JP2011249426A - 半導体発光装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体発光装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011249426A JP2011249426A JP2010118698A JP2010118698A JP2011249426A JP 2011249426 A JP2011249426 A JP 2011249426A JP 2010118698 A JP2010118698 A JP 2010118698A JP 2010118698 A JP2010118698 A JP 2010118698A JP 2011249426 A JP2011249426 A JP 2011249426A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal pillar
- layer
- electrode
- wiring layer
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 134
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 257
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 257
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 50
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 50
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 30
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 72
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 31
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940112669 cuprous oxide Drugs 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000789 Aluminium-silicon alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001846 repelling effect Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- UKLNMMHNWFDKNT-UHFFFAOYSA-M sodium chlorite Chemical compound [Na+].[O-]Cl=O UKLNMMHNWFDKNT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229960002218 sodium chlorite Drugs 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、第1の電極と、第2の電極と、絶縁層と、第1の配線層と、第2の配線層と、第1の金属ピラーと、第2の金属ピラーと、第1の金属ピラーの側面及び第2の金属ピラーの側面を覆う膜と、樹脂層とを備えた。第1の電極は、半導体層の第2の主面における発光層を有する領域に設けられた。第2の電極は、第2の主面における発光層の外周よりも外側に設けられた。第1の金属ピラーの側面及び第2の金属ピラーの側面を覆う膜は、第1の金属ピラー及び第2の金属ピラーよりもはんだに対するぬれ性が悪い。樹脂層は、その膜の周囲を覆う。
【選択図】図1
Description
図1(a)は第1実施形態に係る半導体発光装置の模式断面図であり、図1(b)はその下面図である。
あるいは、n側金属ピラー24及びp側金属ピラー23の下面を、不活性な金属、例えば金などで被覆してもかまわない。この場合、はんだペーストが印刷された実装基板81上に半導体発光装置が実装され、金表面にはんだが濡れて接続されることになる。その他、OSP(organic solderbility preservatives)と呼ばれる揮発性の有機薄膜を、n側金属ピラー24及びp側金属ピラー23の下面に被覆しておくことも可能である。この場合は、OSPに被覆されることによって酸化が抑制された銅表面に対して、はんだが濡れて接続される。
n側配線層22においてn側電極17に対する反対側の面は、n側電極17と接続する面よりも大きな面積でもって、絶縁層18の表面上にパッド状に形成される。同様に、p側配線層21においてp側電極16に対する反対側の面は、p側電極16と接続する面よりも大きな面積でもって、絶縁層18の表面上にパッド状に形成される。
図13(a)は第2実施形態に係る半導体発光装置の模式断面図であり、図13(b)はその下面図である。
図15(a)は第3実施形態に係る半導体発光装置の模式断面図であり、図15(b)はその下面図である。
図20(a)は第4実施形態に係る半導体発光装置の模式断面図であり、図20(b)はその下面図である。
サイアロン系蛍光体を用いる場合、特に、
(M1−x,Rx)a1AlSib1Oc1Nd1・・・組成式(1)
(MはSi及びAlを除く少なくとも1種の金属元素であり、特に、Ca若しくはSrの少なくとも一方が望ましい。Rは発光中心元素であり、特に、Euが望ましい。x、a1、b1、c1、d1は、次の関係を満たす。0<x≦1、0.6<a1<0.95、2<b1<3.9、0.25<c1<0.45、4<d1<5.7)を用いることが好ましい。
組成式(1)で表されるサイアロン系蛍光体を用いることで、波長変換効率の温度特性が向上し、大電流密度領域での効率をさらに向上させることができる。
サイアロン系蛍光体を用いる場合、特に、
(M1−x,Rx)a2AlSib2Oc2Nd2・・・組成式(2)
(MはSi及びAlを除く少なくとも1種の金属元素であり、特に、Ca若しくはSrの少なくとも一方が望ましい。Rは発光中心元素であり、特に、Euが望ましい。x、a2、b2、c2、d2は、次の関係を満たす。0<x≦1、0.93<a2<1.3、4.0<b2<5.8、0.6<c2<1、6<d2<11)を用いることが好ましい。
組成式(2)で表されるサイアロン系蛍光体を用いることで、波長変換効率の温度特性が向上し、大電流密度領域での効率をさらに向上させることができる。
Claims (14)
- 第1の主面と、その反対側に形成された第2の主面と、発光層とを含む半導体層と、
前記第2の主面における前記発光層を有する領域に設けられた第1の電極と、
前記第2の主面における前記発光層の外周よりも外側に設けられた第2の電極と、
前記半導体層の前記第2の主面側に設けられ、前記第1の電極に達する第1の開口と、前記第2の電極に達する第2の開口とを有する絶縁層と、
前記絶縁層における前記半導体層に対する反対側の面及び前記第1の開口内に設けられ、前記第1の電極と接続された第1の配線層と、
前記絶縁層における前記半導体層に対する反対側の面及び前記第2の開口内に設けられて前記第2の電極と接続され、前記第2の電極と接続する面よりも前記第2の電極に対する反対側の面において面積が大である第2の配線層と、
前記第1の配線層における前記第1の電極に対する反対側の面に設けられた第1の金属ピラーと、
前記第2の配線層における前記第2の電極に対する反対側の面に設けられた第2の金属ピラーと、
前記第1の金属ピラーの側面及び前記第2の金属ピラーの側面を覆い、前記第1の金属ピラー及び前記第2の金属ピラーよりもはんだに対するぬれ性が悪い膜と、
前記膜の周囲を覆う樹脂層と、
を備えたことを特徴とする半導体発光装置。 - 前記膜は、絶縁膜であることを特徴とする請求項1記載の半導体発光装置。
- 前記第1の金属ピラー及び前記第2の金属ピラーは銅を含み、
前記膜は、前記銅の黒化処理物であることを特徴とする請求項1記載の半導体発光装置。 - 前記膜は、前記第1の金属ピラー及び前記第2の金属ピラーとは異なる金属からなる金属膜であることを特徴とする請求項1記載の半導体発光装置。
- 第1の主面と、その反対側に形成された第2の主面と、発光層とを含む半導体層と、
前記第2の主面における前記発光層を有する領域に設けられた第1の電極と、
前記第2の主面における前記発光層の外周よりも外側に設けられた第2の電極と、
前記半導体層の前記第2の主面側に設けられ、前記第1の電極に達する第1の開口と、前記第2の電極に達する第2の開口とを有する絶縁層と、
前記絶縁層における前記半導体層に対する反対側の面及び前記第1の開口内に設けられ、前記第1の電極と接続された第1の配線層と、
前記絶縁層における前記半導体層に対する反対側の面及び前記第2の開口内に設けられて前記第2の電極と接続され、前記第2の電極と接続する面よりも前記第2の電極に対する反対側の面において面積が大である第2の配線層と、
前記第1の配線層における前記第1の電極に対する反対側の面に設けられ、凹凸が形成された側面を有する第1の金属ピラーと、
前記第2の配線層における前記第2の電極に対する反対側の面に設けられ、凹凸が形成された側面を有する第2の金属ピラーと、
前記第1の金属ピラーの側面及び前記第2の金属ピラーの側面を覆う樹脂層と、
を備えたことを特徴とする半導体発光装置。 - 前記第1の金属ピラー及び前記第2の金属ピラーのそれぞれの厚みは、前記半導体層、前記第1の電極、前記第2の電極、前記絶縁層、前記第1の配線層及び前記第2の配線層を含む積層体の厚みよりも厚いことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記第1の電極の面積は、前記第2の電極の面積よりも広いことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記第2の配線層と前記第2の金属ピラーとが接触する面積は、前記第2の配線層と前記第2の電極とが接触する面積より大であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記第2の配線層の一部は、前記絶縁層上を、前記発光層に重なる位置まで延在することを特徴とする請求項1〜8のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 第1の主面と、その反対側に形成された第2の主面と、発光層とを含む半導体層を形成する工程と、
前記第2の主面における前記発光層を有する領域に、第1の電極を形成する工程と、
前記第2の主面における前記発光層の外周よりも外側に、第2の電極を形成する工程と、
前記半導体層の前記第2の主面側に、前記第1の電極及び前記第2の電極を覆う絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層に、前記第1の電極に達する第1の開口と、前記第2の電極に達する第2の開口とを形成する工程と、
前記絶縁層における前記半導体層に対する反対側の面及び前記第1の開口内に、第1の配線層を形成する工程と、
前記絶縁層における前記半導体層に対する反対側の面及び前記第2の開口内に、前記第2の電極と接続する面よりも前記第2の電極に対する反対側の面において面積が大となるように第2の配線層を形成する工程と、
前記第1の配線層における前記第1の電極に対する反対側の面に、第1の金属ピラーを形成する工程と、
前記第2の配線層における前記第2の電極に対する反対側の面に、第2の金属ピラーを形成する工程と、
前記第1の金属ピラーの側面及び前記第2の金属ピラーの側面を、前記第1の金属ピラー及び前記第2の金属ピラーよりもはんだに対するぬれ性が悪い膜で覆う工程と、
前記膜の周囲を樹脂層で覆う工程と、
を備えたことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。 - 前記膜として絶縁性の無機膜を、CVD(chemical vapor deposition)法もしくはPVD(physical vapor deposition)法で、前記第1の金属ピラーの側面及び前記第2の金属ピラーの側面に形成することを特徴とする請求項10記載の半導体発光装置の製造方法。
- 前記第1の金属ピラー及び前記第2の金属ピラーは銅を含み、
前記銅を黒化処理することで、前記第1の金属ピラーの側面及び前記第2の金属ピラーの側面に前記膜を形成することを特徴とする請求項10記載の半導体発光装置の製造方法。 - 前記第1の金属ピラー及び前記第2の金属ピラーを形成する工程は、
前記第1の配線層及び前記第2の配線層を形成した後、前記絶縁層における前記半導体層に対する反対側の面側に、前記第1の配線層に達する開口と前記第2の配線層に達する開口とを有するレジストを形成する工程と、
前記レジストをマスクにして電解メッキを行い、前記第1の配線層に達する開口内に前記第1の金属ピラーを、前記第2の配線層に達する開口内に前記第2の金属ピラーを形成する工程と、を有し、
前記膜を形成する工程は、
前記第1の金属ピラー及び前記第2の金属ピラーを形成した後、前記レジストを除去して、前記第1の金属ピラーの側面及び前記第2の金属ピラーの側面を露出させる工程と、
露出された前記第1の金属ピラーの側面及び前記第2の金属ピラーの側面に、溶液を供給して前記第1の金属ピラー及び前記第2の金属ピラーに含まれる前記銅を黒化処理する工程と、を有することを特徴とする請求項12記載の半導体発光装置の製造方法。 - 前記膜を形成する工程は、
前記第1の配線層及び前記第2の配線層を形成した後、前記絶縁層における前記半導体層に対する反対側の面側に、前記第1の配線層に達する開口と前記第2の配線層に達する開口とを有するレジストを形成する工程と、
前記開口の内面に、前記第1の金属ピラー及び前記第2の金属ピラーとは異なる金属からなる金属膜を形成する工程と、を有し、
前記金属膜を形成した後、前記第1の配線層に達する開口内に前記第1の金属ピラーを、前記第2の配線層に達する開口内に前記第2の金属ピラーを形成することを特徴とする請求項10記載の半導体発光装置の製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010118698A JP5325834B2 (ja) | 2010-05-24 | 2010-05-24 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
TW099129693A TWI442601B (zh) | 2010-05-24 | 2010-09-02 | 半導體發光裝置及其製造方法 |
TW102141464A TWI542036B (zh) | 2010-05-24 | 2010-09-02 | 半導體發光裝置 |
EP10176158A EP2390935B1 (en) | 2010-05-24 | 2010-09-10 | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same |
US12/880,673 US8502260B2 (en) | 2010-05-24 | 2010-09-13 | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same |
HK12103876.9A HK1163349A1 (en) | 2010-05-24 | 2012-04-19 | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same |
US13/925,606 US8957450B2 (en) | 2010-05-24 | 2013-06-24 | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010118698A JP5325834B2 (ja) | 2010-05-24 | 2010-05-24 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013109252A Division JP5537700B2 (ja) | 2013-05-23 | 2013-05-23 | 半導体発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011249426A true JP2011249426A (ja) | 2011-12-08 |
JP5325834B2 JP5325834B2 (ja) | 2013-10-23 |
Family
ID=44140872
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010118698A Active JP5325834B2 (ja) | 2010-05-24 | 2010-05-24 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8502260B2 (ja) |
EP (1) | EP2390935B1 (ja) |
JP (1) | JP5325834B2 (ja) |
HK (1) | HK1163349A1 (ja) |
TW (2) | TWI542036B (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013201253A (ja) * | 2012-03-23 | 2013-10-03 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2014067876A (ja) * | 2012-09-26 | 2014-04-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2014160736A (ja) * | 2013-02-19 | 2014-09-04 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及び発光装置 |
JP2016174020A (ja) * | 2015-03-16 | 2016-09-29 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
US9559006B2 (en) | 2014-08-08 | 2017-01-31 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing light emitting device |
KR20180000032A (ko) * | 2016-06-21 | 2018-01-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 패키지 |
US10615308B2 (en) | 2015-06-01 | 2020-04-07 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP2020096091A (ja) * | 2018-12-13 | 2020-06-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8563963B2 (en) * | 2009-02-06 | 2013-10-22 | Evergrand Holdings Limited | Light-emitting diode die packages and methods for producing same |
JP5537446B2 (ja) | 2011-01-14 | 2014-07-02 | 株式会社東芝 | 発光装置、発光モジュール、発光装置の製造方法 |
JP5603793B2 (ja) | 2011-02-09 | 2014-10-08 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
JP5603813B2 (ja) | 2011-03-15 | 2014-10-08 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及び発光装置 |
JP5535114B2 (ja) | 2011-03-25 | 2014-07-02 | 株式会社東芝 | 発光装置、発光モジュール、発光装置の製造方法 |
JP5642623B2 (ja) | 2011-05-17 | 2014-12-17 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
JP5662277B2 (ja) | 2011-08-08 | 2015-01-28 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及び発光モジュール |
JP2013065726A (ja) | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
US9324927B2 (en) * | 2011-12-08 | 2016-04-26 | Koninklijke Philips N.V. | Semiconductor light emitting device with thick metal layers |
JP5806608B2 (ja) * | 2011-12-12 | 2015-11-10 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
US20130240934A1 (en) * | 2012-03-14 | 2013-09-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting element package and method of manufacturing the same |
FR2988910B1 (fr) * | 2012-03-28 | 2014-12-26 | Commissariat Energie Atomique | Composant led a faible rth avec chemins electrique et thermique dissocies |
JP5869961B2 (ja) * | 2012-05-28 | 2016-02-24 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
JP2014013818A (ja) * | 2012-07-04 | 2014-01-23 | Sony Corp | デバイスおよび電子装置 |
JP2016526797A (ja) * | 2013-07-03 | 2016-09-05 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | メタライゼーション層の下に応力緩和層を有するled |
JP2015056650A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 株式会社東芝 | 発光装置 |
DE102013222200A1 (de) * | 2013-10-31 | 2015-08-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements |
JP2015176960A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-05 | 株式会社東芝 | 発光装置 |
KR102422246B1 (ko) * | 2015-07-30 | 2022-07-19 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지 |
US11764328B2 (en) * | 2019-08-13 | 2023-09-19 | Epistar Corporation | Light-emitting diode package having bump formed in wriggle shape |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002118293A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-04-19 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置とその形成方法 |
JP2007527123A (ja) * | 2004-03-05 | 2007-09-20 | ゲルコアー リミテッド ライアビリティ カンパニー | サブマウントを置かないフリップチップ発光ダイオード素子 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6331450B1 (en) | 1998-12-22 | 2001-12-18 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device using group III nitride compound |
JP2005079551A (ja) | 2003-09-03 | 2005-03-24 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光素子形成用複合基板及びその製造方法、並びに半導体発光素子の製造方法。 |
JP4976849B2 (ja) * | 2004-07-12 | 2012-07-18 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
JP4121536B2 (ja) * | 2004-09-27 | 2008-07-23 | 松下電器産業株式会社 | 半導体発光素子、その製造方法及びその実装方法、並びに発光装置 |
TWI257722B (en) * | 2005-07-15 | 2006-07-01 | Ind Tech Res Inst | Package structure of light-emitting diode with electrothermal component |
JP4874005B2 (ja) * | 2006-06-09 | 2012-02-08 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置、その製造方法及びその実装方法 |
US7585615B2 (en) * | 2006-07-27 | 2009-09-08 | Intel Corporation | Composite photoresist for modifying die-side bumps |
JP4724222B2 (ja) | 2008-12-12 | 2011-07-13 | 株式会社東芝 | 発光装置の製造方法 |
-
2010
- 2010-05-24 JP JP2010118698A patent/JP5325834B2/ja active Active
- 2010-09-02 TW TW102141464A patent/TWI542036B/zh active
- 2010-09-02 TW TW099129693A patent/TWI442601B/zh active
- 2010-09-10 EP EP10176158A patent/EP2390935B1/en active Active
- 2010-09-13 US US12/880,673 patent/US8502260B2/en active Active
-
2012
- 2012-04-19 HK HK12103876.9A patent/HK1163349A1/xx unknown
-
2013
- 2013-06-24 US US13/925,606 patent/US8957450B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002118293A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-04-19 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置とその形成方法 |
JP2007527123A (ja) * | 2004-03-05 | 2007-09-20 | ゲルコアー リミテッド ライアビリティ カンパニー | サブマウントを置かないフリップチップ発光ダイオード素子 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013201253A (ja) * | 2012-03-23 | 2013-10-03 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
US9202982B2 (en) | 2012-03-23 | 2015-12-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
JP2014067876A (ja) * | 2012-09-26 | 2014-04-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2014160736A (ja) * | 2013-02-19 | 2014-09-04 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及び発光装置 |
US9559006B2 (en) | 2014-08-08 | 2017-01-31 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing light emitting device |
US9893238B2 (en) | 2014-08-08 | 2018-02-13 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing light emitting device |
CN105990506A (zh) * | 2015-03-16 | 2016-10-05 | 株式会社东芝 | 半导体发光装置 |
JP2016174020A (ja) * | 2015-03-16 | 2016-09-29 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
US10505075B2 (en) | 2015-03-16 | 2019-12-10 | Alpad Corporation | Semiconductor light emitting device |
US10615308B2 (en) | 2015-06-01 | 2020-04-07 | Nichia Corporation | Light emitting device |
KR20180000032A (ko) * | 2016-06-21 | 2018-01-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 패키지 |
KR102530758B1 (ko) * | 2016-06-21 | 2023-05-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 패키지 |
JP2020096091A (ja) * | 2018-12-13 | 2020-06-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110284909A1 (en) | 2011-11-24 |
TW201143140A (en) | 2011-12-01 |
JP5325834B2 (ja) | 2013-10-23 |
TWI542036B (zh) | 2016-07-11 |
US20130285101A1 (en) | 2013-10-31 |
TW201415671A (zh) | 2014-04-16 |
US8502260B2 (en) | 2013-08-06 |
TWI442601B (zh) | 2014-06-21 |
EP2390935A1 (en) | 2011-11-30 |
EP2390935B1 (en) | 2013-01-16 |
US8957450B2 (en) | 2015-02-17 |
HK1163349A1 (en) | 2012-09-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5325834B2 (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
JP5281612B2 (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
JP5356312B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP5426481B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5337105B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP5414579B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP5449039B2 (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
JP5390472B2 (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
JP5603813B2 (ja) | 半導体発光装置及び発光装置 | |
JP5343040B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP5101645B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP2012169332A (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
US20140063822A1 (en) | Wiring board, light-emitting device, and method of manufacturing the wiring board | |
KR20180000032A (ko) | 반도체 발광소자 패키지 | |
JP2011258673A (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
JP5537700B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP5695706B2 (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
JP2014187405A (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120815 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130411 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130417 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130523 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130628 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130722 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5325834 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |