JP2013247288A - 半導体発光装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】実施形態は、半導体層に加わる応力を軽減し、特性を安定化した半導体発光装置を提供する。
【解決手段】
実施形態に係る半導体発光装置は、第１の面と、その反対側の第２の面と、発光層と、を有する半導体層と、前記半導体層の前記発光層を含む領域における前記第２の面に設けられたｐ側電極と、前記半導体層の前記発光層を含まない領域における前記第２の面に設けられたｎ側電極と、を備える。さらに、前記第２の面側に設けられた第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に設けられ、前記ｐ側電極と電気的に接続されたｐ側配線部と、前記ｎ側電極と電気的に接続されたｎ側配線部と、を備える。そして、前記ｐ側配線部は、前記ｎ側配線部に向かって突出した複数の凸部を有し、前記ｎ側配線部は、前記ｐ側配線部の前記複数の凸部の間に延在する複数の部分を有する。
【選択図】図１
【解決手段】
実施形態に係る半導体発光装置は、第１の面と、その反対側の第２の面と、発光層と、を有する半導体層と、前記半導体層の前記発光層を含む領域における前記第２の面に設けられたｐ側電極と、前記半導体層の前記発光層を含まない領域における前記第２の面に設けられたｎ側電極と、を備える。さらに、前記第２の面側に設けられた第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に設けられ、前記ｐ側電極と電気的に接続されたｐ側配線部と、前記ｎ側電極と電気的に接続されたｎ側配線部と、を備える。そして、前記ｐ側配線部は、前記ｎ側配線部に向かって突出した複数の凸部を有し、前記ｎ側配線部は、前記ｐ側配線部の前記複数の凸部の間に延在する複数の部分を有する。
【選択図】図１
Description
実施形態は、半導体発光装置およびその製造方法に関する。
半導体発光素子と、蛍光体と、を組み合わせ、白色光などの可視光やその他の波長帯の光を放射する半導体発光装置は、小型化が容易で扱い易い光源としてその用途が広がりつつある。例えば、基板から分離した半導体層を樹脂パッケージに収容することにより、低背化された小型の半導体発光装置を実現することができる。しかしながら、樹脂封止された半導体層に加わる応力により半導体発光装置の特性が変動する場合がある。
実施形態は、半導体層に加わる応力を軽減し、特性を安定化した半導体発光装置を提供する。
実施形態に係る半導体発光装置は、第１の面と、その反対側の第２の面と、発光層と、を有する半導体層と、前記半導体層の前記発光層を含む領域における前記第２の面に設けられたｐ側電極と、前記半導体層の前記発光層を含まない領域における前記第２の面に設けられたｎ側電極と、を備える。さらに、前記第２の面側に設けられ、前記第ｐ側電極に通じる第１の開口と、前記ｎ側電極に通じる第２の開口と、を有する第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に設けられ、前記第１の開口を介して前記ｐ側電極と電気的に接続されたｐ側配線部と、前記第１の絶縁膜上に前記ｐ側配線部から離間して設けられ、前記第２の開口を介して前記ｎ側電極と電気的に接続されたｎ側配線部と、を備える。そして、前記ｐ側配線部は、前記ｎ側配線部に向かって突出した複数の凸部を有し、前記ｎ側配線部は、前記ｐ側配線部の前記複数の凸部の間に延在する複数の部分を有する。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、図面中の同一部分には同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。
（第１実施形態）
図１（ａ）は、第１実施形態に係る半導体発光装置１の模式断面図である。半導体発光装置１は、発光層１３を有する半導体層１５を備える。半導体層１５は、第１の面１５ａと、その反対側の第２の面１５ｂ（図２（ａ）参照）を有し、第２の面側に電極および配線部が設けられる。そして、半導体層１５は、発光層１３から放射される光を第１の面１５ａから外部に出射する。
図１（ａ）は、第１実施形態に係る半導体発光装置１の模式断面図である。半導体発光装置１は、発光層１３を有する半導体層１５を備える。半導体層１５は、第１の面１５ａと、その反対側の第２の面１５ｂ（図２（ａ）参照）を有し、第２の面側に電極および配線部が設けられる。そして、半導体層１５は、発光層１３から放射される光を第１の面１５ａから外部に出射する。
半導体層１５は、第１の半導体層１１と第２の半導体層１２とを有する。第１の半導体層１１および第２の半導体層１２は、例えば窒化ガリウムを含む。第１の半導体層１１は、例えば、下地バッファ層、ｎ型ＧａＮ層などを含む。第２の半導体層１２は、ｐ型ＧａＮ層、発光層（活性層）１３などを含む。発光層１３は、青、紫、青紫、紫外光などを発光する材料を用いることができる。
図１に示すように、半導体層１５は、発光層１３を含む領域と、発光層１３を含まない領域と、を有する。発光層１３を含む領域の面積は、発光層１３を含まない領域の面積よりも広く設けられる。
すなわち、半導体層１５の第２の面は凹凸形状に加工される。凸部は、発光層１３を含み、その表面である第２の半導体層１２の表面には、ｐ側電極１６が設けられる。言い換えれば、ｐ側電極１６は、発光層１３を含む領域における第２の面上に設けられる。
半導体層１５の第２の面において凸部の横には、発光層１３を含まない領域が設けられる。その領域の第１の半導体層１１の上に、ｎ側電極１７が設けられる。すなわち、ｎ側電極１７は、発光層１３を含まない領域における第２の面上に設けられる。
さらに、半導体層１５の第２の面側には、絶縁膜１８（第１の絶縁膜）が設けられる。絶縁膜１８は、半導体層１５、ｐ側電極１６およびｎ側電極１７を覆う。また、絶縁膜１８は、発光層１３および第２の半導体層１２の側面を覆い保護する。
なお、絶縁膜１８と半導体層１５との間に別の絶縁膜（例えばシリコン酸化膜）を設けても良い。絶縁膜１８には、例えば、微細開口のパターニング性に優れたポリイミド等の樹脂を用いることができる。あるいは、絶縁膜１８として、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の無機膜を用いても良い。また、絶縁膜１８は、半導体層１５における第１の面１５ａから続く側面１５ｃを覆い、第１の面１５ａ上には設けられない。
絶縁膜１８における半導体層１５とは反対側の面上に、ｐ側配線層２１と、ｎ側配線層２２と、が互いに離間して設けられる。
ｐ側配線層２１は、絶縁膜１８に形成された複数の第１の開口１８ａの内部に延在する。第１の開口１８ａは、ｐ側電極１６に連通し、ｐ側配線層２１は、第１の開口１８ａを介してｐ側電極１６に電気的に接続される。同様に、ｎ側配線層２２は、ｎ側電極１７に連通する第２の開口１８ｂの内部に延在し、ｎ側電極１７に電気的に接続される。
ｐ側配線層２１のｐ側電極１６とは反対側に位置する面には、ｐ側金属ピラー２３が設けられる。ｐ側配線層２１、ｐ側金属ピラー２３、および、後述するシード層である金属膜１９はｐ側配線部を構成する。
ｎ側配線層２２のｎ側電極１７とは反対側に位置する面には、ｎ側金属ピラー２４が設けられる。ｎ側配線層２２、ｎ側金属ピラー２４、および、後述するシード層である金属膜１９はｎ側配線部を構成する。
絶縁膜１８の上には、絶縁膜２５（第２の絶縁膜）が設けられる。絶縁膜２５は、ｐ側金属ピラー２３とｎ側金属ピラー２４との間に充填され、ｐ側配線部の周囲及びｎ側配線部の周囲を覆う。例えば、ｐ側金属ピラー２３の側面およびｎ側金属ピラー２４の側面は、絶縁膜２５で覆われる。
ｐ側金属ピラー２３のｐ側配線層２１とは反対側に位置する面は、絶縁膜２５から露出し、ｐ側外部端子２３ａとして機能する。ｎ側金属ピラー２４のｎ側配線層２２とは反対側に位置する面は、絶縁膜２５から露出し、ｎ側外部端子２４ａとして機能する。例えば、ｐ側外部端子２３ａおよびｎ側外部端子２４ａは、実装基板に形成されたパッドに、はんだ、その他の金属、導電性材料等の接合材を介して接合される。
絶縁膜２５における同じ面（図１における下面）に露出するｐ側外部端子２３ａとｎ側外部端子２４ａとの間の距離は、絶縁膜１８上でのｐ側配線層２１とｎ側配線層２２との間の距離よりも大きい。すなわち、ｐ側外部端子２３ａとｎ側外部端子２４ａの間隔は、実装時にはんだ等によって相互に短絡しない広さに設けられる。
ｐ側配線層２１は、例えば、プロセス上の限界までｎ側配線層２２に近づける。すなわち、ｐ側配線層２１の面積を広くし、ｐ側配線層２１とｐ側電極１６との接触面積を拡大できる。これにより、ｐ側配線部における電流密度を低減し、放熱性を向上させることが可能となる。
複数の第１の開口１８ａを介してｐ側配線層２１がｐ側電極１６と接する面積は、第２の開口１８ｂを介してｎ側配線層２２がｎ側電極１７と接する面積よりも大きい。よって、発光層１３へ注入される電流密度を低減し均一化できる。また、ｐ側配線部を介した発光層１３の熱の放熱性を向上させることができる。
発光層１３は、ｎ側電極１７が設けられた領域よりも広い領域にわたって形成され、高い光出力を実現する。一方、発光層１３を含む領域よりも狭い領域に設けられたｎ側電極１７は、より面積の大きなｎ側配線層２２として実装面側に引き出される。すなわち、絶縁膜１８上に広がるｎ側配線層２２の面積は、ｎ側配線層２２がｎ側電極１７と接する面積よりも大きい。
第１の半導体層１１は、ｎ側電極１７、金属膜１９およびｎ側配線層２２を介して、ｎ側外部端子２４ａを有するｎ側金属ピラー２４と電気的に接続される。発光層１３を有する第２の半導体層１２は、ｐ側電極１６、金属膜１９およびｐ側配線層２１を介して、ｐ側外部端子２３ａを有するｐ側金属ピラー２３と電気的に接続される。
ｐ側金属ピラー２３はｐ側配線層２１よりも厚く、ｎ側金属ピラー２４はｎ側配線層２２よりも厚い。ｐ側金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４および絶縁膜２５のそれぞれの厚さは、半導体層１５よりも厚い。なお、ここでの「厚さ」は、図１において上下方向の厚さを表す。
また、ｐ側金属ピラー２３およびｎ側金属ピラー２４のそれぞれの厚さは、半導体層１５、ｐ側電極１６、ｎ側電極１７および絶縁膜１８を含む積層体の厚さよりも厚い。なお、各金属ピラー２３、２４のアスペクト比（平面サイズに対する厚みの比）は１以上であることに限らず、その比は１よりも小さくてもよい。すなわち、各金属ピラー２３、２４は、その平面サイズよりも薄くてもよい。
ｐ側配線層２１、ｎ側配線層２２、ｐ側金属ピラー２３およびｎ側金属ピラー２４の材料として、銅、金、ニッケル、銀などを用いることができる。これらのうち、銅を用いると、良好な熱伝導性、高いマイグレーション耐性が得られ、さらに、絶縁膜１８および絶縁膜２５との間の優れた密着性を得ることができる。
また、ｐ側外部端子２３ａおよびｎ側外部端子２４ａを介して、半導体発光装置１を実装基板に実装した状態において、はんだ等を介して半導体層１５に加わる応力を、ｐ側金属ピラー２３とｎ側金属ピラー２４が吸収し緩和する。
ｐ側配線層２１及びｐ側金属ピラー２３を含むｐ側配線部は、複数の第１の開口１８ａ内に設けられ相互に分断された複数のビア２１ａを介して、ｐ側電極１６に接続される。このため、ｐ側配線部による高い応力緩和効果が得られる。
あるいは、１つの大きな第１の開口１８ａの内部において、ビア２１ａよりも平面サイズの大きなポストを介して、ｐ側配線層２１をｐ側電極１６に接続させても良い。これにより、いずれも金属であるｐ側電極１６、ｐ側配線層２１およびｐ側金属ピラー２３を介して、発光層１３の放熱性の向上を図ることができる。
絶縁膜２５は、ｐ側金属ピラー２３およびｎ側金属ピラー２４を補強する。絶縁膜２５は、熱膨張率が実装基板と同じ、もしくは、近いものを用いるのが望ましい。そのような絶縁膜２５として、例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂などを一例として挙げることができる。
一方、半導体層１５の第１の面１５ａには、微小な凹凸を形成する。第１の面１５ａに対して、例えばアルカリ系溶液を使ったウェットエッチング（フロスト処理）を行い、凹凸を形成する。発光層１３の放射光の主たる取り出し面である第１の面１５ａに凹凸を設けることで、様々な角度で第１の面１５ａに入射する光を全反射させることなく第１の面１５ａの外側に取り出すことが可能となる。
第１の面１５ａ上には、蛍光体層３０が設けられる。蛍光体層３０は、例えば、透明樹脂３１と、透明樹脂３１中に分散された蛍光体３２と、を含む。透明樹脂３１は、発光層１３の発光および蛍光体３２の発光に対する透過性を有し、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、フェニル樹脂などを用いることができる。蛍光体３２は、発光層１３の発光（励起光）を吸収し、波長変換光を放射する。そして、半導体発光装置１は、発光層１３の発光、および、蛍光体３２の波長変換光の混合光を出射する。
蛍光体３２が黄色光を放射する黄色蛍光体とすると、ＧａＮ系材料である発光層１３の青色光と、蛍光体３２における波長変換光である黄色光との混合色として、白色または電球色などを得ることができる。なお、蛍光体層３０は、複数種の蛍光体（例えば、赤色光を発光する赤色蛍光体と、緑色光を発光する緑色蛍光体）を含む構成であっても良い。
実施形態に係る半導体発光装置１の製造過程では、半導体層１５を形成するために使用した基板１０が除去される（図１１（ｂ）参照）。基板１０が除去された半導体層１５は、ｐ側金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４および絶縁膜２５によって安定して支持され、半導体発光装置１の機械的強度を高めることができる。
また、基板１０と半導体層１５との間には、エピタキシャル成長時に生じる大きな応力が内在され、基板１０の分離時に一気に開放される。絶縁膜２５、ｐ側金属ピラー２３及びｎ側金属ピラー２４を構成する金属は、半導体層１５に比べて柔軟な材料である。そして、基板１０を分離した後の半導体層１５は、これらの柔軟な部材に支持される。これにより、絶縁膜２５、ｐ側金属ピラー２３およびｎ側金属ピラー２４を含む柔軟な支持体が開放される応力を吸収し、例えば、半導体層１５の破壊を回避することができる。
図１（ｂ）は、絶縁膜１８の上に設けられたｐ側配線部およびｎ側配線部を模式的に表す斜視図である。すなわち、絶縁膜２５を除いた状態におけるｐ側配線層２１、ｎ側配線層２２、ｐ側金属ピラー２３およびｎ側金属ピラー２４を表している。
図１（ｂ）に示すように、ｐ側配線層２１は、ｎ側配線層２２から離間して設けられ、ｎ側配線層に向かって突出した複数の凸部２１ｐを有する。一方、ｎ側配線層２２は、ｐ側配線層２１の複数の凸部２１ｐの間に延在する複数の部分（以下、凸部２２ｐ）を有する。例えば、ｐ側配線層２１の凸部２１ｐは方形に設けられ、同じく方形にもうけられたｎ側配線層２２の凸部２２ｐは、隣り合う凸部２１ｐの間に延在する。
このように、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２の対向するそれぞれの辺に凹凸を設け、相互の凸部を入れ子状に配置することにより、ｐ側配線部およびｎ側配線部から半導体層１５に加わる応力を低減することができる。これにより、半導体発光装置１の光特性の変動を抑制し、その信頼性を向上させることができる。
次に、図２（ａ）〜図１３（ｂ）を参照して、実施形態の半導体発光装置１の製造過程について説明する。図２（ａ）〜図１３（ｂ）は、ウェーハ状態における一部の領域を表す模式断面図または下面図である。
図２（ａ）は、基板１０と、その主面（図２（ａ）における下面）に形成された半導体層１５と、を示す模式断面図である。半導体層１５は、第１の半導体層１１および第２の半導体層１２を含む積層体である。図２（ｂ）は、図２（ａ）に対応する下面図である。
基板１０の主面上に第１の半導体層１１が形成され、その上に発光層１３を含む第２の半導体層１２を形成する。例えば、窒化ガリウムを含む第１の半導体層１１及び第２の半導体層１２は、サファイア基板上にＭＯＣＶＤ（metal organic chemical vapor deposition）法を用いて結晶成長させることができる。基板１０には、シリコン基板を用いても良い。
図２（ａ）に示すように、第１の半導体層１１における基板１０に接する面が、半導体層１５の第１の面１５ａであり、第２の半導体層１２の表面が半導体層１５の第２の面１５ｂである。
次に、図３（ａ）及びその下面図である図３（ｂ）に示すように、半導体層１５を貫通して基板１０に達する溝８０を形成する。溝８０は、例えば、図示しないレジストマスクを用いたＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法により形成できる。また、溝８０は、ウェーハ状態の基板１０上に、例えば、格子状に形成され、半導体層１５を複数のチップに分離する。
なお、半導体層１５を複数のチップに分離する工程は、後述する第２の半導体層１２の選択的除去後、あるいは電極の形成後に行ってもよい。
次に、図４（ａ）及びその下面図である図４（ｂ）に示すように、第２の半導体層１２の一部を除去し、第１の半導体層１１の一部を露出させる。例えば、第２の半導体層１２の一部は、図示しないレジストマスクを用いたＲＩＥ法により選択エッチングできる。
図４（ａ）に示すように、第１の半導体層１１が露出された領域は、発光層１３を含まない。また、図４（ｂ）に示すように、発光層１３を含む第２の半導体層１２の面積は、発光層１３を含まない第１の半導体層１１の面積よりも広い。
次に、図５（ａ）及びその下面図である図５（ｂ）に示すように、半導体層１５の第２の面にｐ側電極１６とｎ側電極１７とを形成する。ｐ側電極１６は、第２の半導体層１２の上に形成する。ｎ側電極１７は、露出した第１の半導体層１１の上に形成する。
ｐ側電極１６及びｎ側電極１７は、例えば、スパッタ法、蒸着法等を用いて形成する。ｐ側電極１６とｎ側電極１７とは、どちらを先に形成しても良いし、同じ材料を用いて同時に形成しても良い。
ｐ側電極１６は、発光層１３の発光に対して反射性を有する、例えば、銀、銀合金、アルミニウム、アルミニウム合金等を含む。また、ｐ側電極１６の硫化、酸化防止のため、金属保護膜（バリアメタル）を含む構成であってもよい。
また、発光層１３を含む領域に設けられたｐ側電極１６は、発光層１３を含まない領域に設けられたｎ側電極１７よりも面積が広い。これにより、広い発光領域が得られる。なお、図５（ｂ）に示すｐ側電極１６及びｎ側電極１７のレイアウトは一例であって、これに限定される訳ではない。
さらに、ｐ側電極１６とｎ側電極１７との間、および、発光層１３の端面（側面）にパッシベーション膜として、例えば、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜をＣＶＤ（chemical vapor deposition）法を用いて形成してもよい。また、各電極と半導体層とのオーミックコンタクトをとるための熱処理などは必要に応じて実施する。
次に、基板１０の主面上の露出している部分すべてを絶縁膜１８で覆い、例えば、ウェットエッチングによりパターニングする。これにより、図６（ａ）に示すように、第１の開口１８ａおよび第２の開口１８ｂが選択的に形成される。第１の開口１８ａはｐ側電極１６に連通し、第２の開口１８ｂはｎ側電極１７に連通する。１つのｐ側電極１６に連通する第１の開口１８ａは複数形成される。
絶縁膜１８には、例えば、感光性ポリイミド、ベンゾシクロブテン（Benzocyclobutene）などの有機材料を用いることができる。感光性の有機材料を用いる場合、絶縁膜１８を直接、露光および現像し、パターニングすることが可能である。
絶縁膜１８として、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜などの無機膜を使用しても良い。絶縁膜１８に無機膜を用いる場合、絶縁膜１８上に形成したレジストをパターニングし、レジストマスクを用いた選択エッチングを行う。これにより、第１の開口１８ａおよび第２の開口１８ｂを形成することができる。
次に、図６（ｂ）に示すように、絶縁膜１８の表面、第１の開口１８ａの内面（側壁及び底部）、および第２の開口１８ｂの内面（側壁及び底部）に金属膜１９を形成する。金属膜１９は、後述するメッキ工程に使用するシードメタルである。
金属膜１９は、例えばスパッタ法で形成する。金属膜１９は、例えば、絶縁膜１８の側から順に積層されたチタン（Ｔｉ）と銅（Ｃｕ）とを含む積層膜である。あるいは、チタンの代わりにアルミニウムを用いても良い。
次に、図６（ｃ）に示すように、金属膜１９上に選択的にレジスト９１を形成する。続いて、金属膜１９を電流経路としたＣｕ電解メッキを行う。
これにより、図７（ａ）及びその下面図である図７（ｂ）に示すように、金属膜１９上にｐ側配線層２１とｎ側配線層２２とが選択的に形成される。ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２は、例えば、メッキにより同時に形成された銅材料からなる。
ｐ側配線層２１は、第１の開口１８ａの内部にも形成され、金属膜１９を介してｐ側電極１６に電気的に接続される。ｎ側配線層２２は、第２の開口１８ｂの内部にも形成され、金属膜１９を介してｎ側電極１７に電気的に接続される。
さらに、図７（ｂ）に示すように、ｐ側配線層２１のｎ側配線層２２に対向する辺には、複数の凸部２１ｐが設けられる。一方、ｎ側配線層２２のｐ側配線層２１に対向する辺にも複数の凸部２２ｐが設けられる。凸部２２ｐは、隣り合う凸部２１ｐの間に延在し、相互に入れ子状に配置される。
ｐ側配線層２１及びｎ側配線層２２のメッキに使用したレジスト９１は、溶剤もしくは酸素プラズマを使って除去する。
次に、図８（ａ）及びその下面図である図８（ｂ）に示すように、金属ピラー形成用のレジスト９２を形成する。レジスト９２は、前述のレジスト９１よりも厚く形成する。なお、前の工程においてレジスト９１を除去せずに残し、その上にレジスト９２を重ねて形成してもよい。レジスト９２には、第１の開口９２ａと第２の開口９２ｂとを形成する。
続いて、レジスト９２をマスクとして、金属膜１９を電流経路としたＣｕ電解メッキを行う。これにより、図９（ａ）及びその下面図である図９（ｂ）に示すように、ｐ側金属ピラー２３とｎ側金属ピラー２４とを形成する。
ｐ側金属ピラー２３は、レジスト９２に形成した第１の開口９２ａの内部において、ｐ側配線層２１の上に形成する。ｎ側金属ピラー２４は、レジスト９２に形成した第２の開口９２ｂの内部において、ｎ側配線層２２の上に形成する。ｐ側金属ピラー２３及びｎ側金属ピラー２４は、例えば、メッキにより同時に形成される銅材からなる。
次に、図１０（ａ）に示すように、レジスト９２を、例えば、溶剤もしくは酸素プラズマを用いて除去する。この後、金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２をマスクにして、金属膜１９の露出している部分をウェットエッチングにより除去する。これにより、図１０（ｂ）に示すように、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２との間の金属膜１９を介した電気的接続を分断する。
次に、図１１（ａ）に示すように、絶縁膜１８に対して絶縁膜２５を積層する。絶縁膜２５は、ｐ側配線層２１、ｎ側配線層２２、ｐ側金属ピラー２３及びｎ側金属ピラー２４を覆う。さらに、絶縁膜２５に、例えば、カーボンブラックを含有させ、発光層１３の発光に対して遮光性を与えてもよい。
次に、図１１（ｂ）に示すように、基板１０を除去する。基板１０がサファイア基板の場合、例えば、レーザリフトオフ法によって基板１０を除去する。また、基板１０がシリコン基板の場合、例えば、ウェットエッチングにより第１の半導体層１１から除去することができる。半導体層１５は、ｐ側金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４および絶縁膜２５によって補強されているため、基板１０がなくなっても、ウェーハ状態を保つことができる。
レーザリフトオフを用いる場合、基板１０の裏面側から第１の半導体層１１に向けてレーザ光を照射する。レーザ光は、基板１０を透過し、第１の半導体層１１に吸収される波長領域の光である。基板１０と第１の半導体層１１との界面にレーザ光が到達すると、その界面付近の第１の半導体層１１は、レーザ光を吸収して分解する。第１の半導体層１１は、例えば、ガリウム（Ｇａ）と窒素ガスとに分解し、この分解反応により、基板１０と第１の半導体層１１との間に微小な隙間が形成される。そして、レーザ光の照射をウェーハ全体に渡って行うことにより、第１の半導体層１１から基板１０を分離することができる。
次に、基板１０を除去した半導体層１５の第１の面１５ａを洗浄する。例えば、希フッ酸等で、第１の面１５ａに付着したガリウム（Ｇａ）を除去する。続いて、例えば、ＫＯＨ（水酸化カリウム）水溶液やＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）等で、第１の面１５ａをウェットエッチングする。このエッチングでは、結晶面方位に依存したエッチング速度の違いが生じる。これにより、図１２（ａ）に示すように、第１の面１５ａに凹凸を形成することができる。あるいは、レジストでパターニングした後にエッチングを行って、第１の面１５ａに凹凸を形成してもよい。そして、第１の面１５ａに形成された凹凸は、光取り出し効率を向上させる。
次に、図１２（ｂ）に示すように、第１の面１５ａ上に蛍光体層３０を形成する。蛍光体層３０は、隣り合う半導体層１５間の絶縁膜１８上にも形成する。具体的には、蛍光体３２が分散された液状の透明樹脂３１を、例えば、印刷、ポッティング、モールド、圧縮成形などの方法によって第１の面１５ａ上に供給した後、熱硬化させる。
続いて、絶縁膜２５の表面（図１２（ｂ）における下面）を研削し、図１３（ａ）及びその下面図である図１３（ｂ）に示すように、ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａを露出させる。
その後、隣り合う半導体層１５の間の溝８０に沿って、絶縁膜１８、蛍光体層３０および絶縁膜２５を切断し、複数の半導体発光装置１に個片化する。例えば、ダイシングブレードを用いて切断する。あるいは、レーザ照射により切断してもよい。なお、個片化された半導体発光装置１は、ひとつの半導体層１５を含むシングルチップ構造でも、複数の半導体層１５を含むマルチチップ構造であってもよい。
ダイシング時、基板１０はすでに除去されている。さらに、溝８０には、半導体層１５は存在しないため、ダイシング時に半導体層１５が受けるダメージを回避することができる。また、個片化後の追加工程なしで、半導体層１５の端部（側面）が絶縁膜１８で覆われて保護された構造が得られる。
また、ダイシングする前までの各工程は、ウェーハ状態で一括して行われるため、個片化された個々のデバイスごとに、配線およびパッケージングを行う必要がなく、大幅な生産コストの低減が可能になる。すなわち、個片化された状態で、すでに配線およびパッケージングが済んでいる。これにより、生産性を向上させ、コストを低減することができる。
図１４（ａ）および図１４（ｂ）は、本実施形態の変形例にかかるｐ側配線部およびｎ側配線部を模式的に表す斜視図である。それぞれ、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２に設けられた凸部の形状が異なる。
図１４（ａ）に示すように、ｐ側配線層２１の凸部２１ｔ、および、ｎ側配線層２２の凸部２２ｔを三角形の形状に設けても良い。また、図１４（ｂ）に示すように、凸部２１ｕおよび凸部２２ｕが角をもたないように曲線により構成しても良い。この場合、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２の相互に対向する側面２１ｃおよび２２ｃ（図１参照）は、曲面を含む。
図１５（ａ）〜図１５（ｄ）は、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２に設けられた異なる凸部の形状に対する応力のシミュレーション結果を示す模式図である。図１５（ａ）は、図１（ｂ）に示す方形の凸部２１ｐおよび２２ｐを設けた場合、図１５（ｂ）は、図１４（ａ）に示す三角形の凸部２１ｔおよび２２ｔを設けた場合、図１５（ｃ）は、図１４（ｂ）に示す曲線で構成された凸部２１ｕおよび２２ｕを設けた場合の応力分布を示している。図１５（ｄ）は、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２に凸部を設けず、直線状の辺を対向させた比較例に係る応力分布を示している。各図において、ｐ側配線層２１と、ｎ側配線層２２と、の間には、引っ張り応力が生じており、その集中する領域の色は他の部分よりも濃く示されている。
図１５（ａ）に示す例では、方形の凸部２１ｐおよび凸部２２ｐのそれぞれの頂部に対応する部分の色が濃く、応力が大きいことが分かる。そして、応力の最大値は、ｐ側配線層２１の凸部２１ｐの頂部に対応する部分に生じ、その値は８０３ＭＰａ（メガパスカル）である。
図１５（ｂ）に示す例では、三角形の凸部２１ｔおよび凸部２２ｔに沿って、均等に応力が生じることが分かる。そして、その最大値は、８０１ＭＰａである。
図１５（ｃ）に示す例では、曲線で構成された凸部２１ｕおよび凸部２２ｕのそれぞれの頂部に対応する部分の色が濃く応力が高いことが分かる。そして、応力の最大値は、ｐ側配線層２１の凸部２１ｕの頂部に対応する部分に生じ、その値は７７７ＭＰａ（メガパスカル）である。
図１５（ｄ）に示す比較例では、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２との間に、各辺に沿って均等に応力が発生し、その最大値は、８９０ＭＰａである。
図１５（ｄ）に示す比較例に比べると、図１５（ａ）〜図１５（ｃ）に示す各例では、引っ張り応力の最大値が低減されており、凸部を設けることによる応力の緩和が確認できる。図１５（ａ）および図１５（ｂ）に示す例では、比較例に比べて応力の最大値が１０％低減される。さらに、図１５（ｃ）に示す凸部２１ｕおよび２２ｕでは、比較例に比べて応力の最大値が１３％低減されており緩和効果が大きいことが分かる。
図１５（ａ）および図１５（ｃ）に示す例では、半導体層１５に加わる応力が、各凸部の頂部に分散されている。図１５（ｂ）に示す例では、図１５（ｄ）の比較例と同じように、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２との間に均等に応力が生じるが、その最大値は比較例よりも低減される。このように、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２の相互に対向する辺に凸部を設けることにより応力を低減できることが分かる。
ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２との間の引っ張り応力は、ｐ側配線層２１からｎ側配線層２２へ向かう方向に主として生じる。この方向を第１の方向とすれば、図１５（ｄ）では、第１の方向に垂直な第２の方向に沿って、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２の対向する辺が形成されている。このため、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２との間の辺に第１の方向に向かう応力が生じる。
一方、第１の方向とは垂直な第２の方向に向かう応力は極めて低い。したがって、ｐ側配線層２１からｎ側配線層２２へ向かう第１の方向に沿った辺が設けられると、その部分におけるｐ側配線層２１とｎ側配線層２２との間の応力が極めて低くなる。
図１５（ａ）では、方形の凸部が設けられ、第２の方向に沿ったｐ側配線層２１とｎ側配線層２２との間の辺（凸部の頂部）が分散して形成される。そして、その間に第１の方向に沿ったｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２の辺（凸部の側部）が形成される。このため、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２との間の応力が分散され緩和が可能となったと考えられる。
また、図１５（ｂ）では、三角形の凸部が設けられ、ｐ側配線層２１あるいはｎ側配線層２２の辺は、第１の方向および第２の方向の間の斜め方向の辺を主に有している。このため、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２の間に生じる応力が、第１の方向および第２の方向の両方の成分を含むよう生じる。このため応力の緩和が可能となったと考えられる。
また、図１５（ｃ）では、ｐ側配線層２１あるいはｎ側配線層２２の辺に曲線で構成された凸部が設けられる。この凸部は、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２の間の応力の方向が曲線に沿って変化し、第１の方向の成分が低減される形状であり、大きな応力緩和効果を有すると考えられる。
また、図１４および図１５に示す例では、ｐ側配線層２１のｎ側配線層２２と向き合う辺と、ｐ側金属ピラー２３と、の間の間隔Ｗ１が、ｎ側配線層２２のｐ側配線層２１と向き合う辺と、ｎ側金属ピラー２４と、の間の間隔Ｗ２よりも広い（図１４（ａ）参照）。そして、図１５（ａ）および図１５（ｂ）に示す例では、ｎ側金属ピラー２４に近い方の頂部に対応する部分の応力が高くなることが分かる。すなわち、各凸部の頂部に対応する領域において、間隔Ｗ１およびＷ２の狭い側に位置する領域の応力が高くなる。したがって、ｐ側金属ピラー２３およびｎ側金属ピラー２４ｐのそれぞれから各凸部を遠ざけることが有効である。すなわち、ｐ側金属ピラー２３とｎ側金属ピラー２４の間の中央に各凸部を設け、間隔Ｗ１とＷ２を等しくすることにより応力を低減できる。
このように、ｐ側配線部２１およびｎ側配線部２２の対向する辺に凸部を設けることにより、その間に発生する応力を緩和することができる。そして、半導体層１５に加わる応力を低減することにより、光特性の変動、例えば、Ｉ−Ｌ特性のクリープ等を抑制することができる。
図１６（ａ）〜図１６（ｄ）は、本実施形態の別の変形例に係る半導体発光装置のｐ側配線部およびｎ側配線部を模式的に示す平面図である。各図に示した破線は、半導体層１５の外縁を示している。
図１６（ａ）では、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２が、それぞれ同図の横方向に広がり、半導体層１５の外縁を越えて延在する。ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２が対向する辺には、それぞれ凸部２１ｐおよび凸部２２ｐが設けられる。また、ｐ側金属ピラー２３と各凸部との間隔W１は、ｎ側金属ピラー２４と各凸部との間隔W２に等しい。
図１６（ｂ）では、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２が半導体層１５の外縁を越えて延在する。すなわち、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２は、半導体層１５を覆うように設けられる。
図１６（ｃ）では、ｐ側配線層２１は、半導体層１５に上に設けられるが、ｎ側配線層２２は、半導体層１５の外縁を越えて延在する。さらに、ｎ側配線層２２は、ｐ側配線層２１の周りを囲むように設けられる。
図１６（ｄ）では、ｐ側配線層２１およびｐ側配線層２２は、半導体１５の上に設けられる。そして、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２とを囲む配線層２８が、半導体層１５の外周に設けられる。
このように、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２を半導体層１５の外側に延在させ、また、別の配線層を設けることにより半導体層１５を覆うことができる。一方、各図に示すように、ｐ側金属ピラー２３およびｎ側金属ピラー２４は、半導体層１５の上に設けられる。
また、本実施形態のさらなる変形例として、ｐ側金属ピラー２３及びｎ側金属ピラー２４を設けずに、ｐ側配線層２１及びｎ側配線層２２を実装基板のパッドに対して接合させてもよい。また、ｐ側配線層２１とｐ側金属ピラー２３とは別体であることに限らず、ｐ側配線層２１とｐ側金属ピラー２３とを同じ工程で一体に形成することによりｐ側配線部を設けても良い。同様に、ｎ側配線層２２とｎ側金属ピラー２４とは別体であることに限らず、ｎ側配線層２２とｎ側金属ピラー２４とを同じ工程で形成し、ｎ側配線部を一体に設けても良い。
（第２実施形態）
図１７は、第２実施形態に係る半導体発光装置の特性を示す模式図である。本実施形態では、半導体発光装置の構造および製造方法は第１実施形態と同じであり、その製造過程において、ウェーハに加わる応力を制御する。なお、本実施形態では、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２は、相互に向き合う辺に複数凸部を有しない形態であっても良い。
図１７は、第２実施形態に係る半導体発光装置の特性を示す模式図である。本実施形態では、半導体発光装置の構造および製造方法は第１実施形態と同じであり、その製造過程において、ウェーハに加わる応力を制御する。なお、本実施形態では、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２は、相互に向き合う辺に複数凸部を有しない形態であっても良い。
図１７は、各製造工程におけるウェーハの反りを模式的に表す断面図である。基板１０として、シリコン基板（４〜８インチφ、厚さ０．７２５〜１．５ｍｍ）を用いる。なお、ここでウェーハとは、基板の有無に関わらず半導体発光装置１が個片化されるまでの状態を言う。
基板１０の上に半導体層１５をエピタキシャル成長し、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２を形成するまでの過程（図２〜図７参照）では、ウェーハは、半導体層１５を上とし基板１０を下とした状態において、下に凸となるように反る。
ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２の上にｐ側金属ピラー２３およびｎ側金属ピラー２４をそれぞれ形成した後、半導体層１５の第２の面１５ｂの側に絶縁膜２５（第２の絶縁膜）を形成するまでの過程（図８〜図１１（ａ）参照）では、ウェーハの反りの方向は変化せず、ウェーハは、半導体層１５を上とし基板１０を下とした状態において、下に凸となる。
本実施形態では、半導体層１５の第１の面１５ａから基板１０を除去した時に、絶縁膜２５を上とし半導体層１５を下とした状態において、ウェーハの反りが安定的して上に凸となるように、絶縁膜２５の材質および厚さを選択する。
絶縁膜２５には、例えば、熱膨張係数が半導体層１５に近い値を選択し、半導体層１５へに加わる応力を軽減する。また、絶縁膜２５は、基板１０を除去した後の半導体層１５を支持するために、剛性の高い材料であることが好ましい。
表１に示すように、絶縁膜２５は、熱膨張係数５〜１０ｐｐｍ、弾性率１０〜２５ＧＰａ、厚さ０．５〜３．０ｍｍであることが望ましい。この条件の範囲であれば、絶縁膜２５を上とし半導体層１５を下とした状態において、基板１０を除去した後のウェーハの反りが上に凸となるように安定して保持することが可能である。また、この条件に適合する材料は、例えば、エポキシ樹脂である。
さらに、半導体層１５の第１の面１５ａの上に蛍光体層３０を形成した後、絶縁膜２５を上にして蛍光体層３０を下側とした状態において、ウェーハの反りを上に凸となるように保持する。このためには、表１に示すように、蛍光体層３０は、熱膨張係数１００〜１５０ｐｐｍ、弾性率０．０８〜０．８ＧＰａ、厚さ０．０３〜０．１であることが望ましい。この条件に適合する材料は、例えば、シリコーンである。
図１８は、本実施形態に係る半導体発光装置の特性を例示するグラフである。横軸に、製造工程を示し、縦軸に、各工程におけるウェーハの反り量を示している。この例では、基板として、８インチφ、厚さ１．５ｍｍのシリコン基板を用いる。また、絶縁膜２５の熱膨張係数は７ｐｐｍ、弾性率は１８．４ＧＰａ、厚さは０．５ｍｍである。一方、蛍光体層３０の熱膨張係数は１２０ｐｐｍ、弾性率は０．８ＧＰａ、厚さは０．１ｍｍである。
図１８に示すように、エピタキシャル成長から絶縁膜２５の形成まで、ウェーハは、基板１０を下にした状態において下に凸の反りを有する。そして、基板１０を除去した後は、半導体層１５を下にした状態で、上に凸の反りに反転する。さらに、蛍光体層３０を形成すると、反り量が同方向に増加する。絶縁膜２５を形成するまでの反り量は１ｍｍ以下であるのに対し、基板１０を除去した後の反り量は６．４ｍｍ、さらに、蛍光体層３０を形成した後の反り量は、１２．３ｍｍに増加する。これにより、絶縁膜２５を上にして半導体層１５または蛍光体層３０を下にした状態において、上に凸の反りを安定して保持することができる。
このように、基板１０を除去した後のウェーハの反り方向を一定に保つことにより、後続する処理の条件を安定させることが可能となる。これにより、プロセスを安定化させ、製造効率を向上させることができる。
（第３実施形態）
図１９（ａ）は、第３実施形態に係る半導体発光装置２の模式斜視図である。図１９（ｂ）は、図１９（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。図１９（ｃ）は、図１９（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。また、図２０は、半導体発光装置２を実装基板２００上に実装した構成を有する発光モジュールの模式断面図である。
図１９（ａ）は、第３実施形態に係る半導体発光装置２の模式斜視図である。図１９（ｂ）は、図１９（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。図１９（ｃ）は、図１９（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。また、図２０は、半導体発光装置２を実装基板２００上に実装した構成を有する発光モジュールの模式断面図である。
図１９（ａ）及び図１９（ｃ）に示すように、ｐ側金属ピラー２３の一部の側面は、半導体層１５の第１の面１５ａ及び第２の面と異なる面方位の第３の面２５ｂにおいて、絶縁膜２５から露出している。その露出面は、外部の実装基板に実装するためのｐ側外部端子２３ｂとして機能する。
第３の面２５ｂは、半導体層１５の第１の面１５ａ及び第２の面に対して略垂直な面である。絶縁膜２５は、例えば矩形状の４つの側面を有し、そのうちのひとつの側面が第３の面２５ｂとなっている。
その同じ第３の面２５ｂで、ｎ側金属ピラー２４の一部の側面が絶縁膜２５から露出している。その露出面は、外部の実装基板に実装するためのｎ側外部端子２４ｂとして機能する。
また、図１９（ａ）に示すように、ｐ側配線層２１の一部の側面２１ｂも、第３の面２５ｂで絶縁膜２５から露出し、ｐ側外部端子として機能する。同様に、ｎ側配線層２２の一部の側面２２ｂも、第３の面２５ｂで絶縁膜２５から露出し、ｎ側外部端子として機能する。
ｐ側金属ピラー２３において、第３の面２５ｂに露出しているｐ側外部端子２３ｂ以外の部分は、絶縁膜２５に覆われている。また、ｎ側金属ピラー２４において、第３の面２５ｂに露出しているｎ側外部端子２４ｂ以外の部分は、絶縁膜２５に覆われている。
また、ｐ側配線層２１において、第３の面２５ｂに露出している側面２１ｂ以外の部分は、絶縁膜２５に覆われている。さらに、ｎ側配線層２２において、第３の面２５ｂに露出している側面２２ｂ以外の部分は、絶縁膜２５に覆われている。また、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２の向き合う辺には、第１の実施形態と同じように複数凸部を設ける。
一方、第１の面１５ａと、蛍光体層３０と、の間にはレンズ３６が設けられる。レンズ３６は、発光層１３の発光を集光し配光を向上させる。また、レンズ３６を設けない構成も可能である。
図２０に示すように、半導体発光装置２は、第３の面２５ｂを実装基板２００の実装面２０１に向けた姿勢で実装される。第３の面２５ｂで露出しているｐ側外部端子２３ｂ及びｎ側外部端子２４ｂは、それぞれ、実装面２０１に形成されたパッド２０２に対してはんだ２０３を介して接合される。実装基板２００の実装面２０１には配線パターンも形成されており、パッド２０２はその配線パターンと接続される。
第３の面２５ｂは、光の主な出射面である第１の面１５ａに対して略垂直である。したがって、第３の面２５ｂを下方の実装面２０１側に向けた姿勢で、第１の面１５ａは実装面２０１の上方ではなく、横方向を向く。すなわち、半導体発光装置２は、実装面２０１を水平面とした場合に横方向に光が放出される、いわゆるサイドビュータイプの半導体発光装置である。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
本発明は、以下の態様を含む。
（付記１）
第１の面と、その反対側の第２の面と、発光層と、を有する半導体層と、
前記半導体層の前記発光層を含む領域における前記第２の面に設けられたｐ側電極と、
前記半導体層の前記発光層を含まない領域における前記第２の面に設けられたｎ側電極と、
前記第２の面側に設けられ、前記第ｐ側電極に通じる第１の開口と、前記ｎ側電極に通じる第２の開口と、を有する第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられ、前記第１の開口を介して前記ｐ側電極と電気的に接続されたｐ側配線部と、
前記第１の絶縁膜上に前記ｐ側配線部から離間して設けられ、前記第２の開口を介して前記ｎ側電極と電気的に接続されたｎ側配線部と、
前記第１の絶縁膜上に設けられ、前記ｐ側配線部と前記ｎ側配線部とを覆う第２の絶縁膜と、
前記第１の面上に設けられ、前記発光層の放射光により励起される蛍光体を含む蛍光体層と、
を備え、
前記第２の絶縁膜を上にして前記蛍光体層を下にした状態において、上に凸の反りを有する半導体発光装置用のウェーハ。
（付記１）
第１の面と、その反対側の第２の面と、発光層と、を有する半導体層と、
前記半導体層の前記発光層を含む領域における前記第２の面に設けられたｐ側電極と、
前記半導体層の前記発光層を含まない領域における前記第２の面に設けられたｎ側電極と、
前記第２の面側に設けられ、前記第ｐ側電極に通じる第１の開口と、前記ｎ側電極に通じる第２の開口と、を有する第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられ、前記第１の開口を介して前記ｐ側電極と電気的に接続されたｐ側配線部と、
前記第１の絶縁膜上に前記ｐ側配線部から離間して設けられ、前記第２の開口を介して前記ｎ側電極と電気的に接続されたｎ側配線部と、
前記第１の絶縁膜上に設けられ、前記ｐ側配線部と前記ｎ側配線部とを覆う第２の絶縁膜と、
前記第１の面上に設けられ、前記発光層の放射光により励起される蛍光体を含む蛍光体層と、
を備え、
前記第２の絶縁膜を上にして前記蛍光体層を下にした状態において、上に凸の反りを有する半導体発光装置用のウェーハ。
１、２・・・半導体発光装置、 １０・・・基板、 １１・・・第１の半導体層、 １２・・・第２の半導体層、 １３・・・発光層、 １５・・・半導体層、 １５ａ・・・第１の面、 １５ｂ・・・第２の面、 １５ｃ・・・側面、 １６・・・ｐ側電極、 １７・・・ｎ側電極、 １８・・・絶縁膜、 １８ａ、１８ｂ・・・開口、 １９・・・金属膜、 ２１・・・ｐ側配線層、 ２２・・・ｎ側配線層、 ２１ａ・・・ビア、 ２１ｂ、２２ｂ、２１ｃ、２２ｃ・・・側面、 ２１ｐ、２１ｔ、２１ｕ、２２ｔ、２２ｔ、２２ｕ・・・凸部、 ２３・・・ｐ側金属ピラー、 ２３ａ、２３ｂ・・・ｐ側外部端子、 ２４・・・ｎ側金属ピラー、 ２４ａ、２４ｂ・・・ｎ側外部端子、 ２５・・・絶縁膜、 ２５ｂ・・・第３の面、 ３０・・・蛍光体層、 ３１・・・透明樹脂、 ３２・・・蛍光体、 ３６・・・レンズ、 ８０・・・溝、 ９１、９２・・・レジスト、 ９２ａ、９２ｂ・・・開口、 ２００・・・実装基板、 ２０１・・・実装面、 ２０２・・・パッド
Claims (7)
- 第１の面と、その反対側の第２の面と、発光層と、を有する半導体層と、
前記半導体層の前記発光層を含む領域における前記第２の面に設けられたｐ側電極と、
前記半導体層の前記発光層を含まない領域における前記第２の面に設けられたｎ側電極と、
前記第２の面側に設けられ、前記第ｐ側電極に通じる第１の開口と、前記ｎ側電極に通じる第２の開口と、を有する第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられ、前記第１の開口を介して前記ｐ側電極と電気的に接続されたｐ側配線部と、
前記第１の絶縁膜上に前記ｐ側配線部から離間して設けられ、前記第２の開口を介して前記ｎ側電極と電気的に接続されたｎ側配線部と、
を備え、
前記ｐ側配線部は、前記ｎ側配線部に向かって突出した複数の凸部を有し、
前記ｎ側配線部は、前記ｐ側配線部の前記複数の凸部の間に延在する複数の部分を有する半導体発光装置。 - 前記複数の凸部のそれぞれの形状は、方形である請求項１記載の半導体発光装置。
- 前記複数の凸部のそれぞれの形状は、三角形である請求項１記載の半導体発光装置。
- 前記複数の凸部の前記ｎ側配線部に向き合う側面は、曲面を含む請求項１記載の半導体発光装置。
- 前記ｐ側配線部は、前記第１の開口内及び前記第１の絶縁膜上に設けられたｐ側配線層と、前記ｐ側配線層上に設けられ、前記ｐ側配線層よりも厚いｐ側金属ピラーと、を有し、
前記ｎ側配線部は、前記第２の開口内及び前記第１の絶縁膜上に設けられたｎ側配線層と、前記ｎ側配線層上に設けられ、前記ｎ側配線層よりも厚いｎ側金属ピラーと、を有し、
前記ｐ側配線層は、前記複数の凸部を含み、前記ｎ側配線層は、前記複数の部分を含む請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。 - 前記複数の凸部、および、前記複数の部分は、前記ｐ側金属ピラーと、前記ｎ側金属ピラーと、の間の中央に位置する請求項５記載の半導体発光装置。
- 基板上に、発光層を含む半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の前記発光層を含む領域にｐ側電極を形成し、前記半導体層の前記発光層を含まない領域にｎ側電極を形成する工程と、
前記半導体層およびｐ側電極、ｎ側電極を覆う第１の絶縁膜上に設けられ、前記ｐ側電極および前記ｎ側電極にそれぞれ連通するｐ側配線部とｎ側配線部とを形成する工程と、
前記第１の絶縁膜上に設けられ、前記ｐ側配線部とｎ側配線部とを覆う第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記基板を前記半導体層から除去する工程と、
前記半導体層の前記基板を除去した面に蛍光体層を形成する工程と、を備え、
前記半導体層と、前記第１の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜と、前記蛍光体層と、を含む構造体は、前記第２の絶縁膜を上にして前記蛍光体層を下にした状態において、上に凸の反りを有する半導体発光装置の製造方法。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021125621A (ja) * | 2020-02-07 | 2021-08-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103367555B (zh) * | 2012-03-28 | 2016-01-20 | 清华大学 | 发光二极管的制备方法 |
| TWI625868B (zh) * | 2014-07-03 | 2018-06-01 | 晶元光電股份有限公司 | 光電元件及其製造方法 |
| TWI548049B (zh) * | 2014-09-19 | 2016-09-01 | 矽品精密工業股份有限公司 | 半導體結構及其製法 |
| JP2016134422A (ja) * | 2015-01-16 | 2016-07-25 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| DE102015114579B4 (de) * | 2015-09-01 | 2021-07-01 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Halbleiterchip |
| DE102015114583A1 (de) * | 2015-09-01 | 2017-03-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip |
| KR102417181B1 (ko) | 2015-11-09 | 2022-07-05 | 삼성전자주식회사 | 발광 패키지, 반도체 발광 소자, 발광 모듈 및 발광 패키지의 제조 방법 |
| DE102017110073A1 (de) | 2017-05-10 | 2018-11-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements und strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement |
| DE102018123932A1 (de) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement mit dielektrischer Spiegelschicht und Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Bauelements |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009088176A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Kyocera Corp | 放熱基体およびこれを用いた電子装置 |
| US20100148198A1 (en) * | 2008-12-12 | 2010-06-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device and method for manufacturing same |
| JP2011127072A (ja) * | 2009-12-21 | 2011-06-30 | Casio Computer Co Ltd | 板状部品の接合方法及び接合部材 |
| US20110233586A1 (en) * | 2010-03-23 | 2011-09-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing light emitting device and light emitting device |
| US20110260184A1 (en) * | 2010-04-26 | 2011-10-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same |
| US20110300651A1 (en) * | 2010-06-02 | 2011-12-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing light-emitting device |
| JP2011258670A (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-22 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005109208A (ja) | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子の製造方法 |
| US8217381B2 (en) * | 2004-06-04 | 2012-07-10 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Controlled buckling structures in semiconductor interconnects and nanomembranes for stretchable electronics |
| KR100923034B1 (ko) * | 2005-04-08 | 2009-10-22 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| US7736945B2 (en) * | 2005-06-09 | 2010-06-15 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | LED assembly having maximum metal support for laser lift-off of growth substrate |
| KR100632004B1 (ko) | 2005-08-12 | 2006-10-09 | 삼성전기주식회사 | 질화물 단결정 기판 제조방법 및 질화물 반도체 발광소자 제조방법 |
| JP2007243047A (ja) | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光素子の製造方法 |
| JP2008258459A (ja) | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Toshiba Corp | 発光装置及びその製造方法 |
| JP2009117583A (ja) | 2007-11-06 | 2009-05-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体結晶成長基板、結晶成長基板保持基板及び接着材 |
| US7855153B2 (en) | 2008-02-08 | 2010-12-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| KR20100028412A (ko) * | 2008-09-04 | 2010-03-12 | 삼성전자주식회사 | 나노 막대를 이용한 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
| KR101497953B1 (ko) * | 2008-10-01 | 2015-03-05 | 삼성전자 주식회사 | 광추출 효율이 향상된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법 |
| JP2010093186A (ja) | 2008-10-10 | 2010-04-22 | Showa Denko Kk | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体素子の積層構造及び窒化ガリウム系化合物半導体発光素子、並びにランプ |
| JP5767062B2 (ja) | 2010-09-30 | 2015-08-19 | 日東電工株式会社 | 発光ダイオード封止材、および、発光ダイオード装置の製造方法 |
| JP5205502B2 (ja) | 2011-11-07 | 2013-06-05 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
-
2012
- 2012-05-28 JP JP2012121062A patent/JP5982179B2/ja active Active
- 2012-08-30 EP EP12182378.5A patent/EP2669962B1/en active Active
- 2012-08-31 US US13/601,568 patent/US9153746B2/en active Active
- 2012-12-13 TW TW101147160A patent/TWI517441B/zh active
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009088176A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Kyocera Corp | 放熱基体およびこれを用いた電子装置 |
| US20100148198A1 (en) * | 2008-12-12 | 2010-06-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device and method for manufacturing same |
| JP2010141176A (ja) * | 2008-12-12 | 2010-06-24 | Toshiba Corp | 発光装置及びその製造方法 |
| JP2011127072A (ja) * | 2009-12-21 | 2011-06-30 | Casio Computer Co Ltd | 板状部品の接合方法及び接合部材 |
| US20110233586A1 (en) * | 2010-03-23 | 2011-09-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing light emitting device and light emitting device |
| JP2011199193A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Toshiba Corp | 発光装置及びその製造方法 |
| US20110260184A1 (en) * | 2010-04-26 | 2011-10-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same |
| JP2011233650A (ja) * | 2010-04-26 | 2011-11-17 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
| US20110300651A1 (en) * | 2010-06-02 | 2011-12-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing light-emitting device |
| JP2011253925A (ja) * | 2010-06-02 | 2011-12-15 | Toshiba Corp | 発光装置の製造方法 |
| JP2011258670A (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-22 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
Cited By (2)
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