JP2021125621A - 発光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】高い強度を備えた発光装置を提供する。
【解決手段】一実施形態によれば、発光装置は、半導体構造、第１、第２導電部材、第１、第２端子を含む。半導体構造は、第１辺と、第１辺と交差する第２辺と、を含む第１半導体層、発光層、第２半導体層を有する。半導体構造の上面視形状は矩形状である。第１辺は第１半導体層のｍ面に平行である。第２辺は第１半導体層のａ面に平行である。第１、第２導電部材は、第１、第２半導体層上に設けられる。第１、第２端子は、第１、第２導電部材上に設けられる。被覆部材は、第１、第２導電部材、第１、第２端子の側面を覆う。第１導電部材は、第２導電部材と対向する第１端面を含む。第２導電部材は、第１導電部材と対向し、第１端面に沿う第２端面を含む。第１端面及び第２端面は、ｍ面に対して傾斜する面で実質的に構成される。第１端子、第２端子の一部は、被覆部材から露出している。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置に関する。
半導体層を成長するために用いた基板を除去し、半導体層の表面に蛍光体層を設けた発光装置が開示されている（特許文献１）。このような発光装置において、強度の向上が望まれる。
特開２０１７−４１６１２号公報
本発明の一実施形態は、高い強度を備えた発光装置を提供する。
本発明の一実施形態によれば、発光装置は、半導体構造、第１導電部材、第２導電部材、第１端子及び第２端子を含む。前記半導体構造は、第１辺と、前記第１辺と交差する第２辺と、を含む第１半導体層と、前記第１半導体層上の一部に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられた第２半導体層と、を有する。前記半導体構造の上面視形状は矩形状である。前記第１辺は前記第１半導体層のｍ面に平行である。前記第２辺は前記第１半導体層のａ面に平行である。前記第１導電部材は、前記第１半導体層上に設けられる。前記第２導電部材は、前記第２半導体層上に設けられる。前記第１端子は、前記第１導電部材上に設けられる。前記第２端子は、前記第２導電部材上に設けられる。前記被覆部材は、前記第１導電部材の側面、前記第２導電部材の側面、前記第１端子の側面、及び、前記第２端子の側面を覆う。前記第１導電部材は、前記第２導電部材と対向する第１端面を含む。前記第２導電部材は、前記第１導電部材と対向し、前記第１端面に沿う第２端面を含む。前記第１端面及び前記第２端面は、前記ｍ面に対して傾斜する面で実質的に構成される。前記第１端子の一部及び前記第２端子の一部は、前記被覆部材から露出している。
本発明の一実施形態によれば、強度を向上可能な発光装置が提供される。
本発明の一実施形態に係る発光装置を例示する模式的断面図である。 本発明の一実施形態に係る発光装置を例示する模式的上面図である。 本発明の一実施形態に係る発光装置の製造方法を例示する模式的断面図である。 本発明の一実施形態に係る発光装置の製造方法を例示する模式的断面図である。 本発明の一実施形態に係る発光装置の製造方法を例示する模式的断面図である。 本発明の一実施形態に係る発光装置の製造方法を例示する模式的断面図である。 本発明の一実施形態に係る発光装置の製造方法を例示する模式的断面図である。 本発明の一実施形態に係る発光装置の製造方法を例示する模式的断面図である。 本発明の一実施形態に係る発光装置の製造方法を例示する模式的断面図である。 本発明の一実施形態に係る発光装置の製造方法を例示する模式的断面図である。 本発明の一実施形態に係る発光装置を例示する模式的上面図である。 本発明の一実施形態に係る発光装置を例示する模式的上面図である。 本発明の一実施形態に係る発光装置を例示する模式的上面図である。
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図１及び図２に示すように、本実施形態に係る発光装置１１０は、半導体構造１６、第１導電部材２１、第２導電部材２２、第１端子５１、第２端子５２及び被覆部材６０を含む。図１は、図２のI-I線断面図である。
図１に示すように、半導体構造１６は、第１半導体層１１、第２半導体層１２及び発光層１３を含む。第１半導体層１１は、例えば、ｎ形の半導体層である。第２半導体層１２は、例えば、ｐ形の半導体層である。発光層１３は、第１半導体層１１と第２半導体層１２の間に設けられる。例えば、発光層１３は、第１半導体層１１の一部の上に設けられている。第２半導体層１２は、発光層１３の上に設けられている。
第１半導体層１１及び第２半導体層１２の積層方向において、例えば、第１半導体層１１から第２半導体層１２への方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向及びＸ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。
第１半導体層１１は、第１領域１１ｐ及び第２領域１１ｑを含む、第２領域１１ｑから第１領域１１ｐへの方向は、Ｚ軸方向と交差する。発光層１３は、Ｚ軸方向において、第２領域１１ｑと第２半導体層１２との間に設けられている。
図２に示すように、半導体構造１６の上面視形状は、矩形である。第１半導体層１１は、第１辺１１ａ及び第２辺１１ｂを含む。第２辺１１ｂは、第１辺１１ａと交差する。例えば、第１辺１１ａは、Ｙ軸方向に沿って設けられている。第２辺１１ｂは、Ｘ軸方向に沿って設けられている。第１半導体層１１の上面視形状は、矩形である。第１辺１１ａの長さは、例えば、１００μｍ以上１０００μｍ以下である。第２辺１１ｂの長さは、例えば、１００μｍ以上１０００μｍ以下である。
第１辺１１ａは、第１半導体層１１のｍ面に平行である。第２辺１１ｂは、第１半導体層１１のａ面に平行である。
第１導電部材２１は、第１半導体層１１上に設けられる。第２導電部材２２は、第２半導体層１２上に設けられる。例えば、第１半導体層１１の第１領域１１ｐ及び第１導電部材２１の積層方向において、第１半導体層１１の第１領域１１ｐから第１導電部材２１への方向は、Ｚ軸方向に沿う。第２半導体層１２及び第２導電部材２２の積層方向において、第２半導体層１２から第２導電部材２２への方向は、Ｚ軸方向に沿う。
第１端子５１は、第１導電部材２１上に設けられる。第２端子５２は、第２導電部材２２上に設けられる。第１導電部材２１の厚さは、第１端子５１の厚さよりも厚い。第２導電部材２２の厚さは、第２端子５２の厚さよりも厚い。第１端子５１及び第２端子５２の厚さは、例えば、１０μｍ以上１００μｍ以下である。第１導電部材２１及び第２導電部材２２の厚さは、例えば、１０μｍ以上１００μｍ以下である。第１端子５１の平面積は、第１導電部材２１の平面積よりも小さい。第２端子５２の平面積は、第２導電部材２２の平面積よりも小さい。第１導電部材２１及び第２導電部材２２は、例えば、ＡｕやＣｕにより形成される。第１端子５１及び第２端子５２は、例えば、ＡｕやＣｕにより形成される。
第１端子５１は、第１導電部材２１を介して、第１半導体層１１と電気的に接続される。第２端子５２は、第２導電部材２２を介して、第２半導体層１２と電気的に接続される。例えば、第１端子５１と第２端子５２との間に供給された電流により、発光層１３から光が放出される。発光層１３の発光ピーク波長は、例えば、４３０ｎｍ以上５４０ｎｍ以下である。半導体構造１６を備えた発行装置１１０は、例えば、ＬＥＤである。
図１に示すように、第１半導体層１１、第２半導体層１２及び発光層１３は、半導体積層体１５に含まれる。半導体構造１６は、半導体積層体１５を含む。半導体積層体１５は、例えば、ガリウムを含む窒化物半導体層により形成される。窒化物半導体とは、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１）なる化学式において組成比ｘ及びｙをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含む。半導体構造１６は、バッファ層などをさらに含んでも良い。半導体積層体１５の厚さは、例えば、５μｍ以上１５μｍ以下である。後述するように、半導体構造１６の半導体層は、基板の上に成長される。基板には、例えば、ｃ面（０００１）を半導体層の成長面とするサファイア基板を用いる。半導体構造１６の半導体層は、基板のｃ軸方向に沿って積層される。例えば、半導体構造１６の上面は、半導体層のｃ面（０００１）である。例えば、第１半導体層１１及び第２半導体層１２の上面は、半導体層のｃ面（０００１）である。
図１に示すように、被覆部材６０は、第１導電部材２１の側面２１ｓ、第２導電部材２２の側面２２ｓ、第１端子５１の側面５１ｓ、及び、第２端子５２の側面５２ｓを覆う。第１導電部材２１の側面２１ｓ、第２導電部材２２の側面２２ｓ、第１端子５１の側面５１ｓ、及び、第２端子５２の側面５２ｓは、Ｘ−Ｙ平面と交差する。第１導電部材２１の側面２１ｓ、第２導電部材２２の側面２２ｓ、第１端子５１の側面５１ｓ、及び、第２端子５２の側面５２ｓは、半導体構造１６の積層方向に対して垂直な平面と交差する。半導体構造１６の積層方向は、例えば、第１半導体層１１から第２半導体層１２への方向である。
図１に示すように、第１端子５１の一部５１ｐ、及び、第２端子５２の一部５２ｐは、被覆部材６０から露出している。第１端子５１の一部５１ｐは、被覆部材６０から露出する第１端子５１の表面の一部である。第２端子５２の一部５２ｐは、被覆部材６０から露出する第２端子５２の表面の一部である。
図１及び図２に示すように、第１導電部材２１は、第１端面２１ｅを含む。第２導電部材２２は、第２端面２２ｅを含む。第１端面２１ｅは、第２導電部材２２の第２端面２２ｅと対向する。第２導電部材２２は、第２端面２２ｅを含む。第２端面２２ｅは、第１導電部材２１の第１端面２１ｅと対向する。第２端面２２ｅと、第１端面２１ｅは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に対して傾斜した方向に沿う。
第１端面２１ｅ及び第２端面２２ｅは、第１半導体層１１のｍ面に対して傾斜する面で実質的に構成されている。上述したように、第１半導体層１１の上面はｃ面であり、第１半導体層１１のｍ面は、第１半導体層１１の劈開面である。ここで、第１端面２１ｅ及び第２端面２２ｅが、第１半導体層１１のｍ面に対して傾斜する面で実質的に構成されている、とは、第１端面２１ｅ及び第２端面２２ｅの９５％以上の面が第１半導体層１１のｍ面に対して傾斜する面であることを意味する。例えば、第１端面２１ｅ及び第２端面２２ｅが、第１半導体層１１のｍ面に沿う面を３％程度含む面で構成されている形態は、第１端面２１ｅ及び第２端面２２ｅが、第１半導体層１１のｍ面に対して傾斜する面で実質的に構成されている形態に含まれる。
既に説明したように、第１辺１１ａは、第１半導体層１１のｍ面に平行である。例えば、第１半導体層１１のｍ面は、Ｙ−Ｚ平面に沿っている。例えば、第１端面２１ｅは、Ｙ−Ｚ平面に対して傾斜している。例えば、第２端面２２ｅは、Ｙ−Ｚ平面に対して傾斜している。
例えば、発光装置１１０を実装部品などに実装する際に、第１導電部材２１と第２導電部材２２との間に応力が加わる場合がある。この応力は、半導体構造１６にも加わる。例えば、応力の方向が、第１半導体層１１のｍ面に対して垂直または平行の場合は、応力によって、半導体構造１６に損傷（割れなど）が生じやすい。本実施形態においては、第１端面２１ｅ及び第２端面２２ｅは、第１半導体層１１のｍ面に対して傾斜している。これにより、応力が生じた場合でも、半導体構造１６における損傷が抑制される。本実施形態によれば、発行装置１１の強度を向上させることができるため、高い強度を備えた発光装置が提供できる。
実施形態において、第１端面２１ｅの一部と、第１半導体層１１のｍ面と、の間の角度は、２０度以上４０度以下である。これにより、第１端面２１ｅが第１半導体層１１のｍ面に対してより傾斜した面になるため、半導体構造１６の損傷（割れ）をより効果的に抑制できる。
図１に示すように、発光装置１１０は、波長変換層３０をさらに含む。波長変換層３０は、例えば、複数の波長変換粒子３１と、透光部材３２と、を含む。複数の波長変換粒子３１は、蛍光体粒子などである。透光部材３２は、複数の波長変換粒子３１の周りに設けられる。透光部材３２は、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂及びエポキシ樹脂よりなる群から選択された少なくとも１つを含む。透光部材３２は、例えば、光拡散部材を含んでいてもよい。光拡散部材は、例えば、酸化チタン及び酸化アルミニウムよりなる群から選択された少なくとも１つである。発光層１３から出射した光の波長が、波長変換層３０により変換される。例えば、発光層１３から出射した光が青色である場合、波長変換層３０を通過した光の一部は黄色に変換される。発光層１３から出射された光と、波長変換層３０を通過した光とが取り出されることで、発光装置１１０から、例白色の光が取り出される。
本実施形態においては、例えば、波長変換層３０は、第１半導体層１１と接する。例えば、波長変換層３０は、半導体構造１６と接する。後述するように、半導体構造１６の半導体層は、基板の上に成長される。半導体層の成長の後に基板が除去され、波長変換層３０が半導体構造１６に設けられる。基板が除去されているため、半導体構造１６は、薄い。半導体構造１６が薄いと、上述した発光装置１１０を実装する際に生じる応力の影響をより受け易い。このような場合においても、第１端面２１ｅ及び第２端面２２ｅが第１半導体層１１のｍ面に対して傾斜することで、損傷（割れなど）をより効果的に抑制できる。波長変換層３０の厚さは、例えば、１０μｍ以上１００μｍ以下であり、好ましくは、２０μｍ以上１００μｍ以下である。
実施形態において、図１及び図２に示すように、第１端子５１の一部５１ｐと第２端子５２の一部５２ｐとの間の最短距離は、第１端面２１ｅと第２端面２２ｅとの間の最短距離よりも長い。これにより、第１導電部材２１及び第２導電部材２２により発光装置１１０の強度を向上させつつ、実装時に第１端子５１と第２端子５２とが接合部材等で短絡されることを抑制できる。第１端子５１の一部５１ｐと第２端子５２の一部５２ｐとの間の最短距離は、例えば、１００μｍ以上５００μｍ以下である。第１端面２１ｅと第２端面２２ｅとの間の最短距離は、例えば、１０μｍ以上２００μｍ以下であり、好ましくは、２０μｍ以上１００μｍ以下である。例えば、第１辺１６ａと第２端子５２の一部５２ｐとの間の最短距離は、第３辺部１６ｃと第１端子５１の一部５１ｐとの間の最短距離と略等しい。
図２に示すように、例えば、第１辺１１ａは、第２辺１１ｂよりも短くても良い。第１端子５１の一部５１ｐ、及び、第２端子５２の一部５２ｐは、第２辺１１ｂに沿って設けられる。
図２に示すように、例えば、半導体構造１６は、第１辺部１６ａ、第２辺部１６ｂ、第３辺部１６ｃ及び第４辺部１６ｄを含む。第１辺部１６ａから第３辺部１６ｂへの方向は、例えば、Ｘ軸方向に沿う。第２辺部１６ｂから第４辺部１６ｄへの方向は、Ｙ軸方向に沿う。第３辺部１６ｃの延びる方向は、第１辺部１６ａの延びる方向に沿っている。第４辺部１６ｄの延びる方向は、第２辺部１６ｂの延びる方向に沿っている。
第１辺部１６ａは、第２辺部１６ｂ及び第４辺部１６ｄと接続される。第１辺部１６ａと第２辺部１６ｂとの接続部は、曲線部を含んでいても良い。第１辺部１６ａと第４辺部１６ｄとの接続部は、曲線部を含んでいても良い。第３辺部１６ｃは、第２辺部１６ｂ及び第４辺部１６ｄと接続される。第３辺部１６ｃと第２辺部１６ｂとの接続部は、曲線部を含んでいても良い。第３辺部１６ｃと第４辺部１６ｄとの接続部は、曲線部を含んでいても良い。
第１辺部１６ａ及び第３辺部１６ｃは、第１辺１１ａに沿っている。第２辺部１６ｂ及び第４辺部１６ｄは、第２辺１１ｂに沿っている。
例えば、第１半導体層１１の第１領域１１ｐの少なくとも一部と、第１端子５１の少なくとも一部と、の間に第１導電部材２１がある。第２半導体層１２の少なくとも一部と、第２端子５２の少なくとも一部と、の間に第２導電部材２２がある。
この例では、図１に示すように、第１半導体層１１の第１領域１１ｐと、第１導電部材２１と、の間に第１金属導電層１１ｅが設けられる。第１金属導電層１１ｅは、第１領域１１ｐと接続されている。第１金属導電層１１ｅと第１導電膜２１Ｌとの間には部分的に第１絶縁膜１７ａが設けられ、第１金属導電層１１ｅと第１導電膜２１Ｌとは部分的に接続されている。第１領域１１ｐは、第１金属層１１ｅ、及び、第１導電膜２１Ｌを介して、第１導電部材２１と電気的に接続される。第２半導体層１２と、第２導電部材２２と、の間に第２金属層１２ｅが設けられる。第２金属導電層１２ｅは、第２半導体層１２と接続されている。第２金属導電層１２ｅと第２導電膜２２Ｌとの間には部分的に第２絶縁膜１７ｂが設けられ、第２金属導電層１２ｅと第２導電膜２２Ｌとは部分的に接続されている。第２半導体層１２は、第２金属層１２ｅ、及び、第２導電膜２２Ｌを介して、第２導電部材２２と電気的に接続される。
以下、発光装置１１０の製造方法の例について、説明する。
図３〜図１０は、実施形態に係る発光装置の製造方法を例示する模式的断面図である。
図３に示すように、基板１０ｓの上に、第１半導体層１１、発光層１３、及び、第２半導体層１２を順に形成する。第２半導体層１２の一部、及び、発光層１３の一部を除去することで、第１半導体層１１の一部を露出させる。これにより、半導体構造１６が形成される。半導体構造１６の上に、第１半導体層１１の一部を露出させる孔と、第２半導体層１２の一部を露出させる孔とを有する第１絶縁膜１７ａを形成する。第１絶縁膜１７ａは、第１半導体層１１の側面と、発光層１３の側面と、第２半導体層１２の側面及び上面を被覆する。第１半導体層１１の一部と電気的に接続される第１金属層１１ｅを形成する。第１金属層１１ｅの一部は、第１絶縁膜１７ａの上に設けられる。第２半導体層１２と第１金属層１１ｅとの間に、第１絶縁膜１７ａの一部が設けられる。第２半導体層１２の一部と電気的に接続される第２金属層１２ｅを形成する。第２金属層１２ｅの一部は、第１絶縁膜１７ａの上に設けられる。第２半導体層１２と第２金属層１２ｅとの間に第１絶縁膜１７ａの一部が設けられる。第１金属層１１ｅ及び第２金属層１２ｅの上に、第１金属層１１ｅの一部を露出させる孔と、第２金属層１２ｅの一部を露出させる孔とを有する第２絶縁膜１７ｂを形成する。第１金属層１１ｅの一部電気的に接続される第１導電膜２１Ｌを形成する。第２金属層１２ｅに電気的に接続される第２導電膜２２Ｌを形成する。
図４に示すように、第１導電膜２１Ｌに第１導電部材２１を形成し、第２導電膜２２Ｌに第２導電部材２２を形成する。例えば、第１導電膜２１Ｌ及び第２導電膜２２Ｌの上に孔が設けられたレジストを形成し、その後、レジストの孔内に導電材料を形成する。そして、レジストを除去することで、第１端面２１ｅを有する第１導電部材２１と、第２端面２２ｅを有する第２導電部材２２とが形成される。第１導電部材２１の第１端面２１ｅは、第２導電部材２２の第２端面２２ｅと対向する。第１端面２１ｅ及び第２端面２２ｅは、第１半導体層１１のｍ面に対して傾斜する。導電材料は、例えば、めっき法やスパッタリング法などで形成される。
例えば、第１導電部材２１の第１端面２１ｅ及び第２導電部材２２の第１端面２１ｅを覆い、第１導電部材２１及び第２導電部材２２の上に孔が設けられたレジスト６５を形成する。レジスト６５の孔内に、導電材料を設けることで、図５に示すように、第１導電部材２１と接続された第１端子５１及び第２導電部材２２と接続された第２端子５２が形成される。導電材料は、例えば、めっき法やスパッタリング法などで形成される。
図６に示すように、レジスト６５を除去する。レジスト６５を除去することで、第１導電部材２１及び第２導電部材２２の表面の一部と、第１端子５１及び第２端子５２の表面の一部が露出される。第１導電部材２１の上に第１端子５１が設けられた積層構造が形成される。第２導電部材２２の上に第２端子５２が設けられた積層構造が形成される。
図７に示すように、第１端子５１及び第２端子５２を支持基板３５に対向させて、半導体構造１６を支持基板３５に固定する。半導体構造１６を支持基板３５に固定した状態で、基板１０ｓを除去する。半導体構造１６の表面が露出される。半導体構造１６に含まれる第１半導体層１１のｍ面、ａ面に沿って分離し、それぞれに半導体構造１６が設けられた複数の構造体を形成する。その後、支持基板３５を除去する。
図８に示すように、半導体構造１６を含む複数の構造体を波長変換シート３０Ｆに固定する。例えば、波長変換シート３０Ｆは、第１半導体層１１と接する。波長変換シート３０Ｆは、例えば、蛍光体シートである。
図９に示すように、第１端子５１の一部５１ｐ及び第２端子５２の一部５２ｐが露出された被覆部材６０を形成する。例えば、第１導電部材２１の表面及び第２導電部材２２の表面と、第１端子５１の表面及び第２端子５２の表面を覆う被覆材料を形成する。そして、被覆部材６０の一部を第１端子５１及び第２端子５２が設けられている側から除去して、第１端子５１の一部５１ｐ及び第２端子５２の一部５２ｐを被覆材料から露出させる。被覆材料は、例えば、圧縮成形などで形成される。
図１０に示すように、波長変換シート３０Ｆ及び被覆部材６０を切断することで、それぞれに波長変換層３０が設けられた複数の発光装置１１０が製造される。
以下、本実施形態に係る発光装置のいくつかの例について説明する。
図１１〜図１３は、本実施形態に係る発光装置を例示する模式的上面図である。
図１１〜図１３に示すように、本実施形態に係る発光装置１１１〜１１３も、半導体構造１６、第１導電部材２１、第２導電部材２２、第１端子５１、第２端子５２及び被覆部材６０を含む。発光装置１１１〜１１３において、第１導電部材２１及び第２導電部材２２の形状が、発光装置１１０における第１導電部材２１及び第２導電部材２２の形状とは異なる。以下、発光装置１１１〜１１３における、第１導電部材２１及び第２導電部材２２の形状について説明する。
図１１に示すように、発光装置１１１においては、第１導電部材２１の第１端面２１ｅは、第１面２１ｅａ及び第２面２１ｅｂを含む。第１面２１ｅａと第２面２１ｅｂは連続している。第１面２１ｅａ及び第２面２１ｅｂは、第１半導体層１１のｍ面に対して傾斜する面で実質的に構成されている。第１面２１ｅａの延びる第１方向Ｄ１は、第１半導体層１１のｍ面と交差する。第２面２１ｅｂの延びる第２方向Ｄ２は、第１半導体層１１のｍ面と交差し、第１方向Ｄ１と交差する。
第２導電部材２２の第２端面２２ｅは、第３面２２ｅｃ及び第４面２２ｅｄを含む。第３面２２ｅｃと第４面２２ｅｄは連続している。第３面２２ｅｃ及び第４面２２ｅｄは、第１半導体層１１のｍ面に対して傾斜する面で実質的に構成されている。第３面２２ｅｃは、第１方向Ｄ１に沿う。第４面２２ｅｄは、第２方向Ｄ２に沿う。
第１面２１ｅａ、第２面２１ｅｂ、第３面２２ｅｃ及び第４面２２ｅｄは、第１半導体層１１のｍ面と交差する。第１面２１ｅａは、第３面２２ｅｃと対向する。第２面２１ｅｂは、第４面２２ｅｄと対向する。発光装置１１１は、第１端面２１ｅ及び第２端面２２ｅが、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に沿った面を有するため、例えば第１端面２１ｅ及び第２端面２２ｅが第１方向Ｄ１に沿った面のみを有する発光装置に比べて、さらに高い強度を備える発光装置とすることができる。
図１２に示すように、発光装置１１２においては、第１端面２１ｅは、複数の第１面２１ｅａ、及び、複数の第２面２１ｅｂを含む。第２端面２２ｅは、複数の第３面２２ｅｃ、及び、複数の第４面２２ｅｄを含む。上述した発光装置１１１と同様に、第１面２１ｅａ、第２面２１ｅｂ、第３面２２ｅｃ及び第４面２２ｅｄは、第１半導体層１１のｍ面と交差する。発光装置１１１は、第１端面２１ｅ及び第２端面２２ｅが、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に沿った複数の面を有することで、例えば第１端面２１ｅ及び第２端面２２ｅが第１方向Ｄ１に沿った面のみを有する発光装置に比べて、さらに高い強度を備える発光装置とすることができる。
図１３に示すように、発光装置１１３においては、第１端面２１ｅは、第１曲面部２１ｃを有する。第２端面２２ｅは、第２曲面部２２ｃを有する。第２曲面部２２ｃは、第１曲面部２１ｃに沿う。発光装置１１３は、第１端面２１ｅ及び第２端面２２ｅが第１方向Ｄ１に沿った面のみを有する発光装置に比べて、実装時の応力が直線に沿って生じにくく分散されやすいため、さらに高い強度を備える発光装置とすることができる。
発光装置１１１〜１１３においても、実装時に応力が生じた場合でも半導体構造１６における損傷が抑制される。本実施形態の例示によれば、発光装置１１１〜１１３の強度を向上させ、高い強度を備える発光装置を提供できる。
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、発光装置に含まれる、半導体積構造、導電部材及び端子などのそれぞれの具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
１０ｓ…基板、 １１…第１半導体層、 １１ａ…第１辺、 １１ｂ…第２辺、 １１ｅ第１金属層、 １１ｐ…第１領域、 １１ｑ…第２領域、 １２…第２半導体層、 １２ｅ…第２金属層、 １３…発光層、 １５…半導体積層体、 １６…半導体構造、 １６ａ〜１６ｄ…第１〜第４辺部、 ２１…第１導電部材、 ２１Ｌ…第１導電膜、 ２１ｃ…第１曲面部、 ２１ｅ…第１端面、 ２１ｅａ…第１面、 ２１ｅｂ…第２面、 ２１ｓ…側面、 ２２…第２導電部材、 ２２Ｌ…第２導電膜、 ２２ｃ…第２曲面部、 ２２ｅ…第２端面、 ２２ｅｃ…第３面、 ２２ｅｄ…第４面、 ２２ｓ…側面、 ３０…波長変換層、 ３０Ｆ…波長変換シート、 ３１…波長変換粒子、 ３２…透光部材、 ３５…支持基板、 ５１…第１端子、 ５１ｐ…一部、 ５１ｓ…側面、 ５２…第２端子、 ５２ｐ…一部、 ５２ｓ…側面、 ６０…被覆部材、 ６５…レジスト、 １１０〜１１３…発光装置、 Ｄ１…第１方向、Ｄ２…第２方向

Claims (7)

  1. 第１辺と、前記第１辺と交差する第２辺と、を含む第１半導体層と、前記第１半導体層上の一部に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられた第２半導体層と、を有する上面視形状が矩形状の半導体構造であって、前記第１辺は前記第１半導体層のｍ面に平行であり、前記第２辺は前記第１半導体層のａ面に平行である前記半導体構造と、
    前記第１半導体層上に設けられた第１導電部材と、
    前記第２半導体層上に設けられた第２導電部材と、
    前記第１導電部材上に設けられた第１端子と、
    前記第２導電部材上に設けられた第２端子と、
    前記第１導電部材の側面、前記第２導電部材の側面、前記第１端子の側面、及び、前記第２端子の側面を覆う被覆部材と、
    を備え、
    前記第１導電部材は、前記第２導電部材と対向する第１端面を含み、
    前記第２導電部材は、前記第１導電部材と対向し、前記第１端面に沿う第２端面を含み、
    前記第１端面及び前記第２端面は、前記ｍ面に対して傾斜する面で実質的に構成され、
    前記第１端子の一部及び前記第２端子の一部は、前記被覆部材から露出している、発光装置。
  2. 前記第１端面は、第１面と第２面とを含み、
    前記第１面の延びる第１方向は、前記ｍ面と交差し、
    前記第２面の延びる第２方向は、前記ｍ面と交差し、前記第１方向と交差し、
    前記第２端面は、第３面と第４面とを含み、
    前記第３面は、前記第１方向に沿い、
    前記第４面は、前記第２方向に沿う、請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記第１端面の一部と、前記ｍ面と、の間の角度は、２０度以上４０度以下である、請求項１または２に記載の発光装置。
  4. 前記第１端面は、曲面部を有する、請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光装置。
  5. 前記第１辺は、前記第２辺よりも短く、
    前記第１端子の前記一部及び前記第２端子の前記一部は、前記第２辺に沿って設けられる、請求項１〜４のいずれか１つに記載の発光装置。
  6. 前記第１端子の前記一部と前記第２端子の前記一部との間の最短距離は、前記第１端面と前記第２端面との間の最短距離よりも長い、請求項１〜５のいずれか１つに記載の発光装置。
  7. 波長変換層をさらに備え、
    前記波長変換層は、前記第１半導体層と接する、請求項１〜６のいずれか１つに記載の発光装置。
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