TWI780503B - 發光封裝體及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
一種發光封裝體，包括黑色模封件、多個發光元件與線路結構。黑色模封件具有第一表面與相對第一表面的第二表面。這些發光元件埋設於黑色模封件中。各個發光元件具有出光面、相對於出光面的背面以及配置於背面的多個接墊。各個發光元件的出光面裸露於第一表面，並與第一表面切齊。各個發光元件的接墊皆裸露於第二表面。線路結構配置於第二表面上，並電性連接這些接墊。
Description
本發明是有關於一種半導體封裝體及其製造方法，且特別是有關於一種發光封裝體及其製造方法。
現有的發光二極體顯示面板通常是由兩塊彼此堆疊的基板組裝而成，其中一塊是裝設多個發光二極體的發光基板，而另一塊是彩色濾光基板。發光基板的這些發光二極體通常是白光或藍光發光二極體，而彩色濾光基板可利用濾光層或螢光層將發光二極體所發出的光線轉變成紅光、綠光與藍光，以使發光二極體顯示面板能顯示影像。
彩色濾光基板通常還具有一層黑矩陣，其中黑矩陣能阻擋出射角偏大的紅光、綠光與藍光，以減少漏光（light leakage），進而降低紅光、綠光與藍光彼此混光對影像所造成的不良影響。由於現有的發光二極體顯示面板通常是由發光基板與彩色濾光基板組裝而成，因此在組裝的過程中，發光基板與彩色濾光基板兩者的對位（alignment）必須準確（accuracy）。否則，黑矩陣可能會完全遮蓋一些發光二極體，造成顯示面板的局部區域呈現暗態，導致影像品質下降。
本發明至少一實施例提出一種發光封裝體，其包括黑色模封件與埋設於黑色模封件中的多個發光元件。
本發明至少一實施例還提出一種發光封裝體的製造方法，其用於製造上述發光封裝體。
本發明至少一實施例所包括的發光封裝體，其包括黑色模封件、多個發光元件與線路結構。黑色模封件具有第一表面與相對第一表面的第二表面。這些發光元件埋設於黑色模封件中。各個發光元件具有出光面、相對於出光面的背面以及配置於背面的多個接墊。各個發光元件的出光面裸露於第一表面，並與第一表面切齊。各個發光元件的接墊皆裸露於第二表面。線路結構配置於第二表面上，並電性連接這些接墊。
在本發明至少一實施例中，上述黑色模封件的光學密度（Optical Density，OD）大於2。
在本發明至少一實施例中，這些發光元件皆為發光二極體晶粒。
在本發明至少一實施例中，各個接墊具有外表面，而這些接墊的外表面皆裸露於第二表面，並與第二表面切齊。
在本發明至少一實施例中，上述黑色模封件直接接觸於這些發光元件。
在本發明至少一實施例中，這些發光元件包括多個紅色發光二極體、多個綠色發光二極體以及多個藍色發光二極體。
在本發明至少一實施例中，上述發光封裝體還包括一透明保護層，其中透明保護層配置於第一表面，並覆蓋這些發光元件的這些出光面。
在本發明至少一實施例中，這些發光元件彼此分開，以使這些發光元件之間存有多個間隙，而黑色模封件填滿這些間隙。
本發明至少一實施例所包括的發光封裝體的製造方法包括以下步驟。提供多個發光元件，其中各個發光元件具有出光面、相對於出光面的背面以及配置於背面的多個接墊。將這些發光元件配置在第一承載件上，其中這些發光元件之間存有多個間隙，而這些接墊位於這些出光面與第一承載件之間。在第一承載件上形成黑色模封材料，其中黑色模封材料覆蓋這些發光元件與這些出光面，並填滿這些間隙。黑色模封材料具有第一表面與相對第一表面的第二表面，而這些發光元件與第二表面皆位於第一表面與第一承載件之間。從第一表面移除部分黑色模封材料，以形成黑色模封件，並裸露出這些出光面。將黑色模封件與這些發光元件兩者與第一承載件分開，以裸露出這些接墊。在裸露的這些接墊上形成線路結構，其中線路結構電性連接這些接墊。
在本發明至少一實施例中，從第一表面移除部分黑色模封材料的方法包括從第一表面研磨黑色模封材料。
在本發明至少一實施例中，從第一表面移除部分黑色模封材料之後，還包括在黑色模封件上與這些出光面上形成透明保護層。
在本發明至少一實施例中，上述線路結構是在透明保護層形成之後而形成。
在本發明至少一實施例中，在將黑色模封件與這些發光元件兩者與第一承載件分開的過程中，黑色模封件與這些發光元件皆配置與連接於第二承載件，其中第二承載件遮蓋這些出光面。
基於上述，以上黑色模封件可作為黑矩陣，並具有減少漏光的功能，以降低漏光對影像所造成的不良影響。其次，由於這些發光元件埋設於黑色模封件中，因此這些發光元件與黑色模封件可以整合成一體，無需進行兩塊基板之間的對位與組裝。
在以下的內文中，為了清楚呈現本案的技術特徵，圖式中的元件（例如層、膜、基板以及區域等）的尺寸（例如長度、寬度、厚度與深度）會以不等比例的方式放大。因此，下文實施例的說明與解釋不受限於圖式中的元件所呈現的尺寸與形狀，而應涵蓋如實際製程及/或公差所導致的尺寸、形狀以及兩者的偏差。例如，圖式所示的平坦表面可以具有粗糙及/或非線性的特徵，而圖式所示的銳角可以是圓的。所以，本案圖式所呈示的元件主要是用於示意，並非旨在精準地描繪出元件的實際形狀，也非用於限制本案的申請專利範圍。
其次，本案內容中所出現的「約」、「近似」或「實質上」等這類用字不僅涵蓋明確記載的數值與數值範圍，而且也涵蓋發明所屬技術領域中具有通常知識者所能理解的可允許偏差範圍，其中此偏差範圍可由測量時所產生的誤差來決定，而此誤差例如是起因於測量系統或製程條件兩者的限制。此外，「約」可表示在上述數值的一個或多個標準偏差內，例如±30％、±20％、±10％或±5％內。本案文中所出現的「約」、「近似」或「實質上」等這類用字可依光學性質、蝕刻性質、機械性質或其他性質來選擇可以接受的偏差範圍或標準偏差，並非單以一個標準偏差來套用以上光學性質、蝕刻性質、機械性質以及其他性質等所有性質。
圖1至圖7是本發明至少一實施例的發光封裝體的製造方法的流程剖面示意圖，其中圖7繪示製造完成後的發光封裝體100。請參閱圖1，在本實施例的製造方法中，首先，提供多個發光元件110，其中發光元件110可以是固態發光元件（solid-state light-emitting component），例如發光二極體（Light-Emitting Diode，LED）。此外，這些發光元件110可為發光二極體晶粒（LED die），其為尚未封裝的發光二極體。
各個發光元件110具有出光面111、相對於出光面111的背面112以及配置於背面112的多個接墊113。一個發光元件110可以具有兩個接墊113，而這兩個接墊113分別為陽極與陰極。當發光元件110從這些接墊113接收電能時，發光元件110能分別從出光面111發出光線。在本實施例中，這些發光元件110可包括多個紅色發光二極體、多個綠色發光二極體與多個藍色發光二極體，因此這些發光元件110能發光紅光、綠光與藍光。
接著，將這些發光元件110配置在第一承載件10上。第一承載件10能承載並固定這些發光元件110，並且可利用靜電吸附（electrostatic suck）、真空吸附（vacuum suck）或黏性（adhesive）來固定發光元件110。在圖1所示的實施例中，第一承載件10可包括支撐板11與黏著層12，其中黏著層12形成於支撐板11上。
支撐板11可以是剛性板材，例如金屬板、玻璃板或陶瓷板。黏著層12能暫時黏著發光元件110，以使這些發光元件110暫時固定在第一承載件10上。黏著層12可以是高分子材料層，並且可由聚二甲基矽氧烷（Polydimethylsiloxane，PDMS）等高分子材料製成。
在這些發光元件110配置在第一承載件10上之後，這些接墊113位於這些出光面111與第一承載件10之間。以圖1為例，黏著層12可接觸並黏合這些發光元件110的接墊113，但不接觸出光面111，所以背面112比出光面111更接近第一承載件10。因此，接墊113位在出光面111與第一承載件10之間。配置在第一承載件10上的這些發光元件110彼此分開，所以這些發光元件110之間存有多個間隙G1，其中這些發光元件110可在第一承載件10上排成陣列（array）或矩陣（matrix）。
請參閱圖2，接著，在第一承載件10上形成黑色模封材料120i。黑色模封材料120i的光學密度（Optical Density，OD）大於2，其中這裡所述的光學密度相當於吸光度（absorbance）。因此，黑色模封材料120i具有相當低的穿透率，以使黑色模封材料120i能有效地阻擋可見光。此外，黑色模封材料120i可以用印刷、噴塗（spraying）或射出成型而形成，而且黑色模封材料120i可以具有剛性或可撓性。
黑色模封材料120i覆蓋這些發光元件110與這些出光面111，並且填滿這些間隙G1，其中黑色模封材料120i可以直接接觸於這些發光元件110，如圖2所示。因此，這些發光元件110埋設於黑色模封材料120i中。此外，在圖2所示的實施例中，這些發光元件110的背面112與第一承載件10之間的空間（未標示），例如間隙，也可以被黑色模封材料120i填滿，所以黑色模封材料120i也可以直接接觸於這些接墊113。
黑色模封材料120i具有第一表面121i與相對第一表面121i的第二表面122，其中這些發光元件110與第二表面122皆位於第一表面121i與第一承載件10之間。以圖2為例，第一表面121i與第二表面122分別為黑色模封材料120i的上表面與下表面，其中第二表面122可以直接接觸於第一承載件10的黏著層12。
請參閱圖2與圖3，接著，從第一表面121i移除部分黑色模封材料120i，以形成黑色模封件120，並裸露出這些出光面111，其中這些發光元件110埋設於黑色模封件120中，而且黑色模封件120可以直接接觸於這些發光元件110。由於這些發光元件110可在第一承載件10上排成陣列或矩陣，而且黑色模封材料120i填滿這些間隙G1，因此黑色模封件120的形狀可以是網狀。此外，由於黑色模封材料120i可具有剛性或可撓性，所以黑色模封件120也可具有剛性或可撓性。
黑色模封件120具有第一表面121以及相對第一表面121的第二表面122。在形成黑色模封件120的過程中，黑色模封材料120i是從第一表面121i移除，沒有從第二表面122移除。因此，黑色模封件120與黑色模封材料120i皆具有相同的第二表面122，但黑色模封件120所具有的第一表面121並不是原來的第一表面121i。此外，各個發光元件110的出光面111裸露於第一表面121，並且與第一表面121切齊。
移除部分黑色模封材料120i的方法有多種，例如蝕刻。在本實施例中，可以從第一表面121i研磨黑色模封材料120i，以減薄黑色模封材料120i的厚度，讓黑色模封件120的厚度可以實質上等於發光元件110的厚度。另外，由於黑色模封材料120i的光學密度大於2，所以黑色模封件120的光學密度也大於2。也就是說，黑色模封件120也能有效地阻擋可見光。
請參閱圖4，在從第一表面121i移除部分黑色模封材料120i之後，也就是形成黑色模封件120之後，可以在黑色模封件120上以及這些出光面111上形成透明保護層130，其中透明保護層130配置於黑色模封件120的第一表面121，並且覆蓋這些發光元件110的出光面111。透明保護層130可以用印刷或噴塗而形成，而透明保護層130的材料可以是矽基底（silicone base）材料、環氧樹脂基底（epoxy base）材料或聚醯亞胺基底（Ployimide Base，PI Base）材料，或是這些材料的任意組合。
透明保護層130具有良好的穿透率。例如，透明保護層130在300奈米（nm）至800奈米的波長範圍內具有大於95%的穿透率，因此這些發光元件110所發出的光線基本上能完全穿透透明保護層130。不過，透明保護層130的穿透率並不以上述範圍為限制。此外，本實施例的製造方法可以包括形成透明保護層130的步驟，但在其他實施例中，可以不用形成透明保護層130。換句話說，圖4所示的透明保護層130可以被省略，而本實施例的製造方法不限制一定要包括形成透明保護層130的步驟。
請參閱圖5，之後，將黑色模封件120與這些發光元件110兩者與第一承載件10分開，也就是讓黑色模封件120與這些發光元件110從第一承載件10脫離，以裸露出這些接墊113，其中各個發光元件110的這些接墊113皆裸露於黑色模封件120的第二表面122。各個接墊113具有外表面113a，而這些接墊113的外表面113a皆裸露於第二表面122，並與第二表面122切齊。
將黑色模封件120與發光元件110兩者與第一承載件10分開的過程中，黑色模封件120與這些發光元件110可皆配置與連接於第二承載件20。第二承載件20可以相同於第一承載件10，即第二承載件20可以具有黏性來暫時黏著黑色模封件120與發光元件110。或者，第二承載件20也可以是靜電吸盤（Electrostatic Chuck，E Chuck）或真空吸盤（vacuum chuck），並利用靜電吸附或真空吸附來連接與固定發光元件110。
在黑色模封件120與發光元件110皆配置與連接於第二承載件20之後，出光面111會位在第二承載件20與背面112之間，而第二承載件20遮蓋這些出光面111。之後，第二承載件20可朝向遠離第一承載件10的方向而移動，以使黑色模封件120與這些發光元件110兩者能與第一承載件10分開，以裸露出這些接墊113。
在本實施例中，黑色模封件120與發光元件110兩者是利用第二承載件20而與第一承載件10分開。然而，在其他實施例中，黑色模封件120與發光元件110兩者可以直接用剝離（peeling）的方式與第一承載件10分開，無須使用第二承載件20。因此，圖5所示的第二承載件20僅供舉例說明，並非限制黑色模封件120與發光元件110兩者與第一承載件10的分開方法。
請參閱圖6與圖7，接著，在第二承載件20連接黑色模封件120以及發光元件110的狀況下，可以翻轉第二承載件20，讓裸露出來的接墊113朝上，如圖6所示。之後，在裸露的這些接墊113上形成線路結構140，如圖7所示。換句話說，線路結構140是在透明保護層130形成之後而形成於這些接墊113上，因此線路結構140會配置於黑色模封件120的第二表面122上。線路結構140電性連接些接墊113，以使這些發光元件110能透過線路結構140接收外部電源所提供的電能而發光。
在線路結構140形成之後，黑色模封件120與這些發光元件110兩者會與第二承載件20分開，而一種包括多個發光元件110、黑色模封件120、透明保護層130與線路結構140的發光封裝體100基本上已製造完成。形成線路結構140的方法可採用現有印刷電路板製程或電子封裝載板（electronic packaging carrier）製程，例如增層法（build-up）或疊合法（stack-up）。在圖7的實施例中，線路結構140包括多層線路層141、多層絕緣層142與144與多個導電連接件143。絕緣層142與144彼此堆疊，而絕緣層144位於線路結構140的最外側。
絕緣層144可以是防焊層，並可具有多個開口144a，其中這些開口144a可以局部暴露鄰近的線路層141，例如暴露線路層141的接墊（未標示）。開口144a所暴露的線路層141可利用焊料或打線（wire-bonding）而電性連接線路板（未繪示），以使發光封裝體100可以裝設於線路板上，並且電性連接線路板，其中此線路板可以是印刷線路板、電子封裝載板、軟性線路板（flexible wiring board）或軟硬複合線路板（rigid-flex wiring board）。另外，在圖7的實施例中，開口144a為防焊層定義（Solder Mask Defined，SMD），但在其他實施例中，開口144a可以是非防焊層定義（Non-Solder Mask Defined，NSMD）。
絕緣層142的材料可以包括陶瓷材料或高分子材料，其中高分子材料可以是環氧樹脂。絕緣層142還可以由膠片（prepreg）所製成，所以絕緣層142的材料可包括玻璃纖維。另外，由於黑色模封件120可具有可撓性，所以絕緣層142的材料可以選用具可撓性的高分子材料，例如聚醯亞胺（PI）或聚對苯二甲酸乙二酯（Polyethylene Terephthalate，PET），以使發光封裝體100具有可撓性，從而有利於製作可撓式顯示面板。
各個線路層141形成於這些絕緣層142與144其中相鄰兩層之間。以圖7為例，其中一層線路層141形成於相鄰兩層絕緣層142之間，而另一層線路層141形成於相鄰兩層絕緣層142與144之間。這些導電連接件143位於這些絕緣層142內，並且連接這些線路層141，以使這些線路層141能透過導電連接件143而彼此電性連接，其中導電連接件143可以是導電盲孔結構、導電通孔結構或導電埋孔結構，且可利用電鍍而形成。
值得一提的是，在圖7所示的實施例中，線路結構140包括兩層線路層141，但在其他實施例中，線路結構140可以只包括一層線路層141或三層以上的線路層141。因此，圖7所示的線路層141僅供舉例說明，並非限制線路結構140所包括的線路層141的數量。另外，由於圖4中的透明保護層130可以省略，因此發光封裝體100可以不包括透明保護層130。換句話說，圖7所示的透明保護層130可以省略。
綜上所述，上述黑色模封件可以作為黑矩陣，並能阻擋發光元件沿大出射角出射的光線。因此，黑色模封件可具有減少漏光的功能，以降低漏光對影像所造成的不良影響。其次，由於這些發光元件埋設於黑色模封件中，因此這些發光元件與黑色模封件可以整合成一體，而發光封裝體不需要進行兩塊基板之間的對位與組裝。
相較於由發光基板與彩色濾光基板組裝而成的現有發光二極體顯示面板，本發明至少一實施例的發光封裝體具有簡化製程與縮短製造時間等優點，而且更可以有效解決習知技術中因對位不準確而導致黑矩陣完全遮蓋一些發光二極體的缺點。如此，發光封裝體在顯示面板的應用上有助於提升影像品質。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明精神和範圍內，當可作些許更動與潤飾，因此本發明保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10:第一承載件
11:支撐板
12:黏著層
20:第二承載件
100:發光封裝體
110:發光元件
111:出光面
112:背面
113:接墊
113a:外表面
120:黑色模封件
120i:黑色模封材料
121、121i:第一表面
122:第二表面
130:透明保護層
140:線路結構
141:線路層
142、144:絕緣層
143:導電連接件
144a:開口
G1:間隙
圖1至圖7是本發明至少一實施例的發光封裝體的製造方法的流程剖面示意圖。
10:第一承載件
11:支撐板
12:黏著層
20:第二承載件
100:發光封裝體
110:發光元件
111:出光面
112:背面
113:接墊
120:黑色模封件
121:第一表面
122:第二表面
130:透明保護層
140:線路結構
141:線路層
142、144:絕緣層
143:導電連接件
144a:開口
Claims (13)
- 一種發光封裝體，包括：一黑色模封件，具有一第一表面與相對該第一表面的一第二表面，其中該黑色模封件具有可撓性；多個發光元件，埋設於該黑色模封件中，其中各該發光元件具有一出光面、相對於該出光面的一背面以及配置於該背面的一陽極與一陰極，各該發光元件的該出光面裸露於該第一表面，並與該第一表面切齊，而各該發光元件的該陽極與該陰極皆裸露於該第二表面；以及一線路結構，配置於該第二表面上，並電性連接該些發光元件的該陽極與該陰極，其中各該陽極與各該陰極兩者的外表面皆裸露於該第二表面，並與該第二表面切齊。
- 如請求項1所述的發光封裝體，其中該黑色模封件的光學密度大於2。
- 如請求項1所述的發光封裝體，其中該些發光元件皆為發光二極體晶粒。
- 如請求項1所述的發光封裝體，其中該黑色模封件直接接觸於該些發光元件。
- 如請求項1所述的發光封裝體，其中該些發 光元件包括多個紅色發光二極體、多個綠色發光二極體以及多個藍色發光二極體。
- 如請求項1所述的發光封裝體，還包括一透明保護層，其中該透明保護層配置於該第一表面，並覆蓋該些發光元件的該些出光面。
- 如請求項1所述的發光封裝體，其中該些發光元件彼此分開，以使該些發光元件之間存有多個間隙，而該黑色模封件填滿該些間隙。
- 如請求項1所述的發光封裝體，其中該線路結構包括：多個絕緣層；多個線路層，其中各個線路層形成於該些絕緣層其中相鄰兩層之間；以及多個導電連接件，位於該些絕緣層內，並連接該些線路層。
- 一種發光封裝體的製造方法，包括：提供多個發光元件，其中各該發光元件具有一出光面、相對於該出光面的一背面以及配置於該背面的多個接墊；將該些發光元件配置在一第一承載件上，其中該些發光元件之間存有多個間隙，而該些接墊位於該些出光面與該 第一承載件之間；在該第一承載件上形成一黑色模封材料，其中該黑色模封材料覆蓋該些發光元件與該些出光面，並填滿該些間隙，該黑色模封材料具有一第一表面與一相對該第一表面的第二表面，而該些發光元件與該第二表面皆位於該第一表面與該第一承載件之間；從該第一表面移除部分該黑色模封材料，以形成一黑色模封件，並裸露出該些出光面；將該黑色模封件與該些發光元件兩者與該第一承載件分開，以裸露出該些接墊；以及在裸露的該些接墊上形成一線路結構，其中該線路結構電性連接該些接墊。
- 如請求項9所述的發光封裝體的製造方法，其中從該第一表面移除部分該黑色模封材料的方法包括從該第一表面研磨該黑色模封材料。
- 如請求項9所述的發光封裝體的製造方法，其中在從該第一表面移除部分該黑色模封材料之後，還包括：在該黑色模封件上與該些出光面上形成一透明保護層。
- 如請求項11所述的發光封裝體的製造方法，其中該線路結構是在該透明保護層形成之後而形成。
- 如請求項9所述的發光封裝體的製造方法，其中在將該黑色模封件與該些發光元件兩者與該第一承載件分開的過程中，該黑色模封件與該些發光元件皆配置與連接於一第二承載件，其中該第二承載件遮蓋該些出光面。
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWM449351U (zh) * | 2012-08-21 | 2013-03-21 | Innovative Turnkey Solution Corp | 感測器封裝模組 |
| CN209947866U (zh) * | 2018-12-13 | 2020-01-14 | 广州硅芯电子科技有限公司 | Led显示模块 |
| TW202013768A (zh) * | 2018-06-04 | 2020-04-01 | 美商克里股份有限公司 | Led系統、設備及方法 |
| TW202032817A (zh) * | 2018-12-05 | 2020-09-01 | 日商Ｖ科技股份有限公司 | 微型ｌｅｄ封裝構造、微型ｌｅｄ顯示器及微型ｌｅｄ顯示器之製造方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6139071B2 (ja) * | 2012-07-30 | 2017-05-31 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置とその製造方法 |
| US9997676B2 (en) * | 2014-05-14 | 2018-06-12 | Genesis Photonics Inc. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| JP6517043B2 (ja) * | 2015-02-25 | 2019-05-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 光結合装置、光結合装置の製造方法および電力変換システム |
| KR20180000177A (ko) * | 2016-06-22 | 2018-01-02 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 표시장치 |
| JP7082270B2 (ja) * | 2017-08-28 | 2022-06-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| CN209804709U (zh) * | 2019-03-20 | 2019-12-17 | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 | 扇出型led的封装结构及电子显示屏 |
| KR20210034977A (ko) * | 2019-09-23 | 2021-03-31 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102288309B1 (ko) * | 2020-02-12 | 2021-08-10 | 한국광기술원 | 마이크로 led 디스플레이 제조방법 |
-
2020
- 2020-10-22 TW TW109136750A patent/TWI780503B/zh active
- 2020-11-24 US US17/102,458 patent/US20220131054A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWM449351U (zh) * | 2012-08-21 | 2013-03-21 | Innovative Turnkey Solution Corp | 感測器封裝模組 |
| TW202013768A (zh) * | 2018-06-04 | 2020-04-01 | 美商克里股份有限公司 | Led系統、設備及方法 |
| TW202032817A (zh) * | 2018-12-05 | 2020-09-01 | 日商Ｖ科技股份有限公司 | 微型ｌｅｄ封裝構造、微型ｌｅｄ顯示器及微型ｌｅｄ顯示器之製造方法 |
| CN209947866U (zh) * | 2018-12-13 | 2020-01-14 | 广州硅芯电子科技有限公司 | Led显示模块 |
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