JP7082270B2 - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7082270B2 JP7082270B2 JP2017163346A JP2017163346A JP7082270B2 JP 7082270 B2 JP7082270 B2 JP 7082270B2 JP 2017163346 A JP2017163346 A JP 2017163346A JP 2017163346 A JP2017163346 A JP 2017163346A JP 7082270 B2 JP7082270 B2 JP 7082270B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting device
- translucent member
- translucent
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/10—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Description
このような光源装置では、その用途によって、例えば、カメラフラッシュの光源として利用される場合には、複数の光源装置の混色によって白色光が再現されるが、均一な高い輝度等が要求される(例えば、特許文献1等参照)。
半導体層を含む積層構造体と、該積層構造体に接続された一対の電極とを備え、上面を光取り出し面とする複数の発光素子、
前記発光素子の前記光取り出し面に対向する下面と、該下面の反対側の面である上面とを有する複数の透光部材及び
前記発光素子の側面及び前記透光部材の側面を一体的に被覆する被覆部材を備える発光装置であって、
前記透光部材は、前記上面の面積が前記下面の面積よりも小さく、
前記複数の透光部材の上面の集合体により形成される発光部の外縁が、正方形又は円形であることを特徴とする発光装置。
この発光装置10においては、特に、複数の透光部材12は、それらの上面12aの集合体により形成される発光部を備え、その発光部の外縁(図1A中、点線で囲われた部分:X1)が正方形又は円形である。
このような構成によって、複数の発光素子を搭載する発光装置において、個々の発光素子間のギャップに起因する、輝度ムラ等を有効に防止することができ、輝度をも向上させることができる。また、光取り出し面側から見た発光装置の外観又は見映を向上させることができる。
発光素子11としては、例えば、発光ダイオード等の半導体発光素子を用いることができる。発光素子は、半導体層を含む積層構造体を有する。この積層構造体は、サファイア基板、積層構造体からの発光を透過する半導体材料(例えば、窒化物系半導体材料)等の透光性の成長基板を備えるものであってもよいし、成長基板を剥離し、半導体層が露出しているものであってもよい。積層構造体は、例えば、n型半導体層、発光層(活性層)及びp型半導体層等の複数の半導体層を含む。半導体層としては、例えば、III-V族化合物半導体、II-VI族化合物半導体等の半導体材料が挙げられる。具体的には、InXAlYGa1-X-YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)等の窒化物系の半導体材料を用いることができる。
一対の電極が積層構造体の同一面側に配置された場合、積層構造体の電極が配置されていない面側を発光素子の上面とし、積層構造体の電極配置面を下面とする。発光素子の上面が、光取り出し面となる。
透光部材12は、発光素子の光取り出し面側に配置されており、発光素子から出射された光を透過して外部に放出させる部材である。透光部材12は、少なくとも発光素子の光取り出し面の全面を被覆することが好ましい。例えば、透光部材12は、発光素子の光取り出し面と同じ大きさであることが好ましいが、±10%程度の大小は許容される。
透光部材12は、平面視において、四角形等の多角形、円形又は楕円形等、種々の形状とすることができる。なかでも、正方形又は略正方形であることが好ましい。これにより、光取り出し面側から見た発光装置、特に、後述する複数の透光部材による集合体の外観又は見映を向上させることができる。
透光部材12は、上面12aの面積が下面12bの面積よりも小さい形状であることが好ましい。例えば、上面12aに向かって、透光部材12の内側に傾斜するような側面を有していてもよいし、2つの部材が積層されたような段差のある側面を有していてもよい。つまり、透光部材12は、図5A等に示したように、側面に、側方に突出する凸部Zを有することが好ましい。この凸部Zは、下面に接する鉛直面又は傾斜面と、この鉛直面又は傾斜面に接し、かつ透光部材12の上面12aに平行な面とを有することが好ましい。この場合の凸部Zの下面は、透光部材12の下面12bと面一であることが好ましい。なかでも、側面に凸部を有するものが好ましい。凸部は、透光部材12の全側面に渡って配置されていてもよいが、一部の側面にのみ配置されていてもよい。
複数の透光部材において、複数の上下面の形状は、同じであってもよいが、一部又は全部が異なっていてもよい。形状の異同にかかわらず、上面の面積は全てが同じであることが好ましい。これによって、有効に輝度ムラを防止することができる。
透光部材12の上面12aは、発光装置における発光部を構成する。つまり、上面12aのみから、発光素子から出射された光が放出される。従って、発光装置において、複数の透光部材が、それらの上面の集合体により発光部を構成する。そして、その発光部の外縁は、透光部材の上面12aの形状に従って、種々の形状を採ることができる。なかでも、上面の集合体による発光部の外縁が正方形又は円形であることが好ましい。例えば、4つの発光素子及び透光部材を用い、個々の透光部材の上面の形状を扇形とし、その扇形状を透光部材の一点に偏在させ、4つを組み合わせて配置することにより、円形の発光部を得ることができる。同様に、4つの発光素子及び透光部材を用い、個々の透光部材の上面の形状を正方形とし、その正方形状を透光部材の一点に偏在させ、4つを組み合わせて配置することにより、正方形の発光部を得ることができる。このような形状とすることにより、複数の発光面を近接させることができ、発光部の輝度の向上、輝度ムラの低減、光取り出し面からの透光部材の外観又は見映えを向上させることができる。
例えば、透光部材間は、0.2mm以上間隔を置いて配置するのが好ましい。間隔を一定以上とすることにより、特定の発光素子から出射された光が、後述する被覆部材13を通過して、その特定の発光素子の上面に接続された透光部材以外の透光部材に入射して混色するのを防止することができる。透光部材間の間隔は広い方が良いが、広すぎると発光装置の大きさが大きくなるため、混色を防止する程度の間隔をあけることが好ましい。
なお、透光部材12の上下面12a、12bは、それぞれ凹凸があってもよいが、平坦であることが好ましく、上下面12a、12bが互いに平行であることがより好ましい。透光部材12は、発光素子11に対して1対1で配置されることが好ましい。
波長変換物質としては、例えば、発光素子からの発光で励起可能なものが挙げられる。例えば、青色発光素子又は紫外線発光素子で励起可能な波長変換物質としては、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(YAG:Ce);セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(LAG:Ce);ユウロピウムおよび/又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム系蛍光体(CaO-Al2O3-SiO2);ユウロピウムで賦活されたシリケート系蛍光体((Sr,Ba)2SiO4);βサイアロン蛍光体、CASN系蛍光体、SCASN系蛍光体等の窒化物系蛍光体;KSF系蛍光体(K2SiF6:Mn);硫化物系蛍光体、量子ドット蛍光体などが挙げられる。これらの波長変換物質と、青色発光素子又は紫外線発光素子と組み合わせることにより、様々な色の発光装置(例えば白色系の発光装置)を製造することができる。
また、透光部材12は、実質的に波長変換物質を含まなくてもよい。この場合は、発光素子からの光を波長変換することなく、そのまま透過させることとなる。例えば、赤、青、緑色をそれぞれ発光する発光素子を用いることで、これらの混色で白色光を発光させることが可能である。
また、透光部材には、粘度を調整する等の目的で、各種のフィラー等を含有させてもよい。
透光部材12は、発光素子11に対して、圧着、焼結、接着剤による接着等公知の方法により接続することができる。
被覆部材13は、発光素子11の側面及び透光部材12の側面を一体的に被覆する部材である。特に、被覆部材13は、その上面が、透光部材12の上面12aと面一であることが好ましい。これにより、各発光素子及び各透光部材の側面へと向かう光を遮ることができるため、配光が広がらず見切りがよい光又は輝度の高い光とすることができる。また、配光の広がりを抑制できることにより、レンズまたはリフレクタ等の光学部品を使用する場合に、光学部品も小さくすることができる。ここで、見切り性が良いとは、発光部と非発光部の境界が明確なことを意味し、発光領域と非発光領域との輝度差が急峻なほど、見切り性が良好であるといえる。
また、被覆部材13は、発光素子11の下面において、一対の電極を露出し、かつ発光素子を構成する積層構造体の下面を被覆することが好ましい。これにより、発光素子11の下面へと向かう光の一部を反射させて取り出すことができる。この場合、積層構造体の下面を被覆する被覆部材13の表面と、一対の電極の表面とが面一であることが好ましい。これにより、発光素子からの光の漏れを防止して、光取り出し効率を向上させることができる。
被覆部材13は、光反射性物質等の含有量及び/又は肉厚によって光の反射量、透過量等を変動させることができる。よって、得ようとする発光装置の特性等によって、これらを適宜調整することができる。例えば、光反射性物質の含有量は、被覆部材の総重量に対して30wt%以上とすることが好ましい。その肉厚は、例えば、発光装置の外側に配置する部位(図1B中のM)は、50μm~500μmが挙げられ、発光素子間に配置する部位(図1B中のQ)は100μm~1000μmが挙げられる。また、透光部材12の上面間に配置する部位(図1B中のW)はQと同程度、すなわち100μm~1000μmが挙げられる。
また、例えば、図6に示すように、発光装置10を実装基板16に実装する際に、発光装置の平面視において、被覆部材13表面の透光部材12を取り囲む領域に、透光部材12に含有される波長変換部材と同じ又は似ている色のレジスト15等を立体印刷等して、被覆部材13と透光部材12の境界を目立たなくしてもよい。その際に、実装基板16に実装されるその他の電子部品17の表面や、実装基板16の表面を、一体的にレジスト15で被覆してもよい。
発光装置は、発光素子11の光取り出し面とは反対側の面、つまり、下面側において、被覆部材13の表面を覆い、一対の電極とそれぞれ接続される複数の金属層14を有することが好ましい。例えば、複数の発光素子の一方の極性の複数の電極が第1金属層14a、他方の極性の複数の電極が第2金属層14bに接続されていることが好ましい。このように、第1金属層14a及び第2金属層14bは、発光素子の電極と接続されているため、発光装置の外部接続端子として機能させることができる。また、第1金属層14a及び/又は第2金属層14bは、大きさ、形状、形成される位置等によって、位置決め部としても機能させることができる。
また、第1金属層14a及び第2金属層14bは、左右対称形状とすることが好ましい。ただし、極性を示すために、一方の一部が欠けた形状等にしてもよい。また、発光素子の電極形状に応じて、種々の形状とすることができる。
金属層は、スパッタ、蒸着、原子層堆積(Atomic Layer Deposition;ALD)法、有機金属化学的気相成長(Metal Organic Chemical Vapor Deposition;MOCVD)法、プラズマCVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition;PECVD)法、大気圧プラズマ成膜法、めっき等によって形成することができる。
発光装置は、発光素子11の他に保護素子を設けてもよい。保護素子を設けることで、過大な電圧印加による素子破壊や性能劣化から保護することができる。保護素子は特に限定されるものではなく、公知のもののいずれでもよい。保護素子は、遮光部材に埋設して配置することが好ましい。
実施形態1に係る発光装置10は、図1A~図1Eに示すように、複数の発光素子11と、複数の透光部材12と、被覆部材13とを有する。
発光素子11は、半導体層を含む積層構造体と、この積層構造体の一面に接続された一対の電極11a、11bとを備え、上面12a、つまり、一対の電極11a、11bが配置されていない面を、光取り出し面とする。この実施形態では、正方形の発光素子11を2列×2行にて、4つ備える。この場合の発光素子間の距離(図1B中、Qに相当)は、600μmである。
透光部材12の上面12aの外縁は、平面視において、発光素子11の外縁と一致して配置されている。
透光部材12は、波長変換物質と透光性樹脂、例えば、シリコーン樹脂とを含有する。ここでの波長変換物質は、例えば、縦又は横に配列する2つの透光部材(第1の透光部材)に対して黄色蛍光体および赤色蛍光体であり、透光部材12の全重量に対して30%~80%で含有されており、縦又は横に配列する別の2つの透光部材(第2の透光部材)に対して黄色蛍光体であり、透光部材12の全重量に対して0.01%~80%で含有されている。これにより、第1の透光部材から発する白色光は、第2の透光部材から発する白色よりも色温度の低い白色光を呈するものとすることができる。
図1Aに示すように、複数の透光部材12は、それらの上面12aの集合体により形成される発光部を備え、この発光部の外縁(図1AのX1)は、正方形である。
被覆部材13は、光反射性物質と透光性樹脂とを含有する。透光性樹脂はシリコーン樹脂であり、光反射物質は酸化チタンであり、被覆部材13の全重量の40%で含有されている。
この実施形態では、被覆部材13の発光素子11間の厚みQは600μmであり、発光素子11の外側における厚みMは150μmである。
第1金属層14a及び第2金属層14bは、発光素子11の電極11a、11b側から、Ni/Ru/Auの積層構造で、総厚みは500Åである。
実施形態2に係る発光装置20は、図2A及び2Bに示すように、透光部材22は、平面視、正方形であり、上面22a及び下面22bも、平面視、正方形であり、それらの面積の差は、実施形態1の透光部材と同様であるが、上面22aの中心が、下面22bの中心からシフトしており、上面22aの正方形の2辺が、下面22bの2辺と重なった形状である。従って、凸部Z2は、平面視において、実質的に、透光部材22の2辺に配置されている。
この透光部材22は、上面22aと下面22bとの一致した2辺側を、発光装置20の中心に向かって対向するように配置されている。この場合の、発光素子11間の距離Rは、100μmである。
従って、発光部の外縁X2は、発光素子11における光取り出し面の面積が同じであるが、より小さい面積となり、より輝度が向上し、輝度ムラが防止される。
これら以外の構成は、実質的に実施形態1の発光装置10と同様の構成であり、実質的に同様の効果を有する。
実施形態3に係る発光装置30は、図3に示すように、透光部材32は、平面視、正方形であり、下面32bも、平面視、正方形であるが、上面32aが扇形である。また、上下面32a、32bの面積の差は、実施形態1の透光部材と同様であるが、上面32aの扇形の隣接する直線状の2辺が、下面32bの2辺と重なった形状である。従って、凸部は、平面視において、実質的に、透光部材32の2辺以外の部位に配置されている。
この透光部材32は、上面32aと下面32bとの一致した2辺側を、発光装置30の中心に向かって対向するように配置されている。この場合の、発光素子11間の距離は、100μmである。
従って、発光部の外縁X3は、円形であり、発光素子11における光取り出し面の面積よりも若干小さく、より輝度が向上し、輝度ムラが防止される。
これら以外の構成は、実質的に実施形態1及び2の発光装置10、20と同様の構成であり、実質的に同様の効果を有する。
11 発光素子
11a、11b 電極
12、22、32、42、52、62 透光部材
12a、22a、32a 上面
12b、22b、32b 下面
13 被覆部材
14 金属層
14a 第1金属層
14b 第2金属層
15 レジスト
16 実装基板
17 電子部品
42A、42B、52A、52B、62A、62B 層
X1、X2、X3 外縁
Z、Z2 凸部
Claims (12)
- 半導体層を含む積層構造体と、該積層構造体の下面側に接続された一対の電極とを備え、上面を光取り出し面とする複数の発光素子、
前記発光素子の前記光取り出し面に対向する下面と、該下面の反対側の面である上面とを有する複数の透光部材及び
前記発光素子の側面及び前記透光部材の側面を一体的に被覆し、かつ前記積層構造体の下面を被覆する被覆部材を備える発光装置であって、
前記積層構造体の下面を被覆する前記被覆部材の表面と、前記一対の電極の表面とが面一であり、
前記複数の透光部材は、前記上面の面積が前記下面の面積の80%以上98%以下であり、前記上面の面積が同じであり、かつ、前記複数の発光素子のそれぞれに配置され、
前記複数の透光部材は、平面視で前記透光部材の前記上面及び前記下面の発光装置の中心に向かって対向する縁の一部が前記発光素子の外縁と一致し、それらの前記上面の集合体により形成される発光部を備え、該発光部の外縁が、正方形又は円形であることを特徴とする発光装置。 - 前記複数の透光部材の上面の形状及び下面の形状は、相似である請求項1に記載の発光装置。
- 1つの前記透光部材は、その上面の形状が扇形である請求項1又は2に記載の発光装置。
- 少なくとも1つの前記透光部材は、波長変換物質を含有する請求項1~3のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記複数の透光部材は、それぞれ異なる組成の波長変換物質を含有する第1の透光部材及び第2の透光部材である請求項1~4のいずれか1項に記載の発光装置。
- 少なくとも1つの前記透光部材は、実質的に波長変換物質を含有しない請求項1~5のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記発光装置は、前記光取り出し面とは反対側の面において、前記被覆部材の表面を覆い、前記一対の電極とそれぞれ接続される第1金属層及び第2金属層を備える請求項1~6のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記第2金属層は少なくとも2つに分離されており、前記第1金属層を挟む位置に配置されている請求項7に記載の発光装置。
- 前記透光部材は、前記側面に、側方に突出する凸部を有し、前記凸部は、前記下面に接する鉛直面と、該鉛直面に接し、かつ前記透光部材の上面に平行な面とを有する請求項1~8のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記透光部材は、その上面が、前記被覆部材の上面と面一である請求項1~9のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記透光部材は、その上面の縁が、平面視において、前記発光素子の外縁と一致する請求項1~10のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記被覆部材は、光反射性物質を含有する請求項1~11のいずれか1項に記載の発光装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017163346A JP7082270B2 (ja) | 2017-08-28 | 2017-08-28 | 発光装置 |
US16/112,143 US11152546B2 (en) | 2017-08-28 | 2018-08-24 | Light-emitting device |
CN201810984528.5A CN109427757B (zh) | 2017-08-28 | 2018-08-27 | 发光装置 |
KR1020180100271A KR102535690B1 (ko) | 2017-08-28 | 2018-08-27 | 발광 장치 |
US17/385,900 US11710810B2 (en) | 2017-08-28 | 2021-07-26 | Light-emitting device |
US18/174,490 US20230223502A1 (en) | 2017-08-28 | 2023-02-24 | Light-emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017163346A JP7082270B2 (ja) | 2017-08-28 | 2017-08-28 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019041044A JP2019041044A (ja) | 2019-03-14 |
JP7082270B2 true JP7082270B2 (ja) | 2022-06-08 |
Family
ID=65437119
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017163346A Active JP7082270B2 (ja) | 2017-08-28 | 2017-08-28 | 発光装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US11152546B2 (ja) |
JP (1) | JP7082270B2 (ja) |
KR (1) | KR102535690B1 (ja) |
CN (1) | CN109427757B (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWD186014S (zh) * | 2016-09-29 | 2017-10-11 | 新世紀光電股份有限公司 | 發光二極體模組之部分 |
CN109599465A (zh) * | 2017-09-30 | 2019-04-09 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管芯片结构 |
TWD201606S (zh) * | 2018-06-28 | 2019-12-21 | 晶元光電股份有限公司 | 發光裝置 |
JP7260776B2 (ja) * | 2019-05-29 | 2023-04-19 | 日亜化学工業株式会社 | 光学部品の製造方法及び発光装置の製造方法 |
JP7060810B2 (ja) * | 2019-11-19 | 2022-04-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
JP7108196B2 (ja) | 2019-12-26 | 2022-07-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、波長変換部材の製造方法及び発光装置の製造方法 |
JP7417067B2 (ja) | 2020-01-30 | 2024-01-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP7448805B2 (ja) | 2020-04-28 | 2024-03-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
USD993199S1 (en) * | 2020-06-22 | 2023-07-25 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
TWI780503B (zh) * | 2020-10-22 | 2022-10-11 | 欣興電子股份有限公司 | 發光封裝體及其製造方法 |
EP4310912A1 (en) * | 2022-07-21 | 2024-01-24 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100123145A1 (en) | 2008-11-18 | 2010-05-20 | Sang Youl Lee | Light emitting device and light emitting device package having the same |
JP2010272847A (ja) | 2009-04-20 | 2010-12-02 | Nichia Corp | 発光装置 |
JP2012199218A (ja) | 2010-09-09 | 2012-10-18 | Mitsubishi Chemicals Corp | 発光装置、照明システム及び照明方法 |
JP2012243822A (ja) | 2011-05-16 | 2012-12-10 | Citizen Electronics Co Ltd | Led発光装置とその製造方法 |
JP2013016588A (ja) | 2011-07-01 | 2013-01-24 | Citizen Electronics Co Ltd | Led発光装置 |
WO2013061511A1 (ja) | 2011-10-27 | 2013-05-02 | パナソニック株式会社 | 発光装置 |
WO2014171277A1 (ja) | 2013-04-17 | 2014-10-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2015126209A (ja) | 2013-12-27 | 2015-07-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2015220446A (ja) | 2014-05-21 | 2015-12-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2016021572A (ja) | 2014-07-14 | 2016-02-04 | 新世紀光電股▲ふん▼有限公司Genesis Photonics Inc. | 発光ユニットおよび発光モジュール |
JP2016058447A (ja) | 2014-09-05 | 2016-04-21 | 大日本印刷株式会社 | Ledパッケージおよびその製造方法、ならびにled素子搭載基板およびその製造方法 |
JP2016115729A (ja) | 2014-12-11 | 2016-06-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造法 |
JP2017050359A (ja) | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US20170125647A1 (en) | 2015-11-02 | 2017-05-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light-emitting diode package and method of manufacturing the same |
JP2017108091A (ja) | 2015-11-30 | 2017-06-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2017183427A (ja) | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
JP3213056U (ja) | 2017-03-27 | 2017-10-19 | 聯嘉光電股▲ふん▼有限公司 | 単一ウェハー上に異なる発光色を生じる発光ダイオードの発光層構造 |
JP6940776B2 (ja) | 2018-11-05 | 2021-09-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8163580B2 (en) | 2005-08-10 | 2012-04-24 | Philips Lumileds Lighting Company Llc | Multiple die LED and lens optical system |
CN101858492A (zh) * | 2009-04-09 | 2010-10-13 | 大连路明发光科技股份有限公司 | 一种led照明装置及其在灯具中的应用 |
JP2015056650A (ja) | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 株式会社東芝 | 発光装置 |
JP2015156209A (ja) | 2014-01-17 | 2015-08-27 | 株式会社リコー | 情報処理システム |
JP6486078B2 (ja) | 2014-11-21 | 2019-03-20 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
WO2016094422A1 (en) | 2014-12-08 | 2016-06-16 | Koninklijke Philips N.V. | Wavelength converted semiconductor light emitting device |
US10510934B2 (en) | 2015-11-30 | 2019-12-17 | Nichia Corporation | Light emitting device |
-
2017
- 2017-08-28 JP JP2017163346A patent/JP7082270B2/ja active Active
-
2018
- 2018-08-24 US US16/112,143 patent/US11152546B2/en active Active
- 2018-08-27 CN CN201810984528.5A patent/CN109427757B/zh active Active
- 2018-08-27 KR KR1020180100271A patent/KR102535690B1/ko active IP Right Grant
-
2021
- 2021-07-26 US US17/385,900 patent/US11710810B2/en active Active
-
2023
- 2023-02-24 US US18/174,490 patent/US20230223502A1/en active Pending
Patent Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100123145A1 (en) | 2008-11-18 | 2010-05-20 | Sang Youl Lee | Light emitting device and light emitting device package having the same |
JP2010272847A (ja) | 2009-04-20 | 2010-12-02 | Nichia Corp | 発光装置 |
JP2012199218A (ja) | 2010-09-09 | 2012-10-18 | Mitsubishi Chemicals Corp | 発光装置、照明システム及び照明方法 |
JP2012243822A (ja) | 2011-05-16 | 2012-12-10 | Citizen Electronics Co Ltd | Led発光装置とその製造方法 |
JP2013016588A (ja) | 2011-07-01 | 2013-01-24 | Citizen Electronics Co Ltd | Led発光装置 |
WO2013061511A1 (ja) | 2011-10-27 | 2013-05-02 | パナソニック株式会社 | 発光装置 |
WO2014171277A1 (ja) | 2013-04-17 | 2014-10-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2015126209A (ja) | 2013-12-27 | 2015-07-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2015220446A (ja) | 2014-05-21 | 2015-12-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2016021572A (ja) | 2014-07-14 | 2016-02-04 | 新世紀光電股▲ふん▼有限公司Genesis Photonics Inc. | 発光ユニットおよび発光モジュール |
JP2016058447A (ja) | 2014-09-05 | 2016-04-21 | 大日本印刷株式会社 | Ledパッケージおよびその製造方法、ならびにled素子搭載基板およびその製造方法 |
JP2016115729A (ja) | 2014-12-11 | 2016-06-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造法 |
JP2017050359A (ja) | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US20170125647A1 (en) | 2015-11-02 | 2017-05-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light-emitting diode package and method of manufacturing the same |
JP2017108091A (ja) | 2015-11-30 | 2017-06-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2017183427A (ja) | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
JP3213056U (ja) | 2017-03-27 | 2017-10-19 | 聯嘉光電股▲ふん▼有限公司 | 単一ウェハー上に異なる発光色を生じる発光ダイオードの発光層構造 |
JP6940776B2 (ja) | 2018-11-05 | 2021-09-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210359172A1 (en) | 2021-11-18 |
KR102535690B1 (ko) | 2023-05-24 |
US11710810B2 (en) | 2023-07-25 |
CN109427757B (zh) | 2023-09-19 |
JP2019041044A (ja) | 2019-03-14 |
US20190067536A1 (en) | 2019-02-28 |
CN109427757A (zh) | 2019-03-05 |
US20230223502A1 (en) | 2023-07-13 |
US11152546B2 (en) | 2021-10-19 |
KR20190024753A (ko) | 2019-03-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7082270B2 (ja) | 発光装置 | |
US11791324B2 (en) | Light emitting device | |
JP6658723B2 (ja) | 発光装置 | |
US9412914B2 (en) | Light emitting device | |
JP6331389B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6248431B2 (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
JP6156402B2 (ja) | 発光装置 | |
TW201806190A (zh) | 發光裝置及其製造方法 | |
JP6481559B2 (ja) | 発光装置 | |
CN117457830A (zh) | 发光装置 | |
JP2019016780A (ja) | 発光装置 | |
KR102498145B1 (ko) | 발광 장치 | |
CN111509100A (zh) | 发光二极管 | |
KR20200038864A (ko) | 발광 장치 | |
JP2016174120A (ja) | 発光装置 | |
JP6638748B2 (ja) | 発光素子及び発光装置 | |
JP6699580B2 (ja) | 発光装置 | |
CN111009603A (zh) | 发光装置 | |
JP6520482B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2017168864A (ja) | 発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200730 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210728 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210817 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211006 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220301 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220419 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220426 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220509 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7082270 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |