JP6553378B2 - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6553378B2 JP6553378B2 JP2015051713A JP2015051713A JP6553378B2 JP 6553378 B2 JP6553378 B2 JP 6553378B2 JP 2015051713 A JP2015051713 A JP 2015051713A JP 2015051713 A JP2015051713 A JP 2015051713A JP 6553378 B2 JP6553378 B2 JP 6553378B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- metal
- semiconductor
- metal pillar
- pillar
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 197
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 223
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 223
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 49
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical group Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000005811 Viola adunca Nutrition 0.000 description 1
- 240000009038 Viola odorata Species 0.000 description 1
- 235000013487 Viola odorata Nutrition 0.000 description 1
- 235000002254 Viola papilionacea Nutrition 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Description
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1(a)及び図1(b)は、第1実施形態に係る半導体発光装置の模式図である。図1(a)は断面図であり、図1(b)は、平面図である。図1(a)は、図1(b)におけるA1−A2断面に対応する。図1(b)は、図1(a)における矢印AAの方向から見た平面図に対応する。
図2(a)〜図8(b)は、第1実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を示す模式断面図である。
レジストマスク92を形成した後、第1金属ピラー21P及び第2金属ピラー22Pを形成する。
図9(a)に示すように、半導体発光装置111においては、第3金属層23L及び第4金属層24Lは、設けられていない。これ以外は、半導体発光装置110。と同様である。このように、第3金属層23L及び第4金属層24Lは、省略しても良い。
半導体発光装置111及び112においても、高い信頼性が得られる。
図10(a)及び図10(b)は、第2実施形態に係る半導体発光装置の模式図である。
図10(a)は断面図であり、図10(b)は、平面図である。図10(a)は、図10(b)におけるB1−B2断面に対応する。図10(b)は、図10(a)における矢印AAの方向から見た平面図に対応する。
図11(a)及び図11(b)は、第2実施形態に係る半導体発光装置の製造方法の一部を示す模式断面図である。
図10(a)に示すように、絶縁部18、第1金属層21L、第1金属ピラー21P、第2金属層22L及び第2金属ピラー22Pを含む構造体の上に、無機絶縁層71を形成する。無機絶縁層71は、例えば、溶射(例えばコールドスプレイ)により形成される。
図12に示す半導体発光装置121においては、有機絶縁層72の一部72aは、第2方向D2において半導体部15と重なる。これ以外は、半導体発光装置120と同様である。
また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
Claims (4)
- 第1金属ピラーと、
第2金属ピラーと、
前記第2金属ピラーから前記第1金属ピラーに向かう第1方向と交差する第2方向において前記第1金属ピラー及び前記第2金属ピラーと離間した光学層と、
半導体部であって、
前記光学層と前記第1金属ピラーとの間及び前記光学層と前記第2金属ピラーとの間に設けられた第1導電形の第1半導体層と、
第2導電形の第2半導体層であって、前記第2半導体層の少なくとも一部は、前記第1半導体層の一部と前記第2金属ピラーとの間に設けられた、前記第2半導体層と、
前記第1半導体層の前記一部と前記第2半導体層の前記少なくとも一部との間に設けられた第3半導体層と、
を含む半導体部と、
前記半導体部と前記第1金属ピラーとの間に設けられた部分を含み前記第1半導体層及び前記第1金属ピラーと電気的に接続された第1金属層と、
前記半導体部と前記第2金属ピラーとの間に設けられた部分を含み前記第2半導体層及び前記第2金属ピラーと電気的に接続された第2金属層と、
前記第1金属ピラーの前記第2方向と交差する第1側面の少なくとも一部、及び、前記第2金属ピラーの前記第2方向と交差する第2側面の少なくとも一部の周りに設けられた無機絶縁層と、
前記第1側面の一部、及び、前記第2側面の一部を囲み、樹脂と、前記樹脂に含まれるフィラーもしくは光吸収粒子と、を含む有機絶縁層と、
絶縁部と、を備え、
前記無機絶縁層は、前記有機絶縁層と前記光学層との間に配置され、
前記絶縁部の一部は、前記第2半導体層と前記第1金属層との間、及び、前記第3半導体層と前記第1金属層と、の間に設けられ、
前記絶縁部の別の一部は、前記光学層の外縁部と、前記無機絶縁層と、の間に設けられた、半導体発光装置。 - 前記無機絶縁層は、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化アルミニウム及び酸化ケイ素の少なくとも1つを含む、請求項1記載の半導体発光装置。
- 前記第1金属ピラーの少なくとも一部は、前記第2方向において前記第2半導体層と重なり、
前記絶縁部の別の一部は、前記第1金属ピラーの前記少なくとも一部と、前記第2半導体層と、の間に延在する、請求項1または2に記載の半導体発光装置。 - 第3金属層と第4金属層とをさらに備え、
前記第3金属層と前記第1金属層との間に前記第1金属ピラーが配置され、
前記第4金属層と前記第2金属層との間に前記第2金属ピラーが配置され、
前記第3金属層は、前記第1側面の一部と接し、
前記第4金属層は、前記第2側面の一部と接する、請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015051713A JP6553378B2 (ja) | 2015-03-16 | 2015-03-16 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015051713A JP6553378B2 (ja) | 2015-03-16 | 2015-03-16 | 半導体発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016171281A JP2016171281A (ja) | 2016-09-23 |
JP6553378B2 true JP6553378B2 (ja) | 2019-07-31 |
Family
ID=56984138
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015051713A Expired - Fee Related JP6553378B2 (ja) | 2015-03-16 | 2015-03-16 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6553378B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3951009A4 (en) * | 2019-03-29 | 2022-03-23 | NISSAN MOTOR Co., Ltd. | FILM FORMING PROCESS |
JP7119283B2 (ja) * | 2020-03-30 | 2022-08-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5378130B2 (ja) * | 2009-09-25 | 2013-12-25 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
JP5874233B2 (ja) * | 2011-08-05 | 2016-03-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子及び発光装置 |
JP2013207278A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP5832956B2 (ja) * | 2012-05-25 | 2015-12-16 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
JP5869961B2 (ja) * | 2012-05-28 | 2016-02-24 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
JP2014150196A (ja) * | 2013-02-01 | 2014-08-21 | Toshiba Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JP2014160736A (ja) * | 2013-02-19 | 2014-09-04 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及び発光装置 |
JP6045999B2 (ja) * | 2013-07-31 | 2016-12-14 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
-
2015
- 2015-03-16 JP JP2015051713A patent/JP6553378B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016171281A (ja) | 2016-09-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10297719B2 (en) | Micro-light emitting diode (micro-LED) device | |
JP5426124B2 (ja) | 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置 | |
JP5710532B2 (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
TWI482315B (zh) | 半導體發光裝置 | |
JP5414579B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
KR102086365B1 (ko) | 반도체 발광소자 | |
JP2015012244A (ja) | 半導体発光素子 | |
US9214606B2 (en) | Method of manufacturing light-emitting diode package | |
WO2013161208A1 (ja) | 発光素子 | |
JP5726797B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP6645781B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
US10134806B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
US20160035939A1 (en) | Semiconductor light emitting element, light emitting device, and method for manufacturing semiconductor light emitting element | |
CN102646763B (zh) | 氮化物半导体发光元件的制造方法 | |
JP6553378B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
US9136425B2 (en) | Semiconductor light emitting element and light emitting device | |
JP2015065205A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP6584799B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2017054902A (ja) | 半導体発光装置 | |
JP5744054B2 (ja) | 半導体基体を製造する方法 | |
JP6432280B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP2013232504A (ja) | 半導体発光装置 | |
JP2016086030A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP2010109127A (ja) | 発光素子 | |
JP5433798B2 (ja) | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20171130 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180312 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181218 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20181219 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190508 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190614 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190626 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190704 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6553378 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |