TWI517441B - 半導體發光裝置及其製造方法 - Google Patents

半導體發光裝置及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI517441B
TWI517441B TW101147160A TW101147160A TWI517441B TW I517441 B TWI517441 B TW I517441B TW 101147160 A TW101147160 A TW 101147160A TW 101147160 A TW101147160 A TW 101147160A TW I517441 B TWI517441 B TW I517441B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
side wiring
insulating film
wiring layer
emitting device
Prior art date
Application number
TW101147160A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201349570A (zh
Inventor
小島章弘
秋元陽介
富澤英之
向田秀子
島田美代子
杉崎吉昭
古山英人
Original Assignee
東芝股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東芝股份有限公司 filed Critical 東芝股份有限公司
Publication of TW201349570A publication Critical patent/TW201349570A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI517441B publication Critical patent/TWI517441B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/387—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

半導體發光裝置及其製造方法
實施形態係有關半導體發光裝置及其製造方法。
組合半導體發光元件與螢光體，放射白色光等之可視光或其他的波長帶的光線之半導體發光裝置係小型化容易，且作為易處理之光源，其用途則日益變廣。例如，經由將自基板分離之半導體層收容於樹脂封裝之時，可實現加以低背化之小型的半導體發光裝置。但有著經由加上於加以樹脂封閉之半導體層的應力，而半導體發光裝置之特性產生變動之情況。
本發明之實施形態係提供減輕加上於半導體層之應力，安定化特性之半導體發光裝置。
有關實施形態之半導體發光裝置係具備：具有第1的面，和其相反側之第2的面，和發光層之半導體層，和設置於在包含前述半導體層之前述發光層的範圍之前述第2的面之p側電極，和設置於在未包含前述半導體層之前述發光層的範圍之前述第2的面之n側電極。更且，具備：具有設置於前述第2的面側，通過於前述第p側電極之第1開口，和通過於前述n側電極之第2開口之第1絕緣膜，和設置於前述第1絕緣膜上，藉由前述第1開口而與 前述p側電極加以電性連接之p側配線部，和於前述第1絕緣膜上，從前述p側配線部離間加以設置，藉由前述第2開口而與前述n側電極加以電性連接之n側配線部。並且，前述p側配線部係具有朝向前述n側配線部而突出之複數的凸部，前述n側配線部係具有延伸存在於前述p側配線部之前述複數之凸部之間的複數之部分。
如根據本發明之實施形態，可提供減輕加上於半導體層之應力，安定化特性之半導體發光裝置。
以下，對於本發明之實施形態，參照圖面同時加以說明。然而，對於圖面中的同一部分係附上同一符號，其詳細說明係適宜省略，對於不同的部分加以說明。
(第1實施形態)
圖1A係第1實施形態的半導體發光裝置1之模式剖面圖。半導體發光裝置1係具備具有發光層13之半導體層15。半導體層15係具有第1的面15a，和其相反側之第2的面15b(參照圖2A)，於第2的面側設置有電極及配線部。並且，半導體層15係將從發光層13所放射的光線，從第1的面15a射出至外部。
半導體層15係具有第1半導體層11與第2半導體層12。第1半導體層11及第2半導體層12係例如含有氮化鎵。第1半導體層11係例如，包含基底緩衝層，n型GaN 層等。第2半導體層12係包含p型GaN層，發光層(活性層)13等。發光層13係可使用將藍，紫，藍紫，紫外線光等發光的材料者。
如圖1A所示，半導體層15係具有包含發光層13之範圍，和未包含發光層13之範圍。包含發光層13的範圍之面積係較未包含發光層13的範圍之面積為寬地加以設置。
即，半導體層15之第2的面係加工成凹凸形狀。凸部係包含發光層13，對於其表面之第2半導體層12的表面係設置有p側電極16。換言之，p側電極16係設置於在包含發光層13之範圍之第2的面上。
在半導體層15之第2的面中，對於凸部的橫側係設置有未含有發光層13之範圍。於其範圍之第1半導體層11上，設置有n側電極17。即，n側電極17係設置於在未包含發光層13之範圍之第2的面上。
更且，對於半導體層15之第2的面側係設置有絕緣膜18(第1絕緣膜)。絕緣膜18係被覆半導體層15，p側電極16及n側電極17。另外，絕緣膜18係被覆保護發光層13及第2半導體層12之側面。
然而，亦可於絕緣膜18與半導體層15之間設置其他絕緣膜(例如矽氧化膜)。對於絕緣膜18係例如，可使用對於細微開口之圖案化性優越之聚醯亞胺等之樹脂。或者，作為絕緣膜18而使用矽氧化膜或矽氮化膜等之無機膜亦可。另外，絕緣膜18係被覆從在半導體層15之第1 的面15a持續之側面15c，未設置於第1的面15a上。
於與在絕緣膜18之半導體層15相反側的面上，p側配線層21，與n側配線層22則相互離間加以設置。
p側配線層21係延伸存在於形成於絕緣膜18之複數的第1開口18a之內部。第1開口18a係連通於p側電極16，而p側配線層21係藉由第1開口18a而電性連接於p側電極16。同樣地，n側配線層22係延伸存在於連通於n側電極17之第2開口18b之內部，電性連接於n側電極17。
對於位置於與p側配線層21之p側電極16相反側的面，係設置有p側金屬柱23。p側配線層21，p側金屬柱23，及作為後述之種子層之金屬膜19係構成p側配線部。
對於位置於與n側配線層22之n側電極17相反側的面，係設置有n側金屬柱24。n側配線層22，n側金屬柱24，及作為後述之種子層之金屬膜19係構成n側配線部。
對於絕緣膜18上係設置有絕緣膜25(第2絕緣膜)。絕緣膜25係充填於p側金屬柱23與n側金屬柱24之間，被覆p側配線部之周圍及n側配線部之周圍。例如，p側金屬柱23之側面及n側金屬柱24之側面係由絕緣膜25所被覆。
位置於與p側金屬柱23之p側配線層21相反側的面係從絕緣膜25露出，作為p側外部端子23a而發揮機 能。位置於與n側金屬柱24之n側配線層22相反側的面係從絕緣膜25露出，作為n側外部端子24a而發揮機能。例如，p側外部端子23a及n側外部端子24a係於形成於安裝基板之墊片，藉由焊錫，其他的金屬，導電性材料等之接合材而加以接合。
露出於絕緣膜25之相同面(在圖1之下面)之p側外部端子23a與n側外部端子24a之間的距離係較在絕緣膜18上之p側配線層21與n側配線層22之間的距離為大。即，p側外部端子23a與n側外部端子24a之間隔係對於安裝時呈未經由焊錫等而相互產生短路之寬度地加以設置。
p側配線層21係例如至處理上的界限為止而接近於n側配線層22。即，加寬p側配線層21之面積，可擴大p側配線層21與p側電極16之接觸面積。由此，降低在p側配線部之電流密度，成為可使散熱性提升。
通過複數之第1開口18a而p側配線層21則與p側電極16接合的面積係較通過第2開口18b而n側配線層22則與n側電極17接合的面積為大。因而，可降低注入於發光層13之電流密度而均一化。另外，可使藉由p側配線部之發光層13的熱之散熱性提升。
發光層13係遍布形成於較設置有n側電極17之範圍為寬的範圍，實現高的光輸出力。另一方面，設置於較包含發光層13之範圍為窄的範圍之n側電極17則作為更大面積之n側配線層22而導出於安裝面側。即，擴散於絕 緣膜18上之n側配線層22的面積係較n側配線層22則與n側電極17接合之面積為大。
第1半導體層11係藉由n側電極17，金屬膜19及n側配線層22而與具有n側外部端子24a之n側金屬柱24加以電性連接。具有發光層13之第2半導體層12係藉由p側電極16，金屬膜19及p側配線層21而與具有p側外部端子23a之p側金屬柱23加以電性連接。
p側金屬柱23係較p側配線層21為厚，n側金屬柱24係較n側配線層22為厚。p側金屬柱23，n側金屬柱24及絕緣膜25之各厚度係較半導體層15為厚。然而，在此之「厚度」係表示在圖1中上下方向的厚度。
另外，p側金屬柱23及n側金屬柱24之各厚度係較包含半導體層15，p側電極16，n側電極17及絕緣膜18之層積體的厚度為厚。然而，各金屬柱23，24的深寬比(對於平面尺寸而言之厚度比)係未限定為1以上者，而此比係亦可較1為小。即，各金屬柱23，24係亦可較其平面尺寸厚度為薄。
作為p側配線層21，n側配線層22，p側金屬柱23及n側金屬柱24之材料，係可使用銅，金，鎳，銀等。此等之中，使用銅時，可得到良好的熱傳導性，高位移耐性，更且，可得到絕緣膜18及絕緣膜25之間的優越之密著性。
另外，藉由p側外部端子23a及n側外部端子24a而安裝半導體發光裝置1於安裝基板之狀態中，p側金屬柱 23及n側金屬柱24則吸收藉由焊錫等而加上於半導體層15之應力而緩和。
含有p側配線層21及p側金屬柱23的p側配線部係藉由設置於複數之第1開口18a內而相互加以分斷的複數之貫孔21a而連接於p側電極16。因此，得到經由p側配線部之高的應力緩和效果。
或者，在1個大的第1開口18a之內部中，藉由較貫孔21a而平面尺寸大的柱體，使p側配線層21連接於p側電極16亦可。由此，藉由均為金屬之p側電極16，p側配線層21及p側金屬柱23而可謀求發光層13之散熱性的提升。
絕緣膜25係補強p側金屬柱23及n側金屬柱24。絕緣膜25係使用熱膨脹率與安裝基板相同或接近之構成為佳。作為如此之絕緣膜25，例如可將環氧樹脂，聚矽氧樹脂，氟素樹脂等作為一例而舉出者。
另一方面，對於半導體層15之第1的面15a係形成微小的凹凸。對於第1的面15a而言，進行例如使用鹼性系溶液之濕蝕刻(粗糙處理)，形成凹凸。以於發光層13之放射光的主要取出面之第1的面15a設置凹凸者，成為未以各種角度使入射於第1的面15a的光進行全反射，而可取出於第1的面15a之外側者。
對於第1的面15a上係設置有螢光體層30。螢光體層30係例如，包含透明樹脂31，和分散於透明樹脂31中之螢光體32。透明樹脂31係具有對於發光層13之發光及螢 光體32之發光而言的透過性，例如，可使用聚矽氧樹脂，丙烯酸樹脂，苯基樹脂等。螢光體32係可吸收發光層13的發光(激發光)而將波長變換光放射。並且，半導體發光裝置1係可射出發光層13的發光，和與螢光體32的波長變換光之混合光。
螢光體32作為放射成黃色光的黃色螢光體時，作為GaN系材料之發光層13的藍色光，與在螢光體32之波長變換光之黃色光之混合色，可得到白色或燈泡色等者。然而，螢光體層30係亦可為包含複數種之螢光體(例如，發光成紅色光之紅色螢光體，和發光成綠色光的綠色螢光體)之構成。
在有關實施形態之半導體發光裝置1之製造過程中，去除為了形成半導體層15而使用之基板10(參照圖11B)。除去基板10之半導體層15係經由p側金屬柱23，n側金屬柱24及絕緣膜25而安定加以支持，可提高半導體發光裝置1之機械強度。
另外，對於基板10與半導體層15之間，係內在有在磊晶成長時產生之大的應力，於基板10之分離時一口氣加以開放。絕緣膜25，構成p側金屬柱23及n側金屬柱24之金屬，係比較於半導體層15而為柔軟的材料。並且，分離基板10之後的半導體層15係由此等柔軟的構件加以支持。由此，包含絕緣膜25，p側金屬柱23及n側金屬柱24之柔軟的支持體則吸收所開放的應力，例如，可回避半導體層15之破壞。
圖1B係模式性地表示設置於絕緣膜18上之p側配線部及n側配線部的斜視圖。即，表示在除了絕緣膜25之狀態的p側配線層21，n側配線層22，p側金屬柱23及n側金屬柱24。
如圖1B所示，p側配線層21係從n側配線層22離間加以設置，具有朝向n側配線層22而突出之複數的凸部21p。另一方面，n側配線層22係具有延伸存在於p側配線層21之複數之凸部21p之間的複數之部分(以下，凸部22p)。例如，p側配線層21之凸部21p係設置成方形，而設置成同樣方形之n側配線層22的凸部22p係延伸存在於鄰接的凸部21p之間。
如此，於p側配線層21與n側配線層22之對向的各邊設置凹凸，經由將相互的凸部配置成嵌入狀之時，可降低從p側配線部及n側配線部加上於半導體層15之應力。由此，可抑制半導體發光裝置1之光特性的變動，可使其信賴性提升。
接著，參照圖2A~圖13B，對於實施形態之半導體發光裝置1之製造過程加以說明。圖2A~圖13B係表示在晶圓狀態之一部分的範圍之模式剖面圖或下面圖。
圖2A係顯示基板10，和形成於其主面(在圖2A之下面)的半導體層15之模式剖面圖。半導體層15係包含第1半導體層11及第2半導體層12之層積體。圖2B係對應於圖2A之下面圖。
於基板10的主面上形成有第1半導體層11，並於其 上方形成包含發光層13之第2半導體層12。例如，含有氮化鎵之第1半導體層11及第2半導體層12係例如，可於藍寶石基板上，使用MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)法使其結晶成長者。對於基板10係亦可使用矽基板。
如圖2A所示，接合於在第1半導體層11之基板10的面則為半導體層15之第1的面15a，而第2半導體層12的表面則為半導體層15之第2的面15b。
接著，如圖3A及其下面圖之圖3B所示，形成貫通半導體層15而到達至基板10的溝80。溝80係例如，可經由使用未圖示之光阻劑光罩RIE(Reactive Ion Etching)法而形成。另外，溝80係在晶圓狀態之基板10上，例如形成為格子狀，再將半導體層15，分離成複數的晶片。
然而，將半導體層15分離成複數之晶片的工程係在後述之第2半導體層12之選擇性除去後，或者電極之形成後進行亦可。
接著，如圖4A及其下面圖之圖4B所示，除去第2半導體層12之一部分，使第1半導體層11之一部分露出。例如，第2半導體層12之一部分係可經由使用未圖示之光阻劑光罩RIE法而選擇蝕刻。
如圖4A所示，露出有第1半導體層11之範圍係未含有發光層13。另外，如圖4B所示，含有發光層13之第2之半導體層12的面積係較未含有發光層13之第1之半導體層11的面積為寬。
接著，如圖5A及其下面圖之圖5B所示，於半導體層15之第2的面，形成p側電極16與n側電極17。p側電極16係形成於第2半導體層12上。n側電極17係形成於露出之第1半導體層11上。
p側電極16及n側電極17係例如以濺鍍法，蒸鍍法等而形成。p側電極16與n側電極17係先形成任一均可，亦可使用相同材料同時形成。
p側電極16係對於發光層13之發光而言具有反射性，例如，包含銀，銀合金，鋁，鋁合金等。另外，為了p側電極16之硫化，氧化防止，亦可為含有金屬保護膜(阻障金屬)的構成。
另外，設置於含有發光層13之範圍的p側電極16則較設置於未含有發光層13之範圍的n側電極17面積為寬。由此，得到寬的發光範圍。然而，圖5B所示之p側電極16及n側電極17的佈局係為一例，並不限於此等。
更且，於p側電極16與n側電極17之間，及發光層13之端面(側面)，作為鈍化膜，例如使用CVD(chemical vapor deposition)法形成矽氮化膜或矽氧化膜亦可。另外，為了取得各電極與半導體層之電阻接觸之熱處理等係因應必要而實施。
接著，由絕緣膜18被覆基板10之主面上露出之部分所有，例如，經由濕蝕刻而進行圖案化。由此，如圖6A所示，選擇性地形成第1開口18a及第2開口18b。第1開口18a係連通於p側電極16，而第2開口18b係連通於 n側電極17。連通於1個p側電極16之第1開口18a係加以複數形成。
對於絕緣膜18係例如，可使用感光性聚醯亞胺，苯并環丁烯(Benzocyclobutene)等之有機材料者。使用感光性之有機材料之情況，可直接將絕緣膜18曝光及顯像，再進行圖案化。
作為絕緣膜18，使用矽氮化膜或矽氧化膜等之無機膜亦可。對於絕緣膜18使用無機膜之情況，將形成於絕緣膜18上之光阻劑進行圖案化，進行使用光阻劑光罩之選擇蝕刻。由此，可形成第1開口18a及第2開口18b。
接著，如圖6B所示，於絕緣膜18的表面，第1開口18a之內面(側壁及底部)，及第2開口18b之內面(側壁及底部)，形成金屬膜19。金屬膜19係使用於後述之電鍍工程之金屬種。
金屬膜19係例如以濺鍍法而形成。金屬膜19係有例如，包含從絕緣膜18側依序加以層積之鈦(Ti)與銅(Cu)之層積膜。然而，取代鈦而使用鋁亦可。
接著，如圖6C所示，於金屬膜19上選擇性地形成光阻劑91。接著，進行將金屬膜19作為電流路徑之Cu電解電鍍。
由此，如圖7A及其下面圖之圖7B所示，於金屬膜19上，選擇性地形成p側配線層21與n側配線層22。p側配線層21及n側配線層22係例如，經由電鍍法而同時加以形成之銅材料所成。
p側配線層21係亦形成於第1開口18a內部，藉由金屬膜19而加以電性連接於p側電極16。n側配線層22係亦形成於第2開口18b內部，藉由金屬膜19而加以電性連接於n側電極17。
更且，如圖7B所示，對於對向於p側配線層21之n側配線層22的邊係設置有複數之凸部21p。另一方面，對於對向於n側配線層22之p側配線層21的邊亦設置有複數之凸部22p。凸部22p係延伸存在於鄰接之凸部21p之間，相互配置成嵌入狀。
使用於p側配線層21及n側配線層22之電鍍的光阻劑91係使用溶劑或氧電漿而除去。
接著，如圖8A及其下面圖之圖8B所示，形成金屬柱形成用的光阻劑92。光阻劑92係形成為較前述之光阻劑91為厚。然而，在前工程，未除去光阻劑91而殘留，重疊光阻劑92於其上方而形成亦可。對於光阻劑92係形成第1開口92a與第2開口92b。
接著，將光阻劑92作為光罩，進行將金屬膜19作為電流路徑之Cu電解電鍍。由此，如圖9A及其下面圖之圖9B所示，形成p側金屬柱23與n側金屬柱24。
p側金屬柱23係在形成於光阻劑92之第1開口92a內部，形成於p側配線層21上。n側金屬柱24係在形成於光阻劑92之第2開口92b內部，形成於n側配線層22上。p側金屬柱23及n側金屬柱24係例如，經由電鍍法而同時加以形成之例如銅材料所成。
接著，如圖10A所示，將光阻劑92，例如使用溶劑或氧電漿而除去。之後，將金屬柱23，n側金屬柱24，p側配線層21及n側配線層22作為光罩，經由濕蝕刻而除去金屬膜19之露出的部分。由此，如圖10B所示，分斷藉由p側配線層21及n側配線層22之間的金屬膜19之電性連接。
接著，如圖11A所示，對於絕緣膜18而言層積絕緣膜25。絕緣膜25係被覆p側配線層21，n側配線層22，p側金屬柱23及n側金屬柱24。更且，對於絕緣膜25，例如含有碳黑，對於發光層13之發光而言賦予遮光性亦可。
接著，如圖11B所示，除去基板10。基板10為藍寶石基板之情況，例如，可經由雷射剝離法而除去基板10。另外，對於基板10為矽基板之情況，可經由濕蝕刻而從第1半導體層11除去。半導體層15係經由p側金屬柱23，n側金屬柱24及絕緣膜25加以補強之故，即使未有基板10亦可保持晶圓狀態。
使用雷射剝離法之情況，從基板10之背面側朝向第1半導體層11而照射雷射光。雷射光係透過基板10，由第1半導體層11所吸收之波長範圍的光。雷射光則到達至基板10與第1半導體層11之界面時，其界面附近的第1半導體層11係吸收雷射光而進行分解。第1半導體層11係例如分解成鎵(Ga)與氮氣，經由此分解反應而於基板10與第1半導體層11之間形成有微小的間隙。並且，經 由遍佈晶圓全體而進行雷射光的照射之時，可從第1半導體層11分離基板10。
接著，洗淨去除基板10之半導體層15之第1的面15a。例如，以希氟酸等，除去附著於第1的面15a的鎵(Ga)。接著，例如，以KOH(氫氧化鉀)水溶液或TMAH(氫氧化四甲基銨)等，濕蝕刻第1的面15a。在此蝕刻中，產生有依存於結晶面方位之蝕刻速度之不同。由此，如圖12A所示，可於第1的面15a形成凹凸者。或者，以光阻劑進行圖案化之後，進行蝕刻，於第1的面15a形成凹凸亦可。並且，形成於第1的面15a之凹凸，係可提升光取出效率。
接著，如圖12B所示，於第1的面15a上形成螢光體層30。螢光體層30係亦形成於鄰接之半導體層15間的絕緣膜18上。具體而言，將分散有螢光體32之液狀的透明樹脂31，例如經由印刷，裝填，鑄模，壓縮成形等之方法而供給至第1的面15a上之後，使其熱硬化。
接著，研削絕緣膜25之表面(在圖12B的下面)，如圖13A及其下面圖之圖13B所示，使p側外部端子23a及n側外部端子24a露出。
之後，沿著鄰接之半導體層15之間的溝80，切斷絕緣膜18，螢光體層30及絕緣膜25，個片化成複數之半導體發光裝置1。例如，使用切割刀片而加以切斷。或者經由雷射照射而進行切斷亦可。然而，加以個片化之半導體發光裝置1係均可為含有一個的半導體層15之單晶片構 造，以及含有複數之半導體層15多晶片構造。
切割時，既已除去基板10。更且，對於溝80係未存在有半導體層15之故，在切割時可回避半導體層15所受到之損傷。另外，由未有個片化後之追加工程，得到以絕緣膜18被覆保護半導體層15之端部(側面)的構造。
另外，至切割之前的各工程係在晶圓狀態一次加以進行之故，於加以個片化之各個裝置，無需進行配線及封裝，而成為減低大幅的之生產成本。即，在加以個片化之狀態，既已完成配線及封裝。經由此，可使生產性提昇，進而降低成本。
圖14A及圖14B係模式性地顯示有關本實施形態之變形例的p側配線部及n側配線部之斜視圖。各設置於p側配線層21及n側配線層22之凸部的形狀為不同。
如圖14A所示，將p側配線層21之凸部21t及n側配線層22之凸部22t設置為三角形的形狀亦可。另外，如圖14B所示，凸部21u及凸部22u則呈未具有角邊地經由曲線而構成亦可。此情況，p側配線層21及n側配線層22之相互對向之側面21c及22c(參照圖1)係包含曲面。
圖15A~圖15D係顯示對於設置於p側配線層21及n側配線層22之不同凸部形狀而言之應力的模擬結果之模式圖。圖15A係顯示設置圖1B所示之方形的凸部21p及22p之情況，圖15B係顯示設置圖14A所示之三角形的凸部21t及22t之情況，圖15C係顯示設置圖14B所示之以 曲線所構成的凸部21u及22u之情況的應力分布。圖15D係顯示未於p側配線層21及n側配線層22設置凸部，而有關使直線狀的邊對向之比較例的應力分布。在各圖中，對於p側配線層21與n側配線層22之間，係產生有拉伸應力，其集中的範圍顏色係較其他的部份為濃顯示。
在圖15A所示的例中，對應於方形之凸部21p及凸部22p之各頂部之部分的顏色為濃，而了解到應力為大。並且，應力的最大值係產生於對應於p側配線層21之凸部21p的頂部之部分，其值係803MPa(百萬帕斯卡)。
在圖15B所示的例中，知道沿著三角形的凸部21t及22t，均等地產生有應力。並且，其最大值係801MPa。
在圖15C所示的例中，對應於以曲線所構成之凸部21u及凸部22u之各頂部之部分的顏色為濃，而了解到應力為高。並且，應力的最大值係產生於對應於p側配線層21之凸部21u的頂部之部分，其值係777MPa(百萬帕斯卡)。
在圖15D所示之比較例中，於p側配線層21及n側配線層22之間，沿著各邊均等地產生有應力，其最大值係890MPa。
比較於圖15D所示之比較例時，在圖15A~圖15C所示之各例中，降低有拉伸應力之最大值，可確認到經由設置凸部之應力的緩和。在圖15A及圖15B所示的例中，比較於比較例而應力之最大值降低10%。更且，在圖15C所示之凸部21u及22u中，比較於比較例而應力之最大值 降低13%而了解到緩和效果為大。
在圖15A及圖15C所示之各例中，加上於半導體層15之應力則分散於各凸部的頂部。在圖15B所示的例中，與圖15D的比較例同樣地，於p側配線層21及n側配線層22之間，均等地產生有應力，其最大值係較比較例為降低。如此，了解到經由設置凸部於p側配線層21及n側配線層22之相互對向的邊之時而可降低應力。
p側配線層21及n側配線層22之間的拉伸應力係主要從p側配線層21朝向於n側配線層22之方向產生。如將此方向作為第1方向，在圖15D中，沿著垂直於第1方向之第2方向，形成有p側配線層21與n側配線層22之對向的邊。因此，於p側配線層21與n側配線層22之間的邊產生有朝向於第1方向的應力。
另一方面，朝向於與第1方向垂直之第2方向的應力係極低。隨之，當設置有沿著從p側配線層21朝向於n側配線層22之第1方向的邊時，在其部分之p側配線層21與n側配線層22之間的應力則變極低。
在圖15A中，設置有方形的凸部，分散形成沿著第2方向之p側配線層21與n側配線層22之間的邊(凸部的頂部)。並且，於其間形成有沿著第1方向之p側配線層21及n側配線層22的邊(凸部的側部)。因此，認為可分散p側配線層21與n側配線層22之間的應力而緩和。
另外，在圖15B中，設置有三角形的凸部，p側配線層21或者n側配線層22的邊係主要具有第1方向及第2 方向之間的傾斜方向的邊。因此，產生於p側配線層21及n側配線層22之間的應力則呈包含第1方向及第2方向雙方的成份而產生。因此，認為可緩和應力。
另外，在圖15C中，對於p側配線層21或者n側配線層22的邊，設置有以曲線加以構成的凸部。此凸部係p側配線層21及n側配線層22之間的應力之方向則沿著曲線而產生變化，降低有第1方向之成分的形狀，認為具有大的應力緩和效果。
另外，在圖14及圖15所示的例中，與p側配線層21之n側配線層22相向的邊，和p側金屬柱23之間的間隔W1則較與n側配線層22之p側配線層21相向的邊，和n側金屬柱24之間的間隔W2為寬(參照圖14A)。並且，在圖15A及圖15B所示的例中，了解到對應於接近n側金屬柱24側的頂部之部分的應力則變高。即，在對應於各凸部之頂部之範圍中，位置於間隔W1及W2之窄側的範圍之應力則變高。隨之，從各p側金屬柱23及n側金屬柱24遠離各凸部情況則為有效。即，於p側金屬柱23與n側金屬柱24之間的中央設置各凸部，經由將間隔W1與W2作為均等而可降低應力。
如此，經由設置凸部於p側配線層21及n側配線層22之對向的邊之時，可緩和產生於其間之應力。並且，經由降低加上於半導體層15之應力之時，可抑制光特性的變動，例如I-L特性的潛變等。
圖16A~圖16D係模式性顯示有關本實施形態之其他 變形例之半導體發光裝置之p側配線部及n側配線部的平面圖。顯示於各圖的虛線係顯示半導體層15之外緣。
在圖16A中，p側配線層21及n側配線層22則各擴展於同圖之橫方向，超越半導體層15之外緣而延伸存在。對於p側配線層21與n側配線層22所對向的邊係各設置有凸部21p及凸部22p。另外，p側金屬柱23與各凸部之間隔W1係相等於n側金屬柱24與各凸部之間隔W2。
在圖16B中，p側配線層21及n側配線層22則超過半導體層15之外緣而延伸存在。即，p側配線層21與n側配線層22係呈被覆半導體層15地加以設置。
在圖16C中，p側配線層21係於半導體層15設置為上方，但n側配線層22係超過半導體層15之外緣而延伸存在。更且，n側配線層22係成圍著p側配線層21之周圍地加以設置。
在圖16D中，p側配線層21及n側配線層22係設置於半導體15上。並且，圍著p側配線層21與n側配線層22之配線層28則設置於半導體層15之外周。
如此，使p側配線層21及n側配線層22延伸存在於半導體層15之外側，另外，經由設置另外的配線層之時而可被覆半導體層15。另一方面，如各圖所示，p側金屬柱23及n側金屬柱24係設置於半導體層15上。
另外，作為本實施形態之又變形例，未設置p側金屬柱23及n側金屬柱24，而使p側配線層21及n側配線層 22對於安裝基板的墊片而言接合亦可。另外，p側配線層21與p側金屬柱23係不限於各自獨立體，而經由以相同工程一體形成p側配線層21與p側金屬柱23之時而設置p側配線部亦可。同樣地，n側配線層22與n側金屬柱24係不限於各自獨立體，而以相同工程而形成n側配線層22與n側金屬柱24，一體地設置n側配線部亦可。
(第2實施形態)
圖17係顯示有關第2實施形態之半導體發光裝置之特性的模式圖。在本實施形態中，半導體發光裝置之構造及製造方法係與第1實施形態相同，在其製造過程中，控制加上於晶圓之應力。然而，在本實施形態中，p側配線層21及n側配線層22係於相互相對的邊未具有複數凸部之形態亦可。
圖17係模式性地顯示在各製造工程之晶圓的彎曲之剖面圖。作為基板10，使用矽基板(4~8英吋、厚度0.725~1.5mm)。然而，在此晶圓係指無關於基板的有無，而至個片化半導體發光裝置1為止之狀態。
於基板10上磊晶成長半導體層15，在至形成p側配線層21及n側配線層22為止之過程(參照圖2~圖7)中，晶圓係在將半導體層15作為上而將基板10作為下之狀態中，於下方成為凸地彎曲。
於p側配線層21及n側配線層22上各形成p側金屬柱23及n側金屬柱24之後，在於半導體層15之第2的 面15b側形成絕緣膜25(第2絕緣膜)為止之過程(參照圖8~圖11A)中，晶圓彎曲的方向係未產生變化，晶圓係在將半導體層15作為上而將基板10作為下之狀態中，於下方成為凸。
在本實施形態中，從半導體層15之第1的面15a除去基板10時，在將絕緣膜25作為上而將半導體層15作為下之狀態中，晶圓的彎曲則安定呈於上方成為凸地，選擇絕緣膜25之材質及厚度。
對於絕緣膜25係例如，選擇熱膨脹係數接近於半導體層15的值，減輕加上於半導體層15之應力。另外，絕緣膜25係為了支持除去基板10之後的半導體層15，而為剛性高的材料為佳。
如表1所示，絕緣膜25係熱膨張係數5~10ppm、彈性率10~25GPa、厚度0.5~3.0mm為佳。如為此條件之範圍，在將絕緣膜25作為上而將半導體層15作為下之狀態中，除去基板10之後的晶圓的彎曲則可呈於上方成為凸地安定保持。另外，適合此條件之材料係例如為環氧樹脂。
更且，在形成螢光體層30於半導體層15之第1的面15a上之後，在將絕緣膜25作為上而將螢光體層30作為下側之狀態中，將晶圓的彎曲，呈於上方成為凸地保持。對於此，如表1所示，螢光體層30係熱膨張係數100~150ppm、彈性率0.08~0.8GPa、厚度0.03~0.1mm為佳。適合此條件之材料係例如為聚矽氧。
圖18係顯示有關本實施形態之半導體發光裝置之特性的圖表。於橫軸顯示製造工程，於縱軸顯示在各工程之晶圓的彎曲量。在此例中，作為基板而使用8英吋，厚度1.5mm之矽基板。另外，絕緣膜25之熱膨脹係數係7ppm，彈性率係18.4GPa，厚度係0.5mm。另一方面，螢光體層30之熱膨脹係數係120ppm，彈性率係0.8GPa，厚度係0.1mm。
如圖18所示，從磊晶成長至絕緣膜25之形成為止，晶圓係將基板10作為下方之狀態中，於下方具有凸的彎曲。並且，在除去基板10之後係在將半導體層15作為下方之狀態，於上方反轉成凸的彎曲。更且，形成螢光體層30時，彎曲量則增加於同方向。至形成絕緣膜25為止之彎曲量係對於為1mm以下而言，除去基板10之後的彎曲量係6.4mm，更且，形成螢光體層30之後的彎曲量係增加為12.3mm。由此，在將絕緣膜25作為上方而將半導體層15或螢光體層30作為下方之狀態中，可於上方安定保持凸的彎曲。
如此，經由將除去基板10之後之晶圓的彎曲方向保 持為一定之時，成為可使後續之處理條件安定。由此，可使處理安定化，進而使製造效率提升。
(第3實施形態)
圖19A係有關第3實施形態的半導體發光裝置2之模式斜視圖。圖19B係在圖19A之A-A剖面圖。圖19C係在圖19A之B-B剖面圖。另外，圖20係具有安裝半導體發光裝置2於安裝基板200上之構成的發光模組的模式剖面圖。
如圖19A及圖19C所示，p側金屬柱23之一部分的側面係在與半導體層15之第1的面15a及第2的面不同之面方位之第3的面25b，從絕緣膜25露出。其露出面係作為為了安裝於外部之安裝基板的p側外部端子23b而發揮機能。
第3的面25b係對於半導體層15之第1的面15a及第2的面而言為略垂直的面。絕緣膜25係例如具有矩形狀之4個側面，其中一個側面則成為第3的面25b。
在其相同第3的面25b，n側金屬柱24之一部分的側面則從絕緣膜25露出。其露出面係作為為了安裝於外部之安裝基板的n側外部端子24b而發揮機能。
另外，如圖19A所示，p側配線層21之一部分的側面21b亦在第3的面25b，從絕緣膜25露出，作為p側外部端子而發揮機能。同樣地，n側配線層22之一部分的側面22b亦在第3的面25b，從絕緣膜25露出，作為n側外 部端子而發揮機能。
在p側金屬柱23中，露出於第3的面25b之p側外部端子23b以外的部分係由絕緣膜25加以被覆。另外，在n側金屬柱24中，露出於第3的面25b之n側外部端子24b以外的部分係由絕緣膜25加以被覆。
另外，在p側配線層21中，露出於第3的面25b之側面21b以外的部分係由絕緣膜25加以被覆。更且，在n側配線層22中，露出於第3的面25b之側面22b以外的部分係由絕緣膜25加以被覆。另外，p側配線層21及n側配線層22之相對的邊係與第1實施形態同樣地，設置複數凸部。
另一方面，對於第1的面15a與螢光體層30之間係設置有透鏡36。透鏡36係將發光層13的發光進行集光，而使配光提昇。另外，亦可為未設置透鏡36之構成。
如圖20所示，半導體發光裝置2係以將第3的面25b朝向安裝基板200之安裝面201的姿勢加以安裝。在第3的面25b露出之p側外部端子23b及n側外部端子24b係各對於形成於安裝面201之墊片202而言，藉由焊錫203而加以接合。對於安裝基板200之安裝面201係亦形成有配線圖案，墊片202係與其配線圖案加以連接。
第3的面25b係對於光的主要出射面之第1的面15a而言為略垂直。隨之，以將第3的面25b朝向下方之安裝面201側的姿勢，第1的面15a係並非安裝面201之上方，而朝向橫方向。即，半導體發光裝置2係於將安裝面 201作為水平面之情況，釋放光於橫方向，所謂側視形式之半導體發光裝置。
雖說明過本發明之幾個實施形態，但此等實施形態係作為例而提示之構成，未意圖限定發明之範圍。此等新穎的實施形態係可以其他種種形態而實施，在不脫離發明之內容範圍，可進行種種省略，置換，變更。此等實施形態或其變形係含於發明之範圍或內容同時，含於記載於申請專利範圍之發明與其均等之範圍。
1‧‧‧半導體發光裝置
2‧‧‧半導體發光裝置
11‧‧‧第1半導體層
12‧‧‧第2半導體層
13‧‧‧發光層
15‧‧‧半導體層
15a‧‧‧第1的面
15b‧‧‧第2的面
15c‧‧‧側面
16‧‧‧p側電極
17‧‧‧n側電極
18‧‧‧絕緣膜
18a‧‧‧第1的開口
18b‧‧‧第2的開口
19‧‧‧金屬膜
21‧‧‧p側配線層
21a‧‧‧貫孔
21b‧‧‧側面
21c‧‧‧側面
21t‧‧‧凸部
22t‧‧‧凸部
21u‧‧‧凸部
22u‧‧‧凸部
21p‧‧‧凸部
22p‧‧‧凸部
22‧‧‧n側配線層
22b‧‧‧側面
23‧‧‧p側金屬柱
23a‧‧‧p側外部端子
24‧‧‧n側金屬柱
24a‧‧‧n側外部端子
24b‧‧‧n側外部端子
25‧‧‧絕緣膜
25b‧‧‧第3的面
30‧‧‧螢光體層
31‧‧‧透明樹脂
32‧‧‧螢光體
36‧‧‧透鏡
80‧‧‧溝
91‧‧‧光阻劑
92‧‧‧光阻劑
200‧‧‧安裝基板
201‧‧‧安裝面
202‧‧‧墊片
203‧‧‧焊錫
92a‧‧‧第1的開口
92b‧‧‧第2的開口
圖1A、B係顯示有關第1實施形態之半導體發光裝置之模式圖。
圖2A、B係顯示有關第1實施形態之半導體發光裝置之製造過程的模式圖。
圖3A、B係顯示持續圖2A、B之製造過程的模式圖。
圖4A、B係顯示持續圖3A、B之製造過程的模式圖。
圖5A、B係顯示持續圖4A、B之製造過程的模式圖。
圖6A~C係顯示持續圖5A、B之製造過程的模式圖。
圖7A、B係顯示持續圖6A~C之製造過程的模式圖。
圖8A、B係顯示持續圖7A、B之製造過程的模式圖。
圖9A、B係顯示持續圖8A、B之製造過程的模式圖。
圖10A、B係顯示持續圖9A、B之製造過程的模式圖。
圖11A、B係顯示持續圖10A、B之製造過程的模式圖。
圖12A、B係顯示持續圖11A、B之製造過程的模式圖。
圖13A、B係顯示持續圖12A、B之製造過程的模式圖。
圖14A、B係顯示有關第1實施形態之變形例之半導體發光裝置之模式圖。
圖15A、D係顯示有關第1實施形態之變形例之半導體發光裝置之特性的模式圖。
圖16A~D係顯示有關第1實施形態之其他變形例之半導體發光裝置之模式圖。
圖17係顯示有關第2實施形態之半導體發光裝置之特性的模式圖。
圖18係顯示有關第2實施形態之半導體發光裝置之特性的圖表。
圖19A~C係顯示有關第3實施形態之半導體發光裝置之模式圖。
圖20係安裝圖19A~C所示之半導體發光裝置於安裝基板的狀態之模式剖面圖。
1‧‧‧半導體發光裝置
11‧‧‧第1半導體層
12‧‧‧第2半導體層
13‧‧‧發光層
15‧‧‧半導體層
15a‧‧‧第1的面
15c‧‧‧側面
16‧‧‧p側電極
17‧‧‧n側電極
18‧‧‧絕緣膜
18a‧‧‧第1的開口
18b‧‧‧第2的開口
19‧‧‧金屬膜
21‧‧‧p側配線層
21a‧‧‧貫孔
21c、22c‧‧‧側面
22‧‧‧n側配線層
23‧‧‧p側金屬柱
23a‧‧‧p側外部端子
24‧‧‧n側金屬柱
24a‧‧‧n側外部端子
25‧‧‧絕緣層
30‧‧‧螢光體層
31‧‧‧透明樹脂
32‧‧‧螢光體

Claims (17)

  1. 一種半導體發光裝置，其特徵為：具備：具有第1面、第1面的相反側之第2面、與發光層之半導體層；設置於前述半導體層上之p側電極；設置於前述半導體層上之n側電極；與前述p側電極電性連接之p側配線部；及與前述n側電極電性連接且從前述p側配線部分離之n側配線部；其中，前述p側配線部包含被覆前述p側電極之至少一部分的p側配線層、及設置於p側配線層上之p側金屬柱；且前述n側配線部包含被覆前述n側電極之至少一部分的n側配線層、及設置於n側配線層上之n側金屬柱，前述n側金屬柱鄰接於前述p側金屬柱；前述p側配線層係具有朝向前述n側配線層而突出之複數的第1凸部；前述n側配線層係在前述p側配線層之前述複數之凸部之間具有複數之第2凸部；且前述複數的第1凸部及前述複數之第2凸部係設置於接觸前述p側金屬柱之p側配線層的第1部分與接觸前述n側金屬柱之n側配線層的第2部分之間。
  2. 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置，其 中，前述第1凸部的各形狀係為方形。
  3. 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置，其中，前述第1凸部的各形狀係為三角形。
  4. 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置，其中，面向於前述前述n側配線層之第1凸部的表面之每一者係在前述p側配線層之平面中包含曲面。
  5. 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置，其進一步包含：第1絕緣膜，其係被覆前述p側電極、前述n側電極及前述第2面之側的前述半導體層，且具有與前述P側電極連通之第1開口及與前述n側電極連通之第2開口，其中，前述p側配線層係設置於前述第1絕緣膜上且透過前述第1開口而電連接於前述p側電極，前述n側配線層係設置於前述第1絕緣膜上且透過前述第2開口而電連接於前述n側電極，且前述n側配線層於前述第1絕緣膜上包含重疊部，該重疊部係較接觸前述n側電極之前述n側配線部之部分為寬。
  6. 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置，其中，前述p側配線部及前述n側配線部係包含選自銅，金，鎳及銀之至少1種金屬。
  7. 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置，其中，前述p側配線部及前述n側配線部之至少任一者係具有延伸存在於前述半導體層之外緣的部分。
  8. 如申請專利範圍第5項記載之半導體發光裝置，其中，更具備：設置於前述p側配線部與前述n側配線部之間的第2絕緣膜。
  9. 如申請專利範圍第8項記載之半導體發光裝置，其中，前述第2絕緣膜係含有環氧樹脂。
  10. 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置，其中，前述複數之第1凸部及前述複數之第2凸部係位置於前述p側金屬柱與前述n側金屬柱之間的中點。
  11. 如申請專利範圍第8項記載之半導體發光裝置，其中，前述第2絕緣膜係被覆前述p側金屬柱之周圍及前述n側金屬柱之周圍。
  12. 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置，其中，更具備：設置於前述第1的面上之螢光體層。
  13. 如申請專利範圍第12項記載之半導體發光裝置，其中，前述螢光體層係含有聚矽氧樹脂。
  14. 一種半導體發光裝置之製造方法，其特徵為具備：於基板上，形成包含發光層之半導體層的工程，和於包含前述半導體層之前述發光層的範圍形成p側電極，於未包含前述半導體層之前述發光層的範圍形成n側電極的工程，和形成設置於前述半導體層及被覆p側電極，n側電極之第1絕緣膜上，各連通於前述p側電極及前述n側電極之p側配線部與n側配線部的工程，和設置於前述第1絕緣膜上，形成被覆前述p側配線 部與n側配線部之第2絕緣膜的工程，和將前述基板，從前述半導體層除去之工程，和於前述半導體層之除去前述基板的面，形成螢光體層之工程，含有前述半導體層，與前述第1絕緣膜，與前述第2絕緣膜，與前述螢光體層之構造體係在將前述第2絕緣膜作為上方而將前述螢光體層作為下方之狀態中，於上方具有凸的彎曲。
  15. 如申請專利範圍第14項記載之半導體發光裝置之製造方法，其中，前述絕緣膜之特性係位於熱膨張係數5~10ppm、彈性率10~25GPa、厚度0.5~3.0mm之範圍。
  16. 如申請專利範圍第14項記載之半導體發光裝置之製造方法，其中，螢光體層之特性係位於熱膨張係數100~150ppm、彈性率0.08~0.8GPa、厚度0.03~0.1mm之範圍。
  17. 如申請專利範圍第14項記載之半導體發光裝置之製造方法，其中，前述第2絕緣膜係含有環氧樹脂，而前述螢光體層係含有聚矽氧樹脂。
TW101147160A 2012-05-28 2012-12-13 半導體發光裝置及其製造方法 TWI517441B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012121062A JP5982179B2 (ja) 2012-05-28 2012-05-28 半導体発光装置およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201349570A TW201349570A (zh) 2013-12-01
TWI517441B true TWI517441B (zh) 2016-01-11

Family

ID=47010217

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101147160A TWI517441B (zh) 2012-05-28 2012-12-13 半導體發光裝置及其製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9153746B2 (zh)
EP (1) EP2669962B1 (zh)
JP (1) JP5982179B2 (zh)
TW (1) TWI517441B (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103367555B (zh) * 2012-03-28 2016-01-20 清华大学 发光二极管的制备方法
TWI625868B (zh) * 2014-07-03 2018-06-01 晶元光電股份有限公司 光電元件及其製造方法
TWI548049B (zh) * 2014-09-19 2016-09-01 矽品精密工業股份有限公司 半導體結構及其製法
JP2016134422A (ja) * 2015-01-16 2016-07-25 株式会社東芝 半導体発光素子およびその製造方法
DE102015114579B4 (de) * 2015-09-01 2021-07-01 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterchip
DE102015114583A1 (de) * 2015-09-01 2017-03-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
KR102417181B1 (ko) 2015-11-09 2022-07-05 삼성전자주식회사 발광 패키지, 반도체 발광 소자, 발광 모듈 및 발광 패키지의 제조 방법
DE102017110073B4 (de) 2017-05-10 2024-08-22 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements und strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
DE102018123932A1 (de) 2018-09-27 2020-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit dielektrischer Spiegelschicht und Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Bauelements
JP7050250B2 (ja) * 2020-02-07 2022-04-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102020123386A1 (de) 2020-09-08 2022-03-10 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Bauelement mit verbesserter anschlussstruktur und verfahren zur herstellung eines bauelements

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005109208A (ja) 2003-09-30 2005-04-21 Shin Etsu Handotai Co Ltd 発光素子の製造方法
US8217381B2 (en) * 2004-06-04 2012-07-10 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Controlled buckling structures in semiconductor interconnects and nanomembranes for stretchable electronics
EP1868251A4 (en) * 2005-04-08 2009-05-27 Mitsubishi Chem Corp SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
US7736945B2 (en) * 2005-06-09 2010-06-15 Philips Lumileds Lighting Company, Llc LED assembly having maximum metal support for laser lift-off of growth substrate
KR100632004B1 (ko) 2005-08-12 2006-10-09 삼성전기주식회사 질화물 단결정 기판 제조방법 및 질화물 반도체 발광소자 제조방법
JP2007243047A (ja) 2006-03-10 2007-09-20 Matsushita Electric Works Ltd 発光素子の製造方法
JP2008258459A (ja) 2007-04-06 2008-10-23 Toshiba Corp 発光装置及びその製造方法
JP2009088176A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Kyocera Corp 放熱基体およびこれを用いた電子装置
JP2009117583A (ja) 2007-11-06 2009-05-28 Oki Electric Ind Co Ltd 窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体結晶成長基板、結晶成長基板保持基板及び接着材
US7855153B2 (en) 2008-02-08 2010-12-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR20100028412A (ko) * 2008-09-04 2010-03-12 삼성전자주식회사 나노 막대를 이용한 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR101497953B1 (ko) * 2008-10-01 2015-03-05 삼성전자 주식회사 광추출 효율이 향상된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법
JP2010093186A (ja) 2008-10-10 2010-04-22 Showa Denko Kk 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体素子の積層構造及び窒化ガリウム系化合物半導体発光素子、並びにランプ
JP4724222B2 (ja) * 2008-12-12 2011-07-13 株式会社東芝 発光装置の製造方法
JP5509837B2 (ja) * 2009-12-21 2014-06-04 カシオ計算機株式会社 板状部品の接合方法及び接合部材
JP2011199193A (ja) * 2010-03-23 2011-10-06 Toshiba Corp 発光装置及びその製造方法
JP2011233650A (ja) * 2010-04-26 2011-11-17 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP2011253925A (ja) * 2010-06-02 2011-12-15 Toshiba Corp 発光装置の製造方法
JP5343040B2 (ja) * 2010-06-07 2013-11-13 株式会社東芝 半導体発光装置
JP5767062B2 (ja) 2010-09-30 2015-08-19 日東電工株式会社 発光ダイオード封止材、および、発光ダイオード装置の製造方法
JP5205502B2 (ja) 2011-11-07 2013-06-05 株式会社東芝 半導体発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP2669962B1 (en) 2018-12-12
TW201349570A (zh) 2013-12-01
US20130313588A1 (en) 2013-11-28
US9153746B2 (en) 2015-10-06
EP2669962A3 (en) 2015-11-11
EP2669962A2 (en) 2013-12-04
JP2013247288A (ja) 2013-12-09
JP5982179B2 (ja) 2016-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI517441B (zh) 半導體發光裝置及其製造方法
JP5816127B2 (ja) 半導体発光装置およびその製造方法
US8957444B2 (en) Semiconductor light emitting device
TWI513065B (zh) Semiconductor light emitting device and light emitting device
TWI478392B (zh) 半導體發光裝置及其製造方法
US9041033B2 (en) Semiconductor light emitting device
TWI504023B (zh) 半導體發光裝置
JP5535114B2 (ja) 発光装置、発光モジュール、発光装置の製造方法
TWI517459B (zh) 半導體發光裝置及其製造方法
TW201344962A (zh) 半導體發光裝置及其製造方法
US9024346B2 (en) Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
TW201349585A (zh) 半導體發光裝置
TW201308673A (zh) 半導體發光裝置及發光模組
JP2014003283A (ja) 半導体発光装置および光源ユニット
JP5837456B2 (ja) 半導体発光装置及び発光モジュール
TWI525862B (zh) 元件模組
JP2013069815A (ja) 半導体発光装置、発光モジュール、および半導体発光装置の製造方法
JP2016001750A (ja) 半導体発光装置