KR20070117749A - 표면 실장형 발광 다이오드 램프 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

회로기판(이하, 기판) 위에 형성되어 있으며 오목부를 가지는 광 지향판, 상기 광 지향판 위의 상기 오목부 내에 실장되어 있는 발광 다이오드 칩, 상기 발광 다이오드 칩을 덮는 1차 몰딩 부재, 상기 1차 몰딩 부재 위에 형성되어 있으며 상기 오목부 주변을 둘러싸는 형태로 형성되어 있는 광 가이드, 상기 1차 몰딩 부재 위에 형성되어 있으며 소정의 첨가물을 포함하는 2차 몰딩 부재를 포함하는 표면 실장형 발광 다이오드 램프를 마련한다.
표면실장, 발광다이오드, 광지향판, 몰딩

Description

표면 실장형 발광 다이오드 램프 및 그 제조 방법{Lamp having surface mounted light emitting diode and manufacturing method of the same}
도 1a 및 도 1b는 종래의 표면 실장형 발광 다이오드 램프의 제조 방법을 보여주는 사시도이고,
도 2a 내지 도 2d는 종래의 표면 실장형 발광 다이오드 램프의 다른 제조 방법을 보여주는 사시도이고,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표면 실장형 발광 다이오드 램프의 사시도이고,
도 4는 도 3의 IV-IV선에 대한 단면도이고,
도 5 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표면 실장형 발광 다이오드 램프를 제조하는 방법을 공정 순서대로 도시한 단면도이고,
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표면 실장형 발광 다이오드 램프의 제조 중간 단계의 단면도이다.
<주요 도면 부호의 설명>
회로기판: 100 광 지향판: 101
광 반사층: 102 발광 다이오드 칩: 160
광 지향판: 111, 112 광 반사층: 113, 114
1차 몰딩 부재: 120 광 가이드: 130
2차 몰딩 부재: 140 전극리드: 151, 152
다이오드 칩: 160 와이어: 161, 162
본 발명은 표면 실장형 발광 다이오드 램프 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
도 1a 및 도 1b는 종래의 표면 실장형 발광 다이오드 램프의 제조 방법을 보여주는 사시도이고, 도 2a 내지 도 2d는 종래의 표면 실장형 발광 다이오드 램프의 다른 제조 방법을 보여주는 사시도이다.
얇은 표면 실장형 발광 다이오드 램프를 제조하기 위하여 종래에는, 도 1a 및 도 1b에 나타낸 바와 같이, 발광 다이오드 칩(11)을 실장하는 회로 기판(10)과 광의 방출 방향을 제어하여 광 이용 효율을 향상하기 위한 관통 홀(20)을 가지는 기판(20)을 별도로 제조하여, 발광 다이오드 칩(11)과 관통 홀(20)의 위치를 정렬하고 이들 두 기판(10, 20)을 접착한다.
또는, 도 2a에 도시한 바와 같이, 발광 다이오드 칩(31)을 실장한 회로 기판(30) 전체에 몰딩층(32)을 형성하거나 또는 발광 다이오드 칩(31) 위에 부분적으로 섬 모양의 몰딩부를 형성한 후, 도 2b에 도시한 바와 같이, 다이싱 기법을 통하여 몰딩층(32) 또는 몰딩부를 재단하여 광 렌즈부(33)을 형성한다. 이어서, 도 2c 에 도시한 바와 같이, 광 렌즈부(33) 사이로 형성되는 도랑 구조에 반사 재료를 몰딩하여 반사 구조(34)를 설치한다. 마지막으로 칩별로 다이싱하면 도 2d에 도시한 바와 같은 표면 실장형 발광 다이오드 램프가 완성된다.
그런데 도 1a 및 도 1b의 방법에서는 두 개의 기판(10, 20)을 결합하는 과정에서 공차가 발생하여 두 기판(10, 20)이 서로 어그러짐으로 인해 생산 수율이 저하된다. 또, 도 2a 내지 도 2d의 방법에서는 몰딩재인 에폭시 수지가 경화할 때의 수축률이 회로 기판(30)의 수축률과 달라서 회로 기판(30)이 에폭시 수지의 응력을 받아 크게 변형된다. 이 때, 표면 실장형 발광 다이오드 램프의 두께를 목표로 하는 값에 맞추기 위해서는 회로 기판(30)의 두께를 얇게 해야 하므로 회로 기판(30)이 변형되는 것을 감수해야 한다. 이 때, 변형으로 인하여 발생한 회로 기판(30)의 가운데와 양측에서의 높이의 차가 약 0.5 mm 이상이 되면, 다이싱을 통하여 반사 구조를 몰딩할 도랑 구조를 형성하는데 어려움이 발생하여 소자의 생산 수율이 저하된다. 또 몰딩된 수지의 내부에 많은 응력이 축적되어 있어서 소자를 분리하는 과정 등에서 광 렌즈부(33)나 반사 구조(34)가 박리되는 등의 문제가 발생할 수 있다.
또한 반사 구조(34)을 몰딩하기 위하여 다이싱을 통하여 도랑 구조를 제작하여야 하는데, 이 때 다이싱을 과하게 할 경우에는 반사 구조로 이용되는 수지류와 회로 기판(30)과의 접착력에 문제가 생겨 제작된 소자에서 박리 문제가 발생할 수 있다. 따라서 보통 부족하게 다이싱을 해야 하는데 이 틈을 통하여 광 손실이 일어나는 문제가 발생 할 수 있다.
또한 도 2a 내지 도 2d의 방법에서는 발광 다이오드 칩(31)을 회로 기판(30)의 평면인 표면 위에 실장하기 때문에 광의 지향성, 광의 반사 효율이 떨어진다.
또한 도 2a 내지 도 2d의 방법에서는 다이싱을 한 후에 설치하는 광 반사 구조(34)는 광의 손실을 방지하기 위하여 회로 기판(30)에서부터 설치해야 한다. 따라서 1차적으로 몰딩하는 광 렌즈부(33)과 거의 같은 높이로 형성해야 하는데 열팽창 계수 등의 물성이 광 렌즈부(33)와 유사하지 않을 경우, 리플로(reflow) 공정시에 칩(31)의 박리, 와이어 단선, 반사 구조(34)의 박리 등의 많은 문제가 야기될 수 있다.
본 발명은 위와 같은 문제를 해결하여 광의 효율과 지향성이 우수한 표면 실장형 발광 다이오드 램프 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는 표면 실장형 발광 다이오드 램프의 생산 수율을 향상하는 것이다.
이러한 과제를 해결하기 위하여 본 발명에서는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 광 지향판, 상기 광 지향판 위에 실장되어 있는 발광 다이오드 칩, 상기 발광 다이오드 칩을 덮는 1차 몰딩 부재, 상기 1차 몰딩 부재의 가장자리에 형성되어 있으며 상기 발광 다이오드 주변을 둘러싸는 형태로 형성되어 있는 광 가이드, 상기 1차 몰딩 부재 위에 형성되어 있으며 소정의 첨가물을 포함하는 2차 몰딩 부재를 포함하는 표면 실장형 발광 다이오드 램프를 마련한다.
여기서 상기 광 지향판은 금속으로 이루어져 있고 오목부를 가지며, 상기 발광 다이오드 칩은 상기 광 지향판의 오목부 내부에 실장되어 있을 수 있고, 상기 광 지향판 위에 형성되어 있는 광 반사층을 더 포함할 수 있으며, 상기 광 지향판은 구리를 포함하고, 상기 광 반사층은 은을 포함할 수 있다.
또 상기 광 가이드는 백색 안료 또는 금속 입자를 포함할 수 있고, 상기 2차 몰딩 부재는 형광 물질을 포함할 수 있으며, 상기 기판은 2개 이상의 관통구를 가지며, 상기 관통구를 채우는 2개 이상의 전극리드를 더 포함하고, 상기 광 지향판은 두 부분으로 분리되어 상기 전극리드와 각각 연결되어 있을 수 있고, 상기 1차 몰딩 부재는 상기 광 지향판의 오목부와 중첩하는 부분의 두께가 나머지 부분의 두께보다 두꺼울 수 있다.
또는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있고 오목부를 가지며 구리를 포함하는 광 지향판, 상기 광 지향판 위의 상기 오목부 내에 실장되어 있는 발광 다이오드 칩, 상기 발광 다이오드 칩을 덮는 1차 몰딩 부재를 포함하는 표면 실장형 발광 다이오드 램프를 마련한다.
상기 1차 몰딩 부재 위에 형성되어 있으며 상기 발광 다이오드 주변을 둘러싸는 형태로 형성되어 있는 광 가이드, 상기 1차 몰딩 부재 위에 형성되어 있으며 소정의 첨가물을 포함하는 2차 몰딩 부재를 더 포함할 수 있고, 상기 광 지향판 위에 형성되어 있으며 은을 포함하는 광 반사층을 더 포함할 수 있다.
이러한 표면 실장형 발광 다이오드 램프는 기판 위에 오목부를 가지고 복수의 부분으로 분리되어 있는 광 지향판을 형성하는 단계, 상기 광 지향판의 상기 오 목부 내에 발광 다이오드 칩을 실장하는 단계, 상기 발광 다이오드 칩을 몰딩하는 단계, 상기 기판을 다이싱하여 복수의 셀로 분리하는 단계를 포함하는 표면 실장형 발광 다이오드 램프의 제조 방법을 통하여 제조한다.
여기서 상기 발광 다이오드 칩을 몰딩하는 단계는 상기 발광 다이오드 칩을 덮는 1차 몰딩 부재를 형성하는 단계, 상기 광 지향판의 상기 오목부를 둘러싸는 광 가이드를 형성하는 단계, 상기 1차 몰딩 부재 위에 2차 몰딩 부재를 형성하는 단계를 포함할 수 있고, 상기 광 지향판을 형성하는 단계와 상기 발광 다이오드 칩을 실장하는 단계 사이에 상기 광 지향판 위에 광 반사층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 상기 광 반사층은 은을 도금하여 형성할 수 있다.
또 상기 1차 몰딩 부재, 광 가이드 및 2차 몰딩 부재 중 적어도 하나는 트랜스퍼 몰딩을 통하여 형성될 수 있고, 상기 2차 몰딩 부재는 필름을 부착하여 형성할 수 있으며, 상기 광 지향판의 상기 오목부를 둘러싸는 광 가이드를 형성하는 단계는 상기 1차 몰딩 부재 위에 2차 몰딩 부재를 형성하는 단계 다음에 수행될 수 있다. 기판 위에 오목부를 가지고 복수의 부분으로 분리되어 있는 광 지향판을 형성하는 단계는 상기 기판 위에 금속층을 형성하는 단계, 상기 금속층을 사진 식각하여 오목부를 형성하는 단계, 상기 금속층을 사진 식각하여 복수의 부분으로 분리하는 단계를 포함할 수 있다.
첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한 다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
그러면 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 표면실장형 발광 다이오드 램프 및 그 제조 방법에 대하여 설명한다.
먼저, 도 3 및 도 4를 참고하여 본 발명의 일 실시예에 다른 표면 실장형 발광 다이오드 램프의 구조에 대하여 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표면 실장형 발광 다이오드 램프의 사시도이고, 도 4는 도 3의 IV-IV선에 대한 단면도이다.
전극 연결을 위한 플러그(151, 152)가 형성되어 있는 기판(100) 위에 구리(Cu) 등의 전기 및 열 전도성이 우수한 금속으로 이루어진 광 지향판(111, 112)이 형성되어 있고, 광 지향판(111, 112)의 위 표면에는 은(Ag) 등의 광 반사 특성이 우수한 금속으로 이루어진 광 반사층(113, 114)이 형성되어 있다. 두 광 반사층(113, 114) 중 한쪽 광 반사층(113) 위에는 발광 다이오드 칩(160)이 실장되어 있고 발광 다이오드 칩(160)의 두 전극은 와이어(161, 162) 본딩(wire bonding) 을 통하여 양쪽의 광 반사층(113, 114)과 각각 연결되어 있다.
여기서, 전극리드(151, 152)는 양쪽 전극에 각각 연결하기 위하여 적어도 2개가 형성되고, 기판(100)을 관통하는 관통구에 금속 등의 전도성 물질을 충진하여 형성한다.
광 지향판(111, 112)은 두 전극리드(151, 152)와 각각 연결되어 전극의 역할을 수행한다. 광 지향판(111, 112)은 발광 다이오드 칩(160)이 실장될 위치의 두 께가 그 주변에 비하여 얇게 형성되어 있어서 발광 다이오드 칩(160)에서 방출된 광이 칩(160)의 위쪽을 향하여 방출되도록 하는 광 지향 구조를 이룬다.
광 반사층(113, 114)은 광의 반사 효율을 높이기 위하여 형성한 층이나 필요에 따라 생략할 수도 있다.
발광 다이오드 칩(160)의 위에는 투명한 에폭시 수지류로 이루어진 1차 몰딩 부재(120)가 형성되어 있다. 1차 몰딩 부재(120)는 발광 다이오드 칩(160)이 놓여 있는 부분(광 지향 구조와 중첩하는 부분)에서 두께가 두껍고 그 주변에서는 두께가 얇게 형성되어 있다. 이는 제조 공정 중에 1차 몰딩 부재(120)의 응축 중심을 여러 부분으로 분산하여 1차 몰딩 부재(120)가 박리되거나 몰딩 후 기판의 휨 현상을 방지하기 위함이다. 이러한 박리 또는 기판 휨 현상 문제를 해소하기 위하여는 1차 몰딩 부재(120)를 가능한 한 얇게 형성해야 하는데, 광 지향판(111, 112)에 광 지향 구조를 형성하여 발광 다이오드 칩(160)의 실장 위치를 낮추었기 때문에 1차 몰딩 부재(120)를 얇게 하는 데도 유리하다. 또한, 1차 몰딩 부재(120)를 기판(100)과 열팽창 계수가 유사한 에폭시 수지류 또는 감광제 등으로 형성함으로써 소자의 동작시 또는 제조 공정 중의 리플로 공정 등에서 열팽창률의 차이로 인하여 1차 몰딩 부재(120) 등이 박리되는 것을 방지한다.
1차 몰딩 부재(120)의 가장자리를 따라 광 가이드(130)가 형성되어 있다. 광 가이드 (130)는 1차 몰딩 부재(120)의 두께가 얇은 부분(광 지향 구조의 주변) 위에 광 지향 구조를 둘러싸는 형태로 형성되어 있다. 광 가이드(130)는 발광 다이오드 칩(160)에서 방출되는 광을 칩(160)의 위쪽을 향하여 방출되도록 유도하는 역할 을 하며, 이를 위하여 백색 물질로 형성하거나 광 반사성이 우수한 금속 입자가 분산되어 있는 물질로 형성한다. 광 가이드(130)는 광을 칩(160)의 위쪽으로 유도하기 위하여 경사면을 가지도록 형성한다.
1차 몰딩 부재(120)와 광 가이드(130) 위에는 2차 몰딩 부재(140)이 형성되어 있다. 2차 몰딩 부재(140)는 발광 다이오드 칩(160)이 방출하는 광의 파장을 변환하거나 광을 확산하기 위한 각종 첨가물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 광의 파장을 변환하기 위하여 형광 물질을 포함할 수 있고, 광의 확산을 위하여 확산제를 포함할 수 있다. 또한, 2차 몰딩 부재(140)는 광 효율을 향상하기 위하여 1차 몰딩 부재(140)와 굴절률이 다른 물질로 형성할 수 있다.
이러한 구조의 표면 실장형 발광 다이오드 램프는 광의 효율과 지향성이 우수하며, 몰딩 부재가 박리되는 등의 문제가 적어 생산 수율이 높다.
그러면 이러한 구조의 표면 실장형 발광 다이오드 램프를 제조하는 방법에 대하여 설명한다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표면 실장형 발광 다이오드 램프를 제조하는 방법을 공정 순서대로 도시한 단면도이다.
먼저, 도 5에 나타낸 바와 같이, 기판(100) 위에 광 지향 구조를 형성하기 위한 오목부를 가지며 복수의 부분으로 분리되어 있는 광 지향판(101)을 형성하고, 광 지향판(101) 위에 은 등의 금속을 도금하여 광 반사층(102)를 형성한다. 다음, 발광 다이오드 칩(160)을 오목부 내에 실장하고, 와이어(161, 162)를 본딩하여 발광 다이오드 칩(160)의 두 전극을 광 반사층(102)에 연결한다.
여기서, 오목부를 가지며 복수의 부분으로 분리되어 있는 광 지향판(101)을 형성하는 방법을 좀 더 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
기판(100) 위에 구리 등의 금속판을 부착하거나 구리 등의 금속을 150 ㎛ 이상의 두께로 도금하여 금속판을 형성한다.
다음, 사진 식각 방법을 사용하여 금속판을 부분적으로 깎아냄으로써 금속판에 오목부를 형성한다. 이 때, 식각 시간을 조절하여 오목부 부분에서 금속판이 관통되는 것을 방지한다.
이이서, 다시 사진 식각 방법을 사용하여 금속판을 복수의 부분으로 분리하여 오목부를 가지며 복수의 부분으로 분리되어 있는 광 지향판(101)을 형성한다.
다음, 도 6에 도시한 바와 같이, 발광 다이오드 칩(160)을 포함하는 기판 구조체 전체의 위에 에폭시 수지류 등을 트랜스퍼 몰딩(transfer molding)하여 1차 몰딩 부재(120)를 형성한다. 1차 몰딩 부재(120)는 투명한 것이 바람직하다.
이어서, 도 7에 도시한 바와 같이, 백색 안료나 금속 입자를 포함하는 에폭시 수지류 등을 트랜스퍼 몰딩하여 광 가이드(130)를 형성하고, 광 가이드(130)와 1차 몰딩 부재(120)의 가장자리에 형광 물질이나 광 확산을 위한 첨가제를 포함하는 에폭시 수지류 등을 몰딩하여 2차 몰딩 부재(140)를 형성한다.
여기서, 2차 몰딩 부재(140)는 몰딩 방법 이외에 필름을 접착하는 등의 방법을 사용하여 형성할 수도 있다.
마지막으로, 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 기판 구조체를 셀별로 다이싱하여 표면 실장형 발광 다이오드 램프를 완성한다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표면 실장형 발광 다이오드 램프의 제조 중간 단계의 단면도이다.
도 8에서는 2차 몰딩 부재(140)를 먼저 형성하고 광 가이드(130)를 그 다음에 형성한 경우를 보여준다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
이상과 같이, 본 발명의 실시예에 따르면 금속으로 이루어진 광 지향판에 광 지향 구조를 형성하여 광 이용 효율 및 지향성이 우수한 표면 실장형 발광 다이오드 램프를 제공한다. 또한, 제조 공정 중이나 소자의 동작 중에 몰딩 부재 등이 박리되는 것을 방지할 수 있어서 제조 수율이 향상된다.

Claims (15)

  1. 회로기판,
    상기 회로기판 위에 형성되어 있는 광 지향판,
    상기 광 지향판 위에 실장되어 있는 발광 다이오드 칩,
    상기 발광 다이오드 칩을 덮는 1차 몰딩 부재,
    상기 1차 몰딩 부재 위에 형성되어 있으며 상기 발광 다이오드 주변을 둘러싸는 형태로 형성되어 있는 광 가이드,
    상기 1차 몰딩 부재 위에 형성되어 있으며 소정의 첨가물을 포함하는 2차 몰딩 부재를 포함하는 표면 실장형 발광 다이오드 램프.
  2. 제1항에서,
    상기 광 지향판은 금속으로 이루어져 있고 오목부를 가지며, 상기 발광 다이오드 칩은 상기 광 지향판의 오목부 내부에 실장되어 있는 표면 실장형 발광 다이오드 램프.
  3. 제1항에서,
    상기 광 가이드는 백색 안료 또는 금속 입자를 포함하는 표면 실장형 발광 다이오드 램프.
  4. 제1항에서,
    상기 2차 몰딩 부재는 형광 물질 또는 확산제를 포함하는 표면 실장형 발광 다이오드 램프.
  5. 제1항에서,
    상기 회로기판은 2개 이상의 관통구를 가지며, 상기 관통구를 채우는 2개 이상의 전극리드를 더 포함하고, 상기 광 지향판은 두 부분으로 분리되어 상기 전극리드와 각각 연결되어 있는 표면 실장형 발광 다이오드 램프.
  6. 제2항에서,
    상기 1차 몰딩 부재는 상기 광 지향판의 오목부와 중첩하는 부분의 두께가 나머지 부분의 두께보다 두꺼운 표면 실장형 발광 다이오드 램프.
  7. 회로기판,
    상기 회로기판 위에 형성되어 있고 오목부를 가지며 구리를 포함하는 광 지향판,
    상기 광 지향판 위의 상기 오목부 내에 실장되어 있는 발광 다이오드 칩,
    상기 발광 다이오드 칩을 덮는 1차 몰딩 부재
    를 포함하는 표면 실장형 발광 다이오드 램프.
  8. 제7항에서,
    상기 1차 몰딩 부재 위에 형성되어 있으며 상기 발광 다이오드 주변을 둘러싸는 형태로 형성되어 있는 광 가이드,
    상기 1차 몰딩 부재 위에 형성되어 있으며 소정의 첨가물을 포함하는 2차 몰딩 부재
    를 더 포함하는 표면 실장형 발광 다이오드 램프.
  9. 제1항 내지 제8항 중의 어느 한 항에서,
    상기 광 지향판은 구리를 포함하는 물질로 이루어져 있고, 상기 광 지향판 위에 은을 포함하는 물질로 형성되어 있는 광 반사층을 더 포함하는 표면 실장형 발광 다이오드 램프.
  10. 회로기판 위에 오목부를 가지고 복수의 부분으로 분리되어 있는 광 지향판을 형성하는 단계,
    상기 광 지향판 위에 금속을 도금하여 광 반사층을 형성하는 단계,
    상기 광 지향판의 상기 오목부 내에 발광 다이오드 칩을 실장하는 단계,
    상기 발광 다이오드 칩을 몰딩하는 단계,
    상기 기판을 다이싱하여 복수의 셀로 분리하는 단계
    를 포함하는 표면 실장형 발광 다이오드 램프의 제조 방법.
  11. 제10항에서,
    상기 발광 다이오드 칩을 몰딩하는 단계는
    상기 발광 다이오드 칩을 덮는 1차 몰딩 부재를 형성하는 단계,
    상기 광 지향판의 상기 오목부를 둘러싸는 광 가이드를 형성하는 단계,
    상기 1차 몰딩 부재 위에 2차 몰딩 부재를 형성하는 단계
    를 포함하는 표면 실장형 발광 다이오드 램프의 제조 방법.
  12. 제11항에서
    상기 1차 몰딩 부재, 광 가이드 및 2차 몰딩 부재 중 적어도 하나는 트랜스퍼 몰딩을 통하여 형성되는 표면 실장형 발광 다이오드 램프의 제조 방법.
  13. 제12항에서,
    상기 2차 몰딩 부재는 필름을 부착하여 형성하는 표면 실장형 발광 다이오드 램프의 제조 방법.
  14. 제11항에서,
    상기 광 지향판의 상기 오목부를 둘러싸는 광 가이드를 형성하는 단계는 상기 1차 몰딩 부재 위에 2차 몰딩 부재를 형성하는 단계 다음에 수행되는 표면 실장형 발광 다이오드 램프의 제조 방법.
  15. 제10항에서,
    회로기판 위에 오목부를 가지고 복수의 부분으로 분리되어 있는 광 지향판을 형성하는 단계는
    상기 회로기판 위에 금속층을 형성하는 단계,
    상기 금속층을 사진 식각하여 오목부를 형성하는 단계,
    상기 금속층을 사진 식각하여 복수의 부분으로 분리하는 단계
    를 포함하는 표면 실장형 발광 다이오드 램프의 제조 방법.
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