JP5982179B2 - 半導体発光装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
図1(a)は、第1実施形態に係る半導体発光装置1の模式断面図である。半導体発光装置1は、発光層13を有する半導体層15を備える。半導体層15は、第1の面15aと、その反対側の第2の面15b(図2(a)参照)を有し、第2の面側に電極および配線部が設けられる。そして、半導体層15は、発光層13から放射される光を第1の面15aから外部に出射する。
図17は、第2実施形態に係る半導体発光装置の特性を示す模式図である。本実施形態では、半導体発光装置の構造および製造方法は第1実施形態と同じであり、その製造過程において、ウェーハに加わる応力を制御する。なお、本実施形態では、p側配線層21およびn側配線層22は、相互に向き合う辺に複数凸部を有しない形態であっても良い。
図19(a)は、第3実施形態に係る半導体発光装置2の模式斜視図である。図19(b)は、図19(a)におけるA−A断面図である。図19(c)は、図19(a)におけるB−B断面図である。また、図20は、半導体発光装置2を実装基板200上に実装した構成を有する発光モジュールの模式断面図である。
(付記1)
第1の面と、その反対側の第2の面と、発光層と、を有する半導体層と、
前記半導体層の前記発光層を含む領域における前記第2の面に設けられたp側電極と、
前記半導体層の前記発光層を含まない領域における前記第2の面に設けられたn側電極と、
前記第2の面側に設けられ、前記第p側電極に通じる第1の開口と、前記n側電極に通じる第2の開口と、を有する第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に設けられ、前記第1の開口を介して前記p側電極と電気的に接続されたp側配線部と、
前記第1の絶縁膜上に前記p側配線部から離間して設けられ、前記第2の開口を介して前記n側電極と電気的に接続されたn側配線部と、
前記第1の絶縁膜上に設けられ、前記p側配線部と前記n側配線部とを覆う第2の絶縁膜と、
前記第1の面上に設けられ、前記発光層の放射光により励起される蛍光体を含む蛍光体層と、
を備え、
前記第2の絶縁膜を上にして前記蛍光体層を下にした状態において、上に凸の反りを有する半導体発光装置用のウェーハ。
Claims (7)
- 第1の面と、その反対側の第2の面と、発光層と、を有する半導体層と、
前記半導体層の前記発光層を含む領域における前記第2の面に設けられたp側電極と、
前記半導体層の前記発光層を含まない領域における前記第2の面に設けられたn側電極と、
前記第2の面側に設けられ、前記p側電極に通じる第1の開口と、前記n側電極に通じる第2の開口と、を有する第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に設けられ、前記第1の開口を介して前記p側電極と電気的に接続されたp側配線層と、
前記第1の絶縁膜上に前記p側配線層から離間して設けられ、前記第2の開口を介して前記n側電極と電気的に接続されたn側配線層と、
前記p側配線層上に設けられ、前記p側配線層よりも厚いp側金属ピラーと、
前記n側配線層上に設けられ、前記n側配線層よりも厚いn側金属ピラーと、
前記p側金属ピラーと前記n側金属ピラーとの間に設けられ、前記p側金属ピラーの側面および前記n側金属ピラーの側面を覆う第2絶縁膜と、
を備え、
前記p側配線層の前記p側金属ピラーの下に位置する部分と、前記n側配線層の前記n側金属ピラーの下に位置する部分と、の間において、
前記p側配線層は、前記n側配線層に向かって突出した複数の凸部を有し、
前記n側配線層は、前記p側配線層の前記複数の凸部の間に延在する複数の部分を有する半導体発光装置。 - 前記複数の凸部のそれぞれの形状は、方形である請求項1記載の半導体発光装置。
- 前記複数の凸部のそれぞれの形状は、三角形である請求項1記載の半導体発光装置。
- 前記複数の凸部の前記n側配線層に向き合う側面は、曲面を含む請求項1記載の半導体発光装置。
- 前記複数の凸部、および、前記複数の部分は、前記p側配線層の前記p側金属ピラーの下に位置する部分と、前記n側配線層の前記n側金属ピラーの下に位置する部分と、の間の中央に位置する請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記半導体層の周辺を覆う金属層をさらに備えた請求項1〜5のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 基板上に、発光層を含む半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の前記発光層を含む領域にp側電極を形成し、前記半導体層の前記発光層を含まない領域にn側電極を形成する工程と、
前記半導体層およびp側電極、n側電極を覆う第1の絶縁膜上に設けられ、前記p側電極および前記n側電極にそれぞれ電気的に接続されたp側配線層とn側配線層とを形成する工程と、
前記p側配線層および前記n側配線層の上にそれぞれp側金属ピラーおよびn側金属ピラーを形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上に設けられ、前記p側金属ピラーの側面とn側金属ピラーの側面とを覆う第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記基板を前記半導体層から除去する工程と、
前記半導体層の前記基板を除去した面に蛍光体層を形成する工程と、を備え、
前記p側配線層の前記p側金属ピラーの下に位置する部分と、前記n側配線層の前記n側金属ピラーの下に位置する部分と、の間において、
前記p側配線層は、前記n側配線層に向かって突出した複数の凸部を有し、
前記n側配線層は、前記p側配線層の前記複数の凸部の間に延在する複数の部分を有すし、
前記半導体層と、前記第1の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜と、前記蛍光体層と、を含む構造体は、前記第2の絶縁膜を上にして前記蛍光体層を下にした状態において、上に凸の反りを有する半導体発光装置の製造方法。
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