一走线层271部分露出平坦层28和第三缓冲层29。
其中，第三缓冲层29的材料为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅，第三缓冲层29的厚度为50nm至300nm。
具体的，是器件设置区A1和电路板绑定区A2的第一走线层271部分露出平坦层28和第三缓冲层29。在实际制作过程中，是在器件设置区A1的第一走线层271对应的位置处形成有贯穿第三缓冲层29和平坦层28的第一开口N1，该第一开口N1后续用来将发光器件与第一走线层271进行连接；在电路板绑定区A2的第一走线层271对应的位置处形成有贯穿第三缓冲层29和平坦层28的第二开口N2，该第二开口N2后续用来将电路板与第一走线层271进行连接。
在本发明另一种可选的实施方式中，如图2所示，走线层27还包括形成在器件设置区A1的平坦层28上的第二走线层272，第二走线层272通过贯穿平坦层28的第三过孔与第一走线层271连接；器件设置区A1和电路板绑定区A2的驱动基板还包括覆盖平坦层28和第二走线层272的第三缓冲层29，第二走线层272部分露出第三缓冲层29。
其中，第二走线层272的材料为铜，第二走线层272的厚度为0.6μm至1.2μm；第三缓冲层29的材料为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅，第三缓冲层29的厚度为50nm至300nm。
在实际制作过程中，是在器件设置区A1的第二走线层272对应的位置处形成有贯穿第三缓冲层29的第三开口N3，该第三开口N3后续用来将发光器件与第二走线层272进行连接。该第三开口N3在刚性衬底21上的正投影可以与第二走线层272的顶表面(第二走线层272远离第一走线层271一侧的表面)在刚性衬底21上的正投影重合，此时，在第二走线层272的顶表面未设置有第三缓冲层29，第三缓冲层29仅覆盖第二走线层272的侧壁和平坦层28；或者，该第三开口N3在刚性衬底21上的正投影可以位于第二走线层272的顶表面在刚性衬底21上的正投影之内，此时，第三缓冲层29除了覆盖第二走线层272的侧壁和平坦层28之外，在第二走线层272的顶表面的部分区域还设置有第三缓冲层29。第三缓冲层29可用来保护第二走线层272的侧壁。
此外，电路板绑定区A2的第一走线层271部分露出平坦层28和第三缓冲层29，在实际制作过程中，是在电路板绑定区A2的第一走线层271对应的位置处形成有贯穿第三缓冲层29和平坦层28的第二开口N2，该第二开口N2后续用来将电路板与第一走线层271进行连接。
需要说明的是，图2所示的走线层27，在器件设置区A1包括第一走线层271和第二走线层272，而在电路板绑定区A2仅包括第一走线层271；图3所示的走线层27，在器件设置区A1和电路板绑定区A2均只包括第一走线层271。在实际制作过程中，选择图2所示的走线层27还是图3所示的走线层27，根据器件设置区A1的电路布线确定，当器件设置区A1的电路布线通过一层走线无法实现时，需要设置成如图2所示的两层走线。
如图3所示，弯折区A3的驱动基板还包括脱粘层22，脱粘层22位于第一缓冲层23远离搭接电极层24的一侧。
在实际制作过程中，可以仅将弯折区A3的刚性衬底21去除，而弯折区A3的脱粘层22保留。
需要说明的是，图2所示的驱动基板是将弯折区A3的刚性衬底21和脱粘层22都去除，而图3所示的驱动基板仅将弯折区A3的刚性衬底21去除。
当弯折区A3还存在脱粘层22时，此时，驱动基板的弯折区A3的膜层包括脱粘层22、第一缓冲层23、搭接电极层24、有机材料层25和第二缓冲层26，脱粘层22的最大厚度为100nm，若对弯折区A3中的每个膜层选择最大厚度，则此时弯折区A3中膜层的厚度H2为7.5μm，也小于图1所示的驱动基板的弯折区B3中膜层的厚度H1。
如图3所示，弯折区A3的驱动基板还包括第三缓冲层29，第三缓冲层29位于第二缓冲层26远离有机材料层25的一侧。
在实际制作过程中，可将弯折区A3的第三缓冲层29不去除。
需要说明的是，图2所示的驱动基板是将弯折区A3的第三缓冲层29去除掉，仅在器件设置区A1和电路板绑定区A2设置第三缓冲层29；而图3所示的驱动基板在器件设置区A1、电路板绑定区A2和弯折区A3均设置有第三缓冲层29。
当弯折区A3还存在第三缓冲层29时，此时，驱动基板的弯折区A3的膜层包括第一缓冲层23、搭接电极层24、有机材料层25、第二缓冲层26和第三缓冲层29，第三缓冲层29的最大厚度为300nm，若对弯折区A3中的每个膜层选择最大厚度，则此时弯折区A3中膜层的厚度H2为7.7μm，也小于图1所示的驱动基板的弯折区B3中膜层的厚度H1；当弯折区A3还存在脱粘层22和第三缓冲层29时，此时，驱动基板的弯折区A3的膜层包括脱粘层22、第一缓冲层23、搭接电极层24、有机材料层25、第二缓冲层26和第三缓冲层29，脱粘层22的最大厚度为100nm，第三缓冲层29的最大厚度为300nm，若对弯折区A3中的每个膜层选择最大厚度，则此时弯折区A3中膜层的厚度H2为7.8μm，也小于图1所示的驱动基板的弯折区B3中膜层的厚度H1。
在本发明实施例中，在弯折区A3处于非弯折状态下，器件设置区A1的刚性衬底21与电路板绑定区A2的刚性衬底21沿同一水平面设置；在弯折区A3处于弯折状态下，器件设置区A1的刚性衬底21与电路板绑定区A2的刚性衬底21贴合。
进一步的，在弯折区A3处于弯折状态下，器件设置区A1与弯折区A3的接触面上、电路板绑定区A2与弯折区A3的接触面上，以及器件设置区A1的刚性衬底21与电路板绑定区A2的刚性衬底21之间设置有粘接层。
其中，粘接层的材料为UV(Ultraviolet Rays，紫外线固化)胶，其粘度为5000cps至8000cps。
在实际制作过程中，在去除了弯折区A3的刚性衬底21之后，在器件设置区A1和/或电路板绑定区A2的刚性衬底21远离脱粘层22的一侧、器件设置区A1的刚性衬底21朝向弯折区A3的侧壁，以及电路板绑定区A2的刚性衬底21朝向弯折区A3的侧壁涂覆粘接层，然后，将弯折区A3弯折，使得器件设置区A1的刚性衬底21与电路板绑定区A2的刚性衬底21贴合，此时，在器件设置区A1与弯折区A3的接触面上、电路板绑定区A2与弯折区A3的接触面上，以及器件设置区A1的刚性衬底21与电路板绑定区A2的刚性衬底21之间均设置有粘接层，用于在弯折区A3弯折后，实现器件设置区A1和电路板绑定区A2的固定贴合。
在本发明实施例中，通过在弯折区仅设置第一缓冲层、搭接电极层、有机材料层和第二缓冲层，减少弯折区的膜层数，从而实现弯折区中膜层的厚度降低，进而降低弯折区中膜层的最大弯曲应变力，保证弯折区中的膜层不会出现断裂或裂纹，提高驱动基板的质量，确保了弯曲区的弯折信赖性。
图4示出了本发明实施例的发光装置在弯折区处于未弯折状态下的结构示意图，图5示出了本发明实施例的发光装置在弯折区处于弯折状态下的结构示意图。
如图4和图5所示，发光装置包括电路板40、发光器件30以及上述示例性实施例中所述的驱动基板，其中，发光器件30与器件设置区A1的走线层27连接，电路板40与电路板绑定区A2的走线层27连接。
本发明实施例以图2所示的驱动基板制作形成发光装置，以说明电路板40和发光器件30分别与驱动基板的连接关系，因此，针对图4和图5中的走线层27，在器件设置区A1包括第一走线层271和第二走线层272，而在电路板绑定区A2仅包括第一走线层271，因此，发光器件30是通过贯穿第三缓冲层29的第三开口N3(第三开口N3的位置具体见图2)与第二走线层272连接的，而电路板40是通过贯穿第三缓冲层29和平坦层28的第二开口N2(第二开口N2的位置具体见图2)与第一走线层271连接的。
当然，也可用图3所示的驱动基板制作发光装置，此时，在器件设置区A1和电路板绑定区A2，走线层27均只包括第一走线层271，因此，发光器件30是通过贯穿第三缓冲层29和平坦层28的第一开口N1(第一开口N1的位置具体见图3)与第一连接层271连接的，电路板40也是通过贯穿第三缓冲层29和平坦层28的第二开口N2(第二开口N2的位置具体见图3)与第一走线层271连接的。
由图4和图5可以看出，在弯折区A3处于非弯折状态下，器件设置区A1的刚性衬底21与电路板绑定区A2的刚性衬底21沿同一水平面设置；在弯折区A3处于弯折状态下，器件设置区A1的刚性衬底21与电路板绑定区A2的刚性衬底21贴合。
此外，发光装置还包括设置在发光器件30远离刚性衬底21的一侧的第一胶层52，以及设置在发光器件30的侧壁上的第二胶层51。其中，第一胶层52为白胶，其用来保护发光器件30，第二胶层51为黑胶，其用来防止各个发光器件30发出的光线串色。
在实际应用中，若发光器件30为微LED时，多个微LED阵列可以直接作为显示装置的显示像素，从而发光装置可以作为显示装置；多个微LED阵列也可以作为直下式背光源，用于向其出光面侧的显示面板提供光线。
此外，关于驱动基板的具体描述可以参照前述示例性实施例中的描述，此处不再赘述。
在本发明实施例中，通过在弯折区仅设置第一缓冲层、搭接电极层、有机材料层和第二缓冲层，减少弯折区的膜层数，从而实现弯折区中膜层的厚度降低，进而降低弯折区中膜层的最大弯曲应变力，保证弯折区中的膜层不会出现断裂或裂纹，提高驱动基板的质量，确保了弯曲区的弯折信赖性。
图6示出了本发明实施例的一种发光装置的制作方法的流程图，具体可以包括如下步骤：
步骤601，提供基底，所述基底包括依次层叠设置的刚性衬底、脱粘层和第一缓冲层；所述基底被划分为器件设置区、电路板绑定区以及位于所述器件设置区和所述电路板绑定区之间的弯折区。
在本发明实施例中，如图7所示，提供一基底，该基底包括依次层叠设置的刚性衬底21、脱粘层22和第一缓冲层23，该基底被划分为器件设置区A1、电路板绑定区A2以及位于器件设置区A1和电路板绑定区A2之间的弯折区A3。
具体的，在刚性衬底21上形成脱粘层22，刚性衬底21的材料为刚性材料，具体可以为石英，玻璃，二氧化硅，硅，塑料，聚甲基丙烯酸甲酯中的任一种，脱粘层22的材料为聚酰亚胺或聚酰亚胺改性材料，脱粘层22的厚度为30nm至100nm；然后，在脱粘层22上沉积第一缓冲层23，第一缓冲层23的材料为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅，第一缓冲层23的厚度为50nm至300nm。
此时，刚性衬底21和脱粘层22分布在器件设置区A1、电路板绑定区A2和弯折区A3。
步骤602，在所述基底的所述弯折区形成搭接电极层，所述搭接电极层的两端分别延伸至所述器件设置区和所述电路板绑定区。
在本发明实施例中，如图7所示，在基底的弯折区A3上形成搭接电极层24，具体的，是采用构图工艺在弯折区A3的第一缓冲层23上形成搭接电极层24，搭接电极层24的两端分别延伸至器件设置区A1和电路板绑定区A2。
其中，考虑搭接电极层24的弯折性能和稳定电压的要求，搭接电极层24的材料可以为铜、钼、钛或铝中的至少一种，具体的，搭接电极层24的厚度为300nm至800nm。例如，搭接电极层24可以具有钛/铝/钛的叠层结构。
需要说明的是，本发明实施例的构图工艺包括薄膜沉积、光刻胶涂覆、采用掩膜板曝光、显影、刻蚀和光刻胶去除工艺等。
步骤603，形成覆盖所述第一缓冲层和所述搭接电极层的有机材料层。
在本发明实施例中，在基底的弯折区A3上形成搭接电极层24之后，如图8所示，形成覆盖第一缓冲层23和搭接电极层24的有机材料层25。
其中，有机材料层25的材料为PI，有机材料层25的厚度小于或等于6μm，具体的，可采用涂覆工艺形成有机材料层25。
步骤604，在所述有机材料层上形成第二缓冲层。
在本发明实施例中，如图8所示，形成覆盖第一缓冲层23和搭接电极层24的有机材料层25之后，在有机材料层25上形成第二缓冲层26。
具体的，可采用CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)工艺在有机材料层25上形成第二缓冲层26，第二缓冲层26的材料为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅，第二缓冲层26的厚度为50nm至300nm。
步骤605，在所述器件设置区和所述电路板绑定区的第二缓冲层上形成走线层；所述器件设置区的走线层和所述电路板绑定区的走线层分别通过过孔与所述搭接电极层连接。
在本发明实施例中，在有机材料层25上形成第二缓冲层26之后，在器件设置区A1和电路板绑定区A2的第二缓冲层26上形成走线层27。
下面以走线层27，在器件设置区A1包括第一走线层271和第二走线层272，而在电路板绑定区A2仅包括第一走线层271为例，说明其具体制作过程：
在本发明一种可选的实施方式中，步骤605具体可以包括子步骤S6051和子步骤S6052：
子步骤S6051，在所述器件设置区和所述电路板绑定区分别形成贯穿所述第二缓冲层和所述有机材料层的第一过孔和第二过孔；
子步骤S6052，在所述器件设置区和所述电路板绑定区的第二缓冲层上形成第一走线层；所述第一走线层分别通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述搭接电极层连接。
如图8所示，在有机材料层25上形成第二缓冲层26之后，在器件设置区A1形成贯穿第二缓冲层26和有机材料层25的第一过孔M1，并在电路板绑定区A2形成贯穿第二缓冲层26和有机材料层25的第二过孔M2。具体的，是在第二缓冲层26上涂覆光刻胶，采用掩膜板对第二缓冲层26上的光刻胶进行曝光，曝光后进行显影，以得到光刻胶去除区域，对光刻胶去除区域处的第二缓冲层26进行刻蚀，以形成贯穿第二缓冲层26的过孔，然后，以第二缓冲层26为掩膜板，对贯穿第二缓冲层26的过孔处的有机材料层25进行曝光，显影后则可形成贯穿第二缓冲层26和有机材料层25的第一过孔M1和第二过孔M2。
如图9所示，然后，在器件设置区A1和电路板绑定区A2的第二缓冲层26上形成第一走线层271，器件设置区A1的第一走线层271通过贯穿第二缓冲层26和有机材料层25的第一过孔M1与搭接电极层24的一端连接，电路板绑定区A2的第一走线层271通过贯穿第二缓冲层26和有机材料层25的第二过孔M2与搭接电极层24的另一端连接。
进一步的，在子步骤S6052之后，还包括子步骤S6053、子步骤S6054和子步骤S6055：
子步骤S6053，形成覆盖所述第一走线层、位于所述器件设置区和所述电路板绑定区的第二缓冲层的平坦层；
子步骤S6054，在所述器件设置区的所述平坦层上形成第二走线层；所述第二走线层通过贯穿所述平坦层的第三过孔与所述第一走线层连接；
子步骤S6055，形成覆盖所述平坦层和所述第二走线层的第三缓冲层；所述第二走线层部分露出所述第三缓冲层。
如图9所示，在器件设置区A1和电路板绑定区A2的第二缓冲层26上形成第一走线层271之后，形成覆盖第一走线层271、位于器件设置区A1和电路板绑定区A2的第二缓冲层26的平坦层28。
具体的，先是在器件设置区A1、电路板绑定区A2和弯折区A3，涂覆一层覆盖第一走线层271和第二缓冲层26的平坦层材料，采用掩膜板对平坦层材料进行曝光、显影，去除弯折区A3的平坦层材料，并在器件设置区A1的第一走线层271对应的位置处形成有贯穿平坦层28的第三过孔M3，以及在电路板绑定区A2的第一走线层271对应的位置处也形成有贯穿平坦层28的第四过孔M4。
如图10所示，采用构图工艺在器件设置区A1的平坦层28上形成第二走线层272，第二走线层272通过贯穿平坦层28的第三过孔M3与第一走线层271连接。
如图11所示，形成覆盖平坦层28和第二走线层272的第三缓冲层29，第二走线层272部分露出第三缓冲层29。具体的，是先形成一层覆盖平坦层28、第二走线层272和第二缓冲层26的第三缓冲薄膜，在第三缓冲薄膜上涂覆光刻胶，采用掩膜板对第三缓冲薄膜上的光刻胶进行曝光，曝光后进行显影，得到光刻胶去除区域，该光刻胶去除区域包括弯折区A3、器件设置区A1的第二走线层272所在的位置处，以及电路板绑定区A2的第一走线层271所在的位置处，对光刻胶去除区域处的第三缓冲薄膜进行刻蚀，以得到第三缓冲层29。因此，弯折区A3的第三缓冲层29被去除掉，在第二走线层272对应的位置处形成有贯穿第三缓冲层29的第三开口N3，并在电路板绑定区A2的第一走线层271对应的位置处形成有贯穿第三缓冲层29和平坦层28的第二开口N2。
需要说明的是，在形成第三缓冲薄膜时，电路板绑定区A2的第一走线层271对应的位置处的贯穿平坦层28的第四过孔M4会被第三缓冲薄膜填充，后续对第三缓冲薄膜进行刻蚀时，该第四过孔M4内的第三缓冲薄膜会被去除，则形成贯穿第三缓冲层29和平坦层28的第二开口N2。
其中，第一走线层271的材料为铜，第一走线层271的厚度为0.6μm至1.2μm；平坦层28的材料为树脂材料，平坦层28的厚度小于或等于6μm；第二走线层272的材料为铜，第二走线层272的厚度为0.6μm至1.2μm；第三缓冲层29的材料为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅，第三缓冲层29的厚度为50nm至300nm。
步骤606，去除所述弯折区的刚性衬底。
在本发明实施例中，在器件设置区A1和电路板绑定区A2的第二缓冲层26上形成各个膜层之后，去除弯折区A3的刚性衬底21。
具体的，步骤606包括：采用激光剥离工艺去除所述弯折区的所述刚性衬底和所述脱粘层。
采用LLO(Laser Lift Off，激光剥离)工艺对弯折区A3的刚性衬底21进行切割，在切割刚性衬底21的过程中，会使得弯折区A3的脱粘层22碳化，则可采用激光剥离工艺同时去除弯折区A3的刚性衬底21和脱粘层22。
当然，也可采用刀轮切割工艺对弯折区A3的刚性衬底21进行切割，以去除弯折区A3的刚性衬底21。在去除弯折区A3的刚性衬底21之后，可采用激光剥离工艺或其他工艺去除弯折区A3的脱粘层22，当然，也可以不对弯折区A3的脱粘层22进行去除。
需要说明的是，在去除弯折区A3的刚性衬底21之后，可将弯折区A3弯折，后续再将发光器件30与器件设置区A1的走线层27绑定连接，以及将电路板40与电路板绑定区A2的走线层27绑定连接，即先弯折再绑定。
当然，也可以采用先绑定再弯折的方式，先绑定再弯折的方式相对于先弯折再绑定的方式，避免驱动基板背面绑定加工的繁琐工序，其工艺更加简单可靠。
后续针对先绑定再弯折的方式，对发光装置的制作过程进行描述，因此，在步骤606之前，还包括步骤S61和步骤S62：
步骤S61，将发光器件与所述器件设置区的所述第二走线层连接，并将所述电路板与所述电路板绑定区的所述第一走线层连接；
步骤S62，在所述发光器件远离所述刚性衬底的一侧形成第一胶层，并在所述发光器件的侧壁形成第二胶层。
在本发明实施例中，如图12所示，在形成覆盖平坦层28和第二走线层272的第三缓冲层29之后，将发光器件30与器件设置区A1的第二走线层272绑定连接，并将电路板40与电路板绑定区A2的第一走线层271绑定连接。具体的，是在贯穿第三缓冲层29的第三开口N3的位置处，在露出的第二走线层272上涂覆锡膏，并且，在贯穿第三缓冲层29和平坦层28的第二开口N2的位置处，在露出的第一走线层271上涂覆锡膏；然后，将发光器件30的引脚通过第三开口N3与第二走线层272上的锡膏接触，并将电路板40通过第二开口N2与第一走线层271上的锡膏接触；最后，对涂覆的锡膏进行加热，使得锡膏融化，冷却后则可实现发光器件30与器件设置区A1的第二走线层272的连接，以及电路板40与电路板绑定区A2的第一走线层271的连接。
如图13所示，在将发光器件30和电路板40与驱动基板绑定后，在发光器件30远离刚性衬底21的一侧涂覆第一胶层52，并在发光器件30的侧壁涂覆第二胶层51，第一胶层52为白胶，第二胶层51为黑胶。
然后，去除弯折区A3的刚性衬底21和脱粘层22，得到如图4所示的结构；在步骤606之后，还包括步骤S63和步骤S64：
步骤S63，在所述刚性衬底远离所述脱粘层的一侧、所述器件设置区的所述刚性衬底朝向所述弯折区的侧壁，以及所述电路板绑定区的所述刚性衬底朝向所述弯折区的侧壁设置粘接层；
步骤S64，将所述弯折区弯折，使得所述器件设置区的所述刚性衬底与所述电路板绑定区的所述刚性衬底贴合。
在本发明实施例中，在去除弯折区A3的刚性衬底21和脱粘层22之后，在器件设置区A1和/或电路板绑定区A2的刚性衬底21远离脱粘层22的一侧、器件设置区A1的刚性衬底21朝向弯折区A3的侧壁，以及电路板绑定区A2的刚性衬底21朝向弯折区A3的侧壁涂覆粘接层，然后，将弯折区A3弯折，使得器件设置区A1的刚性衬底21与电路板绑定区A2的刚性衬底21贴合，得到如图5所示的结构。
此时，在器件设置区A1与弯折区A3的接触面上、电路板绑定区A2与弯折区A3的接触面上，以及器件设置区A1的刚性衬底21与电路板绑定区A2的刚性衬底21之间均设置有粘接层，用于在弯折区A3弯折后，实现器件设置区A1和电路板绑定区A2的固定贴合。
在本发明实施例中，通过在弯折区仅设置第一缓冲层、搭接电极层、有机材料层和第二缓冲层，减少弯折区的膜层数，从而实现弯折区中膜层的厚度降低，进而降低弯折区中膜层的最大弯曲应变力，保证弯折区中的膜层不会出现断裂或裂纹，提高驱动基板的质量，确保了弯曲区的弯折信赖性。
对于前述的各方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作和模块并不一定是本发明所必须的。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种驱动基板、发光装置及其制作方法，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (19)

1.一种驱动基板，其特征在于，包括：器件设置区、电路板绑定区，以及位于所述器件设置区和所述电路板绑定区之间的弯折区；
所述器件设置区和所述电路板绑定区的驱动基板包括依次层叠设置的刚性衬底、脱粘层、第一缓冲层、有机材料层、第二缓冲层和走线层；
所述弯折区的驱动基板包括依次层叠设置的所述第一缓冲层、搭接电极层、所述有机材料层和所述第二缓冲层；
其中，所述搭接电极层的两端分别延伸至所述器件设置区和所述电路板绑定区，所述器件设置区的走线层和所述电路板绑定区的走线层分别通过过孔与所述搭接电极层连接。
2.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，所述走线层包括形成在所述器件设置区和所述电路板绑定区的第二缓冲层上的第一走线层；
其中，所述器件设置区的第一走线层通过贯穿所述第二缓冲层和所述有机材料层的第一过孔与所述搭接电极层的一端连接；所述电路板绑定区的第一走线层通过贯穿所述第二缓冲层和所述有机材料层的第二过孔与所述搭接电极层的另一端连接。
3.根据权利要求2所述的驱动基板，其特征在于，所述器件设置区和所述电路板绑定区的驱动基板还包括覆盖所述第一走线层、位于所述器件设置区和所述电路板绑定区的第二缓冲层的平坦层。
4.根据权利要求3所述的驱动基板，其特征在于，所述器件设置区和所述电路板绑定区的驱动基板还包括覆盖所述平坦层的第三缓冲层，所述第一走线层部分露出所述平坦层和所述第三缓冲层。
5.根据权利要求3所述的驱动基板，其特征在于，所述走线层还包括形成在所述器件设置区的所述平坦层上的第二走线层，所述第二走线层通过贯穿所述平坦层的第三过孔与所述第一走线层连接；
所述器件设置区和所述电路板绑定区的驱动基板还包括覆盖所述平坦层和所述第二走线层的第三缓冲层，所述第二走线层部分露出所述第三缓冲层。
6.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，所述弯折区的驱动基板还包括所述脱粘层，所述脱粘层位于所述第一缓冲层远离所述搭接电极层的一侧。
7.根据权利要求4或5所述的驱动基板，其特征在于，所述弯折区的驱动基板还包括所述第三缓冲层，所述第三缓冲层位于所述第二缓冲层远离所述有机材料层的一侧。
8.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，在所述弯折区处于非弯折状态下，所述器件设置区的所述刚性衬底与所述电路板绑定区的所述刚性衬底沿同一水平面设置；在所述弯折区处于弯折状态下，所述器件设置区的所述刚性衬底与所述电路板绑定区的所述刚性衬底贴合。
9.根据权利要求8所述的驱动基板，其特征在于，在所述弯折区处于弯折状态下，所述器件设置区与所述弯折区的接触面上、所述电路板绑定区与所述弯折区的接触面上，以及所述器件设置区的刚性衬底与所述电路板绑定区的刚性衬底之间设置有粘接层。
10.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，所述脱粘层的材料为聚酰亚胺或聚酰亚胺改性材料；所述脱粘层的厚度为30nm至100nm。
11.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，所述搭接电极层的材料为铜、钼、钛或铝中的至少一种；所述搭接电极层的厚度为300nm至800nm。
12.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，所述第一缓冲层的厚度为50nm至300nm；所述有机材料层的厚度小于或等于6μm；所述第二缓冲层的厚度为50nm至300nm。
13.一种发光装置，其特征在于，包括电路板、发光器件以及如权利要求1至12中任一项所述的驱动基板，所述发光器件与所述器件设置区的走线层连接，所述电路板与所述电路板绑定区的走线层连接。
14.一种发光装置的制作方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括依次层叠设置的刚性衬底、脱粘层和第一缓冲层；所述基底被划分为器件设置区、电路板绑定区以及位于所述器件设置区和所述电路板绑定区之间的弯折区；
在所述基底的所述弯折区形成搭接电极层，所述搭接电极层的两端分别延伸至所述器件设置区和所述电路板绑定区；
形成覆盖所述第一缓冲层和所述搭接电极层的有机材料层；
在所述有机材料层上形成第二缓冲层；
在所述器件设置区和所述电路板绑定区的第二缓冲层上形成走线层；所述器件设置区的走线层和所述电路板绑定区的走线层分别通过过孔与所述搭接电极层连接；
去除所述弯折区的刚性衬底。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述在所述器件设置区和所述电路板绑定区的第二缓冲层上形成走线层的步骤，包括：
在所述器件设置区和所述电路板绑定区分别形成贯穿所述第二缓冲层和所述有机材料层的第一过孔和第二过孔；
在所述器件设置区和所述电路板绑定区的第二缓冲层上形成第一走线层；所述第一走线层分别通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述搭接电极层连接。
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，在所述器件设置区和所述电路板绑定区的第二缓冲层上形成第一走线层的步骤之后，还包括：
形成覆盖所述第一走线层、位于所述器件设置区和所述电路板绑定区的第二缓冲层的平坦层；
在所述器件设置区的所述平坦层上形成第二走线层；所述第二走线层通过贯穿所述平坦层的第三过孔与所述第一走线层连接；
形成覆盖所述平坦层和所述第二走线层的第三缓冲层；所述第二走线层部分露出所述第三缓冲层。
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，在所述去除所述弯折区的刚性衬底的步骤之前，还包括：
将发光器件与所述器件设置区的所述第二走线层连接，并将所述电路板与所述电路板绑定区的所述第一走线层连接；
在所述发光器件远离所述刚性衬底的一侧形成第一胶层，并在所述发光器件的侧壁形成第二胶层。
18.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述去除所述弯折区的刚性衬底的步骤，包括：
采用激光剥离工艺去除所述弯折区的所述刚性衬底和所述脱粘层。
19.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，在所述去除所述弯折区的刚性衬底的步骤之后，还包括：
在所述刚性衬底远离所述脱粘层的一侧、所述器件设置区的所述刚性衬底朝向所述弯折区的侧壁，以及所述电路板绑定区的所述刚性衬底朝向所述弯折区的侧壁设置粘接层；
将所述弯折区弯折，使得所述器件设置区的所述刚性衬底与所述电路板绑定区的所述刚性衬底贴合。
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