JP2014160736A - 半導体発光装置及び発光装置 - Google Patents

半導体発光装置及び発光装置 Download PDF

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Abstract

【課題】実施形態は、半導体層の第１の面及びその反対側の第２の面側から光放射可能な半導体発光装置及び発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と第１の電極と第２の電極と第１の絶縁膜と第１の配線層と第２の配線層と第１の金属ピラーと第２の金属ピラーと第２の絶縁膜と蛍光体層とを備えている。第１の電極は、半導体層の発光領域に設けられている。第１の電極、第１の絶縁膜、第１の配線層、第２の配線層、および第２の絶縁膜は、発光層の放射光を透過させる。
【選択図】図１

Description

実施形態は、半導体発光装置及び発光装置に関する。
半導体発光素子と、蛍光体と、を組み合わせ、白色光などの可視光やその他の波長帯の光を放射する半導体発光装置は、小型で扱い易い光源としてその用途が広がりつつある。
特開２００２−１１８２９３号公報
実施形態は、半導体層の第１の面及びその反対側の第２の面側から光放射可能な半導体発光装置及び発光装置を提供する。
実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、第１の電極と、第２の電極と、第１の絶縁膜と、第１の配線層と、第２の配線層と、第１の金属ピラーと、第２の金属ピラーと、第２の絶縁膜と、蛍光体層と、を備えている。前記半導体層は、第１の面と、その反対側の第２の面を持ち、発光層を有する。前記第１の電極は、前記第２の面側において前記半導体層の発光領域に設けられ、前記発光層の放射光を透過させる。前記第２の電極は、前記第２の面側において前記半導体層の非発光領域に設けられている。前記第１の絶縁膜は、前記第２の面側に設けられ、前記発光層の放射光を透過させる。前記第１の配線層は、前記第１の絶縁膜上に設けられるとともに前記第１の電極に接続され、前記発光層の放射光を透過させる。前記第２の配線層は、前記第１の絶縁膜上に設けられるとともに前記第２の電極に接続され、前記発光層の放射光を透過させる。前記第１の金属ピラーは、前記第１の配線層上に設けられ、外部接続可能な端部を有する。前記第２の金属ピラーは、前記第２の配線層上に設けられ、外部接続可能な端部を有する。前記第２の絶縁膜は、前記第１の金属ピラーと前記第２の金属ピラーとの間に、前記第１の金属ピラーの側面及び前記第２の金属ピラーの側面に接するように設けられ、前記発光層の放射光を透過させる。前記蛍光体層は、前記第１の面側に設けられ、前記発光層の放射光により励起され前記発光層の放射光とは異なる波長の光を放射する複数の蛍光体と、前記複数の蛍光体を一体化し前記発光層の放射光及び前記蛍光体の放射光を透過させる結合材と、を含む。
第１実施形態の半導体発光装置の模式断面図。 第１実施形態の半導体発光装置を含む発光装置の模式断面図。 第１実施形態の半導体発光装置を含む発光装置の模式断面図。 第１実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。 第１実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。 第１実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。 第１実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。 第１実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。 第１実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。 第１実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。 第１実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。 第２実施形態の半導体発光装置の模式図。 第２実施形態の半導体発光装置を含む発光装置の模式断面図。 第３実施形態の半導体発光装置の模式断面図。
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、図面中の同一部分には同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態の半導体発光装置１の模式断面図である。
半導体発光装置１は、発光層１３を有する半導体層１５を備える。半導体層１５は、第１の面１５ａと、その反対側の第２の面１５ｂ（図５（ａ）参照）と、を有する。また、半導体層１５は、発光層１３を含む部分（発光領域）１５ｅと、発光層１３を含まない部分（非発光領域）１５ｆと、を有する。発光層１３を含む部分１５ｅは、半導体層１５のうちで、発光層１３が積層されている部分である。発光層１３を含まない部分１５ｆは、半導体層１５のうちで、発光層１３が積層されていない部分である。発光層１３を含む部分は、発光領域を示し、発光層１３を有するとともに発光層１３の発光光を外部に取り出し可能な積層構造となっている領域を示す。
第２の面１５ｂの側において、発光層１３を含む部分１５ｅの上に第１の電極としてｐ側電極１６が設けられ、発光層を含まない部分１５ｆの上に第２の電極としてｎ側電極１７が設けられている。ｐ側電極１６とｎ側電極１７とを通じて発光層１３に電流が供給され、発光層１３は発光する。
第２の面側において半導体層１５の発光領域に設けられたｐ側電極１６は、発光層１３の放射光に対して透過性を有する透明電極である。ｐ側電極１６は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる。ここで「透過」、「透明」とは、光の一部を吸収する場合も含む。
また、半導体層１５の第２の面側には、後述する支持体が設けられている。半導体層１５、ｐ側電極１６およびｎ側電極１７を含む発光素子は、第２の面側に設けられた支持体によって支持されている。
半導体層１５の第１の面１５ａ上には、蛍光体層３０が設けられている。蛍光体層３０は、複数の蛍光体３１を含む。蛍光体３１は、発光層１３の放射光により励起され、その放射光とは異なる波長の光を放射する。
複数の蛍光体３１は、結合材３３により一体化されている。結合材３３は、発光層１３の放射光および蛍光体３１の放射光を透過する。
半導体層１５は、第１の半導体層１１と、第２の半導体層１２と、発光層１３と、を有する。発光層１３は、第１の半導体層１１と、第２の半導体層１２と、の間に設けられている。第１の半導体層１１および第２の半導体層１２は、例えば、窒化ガリウムを含む。
第１の半導体層１１は、例えば、下地バッファ層、ｎ型ＧａＮ層を含む。第２の半導体層１２は、例えば、ｐ型ＧａＮ層を含む。発光層１３は、青、紫、青紫、紫外光などを発光する材料を含む。発光層１３の発光波長は、例えば、４３０〜４７０ｎｍである。
半導体層１５の第２の面は、凹凸形状に加工される。その凸部は、発光層１３を含む部分１５ｅであり、凹部は、発光層１３を含まない部分１５ｆである。発光層１３を含む部分１５ｅの第２の面は、第２の半導体層１２の表面であり、その表面にｐ側電極１６が設けられている。発光層１３を含まない部分１５ｆの第２の面は、第１の半導体層１１の表面であり、その表面にｎ側電極１７が設けられている。
例えば、半導体層１５の第２の面において、発光層１３を含む部分１５ｅの面積は、発光層１３を含まない部分１５ｆの面積よりも広い。また、発光層１３を含む部分１５ｅの上に設けられたｐ側電極１６の面積は、発光層１３を含まない部分の上に設けられたｎ側電極１７の面積よりも広い。これにより、広い発光面が得られ、光出力を高くできる。
半導体層１５の第２の面側には、第１の絶縁膜として絶縁膜１８が設けられている。絶縁膜１８は、半導体層１５の第２の面、ｐ側電極１６およびｎ側電極１７を覆って保護している。
絶縁膜１８は、発光層１３の側面および第２の半導体層１２の側面にも設けられ、それら側面を覆っている。また、絶縁膜１８は、半導体層１５における第１の面１５ａから続く側面（第１の半導体層１１の側面）１５ｃにも設けられ、その側面１５ｃを覆っている。絶縁膜１８は、半導体層１５の第１の面１５ａ上には設けられていない。
絶縁膜１８は、発光層１３の放射光に対して透過性を有する無機透明絶縁膜である。絶縁膜１８は、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜である。
絶縁膜１８における半導体層１５とは反対側の面上には、第１の配線層としてのｐ側配線層２１と、第２の配線層としてのｎ側配線層２２とが互いに離隔して設けられている。絶縁膜１８は、ｐ側電極１６に通じた第１の開口１８ａ、およびｎ側電極１７に通じた第２の開口１８ｂを含む。図１に示す例では、絶縁膜１８は複数の第１の開口１８ａを含むが、１つの第１の開口１８ａを含む形態でも良い。
ｐ側配線層２１は、絶縁膜１８の上および第１の開口１８ａの内部に設けられている。ｐ側配線層２１は、第１の開口１８ａ内に設けられたビア２１ａを介してｐ側電極１６と電気的に接続されている。ｎ側配線層２２は、絶縁膜１８の上および第２の開口１８ｂの内部に設けられている。ｎ側配線層２２は、第２の開口１８ｂ内に設けられたビアを介してｎ側電極１７と電気的に接続されている。
ｐ側配線層２１及びｎ側配線層２２は、発光層１３の放射光に対して透過性を有する透明導電膜である。ｐ側配線層２１及びｎ側配線層２２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる。
ｐ側配線層２１におけるｐ側電極１６とは反対側の面上には、第１の金属ピラーとしてｐ側金属ピラー２３が設けられている。第１の配線部としてのｐ側配線部４１は、ｐ側配線層２１およびｐ側金属ピラー２３を含む。
ｎ側配線層２２におおけるｎ側電極１７とは反対側の面上には、第２の金属ピラーとしてｎ側金属ピラー２４が設けられている。第２の配線部としてのｎ側配線部４３は、ｎ側配線層２２およびｎ側金属ピラー２４を含む。
ｐ側配線部４１とｎ側配線部４３との間には、第２の絶縁膜として絶縁膜２５が設けられている。絶縁膜２５は、ｐ側配線層２１の側面とｎ側配線層２２の側面に接するように、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２との間に設けられている。また、絶縁膜２５は、ｐ側金属ピラー２３の側面とｎ側金属ピラー２４の側面に接するように、ｐ側金属ピラー２３とｎ側金属ピラー２４との間に設けられている。すなわち、絶縁膜２５は、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２との間、およびｐ側金属ピラー２３とｎ側金属ピラー２４との間に充填されている。
絶縁膜２５は、ｐ側配線層２１の側面、ｎ側配線層２２の側面、ｐ側金属ピラー２３の側面、およびｎ側金属ピラー２４の側面を覆っている。絶縁膜２５は、ｐ側金属ピラー２３の周囲およびｎ側金属ピラー２４の周囲に設けられている。
ｐ側金属ピラー２３におけるｐ側配線層２１とは反対側の端部（面）は、絶縁膜２５から露出し、実装基板等の外部回路と接続可能なｐ側外部端子（第１の外部端子）２３ａとして機能する。ｎ側金属ピラー２４におけるｎ側配線層２２とは反対側の端部（面）は、絶縁膜２５から露出し、実装基板等の外部回路と接続可能なｎ側外部端子（第２の外部端子）２４ａとして機能する。
ｐ側外部端子２３ａおよびｎ側外部端子２４ａは、絶縁膜２５の同じ面（図１における下面）に露出する。ｐ側外部端子２３ａとｎ側外部端子２４ａとの間隔は、絶縁膜１８上におけるｐ側配線層２１とｎ側配線層２２との間隔よりも広い。ｐ側外部端子２３ａとｎ側外部端子２４ａとの間隔は、実装時のはんだの広がりよりも大きくする。これにより、はんだを通じた、ｐ側外部端子２３ａとｎ側外部端子２４ａとの間の短絡を防ぐことができる。
これに対し、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２との間隔は、プロセス上の限界まで狭くすることができる。このため、ｐ側配線層２１の面積、およびｐ側配線層２１とｐ側金属ピラー２３との接触面積の拡大を図れる。これにより、発光層１３の熱の放散を促進できる。
また、複数の第１の開口１８ａを通じて、ｐ側配線層２１がｐ側電極１６と接する面積は、第２の開口１８ｂを通じてｎ側配線層２２がｎ側電極１７と接する面積よりも広い。これにより、発光層１３に流れる電流の分布を均一化できる。
ｎ側配線層２２は、ｐ側電極１６上に設けられた絶縁膜１８上に延在している。すなわち、ｎ側配線層２２は、発光層１３及びｐ側電極１６が設けられた発光領域上に延在している。
絶縁膜１８上で広がるｎ側配線層２２の面積は、ｎ側配線層２２とｎ側電極１７とのコンタクト面積よりも大きい。ｎ側配線層２２とｎ側金属ピラー２４とのコンタクト面積は、ｎ側配線層２２とｎ側電極１７とのコンタクト面積よりも大きい。
絶縁膜１８上で広がるｎ側配線層２２の面積は、ｎ側電極１７の面積よりも広くできる。さらに、ｎ側配線層２２の上に設けられるｎ側金属ピラー２４の面積（すなわち、ｎ側外部端子２４ａの面積）をｎ側電極１７よりも広くできる。これにより、信頼性の高い実装に十分なｎ側外部端子２４ａの面積を確保しつつ、ｎ側電極１７の面積を小さくすることが可能となる。すなわち、半導体層１５における発光層１３を含まない部分（非発光領域）１５ｆの面積を縮小し、発光層１３を含む部分（発光領域）１５ｅの面積を広げて光出力を向上させることが可能となる。
第１の半導体層１１は、ｎ側電極１７およびｎ側配線層２２を介してｎ側金属ピラー２４と電気的に接続されている。第２の半導体層１２は、ｐ側電極１６およびｐ側配線層２１を介してｐ側金属ピラー２３と電気的に接続されている。
ｐ側金属ピラー２３はｐ側配線層２１よりも厚く、ｎ側金属ピラー２４はｎ側配線層２２よりも厚い。ｐ側金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４および絶縁膜２５のそれぞれの厚さは、半導体層１５よりも厚い。なお、ここで言う「厚さ」とは、図１における上下方向の各層の幅である。
各金属ピラー２３、２４のアスペクト比（平面サイズに対する厚みの比）は、１以上であっても良いし、１より小さくても良い。すなわち、金属ピラー２３、２４は、その平面サイズより厚くても良いし、薄くても良い。
ｐ側配線層２１、ｎ側配線層２２、ｐ側金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４および絶縁膜２５を含む支持体の厚さは、半導体層１５、ｐ側電極１６およびｎ側電極１７を含む発光素子の厚さよりも厚い。
半導体層１５は、後述するように基板上にエピタキシャル成長法により形成される。その基板は、ｎ側配線層２２、ｐ側金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４および絶縁膜２５を含む支持体を形成した後に除去され、半導体層１５は第１の面１５ａ側に基板を含まない。半導体層１５は、剛直な基板にではなく、半導体層１５よりも柔軟な絶縁膜２５を含む支持体によって支持されている。
ｐ側金属ピラー２３およびｎ側金属ピラー２４の材料として、例えば、銅、金、ニッケル、銀などを用いることができる。これらのうち、銅を用いると、良好な熱伝導性、高いマイグレーション耐性および絶縁材料に対する密着性を向上させることができる。
絶縁膜２５は、ｐ側金属ピラー２３およびｎ側金属ピラー２４を補強する。絶縁膜２５は、発光層１３の放射光に対して透過性を有する透明絶縁材料からなる。絶縁膜２５は、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの透明樹脂、またはガラスからなる。
半導体発光装置１の実装過程では、ｐ側外部端子２３ａおよびｎ側外部端子２４ａを実装基板のランドに接合させるはんだ等に起因する応力が半導体層１５に加わる。ｐ側金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４および絶縁膜２５は、その応力を吸収し緩和する。特に、半導体層１５よりも柔軟な絶縁膜２５を支持体の一部として用いることで、応力緩和効果を高めることができる。
ｐ側配線層２１およびｐ側金属ピラー２３を含むｐ側配線部４１は、複数の第１の開口１８ａの内部に設けられ相互に離隔された複数のビア２１ａを介して、ｐ側電極１６に接続している。この場合、複数のビア２１ａの接触面積を合わせた面積を有する１つのビアを介してｐ側配線部４１をｐ側電極１６に接続させる場合よりも、半導体層１５に加わる応力を低減できる。
一方、ｐ側配線層２１は、１つの大きな開口の内部に設けられ、ビア２１ａよりも平面サイズの大きなポストを介してｐ側電極１６に接続させても良い。これにより、ｐ側電極１６、ｐ側配線層２１およびｐ側金属ピラー２３を介した放熱性の向上を図ることができる。
後述するように、半導体層１５の形成に用いた基板は、半導体層１５から除去される。これにより、半導体発光装置１は低背化される。また、基板の除去により、半導体層１５の第１の面１５ａに凹凸を形成することができ、光取り出し効率の向上を図れる。
例えば、第１の面１５ａに対して、アルカリ系溶液を使ったウェットエッチング（フロスト処理）を行い微小凹凸を形成する。これにより、発光層１３の放射光を全反射させることなく、第１の面１５ａから外側に取り出すことが可能となる。
基板が除去された後、半導体層１５の第１の面１５ａ上に、蛍光体層３０が形成される。すなわち、蛍光体層３０は、半導体層１５の第１の面１５ａとの間に基板を介することなく、第１の面１５ａ上に設けられている。
蛍光体層３０は、結合材３３中に複数の粒子状の蛍光体３１が分散された構造を有する。蛍光体３１は、例えば、発光層１３の放射光により励起され黄色光を放射する黄色蛍光体、赤色光を放射する赤色蛍光体、および緑色光を放射する緑色蛍光体の少なくともいずれか１種類の蛍光体を含む。また、蛍光体３１は、セラミック系の微粒子であっても良い。結合材３３には、例えば、シリコーン樹脂を用いることができる。
蛍光体層３０は、１種類の蛍光体（例えば黄色蛍光体）を含む。あるいは、蛍光体層３０は、複数種類の蛍光体（例えば赤色蛍光体と緑色蛍光体）を含む。
実施形態の半導体発光装置１は、チップサイズに近い構造を有する。蛍光体層３０は、第１の面１５ａ上および支持体の一部である絶縁膜１８上に限定され、半導体層１５の第２の面側や支持体の側面にまわりこんで形成されていない。
発光層１３の放射光は、第１の面１５ａを介して蛍光体層３０に進み、蛍光体３１を励起する。すなわち、蛍光体層３０側から、発光層１３の放射光と蛍光体３１との混合色の光が得られる。
また、発光層１３の放射光は、半導体層１５の第２の面側にも放射される。そして、実施形態によれば、第２の面側において発光領域に設けられたｐ側電極１６は、発光層１３の放射光に対して透明である。さらに、第２の面側に設けられた、絶縁膜１８、ｐ側配線層２１、ｎ側配線層２２および絶縁膜２５も、発光層１３の放射光に対して透明である。
したがって、第２の面側に放射された発光層１３の放射光は、ｐ側電極１６、絶縁膜１８、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２を透過し、さらにｐ側金属ピラー２３とｎ側金属ピラー２４との間の絶縁膜２５を透過して、半導体発光装置１の外部に放射される。
すなわち、実施形態によれば、チップサイズパッケージ構造の半導体発光装置１において、発光層１３を挟んで反対側に位置する２つの異なる面から光が放射される。
図２は、実施形態の半導体発光装置１を含む発光装置の模式断面図である。
実施形態の発光装置は、実装基板３１０と、実装基板３１０上に実装された半導体発光装置１とを備えている。
実装基板３１０は、発光層１３の放射光に対して透過性を有する透明絶縁基板である。実装基板３１０は、例えば、ガラス基板、または透明樹脂基板である。また、実装基板３１０は、可撓性を有するフレキシブル基板であってもよい。
実装基板３１０の一方の面（実装面）には、パッド３０２と、パッド３０２と接続された配線パターン（図示せず）が形成されている。
半導体発光装置１の外形形状は、例えば直方体形状に形成されている。半導体発光装置１は、同じ面で露出されたｐ側外部端子２３ａとｎ側外部端子２４ａとを有する。半導体発光装置１は、ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａが露出する面を、実装基板３１０の実装面に向け、蛍光体層３０を、実装基板３１０の実装面の反対側に向けた姿勢で実装基板３１０上に実装されている。
ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａが、例えば、はんだ３０３などの導電接合材を介して、パッド３０２に接合されている。
前述したように、半導体発光装置１において、発光層１３を挟んで反対側に位置する２つの異なる面（図２において上面及び下面）から光が放射される。蛍光体層３０の反対側（第２の面側）に放射された光は、透明な実装基板３１０を透過する。したがって、実装基板３１０の裏面側にも光が放射され、発光装置の応用範囲を広げることができる。
図３は、実施形態の半導体発光装置１を複数含む発光装置の模式断面図である。
図３に示す発光装置は、実装基板３１０と、実装基板３１０上に実装された複数の半導体発光装置１とを備えている。複数の半導体発光装置１は、実装基板３１０の両面に実装されている。
実装基板３１０は、発光層１３の放射光に対して透過性を有する透明絶縁基板である。実装基板３１０は、例えば、ガラス基板、または透明樹脂基板である。また、実装基板３１０は、可撓性を有するフレキシブル基板であってもよい。
実装基板３１０の両面のそれぞれには、パッド３０２と、パッド３０２と接続された配線パターン（図示せず）が形成されている。
また、両面のパッド３０２または配線パターンの間は、実装基板３１０を貫通して設けられたビア３０４を介して電気的に接続されている。
半導体発光装置１の外形形状は、例えば直方体形状に形成されている。半導体発光装置１は、同じ面で露出されたｐ側外部端子２３ａとｎ側外部端子２４ａとを有する。半導体発光装置１は、ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａが露出する面を、実装基板３１０の実装面に向け、蛍光体層３０を、実装基板３１０の実装面の反対側に向けた姿勢で実装基板３１０上に実装されている。
ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａが、例えば、はんだ３０３などの導電接合材を介して、パッド３０２に接合されている。
半導体発光装置１において、発光層１３を挟んで反対側に位置する２つの異なる面から光が放射される。蛍光体層３０の反対側（第２の面側）に放射された光は、透明な実装基板３１０を透過する。したがって、実装基板３１０の裏面側にも光が放射され、発光装置の応用範囲を広げることができる。実施形態の発光装置は、例えば、フィラメントを模した構成に応用でき、電球のような広い配光性を有する照明装置として利用することが可能である。
実装基板３１０の一方の面に実装された半導体発光装置１と、実装基板３１０の他方の面に実装された半導体発光装置１とは、実装基板を挟んで互いに重ならない位置に実装されている。すなわち、図３の断面視において、複数の半導体発光装置１が千鳥配列されている。
図３において上側の実装面に実装された半導体発光装置１の下には他の半導体発光装置１が位置せず、下側の実装面に実装された半導体発光装置１の上には他の半導体発光装置１が位置しない。
したがって、半導体発光装置１の発光層１３から第２の面側に放射された光を、他の半導体発光装置１に妨げられずに、自身が実装された面の反対面側に放射させることができる。
片面だけに半導体発光装置１が実装された構成では、その片面上で隣り合う半導体発光装置１の間では相対的に発光強度が弱くなる。すなわち、発光装置全体で見ると発光ムラが生じる。
その発光ムラを改善するひとつの方法として、半導体発光装置１の実装密度を高め、隣り合う半導体発光装置１間の間隔を狭くする方法が考えられる。しかしながら、半導体発光装置１間の間隔が狭くなると、放熱性の低下が懸念される。
実施形態によれば、両面発光する半導体発光装置１を、透明な実装基板３１０の両面に実装している。このため、一方の実装面側における半導体発光装置１間の発光強度の低下を、他方の実装面に実装された半導体発光装置１の第２の面側への放射光で補うことができる。
したがって、実施形態によれば、それぞれの実装面上における半導体発光装置１の実装密度を抑えつつ、実装基板３１０の両面の発光均一性を実現できる。
次に、図４（ａ）〜図１１（ｂ）を参照して、実施形態の半導体発光装置１の製造方法について説明する。
図４（ａ）は、基板１０の主面上に形成された第１の半導体層１１、発光層１３および第２の半導体層１２を含む半導体層１５を表す断面図である。例えば、ＭＯＣＶＤ（metal organic chemical vapor deposition）法を用いて、基板１０の上に第１の半導体層１１、発光層１３および第２の半導体層１２を順に成長させる。
基板１０は、例えば、シリコン基板またはサファイア基板である。半導体層１５は、例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ）を含む窒化物半導体である。
第１の半導体層１１は、例えば、ｎ型ＧａＮ層である。また、第１の半導体層１１は、基板１０の上に設けられたバッファ層と、バッファ層の上に設けられたｎ型ＧａＮ層と、を含む積層構造を有しても良い。第２の半導体層１２は、例えば、発光層１３の上に設けられたｐ型ＡｌＧａＮ層と、その上に設けられたｐ型ＧａＮ層と、を含む。発光層１３は、例えば、ＭＱＷ（Multiple Quantum well）構造を有する。
図４（ｂ）および図４（ｃ）は、第２の半導体層１２および発光層１３を選択的に除去した状態を表している。図４（ｂ）は断面図であり、図４（ｃ）は、基板１０の上面側（半導体層１５の第２の面側）を表す平面図である。
例えば、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法を用いて、第２の半導体層１２および発光層１３を選択的にエッチングし、第１の半導体層１１を露出させる。
図４（ｃ）に示すように、半導体層１２および発光層１３は、第１の半導体層１１上で島状にパターニングされ、基板１０の上に複数の発光領域（発光層１３を含む部分１５ｅ）が形成される。
次に、図５（ａ）および図５（ｂ）に表すように、第１の半導体層１１を選択的に除去する。基板１０の上に、相互に分離された複数の半導体層１５が形成される。
図５（ａ）は、基板１０およびその上に形成された半導体層１５の断面を表している。例えば、第２の半導体層１２および発光層１３を覆うエッチングマスク（図示しない）を第１の半導体層１１の上に設ける。続いて、ＲＩＥ法を用いて第１の半導体層１１をエッチングし、基板１０に至る深さの溝８０を形成する。
図５（ｂ）は、図５（ａ）の上面を表している。溝８０は、基板１０の上に格子状に設けられ、第１の半導体層１１を分離する。
半導体層１５の第１の面１５ａは、基板１０に接する面であり、第２の面１５ｂは、第１の半導体層１１および第２の半導体層１２の表面である。
例えばシリコン基板である基板１０の上面は少しエッチングされ、溝８０は第１の面１５ａよりも深く形成される。
溝８０は、後述するｐ側電極１６およびｎ側電極１７を形成した後に形成しても良い。
次に、半導体層１５の第２の面１５ｂに、図６（ａ）および図６（ｂ）に表すように、ｐ側電極１６とｎ側電極１７とを形成する。図６（ａ）は断面図であり、図６（ｂ）は、図４（ａ）の上面を表す。
ｐ側電極１６は、第２の半導体層１２の上（発光領域上）に形成される。ｎ側電極１７は、第１の半導体層１１の上（非発光領域上）に形成される。ｐ側電極１６は、ｎ側電極１７よりも広い面積を有する。
ｐ側電極１６およびｎ側電極１７は、例えば、スパッタ法、蒸着法等で形成される。ｐ側電極１６とｎ側電極１７は、どちらを先に形成してもよいし、同じ材料で同時に形成してもよい。ｐ側電極１６は、発光層１３の放射光を透過させる透明電極であり、例えばＩＴＯからなる。
次に、図７（ａ）に表すように、基板１０の上面に絶縁膜１８を形成する。図７（ａ）は、基板１０および基板１０上の構造体の断面を表す模式図である。
絶縁膜１８は、基板１０の上に設けられた構造体を覆い、第１の開口１８ａおよび第２の開口１８ｂを有する。
絶縁膜１８は、例えば、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜であり、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて形成することができる。開口１８ａおよび１８ｂは、例えば、レジストマスクを用いたウェットエッチングにより形成される。第１の開口１８ａは、ｐ側電極１６に通じる。第２の開口１８ｂは、ｎ側電極１７に通じる。
次に、図７（ｂ）、（ｃ）は、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２の形成過程を表している。図７（ｂ）は、基板１０および基板１０上の構造体の断面を表す模式図であり、図７（ｃ）は、図７（ｂ）の上面を表す。
ｐ側配線層２１及びｎ側配線層２２は、例えば、スパッタ法により形成される。ｐ側配線層２１は、絶縁膜１８の上および第１の開口１８ａの内部に形成される。ｐ側配線層２１は、ｐ側電極１６に電気的に接続される。ｎ側配線層２２は、絶縁膜１８の上および第２の開口１８ｂの内部に形成される。ｎ側配線層２２は、ｎ側電極１７に電気的に接続される。
次に、図８（ａ）〜（ｃ）は、ｐ側金属ピラー２３およびｎ側金属ピラー２４の形成過程を表している。図８（ａ）および図８（ｂ）は、基板１０および基板１０上の構造体の断面を表す模式図であり、図８（ｃ）は、図８（ｂ）の上面を表す。
図８（ａ）に表すように、開口９２ａと開口９２ｂとを有するレジストマスク９２を形成する。例えば、フォトリソグラフィを用いてレジストマスク９２を形成する。
続いて、図８（ｂ）に示すように、開口９２ａおよび９２ｂの内部にそれぞれｐ側金属ピラー２３およびｎ側金属ピラー２４を形成する。ｐ側金属ピラー２３およびｎ側金属ピラー２４は、例えば、電解Ｃｕメッキ法により形成される。
図８（ｃ）に示すように、ｐ側金属ピラー２３とｎ側金属ピラー２４は、レジストマスク９２ｇを挟んで向き合う。ｐ側金属ピラー２３とｎ側金属ピラー２４の間隔は、実装時の短絡を防ぐために、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２の間隔よりも広くする。
レジストマスク９２は、例えば、溶剤もしくは酸素プラズマを用いて、図９（ａ）に示すように除去される。続いて、図９（ｂ）に表すように、絶縁膜１８の上に第２の絶縁膜として絶縁膜２５を積層する。絶縁膜２５は、ｐ側配線層２１、ｎ側配線層２２、ｐ側金属ピラー２３およびｎ側金属ピラー２４を覆う。
絶縁膜２５は、ｐ側配線層２１とｐ側金属ピラー２３を含むｐ側配線部４１と、ｎ側配線層２２とｎ側金属ピラー２４を含むｎ側配線部４３との間を絶縁する。
次に、図１０（ａ）に示すように、半導体層１５から基板１０を除去する。基板１０がシリコン基板の場合、例えば、ウェットエッチングにより基板１０を選択的に除去することができる。基板１０がサファイア基板の場合には、例えば、レーザーリフトオフ法により基板１０を除去することができる。
ｐ側金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４および絶縁膜２５を含む支持体によって、半導体層１５、ｐ側電極１６およびｎ側電極１７を含む発光素子が支持された状態で、基板１０が除去される。発光素子は、基板１０が除去された後も、ｐ側金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４および絶縁膜２５を含む支持体により支持された状態を保つ。
基板の１０上にエピタキシャル成長された半導体層１５は、大きな内部応力を含む場合がある。また、ｐ側金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４および絶縁膜２５は、例えばＧａＮ系材料の半導体層１５に比べて柔軟な材料である。したがって、エピタキシャル成長時の内部応力が基板１０の剥離時に一気に開放されたとしても、ｐ側金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４および絶縁膜２５は、その応力を吸収する。このため、基板１０を除去する過程における半導体層１５の破損を回避することができる。
基板１０を除去した後、半導体層１５の第１の面１５ａに微細な凹凸を形成する。例えば、ＫＯＨ（水酸化カリウム）水溶液やＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）等で、第１の面１５ａをウェットエッチングする。このエッチングでは、結晶面方位に依存したエッチング速度の違いが生じる。このため、図１０（ａ）に表すように、第１の面１５ａに凹凸を形成することができる。また、第１の面１５ａの上にレジストマスクを形成し、第１の面１５ａを選択的にエッチングしても良い。第１の面１５ａに凹凸を形成することにより、発光層１３の放射光の取り出し効率を向上させることができる。
次に、図１０（ｂ）に表すように、第１の面１５ａの上に蛍光体層３０を形成する。蛍光体層３０は、蛍光体３１と結合材３３とを有し、例えば、印刷、ポッティング、モールド、圧縮成形などの方法により形成される。
また、蛍光体層３０として、蛍光体３１を結合材３３を介して焼結させた焼結蛍光体を第１の面１５ａに接着させても良い。例えば、第１の面１５ａにエポキシ樹脂等を含む接着材（接着層）を塗布し、その接着層に蛍光体３１を焼結したプレートを圧着させる。これにより、蛍光体層３０は、接着層を介して第１の面１５ａに接着される。
結合材３３は、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、フェニル樹脂などの樹脂である。また、結合材３３として、ガラス材を用いても良い。
絶縁膜２５の表面（図１０（ｂ）における下面）は研削され、ｐ側金属ピラー２３およびｎ側金属ピラー２４が露出される。ｐ側金属ピラー２３の露出面は、ｐ側外部端子２３ａとなり、ｎ側金属ピラー２４の露出面は、ｎ側外部端子２４ａとなる。
次に、図１１（ａ）および図１１（ｂ）に示すように、隣り合う半導体層１５間の領域であるダイシング領域の位置で、蛍光体層３０、絶縁膜１８および絶縁膜２５を切断する。蛍光体層３０、絶縁膜１８および絶縁膜２５の切断は、例えば、ダイシングブレードを用いて行う。また、レーザ照射により切断しても良い。
ウェーハは、少なくとも１つの半導体層１５を含む半導体発光装置１として個片化される。図１１（ａ）は、半導体発光装置１の断面を表し、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）の下面を表し、ｐ側外部端子２３ａおよびｎ側外部端子２４ａが露出した半導体発光装置１の実装面を表す。
半導体層１５は、ダイシング領域に存在しないためダイシングによるダメージを受けない。また、個片化された時点で、半導体層１５の側面が絶縁膜１８で覆われ保護された構造が得られる。
なお、半導体発光装置１は、ひとつの半導体層１５を含むシングルチップ構造でも良いし、複数の半導体層１５を含むマルチチップ構造であっても良い。
ダイシングする前の工程は、ウェーハ状態で一括して行われるため、個片化された個々のデバイスごとに、配線およびパッケージングを行う必要がなく、大幅なコストの低減が可能になる。すなわち、個片化された状態で、すでに配線およびパッケージングが施されている。このため、実施形態によれば、生産性を高めることが可能で有り、製造コストを低減できる。
蛍光体層３０はウェーハ状態で形成されるため、蛍光体層３０は、半導体層１５の第１の面１５ａ上および支持体上に限定され、半導体層１５の第２の面や、支持体の側面（絶縁膜１８の側面、絶縁膜２５の側面）に、まわりこんで形成されていない。
ウェーハ状態で、支持体および蛍光体層３０を形成した後に、それらが切断されるため、蛍光体層３０の側面と、支持体の側面を構成する絶縁膜１８、２５の側面とが、個片化された半導体発光装置１の側面を形成する。
したがって、蛍光体層３０の側面、絶縁膜１８の側面、および絶縁膜２５の側面は揃っており、チップサイズパッケージ構造の小型の半導体発光装置１を提供することができる。
（第２実施形態）
図１２（ａ）は、第２実施形態の半導体発光装置５の模式斜視図である。
図１２（ｂ）は、図１２（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。
図１２（ｃ）は、図１２（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。
図１３は、第２実施形態の発光装置の模式断面図である。
図１２（ａ）および図１２（ｃ）に表すように、ｐ側金属ピラー２３の一部の側面は、半導体層１５の第１の面１５ａおよびその反対側の第２の面と異なる面方位の第３の面２５ｂで、絶縁膜２５から露出している。その露出面は、図１３に示す実装基板３２０に実装するためのｐ側外部端子２３ｂとして機能する。
例えば、第３の面２５ｂは、半導体層１５の第１の面１５ａおよび第２の面に対して略垂直な面である。絶縁膜２５は、例えば、矩形状の４つの側面を有し、そのうちのひとつの側面が第３の面２５ｂである。
その同じ第３の面２５ｂにおいて、ｎ側金属ピラー２４の一部の側面が絶縁膜２５から露出している。その露出面は、外部の実装基板３１０に実装するためのｎ側外部端子２４ｂとして機能する。
また、図１２（ａ）に表すように、ｐ側配線層２１の一部の側面２１ｂも、第３の面２５ｂで絶縁膜２５から露出し、ｐ側外部端子として機能する。同様に、ｎ側配線層２２の一部の側面２２ｂも、第３の面２５ｂで絶縁膜２５から露出し、ｎ側外部端子として機能する。
ｐ側金属ピラー２３において、第３の面２５ｂに露出しているｐ側外部端子２３ｂ以外の部分は、絶縁膜２５に覆われている。また、ｎ側金属ピラー２４において、第３の面２５ｂに露出しているｎ側外部端子２４ｂ以外の部分は、絶縁膜２５に覆われている。
また、ｐ側配線層２１において、第３の面２５ｂで露出している側面２１ｂ以外の部分は、絶縁膜２５に覆われている。さらに、ｎ側配線層２２において、第３の面２５ｂに露出している側面２２ｂ以外の部分は、絶縁膜２５に覆われている。
図１３に示すように、半導体発光装置５は、第３の面２５ｂを実装基板３２０の実装面３０１に向けた姿勢で実装される。第３の面２５ｂに露出しているｐ側外部端子２３ｂおよびｎ側外部端子２４ｂは、それぞれ、実装面３０１に設けられたパッド３０２にはんだ３０３を介して接合される。実装基板３２０の実装面３０１には、例えば、外部回路につながる配線パターンが設けられ、パッド３０２はその配線パターンに接続されている。第２実施形態において、実装基板３２０は透明でなくてもよい。例えば、実装基板３２０として、樹脂基板、セラミック基板を用いることができる。
第３の面２５ｂは、第１の面１５ａに対して略垂直である。したがって、第３の面２５ｂを実装面３０１側に向けた姿勢で、第１の面１５ａは実装面３０１に対して、平行な横方向または傾いた方向に向く。すなわち、半導体発光装置５は、いわゆるサイドビュータイプの半導体発光装置であり、実装面３０１に平行な横方向または斜めの方向に光を放出する。
また、発光層１３の放射光は、半導体層１５の第２の面側にも放射される。そして、第２実施形態においても、第２の面側において発光領域に設けられたｐ側電極１６は、発光層１３の放射光に対して透明である。さらに、第２の面側に設けられた、絶縁膜１８、ｐ側配線層２１、ｎ側配線層２２および絶縁膜２５も、発光層１３の放射光に対して透明である。
したがって、第２の面側に放射された発光層１３の放射光は、ｐ側電極１６、絶縁膜１８、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２を透過し、さらにｐ側金属ピラー２３とｎ側金属ピラー２４との間の絶縁膜２５を透過して、半導体発光装置５の外部に放射される。
すなわち、第２実施形態によれば、発光層１３を挟んで反対側に位置する２つの異なる面から光が放射されるサイドビュータイプの発光装置が提供される。
（第３実施形態）
図１４は、第３実施形態の半導体発光装置３の模式断面図である。
第３実施形態においても、第２の面側において発光領域に設けられたｐ側電極１６は、発光層１３の放射光に対して透明である。さらに、第２の面側に設けられた、絶縁膜１８、ｐ側配線層２１、ｎ側配線層２２および絶縁膜２５も、発光層１３の放射光に対して透明である。
したがって、第２の面側に放射された発光層１３の放射光は、ｐ側電極１６、絶縁膜１８、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２を透過し、さらにｐ側金属ピラー２３とｎ側金属ピラー２４との間の絶縁膜２５を透過して、半導体発光装置３の外部に放射される。
また、第３実施形態では、絶縁膜２５に複数の蛍光体６１が分散されている。絶縁膜２５は、複数の粒子状の蛍光体６１を一体化する結合材として機能する。蛍光体６１は、発光層１３の放射光によって励起され、発光層１３の放射光とは異なる波長の光を放射する。蛍光体６１は、例えば、黄色蛍光体、赤色蛍光体、緑色蛍光体である。絶縁膜２５は、発光層１３の放射光および蛍光体６１の放射光に対する透過性を有する。
したがって、第３実施形態によれば、半導体発光装置３の両面から、発光層１３の放射光と、蛍光体の放射光との混合色の発光が得られる。
第３実施形態の半導体発光装置３も、図２、３に示すように、透明な実装基板３１０に実装して、広い配光性を有する発光装置として構成することができる。
また、図１３に示すサイドビュータイプの半導体発光装置の絶縁膜２５に蛍光体を分散させてもよい。
実施形態によれば、前記第１の絶縁膜上の前記第２の配線層の面積は、前記第２の配線層と前記第２の電極とのコンタクト面積よりも大きい。
また、実施形態によれば、前記第１の金属ピラーは前記第１の配線層よりも厚く、前記第２の金属ピラーは前記第２の配線層よりも厚い。
また、実施形態によれば、前記第２の絶縁膜は、前記第１の金属ピラーの周囲及び前記第２の金属ピラーの周囲に設けられている。
また、実施形態によれば、前記蛍光体層の側面及び前記第２の絶縁膜の側面が、前記半導体発光装置の側面を形成している。
また、実施形態によれば、前記蛍光体層は、前記第１の面上及び前記第２の絶縁膜の上に設けられ、前記第２の絶縁膜の側面には設けられていない。
また、実施形態によれば、前記第２の絶縁膜は、前記発光層の放射光により励起され前記発光層の放射光とは異なる波長の光を放射する複数の蛍光体を含む。
また、実施形態によれば、前記実装基板の一方の面に実装された半導体発光装置と、前記実装基板の他方の面に実装された半導体発光装置とは、前記実装基板を挟んで互いに重ならない位置に実装されている。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１，３，５…半導体発光装置、１０…基板、１１…第１の半導体層、１２…第２の半導体層、１３…発光層、１５…半導体層、１５ａ…第１の面、１５ｂ…第２の面、１８…絶縁膜、２１…ｐ側配線層、２２…ｎ側配線層、２３…ｐ側金属ピラー、２４…ｎ側金属ピラー、２５…絶縁膜、３０…蛍光体層、３１，６１…蛍光体、３３…結合材、４１…ｐ側配線部、４３…ｎ側配線部、３１０，３２０…実装基板

Claims (11)

  1. 第１の面と、その反対側の第２の面を持ち、発光層を有する半導体層と、
    前記第２の面側において前記半導体層の発光領域に設けられ、前記発光層の放射光を透過させる第１の電極と、
    前記第２の面側において前記半導体層の非発光領域に設けられた第２の電極と、
    前記第２の面側に設けられ、前記発光層の放射光を透過させる第１の絶縁膜と、
    前記第１の絶縁膜上に設けられるとともに前記第１の電極に接続され、前記発光層の放射光を透過させる第１の配線層と、
    前記第１の絶縁膜上に設けられるとともに前記第２の電極に接続され、前記発光層の放射光を透過させる第２の配線層と、
    前記第１の配線層上に設けられ、外部接続可能な端部を有する第１の金属ピラーと、
    前記第２の配線層上に設けられ、外部接続可能な端部を有する第２の金属ピラーと、
    前記第１の金属ピラーと前記第２の金属ピラーとの間に、前記第１の金属ピラーの側面及び前記第２の金属ピラーの側面に接するように設けられ、前記発光層の放射光を透過させる第２の絶縁膜と、
    前記第１の面側に設けられ、前記発光層の放射光により励起され前記発光層の放射光とは異なる波長の光を放射する複数の蛍光体と、前記複数の蛍光体を一体化し前記発光層の放射光及び前記蛍光体の放射光を透過させる結合材と、を含む蛍光体層と、
    を備え、
    前記第１の電極の面積は、前記第２の電極の面積よりも大きく、
    前記第２の配線層は、前記発光領域上に延在し、
    前記第２の配線層と前記第２の金属ピラーとのコンタクト面積は、前記第２の配線層と前記第２の電極とのコンタクト面積よりも大きく、
    前記半導体層は、前記第１の面側に基板を含まず、
    前記蛍光体層は、前記半導体層との間に基板を介することなく、前記第１の主面上に設けられている半導体発光装置。
  2. 第１の面と、その反対側の第２の面を持ち、発光層を有する半導体層と、
    前記第２の面側において前記半導体層の発光領域に設けられ、前記発光層の放射光を透過させる第１の電極と、
    前記第２の面側において前記半導体層の非発光領域に設けられた第２の電極と、
    前記第２の面側に設けられ、前記発光層の放射光を透過させる第１の絶縁膜と、
    前記第１の絶縁膜上に設けられるとともに前記第１の電極に接続され、前記発光層の放射光を透過させる第１の配線層と、
    前記第１の絶縁膜上に設けられるとともに前記第２の電極に接続され、前記発光層の放射光を透過させる第２の配線層と、
    前記第１の配線層上に設けられ、外部接続可能な端部を有する第１の金属ピラーと、
    前記第２の配線層上に設けられ、外部接続可能な端部を有する第２の金属ピラーと、
    前記第１の金属ピラーと前記第２の金属ピラーとの間に、前記第１の金属ピラーの側面及び前記第２の金属ピラーの側面に接するように設けられ、前記発光層の放射光を透過させる第２の絶縁膜と、
    前記第１の面側に設けられ、前記発光層の放射光により励起され前記発光層の放射光とは異なる波長の光を放射する複数の蛍光体と、前記複数の蛍光体を一体化し前記発光層の放射光及び前記蛍光体の放射光を透過させる結合材と、を含む蛍光体層と、
    を備えた半導体発光装置。
  3. 前記第１の電極の面積は、前記第２の電極の面積よりも大きい請求項２記載の半導体発光装置。
  4. 前記第２の配線層は、前記発光領域上に延在している請求項２または３に記載の半導体発光装置。
  5. 前記第２の配線層と前記第２の金属ピラーとのコンタクト面積は、前記第２の配線層と前記第２の電極とのコンタクト面積よりも大きい請求項２〜４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
  6. 前記半導体層は、前記第１の面側に基板を含まず、
    前記蛍光体層は、前記半導体層との間に基板を介することなく、前記第１の主面上に設けられている請求項２記載の半導体発光装置。
  7. 前記第２の絶縁膜は、前記第１の金属ピラーの周囲及び前記第２の金属ピラーの周囲に設けられ、
    前記蛍光体層の側面と前記第２の絶縁膜の側面とが揃っている請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
  8. 実装基板と、
    前記実装基板に実装された半導体発光装置と、
    を備え、
    前記半導体発光装置は、
    第１の面と、その反対側の第２の面を持ち、発光層を有する半導体層と、
    前記第２の面側において前記半導体層の発光領域に設けられ、前記発光層の放射光を透過させる第１の電極と、
    前記第２の面側において前記半導体層の非発光領域に設けられた第２の電極と、
    前記第２の面側に設けられ、前記発光層の放射光を透過させる第１の絶縁膜と、
    前記第１の絶縁膜上に設けられるとともに前記第１の電極に接続され、前記発光層の放射光を透過させる第１の配線層と、
    前記第１の絶縁膜上に設けられるとともに前記第２の電極に接続され、前記発光層の放射光を透過させる第２の配線層と、
    前記第１の配線層上に設けられ、前記実装基板に接続された第１の金属ピラーと、
    前記第２の配線層上に設けられ、前記実装基板に接続された第２の金属ピラーと、
    前記第１の金属ピラーと前記第２の金属ピラーとの間に、前記第１の金属ピラーの側面及び前記第２の金属ピラーの側面に接するように設けられ、前記発光層の放射光を透過させる第２の絶縁膜と、
    前記第１の面側に設けられ、前記発光層の放射光により励起され前記発光層の放射光とは異なる波長の光を放射する複数の蛍光体と、前記複数の蛍光体を一体化し前記発光層の放射光及び前記蛍光体の放射光を透過させる結合材と、を含む蛍光体層と、
    を有する発光装置。
  9. 前記実装基板は、前記発光層の放射光を透過させる請求項８記載の発光装置。
  10. 複数の前記半導体発光装置が、前記実装基板の両面に実装されている請求項９記載の発光装置。
  11. 前記半導体層は、前記第１の面側に基板を含まず、
    前記蛍光体層は、前記半導体層との間に基板を介することなく、前記第１の主面上に設けられている請求項８〜１０のいずれか１つに記載の発光装置。
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