CN109427757B - 发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于，提供一种能够实现亮度的提高、亮度不均的降低等的发光装置。发光装置具备：多个发光元件，具备包括半导体层的层叠构造体和与该层叠构造体连接的一对电极，将上表面作为光取出面；多个透光构件，具有与所述发光元件的所述光取出面对置的下表面、和作为该下表面的相反一侧的面的上表面；以及覆盖构件，一体地覆盖所述发光元件的侧面以及所述透光构件的侧面，其中，所述透光构件的所述上表面的面积比所述下表面的面积小，所述多个透光构件具备由它们的上表面的集合体形成的发光部，该发光部的外缘为正方形或者圆形。

Description

发光装置
技术领域
本发明涉及发光装置。
背景技术
以往，在电子设备等中使用了各种光源，近年来，利用的是使用了将发光元件和波长变换物质组合在一起的发光二极管的光源装置。
在这种光源装置中，根据其用途例如作为相机闪光灯的光源来利用的情况下，虽然由于多个光源装置的混色而会再现白色光，但却要求均匀且高的亮度等(例如，参照美国专利第8163580号等)。
但是，在排列多个发光装置的情况下，为了确保安装精度，发光装置之间需要某种程度的间隔，因此有时无法充分获得发光装置之间的亮度，会发生亮度不均。
发明内容
发明要解决的课题
本发明正是鉴于上述课题而完成的，其目的在于，提供一种能够实现亮度的提高且亮度不均的降低的发光装置。
用于解决课题的手段
本发明的实施方式包括以下的结构。
发光装置具备：
多个发光元件，具备包括半导体层的层叠构造体和与该层叠构造体连接的一对电极，将上表面作为光取出面；
多个透光构件，具有与所述发光元件的所述光取出面对置的下表面、和作为该下表面的相反一侧的面的上表面；以及
覆盖构件，一体地覆盖所述发光元件的侧面以及所述透光构件的侧面，
所述发光装置的特征在于，
所述透光构件的所述上表面的面积比所述下表面的面积小，
由所述多个透光构件的上表面的集合体形成的发光部的外缘为正方形或者圆形。
发明效果
根据本发明的发光装置，能够实现亮度的提高且亮度不均的降低。
附图说明
图1A是实施方式1的发光装置的示意俯视图。
图1B是图1A的A-A’线剖视图。
图1C是实施方式1的发光装置的示意仰视图。
图1D是从实施方式1的发光装置的斜上方的示意立体图。
图1E是从实施方式1的发光装置的斜下方的示意立体图。
图2A是实施方式2的发光装置的示意俯视图。
图2B是图2A的B-B’线剖视图。
图3是实施方式3的发光装置的示意俯视图。
图4A是实施方式的发光装置的示意底视图的一例。
图4B是实施方式的发光装置的示意底视图的一例。
图5A是实施方式的发光装置中使用的透光构件的剖视图的一例。
图5B是实施方式的发光装置中使用的透光构件的剖视图的一例。
图5C是实施方式的发光装置中使用的透光构件的剖视图的一例。
图5D是实施方式的发光装置中使用的透光构件的剖视图的一例。
图6是表示实施方式1中的发光装置的覆盖构件的变形例的示意剖视图。
符号说明
10、20、30：发光装置；
11：发光元件；
11a、11b：电极；
12、22、32、42、52、62：透光构件；
12a、22a、32a：上表面；
12b、22b、32b：下表面；
13：覆盖构件；
14：金属层；
14a：第1金属层；
14b：第2金属层；
15：抗蚀剂；
16：安装基板；
17：电子部件；
42A、42B、52A、52B、62A、62B：层；
X1、X2、X3：外缘；
Z、Z2：凸部。
具体实施方式
以下，基于附图来详细地说明本发明的实施方式。另外，在以下的说明中，根据需要而利用表示特定的方向、位置的术语(例如，“上”、“下”、“右”、“左”以及包括这些术语的其他术语)。这些术语的使用为了参照附图而容易理解发明，并非通过这些术语来限定本发明的技术范围。多个附图中示出的同一符号的部分表示同一部分或者构件。
本发明的一实施方式的发光装置10例如如图1A～1E所示具备发光元件11、透光构件12和覆盖构件13。
在该发光装置10中，尤其是，多个透光构件12具备由它们的上表面12a的集合体形成的发光部，该发光部的外缘(在图1A中，由虚线包围的部分：X1)为正方形或者圆形。
根据这种结构，在搭载多个发光元件的发光装置中，能够有效地防止各个发光元件之间的间隙所引起的亮度不均等，还能够提高亮度。此外，能够提高从光取出面侧看到的发光装置的外观或者美观。
(发光元件11)
作为发光元件11，例如能够利用发光二极管等半导体发光元件。发光元件具有包括半导体层的层叠构造体。该层叠构造体可以具备蓝宝石基板、使来自层叠构造体的发光透射的半导体材料(例如，氮化物系半导体材料)等的透光性的生长基板，也可以剥离生长基板而露出半导体层。层叠构造体例如包括n型半导体层、发光层(活性层)以及p型半导体层等的多个半导体层。作为半导体层，例如，可列举III-V族化合物半导体、II-VI族化合物半导体等的半导体材料。具体而言，能够利用InXAlYGa1-X-YN(0≤X，0≤Y，X+Y≤1)等的氮化物系的半导体材料。
发光元件11具备与层叠构造体连接的一对电极11a、11b。一对电极11a、11b优选连接在层叠构造体的同一面侧，但也可以连接在不同的面。一对电极11a、11b只要是与层叠构造体进行如电流-电压特性成为直线或者大致直线的欧姆连接即可，可以为单层构造，也可以为层叠构造。这种电极在本领域中能够以公知的材料以及结构且以任意的厚度来形成。例如，电极的厚度优选为十几μm～300μm。此外，作为电极，能够利用电的良导体，例如、Cu等的金属是合适的。电极形状能够根据目的、用途等来选择各种形状。发光元件的一对电极分别可以为相同的形状，也可以为不同的形状。
在一对电极配置于层叠构造体的同一面侧的情况下，将层叠构造体的未配置电极的面侧设为发光元件的上表面，将层叠构造体的电极配置面设为下表面。发光元件的上表面成为光取出面。
在发光装置中排列多个发光元件11的情况下，例如在排列四个的情况下，也可以2列×2行的方式如图1C所示那样配置为每列排列相同极性的电极11a、11b，在一个列和另一个列中配置为极性对称，如图4A所示，可以在相同列配置相同极性的电极11a、11b，且在行中配置为极性不同的电极11a、11b交替排列，如图4B所示，也可以配置为将在行以及列中相邻的电极11a、11b朝一个方向旋转90度。
发光元件的波长能够根据要获得的发光装置的特性来适当决定，例如，可列举400nm～700nm的范围。发光元件可以在一个发光装置中利用两个，但优选利用四个以上，也可以利用六个。其中，优选利用偶数个，更优选利用四个或者六个。
发光元件11在俯视下能够设为四边形、六边形等多边形、圆或者椭圆等的各种形状，但优选为四边形，更优选为正方形或者大致正方形(长边与短边之差为±10％程度)。另外，在本申请说明书中，“大致正方形”这一术语表示相同的意思。此外，在一个发光装置中，优选配置为包围多个发光元件的这些外缘成为四边形，更优选配置为正方形或者大致正方形。例如，优选利用俯视为长方形的两个发光元件11，在短边方向上配置两个来利用。优选在利用俯视为正方形的四个发光元件11的情况下，纵横各配置两个来利用。通过这种配置，能够提高从光取出面侧看到的发光装置的外观或者美观。
(透光构件12)
透光构件12是配置在发光元件的光取出面侧、且使从发光元件射出的光透射并释放至外部的构件。优选透光构件12至少覆盖发光元件的光取出面的整个面。例如，优选透光构件12是与发光元件的光取出面相同的大小，但容许±10％程度的大小。
透光构件12在俯视下能够设为四边形等多边形、圆形或者椭圆形等的各种形状。其中，优选为正方形或者大致正方形。由此，能够提高从光取出面侧看到的发光装置，尤其是由后述的多个透光构件构成的集合体的外观或者美观。
透光构件12具有与发光元件的光取出面对置的下表面12b、和作为该下表面12b的相反一侧的面的上表面12a。
透光构件12优选为上表面12a的面积比下表面12b的面积小的形状。例如，可以具有如朝上表面12a而向透光构件12的内侧倾斜的侧面，也可以具有如层叠两个构件的具有台阶的侧面。即，透光构件12如图5A等所示那样优选在侧面具有向侧方突出的凸部Z。优选该凸部Z具有与下表面相接的铅垂面或者倾斜面、和与该铅垂面或者倾斜面相接且与透光构件12的上表面12a平行的面。优选该情况下的凸部Z的下表面与透光构件12的下表面12b齐平。其中，优选在侧面具有凸部。凸部可以遍及透光构件12的整个侧面来配置，但也可以仅配置在一部分的侧面。
关于上表面12a的面积与下表面12b的面积之差，例如优选上表面12a的面积为下表面12b的面积的98％以下，更优选为95％以下，进一步优选为93％以下。此外，优选为80％以上，更优选为82％以上，进一步优选为85％以上。尤其是，优选透光构件12的上表面12a的边缘在俯视下与发光元件11的外缘一致。由此，能够提高光的取出效率。另一方面，也可透光构件12的下表面12b的边缘在俯视下与发光元件11的外缘一致。由此，能够防止漏光，更进一步提高从上表面12a取出光的光取出效率，从而提高亮度。
透光构件的凸部在切割透光构件来单片化时，通过适当选择切割刀的刀尖角度以及刀刃宽度，从而能够形成为凸部形状。此外，作为切割方法，通过半切割也能够形成。通过这种凸部的制造方法，如图5A所示，透光构件12的整体如后述那样能够作为含有相同波长变换构件的一体式结构。
上表面12a的形状可以与下表面12b的形状相同，即，可以相似，也可以不同。例如，下表面12b在俯视下为正方形的情况下，上表面可以为正方形，也可以为圆形或者椭圆形等，还可以为扇形。此外，与形状的差别无关地，它们的中心或者重心可以为相同的点，它们的中心或者重心也可以不重叠。
在多个透光构件中，多个上下表面的形状可以相同，但也可以一部分或者全部不同。与形状的差别无关地，优选上表面的面积全部相同。由此，能够有效地防止亮度不均。
透光构件12的上表面12a构成发光装置中的发光部。即，仅从上表面12a释放自发光元件射出的光。因此，在发光装置中，多个透光构件通过它们的上表面的集合体来构成发光部。而且，该发光部的外缘能够根据透光构件的上表面12a的形状而采取各种形状。其中，优选由上表面的集合体构成的发光部的外缘为正方形或者圆形。例如，利用四个发光元件以及透光构件，将各个透光构件的上表面的形状设为扇形，使该扇形状偏向透光构件的一点，组合四个来配置，从而能够获得圆形的发光部。同样地，利用四个发光元件以及透光构件，将各个透光构件的上表面的形状设为正方形，使该正方形状偏向透光构件的一点，组合四个来配置，从而能够获得正方形的发光部。通过设为这种形状，从而能够使多个发光面靠近，能够提高发光部的亮度，降低亮度不均，提高从光取出面看到的透光构件的外观或者美观。
例如，优选透光构件间空出0.2mm以上间隔来配置。通过将间隔设为一定以上，由此能够防止从特定的发光元件射出的光通过后述的覆盖构件13入射至与该特定的发光元件的上表面连接的透光构件以外的透光构件而发生混色。透光构件间的间隔较宽为宜，但若过宽则发光装置的大小变大，因此优选空出防止混色的程度的间隔。
另外，透光构件12的上下表面12a、12b分别可以为凹凸，但优选为平坦，更优选上下表面12a、12b相互平行。优选透光构件12相对于发光元件11而以1对1的方式配置。
透光构件12可以包含波长变换物质。波长变换物质可以为荧光体的单晶、多晶或者荧光体粉末的烧结体等的从荧光体锭切出的物质等，由其自身构成透光构件，但也可以包含透光性树脂作为结合剂。
作为波长变换物质，例如，可列举能够以来自发光元件的发光激励的物质。例如，作为能够以蓝色发光元件或者紫外线发光元件激励的波长变换物质，可列举被铈活化的钇·铝·石榴石系荧光体(YAG：Ce)；被铈活化的镥·铝·石榴石系荧光体(LAG：Ce)；被铕以及/或者铬活化的含氮的铝硅酸钙系荧光体(CaO-Al2O3-SiO2)；被铕活化的硅酸盐系荧光体((Sr，Ba)2SiO4)；β塞隆荧光体、CASN系荧光体、SCASN系荧光体等的氮化物系荧光体；KSF系荧光体(K2SiF6：Mn)；硫化物系荧光体、量子点荧光体等。通过组合这些波长变换物质和蓝色发光元件或者紫外线发光元件，从而能够制造各种颜色的发光装置(例如白色系的发光装置)。
此外，透光构件12实质上可以不包括波长变换物质。在该情况下，不会对来自发光元件的光进行波长变换，而使其直接透射。例如，通过利用发出红色、绿色、蓝色的光的发光元件，从而能够以它们的混色来发出白色光。
此外，在透光构件中，以调整粘度等为目的，可以含有各种填料等。
透光构件12只要为透光性即可，可以为层叠构造。例如，如图5B所示，也可以是使透光构件42的一个层42A和另一个层42B含有相同的波长变换物质，对大小不同的板状体进行层叠等的层叠构造。一个层42A和另一个层42B的厚度可以不同，也可以相同。此外，例如，如图5C所示，可以是使透光构件52的一个层52A和另一个层52B含有不同的波长变换物质等的层叠构造，如图5D所示，也可以透光构件62的一个层62A含有波长变换物质，另一个层62B不含有波长变换物质，含有填料等的层被层叠而成，这种层可以交替层叠多个。进而，在构成一个发光装置的多个透光构件中，可以在其一个或者多个中含有不同组成(种类以及/或者量)的波长变换构件。多个透光构件12也可以相同的数量划分成第1透光构件以及第2透光构件这两个组，在各个组中可以含有相同组成的波长变换构件，针对彼此的组而含有不同组成的波长变换构件。其中，优选利用可获得不同发光色的波长变换构件。
作为透光性材料，能够使用透光性树脂、玻璃、陶瓷等。尤其是，优选透光性树脂，能够利用硅酮树脂、硅酮改性树脂、环氧树脂、酚醛树脂等的热固化性树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、甲基戊烯树脂、聚降冰片烯树脂等的热可塑性树脂。尤其是，优选耐光性、耐热性优异的硅酮树脂。
透光构件12相对于发光元件11能够通过压接、烧结、基于粘接剂的粘接等公知的方法来连接。
(覆盖构件13)
覆盖构件13是一体地覆盖发光元件11的侧面以及透光构件12的侧面的构件。尤其是，优选覆盖构件13的上表面与透光构件12的上表面12a齐平。由此，能够遮挡朝向各发光元件以及各透光构件的侧面的光，因此能够成为配光不扩展、分隔良好的光或者亮度高的光。此外，能够抑制配光的扩展，由此在使用透镜或反射器等光学部件的情况下，还能够减小光学部件。在此，分隔性良好意味着发光部和非发光部的边界明确，可以说发光区域与非发光区域的亮度差越陡峭则分隔性越良好。
此外，优选覆盖构件13在发光元件11的下表面使一对电极露出、且覆盖构成发光元件的层叠构造体的下表面。由此，能够使朝向发光元件11的下表面的光的一部分反射而取出。在该情况下，优选覆盖层叠构造体的下表面的覆盖构件13的表面和一对电极的表面齐平。由此，能够防止从发光元件漏光，从而提高光取出效率。
覆盖构件13优选以硅酮树脂、硅酮改性树脂、环氧树脂、酚醛树脂等的热固化性树脂为主成分的树脂构件，更优选设为光反射性的树脂构件。光反射性树脂意味着相对于来自发光元件的光的反射率为70％以上的树脂材料。例如，优选白色树脂等。达到覆盖构件的光被反射从而朝向发光元件的光取出面，由此能够提高发光装置的光取出效率。
作为光反射性树脂，例如能够使用在透光性树脂中分散了光反射性物质的树脂。作为光反射性物质，例如优选氧化钛、氧化硅、氧化锆、钛酸钾、氧化铝、氮化铝、氮化硼、莫来石等。光反射性物质能够利用粒状、纤维状、薄板片状等，但尤其纤维状的物质还能够期待降低覆盖构件的热膨胀率的效果，因此优选。
覆盖构件13能够根据光反射性物质等的含有量以及/或者壁厚来使光的反射量、透射量等变动。由此，能够根据要获得的发光装置的特性等来适当调整它们。例如，优选光反射性物质的含有量相对于覆盖构件的总重量而设为30wt％以上。关于其壁厚，例如配置在发光装置的外侧的部位(图1B中的M)可列举50μm～500μm，配置在发光元件之间的部位(图1B中的Q)可列举100μm～1000μm。此外，配置在透光构件12的上表面之间的部位(图1B中的W)可列举与Q相同的程度，即，100μm～1000μm。
覆盖构件13例如能够以射出成型、灌封成型、树脂印刷法、传递模塑法、压缩成型、立体印刷等来成型。
此外，例如，如图6所示，在将发光装置10安装于安装基板16时，在发光装置的俯视下，可以在覆盖构件13表面的包围透光构件12的区域，进行与透光构件12中含有的波长变换构件相同或者相似的颜色的抗蚀剂15等的立体印刷等，从而使得覆盖构件13和透光构件12的边界不明显。此时，可以由抗蚀剂15一体地覆盖安装于安装基板16的其他电子部件17的表面、安装基板16的表面。
(金属层14)
发光装置优选在发光元件11的与光取出面相反一侧的面即下表面侧，具有覆盖覆盖构件13的表面且分别与一对电极连接的多个金属层14。例如，优选多个发光元件的一个极性的多个电极与第1金属层14a连接，另一个极性的多个电极与第2金属层14b连接。如此，第1金属层14a以及第2金属层14b与发光元件的电极连接，因此能够作为发光装置的外部连接端子发挥功能。此外，第1金属层14a以及/或者第2金属层14b根据大小、形状、被形成的位置等还能够作为定位部发挥功能。
优选金属层14为与发光元件11的电极相同的面积或者比其大的面积。此外，优选第1金属层14a以及第2金属层14b分别设为大致相同的大小以及相同的形状。例如，该形状能够设为正方形、长方形等的四边形、三边形、五边形、六边形等的多边形、其一部缺损的形状、其一部带圆润度的形状等。
此外，优选第1金属层14a以及第2金属层14b设为左右对称形状。不过，为了表示极性，可以设为一方的一部分缺损的形状等。此外，能够根据发光元件的电极形状而设为各种形状。
优选第1金属层14a与第2金属层14b之间的距离设为在与搭载发光装置的布线基板等接合时难以因焊料等接合构件的扩展而短路的距离。该距离例如优选至少为20μm以上，更优选设为50μm以上。
优选金属层由与电极相比耐腐蚀性以及耐氧化性更优异的物质形成。例如，最外表面的层优选Au、Pt等的铂族元素的金属。此外，在金属层覆盖发光装置的被焊接的面的情况下，优选对于最外表面而利用焊接性良好的Au。金属层可以仅由单一材料的一层构成，也可以层叠不同材料的层来构成。尤其是，优选利用高熔点的金属层，例如能够列举Ru、Mo、Ta等。此外，通过将这些高熔点的金属设置在发光元件的电极与最外表面的层之间，从而能够作为能降低焊料中包含的Sn向电极、接近电极的层扩散的扩散防止层。作为具备这种扩散防止层的金属层的层叠构造的例子，可列举Ni/Ru/Au、Ti/Pt/Au等。此外，作为扩散防止层(例如Ru)的厚度，可列举1nm～100nm。
金属层的厚度能够选择多种。能够设为选择性地引起激光烧蚀的程度，例如优选为1μm以下，更优选为100nm以下。此外，优选能够降低电极的腐蚀的厚度，例如5nm以上。在此，金属层的厚度在金属层是层叠多个层而构成的情况下，是指多个层的合计的厚度。
第1金属层14a以及第2金属层14b可以分别各配置一个，例如，第2金属层14b可以至少分离为两个，配置在夹着第1金属层14a的位置(例如，如图1C所示的电极11a、11b的配置的情况等)，第1金属层14a和第2金属层14b可以分别交替地配置两个以上(例如，如图4A所示的电极11a、11b的配置的情况等)。此外，优选根据如图4B所示的电极11a、11b的配置等来适当变更形状以及大小等。
金属层能够通过溅射、蒸渡、原子层沉积(Atomic Layer Deposition；ALD)法、有机金属化学气相生长(Metal Organic Chemical Vapor Deposition；MOCVD)法、等离子CVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition；PECVD)法、大气压等离子成膜法、镀敷等来形成。
(保护元件)
发光装置除了发光元件11之外还可以设置保护元件。通过设置保护元件，由此能够进行保护以免受因过大的电压施加引起的元件破坏、性能劣化的影响。保护元件并未特别限定，只要是公知的元件的任一者即可。保护元件优选埋设配置于遮光构件。
<实施方式1>
实施方式1所涉及的发光装置10如图1A～图1E所示具有多个发光元件11、多个透光构件12和覆盖构件13。
发光元件11具备包括半导体层的层叠构造体和与该层叠构造体的一面连接的一对电极11a、11b，将上表面12a即未配置一对电极11a、11b的面设为光取出面。在该实施方式中，以2列×2行的方式具备四个正方形的发光元件11。该情况下的发光元件之间的距离(图1B中相当于Q)为600μm。
透光构件12具有与发光元件11的光取出面对置的正方形的下表面12b、和作为下表面12b的相反一侧的面的正方形的上表面12a。上表面12a以及下表面12b相互平行，上下表面12a、12b具有相同的中心。透光构件12在多个发光元件11的各个发光元件各配置一个。在该实施方式中，具备四个正方形的透光构件12。
透光构件12的上表面12a的外缘在俯视下与发光元件11的外缘一致地配置。
透光构件12含有波长变换物质和透光性树脂例如硅酮树脂。这里的波长变换物质例如相对于在纵或者横排列的两个透光构件(第1透光构件)而为黄色荧光体以及红色荧光体，相对于透光构件12的全部重量而含有30％～80％，相对于在纵或者横排列的另两个透光构件(第2透光构件)而为黄色荧光体，相对于透光构件12的全部重量而含有0.01％～80％。由此，从第1透光构件发出的白色光能够设为呈现色温度比从第2透光构件发出的白色更低的白色光的光。
透光构件12如图1B所示在全部的透光构件12中上表面12a的面积均小于下表面12b的面积。在此，约小20％。为了构成这种面积差，透光构件12如图1B以及图5A所示在侧面具有向侧方突出的凸部Z。该突出的长度例如可列举20μm～100μm。该凸部Z具有与下表面12b相接的铅垂面、和与该铅垂面相接且与透光构件12的上表面12a平行的面。相邻的透光构件12中的凸部Z之间的距离(图1B中为S)是500μm。
如图1A所示，多个透光构件12具备由它们的上表面12a的集合体形成的发光部，该发光部的外缘(图1A的X1)为正方形。
覆盖构件13一体地覆盖发光元件11的侧面和透光构件12的侧面。此外，覆盖构件13配置为在发光元件11的配置有一对电极11a、11b的面还使一对电极11a、11b露出。覆盖构件13的上表面与透光构件12的上表面12a齐平。此外，覆盖构件13的下表面与电极11a、11b的下表面齐平。
覆盖构件13含有光反射性物质和透光性树脂。透光性树脂为硅酮树脂，光反射物质为氧化钛，含有覆盖构件13的全部重量的40％。
在该实施方式中，覆盖构件13的发光元件11之间的厚度Q为600μm，发光元件11的外侧的厚度M为150μm。
发光装置10如图1C以及1E所示在发光元件11的下表面侧具有覆盖覆盖构件13的表面、分别与一对电极11a、11b连接、且作为外部端子发挥功能的多个金属层的第1金属层14a、第2金属层14b。例如，两个第1金属层14a分离为两个，配置在发光装置10的两侧，配置为将第2金属层14b夹在它们之间。第1金属层14a与第2金属层14b之间的距离是在与搭载发光装置的布线基板等接合时难以因焊料等的接合构件的扩展而短路的距离，例如为30μm。第1金属层14a和第2金属层14b各自分别与发光元件11的相同极性的电极11a、11b连接。在该实施方式中，第1金属层14a以及第2金属层14b分别为相同程度的大小，沿着发光装置10的一边配置，分别在俯视下为长方形。
第1金属层14a以及第2金属层14b是从发光元件11的电极11a、11b侧起为Ni/Ru/Au的层叠构造，总厚度为
这样，在将四个透光构件之中的两个设为第1透光构件，将剩余两个设为第2透光构件的情况下，第1透光构件以及第2透光构件分别含有不同组成的波长变换物质，具备由它们的上表面的集合体形成的发光部，将发光部的外缘X1设为正方形，由此搭载多个发光元件，在这样的发光装置中，能够有效地防止各个发光元件之间的间隙所引起的亮度不均等，还能够提高亮度。此外，能够提高从光取出面侧看到的发光装置的外观或者美观。
<实施方式2>
实施方式2所涉及的发光装置20如图2A以及2B所示，透光构件22在俯视下为正方形，上表面22a以及下表面22b也在俯视下为正方形，它们的面积之差与实施方式1的透光构件相同，但却是上表面22a的中心从下表面22b的中心偏移，上表面22a的正方形的两边与下表面22b的两边重叠的形状。因此，凸部Z2在俯视下实质上配置于透光构件22的两边。
该透光构件22配置为使得上表面22a和下表面22b的一致的两边侧朝向发光装置20的中心对置。该情况下的发光元件11之间的距离R为100μm。
因此，发光部的外缘X2虽然与发光元件11中的光取出面的面积相同，但却成为更小的面积，亮度进一步提高，可防止亮度不均。
除了这些以外的结构实质上是与实施方式1的发光装置10同样的结构，实质上具有同样的效果。
<实施方式3>
实施方式3所涉及的发光装置30如图3所示，透光构件32在俯视下为正方形，下表面32b也在俯视下为正方形，但上表面32a为扇形。此外，上下表面32a、32b的面积之差与实施方式1的透光构件相同，但却是上表面32a的扇形的相邻的直线状的两边与下表面32b的两边重叠的形状。因此，凸部在俯视下实质上配置于透光构件32的两边以外的部位。
该透光构件32配置为使得上表面32a和下表面32b的一致的两边侧朝向发光装置30的中心对置。该情况下的发光元件11之间的距离为100μm。
因此，发光部的外缘X3为圆形，比发光元件11中的光取出面的面积稍小，亮度进一步提高，可防止亮度不均。
除了这些以外的结构实质上是与实施方式1以及2的发光装置10、20同样的结构，实质上具有同样的效果。

Claims (16)

1.一种发光装置，具备：
多个发光元件，具备包括半导体层的层叠构造体和与该层叠构造体的下表面侧连接的一对电极，将上表面作为光取出面；
多个透光构件，具有与所述发光元件的所述光取出面对置的下表面、和作为该下表面的相反一侧的面的上表面；以及
覆盖构件，一体地覆盖所述发光元件的侧面以及所述透光构件的侧面，并且覆盖所述层叠构造体的下表面，
所述发光装置的特征在于，
覆盖所述层叠构造体的下表面的所述覆盖构件的表面和所述一对电极的表面齐平，
所述多个透光构件的所述上表面的面积为所述下表面的面积的80％以上且98％以下，所述上表面的面积相同，并且所述多个透光构件配置于所述多个发光元件的各个发光元件，
所述多个透光构件在俯视下所述透光构件的所述上表面以及所述下表面的朝向发光装置的中心对置的边缘的一部分与所述发光元件的外缘一致，具备由所述多个透光构件的上表面的集合体形成的发光部，该发光部的外缘为正方形或者圆形。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
一个所述透光构件的上表面的形状为扇形。
3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，
至少一个所述透光构件含有波长变换物质。
4.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，
所述多个透光构件为分别含有不同组成的波长变换物质的第1透光构件以及第2透光构件。
5.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，
至少一个所述透光构件实质上不含有波长变换物质。
6.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，
所述发光装置在与所述光取出面相反一侧的面具备覆盖所述覆盖构件的表面且分别与所述一对电极连接的第1金属层以及第2金属层。
7.根据权利要求6所述的发光装置，其特征在于，
所述第2金属层至少被分离为两个，且被配置在夹着所述第1金属层的位置。
8.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，
所述透光构件在所述侧面具有向侧方突出的凸部，所述凸部具有与所述下表面相接的铅垂面、和与该铅垂面相接且与所述透光构件的上表面平行的面。
9.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，
所述透光构件的上表面与所述覆盖构件的上表面齐平。
10.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，
所述透光构件的上表面的边缘在俯视下与所述发光元件的外缘一致。
11.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，
所述透光构件的下表面的边缘在俯视下与所述发光元件的外缘一致。
12.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，
所述覆盖构件含有光反射性物质。
13.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，
配置于所述多个透光构件的上表面间的所述覆盖构件的厚度为100μm以上且1000μm以下。
14.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，
所述多个透光构件的间隔为0.2mm以上。
15.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，
所述透光构件在所述侧面具有在侧方突出的凸部，所述凸部的突出的长度为20μm以上且100μm以下。
16.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，
所述圆形的发光部的外缘配置作为上表面的形状为扇形的四个所述透光构件而构成。
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