TW201349571A - 半導體發光裝置及發光模組 - Google Patents
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Abstract
本發明係一種半導體發光裝置及發光模組，其中，如根據實施形態，半導體發光裝置係具備半導體層，和p側電極，和n側電極，和第1絕緣膜，和p側配線部，和n側配線部，和螢光體層。半導體層具備：具有第1的面，與其相反側之第2的面，與發光層。螢光體層係設置於前述第1的面上。螢光體層係具有上面，和形成與上面鈍角的角，對於第1的面而言傾斜的斜面，斜面的正下方之螢光體層的厚度係較上面的正下方之螢光體層的厚度為薄。
Description
實施形態係有關半導體發光裝置及發光模組。
提案有於LED(Light Emitting Diode)晶片的光取出面(第1的面)上，設置有晶片尺寸的螢光體層，於光取出面之相反側的面(第2的面)，設置有包含配線部之晶片尺寸封裝的半導體發光裝置。如此之半導體發光裝置係晶圓位準，對於複數之晶片而言一次形成配線部及螢光體層之後，由進行切割而可得到。
本發明之實施形態係提供對於配向性及色度控制性優越之半導體發光裝置及發光模組。
如根據實施形態，半導體發光裝置係具備半導體層，和p側電極，和n側電極，和第1絕緣膜，和p側配線部，和n側配線部，和螢光體層。前述半導體層具備：具有第1的面，與其相反側之第2的面，與發光層。前述p側電極係設置於在包含前述發光層之範圍的前述第2的面。前述n側電極係設置於在未包含前述發光層之範圍的前述第2的面。前述第1絕緣膜係被覆前述第p側電極及前述n側電極。前述p側配線部係設置於前述第1絕緣膜上，通過貫通前述第1絕緣膜之第1貫孔而與前述p側電
極加以電性連接。前述n側配線部係設置於前述第1絕緣膜上，通過貫通前述第1絕緣膜之第2貫孔而與前述n側電極加以電性連接。前述螢光體層係設置於前述第1的面上。前述螢光體層係具有上面，和形成與前述上面鈍角的角，對於前述第1的面而言傾斜的斜面，前述斜面的正下方之前述螢光體層的厚度係較前述上面的正下方之前述螢光體層的厚度為厚。
如根據實施形態，提供了對於配向性及色度控制性優越之半導體發光裝置及發光模組。
以下，參照圖面，對於實施形態加以說明。然而，各圖面中，對於相同的要素附上相同符號。
圖1A係第1實施形態的半導體發光裝置1a之模式剖面圖，圖1B係其半導體發光裝置1a之模式上面圖。
半導體發光裝置1a係具備發射激發光的發光元件(晶片)5，和設置於發光元件5上之螢光體層30，和支持發光元件5之支持體6。
發光元件5係例如為發光二極體(LED；Light Emitting Diode)，包含未圖示之p型半導體層，n型半導體層，夾持於p型半導體層與n型半導體層之活性層(發光層)。另外，發光元件5係具有對於p型半導體層
之接觸電極(p側電極)，和對於n型半導體層之接觸電極(n側電極)。
對於n型半導體層與p型半導體層使用比較大之能帶隙的半導體(例如GaN)，對於活性層插入比較小能帶隙之半導體(例如InGaN)。由此，有效地封入經由夾持活性層之pn結合之注入載體，有效地進行經由載體再結合之發光而呈成為得到高的發光效率。活性層係所謂為MQW(Multi Quantum Well)構造亦可。另外，發光元件晶片係不限於LED，而亦可為面發光半導體雷射(SELD；Surface Emitting Laser Diode)者。
另外，發光元件5之半導體層係具有第1的面15a，和其相反側之第2的面15b。於第1的面15a上係設置有螢光體層30。
p側電極及n側電極係設置於第2的面15b。另外，對於第2的面15b側係設置有支持體6。支持體6係如後述地，與各p側電極及n側電極加以連接，且包含擔負與外部之安裝基板的連接之p側配線部及n側配線部。另外，支持體6係包含保護發光元件5，電極，配線部之絕緣膜。
螢光體層30係未設置於較發光元件5之第2的面15b下方，而螢光體層30之平面尺寸係與發光元件5之平面尺寸略相同。另外，支持體6之平面尺寸亦與發光元件5之平面尺寸略相同，半導體發光裝置1a係具有晶片尺寸封裝構造。
螢光體層30係具有作為透明媒體之樹脂層，和經由發光元件5之激發光而加以激發而發射螢光之複數粒子狀之螢光體。樹脂層係對於發光元件5之激發光及螢光體的螢光而言為透明之例如為聚矽氧樹脂或環氧樹脂。螢光體係分散於樹脂層中。
螢光體係可單獨或組合各種螢光體材料而使用。例如，將發光元件5之激發光波長(發光波長)作為450nm，由使用Y3Al5O12(YAG)：Ce、Tb3-xRExO12：Ce(TAG)(RE=Y,Gd,La,Lu)、Sr2-x-yBaxCaySiO4：Eu等之黃色螢光體者而得到白色輸出光源。
另外，將發光元件5之激發光波長作為450nm，由組合使用YAG：Nb、SrxCa1-xS：Eu、CaSiAlN3：Eu、Sr2-yCaySiO4：Eu等之紅色螢光體，與SrGa2S4：Eu、Sr2-yBaySiO4：Eu、SrSi2O2N2：Eu等之綠色螢光體，者而得到高演色之白色光源。
螢光體層30係對於發光元件5之第1的面15a而言具有平行之上面30a。螢光體層30之上面30a與側面之間的角係形成為作為傾斜地切除(截角)之形狀，而於上面30a與側面之間形成有斜面30b。
斜面30b係形成與上面30a鈍角的角，對於發光元件5之第1的面15a而言傾斜。如看螢光體層30之上面30a的圖1B之上面圖所示，斜面30b係遍布於上面30a周圍連續地加以設置。
上面30a與斜面30b之間的角係位置於較發光元件5
之邊緣5a為第1的面15a之面方向內側，斜面30b係從此角向發光元件5之邊緣5a下傾斜。
斜面30b正下方之螢光體層30之厚度(對於第1的面15a而言為垂直方向之厚度)係較上面30a正下方之螢光體層30之厚度(對於第1的面15a而言為垂直方向之厚度)為薄。隨之，發光元件5之邊緣5a附近的螢光體層30係成為較發光元件5之第1的面15a的中心上之螢光體層30為薄。
圖2A係第2實施形態的半導體發光裝置1b之模式剖面圖，圖2B係其半導體發光裝置1b之模式上面圖。
半導體發光裝置1b亦具備發射激發光的發光元件(晶片)5，和設置於發光元件5上之螢光體層30，和支持發光元件5之支持體6。
螢光體層30係未設置於較發光元件5之第2的面15b下方，而螢光體層30之平面尺寸係與發光元件5之平面尺寸略相同。另外，支持體6之平面尺寸亦與發光元件5之平面尺寸略相同，半導體發光裝置1b係具有晶片尺寸封裝構造。
螢光體層30係對於發光元件5之第1的面15a而言具有平行之上面30a。螢光體層30之側面係形成與上面30a鈍角的角，成為對於發光元件5之第1的面15a而言傾斜之斜面30c。螢光體層30之側面的所有則成為斜面
30c。
如看螢光體層30之上面30a的圖2B之上面圖所示，斜面30c係遍布於上面30a周圍連續地加以設置。
上面30a與斜面30c之間的角係位置於較發光元件5之邊緣5a為第1的面15a之面方向內側，斜面30c係從此角向發光元件5之邊緣5a下傾斜。
斜面30c正下方之螢光體層30之厚度(對於第1的面15a而言為垂直方向之厚度)係較上面30a正下方之螢光體層30之厚度(對於第1的面15a而言為垂直方向之厚度)為薄。隨之，發光元件5之邊緣5a附近的螢光體層30係成為較發光元件5之第1的面15a的中心上之螢光體層30為薄。
圖3A係第3實施形態的半導體發光裝置1c之模式剖面圖，圖3B係其半導體發光裝置1c之模式上面圖。
此半導體發光裝置1c亦具備發射激發光的發光元件(晶片)5，和設置於發光元件5上之螢光體層30，和支持發光元件5之支持體6。
螢光體層30係未設置於較發光元件5之第2的面15b下方，而螢光體層30之平面尺寸係與發光元件5之平面尺寸略相同。另外，支持體6之平面尺寸亦與發光元件5之平面尺寸略相同，半導體發光裝置1c係具有晶片尺寸封裝構造。
螢光體層30係對於發光元件5之第1的面15a而言具有平行之上面30a。螢光體層30之側面係由2個斜面30d及30e所成。2個斜面30d及30e係對於發光元件5之第1的面15a而言傾斜，且2個斜面30d及30e係對於第1的面15a而言之傾斜角度為不同。
斜面30d係形成與上面30a鈍角的角，設置於上面30a與斜面30e之間。斜面30e係形成與斜面30d鈍角的角，連續於斜面30d。
如看螢光體層30之上面30a的圖3B之上面圖所示，斜面30d及30e係各遍布於上面30a周圍所有連續地加以設置。
上面30a與斜面30d之間的角係位置於較發光元件5之邊緣5a為第1的面15a之面方向內側，斜面30d係從與上面30a之間的角向斜面30e下傾斜。斜面30d與斜面30e之間的角亦位置於較發光元件5之邊緣5a為第1的面15a之面方向內側，斜面30e係從與斜面30d之間的角向發光元件5之邊緣5a下傾斜。
斜面30d正下方之螢光體層30之厚度(對於第1的面15a而言為垂直方向之厚度)及斜面30e正下方之螢光體層30之厚度(對於第1的面15a而言為垂直方向之厚度)係較上面30a正下方之螢光體層30之厚度(對於第1的面15a而言為垂直方向之厚度)為薄。隨之，發光元件5之邊緣5a附近的螢光體層30係成為較發光元件5之第1的面15a的中心上之螢光體層30為薄。
在以上說明之實施形態的半導體發光裝置1a~1c中，任何螢光體層30之上面30a與側面之間的角並非直角而形成為鈍角，於螢光體層30之端部形成有斜面30b~30e。
由螢光體層30的角並非直角而成為鈍角者，可抑制經由在螢光體層30的角之駁回光的配光混亂。另外，在發光元件5的端部朝上加以放射的光成分則增加，可提高將實施形態之半導體發光裝置作為光源而使用之燈具的效率。
另外，在圖3A及B所示之半導體發光裝置1c中，螢光體層30的側面則從對於第1的面15a而言之傾斜角度不同之複數(在圖示中例如2個)的斜面30d與30e加以形成，可作為凸透鏡而發揮機能。
由任意地調整此等複數之斜面的數量或傾斜角度者，成為可設計成所期望之透鏡特性。亦可使螢光體層30作為透鏡而發揮機能，無需另外設置透鏡於第1的面15a上而完成。經由此，可將構造作為簡單，而謀求成本降低。
另外，對於垂直於發光元件5之光取出面(第1的面15a)之方向而言構成大的角度之橫方向的光係較放射至正上方的光，通過螢光體層30的距離則變長，容易引起對於橫方向的放射光則接近於螢光色之色分離。
但如根據實施形態之半導體發光裝置1a~1c，由形成斜面30b~30e於螢光體層30之端部者，發光元件5之端部側的螢光體層30之厚度則成為較第1的面15a之中心
側的螢光體層30為薄。因此，對於橫方向之激發光放射成分變多，可緩和色分離。
圖4A及B係顯示第3實施形態之半導體發光裝置1c之變形例的半導體發光裝置1’c。圖4A係半導體發光裝置1’c之模式剖面圖，圖4B係其模式上面圖。
在此半導體發光裝置1’c中，發光元件5之邊緣(半導體層之邊緣)5a則較螢光體層30之邊緣，位於第1的面15a之面方向內側。即，螢光體層30則被覆保護發光元件5之邊緣5a。
圖5A係顯示第1實施形態之半導體發光裝置1a之變形例的半導體發光裝置1’a之模式剖面圖，圖5B係顯示第2實施形態之半導體發光裝置1b之變形例的半導體發光裝置1’b之模式剖面圖。
在此等半導體發光裝置1’a及1’b中，發光元件5之邊緣(半導體層之邊緣)5a則位於較螢光體層30的邊緣為內側，螢光體層30則被覆保護發光元件5之邊緣5a。
接著，對於實施形態之發光模組加以說明。
圖6A係使用圖2A及B所示之半導體發光裝置1b之發光模組60a的模式剖面圖。
發光模組60a係具備安裝基板70，和於安裝基板70上相互離間加以安裝之複數的半導體發光裝置1b。
安裝基板70係具有例如將樹脂基板或陶瓷基板作為基底之基板，和設置於其基板一方的面之安裝面71的墊片72，和設置於安裝面71，與墊片72加以連接之配線圖
案(未圖示)。
或者，作為安裝基板70之基底基板，使用對於散熱性優越之金屬板亦可，此情況，於金屬板上設置有絕緣膜，再於其絕緣膜上設置有墊片72及配線圖案。
半導體發光裝置1b係例如，參照圖10等而如後述，具有在同面所露出之p側外部端子23a與n側外部端子24a。半導體發光裝置1b係將p側外部端子23a與n側外部端子24a所露出的面朝向安裝面71，將第1的面(光取出面)15a，以朝向安裝面71之上方的姿勢而安裝於安裝基板70上。螢光體層30之上面30a係對於安裝基板70之安裝面71而言為平行，螢光體層30之斜面30c係對於安裝基板70之安裝面71而言為傾斜。
p側外部端子23a與n側外部端子24a係例如，藉由焊錫40等之接合劑而接合於墊片72。發光元件5之發光層係藉由p側電極，n側電極，p側配線部，n側配線部，p側外部端子23a，n側外部端子24a，焊錫40，及墊片72而與安裝基板70之配線圖案加以電性連接。
在此，圖9係比較例之發光模組之模式剖面圖。此比較例之發光模組之半導體發光裝置100的發光體層30係形成為長方體形狀，其螢光體層30之上面30a與側面之間的角則成為直角。
在此比較例中，鄰接之半導體發光裝置100間的距離過近時，放射於橫方向的光則由旁邊的半導體發光裝置100所干擾，不易放射至上方。此係成為高密度安裝之障
礙。
對此，如根據實施形態，使放射至橫方向的光，在旁邊的半導體發光裝置1b之螢光體層30之斜面30c反射至上方，可提高對於上方之光反射效率。其結果，可使複數之半導體發光裝置1b，拉近相互距離而使其密集安裝，而成為可高功率密度化。
安裝於安裝基板70之半導體發光裝置係如圖6B所示，亦可為前述圖1A及B之半導體發光裝置1a，而亦可為如圖6C所示，圖3A及B之半導體發光裝置1c。
在圖6B所示之發光模組60b及圖6C所示之發光模組60c，亦可使放射至橫方向的光，在旁邊的半導體發光裝置之螢光體層30之斜面反射至上方，提高對於上方之光反射效率。其結果，可使複數之半導體發光裝置，拉近相互距離而使其密集安裝，而成為可高功率密度化。
更且，在將圖4A及B所示之半導體發光裝置1’c，圖5A所示之半導體發光裝置1’a，圖5B所示之半導體發光裝置1’b，安裝於安裝基板70上之發光模組中，亦可得到同樣的效果。
接著，對於實施形態之半導體發光裝置之製造方法加以說明。於圖7A~E顯示圖2A及B所示之半導體發光裝置1b的製造方法。
發光元件5係例如包含氮化鎵系半導體層，其半導體層係如圖7A所示，形成於基板10上。基板10係例如，可使用藍寶石基板或矽基板。
在形成電極於發光元件5上之後，與其電極加以連接之配線部或包含絕緣膜之支持體6則圖7B所示，形成於發光元件5上。
之後，除去基板10。圖7C係顯示除去基板10之後的發光元件5及支持體6之層積體，與圖7B係將上下作為相反，將支持體6作為下，發光元件5作為上而表示。
經由基板10之除去，露出有發光元件5之第1的面15a，於其第1的面15a上，如圖7D所示，形成有螢光體層30。
並且，切割圖7D所示之層積體，如圖7E所示，個片化成複數之半導體發光裝置1b。
此時，使用剖面為V字形狀之刀鋒，由將螢光體層30，從其上面30a側切斷者，可形成斜面30c於螢光體層30。
對於圖1A及B所示之半導體發光裝置1a，與圖3A及B所示之半導體發光裝置1c亦為同樣地，使用剖面為V字狀的刀鋒，由將螢光體層30，從其上面30a側切斷者，可形成斜面於螢光體層30。
另外，圖8A~C係顯示圖5B所示之半導體發光裝置1’b之製造方法的模式剖面圖。
至除去基板10為止之圖7A~C所示的工程係與上述相同地進行。並且，在除去基板10之後，如圖8A所示，在支持體6上將發光元件5分離成複數。例如，經由蝕刻而除去發光元件(半導體層)5之一部分，形成將發
光元件5分離成複數的溝80。溝80係於擴散為晶圓狀之發光元件5形成為格子狀。
接著，如圖8B所示，於發光元件5之第1的面15a上形成螢光體層30。螢光體層30係亦對於溝80加以充填，以螢光體層30被覆分離成複數之各發光元件5的邊緣5a。
並且，在溝80的位置，由切割螢光體層30及支持體6者，如圖8C所示，得到以螢光體層30被覆發光元件5之邊緣5a之半導體發光裝置1’b。在此切割時，使用剖面為V字形狀之刀鋒，由將螢光體層30，從其上面30a側切斷者，亦可形成斜面30c於螢光體層30。
對於圖4A及B所示之半導體發光裝置1’c，和圖5A所示之半導體發光裝置1’a，亦由充填螢光體層30於分離成複數之發光元件5間者，同樣地可製造。
接著，對於發光元件(晶片)及支持體之具體例，於以下加以說明。
圖10係第4實施形態的半導體發光裝置1d之模式剖面圖。
半導體發光裝置1d係具有包含發光層13的半導體層15。另外，半導體層15係具有第1的面15a，和其相反側之第2的面。於第2的面側設置有電極及配線部，從未設置有電極及配線部之第1的面15a，作為主要將光放
射。
半導體層15係具有第1之半導體層11與第2之半導體層12。第1之半導體層11及第2之半導體層12係例如含有氮化鎵。第1之半導體層11係例如，包含基底緩衝層，n型GaN層等。第2之半導體層12係包含p型GaN層，發光層(活性層)13等。發光層13係可使用將藍，紫，藍紫，紫外線光等發光的材料者。
半導體層15之第2的面係加工為凹凸形狀，凸部係包含發光層13。對於其凸部表面之第2之半導體層12的表面係設置有p側電極16。即，p側電極16係設置於在具有發光層13之範圍之第2的面。
在半導體層15之第2的面，對於凸部的橫向係設置有未包含發光層13之範圍，於其範圍之第1之半導體層11的表面設置有n側電極17。即，n側電極17係設置於在未包含發光層13之範圍之第2的面。
如半導體層15之第2的面側之平面圖的圖18B所示，設置於含有發光層13之範圍的p側電極16則較設置於未含有發光層13之範圍的n側電極17面積為寬。由此，得到寬的發光範圍。然而，圖18B所示之p側電極16及n側電極17的佈局係為一例，並不限於此等。
對於半導體層15之第2的面側係設置有第1絕緣膜(以下，單稱作絕緣膜)18。絕緣膜18係被覆半導體層15，p側電極16及n側電極17。另外，絕緣膜18係被覆保護發光層13及第2半導體層12之側面。
然而，亦有對於絕緣膜18與半導體層15之間設置其他絕緣膜(例如矽氧化膜)之情況。絕緣膜18係例如，對於細微開口之圖案化性優越之聚醯亞胺等之樹脂。或者，作為絕緣膜18而使用矽氧化膜或矽氮化膜等之無機膜亦可。
絕緣膜18係未設置於半導體層15之第1的面15a上。絕緣膜18係被覆保護從在半導體層15之第1的面15a持續之側面15c。
在絕緣膜18，於與半導體層15之第2的面相反側的面上，p側配線層21與n側配線層22則相互離間加以設置。
對於絕緣膜18係形成有到達至p側電極16之複數之第1開口18a，通過設置於其第1開口18a內之複數的第1貫孔21a，p側配線層21係與p側電極16加以電性連接。
對於絕緣膜18係形成有到達至n側電極17之第2開口18b，通過設置於其第2開口18b內之第2貫孔22a，n側配線層22係與n側電極17加以電性連接。
在p側配線層21中，對於對p側電極16而言之相反側的面，係設置有p側金屬柱23。p側配線層21，p側金屬柱23，及作為後述之種子層所使用之金屬膜19係構成本實施形態之p側配線部。
在n側配線層22中，對於對n側電極17而言之相反側的面，係設置有n側金屬柱24。n側配線層22，n側金
屬柱24，及作為後述之種子層所使用之金屬膜19係構成本實施形態之n側配線部。
對於絕緣膜18係作為第2絕緣膜而例如層積有樹脂層25。樹脂層25係被覆p側配線部之周圍及n側配線部之周圍。另外，樹脂層25係填充於p側金屬柱23與n側金屬柱24之間。
p側金屬柱23之側面及n側金屬柱24之側面係由樹脂層25所被覆。對於在p側金屬柱23之p側配線層21而言之相反側的面係從樹脂層25露出，作為p側外部端子23a而發揮機能。對於在n側金屬柱24之n側配線層22而言之相反側的面係從樹脂層25露出，作為n側外部端子24a而發揮機能。
p側外部端子23a及n側外部端子24a係於形成於前述圖6A~C所示之安裝基板70的墊片72，藉由焊錫40等加以接合。
在樹脂層25之相同面(在圖10之下面)露出之p側外部端子23a與n側外部端子24a之間的距離係較在絕緣膜18上之p側配線層21與n側配線層22之間的距離為大。p側外部端子23a與n側外部端子24a係對於安裝基板之安裝時，經由焊錫等而將相互未短路的距離隔離開。
p側配線層21係至處理上之界限為止，可接近於n側配線層22，可擴大p側配線層21之面積。其結果，可謀求p側配線層21與p側電極16之接觸面積的擴大，而提升電流分布及散熱性。
p側配線層21則通過複數之第1貫孔21a而與p側電極16接合的面積係較n側配線層22則通過第2貫孔22a而與n側電極17接合的面積為大。因而，對於發光層13之電流分布則提升，且發光層13的熱之散熱性可提升。
擴散於絕緣膜18上之n側配線層22的面積係較n側配線層22則與n側電極17接合之面積為大。
如根據實施形態，可經由遍佈於較n側電極17為寬的範圍所形成之發光層13而得到高的光輸出者。並且，設置於較包含發光層13之範圍為窄的範圍之n側電極17則作為更大面積之n側配線層22而導出於安裝面側。
第1半導體層11係藉由n側電極17，金屬膜19及n側配線層22而與具有n側外部端子24a之n側金屬柱24加以電性連接。包含發光層13之第2半導體層12係藉由p側電極16，金屬膜19及p側配線層21而與具有p側外部端子23a之p側金屬柱23加以電性連接。
p側金屬柱23係較p側配線層21為厚，n側金屬柱24係較n側配線層22為厚。p側金屬柱23，n側金屬柱24及樹脂層25之各厚度係較半導體層15為厚。然而，在此之「厚度」係表示在圖10中上下方向的厚度。
另外，p側金屬柱23及n側金屬柱24之各厚度係較包含半導體層15，p側電極16，n側電極17及絕緣膜18之層積體的厚度為厚。然而，各金屬柱23，24的深寬比(對於平面尺寸而言之厚度比)係未限定為1以上者，而
此比係亦可較1為小。即，金屬柱23，24係亦可較其平面尺寸厚度為小。
如根據實施形態，即使除去為了形成半導體層15而使用之後述之基板10，經由含有p側金屬柱23，n側金屬柱24及樹脂層25之支持體，亦可安定支持半導體層15，提高半導體發光裝置1d之機械強度者。
作為p側配線層21，n側配線層22，p側金屬柱23及n側金屬柱24之材料，係可使用銅，金，鎳，銀等。此等之中，當使用銅時，可得到良好的熱傳導性，高位移耐性及與絕緣材料之優越的密著性。
樹脂層25係補強p側金屬柱23及n側金屬柱24。樹脂層25係使用與安裝基板熱膨脹率相同或接近之構成為佳。作為如此之樹脂層25，例如可將環氧樹脂，聚矽氧樹脂，氟素樹脂等作為一例而舉出者。
另外，藉由p側外部端子23a及n側外部端子24a而安裝半導體發光裝置1d於安裝基板之狀態中，p側金屬柱23及n側金屬柱24則可吸收藉由焊錫等而加上於半導體層15之應力而緩和。
包含p側配線層21及p側金屬柱23之p側配線部係藉由相互加以分斷之複數的貫孔21a而連接於p側電極16。因此，得到經由p側配線部之高的應力緩和效果。
或者，如圖11A所示，藉由設置於1個大的第1開口18a內，較貫孔21a平面尺寸大之貫孔21c，使p側配線層21接觸於p側電極16亦可，此情況，通過均為金屬
之p側電極16，p側配線層21及p側金屬柱23，可提昇發光層13之散熱性。
如後述，在形成半導體層15時使用之基板10係從第1的面15a上除去。因此，可將半導體發光裝置1d作為低背化。
對於半導體層15之第1的面15a係形成有微小的凹凸。對於第1的面15a而言，進行例如使用鹼性系溶液之濕蝕刻(粗糙處理)，形成凹凸。以於第1的面15a設置凹凸者，成為未以各種角度使入射於第1的面15a的光進行全反射，而可取出於第1的面15a之外側者。
對於第1的面15a上係設置有螢光體層30。螢光體層30係具有作為透明媒體之透明樹脂31，和分散於透明樹脂31中之複數之粒子狀之螢光體32。
透明樹脂31係對於發光層13之激發光及螢光體32之螢光而言為透過，例如，可使用聚矽氧樹脂，丙烯酸樹脂，苯基樹脂等。
螢光體32係可吸收發光層13的激發光而將波長變換光發光。因此，半導體發光裝置1d係可射出發光層13的激發光，和與螢光體32的波長變換光之混合光。
例如，螢光體32作為發光成黃色光的黃色螢光體時，作為GaN系材料之發光層13的藍色光，與在螢光體32之波長變換光之黃色光之混合色，可得到白色或燈泡色等者。然而，螢光體層30係亦可為包含複數種之螢光體(例如，發光成紅色光之紅色螢光體，和發光成綠色光
的綠色螢光體)之構成。
並且，在本實施形態中，螢光體層30之上面30a與側面之間的角則並非直角而形成為鈍角，與圖1A及B所示之第1實施形態同樣，於螢光體層30之端部形成有斜面30b。
隨之，在第4實施形態之半導體發光裝置1d中，亦可抑制經由在螢光體層30的角之駁回光的配光混亂。另外，在半導體層15之端部向上加以放射的光成分則增加，可提高燈具效率。
另外，半導體層15之端部側的螢光體層30之厚度則較第1的面15a之中心側之螢光體層30的厚度為薄。因此，對於橫方向之激發光放射成分變多，可緩和色分離。
更且，在使複數之半導體發光裝置1d安裝於安裝基板之發光模組中，使放射至橫方向的光，在旁邊的半導體發光裝置1d之螢光體層30之斜面30b反射至上方，可提高對於上方之光放射效率。其結果，可使複數之半導體發光裝置1d，拉近相互距離而使其密集安裝，而成為可高功率密度化。
接著，參照圖15A~圖26B，對於上述半導體發光裝置1d之製造方法加以說明。圖15A~圖26B係表示在晶圓狀態之一部分的範圍。
圖15A係顯示於基板10的主面(在圖15A之下面)，形成第1半導體層11及第2半導體層12之層積體。圖15B係對應於圖15A之下面圖。
於基板10的主面上形成有第1半導體層11，並於其上方形成有包含發光層13之第2半導體層12。含有氮化鎵之第1半導體層11及第2半導體層12係例如，可於藍寶石基板上，以MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)法使其結晶成長者。或者，作為基板10而使用矽基板亦可。
接合於在第1半導體層11之基板10的面則為半導體層15之第1的面15a，而第2半導體層12的表面則為半導體層15之第2的面15b。
接著，使用未圖示之光阻劑，例如由Reactive Ion Etching(RIE)法，如圖16A及其下面圖之圖16B所示，形成貫通半導體層15而到達至基板10的溝80。溝80係在晶圓狀態之基板10上，例如形成為格子狀，再將半導體層15，在基板10上分離成複數的晶片。
然而，將半導體層15分離成複數之工程係在後述之第2半導體層12之選擇性除去後，或者電極之形成後進行亦可。
接著，使用未圖示之光阻劑，例如以RIE法，如圖17A及其下面圖之圖17B所示，除去第2半導體層12之一部分，使第1半導體層11之一部分露出。露出有第1半導體層11之範圍係未含有發光層13。
接著，如圖18A及其下面圖之圖18B所示，於半導體層15之第2的面，形成p側電極16與n側電極17。p側電極16係形成於第2半導體層12的表面。n側電極17
係形成於第1半導體層11的露出面。
p側電極16及n側電極17係例如以濺鍍法，蒸鍍法等而形成。p側電極16與n側電極17係先形成任一均可，亦可以相同材料同時形成。
p側電極16係對於發光層13之發光光而言具有反射性，例如，包含銀，銀合金，鋁，鋁合金等。另外，為了p側電極16之硫化，氧化防止，亦可為含有金屬保護膜(阻障金屬)的構成。
另外，於p側電極16與n側電極17之間，或發光層13之端面(側面)，作為鈍化膜，例如以CVD(chemical vapor deposition)法形成矽氮化膜或矽氧化膜亦可。另外，為了取得各電極與半導體層之電阻接觸之活性化退火等係因應必要而實施。
接著，以圖19A所示之絕緣膜18被覆基板10之主面上之露出的部份所有之後，例如經由濕蝕刻而將絕緣膜18圖案化，選擇性地形成第1開口18a與第2開口18b於絕緣膜18。第1開口18a係加以複數形成，各第1開口18a係到達至p側電極16。第2開口18b係到達至n側電極17。
作為絕緣膜18係例如，可使用感光性聚醯亞胺，苯并環丁烯(Benzocyclobutene)等之有機材料者。此情況，未使用光阻劑而對於絕緣膜18而言，可直接曝光及顯像。
或者，將矽氮化膜或矽氧化膜等之無機膜作為絕緣膜
18而使用亦可。絕緣膜18為無機膜之情況，經由將形成於絕緣膜18上之光阻劑進行圖案化之後的蝕刻，而形成第1開口18a及第2開口18b。
接著，於絕緣膜18的表面，第1開口18a之內壁(側壁及底部)，及第2開口18b之內壁(側壁及底部)，如圖19B所示，形成金屬膜19。金屬膜19係作為後述之電鍍之金屬種而使用。
金屬膜19係例如以濺鍍法而形成。金屬膜19係有例如，包含從絕緣膜18側依序加以層積之鈦(Ti)與銅(Cu)之層積膜。或者，取代鈦膜而使用鋁膜亦可。
接著，如圖19C所示，於金屬膜19上選擇性地形成光阻劑91，進行將金屬膜19作為電流路徑之Cu電解電鍍。
由此，如圖20A及其下面圖之圖20B所示，於金屬膜19上，選擇性地形成p側配線層21與n側配線層22。p側配線層21及n側配線層22係經由電鍍法而同時加以形成之例如銅材料所成。
p側配線層21係亦形成於第1開口18a內，藉由金屬膜19而與p側電極16加以電性連接。n側配線層22係亦形成於第2開口18b內，藉由金屬膜19而與n側電極17加以電性連接。
使用於p側配線層21及n側配線層22之電鍍的光阻劑91係使用溶劑或氧電漿而除去。
接著，如圖21A及其下面圖之圖21B所示，形成金
屬柱形成用的光阻劑92。光阻劑92係較前述之光阻劑91為厚。然而，在前工程，光阻劑91係未除去而殘留，重疊光阻劑92於其光阻劑91而形成亦可。對於光阻劑92係形成第1之開口92a與第2之開口92b。
並且，將光阻劑92使用於光罩，進行將金屬膜19作為電流路徑之Cu電解電鍍。由此，如圖22A及其下面圖之圖22B所示，形成p側金屬柱23與n側金屬柱24。
p側金屬柱23係在形成於光阻劑92之第1開口92a內，形成於p側配線層21之表面上。n側金屬柱24係在形成於光阻劑92之第2開口92b內，形成於n側配線層22之表面上。p側金屬柱23及n側金屬柱24係經由電鍍法而同時加以形成之例如銅材料所成。
光阻劑92係如圖23A所示，例如使用溶劑或氧電漿而除去。之後，將金屬柱23，n側金屬柱24，p側配線層21及n側配線層22作為光罩，經由濕蝕刻而除去金屬膜19之露出的部分。由此，如圖23B所示，分斷藉由p側配線層21及n側配線層22之間的金屬膜19之電性連接。
接著，如圖24A所示，對於絕緣膜18而言層積樹脂層25。樹脂層25係被覆p側配線層21，n側配線層22，p側金屬柱23及n側金屬柱24。
樹脂層25係具有絕緣性。另外，對於樹脂層25，例如含有碳黑，對於發光層13之發光光而言賦予遮光性亦可。
接著，如圖24B所示，除去基板10。基板10為藍寶石基板之情況，例如，可經由雷射剝離法而除去基板10。具體而言，從基板10之背面側朝向第1半導體層11而照射雷射光。雷射光係對於基板10而言具有透過性，對於第1半導體層11而言係具有成為吸收範圍之波長。
雷射光則到達至基板10與第1之半導體層11之界面時，其界面附近的第1半導體層11係吸收雷射光的能量而進行分解。第1半導體層11係分解為鎵(Ga)與氮氣。經由此分解反應，於基板10與第1半導體層11之間形成有微小之間隙，基板10與第1半導體層11則產生分離。
將雷射光的照射，對於各所設定之範圍分為複數次遍佈晶圓全體而進行，除去基板10。
對於基板10為矽基板之情況，可經由蝕刻而除去基板10。
形成於基板10之主面上的前述層積體係經由較半導體層15為厚之p側金屬柱23，n側金屬柱24及樹脂層25加以補強之故，即使未有基板10而亦可保持晶圓狀態者。
另外，樹脂層25，構成p側金屬柱23及n側金屬柱24之金屬，均比較於半導體層15而為柔軟的材料。於如此之柔軟之支持體支持有半導體層15。因此，在使半導體層15磊晶成長於基板10上時產生之大的內部應力，即使在基板10的剝離時一口氣加以開放，亦可回避破壞有
半導體層15之情況。
接著，洗淨去除基板10之半導體層15之第1的面15a。例如，以希氟酸等，除去附著於第1的面15a的鎵(Ga)。
之後，例如，以KOH(氫氧化鉀)水溶液或TMAH(氫氧化四甲基銨)等，濕蝕刻第1的面15a。經由此，經由依存於結晶面方位之蝕刻速度的不同，如圖25A所示，形成有凹凸於第1的面15a。或者，以光阻劑進行圖案化之後，進行蝕刻，於第1的面15a形成凹凸亦可。由形成凹凸於第1的面15a者，可提升光取出效率。
接著，如圖25B所示，於第1的面15a上形成螢光體層30。螢光體層30係亦形成於鄰接之半導體層15間的絕緣膜18上。
將分散有螢光體32之液狀的透明樹脂31，例如經由印刷，裝填，鑄模，壓縮成形等之方法而供給至第1的面15a上之後，使其熱硬化。
接著，研削樹脂層25之表面(在圖25B的下面)，如圖26A及其下面圖之圖26B所示，使p側外部端子23a及n側外部端子24a露出。
之後，在前述之溝80的位置，切斷螢光體層30，絕緣膜18及樹脂層25，個片化成複數之半導體發光裝置1d。
在本實施形態中，使用剖面為V字形狀之刀鋒，由將螢光體層30，從其上面30a切斷者，可形成斜面30b
於螢光體層30。
切割時，既已除去基板10。更且，對於溝80係未存在有半導體層15之故，在切割時可回避半導體層15所受到之損傷。另外，由未有個片化後之追加工程，得到以絕緣膜18被覆保護半導體層15之端部(側面)的構造。
然而，加以個片化之半導體發光裝置1d係均可為含有一個的半導體層15之單晶片構造，以及含有複數之半導體層15多晶片構造。
至切割之前的前述各工程係在晶圓狀態一次加以進行之故，於加以個片化之各個裝置，無需進行配線及封裝，而成為減低大幅的之生產成本。即，在加以個片化之狀態，既已完成配線及封裝。因此，可提高生產性，作為其結果而價格減低則變為容易。
接著，圖11B係第5實施形態的半導體發光裝置1e之模式剖面圖。
在半導體發光裝置1e中，於p側電極16的表面及側面，設置有被覆p側電極16之p側墊片51。p側電極16係含有可與含於半導體層15的鎵(Ga)形成合金之例如，鎳(Ni)，金(Au)及銠(Rh)之中的至少1個。p側墊片51係較p側電極16對於發光層13之發光光而言之反射率為高，而作為主成分，例如含有銀(Ag)。另外，p側墊片51係從氧化或腐蝕保護p側電極16。
另外，於n側電極17的表面及側面，設置有被覆n側電極17之n側墊片52。n側電極17係含有可與含於半導體層15的鎵(Ga)形成合金之例如，鎳(Ni)，金(Au)及銠(Rh)之中的至少1個。n側墊片52係較n側電極17對於發光層13之發光光而言之反射率為高，而作為主成分，例如含有銀(Ag)。另外，n側墊片52係從氧化或腐蝕保護n側電極17。
對於在半導體層15之第2的面之p側電極16之周圍及n側電極17之周圍，係例如設置有矽氧化，矽氮化膜等之絕緣膜53。絕緣膜53係設置於p側電極16與n側電極17之間，及p側墊片51與n側墊片52之間。
對於絕緣膜53上，p側墊片51上及n側墊片52上，係例如設置有矽氧化膜，矽氮化膜等之絕緣膜54。另外，絕緣膜54係亦設置於半導體層15之側面15c，被覆側面15c。
對於絕緣膜54上係設置有p側配線層21與n側配線層22。p側配線層21係通過形成於絕緣膜54之設置於第1開口54a內的第1貫孔21a而連接於p側墊片51。n側配線層22係通過形成於絕緣膜54之設置於第2開口54b內的第2貫孔22a而連接於n側墊片52。
在此構造中，p側配線層21係藉由相互加以分斷之複數之貫孔21a而連接於p側墊片51亦可，而或者，亦可藉由較貫孔21a平面尺寸大之1個貫孔而連接於p側墊片51。
對於p側配線層21上係設置有較p側配線層21為厚之p側金屬柱23。對於n側配線層22上係設置有較n側配線層22為厚之n側金屬柱24。
對於絕緣膜54而言層積有樹脂層25。樹脂層25係被覆含有p側配線層21及p側金屬柱23之p側配線部，和含有n側配線層22及n側金屬柱24的n側配線部。但對於在p側金屬柱23之p側配線層21而言之相反側的面(在圖下面)係從樹脂層25露出，作為p側外部端子23a而發揮機能。同樣地對於在n側金屬柱24之n側配線層22而言之相反側的面(在圖下面)係從樹脂層25露出，作為n側外部端子24a而發揮機能。
樹脂層25係於在基板10上將半導體層15分離成複數之前述的溝80內，隔著絕緣膜54加以充填。隨之，半導體層15之側面15c係由無機膜之絕緣膜54，和樹脂層25加以被覆而保護。
在此半導體發光裝置1e中，與第1實施形態之半導體發光裝置1a及第4實施形態之半導體發光裝置1d同樣地，於第1的面15a上，設置有具有斜面30b之螢光體層30。
圖12A係第6實施形態的半導體發光裝置1f之模式剖面圖。
此半導體發光裝置1f係於在圖10所示之第4實施形
態之半導體發光裝置1d之第1的面15a上，設置有圖2A及B所示之第2實施形態之半導體發光裝置1b的螢光體層30。即，螢光體層30之側面的所有則成為斜面30c。
另外，在半導體發光裝置1f中，p側配線層21係不限於藉由相互加以分斷之複數的貫孔21a而連接於p側電極16，而如圖13A所示，藉由較貫孔21a平面尺寸大的1個貫孔21c而連接於p側電極16亦可。
圖12B係第6實施形態的半導體發光裝置1g之模式剖面圖。
此半導體發光裝置1g係於在圖10所示之第4實施形態之半導體發光裝置1d之第1的面15a上，設置有圖3A及B所示之第3實施形態之半導體發光裝置1c的螢光體層30。
即，螢光體層30係具有對於第1的面15a而言之傾斜角度不同之2個斜面30d及30e，可作為透鏡而發揮機能。
另外，在半導體發光裝置1g中，p側配線層21係不限於藉由相互加以分斷之複數的貫孔21a而連接於p側電極16，而如圖14A所示，藉由較貫孔21a平面尺寸大的1個貫孔21c而連接於p側電極16亦可。
圖13B係第8實施形態的半導體發光裝置1h之模式剖面圖。
此半導體發光裝置1h係於在圖11B所示之第5實施形態之半導體發光裝置1e之第1的面15a上，設置有圖2A及B所示之第2實施形態之半導體發光裝置1b的螢光體層30。
圖14B係第9實施形態的半導體發光裝置1i之模式剖面圖。
此半導體發光裝置1i係於在圖11B所示之第5實施形態之半導體發光裝置1e之第1的面15a上，設置有圖3A及B所示之第3實施形態之半導體發光裝置1c的螢光體層30。
在前述之實施形態中，未設置p側金屬柱23及n側金屬柱24，而使p側配線層21及n側配線層22對於安裝基板的墊片而言接合亦可。
另外，p側配線層21與p側金屬柱23係不限於各自獨立體，而以相同工程一體形成p側配線層21與p側金屬柱23而構成p側配線部亦可。同樣地，n側配線層22與n側金屬柱24係不限於各自獨立體，而以相同工程而一體地設置n側配線層22與n側金屬柱24，而構成n側配線部亦可。
在前述之各實施形態之半導體發光裝置中，並非p側
金屬柱23之下面而使側面露出作為p側外部端子，更且並非n側金屬柱24之下面而使側面露出作為n側外部端子，將此等金屬柱之側面的露出面結合於安裝基板之墊片亦可。第1的面15a則對於安裝面而成為垂直或傾斜，可作為對於安裝面而言為平行之橫方向或傾斜的方向放射光之側視形式之半導體發光裝置。
雖說明過本發明之幾個實施形態，但此等實施形態係作為例而提示之構成，未意圖限定發明之範圍。此等新穎的實施形態係可以其他種種形態而實施，在不脫離發明之內容，可進行種種省略，置換，變更。此等實施形態或其變形係含於發明之範圍或內容同時，含於記載於申請專利範圍之發明與其均等之範圍。
1a‧‧‧半導體發光裝置
1’a‧‧‧半導體發光裝置
1b‧‧‧半導體發光裝置
1’b‧‧‧半導體發光裝置
1c‧‧‧半導體發光裝置
1’c‧‧‧半導體發光裝置
1d‧‧‧半導體發光裝置
1e‧‧‧半導體發光裝置
1f‧‧‧半導體發光裝置
1g‧‧‧半導體發光裝置
100‧‧‧半導體發光裝置
5‧‧‧發光元件
5a‧‧‧邊緣
6‧‧‧支持體
10‧‧‧基板
11‧‧‧第1半導體層
12‧‧‧第2半導體層
13‧‧‧發光層
15‧‧‧半導體層
15a‧‧‧第1的面
15b‧‧‧第2的面
16‧‧‧p側電極
17‧‧‧n側電極
18‧‧‧絕緣膜
18a‧‧‧第1的開口
18b‧‧‧第2的開口
19‧‧‧金屬膜
21‧‧‧p側配線層
21a‧‧‧第1貫孔
21c‧‧‧貫孔
22‧‧‧n側配線層
24‧‧‧p側金屬柱
23a‧‧‧p側外部端子
24a‧‧‧n側外部端子
24‧‧‧n側金屬柱
25‧‧‧樹脂層
30‧‧‧螢光體層
30a‧‧‧上面
30b‧‧‧斜面
30c‧‧‧斜面
31‧‧‧透明樹脂
32‧‧‧螢光體
51‧‧‧p側墊片
52‧‧‧n側墊片
54‧‧‧絕緣膜
80‧‧‧溝
92‧‧‧光阻劑
60b‧‧‧發光模組
60c‧‧‧發光模組
70‧‧‧安裝基板
71‧‧‧安裝面
72‧‧‧墊片
40‧‧‧焊錫
92a‧‧‧第1的開口
92b‧‧‧第2的開口
圖1A係第1實施形態的半導體發光裝置之模式剖面圖，圖1B係第1實施形態的半導體發光裝置之模式上面圖。
圖2A係第2實施形態的半導體發光裝置之模式剖面圖，圖2B係第2實施形態的半導體發光裝置之模式上面圖。
圖3A係第3實施形態的半導體發光裝置之模式剖面圖，圖3B係第3實施形態的半導體發光裝置之模式上面圖。
圖4A係第3實施形態的半導體發光裝置之變形例之
模式剖面圖，圖4B係第3實施形態的半導體發光裝置之變形例之模式上面圖。
圖5A係第1實施形態的半導體發光裝置之變形例之模式剖面圖，圖5B係第2實施形態的半導體發光裝置之變形例之模式剖面圖。
圖6A~C係實施形態之發光模組之模式剖面圖。
圖7A~圖8C係顯示實施形態的半導體發光裝置之製造方法的模式剖面圖。
圖9係比較例之發光模組之模式剖面圖。
圖10係第4實施形態的半導體發光裝置之模式剖面圖。
圖11A係第4實施形態的半導體發光裝置之變形例之模式剖面圖，圖11B係第5實施形態的半導體發光裝置之模式剖面圖。
圖12A係第6實施形態的半導體發光裝置之模式剖面圖，圖12B係第7實施形態的半導體發光裝置之模式剖面圖。
圖13A係第6實施形態的半導體發光裝置之變形例之模式剖面圖，圖13B係第8實施形態的半導體發光裝置之模式剖面圖。
圖14A係第7實施形態的半導體發光裝置之變形例之模式剖面圖，圖14B係第9實施形態的半導體發光裝置之模式剖面圖。
圖15A~圖26B係顯示實施形態的半導體發光裝置之
製造方法的模式圖。
1a‧‧‧半導體發光裝置
5‧‧‧發光元件
5a‧‧‧邊緣
6‧‧‧支持體
15a‧‧‧第1的面
15b‧‧‧第2的面
30‧‧‧螢光體層
30a‧‧‧上面
30b‧‧‧斜面
Claims (18)
- 一種半導體發光裝置，其特徵為具備：具有第1的面，與其相反側之第2的面，與發光層之半導體層，和設置於在包含前述發光層之區域的前述第2的面之p側電極，和設置於在未包含前述發光層之區域的前述第2的面之n側電極，和被覆前述第p側電極及前述n側電極之第1絕緣膜，和設置於前述第1絕緣膜上，通過貫通前述第1絕緣膜之第1貫孔而與前述p側電極加以電性連接之p側配線部，和設置於前述第1絕緣膜上，通過貫通前述第1絕緣膜之第2貫孔而與前述n側電極加以電性連接之n側配線部，和設置於前述第1的面上之螢光體層，前述螢光體層係具有上面，與形成和前述上面鈍角的角，對於前述第1的面而言傾斜之斜面，前述斜面之正下方的前述螢光體層之厚度係較前述上面之正下方的前述螢光體層之厚度為薄。
- 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置，其中，前述螢光體層係具有對於前述第1的面而言之傾斜角度不同之複數的前述斜面。
- 如申請專利範圍第2項記載之半導體發光裝置， 其中，前述複數之斜面係包含形成和前述上面鈍角的角，而連續於前述上面之第1的斜面，和形成和前述第1的斜面鈍角的角，而連續於前述第1的斜面之第2的斜面。
- 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置，其中，前述螢光體層之側面全部為前述斜面。
- 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置，其中，前述半導體層之邊緣則位於較前述螢光體層之邊緣為內側。
- 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置，其中，前述螢光體層係被覆前述半導體層之邊緣。
- 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置，其中，前述半導體層之端部側的前述螢光體層之厚度則較前述第1的面之中心側之前述螢光體層之厚度為薄。
- 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置，其中，前述斜面係設置於前述螢光體層之端部。
- 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置，其中，前述斜面係遍布於前述上面之周圍全部而加以設置。
- 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置，其中，前述第1絕緣膜係被覆從前述半導體層之前述第1的面持續之側面。
- 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置， 其中，更具備：設置於前述p側配線部與前述n側配線部之間的第2絕緣膜。
- 如申請專利範圍第11項記載之半導體發光裝置，其中，前述第2絕緣膜係樹脂層。
- 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置，其中，前述p側配線部係具有：設置於前述第1絕緣膜上之p側配線層，和設置於前述p側配線層上，較前述p側配線層為厚之p側金屬柱，前述n側配線部係具有：設置於前述第1絕緣膜上之n側配線層，和設置於前述n側配線層上，較前述n側配線層為厚之n側金屬柱者。
- 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置，其中，前述p側配線部之厚度及前述n側配線部之厚度係較前述半導體層之厚度為厚。
- 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置，其中，前述螢光體層之前述上面係對於前述半導體層之前述第1的面而言為平行。
- 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置，其中，前述螢光體層未設置於較前述半導體層之前述第2的面更下方。
- 一種發光模組，其特徵為具備：具有安裝面，與設置於前述安裝面之墊片的安裝基 板，和安裝於前述安裝基板上之複數之半導體發光裝置，前述半導體發光裝置係具有：具有第1的面，與其相反側之第2的面，與發光層之半導體層，和設置於在包含前述發光層之區域的前述第2的面之p側電極，和設置於在未包含前述發光層之區域的前述第2的面之n側電極，和被覆前述第p側電極及前述n側電極之第1絕緣膜，和設置於前述第1絕緣膜上，通過貫通前述第1絕緣膜之第1貫孔而與前述p側電極加以電性連接，且設置於前述墊片上，與前述墊片加以電性連接之前述p側配線部，和設置於前述第1絕緣膜上，通過貫通前述第1絕緣膜之第2貫孔而與前述n側電極加以電性連接，且設置於前述墊片上，與前述墊片加以電性連接之n側配線部，和設置於前述第1的面上之螢光體層，前述螢光體層係具有上面，與形成和前述上面鈍角的角，對於前述第1的面而言傾斜之斜面，前述斜面之正下方的前述螢光體層之厚度係較前述上面之正下方的前述螢光體層之厚度為薄。
- 如申請專利範圍第17項記載之發光模組，其特 徵為前述螢光體層之前述上面係對於前述安裝基板之前述安裝面而言為平行，前述螢光體層之前述斜面係對於前述安裝基板之前述安裝面而言為傾斜。
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