CN100440555C - 发光装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种发光装置，使用形成有覆盖发光面的荧光体层(3)的多个半导体发光元件(2)，其中半导体发光元件(2)作为在辅助安装元件(1)上装载的半导体组件被安装在基板上。由此，能够在基板上进行安装之前测量半导体组件的色度特性。相应地，即使是使用多个半导体发光元件(2)的发光装置，由于在将半导体组件安装在基板上之前，能够制备出装载有色度特性一致的半导体发光元件的半导体组件，所以能够形成可抑制色度偏差的发光装置。

Description

发光装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种具备用荧光体层覆盖发光面的至少一部分的多个半导体发光元件和基板的发光装置及其制造方法。
背景技术
现有的发光装置是在基板上装载有多个半导体发光元件，并用含有荧光物质的树脂来覆盖半导体发光元件的装置。作为这种现有的发光装置，公知有在专利文献1中所记载的一种发光装置。
根据图1说明现有发光装置的结构。图1是现有的发光装置，图1(a)是斜视图，图1(b)是局部放大的剖面图。
如图1(a)及(b)所示，现有的发光装置30由基板31、在基板31上进行倒装片安装的多个半导体发光元件32、在基板31上配置的半导体发光元件32的位置进行开口的反射框33、和形成有透镜部34的树脂层35，该透镜部34覆盖反射框33并在半导体发光元件32的发光方向上形成凸状。
如图1(b)所示，基板31包括布线图形36，通过作为在半导体发光元件32上形成的凸状电极的凸起电极37，与半导体发光元件32连接。
半导体发光元件32被含有荧光体的树脂形成的荧光体层38覆盖。例如，在以蓝色方式进行发光的半导体发光元件32的情况下，通过形成包含具有与蓝色构成补色关系的荧光体的荧光体层38，发光装置以白色方式进行发光。
在基板31上倒装片安装了半导体发光元件32后，通过丝网印刷法形成荧光体层38。
如此，当从半导体发光元件32射出的蓝色光通过荧光体层38时，发光装置30就会形成在荧光体中激励出的白色而进行发光。
专利文献1：日本特开2002-299694号公报
但是，图1所示的现有发光装置的情况就难于利用丝网印刷法在多个半导体发光元件32上形成相同厚度的荧光体层38。例如，在图1(b)中，如双点划线39所示，荧光体层38的厚度就会产生偏差。由于此偏差，荧光体层38变厚的部分相比于荧光体层38变薄的部分，会使基于荧光体的波长转换度变高，所以黄绿色的发光就会变强，其结果就会变成带有黄色的发光。
因此，作为发光装置的色度就会有偏差。
假如尽管能均匀地形成荧光体层38，但由于最初在半导体发光元件32本身中存在色度特性的差异，所以也会因发光波长的偏差而产生色度特性的差异。
在现有的发光装置中，由于在基板31上装载有半导体发光元件32后形成荧光体层38，所以，在产品未完成时就不能测量色度。例如，当色度测量的结果为存在大的色度特性偏离所希望值的半导体发光元件32的情况下，若取下此半导体发光元件32，则凸起电极37在仍旧接合在基板31上的状态下残留下来。在成为这种状态的基板31上，由于不能再次安装新的半导体发光元件32，所以产品就会变成不能使用的状态。
发明内容
因此，本发明的目的在于，提供一种发光装置及其制造方法，即使使用多个被覆盖以通过荧光体进行波长转换的荧光体层的半导体发光元件，也能够抑制色度偏差的。
根据本发明的发光装置包括：发光面的至少一部分被荧光体层覆盖的多个半导体发光元件、和基板，并具有上述半导体发光元件通过1个或多个辅助安装元件装载在上述基板上的结构。
根据本发明的发光装置的特定方面，具有这样的结构：上述半导体发光元件作为在上述辅助安装元件上装载的半导体组件被安装在上述基板上。
根据本发明的发光装置的另一个特定方面，具有这样的结构：上述荧光体层形成有连接上述荧光体层的上表面和侧面的至少一个倾斜面，上述倾斜面和上述半导体发光元件之间的最短距离与上述荧光体层的厚度大致相等。
根据本发明的发光装置的再一个特定方面，具有这样的结构：上述荧光体层的侧面的至少一个为倾斜面，上述倾斜面和上述半导体发光元件之间的最短距离与上述荧光体层的厚度大致相等。
根据本发明的发光装置的再一个特定方面，具有这样的结构：分别安装上述半导体组件，使得半导体发光元件和装载上述半导体发光元件的上述辅助安装元件的导线连接区之间的位置关系，与纵列或横列上相邻配置的其他半导体组件不同。
根据本发明的发光装置的制造方法，其中该发光装置包括：发光面的至少一部分被荧光体层覆盖的多个半导体发光元件、和基板，其特征在于，该制造方法包括：向辅助安装元件上装载上述半导体发光元件的工序；以覆盖上述半导体发光元件的方式形成荧光体层来形成半导体组件的工序；测量上述半导体组件的色度特性，以选择出具有规定的色度特性的上述半导体组件的工序；以及在基板上安装选择出的多个上述半导体组件的工序。
根据本发明的发光装置的制造方法的特定方面，其特征在于，当在基板上安装上述选择出的多个半导体组件时，安装各个半导体组件，使得半导体发光元件和装载上述半导体发光元件的上述辅助安装元件的导线连接区之间的位置关系，与纵列或横列上相邻配置的其他半导体组件不同。
发明效果
由于本发明的发光装置通过将半导体发光元件作为装载在辅助安装元件上的半导体组件而安装在基板上，因此就能够在基板上进行安装之前测量半导体组件的色度特性。由此，即使使用多个半导体发光元件，在基板上安装半导体组件之前，也能够制备装载有色度特性一致的半导体发光元件的半导体组件，就能够形成抑制色度偏差的发光装置。
并且，在覆盖上述半导体发光元件的发光面的荧光体层上形成与该荧光体层的上表面和侧面连接的倾斜面的情况下，或覆盖上述半导体发光元件的发光面的荧光体层的侧面为倾斜面的情况下，由于能够使半导体发光元件的光通过荧光体层的距离基本上均匀，所以能够形成色度特性差异较小的半导体组件。
附图说明
图1是现有的发光装置，图1(a)是斜视图、图1(b)是局部放大的剖面图。
图2是本发明的实施方式1的发光装置的斜视图。
图3是该发光装置的局部放大剖面图。
图4是说明在本发明的实施方式1的发光装置中使用的半导体组件的结构的图，图4(a)是局部剖开的侧视图，图4(b)是平面图。
图5是变形例1的荧光体层，图5(a)是平面图，图5(b)是正面图。
图6是变形例2的荧光体层，图6(a)是平面图，图6(b)是正面图。
图7是变形例3的荧光体层，图7(a)是平面图，图7(b)是正面图。
图8是变形例4的荧光体层，图8(a)是平面图，图8(b)是正面图
图9是表示图4所示的半导体组件的制造方法的示意图。
图10是表示图4所示的半导体组件的制造方法的示意图。
图11是表示图4所示的半导体组件的制造方法的示意图。
图12是表示在分割成各个半导体组件前，在荧光体层上形成倾斜面的工序的示意图。
图13表示在基板上装载分割后的半导体组件来制造发光装置的工序的示意图。
图14是本发明的实施方式2的发光装置的平面图。
符号说明
1  辅助安装元件    1a  硅基板
1b p型半导体区域        1c n电极
1d n侧电极              1e p侧电极
1f导线连接区            2半导体发光元件
2a基板                  2b  活性层
2c n侧电极              2d p侧电极
2e、2f凸起电极          3荧光体层
4倾斜面                 10硅晶片
11荧光体膏              12掩膜
13金属掩膜              14荧光体膏
15转印板                16荧光体膏
20照明装置(发光装置)    21基板
21a铝                   21b氧化铝复合物层
21c通孔                 22半导体组件
23反射框                24透镜部
25树脂层                26布线图形
26a布线图形             26b布线图形
26c通孔                 27导线
28划片刀                29划片机
具体实施方式
本申请的第1发明为，一种发光装置，包括：发光面的至少一部分被荧光体层覆盖的多个半导体发光元件、和基板，其特征在于，半导体发光元件作为装载到辅助安装元件上的半导体组件而被安装到基板上，能够在安装到基板上之前测量半导体组件的色度特性。因此，即使是使用多个半导体发光元件的发光装置，由于在将半导体组件安装到基板上之前，能够制备装载有使色度特性一致的半导体发光元件的半导体组件，所以能够形成抑制色度偏差的发光装置。
本发明的第2发明的特征在于，荧光体层形成有连接荧光体层的上表面和侧面的至少一个倾斜面，或者，荧光体层的侧面的至少一个为倾斜面，倾斜面和半导体发光元件之间的最短距离与荧光体层的厚度大致相等，由于将成为从半导体发光元件射出的光通过荧光体层的最长距离的荧光体层的上表面的棱线部分形成为倾斜面，所以就能够使从半导体发光元件射出的光，通过基本上相同距离的荧光体层。因此，由于能够使基于荧光体的波长转换度在形成有倾斜面的侧面及上表面上基本相同，所以就能够形成具有方位性优良的色度特性的半导体组件。
此外，对于倾斜面，由于利用研磨等就能够容易地形成荧光体层，所以就能够形成作为量产性高的形状的荧光体层的半导体组件。
本申请的第3发明为，一种发光装置的制造方法，其中该发光装置包括：发光面的至少一部分被荧光体层覆盖的多个半导体发光元件、和基板，其特征在于，该制造方法包括：向辅助安装元件上装载半导体发光元件的工序；以覆盖半导体发光元件的方式形成荧光体层来形成半导体组件的工序；测量半导体组件的色度特性，以选择出具有规定的色度特性的上述半导体组件的工序；以及在基板上安装选择出的多个上述半导体组件的工序，由于半导体发光元件作为装载在辅助安装元件上的半导体组件而被安装在基板上，所以就能够在安装到基板上之前测量半导体组件的色度特性。因此，即使是使用多个半导体发光元件的发光装置，由于在将半导体组件安装在基板上之前，能够制备装载有色度特性一致的半导体发光元件的半导体组件，所以能够制造出抑制色度偏差的发光装置。
(实施方式1)
根据图2及图3说明作为本发明实施方式1的发光装置的照明装置的结构。图2是根据本发明的实施方式1的发光装置的斜视图。图3是该发光装置的局部放大的剖面图。
如图2及图3所示，照明装置20由基板21、安装在基板21上的多个半导体组件22、在基板21上配置有半导体组件22的位置处进行开口的反射框23、以及形成有覆盖反射框23并在半导体组件22的发光方向上形成凸状的透镜部24的树脂层25构成。
再有，在根据实施方式1的照明装置的说明中，将图3所示的箭头X所表示的半导体组件22的发光方向、即与基板21的半导体组件22的安装面正交且从基板21朝向透镜部24的方向称为上方，将与箭头X所表示的方向相反的方向称为下方，与箭头X所表示的方向正交的方向称为侧方。
基板21由铝21a和氧化铝复合物层21b构成。铝21a的厚度是1毫米。氧化铝复合物层21b构成为覆盖铝21a。氧化铝复合物层21b由氧化铝和树脂构成，在本实施例中，氧化铝复合物层21b为二层结构。在氧化铝复合物层21b的第1层之上形成布线图形26a，在布线图形26a上形成氧化铝复合物层21b的第2层。在此氧化铝复合物层21b的第2层的表面上形成布线图形26b。布线图形26a和布线图形26b通过在氧化铝复合物层21b的第2层上形成的通孔26c而电连接。下面，简单地称为布线图形26时，代表布线图形26a、布线图形26b及通孔26c的整体。氧化铝复合物层21b的各自的厚度为0.1毫米。再有，基板也可以由单层或多层的陶瓷构成。基板21通过Ag膏连接半导体组件22。
半导体组件22通过导线27和在基板21上形成的布线图形26导通连接。导线27由金构成。
反射框23由金属制造，从半导体组件22射出的水平方向(侧方)的光被反射面23a发射，朝向垂直方向(上方)射出。例如，发射框23由铝或陶瓷等构成。
接着，根据图4详细地说明在照明装置20中装载的半导体组件22的结构。图4是说明在根据本发明的实施方式1的照明装置中使用的半导体组件的结构图，图4(a)是局部剖开的侧视图，图4(b)是平面图。
如图所示，在根据本发明的实施方式1的照明装置中使用的半导体组件22，由辅助安装元件(submount)1和在其上装载的半导体发光元件2及包含密封此半导体发光元件2的整体的荧光体的荧光体层3构成。通过在基板21上安装半导体组件22，半导体发光元件2借助于辅助安装元件1被装载在基板21上。
辅助安装元件1使用n型硅基板1a，如图4(a)所示，此硅基板1a仅面向半导体发光元件2的装载面侧(上表面侧)的一部分的部分为p型半导体区域1b。而且，在硅基板1a的底面之上形成n电极1c，并且，在半导体发光元件2的装载面中具备与硅基板1a的n型半导体层接合的n侧电极1d，并且，在p型半导体区域1b中含有的部分形成p侧电极1e。
半导体发光元件2是利用GaN类化合物半导体的高辉度的蓝色发光LED。此半导体发光元件2是在以蓝宝石为原材料的基板2a的表面上例如层叠GaN的n型层、InGaN的活性层及GaN的p型层的元件。并且，如众所周知那样，蚀刻p型层的一部分使n型层露出，在此露出的n型层的表面上形成n侧电极2c，在p型层的表面上形成p侧电极2d，这些n侧及p侧电极2c、2d分别通过凸起电极2e、2f接合到p侧电极1e及n侧电极1d。
再有，在这种辅助安装元件1和半导体发光元件2的复合元件中，也可以是将辅助安装元件1的n电极1c例如导通装载在印刷基板的布线图形上、并且在离开荧光体层3区域的p电极1e和布线图形之间焊接导线的组件。此外，还能够将不仅是单单的具有向半导体发光元件2的通电和装载功能、而且还例如利用了齐纳二极管的静电保护用的元件作为辅助安装元件。并且，在辅助安装元件上能够装载多个半导体发光元件2。
荧光体层3是现有技术中在LED灯领域使用的环氧树脂为原材料，混入荧光体的荧光体层。混入到环氧树脂中的荧光体为，在转换为白色发光的情况下，与作为发光元件3的发光色的蓝色具有补色关系的物质即可，可以利用荧光染料、荧光颜料、荧光体等，优选为例如(Y，Gd)3(Al，Ga)5O12:Ce等。
在此，如图4(b)所示，半导体发光元件2为正方形的平面形状，从图4(a)中虚线表示的p型层和n型层之间的活性层2b进行发光。而且，由于来自此活性层2b的发光透过使用透明的蓝宝石的基板2a，所以在图4(a)中，基板2a的上表面就成为主光取出面。
此外，来自活性层2b的光不仅朝向透过基板2a的方向、而且还朝向侧方或辅助安装元件10的表面(下方)，朝向侧方向的光原样从荧光体层3射出，朝向表面的发光成分被具有金属光泽的n侧及p侧电极1d、1e进行反射。因此，虽然来自半导体发光元件2的光中，来自主光取出面的发光强度为最大，但是由于半导体发光元件2本身平面形状的四边形的1个边的长度为大约350μm非常微小，因此也可以说从半导体发光元件2整体一样地进行发光。在来自这样的半导体发光元件2的发光状态下，现有技术中，由于混入荧光体的密封树脂的厚度或填充量不同，所以就在白色发光中混入黄色的发光。即，由于基于荧光体的波长转换作用的强度根据光通过荧光体的距离而改变，所以，从密封树脂厚的角部漏出的光就会增强黄绿色的发光，其结果就成为了带有黄色的发光。
相对于此，在本发明中，如图4(a)及(b)所展示，通过在荧光体层的上表面的一边，形成与荧光体层3的上表面和侧面接合的倾斜面4，可以使从半导体发光元件2的发光面到荧光体层3的上表面的距离L1(荧光体层3的厚度)、从发光面到倾斜面4的距离L2(倾斜面4和半导体发光元件之间的最短距离)、和从发光面到侧面的距离L3基本上相等。即，来自活性层2b的发光在从荧光体层3漏出期间，可以实现通过荧光体获得相同的波长转换。
从半导体发光元件2射出的光之中，通过荧光体层3的距离最长的是朝向通过假定没有在荧光体层上形成倾斜面的情况下的荧光体层的上表面的各边的方向(以下，为通过假想上表面各边的方向)射出的光。因此，如图4(a)及图4(b)所示，通过在荧光体层3的上表面上形成与侧面连接的倾斜面4，就能够使从半导体发光元件2朝向通过假想上表面各边的方向射出的光通过荧光体层3的距离、和朝向荧光体层的上表面或侧面射出的光通过荧光体层3的距离基本上相等。
如此，通过形成与密封半导体发光元件2的荧光体层3的上表面和侧面连接的倾斜面，从半导体发光元件2射出的光的荧光体引起的波长转换度在形成有倾斜面4的一侧，光通过荧光体层的距离基本上均匀。因此，在形成有倾斜面4的一侧使从荧光体层3发出的光就可以作为白色光而得到。
在图4(b)中，在荧光体层3上表面的一个边上形成倾斜面4，但由于在四边全都形成倾斜面4，就能够使从半导体发光元件2射出的光通过荧光体层3的距离在四个方向上全都基本上相同，所以是优选的。下面，说明在四边上全都形成有倾斜面4的荧光体层3的变形例1及2。
图5是变形例1的荧光体层，图5(a)是平面图，图5(b)是正面图。在变形例1的荧光体层3a中，在上表面的四边全都形成与荧光体层3a的上表面和侧面连接的倾斜面4a。而且，倾斜面4a和半导体发光元件2之间的最短距离，与从半导体发光元件2的发光面到荧光体层3a的上表面的距离(荧光体层3a的厚度)基本上相等。
因此，就能够使从半导体发光元件2朝向通过假想上表面各边的方向射出的光通过荧光体层3a的距离L4、和朝向荧光体层3a的上表面和侧面的光通过荧光体层3a的距离基本上相等。
图6是变形例2的荧光体层，图6(a)是平面图，图6(b)是正面图。在变形例2的荧光体层3b中，在上表面的四边全都形成与荧光体层3b的上表面和侧面连接的倾斜面4b。并且在相邻的倾斜面4b彼此之间的所有边界处，形成将相邻的倾斜面4b彼此连接的倾斜面5b。而且，倾斜面4b及倾斜面5b和半导体发光元件2之间的最短距离、和从半导体发光元件2的发光面到荧光体层3b的上表面的距离(荧光体层3b的厚度)基本上相等。
因此，就能够使从半导体发光元件2朝向通过假想上表面各边的方向射出的光通过荧光体层3b的距离、和朝向荧光体层3b的上表面或侧面的光通过荧光体层3b距离基本上相同。此情况下，特别地，由于形成有倾斜面5b，即使在通过假想上表面各边的方向中，也能够使朝向通过荧光体层3b的距离为最长的方向、即朝向通过假想上表面的各角的方向射出的光通过荧光体层3b的距离L5，和朝向荧光体层3b的上表面或侧面的光通过荧光体层3b的距离基本上相等。
还可以使实施方式1的荧光体层3的至少一个侧面为倾斜面。下面，说明侧面为倾斜面的荧光体层3的变形例3及4。
图7是变形例3的荧光体层，图7(a)是平面图，图7(b)是正面图。变形例3的荧光体层3c的侧面全都为倾斜面4c。而且，倾斜面4c和半导体发光元件2之间的最短距离、和从半导体发光元件2的发光面到荧光体层3c的上表面的距离(荧光体层3c的厚度)基本上相等。
因此，就能够使从半导体发光元件2朝向通过假想上表面的各边的方向射出的光通过荧光体层3c的距离L6、和朝向荧光体层3c的上表面的光通过荧光体层3a的距离基本上相等。
图8是变形例4的荧光体层，图8(a)是平面图，图8(b)是正面图。变形例4的荧光体层3d的侧面全都为倾斜面4d。并且，在相邻的倾斜面4d彼此之间的所有边界处，形成将相邻的倾斜面4d彼此之间连接起来的倾斜面5d。而且，倾斜面4d及倾斜面5d与半导体发光元件2之间的最短距离、和从半导体发光元件2的发光面到荧光体层3d的上表面的距离(荧光体层3d的厚度)基本上相等。
因此，就能够使从半导体发光元件2朝向通过假想上表面的各边的方向射出的光通过荧光体层3d的距离L7、和朝向荧光体层3d的上表面的光通过荧光体层3d的距离基本上相同。此情况下，特别地，由于形成有倾斜面5d，因此即使在通过假想上表面的各边的方向中，也能够使朝向通过荧光体层3d的距离为最长的方向、即朝向通过假想上表面的各角的方向射出的光通过荧光体层3d的距离L7，和朝向荧光体层3d的上表面的光通过荧光体层3d的距离基本上相等。
接着，根据附图说明作为根据本发明的实施方式1的发光装置的照明装置的制造方法。图9～图11表示图4所示的半导体组件的制造方法的示意图。图12是表示在分割为各个半导体组件前，在荧光体层上形成倾斜面的工序的示意图。图13是表示在基板上装载已分割的半导体组件来制造发光装置的工序的示意图。
首先，说明在各制造方法中在形成有多个辅助安装元件1的硅晶片上装载半导体发光元件2并形成荧光体层3之前的工序。然后说明通过划片分割成各个半导体组件的工序及在基板上装载已分割的半导体组件来制造发光装置的工序。
图9是利用光刻法制造半导体组件的方法，在硅晶片10上形成图4所示的p型半导体区域1b，并且，首先制备将n电极1c、n侧电极1d、p侧电极1e形成图形的硅晶片10。然后，将在n侧及p侧电极2c、2d上分别形成凸起电极2e、2f的发光半导元件2与在n侧电极1d、p侧电极1e的图形配合地安装，如图9(a)所示，在硅晶片10的表面上以相同厚度涂敷荧光体膏11。例如，此荧光体膏11是在丙烯酸类树脂等的紫外线硬化性树脂中混入了前文中所例示的(Y，Gd)3(Al，Ga)5O12:Ce等的荧光体的物质。再有，在图9中，省略p型半导体区域1b及各电极1c、1d、1e、2c、2d、2e、2f的图示。如图9(b)所示，涂敷荧光体膏11之后，覆盖图形形成用掩膜12，并从上面照射紫外线，使覆盖半导体发光元件2的部分的荧光体膏11硬化。此后，进入显影工序，通过去除荧光体膏11的不需要部分来形成荧光体层3(图9(c))。
图10是利用丝网印刷法的制造半导体组件的方法，在对硅晶片10安装半导体发光元件2之前的工序与图9的例子相同。安装此半导体发光元件2之后，将预先制作的金属掩膜13装载在硅晶片10上
(图10(a)～图10(b))，利用丝网印刷法涂敷荧光体膏14。此荧光体膏14不是紫外线硬化性的物质，而是在环氧树脂等树脂中混入了触变性(チキソトロピツク)材料的物质。在涂敷荧光体膏14后，取下金属掩膜13，通过热硬化，在硅晶片10的表面上形成密封发光元件2的荧光体层3(图10(c))。
图11是利用转印法的例子，准备在转印板15的表面上预先涂敷荧光体膏16，以上下反转的姿势保持安装了半导体发光元件2的硅晶片10(图11(a))。接着，将硅晶片10覆盖在转印板15上，使得半导体发光元件2浸渍在荧光体膏16中(图11(b))，此后，如图11(c)所示，提起硅晶片10时，半导体发光元件2能够被荧光体膏16密封。与前面的例子相同，荧光体膏16是在树脂中含有荧光体的物质，但在通过转印法进行制造的情况下，在荧光体膏16中使用的树脂不限于丙烯酸类树脂或环氧树脂，也可以是其它树脂。
如上所述，使用光刻法、丝网印刷法、或转印法等，就能够获得分割为单个组件之前的阶段的半导体组件。
接着，根据图12说明通过划片分割成单个半导体组件的工序。图12是说明通过划片分割成单个半导体组件的工序的示意图。
图12(a)是根据图9到图11的制造方法所获得的划片前的1个半导体组件的放大图。用图12(a)的点线表示的切断部位C是与邻接的半导体组件之间的边界。
首先，如图12(b)所示，利用划片刀28，切入与相邻的半导体组件之间的切断部位C所表示的位置，使得与硅晶片10不抵接。由于划片刀28的切削面相对于垂直方向倾斜(硅晶片10上表面和磨削面以60°交差)，所以划片刀28仅向荧光体层3插入，能够容易地形成朝向荧光体层3侧面的倾斜面4。
接着，如图12(c)所示，利用划片机29，将切断部位C的位置的硅晶片10切断。如此，就制作了单个的半导体组件22。
在图4中，虽然仅形成1处倾斜面4，但一面改变划片刀28的朝向或硅晶片10的朝向，一面用划片刀28切入、进行磨削，也就能够容易地在其它部位也形成倾斜面。例如，能够如图5所示的荧光体层3a或图7所示的荧光体层3c那样，在4个部位形成倾斜面4a、4c，并且，能够如图6所示的荧光体层3b或图8所示的荧光体层3d那样，在倾斜面4b、4d的边界的4个部位进一步形成倾斜面5b、5d。
此外，在本实施方式1中，虽然是以四角柱状形成的荧光体层3，但即使是其他多边形柱状的荧光体层，同样地仅从上表面插入划片刀，也能够形成与上表面和侧面连接的倾斜面。
此外，使划片刀28的切入加深，或使图10所示的金属掩膜13的开口部13a的侧壁倾斜，由此能够使荧光体层3的侧面成为倾斜面。
再有，在以上说明中，虽然以蓝色发光的发光元件转变为白色发光作为例子，但也可以是根据荧光体的特性，将紫外线或红及绿的发光元件的各自发光转换成各种发光色的结构。
接着，根据图13说明将分割后的半导体组件安装到基板上以制造照明装置的工序。
首先，利用色度测量机测量作为进行了图12所示的工序的半导体组件22的色度特性的CIE色度图中的发光色度点(x，y)。
例如，测量半导体组件22的色度的结果为白色照明装置的情况，选择x＝0.34～0.37、y＝0.34～0.37的x、y值。此外，作为电灯泡颜色的照明装置的情况下，x＝(0.40～0.47)、y＝(0.39～0.41)。如此，通过选择半导体组件22的色度为规定的值，就能够容易地形成所希望颜色的照明装置。
首先，将色度特性为规定数值范围的半导体组件22安装到形成有布线图形26的基板21上。所安装的半导体组件22和布线图形26通过导线27进行导通连接(图13(a))。
然后，将反射框23安装到已装载有半导体组件22的基板21上，以便使半导体组件22的位置和反射框23的开口部分的位置一致。虽然此安装没有进行图示，但通过使螺钉穿通在反射框23中形成的贯通孔，并螺纹结合至基板21来进行此安装(图13(b))。
最后，用形成有凹部的金属模来合模基板21，以便形成透镜部24的形状。向金属模注入透光性树脂，形成已形成透镜部24的树脂层25(图13(c))。再有，所谓树脂层为环氧树脂。
如上所述，就能够制造出根据本发明的实施方式1的照明装置。
在图1所示的现有照明装置中，覆盖荧光体层的各个半导体发光元件的色度特性具有x＝0.30～0.42、y＝0.30～0.42的偏差。但是，在本发明的实施方式1的照明装置中，如前所述，由于在安装在基板之前测量色度特性，能够选择具有规定值的色度特性的半导体组件，所以如果是作为白色的照明装置的情况，则可以统一为x＝0.34～0.37、y＝0.34～0.37的色度特性。此外，在为电灯泡颜色的照明装置的情况下，使半导体组件的色度特性统一为x＝(0.40～0.47)、y＝(0.39～0.41)。如此，不仅能够抑制装载在照明装置中的半导体组件的色度特性的差异，还能够形成具有所希望色调的照明装置。
(实施方式2)
根据图14说明作为根据本发明实施方式2的发光装置的照明装置的结构。图14是本发明的实施方式2的发光装置的平面图。
本发明的实施方式2的照明装置的特征在于，将图2所示的照明装置的半导体组件22的配置形成为，半导体发光元件与装载了半导体发光元件的辅助安装元件的导线连接区之间的位置关系，与在纵列或横列相邻配置的其他半导体组件不同。
再有，在图14中，对与图2相同的结构赋予相同的符号，并省略说明。
如图14所示，照明装置40由基板21、安装在基板21上的多个半导体组件22、在基板21上配置有半导体组件22的位置进行开口的反射框23、和形成有覆盖反射框23并在半导体组件22的发光方向上形成凸状的透镜部24的树脂层25构成。
如图4所示，半导体组件22为，在辅助安装元件1上形成的p侧电极1e和n侧电极1d上倒装片安装半导体发光元件2而形成。此半导体组件22，以辅助安装元件1的n电极1c为阴极，以p侧电极1e为阳极，如图3所示，阴极通过将半导体组件22装载到布线图形26上来导通，阳极通过导线27与布线图形26导通。
即，为确保在辅助安装元件1上装载半导体发光元件2的区域、和用于连接p侧电极1e上的导线的区域(导线连接区)，而将p侧电极1e形成得较大，所以在偏离辅助安装元件1中央的位置处装载半导体发光元件2。
如实施方式1所说明的，利用光刻法、或丝网印刷法、或转印法等，形成用荧光体膏覆盖成为荧光体层3的源的半导体发光元件2的层。然后，如图12所示，利用划片刀28，切入与相邻的半导体组件之间的切断部位C所表示的位置，使得与硅晶片10不抵接，之后，利用划片机29，与荧光体层3的端部一起切断硅晶片10，形成辅助安装元件1以成为单个的半导体组件。
利用此划片机29切断荧光体层3和硅晶片10时，为确保与半导体发光元件2之间的距离，从半导体发光元件2的发光面到荧光体层3表面的厚度为，在由划片机切断的面侧的厚度，比到朝向成为此面的相反侧的导线连接区的表面的厚度更厚。
即，所谓荧光体层3的厚度厚意思是通过荧光体的波长转换度高。例如，在以蓝色方式进行发光的半导体组件中，在为包含具有成为补色关系的荧光体的荧光体层3的情况下，其厚度厚的面，应该以白色方式进行发光，但是却成为带黄色的发光。这意味着，在荧光体层3的厚度厚的部分和薄的部分之间就产生了色度特性的差异。
若安装这种从半导体发光元件2到荧光体层3的表面的各自的厚度不同的半导体组件，以使得如图13所示，半导体发光元件2和导线连接区的位置关系、与在纵列或横列上相邻配置的其他半导体组件为相同位置关系，则来自各半导体组件的发光的色度特性的差就会形成线，呈现为条纹图案。
因此，如图14所示，根据本实施方式2的照明装置40的半导体组件被安装为，半导体组件的半导体发光元件2和装载有半导体发光元件2的辅助安装元件1的导线连接区1f(1e占据的区域)之间的位置关系，与在纵列或横列相邻而配置的其他半导体组件不同。
这样，通过配置半导体组件，使得与在纵列或横列上相邻配置的其他半导体组件之间，半导体发光元件2和辅助安装元件1的导线连接区1f之间的位置关系按90°交替改变，由此就能够抑制成为条纹图案那样的色度的偏差。
虽然在本实施方式中按与辅助安装元件1的导线连接区1f之间的位置关系以90°交替改变的方式进行配置，但并不特定为这种配置，也可以按45°或80°进行配置，通过以不同于纵列或横列上相邻的半导体组件的方式进行配置，就能够抑制成为条纹图案那样的色度的偏差。
再有，为了进一步抑制色度偏差，也可以使实施方式2的荧光体层3的形状成为图5～8所示的荧光体层3a、3b、3c、3d那样的形状。
工业上的可用性
由于本发明能够抑制色度的偏差，所以本发明适用于具备多个用荧光体层覆盖发光面的至少一部分的半导体发光元件和基板的发光装置及其制造方法。此外，本发明的发光装置能够广泛地适用于室内用照明装置、室外用照明装置、桌上用照明、便携式照明、照相机用闪光灯照明、显示用光源、液晶画面的背光源及图像读取用照明等。

Claims (7)

1、一种发光装置，包括：发光面的至少一部分被荧光体层覆盖的多个半导体发光元件、和基板，其特征在于，
上述半导体发光元件通过1个或多个辅助安装元件装载在上述基板上，上述辅助安装元件是利用了齐纳二极管的静电保护用的元件。
2、根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
上述半导体发光元件作为在上述辅助安装元件上装载的半导体组件被安装在上述基板上。
3、一种发光装置，包括：发光面的至少一部分被荧光体层覆盖的多个半导体发光元件、和基板，其特征在于，
上述半导体发光元件通过1个或多个辅助安装元件装载在上述基板上，
上述荧光体层形成有连接上述荧光体层的上表面和侧面的至少一个倾斜面，这些上表面、侧面和倾斜面分别为平面，上述倾斜面和上述半导体发光元件之间的最短距离与上述荧光体层的厚度大致相等。
4、一种发光装置，包括：发光面的至少一部分被荧光体层覆盖的多个半导体发光元件、和基板，其特征在于，
上述半导体发光元件通过1个或多个辅助安装元件装载在上述基板上，
上述荧光体层的侧面的至少一个为倾斜面，这些侧面和倾斜面分别为平面，上述倾斜面和上述半导体发光元件之间的最短距离与上述荧光体层的厚度大致相等。
5、一种发光装置，包括：发光面的至少一部分被荧光体层覆盖的多个半导体发光元件、和基板，其特征在于，
上述半导体发光元件通过1个或多个辅助安装元件装载在上述基板上，
分别安装上述半导体组件，使得半导体发光元件和装载上述半导体发光元件的上述辅助安装元件的导线连接区之间的位置关系，与纵列或横列上相邻配置的其他半导体组件不同，各个半导体组件的半导体发光元件，配置成与纵列和横列上相邻配置的其他半导体组件的任意一个半导体发光元件在纵向和横向中的任意一个方向上都不排列在同一直线上。
6、根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于，
分别安装上述半导体组件，使得半导体发光元件和装载上述半导体发光元件的上述辅助安装元件的导线连接区之间的位置关系，与纵列或横列上相邻配置的其他半导体组件不同，各个半导体组件的半导体发光元件，配置成与纵列和横列上相邻配置的其他半导体组件的任意一个半导体发光元件在纵向和横向中的任意一个方向上都不排列在同一直线上。
7、根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于，
分别安装上述半导体组件，使得半导体发光元件和装载上述半导体发光元件的上述辅助安装元件的导线连接区之间的位置关系，与纵列或横列上相邻配置的其他半导体组件不同，各个半导体组件的半导体发光元件，配置成与纵列和横列上相邻配置的其他半导体组件的任意一个半导体发光元件在纵向和横向中的任意一个方向上都不排列在同一直线上。
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