JP5426481B2 - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5426481B2 JP5426481B2 JP2010120260A JP2010120260A JP5426481B2 JP 5426481 B2 JP5426481 B2 JP 5426481B2 JP 2010120260 A JP2010120260 A JP 2010120260A JP 2010120260 A JP2010120260 A JP 2010120260A JP 5426481 B2 JP5426481 B2 JP 5426481B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- layer
- wiring
- metal
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 122
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 122
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 81
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 52
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 36
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 36
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 14
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 13
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000789 Aluminium-silicon alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
図1は、第1実施形態に係る発光装置の模式断面図である。
図13は、第2実施形態に係る発光装置の模式断面図である。
前述した金属体もしくは放熱体の一部分は、フィン形状になっているが、必ずしもフィン形状である必要はなく、表面積を大きくする構造であればよい。例えば、金属体もしくは放熱体が、より大きなものであっても構わないし、多数のワイヤーが付設されていても構わない。また、金属体もしくは放熱体が、他の大きな部品、例えば家屋の壁などに嵌め込まれる構造であっても構わない。
サイアロン系蛍光体を用いる場合、特に、
(M1−x,Rx)a1AlSib1Oc1Nd1・・・組成式(1)
(MはSi及びAlを除く少なくとも1種の金属元素であり、特に、Ca若しくはSrの少なくとも一方が望ましい。Rは発光中心元素であり、特に、Euが望ましい。x、a1、b1、c1、d1は、次の関係を満たす。0<x≦1、0.6<a1<0.95、2<b1<3.9、0.25<c1<0.45、4<d1<5.7)を用いることが好ましい。
組成式(1)で表されるサイアロン系蛍光体を用いることで、波長変換効率の温度特性が向上し、大電流密度領域での効率をさらに向上させることができる。
サイアロン系蛍光体を用いる場合、特に、
(M1−x,Rx)a2AlSib2Oc2Nd2・・・組成式(2)
(MはSi及びAlを除く少なくとも1種の金属元素であり、特に、Ca若しくはSrの少なくとも一方が望ましい。Rは発光中心元素であり、特に、Euが望ましい。x、a2、b2、c2、d2は、次の関係を満たす。0<x≦1、0.93<a2<1.3、4.0<b2<5.8、0.6<c2<1、6<d2<11)を用いることが好ましい。
組成式(2)で表されるサイアロン系蛍光体を用いることで、波長変換効率の温度特性が向上し、大電流密度領域での効率をさらに向上させることができる。
Claims (17)
- 発光チップと、金属材料からなる外部端子と、前記外部端子を介して前記発光チップが実装された配線板とを備え、
前記発光チップは、
第1の主面と、その反対側に形成された第2の主面と、発光層とを含む半導体層と、
前記第2の主面における前記発光層を有する領域に設けられた第1の電極と、
前記第2の主面に設けられた第2の電極と、
前記半導体層の前記第2の主面側に設けられるとともに、前記半導体層における前記第1の主面に続く側面を覆う絶縁層と、
前記第1の電極と接続された第1の配線層と、
前記第2の電極と接続された第2の配線層と、
前記第1の配線層における前記第1の電極に対する反対側の面に設けられた第1の金属ピラーと、
前記第2の配線層における前記第2の電極に対する反対側の前記面に設けられた第2の金属ピラーと、
前記第1の金属ピラーの側面と前記第2の金属ピラーの側面との間に設けられた樹脂層と、
前記第1の主面側に基板を介することなく設けられるとともに、前記半導体層の前記側面を覆う前記絶縁層の上に設けられた蛍光体層と、
を有し、
前記配線板は、
前記外部端子を介して前記第1の金属ピラー及び前記第2の金属ピラーと接合された配線と、
前記配線の下で前記配線に接して設けられた放熱材と、
を有することを特徴とする発光装置。 - 前記放熱材の厚みは、前記配線の厚みよりも厚いことを特徴とする請求項1記載の発光装置。
- 前記放熱材は、絶縁性のセラミック基板であることを特徴とする請求項1または2に記載の発光装置。
- 前記セラミック基板における前記配線が形成された面の反対側の面が、金属体に結合されたことを特徴とする請求項3記載の発光装置。
- 前記金属体は、フィン構造部を有することを特徴とする請求項4記載の発光装置。
- 前記配線板は、前記配線を支持する樹脂基板をさらに有し、
前記放熱材は、前記配線の下の前記樹脂基板に形成されたサーマルビア内に設けられた金属材であることを特徴とする請求項1または2に記載の発光装置。 - 前記配線板は、前記樹脂基板における前記配線が形成された面に対する反対側の面に形成された金属パターンをさらに有し、
前記サーマルビアは前記金属パターンに達し、前記金属材の下端が前記金属パターンに接続されたことを特徴とする請求項6記載の発光装置。 - 前記金属パターンにおける前記金属材に対する反対側の面の面積は、前記金属材と接続する面積よりも広いことを特徴とする請求項7記載の発光装置。
- 前記金属パターンの下面が、絶縁性放熱体に結合されたことを特徴とする請求項7または8に記載の発光装置。
- 前記絶縁性放熱体は、フィン構造部を有することを特徴とする請求項9記載の発光装置。
- 前記金属パターンの下面が、熱伝導性を有する絶縁体を介して金属体に結合されたことを特徴とする請求項7または8に記載の発光装置。
- 前記金属体は、フィン構造部を有することを特徴とする請求項11記載の発光装置。
- 前記第1の電極の面積は、前記第2の電極の面積よりも広いことを特徴とする請求項1〜12のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記第2の配線層と前記第2の金属ピラーとが接触する面積は、前記第2の配線層と前記第2の電極とが接触する面積より大であることを特徴とする請求項1〜13のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記第2の配線層の一部は、前記絶縁層上を、前記発光層に重なる位置まで延在することを特徴とする請求項1〜14のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記第1の金属ピラー及び前記第2の金属ピラーのそれぞれの厚みは、前記半導体層、前記第1の電極、前記第2の電極、前記第1の配線層及び前記第2の配線層を含む積層体の厚みよりも厚いことを特徴とする請求項1〜15のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記第1の金属ピラーと前記第2の金属ピラーとの間には、前記蛍光体層は設けられず、前記樹脂層が設けられていることを特徴とする請求項1〜16のいずれか1つに記載の発光装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010120260A JP5426481B2 (ja) | 2010-05-26 | 2010-05-26 | 発光装置 |
US12/885,721 US8378377B2 (en) | 2010-05-26 | 2010-09-20 | Light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010120260A JP5426481B2 (ja) | 2010-05-26 | 2010-05-26 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011249501A JP2011249501A (ja) | 2011-12-08 |
JP5426481B2 true JP5426481B2 (ja) | 2014-02-26 |
Family
ID=45021354
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010120260A Expired - Fee Related JP5426481B2 (ja) | 2010-05-26 | 2010-05-26 | 発光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8378377B2 (ja) |
JP (1) | JP5426481B2 (ja) |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5537446B2 (ja) | 2011-01-14 | 2014-07-02 | 株式会社東芝 | 発光装置、発光モジュール、発光装置の製造方法 |
JP5603793B2 (ja) | 2011-02-09 | 2014-10-08 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
JP5603813B2 (ja) | 2011-03-15 | 2014-10-08 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及び発光装置 |
JP5535114B2 (ja) | 2011-03-25 | 2014-07-02 | 株式会社東芝 | 発光装置、発光モジュール、発光装置の製造方法 |
JP5770006B2 (ja) * | 2011-04-15 | 2015-08-26 | シチズン電子株式会社 | 半導体発光装置 |
JP5642623B2 (ja) | 2011-05-17 | 2014-12-17 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
JP5662277B2 (ja) | 2011-08-08 | 2015-01-28 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及び発光モジュール |
JP2013065726A (ja) | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP5806608B2 (ja) * | 2011-12-12 | 2015-11-10 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
DE102012002605B9 (de) * | 2012-02-13 | 2017-04-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil |
JP6150050B2 (ja) * | 2012-12-07 | 2017-06-21 | 東芝ライテック株式会社 | 発光装置及び照明装置 |
DE102013101260A1 (de) * | 2013-02-08 | 2014-08-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Vorrichtung mit zumindest einem optoelektronischen Halbleiterbauelement |
JP6100598B2 (ja) | 2013-04-25 | 2017-03-22 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
CN104037272B (zh) * | 2014-03-26 | 2017-10-20 | 深圳市格天光电有限公司 | 自带温度反馈高集成度覆晶cob光源及其制造方法 |
JP2015233086A (ja) * | 2014-06-10 | 2015-12-24 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP6295171B2 (ja) * | 2014-09-16 | 2018-03-14 | アルパッド株式会社 | 発光ユニット及び半導体発光装置 |
CN104518069B (zh) * | 2014-11-14 | 2017-08-25 | 浙江英特来光电科技有限公司 | 一种红色荧光胶固晶led灯丝 |
US9853017B2 (en) * | 2015-06-05 | 2017-12-26 | Lumens Co., Ltd. | Light emitting device package and light emitting device package module |
KR101841341B1 (ko) | 2015-12-14 | 2018-05-04 | 엘지전자 주식회사 | 광원모듈, 광원모듈의 제조방법, 및 이를 포함하는 조명기기 |
KR101841330B1 (ko) | 2015-12-14 | 2018-03-22 | 엘지전자 주식회사 | 광원모듈, 광원모듈의 제조방법, 및 이를 포함하는 조명기기 |
EP3116040A1 (en) | 2015-07-06 | 2017-01-11 | LG Electronics Inc. | Light source module, fabrication method therefor, and lighting device including the same |
EP3116041B1 (en) | 2015-07-06 | 2018-06-06 | LG Electronics Inc. | Light source module, fabrication method therefor, and lighting device including the same |
EP3116038B1 (en) * | 2015-07-06 | 2019-10-02 | LG Electronics Inc. | Light source module, lighting device including the same and method for fabrication the same |
JP6637703B2 (ja) * | 2015-09-10 | 2020-01-29 | アルパッド株式会社 | 半導体発光装置 |
TWI677114B (zh) * | 2015-10-05 | 2019-11-11 | 行家光電股份有限公司 | 具導角反射結構的發光裝置 |
US10317068B2 (en) | 2015-12-14 | 2019-06-11 | Lg Electronics Inc. | Light source module |
EP3182471B1 (en) * | 2015-12-14 | 2019-06-05 | LG Electronics Inc. | Light source module |
DE102016103328A1 (de) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement |
KR102356216B1 (ko) * | 2017-05-30 | 2022-01-28 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 패키지 및 광원 장치 |
US11804416B2 (en) * | 2020-09-08 | 2023-10-31 | UTAC Headquarters Pte. Ltd. | Semiconductor device and method of forming protective layer around cavity of semiconductor die |
CN115589671A (zh) * | 2021-07-05 | 2023-01-10 | 宏恒胜电子科技(淮安)有限公司 | 具有散热功能的线路板及其制作方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3906736B2 (ja) * | 2002-04-22 | 2007-04-18 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
US7179670B2 (en) * | 2004-03-05 | 2007-02-20 | Gelcore, Llc | Flip-chip light emitting diode device without sub-mount |
TWI420686B (zh) * | 2004-12-10 | 2013-12-21 | Panasonic Corp | 半導體發光裝置、發光模組及照明裝置 |
JP4874005B2 (ja) * | 2006-06-09 | 2012-02-08 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置、その製造方法及びその実装方法 |
JP2008166304A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-17 | Sony Corp | バックライト装置及び液晶表示装置 |
US9634191B2 (en) * | 2007-11-14 | 2017-04-25 | Cree, Inc. | Wire bond free wafer level LED |
JP5067140B2 (ja) * | 2007-11-26 | 2012-11-07 | 豊田合成株式会社 | 光源装置 |
US8058669B2 (en) * | 2008-08-28 | 2011-11-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Light-emitting diode integration scheme |
JP2010087331A (ja) * | 2008-10-01 | 2010-04-15 | Nippon Korumo Kk | Led実装済基板 |
JP4724222B2 (ja) | 2008-12-12 | 2011-07-13 | 株式会社東芝 | 発光装置の製造方法 |
-
2010
- 2010-05-26 JP JP2010120260A patent/JP5426481B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-09-20 US US12/885,721 patent/US8378377B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8378377B2 (en) | 2013-02-19 |
JP2011249501A (ja) | 2011-12-08 |
US20110291149A1 (en) | 2011-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5426481B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5337105B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP5390472B2 (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
JP5343040B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP5356312B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP5449039B2 (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
JP5101650B2 (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
JP5325834B2 (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
JP5414579B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP5662277B2 (ja) | 半導体発光装置及び発光モジュール | |
JP5414627B2 (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
JP5349260B2 (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
JP5398644B2 (ja) | 半導体発光装置を用いた光源装置 | |
JP5710532B2 (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
JP2013140942A (ja) | 半導体発光装置 | |
JP2011249502A (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
JP2011258673A (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
JP5537700B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP2015043462A (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
JP2011258674A (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
JP5695706B2 (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
TWI455378B (zh) | 一具穿隧栓塞之發光元件及其製造方法 | |
JP2014187405A (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
JP2013077852A (ja) | 半導体発光装置を用いた光源装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120815 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130411 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130417 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130607 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130619 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130819 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130828 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131024 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131105 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131128 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |