CN113380779A - 驱动基板、发光装置及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种驱动基板、发光装置及其制备方法，应用于显示领域，为解决驱动基板在弯折过程中连接引线易断裂的问题。驱动基板包括：器件设置区、电路板绑定区，以及位于器件设置区和电路板绑定区之间的弯折区；驱动基板包括：依次层叠设置的衬底基板、柔性膜、走线层、电极层和连接引线层。衬底基板位于器件设置区，柔性膜位于器件设置区、电路板绑定区和弯折区，走线层和电极层位于器件设置区和电路板绑定区，连接引线层位于弯折区且连接引线层的两端还分别延伸至器件设置区和电路板绑定区；柔性膜及层叠设置于柔性膜上的各膜层的位于弯折区和电路板绑定区的部分，弯折到衬底基板的侧面和背面。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种驱动基板、发光装置及其制备方法。
背景技术
mini LED(mini Organic Light-Emitting Diode，迷你发光二极管)/Micro LED(micro Organic Light-Emitting Diode，微型发光二极管)显示装置具有亮度高、显示画面清晰和功耗低等优点，应用前景较好，可应用于大型拼接显示装置中，在拼接显示装置中拼接缝的大小是影响其显示效果的重要因素，因此，窄边框的显示装置成为发展趋势之一。
发明内容
本发明提供一种驱动基板、发光装置及其制备方法，以解决驱动基板在弯折过程中，连接引线容易发生断裂的问题，提高驱动基板的可靠性。
本发明的第一方面提供一种驱动基板，包括：器件设置区、电路板绑定区，以及位于所述器件设置区和所述电路板绑定区之间的弯折区；所述驱动基板包括：依次层叠设置的衬底基板、柔性膜、走线层、电极层和连接引线层。
所述衬底基板位于所述器件设置区，所述柔性膜位于所述器件设置区、所述电路板绑定区和所述弯折区，所述走线层和所述电极层位于所述器件设置区和所述电路板绑定区，所述连接引线层位于所述弯折区且所述连接引线层的两端还分别延伸至所述器件设置区和所述电路板绑定区。
其中，所述电极层包括位于所述器件设置区的多个第一电极和位于所述电路板绑定区的多个第二电极，所述连接引线层包括多条连接引线，每条连接引线与所述多个第一电极中的一个第一电极，以及所述多个第二电极中的一个第二电极电连接；所述柔性膜及层叠设置于所述柔性膜上的各膜层的位于所述弯折区和所述电路板绑定区的部分，弯折到所述衬底基板的侧面和背面。
在一些实施例中，所述驱动基板还包括：设置于所述柔性膜和所述电极层远离所述衬底基板的一侧的有机层，所述有机层位于所述器件设置区、所述电路板绑定区和所述弯折区。所述有机层包括多个开口，所述每条连接引线以及该连接引线所电连接的第一电极和第二电极在所述衬底基板上的正投影，落入所述多个开口中的一个开口在所述衬底基板上的正投影中。
在一些实施例中，所述有机层的远离所述衬底基板的表面与所述衬底基板之间的距离，大于所述连接引线层的远离所述衬底基板的表面与所述衬底基板之间的距离。
在一些实施例中，所述有机层的厚度为2μm～5μm；所述连接引线层的厚度为0.4μm～2μm。
在一些实施例中，所述驱动基板还包括：缓冲层、第一绝缘层和第二绝缘层。缓冲层设置于所述柔性膜和所述走线层之间，所述缓冲层位于所述器件设置区和所述电路板绑定区。第一绝缘层设置于所述走线层和所述有机层之间，所述第一绝缘层位于所述器件设置区和所述电路板绑定区；所述第一电极通过贯穿所述第一绝缘层的第一过孔与所述走线层位于所述器件设置区的部分电连接，所述第二电极通过贯穿所述第一绝缘层的第二过孔与所述走线层位于所述电路板绑定区的部分电连接。第二绝缘层设置于所述有机层远离所述衬底基板的一侧，所述第二绝缘层位于所述器件设置区和所述电路板绑定区。
在一些实施例中，所述显示面板还包括保护层；所述保护层覆盖所述多条连接引线、以及所述有机层中对应所述多个开口的部分。
本发明的第二方面提供一种发光装置，包括：如上一方面中任一项所述的驱动基板；位于所述驱动基板的器件设置区的多个发光器件，所述多个发光器件与所述走线层位于所述器件设置区的部分电连接；位于所述驱动基板的电路板绑定区的驱动电路板，所述驱动电路板与多个第二电极电连接。
本发明的第三方面提供一种发光装置的制备方法，所述发光装置包括器件设置区、电路板绑定区以及位于所述器件设置区和所述电路板绑定区之间的弯折区，所述制备方法包括：提供初始衬底基板，所述初始衬底基板包括保留区域和待去除区域；在所述初始衬底基板上形成柔性膜；在所述柔性膜远离所述初始衬底基板的一侧形成走线层，所述走线层位于所述器件设置区和所述电路板绑定区；在所述走线层远离所述初始衬底基板的一侧形成电极层，所述电极层位于所述器件设置区和所述电路板绑定区；所述电极层包括位于所述器件设置区的多个第一电极和位于所述电路板绑定区的多个第二电极。
去除所述初始衬底基板的待去除区域的部分，形成衬底基板；将所述柔性膜进行弯折，使所述柔性膜的位于所述弯折区和所述电路板绑定区的部分贴附于所述衬底基板的侧面和背面；在所述柔性膜的远离所述衬底基板的一侧形成连接引线层；所述连接引线层位于所述弯折区且所述连接引线层的两端还分别延伸至所述器件设置区和所述电路板绑定区，所述连接引线层包括多条连接引线，每条连接引线与所述多个第一电极中的一个第一电极，以及所述多个第二电极中的一个第二电极电连接。
本发明所提供的发光装置的制备方法中，由于是先将柔性膜进行弯折之后，再在电极层远离衬底基板的一侧形成连接引线层，即在柔性膜进行弯折之前，在弯折区不设置金属走线，在弯折之后再形成连接引线层，这样就避免了相关技术中在柔性膜弯折的过程中，柔性膜表面的连接引线的应力增大发生断裂的问题，在不增加工艺难度的前提下，保证了多条连接引线的连接稳定性，增强了驱动基板的可靠性。
在一些实施例中，所述在所述走线层远离所述初始衬底基板的一侧形成电极层之后，且在去除所述初始衬底基板的弯折区和电路板绑定区的部分，形成衬底基板之前，所述发光装置的制备方法还包括：
在所述柔性膜和所述电极层远离所述初始衬底基板的一侧形成有机层，所述有机层位于所述器件设置区、所述电路板绑定区和所述弯折区；所述有机层包括多个开口，所述多个开口位于所述弯折区，且所述多个开口的两端还分别延伸至所述器件设置区和所述电路板绑定区；每个开口暴露位置相对应的第一电极和第二电极；在所述柔性膜的远离所述衬底基板的一侧形成连接引线层的步骤中，所述连接引线层中的每条侧面走线形成在所述多个开口中的一个开口内。
在一些实施例中，所述在所述柔性膜的远离所述衬底基板的一侧形成连接引线层，包括：提供柔性掩模，所述柔性掩模包括多个掩模孔；将所述柔性掩模固定在所述衬底基板的一侧，使所述多个掩模孔中的每个掩模孔与所述有机层的多个开口中的一个开口位置对应；透过所述柔性掩膜在所述多个开口内沉积金属；移除所述柔性掩模，在所述多个开口内形成多条连接引线。
在一些实施例中，所述每个掩模孔的尺寸小于与所述掩模孔位置对应的一个开口的尺寸。
在一些实施例中，位置相对应的所述开口的尺寸和所述掩模孔的尺寸的差值为28μm～32μm。
在一些实施例中，所述发光装置的制备方法还包括：在所述初始衬底基板上形成柔性膜之后，在所述柔性膜远离所述初始衬底基板的一侧形成走线层之前，在所述柔性膜远离所述初始衬底基板的一侧形成缓冲层，所述缓冲层位于所述器件设置区和所述电路板绑定区。
所述在所述柔性膜远离所述初始衬底基板的一侧形成缓冲层，包括：在所述柔性膜远离所述初始衬底基板的一侧形成初始缓冲层；去除所述初始缓冲层中位于所述弯折区的部分，形成所述缓冲层。
在一些实施例中，所述发光装置的制备方法还包括：在所述柔性膜远离所述初始衬底基板的一侧形成走线层之后，在所述走线层远离所述柔性膜的一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述器件设置区和所述电路板绑定区，，所述第一绝缘层包括多个第一过孔和多个第二过孔，所述在所述走线层远离所述初始衬底基板的一侧形成电极层，包括：在所述第一绝缘层远离所述初始衬底基板的一侧形成多个第一电极和多个第二电极，使所述第一电极通过贯穿所述第一绝缘层的第一过孔与所述走线层位于所述器件设置区的部分电连接，所述第二电极通过贯穿所述第一绝缘层的第二过孔与所述走线层位于所述电路板绑定区的部分电连接。在形成有机层之后，还包括：在所述有机层远离所述初始衬底基板的一侧形成第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述器件设置区和所述电路板绑定区。
在一些实施例中，制备方法还包括：在形成连接引线层之后，形成保护层。所述形成保护层，包括：提供第一掩模和第二掩模；将所述第一掩模设置于所述有机层远离所述衬底基板的正面的一侧，将所述第二掩模设置于所述有机层远离所述衬底基板的背面的一侧，使所述多条连接引线和所述有机层中对应所述多个开口的部分暴露；在所述多条连接引线表面和所述有机层中对应所述多个开口的部分的表面沉积保护层的材料；移除所述第一掩模和第二掩模，形成所述保护层。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本发明的一些实施例所提供的驱动基板的平面结构图；
图2为本发明的一些实施例所提供的驱动基板在弯折状态下的沿剖切线DD’的截面结构图；
图3为本发明的一些实施例所提供的驱动基板在非弯折状态下的沿剖切线DD’的截面结构图；
图4为本发明的一些实施例所提供的发光装置的制备方法中S1的步骤图；
图5为本发明的一些实施例所提供的发光装置的制备方法中S2的步骤图；
图6为本发明的一些实施例所提供的发光装置的制备方法中S3的步骤图；
图7为本发明的一些实施例所提供的发光装置的制备方法中S4的步骤图；
图8为本发明的一些实施例所提供的发光装置的制备方法中S5的步骤图；
图9为本发明的一些实施例所提供的发光装置的制备方法中S6和S7的步骤图；
图10～图12为本发明的一些实施例所提供的发光装置的制备方法中S8的步骤图；
图13为本发明的一些实施例所提供的发光装置的制备方法中S9的步骤图；
图14～图17为本发明的一些实施例所提供的发光装置的制备方法中S10的步骤图；
图18～图28为本发明的一些实施例所提供的发光装置的制备方法中S11的步骤图；
图29～图36为本发明的一些实施例所提供的发光装置的制备方法中S12的步骤图；
图37为本发明的一些实施例所提供的发光装置的结构图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，均属于本发明保护的范围。
窄边框是显示面板的发展趋势，通过将显示面板中待与电路板连接的绑定端子设置在显示面板的背面，可以增加显示区的有效面积，进而实现更窄的边框。发明人发现，在一些实施方式中，显示面板显示区的走线和绑定端子分别位于显示面板衬底基板的相对的两侧，通过侧面走线，将走线与绑定端子实现电连接；然而侧面走线方式需要在衬底基板(材质为氧化硅或者石英等)的棱边做倒角，以减轻应力使侧面引线不易断裂，而且由于衬底基板的材质较脆，且倒角工艺难度大，倒角尺寸较难控制，且易出现崩边等情况。另一些实施方式中，可以在衬底基板上设置PI(聚酰亚胺Polyimide)层，在PI层同一侧的表面线做出显示区的走线、绑定端子以及连接走线与绑定端子的连接引线，再通过弯折PI，使绑定端子弯折到衬底基板的背面；然而，在弯折PI层的过程中，为了保证显示面板的平整度，PI需要尽量完全贴合衬底基板的表面及其棱边，即PI层存在90度的弯折区域，而该区域中主要包括连接引线，因此会导致连接引线的局部应力增大，发生断裂，降低显示面板的可靠性。
基于此，本发明的一些实施例提供一种驱动基板、发光装置及其制备方法，以实现显示面板的薄型化和窄边框，且能够保证甚至提高显示面板的可靠性。
图1给出本发明实施例提供的一种驱动基板在非弯折状态下的平面示意图，在该图中有三条剖切线CC’、DD’和EE’，为清楚示意驱动基板中各膜层的位置，图2～图36给出了驱动基板在不同步骤中的沿这三条剖切线CC’、DD’和EE’的截面图，每张图的左上角会明确具体为哪个剖切线对应的截面结构。图2和图3分别给出本发明实施例提供的一种驱动基板在弯折状态和非弯折状态下，图2为沿图1中驱动基板在弯折状态沿剖切线DD’得到的截面图，图3为沿图1中驱动基板在非弯折状态沿剖切线DD’得到的截面图。
如图1所示，本发明的一些实施例提供了一种驱动基板100，驱动基板100包括：器件设置区A1、电路板绑定区A3，以及位于器件设置区和电路板绑定区之间的弯折区A2。其中，器件设置区A1被配置为设置发光器件、控制电路等器件，电路板绑定区A3被配置为设置用于绑定驱动电路板的电极以及连接线等，弯折区A2位于连接器件设置区A1和电路板绑定区A3之间，并且驱动基板100在弯折区A2可弯折，从而使得电路板绑定区A3弯折至驱动基板100的背面。其中驱动电路板包括柔性电路板、印刷电路板、可编程逻辑阵列电路板或集成电路中的至少一种。
在一些实施例中，如图2和图3所示，驱动基板100包括：依次层叠设置的衬底基板1、柔性膜2、走线层4、电极层8和连接引线层9。
衬底基板1位于器件设置区A1，以及，衬底基板1的少部分位于弯折区A2，示例性地，衬底基板1的材料为刚性材料，具体可以为石英，玻璃，二氧化硅，硅，塑料，聚甲基丙烯酸甲酯中的任一种。柔性膜2位于器件设置区A1、电路板绑定区A3和弯折区A2，柔性膜2的材料为柔性材料，具有较强的弯折韧性，示例性地，柔性膜2的材料为聚酰亚胺(Polyimide，PI)。
走线层4和电极层8位于器件设置区A1和电路板绑定区A3，走线层4包括多条连接走线，示例性地，电极层8包括位于器件设置区A1的多个第一电极81和位于电路板绑定区A3的多个第二电极82，走线层4包括设置于器件设置区A1的多条第一走线41，用于连接多个第一电极81和发光器件11、控制电路等器件，走线层4还包括设置于电路板绑定区A3的多条第二走线42，用于连接多个第二电极82和外部驱动电路板200等。
连接引线层9位于弯折区A2且连接引线层9的两端还分别延伸至器件设置区A1和电路板绑定区A3。连接引线层9包括多条连接引线，每条连接引线91与多个第一电极中的一个第一电极81，以及多个第二电极中的一个第二电极82电连接。如图2和图3所示，连接引线层9设置于电极层8远离衬底基板1的一侧，每条连接引线91的两端覆盖在一个第一电极81和一个第二电极82的远离衬底基板1的一侧。
示例性地，走线层4和电极层8、连接引线层9的材料均为金属，例如可设置走线层4和电极层8、连接引线层9的材料为铜、钼、钛或铝中的至少一种，例如，连接引线层9可以具有钛/铝/钛的叠层结构。
柔性膜2及层叠设置于柔性膜2上的各膜层的位于弯折区A2和电路板绑定区A3的部分，弯折到衬底基板1的侧面和背面。如图2所示，柔性膜2的位于弯折区A2的贴附在衬底基板1的正面的部分边缘、全部的侧面和背面的部分边缘，柔性膜2的位于电路板绑定区A3的部分贴附在衬底基板1的背面。
以下简述上述驱动基板100的制备过程为：在依次形成柔性膜2、走线层4和电极层8之后，先将柔性膜2进行弯折，再在电极层8远离衬底基板1的一侧形成连接引线层9，使得连接引线层9与电极层8电连接，因此，如图2所示，连接引线层9设置于电极层8的在沿垂直衬底基板1的正面1c的方向、沿垂直衬底基板1的背面1b的方向以及沿垂直衬底基板1的侧表面1c的方向上远离衬底基板1的一侧。
在上述驱动基板100中，由于是先将柔性膜2进行弯折之后，再在电极层8远离衬底基板1的一侧形成连接引线层9，即在柔性膜2进行弯折之前，在弯折区A2不设置金属走线，在弯折之后再形成连接引线层9，这样就避免了相关技术中在柔性膜2弯折的过程中，柔性膜2表面的连接引线91的应力增大发生断裂的问题，保证了多条连接引线91的连接稳定性，增强了驱动基板100的可靠性。
在一些实施例中，如图2和图3所示，驱动基板100还包括设置于柔性膜2和电极层8远离衬底基板1的一侧的有机层6，有机层6位于器件设置区A1、电路板绑定区A3和弯折区A2。
示例性地，有机层6的材料为树脂材料，树脂材料具有较好的耐弯折特性，从而在弯折区A2进行弯折时不易发生断层或裂纹。
有机层6包括多个开口M，每条连接引线91以及该连接引线91所电连接的第一电极41和第二电极42在衬底基板1上的正投影，落入所述多个开口M中的一个开口M在衬底基板1上的正投影中。每个开口M暴露出一条连接引线91远离衬底基板1的表面。
如图3所示，在驱动基板100处于未弯折状态下，在弯折区A2，有机层6设置于柔性膜2远离衬底基板1的一侧，在未制备连接引线层9的情况下，每个开口M暴露出柔性膜2的远离衬底基板1的一部分表面，在后续制备连接引线层9的情况下，连接引线层9与柔性膜2的表面接触。在器件设置区A1和电路板绑定区A3，有机层6设置于电极层8远离衬底基板1的一侧，在未制备连接引线层9的情况下，每个开口M暴露出一条连接引线91电连接的第一电极41和第二电极42远离衬底基板1的表面，在后续制备连接引线层9的情况下，连接引线层9与第一电极41和第二电极42的表面接触。有机层6的制备在电极层8的制备之后，在形成有机层6的多个开口M之后，将柔性膜2进行弯折，接着将连接引线91一一对应的形成在多个开口M内。
需要说明的是，图3仅是为了更清楚示意驱动基板中各膜层的位置，将驱动基板处于非弯折状态下，使得同一膜层处于同一平面上，最终的显示装置中实际并不存在图3所示的结构，在本发明提供的一些实施例中，在形成连接引线层9和保护层10之前，驱动基板已经发生弯折，即为图2所示的状态。
在一些示例中，如图2、图3和图28所示，有机层6的远离所述衬底基板的表面与衬底基板之间的距离L1，大于所述连接引线层的远离所述衬底基板的表面与衬底基板之间的距离L2。示例性地，如图28所示，在弯折区A2，有机层6的厚度d3大于连接引线层9的厚度d4。每条连接引线91位于一个开口M内，连接引线层9的表面与有机层6的表面并不是齐平的，有机层6与连接引线层9具有厚度差，这样，在形成连接引线层9之后，可以起到后续工艺过程和组装过程防止刮伤线路的作用，提高驱动基板100的可靠性。
示例性地，有机层6的厚度为2μm～5μm，例如有机层6的厚度为2μm，或者为4μm，或者为5μm。有机层6的位于不同区域的部分的厚度是一致的，由于相比弯折区A2，在器件设置区A1和电路板绑定区A3还设置有走线层4和电极层8等膜层，因此有机层6的位于器件设置区A1和电路板绑定区A3的部分的表面与衬底基板1之间的距离，大于有机层6的位于弯折区A2的部分的表面与衬底基板1之间的距离。连接引线层9的厚度为0.4μm～2μm，例如，连接引线层9的厚度为0.4μm，或者为1μm，或者为2μm。如图3所示，连接引线层9的厚度并非处处相等，连接引线层9的制备例如为在驱动基板进行弯折之后，由驱动基板的侧面对有机层6的开口部分溅射金属，形成连接引线层9，因此连接引线层9的位于弯折区A2的部分的厚度较大，例如该厚度为2μm。
将有机层6的厚度与连接引线层9的厚度如上述设置，这样有机层6在保护连接引线层9的同时，还能保证驱动基板100在弯折区A2的弯折效果，使得有机层6可以正常弯曲。
在一些实施例中，如图2和图3所示，驱动基板100还包括：缓冲层3、第一绝缘层5、第二绝缘层7和保护层10。
缓冲层3设置于柔性膜2和走线层4之间，缓冲层3位于器件设置区A1和电路板绑定区A3。示例性地，缓冲层3的材料为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅，缓冲层323的厚度为0.2μm～0.6μm，例如，缓冲层323的厚度为0.2μm，或者为0.4μm，或者为0.6μm。缓冲层3被配置为其用来阻挡水汽进入驱动基板100内部。
第一绝缘层5设置于走线层4和有机层6之间，第一绝缘层5位于器件设置区A1和电路板绑定区A3。第一绝缘层5包括多个第一过孔和多个第二过孔，第一电极81通过贯穿第一绝缘层5的第一过孔与走线层4位于器件设置区A1的部分电连接，例如，第一电极81通过第一过孔与第一走线电连接，第二电极82通过贯穿第一绝缘层5的第二过孔与走线层4位于电路板绑定区A3的部分电连接，例如，第二电极82通过第二过孔与第二走线电连接。示例性地，第一绝缘层5的材料为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。第一绝缘层5与走线层4具有相同的图案且覆盖走线层4，从而能够保护走线层4，避免水氧腐蚀走线层4的金属。
第二绝缘层7设置于有机层6远离衬底基板1的一侧，第二绝缘层7位于器件设置区A1和电路板绑定区A3。即有机层6的位于弯折区A2的部分的表面上不设置有第二绝缘层7。示例性地，第二绝缘层7的材料为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。第二绝缘层与有机层6具有相同的图案且覆盖有机层6，从而能够保护有机层6，避免水氧腐蚀有机层6。
由于缓冲层3、第一绝缘层5和第二绝缘层7的材料均为无机材料，弯折性能较差，在弯折过程中容易断裂，因此将初始形成的缓冲层3、第一绝缘层5和第二绝缘层7位于弯折区A2的部分全部去除，这样弯折区A2仅包括柔性膜2和有机层6，以在后续弯折过程中，柔性膜2和有机层6更易弯折，且不会出现裂纹等问题。
如图2、图3和图34～图36所示，保护层10覆盖多条侧面走线、以及有机层6中对应多个开口M的部分。
如图35所示，有机层6包括依次连接的第一部分61、第二部分62和第三部分63，第一部分61位于器件设置区A1，第三部分63位于电路板绑定区A3，有机层6的第一部分61和第三部分63均被第二绝缘层7覆盖并保护。有机层6的第二部分62位于弯折区A2，且有机层6的第二部分62的两端延伸至器件设置区A1和电路板绑定区A3，与有机层6的第一部分61和第三部分63相接，有机层6的第二部分62形成多个开口M，可以理解为有机层6的第二部分62为多个开口M的侧壁，沿连接引线91的延伸方向，有机层6的第二部分62的长度与连接引线91的长度大致相等，有机层6中对应多个开口M的部分即为有机层6的第二部分62。
保护层10设置于多条连接引线91和有机层6的第二部分62远离衬底基板1的一侧，保护层10覆盖多条连接引线91、以及有机层6中对应多个开口M的部分，能够保护多条连接引线91以及有机层6的第二部分62，阻隔水氧，使其免受水氧腐蚀，延长使用寿命。
在一些示例中，保护层10的材料为氮化硅或者氧化硅，保护层10厚度为0.2μm～0.6μm。
在一些实施例中，驱动电路板200直接与多个第二电极82电连接，以绑定在驱动基板100上。在另一些实施例中，如图1所示，驱动基板100还包括设置于柔性膜2远离衬底基板1一侧的多个绑定电极83，多个绑定电极83与多个第二电极82电连接，且多个绑定电极83与多个第二电极82均位于电极层8，,多个绑定电极83相对于多个第二电极82整体占用面积较小，且多个绑定电极83中的每个绑定电极83的尺寸小于多个第二电极82中的每个第二电极的尺寸，和/或，多个绑定电极83中的相邻两个绑定电极83之间的间距小于多个第二电极82中的相邻两个第二电极的尺寸，从而显示面板可以与集成度更高且体积更小驱动电路板200适配并连接，从而能够进一步减小包括该显示面板的显示装置的体积。可以理解的是，驱动电路板200上具有金手指结构，每个金手指结构与其对应的绑定电极83或者第二电极82通过导电胶等材质实现牢固的电气连接。
本发明的一些实施例还提供了一种发光装置1000，如图37所示，发光装置包括上述驱动基板100、多个发光器件11和驱动电路板200。
多个发光器件11位于驱动基板100的器件设置区A1，多个发光器件11与走线层4位于器件设置区A1的部分电连接。驱动电路板200位于驱动基板100的背面，驱动电路板200与多个第二电极82电连接。示例性地，驱动电路板200直接与多个第二电极82电连接，或者，如图37所示，驱动电路板200通过多个绑定电极83、以及多条第二走线42与多个第二电极82电连接。
在一些示例中，示例性地，多个发光器件11与走线层4的连接关系为：走线层4的位于器件设置区A1的部分包括第一走线层4”和第二走线层4’，第二走线层4’通过贯穿第二绝缘层7、有机层6、第一绝缘层5的开口与第一走线层4”电连接，发光器件11与第二走线层4’直接接触且电连接。在另一些示例中，走线层4的位于器件设置区A1的部分也可以仅包括一层结构。
在一些实施例中，如图37所示，发光装置1000还包括设置在发光器件11远离衬底基板1的一侧的第一胶层12B，以及设置在相邻发光器件11的之间的的第二胶层12A。其中，第一胶层12B的颜色可以为黑色、灰色等，其用来保护发光器件11，同时提高发光器件11在具有较强环境光的场景中的显示对比度，但可以理解的是，第一胶层12B的厚度不宜过大，以保证发光器件11发出正常显示亮度为标准；第二胶层12A的颜色可以为黑色、灰色、绿色、棕色，，其用来防止各个发光器件11的出光发生干扰，进而能提高显示画面的显示效果。在一些实施例中，第一胶层12B和第二胶层12A的材料可以相同，且第一胶层12B和第二胶层12A可以通过贴附滚压的方式设置在发光器件11远离衬底基板1的一侧。
如图37所示，驱动基板100的器件设置区A1包括显示区AA和位于显示区AA至少一侧的周边区BB，例如该周边区BB至少靠近弯折区A2，在一些实施例中，沿衬底基板1的侧表面1c的方向，周边区BB的尺寸L3在30μm～70μm之间取值，甚至可以小于30μm，在驱动基板100处于弯折状态下，沿垂直于衬底基板1的侧表面1c的方向，周边区BB与驱动基板100的最外侧边缘之间的距离L4可以不大于30μm，可见驱动基板100具有较窄的边框，能够适应显示装置的窄边框发展要求。
作为一种设计，在器件设置区A1的各膜层结构为：在显示区AA设置有依次层叠的衬底基板1、柔性膜2、缓冲层3、第一走线层4”、第一绝缘层5、有机层6、第二绝缘层7和第二走线层4’，另外，还设置有多个发光器件11、第一胶层12B和第二胶层12A。在周边区BB设置有依次层叠的衬底基板1、柔性膜2、缓冲层3、第一走线层4”、电极层8中的多个第一电极81和连接引线层9，周边区BB还设置有有机层6(图37为驱动基板沿剖面线DD’的截面结构图，因此未示出有机层，具体可参见沿驱动基板剖切线EE’的截面结构图)。
示例性地，上述发光装置1000为显示装置，例如该显示装置为mini LED显示装置，Micro LED显示装置，多个发光器件11为mini LED或Micro LED。或者上述发光装置也可以作为直下式背光源，用在液晶显示装置中，用于向其出光面侧的显示面板提供光线。
本发明的一些实施例还提供了一种发光装置的制备方法，所述发光装置包括器件设置区A1、电路板绑定区A3以及位于所述器件设置区A1和所述电路板绑定区A3之间的弯折区A2，需要说明的是，在本发明中，发光装置的器件设置区A1、电路板绑定区A3以及弯折区A2与驱动基板100的器件设置区A1、电路板绑定区A3以及弯折区A2代表同样的区域。该制备方法包括：
S1、如图4所示，提供初始衬底基板1’，初始衬底基板1’包括保留区域A4和待切割区域A5。示例性地，保留区域A4和待切割区域A5的交界线位于弯折区A2中靠近器件设置区A1的位置。
例如，初始衬底基板1’为玻璃基板或硅衬底。
S2、如图5所示，在初始衬底基板1’上形成柔性膜2。
示例性地，柔性膜2的材料为PI，采用涂覆工艺，在初始衬底基板1’的表面涂覆柔性膜2的材料，形成柔性膜2。柔性膜2位于器件设置区A1、电路板绑定区A3以及弯折区A2。
S3、如图6所示，在柔性膜2远离初始衬底基板1’的一侧形成缓冲层3，缓冲层3位于器件设置区A1和电路板绑定区A3。
示例性地，缓冲层3的材料为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅，上述步骤例如可以为：S31、在柔性膜2远离初始衬底基板1’的一侧形成初始缓冲层，例如采用沉积工艺沉积缓冲层3的材料，初始缓冲层位于器件设置区A1、电路板绑定区A3以及弯折区A2。S32、去除初始缓冲层中位于弯折区A2的部分，形成缓冲层3。例如采用刻蚀工艺，将初始缓冲层中位于弯折区A2的部分去除。
S4、如图7所示，在缓冲层3远离初始衬底基板1’的一侧形成走线层4，走线层4位于器件设置区A1和电路板绑定区A3。
示例性地，走线层4的材料可以为铜、钼、钛或铝中的至少一种，在器件设置区A1和电路板绑定区A3沉积走线层4的材料，通过构图工艺形成设定图案，走线层4包括设置于器件设置区A1的多条第一走线，以及设置于电路板绑定区A3的多条第二走线。
需要说明的是，本发明实施例的构图工艺包括薄膜沉积、光刻胶涂覆、采用掩膜板曝光、显影、刻蚀和光刻胶去除工艺等。
S5、如图8所示，在走线层4远离柔性膜2的一侧形成第一绝缘层5，第一绝缘层5位于器件设置区A1和电路板绑定区A3，第一绝缘层5包括多个第一过孔和多个第二过孔。
示例性地，第一绝缘层5的材料为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅，例如采用沉积工艺，在器件设置区A1和电路板绑定区A3沉积第一绝缘层5的材料，并通过刻蚀工艺在第一绝缘层5中形成多个第一过孔和多个第二过孔，每个第一过孔暴露出一条第一走线的表面，每个第二过孔暴露出一条第走线的表面。
S6、如图9所示，在第一绝缘层5远离初始衬底基板1’的一侧形成电极层8，电极层8位于器件设置区A1和电路板绑定区A3；电极层8包括位于器件设置区A1的多个第一电极81和位于电路板绑定区A3的多个第二电极82。
示例性地，电极层8的材料可以为铜、钼、钛或铝中的至少一种，采用溅射工艺在第一绝缘层5表面溅射电极层8的材料，并采用构图工艺形成多个第一电极81和多个第二电极82，使第一电极81通过贯穿第一绝缘层5的第一过孔与走线层4位于器件设置区A1的部分(第一走线)电连接，第二电极82通过贯穿第一绝缘层5的第二过孔与走线层4位于电路板绑定区A3的部分(第二走线)电连接。
S7、如图9～图12所示，在柔性膜2和电极层8远离初始衬底基板1’的一侧形成有机层6，有机层6位于器件设置区A1、电路板绑定区A3和弯折区A2。有机层6包括多个开口M，多个开口M位于弯折区A2，且多个开口M的两端还分别延伸至器件设置区A1和电路板绑定区A3；每个开口M暴露位置相对应的第一电极81和第二电极82。
示例性地，有机层6的材料为树脂材料，有机层6的厚度例如为2μm～5μm。采用涂覆工艺，在柔性膜2、电极层8和第一绝缘层5远离初始衬底基板1’的一侧形成有机层6，在弯折区A2，有机层6与柔性膜2接触，在器件设置区A1和电路板绑定区A3，有机层6设置于第一绝缘层5远离衬底基板1的一侧。在有机层6中形成多个开口M，使得多个开口M位于弯折区A2，且多个开口M的两端还分别延伸至器件设置区A1和电路板绑定区A3；每个开口M暴露位置相对应的第一电极81和第二电极82。
在一些实施例中，驱动基板100的器件设置区A1包括显示区AA和周边区BB，有机层6设置于显示区AA和周边区BB。
S8、如图10～图12所示，在有机层6远离初始衬底基板1’的一侧形成第二绝缘层7，第二绝缘层7位于器件设置区A1和电路板绑定区A3。
示例性地，第二绝缘层7的材料为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅，例如采用沉积工艺，在器件设置区A1和电路板绑定区A3沉积第二绝缘层7的材料，形成第二绝缘层7。
S9、如图13所示，去除初始衬底基板1’的待去除区域的部分，形成衬底基板1。
如图13所示，初始衬底基板1’的待去除区域的部分被去除，保留区域A4的部分作为衬底基板1，示例性地，保留区域A4和待切割区域A5的交界线位于弯折区A2中靠近器件设置区A1的位置，这样初始衬底基板1’的弯折区A2靠近器件设置区A1的一部分得以保留，在后续步骤中，柔性膜2进行弯折之后，柔性膜2的位于弯折区A2的部分贴附于衬底基板1的正面边缘、侧面和背面边缘。
在一些示例中，S9包括：
S91、至少将柔性膜2的对应初始衬底基板1’的待去除区域的部分剥离。
S92、采用切割工艺，将初始衬底基板1’的待去除区域的部分去除。
如图13所示，柔性膜2的剥离区与未剥离区的交界线相对于初始衬底基板1’的保留区域A4和待切割区域A5的交界线更靠近显示区AA。示例性地，柔性膜2的剥离区与未剥离区的交界线与显示区AA之间具有第一距离d5，初始衬底基板1’的保留区域A4和待切割区域A5的交界线与柔性膜2的剥离区与未剥离区的交界线之间具有第二距离d6，第一距离d5和第二距离d6的值取决于剥离工艺和切割工艺的精度，例如第一距离d5和第二距离d6均为30μm，这样可以保证柔性膜2剥离和初始衬底基板1’切割的顺利进行。
S10、如图14～图17所示，将柔性膜2进行弯折，使柔性膜2的位于弯折区A2和电路板绑定区A3的部分贴附于衬底基板1的侧面和背面。
以衬底基板1的两个棱边为中心，使柔性膜2进行2次90度弯折，使柔性膜2的位于弯折区A2的部分依次贴附于衬底基板1的正面1a的部分边缘、全部的侧面和背面1b的部分边缘。柔性膜2的位于电路板绑定区A3的部分贴附于衬底基板1的背面1b，层叠设置于柔性膜2上的各膜层也随着柔性膜2的弯折位置相应变化。
此时，驱动基板100的位于弯折区A2的部分仅包括弯折性能较高的柔性膜2和有机层6，并未形成连通器件设置去和电路板绑定区A3的连接引线91，这样在弯折过程中能保证弯折效果，不会出现膜层断裂或者有裂纹情况。第一电极81和第二电极82分别位于衬底基板1的正面和背面，每组第一电极81和第二电极82位于一个开口M内。
S11、在柔性膜2的远离衬底基板1的一侧形成连接引线层9；连接引线层9位于弯折区A2且连接引线层9的两端还分别延伸至器件设置区A1和电路板绑定区A3，连接引线层9包括多条连接引线91，每条连接引线91与多个第一电极81中的一个第一电极81，以及多个第二电极82中的一个第二电极82电连接。
在一些实施例中，S11包括：
S111、如图18～图21所示，提供柔性掩模01，柔性掩模01包括多个掩模孔M1。示例性地，柔性掩模01为厚度约6～15μm的PI胶膜。
S112、如图18～图21所示，将柔性掩模01固定在衬底基板1的一侧，使多个掩模孔中的每个掩模孔M1与有机层6的多个开口M中的一个开口M位置对应。
如图21所示，将柔性掩模包裹并贴附在上述步骤中形成的驱动基板100的边缘，柔性掩模中的每个掩模孔M1与有机层6的多个开口M中的一个开口M位置对应，暴露处多个开口M，遮挡有机层6的非开口M部分。
S113、如图22～图25所示，透过柔性掩膜01在多个开口M内沉积金属。
示例性地，可以采用电镀工艺、蒸镀工艺、移印银胶、溅镀工艺(例如为多弧磁控溅射工艺)等进行金属层的沉积，以在柔性掩模表面、多个开口M内形成金属材料9’。
S114、如图26～图28所示，移除柔性掩模01，在多个开口M内形成多条连接引线91。
在移除柔性掩模01后，仅保留沉积在多个开口M内的金属，形成多条连接引线91，在每个开口M内，连接引线91连接第一电极81和第二电极82，从而将连通器件设置区A1和电路板绑定区A3实现连通。
在一些实施例中，如图21所示，每个掩模孔M1的尺寸小于与掩模孔M1位置对应的一个开口M的尺寸。例如，在第四方向W上，每个掩模孔M1的尺寸d1小于与掩模孔位置对应的一个开口M的尺寸d2。也就是说，柔性掩模01的边缘扇出有机层6一定距离，如图23和图25所示，这样在进行金属沉积之后，柔性掩模表面和多个开口M内均形成金属膜，由于柔性掩模01的边缘扇出有机层6一定距离，柔性掩模01表面的金属膜9’与开口M内的金属膜9’的连接处较薄弱，甚至二者无连接，这样在移除柔性掩模01的过程中更加容易，避免由于金属膜连接较强，需要在移除柔性掩模之前切割分离金属膜，简化了工序。
示例性地，位置相对应的开口M的尺寸和掩模孔M1的尺寸的差值为28μm～32μm。例如，位置相对应的开口M的尺寸d2和掩模孔M1的尺寸d1的差值为30μm，也就是说，柔性掩模的边缘单边扇出有机层6的距离为15μm。
S12、形成保护层10，所述保护层10覆盖所述多条连接引线91、以及所述有机层6中对应所述多个开口M的部分。
如图32所示，有机层6包括依次连接的第一部分61、第二部分62和第三部分63，第一部分61位于器件设置区A1，第三部分63位于电路板绑定区A3，有机层6的第一部分61和第三部分63均被第二绝缘层7覆盖并保护。第二部分62位于弯折区A2，且第二部分62的两端延伸至器件设置区A1和电路板绑定区A3，与第一部分61和第三部分63相接，第二部分62形成多个开口M，可以理解为第二部分62为多个开口M的侧壁，沿连接引线91的延伸方向，第二部分62的长度与连接引线91的长度大致相等，有机层6中对应多个开口M的部分即为第二部分62。
保护层10设置于多条连接引线91和有机层6的第二部分62远离衬底基板1的一侧，保护层10覆盖多条侧面走线、以及有机层6中对应多个开口M的部分，能够保护多条连接引线91以及有机层6的第二部分62，阻隔水氧，使其免受水氧腐蚀，延长使用寿命。
在一些示例中，S12包括：
S121、如图29所示，提供第一掩模02和第二掩模03。示例性地，第一掩模02和第二掩模03为厚度约6～15μm的PI胶膜。
S122、将第一掩模02设置于有机层6远离所述衬底基板1的正面1a的一侧，将第二掩模03设置于所述有机层6远离所述衬底基板1的背面1b的一侧，使所述多条连接引线91和有机层6中对应所述多个开口M的部分暴露。
也就是说，第一掩模02遮挡有机层6的第一部分61，第二掩模03遮挡有机层6的第三部分63。
S123、如图30～图33所示，在所述多条连接引线91表面和有机层6中对应所述多个开口M的部分沉积保护层10的材料，形成保护层材料层10’。
S124、如图34～图36所示，移除所述第一掩模02和第二掩模03，形成保护层10。
在一些实施例中，发光装置的制备方法还包括：
S13、在发光基板的器件设置区A1设置多个发光器件11。
示例性地，将发光器件11与走线层4的位于器件设置区A1的部分(多条第一走线41)电连接。例如，如图37所示，走线层4的位于器件设置区A1的部分包括第一走线层4”和第二走线层4’，第二走线层4’通过贯穿第二绝缘层7、有机层6、第一绝缘层5的开口与第一走线层4”电连接，发光器件11与第二走线层4’直接接触且电连接。
S14、在所述发光器件11远离所述衬底基板1的一侧形成第一胶层12B，并在所述发光器件11的侧壁形成第二胶层12A。
示例性地，采用涂覆工艺，在相邻的两个发光器件11的之间涂覆第二胶层12A，在发光器件11远离衬底基板1的一侧涂覆第一胶层12B。
S15、在电路板绑定区A3绑定驱动电路板200。
示例性地，将驱动电路板200与多个绑定电极83电连接，进而通过走线层4(第一走线层4”)的位于所述电路板绑定区A3的部分(多条第二走线42)与多个第二电极82电连接，实现驱动电路板200的绑定。
需要说明的是，上述S13、S14和S15并不代表与步骤S1～S12一定是承接关系，以下提供两种示例的发光装置的整体制备过程。
在一些实施例中，发光装置的整个制备过程为：在S8之后，且在S9之前，进行步骤S13和S14，再进行步骤S9～S12，最后完成S15。即在初始衬底基板1’上制备形成柔性膜2、柔性膜2、缓冲层3、走线层4、第一绝缘层5、有机层6和第二绝缘层7之后，将多个发光器件11转移到第二绝缘层7远离初始衬底基板1’的一侧，将发光器件11与走线层4的位于器件设置区A1的部分电连接，并形成第一胶层12B和第二胶层12A，上述步骤均是在驱动基板的非弯折状态下进行。接着切割初始衬底基板1’，得到衬底基板1，将柔性膜2弯折，制备形成连接引线层9和保护层10，最后完成驱动电路板200的绑定。
在另一些实施例中，发光装置的整个制备过程为：S1～S15，即在初始衬底基板1’上制备形成柔性膜2、柔性膜2、缓冲层3、走线层4、第一绝缘层5、有机层6和第二绝缘层7之后，切割初始衬底基板1’，得到衬底基板1，将柔性膜2弯折，使驱动基板处于弯折状态下，制备形成连接引线层9和保护层10，将多个发光器件11转移到第二绝缘层7远离初始衬底基板1’的一侧，将发光器件11与走线层4的位于器件设置区A1的部分电连接，并形成第一胶层12B和第二胶层12A，最后完成驱动电路板200的绑定。
本发明所提供的发光装置的制备方法中，由于是先将柔性膜2进行弯折之后，再在电极层8远离衬底基板1的一侧形成连接引线层9，即在柔性膜2进行弯折之前，在弯折区A2不设置金属走线，在弯折之后再形成连接引线层9，这样就避免了相关技术中在柔性膜2弯折的过程中，柔性膜2表面的连接引线91的应力增大发生断裂的问题，在不增加工艺难度的前提下，保证了多条连接引线91的连接稳定性，增强了驱动基板100的可靠性。
以上所述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (15)
1.一种驱动基板，包括：器件设置区、电路板绑定区，以及位于所述器件设置区和所述电路板绑定区之间的弯折区；所述驱动基板包括：依次层叠设置的衬底基板、柔性膜、走线层、电极层和连接引线层；
所述衬底基板位于所述器件设置区，所述柔性膜位于所述器件设置区、所述电路板绑定区和所述弯折区，所述走线层和所述电极层位于所述器件设置区和所述电路板绑定区，所述连接引线层位于所述弯折区且所述连接引线层的两端还分别延伸至所述器件设置区和所述电路板绑定区；
其中，所述电极层包括位于所述器件设置区的多个第一电极和位于所述电路板绑定区的多个第二电极，所述连接引线层包括多条连接引线，每条连接引线与所述多个第一电极中的一个第一电极，以及所述多个第二电极中的一个第二电极电连接；
所述柔性膜及层叠设置于所述柔性膜上的各膜层的位于所述弯折区和所述电路板绑定区的部分，弯折到所述衬底基板的侧面和背面。
2.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，所述驱动基板还包括：
设置于所述柔性膜和所述电极层远离所述衬底基板的一侧的有机层，所述有机层位于所述器件设置区、所述电路板绑定区和所述弯折区；
所述有机层包括多个开口，所述每条连接引线以及该连接引线所电连接的第一电极和第二电极在所述衬底基板上的正投影，落入所述多个开口中的一个开口在所述衬底基板上的正投影中。
3.根据权利要求2所述的驱动基板，其特征在于，所述有机层的远离所述衬底基板的表面与所述衬底基板之间的距离，大于所述连接引线层的远离所述衬底基板的表面与所述衬底基板之间的距离。
4.根据权利要求3所述的驱动基板，其特征在于，所述有机层的厚度为2μm～5μm；
所述连接引线层的厚度为0.4μm～2μm。
5.根据权利要求2所述驱动基板，其特征在于，所述驱动基板还包括：
设置于所述柔性膜和所述走线层之间的缓冲层，所述缓冲层位于所述器件设置区和所述电路板绑定区；
设置于所述走线层和所述有机层之间的第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述器件设置区和所述电路板绑定区；所述第一电极通过贯穿所述第一绝缘层的第一过孔与所述走线层位于所述器件设置区的部分电连接，所述第二电极通过贯穿所述第一绝缘层的第二过孔与所述走线层位于所述电路板绑定区的部分电连接；
设置于所述有机层远离所述衬底基板的一侧的第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述器件设置区和所述电路板绑定区。
6.根据权利要求5所述的驱动基板，其特征在于，所述显示面板还包括保护层；
所述保护层覆盖所述多条连接引线、以及所述有机层中对应所述多个开口的部分。
7.一种发光装置，包括：
如权利要求1～6中任一项所述的驱动基板；
位于所述驱动基板的器件设置区的多个发光器件，所述多个发光器件与所述走线层位于所述器件设置区的部分电连接；
位于所述驱动基板的电路板绑定区的驱动电路板，所述驱动电路板与多个第二电极电连接。
8.一种发光装置的制备方法，所述发光装置包括器件设置区、电路板绑定区以及位于所述器件设置区和所述电路板绑定区之间的弯折区，所述制备方法包括：
提供初始衬底基板，所述初始衬底基板包括保留区域和待去除区域；
在所述初始衬底基板上形成柔性膜；
在所述柔性膜远离所述初始衬底基板的一侧形成走线层，所述走线层位于所述器件设置区和所述电路板绑定区；
在所述走线层远离所述初始衬底基板的一侧形成电极层，所述电极层位于所述器件设置区和所述电路板绑定区；所述电极层包括位于所述器件设置区的多个第一电极和位于所述电路板绑定区的多个第二电极；
去除所述初始衬底基板的待去除区域的部分，形成衬底基板；
将所述柔性膜进行弯折，使所述柔性膜的位于所述弯折区和所述电路板绑定区的部分贴附于所述衬底基板的侧面和背面；
在所述柔性膜的远离所述衬底基板的一侧形成连接引线层；所述连接引线层位于所述弯折区且所述连接引线层的两端还分别延伸至所述器件设置区和所述电路板绑定区，所述连接引线层包括多条连接引线，每条连接引线与所述多个第一电极中的一个第一电极，以及所述多个第二电极中的一个第二电极电连接。
9.根据权利要求8所述的发光装置的制备方法，其特征在于，所述在所述走线层远离所述初始衬底基板的一侧形成电极层之后，且在去除所述初始衬底基板的弯折区和电路板绑定区的部分，形成衬底基板之前，所述发光装置的制备方法还包括：
在所述柔性膜和所述电极层远离所述初始衬底基板的一侧形成有机层，所述有机层位于所述器件设置区、所述电路板绑定区和所述弯折区；所述有机层包括多个开口，所述多个开口位于所述弯折区，且所述多个开口的两端还分别延伸至所述器件设置区和所述电路板绑定区；每个开口暴露位置相对应的第一电极和第二电极；
在所述柔性膜的远离所述衬底基板的一侧形成连接引线层的步骤中，所述连接引线层中的每条侧面走线形成在所述多个开口中的一个开口内。
10.根据权利要求9所述的发光装置的制备方法，其特征在于，所述在所述柔性膜的远离所述衬底基板的一侧形成连接引线层，包括：
提供柔性掩模，所述柔性掩模包括多个掩模孔；
将所述柔性掩模固定在所述衬底基板的一侧，使所述多个掩模孔中的每个掩模孔与所述有机层的多个开口中的一个开口位置对应；
透过所述柔性掩膜在所述多个开口内沉积金属；
移除所述柔性掩模，在所述多个开口内形成多条连接引线。
11.根据权利要求10所述的发光装置的制备方法，其特征在于，所述每个掩模孔的尺寸小于与所述掩模孔位置对应的一个开口的尺寸。
12.根据权利要求11所述的发光装置的制备方法，其特征在于，位置相对应的所述开口的尺寸和所述掩模孔的尺寸的差值为28μm～32μm。
13.根据权利要求9～12中任一项所述的发光装置的制备方法，其特征在于，所述发光装置的制备方法还包括：在所述初始衬底基板上形成柔性膜之后，在所述柔性膜远离所述初始衬底基板的一侧形成走线层之前，在所述柔性膜远离所述初始衬底基板的一侧形成缓冲层，所述缓冲层位于所述器件设置区和所述电路板绑定区；
所述在所述柔性膜远离所述初始衬底基板的一侧形成缓冲层，包括：
在所述柔性膜远离所述初始衬底基板的一侧形成初始缓冲层；
去除所述初始缓冲层中位于所述弯折区的部分，形成所述缓冲层。
14.根据权利要求13所述的发光装置的制备方法，其特征在于，所述发光装置的制备方法还包括：
在所述柔性膜远离所述初始衬底基板的一侧形成走线层之后，在所述走线层远离所述柔性膜的一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述器件设置区和所述电路板绑定区，，所述第一绝缘层包括多个第一过孔和多个第二过孔；
所述在所述走线层远离所述初始衬底基板的一侧形成电极层，包括：
在所述第一绝缘层远离所述初始衬底基板的一侧形成多个第一电极和多个第二电极，使所述第一电极通过贯穿所述第一绝缘层的第一过孔与所述走线层位于所述器件设置区的部分电连接，所述第二电极通过贯穿所述第一绝缘层的第二过孔与所述走线层位于所述电路板绑定区的部分电连接；
在形成有机层之后，还包括：在所述有机层远离所述初始衬底基板的一侧形成第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述器件设置区和所述电路板绑定区。
15.根据权利要求13所述的发光装置的制备方法，其特征在于，还包括：
在形成连接引线层之后，形成保护层；
所述形成保护层，包括：
提供第一掩模和第二掩模；
将所述第一掩模设置于所述有机层远离所述衬底基板的正面的一侧，将所述第二掩模设置于所述有机层远离所述衬底基板的背面的一侧，使所述多条连接引线和所述有机层中对应所述多个开口的部分暴露；
在所述多条连接引线表面和所述有机层中对应所述多个开口的部分的表面沉积保护层的材料；
移除所述第一掩模和第二掩模，形成所述保护层。
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| CN (1) | CN113380779A (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113851520A (zh) * | 2021-11-29 | 2021-12-28 | 荣耀终端有限公司 | 显示面板及其制作方法、终端设备 |
| CN115311949A (zh) * | 2022-08-31 | 2022-11-08 | 昆山国显光电有限公司 | 绑定结构、显示模组和电子设备 |
| WO2023035305A1 (zh) * | 2021-09-13 | 2023-03-16 | Tcl华星光电技术有限公司 | Micro LED器件及其制备方法 |
| WO2023115402A1 (zh) * | 2021-12-22 | 2023-06-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 驱动背板及其制备方法、显示装置及其制备方法 |
| WO2024021117A1 (zh) * | 2022-07-29 | 2024-02-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示面板、显示装置和拼接显示装置 |
| WO2024031563A1 (zh) * | 2022-08-11 | 2024-02-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置及拼接显示装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107799538A (zh) * | 2017-10-26 | 2018-03-13 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
| CN109616480A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-04-12 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| WO2019090961A1 (zh) * | 2017-11-10 | 2019-05-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 可弯折显示面板及其制作方法 |
| CN110164936A (zh) * | 2019-05-28 | 2019-08-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| CN110335875A (zh) * | 2019-07-02 | 2019-10-15 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| CN111933611A (zh) * | 2020-07-31 | 2020-11-13 | 合肥维信诺科技有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
-
2021
- 2021-06-08 CN CN202110639247.8A patent/CN113380779A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107799538A (zh) * | 2017-10-26 | 2018-03-13 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
| WO2019090961A1 (zh) * | 2017-11-10 | 2019-05-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 可弯折显示面板及其制作方法 |
| CN109616480A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-04-12 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN110164936A (zh) * | 2019-05-28 | 2019-08-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| CN110335875A (zh) * | 2019-07-02 | 2019-10-15 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| CN111933611A (zh) * | 2020-07-31 | 2020-11-13 | 合肥维信诺科技有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023035305A1 (zh) * | 2021-09-13 | 2023-03-16 | Tcl华星光电技术有限公司 | Micro LED器件及其制备方法 |
| CN113851520A (zh) * | 2021-11-29 | 2021-12-28 | 荣耀终端有限公司 | 显示面板及其制作方法、终端设备 |
| WO2023115402A1 (zh) * | 2021-12-22 | 2023-06-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 驱动背板及其制备方法、显示装置及其制备方法 |
| WO2024021117A1 (zh) * | 2022-07-29 | 2024-02-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示面板、显示装置和拼接显示装置 |
| WO2024031563A1 (zh) * | 2022-08-11 | 2024-02-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置及拼接显示装置 |
| CN115311949A (zh) * | 2022-08-31 | 2022-11-08 | 昆山国显光电有限公司 | 绑定结构、显示模组和电子设备 |
| CN115311949B (zh) * | 2022-08-31 | 2023-11-28 | 昆山国显光电有限公司 | 绑定结构、显示模组和电子设备 |
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