JP5566785B2 - 複合シート - Google Patents
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Description
(a)両末端シラノール型シリコーン樹脂。
(b)アルケニル基含有ケイ素化合物。
(c)オルガノハイドロジェンシロキサン。
(d)縮合触媒。
(e)ヒドロシリル化触媒。
上記波長変換層1は、励起光(好ましくは、波長350〜480nm)の一部または全部を吸収して励起されることにより、上記励起光の波長よりも長波長域(好ましくは、500〜650nm)の可視光を発光する蛍光体材料を含有している。
本発明の複合シートは、通常、波長350nm〜480nmの青色LEDまたは近紫外LEDと組み合わせて使用されるため、上記蛍光体材料としては、少なくとも上記波長範囲にて励起されて、可視光を発するものが用いられる。上記蛍光体材料の具体例としては、Y3Al5O12:Ce、(Y,Gd)3Al5O12:Ce、Tb3Al3O12:Ce、Ca3Sc2Si3O12:Ce、Lu2CaMg2(Si,Ge)3O12:Ce等のガーネット型結晶構造を有する蛍光体、(Sr,Ba)2SiO4:Eu、Ca3SiO4Cl2:Eu、Sr3SiO5:Eu、Li2SrSiO4:Eu、Ca3Si2O7:Eu等のシリケート蛍光体、CaAl12O19:Mn、SrAl2O4:Eu等のアルミネート蛍光体等の酸化物蛍光体、ZnS:Cu,Al、CaS:Eu、CaGa2S4:Eu、SrGa2S4:Eu等の硫化物蛍光体、CaSi2O2N2:Eu、SrSi2O2N2:Eu、BaSi2O2N2:Eu、Ca−α−SiAlON等の酸窒化物蛍光体、CaAlSiN3:Eu、CaSi5N8:Eu等の窒化物蛍光体等があげられる。
上記蛍光体プレートは、上記蛍光体材料を所望の形状に成型後、加熱焼結することにより得られるものであり、その製法から多結晶性焼結体ともいう。上記多結晶性焼結体としては、例えば、特開平11−147757号公報、特開2001−158660号公報に記載されているような、透光性セラミックスを使用することができる。上記透光性セラミックスは、固体レーザー用材料や、高圧ナトリウムランプ、メタルハライドランプ等の高耐久性ハウジング材等に既に実用化されており、セラミックス中に残存するボイド、不純物等の光散乱源を除去することによって透光性が高められる。また、YAGに代表されるような等方性結晶材料においては、結晶方位による屈折率差がないため、多結晶性セラミックスであっても、単結晶同様、完全に透明かつ無散乱な透光性セラミックスを得ることが可能である。したがって、本発明に用いる上記蛍光体プレートは、LEDからの励起光、もしくは蛍光体からの発光光が、光散乱による後方散乱によってロスすることを最小限に抑える観点から、透光性セラミックスからなることが好ましい。
上記蛍光体シートは、例えば、上記蛍光体材料をバインダー樹脂に分散させた溶液を塗工し、シート状に成型することによって得られる。具体的には、セパレーター(例えば、表面剥離処理PETフィルム)の上に、上記蛍光体材料の粒子を分散させたバインダー樹脂または上記樹脂の有機溶媒溶液を、キャスティング、スピンコーティング、ロールコーティング等の方法により適当な厚みに塗工し、溶媒の除去が可能な程度の温度で乾燥させる製膜工程を行って、シート状に成型する。製膜した樹脂または樹脂溶液を乾燥させる温度は、樹脂や溶媒の種類によって異なるため一概には決定できないが、80〜150℃が好ましく、90〜150℃がより好ましい。
本発明において、拡散性反射樹脂層2とは、実質的に光吸収のない白色拡散反射性を有する層をいう。上記拡散性反射樹脂層2は、透明樹脂と、上記透明樹脂とは屈折率が異なる無機フィラーとを含有する樹脂組成物の硬化物からなる。
上記透明樹脂としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂が、単独でもしくは二種以上併せて用いられる。これらのなかでも、耐熱性、耐光性の観点から、シリコーン樹脂が好ましい。
上記無機フィラーとしては、白色で可視広域に吸収がなく、絶縁性のものが好ましく、また、拡散反射率を高める観点で、上記透明樹脂との屈折率差が大きいものが好ましい。さらに、LEDや波長変換層1から発生した熱を、効率よく放熱する観点では、熱伝導率が高い材料がより好適である。上記無機フィラーとしては、具体的には、アルミナ、窒化アルミ、酸化チタン、チタン酸バリウム、チタン酸カリウム、硫酸バリウム、炭酸バリウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、シリカ、窒化珪素、酸化ガリウム、窒化ガリウム、酸化ジルコニウム等があげられる。これらは単独でもしくは二種以上併せて用いられる。
本発明においては、図8に示すように、拡散性反射樹脂層2面上に、接着層もしくは粘着層(以下、両者をあわせて単に「接着層」と略す場合もある。)12を形成することにより、複合シート3をプリント配線基板6上に簡単に貼着できるようにしてもよい。
本発明の複合シート3は、ハンドリング性(操作性)の観点から、上記接着層12の表面に、剥離ライナーを形成しても差し支えない。
上記図10(a),図11(a)の複合シート3において、上記拡散性反射樹脂層2が形成されていない領域(励起光の通路)の部分に充填される透明樹脂としては、プリント配線基板6への貼り合わせ時に、LEDに接続されている金線等のワイヤ、ボンディング部、LED自体が破損するのを防止するため、柔軟、かつ複合シートから流れ出してしまわない程度の弾性率を有した材料を用いる必要があり、例えば、シリコーンジェルや、硬化反応が完了していない(Bステージ)シリコーン樹脂等が好適に用いられる。また、上記図12,13に示すような製法の場合、透明樹脂14,15は、パターニングされた拡散性反射樹脂層2に対して、充分な柔軟性、追従性が必要であることから、未硬化の状態で非常に粘度の高いもの、もしくは硬化後も充分な柔軟性を有するゲル状シリコーン樹脂等が好適に用いられる。
プリント配線基板6としては、例えば、樹脂製、セラミックス製等があげられ、特に表面実装型基板が好適に用いられる。なお、上記基板に、ポリイミド、ステンレス箔等を用いたフレキシブル基板を用いることもできる。
リフレクター7としては、例えば、特開2007−297601号公報に開示されているような、フィラーを添加した樹脂製のもの、もしくはセラミックス製のものが用いられ、得られた発光光を取り出し方向に効率よく導くために、光反射率の高い材質で形成されていることが好ましい。
本発明において、上記波長変換層1の外側の領域は、必ずしも封止樹脂で保護する必要はないが、目的に応じて、透明樹脂(封止樹脂)で封止しても差し支えない。また、半導体発光素子からの光取り出し効率、指向性制御、拡散性制御の目的で、光取り出し面に、ドーム状のレンズ、マイクロレンズアレイシート、拡散シー卜等の光学部材を、上記波長変換層1の外側の領域に形成しても差し支えない。具体的には、図14、図15に示すように半球状のレンズ16,17を設けたり、図16に示すようにマイクロレンズアレイシート18を貼り合わせたり、図17に示すように拡散シート19を貼り合わせる等により、光学部材を形成しても差し支えない。
硝酸イットリウム六水和物0.14985mol(14.349g)、硝酸アルミニウム九水和物0.25mol(23.45g)、硝酸セリウム六水和物0.00015mol(0.016g)を250mlの蒸留水に溶解させ、0.4Mのプレカーサ溶液を調製した。このプレカーサ溶液を、二流体ノズルを用いて、RF誘導プラズマ炎中に10ml/minの速度で噴霧し、熱分解することにより、無機粉末粒子(原料粒子)を得た。得られた原料粒子を、X線回折法により分析した結果、アモルファス相と、YAP(YAlO3)結晶の混合相を示した。また、上記無機粉末粒子(原料粒子)の平均粒子径を、下記に示す基準に従い測定した結果、BET(比表面積測定)法により求めた平均粒子径は約75nmであった。
サイズが1μm未満の原料粒子、蛍光体粒子の平均粒子径は、自動比表面積測定装置(Micrometritics社製、モデルGemini2365)を用いたBET(Brunauer-Emmett-Teller)法により算出した。上記測定装置に付属の試験管セルに、約300mgの粒子を採取し、専用の前処理加熱装置により300℃で1時間加熱処理し、水分を完全に除去した後、乾燥処理後の粒子重量を測定した。その粒子重量をもとに、比表面積測定から得られた吸着比表面積値(g/m2)と、材料の密度(g/cm3)とから、理論関係式〔粒子径=6/(吸着比表面積値×密度)〕を用いて、平均粒子径を算出した。
先に作製したYAG:Ce蛍光体(平均粒子径95nm)4g、バインダー樹脂としてpoly(vinyl butyl-co-vinyl alcohol co vinyl alcohol)(シグマアルドリッチ社製、重量平均分子量90,000〜120,000)0.21g、焼結助剤としてシリカ粉末(Cabot Corporation社製、商品名「CAB-O-SIL HS-5」)0.012g、およびメタノール10mlを乳鉢にて混合してスラリーとし、得られたスラリーをドライヤーにてメタノールを除去して乾燥した粉末を得た。この乾燥粉末700mgを、25mm×25mmサイズの一軸性プレスモールド型に充填した後、油圧式プレス機にて約10トンで加圧することにより、厚み約350μmの矩形に成型したプレート状グリーン体を得た。得られたグリーン体を管状電気炉にて、空気中、2℃/minの昇温速度で800℃まで加熱し、バインダー樹脂等の有機成分を分解除去した後、引き続き、電気炉内をロータリーポンプにて真空排気して、1600℃で5時間加熱し、厚み約280μm、サイズが約20mm×20mmのYAG:Ce蛍光体のセラミックスプレート(YAGプレート)を得た。
電子天秤(METTLER TOLEDO社製、品番XP-504)と、これに取り付け可能な比重測定用キット(METTLER TOLEDO社製、Density determination kit for Excellence XP/XS analytical balances 品番210260)を用い、アルキメデス法により蛍光体プレートの焼結密度を測定した。具体的には、上記比重測定用キットを用い、サンプルの空気中での重さ、蒸留水中に沈めた際の重さを測定し、キットに付属の取り扱いマニュアルの方法に従って焼結密度を算出した。算出の際に必要な蒸留水密度(温度依存性)、空気密度等のデータは、全て上記比重測定用キットのマニュアルに記載の値を用いた。なお、サンプルサイズは、約10mmφ、厚さ300μm前後であった。
瞬間マルチ測光システム(大塚電子社製、MCPD 7000)と、内径3インチの積分球(図6参照)を具備した透過率測定ステージ(大塚電子社製)を、専用の光ファイバーを用いて接続し、波長380nmから1000nmの範囲で全光線透過率を測定した。測定時の入射光のスポットサイズは約2mmφに調整し、サンプルを設置していない状態の透過率を100%として、各サンプルの全光線透過率を測定した。蛍光体の吸収に伴い、全光線透過率は波長依存性を示すが、サンプルの透明性(拡散性)を評価する指標として、例えば、蛍光体プレートがYAG:Ceプレートの場合、プレートが吸収を示さない波長である700nmの値を採用した。
市販のYAG蛍光体粉末(Phosphor Tech社製、品番BYW01A、平均粒子径9μm)を、20重量%で2液混合夕イプの熱硬化性シリコーンエラストマー(信越シリコーン社製、品番KER2500)に分散させた溶液を、アプリケーターを用いてガラス板上に約200μmの厚みに塗工し、100℃で1時間、150℃で1時間加熱することにより、蛍光体含有シリコーン樹脂シート(蛍光体シート)を得た。
(青色LED4個実装タイプ)
図18に示す、LED素子(青色LED4個実装タイプ)を作製した。すなわち、サイズ35mm×35mm、厚さ1.5mmのBT(ビスマレイミドトリアジン)樹脂基板21上の中央に、青色LEDチップ(CREE社製、品番C450EX1000-0123、サイズ980μm×980μm、チップ厚み約100μm)22を縦方向に2個、横方向に2個、合計4個を、それぞれ4mm間隔で実装した青色LED素子を作製した。また、封止樹脂層もしくは拡散性反射樹脂層形成時に、樹脂が流れ出るのを防止するために、ガラスエポキシ(FR4)で作製した、厚さ0.5mm、外形25mm×25mm、内径10mm×l0mmのフレーム25を取り付けた。なお、リード23は、表面をNi/Auで保護したCuにて形成し、LEDチップ22は銀ペーストによりリード23上にダイボンディングされ、対抗電極24は金線を用いて、リード23上にワイヤーボンディングされている。このようにして、図18に示す、LED素子(青色LED4個実装タイプ)を作製した。
青色LED4個に代えて、青色LED16個を用いる以外は、図18のLED素子(青色LED4個実装タイプ)の製法に準じて、図19に示すLED素子(青色LED16個実装タイプ)を作製した。すなわち、サイズ35mm×35mm、厚さ1.5mmのBT樹脂基板21上の中央に、青色LEDチップ22を縦方向に4個、横方向に4個、合計16個を、それぞれ4mm間隔で実装した青色LED素子を作製した。また、上記青色LED4個実装タイプと同様にして、ガラスエポキシ(FR4)で作製した、厚さ0.5mm、外形25mm×25mm、内径20mm×20mmのフレーム25を取り付けた。このようにして、図19に示す、LED素子(青色LED4個実装タイプ)を作製した。
2液混合タイプの熱硬化性シリコーンエラストマー(信越シリコーン社製、品番KER2500、屈折率:1.41)に、無機フィラーであるチタン酸バリウム粒子(堺化学工業社製、品番BT-03、吸着比表面積値3.7g/m2、屈折率:2.4)を55重量%添加し、よく攪拌混合して、拡散反射性樹脂形成用の樹脂組成物(コーティング樹脂液)を調製した。この白色樹脂液を、ガラス基板上にアプリケーターを用いて、150μm、370μm、1000μmの厚さに、それぞれコーティングした後、100℃で1時間、150℃で1時間加熱することにより、拡散性反射樹脂層を形成した。
瞬間マルチ測光システム(大塚電子社製、MCPD 7000)と、内径3インチの積分球を、専用の光ファイバーを用いて接続し、波長380nmから1000nmの範囲で拡散反射率を測定した。まず、標準拡散反射板(Labsphere社製、商品名Spectralon Diffuse Reflectance Standard、品番SRS-99、反射率99%)をリファレンスに用い、この測定値と、付属の反射率データを相対比較することで、拡散反射率を測定した。
〈複合シートの作製〉
上記拡散性反射樹脂層形成用の樹脂組成物(白色樹脂液)を、アプリケーターを用いて、PET(ポリエチレンテレフタレート)フィルム上に、約300μmの厚みに塗工し、100℃で1時間、150℃で1時間加熱することによりキュアし、拡散性反射樹脂層を形成した。拡散性反射樹脂層はキュアすることで、簡単にPETフィルムから剥がすことができた。つぎに、円形パンチャー(McMASTER-CARR社製、商品名Small-Diameter Hole Punches、品番5/64"3424A31)と、ゴムハンマーとを用い、図18の青色LED4個実装タイプのLED実装パターンに合わせて、直径約2mmの穴を4mm間隔で4個打ち抜いた。続いて、先に作製した蛍光体プレート(YAGプレート)を、10mm×10mmのサイズにダイシングした後、その片方の面上に、シリコーンエラストマー(信越シリコーン社製、品番KER2500)を、スパチュラを用いて、約100μmの厚さで塗工した。その面上に、上記拡散性反射樹脂層を、4つの穴がちょうどYAGプレートの中心部分になるように貼り合わせ、同条件でキュアした。その後、上記YAGプレートと同じ10mm×10mmのサイズにするため、余分な拡散性反射樹脂部をカッターを用いて切断し、YAGプレート上に、拡散性反射樹脂層がパターニング形成された複合シートを得た。
熱硬化型ゲル状シリコーン樹脂(旭化成ワッカーシリコーン社製、商品名WACKER SilGel 612)を、上記複合シートの拡散性反射層の、4つの打ち抜き部分に少量滴下し、打ち抜き穴に充填した。また、青色LED4個実装タイプの素子を準備し、上記ゲル状シリコーン樹脂およそ0.01mlを、ディスペンサーにより、上記素子に滴下した。その後、複合シートを、4個の打ち抜き部分が、それぞれ4個のLEDチップの実装位置に一致するよう、軽く押し付けながら貼りつけるように設置し、100℃で15分、ゲル状シリコーン樹脂をキュアし、試験用LED素子(図13参照)を作製した。
〈複合シートの作製〉
実施例1において、得られた複合シートの打ち抜き部分および拡散性反射樹脂表面に、熱硬化型ゲル状シリコーン樹脂(旭化成ワッカーシリコーン社製、商品名WACKER SilGel 612)を充填し、塗工した後、100℃で15分キュアすることにより、複合シート(図9参照)を得た。上記拡散性反射樹脂層上に塗工されたゲル状シリコーン樹脂層(接着層)の厚さは、約100μmであった。
青色LED4個実装タイプの素子を準備し、上記複合シートを、4個の打ち抜き部分が、それぞれ4個のLEDチップの実装位置に一致するように、軽く押し付けながら貼りつけるように設置し、100℃で15分、ゲル状シリコーン樹脂をキュアし、試験用LED素子を作製した。
熱硬化型ゲル状シリコーン樹脂(旭化成ワッカーシリコーン社製、商品名WACKER SilGel 612)を、青色LED4個実装タイプ素子のフレームの高さ程度(約0.05ml)まで、ディスペンサーにより充填した。その後、10mm×10mmのサイズにダイシングした蛍光体プレート(YAGプレート)を、ゲル状シリコーン樹脂上に軽く押し付けながら貼りつけるように設置し、100℃で15分キュアし、拡散性反射樹脂層が形成されていない、試験用LED素子を作製した。
実施例1,2および比較例1で作製した試験用LED素子を用い、発光強度(発光スペクトル)を測定した。すなわち、瞬間マルチ測光システム(大塚電子社製、MCPD 7000)と、内径が12インチの積分球とを、専用の光ファイバーで接続し、波長380nmから1000nmの範囲で、試験用LED素子の発光スペクトルを測定した。試験用LED素子は、上記積分球内の中心部に設置し、ポートから導入したリード線を通じて、80mAの直流電流を印加して点灯させた。発光スペクトルは、電力供給後、10秒以上経ってから記録した。その結果を、図21に示した。
青色LED4個実装タイプの素子(図18参照)に代えて、青色LED16個実装タイプの素子(図19参照)を用いる以外は、実施例1に準じて、試験用LED素子を作製した。
上記拡散性反射樹脂層形成用の樹脂組成物(白色樹脂液)を、アプリケーターを用いて、PET(ポリエチレンテレフタレート)フィルム上に、約300μmの厚みに塗工し、100℃で1時間、150℃で1時間加熱することによりキュアし、拡散性反射樹脂層を形成した。つぎに、円形パンチャー(McMASTER-CARR社製、商品名Small-Diameter Hole Punches、品番5/64"3424A31)と、ゴムハンマーとを用い、PETフィルム上に塗工、キュアして作製した拡散性反射樹脂層を、円形パンチャーで、図19の青色LED16個実装タイプのLED実装パターンに合わせて、直径約2mmの穴を4mm間隔で16個打ち抜いた。続いて、サイズ20mm×20mmの蛍光体プレート(YAGプレート)上に、シリコーンエラストマー(信越シリコーン社製、品番KER2500)を、スパチュラを用いて、約100μmの厚さで塗工した。その面上に、上記拡散性反射樹脂層を、16個の穴がちょうどYAGプレートの中心部分になるように貼り合わせ、同条件でキュアした。その後、上記YAGプレートと同じ20mm×20mmのサイズにするため、余分な拡散性反射樹脂部をカッターを用いて切断し、YAGプレート上に、拡散性反射樹脂層がパターニング形成された複合シートを得た。
熱硬化型ゲル状シリコーン樹脂(旭化成ワッカーシリコーン社製、商品名WACKER SilGel 612)を、上記複合シートの拡散性反射層の、16個の打ち抜き部分に少量滴下し、打ち抜き穴に充填した。また、青色LED16個実装タイプの素子を準備し、上記ゲル状シリコーン樹脂およそ0.01mlを、ディスペンサーにより、上記素子に滴下した。その後、複合シートを、16個の打ち抜き部分が、それぞれ4つのLEDチップの実装位置に一致するよう、軽く押し付けながら貼りつけるように設置し、100℃で15分、ゲル状シリコーン樹脂をキュアし、試験用LED素子(図13参照)を作製した。
〈複合シートの作製〉
実施例3において、得られた複合シートの打ち抜き部分および拡散性反射樹脂表面に、熱硬化型ゲル状シリコーン樹脂(旭化成ワッカーシリコーン社製、商品名WACKER SilGel 612)を充填し、塗工した後、100℃で15分キュアすることにより、複合シート(図9参照)を得た。上記拡散性反射樹脂層上に塗工されたゲル状シリコーン樹脂層(接着層)の厚さは、約100μmであった。
青色LED16個実装タイプの素子を準備し、複合シートを、16個の打ち抜き部分が、それぞれ16個のLEDチップの実装位置に一致するように、軽く押し付けながら貼りつけるように設置し、100℃で15分、ゲル状シリコーン樹脂をキュアし、試験用LED素子を作製した。
熱硬化型ゲル状シリコーン樹脂(旭化成ワッカーシリコーン社製、商品名WACKER SilGel 612)を、青色LED16個実装タイプ素子のフレームの高さ程度(約0.2ml)まで、ディスペンサーにより充填した。その後、サイズ20mm×20mmの蛍光体プレート(YAGプレート)を、ゲル状シリコーン樹脂上に軽く押し付けながら貼りつけるように設置し、100℃で15分キュアし、拡散性反射樹脂層が形成されていない、試験用LED素子を作製した。
実施例3,4および比較例2で作製した試験用LED素子に、160mAの直流電流を印加する以外は、試験例1に準じて、発光強度(発光スペクトル)を測定した。その結果を、図22に示した。
波長変換層に蛍光体プレート(YAGプレート)を用いる代わりに、蛍光体シート(YAGシート)を用いる以外は、実施例4に準じて、複合シートおよび試験用LED素子を作製した。
シリコーンエラストマー(信越シリコーン社製、品番KER2500)を、青色LED16個実装タイプ素子のフレームの高さ程度(約0.2ml)まで、ディスペンサーにより充填し、100℃で1時間、150℃で1時間キュアした。また、サイズ20mm×20mmに切り出した蛍光体シート(YAGシート)の片方の面上に、熱硬化型ゲル状シリコーン樹脂(旭化成ワッカーシリコーン社製、商品名WACKER SilGel 612)を約100μmの厚さになるようにアプリケーターで塗工した。このゲル状シリコーン樹脂塗工面を、上記記試験用LED素子のシリコーンエラストマー上に貼りつけた後、100℃で15分キュアし、拡散性反射樹脂層が形成されていない、試験用LED素子を作製した。
実施例5および比較例3で作製した試験用LED素子に、160mAの直流電流を印加する以外は、試験例1に準じて、発光強度(発光スペクトル)を測定した。その結果を、図23に示した。
2 拡散性反射樹脂層
3 複合シート
4′透明樹脂層
5 LED素子
6 プリント配線基板
7 リフレクター
Claims (12)
- 波長変換層と拡散性反射樹脂層とを積層状態で備え、半導体発光装置に用いられる複合シートであって、上記波長変換層が、励起光の一部または全部を吸収して励起され、上記励起光の波長よりも長波長域の可視光を発光する蛍光体材料を含有し、上記拡散性反射樹脂層が、上記波長変換層の片面上に、選択的にパターニング形成され、上記拡散性反射樹脂層がパターニング形成されていない上記片面上の領域は、上記波長変換層中の蛍光体材料を励起する励起光の通路となっていることを特微とする複合シート。
- 上記励起光の波長が、350〜480nmの範囲である請求項1記載の複合シート。
- 上記拡散性反射樹脂層が、透明樹脂と、上記透明樹脂とは屈折率が異なる無機フィラーとを含有する樹脂組成物の硬化物からなり、その拡散性反射樹脂層の拡散反射率が、波長430nmにおいて80%以上である請求項1または2記載の複合シート。
- 上記波長変換層の片面上の、上記拡散性反射樹脂層がパターニング形成されていない領域の部分には、透明樹脂が充填されている請求項1〜3のいずれか一項に記載の複合シート。
- 上記透明樹脂が、シリコーン樹脂である請求項4記載の複合シート。
- 上記シリコーン樹脂が、ゲル状シリコーン樹脂である請求項5記載の複合シート。
- 上記拡散性反射樹脂層の表面上に、接着層もしくは粘着層が形成されている請求項1〜6のいずれか一項に記載の複合シート。
- 上記接着層もしくは粘着層が、下記の(a)〜(e)を含有する熱硬化性樹脂用組成物からなるものである請求項7記載の複合シート。
(a)両末端シラノール型シリコーン樹脂。
(b)アルケニル基含有ケイ素化合物。
(c)オルガノハイドロジェンシロキサン。
(d)縮合触媒。
(e)ヒドロシリル化触媒。 - 上記接着層もしくは粘着層が、25℃における貯蔵弾性率が1.0×106Pa以下であって、200℃で1時間加熱処理後の25℃での貯蔵弾性率が1.0×106Pa以上である請求項7または8記載の複合シート。
- 上記波長変換層が、焼結密度が99.0%以上である多結晶性焼結体からなり、励起波長域以外の可視光波長域において、40%以上の全光線透過率を有し、かつ厚みが100〜1000μmの透光性セラミックスからなる蛍光体プレートである請求項1〜9のいずれか一項に記載の複合シート。
- 上記波長変換層が、蛍光体粒子をバインダー樹脂中に分散してなり、励起波長以外の可視光波長域において、40%以上の光線透過率を有し、かつ厚みが50〜2000μmの蛍光体シートである請求項1〜9のいずれか一項に記載の複合シート。
- 上記波長変換層が、単数の波長変換層からなるもの、および複数の波長変換層を積層させてなるもののいずれか一方である請求項1〜11のいずれか一項に記載の複合シート。
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DE102010038396B4 (de) * | 2010-07-26 | 2021-08-05 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Bauelement und Leuchtvorrichung damit |
CN102468397A (zh) * | 2010-11-08 | 2012-05-23 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构 |
KR101767100B1 (ko) * | 2010-11-10 | 2017-08-10 | 삼성전자주식회사 | 발광 디바이스 및 그 제조방법 |
DE102011013369A1 (de) * | 2010-12-30 | 2012-07-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen |
US20120236529A1 (en) * | 2011-03-15 | 2012-09-20 | Avago Technologies Ecbu Ip(Singapore) Pte. Ltd. | Method And Apparatus For A Light Source |
US9041046B2 (en) | 2011-03-15 | 2015-05-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method and apparatus for a light source |
US8841689B2 (en) | 2012-02-03 | 2014-09-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Heat-curable silicone resin sheet having phosphor-containing layer and phosphor-free layer, method of producing light emitting device utilizing same and light emitting semiconductor device obtained by the method |
JP5652410B2 (ja) * | 2012-02-03 | 2015-01-14 | 信越化学工業株式会社 | 蛍光体含有層と白色顔料含有層を有する熱硬化性シリコーン樹脂シート、それを使用する発光装置の製造方法及び封止発光半導体装置 |
JP2013159003A (ja) * | 2012-02-03 | 2013-08-19 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 蛍光体含有層と蛍光体非含有層を有する熱硬化性シリコーン樹脂シート、それを使用する発光装置の製造方法及び封止発光半導体装置 |
CN103247744A (zh) * | 2012-02-09 | 2013-08-14 | 威士玻尔光电(苏州)有限公司 | 远程荧光粉及其制备方法 |
JP2013214716A (ja) * | 2012-03-06 | 2013-10-17 | Nitto Denko Corp | 蛍光封止シート、発光ダイオード装置およびその製造方法 |
JP6033557B2 (ja) * | 2012-03-06 | 2016-11-30 | 日東電工株式会社 | 封止シート、および、それを用いた発光ダイオード装置の製造方法 |
US8858025B2 (en) * | 2012-03-07 | 2014-10-14 | Lg Innotek Co., Ltd. | Lighting device |
US8931922B2 (en) | 2012-03-22 | 2015-01-13 | Osram Sylvania Inc. | Ceramic wavelength-conversion plates and light sources including the same |
JP6097489B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2017-03-15 | 古河電気工業株式会社 | 発光ダイオード用封止樹脂フィルムおよび発光ダイオードパッケージ |
US20130258638A1 (en) * | 2012-03-31 | 2013-10-03 | Michael Dongxue Wang | Wavelength-converting structure for a light source |
WO2013158930A1 (en) * | 2012-04-18 | 2013-10-24 | Nitto Denko Corporation | Phosphor ceramics and methods of making the same |
CN103375708B (zh) * | 2012-04-26 | 2015-10-28 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管灯源装置 |
JP2014013879A (ja) * | 2012-06-06 | 2014-01-23 | Nitto Denko Corp | 光半導体用光反射部材およびそれを用いた光半導体実装用基板ならびに光半導体装置 |
KR101961310B1 (ko) * | 2012-07-09 | 2019-07-17 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 장치 |
JP6282419B2 (ja) * | 2012-07-27 | 2018-02-21 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 照明装置 |
TWI597349B (zh) * | 2012-09-21 | 2017-09-01 | 住友大阪水泥股份有限公司 | 複合波長變換粉體、含有複合波長變換粉體的樹脂組成物及發光裝置 |
CN103887410B (zh) * | 2012-12-21 | 2017-02-01 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管制造方法 |
TWI497688B (zh) * | 2012-12-27 | 2015-08-21 | Ind Tech Res Inst | 照明裝置及其光源模組 |
CN103906309B (zh) * | 2012-12-27 | 2016-07-06 | 财团法人工业技术研究院 | 光源装置及照明装置 |
US10039169B2 (en) | 2012-12-28 | 2018-07-31 | Industrial Technology Research Institute | Light source apparatus |
US10485070B2 (en) | 2012-12-28 | 2019-11-19 | Industrial Technology Research Institute | Light source apparatus and display apparatus |
JP6071661B2 (ja) | 2013-03-11 | 2017-02-01 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
DE202013101400U1 (de) * | 2013-04-02 | 2014-07-03 | Zumtobel Lighting Gmbh | Anordnung zum Konvertieren des von einer LED-Lichtquelle emittierten Lichts |
WO2014171277A1 (ja) * | 2013-04-17 | 2014-10-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
KR102098589B1 (ko) * | 2013-07-04 | 2020-04-09 | 삼성전자주식회사 | 파장변환부재 및 그 제조방법과, 이를 구비한 반도체 발광장치 |
JP2015023220A (ja) * | 2013-07-22 | 2015-02-02 | ローム株式会社 | 表示装置 |
CN104425673A (zh) * | 2013-08-23 | 2015-03-18 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管制造方法 |
US20150109814A1 (en) * | 2013-10-17 | 2015-04-23 | Nanosys, Inc. | Light emitting diode (led) devices |
US9499740B2 (en) * | 2013-11-22 | 2016-11-22 | Nitto Denko Corporation | Light extraction element |
JP2015111518A (ja) * | 2013-12-06 | 2015-06-18 | 株式会社ジャパンディスプレイ | バックライト及びそれを用いた液晶表示装置 |
KR102075993B1 (ko) * | 2013-12-23 | 2020-02-11 | 삼성전자주식회사 | 백색 led 소자들을 제조하는 방법 |
WO2015112946A1 (en) | 2014-01-27 | 2015-07-30 | Osram Sylvania Inc. | Ceramic wavelength converter having a high reflectivity reflector |
US10488566B2 (en) * | 2014-01-27 | 2019-11-26 | Osram Sylvania Inc. | Ceramic wavelength converter having a high reflectivity reflector |
JP2015173142A (ja) | 2014-03-11 | 2015-10-01 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
JP2015216354A (ja) * | 2014-04-23 | 2015-12-03 | 日東電工株式会社 | 波長変換部材およびその製造方法 |
JP2015216355A (ja) * | 2014-04-23 | 2015-12-03 | 日東電工株式会社 | 波長変換部材およびその製造方法 |
US9997676B2 (en) | 2014-05-14 | 2018-06-12 | Genesis Photonics Inc. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
US10439111B2 (en) | 2014-05-14 | 2019-10-08 | Genesis Photonics Inc. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
TWI557952B (zh) | 2014-06-12 | 2016-11-11 | 新世紀光電股份有限公司 | 發光元件 |
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KR20160041108A (ko) * | 2014-10-06 | 2016-04-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광장치 |
KR101784406B1 (ko) * | 2015-02-25 | 2017-10-12 | 금호전기주식회사 | 투명 전광 장치 |
TWI657597B (zh) | 2015-03-18 | 2019-04-21 | 新世紀光電股份有限公司 | 側照式發光二極體結構及其製造方法 |
JP6217705B2 (ja) * | 2015-07-28 | 2017-10-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
EP3125005A1 (en) * | 2015-07-29 | 2017-02-01 | Tecnología Sostenible y Responsable SL | Optical product comprising two pigments |
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TWI583028B (zh) * | 2016-02-05 | 2017-05-11 | 行家光電股份有限公司 | 具有光形調整結構之發光裝置及其製造方法 |
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DE102016105988A1 (de) * | 2016-04-01 | 2017-10-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Konverter zur teilweisen Konversion einer Primärstrahlung und lichtemittierendes Bauelement |
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WO2018047758A1 (ja) * | 2016-09-07 | 2018-03-15 | 住友化学株式会社 | 波長変換シート、積層体および発光装置、並びに、波長変換シートの製造方法 |
JP6493345B2 (ja) * | 2016-09-16 | 2019-04-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
TWI651870B (zh) * | 2016-10-19 | 2019-02-21 | 新世紀光電股份有限公司 | 發光裝置及其製造方法 |
TWM537663U (zh) | 2016-10-25 | 2017-03-01 | 揚昇照明股份有限公司 | 視角控制裝置以及可控制視角顯示裝置 |
TWI605287B (zh) | 2016-12-29 | 2017-11-11 | 揚昇照明股份有限公司 | 顯示裝置 |
CN108345139B (zh) | 2017-01-25 | 2022-04-22 | 中强光电股份有限公司 | 视角可切换显示装置 |
US10224358B2 (en) * | 2017-05-09 | 2019-03-05 | Lumileds Llc | Light emitting device with reflective sidewall |
TWI757315B (zh) * | 2017-07-28 | 2022-03-11 | 晶元光電股份有限公司 | 發光裝置以及其製造方法 |
US10658558B2 (en) * | 2017-10-10 | 2020-05-19 | Lumileds Llc | LED package including converter confinement |
TW201919261A (zh) | 2017-11-05 | 2019-05-16 | 新世紀光電股份有限公司 | 發光裝置 |
JP2019090856A (ja) * | 2017-11-10 | 2019-06-13 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 波長変換デバイス、光源装置、照明装置、及び、投写型映像表示装置 |
WO2019124046A1 (ja) * | 2017-12-18 | 2019-06-27 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置 |
CN207650518U (zh) | 2017-12-26 | 2018-07-24 | 扬升照明股份有限公司 | 视角可切换装置以及视角可切换显示模块 |
DE102018101170A1 (de) * | 2018-01-19 | 2019-07-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches halbleiterbauteil |
CN208126055U (zh) | 2018-04-28 | 2018-11-20 | 扬升照明股份有限公司 | 显示装置 |
JP6658829B2 (ja) * | 2018-09-11 | 2020-03-04 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
WO2020092717A1 (en) * | 2018-10-31 | 2020-05-07 | Elemental LED, Inc. | Light guide panel with onboard driver |
TWI688805B (zh) * | 2018-12-14 | 2020-03-21 | 友達光電股份有限公司 | 背光模組 |
KR102130910B1 (ko) * | 2019-01-24 | 2020-07-08 | 부산대학교 산학협력단 | 인광 입자 코팅 방법 |
WO2020263563A1 (en) * | 2019-06-26 | 2020-12-30 | Corning Incorporated | Display device and backlight unit therefor |
CN110320257A (zh) * | 2019-07-02 | 2019-10-11 | 吉林省裕林药业有限公司 | 一种基于金属锌有机晶体管的血糖传感器及其制备方法 |
KR102278026B1 (ko) * | 2019-11-18 | 2021-07-15 | 주식회사 에프씨씨 | 테이프 형태의 형광체 시트 제조방법 |
JP7405662B2 (ja) * | 2020-03-24 | 2023-12-26 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
CN113451486A (zh) * | 2020-03-27 | 2021-09-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0343750U (ja) * | 1989-09-04 | 1991-04-24 | ||
KR100643442B1 (ko) * | 1996-06-26 | 2006-11-10 | 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 | 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자 |
US6717348B2 (en) * | 1999-12-09 | 2004-04-06 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Display apparatus |
US7239080B2 (en) * | 2004-03-11 | 2007-07-03 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd | LED display with overlay |
EP1753035A4 (en) * | 2004-04-28 | 2011-12-21 | Panasonic Corp | LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME |
JP2006066657A (ja) * | 2004-08-27 | 2006-03-09 | Kyocera Corp | 発光装置および照明装置 |
KR100924474B1 (ko) * | 2005-03-24 | 2009-11-03 | 쿄세라 코포레이션 | 발광장치 |
JP2006282447A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 透光性材料およびその製造方法 |
US20070001182A1 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-04 | 3M Innovative Properties Company | Structured phosphor tape article |
KR20080064854A (ko) * | 2005-10-05 | 2008-07-09 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 흡수 필터를 갖는 인광체-변환 전계발광 소자 |
US7514721B2 (en) * | 2005-11-29 | 2009-04-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Luminescent ceramic element for a light emitting device |
JP4943005B2 (ja) * | 2006-01-04 | 2012-05-30 | ローム株式会社 | 薄型発光ダイオードランプとその製造方法 |
JP4744335B2 (ja) * | 2006-01-30 | 2011-08-10 | 京セラ株式会社 | 発光装置および照明装置 |
US20080117619A1 (en) * | 2006-11-21 | 2008-05-22 | Siew It Pang | Light source utilizing a flexible circuit carrier and flexible reflectors |
JP2008187030A (ja) * | 2007-01-30 | 2008-08-14 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置 |
JP2008210960A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Kyocera Corp | 発光装置および照明装置 |
US8434909B2 (en) * | 2007-10-09 | 2013-05-07 | Flex Lighting Ii, Llc | Light emitting display with light mixing within a film |
JP2009099759A (ja) * | 2007-10-17 | 2009-05-07 | Fine Rubber Kenkyusho:Kk | 発光装置 |
JP5631745B2 (ja) * | 2008-02-21 | 2014-11-26 | 日東電工株式会社 | 透光性セラミックプレートを備える発光装置 |
US7973327B2 (en) * | 2008-09-02 | 2011-07-05 | Bridgelux, Inc. | Phosphor-converted LED |
JP5388167B2 (ja) * | 2008-09-08 | 2014-01-15 | 日東電工株式会社 | 光半導体素子封止用シート及びそれを用いてなる光半導体装置 |
TWI426206B (zh) * | 2008-12-25 | 2014-02-11 | Au Optronics Corp | 發光二極體裝置 |
-
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