TWI529970B - 半導體發光裝置及其製造方法 - Google Patents

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TWI529970B
TWI529970B TW102143224A TW102143224A TWI529970B TW I529970 B TWI529970 B TW I529970B TW 102143224 A TW102143224 A TW 102143224A TW 102143224 A TW102143224 A TW 102143224A TW I529970 B TWI529970 B TW I529970B
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東芝股份有限公司
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Description

半導體發光裝置及其製造方法
實施形態係有關半導體發光裝置及其製造方法。
作為經由L E D(Light Emitting Diode)元件與螢光體的組合而放射白色光等之可視光或其他波長帶的光之半導體發光裝置，提案有晶片尺寸封裝構造之半導體發光裝置。在如此之半導體發光裝置中，提高光的取出效率者為佳。
本發明之實施形態係提供光的取出效率高的半導體發光裝置及其製造方法。
如根據實施形態，半導體發光裝置係具備半導體層，和p側電極，和n側電極，和支持體，和光學層，和第1絕緣膜，和金屬膜。前述半導體層係擁有第1的面，和前述第1的面之相反側之第2的面，具有發光層。前述p側電極及前述n側電極係在前述第2的面側中，設置於前述 半導體層。前述支持體係設置於前述第2的面側。前述支持體係具有：連接於前述p側電極之p側配線部，和連接於前述n側電極之n側配線部，和設置於前述p側配線部與前述n側配線部之間的樹脂層。前述光學層係加以設置於前述第1的面側，具有較前述半導體層之平面尺寸為大之平面尺寸，對於前述發光層之放射光而言具有透過性。前述第1絕緣膜係加以設置於接續於在前述半導體層之前述第1的面之側面。前述金屬膜係具有：藉由前述第1絕緣膜而被覆前述半導體層之前述側面的第1反射部，和在前述半導體層之前述側面的周圍範圍對向於前述光學層同時，從前述第1反射部朝向於前述半導體層之前述側面的相反側而延伸存在之第2反射部。
1~4‧‧‧半導體發光裝置
10‧‧‧基板
11‧‧‧第1半導體層
12‧‧‧第2半導體層
13‧‧‧發光層
15‧‧‧半導體層
16‧‧‧p側電極
17‧‧‧n側電極
18‧‧‧絕緣膜
18a‧‧‧第1開口
18b‧‧‧第2開口
21‧‧‧p側配線層
22‧‧‧n側配線層
23‧‧‧p側金屬柱
23a，23b‧‧‧p側外部端子
24‧‧‧n側金屬柱
24a，24b‧‧‧n側外部端子
25，55‧‧‧樹脂層
30‧‧‧螢光體層
31，32‧‧‧螢光體
33‧‧‧結合材
35‧‧‧散射層
50‧‧‧金屬膜
51‧‧‧第1反射部
52‧‧‧第2反射部
57‧‧‧白色樹脂膜
60‧‧‧基底金屬膜
90‧‧‧溝
圖1A及B係實施形態的半導體發光裝置之模式剖面圖。
圖2A及B係在實施形態之半導體發光裝置之第2的面側之模式平面圖。
圖3A及B係實施形態的半導體發光裝置之模式剖面圖。
圖4A及B係實施形態的半導體發光裝置之模式剖面圖。
圖5係在實施形態的半導體發光裝置之金屬膜的模式剖面圖。
圖6A~圖14B係顯示實施形態的半導體發光裝置之製造方法的模式剖面圖。
圖15A及B係顯示實施形態的半導體發光裝置之製造方法之模式平面圖。
圖16A及B係實施形態的半導體發光裝置之模式圖。
以下，參照圖面，對於實施形態加以說明。然而，各圖面中，對於相同的要素附上相同符號。
(第1實施形態)
圖1A係第1實施形態的半導體發光裝置1之模式剖面圖。
圖1B係在圖1A中以虛線A圍住之部分的模式擴大圖。
半導體發光裝置1係具備具有發光層13之半導體層15。半導體層15係具有第1的面15a，和其相反側之第2的面15b(參照圖6A)。
圖2A係半導體層15之第2的面15b側之模式平面圖。
另外，半導體層15之第2的面15b係具有包含發光層13之部分(發光範圍)15e，和未包含發光層13之部分(非發光範圍)15f。包含發光層13之部分15e係在半 導體層15之中，層積有發光層13之部分。未包含發光層13之部分15f係在半導體層15之中，未層積有發光層13之部分。包含發光層13之部分15e係顯示發光範圍，具有發光層13之同時，顯示成為可取出發光層13之發光光於外部之層積構造的範圍。
在第2的面15b側中，於包含發光層13之部分15e上設置有p側電極16，於未包含發光層之部分15f上設置有n側電極17。例如，在圖2A所示之平面視中，未包含發光層13之部分15f則圍繞包含發光層13之部分15e，n側電極17則圍繞p側電極16。然而，p側電極16及n側電極17之平面佈局係不限於圖2A所示的例。
通過p側電極16與n側電極17而供給電流至發光層13，發光層13係產生發光。並且，從發光層13所放射光係從第1的面15a側而射出於半導體發光裝置1之外部。
對於半導體層15之第2的面15b側係如圖1A所示地設置有支持體100。包含半導體層15，p側電極16及n側電極17之發光元件係經由設置於第2的面15b側之支持體100所支持。
對於半導體層15之第1的面15a上係作為賦予所期望之光學特性於半導體發光裝置1之釋放光的光學層，設置有螢光體層30。螢光體層30係如圖1B所示，包含複數之螢光體31，32。螢光體31，32係經由發光層13的放射光所激發，放射與其放射光不同波長的光。
複數之螢光體31，32係經由結合材33而加以一體 化。結合材33係透過發光層13的放射光及螢光體31，32之放射光。在此「透過」係不限於透過率為100%之情況，而亦包含吸收光的一部分之情況。
半導體層15係具有第1半導體層11，與第2半導體層12，與發光層13。發光層13係設置於第1半導體層11與第2半導體層12之間。第1半導體層11及第2半導體層12係例如含有氮化鎵。
第1半導體層11係例如，包含基底緩衝層，n型GaN層。第2半導體層12係例如包含p型GaN層。發光層13係含有發光成藍，紫，藍紫，紫外線光等之材料。發光層13的發光峰值波長係例如為430~470nm。
半導體層15之第2的面15b係加工成凹凸形狀。其凸部係含有發光層13的部分15e，而凹部係未含有發光層13的部分15f。含有發光層13的部分15e之表面係第2半導體層12的表面，於其第2半導體層12的表面設置有p側電極16。未含有發光層13的部分15f之表面係第1半導體層11的表面，於其第1半導體層11的表面設置有n側電極17。
例如，在半導體層15之第2的面15b中，含有發光層13的部分15e的面積係較未含有發光層13的部分15f之面積為寬。另外，設置於含有發光層13的部分15e之表面之p側電極16的面積係較設置於未含有發光層13的部分之表面之n側電極17的面積為寬。由此，得到廣的發光面，可提高光輸出。
對於半導體層15之第2的面15b側係設置有絕緣膜18。絕緣膜18係被覆保護半導體層15之第2的面15b，p側電極16及n側電極17。絕緣膜18係例如為矽氧化膜等之無機絕緣膜。
絕緣膜18係亦設置於發光層13的側面及第2半導體層12的側面，被覆此等側面而保護。
另外，絕緣膜18係亦設置於從在半導體層15之第1的面15a接續的側面(第1半導體層11之側面)15c，被覆其側面15c而保護。
更且，絕緣膜18係亦設置於半導體層15之側面15c的周圍之範圍。設置於側面15c之周圍的範圍之絕緣膜18係在第1的面15a側，從側面15c朝向側面15c之相反側(半導體發光裝置1之側面)而延伸存在。
對於與在絕緣膜18之半導體層15相反側的面側，p側配線層21與n側配線層22則相互分離加以設置。
對於絕緣膜18係如圖8B所示地，形成有通過於p側電極16之複數之第1開口18a，和通過於n側電極17之第2開口18b。然而，第1開口18a係亦可為1個。
p側配線層21係亦加以設置於絕緣膜18上及第1開口18a之內部。p側配線層21係藉由設置於第1開口18a內之貫孔21a，與p側電極16加以電性連接。n側配線層22係設置於絕緣膜18上及第2開口18b之內部。n側配線層22係藉由設置於第2開口18b內之貫孔22a，與n側電極17加以電性連接。
圖2B係顯示p側配線層21與n側配線層22之平面佈局的一例。
p側配線層21及n側配線層22則占據第2的面15b側之範圍的大部分而擴散於絕緣膜18上。p側配線層21係藉由複數之貫孔21a而與p側電極16連接。
n側電極17係如圖2A所示，作為細線電極而加以形成。於其細線電極之一部分，形成有擴大寬度之墊片部17a。n側配線層22係藉由到達至墊片部17a之貫孔22a，與n側電極17加以連接。
如圖1A及B所示，對於半導體層15之側面15c之周圍的範圍之絕緣膜18上係設置有金屬膜50。金屬膜50係對於發光層13之放射光及螢光體31，32之放射光而言具有反射性。
如圖2B所示，金屬膜50係對於p側配線層21與n側配線層22而言為分離。金屬膜50係連續於半導體層15之側面15c之周圍範圍而加以設置。
沿著被覆半導體層15之側面15c的絕緣膜18及從側面15c延伸存在於側面15c之相反側的絕緣膜18，設置有金屬膜50成剖面L字狀。
金屬膜50係具有藉由絕緣膜18而被覆半導體層15之側面15c之第1反射部51。第1反射部51係未接觸於側面15c，對於半導體層15而言未加以電性連接。
另外，金屬膜50係具有從第1反射部51朝向側面15c之相反側(半導體發光裝置1之側面側)而延伸存在 之第2反射部52。第2反射部52係在半導體層15之側面15c之周圍的範圍，藉由絕緣膜18及後述之絕緣膜19，對向於螢光體層30。即，第2反射部52係在半導體層15之側面15c之周圍的範圍，加以設置於螢光體層30之下方。
金屬膜50，p側配線層21及n側配線層22係於共通之基底金屬膜上，包含例如經由電鍍法而同時加以形成之銅膜。
圖5係其基底金屬膜60之模式剖面圖。
構成金屬膜50，p側配線層21及n側配線層22之例如銅膜係以電鍍法而加以形成於形成在絕緣膜18上之基底金屬膜60上。或者，亦包含基底金屬膜60，構成金屬膜50，p側配線層21及n側配線層22。
基底金屬膜60係具有從絕緣膜18側依序加以層積的鋁(A1)膜61，和鈦(Ti)膜62，和銅(Cu)膜63。
鋁膜61係作為反射膜而發揮機能，而銅膜63係作為電鍍的晶種層而發揮機能。對於鋁及銅雙方而言潤濕性優越之鈦膜62係作為密著層而發揮機能。
例如，基底金屬膜60之厚度係1μm程度，各金屬膜50，p側配線層21及n側配線層22之厚度係數μm。
另外，在半導體層15之側面15c之周圍的範圍係於基底金屬膜60未形成電鍍膜(銅膜)，而金屬膜50係亦可為基底金屬膜60所成的膜。金屬膜50係由至少含有鋁膜61者，對於發光層13之放射光及螢光體31，32之放 射光而言具有高反射率。
另外，對於p側配線層21及n側配線層22之下方亦殘留有鋁膜61之故，於第2的面15b側之大部分範圍擴散形成有鋁膜(反射膜)61。經由此，可增大朝向於螢光體層30側之光量。
對於與在p側配線層21之半導體層15相反側的面，係設置有p側金屬柱23。p側配線層21及p側金屬柱23係形成p側配線部41。
對於與在n側配線層22之半導體層15相反側的面，係設置有n側金屬柱24。n側配線層22及n側金屬柱24係形成n側配線部43。
對於p側配線部41與n側配線部43之間係作為絕緣膜而設置有樹脂層25。樹脂層25係呈接觸於p側金屬柱23之側面與n側金屬柱24之側面地，加以設置於p側金屬柱23與n側金屬柱24之間。即，樹脂層25則加以填充於p側金屬柱23與n側金屬柱24之間。
另外，樹脂層25係加以設置於p側配線層21與n側配線層22之間，p側配線層21與金屬膜50之間，及n側配線層22與金屬膜50之間。
樹脂層25係設置於p側金屬柱23之周圍及n側金屬柱24之周圍，被覆p側金屬柱23之側面及n側金屬柱24之側面。
另外，樹脂層25係亦設置於半導體層15之側面15c之周圍的範圍，被覆金屬膜50。
與在p側金屬柱23之p側配線層21相反側的端部(面)係從樹脂層25露出，作為可與安裝基板等之外部電路連接之p側外部端子23a而發揮機能。與在n側金屬柱24之n側配線層22相反側的端部(面)係從樹脂層25露出，作為可與安裝基板等之外部電路連接之n側外部端子24a而發揮機能。p側外部端子23a及n側外部端子24a係例如藉由焊錫，或導電性接合材而接合於安裝基板的連接盤圖形。
p側外部端子23a及n側外部端子24a係在樹脂層25的相同面(在圖1A之下面)內隔離排列加以形成。p側外部端子23a與n側外部端子24a的間隔係較在絕緣膜18上的p側配線層21與n側配線層22之間隔為寬。p側外部端子23a與n側外部端子24a之間隔係作為較安裝時之焊錫的擴張為大。由此，可通過焊錫防止p側外部端子23a與n側外部端子24a之間的短路者。
對此，p側配線層21與n側配線層22之間隔係可縮小至處理上之界限者。因此，謀求p側配線層21之面積，及p側配線層21與p側金屬柱23之接觸面積的擴大。由此，可促進發光層13之熱的散熱。
另外，通過複數之貫孔21a而p側配線層21則與p側電極16接合的面積係作為較通過貫孔22a而n側配線層22則與n側電極17接合的面積為寬。由此，可均一化流動於發光層13之電流的分布。
在絕緣膜18上擴張之n側配線層22的面積係可作為 較n側電極17的面積為寬者。並且，可將設置於n側配線層22上之n側金屬柱24的面積(即，n側外部端子24a之面積)，作為較n側電極17為寬。由此，成為可確保對於信賴性高之安裝充分之n側外部端子24a的面積同時，可縮小n側電極17之面積。即，成為可縮小在半導體層15之未含有發光層13的部分(非發光範圍)15f之面積，而擴大含有發光層13的部分(發光範圍)15e之面積而使光輸出提昇者。
第1半導體層11係藉由n側電極17及n側配線層22，與n側金屬柱24加以電性連接。第2半導體層12係藉由p側電極16及p側配線層21，與p側金屬柱23加以電性連接。
p側金屬柱23之厚度(連結p側配線層21與p側外部端子23a之方向的厚度)係較p側配線層21之厚度為厚。n側金屬柱24之厚度(連結n側配線層22與n側外部端子24a之方向的厚度)係較n側配線層22之厚度為厚。p側金屬柱23，n側金屬柱24及樹脂層25之各厚度係較半導體層15為厚。
金屬柱23，24之深寬比(對於平面尺寸而言之厚度比)係亦可為1以上，而較1為小亦可。即，金屬柱23，24係亦可較其平面尺寸為厚或薄。
包含p側配線層21，n側配線層22，p側金屬柱23，n側金屬柱24及樹脂層25之支持體100的厚度係較包含半導體層15，p側電極16及n側電極17之發光元件 的厚度為厚。
半導體層15係如後述，於基板上經由磊晶成長法加以形成。其基板係在形成支持體100之後加以除去，半導體層15係於第1的面15a側未含有基板。半導體層15係並非由剛直的基板，而經由含有樹脂層25之支持體100所支持。
作為p側配線部41及n側配線部43之材料，例如，可使用銅，金，鎳，銀等。此等之中，當使用銅時，可使良好的熱傳導性，高位移耐性及對於絕緣材料而言之密著性提升。
樹脂層25係補強p側金屬柱23及n側金屬柱24。樹脂層25係使用與安裝基板熱膨脹率相同或接近之構成為佳。作為如此之樹脂層25，例如，可舉出主要含有環氧樹脂之樹脂，主要含有聚矽氧樹脂之樹脂，主要含有氟素樹脂之樹脂者。
另外，對於成為在樹脂層25之基底的樹脂含有遮光材料，樹脂層25係對於發光層13之發光光而言具有遮光性之黑色樹脂層。經由此，可抑制自支持體100之側面及安裝面側之漏光者。
經由半導體發光裝置1之安裝時之熱循環之時，因使p側外部端子23a及n側外部端子24a接合於安裝基板的端子區域之焊錫等引起之應力則加上於半導體層15。p側金屬柱23，n側金屬柱24及樹脂層25係吸收而緩合其應力。特別是由作為支持體100之一部分而使用較半導體層 15柔軟之樹脂層25者，可提高應力緩和效果。
金屬膜50係對於p側配線部41及n側配線部43而言作為分離。因此，在安裝時加上於p側金屬柱23及n側金屬柱24之應力係未傳達至金屬膜50。隨之，可抑制金屬膜50之剝離者。另外，可抑制加上於半導體層15之側面15c側的應力。
如後述，使用於半導體層15之形成的基板係從半導體層15加以除去。由此，將半導體發光裝置1加以低背化。另外，經由基板的除去，可形成凹凸於半導體層15之第1的面15a，而謀求光取出效率之提升。
例如，對於第1的面15a而言，進行使用鹼性系溶液之濕蝕刻(粗糙處理)，形成微小凹凸。由此，成為可未使發光層13的放射光進行全反射，而從第1的面15a取出於外側者。
在除去基板之後，於第1的面15a上藉由絕緣膜19而形成有螢光體層30。絕緣膜19係作為提高半導體層15與螢光體層30之密著性之密著層而發揮機能，例如，矽氧化膜，矽氮化膜。
螢光體層30係具有分散有複數之粒子狀的螢光體31，32於結合材33中之構造。螢光體31係經由發光層13之放射光所激發，例如放射綠色光之綠色螢光體，而螢光體32係經由發光層13之放射光所激發，例如放射紅色光之紅色螢光體。對於結合材33係例如，可使用聚矽氧樹脂者。
然而，螢光體層30係不限於含有2種類之螢光體31，32的構成，而含有1種類的螢光體(經由發光層13之放射光所激發，例如放射黃色光之黃色螢光體)之構成亦可。
螢光體層30亦形成於半導體層15之側面15c之周圍的範圍。隨之，螢光體層30之平面尺寸係較半導體層15之平面尺寸為大。
在半導體層15之側面15c之周圍的範圍係於金屬膜50的上方，藉由絕緣膜18，19而設置有螢光體層30。對於金屬膜50之下方係設置有樹脂層25。
螢光體層30係限定於半導體層15之第1的面15a上，及半導體層15之側面15c之周圍的範圍上，並非迴繞於半導體層15之第2面側，金屬柱23，24之周圍，及支持體100之側面而加以形成。螢光體層30之側面，和支持體100之側面(樹脂層25之側面)對準作為一致。
即，實施形態之半導體發光裝置1係晶片尺寸封裝構造之非常小型的半導體發光裝置。因此，例如對於照明用燈具等之適用時，燈具設計之自由度則提高。
另外，對於未將光取出於外部的安裝面側係未浪費地形成有螢光體層30，而謀求成本降低。另外，即使對於第1的面15a側未有基板，藉由擴散於第2的面側之p側配線層21及n側配線層22而亦可使發光層13的熱散熱於安裝基板側者，雖為小型對於散熱性亦為優越。
在一般的覆晶安裝中，將LED晶片，藉由突起電極 等而安裝於安裝基板之後，呈被覆晶片全體地形成有螢光體層。或者，於突起電極間，將樹脂作為下填充。
對此，如根據實施形態，在安裝前的狀態，對於p側金屬柱23之周圍及n側金屬柱24之周圍係設置有與螢光體層30不同的樹脂層25，可對於安裝面側賦予適合應力緩和之特性者。另外，對於安裝面側因既已設置有樹脂層25之故，安裝後之下填充則成為不需要。
對於第1的面15a側係設置有優先光取出效率，色變換效率，配光特性等之設計的層，對於安裝面側係設置有優先安裝時之應力緩和，和作為取代基板之支持體之特性的層。例如，樹脂層25係具有高密度充填二氧化矽粒子等之充填物於成為基底之樹脂的構造，作為支持體而調整為適當的硬度。
從發光層13放射至第1的面15a側的光係入射至螢光體層30，一部分的光係激發螢光體，作為發光層13的光，和螢光體的光之混和光而例如得到白色光。
在此，當於第1的面15a上有基板時，未入射至螢光體層30而產生有從基板的側面漏出於外部的光。即，從基板的側面漏出有發光層13的光之色光強的光，在螢光體層30之頂視中，於外緣側可看到藍色光的環之現象等，會成為色分離或色不勻之原因。
對此，如根據實施形態，對於第1的面15a與螢光體層30之間係未有基板之故，可防止經由從基板側面漏出有發光層13的光之色光強的光之色分離或色不勻者。
更且，如根據實施形態，對於半導體層15之側面15c，藉由絕緣膜18而設置有金屬膜50。從發光層13朝向於半導體層15之側面15c的光係在金屬膜50反射，未漏出於外部。因此，與未有基板於第1的面15a側之特徵相互作用，可防止經由自半導體發光裝置1之側面側之漏光的色分離或色不勻者。
另外，如根據實施形態，於半導體層15之側面15c之周圍的範圍，對向於從第1的面15a上露出之螢光體層30而設置有金屬膜50之第2反射部52。
因此，如圖1B所示，在半導體發光裝置1之端部範圍之螢光體31，32的放射光中，可使朝向於下方之支持體100側的光，在第2反射部52進行反射而返回至螢光體層30側者。
隨之，在半導體發光裝置1之端部範圍中，可防止螢光體31，32的放射光經由樹脂層(黑樹脂)25所吸收之情況的損失，而提高來自螢光體層30側之光取出效率者。
設置於金屬膜50，和半導體層15之側面15c之間的絕緣膜18係防止對於含於金屬膜50之金屬的半導體層15之擴散。經由此，可防止半導體層15之例如GaN之金屬的污染，而可防止半導體層15之劣化。
另外，設置於金屬膜50之第2反射部52，和螢光體層30之間的絕緣膜18，19係提高金屬膜50與螢光體層30之基底樹脂的密著性。
絕緣膜18及絕緣膜19係例如為矽氧化膜，矽氮化膜等之無機絕緣膜。即，半導體層15之第1的面15a，第2的面15b，第1半導體層11之側面15c，第2半導體層12之側面，發光層13之側面係由無機絕緣膜加以被覆。無機絕緣膜係圍住半導體層15，從金屬或水分等閉塞半導體層15。
金屬膜50之第2反射部52係延伸存在至形成半導體發光裝置1之外面的側面，第2反射部52之端面則在半導體發光裝置1之側面露出。金屬膜50之第2反射部52的端面係未由絕緣膜18及樹脂層25所被覆，而從絕緣膜18及樹脂層25露出。金屬膜50則對於例如含有銅之情況，係如圖3A所示，以金(Au)膜82被覆第2反射部52之端部者為佳。
金膜82係在切割半導體發光裝置1而作為個片化之後，例如以電鍍法加以形成。另外，金膜82係藉由對於銅與金雙方而言之密著性優越的鎳(Ni)膜81，加以設置於第2反射部52之端面。
對於耐蝕性優越之金膜82則由被覆第2反射部52之端面者，可防止經由來自第2反射部52之端面的銅之腐蝕之進行的金屬膜50之劣化。
半導體層15之側面15c係不限於對於第1的面15a而言垂直之情況，而如圖3B所示，對於第1的面15a而言傾斜之推拔面亦可。將第1的面15a作為上面之狀態，第1半導體層11之剖面形狀係例如為逆台形狀。
接著，參照圖6A~圖15B，對於半導體發光裝置1之製造方法加以說明。
圖6A係顯示形成於基板10之主面上之半導體層15的剖面圖。例如，使用MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)法，於基板10的主面上依序使第1半導體層11，發光層13及第2半導體層12加以磊晶成長。
在半導體層15中，基板10側的面則為第1的面15a，基板10之相反側的面則為第2的面15b。
基板10係例如為矽基板。或基板10係亦可為藍寶石基板。半導體層15係例如，含有氮化鎵(GaN)之氮化物半導體層。
第1半導體層11係例如，具有設置於基板10之主面上之緩衝層，和設置於緩衝層上之n型GaN層。第2半導體層12係例如，具有設置於發光層13上之p型AlGaN層，和設置於其上方之p型GaN層。發光層13係例如具有MQW(Multiple Quantum well)構造。
圖6B係顯示選擇性地除去第2半導體層12及發光層13之狀態。例如，使用RIE(Reactive Ion Etching)法，選擇性地蝕刻第2半導體層12及發光層13，使第1半導體層11露出。
接著，如圖7A所示，選擇性地除去第1半導體層11，形成溝90。在基板10之主面上，經由溝90而複數地分離半導體層15。溝90係貫通半導體層15而到達至 基板10。經由蝕刻條件係亦有基板10的主面稍微被加以蝕刻，而溝90之底面則後退至較基板10與半導體層15之界面為下方之情況。然而，溝90係在形成p側電極16及n側電極17之後形成亦可。
如圖7B所示，於第2半導體層12之表面形成有p側電極16。另外，於選擇性地除去第2半導體層12及發光層13的範圍之第1半導體層11的表面，形成有n側電極17。
p側電極16及n側電極17係例如，以濺鍍法，蒸鍍法等而加以形成。p側電極16與n側電極17係先形成任一均可，亦可以相同材料同時形成。
形成於層積有發光層13之範圍的p側電極16係包含反射發光層13之放射光的反射膜。例如，p側電極16係含有銀，銀合金，鋁，鋁合金等。另外，為了反射膜之硫化，氧化防止，p側電極16係亦可為含有金屬保護膜(阻障金屬)。
接著，如圖8A所示，呈被覆設置於基板10上之構造體地形成絕緣膜18。絕緣膜18係被覆半導體層15之第2的面，p側電極16及n側電極17。另外，絕緣膜18係被覆接續於半導體層15之第1的面15a之側面15c。另外，絕緣膜18係亦形成於溝90的底面之基板10的表面。
絕緣膜18係例如，經由CVD(Chemical Vapor Deposition)法所形成之矽氧化膜或矽氮化膜。對於絕緣膜18係例如，經由使用光阻劑光罩之濕蝕刻，如圖8B所 示地形成有第1開口18a與第2開口18b。第1開口18a係到達於p側電極16，而第2開口18b係到達於n側電極17。
接著，如圖8B所示，於絕緣膜18的表面，第1開口18a之內壁(側壁及底面)，及第2開口18b之內壁(側壁及底面)，形成基底金屬膜60。基底金屬膜60係參照圖5如前述，具有鋁膜61，和鈦膜62，和銅膜63。基底金屬膜60係例如經由濺鍍法而加以形成。
接著，於基底金屬膜60上，選擇性地形成圖9A所示之光阻劑光罩91之後，經由將基底金屬膜60之銅膜63做為晶種層而使用之電解銅電鍍法，形成p側配線層21，n側配線層22及金屬膜50。
p側配線層21係亦形成於第1開口18a內，與p側電極16加以電性連接。n側配線層22係亦形成於第2開口18b內，與n側電極17加以電性連接。
光阻劑光罩91係例如，使用溶劑或氧電漿而如圖9B所示，加以除去。
接著，在形成樹脂層於p側配線層21，n側配線層22及金屬膜50上全面之後，如圖10A所示，於金屬膜50上殘留樹脂層55。
樹脂層55係例如為感光性的聚醯亞胺樹脂，經由對於形成在全面之樹脂層55而言之選擇性曝光，及曝光後之現象，於金屬膜50上殘留有樹脂層55。
樹脂層55係作為被覆金屬膜50之光罩層，殘留於半 導體層15之側面15c之周圍的範圍。
由以形成p側金屬柱23及n側金屬柱24之前的凹凸(階差)為小之階差形成樹脂層55者，對於樹脂層55而言之光微影則成為容易。
接著，於圖10A所示之構造體上，選擇性地形成圖10B所示之光阻劑光罩92之後，經由將p側配線層21及n側配線層22作為晶種層而使用之電解銅電鍍法，形成p側金屬柱23及n側金屬柱24。
p側金屬柱23係形成於p側配線層21上。p側配線層21與p側金屬柱23係以相同之銅材料作為一體化。n側金屬柱24係形成於n側配線層22上。n側配線層22與n側金屬柱24係以相同之銅材料作為一體化。
金屬膜50及樹脂層55係由光阻劑光罩92所被覆，對於金屬膜50及樹脂層55上係未設置有金屬柱。
光阻劑光罩92係例如，使用溶劑或氧電漿而如圖11A所示，加以除去。
在此時點，p側配線層21與n側配線層22係藉由基底金屬膜60而連結。另外，p側配線層21與金屬膜50亦藉由基底金屬膜60而連結，而n側配線層22與金屬膜50亦藉由基底金屬膜60而連結。
因此，在接下來的工程中，經由蝕刻而除去p側配線層21與n側配線層22之間的基底金屬膜60，p側配線層21與金屬膜50之間的基底金屬膜60，及n側配線層22與金屬膜50之間的基底金屬膜60。
經由此，如圖11B所示，分段有p側配線層21與n側配線層22之電性連接，p側配線層21與金屬膜50之電性連接，及n側配線層22與金屬膜50之電性連接。
此時，藉由絕緣膜18而設置於半導體層15之側面15c所設置之第1反射部51，和藉由絕緣膜18而設置於基板10上之第2反射部52係由樹脂層55加以被覆之故而未加以蝕刻。
形成於半導體層15之側面15c之周圍的範圍之金屬膜50係對於電性係為浮動，未做為電極而發揮機能，而作為反射膜而發揮機能。金屬膜50係至少如包含鋁膜61時，確保有作為反射膜之機能。
即在圖8B的工程中，在形成包含鋁膜61之基底金屬膜60之後，對於半導體層15之側面15c之周圍的範圍係未形成電鍍膜，而僅自基底金屬膜60構成金屬膜50亦可。在圖9A之工程中，如將光阻劑光罩91形成於半導體層15之側面15c之周圍的範圍時，對於其範圍未形成有電鍍膜。
金屬膜50則僅由基底金屬膜60所成時，在為了前述之配線層間的電性分斷而除去基底金屬膜60之不要的部分之蝕刻時，有著金屬膜50消失之虞。但如圖11B所示，如以樹脂層55被覆金屬膜50時，即使有僅由基底金屬膜60所成之金屬膜50，亦可確實地殘留者。
當金屬膜50之第2反射部52為薄時，在後述之工程進行個片化時，在半導體發光裝置1之端部進行切斷之金 屬膜則變薄，切割則變為容易。另外，成為可提供對於加以切割之側面未有損傷之信賴性高的半導體發光裝置1者。
接著，於如圖11B所示之構造體上，形成圖12A所示之樹脂層25。樹脂層25係被覆p側配線部41及n側配線部43。另外，樹脂層25係亦形成於設置金屬膜50上之樹脂層55上。
樹脂層25係與p側配線部41及n側配線部43同時構成支持體100。在支持有半導體層15於其支持體100之狀態，除去基板10。
例如，矽基板之基板10則經由濕蝕刻或乾蝕刻而加以除去。或者，對於基板10為藍寶石基板之情況，係可經由雷射剝離法而除去。
於基板10上加以磊晶成長之半導體層15係有含有大的內部應力之情況。另外，p側金屬柱23，n側金屬柱24及樹脂層25係例如，比較於GaN系材料之半導體層15為柔軟之材料。隨之，即使作為磊晶成長時之內部應力則於基板10之剝離時一口氣加以開放，p側金屬柱23，n側金屬柱24及樹脂層25係吸收其應力。因此，可迴避在除去基板10之過程的半導體層15之破損。
經由基板10之除去而如圖12B所示，露出有半導體層15之第1的面15a。對於所露出之第1的面15a係形成有細微的凹凸。例如，以KOH(氫氧化鉀)水溶液或TMAH(氫氧化四甲基銨)等，濕蝕刻第1的面15a。在 此蝕刻中，產生有依存於結晶面方位之蝕刻速度之不同。因此，可於第1的面15a形成凹凸者。經由於第1的面15a形成凹凸之時，可使發光層13之放射光的取出效率提升。
對於第1的面15a上如圖13A所示，藉由絕緣膜19而形成有螢光體層30。螢光體層30係例如，經由印刷，嵌裝，鑄模，壓縮成形等之方法而加以形成。絕緣膜19係提高半導體層15與螢光體層30之密著性。
另外，作為螢光體層30，將藉由結合材而使螢光體燒結之燒結螢光體，藉由絕緣膜19而接著於螢光體層30亦可。
另外，螢光體層30亦形成於半導體層15之側面15c之周圍的範圍上。對於半導體層15之側面15c之周圍的範圍係殘留有前述之樹脂層55。於其樹脂層55上，藉由金屬膜50，絕緣膜18及19，形成有螢光體層30。
在形成螢光體層30之後，研削樹脂層25之表面(在圖13A之下面)，如圖13B所示，p側金屬柱23及n側金屬柱24則從樹脂層25加以露出。p側金屬柱23之露出面係成為p側外部端子23a，而n側金屬柱24之露出面係成為n側外部端子24a。
接著，在形成有分離複數之半導體層15的前述的溝90之範圍，切斷如圖13B所示之構造體。即，切斷有螢光體層30，絕緣膜19，絕緣膜18，金屬膜50之第2反射部52，樹脂層55，及樹脂層25。此等係例如，經由切 割刀，或雷射光而加以切斷。半導體層15係因未存在於切割範圍而未受到經由切割之損傷者。
加以個片化之前的前述各工程係在包含多數之半導體層15的晶圓狀態加以進行。晶圓係作為包含至少1個之半導體層15之半導體發光裝置1而加以個片化。然而，半導體發光裝置1係均可為含有一個的半導體層15之單晶片構造，以及含有複數之半導體層15多晶片構造。
加以個片化之前的前述各工程係在晶圓狀態一次加以進行之故，於加以個片化之各個裝置，無需進行配線層之形成，柱的形成，經由樹脂層之封裝，及螢光體層之形成，而成為可減低大幅的成本。
在晶圓狀態，形成支持體100及螢光體層30之後，為了切斷有此等，而螢光體層30之側面，和支持體100的側面(樹脂層55的側面，樹脂層25之側面)係作為一致，此等的側面則形成加以個片化之半導體發光裝置1之側面。隨之，亦相互作用未有基板10之情況，可提供晶片尺寸封裝構造之小型的半導體發光裝置1。切割後，金屬膜50之第2反射部52的端面係未由絕緣膜18及樹脂層55，25所被覆，而從絕緣膜18及樹脂層55，25露出。
然而，在圖11B之工程，在除去基底金屬膜60之無須的部分之後，樹脂層55係亦可除去。在除去樹脂層55之後，在圖12A之工程，形成樹脂層25時，如圖1A所示，設置有金屬膜50之範圍亦成為充填有樹脂層25之構 造。
另外，未除去樹脂層55而殘留時，如圖13B所示，與安裝面側之樹脂層25不同之樹脂層55則成為加以設置於半導體層15之側面15c之周圍的範圍之構造。
樹脂層25係例如，充填充填物於環氧樹脂，聚矽氧樹脂，氟素樹脂等，進行金屬柱23，24之補強，或控制成適合於支持體100之特性(硬度)。
另一方面，對於設置於半導體層15之側面15c之周圍的範圍之樹脂層55，係可賦予與樹脂層25不同之特性者。例如，作為樹脂層55，可使用較樹脂層25對於耐水性優越之材料者。
在接近於晶片尺寸之平面尺寸之半導體發光裝置1中，半導體層15之側面15c係比較於第1的面15a或第2的面15b，與外氣的距離為短。對於其側面15c之周圍的範圍，由設置對於耐水性優越之樹脂層55者，可從水分之浸入保護側面15c者。
圖15A係顯示以晶圓狀態所形成之金屬膜50之平面圖案。在圖15A中，虛線係顯示切割線DL。
於在基板10上鄰接之半導體層15間之範圍(溝90)，形成有金屬膜50。樹脂層55係呈被覆金屬膜50地加以形成。
例如，樹脂層55為聚醯亞胺，對於與在金屬膜50之樹脂層55接觸的面為銅之情況，係擔心有自金屬膜50之樹脂層55的剝離。
因此，於半導體層15間之範圍(溝90)的全面，並非將金屬膜50形成為固體狀，而如圖15B所示，將金屬膜50之被覆率作為較100%為低，由形成於半導體層15間之範圍(溝90)者，可將樹脂層55不易從金屬膜50剝落。
在半導體層15間之範圍(溝90)中，於金屬膜50所穿過之開口部(絕緣膜18所露出之部分)，樹脂層55則呈深入地導入，可提高樹脂層55與金屬膜50之密著性者。
經由形成金屬膜50時之光阻劑光罩的圖案，可調整金屬膜50之被覆率者。
另外，於形成樹脂層55之前，如圖14A所示，先行形成p側金屬柱23及n側金屬柱24亦可。
並且，在除去光阻劑光罩92之後，如圖14B所示，以樹脂層55被覆金屬膜50。
(第2實施形態)
作為設置於半導體層15之第1的面15a側之光學層，係不限於螢光體層，而如圖4A所示，亦可為散射層35。
散射層35係包含使發光層13之放射光散射之複數的粒子狀之散射材(例如，鈦化合物)36，和使將複數的散射材36作為一體化之發光層13的放射光透過之結合材(例如，樹脂層)37。
散射層35之平面尺寸係較半導體層15之平面尺寸為大，散射層35係亦可加以設置於半導體層15之側面15c之周圍的範圍上。
在此第2實施形態之半導體發光裝置2中，亦於半導體層15之側面15c之周圍的範圍，對向於從第1的面15a上露出之散射層35而設置有金屬膜50之第2反射部52。
因此，在半導體發光裝置2之端部範圍中，可經由散射材36加以散射，使朝向於下方之支持體100側的光，在第2反射部52加以反射而返回至散射層35側。
隨之，在半導體發光裝置2之端部範圍中，可防止經由散射材36的放射光經由樹脂層(黑樹脂)25所吸收之情況的損失，而提高來自散射層35側之光取出效率者。
(第3實施形態)
另外，如圖4B所示，於半導體層15之側面15c之周圍的範圍，並非金屬膜，而設置白色樹脂膜57亦可。白色樹脂膜57係對於發光層13之放射光，螢光體之放射光，經由散射材之散射光而言具有反射性。
在半導體層15之側面15c之周圍的範圍中，白色樹脂膜57係藉由絕緣膜18及19，對向於從第1的面15a上露出之螢光體層30。
另外，白色樹脂膜57係亦可設置於金屬膜50的表面，p側配線層21的表面，n側配線層22的表面，p側 金屬柱23的側面及n側金屬柱24的側面。
在此第3實施形態之半導體發光裝置3中，亦於半導體層15之側面15c之周圍的範圍，對向於從第1的面15a上露出之螢光體層30而設置有作為反射膜而發揮機能之白色樹脂膜57。
因此，在半導體發光裝置3之端部範圍之螢光體的放射光，或者散射材之散射光中，可使朝向於下方之支持體100側的光，以白色樹脂膜57加以反射而返回至光學層側者。
隨之，在半導體發光裝置3之端部範圍中，可防止螢光體的放射光，或經由散射材的散射光經由樹脂層(黑樹脂)25所吸收之情況的損失，而提高來自光學層側之光取出效率者。
(第4實施形態)
以上說明之實施形態係亦可適用於圖16A及B所示之側視形式之半導體發光裝置4者。
第4實施形態之半導體發光裝置4係從樹脂層25加以露出，擔負與外部連接之金屬柱23，24之露出面則與上述實施形態不同，其他的構成係與上述實施形態之半導體發光裝置相同。
圖16A係第4實施形態的半導體發光裝置4之模式斜視圖。
圖16B係具有安裝第4實施形態之半導體發光裝置4 於安裝基板310上之構成的發光模組的模式剖面圖。
p側金屬柱23之一部分的側面係在與半導體層15之第1的面15a及其相反側之第2的面15b不同之面方位之第3的面25b，從樹脂層25露出。其露出面係作為為了安裝於外部之安裝基板310的p側外部端子23b而發揮機能。
例如，第3的面25b係對於半導體層15之第1的面15a及第2的面15b而言為略垂直的面。樹脂層25係例如具有矩形狀之4個側面，其中一個側面則成為第3的面25b。
在其相同第3的面25b中，n側金屬柱24之一部分的側面則從樹脂層25露出。其露出面係作為為了安裝於外部之安裝基板310的n側外部端子24b而發揮機能。
在p側金屬柱23中，露出於第3的面25b之p側外部端子23b以外的部分係由樹脂層25加以被覆。另外，在n側金屬柱24中，露出於第3的面25b露出之n側外部端子24b以外的部分係由樹脂層25加以被覆。
如圖16B所示，半導體發光裝置4係以將第3的面25b朝向基板310之安裝面301的姿勢加以安裝。露出於第3的面25b之p側外部端子23b及n側外部端子24b係各對於設置於安裝面301之墊片302，藉由焊錫303而加以接合。對於基板310之安裝面301係例如設置有連結於外部電路之配線圖案，墊片302係連接於其配線圖案。
第3的面25b係對於光的主要出射面之第1的面15a 而言為略垂直。隨之，以將第3的面25b朝向安裝面301側的姿勢，第1的面15a係對於安裝面301而言，而朝向平行之橫方向或傾斜方向。即，半導體發光裝置4係所謂的側視形式之半導體發光裝置，於安裝面301釋放光於平行之橫方向或傾斜方向。
如根據實施形態，前述金屬膜係由前述樹脂層所被覆。
另外，如根據實施形態，前述第1樹脂層係主要含有環氧樹脂，聚矽氧樹脂或氟素樹脂，而前述第2樹脂層係主要含有聚醯亞胺樹脂。
另外，如根據實施形態，前述樹脂層係對於前述發光層的放射光而言具有遮光性。
另外，如根據實施形態，半導體發光裝置係更具備設置於前述第1的面與前述光學層之間之第3絕緣膜。
另外，如根據實施形態，前述光學層係包含放射經由前述發光層的放射光所激發，與前述發光層之放射光不同波長的光之複數之螢光體，和將前述複數之螢光體作為一體化，使前述發光層之放射光及前述螢光體的放射光透過的結合材之螢光體層。
另外，如根據實施形態，前述光學層係包含使前述發光層之放射光散射之複數的散射材，和將前述複數之散射材作為一體化，而使前述發光層之放射光透過之結合材的散射層。
另外，如根據實施形態，各前述p側金屬柱及前述n 側金屬柱係具有在相同面內排列之可外部連接之端部。
另外，如根據實施形態，前述光學層之側面與前述支持體之側面則作為一致。
另外，如根據實施形態，前述金屬膜係包含銅，設置有金膜於前述金屬膜之前述第2反射部的端面。
另外，如根據實施形態，前述p側配線部，前述n側配線部及前述金屬膜係經由使用形成於前述第2的面側之晶種層的電鍍法而加以形成，在以光罩層被覆前述金屬膜之狀態，經由蝕刻而除去形成於前述p側配線部與前述n側配線部之間的前述晶種層，形成於前述p側配線部與前述金屬膜之間的前述晶種層，及形成於前述n側配線部與前述金屬膜之間的前述晶種層。
另外，如根據實施形態，將在前述半導體層之前述側面的周圍之範圍的前述金屬膜之被覆率，作為較100%為低。
雖說明過本發明之幾個實施形態，但此等實施形態係作為例而提示之構成，未意圖限定發明之範圍。此等新穎的實施形態係可以其他種種形態而實施，在不脫離發明之內容範圍，可進行種種省略，置換，變更。此等實施形態或其變形係含於發明之範圍或內容同時，含於記載於申請專利範圍之發明與其均等之範圍。
1‧‧‧半導體發光裝置
11‧‧‧第1半導體層
12‧‧‧第2半導體層
13‧‧‧發光層
15‧‧‧半導體層
15a‧‧‧第1的面
15c‧‧‧側面
16‧‧‧p側電極
17‧‧‧n側電極
18，19‧‧‧絕緣膜
21‧‧‧p側配線層
21a，22a‧‧‧貫孔
22‧‧‧n側配線層
23‧‧‧p側金屬柱
23a‧‧‧p側外部端子
24‧‧‧n側金屬柱
24a‧‧‧n側外部端子
25‧‧‧樹脂層
30‧‧‧螢光體層
31，32‧‧‧螢光體
33‧‧‧結合材
41‧‧‧p側配線部
43‧‧‧n側配線部
50‧‧‧金屬膜
51‧‧‧第1反射部
52‧‧‧第2反射部
100‧‧‧支持體

Claims (19)

  1. 一種半導體發光裝置，其特徵為具備：擁有第1的面，和前述第1的面之相反側之第2的面，具有發光層之半導體層，和在前述第2的面側中，設置於前述半導體層之p側電極，和在前述第2的面側中，設置於前述半導體層之n側電極，和設置於前述第2的面側之支持體，係具有連接於前述p側電極之p側配線部，和連接於前述n側電極之n側配線部，和設置於前述p側配線部與前述n側配線部之間的樹脂層之支持體，和加以設置於前述第1的面側，具有較前述半導體層之平面尺寸為大之平面尺寸，對於前述發光層之放射光而言具有透過性之光學層，和設置於接續於在前述半導體層之前述第1的面之側面之第1絕緣膜，和具有第1反射部與第2反射部，設置於介於前述第1反射部與前述半導體層之前述側面之間的前述第1絕緣膜的前述第1反射部，設置在前述半導體層之前述側面的周圍範圍的前述光學層之下的前述第2反射部，朝向前述裝置的側面延伸的前述第2反射部，係與前述裝置的前述側面對準的前述第2反射部的末端之金屬膜。
  2. 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置， 其中，更具備：設置於前述金屬膜之前述第2反射部與前述光學層之間的第2絕緣膜。
  3. 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置，其中，前述金屬膜係對於前述p側配線部及前述n側配線部而言作為分離。
  4. 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置，其中，前述金屬膜係由前述樹脂層所被覆。
  5. 一種半導體發光裝置，其特徵為具備：擁有第1的面，和前述第1的面之相反側之第2的面，具有發光層之半導體層，和在前述第2的面側中，設置於前述半導體層之p側電極，和在前述第2的面側中，設置於前述半導體層之n側電極，和設置於前述第2的面側之支持體，係具有連接於前述p側電極之p側配線部，和連接於前述n側電極之n側配線部，和設置於前述p側配線部與前述n側配線部之間的樹脂層之支持體，和加以設置於前述第1的面側，具有較前述半導體層之平面尺寸為大之平面尺寸，對於前述發光層之放射光而言具有透過性之光學層，和設置於接續於在前述半導體層之前述第1的面之側面之第1絕緣膜，和具有第1反射部與第2反射部，設置於介於前述第 1反射部與前述半導體層之前述側面之間的前述第1絕緣膜的前述第1反射部，設置在前述半導體層之前述側面的周圍範圍的前述光學層之下且朝向前述裝置的側面延伸的前述第2反射部之金屬膜，其中前述樹脂層係具有：設置於前述p側配線部之周圍及前述n側配線部之周圍的第1樹脂層，和被覆前述金屬膜，與前述第1樹脂層不同之第2樹脂層。
  6. 如申請專利範圍第5項記載之半導體發光裝置，其中，前述第1樹脂層係主要含有環氧樹脂，聚矽氧樹脂或氟素樹脂，前述第2樹脂層係主要含有聚醯亞胺樹脂。
  7. 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置，其中，前述金屬膜係含有鋁膜。
  8. 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置，其中，前述樹脂層係對於前述發光層之放射光而言具有遮光性。
  9. 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置，其中，更具備：設置於前述第1的面與前述光學層之間的第3絕緣膜。
  10. 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置，其中，前述光學層係螢光體層，該螢光體層包含：放射經由前述發光層的放射光所激發，與前述發光層 之放射光不同波長的光之複數之螢光體，和將前述複數之螢光體作為一體化，使前述發光層之放射光及前述螢光體的放射光透過的結合材。
  11. 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置，其中，前述光學層係散射層，該散射層包含：使前述發光層之放射光散射之複數的散射材，和將前述複數之散射材作為一體化，而使前述發光層之放射光透過之結合材。
  12. 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置，其中，前述半導體層係於前述第1的面側未含有基板，前述光學層係於與前述半導體層之間未藉由基板而加以設置於前述第1的面側。
  13. 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置，其中，前述p側配線部係具有連接於前述p側電極之p側配線層，和連接於前述p側配線層，較前述p側配線層為厚之p側金屬柱，前述n側配線部係具有連接於前述n側電極之n側配線層，和連接於前述n側配線層，較前述n側配線層為厚之n側金屬柱。
  14. 如申請專利範圍第13項記載之半導體發光裝置，其中，各前述p側金屬柱及前述n側金屬柱係具有在相同面內排列之可外部連接之端部。
  15. 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置，其中，前述光學層之側面與前述支持體之側面則作為一 致。
  16. 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置，其中，前述半導體層之前述第1的面，前述第2的面及前述側面係由無機絕緣膜加以被覆。
  17. 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置，其中，前述金屬膜係包含銅，於前述金屬膜之前述第2反射部的端面設置有金膜。
  18. 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光裝置，其中，前述金屬膜的前述第2反射部係沿著前述半導體層之前述第1的面之方向延伸。
  19. 如申請專利範圍第5項記載之半導體發光裝置，其中，前述金屬膜的前述第2反射部係沿著前述半導體層之前述第1的面之方向延伸。
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