TWI685132B - 發光裝置 - Google Patents

Abstract

提供一種透過提升耐熱性而能謀求高輸出化 、高亮度化之發光裝置。

於基板11之上搭載由LED構成的複數個 發光元件12，在發光元件12之上，以與發光元件12之間隔有空間15地配置波長變換構件16。波長變換構件16係包含粒子狀的螢光體材料、黏著劑，黏著劑係透過使含有包含依水解或氧化而成為氧化物的氧化物前驅物、矽酸化合物、二氧化矽、及非晶矽石(amorphous silica)的群中之至少1種的黏著劑原料於常溫反應或於500℃以下的溫度進行熱處理而可獲得。

Description

發光裝置

本發明係有關一種使用螢光體材料的發光裝置。

在使用螢光體的發光裝置方面，例如可知有以與LED或LD接觸的方式將螢光體分散於環氧樹脂或聚矽氧樹脂作配置者(例如參照專利文獻1~專利文獻3)。但該發光裝置具有所謂伴隨著LED或LD之高輸出化、LED或LD之發熱使得環氧樹脂或聚矽氧樹脂劣化、變形、剝離而難以達成高輸出化之問題。

在其解決對策方面，係開發一種取代環氧樹脂或聚矽氧樹脂，改為例如用玻璃密封螢光體而成的發光裝置(例如參照專利文獻4~專利文獻6)。依據該發光裝置，透過使用無機材料作為分散媒而可提升構造的耐熱性。但是，一般的低融點玻璃若無使用實質500℃以上的溫度加熱則難以使之軟化成可使螢光體分散的程度(參照專利文獻5實施例)。例如雖可透過添加鉛等之重金屬使之低融點化，但從對環境、人體之影響的觀點來看，現今可容許該等元素的用途極少。因此，會有所謂因螢光體的熱之影響而導致性能劣化的情況之問題。

又，在使用樹脂作為分散媒之情況，即便以 與LED或LD接觸的方式配置，由於樹脂特有的柔軟性，故對形狀之隨動性亦佳，對哪種材質之密合性皆高，相對地，無機材料係硬且亦缺乏與其他材質之親和性，故易於蓄積因熱膨脹差等所導致的應力而難以獲得密合性。因此，具有所謂要使螢光體分散於無機材料而直接塗布在LED元件、LD元件或基板使之固定是非常困難的問題。而且，在使用無機材料的情況，由於在製造過程中需於高溫下作熱處理，故使LED元件或LD元件和無機材料(特別是玻璃)黏著係在製造上也不實際。

於是，揭示一種發光裝置(例如參照專利文獻7)，係將螢光體分散於樹脂上且採用將隨著發光而發熱之LED或LD及接收LED或LD的光而進行波長變換之螢光體隔開距離之方式作配置。若為該方式，則藉由將LED元件或LD元件與螢光體之距離增大，可減少熱的影響，在熱設計上的限制變少。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利第3364229號公報

[專利文獻2]日本專利第3824917號公報

[專利文獻3]日本特開2011-204718號公報

[專利文獻4]日本特開2009-91546號公報

[專利文獻5]日本特開2008-143978號公報

[專利文獻6]日本特開2008-115223號公報

[專利文獻7]日本專利第4562828號公報

然而，當加大LED元件或LD元件與螢光體之分開距離時，則需要該等程度的空間。因此，有所謂LED模組或LD模組大型化而用途受限之問題。為將LED模組或LD模組小型化，有必要使螢光體盡可能接近於LED元件或LD元件，但當接近時則每單位體積‧單位面積的能量密度變高而無法排除熱的影響。亦即，要減少熱的影響且將LED模組或LD模組小型化是有困難的。

本發明係有鑒於此種問題而完成者，目的在於提供一種可提升耐熱性且能小型化之發光裝置。

本發明的發光裝置係具備發光元件、及配置成與該發光元件之間隔有空間的波長變換構件，波長變換構件含有粒子狀的螢光體材料及黏著劑，黏著劑係使含有包含依水解或氧化而成為氧化物的氧化物前驅物、矽酸化合物、二氧化矽、及非晶矽石(amorphous silica)的群中至少1種之黏著劑原料，於常溫反應或在500℃以下的溫度進行熱處理所獲得。

依據本發明的發光裝置，因為配置成發光元件和波長變換構件之間隔有空間，且波長變換構件的黏著劑主要使用無機材料，故可提升對從發光元件發生之熱的耐熱性，能謀求高輸出化及高亮度化且能小型化。又，因為波長變換構件的黏著劑係可藉由在常溫反應或 以500℃以下的溫度進行熱處理獲得，故在低溫也可形成，能抑制會因高溫而特性劣化的螢光體材料之特性劣化。

再者，波長變換構件若係在形成基材的一面上塗布含有螢光體材料和黏著劑原料之原料混合物，且使黏著劑原料於常溫反應或於500℃以下的溫度進行熱處理，則可容易地以低溫黏著於形成基材而形成。

10‧‧‧發光裝置

11‧‧‧基板

12‧‧‧螢光元件(發光元件)

13‧‧‧金屬線

14‧‧‧反射器框

15‧‧‧空間

16‧‧‧波長變換構件

17‧‧‧形成基材

圖1係表示本發明一實施形態的發光裝置之構成圖。

圖2係表示在85℃、85%RH的高溫高濕度環境下之曝露試驗中的亮度的經時變化之特性圖。

圖3係表示在乾燥高溫環境下之曝露試驗中的曝露溫度與24小時後的發光亮度之關係的特性圖。

圖4係表示在150℃的乾燥高溫環境下之曝露試驗中的亮度的經時變化之特性圖。

圖5係表示在200℃的乾燥高溫環境下之曝露試驗中的亮度的經時變化之特性圖。

[實施發明之形態]

以下，針對本發明的實施形態，參照圖面作詳細說明。

圖1係表示本發明一實施形態的發光裝置10之構成。該發光裝置10係例如在基板11上搭載由LED構成的複數個發光元件12。發光元件12例如使用發出作為激發光的紫外光、藍色光、或綠色光者，其中以發藍色 光者較佳。原因為容易獲得白色，且紫外光會對周圍的構件劣化等造成影響，而藍色光係該影響較小。發光元件12係例如透過金屬線13與形成在基板11上之未圖示的配線電連接。在發光元件12周圍，例如以包圍全體的方式形成反射器框14。

在發光元件12上，例如以和發光元件12之間隔有空間15地配置波長變換構件16。波長變換構件16係例如形成在形成基材17的一面上，形成基材17係例如以波長變換構件16成為在發光元件12側的方式配設於發光元件12上。發光元件12與波長變換構件16之間的距離，例如以1mm以上為宜，更理想為2mm以上。原因為能有效地減少從發光元件12所發出之熱的影響。又，發光元件12與波長變換構件16之間的距離，例如宜小於50mm。原因為從發光元件12發出之熱的影響變非常小，反之會導致裝置大型化。

波長變換構件16係例如含有粒子狀的螢光體材料及黏著此螢光體材料的黏著劑，亦可視需要而含有填料。

螢光體材料係例如含有螢光體粒子，螢光體粒子的表面亦可形成被覆層。螢光體粒子方面，例如可舉出BaMgAl₁₀O₁₇：Eu、ZnS：Ag,Cl、BaAl₂S₄：Eu或CaMgSi₂O₆：Eu等之藍色系螢光體、Zn₂SiO₄：Mn、(Y,Gd)BO₃：Tb、ZnS：Cu,Al、(M1)₂SiO₄：Eu、(M1)(M2)₂S：Eu、(M3)₃Al₅O₁₂：Ce、SiAlON：Eu、CaSiAlON：Eu、(M1)Si₂O₂N：Eu或(Ba,Sr,Mg)₂SiO₄：Eu,Mn等之黃色或綠 色螢光體、(M1)₃SiO₅：Eu、(M1)S：Eu或(M1)(M2)₂S：Eu、(Y,Gd)BO₃：Eu、Y₂O₂S：Eu、(M1)₂Si₅N₈：Eu、(M1)AlSiN₃：Eu或YPVO₄：Eu等之黃色、橙色或紅色系螢光體。此外，在上述化學式中，M1係含有包含Ba、Ca、Sr及Mg的群中至少1者，M2係含有Ga及A1中至少1者，M3係含有包含Y、Gd、Lu及Te的群中至少1者。

其中，較佳為，螢光體粒子係由(M3)₃Al₅O₁₂：Ce、SiAlON：Eu、CaSiAlON：Eu、(M1)Si₂O₂N：Eu、(M1)₂Si₅N₈：Eu、(M1)AlSiN₃：Eu、(M1)₂SiO₄：Eu、(M1)₃SiO₅：Eu、(M1)S：Eu或(M1)(M2)₂S：Eu所構成。M1、M2及M3如上述。螢光體粒子係因應於發光元件12之種類等而被選擇。螢光體材料採用1種或2種以上的螢光體粒子，在使用複數種的情況，亦可混合使用，又，亦可分成複數層地疊層，亦可將各螢光體排列配置。由於朝前方散射的情形居多，故螢光體粒子的粒子徑以平均粒子徑是5μm至20μm程度較佳。原因為平均粒子徑小於5μm時容易朝所有方向散射，平均粒子徑超過20μm時，會如同後述，難以藉由塗布形成波長變換構件16。

螢光體粒子的被覆層，例如係以含有包含稀土類氧化物、氧化鋯、氧化鈦、氧化鋅、氧化鋁、釔‧鋁‧石榴石等之釔和鋁的複合氧化物、氧化鎂、及MgAl₂O₄等之鋁和鎂的複合氧化物的群中的至少1種的金屬氧化物為主成分者較佳。原因為能提升耐水性耐紫外光等之特性。其中，以稀土類氧化物較佳，以含有包含釔、釓、鈰及鑭的群中至少1種元素之稀土類氧化物更 好，尤以Y₂O₃最為理想。原因為可獲得高的效果，又能抑制成本。

黏著劑係透過使含有包含依水解或氧化而成為氧化物的氧化物前驅物、矽酸化合物、二氧化矽、及非晶矽石的群中至少1種的黏著劑原料，於常溫反應或於500℃以下的溫度進行熱處理可獲得者。氧化物前驅物方面，例如可舉出以全氫聚矽氮烷(perhydropolysilazane)、矽酸乙酯、矽酸甲酯、磷酸鋁、乙醯丙酮酸鋁、乙醯丙酮酸釔(yttrium acetylacetonate)、醇化鋁(Aluminum alcoholate)、檸檬酸釔為主成分者是較佳的。原因為該等氧化物前驅物容易因常溫或熱處理中之水解或氧化而成為氧化物，可作為黏著劑發揮機能。此外，黏著劑方面，沒有必要是氧化物前驅物反應完全成為氧化物，亦可含有未反應部分、不完全反應部分。

其中，黏著劑方面，係以透過將含有包含依水解或氧化而成為氧化矽的氧化矽前驅物、矽酸化合物、二氧化矽、及非晶矽石的群中至少1種的黏著劑原料，於常溫反應或於500℃以下的溫度進行熱處理而獲得者較理想。原因為可提高來自發光元件12之光的透過率。氧化矽前驅物方面，例如可舉出以全氫聚矽氮烷、矽酸乙酯、矽酸甲酯為主成分者較理想。

又，矽酸化合物方面，例如可舉出矽酸鈉較理想。矽酸化合物可使用脫水狀態者，亦可使用水合物。二氧化矽或非晶矽石方面，例如使用奈米尺寸的超微粒子粉末，例如宜使用作為一次粒子徑的平均粒子徑是 5nm以上100nm以下的超微粒子粉末，若能使用5nm以上50nm以下的超微粒子粉末更好。該等矽酸化合物、二氧化矽或非晶矽石係因溶解或分散於溶媒，進行熱處理並乾燥而固形化，可作為黏著劑發揮機能。

為減少熱對形成基材17及螢光體材料之影響，黏著劑原料的熱處理溫度宜設為500℃以下，在有必要使熱的影響更小之情況設為300℃以下更好，若設為200℃以下更理想。又，若使黏著劑原料在常溫下反應，則因無熱的影響而更好。較佳的是因應所使用的形成基材17及螢光體材料之耐熱特性，選擇黏著劑原料之種類，藉以調整為使黏著劑原料於常溫反應，或要在幾度下進行熱處理。又，在螢光體材料容易因熱而氧化並劣化的情況，在熱處理之際的環境係以氮氣環境等之非氧化環境較佳。如此，就本實施形態而言，能以低溫對在高溫特性會劣化的螢光體材料進行黏著劑的熱處理，再者，熱處理後，藉由螢光體材料被氧化物所覆蓋，因而即便螢光體材料曝露在高溫狀態也能抑制特性劣化。

填料係以例如由具透光性的無機材料構成者較佳，可舉出氧化矽粒子、氧化鋁粒子或氧化鋯粒子等。更好為氧化矽粒子，其形態可為結晶亦可為玻璃。又，填料以使用與黏著劑同質材料來構成較佳。原因為與黏著劑的屈折率變相同，能減低散射。填料的平均粒子徑係以和螢光體粒子的平均粒子徑同程度之10μm至20μm程度較佳。原因為朝向前方之散射多，容易控制螢光體粒子間距離。

波長變換構件16的膜厚宜為例如30μm以上1mm以下者，50μm以上500μm以下者更好，50μm以上200μm以下更理想。原因為在比30μm還薄的情況，螢光體材料的量變少，發光亮度會降低。又，在比1mm還厚的情況，會導致光的散射/吸收增加，變得難以將光取出於外部。

形成基材17係例如由玻璃等之具透光性者所構成。玻璃的特性方面，例如以在400nm至800nm的波段中具有90%以上之光透過率者較佳。此外，形成基材17可為任何形狀，亦可為圓形板狀或四角板狀。又，圖1中顯示平面狀的情況，惟亦可為凹面狀、凸面狀或電燈泡形狀。

波長變換構件16係例如透過在形成基材17的一面上塗布含有螢光體材料和黏著劑原料之原料混合物，使黏著劑原料於常溫反應或於500℃以下的溫度進行熱處理而形成。具體言之，首先，例如將1種或2種以上的螢光體材料及黏著劑原料，視需要和稀釋溶媒混合，視需要和填料混合而作成糊狀的原料混合物，例如利用網版印刷等之印刷法、分液法或噴塗法塗布於形成基材17的一面上。尤其，若是印刷法，則可對應之漿液黏度範圍廣，故較佳。又，塗布可反覆進行直到成為必要膜厚為止。接著，例如使已塗布的原料混合物乾燥以除去稀釋溶媒。在那時，視需要在500℃以下，更好為300℃以下，再者於200℃以下的範圍加熱亦可。藉此，黏著劑原料因常溫或熱處理而反應，或因熱處理而固形化。

如此依據本實施形態，由於配置成發光元件12和波長變換構件16之間隔有空間15，且波長變換構件16的黏著劑主要使用無機材料，故能使對從發光元件產生的熱之耐熱性提升，可謀求高輸出化及高亮度化，並可小型化。又，因為波長變換構件16的黏著劑係透過在常溫反應或在500℃以下的溫度進行熱處理可得，故在低溫也可形成，能抑制會因高溫而特性劣化的螢光體材料之特性劣化。

再者，波長變換構件16若是在形成基材17的一面上塗布含有螢光體材料和黏著劑原料之原料混合物，使黏著劑原料在常溫反應或在500℃以下的溫度進行熱處理，則可容易地藉低溫而黏著於形成基材來形成。

[實施例]

(實施例1~4的發光裝置之製作)

首先，混合螢光體材料、黏著劑原料、填料、及稀釋溶媒，製作原料混合物。在螢光體材料方面，使用了平均粒子徑是15μm程度的由Y₃Al₅O₁₂：Ce構成的螢光體粒子和由CaSrS：Eu構成的螢光體粒子。在黏著劑原料方面，分別於實施例1使用矽酸乙酯、於實施例2使用全氫聚矽氮烷、於實施例3使用矽酸鈉的水合物、或於實施例4使用藉溶劑使二氧化矽或非晶矽石的超微粒子粉末懸濁化者。在填料方面，使用平均粒子徑是15μm程度的二氧化矽(silicon dioxide)粒子。在稀釋溶媒方面，使用萜品醇。接著，在由透明玻璃板構成的形成基材17的一面上印刷已製作的原料混合物，塗布成必要厚度。其後， 透過在150℃使之乾燥而除去稀釋溶媒。使用依此所獲得之各波長變換構件16，分別製作圖1所示的發光裝置10。發光元件12係使用藍色LED。

(比較例1的發光裝置之製作)

比較例1方面，除了是使用聚矽氧樹脂取代氧化矽前驅物，且混合螢光體材料和聚矽氧樹脂並透過印刷塗布於形成基材的一面上使之乾燥而形成波長變換構件以外，其餘和實施例1~4同樣地製作發光元件。

(評價方法1)

針對在實施例1~4及比較例1製作的波長變換構件16，進行在85℃、85%RH的高溫高濕度環境下之曝露試驗，調查亮度的經時變化。所獲得之結果當中的實施例1及比較例1的結果顯示於圖2。圖2中的縱軸係各個初期亮度設為100的情況之相對亮度值。亮度的定義係為由藍色LED所激發且經波長變換構件16進行波長變換後的光之光譜波峰高度的值。此外，圖2係以實施例1的結果為代表進行顯示，惟實施例2~4亦得到同樣的結果。

(評價結果1)

實施例1~4在2000小時後亦維持95%以上的亮度，相對地，比較例1從超過20小時後亮度維持率慢慢地降低，在2000小時後亮度維持率降至83%。

(評價方法2)

將實施例1~4及比較例1的波長變換構件16以大氣環境下之爐(oven)加熱，進行100℃迄至500℃的乾燥高溫環境曝露試驗，調查亮度的經時變化。又，因為波長 變換構件16在超過200℃的高溫域有破壞等之可能性，故採目視的外觀確認亦同時進行。曝露在各溫度的時間設為24小時，實施僅接近實用溫度域上限的150℃、200℃之迄至2000小時的長期曝露。所獲得之結果當中的實施例1及比較例1的結果顯示於圖3至圖5。圖3係表示在24小時曝露後的曝露溫度與發光亮度之關係，圖4係表示在150℃之乾燥高溫環境曝露試驗的結果，圖5係表示在200℃之乾燥高溫環境曝露試驗的結果。圖3至圖5中的縱軸係各個初期亮度設為100的情況之相對亮度值。此外，雖圖3至圖5係以實施例1的結果為代表進行顯示，惟實施例2~4亦得到同樣的結果。

(評價結果2)

如圖3所示，於各溫度的24小時曝露試驗中，比較例1伴隨著溫度變高，亮度維持率降低，在300℃以上，波長變換構件係因熱的化學變化而粉碎地剝離。相對地，在實施例1~4，外觀上並無變化，亦未見亮度維持率降低。

如圖4及圖5所示，在150℃及200℃的迄至1000小時的長期曝露試驗中，實施例1~4在150℃、200℃都不見變化，相對地，比較例1在150℃下自50小時後慢慢可見亮度維持率降低，在2000小時後亮度維持率降至87%，在200℃下10小時後可見亮度維持率降低的傾向，在1000小時後亮度維持率降至67%，在1200小時後之時間點，經確認外觀後，波長變換構件係因熱的化學變化而粉碎地剝離。

(實施例5~40、比較例2~7)

首先，將螢光體材料及黏著劑原料視情況混合稀釋溶媒、視情況混合填料，製作原料混合物。表1~4顯示各實施例及各比較例之螢光體材料的螢光體粒子的材質/螢光體粒子的平均粒子徑(粒徑)/添加量/被覆層的材質、填料的材質/平均粒子徑(粒徑)/添加量、黏著劑原料的材質/添加量。此外，螢光體材料是使用螢光體材料A和螢光體材料B雙方或任一方。螢光體材料A沒有在螢光體粒子形成被覆層，螢光體材料B係視情況在螢光體粒子形成被覆層。稀釋溶媒是使用α-萜品醇。

其次，在由玻璃板構成之形成基材17的一面上，塗布已製作的原料混合物，藉熱處理或室溫使黏著劑原料反應，獲得既定厚度的波長變換構件16。各實施例及各比較例之原料混合物的塗布法、熱處理溫度及波長變換構件16的厚度顯示於表2、4。波長變換構件16的厚度係在熱處理或室溫使之反應後的厚度。

針對藉此所獲得之各波長變換構件16，調查作為初期特性之初期的發光亮度。又，高溫高濕試驗方面，進行在85℃、85%RH的高溫高濕度環境下之曝露試驗，調查經過2000小時後的發光亮度之降低率。再者，乾燥高溫試驗方面，進行在150℃或200℃的乾燥高溫環境下之曝露試驗，調查經過2000小時後的發光亮度之降低率。各波長變換構件16的發光亮度係透過在圖1所示的發光裝置10設置各波長變換材16，由300W的藍色LED元件發出激發光，利用功率計測定那時的發光亮度。波長變換構件16與發光元件12之距離設為10mm。

獲得之結果顯示於表5、6。於表5、6中，初期特性的發光亮度係將實施例14的發光亮度設為100的情況之相對發光亮度。又，在高溫高濕試驗及乾燥高溫 試驗中之發光亮度的降低率係基於各實施例及各比較例中之初期特性的發光亮度之降低率。

如表5、6所示，依據本實施例，作為初期特性的相對發光亮度係80%以上，而經550℃以上的熱處理之比較例3~7中降至70%以下。又，在使用聚矽氧樹脂的比較例2中，高溫高濕試驗中之發光亮度降低率是15%，在150℃的高溫乾燥試驗中之發光亮度降低率是12%，在200℃的乾燥高溫試驗中，1200小時後波長變換構件剝離，1000小時後的發光亮度降低率是33%。相對地，依據本實施例，在高溫高濕試驗、150℃的高溫乾燥試驗及200℃的乾燥高溫試驗任一中，發光亮度降低率係大幅地改善成為3%以下。

再者，針對實施例5和比較例2的波長變換構件16，更使波長變換構件16與發光元件12之距離在1mm、2mm、5mm或10mm變化，製作圖1所示的發光裝置10，調查在連續發光5000小時後，基於初期特性的發光亮度之相對發光亮度降低率。獲得之結果顯示於表7。

如表7所示，依據實施例5，即便將波長變換構件16與發光元件12之距離設為1mm，相對發光亮度降 低率為2%，相對地，在比較例2中，若無隔開10mm則無法使相對發光亮度降低率成為2%以下。

(歸納)

從以上結果可知，依據本實施例可大幅提升耐熱性。

以上，雖舉了實施形態說明本發明，惟本發明不受上述實施形態所限，可為各種變形。例如在上述實施形態中，係針對發光裝置10的構造具體地說明，但亦可建構成具有其他構造。又，在上述實施形態中，係針對在形成基材17的一面上進行塗布而形成波長變換構件16的情況作了說明，但亦能用其他方法形成。例如作成透過將原料混合物放入目標形狀的模型並使之氧化而形成波長變換構件16，再從模型取出並作配設。

[產業上之可利用性]

可使用於LED或LD等之發光裝置。

10‧‧‧發光裝置

11‧‧‧基板

12‧‧‧螢光元件(發光元件)

13‧‧‧金屬線

14‧‧‧反射器框

15‧‧‧空間

16‧‧‧波長變換構件

17‧‧‧形成基材

Claims (12)

1. 一種發光裝置，其特徵為：具備發光元件、及配置成與該發光元件之間隔有空間的波長變換構件，前述波長變換構件含有粒子狀的螢光體材料及黏著劑，前述黏著劑係使含有包含依水解或氧化而成為氧化物的氧化物前驅物、矽酸化合物、二氧化矽(silica)、及非晶矽石(amorphous silica)的群中至少1種之黏著劑原料，於常溫反應或在500℃以下的溫度進行熱處理所獲得，前述發光元件與前述波長變換構件之間的距離為2mm以上5mm以下。
2. 如請求項1之發光裝置，其中前述波長變換構件係透過在形成基材的一面上塗布含有前述螢光體材料和前述黏著劑原料之原料混合物，且使前述黏著劑原料於常溫反應或於500℃以下的溫度進行熱處理而形成者。
3. 如請求項1之發光裝置，其中前述依水解或氧化而成為氧化物的氧化物前驅物為依水解或氧化而成為氧化矽(silicon oxide)的氧化矽前驅物。
4. 如請求項1之發光裝置，其中前述螢光體材料含有螢光體粒子，該螢光體粒子的平均粒子徑為5μm至20μm。
5. 如請求項1之發光裝置，其中前述波長變換構件的膜厚為30μm以上1mm以下。
6. 如請求項1之發光裝置，其中前述波長變換構件的膜厚為50μm以上200μm以下。
7. 如請求項1之發光裝置，其中前述波長變換構件係透過在形成基材的一面上利用印刷法塗布含有前述螢光體材料和前述黏著劑原料之原料混合物，且使前述黏著劑原料於常溫反應或於500℃以下的溫度進行熱處理而形成者。
8. 如請求項1之發光裝置，其中前述螢光體材料含有螢光體粒子，該螢光體粒子的表面形成有被覆層。
9. 如請求項8之發光裝置，其中前述被覆層含有氧化釔。
10. 如請求項1之發光裝置，其中前述波長變換構件進一步含有填料。
11. 如請求項10之發光裝置，其中前述填料與前述黏著劑為同質材料。
12. 如請求項10之發光裝置，其中前述填料的平均粒子徑為10μm至20μm。

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