JP2010141119A - 光半導体封止用シート - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板5上に搭載した光半導体素子4を埋設可能な樹脂層1に、樹脂層2が直接又は間接的に積層されてなる光半導体封止用シートであって、該樹脂層2が光透過率の高い無機蛍光体をプレート状に調製したもの3を充填してなる光半導体封止用シート。
【選択図】図1
Description
〔1〕 光半導体素子を埋設可能な樹脂層Aに、樹脂層Bが直接又は間接的に積層されてなる光半導体封止用シートであって、該樹脂層Bが無機蛍光体のプレートを充填してなる、光半導体封止用シート、
〔2〕 前記〔1〕記載の光半導体封止用シートで封止してなる光半導体装置、ならびに
〔3〕 前記〔1〕記載の光半導体封止用シートを用いて半導体デバイスを封止する、光半導体装置の製造方法
に関する。
A3B5O12 (I)
(式中、A及びBは、それぞれ独立して三価金属を示す)
で表わされるガーネットが例示される。
樹脂層を複数枚貼りあわせることで約1mmの厚みのシートを成形し、動的粘弾性測定装置(DMS-200、エスアイアイ・ナノテクノロジー社製)にて、せん断時の粘弾性測定を行い、測定結果より、150℃の貯蔵弾性率を樹脂層の弾性率とする。
分光光度計(U−4100、日立ハイテク社製)を用いて、波長380〜780nmにおける透過率を測定する。
SEM観察によって、画像に映った100個粒子の直径を測定し、それらの平均値を平均粒子径とする。
MCPD(瞬間マルチ測光システムMCPD-3000、大塚電子社製)を用いて、蛍光体を励起した際の蛍光強度を求め、これによって内部量子効率を算出する。
ガラス板上にコーティングしたサンプル(膜)を反射・透過率計(HR-100、村上色彩技術研究所製)を用いて測定する。
硝酸イットリウム六水和物0.14923mol(14.29g)、硝酸アルミニウム九水和物0.25mol(23.45g)、硝酸セリウム六水和物0.015mol(0.081g)を250mLの蒸留水に溶解させ、0.4Mのプレカーサ溶液を調製した。このプレカーサ溶液を、二流体ノズルを用いて、RF誘導プラズマ炎中に10mL/minの速度で噴霧し、熱分解することで無機粉末粒子(原料粒子)を得た。得られた原料粒子はX線回折法により分析したところ、アモルファス相とYAP(YAlO3)結晶の混合相とを示した。また、BET(比表面積測定)法により求めた平均粒子径は約75nmであった。次に、得られた原料粒子をアルミナ製のるつぼに入れ、電気炉にて、1200℃、2時間仮焼成を行って、YAG:Ce蛍光体を得た。得られたYAG:Ce蛍光体は、結晶相がYAGの単一相を示し、BET法により求めた平均粒子径は約95nmであった。
<樹脂層A>
攪拌機、還流冷却機、及び窒素導入管を備えた容器に、両末端シラノール型シリコーンオイル(信越化学工業社製、商品名「KF-9701」、ジメチルシロキサン骨格誘導体)0.2mol、及びアルミニウムイソプロポキシド40.2molを添加し、室温(25℃)で24時間攪拌混合した。その後、得られた混合物を遠心分離して不溶物を除去し、減圧下(4.0kPa)、50℃で2時間濃縮して、ポリアルミノシロキサンオイルを得た。得られたポリアルミノシロキサンオイル100重量部に対して、エポキシ型シランカップリング剤(信越化学工業社製、KBM-403)10重量部を添加して、減圧下(4.0kPa)、80℃で7分間攪拌してシリコーン樹脂溶液を得た。得られたシリコーン樹脂溶液を2軸延伸ポリエステルフィルム(三菱化学ポリエステル社製、50μm)上に300μmの厚さに塗工し、100℃で10分乾燥することにより、樹脂層Aを得た(厚さ300μm)。
(無機蛍光体のプレートの調製)
YAG:Ce蛍光体(平均粒子径95nm)4g、poly(vinyl butyl-co-vinyl alcohol-co-vinyl alcohol)(シグマアルドリッチ社製、重量平均分子量90000〜120000)0.21g、シリカ粉末(Cabot Corporation社製、商品名「CAB-O-SIL HS-5」)0.012g、及びメタノール12mLを混合してスラリーとし、得られたスラリーをドライヤーにてメタノールを除去して乾燥した粉末を得た。この粉末を直径3mmの型に充填後、水圧プレス機にて4000ポンドで加圧することでペレットを作製し、得られたペレットをボックス電気炉にて1500℃で5時間加熱して、平面積7.1mm2、厚さ150μmのYAG蛍光体のセラミックプレートを得た。
次に、上記で得られた蛍光体のセラミックプレートを2軸延伸ポリエステルフィルム(三菱化学ポリエステル社製、50μm)上に配置し、その上から樹脂層Aと同じ組成の樹脂成分を蛍光体プレートの有無に関わらず2軸延伸ポリエステルフィルムからの厚さが一律で200μmの厚さに塗工し、100℃で10分乾燥することにより、蛍光体のセラミックプレートが配置された樹脂層Bを得た(厚さ200μm)。
上記で得られた、樹脂層Aと樹脂層Bを蛍光体プレートが樹脂成分に挟まれるように積層してラミネートし、半導体封止用シートAを得た(厚さ500μm)。
実施例1の樹脂層Aと同様にして調製したシリコーン樹脂溶液100重量部、及びYAG蛍光体(根本特殊化学社製、平均粒子径5μm)7重量部を攪拌混合して蛍光体分散液を得た。得られた蛍光体分散液を2軸延伸ポリエステルフィルム(三菱化学ポリエステル社製、50μm)上に500μmの厚さに塗工し、100℃で10分乾燥することにより、蛍光体が分散した半導体封止用シートBを得た(厚さ500μm)。
次に、上記で得られた半導体封止用シートから2軸延伸ポリエステルフィルムを剥離後、表面実装型の青色LED素子(LED素子断面積1mm2)及び基板に対して、実施例1のシートは樹脂層Aが、比較例1のシートはいずれかの面が基板に接するように積層して、150℃で5分加熱して封止を行って半導体装置を作製した。なお、実施例1のシートを用いた半導体装置において、LED素子のシート界面からの蛍光体プレートへの垂直距離は250μm、蛍光体プレートの平面積はLED素子断面積の7.1倍であった。
各半導体装置に350mAの電流を流して素子を点灯させた状態で、各半導体装置より50cm離れた位置における照度(lx)を照度計にて測定した。なお、照度が高いほど、輝度が高いことを示す。
試験例1の試験時に、CIE色度指標に基づいてCIE座標を測定した。
2 樹脂層B
3 無機蛍光体のプレート
4 LED素子
5 基板
Claims (6)
- 光半導体素子を埋設可能な樹脂層Aに、樹脂層Bが直接又は間接的に積層されてなる光半導体封止用シートであって、該樹脂層Bが無機蛍光体のプレートを充填してなる、光半導体封止用シート。
- 無機蛍光体のプレートが、平均粒子径1μm未満の蛍光体微粒子を焼結して得られる、請求項1記載の光半導体封止用シート。
- 蛍光体微粒子が、YAG系蛍光体、SiAlON系蛍光体、CaAlSiN系蛍光体、SrS系蛍光体、及びSrBaSiO5系蛍光体からなる群より選ばれる少なくとも1つである、請求項2記載の光半導体封止用シート。
- 無機蛍光体のプレートの厚さが20〜500μmである、請求項1〜3いずれか記載の光半導体封止用シート。
- 請求項1〜4いずれか記載の光半導体封止用シートで封止してなる、光半導体装置。
- 請求項1〜4いずれか記載の光半導体封止用シートを用いて半導体デバイスを封止する、光半導体装置の製造方法。
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